JP2020502778A - 堆積システム - Google Patents

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Abstract

本開示によると、キャリアによって支持された基板上に１つ又は複数の層を堆積するための処理システム（１００）が提供される。当該処理システムは、基板をロードするためのロードロックチャンバ（１１０）、基板を搬送するためのルーティングモジュール（４１０）、第１の真空スイングモジュール（１３１）、材料を堆積するための堆積源を含む処理モジュール（５１０）、サービスモジュール（６１０）、基板をアンロードするためのアンロードロックチャンバ（１１６）、さらなるルーティングモジュール（４１２）、処理システムの動作の間に利用されるマスクを格納且つ搬送するように構成されたマスクキャリアマガジン（３２０）、さらなる真空スイングモジュール（１３２）、及び第１の真空スイングモジュール（１３１）とさらなる真空スイングモジュール（１３２）との間でキャリアを搬送するように構成された搬送システム（７１０）を含む。【選択図】図１Ａ

Description

本開示の実施形態は、有機材料の堆積、例えば、有機材料などの材料を堆積するためのシステム、有機材料源、及び有機材料のための堆積装置に関する。本開示の実施形態は、具体的には、デバイス、具体的には、有機材料をその内部に含むデバイスを製造するための製造システム、キャリアによって支持された基板上に１つ又は複数の層、具体的には、有機材料をその内部に含む層を堆積するためのシステム、製造デバイスのための製造システム内で、デバイス、具体的には、有機材料を含むデバイスを製造する方法、並びに１つ又は複数の層、具体的には、有機材料をその内部に含む層を堆積するためのシステム内で、キャリアによって支持された基板上に１つ又は複数の層を堆積するための方法に関する。
有機蒸発器は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）の生産のためのツールである。ＯＬＥＤは、特殊な発光ダイオードであり、その発光層は、特定の有機化合物の薄膜を含む。有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）は、情報を表示するためのテレビ画面、コンピュータモニタ、携帯電話、その他の携帯型デバイスなどを製造する際に使用される。ＯＬＥＤは、一般的な空間照明にも使用することができる。ＯＬＥＤピクセルは光を直接発するので、ＯＬＥＤディスプレイで可能な色、輝度、及び視野角の範囲は、従来のＬＣＤディスプレイの範囲よりも大きい。したがって、ＯＬＥＤディスプレイのエネルギー消費は、従来のＬＣＤディスプレイのエネルギー消費よりもかなり少ない。さらに、ＯＬＥＤをフレキシブル基板上に製造することができるため、さらなる用途がもたらされる。例えば、典型的なＯＬＥＤディスプレイは、２つの電極の間に配置された有機材料の層を含み得る。この有機材料の層は、すべて、個々に通電可能なピクセルを有するマトリクスディスプレイパネルを形成するように、基板上に堆積される。ＯＬＥＤは、通常、２つのガラスパネルの間に配置される。ガラスパネルの端部が密閉されて、その中にＯＬＥＤが封入される。代替的に、ＯＬＥＤは、膜技術（例えば、バリア膜）を用いて封入され得る。
このようなディスプレイデバイスの製造では、多くの課題に遭遇する。一例では、２つのガラスパネルの間にＯＬＥＤを封入し、デバイスの起こり得る汚染を防止するために必要な労働集約的な工程が数多くある。別の例では、ディスプレイスクリーン、ひいてはガラスパネルの種々のサイズによって、ディスプレイデバイスの形成に使用されるプロセス及びプロセスハードウェアの実質的な再構築が必要とされる場合がある。さらに、大規模なＯＬＥＤディスプレイの生産のための大面積基板のマスキング（例えば、パターン化された層の堆積）に関しては、高解像度ディスプレイを達成するために高精度が必要とされる。
したがって、低コスト及び高スループットで、大面積基板上にデバイス（例えば、ＯＬＥＤディスプレイデバイス）を形成するための、新しく且つ改善されたシステム、装置、及び方法が継続的に必要とされている。
上記に照らして、１つ又は複数の層を堆積するための処理システム、及び処理システムの処理構成体に基板をロード且つアンロードするための方法が提供される。
本開示の一態様によると、キャリアによって支持された基板上に１つ又は複数の層、具体的には、有機材料をその中に含む層を堆積するための処理システムが提供される。処理システムは、第１の基板を水平状態から垂直状態へと回転させるように構成された第１の真空スイングモジュール、第１の真空スイングモジュールに接続された第１のバッファチャンバ、第１のバッファチャンバに接続されたルーティングモジュールであって、第１の基板を、堆積源を備えた処理構成体へと搬送するように構成されたルーティングモジュール、ルーティングモジュールに接続された第２のバッファチャンバ、及び第２のバッファチャンバに接続されたさらなる真空スイングモジュールであって、第２の基板を垂直状態から水平状態へと回転させるように構成されたさらなる真空スイングモジュールを含む。第１のバッファチャンバは、第１の基板搬送方向で第１の真空スイングモジュールから受け取った第１の基板をバッファリングし、且つ第２の基板搬送方向でルーティングモジュールから受け取った第３の基板をバッファリングするように構成されている。第２のバッファチャンバは、第２の基板搬送方向でさらなる真空スイングモジュールから受け取った第２の基板をバッファリングし、且つ第１の基板搬送方向でルーティングモジュールから受け取った第４の基板をバッファリングするように構成されている。
本開示の別の態様によると、キャリアによって支持された基板上に１つ又は複数の層、具体的には、有機材料をその中に含む層を堆積するための処理システムが提供される。処理システムは、処理される基板をロードするためのロードロックチャンバ、キャリアによって支持された基板を搬送するように構成されたルーティングモジュール、ロードロックチャンバとルーティングモジュールとの間に設けられた第１の真空スイングモジュール、ルーティングモジュールに接続された処理モジュールであって、その真空処理チャンバ内で材料を堆積するための堆積源を含む、処理モジュール、処理モジュールに接続されたサービスモジュールであって、堆積源が、真空処理チャンバからサービスモジュールへと、且つサービスモジュールから真空処理チャンバへと移送され得るように構成されている、サービスモジュール、処理された基板をアンロードするためのアンロードロックチャンバ、キャリアによって支持された基板を搬送するように構成されたさらなるルーティングモジュール、さらなるルーティングモジュールに接続されたマスクキャリアマガジンであって、処理システムの動作の間に利用されるマスクを格納且つ搬送するように構成されたマスクキャリアマガジン、アンロードロックチャンバとさらなるルーティングモジュールとの間に設けられたさらなる真空スイングモジュール、並びに真空条件の下及び／又は制御された不活性雰囲気の下で、第１の真空スイングモジュールとさらなる真空スイングモジュールとの間でキャリアを搬送するように構成された搬送システムを含む。
本開示のさらなる態様によると、処理システム、具体的には、本明細書に記載された実施形態に係る処理システムの処理構成体に基板をロード且つアンロードするための方法が提供される。当該方法は、第１の基板を第１の真空スイングモジュールから第１のバッファチャンバの中へと第１の基板搬送方向に搬送することと、第１の基板と、第２の基板搬送方向でルーティングモジュールから受け取った第３の基板とを第１のバッファチャンバ内でバッファリングすることと、第１のバッファチャンバ内で第１の基板及び第３の基板を第１の基板搬送方向に対して横断的に移動させることと、第３の基板を第１のバッファチャンバから第１の真空スイングモジュールの中へと搬送すること、第１の基板を第１のバッファチャンバ内で横断的に逆移動させることと、第１の基板を第１のバッファチャンバからルーティングモジュールの中へと第１の基板搬送方向に搬送すること、第１の基板が、ルーティングモジュールに接続された処理構成体の中へとローディング方向にロードされ得るように、第１の基板をルーティングモジュール内で回転させることと、第１の基板をルーティングモジュールから処理構成体の中へとロードすることと、第４の基板を処理構成体からルーティングモジュールの中へとアンロードすることと、第４の基板が、ルーティングモジュールからルーティングモジュールに接続された第２のバッファチャンバの中へと第１の基板搬送方向に搬送され得るように、第４の基板をルーティングモジュール内で回転させることと、第４の基板を第２のバッファチャンバの中へと第１の基板搬送方向に搬送することと、第４の基板を第２のバッファチャンバ内で第１の基板搬送方向に対して横断的に移動させることと、第２の基板をさらなる真空スイングモジュールから第２のバッファチャンバの中へと第２の基板搬送方向に搬送することと、第４の基板及び第２の基板を第２のバッファチャンバ内で横断的に逆移動させることと、第４の基板を第２のバッファチャンバからさらなる真空スイングモジュールの中へと搬送することとを含む。
本開示のさらに別の態様によると、キャリアによって支持された基板上に１つ又は複数の層、具体的には、有機材料をその中に含む層を堆積するための処理システム、具体的には、本明細書に記載された実施形態に係る処理システムを操作するための方法が提供される。処理システムを操作するための方法は、水平配向で基板を処理システム内にロードすることと、真空スイングモジュール内で基板をキャリア上にロードすることと、真空スイングモジュール内で、ロードされた基板と共にキャリアを垂直配向に回転させることと、処理システムを通して、且つ真空条件下で処理モジュールを出入りするように、ロードされた基板と共にキャリアを移送することと、さらなる真空スイングモジュール内でキャリアを水平配向に回転させることと、水平配向で、さらなる真空スイングモジュール内のキャリアから基板をアンロードすることとを含む。
本開示の上述の特徴を詳細に理解することができるように、実施形態を参照することによって、上記に簡単に要約された本開示のより詳細な説明を得ることができる。添付の図面は、例示的な実施形態を示すのみであり、したがって、本開示の範囲を限定するものと見なすべきではないことに留意されたい。
本明細書に記載された実施形態に係る、第１のモジュラーレイアウト構成を有する処理システムの概略図を示す。 本明細書に記載された実施形態に係る、第２のモジュラーレイアウト構成を有する処理システムの一部の概略図を示す。 本明細書に記載された実施形態に係る、基板のロード及びアンロードの間の、第２のモジュラーレイアウト構成を有する処理システムの一部の様々な状態を示す。 本明細書に記載された実施形態に係る、処理システムの真空スイングモジュールの概略図を示す。 図２Ａに関連して説明されたように、真空スイングモジュール内での、基板が支持されたキャリアの回転の概略図を示す。 本明細書に記載された実施形態に係る、処理システムの処理モジュールの概略図を示す。 本明細書に記載された実施形態に係る処理システム内で基板を処理する間、堆積源が様々な位置にある処理モジュールの概略図を示す。 本明細書に記載された実施形態に係る、処理システム内で利用される堆積源を示す。 本明細書に記載された実施形態に係る、堆積源の堆積速度を測定するための測定アセンブリを示す。 本明細書に記載された実施形態に係る、蒸発るつぼの様々な実施形態の種々の断面図を示す。 本明細書に記載された実施形態に係る、堆積源の分配アセンブリの概略断面図を示す。 本明細書に記載された実施形態に係る、シールドデバイスを有する分配アセンブリの種々の詳細な概略断面図を示す。 本明細書に記載された実施形態に係る、シールドデバイスの概略斜視図を示す。 本明細書に記載された実施形態に係る、分配アセンブリのノズルの概略図を示す。 本明細書に記載された実施形態に係る、処理システムのサービスモジュールの種々の概略斜視図を示す。 本明細書に記載された実施形態に係る、処理システムのサービスモジュール及び処理モジュールの中の２つの堆積源の種々の状態を示す。 本明細書に記載された実施形態に係る、処理システムのルーティングモジュールの概略斜視図を示す。 本明細書に記載された実施形態に係る、それぞれに処理モジュールが接続された２つの隣接するルーティングモジュールの概略図を示す。 本明細書に記載された実施形態に係る、処理システム内で堆積源を搬送するための搬送装置の概略図を示す。 本明細書に記載された実施形態に係る、堆積源を支持するための堆積源支持体の概略図を示す。 本明細書に記載された実施形態に係る、処理システム内でキャリアアセンブリを搬送するためのさらなる搬送装置の様々な実施形態の概略図を示す。 本明細書に記載された実施形態に係る、処理システム内で利用されるキャリアアセンブリ及びマスクの概略図を示す。 本明細書に記載された実施形態に係る、処理システム内のマスクに対して基板を位置合わせするための位置合わせシステムを含むキャリアアセンブリの概略図を示す。 本明細書に記載された実施形態に係る、処理システム内のマスクに対して基板を位置合わせするための位置合わせシステムを含むキャリアアセンブリの概略斜視図を示す。 本明細書に記載された実施形態に係る、処理システムの処理構成体に基板をロード且つアンロードするための方法を示すブロック図を示す。 本明細書に記載された実施形態に係る、処理システムを操作するための方法を示すブロック図を示す。
本開示の様々な実施形態をこれより詳細に参照していく。これらの実施形態の１つ又は複数の実施例が図面に示されている。図面についての以下の説明の中で、同じ参照番号は、同じ構成要素を表している。下記において、個々の実施形態に関する違いのみが説明される。各実施例は、本開示の説明のために提供されており、本開示の限定が意図されているわけではない。さらに、ある実施形態の一部として図示且つ説明されている特徴は、他の実施形態において用いてもよく、又は、他の実施形態と共に用いてもよく、それにより、さらに別の実施形態が生じる。本記載は、このような修正例及び変形例を含むことが意図されている。
本明細書に記載された実施形態は、特に、例えば、ＯＬＥＤディスプレイ製造用の、大面積基板上での、有機材料の堆積に関する。幾つかの実施形態によれば、大面積基板、或いは、１つ又は複数の基板を支持するキャリア、すなわち、大面積キャリアは、少なくとも０．１７４ｍ２のサイズを有し得る。典型的には、キャリアのサイズは、約１．４ｍ２から約８ｍ２、より典型的には、約２ｍ２から約９ｍ２、又は最大１２ｍ２となることがある。典型的には、基板が支持される長方形領域であって、本明細書に記載された実施形態に係る保持構成体、装置、及び方法の提供の対象である長方形領域は、本明細書に記載されたように、大面積基板用のサイズを有するキャリアである。例えば、単一の大面積基板の面積に対応するであろう大面積キャリアは、約１．４ｍ２の基板（１．１ｍ×１．３ｍ）に対応するＧＥＮ５、約４．２９ｍ２の基板（１．９５ｍ×２．２ｍ）に対応するＧＥＮ７．５、約５．７ｍ２の基板（２．２ｍ×２．５ｍ）に対応するＧＥＮ８．５、又は約８．７ｍ２の基板（２．８５ｍ×３．０５ｍ）に対応するＧＥＮ１０であり得る。ＧＥＮ１１及びＧＥＮ１２などのさらに次の世代及びそれに相当する基板領域を同様に実装することができる。
本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる典型的な実施形態によれば、基板の厚さは、０．１から１．８ｍｍであり得、保持構成体、特に保持デバイスは、このような基板の厚さに適合し得る。しかしながら、特に基板の厚さは、約０．９ｍｍ以下（０．５ｍｍ又は０，３ｍｍ等）であり得、保持構成体、特に保持デバイスは、このような基板の厚さに適合される。
本明細書で使用される「基板」という用語は、例えば、ウエハ、サファイアなどの透明結晶体の薄片、又はガラスプレートといった、実質的に非フレキシブルな基板を特に包含し得る。しかしながら、本開示は、これらに限定されず、「基板」という用語は、例えば、ウェブ又はホイル等のフレキシブル基板も包含し得る。「実質的に非フレキシブル」という表現は、「フレキシブル」とは区別して理解される。具体的には、例えば、０．５ｍｍ以下の厚さを有するガラスプレートのように、実質的に非フレキシブルな基板はある程度の可撓性を有し得るが、実質的に非フレキシブルな基板の可撓性は、フレキシブル基板と比べて低い。
本明細書に記載された実施形態によれば、基板は、材料堆積に適した任意の材料から作られ得る。例えば、基板は、ガラス（例えば、ソーダ石灰ガラス、ホウケイ酸ガラス等）、金属、ポリマー、セラミック、複合材料、炭素繊維材料、又は堆積プロセスによってコーティングされ得る任意の他の材料若しくは材料の組合せからなる群から選択された材料から作られ得る。
図１Ａは、デバイス、特に有機材料をその中に含むデバイスを製造するための処理システム１００を示す。例えば、デバイスは、光電子デバイス及び特にディスプレイなどの、電子デバイス又は半導体デバイスであり得る。具体的には、本明細書に記載された処理システムは、基板上に層を堆積する間の改善されたキャリアハンドリング及び／又はマスクハンドリングのために構成される。これらの改善は、ＯＬＥＤデバイス製造において有益に利用され得る。しかしながら、本明細書に記載された様々なシステムモジュール（チャンバとも呼ばれる）の配置の概念によってもたされたキャリアハンドリング及び／又はマスクハンドリングの改善は、他の基板処理システム、例えば、蒸発源、スパッタ源、特に、回転式スパッタターゲット、ＰＥＣＶＤ堆積源などのＣＶＤ堆積源、又はこれらの組み合わせを含む基板処理システムのためにも利用され得る。本開示の実施形態は、特に大面積基板を処理するための製造システムに関する。この製造システムは、ＯＬＥＤ製造システムに関して説明される。なぜなら、これらのＯＬＥＤ製造システムが本明細書に記載された概念から特に益を得るからである。
より具体的には、本明細書に記載された処理システム１００は、蒸発堆積方法の実行のために構成される。蒸発堆積方法は、コーティング材料が、真空制御環境内で蒸発して、冷たい表面上で凝縮するという原理に基づいている。蒸発材料の沸点に達することなく十分な蒸発を達成するために、蒸発処理は真空環境で行われる。蒸発堆積の原理は、通常、３つの段階を含む。第１の段階は、蒸発段階である。この段階では、蒸発する材料がるつぼ内で動作温度まで加熱される。材料をるつぼから基板へと動かすのに十分な蒸気圧を生成するよう動作温度が設定される。第２の段階は、搬送段階である。この段階では、蒸気の均一な層を基板上に供給するために、蒸気が、例えば、ノズルを備えた水蒸気分配管を通して、るつぼから基板上へと移動させられる。第３の段階は、凝縮段階である。この段階では、基板の表面は、蒸発した材料より低い温度を有し、これにより、蒸発した材料が基板に付着することが可能になる。
図１を例示的に参照すると、本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、処理システムは、真空スイングモジュール１３０、基板キャリアモジュール２２０、ルーティングモジュール４１０、処理モジュール５１０、サービスモジュール６１０、マスクキャリアローダ３１０、マスクキャリアマガジン３２０、及び搬送システム７１０を含み得る。通常、使用される基板キャリアが格納される基板キャリアローダ２１０は、基板キャリアモジュール２２０に接続される。同様に、マスクキャリアマガジン３２０は、基板の処理中に使用されるよう意図されているマスクを格納するように構成されている。幾つかの実施形態では、処理システムのルーティングモジュールは、図１Ａに例示されているように、互いに直接接続されてもよい。代替的に、処理システムの隣接するルーティングモジュールは、図１Ｂに例示するように、移送モジュール４１５を介して接続され得る。言い換えると、典型的に、真空移送チャンバを含む移送モジュール４１５は、隣接するルーティングモジュール同士の間に実装され得る。したがって、典型的に、移送モジュールは、真空移送チャンバの内部に真空条件をもたらすよう構成されている。さらに、図１Ｂで概略的に示されているように、搬送システム７１０、具体的には、図１１Ａから図１１Ｄを参照してより詳細に説明されるような、キャリアアセンブリの無接触の浮揚及び搬送のための搬送装置は、移送モジュール４１５内に設けられ得る。さらに、移送モジュール４１５は、クライオポンプ（ｃｒｙｏ−ｐｕｍｐ）用のゲートバルブ、クライオポンプ用の接続フランジ、及びルーティングモジュールを接続するための接続フランジ（ここでは移送フランジとも呼ばれる）を含み得る。典型的に、移送フランジは、接続される処理モジュールに対して真空気密接続をもたらすよう適合されたフレーム及び密封面を含む。幾つかの実施形態では、移送モジュール４１５は、移送モジュールの内部にアクセスをもたらすよう構成されたアクセスドアを含み得る。これは、例えば、メンテナンスサービスのためのものである。
図１Ａ及び図１Ｂを例示的に参照すると、本明細書に記載された処理システムは、ディスプレイデバイス、具体的には、ＯＬＥＤの生産に使用され得る。本明細書に記載された任意の他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、処理システム１００は、基板の処理を真空条件下で行うことができるようなものである。基板は、真空スイングモジュール１３０、具体的には、第１の真空スイングモジュール１３１内にロードされる。マスク及び基板キャリアローダは、処理システム内で使用され得るすべてのキャリア（例えば、マスクキャリア及び基板キャリア）を格納する。ルーティングモジュール４１０は、適用可能な処理モジュール内でマスク及び基板キャリアを送る。処理された後、基板は、さらなる真空スイングモジュール１３２によって、処理システムからアンロードされ得る。代替的に、基板は、同じ真空スイングモジュール、例えば、第１の真空スイングモジュール１３１によって、処理システムにロードされたり、処理システムからアンロードされたりし得る。したがって、基板、具体的には、基板を有する基板キャリアは、ループトラック上で搬送され得る。それにより、同じ真空スイングモジュールへのアンロードのために基板が戻される。このモジュールは、基板を処理システムにロードするために使用されたものである。
より具体的には、図１Ａを例示的に参照すると、幾つかの実施形態によれば、処理システム１００は、第１の基板ハンドリングチャンバ１２１に接続されるロードロックチャンバ１１０を含み得る。基板は、第１の基板ハンドリングチャンバ１２１から第１の真空スイングモジュール１３１まで移送させられ得る。この場合、基板は、キャリア上の水平位置でロードされる。キャリア上に基板を水平位置でロードした後、第１の真空スイングモジュール１３１は、基板が上部に設けられたキャリアを垂直又は実質的に垂直な配向に回転させる。次に、垂直配向の基板を処理モジュール５１０．に移送するために、基板が上部に設けられたキャリアは、第１のルーティングモジュール４１１及びさらなるルーティングモジュール４１２を通して移送される。例えば、図１では、６つのルーティングモジュールと１０個の処理モジュールが示されている。
図１Ａを例示的に参照すると、本明細書に記載された任意の他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、第１の事前処理チャンバ１１１及び第２の事前処理チャンバ１１２が設けられ得る。さらに、ロボット（図示せず）又は別のハンドリングシステムが、基板ハンドリングチャンバ１２０内に設けられ得る。ロボット又は別のハンドリングシステムは、基板をロードロックチャンバ１１０から基板ハンドリングチャンバ１２０内にロードして、基板を事前処理チャンバのうちの１つ又は複数に移送することができる。例えば、事前処理チャンバは、基板のプラズマ事前処理、基板の洗浄、基板のＵＶ及び／又はオゾン処理、基板のイオン源処理、基板のＲＦ又はマイクロ波プラズマ処理、並びにこれらの組み合わせからなる群から選択された事前処理のツールを含み得る。基板の事前処理の後、ロボット又は別のハンドリングシステムは、基板を事前処理チャンバから出して、基板ハンドリングチャンバを介して、真空スイングモジュール１３０の中へと移送し得る。
基板のロードのために、且つ／又は、大気条件下で基板ハンドリングチャンバ１２０内の基板を取り扱うために、ロードロックチャンバ１１０の排気を可能にするため、少なくとも１つのゲートバルブが、基板ハンドリングチャンバ１２０と真空スイングモジュール１３０との間に設けられ得る。したがって、ゲートバルブ１１５が開かれて基板が第１の真空スイングモジュール１３１内に移送される前に、基板ハンドリングチャンバ１２０と、所望される場合、ロードロックチャンバ１１０、第１の事前処理チャンバ１１１、及び第２の事前処理チャンバ１１２のうちの１つ又は複数とが排気され得る。したがって、基板が第１の真空スイングモジュール１３１内にロードされる前に、大気条件下で基板のロード、処理、及び加工が行われ得る。
諸実施形態によると、典型的に、処理モジュール５１０は、ルーティングモジュール４１０に接続され得る。例えば、図１Ａに例示的に示すように、１０個の処理モジュールが設けられてもよく、それぞれルーティングモジュールのうちの１つに接続される。具体的には、処理モジュール５１０は、例えば、ゲートバルブ１１５を介して、ルーティングモジュール４１０に接続され得る。本明細書に記載されたゲートバルブ１１５は、ロックバルブとも呼ばれ得る。本明細書に記載された実施形態によれば、ゲートバルブ又はロックバルブは、個々の処理システムモジュール（処理システムチャンバとも呼ばれる）を互いから分離するために使用され得る。したがって、本明細書に記載された処理システムは、個々の処理システムチャンバ内の真空圧力を、別々に且つ互いから独立させて、制御し、変化させることができるよう構成される。
幾つかの実施形態では、処理システムは、層検査チャンバ（図示せず）をさらに含み得る。例えば、電子層検査ツール及び／又はイオン層検査ツールなどの層検査ツールは、層検査チャンバ内に設けられ得る。例えば、処理システム内にもたらされた１つ又は複数の堆積動作又は処理動作の後に層検査を行うことができる。したがって、典型的に、層検査チャンバは、本明細書に記載されているように、処理モジュール又はルーティングモジュールに接続され得る。例えば、処理システムは、基板を内部に有するキャリアが、処理モジュールから層検査チャンバへと移動され得るように構成され得る。したがって、本明細書に記載された処理システムは、検査される基板は、処理システムに内部で、すなわち、基板を処理システムから取り除くことなく、検査され得る。したがって、有利には、本明細書に記載された処理システムは、オンライン層検査のために構成され得る。オンライン層検査は、堆積動作又は処理動作のうちの１つ又は複数の後に行われ得る。
幾つかの実施形態では、且つ図１Ａに示すように、１つ又は複数のルーティングモジュール（ここでは回転モジュールとも呼ばれる）は、基板をある処理モジュールから別の処理モジュールへと搬送するためのインライン搬送システムを設けるためのラインに沿って設けられる。典型的に、図１Ａに例示的に示すように、搬送システム７１０が、処理システム１００内に設けられる。搬送システム７１０は、処理システム１００の個々のモジュール又はチャンバ間で、通常、キャリアアセンブリによって支持されている処理対象基板を搬送且つ移送するように構成されている。例えば、搬送システム７１０は、第１の搬送トラック７１１及び第２の搬送トラック７１２を含み得、これらに沿って、基板又はマスクを支持するためのキャリアが搬送され得る。具体的には、搬送システム７１０は、図１１Ａから図１１Ｅを参照してより詳しく説明されるように、無接触の浮揚及び搬送のための少なくとも１つの搬送装置を含み得る。
本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、搬送システム７１０は、図１Ａに例示的に示すように、２つ以上のルーティングモジュールの内部に設けられたさらなるトラック７１３を含み得る。具体的には、さらなるトラック７１３は、キャリアリターントラックであってもよい。
典型的には、キャリアリターントラックは、第１の搬送トラック７１１と第２の搬送トラック７１２との間に設けられ得る。キャリアリターントラックは、図１Ａに例示的に示すように、さらなる真空スイングモジュール１３２から第１の真空スイングモジュール１３１まで空のキャリアを戻すことを可能にする。したがって、空のキャリアは、真空条件下で戻すことができることを理解するべきである。真空条件下で、及び任意選択的に、制御された不活性雰囲気（例えば、Ａｒ、Ｎ２、又はこれらの組み合わせ）下で、キャリアを戻すと、キャリアの周囲空気への露出が減る。湿気との接触を低減又は回避することができる。したがって、製造システム内でデバイスを製造する間、キャリアのガス放出を低減することができる。これにより、製造されたデバイスの品質を改善することができ、且つ／又は、時間を延長して洗浄することなく、キャリアを作動させることができる。
図１Ａを例示的に参照すると、本明細書に記載された任意の他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、位置合わせシステム５５０は、処理モジュール５１０、具体的には、真空処理チャンバ５４０において設けられ得る。処理モジュール５１０のさらなる詳細は、図４Ａから図４Ｅを参照して説明され、位置合わせシステム５５０のさらなる詳細は、図１２Ｂ及び図１２Ｃに関連して説明される。
典型的な実施形態によれば、サービスモジュール６１０（ここでメンテナンスモジュールとも呼ばれる）は、例えば、ゲートバルブ１１５を介して、処理モジュール５１０に接続され得る。典型的には、処理システムは、２つ以上のサービスモジュール、例えば、第１のサービスモジュール６１１及び少なくとも１つの第２のサービスモジュール６１２を含む。本明細書に記載されたように、サービスモジュールは、処理システム内での堆積源のメンテナンスを可能にする。サービスモジュールのさらなる詳細は、図８Ａから図８Ｅに関連して説明される。
本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、図１Ａ及び図１Ｂに例示的に示すように、処理システムは、基板キャリアローダ２１０、及び基板キャリアモジュール２２０を含み得る。例えば、基板キャリアモジュール２２０は、１つ又は複数の基板キャリアをバッファリングするように構成され得る。例えば、基板キャリアモジュール２２０は、第１の真空スイングモジュール１３１に接続された第１のルーティングモジュール４１１に接続され得る。追加的に又は代替的に、基板キャリアモジュール及び基板キャリアローダは、最後のルーティングモジュール、例えば、図１Ａに示す６番目のルーティングモジュールに接続され得る。したがって、典型的に、基板キャリアモジュール２２０は、真空スイングモジュールのうちの１つに接続されるルーティングモジュールのうちの１つに接続され得る。基板が真空スイングモジュール内でロード且つアンロードされるので、基板キャリアモジュールを真空スイングモジュールの近くに設けることが有利である。典型的に、基板キャリアモジュール２２０は、１つ又は複数（例えば、５から３０個）の基板キャリアの格納を与えるように構成されている。したがって、有利には、本明細書に記載された堆積の実施形態は、例えば、洗浄のようなメンテンアンスのために、基板キャリアを交換することができるように構成されている。
図１Ａ及び図１Ｂを例示的に参照すると、本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、処理システム１００は、マスクキャリアローダ３１０（例えば、第１のマスクキャリアローダ３１１及び第２のマスクキャリアローダ３１２）、並びに様々なマスクをバッファリングするためのマスクキャリアマガジン３２０を含み得る。具体的には、マスクキャリアマガジン３２０は、特定の堆積ステップのために格納する必要がある交換マスク及び／又はマスクに格納を与えるように構成され得る。したがって、処理システム内で利用されるマスクは、洗浄などのメンテンアンス、又は、様々な堆積パターンのうちのいずれかのために交換され得る。典型的に、マスクキャリアマガジン３２０は、例えば、ゲートバルブ１１５を介して、ルーティングモジュール、例えば、図１Ａに示すさらなるルーティングモジュールのうちの１つに接続され得る。したがって、マスクを大気圧に曝すことを避けることができるように、真空処理チャンバ及び／又はルーティングモジュールを排気せずに、マスクを交換することができる。
本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、マスク洗浄チャンバ３１３が、図１Ａに例示的に示すように、例えば、ゲートバルブ１１５を介して、マスクキャリアマガジン３２０に接続され得る。例えば、プラズマ洗浄ツールは、マスク洗浄チャンバ３１３内に設けられ得る。追加的に又は代替的には、図１Ａに示すように、さらなるゲートバルブ１１５が、マスク洗浄チャンバ３１３において設けられ得る。このマスク洗浄チャンバ３１３を通して、洗浄されたマスクが処理システム１００からアンロードされ得る。したがって、マスクを処理システム１００からアンロードすることができ、排気する必要があるのはマスク洗浄チャンバ３１３のみである。マスクを製造システムからアンロードすることによって、製造システムがフルに動作している間に、マスク洗浄を外部で行うことができる。図１Ａは、マスクキャリアマガジン３２０に隣接するマスク洗浄チャンバ３１３を示す。対応する又は類似する洗浄チャンバ（図示せず）をさらに基板キャリアモジュール２２０に隣接して設けてもよい。洗浄チャンバを基板キャリアモジュール２２０に隣接して設けることにより、処理システムの内部で基板キャリアが洗浄され得る。
基板の処理後、基板が載っている基板キャリアは、垂直配向で最後のルーティングモジュールからさらなる真空スイングモジュール１３２内に移送される。さらなる真空スイングモジュール１３２は、基板が載っているキャリアを垂直配向から水平配向に回転させる。その後、基板は、さらなる水平基板ハンドリングチャンバ内にアンロードされ得る。処理された基板は、ロードロックチャンバ１１０を通して、処理システム１００からアンロードされ得る。追加的に又は代替的に、処理された基板は、図１Ａに例示的に説明するように、さらなる真空スイングモジュール１３２に接続され得る薄膜封入チャンバ８１０内に封入され得る。１つ又は複数の薄膜封入チャンバは、封入装置を含み得る。堆積した層及び／又は処理された層、特にＯＬＥＤ材料は、堆積された且つ／又は処理された材料が周囲空気及び／又は大気条件に露出されないよう保護するため、処理された基板とさらなる基板との間で封入（すなわち、挟持）される。しかしながら、ガラス板、ポリマー板、又は金属板を用いた積層、或いは、カバーガラスのレーザ溶融などの他の封入方法が、代替的に、薄膜封入チャンバのうちの１つに設けられた封入装置によって適用され得る。
本明細書に記載された任意の他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、幾つかのマスクキャリア及び基板キャリアを、同時に処理システムを通して動かすことができる。典型的に、マスクキャリア及び基板キャリアの動作は、連続タクトタイムと調整される。タクトタイムは、処理及びモジュールの型に依存し得る。例えば、ルーティングモジュールは、９０°から１８０°まで、５秒間の回転時間をもたらすように構成され得る。さらに、処理システムは、ゲートバルブの動作（すなわち、ゲートバルブの開放／閉鎖）がない状態で、２つの隣接するモジュールの間の基板搬送が、通常、５秒間であるように構成され得る。処理システム、特に処理システムの位置合わせシステムは、すべての位置合わせ操作を含む基板マスク位置合わせ処理が、２５秒以内で実行され得るように構成され得る。さらに、処理システムは、処理（例えば、コーティング）の後に、アライナ及び磁石板からの放出が１０秒間であるように構成され得る。典型的な実施形態によれば、スイングモジュールは、基板を１０秒以内でロードするように構成されている。さらに、基板キャリアモジュールは、基板を１０秒以内で位置合わせ且つチャックするように構成され得る。典型的に、スイングモジュールは、スイングを１０秒内で水平位置から垂直位置へと動かすように構成され得る。典型的な実施形態によれば、搬送システムは、５秒以内の約１００ｍｍの短い直線状動作をもたらすように構成されている。処理モジュールは、処理方法（例えば、コーティング方法）を、例えば、パスを完了するための３秒の源回転を伴って、６０秒以内で実行するように構成され得る。処理率（例えば、堆積率）及び処理速度（例えば、堆積源が基板の上を動く速度）は、処理結果（例えば、コーティングの厚さ）を制御するために調節し得ることを理解するべきである。
したがって、ＯＬＥＤディスプレイなどのデバイスは、図１Ａ及び図１Ｂで例示的に示されるように、処理システム１００内で以下のように製造され得る。基板は、ロードロックチャンバ１１０を介して、第１の基板ハンドリングチャンバ１２１内にロードされ得る。基板が第１の真空スイングモジュール１３１内にロードされる前に、基板の事前処理を第１の事前処理チャンバ１１１及び／又は第１の事前処理チャンバ１１２の内部で実現することができる。基板は、第１の真空スイングモジュール１３１内での基板キャリア上にロードされ、水平配向から垂直配向へと回転させられる。その後、基板は、第１のルーティングモジュール４１１及び１つ又は複数のさらなるルーティングモジュールを通して移送される。ルーティングモジュールは、図１Ａに例示的に示すように、基板を備えたキャリアを隣接する処理モジュール５１０に移動させることができるように、上部に基板がある状態で基板キャリアを回転させように構成されている。例えば、第１の処理モジュール５１１内では、デバイスのアノードを基板上に堆積するために、電極堆積が行われ得る。その後、基板を備えたキャリアを第１の処理モジュール５１１から取り除いて、ルーティングモジュールに接続されたさらなる処理モジュール５１２のうちの１つに移動させられ得る。例えば、さらなる処理モジュールのうちの１つ又は複数は、孔注入層を堆積するように構成され得、さらなる処理モジュールのうちの１つ又は複数は、青色発光層、緑色発光層、又は赤色発光層を堆積するように構成され得、さらなる処理モジュールのうちの１つ又は複数は、電子搬送層を堆積するように構成され得、この電子搬送層は、典型的に、発光層間及び／又は発光層上に設けられる。製造の終了時、カソードが、さらなる処理モジュールのうちの１つの中で堆積され得る。さらに、１つ又は複数の励起子遮断層（又は孔遮断層）或いは１つ又は複数の電子注入層が、さらなる処理モジュールのうちの１つの中でアノードとカソードとの間に堆積され得る。すべての所望の層を堆積した後、キャリアがさらなる真空スイングモジュール１３２内に移送され、基板を備えたキャリアは、垂直配向から水平配向へと回転させられる。その後、基板は、さらなる基板ハンドリングチャンバ１２２内でキャリアからアンロードされ、堆積した層スタックを封入するために薄膜封入チャンバ８１０のうちの１つに移送され得る。その後、製造されたデバイスを有する基板は、アンロードロックチャンバ１１６を通して、処理システムからアンロードされ得る。
図１Ｂを例示的に参照すると、本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、処理システムは、図２Ａから図２Ｈを参照してより詳細に例示されるように、具体的には、同じ側で２つの真空スイングモジュールを利用することにより、基板のロード及びアンロードが処理システムの同じ側で行われ得るように構成され得る。具体的には、図１Ｂを例示的に参照すると、本明細書に記載された任意の他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、１つ又は複数の層を堆積するための処理システム１００は、第１の真空スイングモジュール１３１、第１のバッファチャンバ１５１、ルーティングモジュール４１０（例えば、第１のルーティングモジュール４１１）、第２のバッファチャンバ１５２、さらなる真空スイングモジュール１３２、及び処理構成体１０００を含み得る。
より具体的には、図１Ｂ、及び図２Ａから図２Ｈを例示的に参照すると、第１の真空スイングモジュール１３１は、第１の基板１０１Ａを水平状態から垂直状態へと回転させるように構成されている。第１のバッファチャンバ１５１は、第１の真空スイングモジュール１３１に接続される。第１のバッファチャンバ１５１は、第１の基板搬送方向１０６で第１の真空スイングモジュール１３１から受け取った第１の基板１０１Ａを、バッファリングするように構成されている。さらに、第１のバッファチャンバ１５１は、第２の基板搬送方向１０７でルーティングモジュール４１０から受け取った第３の基板１０１Ｃをバッファリングするように構成されている。ルーティングモジュール４１０、具体的には、第１のルーティングモジュール４１１は、第１のバッファチャンバ１５１に接続され、第１の基板１０１Ａを処理構成体１０００に搬送するように構成されている。処理構成体１０００は、本明細書に記載されているように、通常、少なくとも１つの堆積源を含む。さらに、第２のバッファチャンバ１５２は、ルーティングモジュール４１０、具体的には、第１のルーティングモジュール４１１に接続されている。第２のバッファチャンバ１５２は、第２の基板搬送方向１０７でさらなる真空スイングモジュール１３２から受け取った第２の基板１０１Ｂを、バッファリングするように構成されている。さらに、第２のバッファチャンバ１５２は、ルーティングモジュール４１０、具体的には、第１のルーティングモジュール４１１から、第１の基板搬送方向１０６で受け取った第４の基板１０１Ｄをバッファリングするように構成されている。図２Ｄに例示するように、さらなる真空スイングモジュール１３２は、第２のバッファチャンバ１５２に接続され、第２の基板１０１Ｂを垂直状態から水平状態に回転させるように構成されている。
本開示では、「バッファチャンバ」は、２つ以上の基板、とりわけ基板キャリアによって支持された２つ以上の基板を、垂直配向でバッファリングするように構成されたチャンバであると理解することができる。より具体的には、本明細書に記載された「バッファチャンバ」は、バッファチャンバの内部に真空条件を設けるように構成された真空チャンバであり得る。
本明細書に記載された任意の他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によると、処理構成体１０００は、本明細書に記載されたさらなるルーティングモジュール４１２、及び本明細書に記載された処理モジュール５１０を含み得る。さらに、処理構成体１０００は、本明細書に記載された実施形態に係るサービスモジュール６１０を含み得る。幾つかの実施形態では、処理構成体１０００は、本明細書に記載されたマスクキャリアマガジン３２０、本明細書に記載されたマスクキャリアローダ３１０、本明細書に記載された堆積源の無接触搬送のための搬送装置７２０、本明細書に記載されたキャリアアセンブリの無接触の浮揚、搬送、及び／又は位置合わせのためのさらなる搬送装置８２０、本明細書に記載された位置合わせシステム５５０、本明細書に記載されたマスク洗浄チャンバ１３３、及び層検査チャンバからなる群のうちの少なくとも１つをさらに含み得る。したがって、図１Ｂ及び図２Ａから図２Ｈに関して説明された処理構成体１０００は、図１Ａ及び図３Ａから図１２Ｃに関連して説明されたように、幾つかの又はすべての処理モジュール及び処理構成要素を含み得ることを理解するべきである。例えば、基板のロード及びアンロードが本明細書に記載されたロードロックチャンバ１１０の処理システムの同じ側で実行され得るレイアウト構成では、本明細書に記載されたアンロードロックチャンバ１１６、本明細書に記載された第１の事前処理チャンバ１１１及び／又は第２の事前処理チャンバ１１２、並びに本明細書に記載された封入チャンバ８１０が設けられ得る。
図２Ａから図２Ｈを例示的に参照すると、本明細書に記載された任意の他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、第１のバッファチャンバ１５１は、第１の基板搬送方向１０６に対して横断的に、基板、例えば、第１の基板１０１Ａ及び／又は第３の基板１０１Ｃを移動させるように構成された第１の切り替えトラック１６１を含み得る。同様に、第２のバッファチャンバ１５２は、第２の基板搬送方向１０７に対して横断的に、基板、例えば、第２の基板１０１Ｂ及び／又は第４の基板１０１Ｄを移動させるように構成された第２の切り替えトラック１６２を含み得る。典型的に、図２Ａから図２Ｈに例示されているように、第１の基板搬送方向１０６は、第２の基板搬送方向１０７の反対方向である。
本開示では、「切り替えトラック」は、２つ以上の平行なトラックを有するトラック構成体であると理解することができ、これらは、２つ以上の基板、とりわけ基板キャリアによって支持された２つ以上の基板を、垂直配向で受け入れるように構成されている。より具体的には、本明細書に記載された「切り替えトラック」は、２つ以上の垂直な基板が、基板の表面に対して実施的に直角に移動し得るように構成されたトラック構成体であり、これは、２つ以上の基板がトラック構成体によって受け入れられる基板搬送方向に対して実質的に直角な移動方向に対応し得ると理解することができる。
本明細書に記載された任意の他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によると、ルーティングモジュール４１０、例えば、図１Ｂ、及び図２Ａから図２Ｅに示す第１のルーティングモジュール４１１は、第１の基板１０１Ａが、第１の基板搬送方向１０６とは異なるローディング方向で処理構成体１０００内にロードされ得るように、第１のバッファチャンバ１５１から受け取った第１の基板を回転させるように構成され得る。典型的に、ローディング方向は、第１の基板搬送方向に対して直角である。さらに、図２Ｄを参照して例示されているように、ルーティングモジュール４１０、具体的には、第１のルーティングモジュール４１１は、ローディング方向と異なるアンローディング方向で第４の基板１０１Ｄを処理構成体１０００から受け取るように構成されている。典型的に、図１Ｂ、及び図２Ａから図２Ｅで例示されているように、ロード及びアンロードが処理システムの同じ側で行うことができる処理システムのレイアウトでは、ローディング方向はアンローディング方向の反対方向である。
図１Ｂ、及び図２Ａから図２Ｈに例示するように、ゲートバルブ１１５は、第１の真空スイングモジュール１３１と第１のバッファチャンバ１５１との間、第１のバッファチャンバ１５１とルーティングモジュール４１０（例えば、第１のルーティングモジュール４１１）との間、ルーティングモジュール４１０と処理構成体１０００との間、ルーティングモジュール４１０と第２のバッファチャンバ１５２との間、第２のバッファチャンバ１５２とさらなる真空スイングモジュール１３２との間に設けられ得る。
したがって、図１Ｂ、及び図２Ａから図２Ｅを参照して説明されるレイアウト構成の処理システムは、有益には、処理構成体に基板をロード且つアンロードするタクトタイムを減少させることができるように、本明細書に記載された処理システムの処理構成体に基板をロード且つアンロードするための改善された方法を提供する。図１３Ａは、本明細書に記載された実施形態に係る、処理システムの処理構成体に基板をロード且つアンロードするための方法１１００を示すブロック図を示す。
具体的には、図２Ａから図２Ｈ、及び図１３Ａを例示的に参照すると、基板を処理構成体にロード且つアンロードする方法１１００は、第１の基板１０１Ａを第１の真空スイングモジュール１３１から第１のバッファチャンバ１５１内へと第１の基板搬送方向１０６に搬送すること（図１３Ａのブロック１１１０によって表される）、第１の基板１０１Ａと、第２の基板搬送方向１０７でルーティングモジュール４１０から受け取った第３の基板１０１Ｃとを第１のバッファチャンバ１５１内でバッファリングすること（図１３Ａのブロック１１２０によって表される）、第１のバッファチャンバ１５１内で第１の基板１０１Ａ及び第３の基板１０１Ｃを第１の基板搬送方向１０６に対して横断的に移動させること（図１３Ａのブロック１１３０によって表される）、第３の基板１０１Ｃを第１のバッファチャンバ１５１から第１の真空スイングモジュール１３１の中へと搬送すること（図１３Ａのブロック１１４０によって表される）、第１の基板１０１Ａを第１のバッファチャンバ１５１内で横断的に逆移動させること（図１３Ａのブロック１１５０によって表される）、第１の基板１０１Ａを第１のバッファチャンバ１５１からルーティングモジュール４１０の中へと第１の基板搬送方向１０６に搬送すること（図１３Ａのブロック１１６０によって表される）、第１の基板１０１Ａが、ルーティングモジュール４１０に接続された処理構成体１０００の中へとローディング方向にロードされ得るように、第１の基板１０１Ａをルーティングモジュール４１０内で回転させること（図１３Ａのブロック１１７０によって表される）、第１の基板１０１Ａをルーティングモジュール４１０から処理構成体１０００の中へとロードすること（図１３Ａのブロック１１８０によって表される）、第４の基板１０１Ｄを処理構成体１０００からルーティングモジュール４１０の中へとアンロードすること（図１３Ａのブロック１１９０によって表される）、第４の基板１０１Ｄが、ルーティングモジュール４１０からルーティングモジュール４１０に接続された第２のバッファチャンバ１５２の中へと第１の基板搬送方向１０６に搬送され得るように、第４の基板１０１Ｄをルーティングモジュール４１０内で回転させること（図１３Ａのブロック１２００によって表される）、第４の基板１０１Ｄを第２のバッファチャンバ１５２の中へと第１の基板搬送方向１０６に搬送すること（図１３Ａのブロック１２１０によって表される）、第４の基板１０１Ｄを第２のバッファチャンバ１５２内で第１の基板搬送方向１０６に対して横断的に移動させること（図１３Ａのブロック１２２０によって表される）、第２の基板１０１Ｂをさらなる真空スイングモジュール１３２から第２のバッファチャンバ１５２の中へと第２の基板搬送方向１０７に搬送すること（図１３Ａのブロック１２３０によって表される）、第２のバッファチャンバ１５２内で第４の基板１０１Ｄ及び第２の基板を横断的に逆移動させること（図１３Ａのブロック１２４０によって表される）、並びに第４の基板１０１Ｄを第２のバッファチャンバ１５２からさらなる真空スイングモジュール１３２の中へと搬送することと（図１３Ａのブロック１２５０によって表される）を含む。
図２Ａは、基板を処理構成体１０００にロードする間の状態を示し、ここで、第１の基板１０１Ａ、例えば、未処理の基板が、第１の真空スイングモジュール１３１から第１のバッファチャンバ１５１の中へと第１の基板搬送方向１０６に搬送される。第１のバッファチャンバ１５１では、第２の基板搬送方向１０７でルーティングモジュール４１０から受け取った第３の基板１０１Ｃ、例えば、未処理の基板が、第１の切り替えトラック１６１の第１のトラック上にバッファリングされる。したがって、第１の基板１０１Ａが、第１のバッファチャンバ１５１、具体的には、第１の切り替えトラック１６１の第２のトラックに搬送された後、第１の基板１０１Ａ及び第３の基板１０１Ｃは、第１のバッファチャンバ１５１内でバッファリングされる。典型的に、第１のバッファチャンバ１５１及び第１の切り替えトラック１６１は、本明細書に記載されたように、少なくとも２つの基板を垂直基板配向でバッファリング且つ搬送するように構成されている。図２Ａから図２Ｈでは、第３の基板１０１Ｃ及び第４の基板１０１Ｄは、処理された基板であり、これはハッチングで示されている。したがって、図２Ａから図２Ｈの第１の基板１０１Ａ及び第２の基板１０１Ｂは、未処理の基板、例えば、新しい基板である。
その後、図２Ｂの垂直の矢印によって例示されているように、第１の基板１０１Ａ及び第３の基板１０１Ｃは、第１のバッファチャンバ１５１内で第１の基板搬送方向１０６に対して横断的に移動させられ得る。典型的に、第１の基板１０１Ａ及び第３の基板１０１Ｃの第１の基板搬送方向１０６に対する横断的移動は、第１の切り替えトラック１６１によって行われる。図２Ｂの水平の矢印によって示されているように、第１の基板１０１Ａ及び第３の基板１０１Ｃが移動させられた後、第３の基板１０１Ｃが、第１のバッファチャンバ１５１から第１の真空スイングモジュール１３１の中へと第２の基板搬送方向１０７に搬送され得る。
その後、図２Ｃの垂直の矢印によって示されているように、第１のバッファチャンバ１５１内の第１の基板１０１Ａは、具体的には第１の切り替えトラック１６１のよる逆移動によって、横断的に逆移動させられる。さらに、図２Ｃの左側の湾曲した矢印によって示されているように、第３の基板１０１Ｃは、垂直状態から水平状態へと回転させられ得る。図２Ｃの水平の矢印によって示されているように、第１の基板１０１Ａは、第１のバッファチャンバ１５１からルーティングモジュール４１０の中へと第１の基板搬送方向１０６に搬送させられ得る。
図２Ｄを例示的に参照すると、第１の基板１０１Ａがルーティングモジュール４１０の中に搬送させられた後、第１の基板１０１Ａは、ルーティングモジュール４１０内で回転させられ、ルーティングモジュール４１０に接続された処理構成体１０００の中へとローディング方向にロードされ得る。したがって、その後、図２Ｄの上方を指し示す垂直矢印によって示されているように、第１の基板１０１Ａが、ルーティングモジュール４１０から処理構成体１０００の中へとロードされ得る。さらに、図２Ｄの下方を指し示す垂直の矢印によって示されているように、第４の基板が、処理構成体１０００からルーティングモジュール４１０の中へとアンロードされ得る。さらに、水平の矢印によって示されているように、第１の真空スイングモジュール１３１において、水平の第３の基板が第１の真空スイングモジュール１３１から取り出され得る。また、さらなる真空スイングモジュール１３２の右側の湾曲した矢印によって示されているように、第２のスイングモジュール内において水平状態で設けられた第２の基板１０１Ｂが、垂直状態に回転させられ得る。
以下では、第１の基板が、処理構成体１０００の中にロードされ、第４の基板が、処理構成体１０００からルーティングモジュール４１０の中へとアンロードされた後、第４の基板１０１Ｄは、図２Ｅで例示するように、ルーティングモジュール４１０内で回転させられ、ルーティングモジュール４１０からルーティングモジュール４１０に接続された第２のバッファチャンバ１５２の中へと第１の基板搬送方向１０６に搬送され得る。一方で、図２Ｅに例示するように、新しい基板１０１Ｎが、水平状態で第１の真空スイングモジュール１３１内にロードされ得る。さらに、第１の切り替えトラック１６１及び／又は第２の切り替えトラック１６２は、図２Ｅの垂直の矢印によって示されたように、基板搬送方向に対して横断的に移動させられ得る。
図２Ｆで例示するように、その後、第４の基板１０１Ｄが、ルーティングモジュール４１０から第２のバッファチャンバ１５２の中へと第１の基板搬送方向１０６に搬送させられ得る。その次に、第４の基板１０１Ｄは、図２Ｇの下方を指し示す垂直の矢印によって例示されているように、第２のバッファチャンバ１５２内で第１の基板搬送方向１０６に対して横断的に移動させられ得る。したがって、第２のバッファチャンバ１５２内の第２の切り替えトラック１６２は、さらなる真空スイングモジュール１３２から第２のバッファチャンバ１５２の中へと第２の基板１０１Ｂが第２の基板搬送方向１０７に搬送させられ得るように、位置付けされ得る。典型的に、第２のバッファチャンバ１５２及び第２の切り替えトラック１６２は、本明細書に記載されたように、少なくとも２つの基板を垂直基板配向でバッファリング且つ搬送するように構成されている。さらに、第１の真空スイングモジュール１３１の左側の湾曲した矢印によって示されているように、一方で、引き続き新しい基板１０１Ｎを第１のバッファチャンバ１５１の中へとロードするために、新しい基板が水平状態から垂直状態へと回転させられ得る。
図２Ｈの上方を示す垂直の矢印によって例示されているように、第２の基板１０１Ｂが第２のバッファチャンバ１５２によって受け入れられた後、第４の基板１０１Ｄが、第２のバッファチャンバ１５２からさらなる真空スイングモジュール１３２の中へと搬送させられ得るように、第４の基板１０１Ｄ及び第２の基板１０１Ｂは、第２のバッファチャンバ１５２内で横断的に逆移動させられる。以下では、第４の基板は、次いで、さらなる真空スイングモジュール１３２の内部で垂直状態から水平状態へと回転させられ得、それにより、第４の基板は、水平状態でさらなる真空スイングモジュール１３２からアンロードされ得る。
したがって、図１Ｂ、及び図２Ａから図２Ｈを参照して例示されているように、基板のロード及びアンロードを処理システムの同じ側で行うことができる処理システムレイアウトを設けることにより、空のキャリア用のキャリアリターントラックを省くことができる。したがって、有益には、処理システムのタクトタイム、スループット、及び効率を改善することができる。
本明細書に記載された処理システムの実施形態の観点から、処理システムのモジュラー構成は、処理システムを顧客のニーズに適合させる可能性をもたらすことを理解するべきである。例えば、処理システムは、例えば、単一層及び／又は多層として、ＯＬＥＤを生産するように構成され得る。具体的には、利用される処理モジュールの数は、本明細書に記載された実施形態に係る処理システムを使用して生成されることを意図されたデバイスの複雑性に応じて選択されてもよい。さらに、処理システムのレイアウトは、顧客の空間的条件及び物流境界条件に適合され得る。
図３Ａでは、本明細書に記載された実施形態に係る処理システム１００の真空スイングモジュール１３０、例えば、第１の真空スイングモジュール１３１又はさらなる真空スイングモジュール１３２の概略図を示す。本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、真空スイングモジュール１３０は、真空スイングチャンバ１３３を含む。真空スイングチャンバは、典型的に、排気ユニット（例えば、真空ポンプ）を真空スイングチャンバに接続する１つ又は複数のフランジを有する。したがって、真空スイングチャンバ１３３を、例えば、１０ｍｂａｒ以下の技術的真空（ｔｅｃｈｎｉｃａｌ ｖａｃｕｕｍ）まで排気することができ、これは、本明細書に記載された処理システムの１つ又は複数のモジュール又はチャンバ内にもたらされ得る。さらに、図３Ａに例示するように、真空スイングモジュール１３０は、基部１３７を含む。基部１３７は、基板キャリア９１０上にロードされた基板１０１が垂直配向又は水平配向で支持されている間、安定性をもたらすよう構成されている。後者の配向は、図３Ａに示されている。
さらに、真空スイングモジュール１３０には、アクチュエータ１３５、例えば、トルクモータが設けられ得る。アクチュエータ１３５は、回転軸１３６の周りで支持体１３４を回転させるように構成されている。回転可能な支持体は、ここではスイングステーションと呼ばれてもよい。したがって、支持体及び／又はそれに接続されたテーブルを水平配向から垂直配向へと回転させることができ、逆も可能である。上記に照らして、支持体が水平配向で設けられている間、基板１０１を基板キャリア９１０上にロードすることができる。具体的には、図３Ａに例示するように、基板１０１は、基板入口開口１３８を通して、真空スイングモジュール１３０の中に移動し得る。典型的に、基板が水平状態で真空スイングモジュールに中に移動し得るように、基板入口開口１３８は構成される。その後、基板１０１を支持する基板キャリア９１０は、水平配向から垂直配向へと回転させられ、搬送経路に沿って、第１のルーティングモジュールの中へと移動させられ、そして、例えば、図３Ａの点線で示された垂直に配向された出口開口１３９を通して、第１の真空スイングモジュール１３１から出される。
したがって、基板を実質的に垂直な状態で処理した後、図１Ａ及び図１Ｂに例示するように、上部に処理された基板を備えた基板キャリアをルーティングモジュールから出して、さらなる真空スイングモジュール１３２の中へと移動させることができる。さらなる真空スイングモジュール１３２内では、基板１０１を支持する基板キャリア９１０を垂直配向から水平配向に回転させることができる。その後、基板１０１を基板キャリア９１０からアンロードすることができる。したがって、本明細書に記載された真空スイングモジュールは、処理システム内で基板を処理するため、基板をロード且つ／又はアンロードするために使用され得ることを理解されたい。
典型的に、本明細書に記載された真空スイングモジュールは、高真空条件下にあるように構成されている。したがって、真空スイングモジュールには、少なくとも１つのゲートバルブが設けられてもよく、それにより、基板キャリアは、真空スイングチャンバ内の真空を破壊することなく、真空スイングモジュールを出入りするように移動することができる。さらに、真空スイングステーションには、静電チャックが設けられてもよい。静電チャックは、スイングステーション、例えば、回転可能な支持体に対して基板を保持するように構成されている。基板をスイングステーションから基板キャリアへと移送するためには、基板がスイングステーションの静電チャックから解放される一方で、基板キャリアの静電チャックが、基板を受け入れ且つ保持するように位置付けされる。
図３Ｂは、基板キャリア９１０に設けられた基板１０１を水平配向から垂直配向へと又は垂直配向から水平配向へと回転させる順序を示す。左から右へと、基板１０１が基板キャリア９１０に設けられる。リフトピン１４０が基板キャリア９１０の下方に設けられ得る。それにより、リフトピン１４０が垂直運動すると、基板１０１が基板キャリア９１０に対して上昇又は下降する。キャリアは、典型的に、基板受容部、上方誘導部９１１、及び下方誘導部を含む。上方誘導部は、図１１Ａ及び図１１Ｂを参照してより詳細に例示されるように、キャリアの磁気誘導を可能にする１つ又は複数のパッシブ磁気素子を含み得る。
基板１０１が基板キャリア９１０上にロードされる前に、リフトピン１４０が上昇位置へと垂直に動かされる。ロボット又は別のアクチュエータは、基板を真空スイングモジュール内にロードし、基板をリフトピン１４０の上に置くことができる。したがって、リフトピン１４０は、基板１０１を支持するように構成されている。その後、基板１０１が基板キャリア９１０の上にロードされるようにリフトピンを下降させることができる。その後、例えば、基板キャリア９１０のロッドが搬送システムの１つ又は複数のローラ９１２において位置している間、図３Ｂの順序によって示されているように、基板キャリア９１０を回転させることができる。代替的に、基板キャリアの下方誘導部には、１つ又は複数のローラが設けられてもよい。このローラは、基板キャリアを対応する搬送トラック上で誘導するように構成され得る。さらに、図１１Ｃから図１１Ｅを参照して例示されているように、特に基板キャリアの上方誘導部は、第１のパッシブ磁気素子８５１を含み得、基板キャリアの下方誘導部は、第２のパッシブ磁気素子８５２を含み得る。したがって、基板キャリアが垂直位置に上昇した後、図１１Ａ及び図１１Ｂを参照してより詳細に説明されるように、基板キャリアは、処理システムの搬送経路に沿って、特に、例えば、キャリアの無接触搬送用の搬送装置の誘導構造体に沿って、移動させられ得る。
図４Ａは、例えば、有機材料を堆積するための、本明細書に記載された実施形態に係る処理システムのための処理モジュール５１０の実施形態を示す。典型的には、堆積源５２０、特に蒸発源が、処理モジュール５１０の真空処理チャンバ５４０内に設けられる。具体的には、堆積源５２０は、図４Ａに例示するように、トラック又はリニアガイド５２２上に設けられ得る。リニアガイド５２２は、堆積源５２０の並進運動のために構成され得る。さらに、堆積源５２０の並進運動をもたらすための駆動部が設けられ得る。具体的には、図１０Ａから図１０Ｃを参照してより詳細に説明されるように、堆積源の無接触搬送用の搬送装置７２０が、真空処理チャンバ５４０内に設けられ得る。図４Ａに例示したように、真空処理チャンバ５４０は、ゲートバルブ１１５を有し得る。図１Ａ及び図１Ｂに例示するように、ゲートバルブ１１５を介して、真空堆積チャンバは、隣接するルーティングモジュール又は隣接するサービスモジュールに接続され得る。具体的には、ゲートバルブは、隣接する真空チャンバに対する真空密封を可能にし、基板及び／又はマスクが処理モジュールに出入りするよう開閉することができる。
本開示では、「真空処理チャンバ」とは、真空チャンバ又は真空堆積チャンバであると理解されたい。本明細書で使用する「真空」という用語は、例えば、１０ｍｂａｒ未満の真空圧を有する技術的真空を意味すると理解することができる。典型的には、本明細書に記載された真空チャンバの圧力は、１０−５ｍｂａｒと約１０−８ｍｂａｒとの間、より典型的には、１０−５ｍｂａｒと１０−７ｍｂａｒとの間、さらにより典型的には、約１０−６ｍｂａｒと約１０−７ｍｂａｒとの間であってよい。幾つかの実施形態によれば、真空チャンバ内の圧力は、真空チャンバ内部の蒸発した材料の分圧、又は、全圧のいずれかと見なすことができる（分圧及び全圧は、真空チャンバ内で堆積させる構成要素として蒸発材料のみが存在する場合、おおよそ同じであり得る）。幾つかの実施形態では、真空チャンバ内の全圧は、特に真空チャンバ内に蒸発材料以外の第２の構成要素（例えばガス等）が存在する場合、約１０−４ｍｂａｒから約１０−７ｍｂａｒまでの範囲であり得る。
処理システムは、真空チャンバの内部に真空を発生させるために真空チャンバに接続された、ターボポンプ及び／又はクライオポンプなどの１つ又は複数の真空ポンプを含み得る。さらに、幾つかの実施形態では、例えば、本明細書に記載された処理システムの真空チャンバ内で前段真空を発生させるために、前段真空ポンプ（ｆｏｒｅ−ｖａｃｕｕｍ ｐｕｍｐ）が設けられ得る。さらに、高真空ポンプ、すなわち、ターボポンプ及び／又はクライオポンプのための排出口に注入するために、前段真空が供給され得る。
図４Ａを例示的に参照すると、本明細書に記載された任意の他の任意の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、２つの基板、例えば、第１の基板１０１Ａ及び第２の基板１０１Ｂは、真空処理チャンバ５４０内でそれぞれの搬送トラック上で支持され得る。さらに、その上にマスク３３０を設ける２つのトラックが設けられ得る。具体的には、図１１Ａから図１１Ｂを参照してより詳細に説明されるように、キャリアの非接触搬送のためのさらなる搬送装置に、基板キャリア及び／又はマスクキャリアの搬送用のトラックが設けられ得る。
典型的には、基板のコーティングには、それぞれのマスクによって、図１２Ａを参照して例示するように、例えば、エッジ除外マスクによって、又は、図１２Ｂを参照して例示するように、シャドウマスクによって、基板をマスキングすることが含まれ得る。典型的な実施形態によれば、図４Ａに例示的に示したように、マスク、例えば、第１の基板１０１Ａに対応する第１のマスク３３０Ａと、第２の基板１０１Ｂに対応する第２のマスク３３０Ｂとは、マスクを所定の位置で保持するマスクフレーム３３１内に設けられる。
本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によると、基板１０１は、例えば、接続要素１２４によって、位置合わせシステム５５０に接続され得る基板支持体１０２よって支持され得る。位置合わせシステム５５０は、マスク３３０に対する基板１０１の位置を調整することができる。したがって、有機材料の堆積中に基板とマスクとの間で適切な位置合わせを行うために、基板をマスク３３０に対して移動させることができる。本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができるさらなる実施形態によれば、代替的に又は追加的に、マスク３３０及び／又はマスク３３０を保持するマスクフレーム３３１は、位置合わせユニット５５０に接続され得る。したがって、マスクを基板１０１に対して位置付け得るか、又は、マスク３３０と基板１０１の双方を互いに対して位置付け得るかのいずれかが可能である。したがって、図１２Ｂ及び図１２Ｃを参照してより詳細に説明されるように、本明細書に記載された位置合わせシステムは、堆積処理中のマスキングの適切な位置合わせを可能とし、これは、高品質又はＬＥＤディスプレイ製造にとって有益である。
マスクと基板の互いに対する位置合わせの実施例には、位置合わせユニットが含まれる。位置合わせユニットは、基板の平面とマスクの平面に対して実質的に平行である平面を画定する少なくとも２つの方向において相対的な位置合わせを可能にする例えば、位置合わせは、少なくともｘ方向及びｙ方向、すなわち、上述の平行な平面を画定する２つのデカルト方向において実行され得る。典型的には、マスク及び基板は、互いに実質的に平行であり得る。具体的には、位置合わせは、基板の平面及びマスクの平面に対して実質的に直角な方向でも実行され得る。したがって、位置合わせユニットは、マスクと基板との互いに対する、少なくともＸ−Ｙ方向の位置合わせ、具体的には、Ｘ−Ｙ−Ｚ方向の位置合わせのために構成される。本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる一具体例は、真空処理チャンバ内で静止して保持され得るマスクに対して、基板をｘ方向、ｙ方向、及びｚ方向に位置合わせすることである。
図４Ａに示されるように、リニアガイド５２２は、蒸発源５２０の並進運動の方向をもたらす。堆積装置５２０の両側には、マスク３３０、例えば、第１の基板１０１Ａをマスキングするための第１のマスク３３０Ａと、第２の基板１０１Ｂをマスキングするための第２のマスク３３０Ｂとを設けることができる。マスクは、堆積源５２０の並進運動の方向に対して実質的に平行して延在し得る。さらに、蒸発源の両側の基板も並進運動の方向に対して実質的に平行に延在し得る。典型的な実施形態によれば、ゲートバルブ１１５を通して、基板１０１を、真空処理チャンバ５４０の中へ、そして真空処理チャンバ５４０の外へ移動させることができる。したがって、処理モジュール５１０は、それぞれの基板の搬送のための対応する搬送トラック、例えば、第１の基板のための第１の搬送トラック、及び第２の基板のための第２の搬送トラックを含み得る。典型的に、搬送トラックは、基板配向に対して平行に延在する。
本明細書に記載された任意の他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、マスクを保持するマスクフレームを支持するためにさらなるトラックが設けられ得る。したがって、４つのトラックが、真空処理チャンバの内部に設けられ得る。例えば、マスクの洗浄のためにマスクのうちの１つを真空処理チャンバから外に移動させるため、マスクと共にマスクフレームを基板の搬送トラック上に移動させることができる。それから、それぞれのマスクフレームは、基板用の搬送トラック上で真空処理チャンバを出入りすることができる。マスクフレーム用に、真空チャンバの中と外に別々の搬送トラックを設けることは可能であるが、２つのトラック、すなわち、基板用の搬送トラックのみが真空チャンバの中と外に延在し、さらに、適切なアクチュエータ又はロボットによって、マスクフレームを基板用の搬送トラックのうちの対応する１つの上に移動させることができる場合、処理モジュールの所有コストを減らすことができる。
図４Ａを例示的に参照すると、リニアガイド５２２に沿って堆積源５２０を並進運動させるように構成された源支持体５３１が設けられ得る。典型的に、源支持体５３１は、蒸発るつぼ５２１、及び蒸発るつぼ５２１の上方に設けられた分配アセンブリ５３０を支持し得る。したがって、蒸発るつぼ内で生成された蒸気は、上方に移動し、分配アセンブリの１つ又は複数の排出口から排出され得る。したがって、図４Ｂから図４Ｅに例示されているように、分配アセンブリ５３０は、蒸発した有機材料、特に、蒸発した源材料のプルーム３１８を、分配アセンブリ５３０から基板１０１へと供給するよう構成される。
１つ又は複数の排出口は、１つ又は複数の開口若しくは１つ又は複数のノズルであり得、例えば、シャワーヘッド又は別の蒸気分配システムにおいて設けられ得る本明細書では、シャワーヘッドは、シャワーヘッドの中の圧力がシャワーヘッドの外側の圧力よりも（例えば、少なくとも一桁）高くなるように開口を有する筐体を含むと理解することができる。本明細書に記載された堆積システム内で利用された蒸発るつぼ及び分配アセンブリは、それぞれ、図６Ａから図６Ｄ、図５Ａ、及び図７Ａから図７Ｃのそれぞれを参照して説明される。
さらに、本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、図４Ａに示し、且つ図７Ａから図７Ｄを参照してより詳細に説明されるように、堆積源は、シールドデバイス５１７を含み得る。さらに、図４Ａに例示するように、遮蔽壁として構成され得る材料収集ユニット４０が設けられ得る。さらに、図４Ｄに例示されているように、堆積源が回転位置にあるとき、堆積源（例えば、蒸発源）から排出された蒸発源材料を収集するために、材料収集ユニット４０が、真空チャンバ内に配設されてもよい。図４Ａに例示するように、堆積源のサービス位置においてシェーパシールドデバイス５１７を洗浄するために、加熱デバイス５０が設けられ得る。サービス位置とは、排出口がコーティングされる基板に向かって方向付けられた分配アセンブリの堆積位置に比べて、本明細書に記載された分配アセンブリの排出口が回転位置にある堆積源の位置であり得る。
本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、分配アセンブリの回転は、少なくとも分配アセンブリが取り付けられる蒸発制御ハウジングの回転によりもたらされ得る。典型的には、蒸発るつぼも蒸発器制御ハウジングに取り付けられる。したがって、堆積源は、少なくとも分配アセンブリが回転可能に取り付けられるように、又は、るつぼと分配アセンブリの両方が共に回転可能に取り付けられるように、構成され得る。代替的に、制御ハウジング、分配アセンブリ、及び蒸発るつぼが、回転可能に共に取り付けられ得る。典型的に、材料収集ユニットは、分配アセンブリと共に回転しないように固定的に取り付けられ、分配アセンブリの回転に対して静止状態を保つ。また、図４Ｂから図４Ｅに例示するように、材料収集ユニットは、並進運動に従い、並進運動に関連して移動可能である。
図４Ｂから図４Ｅは、真空処理チャンバ５４０の様々な位置における堆積源５２０、具体的には、蒸発源を示す。種々の位置間の運動は、矢印１０２Ｂ、１０２Ｃ、及び１０２Ｄによって示されている。図４Ｂでは、堆積源５２０が第１の位置で示されている。図４Ｃに示すように、真空チャンバ５４０内の左側の基板は、矢印１０２Ｂで示される堆積源の並進運動によって有機材料の層が堆積される。左側の基板、例えば、第１の基板１０１Ａが、有機材料の層で堆積されている間、点線で示すように、第２の基板１０１Ｂ、例えば、図４Ｂから図４Ｅの右手側にある基板を交換することができる。第１の基板１０１Ａが有機材料の層で堆積された後、堆積源５２０の分配アセンブリ５３０は、図４Ｄの矢印１０２Ｃで示されているように回転し得る。有機材料を第１の基板１０１Ａ上に堆積する間、第２の基板１０１Ｂは、第２のマスク３３０Ｂに対して位置付け且つ位置合わせされる。したがって、図４Ｄに示す回転の後、第２の基板１０１Ｂは、矢印１０２Ｄで示す堆積源の並進運動によって、有機材料の層がコーティングされ得る。第２の基板１０１Ｂが有機材料でコーティングされている間、点線で示すように、第１の基板１０１Ａが真空チャンバ５４０から搬出され得る。
したがって、本明細書に記載された実施形態に係る２つ以上の処理モジュールを含む処理システムを設けることで、例えば、特にＯＬＥＤ生産のための有機材料の蒸発プロセスにより、種々の層が処理モジュールの内部の基板上に堆積され得る。図４Ａから図４Ｅを参照して以上で例示されているように、２つ以上の処理モジュールの各処理モジュールは、典型的に、２つの処理側部を有する。図１１Ａから図１１Ｅを参照してより詳細に説明されているように、各処理面の内部には、マスクキャリア及び基板キャリアを処理位置内に移動させる磁気浮揚レールが設けられる。各処理側部の外部には、基板をマスクに対して位置合わせするように構成された位置合わせシステムが設けられる。典型的に、処理モジュールは、マスクキャリアを、処理位置内に移動させ、ロックボルトで所定位置に保持するように構成されている。次いで、基板キャリアは、処理位置に移動させられ、位置合わせシステムは、基板とマスクの位置合わせを行う。
図５Ａは、本明細書に記載された実施形態に係る堆積源５２０の斜視図を示す。図４Ａに例示されているように、堆積源５２０は、蒸発るつぼ５２１に接続された分配アセンブリ５３０を含み得る。例えば、分配アセンブリ５３０は、細長いキューブであり得る分配管を含み得る。例えば、本明細書に記載された分配管は、分配管の長さに沿って少なくとも１つのライン上に配置された複数の開口及び／又はノズルを有するライン源を設け得る。代替的に、少なくとも１つのラインに沿って延びる１つの細長い開口が設けられ得る。例えば、細長い開口は、スリットであり得る。本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、このラインは、実質的に垂直であり得る。
したがって、分配アセンブリは、例えば、内部に複数の開口が配置された線形分配シャワーヘッドとして設けられる分配管を含み得る。本明細書で理解されるシャワーヘッドは、例えば、蒸発るつぼから材料が供給又は誘導され得る筐体、内部空洞、又は管を有する。シャワーヘッドは、シャワーヘッドの内部の圧力がシャワーヘッドの外部の圧力より高くなるように、複数の開口（又は細長いスリット）を有し得る。例えば、シャワーヘッドの内部の圧力は、シャワーヘッドの外部の圧力よりも少なくとも１桁高い場合がある。
さらに、図５Ａに例示するように、分配アセンブリには、典型的に、実質的に垂直に延在するライン源が設けられる。本開示では、「実質的に垂直に」という表現は、特に基板の配向を指すときに、垂直方向からの１０°以下の偏差を許容するものと理解される。垂直配向からある程度の偏差を有する基板支持がより安定した基板位置をもたらす場合があるので、このような偏差が設けられ得る。しかし、有機材料の堆積中の基板配向は、実質的に垂直とみなされ、水平の基板配向と異なるとみなされる。したがって、基板の表面は、１つの基板寸法と、他の基板寸法に対応する他の方向に沿った並進運動とに対応する１つの方向に延びるライン源によってコーティングされ得る。
本明細書に記載された任意の他の実施形態とも組み合わせることができる実施形態によれば、分配管の長さは、少なくとも堆積される基板の高さに相当し得る。具体的には、分配管の長さは、堆積される基板の高さよりも、少なくとも１０％又はさらに２０％長くてよい。例えば、分配管の長さは、１．３ｍ以上であってよく、例えば、２．５ｍ以上であってよい。したがって、基板の上端及び／又は基板の下端において均一な堆積がもたらされ得る。代替構成によれば、分配アセンブリは、垂直軸に沿って配置され得る１つ又は複数の点源を含み得る。
本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によると、図５Ｂに示すように、蒸発るつぼ５２１は、分配アセンブリ５３０と流体連通しており、分配アセンブリ５３０の下端に設けられている。具体的には、蒸発るつぼ５２１と分配アセンブリ５３０との間の接続をもたらすように構成されたコネクタ（例えば、フランジユニット）が設けられ得る。例えば、蒸発るつぼと分配アセンブリは、別個のユニットとして設けられ得る。これらは、例えば、蒸発源を操作するために、コネクタにおいて分離したり、接続したり、又は組み立てたりすることができる。典型的に、蒸発るつぼは、るつぼの加熱により蒸発される有機材料のためのリザーバである。したがって、蒸発した有機材料は、特に分配管の底で分配アセンブリに入り、例えば、実質的に垂直な基板に向かって、分配管内の複数の開口を通って本質的に横方向に誘導される。
図５Ａに例示されるように、分配アセンブリ５３０は、三角形状に設計され得る。図７Ａ及び図７Ｂを参照してより詳細に説明されるように、分配アセンブリ５３０の三角形状は、２つ以上の分配管が隣同士に配置され得る場合、有益であり得る。特に、分配アセンブリ５３０の三角形状により、隣接し合う分配管の出口をできるだけ互いに接近させることが可能になる。これにより、例えば、２つ、３つ、又はさらに多くの異なる材料を同時蒸発させる場合、種々の分配管からの種々の材料の混合を改善することが可能となる。
本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、分配アセンブリ５３０は、壁（例えば、側壁５２５Ｂ、及び分配アセンブリ５３０の裏側５２５Ａにおける壁）を含み得、それにより、内部空洞が分配アセンブリの内部に設けられる。図４Ａに例示するように、加熱ユニット５１５は、分配アセンブリ、具体的には、分配管を加熱するために設けられ得る。加熱ユニット５１５は、分配アセンブリ５３０の壁に装着又は取り付けられ得る。したがって、分配アセンブリ５３０は、蒸発るつぼ５２１によって供給された有機材料の蒸気が分配アセンブリ５３０の壁の内側部で凝縮しない温度まで加熱され得る。さらに、加熱ユニット５１５がもたらす熱エネルギーを空洞空間に戻すように反射するためには、分配アセンブリの管、特に分配管の周囲に熱シールドが設けられ得る。
蒸発源の外側への熱放射を低減するために、熱シールドは幾つかのシールド層を含み得る。さらなる選択肢として、熱シールドは、空気、窒素、水、又は他の適切な冷却流体などの流体によって能動的に冷却されるシールド層を含み得る。本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる、さらに別の実施形態によれば、１つ又は複数の熱シールドが、蒸発源のために設けられ得る。熱シールドは、蒸発源のそれぞれの部分を囲む金属板を含み得る。例えば、金属板は、０．１ｍｍから３ｍｍの厚さを有し得、鉄合金（ＳＳ）及び非鉄合金（Ｃｕ、Ｔｉ、Ａｌ）からなる群から選択された少なくとも１つの材料から選択され得、且つ／又は、例えば、０．１ｍｍ以上の間隙で互いから離間され得る。したがって、熱損失を最小限にすることができるので、本明細書に記載された分配アセンブリは、その加熱に利用されるエネルギーを低減することができるように構成される。
本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、堆積源５２０は、シールドデバイス、具体的には、シェーパシールドデバイス５１７を含み得、それにより、基板に供給される蒸発材料の分配円錐の限界を定める。さらに、シールドデバイスは、堆積領域に向けた熱放射を低減するように構成され得る。さらに、シールドは、冷却素子５１６によって冷却され得る。例えば、冷却素子５１６は、シェーパシールドデバイス５１７の背面に装着されてもよく、冷却流体用の導管を含み得る。
幾つかの実装形態では、蒸発源は、特に蒸発中、軸の周りで回転するように構成され得る。したがって、回転駆動部が、堆積源カートと堆積源との間の接続部に設けられ得る。回転駆動部は、例えば、基板の堆積が実行される前、蒸発源を基板に対して平行になるよう回すように構成されている。ＯＬＥＤデバイス製造のための様々な適用例には、２つ以上の有機材料を同時に蒸発させるプロセスが含まれる。したがって、幾つかの実施形態では、２つ以上の分配アセンブリ、具体的には、分配管及び対応する蒸発るつぼが、互いに隣接するように設けられ得る。このような蒸発源は、蒸発源アレイと呼ばれることもあり、例えば、２種類以上の有機材料が同時に蒸発される。蒸発源アレイの実施例は、図７Ａ及び図７Ｂを参照して説明される。
さらに、図５Ａを例示的に参照すると、本明細書に記載された任意の他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、堆積率測定アセンブリ５８０が設けられ得る。具体的には、堆積率測定アセンブリ５８０は、分配アセンブリ５３０の測定出口５３５の背後で、分配アセンブリの上端に設けられ得る。図４Ａの測定出口５３５を出る矢印によって例示されているように、測定出口５３５は、蒸発材料が、分配管５３０の内側から、測定出口５３５を通って、堆積率測定アセンブリ５８０へと供給されるように構成され得る。
図５Ｂを例示的に参照すると、堆積率測定アセンブリ５８０は、堆積率を測定するための発振水晶５８１、及び発振水晶５８１を保持するためのホルダ５８２を含み得る。ホルダ５８２は、ｋ＝３０Ｗ／（ｍＫ）を超える、具体的には、ｋ＝５０Ｗ／（ｍＫ）を超える、より具体的には、ｋ＝７０Ｗ／（ｍＫ）を超える（例えば、ｋ＝１５０Ｗ／（ｍＫ）を超える熱伝導率ｋを有する材料を含み得る。例えば、ホルダ５８２は、銅、アルミニウム、銅合金、アルミニウム合金、黄銅、鉄、銀、銀合金、金合金、マグネシウム、ウォルフラム、炭化ケイ素、窒化アルミニウム、又はその他の適切な材料からなる群から選択された少なくとも１つの材料を含む固体であってもよい。したがって、測定精度を低下させ得るような、発振水晶に対する熱効果を減少させることができる。
典型的に、発振水晶５８１は、測定開口５８３を有するホルダ５８２の内部に配置されている。具体的には、熱が発振水晶からホルダに伝達されるように、発振水晶は、ホルダの固体と接近し得る。図５Ｂに例示するように、蒸発材料の堆積率を測定するために、蒸発材料が発振水晶上に堆積され得るように、測定開口５８３が構成及び配置され得る。
本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる堆積率測定アセンブリの代替構成（明示せず）によれば、堆積率測定アセンブリは、堆積率を測定するための第１の発振水晶、堆積率を測定するための第２の発振水晶、及び可動式シャッターを含み得る。可動式シャッターは、第１の測定出口から供給された蒸発材料を遮蔽するように構成される。第１の測定出口は、蒸気材料を第１の発振水晶に供給するように方向付けられ、可動式シャッターは、第２の測定出口から供給された蒸発材料を遮蔽するように構成され、第２の測定出口は、蒸発材料を第２の発振水晶に供給するように方向付けられる。
本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、堆積率測定アセンブリの代替構成の可動式シャッターは、少なくとも１つの開孔を有する回転可能素子、具体的には、回転可能ディスクである。少なくとも１つの開孔は、回転可能素子が第１の状態にあるときに、第１の測定出口から第１の発振水晶に供給される蒸発材料のためのアクセスをもたらすように構成されている。
本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によると、堆積率測定アセンブリの代替構成の少なくとも１つの開孔は、回転可能素子が第２の状態にあるときに、第２の測定出口から第２の発振水晶に供給される蒸発材料のためのアクセスをもたらすように構成されている。
本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、堆積率測定アセンブリの代替構成の少なくとも１つの開孔は、互いに対して正反対に配置された第１の開孔及び第２の開孔を含む。
本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、堆積率測定アセンブリの代替構成の少なくとも１つの開孔は、第１の開孔及び／又は第２の開孔の両側に配置された第３の開孔及び第４の開孔を含む。典型的に、第３の開孔及び第４の開孔は、第１の開孔の半径方向位置及び／又は第２の開孔の半径方向位置に実質的に対応する半径方向位置に配置される。
本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によると、堆積率測定アセンブリの代替構成は、第１の発振水晶及び／又は第２の発振水晶に堆積された材料を蒸発させることができるように、熱を第１の発振水晶及び／又は第２の発振水晶に加えるように構成されたヒータをさらに備えている。
本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によると、堆積率測定アセンブリの代替構成は、可動式シャッターに堆積された材料を蒸発させることができるように、熱を可動式シャッターに加えるように構成された、可動式シャッター内に設けられたさらなるヒータをさらに備えている。
本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、堆積率測定アセンブリの代替構成のヒータは、第１の発振水晶用の第１のホルダ、及び第２の発振水晶用の第２のホルダ内に設けられる。
本開示における「発振水晶」とは、発振水晶共振器の周波数の変化を測定することにより、単位面積当たりの発振水晶上の堆積材料の質量変化を測定するように構成された発振水晶であると理解してもよい。特に、本開示では、発振水晶は、水晶共振器であると理解してもよい。より具体的には、「堆積率を測定するための発振水晶」は、水晶マイクロバランス（ｑｕａｒｔｚ ｃｒｙｓｔａｌ ｍｉｃｒｏｂａｌａｎｃｅ：ＱＣＭ）であると理解してもよい。
図５Ｂに例示されるように、本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、熱交換器５８４は、例えば、発振水晶５８１に隣接又は近接するホルダ５８２内に配置され得る。熱交換器５８４は、発振水晶及び／又はホルダ５８２と熱を交換するように構成され得る。例えば、熱交換器は、管を含み得、この管を通って、冷却流体が供給され得る。冷却流体は、液体（例えば、水）、又は気体（例えば、空気）であってよい。具体的には、冷却流体は、冷却した圧縮空気であり得る。本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、熱交換器５８４は、ホルダ５８２及び／又は発振水晶５８１を１５℃以下、具体的には、１０℃以下（例えば、８℃以下）の温度まで冷却するように構成され得る。したがって、堆積率測定の質、精度、及び安定性に対する高温の負の効果を低減又はさらに除去することができる。具体的には、本明細書に記載された測定アセンブリを設けることにより、発振水晶の熱変動を低減又はさらに除去することができ、これは、堆積率測定の精度にとって有益であり得る。
図５Ｂを例示的に参照すると、本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、温度センサ５８５が設けられ得る。温度センサ５８５は、ホルダ５８２及び／又は発振水晶５８１の温度を測定するように配置且つ構成され得る。したがって、発振水晶が不正確に測定する傾向のある臨界温度を検出することができるように、堆積率測定アセンブリの温度（例えば、絶対温度又は温度変化）に関する情報を得ることができる。したがって、温度センサによって、測定アセンブリの、特にホルダ及び／又は発振水晶の臨界絶対温度又は臨界温度変動が検出された場合、本明細書に記載された熱交換器を利用することにより、適切な反応（例えば、冷却）が開始され得る。これは、堆積率測定の正確さに関して有益であり得る。
本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、堆積率測定アセンブリ５８０は、発振水晶５８１及び／又はホルダ５８２の温度を制御するための温度制御システム５８６を含み得る。具体的には、温度制御システム５８６は、温度センサ５８５、熱交換器５８４、及びコントローラ５７５のうちの１つ又は複数を含み得る。図５Ｂに例示されているように、コントローラ５７５は、温度センサ５８５によって測定されたデータを受信するため、温度センサ５８５に接続され得る。さらに、コントローラ５７５は、ホルダ５８２及び／又は発振水晶５８１の温度を制御するために、熱交換器５８４に接続され得る。したがって、コントローラは、温度センサ５８５によって測定された温度に応じて、ホルダ５８２及び／又は発振水晶５８１の温度を制御するように構成され得る。例えば、温度センサ５８５が、発振水晶が不正確に測定する傾向のある臨界温度を検出した場合、コントローラは、ホルダ５８２及び／又は発振水晶５８１を冷却するために、熱交換器５８４に制御信号を伝達し得る。したがって、発振水晶の理想的な測定温度、例えば、１５℃未満、具体的には、１０℃未満、より具体的には５℃未満が温度センサ５８５によって検出された場合、冷却を停止することができるように対応する制御信号を熱交換器に送信することにより、前に開始された冷却が停止し得る。
図５Ｂを例示的に参照すると、本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、堆積率測定アセンブリ５８０は、測定出口５３５から供給された蒸発材料を遮蔽するためのシャッター５８７を含み得る。具体的には、シャッター５８７は、図５Ｂの矢印によって例示されているように、シャッターの第１の状態からシャッターの第２の状態へと可動であるように構成され得る。例えば、シャッターの第１の状態は、シャッター５８７が測定出口５３５を遮蔽しない開放状態であり得、シャッター５８７の第２の状態は、図５Ｂに例示するように、発振水晶５８１が測定出口５３５を通して供給された蒸発材料から保護されるように、シャッター５８７が測定出口５３５を遮蔽する状態であり得る。したがって、堆積率が測定されなくてもよい状況では、発振水晶及び／又はホルダは、蒸発材料の高温から保護され得る。
さらに、シャッター５８７は、測定出口５３５を通して供給された蒸発材料の熱から発振水晶５８１及び／又はホルダ５８２を保護するための熱保護シールド５８８を含み得る。追加的に又は代替的に、シャッター５８７は、シャッター冷却素子５８９を含み得る。図５Ｂに例示的に示されるように、熱保護シールド５８８は、測定出口５３５に面するシャッター５８７の側面に配置され得る。特に、熱保護シールド５８８は、測定出口５３５を通って供給される蒸発材料が供給する熱エネルギーを反射するように構成され得る。例えば、熱保護シールド５８８は、プレート（例えば、金属板）であってよく、又は、例えば、０．１ｍｍ以上の間隙によって互いに対して離間され得る２つ以上のプレート（例えば、２つ以上の金属シート）であってよい。例えば、シート金属は、０．１ｍｍから３．０ｍｍの厚さを有し得る。具体的には、熱保護シールドは、鉄材料又は非鉄材料、例えば、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅合金、アルミニウム合金、黄銅、鉄、チタン（Ｔｉ）、セラミック、及び他の適した材料からなる群から選択された少なくとも１つの材料を含み得る。
図６Ａは、蒸発るつぼ５２１の例示的な実施形態を示す。蒸発るつぼ５２１は、源材料（例えば、有機材料）を受け入れるための内部容積５６０を囲む内表面を有する壁を含む。例えば、蒸発るつぼの容積は、１００ｃｍ３から３０００ｃｍ３の間、具体的には７００ｃｍ３から１７００ｃｍ３の間、より具体的には１２００ｃｍ３であってよい。図６Ａに示するつぼは、２つの半分部として示され、対称面５０１に対して鏡面対称である。典型的に、蒸発るつぼ５２１は、コネクタ５２４を含み得る。コネクタ５２４を介して、るつぼと、分配アセンブリ、特に分配管とが、例えば、互いに形状を適合させて接続され得る。蒸発るつぼ５２１は、底壁５５７、及び上壁５５８を含み得る。底壁及び上壁は、側壁５６１〜５６６を介して互いに接続されてもよい。したがって、蒸発るつぼ５２１の内部容積５６０は、底壁５５７、上壁５５８、及び側壁５６１〜５６６によって囲まれ得る。るつぼの実施形態によれば、少なくとも上壁５５８はるつぼ開孔５０４を含み得る。るつぼ開孔５０４は、蒸発した源材料が、るつぼから出て、分配アセンブリ（例えば、蒸発した源材料を基板に誘導するように構成された分配管）に入ることを可能にする。
図６Ａに示す実施形態によれば、るつぼ加熱ユニット５２３が、蒸発るつぼ５２１の壁において又は壁の中に設けられ得る。例えば、加熱ユニットは、１つ又は複数のヒータを含み得る。るつぼ加熱ユニットは、少なくともるつぼの壁の一部に沿って延在し得る。本明細書に記載された実装形態によれば、蒸発るつぼ５２１は、るつぼシールド５２７をさらに含み得る。るつぼシールド５２７は、るつぼ加熱ユニット５２３が供給する熱エネルギーをるつぼの筐体に向けて反射するように構成される。したがって、るつぼシールドは、蒸発るつぼの内部容積の内部での源材料の効率的な加熱を支えることができる。
諸実施形態によれば、蒸発るつぼ５２１は、蒸発るつぼ５２１の内部容積５６０内部に配置された１つ又は複数の熱伝達素子５７０を含み得る。熱伝達素子５７０は、るつぼの内部容積の間接加熱をもたらすよう構成され得る。したがって、１つ又は複数の熱伝達素子からの熱が源材料に直接付加され得る。源材料は、粉末、液体、及び／又はペレットの形態であってよい。例えば、熱伝達素子は、熱を受動的に受け入れように構成され得、例えば、加熱ユニット及び／又は電力供給部への直接接続を必要としない場合がある。具体的には、熱伝達素子５７０は、例えば、るつぼ壁から及び／又はるつぼの外部から熱を受け入れることができる。したがって、堆積処理中、るつぼの壁及び／又は外部からの熱は、熱伝達素子によって、るつぼの内部容積内部に分配され、源材料の均質な加熱及び連続蒸発が確実になされる。具体的には、熱伝達素子は、るつぼの内部容積の内部に配置されてもよく、それにより、るつぼの内部容積の任意の特定の位置で測定された温度は、所定の温度に比べて、且つ／又は、るつぼの内部容積の内部の別の特定の位置における温度に比べて、１０℃以下、例えば、５℃以下（０．５℃から３℃等）の最大温度差により異なる。またさらに、追加的に又は代替的に、最大温度差は、４％以下、例えば、２％以下（０．２％から１．１％）であり得る。
図６Ａを例示的に参照すると、熱伝達素子５７０は、壁から蒸発るつぼ５２１の内部容積５６０の中に突出し得る。例えば、第１の熱伝達素子５７１及び第２の熱伝達素子５７２は、例えば、第１の熱伝達素子及び第２の熱伝達素子のそれぞれの中で液体源材料を収容するためにカップ形状で設けられ得る。さらに、第１の熱伝達素子及び第２の熱伝達素子は、蒸発るつぼ５２１の側壁５６１〜５６６のうちのいずれかの少なくとも一部に接続され得る。より具体的には、第１の熱伝達素子５７１は、第２の熱伝達素子５７２の上方に配置され得る。すなわち、第１の熱伝達素子５７１は、第２の熱伝達素子５７２よりもるつぼ開孔５０４の近くに配置される。
本明細書に記載された任意の他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、第１の熱伝達素子と第２の熱伝達素子は、同じ形状であってもよく、又は、形状寸法及び／若しくは大きさが異なっていてもよい。具体的には、熱伝達素子５７０は、プレート状部分５７０ａ、及びチューブ状部分５７０ｂを有する。プレート状部分５７０ａは、蒸発るつぼ５２１の内表面の少なくとも一部に沿って、側壁５６１〜５６６に接続され得る。チューブ状部分５７０ｂは、プレート状部分５７０ａの中央に配置され得る。具体的には、チューブ状部分５７０ｂは、るつぼ開孔５０４に向かって延在してもよく、これにより、るつぼと分配アセンブリ（例えば、分配管）との間の流体交換のための接続が設けられる。より具体的には、熱伝達素子５７０のチューブ状部分５７０ｂの開孔の中心と、るつぼ開孔５０４の中心とは、蒸発るつぼ５２１の中央軸５０５に沿って位置合わせされるように配置され得る。
本明細書に記載された幾つかの実施形態によれば、１つ又は複数の熱伝達素子は、高い熱伝導率を有する金属又は合金を含む材料から作られ得る。例えば、熱伝達素子は、チタン、ステンレス鋼、及びダイヤモンド状炭素（ＤＬＣ）から選択された任意の１つ又は複数の要素を含み得る。本明細書の実施形態では、蒸発処理中に熱伝達素子が源材料に対して反応しないように、１つ又は複数の熱伝達素子の材料は、源材料に対して不活性であり得る。使用される源材料の蒸発温度に応じて、１つ又は複数の熱伝達素子の材料は、少なくとも源材料の蒸発温度（例えば、１５０℃から６５０℃以上の範囲であり得る）まで安定且つ不活性であるべきである。
図６Ｂを例示的に参照すると、るつぼの代替的な実施形態によれば、蒸発るつぼ５２１は、壁、特に側壁からるつぼの内部容積５６０の中へと突出する１つ又は複数の熱伝達素子５７０を含み得る。具体的には、１つ又は複数の熱伝達素子５７０は、プレート５７３、例えば、図６Ｂに示す６つのプレートの形態で設けられてもよく、蒸発した源材料を分配アセンブリに向けて誘導するためにるつぼの内部容積の内部に配置され得る。より具体的には、６つのプレートはそれぞれ、壁から蒸発るつぼ５２１の内部容積５６０の中心に向けて突出し得る。例えば、６つのプレートはそれぞれ、図６Ｄに例示するように、蒸発るつぼ５２１のそれぞれの側壁に対して直角に配置され得る。具体的には、プレート５７３のうちの任意の１つ又はすべてが、るつぼの壁の中に、又は壁を通って延在し得る。例えば、図６Ｄに例示するように、６つのプレートのうちのいずれかが、それぞれの側壁を通って、且つ／又は底壁５５７を通って、且つ／又は蒸発るつぼ５２１の上壁５５８を通って延在し得る。
るつぼの幾つかの実施形態によると、るつぼの壁は、プレート５７３を収容するための複数のスリットを含み得る。スリットは、るつぼの壁を完全に通って延在し得る。したがって、スリットは、組み立て手順を簡略化し、確実に熱が外部からるつぼの内部容積へと効果的に伝達されるようにすることができる。例えば、るつぼを組み立てている間、プレートがスリット内に挿入されて、るつぼの外部からさらに溶接され得る。さらに、６つのプレートのいずれかが、蒸発るつぼ５２１の内部容積５６０の総長さ５６９の約０％から約１００％の範囲内で蒸発るつぼ５２１の中央軸５０５に平行に長手方向に延在し得る。例えば、６つのプレートのいずれかが、るつぼの内部容積の総長さの少なくとも約９０％にわたって延在し得る。
図６Ｃを例示的に参照すると、るつぼの代替的な実施形態によれば、１つ又は複数の熱伝達素子５７０は、複数のプレート５７３、例えば、蒸発るつぼ５２１の内部容積５６０の内部に配置された１８個のプレートを含み得る。図５Ｂに示す実施形態と同じように、１８個のプレートはそれぞれるつぼの壁を通って延在し得る。プレートの数を増やすことにより、るつぼの内部容積内部の１つ又は複数の熱伝達素子の表面積を拡大することができる。さらに、複数の熱伝達素子を有することにより、るつぼの内部容積内の熱伝達及び空間に関する特定の有益な実装形態に応じて、熱伝達素子を、るつぼの内部容積に追加したり、且つ／又は、るつぼの内部容積から取り出したりするという意味で、るつぼがモジュール式であることを可能にする。本明細書に記載された任意の他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、プレートは、２つの隣接する平面（各平面はプレートのうちの１つに対して平行に延在する）の間の交点における最小絶対角が、約５°から約１７５°の間の範囲内、例えば、約３０°、約４５°、又は約６０°であるように、るつぼの内部に配置され得る。
図６Ｄは、線Ａ−Ａに沿った、図６Ｂに示す蒸発るつぼ５２１の断面斜視図を示す。図６Ｄは、それぞれの側壁に対して、約９０°の角度で突出する６つの熱伝達素子、例えば、プレート５７３を示す。図６Ｄに示すように、６つのプレートは、それぞれ、るつぼの外端部に延在し得る。具体的には、図６Ｄに例示するように、６つのプレートのうちの少なくとも４つのプレートが、るつぼの内部容積の中へと同じ距離で突出し得る。代替的に、６つのプレート若しくはそれより多くのプレートのすべてが、同じ距離で突出し得るか、又は、それぞれ異なる距離でるつぼの内部容積の中へと突出し得る。
さらに、図６Ｄを例示的に参照すると、本明細書に記載された任意の他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、蒸発るつぼ５２１は、六角形状を有し得る。代替的に、蒸発るつぼ５２１は、長方形、円形、楕円形、又は三角形などの他の幾何形状を含んでもよい。代替的に、蒸発るつぼ５２１は、図６Ｅに例示するように、円形形状を有し得る。具体的には、図６Ｅに示す実施形態によれば、熱伝達素子は、８つのプレートの形態で設けられ得る。この８つのプレートは、２つの隣接する平面（各平面はプレートのうちの１つに対して平行に延在する）の間の交点における最小絶対角が、約４５°であるように、るつぼの内部容積５６０内に配置される。図６Ｅに示すように、複数の熱伝達素子の対称配置は、るつぼの内部容積内の均質分配を確実なものとするために有益であり得る。
図６Ｅに例示するように、１つ又は複数の熱伝達素子は、内部容積の中心が、自由空間、例えば、自由円筒空間（直径Ｄが少なくとも１０ｍｍからＤ＝３５ｍｍ）を含むように、るつぼの内部容積内に配置され得る。
本明細書に記載された実施形態によれば、蒸発源は、１つ又は複数の蒸発るつぼ、及び１つ又は複数の分配アセンブリ、具体的には、１つ又は複数の分配管を含み得る。典型的に、１つ又は複数の分配管のうちのそれぞれの分配管は、１つ又は複数の蒸発るつぼのうちのそれぞれの蒸発るつぼと流体連結し得る。このような構成は、１つ又は複数の材料が同時に蒸発するＯＬＥＤデバイスにおいて特に有益であり得る。したがって、図７Ａで例示された実施例のように、３つの分配管、及び対応する蒸発るつぼが、互いに隣接するように設けられ得る。したがって、蒸発源は、蒸発源アレイと呼ばれてもよく、例えば、２種類以上の有機材料が同時に蒸発させられる。さらに、３つの分配管と、有機材料を蒸発させるように構成された対応する蒸発るつぼとを有する蒸発源アレイは、三重有機源とも呼ばれ得る。
図７Ａから図７Ｃを例示的に参照すると、本明細書に記載された処理システム内で利用される分配アセンブリ５３０の実施形態が説明される。図７Ａは、分配アセンブリの断面の上面図を示す。分配アセンブリは、図７Ａに例示するように、少なくとも１つの分配管、例えば、３つの分配管を含み得る。分配管５３３は、内部チューブ５３７及び外部チューブ５３６を有する細長い管であり得る。図７Ａに例示するように、典型的に、３つの分配管が設けられ得る。これらの分配管は、その長さに対して直角に非円形断面を有する。具体的には、分配管の長さに対して直角な断面は、丸みを帯びた角部を有する三角形、及び／又は、角が切り取られた三角形であり得る。
したがって、２つ以上の分配管を有する分配アセンブリを設けることにより、種々の材料の同時蒸発及び同時堆積のための蒸発源が設けられ得る。具体的には、隣接する分配管の排出口は、最小距離で設けられ得る。距離がより短いことにより、互いに隣接する排出口を通して排出される蒸発材料の混合が改善される。
さらに、図７Ａに例示するように、各分配管の１つ又は複数の排出口の蒸発方向が、分配管の長さに沿って設けられた対称平面に傾くように、分配管は構成且つ配置され得る。例えば、基板面に直交する表面に対する分配管の主要な蒸発方向の放出の角度は、２０°以下、例えば、３°から１０°であり得る。
本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、分配管の長さと分配管の水力直径によって除算された分配管のすべての排出口の面積との積、即ち、式Ｎ＊Ａ＊Ｌ／Ｄによって計算された値は、７０００ｍｍ２以下、例えば、１０００ｍｍ２から５０００ｍｍ２であり得る。この式では、Ｎは、分配管の排出口の数であり、Ａは、１つの排出口の断面積であり、Ｌは、分配管の長さであり、Ｄは、分配管の水力直径である。
幾つかの実施形態では、分配管５３３は、内部チューブの内部に設けられた加熱素子によって加熱され得る。加熱素子は、加熱ワイヤ（例えば、コーティングされた加熱ワイヤ）によって設けられ得る電気ヒータであり得、内部チューブに留められたり、又はさもなければ固定されたりする。さらに、冷却シールド５３８が、分配管を取り囲むように設けられ得る。図６Ａに例示するように、幾つかの実施形態によれば、第１の冷却シールド５３８Ａは、２つ以上の分配管を取り囲むことができる。
上述のように、蒸発るつぼ内で蒸発する源材料は、少なくとも１つの分配管内に分配され、排出口５３９を通して分配管から排出され得る。典型的には、複数の排出口５３９が分配管の長さに沿って分配される。例えば、排出口は、ノズルによって設けられ得る。典型的に、ノズルは、分配アセンブリの熱シールド又は熱シールドの積層体を通って延在する。したがって、ノズルが熱シールドを通して金属材料を誘導するので、熱シールドにおける蒸発材料の凝縮を減らすことができる。さらに、内部の温度と同様の温度まで加熱することができるノズルを設けることができる。このノズルは、分配管の加熱された壁と接触する。
上述のように、各分配管は、蒸発るつぼと流体連結している。さらに、図７Ａに例示するように、典型的に、少なくとも１つの分配管は、分配管の長さに対して直角な断面を有し、この断面は、非円形であり、１つ又は複数の排出口が設けられる排出側を含む。断面の排出側の幅は、断面の最大寸法の３０％以下である。
本明細書に記載された任意の他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、図７Ａに例示したように、蒸発器制御ハウジング５４１が、分配アセンブリ５３０、具体的には、分配管に隣接して設けられ得、断熱材５４２を介して、分配アセンブリ５３０に接続される。具体的には、蒸発器制御ハウジングは、内部で大気圧を維持するように構成され、スイッチ、バルブ、コントローラ、冷却ユニット、冷却制御ユニット、加熱制御ユニット、電源、及び測定装置から成る群から選択された少なくとも１つの素子を収納するように構成され得る。したがって、蒸発源アレイ用の蒸発源を操作するための構成要素を、蒸発るつぼと分配管の近くに大気圧下で設けることができ、蒸発源と共に堆積装置を通して移動させることができる。
図７Ａを例示的に参照すると、第１の冷却シールド５３８Ａに加えて、第２の冷却シールド５３８Ｂが設けられ得る。第２の冷却シールド５３８Ｂは、堆積領域（すなわち、基板及び／又はマスク）に向かう熱放射を低減するため、Ｕ字型の冷却シールドを設けるよう配置される側壁を含み得る。例えば、冷却シールドは、水などの冷却流体用の導管を有する金属板として設けられ得る。導管は、冷却シールドに取り付けられるか、又は、その内部に設けられる。追加的又は代替的に、熱電冷却手段又はその他の冷却手段が、冷却シールドを冷却するために設けられ得る。典型的には、外側シールド、すなわち、分配管の内部空洞を取り囲む最も外側のシールドを冷却することができる。
したがって、上述のように、各分配管は、分配管の内外の温度を制御するために、加熱素子（例えば、加熱プレート）、及び冷却シールド（例えば、水冷プレート）を含み得る。典型的に、図７Ａに例示するように、３つの分配管すべてが、シールド、特に冷却シールドによって取り囲まれ得る。
本明細書に記載された蒸発源アレイのための加熱素子及び冷却シールドを設けることにより、コーティングされる基板の熱負荷への露出を最小限にすることができると同時に、蒸発チューブの内部の蒸発材料の早期凝縮を防ぐことができる。
図７Ａでは、例示を目的として、分配管の排出口から排出される蒸発した源材料が矢印で示されている。分配管が本質的に三角形状であるため、３つの分配管に基づく蒸発円錐は、互いに接近しており、それにより、種々の分配管からの有機材料の混合が改善され得る。具体的には、分配管の断面形状が、隣接する分配管同士の排出口又はノズルを互いに接近させて置くことを可能にする。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、第１の分配管の第１の排出口又はノズル、及び第２の分配管の第２の排出口又はノズルは、２５ｍｍ以下の距離、例えば、５ｍｍから２５ｍｍまでの距離を有し得る。さら具体的には、第１の排出口又はノズルから第２の排出口又はノズルまでの距離は、１０ｍｍ以下であり得る。
本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができるさらに別の実施形態によれば、ノズルの管を延長することができる。分配管間の距離が短いことを考慮すると、このような管の延長は、内部での詰まり又は凝結を回避するために十分に短くてもよい。２つの源又はさらに３つの源のノズルを、互いの上に一直線に、すなわち、垂直な延長であり得る分配管の延長に沿って一直線に設けることができるように、管の延長が設計され得る。この特別な設計により、２つ又は３つの源のノズルを小さな管の延長上に一直線に配列することがさらに可能になり、完璧な混合が実現される。
図７Ａにさらに示すように、シールドデバイス、具体的には、シェーパシールドデバイス５１７が、例えば、第２の冷却シールド５３８Ｂに取り付けられるように、又は、第２の冷却シールドの一部として、設けられ得る。シェーパシールドを設けることにより、排出口を通って１つ又は複数の分配管から排出される蒸気の方向を制御する、すなわち、蒸気放出の角度を狭めることができる。幾つかの実施形態によれば、排出口又はノズルを通って蒸発する金属材料の少なくとも一部が、シェーパシールドによって遮断される。したがって、放出角度の幅を制御することができる。幾つかの実施形態によれば、シェーパシールドデバイスは、堆積エリアに向かって放出される熱負荷をさらに低減するために冷却することもできる。シェーパシールドは、基板に向かって分配された有機材料の分配円錐の範囲を定め、すなわち、シェーパシールドは、蒸発した源材料の少なくとも一部を遮断するように構成される。
したがって、熱シールド及び／又は冷却シールドを含む分配アセンブリの実施形態は、感温性有機材料が堆積され得る基板の温度上昇を抑えるように構成されている。具体的には、温度上昇を５ケルビン未満、又はさらに１ケルビン未満に抑えることができる。さらに、蒸発源から基板への熱伝達を低下させるために、金属板の積層体、例えば、最大１０枚の金属板を設けることができる。さらに、蒸発源の三角形状は、基板に向かって熱を放射する加熱領域の縮小について有益であり得る。本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、熱シールド又は金属板には、排出口又はノズルのためのオリフィスが設けられ得る。熱シールド又は金属板は、蒸発源の少なくとも前側、すなわち、基板に面する側面に取り付けられ得る。
本明細書に記載された任意の他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、外側排出口、具体的には、外側ノズルは、ノズルの排出口が互いにより近づくように、中央分配管チューブ延長部のノズルチューブに向かって延長する短いチューブを含み得る。具体的には、チューブ延長部は、６０度から１２０度、例えば、９０度の屈曲を有し得る。本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができるさらに別の実施形態によれば、さらなるシールド５４３が、分配管の間に設けられ得る。例えば、さらなるシールド５４３は、冷却されたシールド又は冷却されたラグであり得る。したがって、このようなさらなるシールドによって、分配管の温度を互いから独立させて制御することができる。例えば、互いに隣接する分配管を通して種々の材料を蒸発させる場合、これらの材料は、異なる温度で蒸発させる必要があり得る。したがって、さらなるシールド５４３、例えば、冷却されたシールドは、蒸発源又は蒸発源アレイの中の分配管間のクロストークを低減することができる。
本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、排出口（例えば、ノズル）は、主要な蒸発方向が水平に±２０°であるように配置され得る。幾つかの特定の実施形態によれば、蒸発方向は、僅かに上方に、例えば、３°から７°上方に等、水平方向から１５°までの範囲で上方に配向され得る。
図７Ｂは、本明細書に記載された実施形態に係る、蒸発源の分配アセンブリ５３０の概略断面図を示す。分配アセンブリ５３０は、３つの分配管５３３を含み、それぞれ、分配管の長さ方向に沿って配置され得る複数のノズル５４４を有する。図７Ｂの分配管の長さ方向は、図７Ｂの描画面に対して直角である。図７Ｂの断面は、３つの例示された分配管におけるそれぞれのノズルの排出口を通して交差する。図７Ｂに例示するように、蒸発した源材料は、分配管５３３の内部から、ノズル５４４の排出口を通って、基板１０１に向かって流出し得る。ノズル５４４は、蒸発した源材料のプルーム３１８を基板１０１に向けて方向付けるように構成されている。
図７Ｂを例示的に参照すると、実施形態によれば、分配アセンブリ５３０は、複数のノズル５４４から下流に配置され得るシェーパシールドデバイス５１７をさらに含み得る。シールドデバイスは、蒸発した源材料を基板１０１に向けて誘導し、蒸発した源材料のプルームを個々に成形するように構成され得る。シールドデバイスは、例えば、スクリューなどの固定要素を介して、分配管に着脱可能に固定されてもよい。シールドデバイスは、複数の開孔５４５を含み得る。複数の開孔５４５のうちの少なくとも１つの開孔は、単一の関連付けられたノズルから放出された蒸発した源材料のプリームを個々に形成するよう構成され得る。代替的に、シールドデバイスの複数の開孔の各開孔が、単一の関連付けられたノズルから放出された蒸発した源材料の単一のプリームを個々に形成するよう構成され得る。言い換えると、複数のノズルのうちのすべてのノズルの前に別々の開孔が配置され得る。
したがって、複数のノズルから放出された蒸発した源材料の各プルームは、複数の開孔のうちの関連付けられた開孔によって個々に成形され得る。蒸発した源材料のプルームを個々に成形することにより、堆積精度の向上をもたらすことができ、マスクがもたらしたシャドーイング効果を低減させることができる。具体的には、蒸発した源材料のプルームを個々に成形することにより、プルーム側面がより明確に画定された、より小さなプルーム開口角度がもたらされ得る。マスク及び／又は基板に対してプル−ムの衝突角度が大きくなることを避けることができる。
幾つかの実施形態では、少なくとも１つの開孔は、３ｍｍ以上及び２５ｍｍ以下、特に、５ｍｍ以上及び１５ｍｍ以下の直径を有し得る。ここでは、開孔の直径は、開孔の前端５４９で測定されてもよい。開孔の前端５４９は、基板１０１に向かって広がるプルーム３１８の最大放出角度を画定する。
幾つかの実施形態では、図７Ｂに例示するように、開孔は、関連付けられたノズルの前方に配置され得る。例えば、ノズルの主要な放出方向Ｘは、ノズルの排出口の中心と開孔の中心との間の接続線に対応し得る。開孔５４５は、周壁によって囲まれたプルーム３１８用通路５４６として構成され得る。周壁５４７は、ノズルから放出された蒸発した源材料のプルーム３１８の少なくとも一部を遮蔽するように構成され得る。幾つかの実施形態では、周壁５４７は、蒸発した源材料のプルーム３１８の外側角部を遮蔽するように構成され得る。幾つかの実施形態では、周壁５４７は、シールドデバイスの底壁５４８から主要放出方向Ｘに対して平行に延在し得る。底壁５４８は、主要放出方向Ｘに対して実質的に直角に延在し得る。底壁は、開孔に入るための、プルームのための又はノズルの排出口のための開口を有し得る。
本明細書に記載された「開孔」は、蒸発した源材料の単一のプルームを成形するように構成された壁によって少なくとも部分的に囲まれた開口又は通路のことを表し得る。特に、プルームの最大開口角度を制限し、プルームの外側角部を遮蔽するために、この壁を通して、蒸発した源材料の単一のプルームが誘導される。幾つかの実施形態では、通路は、周壁によって完全に囲まれてもよく、それにより、関連付けられたノズルの主要放出方向Ｘを含むすべての断面においてプルームを成形する。
本明細書の他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、シールドデバイスは、分配管に近い距離に、例えば、主要放出方向Ｘにおいて５ｃｍ以下又は１ｃｍ以下の距離に配置され得る。ノズルから下流の近い距離に開孔を配置することは、有益であり得る。なぜなら、複数のノズルの互いに隣接するノズルを互いに対して近い距離で配置しても、プルームを個々に成形することが可能であり得るからである。
幾つかの実施形態では、ノズルは、少なくとも部分的にシールドデバイス内に突出し得る。言い換えると、ノズルとシールドデバイスの両方と交差する、主要放出方向Ｘに対して直角な断面があり得る。例えば、図７Ｂに例示するように、ノズルの排出口は、開孔内に突出し得る。具体的には、ノズルの排出口は、底壁５４８の開口又は周壁５４７によって囲まれた通路５４６の中に突出し得る。これにより、ノズルの排出口の直接下流でノズルから放出されたプルーム３１８を成形することが可能となり、隣接するノズル同士を互いに近い位置に位置付けすることができる。
図７Ｂを例示的に参照すると、本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、ノズルは、シールドデバイスと直接機械的に接触しないことがあってよい。具体的には、ノズルは、開孔壁から一定の距離で開孔の中に突出し得る。例えば、ノズルとシールドデバイスとの間の最小距離は、３ｍｍ以下若しくは１ｍｍ以下、及び／又は０．１ｍｍを越えてもよい。ノズルとシールドデバイスとの間の直接接触を避けることにより、ノズルとシールドデバイスとの間の熱分離をもたらすことができる。したがって、典型的に熱いノズルとシールドデバイスとの間の直接熱伝達を避けることができ、シールドデバイスから基板に向かう熱放射を低減させることができる。
本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、周壁５４７は、蒸発した源材料のプルーム３１８の蒸発した源材料を遮蔽するように構成され得る。ここで、蒸発した源材料のプルーム３１８は、第１の断面における主要放出方向Ｘに対する第１の最大放出角度αより大きな放出角度を有する。図７Ｂの描画面は、第１の断面を示す。第１の断面は、主要放出方向Ｘを含み得る。幾つかの実施形態では、第１の断面は、水平面、及び／又は、分配アセンブリ、具体的には、分配管の長さ方向に対して直角に延在する平面である。図７Ｂに示すように、開孔５４５の周壁５４７は、放出円錐の開口角度が２θの角度に制限されるように、第１の断面における蒸発した源材料のプルーム３１８の外側角部を遮蔽するように構成されている。言い換えると、周壁５４７は、第１の最大放出角度αより大きな放出角度で、ノズルによって放出された蒸発した源材料の一部を遮蔽する。例えば、第１の最大放出角度αは、１０°から４５°、具体的には、２０°から３０°、より具体的には、約２５°の角度であり得る。したがって、第１の断面における放出円錐の開口角度２αは、２０°以上及び９０°以下、具体的には、約５０°であってよい。図７Ｂに示されているように、第１の最大放出角度αを狭めることによって、マスクに起因するシャドーイング効果を低減させることができる。
本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、周壁５４７は、蒸発した源材料のプルーム３１８の蒸発した源材料を遮蔽するように構成され得る。ここで、蒸発した源材料のプルーム３１８は、第１の断面に対して直角な第２の断面における主要放出方向Ｘに対する第２の最大放出角度より大きな放出角度を有する。第２の断面は、図７Ｂの描画面に対して直角な平面であり得る。第２の断面は、主要放出方向Ｘを含み得る。幾つかの実施形態では、第２の断面は、垂直面、及び／又は、分配管の長さ方向に対して平行に延在する平面である。例えば、開孔の周壁５４７は、放出円錐の開口角度が２βの角度に制限されるように、第２の断面における蒸発した源材料のプルーム３１８の外側角部を遮蔽するように構成され得る。言い換えると、周壁５４７は、第２の断面における第２の最大放出角度βより大きな放出角度で、ノズルによって放出された蒸発した源材料の一部を遮蔽し得る。例えば、第２の最大放出角度βは、１０°から６０°、具体的には、３０°から４０°、より具体的には、約４５°の角度であり得る。したがって、第２の断面における放出円錐の開口角度は、２０°以上及び１２０°以下、具体的には、約９０°であってよい。第２の最大放出角度βを狭めることによって、図３の描画面に対して直角な平面においてマスク３３０に起因するシャドーイング効果を低減させることができる。
幾つかの実施形態では、第２の最大放出角度は、第１の最大放出角度と異なる角度、具体的には、第１の最大放出角度より大きな角度である。これは、より大きな最大放出角度が、分配管の長さ方向において可能であるからである。具体的には、分配管の長さ方向において、隣接するノズルは、典型的に、同じ蒸発材料を放出するように構成されており、分配管に沿って隣接するノズルの間隔をより容易に調節することができる。他方で、分配管の長さ方向に対して直角な方向で互いに隣接するノズルは、異なる材料を放出するように構成されてもよく、互いに隣接するノズルのプルームの重複を正確に設定することが有益であり得る。
より具体的には、第１の断面は、水平面であり得、第１の最大放出角度αは、２０°から３０°であり得、第２の断面は、垂直面であり得、第２の最大放出角度βは、４０°から５０°であり得る。幾つかの実施形態では、分配管の長さ方向における２つの隣接するノズル間の距離は、１ｃｍから５ｃｍ、具体的には、２ｃｍから４ｃｍであってもよい。したがって、複数の開孔のうちの２つの隣接する開孔間の距離、すなわち、それぞれの開孔の中心間の距離は、１ｃｍから５ｃｍ、具体的には、２ｃｍから４ｃｍであってもよい。例えば、２つの隣接する開孔の間の距離は、２つの隣接する関連付けられたそれぞれのノゾルの間の距離に対応し得る。
本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、開孔５４５は、周壁５４７によって囲まれたプルーム３１８のための丸い通路として構成されている。「丸い通路」とは、主要放出方向Ｘに対して直角な断面において、曲線的な輪郭、例えば、湾曲した輪郭、円形の輪郭、又は楕円形の輪郭をもつ通路であると理解してよい。例えば、周壁５４７は、主要放出方向Ｘに対して直角な断面において、円形又は楕円形を有し得る。円形の通路は、主要放出方向に対して回転対称であるように、プルーム３１８を成形し得る。楕円形の通路は、楕円形の通路の長軸に対応する第１の断面において大きな開口角度を有し、楕円形の通路の短軸に対応する第２の断面において小さな開口角度を有するように、プルーム３１８を成形し得る。楕円形の通路の長軸は、垂直方向に配置されてもよく、楕円形の通路の短軸は、水平方向に配置されてもよい。
例えば、幾つかの実施形態では、周壁５４７は、主要放出方向Ｘに対して直角な断面に円形を形成し得る。円形の直径、すなわち、通路の内径は、３ｍｍ以上及び２５ｍｍ以下、具体的には、５ｍｍ以上及び１５ｍｍ以下であり得る。通路の直径は、通路の下流端で測定されてもよい。通路の下流端は、プルーム３１８の最大開口角度を画定する。幾つかの実施形態では、主要放出方向Ｘにおける周壁５４７の長さは、一定であり得る。本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる他の実施形態によれば、開孔５４５は、周壁５４７によって囲まれたプルーム３１８のための通路５４６として構成され得、主要放出方向Ｘにおける周壁の長さは周方向で変動する。より具体的には、基板に向けて方向付けられた周壁５４７の前端５４９は、周方向で変動する、ノズルの排出口からの一定の距離を有し得る。周方向で周壁の長さの変動をもたらすことにより、プルーム３１８の開口角度が、様々な断面で異なるように構成され得る。
より具体的には、図７Ｂに例示するように、周壁５４７は、主要放出方向Ｘを含む第１の断面において第１の長さＴ１を有し得、周壁は、第２の断面において第１の長さＴ１より短い第２の長さＴ２を有し得る。第２の断面は、主要放出方向Ｘを含み、第１の断面に対して直角に延在する。第１の断面は、分配管の長さ方向に対して直角であり得る（例えば、水平面）。第２の断面は、分配管の長さ方向に対して平行であり得る（例えば、垂直面）。
周壁の長さは、第１の断面における第１の長さＴ１から第２の断面における第２の長さＴ２まで継続的に変動し得る。言い換えると、周壁５４７の前端５４９は、周方向において段差又は不連続を含まないことがある。したがって、プルーム３１８の開口角度は、周方向において段階的に変動し得、これは、堆積精度の改善に有益であり得る。具体的には、幾つかの実施形態では、第１の長さＴ１は、８ｍｍと２０ｍｍとの間、具体的には、約１２ｍｍの長さであり得、且つ／又は、第２の長さＴ２は、３ｍｍと１５ｍｍとの間、具体的には、約６．５ｍｍの長さであり得る。周壁の「長さ」は、主要放出方向Ｘ上のそれぞれの断面において、ノズルの排出口と周壁の前端とを接続するベクトルの突出の長さに対応し得る。
さらに、周壁の前端５４９が、周方向で波状又は緩波状の形状を有するときに、鋭角を有するピクセルが基板上に堆積され得ることに留意するべきである。したがって、波の天井が、第１の断面、すなわち、図７Ｂの描画面において位置付けされ得、波の底が、第２の断面、すなわち、第１の断面に対して直角な平面に配置され得る。周壁５４７の前端５４９は、２つの波の天井と２つの波の底を含み得る。
本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態では、シェーパシールドデバイスは、互いに隣り合うように配置された複数の別々のシールドユニットを含み得る。複数の別々のシールドユニットの各シールドユニットは、複数の開孔５４５のうちの１つ又は複数の開孔を含み得る。本明細書に記載された「別々の」シールドユニットとは、互いに直接接触せず、直接的な機械的接続なく別々の構成要素として設けられる２つ以上のシールドユニットのことを指し得る。図７Ｂに示すように、複数の別々のシールドユニットのシールドユニットは、互いに直接接触しない。例えば、別々のシールドユニットは、１つ又は複数の対応する固定要素によって、対応する分配管に別々に固定され得る。幾つかの実施形態では、複数の別々のシールドユニットの各シールドユニットは、複数の開孔５４５のうちの単一の開孔を含み得る。各開孔は、蒸発した源材料の単一のプルームを成形するように構成された遮蔽壁によって囲まれた通路として構成され得る。
本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、複数の別々のシールドユニットのうちの少なくとも１つのシェーパシールドユニットは、複数の開孔５４５のうちの２つ、３つ、４つ、５つ、又はそれ以上の開孔を含み、これらは、例えば、線形配置で支持構造体によって互いに接続され得る。少なくとも１つのシールドユニットの２つの隣接する開孔間の距離は、１ｃｍ以上及び５ｃｍ以下であり得る。幾つかの実施形態では、複数のシールドユニットのうちの各シールドユニットは、複数の開孔のうちの２つ以上の開孔を含み得る。シェーパシールドデバイスのシールドユニットの数が減ると、シールドデバイスを分配管に取り付けることが容易になり得る。したがって、シールドユニットごとに開孔の数を増やすことが有益であり得る。
幾つかの実施形態では、シールドユニットごとの開孔の数は、１０個以下、具体的には、５個以下である。シールドユニットが実質的な長さにわたって延在しないときに、シールドユニットは、より容易に分配管のうちの１つの局所的な熱膨張及び収縮に追随することができる。具体的には、分配管のうちの１つが熱膨張且つ収縮すると、隣接するシールドユニットが、互いに対して移動し得る。図７Ｂでは、分配管５３３に接続されたシールドユニットが、残りのシールドユニットに対して移動可能であるように、残りのシールドユニットから機械的に分離されていることを示す。例えば、堆積中に分配管が互いに対してわずかに移動し得るように、第１の分配管５３３Ａの温度は、第２の分配管５３３Ｂの温度及び第３の分配管５３３Ｃの温度から異なるよう変動し得る。シールドユニットは、残りのそれぞれのシールドユニットから機械的に分離されているので、シールドユニットは、それぞれの分配管の移動に追随することができる。したがって、蒸発した源材料のプルームは、分配管が互いに対して移動するときも、又は、分配管のうちの１つが熱的に膨張又は収縮するときにも、安定的に成形され得る。シールドユニットの１つ又は複数の開孔は、それぞれ、１つ又は複数の関連付けられたノズルの移動に追随し得る。したがって、幾つかの実施形態では、複数の別々のシールドユニットの各シールドユニットは、複数の別々のシールドユニットのうちの残りのシールドユニットの熱起因移動に追随しないように、残りのシールドユニットから機械的に分離され得る。
本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、複数の別々のシールドユニットのうちの少なくとも１つのシールドユニットは、単一の分配管の長さ方向で単一の分配管の熱膨張及び収縮に追随するように、具体的には、単一の分配管が熱的に収縮又は膨張するときに、単一の分配管に接続されたさらなるシールドユニットに対して移動するように、単一の分配管に接続され得る。
図７Ｂを例示的に参照すると、幾つかの実施形態によれば、第１の分配管５３３Ａのノズルの主要放出方向は、第２の分配管５３３Ｂ及び／又は第３の分配管５３３Ｃのノズルの主要放出方向に対して傾くことがある。例えば、第１の分配管５３３Ａから放出された蒸発した源材料のプルームが、第２の分配管５３３Ｂ及び／又は第３の分配管５３３Ｃから放出された蒸発した源材料のプルームと重複し得るように、主要放出方向は傾き得る。幾つかの実施形態では、分配管の主要放出方向が基板の表面上で実質的に交差し得るように、分配管は配置され得る。断面において種々の分配管から放出されたプルームは、基板上の実質的に同じ領域に方向付けられ得る。
図７Ｃは、本明細書に記載された実施形態に係る分配アセンブリ５３０を断面図で示し、断面は、分配管５３３の長さ方向に延びる。分配管の長さ方向は、垂直方向であり得る。幾つかの実施形態では、第２の分配管５３３Ｂ及び／又は第３の分配管５３３Ｃは、図７Ｂに示すように、垂直方向で第１の分配管５３３Ａに対して実質的に平行に延びることがある。図７Ｃに例示するように、典型的に、分配管５３３は、分配管の長さ方向で互いに隣に配置された複数のノズル５４４を含む。複数のノズルのうちの第１のノズル５４４Ａ及び第２のノズル５４４Ｂが図７Ｃに示される。蒸発した源材料の第１のプルーム３１８Ａは、第１のノズル５４４Ａによって放出され、蒸発した源材料の第２のプルーム３１８Ｂは、第２のノズル５４４Ｂによって放出される。
典型的に、シェーパシールドデバイス５１７は、複数のノズルから下流に配置され、複数のノズルから放出された蒸発した源材料のプルームを成形する。シェーパシールドデバイスは、複数の独立したシールドユニットを含み得る。複数のシールドユニット５１８のうちの第１のシールドユニット５１８Ａが図７Ｃに示されている。第１のシールドユニット５１８Ａは、第１の開孔５４５Ａ及び第２の開孔５４５Ｂを含み得、図７Ｂを参照して説明された開孔５４５に従って構成され得る。第１の開孔５４５Ａは、第１のノズル５４４Ａから放出された第１のプルーム３１８Ａを個別に成形するように構成され得、第２の開孔５４５Ｂは、第２のノズル５４４Ｂから放出された第２のプルーム３１８Ｂを個別に成形するように構成され得る。
典型的な実施形態によれば、シールドユニットは、複数の開孔のうちの３つ以上の開孔、例えば、３つ、４つ、又は５つの開孔を線形配置で含み得る。開孔は、支持構造体、例えば、プレート要素によって接続され得る。シールドユニットの開孔は、分配管の長さ方向に沿って互いに隣同士に設けられた、３つ、４つ、又は５つの隣接するノズルの蒸発した源材料のプルームを個別に成形するように構成され得る。分配管は、直線配置で設けられた１０個以上のノズルを含み得る。したがって、２つ以上のシールドユニット、例えば、２つ、３つ、又はそれ以上のシールドユニットが、直線配置で分配管に固定され得る。複数の別々のシールドユニットの各シールドユニットは、蒸発源の２つ以上の分配管の単一の分配管に機械的に固定され得る。個々のシールドユニット同士の間の相対的移動が可能であり得るように、シールドユニットは、機械的に且つ／又は熱的に互いから分離され得る。したがって、シールドユニット上の分配管が伸張又は収縮するように固定されるとき、シールドユニットは、互いに対して移動し得る。
例えば、図７Ｃに示す第１のシールドユニット５１８Ａなどのシールドユニットは、分配管５３３から熱的に分離されるように分配管５３３に固定され得る。例えば、第１のシールドユニット５１８Ａは、シールドユニットと分配管との間に配置され得る１つ又は複数のスペーサ要素５１９によって、分配管５３３から一定距離で保持され得る。スペーサ要素５１９は、分配管のノズル間に配置された支持部として構成され得る。スペーサ要素５１９は、分配管５３３からシールドユニット５１８に向かう熱流を減らすために、小さな接触領域を設け得る。例えば、スペーサ要素５１９の接触領域は、１ｍｍ２以下、特に、０．２５ｍｍ２以下であり得る。シールドユニット５１８は、１つ又は複数の固定要素、例えば、スクリューを介して、分配管に固定され得る。固定要素は、熱伝導率が低い材料から作られ得る。
分配管の長さ方向におけるシールドユニット５１８の長さは、２０ｃｍ以下、特に、１０ｃｍ以下であり得る。シールドユニットの長さが短いことにより、シールドユニットは、分配管の熱に起因する局所運動、例えば、膨張又は収縮運動に追随することができる。例えば、分配管に固定された第１のシールドユニットは、分配管が膨張したとき、同じ分配管に固定された第２のシールドユニットから離れるように移動することができる。分配管に固定された第１のシールドユニットは、分配管が収縮したとき、同じ分配管に固定された第２のシールドユニットに向かって移動することができる。
本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、シールドユニットは、シールドユニットの長さ方向に沿って、例えば、シールドユニットの中央部分において、単一の固定部分において分配管に堅く締着される。さらなる位置では、シールドユニットは、シールドユニットと分配管との間の相対的運動を可能にするように、分配管５３３に固定され得る。例えば、図７Ｃに示す実施形態では、シールドユニット（例えば、第１のシールドユニット５１８Ａ）の第１の端部５１８Ｃと、シールドユニットの第２の端部５１８Ｄとは、例えば、シールドデバイスに設けられ得るスロット孔を貫通するスクリューなどの固定要素を介して、分配管に移動可能に固定され得る。幾つかの実施形態では、スロット孔は、シールドユニットの長さ方向において分配管とシールドユニットとの間に、０．０１ｍｍ以上及び０．５ｍｍ以下、例えば、約０．１ｍｍのクリアランスを設け得る。
図７Ｄは、本明細書に記載された実施形態に係る蒸発源のためのシェーパシールドデバイスのシールドユニット５１８を斜視図で示す。上述のように、シェーパシールドデバイスは、複数の別々のシールドユニット、例えば、３つ以上の、特に、１２個以上のシールドユニットを含み得る。典型的に、シールドユニット５１８は、２つ以上の開孔５４５及び／又は１０個以下の開孔、特に、５つの開孔を含み得る。各開孔は、遮蔽壁、例えば、周壁５４７によって囲まれた通路として構成され得る。丸い通路、特に、円形の通路は、空間を節約し、製造し易いことがある。丸い通路には、回転対称により、蒸発した源材料が、周方向において同じ衝突角度で遮蔽壁に衝突し得るというさらなる利点があり得る。堆積中、蒸発した源材料は、周方向で遮蔽壁に均一に堆積され得る。シールドユニットの洗浄がより簡単となり得る。
図７Ｄに例示するように、シールドユニット５１８の開孔は、隣接する開孔同士の間に１ｃｍ以上及び５ｃｍ以上、具体的には、約２ｃｍの距離がある状態で線形配置され得る。シールドユニット５１８は、一体型構成要素として構成されてもよい。開孔は、シールド支持構造体５１８Ｂ、例えば、細長いプレート要素によって接続され得る。シールドユニット５１８は、３ｃｍ以下、２ｃｍ以下、又はさらに１ｃｍ以下の幅を有し得る。シールド支持構造体５１８Ｂは、例えば、スクリュー又はボルトを介して、シールドユニットを分配管に固定するための、第１の端部における１つ又は複数の孔、及び第１の端部の反対側の第２の端部における１つ又は複数の孔を含み得る。幾つかの実施形態では、さらなる孔が、それぞれ、開孔間に設けられ得る。シールドユニット５１８の各開孔は、蒸発源の単一の関連付けられたノズルから放出された蒸発した源材料のプルームを個々に成形するように構成され得る。本明細書に記載された幾つかの実施形態では、シールドユニット５１８の開孔は、それぞれ、３ｍｍと２５ｍｍとの間の直径、具体的には、５ｍｍと１５ｍｍとの間の直径を有し得る。シールドユニットの開孔の小径により、堆積精度が改善され得る。しかしながら、開孔の小径は、より簡単に詰まってしまう傾向があり、堆積の効率及び堆積の均一性の劣化を引き起こす恐れがある。したがって、本明細書に記載された分配アセンブリは、長期間にわたって高い堆積精度を維持し、それと同時に、開孔の詰まりを防ぐ。
図７Ｅ及び図７Ｆを例示的に参照すると、本明細書に記載された分配アセンブリのためのノズルの例示的な実施形態が説明される。典型的に、ノズル５９０は、蒸発した材料をコーティングされる基板へと誘導する方向付け部５９１を含み得る。方向付け部は、例えば、ノズルから放出される蒸気プルームの所望の形状と強度を生じさせるように形成且つ設計され得る。さらに、ノズル５９０は、本明細書に記載されたように、ノズルを分配管５３３などの分配アセンブリに交換可能に接続するための接続部５９２を含む。具体的には、ノズル５９０の接続部５９２は、ノズルを分配管にねじ込むように構成され得る。例えば、ノズルの接続部は、図７Ｅに例示するように、ねじ山領域５９３、具体的には、外ねじ山を含み得る。本明細書に記載された幾つかの実施形態に係る分配管は、ノズルを分配管に接続するための内ねじ山を含み得る。幾つかの実施形態によると、ノズルのねじ山は、典型的には、約５ｍｍと約１５ｍｍの間、より典型的には、６ｍｍと１２ｍｍの間、さらにより典型的には、８ｍｍと１０ｍｍの間の外径を有し得る。
図７Ｆに例示するように、典型的には、ノズル５９０は、ノズル入口５９４、ノズル出口５９５、及びノズル入口とノズル出口との間の通路５９６を含む。したがって、るつぼから来る蒸発材料は、分配管内に誘導され、ノズル入口５９４を通して、ノズル５９０に入る。蒸発材料は、次いで、ノズルの通路５９６を通過し、ノズル出口５９５においてノズルから排出される。幾つかの実施形態では、通路５９６の形状は、ノズルを通して蒸発材料を誘導するための任意の適切な形状であってよい。例えば、ノズルの通路の断面は、実質的に円形形状を有し得るが、楕円形であってもよく、又は細長いい孔の形状であってもよい。幾つかの実施形態では、ノズルの通路の断面は、実質的に長方形、実質的に正方形、又はさらに実質的に三角形であってもよい。
さらに、本明細書に記載された任意の他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、ノズルの通路５９６は、第１のセクション５９６Ａ、及び第２のセクション５９６Ｂを含み得る。ノズルの第１のセクション５９６Ａには、第１のセクションサイズ５９８Ａ（例えば、第１の直径）、及び第１のセクション長さ５９７Ａが設けられる。ノズルの第２のセクション５９６Ｂには、第２のセクションサイズ５９８Ｂ（例えば、第２の直径）、及び第２のセクション長さ５９７Ｂが設けられる。本明細書に記載された実施形態によれば、第２のセクションサイズは、第１のセクションサイズより、２から１０倍大きいか、より典型的には、２から８倍大きいか、さらにより典型的には、３から７倍大きくてよい。一例では、第２のセクションサイズは、第１のセクションサイズより４倍大きくてよい。
本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、ノズルの通路５９６の第１のセクション５９６Ａは、ノズル入口５９４を含み得、通路５９６の第２のセクション５９６Ｂは、ノズル出口５９５を含み得る。幾つかの実施形態では、第１のセクションサイズ５９８Ａは、典型的には、１．５ｍｍと約８ｍｍの間、例えば、約２ｍｍと約４ｍｍの間であり得る。第２のセクションサイズ５９８Ｂは、３ｍｍと約２０ｍｍの間、例えば、約４ｍｍと約１０ｍｍの間であり得る。本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、通路の第１のセクション５９６Ａの長さ、及び通路の第２のセクション５９６Ｂ長さは、２ｍｍと約２０ｍｍの間、より典型的には、約２ｍｍと約１５ｍｍの間、さらにより典型的には、約２ｍｍと約１０ｍｍの間であり得る。
幾つかの実施形態では、第１のセクションは、特に、第２のセクションより小さいサイズを有することにより、分配管からノズルの中へと誘導される蒸発材料の均一性を増すように構成され得る。幾つかの実施形態では、比較的狭い第１のセクションは、蒸発材料の粒子がより均一に配置されるように押し出すことができる。第１のセクションで蒸発材料をより均一にすることは、例えば、蒸発材料の密度、単一の粒子の速度、及び／又は蒸発材料の圧力をより均一にすることを含み得る。
本明細書に記載された実施形態によれば、第２のセクション（典型的に、第１のセクションに隣接するように配置される）は、蒸発材料の方向性を向上するように構成され得る。例えば、第１のセクションから第２のセクションへと流れる蒸発材料は、第２のセクションよりサイズが小さい第１のセクションを離れるときに広がることになる。しかしながら、第２のセクションは、第１のセクションから広がる蒸発材料を捕捉して、蒸発材料を基板に向けて方向付けることができる。本明細書に記載された実施形態に係る材料堆積構成体からの蒸発材料のプルームを既知のシステムの蒸発材料のプルームと比べると、プルームは、基板又はマスク（例えば、ピクセルマスク）に向けてより正確に方向付けられる。
本明細書に記載された任意の他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、第１のセクション５９６Ａと第２のセクション５９６Ｂとの間に移行セクションが設けられ得る。例えば、図７Ｆに示す段差移行とは対称的に、移行セクションは、第１のセクション５９６Ａと第２のセクション５９６Ｂとの間にスロープを設けるように構成され得る。典型的に、移行セクションの長さは、第１の及び／又は第２のセクションの長さの、１／６から４／６の間、より具体的には、１／６から１／２の間、さらにより具体的には、１／３から１／２の間であり得る。
本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせ得る幾つかの実施形態によると、本明細書で言及されたノズルは、ｃｏｓｎのような形状プロファイルを有するプルームを形成するように設計され得る。ここで、ｎは具体的には４より大きい。一実施例では、ノズルは、ｃｏｓ６のような形状プロファイルを有するプルームを形成するように設計される。蒸発した材料のｃｏｓ６形状のプルームを実現するノズルは、狭い形状のプルームが望まれる場合に役立ち得る。例えば、開口部が小さい（約５０μｍ以下（２０μｍなど）のサイズを有する開口部など）基板用マスクを含む堆積プロセスは、狭いｃｏｓ６形状プルームから恩恵を受ける場合があり、蒸発した材料のプルームは、マスクの上で広がらず、マスクの開口部を通過するため、材料の利用度が増加し得る。幾つかの実施形態によると、ノズルは、ノズルの長さとノズルの通路のサイズとの関係が規定された関係に留まるように、例えば、２：１以上の比率を有するように設計され得る。追加の又は代替の実施形態によれば、所望のプルーム形状を達成するために、ノズルの通路は、ステップ、傾斜、１つ又は複数のコリメータ構造、及び／又は圧力段階を含み得る。
幾つかの実施形態では、ノズルは、１ｓｃｃｍ未満、より典型的には、１ｓｃｃｍの端数のみ、さらにより典型的には、０．５ｓｃｃｍ未満の質量を供給するように構成されている。一例では、本明細書に記載された実施形態に係るノズルにおける質量は、０．１ｓｃｃｍ未満（０．０５又は０．０３ｓｃｃｍ）であり得る。幾つかの実施形態では、分配管内の圧力、及び少なくとも部分的にノズル内の圧力は、約１０ー２ｍｂａｒと約１０ー５ｍｂａｒとの間、より典型的には、約１０ー２ｍｂａｒと約１０ー３ｍｂａｒとの間であり得る。
図７Ｆを例示的に参照すると、本明細書に記載された任意の他の実施形態と組み合わさることができる幾つかの実施形態によれば、ノズルは、第１のノズル材料５９９Ａと第２のノズル材料５９９Ｂを含み得る。例えば、第１のノズル材料５９９Ａは、２１Ｗ／ｍＫよりも大きい熱伝導率値を有するように選択され得る。第２のノズル材料５９９Ｂは、蒸気した有機材料に対して不活性であるように選択され得る。例えば、第２のノズル材料５９９Ｂは、ノズルの一部であり得る。代替的に、第２のノズル材料５９９Ｂは、通路の内表面にコーティングをもたらすように使用され得る。
幾つかの実施形態によると、第２のノズル材料の厚さは、典型的に、数ナノメートルから数マイクロメートルの範囲内であり得る。一実施例では、ノズル開口部における第２のノズル材料の厚さは、典型的に、約１０ｎｍから約５０μｍの間、より典型的には、約１００ｎｍから約５０μｍの間、さらにより典型的には、約５００ｎｍから約５０μｍの間であり得る。一実施例では、第２のノズル材料の厚さは、約１０μｍであり得る。
典型的に、第１のノズル材料は、ノズルが接続され得る分配管の熱伝導率より大きな熱伝導率を有するように選択され得る。幾つかの実施形態では、第１のノズル材料は、蒸発した有機材料に対して不活性であるように選択され得る。典型的に、第１のノズル材料は、Ｃｕ、Ｔｙ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｔｉ、ＤＬＣ、又は黒鉛からなる群のうちの少なくとも１つの材料を含み得る。一実施例では、ノズルは、銅を含み、ノズルの通路内側に材料コーティング（例えば、Ｔａ、Ｎｂ、Ｔｉ、ＤＬＣ、ステンレス鋼、石英ガラス、及び黒鉛）をもたらす。
したがって、上記の観点から、本明細書に記載された実施形態に係るノズルを有する分配アセンブリを設けることにより、蒸発材料のプルームを基板又はマスクに向けてより正確に方向付けることができ、それにより、堆積精度を改善することができることを理解するべきである。
図８Ａから図８Ｅを例示的に参照すると、処理システムのためのサービスモジュール６１０の実施形態が説明される。図１Ａ及び図１Ｂを参照して説明されるように、典型的に、サービスモジュールは、本明細書に記載された処理システムの処理モジュールに接続され得る。具体的には、サービスモジュールの真空保守チャンバは、堆積源、具体的には、蒸発源を真空処理チャンバから真空保守チャンバへと移送するために構成された開口を介して、処理モジュールの真空処理チャンバに接続され得る。具体的には、開口は、真空処理チャンバと真空保守チャンバとの間の真空密封を開閉するように構成されたゲートバルブを含み得る。したがって、堆積源は、ゲートバルブが開放状態にある間に、サービスモジュールへと移送され得る。その後、ゲートバルブを閉じて、真空処理チャンバと真空保守チャンバとの間に真空密封を設けることができる。バルブが閉じられた場合、真空保守チャンバは、真空処理チャンバ内の真空を破壊することなく、材料源の保守のために、排気且つ開放され得る。代替的に、図８Ｃから図８Ｅを参照して説明されるように、真空処理チャンバと真空保守チャンバとの間の開口を封止するように構成された密封デバイスが設けられ得る。
図８Ａは、本明細書に記載された処理システム１００内で利用され得るサービスモジュール６１０の斜視図を示す。具体的には、図８Ａに例示するように、サービスモジュールは、本明細書に記載された堆積源５２０を収容するように構成されている。より具体的には、サービスモジュールは、処理モジュール内で交換可能に使用され得る２つの堆積源を収容するように構成され得る。例えば、第２の堆積源がサービスモジュール内で保守されている間、第１の堆積源が、処理モジュール内の堆積処理のために使用されてもよい。
例えば、図８Ａに示す例示的な実施形態では、堆積源５２０は、源支持体（例えば、源カート）上に装着される。堆積源によって供給される蒸発材料の任意の過剰噴射からサービスモジュール６１０のサービスフランジ６１５を保護するために、源支持体の上部に源シールド（例えば、図７Ａから図７Ｅを参照してより詳細に説明される材料収集ユニット４０）が装着される。具体的には、サービスフランジ６１５は、サービスモジュール内の堆積源がサービスフランジ６１５によって囲まれるように構成且つ配置され得る。より具体的には、典型的に、サービスモジュールは、２つの堆積源のための２つのサービスフランジを含み、これらは、サービスモジュール内に存在し得る。例えば、第２の源サービスフランジがサービスモジュールの内部のサービス位置にあると同時に、第１の源サービスフランジが処理モジュールに電磁的に取り付けられ得る。具体的には、サービスフランジは、真空処理チャンバと真空保守チャンバとの間に密封を設けるように構成され得る。
典型的に、源サービスフランジは、大気ボックスを含み得るアルミニウム鋳物である。大気ボックスは、電力ケーブル、通信ケーブル、及び冷却水供給ラインなどの媒体アームのためのすべての主要な接続部を含み得る。媒体アームは、ここでは接続デバイス６３０とも呼ばれ、図８Ｂを参照してより詳細に説明される。
図８Ａを例示的に参照して、本明細書に記載された任意の他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によると、サービスモジュール６１０は、堆積源を保守するために、保守領域にアクセスをもたらすサービスモジュールドア６１４を含み得る。具体的には、サービスモジュールドア６１４は、サービスモジュールドア６１４を開くための摺動機構６１３を含み得る。例えば、サービスモジュールが大気条件下にあるとき、サービスモジュールドア６１４が開かれてもよい。具体的には、サービスモジュールドアは、クランプを開閉して、ドアを自動開放するためのハンドレールを使用することによって、開けられ得る。図８Ａに例示するように、サービスモジュールドアは、摺動機構６１３のレール、特に線形レール上で移動し得る。したがって、真空処理チャンバから独立して排気され得る真空保守チャンバを有するサービスモジュールを設けることにより、例えば、ディスプレイデバイスの生産プロセスを継続することができるように、真空処理チャンバを排気せずに、真空保守チャンバ内で堆積源を保守又は交換することが可能である。
さらに、図８Ａに例示するように、典型的には、サービスモジュールは、堆積源のための媒体供給部６４０を含む。具体的には、媒体供給部６４０は、図８Ａに例示するように、サービスモジュールの上部から堆積源への供給を行うことができるように構成且つ配置され得る供給通路を含む。より具体的には、供給通路は、堆積源に対して、例えば、電気接続及び／又は流体（例えば、水）などの媒体及び／又は気体の供給を行うように構成され得る。供給通路は、水供給ライン、気体供給ライン、及び／又は電気ケーブルなどの１つ又は複数のライン及び／又はケーブルを、供給通路を通して誘導するように構成され得る。幾つかの実装形態では、供給通路は、大気環境をもたらすように構成され得、すなわち、真空処理チャンバ及び／又は真空保守チャンバなどの周囲チャンバが技術的真空に排気されるときでも、供給通路は、大気圧を維持するように構成され得る。
図８Ｂに例示するように、本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、図１０Ａから図１０Ｃを参照してより詳細に説明されるように、サービスモジュール６１０には、堆積源アセンブリの無接触搬送のための搬送装置７２０が設けられ得る。典型的に、堆積源アセンブリの無接触搬送のための搬送装置は、源支持体５３１を誘導するように構成された誘導構造体７７０を含む。典型的に、源支持体５３１は、図８Ｂにおいて点線で示された堆積源アセンブリ７３０によって示された堆積源と共に、真空処理チャンバから真空保守チャンバへと（逆も可能）移送可能であるように構成されている。
図８Ｂを参照して例示して、幾つかの実施形態では、真空処理チャンバと真空保守チャンバとの間の接続を開閉するように構成され得る密封デバイス６２０が設けられ得る。幾つかの実装形態では、密封デバイス６２０は、堆積源アセンブリに取り付けられ得る。例えば、密封デバイス６２０は、真空処理チャンバと真空保守チャンバとの間の開口を実質的に真空気密に封止するように構成されたプレートであり得る。したがって、真空処理チャンバと真空保守チャンバとの間の開口が、密封デバイスによって、閉じられたり、又は密封されたりすると、真空保守チャンバは、真空処理チャンバ内の真空を破壊せずに、堆積源の保守のために排気且つ開放され得る。
図８Ｂの双方向矢印によって例示されているように、典型的に、堆積源（図８Ｂで図示せず）が上部に装着され得る源支持体５３１は、密封デバイス６２０に対して移動可能である。具体的には、図８Ｂに例示するように、源支持体５３１と密封デバイス６２０とを接続する接続デバイス６３０が設けられ得る。ここでは、接続デバイスは媒体供給アームとも呼ばれ得る。具体的には、媒体供給アームは、テレスコープアームであり、処理モジュールの内部の堆積源と共に同時に前後に動くように構成されている。一例として、接続デバイス６３０は、密封デバイス６２０に対する源支持体５３１の並進運動を誘導するように構成され得る。追加的に又は代替的に、接続デバイス６３０は、堆積源のための媒体供給を供給又は収容し得る。一例として、接続デバイス６３０は、アーム、特に受動アームであり得る。幾つかの実施形態では、媒体供給物に対する任意の粒子衝突を防ぐために、接続デバイス６３０の少なくとも一部が大気環境を設ける。一例として、大気環境は、接続デバイス６３０の内部に設けられ得、具体的には、アームの内部に設けられ得る。
幾つかの実装形態では、アームは、それぞれのヒンジによって接続された２つ以上のアーム部分を含み得、それにより、源支持体５３１と密封デバイス６２０との間の相対運動が可能になる。一例として、接続デバイス６３０は、図８Ｂに例示するように、第１のアーム６３２及び第２のアーム６３４を含み得る。典型的に、第１のアーム及び／又は第２のアームは、供給ラインを収容するための供給チューブとして構成される。第１のアーム６３２は、ヒンジ６３６を介して、源支持体５３１に接続された第１の端部部分６３２Ａと、第２のアーム６３４の第３の端部部分６３４Ｃに接続された第２の端部部分６３２Ｂとを有し、これらは、ハウジングの内部に配置され得る。幾つかの実施形態では、例えば、供給装置を収容するための大気ボックスが、第１のアーム６３２の第１の端部部分６３２Ａと源支持体５３１との間の接続部に設けられ得る。第２のアーム６３４は、真空処理チャンバ及び／又は真空保守チャンバ６１６に接続された第４の端部部分６３４Ｄを有する。典型的な実施形態によれば、接続デバイス６３０は、サービスフランジ６１５の内部に設けられる。
さらに、典型的には、媒体供給アームの膨張と収縮の間の荷重平衡を目的に、ばねシステムが、媒体供給アームにおいて実装されてもよい。具体的には、ばねシステムは、媒体供給アームが延長される間、例えば、源支持体が密封デバイスから離れるように動くとき、ばねシステムの１つ又は複数のばねが延長され、テレスコープアームの重みに反作用する平衡引き込み力（ｂａｌａｎｃｉｎｇ ｒｅｔｒａｃｔｉｏｎ ｆｏｒｃｅ）が生成されるように配置且つ構成され得る。
図８Ｂを例示的に参照すると、本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、回転可能なデバイス６２５が、基板保守チャンバ６１６の内部に設けられ得る。具体的には、回転可能なデバイス６２５は、堆積源が上部に装着され得る源支持体を受け入れるように構成され得る。典型的に、回転可能なデバイス６２５も、サービスフランジを受け入れるように構成され得る。一例として、回転可能なデバイス６２５は、回転可能なプラットフォームであり得る。幾つかの実施形態では、回転可能なデバイス６２５を駆動又は回転させるように構成された駆動部が設けられ得る。例えば、駆動部は、シャフト、例えば、中空シャフトを介して、回転可能なデバイス６２５に接続され得る。
幾つかの実施形態では、回転可能なデバイス６２５は、２つ以上の堆積源を支持するように構成され得る。一例として、例えば、点検修理（サービス）又は交換されるべき第１の堆積源は、真空処理チャンバから真空保守チャンバへと、特に回転可能なデバイス６２５上に移送され得る。第２の堆積源、例えば、点検修理された又は新しい堆積源も回転可能なデバイス６２５上に設けられ得る。両方の堆積源、すなわち、第１の堆積源及び第２の堆積源が、回転可能なデバイス６２５上に位置付けされると、回転可能なデバイス６２５は、例えば、約１８０度回転し、第１の堆積源と第２の堆積源が位置を交換する。次いで、第２の堆積源は、真空処理チャンバの内部に移送され得、例えば、第２の堆積源に接続され得る密封デバイス６２０によって、真空処理チャンバと真空保守チャンバとを接続する開口が密封され得る。
図８Ｃから図８Ｅは、本明細書に記載された実施形態に係る、処理システムのサービスモジュール６１０に取り付けられた処理モジュール５１０の概略上面図を示し、第１の堆積源５２０Ａ及び第２の堆積源５２０Ｂは、処理システムの動作中の、それぞれ異なる状態で示されている。具体的には、図８Ｃは、真空処理チャンバ５４０内に位置付けされた第１の堆積源５２０Ａと、真空保守チャンバ６１６、具体的には、回転可能なデバイス６２５上に位置付けされた第２の堆積源５２０Ｂとを示す。
図８Ｄに示すように、例えば、点検修理又は交換されるべき第１の堆積源Ａは、真空処理チャンバ５４０から真空保守チャンバ６１６へと、特に回転可能なデバイス６２５上に移送され得る。一例として、第１の堆積源５２０Ａ及び第２の堆積源５２０Ｂは、例えば、各々の密封デバイスが互いに向けて配向された状態で、回転可能なデバイス６２５上で背中合わせに位置付けされ得る。言い換えると、両方の密封デバイスが、第１の堆積源と第２の堆積源との間に位置付け又は挟持され得る。
両方の堆積源、すなわち、第１の堆積源５２０Ａ及び第２の堆積源５２０Ｂが、回転可能なデバイス６２５上に位置付けされると、回転可能なデバイス６２５は、例えば、約１８０度回転し、第１の堆積源５２０Ａと第２の堆積源５２０Ｂが位置を交換する。図８Ｄでは、回転が矢印で示される。次いで、第２の堆積源５２０Ｂは、真空処理チャンバ５４０の内部に移送され得、例えば、第２の堆積源５２０Ｂの密封デバイス６２０によって、真空処理チャンバ５４０と真空保守チャンバ６１６とを接続する開口が密封され得る。第１の堆積源５２０Ａの点検修理又は取り出しのために、真空保守チャンバ６１６が排気され得る。したがって、本明細書に記載された処理システムの実施形態は、真空処理チャンバ内の真空を破壊せずに、堆積源の交換を可能にする。例えば、本明細書に記載されたサービスモジュール６１０を利用することにより、第１の堆積源５２０Ａを第２の堆積源５２０Ｂと交換することができるこのような構成では、１つの処理モジュール内で２つの異なる層又は２つの異なる層の積層体を基板上に堆積するときに有益であり得る。具体的には、異なる材料の２つの層を基板上に堆積するために、第１の堆積源によって第１の層を基板上に堆積することができ、続けて、第２の堆積源によって、第２の層を基板上に堆積することができる。
本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、少なくとも１つの堆積源、例えば、第１の堆積源５２０Ａ及び第２の堆積源５２０Ｂは、アクチュエータ、例えば、トルクモータ、電気ロータ、又は空気圧ロータを含み得る。アクチュエータは、真空回転フィードスルー、例えば、強磁性流体密封回転フィードスルー（ｖａｃｕｕｍ ｒｏｔａｔｉｏｎ ｆｅｅｄ−ｔｈｒｏｕｇｈ）を介して、トルクをもたらすことができる。具体的には、アクチュエータは、少なくとも、分配アセンブリ、具体的には、分配管を実質的に垂直な軸の周りで回転させるように構成され得る。典型的に、源支持体５３１は、アクチュエータ及びフィードスルーを収容するように構成されている。
図９Ａ及び図９Ｂを例示的に参照すると、処理システム１００のためのルーティングモジュール４１０の実施形態が説明される。具体的には、図９Ａでは、ルーティングモジュール４１０の斜視図が示され、図９Ｂでは、処理モジュール５１０にそれぞれ接続された２つの隣接するルーティングモジュールの上面図が示されている。
図９Ａに例示するように、典型的には、ルーティングモジュール４１０は、基板キャリア及び／又はマスクキャリアを隣接接続された処理モジュールに移送することができるように、基板キャリア及び／又はマスクキャリアを回転させるように構成された回転ユニット４２０を含む。具体的には、回転ユニット４２０は、真空ルーティングチャンバ４１７、具体的には、本明細書に記載されているように真空条件を設けるように構成され得る真空ルーティングチャンバ内に設けられ得る。より具体的には、回転ユニットは、図９Ａに例示するように、基板キャリア及び／又はマスクキャリアを支持する支持構造体４１８を回転軸４１９の周りで回転させるように構成された回転駆動部を含み得る。具体的には、回転駆動部は、時計回り及び反時計回り方向の、回転ユニットの少なくとも１８０°回転をもたらすように構成され得る。
さらに、図９Ａに例示するように、ルーティングモジュール４１０は、典型的に、少なくとも１つの第１の接続フランジ４３１及び少なくとも１つの第２の接続フランジ４３２を含む。例えば、少なくとも１つの第１の接続フランジ４３１は、本明細書に記載された処理モジュールを接続するように構成され得る。少なくとも１つの第２の接続フランジ４３２は、図１Ａ及び図１Ｂに関連して例示的に説明されるように、さらなるルーティングモジュール又は真空スイングモジュールを接続するように構成され得る。典型的に、ルーティングモジュールは、４つの接続フランジ、例えば、２つの第１の接続フランジ、及び２つの第２の接続フランジを含み、これらの各ペアは、ルーティングモジュールの両側に配置される。したがって、ルーティングモジュールは、ここではルーティングフランジとも呼ばれ得る３つの種類の接続フランジ、例えば、処理モジュールを接続するための接続フランジ、スイングモジュールを接続するための接続フランジ、及びさらなるルーティングモジュールを接続するための接続フランジを含み得る。典型的に、様々な異なる種類の接続フランジの幾つか又はすべてが、内部に真空条件を設けるように構成されているケーシング枠状の構造を有する。さらに、典型的には、接続フランジは、マスクキャリアのための入口／出口、及び基板キャリアのための入口／出口を含み得る。
図９Ｂでは、２つの隣接するルーティングモジュールを介して、２つの処理モジュールが互いに接続されている処理システムの一部が示されている。具体的には、図９Ｂは、第１のルーティングモジュール４１１が、第１の処理モジュール５１１に、並びにさらなるルーティングモジュール４１２に接続されている処理システムの一部を示す。さらなるルーティングモジュール４１２は、さらなる処理モジュール５１２に接続される。図９Ｂに示すように、ゲートバルブ１１５が、隣接するルーティングモジュール同士の間に設けられ得る。ゲートバルブ１１５は、ルーティングモジュール間に真空密封をもたらすように開閉され得る。ゲートバルブの存在は、処理システムの適用の仕方、例えば、基板上に堆積される有機材料の層の種類、数、及び／又は順序に依存し得る。したがって、１つ又は複数のゲートバルブが、移送チャンバ間に設けられ得る。代替例として、ゲートバルブは、いずれの移送チャンバ間にも設けられない。
図９Ａを参照して説明されるように、本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、ルーティングモジュールのうちの１つ又は複数は、回転ユニット４２０が設けられた真空ルーティングチャンバ４１７を含み得る。ここで、処理システムの動作の間に利用される基板キャリア内に設けられた基板及び／又はマスクキャリア内に設けられたマスクは、回転軸４１９、例えば、垂直中央軸の周りで回転し得る。
典型的に、回転ユニット４２０は、図９Ｂに例示されているように、第１の搬送トラック７１１及び第２の搬送トラック７１２を含む搬送トラック構成体７１５を回転させるように構成されている。したがって、ルーティングモジュールの内部の搬送トラック構成体７１５の配向を変えることができる。具体的には、ルーティングモジュールは、第１の搬送トラック７１１及び第２の搬送トラック７１２が、少なくとも９０°、例えば、９０°、１８０°、又は３６０°回転することができるように構成され得、それにより、トラック上のキャリアは、処理システムの隣接するチャンバのうちの１つに移送される位置に回転される。
典型的な実施形態によれば、第１の搬送トラック７１１及び第２の搬送トラック７１２は、基板キャリア及びマスクキャリアの無接触搬送のために構成される。具体的には、図１１Ａから図１１Ｅを参照してより詳細に説明されるように、第１の搬送トラック７１１及び第２の搬送トラック７１２は、基板キャリア及びマスクキャリアの無接触移動のために構成されたさらなる誘導構造体８７０及び駆動構造体８９０を含み得る。
図９Ｂに示すように、第１のルーティングモジュール４１１では、２つの基板、例えば、第１の基板１０１Ａ及び第２の基板１０１Ｂが回転させられる。基板が位置する２つ搬送トラック、例えば、第１の搬送トラック７１１及び第２の搬送トラック７１２は、第１の処理モジュール５１１の搬送トラック構成体７１５から延びる２つの搬送トラックに対して回転させられる。したがって、搬送トラック上の２つの基板は、隣接するさらなるルーティングモジュール４１２に移送される位置に設けられる。
図９Ｂに例示するように、本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、搬送トラック構成体７１５の搬送トラックは、真空処理チャンバ５４０から真空ルーティングチャンバ４１７の中に延在し得る。したがって、基板１０１のうちの１つ又は複数は、真空処理チャンバから隣接する真空ルーティングチャンバへと移送され得る。さらに、図９Ｂに例示するように、ゲートバルブ１１５が、処理モジュールとルーティングモジュールとの間に設けられ得る。ゲートバルブ１１５は、１つ又は複数の基板の搬送のために開放され得る。図９Ｂに例示するように、さらなる処理モジュール５１２も、ゲートバルブ１１５によって、さらなるルーティングモジュール４１２に接続され得る。したがって、基板は、第１の処理モジュールから第１のルーティングモジュールへと、第１のルーティングモジュールからさらなるルーティングモジュールへと、且つさらなるルーティングモジュールからさらなる処理モジュールへと移送され得ることを理解するべきである。したがって、基板を、望まれない環境（例えば、大気環境又は非真空環境）に曝すことをせずに、幾つかの処理（例えば、基板上への有機材料の様々な層の堆積）を行うことができる。
上述のように、本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、処理システムは、基板を、第１の方向に沿って、処理モジュールの外に移動することができるように構成され得る。このようにして、基板は、実質的に真っ直ぐな経路に沿って、隣接する真空チャンバ（例えば、真空ルーティングチャンバ）に移動させられる。このチャンバは、ここでは真空移送チャンバとも呼ばれ得る。移送チャンバでは、基板は、第１の方向とは異なる第２の方向に、第２の真っ直ぐな経路に沿って移動させられ得るように、回転させられ得る。図９Ｂに例示するように、第２の方向は、第１の方向に対して実質的に直角であり得る。基板をさらなる処理モジュール５１２に移送するために、基板を、第１のルーティングモジュール４１１からさらなるルーティングモジュール４１２の中へと第２の方向に移動することができ、次いで、さらなるルーティングモジュール４１２内で、例えば、１８０°回転させることができる。その後、基板をさらなる処理モジュール５１２内に移動させることができる。
図１０Ａから図１０Ｃを例示的に参照すると、堆積源アセンブリの無接触搬送のための搬送装置７２０が説明される。典型的に、搬送装置７２０は、本明細書に記載されたように、処理モジュール５１０の真空処理チャンバ５４０内に配置される。具体的には、搬送装置７２０は、堆積源の無接触の浮揚、搬送、及び／又は位置合わせのために構成される。堆積源の無接触の浮揚、搬送、及び／又は位置合わせは、例えば、誘導レールとの機械的接触により、粒子が搬送中に生成されないという点で有益である。したがって、無接触の浮揚、搬送、及び／又は位置合わせを使用すると、粒子の発生が最小限に抑えられるので、本明細書に記載された搬送装置７２０の実施形態は、基板に堆積された層の純度及び均一性の改善をもたらす。
本開示全体で使用される「無接触」という用語は、処理システム内で使用される要素（例えば、堆積源アセンブリ、キャリア、又は基板）の重量が、機械的接触又は機械的力によって保持されず、磁力によって保持されるという意味であると理解することができる。具体的には、堆積源アセンブリ又はキャリアアセンブリは、機械的な力の代わりに磁力を使用して、浮上状態又は浮揚状態で保持される。一例としては、本明細書に記載された搬送装置は、堆積源アセンブリの重量を支持する機械的レールなどの機械的手段を有さないことがある。幾つかの実装形態では、堆積源が基板を通り過ぎる動きの間、堆積源アセンブリと搬送装置の残りの部分との間には、機械的接触は一切あり得ない。
堆積源を誘導する機械的手段に比べた場合のさらなる利点は、本明細書に記載された実施形態が、コーティングされる基板に沿った堆積源の運動の直線性に影響を与える摩擦によって悪影響を受けないことである。堆積源の無接触搬送は、堆積源の無摩擦運動を可能にし、堆積源と基板との間の目標距離が、高精度且つ高速度で制御且つ維持され得る。さらに、浮揚により、堆積源の速度の迅速な加速若しくは減速、及び／又は、堆積源の速度の微調整が可能になる。したがって、本明細書に記載された処理システムは、層の均一性の改善をもたらす。これは、幾つかの要因、例えば、堆積源と基板との間の距離の変動、又は、材料の放出中、基板に沿った堆積源の移動速度の変動の影響を受けやすい。
さらに、機械的レールの材料は、通常、チャンバの排気によって、また、温度、使用法、摩耗などによって引き起こされ得る変形に悩まされる。かかる変形は、堆積源と基板との間の距離に影響を与え、ひいては、堆積された層の均一性に影響を与える。これとは対照的に、本明細書に記載された搬送装置の実施形態は、例えば、誘導構造体に存在する任意の潜在的変形の補正を可能にする。具体的には、本明細書に記載された搬送装置の実施形態は、堆積源を位置合わせするための、１つ、２つ、又は３つの空間方向に沿った、堆積源アセンブリの無接触移動を可能にする。堆積源の位置合わせは、例えば、堆積源をコーティングされる基板から目標距離に置くための、基板に対する位置合わせ（例えば、並進運動又は回転運動）であり得る。典型的に、材料を基板上に堆積するため、堆積源が基板を通り過ぎるように動かされている間、基板に対する位置合わせ又は位置付けが行われる。より具体的には、図１０Ａから図１０Ｃを参照してより詳細に説明されるように、装置は、垂直方向（例えば、ｙ方向）に沿った、及び／又は、１つ又は複数の横方向（例えば、ｘ方向及びｚ方向）に沿った、堆積源アセンブリの無接触移動のために構成され得る。堆積源のための位置合わせ範囲は、２ｍｍ以下、より具体的には、１ｍｍ以下であり得る。
さらには、本明細書に記載された搬送装置の実施形態は、堆積源を角度的に位置合わせするために、１つ、２つ、又は３つの回転軸に対する、堆積源アセンブリの無接触回転を可能にする。堆積源の位置合わせには、例えば、堆積源を基板に対して目標垂直配向に位置付けすることが含まれ得る。具体的には、搬送装置は、第１の回転軸、第２の回転軸、及び／又は第３の回転軸の周りの、堆積源アセンブリの無接触回転のために構成され得る。第１の回転軸は、横方向、例えば、ｘ方向又は源搬送方向に延在し得る。第２の回転軸は、横方向、例えば、ｚ方向に延在し得る。第３の回転軸は、垂直方向、例えば、ｙ方向に延在し得る。任意の回転軸に対する堆積源アセンブリの回転は、２°以下の角度、例えば、０．１°から２°、又は、０．５°から２°の範囲内でもたらされ得る。
本開示では、「実質的に平行（ｓｕｂｓｔａｎｔｉａｌｌｙ ｐａｒａｌｌｅｌ）」な方向という表現は、互いに対して最大１０度の又はさらに最大１５度の小さな角度をなす複数の方向を含み得る。さらに、「実質的に直角（ｓｕｂｓｔａｎｔｉａｌｌｙ ｐｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒ）」な方向という表現は、互いに対して９０°未満（例えば、少なくとも８０°、又は少なくとも７５°）の角度をなす複数の方向を含み得る。同様の考えが、実質的に平行な又は直角な軸、平面、領域等の概念に適用される。
本明細書に記載された幾つかの実施形態は、「垂直方向（ｖｅｒｔｉｃａｌ ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）」という概念を伴う。垂直方向とは、重力が伸びる方向とほぼ平行な方向であると考えられている。垂直方向は、厳密な垂直性（重力によって規定される）から、例えば、最大１５度の角度でずれる場合がある。例えば、本明細書に記載されたｙ方向（図では「Ｙ」と示す）は、垂直方向である。具体的には、図示されているｙ方向は、重力の方向を画定している。
具体的には、本明細書に記載された搬送装置は、垂直基板処理のために使用され得る。かかる装置では、基板は、その処理中に垂直に配向される。すなわち、基板は、本明細書に記載されているように、垂直方向に対して平行に配置され、すなわち、厳密な垂直性からの起こり得る偏差が許容される。例えば、基板配向の厳密な垂直性から小さな偏差がもたらされてもよい。なぜなら、かかる偏差を基板支持体が伴うことで、より安定的な基板位置、又は、基板表面への粒子付着の低減がもたらされる場合があるからである。実質的に垂直な基板は、垂直配向から、＋／−１５°以下の偏差を有し得る。
本明細書に記載された実施形態には、「横方向（ｔｒａｎｓｖｅｒｓａｌ ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）」という概念がさらに伴い得る。横方向は、垂直方向と区別して理解するべきである。横方向は、重力によって規定される厳密な垂直方向に対して直角又は実質的に直角であり得る。例えば、本明細書に記載されたｘ方向及びｚ方向（図１０Ａから図１０Ｃでは「Ｘ」及び「Ｚ」で示される）は、横方向である。具体的には、図示されているｘ方向及びｚ方向は、ｙ方向に対して（且つ互いに対して）直角である。さらなる実施例では、本明細書に記載された、横方向力又は対向力は、横方向に沿って延びると考えられている。
図１０Ａに例示されているように、搬送装置７２０は、典型的に、本明細書に記載された堆積源５２０を含む堆積源アセンブリ７３０、及び堆積源５２０を支持するための源支持体５３１を含む。具体的には、源支持体５３１は、源カートであってよい。堆積源５２０は、源支持体５３１に装着され得る。図１０Ａに矢印で示されているように、堆積源５２０は、基板１０１上に堆積するために、材料を放出するよう適合される。さらに、図１０Ａに例示するように、マスク３３０が、基板１０１と堆積源５２０との間に配置され得る。堆積源５２０によって放出された材料が基板１０１の１つ又は複数の領域上に堆積されるのを防止するために、マスク３３０が設けられ得る。例えば、マスク３３０は、基板１０１のコーティングの間、材料が１つ又は複数の端部領域に一切堆積されないように、基板１０１の１つ又は複数の端部領域をマスキングするように構成された端部除外シールドであり得る。別の例として、マスクは、堆積源アセンブリからの材料により基板上に堆積した複数の特徴をマスキングするためのシャドウマスクであってよい。
さらに、図１０Ａを例示的に参照すると、堆積源アセンブリ７３０は、第１のアクティブ磁気ユニット７４１、及び第２のアクティブ磁気ユニット７４２を含み得る。搬送装置７２０は、典型的に、堆積源搬送方向に延在する誘導構造体７７０をさらに含む。誘導構造体７７０は、源搬送方向に沿って延びる直線形状を有し得る。源搬送方向に沿った誘導構造体７７０の長さは、１ｍ〜６ｍであり得る。第１のアクティブ磁気ユニット７４１、第２のアクティブ磁気ユニット７４２、及び誘導構造体７７０は、図１０Ａに例示するように、堆積源アセンブリ７３０を浮揚させるための、第１の磁気浮揚力Ｆ１及び第２の磁気浮揚力Ｆ２を加えるように構成されている。
本開示では、「アクティブ磁気ユニット」又は「アクティブ磁気素子」は、調節可能な磁界を発生させるように適合された磁気ユニット又は磁気素子であり得る。調節可能な磁界は、搬送装置の動作中、動的に調節可能であり得る。例えば、磁界は、基板１０１上に材料を堆積するための堆積源５２０によって、材料の放出中に調節可能であってよく、且つ／又は、層形成工程の堆積サイクルと堆積サイクルとの間に調節可能であってよい。代替的に又は追加的に、磁界は、誘導構造体に対する堆積源アセンブリ７３０の位置に基づいて調節可能であり得る。調節可能な磁界は、静磁界又は動磁界であってもよい。本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によると、アクティブ磁気ユニット又は素子は、垂直方向に沿って延びる磁気浮揚力をもたらすための磁界を生成するように構成され得る。代替的に、アクティブ磁気ユニット又はアクティブ磁気素子は、横方向に沿って延びる磁力、例えば、以下で説明されるような対向する磁力をもたらすように構成され得る。例えば、本明細書に記載されたアクティブ磁気ユニット又はアクティブ磁気素子は、電磁デバイス、ソレノイド、コイル、超伝導マグネット、又はこれらの任意の組み合わせからなる群から選択された素子であってもよく、又はその素子を含み得る。
図１０Ａに例示的に示すように、搬送装置７２０の動作中、誘導構造体７７０の少なくとも一部が、第１のアクティブ磁気ユニット７４１に面していてよい。誘導構造体７７０及び／又は第１のアクティブ磁気ユニット７４１は、少なくとも部分的に、堆積源５２０の下方に配置され得る。
動作中、堆積源アセンブリ７３０は、ｘ方向に沿って、誘導構造体に対して移動可能である。さらに、ｙ方向に沿って、ｚ方向に沿って、且つ／又は任意の空間方向に沿って、位置調節をもたらすことができる。誘導構造体は、堆積源アセンブリの運動を非接触誘導するように構成されている。誘導構造体７７０は、真空処理チャンバ内に静的に配置され得る静的誘導構造体であってよい。具体的には、誘導構造体７７０は、磁気特性を有し得る。例えば、誘導構造体７７０は、磁性材料、例えば、強磁性体、具体的には、強磁性鋼から作られてよい。したがって、誘導構造体は、パッシブ磁気ユニットであるか、又はパッシブ磁気ユニットを含んでいてよい。
本明細書では、「パッシブ磁気ユニット」又は「パッシブ磁気素子」という表現は、「アクティブ」な磁気ユニット又は素子という概念と区別するために用いられている。パッシブ磁気ユニット又はパッシブ磁気素子とは、アクティブな制御又は調節の対象とならない磁気特性を有するユニット又は素子を指し得る。例えば、パッシブ磁気ユニット又はパッシブ磁気素子は、磁界（例えば、静磁界）を生成するように適合され得る。パッシブ磁気ユニット又はパッシブ磁気素子は、調節可能な磁界を生成するように構成されない場合がある。典型的には、パッシブ磁気ユニット又はパッシブ磁気素子は、永久磁石であってよく、又は永久磁気特性を有していてよい。
アクティブ磁気ユニット又はアクティブ磁気素子は、パッシブ磁気ユニット又はパッシブ磁気素子に比べると、アクティブ磁気ユニット又はアクティブ磁気素子が生成する磁界の調節性及び制御性を考慮すると、より多くの柔軟性及び精度をもたらす。本明細書に記載された実施形態によれば、アクティブ磁気ユニット又はアクティブ磁気素子によって生成される磁界を制御して、堆積源の位置合わせをもたらすことができる。例えば、調節可能な磁界を制御することにより、堆積源アセンブリに作用する磁気浮揚力を高精度で制御することができ、したがって、アクティブ磁気ユニット又はアクティブ磁気素子によって、堆積源の無接触垂直位置合わせが可能となる。
本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、搬送装置は、堆積源アセンブリ７３０を誘導構造体７７０に沿って駆動するように構成された駆動システムを含み得る。駆動システムは、堆積源アセンブリ７３０を源搬送方向で誘導構造体７７０に沿って接触することなく搬送するように構成された磁気駆動システムであり得る。駆動システムは、線形モータであってよい。駆動システムは、誘導構造体に沿って、堆積源アセンブリの動作を開始及び／又は停止するように構成され得る。本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によると、無接触駆動システムは、パッシブ磁気ユニット、具体的には、誘導構造体に設けられたパッシブ磁気ユニットと、アクティブ磁気ユニット、具体的には、堆積源アセンブリにおいて又はその中に設けられたアクティブ磁気ユニットとの組み合わせであり得る。
諸実施形態によれば、堆積速度を制御するために、源搬送方向に沿った堆積源アセンブリの速度を制御してもよい。堆積源アセンブリの速度は、コントローラの制御の下でリアルタイムに調整され得る。堆積速度の変化を補正するために調整が行われ得る。速度プロファイルが規定されてもよい。速度プロファイルは、種々の位置において堆積源アセンブリの速度を決定し得る。速度プロファイルは、コントローラに与えられてもよく、又は、コントローラ内に記憶されてもよい。コントローラは、堆積源アセンブリの速度が速度プロファイルに準じるように、駆動システムを制御し得る。したがって、層の均一性をさらに改善することができるように、堆積速度のリアルタイムの制御及び調節をもたらすことができる。本明細書に記載された実施形態に従って考慮されるように、源搬送方向に沿った堆積源アセンブリの並進運動は、コーティング処理の間、高いコーティング精度、特に高いマスキング精度を可能にする。なぜなら、コーティング中、基板及びマスクが静止状態に留まることができるからである。
誘導構造体７７０に沿った堆積源アセンブリ７３０の無接触運動の間、堆積源５２０は、基板をコーティングするための基板受容領域における基板に向けて、材料を放出、例えば、連続的に放出し得る。堆積源アセンブリ７３０は、一回のコーティングスイープの間、基板が源搬送方向に沿って全体にわたってコーティングされ得るように、基板に沿ってスイープし得る。コーティングスイープにおいて、堆積源アセンブリ７３０は、方向を変えずに、初期位置から始まって、最終位置に移動し得る。本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、堆積源搬送方向に沿った誘導構造体７７０の長さは、源搬送方向に沿った基板受容領域の範囲の９０％以上、１００％以上、又はさらに１１０％以上であってもよい。典型的に、基板受容領域は、対応する基板寸法と同じか、又は、それよりも若干（例えば、５〜２０％）大きい寸法（例えば、長さ及び幅）を有する。したがって、基板の端部に均一な堆積をもたらすことができる。さらに、源搬送方向に沿った堆積源アセンブリの並進運動は、コーティング処理の間、高いコーティング精度、特に高いマスキング精度を可能にする。なぜなら、コーティング中、基板及びマスクが静止状態に留まることができるからである。
本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、基板上に材料を堆積するために、堆積源が基板に沿って移動する間、堆積源は、接触がない状態で位置合わせされ得る（例えば、本明細書に記載されたように、垂直に、角度的に、又は横方向に位置合わせされ得る）。堆積源が誘導構造体に沿って搬送されている間、堆積源は位置合わせされ得る。堆積源の運動の間、位置合わせは、連続的又は断続的な位置合わせであり得る。堆積源の動作中の位置合わせは、コントローラの制御の下で行われ得る。コントローラは、誘導構造体に沿った堆積源の現在位置に関する情報を受け取ることができる。堆積源の位置合わせは、堆積源の現在位置に関する情報に基づいて、コントローラの制御の下で行われ得る。したがって、誘導構造体の潜在的な変形を補正することができる。したがって、基板に沿った堆積源の動作にわたって、いかなる時でも堆積源を基板に対する目標距離又は目標配向に維持することができ、それにより、基板上に堆積される層の均一性をさらに改善する。代替的に又は追加的に、堆積源の位置合わせは、堆積源が静止している時に行われ得る。例えば、堆積サイクル間の一時静止した堆積源に対して位置合わせが行われ得る。
図１０Ａを例示的に参照すると、搬送装置７２０は、堆積源アセンブリ７３０の第１の回転軸７３４を含む第１の平面７３３を有する堆積源アセンブリ７３０を含み得る。堆積源アセンブリ７３０は、第１の平面７３３の第１の側７３３Ａに配置された第１のアクティブ磁気ユニット７４１と、第１の平面７３３の第２の側７３３Ｂに配置された第２のアクティブ磁気ユニット７４２とを含み得る。第１のアクティブ磁気ユニット７４１及び第２のアクティブ磁気ユニット７４２は、堆積源アセンブリ７３０を磁気的に浮揚させるように構成されている。具体的には、第１のアクティブ磁気ユニット７４１及び第２のアクティブ磁気ユニット７４２は、堆積源アセンブリ７３０に作用するそれぞれの磁気浮揚力を加えるために、磁界（例えば、調整可能な磁界）を生成するよう、それぞれ適合されている。したがって、第１のアクティブ磁気ユニット７４１及び第２のアクティブ磁気ユニット７４２は、堆積源５２０を位置合わせするために、第１の回転軸７３４の周りで堆積源５２０を回転させるように構成されている。
図１０Ａに例示するように、第１の平面７３３は、堆積源アセンブリ７３０を通って、具体的には、堆積源アセンブリ７３０の本体部分を通って、延在し得る。第１の平面７３３は、堆積源アセンブリ７３０の第１の回転軸７３４を含み得る。典型的な実施形態によると、第１の回転軸７３４は、堆積源アセンブリ７３０の重心を通って延在し得る。動作において、第１の平面７３３は、垂直方向に延在し得る。第１の平面７３３は、基板受容領域又は基板に対して、実質的に平行又は実質的に直角であってよい。動作において、第１の回転軸７３４は、横方向に沿って延在し得る。
第１のアクティブ磁気ユニット７４１によって生成された磁界は、誘導構造体７７０の磁気特性と相互作用し、堆積源アセンブリ７３０に作用する第１の磁気浮揚力Ｆ１をもたらす。第１の磁気浮揚力Ｆ１は、第１の平面７３３の第１の側７３３Ａ上の堆積源アセンブリ７３０の一部分に対して作用する。図１０Ａでは、第１の磁気浮揚力Ｆ１は、第１の平面７３３の左側に設けられたベクトルによって表わされる。本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、第１の磁気浮揚力Ｆ１は、堆積源アセンブリ７３０の重量Ｇと少なくとも部分的に反作用し得る。
本明細書で説明されたように、磁気浮揚力が「部分的に」重量Ｇと反作用するという概念には、磁気浮揚力が、堆積源アセンブリに浮揚作用、すなわち、上向きの力を加えるが、その磁気浮揚力だけでは、堆積源アセンブリを浮揚させるのに十分ではない場合がある、ということが伴う。重量に部分的に反作用する磁気浮揚力の大きさは、重量Ｇの大きさよりも小さいものである。
図９Ｅに示す第２のアクティブ磁気ユニット７４２によって生成された磁界は、誘導構造体７７０の磁気特性と相互作用し、堆積源アセンブリ７３０に作用する第２の磁気浮揚力Ｆ２をもたらす。第２の磁気浮揚力Ｆ２は、第１の平面７３３の第２の側７３３Ｂ上の堆積源アセンブリ７３０の一部分に対して作用する。図１０Ａでは、第２の磁気浮揚力Ｆ２は、第１の平面７３３の右側に設けられたベクトルによって表される。第２の磁気浮揚力Ｆ２は、堆積源アセンブリの重力Ｇに対して、少なくとも部分的に反作用し得る。
第１の磁気浮揚力Ｆ１と第２の磁気浮揚力Ｆ２とが重なり合うことによって、堆積源アセンブリ７３０に作用する重なり合った磁気浮揚力がもたらされる。重なり合った磁気浮揚力は、堆積源アセンブリの重力Ｇ対して完全に反作用し得る。重なり合った磁気浮揚力は、図１０Ａに示すように、堆積源アセンブリ７３０の無接触浮揚をもたらすのに十分であり得る。しかし、第１の磁気浮揚力Ｆ１及び第２の磁気浮揚力Ｆ２が、重量Ｇに部分的に反作用し得る重なり合った浮揚力をもたらし、第１の磁気浮揚力Ｆ１、第２の磁気浮揚力Ｆ２、及びさらなる無接触力が、重量Ｇと完全に反作用し得る重なり合った磁気浮揚力をもたらすように、さらなる無接触力が加えられてもよい。
本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、第１のアクティブ磁気ユニットは、第１の磁気浮揚力Ｆ１を加えるために、第１の調節可能な磁界を生成するように構成され得る。第２のアクティブ磁気ユニットは、第２の磁気浮揚力Ｆ２を加えるために、第２の調節可能な磁界を生成するように構成され得る。装置は、堆積源を位置合わせするための、第１の調節可能な磁界及び／又は第２の調節可能な磁界を制御するために、第１のアクティブ磁気ユニット７４１及び／又は第２のアクティブ磁気ユニット７４２を個別に制御するように構成されたコントローラ７５５を含み得る。より具体的には、コントローラ７５５は、堆積源を垂直方向に並進移動させて位置合わせするために、第１のアクティブ磁気ユニット及び第２のアクティブ磁気ユニットを制御するように構成され得る。第１のアクティブ磁気ユニット及び第２のアクティブ磁気ユニットを制御することにより、堆積源アセンブリは、目標垂直位置に位置付けされ得る。さらに、堆積源アセンブリは、コントローラの制御の下で、目標垂直位置に維持され得る。
第１のアクティブ磁気ユニット及び／又は第２のアクティブ磁気ユニットの個別制御は、堆積源の位置合わせに関してさらなる恩恵をもたらし得る。個別の制御によって、堆積源５２０を角度的に位置合わせするために、第１の回転軸７３４の周りで堆積源アセンブリ７３０を回転させることが可能になる。例えば、図１０Ａを参照すると、第１の磁気浮揚力Ｆ１が第２の磁気浮揚力Ｆ２よりも大きくなるように、第１のアクティブ磁気ユニット７４１及び／又は第２のアクティブ磁気ユニット７４２を個別に制御すると、第１の回転軸７３４の周りでの堆積源アセンブリ７３０の時計回り回転をもたらし得るトルクが生じる結果となる。同様に、第１の磁気浮揚力Ｆ１よりも大きい第２の磁気浮揚力Ｆ２により、第１の回転軸７３４の周りでの堆積源アセンブリ７３０の反時計回り回転が生じる結果となり得る。
第１のアクティブ磁気ユニット７４１及び第２のアクティブ磁気ユニット７４２の個別制御性によってもたらされる回転自由度により、第１の回転軸７３４に対して堆積源アセンブリ７３０の角度配向を制御することが可能になる。コントローラ７５５の制御の下で、目標角度配向がもたらされるか、且つ／又は維持され得る。堆積源アセンブリの目標角度配向は、垂直配向、例えば、図１０Ａに示すように、第１の平面７３３がｙ方向に対して平行である配向であってよい。代替的に、目標配向は、第１の平面７３３がｙ方向に対して目標角度だけ傾いているような、傾いた又はわずかに傾いた配向であってもよい。
図１０Ａを例示的に参照すると、本明細書に記載された任意の他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、搬送装置７２０は、第１のパッシブ磁気ユニット７４５（例えば、永久磁石）、及びさらなるアクティブ磁気ユニット７４３を含み得る。第１のパッシブ磁気ユニット７４５は、第１の平面７３３の第２の側７３３Ｂに配置され得る。動作において、第１のパッシブ磁気ユニット７４５は、誘導構造体７７０の第２の部分７７２に面してもよく、且つ／又は、第１の平面７３３と第２の部分７７２との間に設けられてもよい。
さらなるアクティブ磁気ユニット７４３は、第１の平面７３３の第１の側７３３Ａに配置され得る。動作において、さらなるアクティブ磁気ユニット７４３は、誘導構造体７７０の第１の部分７７１に面してもよく、且つ／又は、少なくとも部分的に、第１の平面７３３と第１の部分７７１との間に設けられてもよい。典型的には、さらなるアクティブ磁気ユニット７４３は、第１のアクティブ磁気ユニット７４１、第２のアクティブ磁気ユニット７４２と同じ種類であってよい。例えば、さらなるアクティブ磁気ユニット７４３、第１のアクティブ磁気ユニット７４１、及び／又は第２のアクティブ磁気ユニット７４２は、同一の種類の電磁石であってよい。第１のアクティブ磁気ユニット７４１及び第２のアクティブ磁気ユニットと比べて、さらなるアクティブ磁気ユニット７４３は、異なる空間配向を有し得る。具体的には、例えば、第１のアクティブ磁気ユニット７４１に対して、さらなるアクティブ磁気ユニット７４３は、図１０Ａの描画面に対して直角な横軸の周りで、例えば、約９０°回転し得る。
さらなるアクティブ磁気ユニット７４３は、磁界、具体的には、調節可能な磁界を生成するように構成され得る。さらなるアクティブ磁気ユニット７４３によって生成された磁界は、誘導構造体７７０の磁気特性と相互作用し、堆積源アセンブリ７３０に作用する第１の対向横方向力Ｏ１をもたらす。第１の対向横方向力Ｏ１は、磁力である。したがって、さらなるアクティブ磁気ユニット７４３及び誘導構造体７７０は、第１の対向横方向力Ｏ１をもたらすように構成されている。第１の対向横方向力は、第１の横方向力と反作用する、調節可能な力である。さらに、図１０Ａを例示的に参照すると、コントローラ７５５は、さらなるアクティブ磁気ユニット７４３を制御して、横方向の位置合わせをもたらすように構成され得る。
典型的に、第１のパッシブ磁気ユニット７４５及び誘導構造体７７０は、第１の横方向力Ｔ１をもたらすように構成されている。
具体的には、第１のパッシブ磁気ユニット７４５は、磁界を生成するように構成され得る。第１のパッシブ磁気ユニット７４５によって生成された磁界は、誘導構造体７７０の磁気特性と相互作用し、堆積源アセンブリ７３０に作用する第１の横方向力Ｔ１をもたらし得る。第１の横方向力Ｔ１は、磁力である。第１の横方向力Ｔ１は、本明細書に記載されたように、横方向に沿って延びている。第１の横方向力Ｔ１は、源搬送方向に対して実質的に直角な方向に沿って延びてもよい。例えば、第１の横方向力Ｔ１は、図１０Ａに示すように、ｚ方向に対して実質的に平行であり得る。
図１０Ａを例示的に参照すると、第１の対向横方向力Ｏ１が、横方向に沿って延びることを理解するべきである。この横方向は、第１の横方向力Ｔ１が沿って延びる横方向と、同一であるか、又はほぼ平行であり得る。例えば、図１０Ａに示す力Ｔ１とＯ１は、どちらもｚ方向に沿って延びる。具体的には、第１の対向横方向力Ｏ１と、第１の横方向力Ｔ１は、対向し合う力、或いは、反作用し合う力である。これは、力Ｔ１と力Ｏ１とが、ｚ方向に沿って反対方向を指す同じ長さの２つベクトルで表されている態様によって、図１０Ａに示されている。第１の対向横方向力Ｏ１と第１の横方向力Ｔ１とは、同じ大きさを有していてよい。第１の対向横方向力Ｏ１と第１の横方向力Ｔ１は、横方向に沿ってそれぞれの反対方向に延びていてよい。第１の横方向力Ｔ１と第１の対向横方向力Ｏ１は、基板受容領域若しくは基板、又は源搬送方向に対して実質的に直角であり得る。
例えば、図１０Ａに示すように、第１の横方向力Ｔ１は、第１のパッシブ磁気ユニット７４５と誘導構造体７７０との間の磁気吸引力から生じ得る。磁気吸引力によって、第１のパッシブ磁気ユニット７４５は、誘導構造体７７０に向けて、具体的には、誘導構造体７７０の第２の部分７７２に向けて付勢される。第１の対向横方向力Ｏ１は、さらなるアクティブ磁気ユニット７４３と誘導構造体７７０との間の磁気吸引力から生じ得る。磁気吸引力によって、さらなるアクティブ磁気ユニット７４３が、誘導構造体７７０に向けて、具体的には、誘導構造体７７０の第１の部分７７１に向けて付勢される。
代替的に、第１の横方向力Ｔ１は、第１のパッシブ磁気ユニット７４５と誘導構造体７７０との間の磁気反発から生じ得る。第１の対向横方向力Ｏ１は、さらなるアクティブ磁気ユニット７４３と誘導構造体７７０との間の磁気反発から生じ得る。さらに、この場合、力Ｔ１とＯ１とは、反作用し合う力である。したがって、第１の対向横方向力Ｏ１は、第１の横方向力Ｔ１と完全に反作用し得る。横方向（例えば、ｚ方向）に沿って堆積源アセンブリ７３０に作用する合力がゼロになるように、第１の対向力Ｏ１が第１の横方向力Ｔ１と反作用し得る。したがって、堆積源アセンブリ７３０は、横方向に沿って、接触がない状態で目標位置に保持され得る。
図１０Ａに示すように、コントローラ７５５は、さらなるアクティブ磁気ユニット７４３を制御するように構成され得る。さらなるアクティブ磁気ユニット７４３の制御は、第１の対向横方向力Ｏ１を制御するためにさらなるアクティブ磁気ユニット７４３によって生成された調節可能な磁界の制御を含み得る。さらなるアクティブ磁気ユニット７４３を制御することによって、横方向（例えば、ｚ方向）に沿った、堆積源５２０の無接触位置合わせが可能になり得る。具体的には、さらなるアクティブ磁気ユニット７４３を適切に制御することにより、堆積源アセンブリ７３０が、横方向に沿って目標位置に位置付けされ得る。堆積源アセンブリは、コントローラの制御の下で、目標位置に維持され得る。
パッシブ磁気ユニットによってもたらされる第１の横方向力Ｔ１は、搬送装置の動作中に調節又は制御を受けない静的な力である。したがって、第１の横方向力Ｔ１は、横方向に沿って作用する仮想の「重力型の」力をシミュレートする力と見なされ得る。例えば、第１の横方向力Ｔ１は、横方向に沿った物体の仮想重量をシミュレートすると見なされ得る。次に、このパラダイムの中で、第１の対向横方向力Ｏ１は、横方向に沿った物体の仮想重量に反作用する仮想の「浮揚型の」力をシミュレートすると見なされ得る。したがって、第１の横方向力Ｔ１に反作用するために、さらなるアクティブ磁気ユニットの制御によってもたらされる堆積源の無接触横方向位置合わせは、堆積源アセンブリの実際の、すなわち、垂直の重量Ｇに反作用する第１のアクティブ磁気ユニットの制御によってもたらされる、堆積源の無接触垂直位置合わせと同じ原理から理解することができる。したがって、堆積源を横方向に位置合わせするためのさらなるアクティブ磁気ユニットの制御は、垂直の位置合わせをもたらすための第１のアクティブ磁気ユニットの制御に使用されるのと同じ技術を用いて、同じ制御アルゴリズムに基づいて、実行され得る。これは、堆積源を位置合わせする簡略化されたアプローチをもたらす。
本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、誘導構造体７７０の第１の部分７７１及び第２の部分７７２は、誘導構造体７７０の別々の部分であり得る。動作において、誘導構造体７７０の第１の部分７７１は、第１の平面７３３の第１の側７３３Ａに配置され得る。誘導構造体７７０の第２の部分７７２は、第１の平面７３３の第２の側７３３Ｂに配置され得る。
本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、堆積源アセンブリ７３０内に含まれる、磁気ユニットのうちの１つ以上、又は、すべての磁気ユニットが、源支持体５３１に装着され得る。例えば、図１０Ａ及び図１０Ｂに示すように、本明細書に記載された第１のアクティブ磁気ユニット７４１、第２のアクティブ磁気ユニット７４２、第１のパッシブ磁気ユニット７４５、及び／又はさらなるアクティブ磁気ユニット７４３が、源支持体５３１に装着され得る。
誘導構造体７７０の第１の部分７７１及び第２の部分７７２は、それぞれパッシブ磁気ユニットであってもよく、且つ／又は、１つ又は複数のパッシブ磁気アセンブリを含んでもよい。例えば、第１の部分７７１及び第２の部分７７２は、それぞれ、強磁性材料、例えば、強磁性鋼から作られ得る。第１の部分７７１は、第１の凹部７７３及び第２の凹部７７４を含み得る。動作において、堆積源アセンブリ７３０の磁気ユニット、例えば、図１０Ｂに示す第１のアクティブ磁気ユニット７４１は、少なくとも部分的に、第１の凹部７７３内に配置され得る。動作において、堆積源アセンブリの別の磁気ユニット、例えば、さらなるアクティブ磁気ユニット７４３は、少なくとも部分的に、第２の凹部７７４内に配置され得る。誘導構造体７７０の第１の部分７７１は、源搬送方向（例えば、ｘ方向）に対して直角な断面において、Ｅ字形の輪郭を有し得る。第１の部分７７１の長さに実質的に沿ったＥ字形の輪郭は、第１の凹部７７３及び第２の凹部７７４を画定し得る。同様に、第２の部分７７２は、第３の凹部７７５及び第４の凹部７７６を含み得る。動作において、堆積源アセンブリ７３０の磁気ユニット、例えば、図９Ｂに示す第２のアクティブ磁気ユニット７４２は、少なくとも部分的に第３の凹部７７５内に配置されてもよく、第１のパッシブ磁気ユニット７４５は、少なくとも部分的に第４の凹部７７６内に設けられてもよい。第１のパッシブ磁気ユニット７４５は、誘導構造体７７０に設けられたさらなるパッシブ磁気ユニット７４６と相互作用し得る。第２の部分７７２は、源搬送方向に対して直角な断面においてＥ字形の輪郭を有し得る。第２の部分７７２の長さに実質的に沿ったＥ字形の輪郭は、第３の凹部７７５及び第４の凹部７７６を画定し得る。
堆積源アセンブリ７３０の磁気ユニットを少なくとも部分的に誘導構造体７７０のそれぞれの凹部内に配置することにより、本明細書に記載されているように、力Ｆ１、Ｆ２、Ｔ１、及び／又はＯ１をもたらすための、それぞれの凹部内における誘導構造体と磁気ユニットとの間の改善された磁気相互作用が得られる。
図１０Ｂを例示的に参照すると、搬送装置の幾つかの実施形態によれば、パッシブ磁気駆動ユニット７８０が誘導構造体に設けられ得る。例えば、パッシブ磁気駆動ユニット７８０は、複数の永久磁石、具体的には、変動する極性配向を有するパッシブ磁気アセンブリを形成する複数の永久磁石であってもよい。複数の磁石は、パッシブ磁気アセンブリを形成するために、交互する極性配向を有し得る。アクティブ磁気駆動ユニット７８１が、源アセンブリ（例えば、源支持体５３１）において、又は、その中に設けられ得る。パッシブ磁気駆動ユニット７８０及びアクティブ磁気駆動ユニット７８１は、堆積源アセンブリが浮揚されている間、誘導構造体に沿った運動のための推進力（例えば、非接触推進力）を与えることができる。
図１０Ｃは、本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる実施形態に係る、源支持体５３１、例えば、源カートを示す。図示されているように、源支持体５３１には、次のユニット、すなわち、堆積源５２０、第１のアクティブ磁気ユニット７４１、第２のアクティブ磁気ユニット７４２、第３のアクティブ磁気ユニット７４７、第４のアクティブ磁気ユニット７４８、第５のアクティブ磁気ユニット７４９、第６のアクティブ磁気ユニット７５０、第１のパッシブ磁気ユニット７５１、第２のパッシブ磁気ユニット７５２、及びこれらの任意の組み合わせが装着され得る。第５のアクティブ磁気ユニット７４９は、図１０Ａを参照して説明されるように、さらなるアクティブ磁気ユニット７４３であり得る。
図１０Ｃは、本明細書に記載された、源支持体５３１を通って延在する第１の平面７３３を示す。第１の平面７３３は、本明細書に記載されたように、第１の回転軸７３４を含む。図９Ｃに示すように、動作においては、第１の回転軸７３４は、ｘ方向に対して実質的に平行であり得る。
動作において、第１の回転軸は、横方向に沿って、例えば、ｘ方向に対して実質的に平行に延在し得る。第１のアクティブ磁気ユニット７４１、第３のアクティブ磁気ユニット７４７、第５のアクティブ磁気ユニット７４９、及び／又は第６のアクティブ磁気ユニット７５０は、第１の平面７３３の第１の側に配置され得る。第２のアクティブ磁気ユニット７４２、第４のアクティブ磁気ユニット７４８、第１のパッシブ磁気ユニット７５１、及び第２のパッシブ磁気ユニット７５２は、第１の平面７３３の第２の側に配置され得る。
さらに、図１０Ｃは、源支持体５３１を通って延在する第２の平面７６６を示す。第２の平面７６６は、第１の平面に対して直角であり得る。装置７２０の動作中、第２の平面は、垂直方向に延在し得る。動作中、第１の平面７３３は、基板受容領域又は基板に対して実質的に平行であってよい。第２の平面７６６は、基板受容領域に対して実質的に直角であってよい。第２の平面７６６は、堆積源アセンブリの第２の回転軸７６７を含む。第２の回転軸７６７は、第１の回転軸に対して実質的に直角であり得る。動作において、第２の回転軸７６７は、横方向に沿って、例えば、図１０Ｃに示すように、ｚ方向に対して実質的に平行に延在し得る。
図１０Ｃに例示的に示すように、第１のアクティブ磁気ユニット７４１、第２のアクティブ磁気ユニット７４２、第５のアクティブ磁気ユニット７４９、及び／又は第１のパッシブ磁気ユニット７５１は、第２の平面７６６の第１の側に配置され得る。第３のアクティブ磁気ユニット７４７、第４のアクティブ磁気ユニット７４８、第６のアクティブ磁気ユニット７５０、及び第２のパッシブ磁気ユニット７５２は、第２の平面７６６の第２の側に配置され得る。
動作において、図１０Ｃに示す８個の磁石ユニットが装着された源支持体５３１は、図１０Ｂに示すように、凹部を画定するＥ字形の輪郭を有する第１の部分及び第２の部分を含む誘導構造体に対して配置され得る。第１のアクティブ磁気ユニット７４１及び第３のアクティブ磁気ユニット７４７は、少なくとも部分的に、第１の凹部７７３内に配置され得る。第５のアクティブ磁気ユニット７４９及び第６のアクティブ磁気ユニット７５０は、少なくとも部分的に、第２の凹部７７４内に配置され得る。第２のアクティブ磁気ユニット７４２及び第４のアクティブ磁気ユニット７４８は、少なくとも部分的に、第３の凹部７７５内に配置され得る。第１のパッシブ磁気ユニット７５１及び第２のパッシブ磁気ユニット７５２は、少なくとも部分的に、第４の凹部７７６内に配置され得る。
第１のアクティブ磁気ユニット、第２のアクティブ磁気ユニット、第３のアクティブ磁気ユニット、及び第４のアクティブ磁気ユニットは、それぞれ、堆積源アセンブリに作用する磁気浮揚力をもたらすように構成され得る。これら４つの磁気浮揚力は、それぞれ、堆積源アセンブリの重量と部分的に反作用し得る。これら４つの磁気浮揚力の重なり合いによって、堆積源アセンブリの重量に完全に反作用するような重なり合った磁気浮揚力がもたらされ、非接触浮揚がもたらされ得る。
第１のアクティブ磁気ユニット、第２のアクティブ磁気ユニット、第３のアクティブ磁気ユニット、及び第４のアクティブ磁気ユニットを制御することにより、堆積源を垂直方向に沿って並進移動させて位置合わせすることができる。コントローラの制御の下で、堆積源は、垂直方向、例えば、ｙ方向に沿って、目標位置に位置付けされ得る。
第１のアクティブ磁気ユニット、第２のアクティブ磁気ユニット、第３のアクティブ磁気ユニット、及び第４のアクティブ磁気ユニットを制御、具体的には、個別に制御することにより、堆積源アセンブリを第１の回転軸の周りで回転させることができる。同様に、ユニット群を制御することにより、堆積源アセンブリを第２の回転軸の周りで回転させることができる。アクティブ磁気ユニットを制御することによって、堆積減を位置合わせするために、第１の回転軸に対する堆積源アセンブリの角度配向と、第２の回転軸に対する角度配向とを制御することが可能になる。したがって、堆積源を角度的に位置合わせするために、２つの回転自由度がもたらされ得る。
第１のパッシブ磁気ユニット７５１及び第２のパッシブ磁気ユニット７５２は、それぞれ、第１の横方向力Ｔ１と第２の横方向力Ｔ２を加えるように構成されている。第５のアクティブ磁気ユニット７４９及び第６のアクティブ磁気ユニット７５０は、それぞれ、第１の対向横方向力Ｏ１と第２の対向横方向力Ｏ２を加えるように構成されている。図１０Ａに関連して示された説明を検討すると、第１の対向力Ｏ１及び第２の対向力Ｏ２は、第１の横方向力Ｔ１及び第２の横方向力Ｔ２と反作用する。
第５のアクティブ磁気ユニット７４９及び第６のアクティブ磁気ユニット７５０を制御し、ひいては、力Ｔ１及びＴ２を制御することにより、堆積源を、横方向、例えば、ｚ方向に沿って並進移動させて位置合わせすることができる。コントローラの制御の下で、堆積源は、横方向に沿って目標位置に位置付けされ得る。
第５のアクティブ磁気ユニット７４９及び第６のアクティブ磁気ユニット７５０を個別に制御することによって、図１０Ｃに示すように、堆積源アセンブリを第３の回転軸７６８の周りで回転させることができる。第３の回転軸７６８は、第１の回転軸７３４に対して直角であってよく、且つ／又は、第２の回転軸７６７に対して直角であってよい。動作において、第３の回転軸７６８は、垂直方向に沿って延在し得る。第５のアクティブ磁気ユニット７４９及び第６のアクティブ磁気ユニット７５０を個別に制御することにより、堆積源を角度的に位置合わせするために、第３の回転軸７６８に対して堆積源アセンブリの角度配向を制御することが可能になる。
図１１Ａから図１１Ｅを例示的に参照すると、本明細書に記載された処理システム内でのキャリアアセンブリ又は基板の無接触の浮揚、搬送、及び／又は位置合わせのためのさらなる搬送装置８２０が説明される。本開示では、「キャリアアセンブリ」は、基板を支持するキャリア、基板なしのキャリア、基板、又は支持体によって支持された基板からなる群のうちの１つ又は複数の要素を含み得る。具体的には、キャリアアセンブリは、機械的な力の代わりに磁力を用いて、浮揚状態又は浮上状態で保持される。一例として、本明細書に記載されたさらなる搬送装置は、堆積源アセンブリの重量を支持する機械的レールなどの機械的手段を有しないことがある。幾つかの実装形態では、システム内でキャリアアセンブリが浮揚（例えば、移動）している間、キャリアアセンブリとさらなる搬送装置の残りの部分との間の機械的接触は一切あり得ない。
本開示の実施形態によれば、浮揚（ｌｅｖｉｔａｔｉｎｇ ｏｒ ｌｅｖｉｔａｔｉｏｎ）とは、物体が機械的な接触又は支持を伴わずに浮上する物体の状態のことを指す。さらに、物体を移動させるということは、駆動力（例えば、浮揚力とは異なる方向の力）を加えることを指しており、この場合、物体は、ある位置から別の異なる位置（例えば、異なる横方向位置）へと移動させられる。例えば、キャリアアセンブリなどの物体を、すなわり、重力と反作用する力によって浮揚させることができ、浮揚している間、重力と平行な方向とは異なる方向へ移動させることができる。
本明細書に記載された実施形態に係るキャリアアセンブリの無接触の浮揚、搬送、及び／又は位置合わせは、キャリアアセンブリの搬送又は位置合わせの間、堆積源アセンブリと機械的レールなどの装置の部分との機械的接触によって粒子が発生しないという点で有益である。したがって、特に無接触の浮揚、搬送、及び／又は位置合わせを用いると、粒子発生が最小限に抑えられるので、本明細書に記載された処理システムは、基板上に堆積される層の改善された純度及び均一性をもたらす。
キャリアアセンブリを誘導するための機械的手段と比べた場合、さらなる利点は、本明細書に記載された実施形態が、キャリアアセンブリの移動の直線性及び／又は精度に影響を与える摩擦の関与を受けないことである。キャリアアセンブリの無接触搬送により、キャリアアセンブリの無摩擦移動が可能となり、マスクに対するキャリアアセンブリの位置合わせが、高精度に制御且つ維持され得る。さらに、浮揚することにより、キャリアアセンブリの速度の迅速な加速又は減速、及び／又は、キャリアアセンブリの速度の微調節が可能になる。
さらに、機械的レールの材料は、典型的に、変形に悩まされる。かような変形は、チャンバの排気によって、また、温度、使用法、摩耗などによって生じる恐れがある。かかる変形は、キャリアアセンブリの位置に影響を与え、ひいては、堆積層の品質に影響を与える。それとは対照的に、本明細書に記載されたさらなる搬送装置８２０の実施形態は、例えば、本明細書に記載された誘導構造体に存在する潜在的な変形の補正を可能にする。キャリアアセンブリが浮揚且つ搬送させられる無接触態様の観点からすると、キャリアアセンブリの無接触位置合わせをもたらすことができる。したがって、改善された且つ／又はより効率的な、マスクに対する基板の位置合わせをもたらすことができる。
具体的には、さらなる搬送装置８２０は、垂直方向（例えば、ｙ方向）に沿った、且つ／又は、１つは複数の横方向（例えば、ｘ方向）に沿った、キャリアアセンブリの無接触並進運動のために構成されている。さらに、さらなる搬送装置は、例えば、マスクに対してキャリアアセンブリを角度的に位置合わせするために、少なくとも１つの回転軸に対してキャリアアセンブリを無接触回転させるように構成され得る。回転軸に対するキャリアアセンブリの回転は、０．００３°から３°の角度範囲内でもたらされ得る。さらに、さらなる搬送装置８２０は、例えば、マスクに対してキャリアアセンブリを角度的に位置合わせするために、少なくとも１つの回転軸に対してキャリアアセンブリを追加的に接触回転（すなわち、接触が伴う回転）させるように構成され得る。回転軸に対する堆積源アセンブリの機械的回転は、０．０００１°から３°の角度範囲内で行われ得る。
図１１Ａは、ｘ−ｙ面における例示的なさらなる搬送装置８２０の前面図を示し、図１１Ｃは、図１１Ａに示したさらなる搬送装置８２０のｘ−ｚ面における側面図を示す。典型的に、さらなる搬送装置８２０は、処理モジュール内、具体的には、真空処理チャンバ内に配置され得る。さらに、さらなる搬送装置は、処理システムの少なくとも１つのさらなるモジュールの中に、例えば、移送モジュール４１５及び／若しくはルーティングモジュール４１０及び／若しくはサービスモジュールの中に、並びに／又は、マスクキャリアマガジン３２０及び／若しくはマスクキャリアローダ３１０及び／若しくは第１のバッファチャンバ１５１及び／若しくは第２のバッファチャンバ及び／若しくは第１の真空スイングモジュール１３１及び／若しくはさらなる真空スイングモジュール１３２の中にさらに設けられ得る。
図１１Ａから図１１Ｅに例示するように、さらなる搬送装置８２０は、例えば、本明細書に記載された基板キャリアにおいて、搬送すべき基板１０１を含み得るキャリアアセンブリ８８０を含み得る。キャリアアセンブリ８８０は、典型的に、第１のパッシブ磁気素子８５１を含む。図１１Ａに例示するように、さらなる搬送装置は、キャリアアセンブリ搬送方向に延びるさらなる誘導構造体８７０を含み得る。誘導構造体は、複数のアクティブ磁気素子８７５を含む。図１１Ａの水平方向の矢印によって例示されているように、キャリアアセンブリ８８０は、さらなる誘導構造体７７０に沿って移動可能であるように構成されている。さらなる誘導構造体８７０の第１のパッシブ磁気素子８５１及び複数のアクティブ磁気素子８７５は、キャリアアセンブリ８８０を浮揚させる第１の磁気浮揚力を加えるように構成されている。
さらに、図１１Ａに例示するように、さらなる搬送装置は、駆動構造体８９０を含み得る。誘導構造体は、複数のさらなるアクティブ磁気素子８９５を含み得る。キャリアアセンブリは、誘導構造体８９０のさらなるアクティブ磁気素子８９５と相互作用するための、第２のパッシブ磁気素子８５２（例えば、強磁性材料のバー）を含み得る。典型的には、複数のアクティブ磁気素子８７５のうちの１つのアクティブ磁気素子によって、キャリアアセンブリ８８０の第１のパッシブ磁気素子８５１と相互作用する磁力がもたらされる。例えば、第１のパッシブ磁気素子８５１は、強磁性材料のバー又はロッドであり得、これは、キャリアアセンブリ８８０の一部であり得る。代替的に、第１のパッシブ磁気素子は、基板支持体と一体的に形成されてもよい。さらに、図１１Ａ及び図１１Ｂに例示するように、典型的には、キャリアアセンブリ８８０は、第２のパッシブ磁気素子８５２（例えば、強磁性材料のさらなるバー又はさらなるロッド）を含み、これは、キャリアアセンブリ８８０に接続されてもよく、又は、基板支持体と一体的に形成されてもよい。
本明細書に記載された実施形態によれば、複数のアクティブ磁気素子８７５は、第１のパッシブ磁気素子８５１に、ひいてはキャリアアンブリ８８０に磁力を供給する。したがって、複数のアクティブ磁気素子８７５が、キャリアアセンブリ８８０を浮揚させる。典型的には、さらなるアクティブ磁気素子８９５は、処理システムの内部でキャリアを、基板搬送方向、例えば、図１１Ａ及び図１１Ｂに示すＸ方向に沿って、すなわち、第１の方向に沿って駆動するように構成されている。したがって、複数のさらなるアクティブ磁気素子８９５は、キャリアアセンブリ８８０を、複数のアクティブ磁気素子８７５によって浮揚させられている間に移動させる駆動構造体を形成する。さらなるアクティブ磁気素子８９５は、第２のパッシブ磁気素子８５２と相互作用して、基板搬送方向に沿った力を加える。例えば、第２のパッシブ磁気素子８５２は、複数の永久磁石を含み得、これらは、交互する極性で配置される。その結果生じる第２のパッシブ磁気素子８５２の磁界は、複数のさらなるアクティブ磁気素子８９５と相互作用して、キャリアアセンブリ８８０を浮揚中に移動させることができる。
複数のさらなるアクティブ磁気素子８９５を用いてキャリアアセンブリ８８０を浮揚させ、且つ／又は、複数のさらなるアクティブ磁気素子８９５を用いてキャリアアセンブリ８８０を移動させるためには、アクティブ磁気素子は、調節可能な磁界をもたらすように制御され得る。調節可能な磁界は、静磁界又は動磁界であってもよい。本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、アクティブ磁気素子は、垂直方向に沿って延びる磁気浮揚力をもたらすための磁界を発生させるように構成されている。本明細書に記載されたさらなる実施形態と組み合わせることができる他の実施形態によれば、アクティブ磁気素子は、横方向に沿って延びる磁力をもたらすように構成され得る。本明細書に記載されたアクティブ磁気素子は、電磁デバイス、ソレノイド、コイル、超電導磁石、及びこれらの任意の組み合わせからなる群から選択された素子であるか、又はそれを含んでもよい。
図１１Ａ及び図１１Ｂは、本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる実施形態に係る、さらなる搬送装置８２０の動作状態の側面図を示す。図示されているように、さらなる誘導構造体８７０は、キャリアアセンブリの搬送方向、すなわち、図１１Ａ及び図１１ＢのＸ方向に沿って延在し得る。キャリアアセンブリの搬送方向は、本明細書で説明された横方向である。さらなる誘導構造体８７０は、搬送方向に沿って延びる直線形状を有し得る。源搬送方向に沿ったさらなる誘導構造体８７０の長さは、１から３０ｍであり得る。基板１０１は、例えば、＋１５°の偏差で、描画面に対して実質的に平行に配置され得る。基板処理（例えば、層堆積処理）の間、基板は、基板受容領域内に設けられてもよい。基板受容領域は、対応する基板寸法と同じか又はそれよりも若干（例えば、５〜２０％）大きい寸法（例えば、長さ及び幅）を有する。
さらなる搬送装置８２０の動作中、キャリアアセンブリ８８０は、さらなる誘導構造体８７０に沿って、搬送方向（例えば、ｘ方向）に並進移動可能であり得る。図１１Ａ及び図１１Ｂは、さらなる誘導構造体８７０に対して、ｘ方向に沿って異なる位置にあるキャリアアセンブリ８８０を示す。水平方向の矢印は、駆動構造体８９０の駆動力を示す。結果として、さらなる誘導構造体８７０に沿って、左から右へのキャリアアセンブリ８８０の並進運動がもたらされる。垂直方向の矢印は、キャリアアセンブリに対して作用する浮揚力を示す。
第１のパッシブ磁気素子８５１は、搬送方向で第１のパッシブ磁気素子８５１の長さに実質的に沿った磁気特性を有し得る。アクティブ磁気素子８７５’によって生成された磁界は、第１のパッシブ磁気素子８５１の磁気特性と相互作用し、第１の磁気浮揚力及び第２の磁気浮揚力をもたらす。したがって、キャリアアセンブリ８８０の無接触の浮揚、搬送、及び位置合わせが行われ得る。
図１１Ａに示すように、キャリアアセンブリ８８０は、第１の位置に設けられる。本開示の実施形態によれば、２つ以上のアクティブ磁気素子８７５’、例えば、２つ又は３つのアクティブ磁気素子８７５’が、キャリアコントローラ８４０によって活性化され、キャリアアセンブリ８８０を浮揚させるための磁界を発生させる。本開示の実施形態によれば、キャリアアセンブリは、機械的接触を伴わずに、さらなる誘導構造体８７０の下方に垂れ下がる。
図１１Ａでは、２つのアクティブ磁気素子８７５’が、垂直の矢印で示された磁力をもたらす。この磁力は、キャリアアセンブリを浮揚させるために重力に反作用する。キャリアコントローラ８４０は、２つのアクティブ磁気素子８７５’を個別に制御して、キャリアアセンブリを浮揚状態に維持する。さらに、１つ又は複数のさらなるアクティブ磁気素子８９５’が、キャリアコントローラ８４０によって制御され得る。さらなるアクティブ磁気素子は、第２のパッシブ磁気素子８５２（例えば、交互する永久磁石のセット）と相互作用して、水平方向の矢印で示される駆動力を生成する。駆動力は、基板（例えば、キャリアアセンブリの支持部によって支持された基板）を搬送方向に沿って移動させる。図１１Ａに示すように、搬送方向は、Ｘ方向であり得る。本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる本開示の幾つかの実施形態によれば、駆動力をもたらすために同時に制御されるさらなるアクティブ磁気素子８９５’の数は、１から３である。キャリアアセンブリの移動により、基板は、搬送方向（例えば、Ｘ方向）に沿って移動する。したがって、第１の位置では、基板は、アクティブ磁気素子の第１の群の下方に位置付けされ、さらに別の位置では、基板は、アクティブ磁気素子のさらに別の群の下方に位置付けされる。コントローラは、それぞれの位置に対してどのアクティブ磁気素子が浮揚力を加えるかを制御し、且つ、それぞれのアクティブ磁気素子を制御して、キャリアアセンブリを浮揚させる。例えば、基板が移動している間、後続のアクティブ磁気素子によって浮揚力が加えられ得る。本明細書に記載された実施形態によれば、キャリアアセンブリは、アクティブ磁気素子の１つのセットからアクティブ磁気素子の別のセットへと渡されていく。
図１１Ｂは、第２の位置、例えば、基板が処理モジュール内で処理される処理位置にあるキャリアアセンブリを示す。この処理位置では、キャリアアセンブリは、所望の位置に移動し得る。基板は、本開示に記載された無接触搬送システムを用いて、マスクに対して位置合わせさせられる。
図１１Ｂに例示するように、第２位置では、２つのアクティブ磁気素子８７５’が、左矢印で示す第１磁力と、右矢印で示す第２の磁力とをもたらす。キャリアコントローラ８４０は、２つのアクティブ磁気素子８７５’を制御して、垂直方向、例えば、図１１Ｂに示すＹ方向の位置合わせをもたらす。さらに、追加的に又は代替的に、キャリアコントローラ８４０は、２つのアクティブ磁気素子８７５’を制御して位置合わせをもたらし、キャリアアセンブリは、Ｘ−Ｙ面で回転する。この両方の位置合わせ運動は、点線のキャリアアセンブリの位置と実線で描かれたキャリアアセンブリ８８０の位置とを比較することにより、図１１Ｂで例示として確認することができる。
コントローラは、キャリアアセンブリを垂直方向に並進移動させて位置合わせするためにアクティブ磁気素子８７５’を制御するように構成され得る。アクティブ磁気素子を制御することによって、キャリアアセンブリ８８０は、目標垂直位置に位置付けされ得る。キャリアアセンブリ８８０は、キャリアコントローラ８４０の制御の下で、目標垂直位置に維持され得る。したがって、コントローラは、第１の回転軸（例えば、主要基板面に対して直角な回転軸、例えば、本開示のＺ方向に延在する回転軸）に対して堆積源を角度的に位置合わせするために、アクティブ磁気素子８７５’を制御するように構成され得る。
さらなる搬送装置の実施形態によれば、垂直方向（Ｙ方向）のキャリアアセンブリの位置合わせ、具体的には、無接触位置合わせは、０．１ｍｍから３ｍｍの位置合わせ範囲で行うことができる。さらに、垂直方向における、位置合わせの精度、具体的には、無接触位置合わせの精度は、５０μｍ以下、例えば、１μｍから１０μｍ（５μｍ等）であり得る。本開示の実施形態によれば、回転位置合わせの精度、具体的には、無接触位置合わせの精度は、３°以下であり得る。
さらなる搬送装置の実施形態によれば、１つ又は複数のさらなるアクティブ磁気素子８９５’は、図１０Ｂの双方向の水平矢印で示す駆動力を与えることができる。コントローラは、１つ又は複数のさらなるアクティブ磁気素子８９５’を制御して、搬送方向、例えば、図１０Ａ及び図１０ＢにおけるＸ方向の位置合わせをもたらす。本開示の実施形態によれば、搬送方向（Ｘ方向）でのキャリアアセンブリの位置合わせは、誘導構造体の長さに沿って延在する位置合わせ範囲内で行われ得る。さらに、搬送方向での位置合わせの精度、具体的には、無接触位置合わせの精度は、５０μｍ以下、例えば、５μｍ又は３０μｍであり得る。
したがって、さらなる搬送装置の実施形態は、浮揚したキャリアアセンブリの運動を実現し、これにより、搬送方向及び／又は垂直方向で基板を高精度で位置付けすることが可能となる。さらに、本明細書に記載された実施形態に係るキャリアアセンブリの位置付けの精度により、マスクに対する、キャリアアセンブリのキャリアによって支持された基板の改善された位置合わせが可能となる。位置合わせは、一部のマスク構成については、所望の精度を実現するように改善され得、又は、その他の一部のマスク構成については、別の位置合わせシステムの複雑性の低減を可能にするように改善され得る。
図１１Ｄ及び図１１Ｅは、垂直な基板配向をもたらすためのさらなる搬送装置８２０の幾つかの代替的構成の可能性を示しており、１５°以下の絶対値を有する小さな偏差が設けられ得る。図１１Ｄ及び図１１Ｅに例示するように、基板支持体１０２によって支持された基板１０１は、下方に向くよう若干傾けてもよい。したがって、基板処理中の基板表面への粒子の付着を低減させることができる。さらなる誘導構造体８７０の長さに沿って分散する追加のアクティブ磁気素子８７６又は複数の追加のアクティブ磁気素子を設けることにより、図１１Ｄに示すキャリアアセンブリは、傾く（すなわち、垂直配向からの若干の偏差を有し）。ここで、第２のパッシブ磁気素子８５２は、さらなるアクティブ磁気素子によって誘引される。したがって、キャリアアセンブリは、浮揚状態で設けられ、キャリアアセンブリの下端部は、さらなるアクティブ磁気素子によって側方に引っ張られる。機械的接触を伴わずにキャリアアセンブリの下端部を側方に引っ張る他の素子も設けられ得る。
さらに別の実施形態によれば、垂直配向からの偏差は、パッシブ磁気素子、例えば、永久磁石によっても実現し得る。例えば、キャリアアセンブリは、第２のパッシブ磁気素子８５２として、又は、例えば、第２のパッシブ磁気素子８５２に加えて、例えば、第２のパッシブ磁気素子８５２に隣接して設けられた永久磁石を有し得る。さらなる永久磁石は、永久磁石の下方に設けられ得る。さらなる永久磁石と永久磁石は、互いを誘引するために、極性が逆になるよう設けられ得る。この誘引力によって、キャリアアセンブリは、垂直配向から偏向させられ得る。さらに、この誘引力により、搬送方向に沿った誘導が行われ得る。本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができるさらに別の実施形態によれば、キャリアの上端部において誘導力を加えるため、さらに別の永久磁石の対が設けられ得る。したがって、永久磁石の第２の対のうちの片方の永久磁石をキャリアアセンブリの上方領域に設けることができ、第２の対の永久磁石のうちの対応する永久磁石を誘導構造体の領域に隣接するよう設けることができる。第２の対の永久磁石同士の間の誘引力により、搬送方向に沿った誘導がもたらされ得る。
図１１Ｅは、さらなる搬送装置８２０のさらなる代替的構成の可能性を示す。具体的には、傾いた（すなわち、垂直配向から若干（例えば、１５°以下の絶対値）偏差した）基板１０１の基板配向を設けるために、基板支持体１０２は、キャリアアセンブリが垂直である間に基板の傾きをもたらすよう形成される。
さらなる搬送装置の実施形態によれば、キャリアアセンブリ８８０は、基板１０１を基板支持体１０２で保持するように構成された１つ又は複数の保持デバイス（図示せず）を含み得る。１つ又は複数の保持デバイスは、機械的クランプ及び／又は磁気クランプなどの、機械的手段、静電的手段、動電（ファンデルワールス）的手段、電磁的手段、及び／又は磁気的手段のうちの少なくとも１つを含み得る。
幾つかの実装形態では、キャリアアセンブリは、静電チャック（Ｅチャック）を含むか、又は、Ｅチャックである。Ｅチャックは、表面上に基板１０１を支持するための支持面（例えば、図１１Ａから図１１Ｅに示す基板支持体１０２）を有し得る。一実施形態では、Ｅチャックは、電極が内部に埋め込まれた誘電本体を含む。誘電本体は、誘電材料、好ましくは、熱分解窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、アルミナ、又は等価材料などの高熱伝導性誘電材料から製作され得る。電極は電源に連結されて得る。電源は、電極に電力を供給して、チャック力を制御する。チャック力は、基板を支持体の支持面に固定するように基板に作用する静電力である。
幾つかの実装形態では、キャリアアセンブリ８８０は、動電チャック若しくはゲッコチャック（Ｇｅｃｋｏ ｃｈｕｃｋ）（Ｇチャック）を含むか、又は、動電チャック若しくはＧチャックである。Ｇチャックは、表面上で基板を支持する支持面を有し得る。チャック力は、基板を支持面に固定するように基板に作用する動電力であり得る。
図４Ａから図４Ｅを参照して例示的に説明されているように、マスク３３０が、堆積源５２０とキャリアアセンブリ８８０によって支持され得る基板１０１との間に設けられ得る。例えば、マスクは、図１２Ａに示すように端部除外マスクであってもよく、又は、図１２Ｂに示すように、基板上にパターンを堆積するためのマスクであってもよい。典型的に、マスクは、マスクキャリアによって支持され得る。
図１２Ａに例示するように、典型的に、端部除外マスクは、マスク端部３３２を設けることにより、基板１０１の端部の一部を覆うように構成されている。例えば、基板１０１の一部の幅３３３は、１０ｍｍ以下、例えば、５ｍｍ以下であり得る。開放領域３３４又は開口が、マスク端部３３２によって設けられ、すなわち、マスク端部３３２によって囲まれる。対応する端部によって囲まれた開口が２つ以上あるように、端部除外マスクの中央には、仕切り壁が任意選択的に設けられ得る。しかし、開口は、パターン特徴を画定するように構成されていない。開口は、基板の領域を画定するよう構成されている。例えば、図１２Ａに示す開口の開口領域３３４は、基板の面積の少なくとも８０％であり得る。２つ以上の開口を有する実施形態については、各開口は、基板領域の少なくとも０．１％の面積を有する。
さらに、図１２Ａでは、基板１０１が上部で支持されているキャリアアセンブリ８８０が点線で示されている。したがって、本明細書に記載されたさらなる搬送装置８２０を利用することにより、キャリアアセンブリ８８０、ひいては、基板１０１をマスク３３０に対して位置合わせすることができることを理解するべきである。
図１２Ｂは、複数の小さな開口３４１を含むシャドウマスク３４０を示す。例えば、小さな開口の領域、すなわち、生成されるパターンのうちの一特徴の領域は、基板面積の０．０１％未満であり得る。図１２Ｂは、表面上で基板１０１を支持しているキャリアアセンブリ８８０を示している。
本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる本開示の幾つかの実施形態によれば、基板とマスクを互いに対して事前に位置合わせすることは、機械的接触を伴わずに基板を浮揚させるように構成されたさらなる搬送装置８２０によって実現し得る。事前の位置合わせは、５０μｍ以下の精度を有し得る。このような事前の位置合わせの精度により、最終的な位置合わせを行うためのさらなる位置合わせアクチュエータ、例えば、圧電アクチュエータ（圧電位置合わせアクチュエータ（ｐｉｅｚｏｅｌｅｃｔｒｉｃ ａｌｉｇｎｍｅｎｔ ａｃｔｕａｔｏｒ）等）の利用が可能になる。
具体的には、本明細書に記載された任意の他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、図４Ａを参照して簡潔に説明された位置合わせシステム５５０が設けられ得る。図１２Ｂ及び図１２Ｃを例示的に参照すると、典型的に、位置合わせシステム５５０は、図１２Ｂに例示するように、２つ以上の位置合わせアクチュエータ３５０、例えば、４つの位置合わせアクチュエータを含む。事前の位置合わせが行われる幾つかの実施形態によれば、例えば、以上に記載されたさらなる搬送装置を利用することにより、位置合わせアクチュエータは、上述の事前の位置合わせの精度がない状態で利用される一般的な位置合わせアクチュエータに比べて、複雑性が低減し得る。例えば、本明細書に記載されたさらなる搬送装置の事前の位置合わせは、処理モジュールの内部で、位置合わせされるキャリアを予め設定された位置に停止するように構成されたレールを含み得る。例えば、マスクキャリアは、処理モジュールの内部で予め設定された位置まで移動することができ、次いで、位置合わせシステム５５０は、所望の位置の微調節を行うことができる。その後、ロックボルト、例えば、マスクキャリアの各角部に１つある４つのロックボルトが、マスクキャリアを保持するために前進し得る。マスクキャリアが位置付けされた後、基板キャリアは、処理モジュールの内部の予め設定された位置に移動させられ得る。次いで、例えば、位置合わせシステムによって、基板キャリアを位置合わせすることができる。基板キャリア及びマスクキャリアが正確な位置にあるとき、基板キャリア及びマスクキャリアの正確な位置を保つために、ロックボルトが利用され得る。
さらに、本明細書に記載された任意の他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、１つ又は複数のカメラが、処理モジュールの内部に実装され得る。カメラは、例えば、マスクキャリア及び／又はマスク及び／又は基板キャリア及び／又は基板に設けられた位置検出印をモニタリングすることにより、基板に対するマスクの位置合わせをチェックすることができるように構成且つ配置される。例えば、検出印は、黒い点又は孔であり得る。
幾つかの実施形態では、位置合わせシステム５５０は、図４Ａに例示するように、真空処理チャンバの外から、すなわち、大気側から作動するように構成され得る。典型的に、位置合わせシステムは、２つ以上の位置合わせアクチュエータを有する保持構成体を含み、これらのアクチュエータは、マスクキャリアと基板キャリアとの間に短い接続経路を設ける。具体的には、保持構成体９００は、基板キャリア９１０とマスクキャリア３３５のうちの少なくとも１つに接続可能な２つ以上の位置合わせアクチュエータ３５０を含み、保持構成体９００は、基板キャリア９１０を支持するように構成されている。
図１２Ｃに例示するように、幾つかの実施形態によれば、２つ以上の位置合わせアクチュエータ３５０のうちの第１の位置合わせアクチュエータ３５０Ａは、キャリアアセンブリ８８０とマスクキャリア３３５を互いに対して少なくとも第１の方向Ｙに移動させるように構成され得る。さらに、２つ以上の位置合わせアクチュエータのうちの第２の位置合わせアクチュエータ３５０Ｂが設けられ得る。第２の位置合わせアクチュエータ３５０Ｂは、キャリアアセンブリ８８０とマスクキャリア３３５を互いに対して第１の方向Ｙに、及び第１の方向Ｙと異なる第２の方向Ｘに移動させるように構成され得る。幾つかの実装態様によれば、第１の位置合わせアクチュエータ３５０Ａは、第２の方向Ｘに関して浮上している。「浮上している（ｆｌｏａｔｉｎｇ）」という用語は、第１の位置合わせアクチュエータ３５０Ａが、例えば第２の位置合わせアクチュエータ３５０Ｂによって駆動される、第２の方向Ｘへの基板キャリア９１０の運動を許容していることであると理解することできる。
典型的に、保持構成体は、第３の位置合わせアクチュエータ３５０Ｃ及び第４の位置合わせアクチュエータ３５０Ｄのうちの少なくとも１つをさらに含み得る。したがって、２つ以上の位置合わせアクチュエータは、キャリアアセンブリ又は基板キャリア９１０又はマスクキャリア３３５を、第１の平面内で又は第１の平面に対して平行に（例えば、ｘ方向及びｙ方向に）移動又は位置合わせさせるように構成され、且つ、基板キャリア９１０又はマスクキャリア３３５の角度位置を第１の平面内で又は第１の平面に対して平行に、調整又は変更するように構成されている。したがって、基板１０１をマスク３３０に対して位置合わせすることができ、堆積された層の品質を改善することができる。
図１２Ｃに例示されていないが、典型的には、図１２Ａ及び図１２Ｂを参照して例示的に説明されているように、マスク３３０は、マスクキャリア３３５に取り付けられ得ることを理解するべきである。図１２Ｂ及び図１２Ｃで例示するように、典型的に、保持構成体９００は、基板キャリア９１０及びマスクキャリア３３５のうちの少なくとも１つを実質的に垂直な配向で支持するよう構成されている。
さらに、２つ以上の位置合わせアクチュエータは、キャリアアセンブリとマスクキャリア３３５のうちの少なくとも１つの要素に接続され得ることを理解するべきである。一例として、２つ以上の位置合わせアクチュエータは、基板キャリア９１０に接続可能であり、２つ以上の位置合わせアクチュエータは、基板キャリア９１０をマスクキャリア３３５に対して移動させるように構成されており、マスクキャリア３３５は、固定位置又は静止位置にあり得る。他の例として、２つ以上の位置合わせアクチュエータは、マスクキャリア３３５に接続可能であり、２つ以上の位置合わせアクチュエータは、マスクキャリア３３５を基板キャリア９１０に対して移動させるように構成されており、基板キャリア９１０は、固定位置又は静止位置にあり得る。
幾つかの実装形態では、２つ以上の位置合わせアクチュエータのうちの少なくとも１つの位置合わせアクチュエータは、基板１０１とマスクキャリア３３５を互いに対して第３の方向Ｚに移動させるよう構成されており、具体的には、第３の方向は、第１の平面及び／又は基板表面１０３に対して実質的に直角である。一例として、第１の位置合わせアクチュエータ３５０Ａ及び第２の位置合わせアクチュエータ３５０Ｂは、基板キャリア９１０又はマスクキャリア３３５を第３の方向Ｚに移動させるように構成され得る。幾つかの実装形態では、基板１０１とマスク３３０との間の距離は、キャリアアセンブリ又は基板キャリア９１０又はマスクキャリア３３５を第３の方向Ｚに移動させることによって調節することができる。一例としては、基板１０１又は基板キャリア９１０とマスク３３０との間の距離は、層が表面上に堆積されるように構成された基板表面１０３の領域において、実質的に一定であるように調節され得る。幾つかの実施形態によれば、この距離は、１ｍｍ未満、具体的には、５００マイクロメートル未満、さらに具体的には、５０マイクロメートル未満であり得る。
図１２Ｃに例示するように、本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、第１の位置合わせアクチュエータ３５０Ａ及び第２の位置合わせアクチュエータ３５０Ｂは、基板キャリアの第１の端部部分９２１に設けられ、第３の位置合わせアクチュエータ３５０Ｃ及び第４の位置合わせアクチュエータ３５０Ｄは、基板キャリアの第２の端部部分９２２に設けられる。具体的には、第１の位置合わせアクチュエータ３５０Ａ、第２の位置合わせアクチュエータ３５０Ｂ、第３の位置合わせアクチュエータ３５０Ｃ、及び第４の位置合わせアクチュエータ３５０Ｄは、基板キャリア９１０の角部又は角領域（例えば、第１の端部部分９２１又は第２の端部部分９２２の角部又は角領域）に設けられ得る。
本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、２つ以上の位置合わせアクチュエータは、電気アクチュエータ又は空気圧アクチュエータであり得る。２つ以上の位置合わせアクチュエータは、例えば、線形位置合わせアクチュエータであり得る。幾つかの実装形態では、２つ以上の位置合わせアクチュエータは、ステッパアクチュエータ（ｓｔｅｐｐｅｒ ａｃｔｕａｔｏｒ）、ブラシレスアクチュエータ（ｂｒｕｓｈｌｅｓｓ ａｃｔｕａｔｏｒ）、ＤＣ（直流）アクチュエータ、ボイスコイルアクチュエータ、及び圧電アクチュエータからなる群から選択された少なくとも１つのアクチュエータを含み得る。「アクチュエータ（ａｃｔｕａｔｏｒ）」という語は、ステッパモータなどのモータを表し得る。２つ以上の位置合わせアクチュエータは、キャリアアセンブリ又は基板キャリア、ひいては基板を、約±１マイクロメートル未満の精度で移動させたり、又は位置付けしたりするように構成され得る。一例として、２つ以上の位置合わせアクチュエータは、基板キャリアを、約±０．５マイクロメートル、特に約０．１マイクロメートルの精度で、第１の方向Ｙ、第２の方向Ｘ、及び第３の方向Ｚのうちの少なくとも１つの方向に移動させたり、又は位置付けしたりするように構成され得る。幾つかの実装形態では、基板を第１の方向、第２の方向、及び第３の方向のうちの少なくとも１つの方向に移動させることは、２つ以上の位置合わせアクチュエータを同時に又は連続的に駆動することによって行われ得る。
したがって、本明細書に記載された処理システムの実施形態は、有益には、大面積ディスプレイデバイス、例えば、高解像度又はさらに超高解像度を有するＯＬＥＤデバイスを製造するように構成されている。
簡潔に要約されているように、本明細書に記載された処理システムの実施形態は、キャリアによって支持された基板上に１つ又は複数の層、具体的には、有機材料をその中に含む層を堆積するように構成されている。処理システムは、典型的に、処理される基板をロードするためのロードロックチャンバ１１０、キャリアによって支持された基板を搬送するように構成されたルーティングモジュール４１０、ロードロックチャンバ１１０とルーティングモジュール４１０との間に設けられた第１の真空スイングモジュール１３１、及びルーティングモジュールに接続された処理モジュール５１０であって、その真空処理チャンバ５４０内で材料を堆積するための堆積源５２０を含む、処理モジュール５１０を含む。当該処理システムは、処理モジュールに接続されたサービスモジュール６１０であって、堆積源５２０が、真空処理チャンバ５４０からサービスモジュール６１０へと、且つサービスモジュールから真空処理チャンバへと移送され得るように構成されている、サービスモジュール６１０をさらに含み得る。さらに、処理システムは、処理された基板をアンロードするためのアンロードロックチャンバ１１６を含む。本明細書に記載されたように、処理システムは、典型的に、キャリアによって支持された基板を搬送するように構成されたさらなるルーティングモジュール４１２、さらなるルーティングモジュール４１２に接続されたマスクキャリアマガジン３２０であって、処理システムの動作の間に利用されるマスクを格納且つ搬送するように構成されたマスクキャリアマガジン３２０、アンロードロックチャンバ１１６とさらなるルーティングモジュール４１２との間に設けられたさらなる真空スイングモジュール１３２、並びに真空条件の下及び／又は制御された不活性雰囲気の下で、第１の真空スイングモジュール１３１とさらなる真空スイングモジュール１３２との間でキャリアを搬送するように構成された搬送システムを含む。
本明細書に記載された任意の他の実施形態とも組み合わせることができる実施形態によれば、堆積源５２０は、材料を蒸発させるように構成された蒸発るつぼ５２１を含む。さらに、堆積源５２０は、典型的に、１つ又は複数の排出口を有する分配アセンブリ５３０を含み、蒸発るつぼ５２１に流体連結されている。本明細書に記載されたように、堆積源は、複数のノズル５４４を有する分配管５３３を含み、複数のノズルの各ノズルは、蒸発した源材料のプルーム３１８を基板１０１に向けて方向付けるように構成されている。さらに、堆積源は、複数の開孔５４５を含むシェーパシールドデバイス５１７を含み得、複数の開孔５４５のうちの少なくとも１つの開孔は、単一の関連付けられたノズルから発せられる蒸発した源材料のプルーム３１８を個別に成形するように構成されている。
さらに、本明細書に記載された任意の他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、処理システムは、堆積源５２０の無接触浮揚のための搬送装置７２０を含む。典型的に、搬送装置７２０は、堆積源５２０を含む堆積源アセンブリ７３０、第１のアクティブ磁気ユニット７４１、及び堆積源搬送方向に延びる誘導構造体７７０を含む。第１のアクティブ磁気ユニット及び誘導構造体は、堆積源アセンブリを浮揚させるための第１の磁気浮揚力Ｆ１をもたらすように構成されている。さらに、キャリアアセンブリの無接触の浮揚、搬送、及び／又は位置合わせのためのさらなる搬送装置８２０が設けられ得る。さらなる搬送装置８２０は、複数のアクティブ磁気素子８７５を有するさらなる誘導構造体８７０であって、キャリアを浮揚させるように構成されたさらなる誘導構造体８７０、及び複数のさらなるアクティブ磁気素子８９５を有する駆動構造体８９０であって、機械的接触がない状態でキャリアアセンブリを搬送方向に沿って駆動させるように構成された駆動構造体８９０を含む。さらに、本明細書に記載されたように、キャリアアセンブリ８８０とマスクキャリア３３５を互いに対して移動させるように構成された２つ以上の位置合わせアクチュエータ３５０が、処理システム内に設けられ得る。
図１３Ｂは、キャリアによって支持された基板上に１つ又は複数の層、具体的には、有機材料をその中に含む層を堆積するための処理システム、具体的には、本明細書に記載された実施形態に係る処理システムを操作するための方法１３００を示すブロック図を示す。処理システムを操作するための方法は、水平配向で基板を処理システム内にロードすることと、真空スイングモジュール内で基板をキャリア上にロードすることと、真空スイングモジュール内で、ロードされた基板と共にキャリアを垂直配向に回転させることと、処理システムを通して、且つ真空条件下で処理モジュールを出入りするように、ロードされた基板と共にキャリアを移送することと、さらなる真空スイングモジュール内でキャリアを水平配向に回転させることと、水平配向で、さらなる真空スイングモジュール内のキャリアから基板をアンロードすることとを含む。
具体的には、フロー図の第１のブロック１３１０は、基板が水平配向で本明細書に記載された処理システム内にロードされることを表す。フロー図の第２のブロック１３２０は、基板が水平配向でキャリア上にロードされることを表す。フロー図の第３のブロック１３３０は、具体的には、本明細書に記載された真空スイングモジュールを用いて、キャリアを水平配向から垂直配向に回転させることにより、基板が回転させられることを表す。フロー図の第４のブロック１３４０は、処理システムを通して、例えば、本明細書に記載された１つ又は複数の処理モジュールを通して、キャリアを基板と共に垂直配向で移送することによって、基板が移送されることを表す。具体的には、処理システムを通してキャリアを移送することは、本明細書に記載された搬送システムを利用することを含み得る。当該搬送システムは、本明細書に記載された処理システムの一部の又はすべてのモジュール及びチャンバの中に設けられ得る。基板を処理した後、基板が載っているキャリアは、垂直配向から水平配向へと回転させられる。これは、フロー図の第５のブロック１３５０によって表されている。次いで、フロー図の第６のブロック１３６０によって表されるステップにおいて、基板が水平配向でアンロードされる。したがって、本明細書に記載された処理システムは、有益には、例えば、ＯＬＥＤデバイスを製造するため、特に有機材料を含む１つ又は複数の層を堆積するために使用されてもよい。
さらに、上述の実施形態によれば、処理システムは、典型的に、例えば、堆積源、サービスフランジ、及びルーティングモジュールの回転ユニットを移動させるための幾つかの駆動ユニットを含むことを理解するべきである。具体的には、堆積源のための回転駆動部が、源カートの内部に設けられ、堆積源を定位置から適切な処理位置に回転させるように構成され得る。図１１Ａから図１１Ｃを参照して説明されるように、源カートは、典型的に、源を処理モジュールの内部で前後に移動させる磁気浮揚システムを使用する。図８Ａ及び図８Ｂを参照して例示的に説明されるように、サービスフランジは、典型的に、サービスフランジロータの上部に実装される。サービスフランジロータは、サービスフランジをサービス位置から処理モジュールへと回転させ、サービス位置へと戻すように構成された回転駆動部及び駆動ベルトを含み得る。さらに、図９Ａ及び図９Ｂを参照して説明されるように、ルーティングモジュール内に設けられた回転駆動部は、典型的に、マスクキャリア及び／又は基板キャリアが適切な処理モジュール内に搬送され得るように、マスクキャリア及び／又は基板キャリアを回転させるよう構成されている。
さらに、本明細書に記載された処理システムの実施形態には、真空システムが設けられ得ることを理解するべきである。当該真空システムは、前段真空ポンプ（ｆｏｒｅ−ｖａｃｕｕｍ ｐｕｍｐ）、乾燥真空ポンプ、高真空ポンプ、例えば、気体を凝縮して、これらの気体をシステムから除去するために非常に冷たい表面を使用し得る低温（クライオ）ポンプ、真空チャンバを通気するための通気装置（例えば、バルブ）、粒子フィルタであって、それを通って通気気体（例えば、圧縮された乾燥空気）が真空チャンバに入ることができる粒子フィルタ、処理システムの個々のモジュール及びチャンバの電流圧力を測定且つ表示し、個々のモジュール及びチャンバの圧力でそれぞれのポンピングステーションを制御且つモニタリングするための圧力測定システムからなる群から選択された構成要素のうちの１つ又は複数を含む。
さらに、本明細書に記載された処理システムの実施形態は、典型的に、ハードリアルタイムサーバ（ＨＲＴＳ）及び仮想システムインターフェース（ＶＳＩ）などの制御デバイス、並びに処理システムの受電デバイス（例えば、ヒータ又は蒸発カソード）に電力を供給するように構成された電気システムを含むことを理解するべきである。典型的に、電気システムのデバイスは、種々のキャビネット、例えば、処理システムの近くに実装された供給及び分配キャブネット、並びにそれぞれのモジュール又はチャンバに取り付けられ得る制御キャビネットの中に配置される。
さらに、本明細書に記載された処理システムの典型的な実施形態は、冷却水供給部、空圧供給部、及びベントガス供給部を含み得ることを理解するべきである。典型的に、処理モジュール及び有機３重源（ｏｒｇａｎｉｃ ｔｒｉｐｌｅ ｓｏｕｒｃｅ）は、冷却水が供給される。具体的には、処理システムは、冷却水用の主要供給ラインを含み得る。主要供給ラインから、個々の冷却水分配ユニットを介して、各モジュールのサブシステムに冷却水が供給され得る。幾つかの実装態様によれば、処理モジュールのために、追加の水供給ボックスが設けられ得る。さらに、空気圧バルブアセンブリ及び流量コントローラが、冷却水供給を制御且つモニタリングするために、個々の冷却水回路内に設けられ得る。空気圧供給部は、典型的に、加圧気体（例えば、圧縮された乾燥空気又は窒素）により作動し、水供給部、ゲートバルブ、及びベントガス装置のバルブ及びポンプを気体作用により作動させるよう構成されている。典型的な実装形態によれば、空圧供給部は、６ｂａｒから８ｂａｒの圧力が主要入力調節器で設定され得る主要供給ラインを含む。保守ユニットが、加圧気体を個々のモジュールに設けられたそれぞれのバルブユニットに送達し得る。バルブユニットは、空気圧駆動構成要素を通して加圧気体流を制御する電動式パイロットバルブを含む。
本明細書に記載された処理システムの実施形態の観点から、処理システムは、一週間以上の時間尺度で、例えば、約±５％以下の安定した蒸発率を可能にすることを理解するべきである。これは、特に、改善された保守条件によって実現することができる。さらに、本明細書に記載された処理システムの実施形態は、真空を破壊せずに、さらに処理を中断させずに、蒸発るつぼ内への有機材料の再充填を可能にする。ある蒸発源の保守及び／又は再充填は、別の蒸発源の動作とは別個に行われ得る。これにより、所有コスト（ＣｏＯ）が改善される。というのは、多くの他のＯＬＥＤ製造システムにおいて、蒸発源の保守及び再充填がボトルネックであったからである。言い換えると、定期保守又はマスク交換の間に基板ハンドリングチャンバ又は堆積チャンバを通気する必要がないことにより生じる高いシステム稼働時間が、所有コストを著しく改善することができる。上述のように、この改善の１つの理由は、蒸発源の保守と事前調整を別々のチャンバで実現することができる、保守真空チャンバ、及び／又は、本明細書に記載された保守真空チャンバに関連付けられた他の構成要素の存在である。
さらに、本明細書に記載された処理システムの実施形態は、垂直基板処理のために構成されている。垂直基板処理は、図１Ａを参照して例示的に説明されているように、特に幾つかの処理モジュールが設置される際に、処理システムの設置面積の縮小を可能にする。具体的には、垂直基板処理により、現在及び未来の基板サイズ世代に対する良好なスケーラビリティが可能になる。したがって、本明細書に記載された処理システムの実施形態は、有機材料の幾つかの層を２つ以上の基板、特に大面積基板にコーティングすることを可能にする。
さらに、本明細書に記載されたように、処理モジュールの内部の移動可能及び回転可能な蒸発源により、高い材料利用率で連続的に又はほぼ連続的にコーティングすることが可能になる。したがって、本明細書に記載された実施形態は、２つの基板を交互にコーティングするために、１８０度回転機構を用いた走査源アプローチを使用することによって、高い堆積源効率（８５％超）と高い材料利用率（少なくとも５０％以上）が可能となる。源効率においては、コーティングされる基板の全面積にわたって均一なコーティングを可能にするために蒸気ビームが大面積基板のサイズに広がることにより発生する材料損失が考慮される。材料利用率においては、蒸発源の遊休時間（すなわち、蒸発源が蒸発した材料を基板上に堆積することができない時間）に発生する損失がさらに考慮される。
さらに、本明細書に記載された実施形態によれば、蒸発源（例えば、線形蒸気分配シャワーヘッド）の並進運動と、蒸発源の回転との組み合わせにより、ＯＬＥＤディスプレイ製造のための高い蒸発源効率と高い材料利用率が可能になる。優れた信頼性、歩留り率、及び高いマスキング精度を達成するために、典型的に、本明細書に記載されたように、処理モジュール内での基板の処理中に、マスク及び基板は静止状態に留まる。したがって、本明細書に記載された処理システムは、従来の処理システムに比べて、遊休時間の減少をもたらす。従来の処理システムでは、堆積後毎に基板を交換する必要があり、この作業には、マスクと基板を互いに対して位置合わせする新たな工程が含まれる。さらに、遊休時間中、堆積源は材料を浪費してしまう。したがって、本明細書に記載されたように、第２の基板が、堆積位置にあって、マスクに対して容易に位置合わせされることにより、遊休時間が短縮され、材料利用率が増加する。
したがって、以上の観点から、本明細書に記載された処理システムの実施形態、及びその方法は、特に、大面積基板上にディスプレイデバイス（例えば、ＯＬＥＤディスプレイデバイス）を製造する際の高スループット及び低コストに関連して、従来の処理システムに比べて改善されている。
本開示の上述の特徴を詳細に理解することができるように、実施形態を参照することによって、上記に簡単に要約された本開示のより詳細な説明を得ることができる。添付の図面は、例示的な実施形態を示すのみであり、したがって、本開示の範囲を限定するものと見なすべきではないことに留意されたい。
本明細書に記載された実施形態に係る、第１のモジュラーレイアウト構成を有する処理システムの概略図を示す。 本明細書に記載された実施形態に係る、第２のモジュラーレイアウト構成を有する処理システムの一部の概略図を示す。 本明細書に記載された実施形態に係る、基板のロード及びアンロードの間の、第２のモジュラーレイアウト構成を有する処理システムの一部の様々な状態を示す。 本明細書に記載された実施形態に係る、処理システムの真空スイングモジュールの概略図を示す。 図３Ａに関連して説明されたような真空スイングモジュール内での、基板が支持されたキャリアの回転の概略図を示す。 本明細書に記載された実施形態に係る、処理システムの処理モジュールの概略図を示す。 本明細書に記載された実施形態に係る処理システム内で基板を処理する間、堆積源が様々な位置にある処理モジュールの概略図を示す。 本明細書に記載された実施形態に係る、処理システム内で利用される堆積源を示す。 本明細書に記載された実施形態に係る、堆積源の堆積速度を測定するための測定アセンブリを示す。 本明細書に記載された実施形態に係る、蒸発るつぼの様々な実施形態の種々の断面図を示す。 本明細書に記載された実施形態に係る、堆積源の分配アセンブリの概略断面図を示す。 本明細書に記載された実施形態に係る、シールドデバイスを有する分配アセンブリの種々の詳細な概略断面図を示す。 本明細書に記載された実施形態に係る、シールドデバイスの概略斜視図を示す。 本明細書に記載された実施形態に係る、分配アセンブリのノズルの概略図を示す。 本明細書に記載された実施形態に係る、処理システムのサービスモジュールの種々の概略斜視図を示す。 本明細書に記載された実施形態に係る、処理システムのサービスモジュール及び処理モジュールの中の２つの堆積源の種々の状態を示す。 本明細書に記載された実施形態に係る、処理システムのルーティングモジュールの概略斜視図を示す。 本明細書に記載された実施形態に係る、それぞれに処理モジュールが接続された２つの隣接するルーティングモジュールの概略図を示す。 本明細書に記載された実施形態に係る、処理システム内で堆積源を搬送するための搬送装置の概略図を示す。 本明細書に記載された実施形態に係る、堆積源を支持するための堆積源支持体の概略図を示す。 本明細書に記載された実施形態に係る、処理システム内でキャリアアセンブリを搬送するためのさらなる搬送装置の様々な実施形態の概略図を示す。 本明細書に記載された実施形態に係る、処理システム内で利用されるキャリアアセンブリ及びマスクの概略図を示す。 本明細書に記載された実施形態に係る、処理システム内のマスクに対して基板を位置合わせするための位置合わせシステムを含むキャリアアセンブリの概略図を示す。 本明細書に記載された実施形態に係る、処理システム内のマスクに対して基板を位置合わせするための位置合わせシステムを含むキャリアアセンブリの概略斜視図を示す。 本明細書に記載された実施形態に係る、処理システムの処理構成体に基板をロード且つアンロードするための方法を示すブロック図を示す。 本明細書に記載された実施形態に係る、処理システムを操作するための方法を示すブロック図を示す。
より具体的には、図１Ａを例示的に参照すると、幾つかの実施形態によれば、処理システム１００は、第１の基板ハンドリングチャンバ１２１に接続されるロードロックチャンバ１１０を含み得る。基板は、第１の基板ハンドリングチャンバ１２１から第１の真空スイングモジュール１３１まで移送させられ得る。この場合、基板は、キャリア上の水平位置でロードされる。キャリア上に基板を水平位置でロードした後、第１の真空スイングモジュール１３１は、基板が上部に設けられたキャリアを垂直又は実質的に垂直な配向に回転させる。次に、垂直配向の基板を処理モジュール５１０に移送するために、基板が上部に設けられたキャリアは、第１のルーティングモジュール４１１及びさらなるルーティングモジュール４１２を通して移送される。例えば、図１Ａでは、６つのルーティングモジュールと９つの処理モジュールが示されている。
諸実施形態によると、典型的に、処理モジュール５１０は、ルーティングモジュール４１０に接続され得る。例えば、図１Ａに例示的に示すように、９つの処理モジュールが設けられてもよく、それぞれルーティングモジュールのうちの１つに接続される。具体的には、処理モジュール５１０は、例えば、ゲートバルブ１１５を介して、ルーティングモジュール４１０に接続され得る。本明細書に記載されたゲートバルブ１１５は、ロックバルブとも呼ばれ得る。本明細書に記載された実施形態によれば、ゲートバルブ又はロックバルブは、個々の処理システムモジュール（処理システムチャンバとも呼ばれる）を互いから分離するために使用され得る。したがって、本明細書に記載された処理システムは、個々の処理システムチャンバ内の真空圧力を、別々に且つ互いから独立させて、制御し、変化させることができるよう構成される。
基板の処理後、基板が載っている基板キャリアは、垂直配向で最後のルーティングモジュールからさらなる真空スイングモジュール１３２内に移送される。さらなる真空スイングモジュール１３２は、基板が載っているキャリアを垂直配向から水平配向に回転させる。その後、基板は、さらなる水平基板ハンドリングチャンバ内にアンロードされ得る。処理された基板は、アンロードロックチャンバ１１６を通して、処理システム１００からアンロードされ得る。追加的に又は代替的に、処理された基板は、図１Ａに例示的に説明するように、さらなる真空スイングモジュール１３２に接続され得る薄膜封入チャンバ８１０内に封入され得る。１つ又は複数の薄膜封入チャンバは、封入装置を含み得る。堆積した層及び／又は処理された層、特にＯＬＥＤ材料は、堆積された且つ／又は処理された材料が周囲空気及び／又は大気条件に露出されないよう保護するため、処理された基板とさらなる基板との間で封入（すなわち、挟持）される。しかしながら、ガラス板、ポリマー板、又は金属板を用いた積層、或いは、カバーガラスのレーザ溶融などの他の封入方法が、代替的に、薄膜封入チャンバのうちの１つに設けられた封入装置によって適用され得る。
本明細書に記載された任意の他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によると、処理構成体１０００は、本明細書に記載されたさらなるルーティングモジュール４１２、及び本明細書に記載された処理モジュール５１０を含み得る。さらに、処理構成体１０００は、本明細書に記載された実施形態に係るサービスモジュール６１０を含み得る。幾つかの実施形態では、処理構成体１０００は、本明細書に記載されたマスクキャリアマガジン３２０、本明細書に記載されたマスクキャリアローダ３１０、本明細書に記載された堆積源の無接触搬送のための搬送装置７２０、本明細書に記載されたキャリアアセンブリの無接触の浮揚、搬送、及び／又は位置合わせのためのさらなる搬送装置８２０、本明細書に記載された位置合わせシステム５５０、本明細書に記載されたマスク洗浄チャンバ３１３、及び層検査チャンバからなる群のうちの少なくとも１つをさらに含み得る。したがって、図１Ｂ及び図２Ａから図２Ｈに関して説明された処理構成体１０００は、図１Ａ及び図３Ａから図１２Ｃに関連して説明されたように、幾つかの又はすべての処理モジュール及び処理構成要素を含み得ることを理解するべきである。例えば、基板のロード及びアンロードが本明細書に記載されたロードロックチャンバ１１０の処理システムの同じ側で実行され得るレイアウト構成では、本明細書に記載されたアンロードロックチャンバ１１６、本明細書に記載された第１の事前処理チャンバ１１１及び／又は第２の事前処理チャンバ１１２、並びに本明細書に記載された薄膜封入チャンバ８１０が設けられ得る。
さらに、本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、図４Ａに示し、且つ図７Ａから図７Ｄを参照してより詳細に説明されるように、堆積源は、シェーパシールドデバイス５１７を含み得る。さらに、図４Ａに例示するように、遮蔽壁として構成され得る材料収集ユニット４０が設けられ得る。さらに、図４Ｄに例示されているように、堆積源が回転位置にあるとき、堆積源（例えば、蒸発源）から排出された蒸発源材料を収集するために、材料収集ユニット４０が、真空チャンバ内に配設されてもよい。図４Ａに例示するように、堆積源のサービス位置においてシェーパシールドデバイス５１７を洗浄するために、加熱デバイス５０が設けられ得る。サービス位置とは、排出口がコーティングされる基板に向かって方向付けられた分配アセンブリの堆積位置に比べて、本明細書に記載された分配アセンブリの排出口が回転位置にある堆積源の位置であり得る。
本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、分配アセンブリ５３０は、壁（例えば、側壁５２５Ｂ、及び分配アセンブリ５３０の裏側５２５Ａにおける壁）を含み得、それにより、内部空洞が分配アセンブリの内部に設けられる。図５Ａに例示するように、加熱ユニット５１５は、分配アセンブリ、具体的には、分配管を加熱するために設けられ得る。加熱ユニット５１５は、分配アセンブリ５３０の壁に装着又は取り付けられ得る。したがって、分配アセンブリ５３０は、蒸発るつぼ５２１によって供給された有機材料の蒸気が分配アセンブリ５３０の壁の内側部で凝縮しない温度まで加熱され得る。さらに、加熱ユニット５１５がもたらす熱エネルギーを空洞空間に戻すように反射するためには、分配アセンブリの管、特に分配管の周囲に熱シールドが設けられ得る。
さらに、図５Ａを例示的に参照すると、本明細書に記載された任意の他の実施形態と組み合わせることができる実施形態によれば、堆積率測定アセンブリ５８０が設けられ得る。具体的には、堆積率測定アセンブリ５８０は、分配アセンブリ５３０の測定出口５３５の背後で、分配アセンブリの上端に設けられ得る。図５Ａの測定出口５３５を出る矢印によって例示されているように、測定出口５３５は、蒸発材料が、分配管５３０の内側から、測定出口５３５を通って、堆積率測定アセンブリ５８０へと供給されるように構成され得る。
本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、分配管の長さと分配管の水力直径によって除算された分配管のすべての排出口の面積との積、即ち、式Ｎ＊Ａ＊Ｌ／ｄによって計算された値は、７０００ｍｍ２以下、例えば、１０００ｍｍ２から５０００ｍｍ２であり得る。この式では、Ｎは、分配管の排出口の数であり、Ａは、１つの排出口の断面積であり、Ｌは、分配管の長さであり、ｄは、分配管の水力直径である。
幾つかの実施形態では、分配管５３３は、内部チューブの内部に設けられた加熱素子によって加熱され得る。加熱素子は、加熱ワイヤ（例えば、コーティングされた加熱ワイヤ）によって設けられ得る電気ヒータであり得、内部チューブに留められたり、又はさもなければ固定されたりする。さらに、冷却シールド５３８が、分配管を取り囲むように設けられ得る。図７Ａに例示するように、幾つかの実施形態によれば、第１の冷却シールド５３８Ａは、２つ以上の分配管を取り囲むことができる。
本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、周壁５４７は、蒸発した源材料のプルーム３１８の蒸発した源材料を遮蔽するように構成され得る。ここで、蒸発した源材料のプルーム３１８は、第１の断面に対して直角な第２の断面における主要放出方向Ｘに対する第２の最大放出角度より大きな放出角度を有する。第２の断面は、図７Ｂの描画面に対して直角な平面であり得る。第２の断面は、主要放出方向Ｘを含み得る。幾つかの実施形態では、第２の断面は、垂直面、及び／又は、分配管の長さ方向に対して平行に延在する平面である。例えば、開孔の周壁５４７は、放出円錐の開口角度が２βの角度に制限されるように、第２の断面における蒸発した源材料のプルーム３１８の外側角部を遮蔽するように構成され得る。言い換えると、周壁５４７は、第２の断面における第２の最大放出角度βより大きな放出角度で、ノズルによって放出された蒸発した源材料の一部を遮蔽し得る。例えば、第２の最大放出角度βは、１０°から６０°、具体的には、３０°から４０°、より具体的には、約４５°の角度であり得る。したがって、第２の断面における放出円錐の開口角度は、２０°以上及び１２０°以下、具体的には、約９０°であってよい。第２の最大放出角度βを狭めることによって、図７Ｂの描画面に対して直角な平面においてマスク３３０に起因するシャドーイング効果を低減させることができる。
図８Ａから図８Ｅを例示的に参照すると、処理システムのためのサービスモジュール６１０の実施形態が説明される。図８Ａ及び図８Ｂを参照して説明されるように、典型的に、サービスモジュールは、本明細書に記載された処理システムの処理モジュールに接続され得る。具体的には、サービスモジュールの真空保守チャンバは、堆積源、具体的には、蒸発源を真空処理チャンバから真空保守チャンバへと移送するために構成された開口を介して、処理モジュールの真空処理チャンバに接続され得る。具体的には、開口は、真空処理チャンバと真空保守チャンバとの間の真空密封を開閉するように構成されたゲートバルブを含み得る。したがって、堆積源は、ゲートバルブが開放状態にある間に、サービスモジュールへと移送され得る。その後、ゲートバルブを閉じて、真空処理チャンバと真空保守チャンバとの間に真空密封を設けることができる。バルブが閉じられた場合、真空保守チャンバは、真空処理チャンバ内の真空を破壊することなく、材料源の保守のために、排気且つ開放され得る。代替的に、図８Ｃから図８Ｅを参照して説明されるように、真空処理チャンバと真空保守チャンバとの間の開口を封止するように構成された密封デバイスが設けられ得る。
図１０Ａに示す第２のアクティブ磁気ユニット７４２によって生成された磁界は、誘導構造体７７０の磁気特性と相互作用し、堆積源アセンブリ７３０に作用する第２の磁気浮揚力Ｆ２をもたらす。第２の磁気浮揚力Ｆ２は、第１の平面７３３の第２の側７３３Ｂ上の堆積源アセンブリ７３０の一部分に対して作用する。図１０Ａでは、第２の磁気浮揚力Ｆ２は、第１の平面７３３の右側に設けられたベクトルによって表される。第２の磁気浮揚力Ｆ２は、堆積源アセンブリの重力Ｇに対して、少なくとも部分的に反作用し得る。
図１０Ａを例示的に参照すると、第１の対向横方向力Ｏ１が、横方向に沿って延びることを理解するべきである。この横方向は、第１の横方向力Ｔ１が沿って延びる横方向と、同一であるか、又はほぼ平行であり得る。例えば、図１０Ａに示す第１の横方向力Ｔ１と第１の対向横方向Ｏ１は、どちらもｚ方向に沿って延びる。具体的には、第１の対向横方向力Ｏ１と、第１の横方向力Ｔ１は、対向し合う力、或いは、反作用し合う力である。これは、第１の横方向力Ｔ１と第１の対向横方向力Ｏ１とが、ｚ方向に沿って反対方向を指す同じ長さの２つベクトルで表されている態様によって、図１０Ａに示されている。第１の対向横方向力Ｏ１と第１の横方向力Ｔ１とは、同じ大きさを有していてよい。第１の対向横方向力Ｏ１と第１の横方向力Ｔ１は、横方向に沿ってそれぞれの反対方向に延びていてよい。第１の横方向力Ｔ１と第１の対向横方向力Ｏ１は、基板受容領域若しくは基板、又は源搬送方向に対して実質的に直角であり得る。
代替的に、第１の横方向力Ｔ１は、第１のパッシブ磁気ユニット７４５と誘導構造体７７０との間の磁気反発から生じ得る。第１の対向横方向力Ｏ１は、さらなるアクティブ磁気ユニット７４３と誘導構造体７７０との間の磁気反発から生じ得る。さらに、この場合、第１の横方向力Ｔ１と第１の対向横方向力Ｏ１とは、反作用し合う力である。したがって、第１の対向横方向力Ｏ１は、第１の横方向力Ｔ１と完全に反作用し得る。横方向（例えば、ｚ方向）に沿って堆積源アセンブリ７３０に作用する合力がゼロになるように、第１の対向力Ｏ１が第１の横方向力Ｔ１と反作用し得る。したがって、堆積源アセンブリ７３０は、横方向に沿って、接触がない状態で目標位置に保持され得る。
誘導構造体７７０の第１の部分７７１及び第２の部分７７２は、それぞれパッシブ磁気ユニットであってもよく、且つ／又は、１つ又は複数のパッシブ磁気アセンブリを含んでもよい。例えば、第１の部分７７１及び第２の部分７７２は、それぞれ、強磁性材料、例えば、強磁性鋼から作られ得る。第１の部分７７１は、第１の凹部７７３及び第２の凹部７７４を含み得る。動作において、堆積源アセンブリ７３０の磁気ユニット、例えば、図１０Ｂに示す第１のアクティブ磁気ユニット７４１は、少なくとも部分的に、第１の凹部７７３内に配置され得る。動作において、堆積源アセンブリの別の磁気ユニット、例えば、さらなるアクティブ磁気ユニット７４３は、少なくとも部分的に、第２の凹部７７４内に配置され得る。誘導構造体７７０の第１の部分７７１は、源搬送方向（例えば、ｘ方向）に対して直角な断面において、Ｅ字形の輪郭を有し得る。第１の部分７７１の長さに実質的に沿ったＥ字形の輪郭は、第１の凹部７７３及び第２の凹部７７４を画定し得る。同様に、第２の部分７７２は、第３の凹部７７５及び第４の凹部７７６を含み得る。動作において、堆積源アセンブリ７３０の磁気ユニット、例えば、図１０Ｂに示す第２のアクティブ磁気ユニット７４２は、少なくとも部分的に第３の凹部７７５内に配置されてもよく、第１のパッシブ磁気ユニット７４５は、少なくとも部分的に第４の凹部７７６内に設けられてもよい。第１のパッシブ磁気ユニット７４５は、誘導構造体７７０に設けられたさらなるパッシブ磁気ユニット７４６と相互作用し得る。第２の部分７７２は、源搬送方向に対して直角な断面においてＥ字形の輪郭を有し得る。第２の部分７７２の長さに実質的に沿ったＥ字形の輪郭は、第３の凹部７７５及び第４の凹部７７６を画定し得る。
堆積源アセンブリ７３０の磁気ユニットを少なくとも部分的に誘導構造体７７０のそれぞれの凹部内に配置することにより、本明細書に記載されているように、第１の磁気浮揚力Ｆ１、第２の磁気浮揚力Ｆ２、第１の横方向力Ｔ１、及び／又は第１の対向横方向力Ｏ１をもたらすための、それぞれの凹部内における誘導構造体と磁気ユニットとの間の改善された磁気相互作用が得られる。
図１０Ｃは、本明細書に記載された、源支持体５３１を通って延在する第１の平面７３３を示す。第１の平面７３３は、本明細書に記載されたように、第１の回転軸７３４を含む。図１０Ｃに示すように、動作においては、第１の回転軸７３４は、ｘ方向に対して実質的に平行であり得る。
第５のアクティブ磁気ユニット７４９及び第６のアクティブ磁気ユニット７５０を制御し、ひいては、第１の横方向力Ｔ１及び第２の横方向力Ｔ２を制御することにより、堆積源を、横方向、例えば、ｚ方向に沿って並進移動させて位置合わせすることができる。コントローラの制御の下で、堆積源は、横方向に沿って目標位置に位置付けされ得る。
さらなる搬送装置の実施形態によれば、１つ又は複数のさらなるアクティブ磁気素子８９５’は、図１１Ｂの双方向の水平矢印で示す駆動力を与えることができる。コントローラは、１つ又は複数のさらなるアクティブ磁気素子８９５’を制御して、搬送方向、例えば、図１１Ａ及び図１１ＢにおけるＸ方向の位置合わせをもたらす。本開示の実施形態によれば、搬送方向（Ｘ方向）でのキャリアアセンブリの位置合わせは、誘導構造体の長さに沿って延在する位置合わせ範囲内で行われ得る。さらに、搬送方向での位置合わせの精度、具体的には、無接触位置合わせの精度は、５０μｍ以下、例えば、５μｍ又は３０μｍであり得る。
図１２Ｃに例示するように、幾つかの実施形態によれば、２つ以上の位置合わせアクチュエータ３５０のうちの第１の位置合わせアクチュエータ３５０Ａは、キャリアアセンブリ８８０とマスクキャリア３３５を互いに対して少なくとも第１の方向ｙに移動させるように構成され得る。さらに、２つ以上の位置合わせアクチュエータのうちの第２の位置合わせアクチュエータ３５０Ｂが設けられ得る。第２の位置合わせアクチュエータ３５０Ｂは、キャリアアセンブリ８８０とマスクキャリア３３５を互いに対して第１の方向ｙに、及び第１の方向ｙと異なる第２の方向ｘに移動させるように構成され得る。幾つかの実装態様によれば、第１の位置合わせアクチュエータ３５０Ａは、第２の方向ｘに関して浮上している。「浮上している（ｆｌｏａｔｉｎｇ）」という用語は、第１の位置合わせアクチュエータ３５０Ａが、例えば第２の位置合わせアクチュエータ３５０Ｂによって駆動される、第２の方向ｘへの基板キャリア９１０の運動を許容していることであると理解することできる。
幾つかの実装形態では、２つ以上の位置合わせアクチュエータのうちの少なくとも１つの位置合わせアクチュエータは、基板１０１とマスクキャリア３３５を互いに対して第３の方向ｚに移動させるよう構成されており、具体的には、第３の方向は、第１の平面及び／又は基板表面１０３に対して実質的に直角である。一例として、第１の位置合わせアクチュエータ３５０Ａ及び第２の位置合わせアクチュエータ３５０Ｂは、基板キャリア９１０又はマスクキャリア３３５を第３の方向ｚに移動させるように構成され得る。幾つかの実装形態では、基板１０１とマスク３３０との間の距離は、キャリアアセンブリ又は基板キャリア９１０又はマスクキャリア３３５を第３の方向ｚに移動させることによって調節することができる。一例としては、基板１０１又は基板キャリア９１０とマスク３３０との間の距離は、層が表面上に堆積されるように構成された基板表面１０３の領域において、実質的に一定であるように調節され得る。幾つかの実施形態によれば、この距離は、１ｍｍ未満、具体的には、５００マイクロメートル未満、さらに具体的には、５０マイクロメートル未満であり得る。
本明細書に記載された他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、２つ以上の位置合わせアクチュエータは、電気アクチュエータ又は空気圧アクチュエータであり得る。２つ以上の位置合わせアクチュエータは、例えば、線形位置合わせアクチュエータであり得る。幾つかの実装形態では、２つ以上の位置合わせアクチュエータは、ステッパアクチュエータ（ｓｔｅｐｐｅｒ ａｃｔｕａｔｏｒ）、ブラシレスアクチュエータ（ｂｒｕｓｈｌｅｓｓ ａｃｔｕａｔｏｒ）、ＤＣ（直流）アクチュエータ、ボイスコイルアクチュエータ、及び圧電アクチュエータからなる群から選択された少なくとも１つのアクチュエータを含み得る。「アクチュエータ（ａｃｔｕａｔｏｒ）」という語は、ステッパモータなどのモータを表し得る。２つ以上の位置合わせアクチュエータは、キャリアアセンブリ又は基板キャリア、ひいては基板を、約±１マイクロメートル未満の精度で移動させたり、又は位置付けしたりするように構成され得る。一例として、２つ以上の位置合わせアクチュエータは、基板キャリアを、約±０．５マイクロメートル、特に約０．１マイクロメートルの精度で、第１の方向ｙ、第２の方向ｘ、及び第３の方向ｚのうちの少なくとも１つの方向に移動させたり、又は位置付けしたりするように構成され得る。幾つかの実装形態では、基板を第１の方向、第２の方向、及び第３の方向のうちの少なくとも１つの方向に移動させることは、２つ以上の位置合わせアクチュエータを同時に又は連続的に駆動することによって行われ得る。

Claims (15)

  1. キャリアによって支持された基板上に１つ又は複数の層、具体的には、有機材料をその中に含む層を堆積するための処理システム（１００）であって、
    第１の基板を水平状態から垂直状態へと回転させるように構成された第１の真空スイングモジュール（１３１）、
    前記第１の真空スイングモジュール（１３１）に接続された第１のバッファチャンバ（１５１）、
    前記第１のバッファチャンバ（１５１）に接続されたルーティングモジュール（４１０）であって、前記第１の基板を、堆積源を備えた処理構成体（１０００）へと搬送するように構成されたルーティングモジュール（４１０）、
    前記ルーティングモジュール（４１０）に接続された第２のバッファチャンバ（１５２）、及び
    前記第２のバッファチャンバ（１５２）に接続されたさらなる真空スイングモジュール（１３２）であって、第２の基板を垂直状態から水平状態へと回転させるように構成されたさらなる真空スイングモジュール（１３２）
    を備え、
    前記第１のバッファチャンバ（１５１）が、第１の基板搬送方向で前記第１の真空スイングモジュール（１３１）から受け取った前記第１の基板をバッファリングし、かつ第２の基板搬送方向で前記ルーティングモジュール（４１０）から受け取った第３の基板をバッファリングするように構成され、且つ
    前記第２のバッファチャンバ（１５２）が、前記第２の基板搬送方向で前記さらなる真空スイングモジュール（１３２）から受け取った第２の基板をバッファリングし、かつ前記第１の基板搬送方向で前記ルーティングモジュール（４１０）から受け取った第４の基板をバッファリングするように構成されている、処理システム（１００）。
  2. 前記第１のバッファチャンバ（１５１）が、前記第１の基板及び／又は前記第３の基板を前記第１の基板搬送方向に対して横断的に移動させるように構成された第１の切り替えトラック（１６１）を備えている、請求項１に記載の処理システム。
  3. 前記第２のバッファチャンバ（１５２）が、前記第２の基板及び／又は前記第４の基板を前記第２の基板搬送方向に対して横断的に移動させるように構成された第２の切り替えトラック（１６２）を備えている、請求項１又は２に記載の処理システム。
  4. 前記ルーティングモジュール（４１０）は、前記第１の基板搬送方向と異なるローディング方向で前記第１の基板が前記処理構成体（１０００）内にロードされ得るように、前記第１のバッファチャンバ（１５１）から受け取った前記第１の基板を回転させるように構成され、具体的には、前記ローディング方向が、前記第１の基板搬送方向に対して直角である、請求項１から３のいずれか一項に記載の処理システム。
  5. 前記ルーティングモジュール（４１０）が、前記ローディング方向と異なるアンローディング方向で前記第４の基板を前記処理構成体（１０００）から受け取るように構成され、具体的には、前記ローディング方向が前記ローディング方向に対して反対である、請求項４に記載の処理システム。
  6. 前記第１の基板搬送方向が、前記第２の基板搬送方向に対して反対である、請求項１から５のいずれか一項に記載の処理システム。
  7. ゲートバルブ（１１５）が、前記第１の真空スイングモジュール（１３１）と前記第１のバッファチャンバ（１５１）との間、前記第１のバッファチャンバ（１５１）と前記ルーティングモジュール（４１０）との間、前記ルーティングモジュール（４１０）と処理構成体（１０００）との間、前記ルーティングモジュール（４１０）と前記第２のバッファチャンバ（１５２）との間、及び前記第２のバッファチャンバ（１５２）と前記さらなる真空スイングモジュール（１３２）との間に設けられる、請求項１から６のいずれか一項に記載の処理システム。
  8. 処理システム（１００）、具体的には、請求項１から７のいずれか一項に記載の処理システムの処理構成体（１０００）に基板をロード且つアンロードするための方法であって、
    第１の基板を第１の真空スイングモジュールから第１のバッファチャンバの中へと第１の基板搬送方向に搬送することと、
    前記第１の基板と、第２の基板搬送方向でルーティングモジュールから受け取った第３の基板とを前記第１のバッファチャンバ内でバッファリングすることと、
    前記第１のバッファチャンバ内で前記第１の基板及び前記第３の基板を前記第１の基板搬送方向に対して横断的に移動させることと、
    前記第３の基板を前記第１のバッファチャンバから前記第１の真空スイングモジュールの中へと搬送すること、
    前記第１の基板を前記第１のバッファチャンバ内で横断的に逆移動させることと、
    前記第１の基板を前記第１のバッファチャンバから前記ルーティングモジュールの中へと前記第１の基板搬送方向に搬送すること、
    前記第１の基板が、前記ルーティングモジュールに接続された前記処理構成体の中へとローディング方向にロードされ得るように、前記第１の基板を前記ルーティングモジュール内で回転させることと、
    前記第１の基板を前記ルーティングモジュールから前記処理構成体の中へとロードすることと、
    第４の基板を前記処理構成体から前記ルーティングモジュールの中へとアンロードすることと、
    前記第４の基板が、前記ルーティングモジュールから前記ルーティングモジュールに接続された第２のバッファチャンバの中へと前記第１の基板搬送方向に搬送され得るように、前記第４の基板を前記ルーティングモジュール内で回転させることと、
    前記第４の基板を前記第２のバッファチャンバの中へと前記第１の基板搬送方向に搬送することと、
    前記第４の基板を前記第２のバッファチャンバ内で前記第１の基板搬送方向に対して横断的に移動させることと、
    第２の基板をさらなる真空スイングモジュールから前記第２のバッファチャンバの中へと前記第２の基板搬送方向に搬送することと、
    前記第２のバッファチャンバ内で前記第４の基板及び前記第２の基板を横断的に逆移動させることと、
    前記第４の基板を前記第２のバッファチャンバから前記さらなる真空スイングモジュールの中へと搬送することと
    を含む方法。
  9. キャリアによって支持された基板上に１つ又は複数の層、具体的には、有機材料をその中に含む層を堆積するための処理システム（１００）であって、
    処理される基板をロードするためのロードロックチャンバ（１１０）、
    前記キャリアによって支持された前記基板を搬送するように構成されたルーティングモジュール（４１０）、
    前記ロードロックチャンバ（１１０）と前記ルーティングモジュール（４１０）との間に設けられた第１の真空スイングモジュール（１３１）、
    前記ルーティングモジュールに接続された処理モジュール（５１０）であって、その真空処理チャンバ（５４０）内で材料を堆積するための堆積源（５２０）を備えている、処理モジュール（５１０）、
    前記処理モジュールに接続されたサービスモジュール（６１０）であって、該サービスモジュール（６１０）は、前記堆積源（５２０）が、前記真空処理チャンバ（５４０）から前記サービスモジュール（６１０）へと、且つ前記サービスモジュールから前記真空処理チャンバへと移送され得るように構成されている、サービスモジュール（６１０）、
    処理された前記基板をアンロードするためのアンロードロックチャンバ（１１６）、
    前記キャリアによって支持された前記基板を搬送するように構成されたさらなるルーティングモジュール（４１２）、
    前記さらなるルーティングモジュール（４１２）に接続されたマスクキャリアマガジン（３２０）であって、前記処理システムの動作の間に利用されるマスクを格納且つ搬送するように構成されたマスクキャリアマガジン（３２０）、
    前記アンロードロックチャンバ（１１６）と前記さらなるルーティングモジュール（４１２）との間に設けられたさらなる真空スイングモジュール（１３２）、並びに
    真空条件の下及び／又は制御された不活性雰囲気の下で、前記第１の真空スイングモジュール（１３１）と前記さらなる真空スイングモジュール（１３２）との間で前記キャリアを搬送するように構成された搬送システム
    を備えている処理システム（１００）。
  10. 前記堆積源（５２０）が、
    前記材料を蒸発させるように構成された蒸発るつぼ（５２１）、及び
    １つ又は複数の排出口を有する分配アセンブリ（５３０）であって、前記蒸発るつぼ（５２１）と流体連通している分配アセンブリ（５３０）
    を備えている、請求項１から７、又は９のいずれか一項に記載の処理システム（１００）。
  11. 前記堆積源（５２０）の無接触搬送のための搬送装置（７２０）をさらに備え、前記搬送装置（７２０）が、前記堆積源（５２０）を備えた堆積源アセンブリ（７３０）、第１のアクティブ磁気ユニット（７４１）、及び堆積源搬送方向に延びる誘導構造体（７７０）を備え、前記第１のアクティブ磁気ユニット及び前記誘導構造体が、前記堆積源アセンブリを浮揚させるための第１の磁気浮揚力（Ｆ１）をもたらすように構成されている、請求項１から７、又は９から１０のいずれか一項に記載の処理システム（１００）。
  12. キャリアアセンブリの無接触の浮揚、搬送、及び／又は位置合わせのためのさらなる搬送装置（８２０）であって、
    複数のアクティブ磁気素子（８７５）を有するさらなる誘導構造体（８７０）であって、前記キャリアを浮揚させるように構成されたさらなる誘導構造体（８７０）と、
    複数のさらなるアクティブ磁気素子を有する駆動構造体（８９０）であって、機械的接触がない状態で前記キャリアアセンブリを搬送方向に沿って駆動させるように構成された駆動構造体（８９０）とを備えたさらなる搬送装置（８２０）、及び
    キャリアアセンブリ（８８０）とマスクキャリア（３３５）とを互いに対して移動させるように構成された２つ以上の位置合わせアクチュエータ（３５０）、
    をさらに備えている、請求項１から７、又は９から１１のいずれか一項に記載の処理システム（１００）。
  13. 前記堆積源が、
    複数のノズル（５４４）を有する分配管（５３３）であって、前記複数のノズルのうちの各ノズルが、蒸発した源材料のプルーム（３１８）を前記基板（１０１）に向けて方向付けるように構成されている、分配管（５３３）、及び
    複数の開孔（５４５）を備えたシェーパシールドデバイス（５１７）であって、前記複数の開孔（５４５）のうちの少なくとも１つの開孔が、単一の関連付けられたノズルから発せられる蒸発した源材料の前記プルーム（３１８）を個別に成形するように構成されている、シェーパシールドデバイス（５１７）
    を備えている、請求項１から７、又は９から１２のいずれか一項に記載の処理システム（１００）。
  14. 前記堆積源が、前記堆積源の蒸発した材料の堆積速度を測定するための測定アセンブリに前記蒸発した材料を供給するための測定出口（５３５）を備え、前記測定アセンブリが、前記堆積速度を測定するための発振水晶と、前記発振水晶を保持するためのホルダとを備え、前記ホルダが、ｋ＝３０Ｗ／（ｍＫ）を超える熱伝導率ｋを有する材料を含む、請求項１から７、又は９から１３のいずれか一項に記載の処理システム（１００）。
  15. キャリアによって支持された基板上に１つ又は複数の層、具体的には、有機材料をその中に含む層を堆積するための処理システム、具体的には、請求項１から７、又は９から１４のいずれか一項に記載の処理システムを操作する方法であって、
    水平配向で前記基板を前記処理システム内にロードすることと、
    真空スイングモジュール内で前記基板を前記キャリア上にロードすることと、
    前記真空スイングモジュール内で、ロードされた前記基板と共に前記キャリアを垂直配向に回転させることと、
    前記処理システムを通して、且つ真空条件下で処理モジュールを出入りするように、ロードされた前記基板と共に前記キャリアを移送することと、
    さらなる真空スイングモジュール内で前記キャリアを水平配向に回転させることと、
    前記水平配向で、前記さらなる真空スイングモジュール内で前記キャリアから前記基板をアンロードすることと
    を含む方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021025102A (ja) * 2019-08-06 2021-02-22 株式会社アルバック 真空処理装置
JP7372364B2 (ja) 2021-09-11 2023-10-31 辛耘企業股▲ふん▼有限公司 ウエハ加工方法及びキャリア

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020001751A1 (en) * 2018-06-26 2020-01-02 Applied Materials, Inc. Magnetic levitation system for transporting a carrier, carrier for a magnetic levitation system, apparatus for transportation of a carrier, processing system for vertically processing a substrate, and method of switching a transport path of a carrier
WO2020057738A1 (en) * 2018-09-19 2020-03-26 Applied Materials, Inc. Mask handling module for an in-line substrate processing system and method for mask transfer
CN112912533B (zh) * 2018-11-28 2023-10-24 应用材料公司 用于沉积蒸发的材料的沉积源、沉积装置及其方法
WO2021013359A1 (en) * 2019-07-25 2021-01-28 Applied Materials, Inc. System and method to evaporate an oled layer stack in a vertical orientation
CN114127909A (zh) * 2019-07-25 2022-03-01 应用材料公司 用于在竖直取向上蒸镀oled层堆叠物的系统和方法
KR102430349B1 (ko) * 2020-04-14 2022-08-08 주식회사 선익시스템 클러스터 증착 시스템
KR102413664B1 (ko) * 2020-04-20 2022-06-28 주식회사 선익시스템 클러스터 증착 시스템
CN113957390B (zh) * 2020-07-21 2024-03-08 宝山钢铁股份有限公司 一种具有气垫缓冲腔的真空镀膜装置

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003100848A1 (fr) * 2002-05-23 2003-12-04 Anelva Corporation Dispositif et procede de traitement de substrats
JP2010103226A (ja) * 2008-10-22 2010-05-06 Ulvac Japan Ltd キャリア、基板搬送装置
JP2012127711A (ja) * 2010-12-14 2012-07-05 Ulvac Japan Ltd 真空蒸着装置及び薄膜の製造方法
JP2014514450A (ja) * 2011-04-06 2014-06-19 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 測定ユニットを備えた蒸発システム
KR20150030547A (ko) * 2013-09-12 2015-03-20 삼성디스플레이 주식회사 증착원 반송 장치
US20150188399A1 (en) * 2013-12-30 2015-07-02 Samsung Display Co., Ltd. Apparatus for transferring substrate
WO2015117638A1 (en) * 2014-02-04 2015-08-13 Applied Materials, Inc. Evaporation source for organic material, apparatus having an evaporation source for organic material, system having an evaporation deposition apparatus with an evaporation source for organic materials, and method for operating an evaporation source for organic material
WO2015139776A1 (en) * 2014-03-21 2015-09-24 Applied Materials, Inc. Evaporation source for organic material
WO2016070943A1 (en) * 2014-11-07 2016-05-12 Applied Materials, Inc. Material source arrangment and material distribution arrangement for vacuum deposition

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0734248A (ja) * 1993-07-23 1995-02-03 Toyota Motor Corp 水晶式膜厚計
US20040206307A1 (en) * 2003-04-16 2004-10-21 Eastman Kodak Company Method and system having at least one thermal transfer station for making OLED displays
JP4844867B2 (ja) * 2005-11-15 2011-12-28 住友電気工業株式会社 真空蒸着装置の運転方法および真空蒸着装置
KR101476445B1 (ko) * 2008-06-09 2014-12-24 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치
EP2261388A1 (en) * 2009-06-12 2010-12-15 Applied Materials Inc. a Corporation of the State of Delaware Deposition rate monitor device, evaporator, coating installation, method for applying vapor to a substrate and method of operating a deposition rate monitor device
KR101036123B1 (ko) 2010-06-10 2011-05-23 에스엔유 프리시젼 주식회사 박막 증착 장치
US9064740B2 (en) * 2011-04-20 2015-06-23 Koninklijke Philips N.V. Measurement device and method for vapour deposition applications
KR20140053625A (ko) * 2012-10-26 2014-05-08 삼성디스플레이 주식회사 유기물 증착 장치
CN104593723A (zh) * 2015-01-21 2015-05-06 中国科学院光电技术研究所 一种提高热蒸发制备AlF3薄膜的深紫外以及真空紫外波段时效性的方法
DE102015004582B4 (de) * 2015-04-09 2017-02-09 Mecatronix Ag Vorrichtung zum Halten, Positionieren und Bewegen eines Objekts

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003100848A1 (fr) * 2002-05-23 2003-12-04 Anelva Corporation Dispositif et procede de traitement de substrats
JP2010103226A (ja) * 2008-10-22 2010-05-06 Ulvac Japan Ltd キャリア、基板搬送装置
JP2012127711A (ja) * 2010-12-14 2012-07-05 Ulvac Japan Ltd 真空蒸着装置及び薄膜の製造方法
JP2014514450A (ja) * 2011-04-06 2014-06-19 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 測定ユニットを備えた蒸発システム
KR20150030547A (ko) * 2013-09-12 2015-03-20 삼성디스플레이 주식회사 증착원 반송 장치
US20150188399A1 (en) * 2013-12-30 2015-07-02 Samsung Display Co., Ltd. Apparatus for transferring substrate
WO2015117638A1 (en) * 2014-02-04 2015-08-13 Applied Materials, Inc. Evaporation source for organic material, apparatus having an evaporation source for organic material, system having an evaporation deposition apparatus with an evaporation source for organic materials, and method for operating an evaporation source for organic material
WO2015139776A1 (en) * 2014-03-21 2015-09-24 Applied Materials, Inc. Evaporation source for organic material
WO2016070943A1 (en) * 2014-11-07 2016-05-12 Applied Materials, Inc. Material source arrangment and material distribution arrangement for vacuum deposition

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021025102A (ja) * 2019-08-06 2021-02-22 株式会社アルバック 真空処理装置
JP7303060B2 (ja) 2019-08-06 2023-07-04 株式会社アルバック 真空処理装置
JP7372364B2 (ja) 2021-09-11 2023-10-31 辛耘企業股▲ふん▼有限公司 ウエハ加工方法及びキャリア

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Publication number Publication date
KR102188702B1 (ko) 2020-12-08
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