JP2019512045A - 基板の真空処理のための装置、有機材料を有するデバイスの製造のためのシステム、及び処理真空チャンバと保守真空チャンバを互いから密封するための方法 - Google Patents

基板の真空処理のための装置、有機材料を有するデバイスの製造のためのシステム、及び処理真空チャンバと保守真空チャンバを互いから密封するための方法 Download PDF

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Abstract

本開示は、基板の真空処理のための装置（１００）を提供する。装置（１００）は、処理真空チャンバ（１１０）、保守真空チャンバ（１２０）、処理真空チャンバ（１１０）と保守真空チャンバ（１２０）との間で材料堆積源（１０００）の少なくとも一部分を移送するための開口部（１３０）、及び開口部（１３０）を磁気的に閉鎖するための磁気閉鎖アレンジメント（１４０）を含む。【選択図】図１

Description

本開示の実施形態は、基板の真空処理のための装置、有機材料を有するデバイスの製造のためのシステム、及び処理真空チャンバと保守真空チャンバを互いから密封するための方法に関する。本開示の実施形態は、特に、有機発光ダイオード（OLED）デバイスの製造で使用される装置、システム、及び方法に関する。
基板上での層堆積のための技術は、例えば、熱蒸散（thermal evaporation）、物理的気相堆積（PVD）、及び化学気相堆積（CVD）を含む。被覆された基板は、幾つかの用途や幾つかの技術分野で使用することができる。例えば、被覆された基板は、有機発光ダイオード（OLED）デバイスの分野で使用され得る。ＯＬＥＤは、情報を表示するための、テレビ画面、コンピュータモニタ、携帯電話、及び他の携帯型デバイスなどの製造において使用され得る。ＯＬＥＤディスプレイなどのＯＬＥＤデバイスは、全てが基板上に堆積した２つの電極の間に配置された有機材料の１以上の層を含み得る。
ＯＬＥＤデバイスは、例えば、処理装置の真空チャンバ内で蒸発する幾つかの有機材料のスタックを含み得る。有機材料は、蒸発源を使用して、シャドーマスクを通して、連続的なやり方で基板上に堆積される。基板、シャドーマスク、及び蒸発源は、真空チャンバの内部に設けられる。蒸発源は、時々、補修され補充されることが必要である。蒸発源を補修し補充するために、処理装置はシャットダウンされ、真空チャンバは通気され、蒸発源は真空チャンバから除去されることが必要である。この観点から、蒸発源を補修し補充することは、かなりの作業負荷をもたらし、時間がかかり、処理装置のダウンタイムを増加させ、低減された処理効率又はスループットをもたらす。
したがって、蒸発源などの材料堆積源の補修及び補充を容易にし、処理装置のダウンタイムを低減させる、装置、システム、及び方法が必要である。
上述のことに照らして、基板の真空処理のための装置、有機材料を有するデバイスの製造のためのシステム、及び処理真空チャンバと保守真空チャンバを互いから密封するための方法が提供される。本開示の更なる態様、利点、及び特徴は、特許請求の範囲、明細書、及び添付図面から明らかになる。
本開示の一態様によれば、基板の真空処理のための装置が提供される。該装置は、処理真空チャンバ、保守真空チャンバ、処理真空チャンバと保守真空チャンバとの間で材料堆積源の少なくとも一部分を移送するための開口部、及び該開口部を磁気的に閉鎖するための磁気閉鎖アレンジメントを含む。
本開示の別の一態様によれば、有機材料を有するデバイスの製造のためのシステムが提供される。該システムは、本明細書で説明される実施形態による基板の真空処理のための装置、及び処理真空チャンバ内で基板キャリアとマスクキャリアのうちの少なくとも一方を非接触方式で移送するように構成された移送アレンジメントを含む。
本開示の更なる一態様によれば、処理真空チャンバと保守真空チャンバを互いから密封するための方法が提供される。該方法は、磁力を使用して密封デバイスを開口部に保持することを含む。
実施形態は、本開示の方法を実行するための装置も対象としており、各説明される方法態様を実行するための装置部分を含む。これらの方法態様は、ハードウェア構成要素を用いて、適切なソフトウェアによってプログラミングされたコンピュータを用いて、これらの２つの任意の組合せによって、又はそれ以外の任意のやり方で実行され得る。更に、本開示による実施形態は、説明される装置を操作するための方法も対象とする。説明される装置を操作する方法は、装置のあらゆる機能を実施するための方法態様を含む。
本開示の上記の特徴を詳細に理解することができるように、実施形態を参照することによって、上で簡単に概説した本開示のより具体的な説明を得ることができる。添付の図面は本開示の実施形態に関連し、以下の記述において説明される。
本明細書で説明される実施形態による、基板の真空処理のための装置の概略的な上面図を示す。 本明細書で説明される実施形態による、基板の真空処理のための装置の概略的な上面図を示す。 本明細書で説明される更なる実施形態による、基板の真空処理のための装置の概略的な上面図を示す。 本明細書で説明される実施形態による、密封デバイスを用いて装置の開口部を閉鎖する概略的なシーケンスを示す。 本明細書で説明される実施形態による、解放状態の磁気閉鎖アレンジメントの概略図を示す。 本明細書で説明される実施形態による、チャッキング状態の磁気閉鎖アレンジメントの概略図を示す。 本明細書で説明されるまた更なる実施形態による、基板の真空処理のための装置の概略的な上面図を示す。 本明細書で説明されるまた更なる実施形態による、基板の真空処理のための装置の概略的な上面図を示す。 本明細書で説明されるまた更なる実施形態による、基板の真空処理のための装置の概略的な上面図を示す。 本明細書で説明される他の実施形態による、基板の真空処理のための装置の概略的な斜視図を示す。 本明細書で説明される実施形態による、処理真空チャンバと保守真空チャンバを互いから密封するための方法のフローチャートを示す。
次に、本開示の様々な実施形態が詳細に参照されることになり、その１以上の実施例が図示される。図面に関する以下の説明の中で、同じ参照番号は同じ構成要素を指している。概して、個々の実施形態に対する相違のみが説明される。本開示の説明として各実施例が与えられているが、これは本開示を限定することを意図しているわけではない。更に、一実施形態の部分として図示且つ説明されている特徴を、他の実施形態で用いてもよく、或いは他の実施形態と併用してもよい。それにより、更に別の実施形態が生み出される。本説明には、このような修正例及び変形例が含まれることが意図されている。
本明細書で開示される実施形態は、蒸発源などの材料堆積源の補修及び／又は補充を容易にし、処理装置のダウンタイムを低減させることができる。特に、材料堆積源の少なくとも一部分が、密封可能な開口部を介して、処理真空チャンバから保守真空チャンバへ、その逆へ、移送され得るように、保守真空チャンバは、処理真空チャンバに連結されている。保守真空チャンバは、処理真空チャンバから独立して通気され得る。材料堆積源は、例えば、材料堆積源が使い尽くされた後で交換され、且つ／又は、真空システムを通気することなしに且つ／若しくは生産を停止することなしに、保守真空チャンバ内で補修され得る。
密封可能な開口部は、磁気閉鎖アレンジメントを使用して閉鎖することが可能である。例えば、補修フランジなどの密封デバイスは、開口部をカバーすることができ、開口部を密封するために開口部で磁気的に保持され得る。磁気密封により、真空システム内の機械的可動部品の数を減らすことができる。このような機械的可動部品に起因する粒子の生成を減らすことができ、基板上に堆積される材料層の品質を改善することができる。
図１Ａ及び図１Ｂは、本明細書で説明される実施形態による、基板の真空処理のための装置１００の概略的な上面図を示している。装置１００は、例えば、ＯＬＥＤデバイスを製造するために、有機材料の層を基板上に堆積させるように構成され得る。
装置１００は、処理真空チャンバ１１０、保守真空チャンバ１２０、処理真空チャンバ１１０と保守真空チャンバ１２０との間で材料堆積源の少なくとも一部分を移送するための開口部１３０、及び開口部１３０を磁気的に閉鎖するための磁気閉鎖アレンジメント１４０を含む。磁気閉鎖アレンジメント１４０は、開口部１３０に設けられ得る。装置１００は、開口部１３０を閉鎖するように構成された、補修フランジなどの密封デバイスを更に含み得る。例示的な密封デバイスが、図２に関連して説明される。
本明細書の他の実施形態と組み合わされ得る、ある実施形態によれば、材料堆積源は、例えば、有機材料のための蒸発源１０００であり得る。蒸発源１０００は、蒸発坩堝１０４、分配管１００６、及び任意選択的に分配管１００６のための支持体１００２を含み得る。蒸発坩堝１００４は、基板上での堆積のために有機材料を蒸発させるように構成され得る。分配管１００６は、１以上の出口を有し、蒸発坩堝１００４と流体連通し得る。ある実施態様では、分配管１００６は、蒸発中に軸の周りで回転可能である。
図１Ａ及び図１Ｂは、蒸発源１０００が異なる位置にある状態の装置１００を示している。図１Ａでは、蒸発源１０００が、処理真空チャンバ１１０内に配置され、図１Ｂでは、蒸発源１０００が、例えば、補修及び／又は補充のために保守真空チャンバ１２０内に配置されている。図１Ａ及び図１Ｂは、１つの蒸発源を示しているが、ある実施例では、２以上の蒸発源が、装置１００内に設けられ得る。一実施例として、第１の蒸発源は、処理真空チャンバ１１０内に配置され得る。第２の蒸発源は、保守真空チャンバ１２０内に配置され得る。第１の蒸発源は、製造デバイス、特に、内部に有機材料を含むデバイスのために操作され得る。一方、第２の蒸発源は、保守真空チャンバ１２０内に配置され、同時に補修及び／又は補充され得る。装置１００のダウンタイムは、更に低減され又は避けることさえ可能である。
本明細書で説明される他の実施形態と組み合わされ得る、ある実施形態によれば、装置１００は、処理真空チャンバ１１０から保守真空チャンバ１２０へ、保守真空チャンバ１２０から処理真空チャンバ１１０へ、蒸発源１０００などの材料堆積源を移送するように構成された、（図示せぬ）移送デバイスを含む。移送デバイスは、移送を実行するために材料堆積源に連結可能な、アクチュエータ、ドライブ、又はアームなどの移動デバイスを含み得る。
蒸発源１０００は、蒸発材料を含むように適合された１以上の蒸発坩堝１００４、及び１以上の分配管１００６を含み得る。本明細書で説明される他の実施形態と組み合わされ得る、ある実施形態によれば、装置１００、及び特に蒸発源１０００は、分配管１００６のための支持体１００２を含む。分配管１００６は、支持体１００２によって支持され得る。更に、ある実施形態によれば、１以上の蒸発坩堝１００４も、支持体１００２によって支持され得る。ある実施態様では、蒸発源１０００が、特に、蒸発中に、軸の周りで回転するように構成されている。ある実施態様では、分配管１００６が、蒸気分配シャワーヘッドであり、特に、直線的な蒸気分配シャワーヘッドである。分配管１００６は、本質的に垂直に延在する線源を設け得る。
ある実施形態では、一方の基板寸法に対応する一方の方向に延在する蒸発源１０００、及び、他方の基板寸法に対応する他方の方向に沿った（図１Ａにおいて矢印で示されている）並進移動、を使用して基板の表面が被覆される。蒸発坩堝１００４内で生成された蒸気は、上向きに移動し、分配管１００６の１以上の排出口から排出され得る。分配管１００６の１以上の排出口は、例えば、シャワーヘッド又は別の蒸気分配システム内に設けられ得る、１以上の開口部又は１以上のノズルであり得る。蒸発源１０００は、蒸気分配シャワーヘッド、例えば、複数のノズル又は開口部を有する直線的な蒸気分配シャワーヘッドを含み得る。本明細書で理解されるシャワーヘッドは、シャワーヘッド内の圧力がシャワーヘッドの外側の圧力よりも、例えば、少なくとも１桁ほど、高くなるような開口部を有する筐体を含み得る。
ある実施態様では、エッジ除外マスク又はシャドーマスクなどのマスクが、層堆積プロセス中に基板をマスキングするために設けられ得る。「マスキング」という用語は、基板の１以上の領域上での材料の堆積を低減させること及び／又は妨げることを含み得る。例えば、マスキングは、被覆されるべき領域を画定するために有用であり得る。ある用途では、基板の特定の部分のみが被覆され、被覆されるべきでない部分は、マスクによってカバーされている。
本明細書で説明される他の実施形態と組み合わされ得る、ある実施形態によれば、基板は、静電チャックなどの基板キャリアによって支持され得る。マスクは、マスクキャリアによって支持され得る。図１Ａでは、２つの基板、例えば、第１の基板１０Ａと第２の基板１０Ｂ、及び２つのマスク、例えば、第１のマスク２０Ａと第２のマスク２０Ｂが、例示的に示されている。（１以上の）基板を支持する（１以上）の基板キャリアは、（１以上の）基板キャリアを移送するように構成された、１以上の第１のトラックなどの、それぞれの第１の移送アレンジメント上に支持され得る。マスクを支持するマスクキャリアは、（１以上の）マスクキャリアを移送するように構成された、１以上の第２のトラックなどの、それぞれの第２の移送アレンジメント上に支持され得る。
本明細書で説明される他の実施形態と組み合わされ得る、ある実施形態によれば、基板キャリア及び／又はマスクキャリアの非接触方式の浮揚及び／又は非接触方式の移送のために構成された移送アレンジメントが、設けられ得る。特に、第１の移送アレンジメントは、基板キャリアの非接触方式の浮揚及び／又は非接触方式の移送のために構成され得る。同様に、第２の移送アレンジメントは、マスクキャリアの非接触方式の浮揚及び／又は非接触方式の移送のために構成され得る。一実施例として、有機材料を有するデバイスの製造のためのシステムは、本開示の装置、及び、処理真空チャンバ内での基板キャリアとマスクキャリアのうちの少なくとも一方の非接触方式の移送のために構成された移送アレンジメントを含み得る。ある実施態様では、移送アレンジメントが、装置に含まれ得る。
ある実施形態では、移送アレンジメントが、基板キャリア及び／又はマスクキャリアの非接触方式の浮揚のために構成された誘導構造を含み得る。同様に、移送アレンジメントは、基板キャリア及び／又はマスクキャリアの非接触方式の移送のために構成された駆動構造を含み得る。
本開示では、非接触方式の移送のために構成されたトラック又はトラックアレンジメントが、キャリア、特に、基板キャリア又はマスクキャリアの非接触方式の移送のために構成されたトラック又はトラックアレンジメントとして理解され得る。「非接触方式の」という用語は、キャリアの、例えば、基板キャリア又はマスクキャリアの重量が、機械的な接触又は機械的な力によって保持されないが、磁力によって保持されるという意味において理解され得る。特に、キャリアは、機械的な力の代わりに磁力を使用して、浮揚又は浮いた状態で保持され得る。例えば、ある実施態様では、特に、基板キャリア及び／又はマスクキャリアの浮揚、移動、及び配置の間に、キャリアと移送トラックとの間で機械的な接触が存在し得ない。
（１以上の）キャリアの非接触方式の浮揚及び／又は移送は、例えば、誘導レールとの機械的な接触による、移送の間に生成される粒子が存在しないという点で有益である。基板上に堆積した層の純度と均一性の改良がもたらされ得る。何故ならば、非接触方式の浮揚及び／又は移送を使用するときに、粒子の生成が最小化されるからである。
本明細書で説明される他の実施形態と組み合わされ得る、ある実施形態によれば、基板は、例えば、連結要素１５２によって位置合わせシステム１５０に連結され得る基板キャリアによって支持されている。位置合わせシステム１５０は、マスクに対して基板の位置を調整するように構成され得る。基板は、有機材料の堆積中、基板とマスクとの間の適正な位置関係を提供するために、マスクに対して移動され得ることが理解されるべきである。本明細書で説明される他の実施形態と組み合わされ得る、更なる実施形態によれば、代替的に又は更に、マスクを保持するマスクキャリアが、位置合わせシステム１５０に連結され得る。したがって、マスクが基板に対して配置され得るか、又は、マスクと基板が両方とも互いに対して配置され得るかの何れかである。本明細書で説明される位置合わせシステムは、堆積プロセス中のマスキングの適正な位置関係を可能にし得る。それは、高品質の又はＯＬＥＤディスプレイ製造に対して有益である。
マスクと基板の互いに対する位置合わせの例は、基板の平面及びマスクの平面に本質的に平行である平面を規定する少なくとも２つの方向における相対的な位置合わせを可能にする位置合わせユニットを含む。例えば、位置合わせは、少なくとも、ｘ方向及びｙ方向で、すなわち、上記の平行な平面を規定する２つのデカルト方向で行うことができる。通常、マスクと基板は、互いに対して本質的に平行であり得る。特に、位置合わせは、更に、基板の平面とマスクの平面に本質的に垂直な方向で行うことができる。したがって、位置合わせユニットは、少なくともＸＹの位置合わせ、特に、マスクと基板の互いに対するＸＹＺの位置合わせのために構成されている。 本明細書で説明される他の実施例と組み合わされ得る、１つの具体的な実施例は、真空処理チャンバ内で静止した状態で保持され得るマスクに対して、ｘ方向、ｙ方向、及びｚ方向に基板を位置合わせすることである。
本明細書で説明される他の実施形態と組み合わされ得る、ある実施形態によれば、蒸発源１０００などの材料堆積源は、特に、処理真空チャンバ１１０内での並進移動のために構成されている。一実施例として、装置１００は、蒸発源１０００の並進移動のために構成されたソースドライブを含む。ある実施例では、ソースドライブが、蒸発源１０００に連結可能であり、又は蒸発源１０００内に含まれている。ある実施形態によれば、支持体１００２が、ソースドライブに連結可能であり、又はソースドライブを含む。ソースドライブは、モータ又は別の適切なアクチュエータであり得る。
本明細書で説明される他の実施形態と組み合わされ得る、ある実施形態によれば、装置１００は、処理真空チャンバ１１０内に配置され、少なくとも２つのトラック１６０を有する、ソース支持システムを更に含む。ソース支持システムの少なくとも２つのトラック１６０は、少なくとも処理真空チャンバ１１０内で材料堆積源を並進移動させるように構成されている。一実施例として、ソースドライブは、少なくとも２つのトラック１６０に沿って材料堆積源を移動させ又は移送するように構成され得る。
ある実施態様では、蒸発源１０００が、処理真空チャンバ１１０内で、少なくとも２つのトラック１６０、例えば、ループ状のトラック又は直線的なガイド上に設けられている。少なくとも２つのトラック１６０は、特に、堆積プロセスなどの工程中に、材料堆積源を並進移動させるように構成されている。本明細書で説明される他の実施形態と組み合わされ得る、ある実施形態によれば、材料堆積源の並進移動のためのソースドライブは、少なくとも２つのトラック１６０に、材料堆積源内に、処理真空チャンバ１１０内に、又はそれらの組み合わせで設けられ得る。
本明細書で説明される他の実施形態と組み合わされ得る、ある実施形態によれば、装置１００は、例えば、バルブ１０５を介して、処理真空チャンバ１１０に連結された少なくとも１つの更なる真空チャンバ１０１を含む。少なくとも１つの更なる真空チャンバ１０１は、処理真空チャンバ１１０の中への及び処理真空チャンバ１１０の外への基板の移送のために構成され得る。図１Ａから図１Ｃは、バルブ１０５、例えば、ゲートバルブを示している。バルブ１０５は、処理真空チャンバ１１０と少なくとも１つの更なる真空チャンバ１０１との間の真空密封を可能にする。バルブ１０５は、処理真空チャンバ１１０の中への又は処理真空チャンバ１１０の外への基板及び／又はマスクの移送のために開放され得る。
ある実施態様では、保守真空チャンバ１２０が、処理真空チャンバ１１０に隣接して設けられ、保守真空チャンバ１２０と処理真空チャンバ１１０は連結されている。本明細書で説明される他の実施形態と組み合わされ得る、ある実施形態によれば、保守真空チャンバ１２０と処理真空チャンバ１１０の連結部分は、開口部１３０を含む。開口部１３０は、処理真空チャンバ１１０から保守真空チャンバ１２０への及び保守真空チャンバ１２０から処理真空チャンバ１１０への、材料堆積源の一部分の移送のために構成されている。ある実施形態では、装置１００が、磁気閉鎖アレンジメントを使用して、開口部１３０を閉鎖するように構成された、密封デバイスを更に含む。特に、密封デバイスは、開口部１３０を実質的に真空気密に密封するように構成され得る。一実施例として、密封デバイスは、図４Ａから図４Ｃ及び図５に関連して説明されるように、蒸発源１０００に取り付けられている。開口部１３０が磁気的に閉鎖され又は密封されたときに、保守真空チャンバ１２０は、処理真空チャンバ１１０内の真空を破壊することなしに、材料堆積源の保守のために通気され開放され得る。
ある実施例では、開口部１３０、磁気閉鎖アレンジメント、及び密封デバイスが、処理真空チャンバ１１０と保守真空チャンバ１２０を連結するバルブ内に含まれ得る。バルブは、処理真空チャンバ１１０と保守真空チャンバ１２０との間の真空密封を開閉するように構成され得る。材料堆積源の一部分は、バルブが開いている状態にある間に、すなわち、開口部が開放され／カバーされていない間に、保守真空チャンバ１２０へ移送され得る。その後、バルブは、処理真空チャンバ１１０と保守真空チャンバ１２０との間に真空密封を提供するように、磁気的に閉鎖され得る。バルブが閉鎖されたときに、保守真空チャンバ１２０は、処理真空チャンバ１１０内の真空を破壊することなしに、材料堆積源の保守のために通気され開放され得る。
本開示では、「真空処理チャンバ」が、真空チャンバ又は真空堆積チャンバとして理解され得る。本明細書で使用される「真空」という用語は、例えば、１０ｍｂａｒ未満の真空圧を有する、工業的真空の意味として理解することができる。本明細書で説明される処理チャンバ内の圧力は、約１０-5ｍｂａｒと約１０-8ｍｂａｒとの間、特に、約１０-5ｍｂａｒと約１０-7ｍｂａｒとの間、更に特に、約１０-6ｍｂａｒと約１０−７ｍｂａｒとの間であってよい。ある実施形態によれば、真空チャンバの圧力は、真空チャンバ内で蒸発した材料の分圧、又は全圧の何れかと見なすことができる（分圧及び全圧は、蒸発した材料のみが真空チャンバで堆積する構成要素として存在する場合、おおよそ同じであってよい）。ある実施形態では、真空チャンバ内の全圧は、特に蒸発した材料以外の第２の構成要素（例えば、ガスなど）が真空チャンバ内に存在する場合、約１０−４ｍｂａｒから約１０−７ｍｂａｒまでの範囲であってよい。
本明細書で説明される他の実施形態と組み合わされ得る、ある実施形態によれば、キャリアは、基板とマスクを実質的に垂直配向で保持又は支持するように構成されている。本開示全体において使用される「実質的に垂直」という表現は、特に基板の配向を指す場合、垂直方向又は配向から±２０°以下（例えば、±１０°以下）の偏差を許容することであると理解される。例えば、垂直配向からの幾らかの偏差を有する基板支持体がより安定した基板位置をもたらし得るので、この偏差が提供され得る。更に、基板が前方に傾けられたときに、より少ない粒子が基板表面に到達する。但し、例えば、真空堆積処理中の基板配向は、実質的に垂直であるとみなされ、これは、水平の基板配向とは異なるとみなされる。水平の基板配向は、水平±２０°以下であるとみなされ得る。
「垂直方向（vertical direction）」又は「垂直配向（vertical orientation）」という用語は、「水平方向（horizontal direction）」又は「水平配向（horizontal orientation”）」と区別するためのものと理解される。つまり、「垂直方向」又は「垂直配向」は、例えば、キャリアの実質的に垂直な配向に関連し、厳密な垂直方向又は垂直配向からの数度（例えば、最大１０°、又は更に最大１５°）の偏差は、依然として「実質的に垂直な方向」又は「実質的に垂直な配向」であると見なされる。垂直方向は、重力に対して実質的に平行であり得る。
本明細書で説明される実施形態は、例えば、ＯＬＥＤディスプレイ製造のための、大面積基板への堆積のために利用され得る。具体的には、そのために本明細書で説明される実施形態に従って構造及び方法が提供されるところの基板が、大面積基板である。例えば、大面積基板又はキャリアは、約０．６７ｍ２の表面積（０．７３ｍ×０．９２ｍ）に対応するＧＥＮ４．５、約１．４ｍ２の表面積（１．１ｍ×１．３ｍ）に対応するＧＥＮ５、約４．２９ｍ２の表面積（１．９５ｍ×２．２ｍ）に対応するＧＥＮ７．５、約５．７ｍ２の表面積（２．２ｍ×２．５ｍ）に対応するＧＥＮ８．５、又は更に約８．７ｍ２の表面積（２．８５ｍ×３．０５ｍ）に対応するＧＥＮ１０になり得る。ＧＥＮ１１及びＧＥＮ１２などの更に次の世代及びそれに相当する基板表面積を同様に実装してもよい。ＧＥＮ世代の半分のサイズも、ＯＬＥＤディスプレイ製造で提供され得る。
本明細書で説明される他の実施形態と組み合わされ得る、ある実施形態によれば、基板の厚さは、０．１ｍｍから１．８ｍｍまでであり得る。基板の厚さは、０．５ｍｍなどの、約０．９ｍｍ以下であり得る。本明細書で使用される「基板」という用語は、特に、実質的にフレキシブルでない基板、例えば、ウエハ、サファイアなどの透明結晶のスライス、又はガラスプレートを含み得る。しかし、本開示は、これらに限定されず、「基板」という用語は、ウェブ又はホイルなどのフレキシブル基板も含み得る。「実質的にフレキシブルでない」という用語は、「フレキシブル」と区別して理解される。具体的には、実質的にフレキシブルでない基板は、例えば、０．９ｍｍ以下（０．５ｍｍ以下等）の厚さを有するガラス板でも、ある程度の可撓性を有することができるが、実質的にフレキシブルでない基板の可撓性は、フレキシブルな基板と比べて低い。
本明細書で説明される実施形態によれば、基板は、材料を堆積させるのに適した任意の材料から作られていてよい。例えば、基板は、ガラス（例えば、ソーダ石灰ガラス、ホウケイ酸ガラスなど）、金属、ポリマー、セラミック、複合材料、炭素繊維材料、並びに堆積プロセスによって被覆できる任意の他の材料及び材料の組合せからなる群から選択された材料から作られ得る。
図１Ｃは、本明細書で説明される更なる実施形態による、基板の真空処理のための装置２００の概略的な上面図を示している。図１Ｃの装置は、図１Ａ及び図１Ｂに関連して説明された装置に類似するが、それらの差異のみが以下で説明される。
図１Ｃの装置では、蒸発源１０００の蒸発坩堝１００４と分配管１００６が、処理真空チャンバ１１０から保守真空チャンバ１２０へ、保守真空チャンバ１２０から処理真空チャンバ１１０へ移送される。分配管１００６のための支持体１００２は、処理真空チャンバ１１０から保守真空チャンバ１２０へ、保守真空チャンバ１２０から処理真空チャンバ１１０へ移送されない。言い換えると、分配管１００６のための支持体１００２は、処理真空チャンバ１１０内にあるままであり、一方、蒸発源１０００の蒸発坩堝１００４と分配管１００６は移送される。
支持体１００２を処理真空チャンバ１１０内に残すことによって、補修及び／又は交換されるべき材料堆積源の一部分は、保守真空チャンバ１２０に移送することができ、補修及び／又は交換されるべきでない材料堆積源の部分は、処理真空チャンバ１１０内にあるままである。移送を実行するための労力が、最小化され得る。
図２は、処理真空チャンバと保守真空チャンバとの間の開口部２１５を閉鎖するための連続的な段階（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の概略図である。
本開示による基板の真空処理のための装置は、処理真空チャンバと保守真空チャンバとの間での、材料堆積源の少なくとも一部分、例えば、全体の材料堆積源の移送のために構成された、開口部２１５を磁気的に閉鎖するための磁気閉鎖アレンジメント２２０を含む。本開示全体で使用される「磁気的閉鎖」とは、開口部を、例えば、本質的に真空気密に密封するために、磁力が使用されるという意味で理解することができる。一実施例として、密封デバイス２３０は、開口部をカバーするように構成され、磁気閉鎖アレンジメント２２０は、磁力を使用して、密封デバイス２３０を開口部２１５に保持するように構成され得る。ある実施態様では、磁気閉鎖アレンジメント２２０が、電磁石を含んでもよく、又は電気永久磁石アレンジメントであってもよい。電気永久磁石アレンジメントは、図３Ａ及び図３Ｂに関連して更に説明される。
本明細書で説明される他の実施形態と組み合わされ得る、ある実施形態によれば、装置は、処理真空チャンバと保守真空チャンバを互いから分離するように構成されたパーティション２１０を含む。パーティション２１０は、処理真空チャンバ及び／又は保守真空チャンバのチャンバ壁であり得る。開口部２１５は、パーティション２１０内に設けられ得る。
ある実施態様では、磁気閉鎖アレンジメント２２０の少なくとも一部分が、開口部２１５に設けられ得る。一実施例として、磁気閉鎖アレンジメント２２０は、例えば、パーティション２１０において、又は、パーティション２１０内で、開口部２１５に隣接するように設けられ得る。磁気閉鎖アレンジメント２２０は、開口部２１５、例えば、保持表面２４０に向けて、密封デバイス２３０を引き付けるように構成され得る。
ある実施形態によれば、密封装置２３０は、磁性材料を含み、又は磁性材料から作られ得る。密封デバイス２３０を、開口部２１５に向けて、特に、保持表面２４０に向けて引き付ける磁力を供給するために、磁気閉鎖アレンジメント２２０によって生成された磁界が、磁性材料に作用し得る。ある実施態様では、磁性材料が、鉄、鋼、ステンレス鋼、強磁性材料、フェリ磁性材料、反磁性材料、及びこれらの任意の組み合わせからなる群から選択され得る。
更なる実施形態によれば、密封デバイス２３０は、１以上の磁石要素を含み得る。密封デバイス２３０を、開口部２１５に向けて、特に、保持表面２４０に向けて引き付ける磁力を供給するために、磁気閉鎖アレンジメント２２０によって生成された磁界が、１以上の磁石要素に作用することができるように、１以上の磁石要素が、磁気閉鎖アレンジメント２２０に対応するように配置され得る。１以上の磁石要素は、密封デバイス２３０に取り付けられた永久磁石又は密封デバイス２３０内に統合された永久磁石であり得る。このような場合、密封デバイス２３０は、アルミニウムのような非磁性材料から作られ得る。
ある実施形態によれば、装置は、開口部２１５において保持表面２４０を含む。保持表面２４０は、例えば、開口部２１５に隣接する、パーティション２１０によって設けられ得る。一実施例として、保持表面２４０は、密封デバイス２３０の表面と接触するように構成され得る。開口部２１５が本質的に真空気密に密封され得るように、Ｏリングなどの１以上の密封要素が、保持表面２４０に設けられ得る。
次に、図２を参照すると、段階（ａ）では、密封デバイス２３０が、開口部２１５、例えば、保持表面２４０に向けて移動される。一実施例として、密封デバイスは、開口部２１５に向けて本質的に直線的な移動を行うことができる。本明細書で説明される他の実施形態と組み合わされ得る、ある実施形態では、磁気閉鎖アレンジメント２２０が、チャッキング状態Ｉと解放状態ＩＩとの間で切り替え可能であり得る。解放状態ＩＩでは、磁気閉鎖アレンジメント２２０が、保持表面２４０において外部磁界を全く生成しないか又は小さな外部磁界を生成し得る。チャッキング状態Ｉでは、磁気閉鎖アレンジメント２２０が、保持表面２４０において強力な外部磁界を生成し得る。言い換えると、解放状態ＩＩでの保持表面２４０における第２の外部磁界は、チャッキング状態Ｉでの保持表面２４０における第１の外部磁界よりも小さくなり得る。
第１の外部磁界は、密封デバイス２３０を開口部２１５で保持するのに十分であり得る。ある実施態様では、磁気閉鎖アレンジメント２２０が、１０Ｎ／ｃｍ２以上、特に、５０Ｎ／ｃｍ２以上、特に、１００Ｎ／ｃｍ２以上、更に特に、１５０Ｎ／ｃｍ２以上の力を供給するように構成され得る。この力は、密封デバイス２３０を、開口部２１５に、特に、保持表面２４０に保持するために、密封デバイスに作用する磁力であり得る。
図２の段階（ａ）では、磁気閉鎖アレンジメント２２０が、解放状態ＩＩにおいて設けられている。解放状態ＩＩでは、磁気閉鎖アレンジメント２２０が、保持表面２４０において外部磁界を全く生成しないか、又は小さな外部磁界のみを生成し得る。したがって、密封デバイス２３０は、保持表面２４０に向けて引き付けられない。
図２の段階（ｂ）では、密封デバイス２３０が、パーティション２１０と接触するように移動している。磁気閉鎖アレンジメント２２０は、依然として解放状態ＩＩにある。この解放状態ＩＩでは、密封デバイス２３０が、磁気閉鎖アレンジメント２２０の磁力によって、保持表面２４０に保持されていない。
図２の段階（ｃ）では、磁気閉鎖アレンジメント２２０が、チャッキング状態Ｉに切り替わっている。チャッキング状態Ｉでは、磁気閉鎖アレンジメント２２０によって生成された磁界が、密封デバイス２３０を保持表面２４０に保持する。処理真空チャンバと保守真空チャンバは、互いから本質的に真空気密に密封され得る。
同様に、磁気閉鎖アレンジメント２２０が、チャッキング状態Ｉから解放状態ＩＩに切り替わることによって、例えば、パーティション２１０から密封デバイス２３０を取り外すことができる。この解放状態ＩＩでは、図２の段階（ｂ）で示されているように、保持表面２４０において外部磁界が全く生成されないか、又は小さな外部磁界のみが生成され得る。材料堆積源又は材料堆積源の一部分が、開口部２１５を通って移動できるように、密封デバイス２３０は、その後、開口部２１５から除去され得る。
例えば、磁気閉鎖アレンジメント２２０の磁石デバイスに供給される電気パルスによって、磁気閉鎖アレンジメント２２０の１以上の第１の永久磁石の磁化の方向を変更することにより、磁気閉鎖アレンジメント２２０を、解放状態Ｉとチャッキング状態ＩＩとの間で切り替えることができる。特に、１以上の第１の永久磁石の極性は、磁石デバイスに送信された電気パルスによって反転させることができる。ある実施形態では、装置が、磁気閉鎖アレンジメント２２０用の電源２５０を含む。電源２５０は、電気パルス（例えば、１以上の第１の永久磁石の磁化を変更するのに適切であり得る電流パルス）を生成するように構成され得る。これは、図３Ａ及び図３Ｂに関連して更に説明される。
図３Ａは、解放状態ＩＩにおける、本明細書で説明される実施形態による、磁気閉鎖アレンジメント３００の概略図である。図３Ｂは、チャッキング状態Ｉにおける、図３Ａの磁気閉鎖アレンジメント３００の概略図である。このチャッキング状態Ｉでは、デバイス、例えば、密封デバイス２３０が、磁気閉鎖アレンジメント３００によって保持されている。
磁気閉鎖アレンジメント３００は、電気永久磁石アレンジメントとして構成されてもよい。電気永久磁石アレンジメントは、１以上の第１の永久磁石３２０、１以上の第２の永久磁石３４０、及び磁石デバイス３６０を含む。電気永久磁石アレンジメントは、約９０°の角度で互いに対して配向された２つの磁極面を使用する。
より詳細には、本明細書で使用される電気永久磁石アレンジメント（又はＥＰＭ）は、永久磁石によって生成された磁界を電気パルスによって、特に、磁石デバイス３６０のワインディングにおける電流パルスによって変化させることができる、磁石アレンジメントであると理解してもよい。特に、磁界は、保持表面２４０が設けられた磁気閉鎖アレンジメント３００の片側でオンかオフに切り替わり得る。電気永久磁石は、二重磁石の原理に基づいて働き得る。１以上の第１の永久磁石３２０は、「軟質」又は「半硬質」の磁性材料、すなわち、保磁力が低い材料から成り得る。１以上の第２の永久磁石３４０は、「硬質」の磁性材料、すなわち、より高い保磁力を有する材料から成り得る。１以上の第１の永久磁石３２０の磁化の方向は、磁石デバイス３６０に供給された電気パルスによって変化させることができる。一実施例として、１以上の第１の永久磁石３２０の極性は、電気パルスによって反転させることができる。１以上の第２の永久磁石３４０の磁化の方向は、各材料の高い保磁力に起因して、一定に留まることができる。
１以上の第１の永久磁石３２０の極性及び１以上の第２の永久磁石３４０の極性は、磁気極性、すなわち、Ｓ磁極及びＮ磁極である。
ある実施形態によれば、１以上の第１の永久磁石３２０の磁化を変更する電気パルスの持続期間は、０．１秒以上、特に、１秒以上、更に特に、３秒以上である。一実施例として、電気パルスの持続期間は、０．１から１０秒の範囲内、特に、０．５から５秒の範囲内、更に特に、１から２秒の範囲内である。
ある実施形態では、磁石デバイス３６０が、少なくとも部分的に１以上の第１の永久磁石３２０の周囲に設けられたワインディング３５０、例えば、ワイヤワインディング又はソレノイドを含み得る。ワインディング３５０を通して電気パルスを供給することにより、１以上の第１の永久磁石３２０の位置において局所磁界が生成される。この局所磁界は、１以上の第１の永久磁石３２０の磁化を変更する。特に、１以上の第１の永久磁石３２０の極性は、磁石デバイス３６０のワインディング３５０を通して電流パルスを供給することによって反転させることができる。
ある実施形態では、複数の第１の永久磁石が設けられ、第１の永久磁石は、磁石デバイス３６０のワインディングによって少なくとも部分的に取り囲まれる。例えば、図３Ａの実施形態では、２つの第１の永久磁石が示され、ワイヤワインディングが、２つの第１の永久磁石のそれぞれの周りで延在する。２つより多くの第１の永久磁石が互いに隣り合うように配置されてもよい。幾つかの実施形態では、保持表面２４０に向けられた２つの隣接する第１の永久磁石は、互いに反対の極性であってもよい。したがって、磁界線が１以上のループを形成する場合があり、各ループは、反対方向で隣接する第１の永久磁石を貫通する。
幾つかの実施形態では、複数の第２の永久磁石が設けられる。例えば、図３Ａの実施形態では、３つの第２の永久磁石が図示されている。例えば、次々に連設されるように、２つ、３つ、又はそれ以上の第２の永久磁石が設けられてもよい。隣接する第２の永久磁石同士の反対の極性の極が互いに向けられるように、第２の永久磁石は配置され得る。したがって、磁界線は第２の永久磁石の列を通して直線的に延在するわけではなく、互いに向き合う反対の極により、複数の別々のループが形成され得る。
ある実施形態では、１以上の第１の永久磁石３２０は、第１の平面に配置されてもよく、１以上の第２の永久磁石３４０は、第２の平面に配置されてもよい。第２の平面は、第１の平面よりも保持表面２４０に近い場合がある。したがって、１以上の第２の永久磁石３４０は、１以上の第１の永久磁石３２０よりも保持表面２４０に近いように配置され得る。
ある実施形態では、１以上の第１の永久磁石３２０は、第１の配向を有してもよく、１以上の第２の永久磁石３４０は、第１の配向とは異なる第２の配向を有してもよい。特に、第１の配向及び第２の配向は、互いに垂直であり得る。例えば、１以上の第１の永久磁石３２０は、水平の方向又は平面で配向されてもよく、１以上の第２の永久磁石３４０は、垂直の方向又は平面で配向されてもよい。
ある実施形態では、１以上の第２の永久磁石３４０によって生成された磁界は、保持表面２４０に対して実質的に平行であり得る第１の主配向Ｘ１を有し得る。１以上の第１の永久磁石３２０によって生成された磁界は、保持表面２４０に対して本質的に垂直であり得る第２の主配向Ｘ２を有し得る。したがって、１以上の第１の永久磁石３２０の極性を反転させることにより、結果的に得られたすべての磁界は、保持表面２４０に対して垂直な方向、すなわち、密封デバイス２３０の内部に向かって、又は密封デバイス２３０の外部に向かって変化し得る。磁気閉鎖アレンジメント３００を図３Ａの解放状態ＩＩから図３Ｂのチャッキング状態Ｉに切り替えることにより、結果的に得られたすべての磁界は、取り付けられるデバイスに浸透するように、保持表面２４０の外部に移動し得る。特に、チャッキング状態Ｉでは、磁界線が、取り付けられるデバイスが配置される保持表面２４０の外部環境に向けて付勢されるように、１以上の第１の永久磁石３２０及び１以上の第２の永久磁石３４０のそれぞれ反対の極が、互いに向き合ってもよい。
密封デバイス２３０に浸透する外部磁界３７０は図３Ｂで概略的に示されている。１以上の第１の永久磁石３２０の極性が電気パルスによって反転するまで、外部磁界３７０は密封デバイス２３０内に留まる。磁石デバイス３６０に電気パルスを供給することにより、チャッキングされた密封装置を解放することができる。電源障害の際にも、密封デバイス２３０の取り付けの信頼性を保つことができる。何故ならば、密封デバイス２３０は、永久磁石によって生成された磁力により保持されるからである。チャッキング状態Ｉでは、チャッキング状態を維持するために外部電力が必要ではない場合がある。連続的に作動する電気デバイスにより熱が発生するわけではなく、処理の安定性を保つために追加的な冷却が必要とされない。切り換えの後に解放状態ＩＩ又はチャッキング状態Ｉに留まる双安定な磁石配置が設けられ得る。切り換えは、自動的に実行され得る。
解放状態ＩＩで磁気閉鎖アレンジメント３００によって生成される内部磁界３８０が、図３Ａで概略的に示される。例えば、それぞれの隣接する第２の永久磁石の間で磁界の強度を高めるため、鋼心のようなコア３９０が設けられ得る。
本明細書で説明される他の実施形態と組み合わされ得る、ある実施形態では、１以上の第１の永久磁石３２０は、軟質又は半硬質磁性材料を含み、且つ／又は１以上の第２の永久磁石３４０は、硬質磁性材料を含む。例えば、１以上の第１の永久磁石３２０は、ＡｌＮｉＣｏを含んでもよく、且つ／又は１以上の第２の永久磁石３４０は、ネオジムを含んでもよい。具体的には、１以上の第１の永久磁石３２０は、ＡｌＮｉＣｏ磁石であってもよく、且つ／又は１以上の第２の永久磁石３４０は、ネオジム磁石であってもよい。低い保磁力及び高い保磁力を有する他の磁石も使用してもよい。例えば、硬質磁性材料は、１，０００ｋＡ／ｍ以上、特に、１０，０００ｋＡ／ｍ以上の保磁力を有してもよく、且つ／又は、軟質磁性材料は、１，０００ｋＡ／ｍ以下、特に、１００ｋＡ／ｍ以下の保磁力を有してもよい。
図４Ａから図４Ｃは、本明細書で説明される更なる実施形態による、基板の真空処理のための装置４００の概略的な上面図を示している。図４Ａから図４Ｃの装置４００は、上述された装置と類似しており、それらの差異のみが以下で説明される。
本明細書で説明される他の実施形態と組み合わされ得る、ある実施形態によれば、保守真空チャンバ１２０と処理真空チャンバ１１０の連結部分は、開口部を含む。開口部は、処理真空チャンバ１１０から保守真空チャンバ１２０への及び保守真空チャンバ１２０から処理真空チャンバ１１０への、材料堆積源の少なくとも一部分、例えば、蒸発源１０００の移送のために構成されている。
ある実施形態では、装置４００が、開口部を閉鎖するように構成された密封デバイス４１０を更に含む。特に、密封デバイス４１０は、開口部を本質的に真空気密に密封するように構成されている。開口部が密封デバイス４１０によって閉鎖され又は密封されたときに、保守真空チャンバ１２０は、処理真空チャンバ１１０内の真空を破壊することなしに、蒸発源１０００の保守のために通気され開放され得る。
ある実施態様では、密封デバイス４１０が、蒸発源１０００に取り付けられ、又は蒸発源１０００内に含まれる。一実施例として、密封デバイス４１０は、蒸発源１０００の片方、例えば、支持体１００２に、実質的に垂直配向で取り付けられ得る。ある実施形態では、密封デバイス４１０が、処理真空チャンバ１１０と保守真空チャンバ１２０との間で開口部を密封又は閉鎖するように構成されたプレートであり得る。密封デバイス４１０を蒸発源１０００と統合することは、処理真空チャンバ１１０及び／又は保守真空チャンバ１２０内の空間を節約することを可能にする。
ある実施形態によれば、蒸発源１０００は、密封デバイス４１０に対して可動である。一実施例として、少なくとも分配管１００６と蒸発坩堝１００４は、密封デバイス４１０に対して可動である。ある実施態様では、装置４００が、蒸発源１０００と密封デバイス４１０を連結する、連結デバイス４２０を含み得る。連結デバイス４２０は、蒸発源１０００と密封デバイス４１０との間の可動な連結を提供するように構成され得る。一実施例として、密封デバイス４１０は、可動な連結を提供するために、ヒンジによって連結された２以上のアーム部分を含むことができる。
ある実施態様では、連結デバイス４２０が、蒸発源１０００に対して、特に、分配管１００６と蒸発坩堝１００４に対して、密封デバイス４１０を移動させるように構成された並進移動デバイスであり得る。開口部を閉鎖するために、蒸発源１０００は、処理真空チャンバ１１０又は保守真空チャンバ１２０の範囲内に適切に配置され得る。並進移動デバイスは、開口部を実質的に真空気密に閉鎖又は密封するために、蒸発源１０００に関して密封デバイス４１０を開口部に向けて移動させることができる。密封デバイス４１０は、保守真空チャンバ１２０から処理真空チャンバ１１０への、及びその逆への、移送中に、蒸発源１０００に対して固定され得る。
本明細書で説明される他の実施形態と組み合わされ得る、ある実施形態によれば、装置４００は、保守真空チャンバ１２０内に設けられた回転可能デバイス４３０を含む。回転可能デバイス４３０は、蒸発源１０００を受け入れるように構成され得る。一実施例として、回転可能デバイス４３０は、回転可能なプラットフォームであり得る。
図４Ａを参照すると、２つの蒸発源１０００が示されている。２つの蒸発源のうちの第１の蒸発源は、処理真空チャンバ１１０内に配置され、２つの蒸発源のうちの第２の蒸発源は、保守真空チャンバ１２０内に配置されている。一実施例として、２つの蒸発源のうちの第２の蒸発源は、回転可能デバイス４３０上に配置され得る。
図４Ｂで示されているように、例えば、補修又は交換されるべき第１の蒸発源は、処理真空チャンバ１１０から保守真空チャンバ１２０へ、特に、回転可能デバイス４３０上に移送され得る。例えば、第１の蒸発源と第２の蒸発源は、例えば、互いに向けて方向付けられている密封デバイスを用いて、回転可能デバイス４３０上に背中合わせで配置され得る。言い換えると、両方の密封デバイスは、第１の蒸発源と第２の蒸発源との間に配置され又はサンドウィッチされ得る。
両方の蒸発源、すなわち、第１の蒸発源と第２の蒸発源が、回転可能デバイス４３０上に配置されたときに、回転可能デバイス４３０は、例えば、約１８０度だけ回転される。それによって、第１の蒸発源と第２の蒸発源が位置を交換する。図４Ｂでは、その回転が、矢印で示されている。その後、第２の蒸発源が、処理真空チャンバ１１０の中へ移送され得る。処理真空チャンバ１１０と保守真空チャンバ１２０を連結する開口部は、例えば、第２の蒸発源の密封デバイス４１０によって密封され得る。保守真空チャンバ１２０は、第１の蒸発源を補修又は除去するために通気され得る。これは、処理真空チャンバ１１０内の真空を破壊する必要なしに、蒸発源の交換を可能にする。
図５は、本明細書で説明される実施形態による、基板の真空処理のための装置５００の概略的な上面図を示している。図５の装置５００は、図４Ａから図４Ｃを参照しながら上述された装置と類似するが、それらの差異のみが以下で説明される。
本明細書で説明される他の実施形態と組み合わされ得る、ある実施形態によれば、装置５００は、処理真空チャンバ１１０内に配置され、少なくとも２つのトラック１６０を有する、蒸発源支持システムを含む。蒸発源支持システムの少なくとも２つのトラック１６０は、少なくとも処理真空チャンバ１１０内で材料堆積源１０００を移動させるように構成されている。少なくとも２つのトラック１６０の各１つは、第１のトラックセクション１６１と第２のトラックセクション１６２を含む。第１のトラックセクション１６１と第２のトラックセクション１６２は、分離している。ある実施態様では、第１のトラックセクション１６１が、処理真空チャンバ１１０から保守真空チャンバ１２０へ、保守真空チャンバ１２０から処理真空チャンバ１１０へ、蒸発源１０００と共に移送可能なように構成されている。
ある実施形態によれば、蒸発源１０００は、密封デバイス５１０に対して可動である。一実施例として、装置５００は、蒸発源１０００と密封デバイス５１０を連結する、連結デバイス５２０を含み得る。一実施例として、連結デバイス５２０は、蒸発源１０００に関する密封デバイス５１０の並進移動を誘導するように構成されている。更に又は代替的に、連結デバイス５２０は、蒸発源１０００のための媒体供給（media supply）を提供し又は受け入れることができる。一実施例として、連結デバイス５２０は、アーム、特に、受動的なアームであり得る。ある実施形態では、連結デバイス５２０の少なくとも一部分が、媒体供給への任意の微粒子衝突を妨げるための雰囲気環境を提供する。一実施例として、雰囲気環境は、連結デバイス５２０の内側に提供され、特に、アームの内側に提供され得る。
ある実施態様では、蒸発源１０００と密封デバイス５１０との間の相対的な動きを可能にするために、アームは、それぞれのヒンジによって連結された２以上のアーム部分を含むことができる。一実施例として、連結デバイス５２０は、第１のアーム５３２と第２のアーム５３４を含む。第１のアーム５３２は、ヒンジ５３６を介して、蒸発源１０００に連結された第１の端部分と第２のアーム５３４の第３の端部分に連結された第２の端部分を有する。第２のアーム５３４は、処理真空チャンバ１１０及び／又は保守真空チャンバ１２０に連結された、第４の端部分を有する。
本明細書で説明される他の実施形態と組み合わされ得る、ある実施形態によれば、装置５００は、保守真空チャンバ１２０内に設けられた回転可能デバイス５３０を含む。回転可能デバイス５３０は、蒸発源１０００及び／又は第１のトラックセクション１６１を受け入れるように構成され得る。一実施例として、回転可能デバイス５３０は、回転可能なプラットフォームであり得る。ある実施形態では、装置５００が、回転可能デバイス５３０を駆動し又は回転させるように構成されたドライブを含む。ドライブは、シャフト、例えば、中空シャフトを介して、回転可能デバイス５３０に連結され得る。
ある実施形態によれば、回転可能デバイス５３０は、２以上の蒸発源を支持するように構成されている。一実施例として、例えば、補修又は交換されるべき第１の蒸発源は、処理真空チャンバ１１０から保守真空チャンバ１２０へ、特に、回転可能デバイス５３０上に移送され得る。例えば、補修されたか又は新しい第２の蒸発源も、回転可能デバイス５３０上に設けられ得る。両方の蒸発源、すなわち、第１の蒸発源と第２の蒸発源が、回転可能デバイス５３０上に配置されたときに、回転可能デバイス５３０は、例えば、約１８０度だけ回転される。それによって、第１の蒸発源と第２の蒸発源が位置を交換する。その後、第２の蒸発源が、処理真空チャンバ１１０の中へ移送され得る。処理真空チャンバ１１０と保守真空チャンバ１２０を連結する開口部は、例えば、密封デバイス５１０と磁気閉鎖アレンジメントを使用して、磁気的に密封され得る。保守真空チャンバ１２０は、例えば、保守真空チャンバ１２０のドア１２２を開くことによって、第１の蒸発源の補修又は除去のために通気され得る。これは、処理真空チャンバ１１０内の真空を破壊する必要なしに、蒸発源の交換を可能にする。
本明細書で説明される他の実施形態と組み合わされ得る、ある実施形態によれば、装置５００は、供給通路、例えば、供給ラインを含み得る。供給通路は、例えば、電気的な接続並びに／又は流体（例えば、水）及び／若しくはガスなどの媒体を、蒸発源１０００に供給するように構成され得る。供給通路は、そこを通る、水供給ライン、ガス供給ライン、及び／又は電気ケーブルなどの、１以上のライン及び／又はケーブルを誘導するように構成され得る。ある実施態様では、供給通路が、雰囲気環境を有する。すなわち、供給通路は、処理真空チャンバ１１０及び／又は保守真空チャンバ１２０などの取り囲んでいるものが、技術的真空に排気されたときでさえ、内部の雰囲気圧を維持するように構成され得る。一実施例として、供給通路は、連結デバイス５２０の少なくとも一部分を含むことができる。
ある実施態様では、供給通路が、蒸発源１０００から、処理真空チャンバ１１０と保守真空チャンバ１２０との間に設けられたフィードスルーへ延在する。一実施例として、フィードスルーは、密封デバイス５１０又は処理真空チャンバ１１０と保守真空チャンバ１２０とを分離する壁部分内に、又は、密封デバイス５１０又は処理真空チャンバ１１０と保守真空チャンバ１２０とを分離する壁部分に設けられ得る。ある実施形態によれば、供給通路は、（雰囲気ボックスであり得る）蒸発器制御ハウジングと連結デバイス５２０のうちの少なくとも一方を介して、蒸発源１０００からフィードスルーへ延在する。
ある実施形態では、供給通路が、例えば、回転可能デバイス５３０のドライブの中空シャフトを通って、保守真空チャンバ１２０の外側から、保守真空チャンバの中へ、及び回転可能デバイス５３０の中間のスペース又は底部の中へ延在する。供給通路は、例えば、コルゲートホース（corrugated hose）などの管を介して、回転可能デバイス５３０の中間のスペース又は底部から、密封デバイス５１０内に又は密封デバイス５１０に設けられた雰囲気ボックスへ更に延在し得る。雰囲気ボックスは、密封デバイス５１０に取り付けられた「バックパック」内に含まれ得る。上述のフィードスルーは、密封デバイス５１０内に又は密封デバイス５１０に設けられた雰囲気ボックス内に又は雰囲気ボックスに設けられ得る。一実施例として、密封デバイス５１０内に又は密封デバイス５１０に設けられた雰囲気ボックスは、フィードスルーとして構成され得る。供給通路は、連結デバイス５２０を介して、密封デバイス５１０内に又は密封デバイス５１０に設けられた雰囲気ボックスから、蒸発器制御ハウジングへ更に延在し得る。供給通路は、その後、少なくとも分配管１００６を回転させるように構成されたアクチュエータの中空シャフトを通して、蒸発器制御ハウジングから、蒸発源１０００、例えば、蒸発源１０００の雰囲気ボックスへ延在し得る。
図６は、本明細書で説明される実施形態による、処理真空チャンバと保守真空チャンバを互いから密封するための方法６００のフローチャートを示す。方法６００は、本明細書に記載された装置及びシステムを使用して実装され得る。
方法６００は、ブロック６１０で、磁力を使用して密封デバイスを開口部に保持することを含む。開口部は、処理真空チャンバと保守真空チャンバを連結し得る。それによって、蒸発源などの材料堆積源の少なくとも一部分が、処理真空チャンバと保守真空チャンバとの間で移送され得る。ある実施態様では、方法６００が、ブロック６２０では、磁力を変更することによって開口部から密封デバイスを解放することを更に含む。例えば、磁力を変更することは、例えば、電気パルスを使用して、１以上の第１の永久磁石の極性を反転させることを含み得る。
本明細書で説明される実施形態によれば、処理真空チャンバと保守真空チャンバを互いから密封するための方法は、コンピュータプログラム、ソフトウェア、コンピュータソフトウェア製品、並びに、装置の対応構成要素と通信可能なＣＰＵ、メモリ、ユーザインターフェース、及び入出力デバイスを有し得る、相互関連コントローラを使用して実行され得る。
本明細書で開示される実施形態は、蒸発源などの材料堆積源の補修及び／又は補充を容易にし、処理装置のダウンタイムを低減させることができる。特に、材料堆積源の少なくとも一部分が、密封可能な開口部を介して、処理真空チャンバから保守真空チャンバへ、その逆へ、移送され得るように、保守真空チャンバは、処理真空チャンバに連結されている。保守真空チャンバは、処理真空チャンバから独立して通気され得る。材料堆積源は、例えば、材料堆積源が使い尽くされた後で交換され、且つ／又は、真空システムを通気することなしに且つ／若しくは生産を停止することなしに、保守真空チャンバ内で補修され得る。
密封可能な開口部は、磁気閉鎖アレンジメントを使用して閉鎖することが可能である。例えば、補修フランジなどの密封デバイスは、開口部を覆うことができ、開口部を密封するために開口部で磁気的に保持され得る。磁気密封により、真空システム内の機械的可動部品の数を減らすことができる。このような機械的可動部品に起因する粒子の生成を減らすことができ、基板上に堆積される材料層の品質を改善することができる。
以上の説明は本開示の実施形態を対象としているが、本開示の基本的な範囲を逸脱することなく本開示の他の更なる実施形態を考案することができ、本開示の範囲は、以下の特許請求の範囲によって定められる。

Claims (15)

  1. 基板の真空処理のための装置であって、
    処理真空チャンバと保守真空チャンバ、
    前記処理真空チャンバと前記保守真空チャンバとの間で材料堆積源の少なくとも一部分を移送するための開口部、及び
    前記開口部を磁気的に閉鎖するための磁気閉鎖アレンジメントを備える、装置。
  2. 前記開口部を閉鎖するように構成された密封デバイスを更に含む、請求項１に記載の装置。
  3. 前記密封デバイスが、前記材料堆積源に取り付けられている、請求項２に記載の装置。
  4. 前記磁気閉鎖アレンジメントが、
    １以上の第１の永久磁石、
    １以上の第２の永久磁石、及び
    前記１以上の第１の永久磁石の磁化を変更するように構成された磁石デバイスを含む、請求項１から３のいずれか一項に記載の装置。
  5. 前記１以上の第１の永久磁石が、軟質磁性材料又は半硬質磁性材料を含み、前記１以上の第２の永久磁石が、硬質磁性材料を含む、請求項４に記載の装置。
  6. 前記磁石デバイスが、前記１以上の第１の永久磁石の周りに少なくとも部分的に設けられたワインディングを含む、請求項４又は５に記載の装置。
  7. 前記１以上の第１の永久磁石の磁化の方向が、前記磁石デバイスに供給される電気パルスによって切り換え可能であり、前記１以上の第１の永久磁石の極性が、前記電気パルスによって反転可能である、請求項４から６のいずれか一項に記載の装置。
  8. 前記磁気閉鎖アレンジメントが、前記開口部に設けられている、請求項１から７のいずれか一項に記載の装置。
  9. 前記開口部において保持表面を更に含み、
    前記磁気閉鎖アレンジメントが、チャッキング状態と解放状態との間で切り替え可能であり、
    前記チャッキング状態では、前記磁気閉鎖アレンジメントが、前記保持表面において第１の外部磁界を生成し、
    前記解放状態では、前記磁気閉鎖アレンジメントが、前記保持表面において外部磁界を生成しないか又は前記第１の外部磁界よりも小さい第２の外部磁界を生成する、請求項１から８のいずれか一項に記載の装置。
  10. 前記材料堆積源の前記一部分が、蒸発坩堝と分配管のうちの少なくとも一方を含み、前記材料堆積源が、前記分配管のための支持体を更に含む、請求項１から９のいずれか一項に記載の装置。
  11. 前記蒸発源の前記蒸発坩堝と前記分配管が、前記処理真空チャンバから前記保守真空チャンバへ、前記保守真空チャンバから前記処理真空チャンバへ移送可能であり、前記分配管のための前記支持体が、前記処理真空チャンバから前記保守真空チャンバへ、前記保守真空チャンバから前記処理真空チャンバへ移送されない、請求項１０に記載の装置。
  12. 有機材料を有するデバイスを製造するためのシステムであって、
    請求項１から１１のいずれか一項に記載の装置、及び
    前記処理真空チャンバ内で基板キャリアとマスクキャリアのうちの少なくとも一方を非接触方式で移送するように構成された移送アレンジメントを備える、システム。
  13. 処理真空チャンバと保守真空チャンバを互いから密封するための方法であって、
    磁力を使用して、密封デバイスを開口部に保持することを含む、方法。
  14. 前記磁力を変更することによって、前記密封デバイスを前記開口部から解放することを更に含む、請求項１３に記載の方法。
  15. 前記磁力を変更することが、
    １以上の第１の永久磁石の極性を反転させることを含む、請求項１４に記載の方法。
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