TWI651425B - 用於蒸發源材料的沉積源組件、用於將經蒸發源材料沉積在基板上的沉積裝置及將經蒸發源材料沉積在二或更多個基板上的方法 - Google Patents

用於蒸發源材料的沉積源組件、用於將經蒸發源材料沉積在基板上的沉積裝置及將經蒸發源材料沉積在二或更多個基板上的方法 Download PDF

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Abstract

描述了一種用於蒸發源材料的沉積源組件、一種包括沉積源組件的裝置及一種以沉積源組件蒸發源材料的方法。此沉積源組件包括：主體，包括源材料儲存器及分配管組件，分配管組件用於以第一方向及與第一方向相反的第二方向引導氣態源材料。

Description

用於蒸發源材料的沉積源組件、用於將經蒸發源材料沉積在基板上的沉積裝置及將經蒸發源材料沉積在二或更多個基板上的方法
本揭示案的實施例關於將源材料沉積在兩面式基板上，具體而言是關於以掃描的來源（亦即移動的來源）將源材料沉積在兩面式基板上。本揭示案的實施例具體而言是關於用於蒸發源材料的沉積源組件、用於將經蒸發源材料沉積在基板上的沉積裝置及將經蒸發源材料沉積在二或更多個基板上的方法。
有機蒸發器是用於生產有機發光二極體（OLED）的工具。OLED為一種特殊類型的發光二極體，其中發射層包括某些有機化合物的薄膜。有機發光二極體（OLED）用於製造用於顯示資訊的電視螢幕、電腦監視器、行動電話、其他手持式設備等等。OLED亦可用於一般的空間照明。使用OLED顯示器情況下可能的色彩、亮度及視角的範圍大於傳統LCD顯示器的範圍，因為OLED的像素直接發射光。因此，OLED顯示器能量消耗相較於傳統LCD顯示器的能量消耗而言是相當小的。進一步地，可將OLED製造到可撓基板上的事實造成了進一步的應用。傳統的OLED顯示器可例如包括位於兩個電極之間的有機材料層，此等電極以一種方式全部沉積於基板上以形成具有可個別通電的像素的矩陣式顯示器面板。
可藉由使用相同的來源來在相同的腔室中將膜層沉積在不同基板上，來強化沉積產量及用來將膜層形成到基板上的沉積系統尺寸（且因此強化佔地面積）。此類系統可使用掃描的蒸發源，此蒸發源跨第一基板進行掃描以將膜層沉積在第一基板上，且接著旋轉180度且跨腔室中的第二基板進行掃描以在基板上形成薄膜（例如層）。旋轉來源的需要進一步複雜化了控制腔室中的來源位置及用於掃描此來源的位置的機構的難度。
綜上所述，分別提供改良的蒸發源組件、改良的沉積裝置或包括改良的沉積裝置的改良處理系統以及將經蒸發源材料沉積在二或更多個基板上的改良的方法是有益的。
依據一個實施例，提供了一種用於蒸發源材料的沉積源組件。此沉積源組件包括：主體，包括源材料儲存器及分配管組件，分配管組件用於以第一方向及與第一方向相反的第二方向引導氣態源材料。
依據另一實施例，提供了一種用於在基板上沉積經蒸發的源材料的沉積裝置。此裝置包括：真空腔室；第一基板支架軌道，提供在真空腔室中，其中第一基板支架軌道經配置為將基板支撐在第一沉積區域中；第二基板支架軌道，提供在真空腔室中，其中第二基板支架軌道經配置為將進一步基板支撐在第二沉積區域中，且其中在第一沉積區域及第二沉積區域之間提供一空間；及沉積源組件，用於蒸發提供在第一沉積區域及第二沉積區域之間的空間中的源材料，其中沉積源組件包括主體，主體包括源材料儲存器及分配管組件，分配管組件用於以第一方向在第一側上及以第二方向在與第一側相反的第二側上噴射氣態源材料。
依據進一步實施例，提供了一種在二或更多個基板上沉積經蒸發的源材料的方法。此方法包括以下步驟：沿著第一基板支架軌道在真空製程腔室中移動二或更多個基板中的第一基板；在沉積源組件的第一側噴射氣態源材料的同時，將第一基板及沉積源組件彼此相對移動；沿著第二基板支架軌道在真空製程腔室中移動二或更多個基板中的第二基板；及在沉積源組件與沉積源組件的第一側相反的第二側處噴射氣態源材料的同時，將第二基板及沉積源組件彼此相對移動。
現將詳細參照各種實施例，其中的一或更多個實例繪示於圖式中。在以下繪圖說明內，相同的參考標號指的是相同的元件。一般而言，僅描述針對個別實施例的差異。各個實例是藉由解釋的方式來提供的且不意味著是限制。進一步地，經繪示或描述為一個實施例的一部分的特徵可用在其他實施例上或與其他實施例結合使用以又產生進一步的實施例。本說明書要包括此類更改及變化。
本文中所述的實施例具體而言是關於例如針對OLED顯示器製造而將有機材料例如沉積在大面積的基板上。依據某些實施例，大面積基板或支撐一或更多個基板的載體（亦即大面積載體）可具有至少0.174 m2 的尺寸。一般而言，載體的尺寸可約為1.4 m2 到約8 m2 ，更一般而言約為2 m2 到約9 m2 或甚至高達12 m2 。一般而言，其中支撐了基板的矩形區域是具有用於如本文中所述的大面積基板的尺寸的載體。例如，大面積載體（其會相對應於單一的大面積基板的面積）可為相對應於約1.4 m2 的基板（1.1 m x 1.3 m）的GEN 5、相對應於約4.29 m2 的基板（1.95 m x 2.2 m）的GEN 7.5、相對應於約5.7 m2 的基板（2.2 m x 2.5 m）的GEN 8.5或甚至相對應於約8.7 m2 的基板（2.85 m × 3.05 m）的GEN 10。可類似地實施甚至更大的世代（例如GEN 11及GEN 12）及相對應的基板面積。亦可針對OLED顯示器製造提供GEN世代的一半尺寸。
依據一般的實施例（其可與本文中所述的其他實施例結合），基板厚度可為從0.1到1.8 mm，且可針對此類基板厚度而調適本文中所述的實施例。然而，具體而言，基板厚度可約為0.9 mm或以下，例如0.5 mm或0.3 mm，且針對此類基板厚度調適所述的實施例。
如本文中所使用的用語「基板」可具體包括實質不可撓的基板，例如晶圓、透明晶體（例如藍寶石等等）的薄片或玻璃板。然而，本揭示案不限於此，且用語「基板」亦可包括可撓的基板，例如織物或箔。將用語「實質不可撓」了解為是與「可撓」區別的。具體而言，實質不可撓的基板可具有某個程度的可撓性（例如具有0.9 mm或以下的厚度（例如0.5 mm或以下）的玻璃板），其中實質不可撓的基板的可撓性相較於可撓基板而言是小的。
依據本文中所述的實施例，基板可由適於進行材料沉積的任何材料製作。例如，基板可以選自由以下所組成之群組的材料製造：玻璃（例如鈉鈣玻璃、硼矽酸玻璃等等）、金屬、聚合物、陶瓷、複合材料、碳纖維材料或可以沉積製程塗覆的任何其他材料或材料組合。
圖1A示出製程模組510。製程模組510包括真空製程腔室540。真空製程腔室540連接到閘閥115，其中在操作期間，基板101及/或具有遮罩載體332的遮罩330可穿過閘閥115移進及移出真空製程腔室540。閘閥115可連接到進一步的真空腔室，例如選路模組。藉由開啟及關閉閘閥115，可針對進一步的真空腔室分別真空密封或開啟真空製程腔室540。
製程模組510如圖1A中所示可更包括維修模組610。維修模組610可透過進一步的閘閥117連接到真空製程腔室540。據此，可藉由關閉進一步的閘閥117將提供另一真空腔室的維修模組610真空密封於真空製程腔室540之外。例如，可開啟進一步的閘閥117以從真空製程腔室540向維修模組610移動沉積源組件730（參照圖1B），反之亦然。
可在維修模組610中維修或維護沉積源組件730。例如，可以新的源材料再填充沉積源組件730，或可進行其他的維護步驟。可例如在閘閥117處於開啟位置的同時，從維修模組610穿過進一步的閘閥117將年年維修的沉積源組件730引入到製程模組510的真空製程腔室540中。之後，可關閉進一步的閘閥117以供操作製程模組510（亦即將源材料沉積在基板101上）。
依據本文中所述的實施例，提供沉積源組件730用於將源材料沉積在基板上。沉積源組件730可為蒸發源，具體而言是用於將一或更多種有機材料沉積在基板上以形成OLED設備的層的蒸發源。沉積源組件730包括來源支架531。來源支架531支撐沉積源組件730的構件，且可例如針對沉積源組件730提供移動機構以提供能夠將膜層沉積在兩面式基板上的掃描源，特別是在不需要旋轉來源的情況下。
沉積源組件730包括坩堝533或源材料儲存器。將坩堝或源材料儲存器加熱到藉由源材料的蒸發作用或昇華作用中的至少一者將源材料汽化成氣體。沉積源組件730包括加熱器以將坩堝533（亦即源材料儲存器）中的源材料汽化成氣態的源材料。沉積源組件730包括了包括坩堝533及分配管535的主體或沉積源520。分配管535可向分配管535中的二或更多個開口引導來自坩堝533的源材料的氣體。
依據本文中所述的某些實施例（其可與本文中所述的其他實施例結合），沉積源組件的主體（亦即沉積源520）包括源材料儲存器或坩堝533及例如包括分配管535的分配管組件。分配管組件經配置為用於以第一方向及與第一方向相反的第二方向引導氣態源材料。此在圖1B中由箭頭539示例性地指示。在分配管535內引導氣態源材料（例如用於沉積OLED設備的薄膜的材料）且穿過一或更多個開口538離開分配管535。
已發現的是，即使可在分配管的兩側上提供一或更多個開口（亦即開口的數量兩倍），穩定的氣相沉積仍是可能的，亦即分配管裡面的壓力可充足地較分配管的外面（例如在真空製程腔室的周圍的真空中）為高。例如，分配管裡面的壓力可較分配管外面（例如真空製程腔室中）高至少一個數量級。
依據某些實施例（其可與本文中所述的其他實施例結合），源材料可為沉積於用於製造OLED設備的基板上的有機材料。源材料可藉由蒸發作用或昇華作用來汽化以形成氣態源材料。要了解的是，可針對某些材料利用昇華作用，且取決於材料，本文中所使用的用語「蒸發作用」意欲了解為包括了昇華的選項。
如圖1A及1B中所示，可提供一或更多個可動快門524。可提供一或更多個可動快門524以阻擋從開口538離開的氣態源材料。依據某些實施例（其可與本文中所述的其他實施例結合），一或更多個可動快門可經配置及/或利用為用於在至少第一方向或相反的第二方向上選擇性地阻擋氣態源材料傳播。亦即，阻擋氣態源材料沿著至少第一方向或相反的第二方向進行的傳播。例如，第一方向可為圖1A及1B的左手邊，而第二方向（其與第一方向相反）可為圖1A及1B中的右手邊。
依據一般的實施例，用以引導氣態源材料的一部分的第一方向及用以引導氣態源材料的進一步部分的第二方向（其與第一方向相反）就第一方向及第二方向之間的角度是180°的意義而言可為相反的。然而，依據本文中所述的實施例（其可與本文中所述的其他實施例結合），第一方向及第二方向之間的角度亦可偏離180°，亦即例如就以下的意義而言，第一方向及第二方向之間的120°到180°的角度被認為是指相反方向的：第一方向具有指向沉積源組件的一側上的區域的主要的蒸發捲流方向，而第二方向具有指向沉積源組件的相反側上的區域的主要的蒸發捲流方向。
如圖1A中所示，例如在沉積源組件的左側上提供第一基板101，而在沉積源組件的相反側上提供第二基板101。據此，朝向左手邊的基板傳播的氣態源材料沉積於第一基板101上，而朝向右手邊的基板傳播的氣態源材料沉積於第二基板101上。一般而言，此等傳播方向可為相反方向，亦即主要的蒸發捲流方向是相反方向。依據某些實施例，向左手邊及向右手邊引導材料的行為在第一方向及第二方向之間不需要是180°的角度，而是稍微較小的角度亦是適當的。
如由圖1A中的箭頭731所指示的，可將沉積源520從圖1A中所示的上位置移動到圖1A中的下位置。由於此類移動，沉積源520沿著基板101的一個尺度進行掃描以供沉積氣態源材料的薄膜。在沿著基板101中的一者將沉積源520掃描的期間，可動快門524中的一者可經操作為處於開啟位置，使得氣態源材料可朝向基板傳播。之後，在進一步的掃描期間（例如以與箭頭731相反的方向掃描），可關閉可動快門中的第一者。可動快門524中的另一者可經操作為是開啟的位置，使得氣態源材料可朝向基板101中的另一基板傳播。
為了在例如圖1A中的左側基板上沉積源材料（例如有機材料）的層，左側上的第一可動快門處於開啟位置。在例如圖1A中的左側基板101已沉積有有機材料的層之後，第一可動快門524經操作為處於關閉位置，而第二可動快門524（例如控制以第二相反方向進行傳播的快門）經操作為處於開啟位置。在第一基板（圖1A中的左手邊的基板）上沉積有機材料的期間，第二基板已相對於遮罩330定位及對準。依據某些實施例（其可與本文中所述的其他實施例結合），可由對準系統550提供相對於遮罩330對準基板的行為。據此，在藉由操作一或更多個可動快門524來選出沉積方向之後，可以有機材料的層塗覆右手邊的基板（亦即第二基板101）。在第二基板101被塗以有機材料的同時，可將第一基板移出真空處理腔室540。綜上所述，提供了分別能夠在不需要旋轉來源的情況下在兩面式基板101上沉積膜層的掃描源（亦即沉積源520或沉積源組件730）。
依據某些實施例，一或更多個可動快門中的第一可動快門可經配置為能夠阻擋第一方向（例如圖1A中的左向）上的氣態源材料，而一或更多個可動快門中的第二可動快門可經配置為能夠阻擋以第二方向（例如圖1A中所右向）引導的氣態源材料。依據又進一步的實施例（其可與本文中所述的其他實施例結合），可提供一個快門以選擇性地開啟及關閉分配管535的相反側上的開口538。又進一步地，一或更多個快門可經配置為能夠阻擋以第一及第二方向兩者引導的氣態源材料。此舉例如在維護或維修來源的期間或在真空製程腔室540中沒有提供基板的時段期間可為有益的。
圖2繪示製程模組510的又進一步實施例。為了以高效率製造OLED堆疊，共沉積或共蒸發導向OLED層的二或更多種材料（例如母質及摻雜物）是有益的。進一步地，需要考慮的是，對於源材料的蒸發而言存在著若干製程條件。具體而言，有機材料可能是敏感的，使得不同的蒸發溫度可能對於朝向基板引導而形成一個薄膜的不同有機材料是有益的。
據此，圖2示出具有真空製程腔室540的製程模組510。沉積源組件730例如沿著箭頭731在真空製程腔室540內移動，且可在與箭頭731相反的方向上進行第一移動之後反向移動。沉積源組件包括三個分配管535。例如，各個分配管535可與獨立的源材料儲存器或坩堝533流體連通。據此，沉積源組件亦可包括三個源材料儲存器。三個分配管535可由來源支架531所支撐。如下文所更詳細描述的，來源支架531可提供掃描源的移動行為。特別有益的是，以非接觸式移動（亦即包括磁浮的移動）提供掃描源的移動行為使得可減少或甚至避免粒子的產生。
依據又進一步的實施例（其可與本文中所述的其他實施例結合），相鄰分配管中的第一分配管的第一側上的一或更多個開口及相鄰分配管中的第二分配管的第一側上的一或更多個開口可具有沿著第一尺度的距離，此距離小於分配管沿著相同的第一尺度的寬度的50%。甚至，依據某些實施例，此距離可為20%或更小。
依據某些實施例（其可與本文中所述的其他實施例結合），分配管組件可包括一或更多個分配管。分配管組件可包括形成用於以第一方向引導氣態源材料的線源的第一複數個開口及形成用於以第二方向（其與第一方向相反（120°到180°））引導氣態源材料的進一步線源的第二複數個開口。如圖1A及2中所示，可在形成用於一種氣態源材料的線源的一個分配管中提供第一複數個開口及第二複數個開口。如圖2中所示例性地示出的，形成兩個線源的分配管中的二或更多者可被包括在一個沉積源組件中。
圖1A及2例如以製程模組510的形式示出用於在基板上沉積經蒸發源材料的示例性沉積裝置。依據本文中所述的實施例的製程模組包括真空製程腔室540及輸送軌道佈置715。圖1A具有有著四個輸送軌道的輸送軌道佈置715。針對基板101提供了兩個輸送軌道，沉積源組件的各側上有一個輸送軌道。針對承載遮罩330的遮罩載體332提供了兩個進一步的輸送軌道。兩個進一步的輸送軌道亦提供在沉積源組件的相反側上。可沿著輸送軌道佈置715的各別輸送軌道將遮罩載體332上的遮罩330及基板101（一般是在基板載體上）移進及移出真空製程腔室540。
輸送軌道佈置715的替代佈置（其可與本文中所述的其他實施例結合）示例性地示於圖2中。圖2中所示的輸送軌道佈置715包括了第一輸送軌道及第二輸送軌道。例如，第一輸送軌道及第二輸送軌道可為提供在真空腔室中的第一基板支架軌道及提供在真空腔室中的第二基板支架軌道。第一基板支架軌道經配置為在第一沉積區域中支撐基板，而第二基板支架軌道經配置為在第二沉積區域中支撐基板。
遮罩或遮罩載體以及基板或基板載體可分別沿著第一輸送軌道或第二輸送軌道移動。為了在沉積源520及基板之間提供遮罩，可針對遮罩載體提供例如與基板沿著輸送軌道所進行的移動垂直的方向上的移動。
如圖1A及2中所示例性地示出的用於沉積經蒸發的源材料的沉積裝置包括了例如如圖1B中所示的用於蒸發源材料的沉積源組件，其中沉積源組件包括主體，主體包含源材料儲存器及用於以第一方向及與第一方向相反的第二方向引導氣態源材料的分配管組件。依據某些實施例（其可與本文中所述的其他實施例結合），分配管組件可具有分配管，分配管具有以一個方向引導氣態源材料的第一開口及以相反方向引導氣態源材料的第二開口。依據又進一步的實施例（其可與本文中所述的其他實施例結合），分配管組件可具有分配管，分配管具有形成第一線源的第一複數個開口及形成第二線源的第二複數個開口。第一線源可以第一方向噴射氣態源材料，而第二線源可以第二方向（其與第一方向相反）噴射氣態源材料。
可由用於選擇性地阻擋氣態源材料的一或更多個快門開啟及關閉第一開口及第二開口。可由用於選擇性地阻擋氣態源材料的一或更多個快門開啟及關閉第一線源的第一複數個開口及第二線源的第二複數個開口。據此，依據本文中所述的實施例的沉積源組件730可例如以兩個相反的方向噴射源材料。本文中所述的實施例有益地能夠在面向彼此的基板上沉積薄膜，其中沉積行為可例如交替地發生。
依據某些實施例（其可與本文中所述的其他實施例結合），第一沉積區域中的基板、第二沉積區域中的基板及分配管的長度（例如線源的長度）可與重力方向基本平行。基本平行意欲了解為是具有-20°到20°的角度，例如-15°到15°。依據此等實施例，基板是基本上垂直地定向的（基本上，偏離垂直-20°＜基板定向＜偏離垂直+20°）。據此，圖1A及2可被視為頂視圖，而圖1B會是側視圖。依據其他實施例（其可與本文中所述的其他實施例結合），第一沉積區域中的基板、第二沉積區域中的基板及分配管的長度（例如線源的長度）可為基本水平的。基本水平亦包括具有絕對值20°或以下的角度，例如15°或以下。據此，圖1A及2可被視為側視圖，而圖1B會是頂視圖。
本文中所述的實施例提供了具有有著源材料儲存器的主體或沉積源的沉積源組件以及用來藉由源材料的蒸發作用及昇華作用中的至少一者將源材料汽化成氣體的加熱器。主體可水平延伸，且氣態源材料出口（例如開口）被包括在主體的相反側上。操作時，在來源及基板彼此相對移動時，來源的僅一側上的源出口受暴於氣態源材料。依據某些實施例，在來源中提供至少一個快門以選擇性地向來源的僅一側上的出口引導氣態源材料或相對於來源中的一側或兩側上的出口阻擋氣態材料。
圖1A及2例如以製程模組510的形式示例性地示出用於在基板上沉積經蒸發源材料的沉積裝置。提供了兩個替代方案，此兩個替代方案皆可與其他實施例結合。圖1A的製程模組510連接到維修模組610。此舉允許從真空製程腔室540直接向維修模組610移動沉積源組件。圖2的製程模組510並不具有與真空製程腔室540直接相鄰的維修模組610。此舉提供了減少處理系統的佔地面積的益處。但是，為了擔任沉積源組件730，沉積源組件需要前行穿過閘閥115到一或更多個相鄰的真空腔室以移到維護或維修區域。
在圖3A中，處理系統的一部分被示為其中兩個製程模組透過兩個相鄰的選路模組而彼此連接。具體而言，圖3A示出處理系統的一部分，其中第一選路模組411連接到第一製程模組511及連接到進一步的選路模組412。進一步的選路模組412連接到進一步的製程模組512。如圖3A中所示，可在相鄰的選路模組之間提供閘閥115。可關閉或開啟閘閥115以在選路模組之間提供真空密封。閘閥的存在可取決於處理系統的應用，例如取決於沉積於基板上的有機材料的層的種類、數量及/或順序。據此，可在傳輸腔室或選路模組之間提供一或更多個閘閥。或者，不在傳輸腔室或選路模組中的任何者之間提供閘閥。
如參照圖3B所描述的，依據某些實施例（其可與本文中所述的其他實施例結合），選路模組中的一或更多者可包括具備旋轉單元420的真空選路腔室417。其中，可圍繞旋轉軸（例如垂直的中心軸）旋轉在處理系統的操作期間所採用的提供在基板載體中的基板及/或提供在遮罩載體中的遮罩。依據某些實施例（其可與本文中所述的其他實施例結合），如本文中所述的選路模組或傳輸腔室可經配置為用於以基本垂直的定向接收基板及用於以基本垂直的定向將基板傳輸於進一步的腔室中。
一般而言，旋轉單元420經配置為用於旋轉包括第一輸送軌道711及第二輸送軌道712的輸送軌道佈置715（如圖3A中所示例性地示出的）。據此，可變化選路模組裡面的輸送軌道佈置715的定向。具體而言，選路模組可經配置為使得可旋轉第一輸送軌道711及第二輸送軌道712至少90°（例如90°、180°或360°），使得將軌道上的載體旋轉到待傳輸到處理系統的相鄰腔室中的一者的位置下。
依據一般的實施例，第一輸送軌道711及第二輸送軌道712經配置為用於基板載體及遮罩載體的非接觸式輸送。具體而言，第一輸送軌道711及第二輸送軌道712可包括經配置為用於基板載體及遮罩載體的非接觸式輸送的進一步引導結構870及驅動結構890，如參照圖10A-10B更詳細描述的。
如圖3A中所繪示，在第一選路模組411中，旋轉兩個基板（例如第一基板101A及第二基板101B）。上面位有基板的兩個輸送軌道（例如第一輸送軌道711及第二輸送軌道712）相對於兩個輸送軌道而旋轉。據此，在待傳輸到相鄰的進一步選路模組412的位置下提供輸送軌道上的兩個基板。
如圖3A中所示例性地示出的，依據某些實施例（其可與本文中所述的其他實施例結合），輸送軌道佈置715的輸送軌道可從真空製程腔室540延伸到真空選路腔室417中。據此，可從真空製程腔室向相鄰的真空選路腔室傳輸基板101中的一或更多者。進一步地，如圖3A中所示例性地示出的，可在製程模組及選路模組之間提供閘閥115，可開啟閘閥以供輸送一或更多個基板。如圖3A中所示例性地示出的，進一步的製程模組512亦可藉由閘閥115連接到進一步的選路模組412。據此，要了解的是，可從第一製程模組向第一選路模組、從第一選路模組向進一步的選路模組及從進一步的選路模組向進一步的製程模組傳輸基板。據此，可在不將基板暴露於不想要的環境（例如大氣環境或非真空環境）的情況下進行若干製程（例如在基板上沉積各種有機材料層的行為）。
如上所述，依據某些實施例（其可與本文中所述的其他實施例結合），處理系統可經配置為使得可沿著第一方向將基板移出製程模組。如此，將基板沿著基本直線的路徑移動到相鄰的真空腔室（例如在本文中亦可稱為真空傳輸腔室的真空腔室）中。在傳輸腔室中，可旋轉基板使得可以與第一方向不同的第二方向沿著第二直線路徑移動基板。如圖3A中所示例性地示出的，第二方向可與第一方向實質垂直。為了向進一步的製程模組512傳輸基板，可以第二方向將基板從第一選路模組411移動到進一步的選路模組412中且可接著在進一步的選路模組412中旋轉基板（例如180°）。之後，可將基板移到進一步的製程模組512中。
如圖3B中所示例性地示出的，一般而言，選路模組410包括旋轉單元420，旋轉單元經配置為旋轉基板載體及/或遮罩載體使得可將基板載體及/或遮罩載體傳輸到相鄰的連接的製程模組。具體而言，可在真空選路腔室417（具體而言是可經配置為如本文中所述地提供真空條件的真空選路腔室）中提供旋轉單元420。更具體而言，旋轉單元可包括旋轉驅動器，旋轉驅動器經配置為用於圍繞旋轉軸419旋轉用於支撐基板載體及/或遮罩載體的支撐結構418，如圖3B中所示例性地示出的。具體而言，旋轉驅動器可經配置為用於提供以順時針方向及逆時針方向將旋轉單元旋轉至少180°的行為。
進一步地，如圖3B中所示例性地示出的，選路模組410一般包括至少一個第一連接凸緣431及至少一個第二連接凸緣432。例如，至少一個第一連接凸緣431可經配置為用於連接如本文中所述的製程模組。至少一個第二連接凸緣432可經配置為用於連接進一步的選路模組或真空擺動模組。一般而言，選路模組包括四個連接凸緣（例如兩個第一連接凸緣及兩個第二連接凸緣），每對凸緣經佈置在選路模組的相反側上。據此，選路模組可包括三種不同類型的連接凸緣（在本文中亦稱為選路凸緣），例如用於連接製程模組的連接凸緣、用於連接擺動模組的連接凸緣及用於連接進一步的選路模組的連接凸緣。一般而言，不同類型的連接凸緣中的某些或全部具有殼框狀的結構，此結構經配置為用於在殼框狀的結構裡面提供真空條件。進一步地，一般而言，連接凸緣可包括用於遮罩載體的入口/出口及用於基板載體的入口/出口。
圖4A、4B、5A及5B分別繪示又進一步的製程模組或沉積源組件730。依據此類實施例（其可與本文中所述的其他實施例結合），沉積源組件730包括雙源或是第一沉積源520-1及第二沉積源520-2。如圖4A及4B中所示，在沉積源組件730的來源支架531上提供第一坩堝533-1及第二坩堝533-2。第一坩堝533-1與第一分配管535-1流體連通。第二坩堝533-2與第二分配管535-2流體連通。據此，將第一沉積源及第二沉積源提供為彼此獨立。例如，第一坩堝及第二坩堝可為具有獨立加熱行為的兩個單獨的源材料儲存器。為了在分配管裡面及分配管外面（例如在真空製程腔室中）的區域之間維持足夠高的真空差（例如一個數量級或以上），此舉可為有益的。
依據某些實施例（其可與本文中所述的其他實施例結合），第一分配管535-1以由箭頭539所指示的第一方向噴射氣態源材料，而第二分配管535-2以由箭頭539-2所指示的第二方向沉積氣態源材料，其中第二方向與第一方向相反或基本相反。
圖5A示出一個實施例，其中沉積源組件包括以背對背方式佈置的兩個來源。兩個來源中的各者經配置為用於從兩個分配管共蒸發。依據某些實施例（其可與本文中所述的其他實施例結合），亦可提供多於兩個的分配管用於例如針對形成OLED設備的薄膜的有機材料的母材及摻雜物進行共蒸發。圖5B示出一個實施例，其中沉積源組件包括以並排方式佈置的兩個來源。兩個來源中的各者經配置為用於從三個分配管共蒸發。
依據本文中所述的某些實施例（其可與本文中所述的其他實施例結合），沉積源組件可包括具有兩組的三個直線源（亦即6個直線源）的三對坩堝系統或可包括具有兩組的三個直線源（亦即6個直線源）的三個坩堝系統。坩堝可在沉積源組件的操作期間不斷地蒸發源材料，亦即坩堝可被視為總是「打開（switched on）」的。可提供用來選擇性地開啟用於第一方向的一組直線源以及用於與第一方向基本相反的第二方向的另一組直線源以依序沉積在兩個基板上的快門。
依據某些實施例（其可與本文中所述的其他實施例結合），可在分配管組件的第一分配管中提供形成以第一方向噴射材料的第一線源的第一複數個開口，且可在第二分配管中提供形成以基本相反的方向噴射材料的第二線源的第二複數個開口。第一分配管及第二分配管可由共用的支架支撐，且可佈置為是背對背或並排的。依據某些實施例（其可與本文中所述的其他實施例結合），一個來源（例如沉積源520-1）的出口或開口面朝另一來源（例如沉積源520-2）的出口的反方向。兩個噴射方向之間的角度可為120°到100°。
圖6A示出處理系統100，此處理系統用於製造設備（具體而言是裡面包括有機材料的設備）。例如，此等設備可為電子設備或半導體設備，例如光電子設備且具體而言是顯示器。具體而言，如本文中所述的處理系統經配置為用於在基板上進行層沉積的期間的改良的載體搬運及/或遮罩搬運。此等改良可有益地用於OLED設備的製造。然而，由如本文中所述的各種系統模組（亦稱為腔室）的佈置概念所提供的載體搬運及/或遮罩搬運上的改良亦可用於其他的基板處理系統，例如包括蒸發源、濺射源（具體而言是旋轉濺鍍靶）、CVD沉積源（例如PECVD沉積源）或其組合的基板處理系統。本揭示案的實施例關於製造系統，具體而言是用於處理如針對OLED製造系統所描述的大面積基板的製造系統，因為此等OLED製造系統可特別受益於本文中所述的概念。
更具體而言，如本文中所述的處理系統100經配置為用於進行蒸發沉積法。蒸發沉積法基於以下原理：塗料在真空的受控環境中蒸發且凝結在表面上。源材料的材料沉積是藉由源材料的蒸發作用及昇華作用中的至少一者來進行的。在下文中是參照蒸發作用。在不針對本文中所述的實施例明確指稱昇華作用的情況下，亦可藉由昇華作用來沉積可為了蒸發而加熱的某些材料。
為了達成充分的蒸發而不到達蒸發材料的沸點，是在真空環境中實現蒸發過程的。蒸發沉積（或昇華沉積）的原理一般包括三個階段：第一階段是蒸發階段，其中在坩堝中將要蒸發的材料加熱到操作溫度。操作溫度經設定為產生充足的汽壓以將材料從坩堝移動到基板。第二階段是輸送階段，其中將蒸氣從坩堝例如穿過具有噴嘴的蒸氣分配管移動到基板上以供將均勻的蒸氣層提供到基板上。第三階段是凝結階段，其中基板表面相較於經蒸發的材料具有較低的溫度，此允許汽化的材料附著到基板。
示例性地參照圖6A，依據可與本文中所述的其他實施例結合的實施例，處理系統可包括真空擺動模組130；基板載體模組220；選路模組410；製程模組510；維修模組610；遮罩載體裝載器310；遮罩載體匣320；及輸送系統710。一般而言，基板載體裝載器210連接到基板載體模組220，要使用的基板載體儲存在基板載體裝載器中。類似地，遮罩載體匣320經配置為儲存意欲在基板的處理期間使用的遮罩。依據某些實施例，處理系統的選路模組可彼此直接連接，如圖6A中所示例性地示出的。或者，處理系統的相鄰選路模組可透過傳輸模組415來連接，如圖6B中所示例性地示出的。換言之，一般而言，包括真空傳輸腔室的傳輸模組415可安裝在相鄰的選路模組之間。據此，一般而言，傳輸模組經配置為在真空傳輸腔室裡面提供真空條件。進一步地，如圖6B中所示意性地指示的，可在傳輸模組415中提供輸送系統710（具體而言是如參照圖10A到10B所更詳細描述的用於進行載體組件的非接觸式懸浮及輸送的輸送裝置）。進一步地，傳輸模組415可包括用於低溫泵的閘閥、用於低溫泵的連接凸緣及用於連接選路模組的連接凸緣（在本文中亦稱為傳輸凸緣）。一般而言，傳輸凸緣包括經調適為向要連接的製程模組提供真空密封連接的框架及密封面。依據某些實施例，傳輸模組415可包括出入門，出入門經配置為用於提供傳輸模組的內部的出入口（例如用於維護服務）。
示例性地參照圖6A及6B，如本文中所述的處理系統可用於生產顯示設備，具體而言是OLED。依據可與本文中所述的任何其他實施例結合的實施例，處理系統100使得可在真空條件下進行基板的處理。將基板裝載在真空擺動模組130（具體而言是第一真空擺動模組131）中。遮罩及基板載體裝載器分別儲存可用於處理系統中的所有載體（例如遮罩載體及基板載體）。選路模組410將遮罩及基板載體發送到可適用的製程模組中。在處理之後，由進一步的真空擺動模組132從處理系統卸載基板。
更具體而言，示例性地參照圖6A，依據某些實施例，處理系統100可包括連接到第一基板搬運腔室121的裝載閘腔室110。可從第一基板搬運腔室121向第一真空擺動模組131傳輸基板，其中基板是以水平的位置裝載在載體上的。在將基板以水平位置裝載在載體上之後，第一真空擺動模組131以垂直或基本垂直的定向旋轉在載體上提供有基板的載體。接著將在載體上提供有基板的載體傳輸穿過第一選路模組411及進一步的選路模組412以供向製程模組510傳輸垂直定向的基板。例如，在圖6A中，示出了六個選路模組及十個製程模組。
示例性地參照圖6A，依據可與本文中所述的任何其他實施例結合的實施例，可提供第一預處理腔室111及第二預處理腔室112。進一步地，可在基板搬運腔室120中提供自動機（未示出）或另一搬運系統。自動機或另一搬運系統可將來自裝載閘腔室110的基板裝載在基板搬運腔室120中及將基板傳輸到預處理腔室中的一或更多者中。例如，預處理腔室可包括選自由以下項目所組成的群組的預處理工具：基板的電漿預處理、基板的清潔、基板的UV及/或臭氧處理、基板的離子源處理、基板的RF或微波電漿處理及其組合。在預處理基板之後，自動機或另一搬運系統可透過基板搬運腔室將基板傳輸出預處理腔室到真空擺動模組130中。
為了允許使裝載閘腔室110通氣以供在大氣條件下將基板裝載及/或搬運到基板搬運腔室120中，可在基板搬運腔室120及真空擺動模組130之間提供至少一個閘閥。據此，可在閘閥115開啟及將基板傳輸到第一真空擺動模組131中之前抽空基板搬運腔室120（且若需要的話則為裝載閘腔室110、第一預處理腔室111及第二預處理腔室112中的一或更多者）。據此，可在將基板裝載到第一真空擺動模組131中之前在大氣條件下進行基板的裝載、處置及處理。
依據實施例，一般而言，製程模組510可連接到選路模組410。例如，如圖6A中所示例性地示出的，可提供複數個製程模組（＞8），各個製程模組連接到選路模組中的一者。具體而言，製程模組510可例如透過閘閥115連接到選路模組410。如本文中所述的閘閥115亦可稱為鎖閥。依據本文中所述的實施例，閘閥或鎖閥可用來將個別的處理系統模組（亦稱為處理系統腔室）彼此分離。據此，如本文中所述的處理系統經配置為使得個別的處理系統腔室中的真空壓力可相對於彼此單獨及獨立地控制及改變。
依據某些實施例，且如圖6A中所示地，沿一直線提供一或更多個選路模組（在本文中亦稱為旋轉模組）以供提供用於從一個製程模組向另一製程模組輸送基板的沿線（in-line）的輸送系統。一般而言，如圖6A中所示例性地示出的，在處理系統100中提供輸送系統710。輸送系統710經配置為用於在處理系統100的個別模組或腔室之間輸送及傳輸要處理的基板（一般是由載體組件所支撐的）。例如，輸送系統710可包括第一輸送軌道711及第二輸送軌道712，可沿著此等輸送軌道輸送用於支撐基板或遮罩的載體。具體而言，輸送系統710可包括如參照圖10A到10B所更詳細描述的用於進行非接觸式懸浮及輸送的至少一個輸送裝置。
依據某些實施例（其可與本文中所述的其他實施例結合），輸送系統710可包括如圖6A中所示例性地示出地提供在二或更多個選路模組內的進一步的軌道713。具體而言，進一步的軌道713可為載體回傳軌道。
示例性地參照圖6A，依據可與本文中所述的任何其他實施例結合的實施例，可在製程模組510處（具體而言是在真空製程腔室540處）提供對準系統550。依據一般的實施例，維修模組610（在本文中亦稱為維護模組）可例如透過閘閥115連接到製程模組510。一般而言，處理系統包括二或更多個維修模組，例如第一維修模組611及至少一個第二維修模組612。如本文中所述，維修模組允許維護處理系統中的沉積源。
示例性地參照圖6A及6B，依據可與本文中所述的其他實施例結合的實施例，處理系統100可包括遮罩載體裝載器310（例如第一遮罩載體裝載器311及第二遮罩載體裝載器312）及用於緩存各種遮罩的遮罩載體匣320。具體而言，遮罩載體匣320可經配置為提供用於替換的遮罩及/或為了特定的沉積製程而需要被儲存的遮罩的儲存空間。據此，可為了維護（例如清潔）或為了變化沉積圖案而交換處理系統中所採用的遮罩。一般而言，遮罩載體匣320可例如透過閘閥115連接到選路模組（例如圖6A中所示的進一步的選路模組中的一者）。據此，可在不使真空製程腔室及/或選路模組通氣的情況下交換遮罩，使得可避免將遮罩暴露於大氣壓力的情況。
依據可與本文中所述的其他實施例結合的實施例，遮罩清潔腔室313可例如透過閘閥115連接到遮罩載體匣320，如圖A中所示例性地示出的。例如，可在遮罩清潔腔室313中提供電漿清潔工具。附加性或替代性地，可在遮罩清潔腔室313處提供進一步閘閥115（如圖6A中所示），可穿過閘閥從處理系統100卸載清潔後的遮罩。據此，可在只有遮罩清潔腔室313需要通氣的同時從處理系統100卸載遮罩。藉由從製造系統卸載遮罩，可在製造系統持續完全操作的同時提供外部的遮罩清潔行為。圖6A繪示與遮罩載體匣320相鄰的遮罩清潔腔室313。相對應的或類似的清潔腔室（未示出）亦可提供為與基板載體模組220相鄰。藉由提供與基板載體模組220相鄰的清潔腔室，可在處理系統內清潔基板載體。
在處理基板之後，以垂直定向從最後一個選路模組將具有在基板載體上的基板的基板載體傳輸到進一步的真空擺動模組132中。進一步的真空擺動模組132經配置為將在載體上具有基板的載體從垂直定向旋轉到水平定向。之後，可將基板卸載到進一步的水平基板搬運腔室中。可穿過裝載閘腔室110從處理系統100卸載經處理的基板。附加性或替代性地，可在薄膜封裝腔室810中封裝經處理的基板，薄膜封裝腔室可連接到進一步的真空擺動模組132，如圖6A中所示例性地示出的。一或更多個薄膜封裝腔室可包括封裝裝置，其中將經沉積的及/或經處理的層（具體而言是OLED材料）封裝（亦即夾）在經處理的基板及進一步的基板之間以保護經沉積的及/或經處理的材料免於暴露於環境空氣及/或大氣條件。然而，可由提供在薄膜封裝腔室中的一者中的封裝裝置替代性地施用其他的封裝方法（像是以玻璃、聚合物或金屬片進行層合，或蓋玻片的雷射熔融）。
依據可與本文中所述的任何其他實施例結合的實施例，可同時將若干遮罩載體及基板載體移動穿過處理系統。一般而言，遮罩載體及基板載體的移動是與序列節拍時間（sequence tact times）協調的。節拍時間可取決於製程及模組類型。
據此，可如下在如圖6A及6B中所示例性地示出的處理系統100中製造例如為OLED顯示器的設備。可透過裝載閘腔室110將基板裝載到第一基板搬運腔室121上。可在將基板裝載在第一真空擺動模組131中之前在第一預處理腔室111及/或第二預處理腔室112內提供基板預處理。在第一真空擺動模組131中將基板裝載在基板載體上且從水平定向旋轉到垂直定向。之後，將基板傳輸穿過第一選路模組411及一或更多個進一步的選路模組。選路模組經配置為旋轉在基板載體上具有基板的基板載體，使得可將具有基板的載體移動到相鄰的製程模組510，如圖6A中所示例性地指示的。例如，在第一製程模組511中，可進行電極沉積以在基板上沉積設備的陽極。之後，可從第一製程模組511移除具有基板的載體且將載體移動到連接到選路模組的進一步製程模組512中的一者。例如，進一步的製程模組中的一或更多者可經配置為沉積孔注層（hole injection layer），進一步的製程模組的中的一或更多者可經配置為沉積藍色發射層、綠色發射層或紅色發射層，進一步的製程模組中的一或更多者可經配置為沉積電子輸送層，電子輸送層一般是提供在發射層之間及/或發射層上方。在結束製造時，可在進一步的製程模組中的一者中沉積陰極。此外，可在進一步的製程模組中的一者中在陽極及陰極之間沉積一或更多個激子阻擋層（或孔洞阻擋層）或一或更多個電子注入層。在沉積所有所需的層後，將載體傳輸到進一步的真空擺動模組132，其中將具有基板的載體從垂直定向旋轉到水平定向。之後，在進一步的基板搬運腔室122中從載體卸載基板且可將基板傳輸到薄膜封裝腔室810中的一者以供封裝經沉積的層堆疊。之後，可穿過卸載鎖腔室116從處理系統卸載具有經製造的設備的基板。
示例性地參照圖6B，依據可與本文中所述的其他實施例結合的實施例，處理系統可經配置為使得可在處理系統的相同側上實現裝載及卸載基板的行為。具體而言，示例性地參照圖1B，依據可與本文中所述的任何其他實施例結合的某些實施例，用於沉積一或更多個層的處理系統100可包括第一真空擺動模組131、第一緩存腔室151、選路模組410（例如第一選路模組411）、第二緩存腔室152、進一步的真空擺動模組132及處理佈置1000。
更具體而言，示例性地參照圖6B，第一真空擺動模組131經配置為用於將第一基板101A從水平狀態旋轉成垂直狀態。第一緩存腔室151連接到第一真空擺動模組131。第一緩存腔室151經配置為用於緩存以第一基板輸送方向從第一真空擺動模組131所接收的第一基板101A。進一步地，第一緩存腔室151經配置為用於緩存以第二基板輸送方向107從選路模組410所接收的第三基板。選路模組410（具體而言是第一選路模組411）連接到第一緩存腔室151，且經配置為用於向處理佈置1000輸送第一基板101A。處理佈置1000一般包括如本文中所述的至少一個沉積源。進一步地，第二緩存腔室152連接到選路模組410（具體而言是第一選路模組411）。第二緩存腔室152經配置為用於緩存以第二基板輸送方向從進一步的真空擺動模組132所接收的第二基板101B。進一步地，第二緩存腔室152經配置為用於緩存以第一基板輸送方向從選路模組410所接收（具體而言是從第一選路模組411所接收的）的第四基板。進一步的真空擺動模組132連接到第二緩存腔室152，且經配置為用於將第二基板101B從垂直狀態旋轉成水平狀態。
參照圖7A及7B來解釋進一步的實施例（其可與本文中所述的其他實施例結合）。圖7A示出製程模組510，其中在真空製程腔室540中提供兩個基板101。沉積源組件730（例如具有三個分配管的沉積源組件，其中三個分配管中的各個分配管以第一方向及以相反的第二方向噴射氣態源材料）如由箭頭731所指示地移動以提供沉積源組件730及基板101之間的相對移動，氣態源材料待沉積在基板上以形成薄膜（例如OLED設備的薄膜）。
圖7B示出製程模組510，其中在真空製程腔室540中提供兩個基板101。以遮罩330遮蔽基板101中的各者。基板101及遮罩330提供了經遮蔽的基板佈置。經遮蔽的基板佈置可例如由基板載體所支撐。圖7B中所示的遮罩330可為用於遮蔽要沉積於基板上的特徵的遮陰罩。如所指示的，經遮蔽的基板佈置移動經過沉積源組件730以提供沉積源組件730及基板101之間的相對移動，氣態源材料待沉積在基板上。依據又進一步的實施例（其可與本文中所述的其他實施例結合），遮罩基板佈置可例如具備邊緣排除遮罩，其中只有基板的外緣部分（例如0.2 mm到5 mm的外緣）被遮罩所遮蔽。
依據又進一步的實施例（其可與本文中所述的其他實施例結合），如圖7A中所示的掃描源的移動及如圖7B中所示的基板的移動可結合使得基板及來源兩者為了沉積氣態源材料而移動。
針對圖9A到9C更詳細描述沉積源組件（例如以第一方向及與第一方向相反的第二方向噴射氣態源材料的掃描源）的移動。針對圖10A及10B更詳細描述基板或上面安裝有基板的基板載體的移動。基板或基板載體的移動可提供用於在真空製程腔室540中裝載或卸載基板及/或可提供用於將基板移動穿過以第一方向及與第一方向相反的第二方向噴射氣態源材料的沉積源。
上文所示的實施例指的是具有一或更多個可動快門的沉積源組件。圖8示出真空製程腔室540的實施例，其中可在不使用用於沉積源組件730的可動快門的情況下處理彼此面對的基板101。真空製程腔室540連接到第一閘閥115及在與第一閘閥相反的一側處的第二閘閥115。可在真空製程腔室540的相反側處裝載及卸載基板101。在圖8中，此等相反側為真空製程腔室540的上側及下側。
沉積源組件730如由箭頭731所指示地移動且掃描過基板101。在移動期間，以第一方向且同時以與第一方向相反的第二方向噴射氣態源材料。在圖8中，第一方向可示例性地為左側而第二方向可示例性地為右側。在源材料的薄膜沉積於真空製程腔室的一端處的面向彼此的兩個基板上的同時，可交換真空製程腔室的相反端處的兩個基板。例如，可從真空製程腔室540移除先前所處理的基板，且可沿著輸送軌道佈置715將要處理的基板安插在真空製程腔室中。
沉積源組件730持續進行移動以在面向彼此的第二對基板上沉積源材料。在處理第二對基板（例如圖8中上側的一對）的同時，可從真空製程腔室540移除下側對基板101，且之後可將要處理的一對基板101安插在真空製程腔室540中。據此，氣態源材料是在沿著一對面對的基板掃描的同時在沉積源組件的兩側上同時噴射的。綜上所述，針對圖8所解釋的且可與本文中所述的其他實施例結合的實施例可提供為不具可動快門。此舉可有益地增加沉積源組件的所需的維修行為之間的時間區間。
依據本文中所述的實施例，是在製程腔室或沉積系統中輸送沉積源（例如用於蒸發或昇華源材料的來源）。進一步地，是在製程腔室或沉積系統中分別輸送基板載體或基板及分別輸送遮罩載體或遮罩。為了減少粒子產生，以非接觸式懸浮輸送方式（例如磁浮輸送）來輸送沉積源、基板或基板載體及遮罩或遮罩載體中的一或更多者是有益的。如本揭示案的任何部分所使用的用語「非接觸式」可就以下的意義來了解：處理系統中所採用的構件（例如沉積源組件、載體或基板）的重量不是由機械接觸或機械力所支托的，而是由磁力所支托的。具體而言，是使用磁力而不是機械力來將沉積源組件或載體組件支托在懸浮或浮動狀態下。作為一實例，本文中所述的輸送裝置可不具有支撐沉積源組件的重量的機械構件（例如機械導軌）。在某些實施方式中，可能在沉積源移動經過基板的期間在沉積源組件及輸送裝置的其餘部分之間完全不存在機械接觸。
示例性地參照圖9A-9C，描述了用於非接觸式輸送沉積源組件的輸送裝置720。一般而言，輸送裝置720佈置在如本文中所述的製程模組510的真空製程腔室540中。具體而言，輸送裝置720經配置為用於沉積源的非接觸式懸浮、輸送及/或對準。沉積源的非接觸式懸浮、輸送及/或對準的有益之處在於，在輸送期間並不產生例如肇因於與導軌進行的機械接觸的粒子。據此，本文中所述的輸送裝置720的實施例提供了沉積於基板上的層的改良的純度及均勻性，因為在使用非接觸式懸浮、輸送及/或對準時最小化了粒子的產生。
相較於用於引導沉積源的機械構件而言的進一步優點是，本文中所述的實施例並不遭受影響沉積源沿著要塗覆的基板進行的移動直線性的摩擦力。沉積源的非接觸式輸送允許了沉積源的無摩擦移動，其中可以高精度及速度控制及維持沉積源及基板之間的目標距離。進一步地，懸浮允許沉積源速度的快速加速或減速及/或沉積源速度的精密調整。據此，如本文中所述的處理系統提供了改良的層均勻性，此層均勻性對於若干因素是敏感的，例如沉積源及基板之間的距離上的變化或沉積源在發射材料的同時沿著基板移動的速度上的變化。
進一步地，機械軌的材料一般遭受變形，變形可能是由腔室的抽空、由溫度、使用率、磨損等等所造成的。此類變形影響了沉積源及基板之間的距離，且因此影響了經沉積的層的均勻性。相較之下，如本文中所述的輸送裝置的實施例允許補償例如出現在引導結構中的任何潛在變形。更具體而言，裝置可經配置為用於沿著垂直方向（例如y方向）及/或沿著一或更多個橫向方向（例如x方向及z方向）非接觸式平移沉積源組件，如參照圖9A到9C所更詳細描述的。沉積源的對準範圍可為2 mm或以下，更具體而言為1 mm或以下。
在本揭示案中，術語「實質平行」的方向可包括彼此呈現最高10度（或甚至最高15度）的小角度的方向。進一步地，術語「實質垂直」的方向可包括彼此呈現小於90度（例如至少80度或至少75度）的角度的方向。類似的考量適用於實質平行或垂直的軸、平面、區域等等的觀念。
本文中所述的某些實施例涉及「垂直方向」的觀念。垂直方向被視為與重力所沿而延伸的方向實質平行的方向。垂直方向可偏離精確的垂直性（後者由重力所界定)例如最高15度的角度。例如，本文中所述的y方向(在圖式中以「Y」指示)是垂直方向。具體而言，圖式中所示的y方向界定了重力方向。
具體而言，本文中所述的輸送裝置可用於垂直基板處理。其中，基板在基板的處理期間是垂直定向的，亦即基板經佈置為與如本文中所述的垂直方向平行，亦即允許可能偏離精確的垂直性。可提供基板定向的相對於精確垂直性的小偏離，因為例如具有此類偏離的基板支架可能造成更穩定的基板位置或基板表面上的減少的粒子附著。基本垂直的基板相對於垂直定向可具有±15°或以下的偏離。
如圖9A中所示例性地繪示的，輸送裝置720一般包括沉積源組件730，沉積源組件包括如本文中所述的沉積源520及用於支撐沉積源520的來源支架531。具體而言，來源支架531可為來源裝運器(source cart)。可將沉積源520安裝到來源支架531。如由圖9A中的箭頭所指示，沉積源520經調適為用於發射用於沉積在基板101上的材料。進一步地，如圖9A中所示例性地示出的，遮罩330可佈置在基板101及沉積源520之間。可提供遮罩330用於防止由沉積源520所發射的材料沉積在基板101的一或更多個區域上。例如，遮罩330可為邊緣排除罩，邊緣排除罩經配置為用於遮蔽基板101的一或更多個邊緣區域，使得不在塗覆基板101的期間在一或更多個邊緣區域上沉積材料。作為另一實例，遮罩 可為遮蔽複數個特徵的遮陰罩，複數個特徵是以來自沉積源組件的材料沉積於基板上的。
進一步地，示例性地參照圖9A，沉積源組件730可包括第一有源磁單元741及第二有源磁單元742。輸送裝置720一般更包括以沉積源輸送方向延伸的引導結構770。引導結構770可具有沿著來源輸送方向延伸的直線形狀。沿著來源輸送方向的引導結構770的長度可從1m到6m。第一有源磁單元741、第二有源磁單元742及引導結構770經配置為用於提供用於懸浮沉積源組件730的第一磁浮力F1及第一磁浮力F2，如圖9A中所示例性的指示的。
在本揭示案中，「有源磁單元」或「有源磁構件」可為經調適為用於產生可調磁場的磁單元或磁構件。可在輸送裝置的操作期間動態調整可調磁場。例如，可在由沉積源520發射材料以供在基板101上沉積材料的期間調整磁場及/或可在層形成製程的沉積循環之間中調整磁場。替代性或附加性地，可基於沉積源組件730相對於引導結構的位置來調整磁場。可調磁場可為靜態的或動態的磁場。依據可與本文中所述的其他實施例結合的實施例，有源磁單元或構件可經配置為用於產生磁場以供提供沿著垂直方向延伸的磁浮力。或者，有源磁單元或構件可經配置為用於提供沿著橫向方向延伸的磁力(例如如下文所述的相反磁力)。例如，如本文中所述的有源磁單元或有源磁構件可為或包括選自由以下項目所組成的群組的構件：電磁設備；螺線管；線圈；超導磁鐵；或其任何組合。
如圖9A中所示例性地示出的，在輸送裝置720的操作期間，引導結構770的至少一部分可面向第一有源磁單元741。引導結構770及/或第一有源磁單元741可至少部分地佈置在沉積源520下方。引導結構770可為可靜態佈置在真空製程腔室中的靜態引導結構。具體而言，引導結構770可具有磁性。例如，引導結構770可由磁性材料（例如鐵磁體，具體而言是鐵磁鋼）製作。據此，引導結構可為或包括無源磁單元。
「無源磁單元」或「無源磁構件」的術語在本文中用來區別於「有源」磁單元或構件的觀念。無源磁單元或構件可指具有不經受有源控制或調整的磁性的單元或構件。例如，無源磁單元或構件可經調適為用於產生磁場，例如靜態磁場。無源磁單元或構件可不被配置為用於產生可調磁場。一般而言，無源磁單元或構件可為永久磁鐵或具有永久的磁性。
在沿著引導結構770非接觸式移動沉積源組件730的期間，沉積源520可朝向基板接收區域中的基板發射（例如持續發射）材料以供塗覆基板。沉積源組件730可沿著基板掃掠，使得在一次塗覆掃掠期間，可沿著來源輸送方向在基板的整個範圍上塗覆基板。在塗覆掃掠時，沉積源組件730可從初始位置開始且在不改變方向的情況下移動到最終位置。
依據可與本文中所述的其他實施例結合的實施例，第一有源磁單元可經配置為用於產生第一可調磁場以供提供第一磁浮力F1。第二有源磁單元可經配置為用於產生第二可調磁場以供提供第二磁浮力F2。裝置可包括控制器755，控制器經配置為用於個別控制第一有源磁單元741及/或第二有源磁單元742以供控制第一可調磁場及/或第二可調磁場以供對準沉積源。更具體而言，控制器755可經配置為用於控制第一有源磁單元及第二有源磁單元以供在垂直方向上平移對準沉積源。藉由控制第一有源磁單元及第二有源磁單元，可將沉積源組件定位在目標的垂直位置下。進一步地，可在控制器的控制下將沉積源組件維持在目標垂直位置下。
由第一有源磁單元741及第二有源磁單元742的個別可控制性所提供的旋轉自由度允許控制沉積源組件730相對於第一旋轉軸734的角定向。在控制器755的控制之下，可提供及/或維持目標角定向。
可在第一平面733的第一側733A處佈置進一步的有源磁單元743。操作時，進一步的有源磁單元743可面向引導結構770的第一部分771及/或可至少部分地提供在第一平面733及第一部分771之間。一般而言，第一無源磁單元745及引導結構770經配置為用於提供第一橫向力T1。
具體而言，第一無源磁單元745可經配置為用於產生磁場。由第一無源磁單元745所產生的磁場可與引導結構770的磁性交互作用以提供作用在沉積源組件730上的第一橫向力T1。第一相反力O1可抵消第一橫向力T1，使得沿著橫向方向(例如z方向)作用在沉積源組件730上的淨力是零。據此，可在不接觸的情況下將沉積源組件730支托在沿橫向方向的目標位置處。
如圖9A中所繪示，控制器755可經配置為用於控制進一步的有源磁單元743。進一步的有源磁單元743的控制行為可包括控制由進一步的有源磁單元743所產生的可調磁場以供控制第一相反橫向力O1。控制進一步有源磁單元743的行為可允許沿著橫向方向(例如z方向)非接觸式對準沉積源520。
示例性地參照圖9B，依據輸送裝置的某些實施例，可在引導結構處提供無源磁驅動單元780。例如，無源磁驅動單元780可為複數個永久磁鐵，具體而言是形成具有不同的極點定向的無源磁鐵組件的複數個永久磁鐵。複數個磁鐵可具有交替的極點定向以形成無源磁鐵組件。可在來源組件(例如來源支架531)處或中提供有源磁驅動單元781。無源磁驅動單元780及有源磁驅動單元781可提供驅力(例如非接觸式驅力)以供在來源組件懸浮的同時沿著引導結構移動。
圖9C示出依據可與本文中所述的其他實施例結合的實施例的來源支架531(例如來源裝運器)。如所示，可將以下單元安裝到來源支架531：沉積源520；第一有源磁單元741；第二有源磁單元742；第三有源磁單元747；第四有源磁單元748；第五有源磁單元749；第六有源磁單元750；第一無源磁單元751；第二無源磁單元752；或其任何組合。第五有源磁單元749可為如參照圖9A所描述的進一步的有源磁單元743。
藉由控制第一有源磁單元、第二有源磁單元、第三有源磁單元及第四有源磁單元，可沿著垂直方向平移對準沉積源。在控制器的控制之下，可沿著垂直方向（例如y方向）將沉積源定位在目標位置下。
藉由控制（具體而言是個別控制）第一有源磁單元、第二有源磁單元、第三有源磁單元及第四有源磁單元，可圍繞第一旋轉軸旋轉沉積源組件。類似地，藉由控制此等單元，可圍繞第二旋轉軸旋轉沉積源組件。控制有源磁單元的行為允許控制沉積源組件相對於第一旋轉軸的角定向及相對於第二旋轉軸的角定向以供對準沉積源。據此，可提供用於在角度上對準沉積源的兩個旋轉自由度。
示例性地參照圖10A-11E，描述了用於非接觸式懸浮、輸送及/或對準如本文中所述的處理系統中的載體組件或基板的進一步的輸送裝置820。在本揭示案中，「載體組件」可包括由以下項目所組成的群組的一或更多個構件：支撐基板的載體、不具有基板的載體、基板或由支架所支撐的基板。具體而言，是使用磁力而不是機械力來將載體組件支托在懸浮或浮動狀態下。作為一實例，本文中所述的進一步輸送裝置可不具有支撐沉積源組件的重量的機械構件（例如機械導軌）。在某些實施方式中，可能在系統中的載體組件的懸浮（且例如移動）期間在載體組件及進一步輸送裝置的其餘部分之間完全不存在機械接觸。
進一步的輸送裝置820經配置為用於沿著垂直方向（例如y方向）及/或沿著一或更多個橫向方向（例如x方向）非接觸式平移載體組件。進一步地，進一步的輸送裝置可經配置為用於相對於至少一個旋轉軸非接觸式旋轉載體組件以供例如相對於遮罩在角度上對準載體組件。
圖10A示出x-y平面上的示例性的進一步輸送裝置820的前視圖。一般而言，進一步的輸送裝置820可佈置在製程模組中（具體而言是真空製程腔室中）。此外，進一步的輸送裝置亦可提供在處理系統的至少一個進一步模組中（例如傳輸模組415及/或選路模組410及/或維修模組及/或遮罩載體匣320及/或遮罩載體裝載器310及/或第一緩存腔室151及/或第二緩存腔室及/或第一真空擺動模組131及/或進一步的真空擺動模組132中）。
如圖10A到10B中所示例性地示出的，進一步的輸送裝置820可包括載體組件880，載體組件可包括例如如本文中所述的基板載體中的要輸送的基板101。載體組件880一般包括第一無源磁構件851。如圖10A中所示例性地示出的，進一步的輸送裝置可包括以載體組件輸送方向延伸的進一步的引導結構870。引導結構包括複數個有源磁構件875。載體組件880經配置為可沿著進一步的引導結構770移動，如圖10A中以水平箭頭所示例性地指示的。第一無源磁構件851及進一步引導結構870的複數個有源磁構件875經配置為用於提供第一磁浮力以供懸浮載體組件880。
進一步地，如圖10A中所示例性地示出的，進一步的輸送裝置可包括驅動結構890。驅動結構可包括複數個進一步的有源磁構件895。載體組件可包括第二無源磁構件852（例如鐵磁性材料棒）以與驅動結構890的進一步的有源磁構件895交互作用。一般而言，複數個有源磁構件875中的有源磁構件提供與載體組件880的第一無源磁構件851交互作用的磁力。例如，第一無源磁構件851可為可為載體組件880的一部分的鐵磁性材料的棒或桿。或者，第一無源磁構件可與基板支架一體形成。進一步地，如圖10A及10B中所示例性地示出的，一般而言，載體組件880包括第二無源磁構件852（例如鐵磁性材料的進一步的棒或進一步的桿），第二無源磁構件可連接到載體組件880或與基板支架一體形成。
依據本文中所述的實施例，複數個有源磁構件875在第一無源磁構件851上提供了磁力且因此在載體組件880上提供了磁力。據此，複數個有源磁構件875懸浮載體組件880。一般而言，進一步的有源磁構件895經配置為沿著基板輸送方向（例如沿著圖10A及10B中所示的X方向，亦即沿著第一方向）驅動處理系統內的載體。據此，複數個進一步的有源磁構件895形成驅動結構以供在載體組件880被複數個有源磁構件875懸浮的同時移動載體組件。進一步的有源磁構件895與第二無源磁構件852交互作用以沿著基板輸送方向提供力。例如，第二無源磁構件852可包括複數個永久磁鐵，複數個永久磁鐵經佈置為具有交替的極性。第二無源磁構件852的造成的磁場可與複數個進一步的有源磁構件895交互作用以在載體組件880被懸浮的同時移動載體組件。
為了以複數個進一步的有源磁構件895懸浮載體組件880及/或為了以複數個進一步的有源磁構件895移動載體組件880，可控制有源磁構件以提供可調磁場。可調磁場可為靜態的或動態的磁場。依據可與本文中所述的其他實施例結合的實施例，有源磁構件經配置為用於產生磁場以供提供沿著垂直方向延伸的磁浮力。依據其他實施例（其可與本文中所述的進一步實施例結合），有源磁構件可經配置為用於提供沿著橫向方向延伸的磁力。如本文中所述的有源磁構件可為或包括選自由以下項目所組成的群組的構件：電磁設備；螺線管；線圈；超導磁鐵；或其任何組合。
圖10A及10B示出依據可與本文中所述的其他實施例結合的實施例的進一步輸送裝置820的操作狀態的側視圖。如所示，進一步的引導結構870可沿著載體組件的輸送方向（亦即圖10A及10B中的X方向）延伸。載體組件的輸送方向是如本文中所述的橫向方向。進一步的引導結構870可具有沿著輸送方向延伸的直線形狀。進一步的引導結構870沿著來源輸送方向的長度可從1到30 m。基板101可經佈置為在例如具有+15°的偏離的情況下與繪圖平面實質平行。可在基板處理（例如層沉積製程）期間在基板接收區域中提供基板。基板接收區域具有相較於基板的相對應尺度相同或稍微（例如5-20 %）較大的尺度（例如長度及寬度）。
在進一步輸送裝置820的操作期間，載體組件880可以輸送方向（例如x方向）沿著進一步的引導結構870平移。圖10A及10B示出相對於進一步的引導結構870沿著x方向的不同位置下的載體組件880。水平線箭頭指示驅動結構890的驅動力。其結果是，提供了載體組件880沿著進一步的引導結構870從左側到右側平移的行為。垂直箭頭指示作用在載體組件上的懸浮力。
第一無源磁構件851可具有在輸送方向上實質沿著第一無源磁構件851長度的磁性。由有源磁構件875'所產生的磁場與第一無源磁構件851的磁性交互作用以提供第一磁浮力及第二磁浮力。據此，可提供載體組件880的非接觸式懸浮、輸送及對準行為。
如圖10A中所示，在第一位置處提供載體組件880。依據本揭示案的實施例，二或更多種有源磁構件875'（例如二或三個有源磁構件875）被載體控制器840啟動以產生用於懸浮載體組件880的磁場。依據本揭示案的實施例，載體組件在無機械接觸的情況下懸吊在進一步的引導結構870下方。
在圖10A中，兩個有源磁構件875'提供磁力，磁力由垂直箭頭所指示。磁力抵消重力以懸浮載體組件。載體控制器840可個別控制兩個有源磁構件875'以將載體組件維持在懸浮狀態下。進一步地，可由載體控制器840控制一或更多個進一步的有源磁構件895'。進一步的有源磁構件與第二無源磁構件852（例如一組交替的永久磁鐵）交互作用以產生由水平箭頭所指示的驅動力。驅動力沿著輸送方向移動基板（例如由載體組件的支架所支撐的基板）。如圖10A中所示，輸送方向可為X方向。依據本揭示案的某些實施例（其可與本文中所述的其他實施例結合），進一步的有源磁構件895'（其同時被控制以提供驅動力）的數量為1到3個。載體組件的移動行為沿著輸送方向（例如X方向）移動基板。據此，在第一位置處，將基板定位在第一群有源磁構件下方，而在進一步的不同位置處，將基板定位在進一步的不同群的有源磁構件下方。控制器控制哪些有源磁構件針對各別的位置提供懸浮力及控制各別的有源磁構件懸浮載體組件。例如，可在基板移動的同時由後續的有源磁構件提供懸浮力。依據本文中所述的實施例，將載體組件從一組有源磁構件交遞到另一組有源磁構件。
圖10B示出第二位置（例如處理位置）下的載體組件，其中在製程模組中處理基板。在處理位置下，可將載體組件移動到所需的位置。將基板相對於遮罩與本揭示案中所述的非接觸式輸送系統對準。
在第二位置下，如圖10B中所示例性地示出的，兩個有源磁構件875'提供由左垂直箭頭所指示的第一磁力及由右垂直箭頭所指示的第二磁力。載體控制器840控制兩個有源磁構件875'以提供垂直方向（例如圖10B中的Y方向）上的對準。進一步地，附加性或替代性地，載體控制器840控制兩個有源磁構件875'以提供對準，其中在X-Y平面上旋轉載體組件。藉由比較虛線的載體組件的位置及以實線繪製的載體組件880的位置，兩個對準移動可示例性地見於圖10B中。
控制器可經配置為用於控制有源磁構件875'以供在垂直方向上平移對準載體組件。藉由控制有源磁構件，可將載體組件880定位在目標垂直位置下。可在載體控制器840的控制之下將載體組件880維持在目標垂直位置下。據此，控制器可經配置為用於控制有源磁構件875'以供相對於第一旋轉軸（例如與主要基板表面垂直的旋轉軸，例如本揭示案中在Z方向上延伸的旋轉軸）在角度上對準沉積源。
在某些實施方式中，載體組件880包括或為電動力夾具或壁虎夾（Gecko chuck, G-chuck）。壁虎夾可具有支撐面，支撐面用於將基板支撐在其上。夾持力可為作用在基板上以將基板固定在支撐面上的電動力。
圖11示出一流程圖，流程圖繪示在2或更多個基板上沉積經蒸發的源材料的方法。依據某些實施例，如方塊1001中所示例性地繪示的，將第一基板移動到真空製程腔室中。將第一基板及沉積源組件如方塊1002所繪示地彼此相對移動，其中在沉積源組件的第一側處從沉積源組件噴射氣態源材料。例如，沉積源組件沿著第一基板掃描以供沉積薄膜（例如用於製造OLED設備的有機材料的薄膜）。例如，薄膜可包括二或更多種有機材料，例如母質或摻雜物。如由方塊1003所繪示，將第二基板移到真空製程腔室中。例如，可沿著輸送軌道佈置的第一軌道移動第一基板，且可沿著輸送軌道佈置的第二軌道移動第二基板。為了在第二基板上沉積薄膜，在沉積源組件的第二側上從沉積源組件噴射氣態源材料的同時，沉積源組件及第二基板彼此相對移動，第二側與沉積源組件的第一側相反，參照方塊1004。
可以如針對圖9A到9C所描述的磁浮提供掃描沉積源組件的行為。可藉由移動一或更多個可動快門來提供沉積源組件的一側及沉積源組件的相反的第二側上的源材料噴射行為之間的切換行為。或者，如針對圖8所描述，可在沉積源組件的兩側上同時提供噴射氣態源材料的行為。
本揭示案中提供了複數個實施例、態樣及細節，其中的某些列舉於下作為示例性實施例（EE）。EE1: 一種用於蒸發源材料的沉積源組件包括：主體，包括源材料儲存器及分配管組件，分配管組件用於以第一方向及與第一方向相反的第二方向引導氣態源材料。EE2: 如EE1所述的沉積源組件，更包括：一或更多個可動快門，用於選擇性地阻擋氣態源材料沿著第一方向及第二方向中的至少一者的傳播。EE3: 如EE2所述的沉積源組件，其中一或更多個可動快門中的第一可動快門經配置為阻擋以第一方向引導的氣態源材料，而一或更多個可動快門中的第二可動快門經配置為阻擋以第二方向引導的氣態源材料。EE4: 如EE2所述的沉積源組件，其中一或更多個可動快門經配置為能夠阻擋以第一方向及第二方向引導的氣態源材料。EE5: 如EE1到4中的任何者所述的沉積源組件，更包括用來將源材料汽化成氣態源材料的加熱器。EE6: 如EE1到5中的任何者所述的沉積源組件，其中第一方向及第二方向之間的角度是在120°及180°之間。EE7: 如EE1到6中的任何者所述的沉積源組件，其中分配管組件包括第一複數個開口及第二複數個開口，第一複數個開口形成用於以第一方向引導氣態源材料的線源，第二複數個開口形成用於以第二方向引導氣態源材料的進一步線源。EE8: 如EE7所述的沉積源組件，其中在分配管組件的分配管中提供第一複數個開口，且在分配管組件的分配管中提供第二複數個開口。EE9: 如EE7所述的沉積源組件，其中在分配管組件的第一分配管中提供第一複數個開口，且在分配管組件的第二分配管中提供第二複數個開口。EE10: 如EE9所述的沉積源組件，其中第一分配管及第二分配管是由共用的來源支架所支撐的。EE11: 如EE9或EE10所述的沉積源組件，其中背對背地提供或並排地提供第一分配管及第二分配管。
針對沉積裝置提供了進一步的示例性實施例。EE12: 一種用於在基板上沉積經蒸發的源材料的沉積裝置，包括：真空腔室；第一基板支架軌道，提供在真空腔室中，其中第一基板支架軌道經配置為將基板支撐在第一沉積區域中；第二基板支架軌道，提供在真空腔室中，其中第二基板支架軌道經配置為將進一步基板支撐在第二沉積區域中，且其中在第一沉積區域及第二沉積區域之間提供一空間；及沉積源組件，用於蒸發提供在第一沉積區域及第二沉積區域之間的空間中的源材料，其中沉積源組件包括主體，主體包括源材料儲存器及分配管組件，分配管組件用於以第一方向在第一側上及以第二方向在與第一側相反的第二側上噴射氣態源材料。EE13: 如EE12所述的沉積裝置，其中沉積源組件更包括一或更多個可動快門，一或更多個可動快門用於選擇性地阻擋氣態源材料沿著第一方向及第二方向中的至少一者的傳播。EE14: 如EE12或13所述的沉積裝置，其中分配管組件包括第一複數個開口及第二複數個開口，第一複數個開口形成用於以第一方向引導氣態源材料的線源，第二複數個開口形成用於以第二方向引導氣態源材料的進一步線源。EE15: 如EE12到14中的任何者所述的沉積裝置，其中第一沉積區域、第二沉積區域及分配管的長度方向與重力方向平行或相對於重力方向具有20°或以下的角度，角度例如為15°或以下。EE16: 如EE12到14中的任何者所述的沉積裝置，其中第一沉積區域、第二沉積區域及分配管的長度方向與重力方向垂直或相對於重力方向具有70°到110°的角度，角度例如為75°到105°。EE17: 如EE14所述的沉積裝置，其中沉積源組件及基板輸送組件經配置為提供沿著平移方向將沉積源組件及基板彼此相對移動的行為，使得平移方向及線源方向引發將氣態源材料沉積在第一沉積區域及第二沉積區域中的一者中的基板上。
針對沉積經蒸發的源材料的方法提供了進一步的示例性實施例。EE18: 一種在二或更多個基板上沉積經蒸發的源材料的方法，包括以下步驟：沿著第一基板支架軌道在真空製程腔室中移動二或更多個基板中的第一基板；在沉積源組件的第一側噴射氣態源材料的同時，將第一基板及沉積源組件彼此相對移動；沿著第二基板支架軌道在真空製程腔室中移動二或更多個基板中的第二基板；及在沉積源組件與沉積源組件的第一側相反的第二側處噴射氣態源材料的同時，將第二基板及沉積源組件彼此相對移動。EE19: 如EE18所述的方法，其中將第一基板及沉積源組件彼此相對移動的步驟及其中將第二基板及沉積源組件彼此相對移動的步驟是藉由沉積源在第一基板支架軌道及第二基板支架軌道之間的非接觸式移動來提供的。EE20: 如EE18或19所述的方法，其中從第一側及第二側選擇性地噴射氣態源材料的步驟包括移動一或更多個可動快門。
儘管以上所述是針對某些實施例，可自行設計其他的及進一步的實施例而不脫離基本範疇，且範疇是由隨後的申請專利範圍所決定的。
100‧‧‧處理系統
101‧‧‧第一基板
101A‧‧‧第一基板
101B‧‧‧第二基板
110‧‧‧裝載閘腔室
111‧‧‧第一預處理腔室
112‧‧‧第二預處理腔室
115‧‧‧第一閘閥
116‧‧‧卸載鎖腔室
117‧‧‧進一步的閘閥
120‧‧‧基板搬運腔室
121‧‧‧第一基板搬運腔室
122‧‧‧進一步的基板搬運腔室
130‧‧‧真空擺動模組
131‧‧‧第一真空擺動模組
132‧‧‧進一步的真空擺動模組
151‧‧‧第一緩存腔室
152‧‧‧第二緩存腔室
210‧‧‧基板載體裝載器
220‧‧‧基板載體模組
310‧‧‧遮罩載體裝載器
311‧‧‧第一遮罩載體裝載器
312‧‧‧第二遮罩載體裝載器
313‧‧‧遮罩清潔腔室
320‧‧‧遮罩載體匣
330‧‧‧遮罩
332‧‧‧遮罩載體
410‧‧‧選路模組
411‧‧‧第一選路模組
412‧‧‧進一步的選路模組
415‧‧‧傳輸模組
417‧‧‧真空選路腔室
418‧‧‧支撐結構
419‧‧‧旋轉軸
420‧‧‧旋轉單元
431‧‧‧第一連接凸緣
432‧‧‧第二連接凸緣
510‧‧‧製程模組
511‧‧‧第一製程模組
512‧‧‧進一步的製程模組
520‧‧‧沉積源
520-1‧‧‧第一沉積源
520-2‧‧‧第二沉積源
524‧‧‧可動快門
531‧‧‧來源支架
533‧‧‧坩堝
533-1‧‧‧第一坩堝
533-2‧‧‧第二坩堝
535‧‧‧分配管
535-1‧‧‧第一分配管
535-2‧‧‧第二分配管
538‧‧‧開口
539‧‧‧箭頭
539-1‧‧‧第一分配管
539-2‧‧‧第二分配管
540‧‧‧真空製程腔室
550‧‧‧對準系統
610‧‧‧維修模組
611‧‧‧第一維修模組
612‧‧‧第二維修模組
710‧‧‧輸送系統
711‧‧‧第一輸送軌道
712‧‧‧第二輸送軌道
713‧‧‧進一步的軌道
715‧‧‧輸送軌道佈置
720‧‧‧輸送裝置
730‧‧‧沉積源組件
731‧‧‧箭頭
733‧‧‧第一平面
733A‧‧‧第一側
734‧‧‧第一旋轉軸
741‧‧‧第一有源磁單元
742‧‧‧第二有源磁單元
743‧‧‧進一步的有源磁單元
745‧‧‧第一無源磁單元
747‧‧‧第三有源磁單元
748‧‧‧第四有源磁單元
749‧‧‧第五有源磁單元
750‧‧‧第六有源磁單元
751‧‧‧第一無源磁單元
752‧‧‧第二無源磁單元
755‧‧‧控制器
770‧‧‧引導結構
771‧‧‧第一部分
780‧‧‧無源磁驅動單元
781‧‧‧有源磁驅動單元
810‧‧‧薄膜封裝腔室
820‧‧‧進一步的輸送裝置
840‧‧‧載體控制器
851‧‧‧第一無源磁構件
852‧‧‧第二無源磁構件
870‧‧‧進一步的引導結構
875‧‧‧有源磁構件
875'‧‧‧有源磁構件
880‧‧‧載體組件
890‧‧‧驅動結構
895‧‧‧進一步的有源磁構件
895'‧‧‧進一步的有源磁構件
1000‧‧‧處理佈置
1001‧‧‧方塊
1002‧‧‧方塊
1003‧‧‧方塊
1004‧‧‧方塊
F1‧‧‧第一磁浮力
F2‧‧‧第二磁浮力
G‧‧‧重力
O1‧‧‧第一相反橫向力
T1‧‧‧第一橫向力
可藉由參照實施例來擁有更具體的描述，使得可使用詳細的方式來了解（以上所簡要概述的）以上所載的特徵。隨附的繪圖與實施例相關且說明如下： 圖1A示出繪示本揭示案的實施例的製程模組的示意圖； 圖1B示出繪示本揭示案的實施例的示例性沉積源組件的示意圖； 圖2示出繪示本揭示案的實施例且具有用於共蒸發三種材料的沉積源組件的進一步製程模組的示意圖； 圖3A示出依據本文中所述的實施例的兩個相鄰的選路模組的示意圖，各個選路模組具有連接到選路模組的製程模組； 圖3B示出依據本文中所述的實施例的處理系統的選路模組的示意透視圖； 圖4A示出繪示本揭示案的實施例且具有沉積源組件的進一步製程模組的示意圖，沉積源組件具有以背對背方式提供的分配管； 圖4B示出繪示如圖4A中所示的本揭示案實施例的示例性沉積源組件的示意圖； 圖5A示出繪示本揭示案的實施例且具有沉積源組件的進一步製程模組的示意圖，沉積源組件具有以背對背方式提供的分配管； 圖5B示出繪示本揭示案的實施例且具有沉積源組件的進一步製程模組的示意圖，沉積源組件具有以並排方式提供的分配管； 圖6A示出依據本文中所述的實施例的具有第一模組佈局配置的處理系統的示意圖； 圖6B示出依據本文中所述的實施例的具有第二模組佈局配置的處理系統的一部分的示意圖； 圖7A示出繪示本揭示案的實施例且具有用於共蒸發三種材料的沉積源組件的進一步製程模組的示意圖，其中提供了移動的來源； 圖7B示出繪示本揭示案的實施例且具有用於共蒸發三種材料的沉積源組件的進一步製程模組的示意圖，其中提供了移動的基板； 圖8示出繪示本揭示案的實施例且具有用於共蒸發三種材料的沉積源組件的進一步製程模組的示意圖，其中提供了移動的來源； 圖9A及9B示出依據本文中所述的實施例的用於在處理系統中輸送沉積源的輸送裝置的示意圖； 圖9C示出依據本文中所述的實施例的用於支撐沉積源的沉積源支架的示意圖； 圖10A及10B示出依據本文中所述的實施例的用於在處理系統中輸送載體組件的進一步輸送裝置的各種實施例的示意圖；及 圖11示出一流程圖，此流程圖繪示本揭示案的實施例且關於用來沉積經蒸發的源材料的方法。
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Claims (19)

  1. 一種用於蒸發源材料的沉積源組件，包括：一主體，包括一源材料儲存器及一分配管組件，該分配管組件包括用於以一第一方向引導氣態源材料的第一複數個開口，以及以與該第一方向相反的一第二方向引導該氣態源材料的第二複數個開口，其中在該分配管組件的一第一分配管中提供該第一複數個開口，而在該分配管組件的一第二分配管中提供該第二複數個開口，該第一分配管與該第二分配管係藉由一共同的來源支架所支撐，以提供一來源裝運器(source cart)。
  2. 如請求項1所述的沉積源組件，更包括：一或更多個可動快門，用於選擇性地阻擋該氣態源材料沿著該第一方向及該第二方向中的至少一者的傳播。
  3. 如請求項2所述的沉積源組件，其中該一或更多個可動快門中的一第一可動快門經配置為阻擋以該第一方向引導的氣態源材料，而該一或更多個可動快門中的一第二可動快門經配置為阻擋以該第二方向引導的氣態源材料。
  4. 如請求項2所述的沉積源組件，其中該一或更多個可動快門經配置為能夠阻擋以該第一方向及該第二方向引導的氣態源材料。
  5. 如請求項1到4中的任何者所述的沉積源組件，更包括用來將該源材料汽化成該氣態源材料的一加熱器。
  6. 如請求項1到4中的任何者所述的沉積源組件，其中該第一方向及該第二方向之間的一角度是在120°及180°之間。
  7. 如請求項1到4中的任何者所述的沉積源組件，其中該第一複數個開口形成用於以該第一方向引導該氣態源材料的一線源，該第二複數個開口形成用於以該第二方向引導該氣態源材料的一進一步線源。
  8. 如請求項1所述的沉積源組件，其中背對背地提供或並排地提供該第一分配管及該第二分配管。
  9. 一種用於在一基板上沉積經蒸發的源材料的沉積裝置，包括：一真空腔室；一第一基板支架軌道，提供在該真空腔室中，其中該第一基板支架軌道經配置為將一基板支撐在一第一沉積區域中； 一第二基板支架軌道，提供在該真空腔室中，其中該第二基板支架軌道經配置為將一進一步基板支撐在一第二沉積區域中，且其中在該第一沉積區域及該第二沉積區域之間提供一空間；及一沉積源組件，用於蒸發提供在該第一沉積區域及該第二沉積區域之間的該空間中的源材料，其中該沉積源組件包括一主體，該主體包括一源材料儲存器及一分配管組件，該分配管組件包括用於以一第一方向在一第一側上噴射氣態源材料的第一複數個開口，以及以一第二方向在與該第一側相反的一第二側上噴射該氣態源材料的第二複數個開口，其中在該分配管組件的一第一分配管中提供該第一複數個開口，而在該分配管組件的一第二分配管中提供該第二複數個開口，該第一分配管與該第二分配管係藉由一共同的來源支架所支撐，以提供一來源裝運器。
  10. 如請求項9所述的沉積裝置，其中該沉積源組件更包括一或更多個可動快門，該一或更多個可動快門用於選擇性地阻擋該氣態源材料沿著該第一方向及該第二方向中的至少一者的傳播。
  11. 如請求項9到10中的任何者所述的沉積裝置，其中該分配管組件包括第一複數個開口及第二複數個開口，該第一複數個開口形成用於以該第一方 向引導該氣態源材料的一線源，該第二複數個開口形成用於以該第二方向引導該氣態源材料的一進一步線源。
  12. 如請求項9到10中的任何者所述的沉積裝置，其中該第一沉積區域、該第二沉積區域及該分配管的一長度方向與一重力方向平行或相對於該重力方向具有20°或以下的一角度。
  13. 如請求項9到10中的任何者所述的沉積裝置，其中該第一沉積區域、該第二沉積區域及該分配管的一長度方向與一重力方向平行或相對於該重力方向具有15°或以下的一角度。
  14. 如請求項9到10中的任何者所述的沉積裝置，其中該第一沉積區域、該第二沉積區域及該分配管的一長度方向與一重力方向垂直或相對於該重力方向具有70°到110°的一角度。
  15. 如請求項9到10中的任何者所述的沉積裝置，其中該第一沉積區域、該第二沉積區域及該分配管的一長度方向與一重力方向垂直或相對於該重力方向具有75°到105°的一角度。
  16. 如請求項9到10中的任何者所述的沉積裝置，其中該沉積源組件及一基板輸送組件經配置為提供沿著一平移方向將該沉積源組件及該基板彼此相 對移動的一行為，使得該平移方向及一線源方向引發將該氣態源材料沉積在該第一沉積區域及該第二沉積區域中的一者中的一基板上。
  17. 一種在二或更多個基板上沉積經蒸發的源材料的方法，包括以下步驟：沿著一第一基板支架軌道在一真空製程腔室中移動該二或更多個基板中的一第一基板；在一沉積源組件的一第一側噴射氣態源材料的同時，將該第一基板及該沉積源組件彼此相對移動；沿著一第二基板支架軌道在該真空製程腔室中移動該二或更多個基板中的一第二基板；及在該沉積源組件與該沉積源組件的該第一側相反的一第二側處噴射氣態源材料的同時，將該第二基板及該沉積源組件彼此相對移動。
  18. 如請求項17所述的方法，其中將該第一基板及該沉積源組件彼此相對移動的步驟及其中將該第二基板及該沉積源組件彼此相對移動的步驟是藉由該沉積源在該第一基板支架軌道及該第二基板支架軌道之間的一非接觸式移動來提供的。
  19. 如請求項17到18中的任何者所述的方法，其中從該第一側及該第二側選擇性地噴射該氣態源材料的步驟包括移動一或更多個可動快門。
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