CN111676454B - 一种节省真空镀膜室内空间的蒸发源配置结构及其设计方法 - Google Patents

一种节省真空镀膜室内空间的蒸发源配置结构及其设计方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111676454B
CN111676454B CN202010771051.XA CN202010771051A CN111676454B CN 111676454 B CN111676454 B CN 111676454B CN 202010771051 A CN202010771051 A CN 202010771051A CN 111676454 B CN111676454 B CN 111676454B
Authority
CN
China
Prior art keywords
evaporation
vacuum coating
evaporation source
sources
evaporation sources
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202010771051.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN111676454A (zh
Inventor
吴萍
范滨
龙汝磊
戴磊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Optorun Shanghai Co Ltd
Original Assignee
Optorun Shanghai Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Optorun Shanghai Co Ltd filed Critical Optorun Shanghai Co Ltd
Priority to CN202010771051.XA priority Critical patent/CN111676454B/zh
Publication of CN111676454A publication Critical patent/CN111676454A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111676454B publication Critical patent/CN111676454B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54Controlling or regulating the coating process
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明涉及薄膜制备技术领域,尤其是一种节省真空镀膜室内空间的蒸发源配置结构及其设计方法,其特征在于:在所述真空镀膜室内设置有两个或两个以上的蒸发源,且所述蒸发源之间沿所述真空镀膜室的高度方向上下错层布置。本发明的优点是:可以在真空镀膜腔室的内部空间容积一定的情况下放置更多或更大的蒸发源;即,在一定大小的真空腔室内合理利用空间以实现配置更多或更大规格的蒸发源坩埚台的目的;经济性好,可有效利用既有的真空镀膜设备,无需额外配置;能够保证成膜效果。

Description

一种节省真空镀膜室内空间的蒸发源配置结构及其设计方法
技术领域
本发明涉及薄膜制备技术领域,尤其是一种节省真空镀膜室内空间的蒸发源配置结构及其设计方法。
背景技术
随着薄膜工艺需求的提高,对于镀膜设备的蒸发源的膜料需求也越来越多,这就需要配置更大规格装载量的坩埚以满足成膜需求,但是为了搭载大规格的坩埚需要扩大真空室的规格,大规格的真空室需要配置满足需求的真空获得泵组以及相关部件,同时整机设备的空间需求布局也会更大。
发明内容
本发明的目的是根据上述现有技术的不足,提供了一种节省真空镀膜室内空间的蒸发源配置结构及其设计方法,通过高度方向的上下错层方式对蒸发源进行配置,在真空镀膜室内空间一定的情况下,实现更多或更大规格的蒸发源的配置。
本发明目的实现由以下技术方案完成:
一种节省真空镀膜室内空间的蒸发源配置结构,包括设置在真空镀膜室内空间的蒸发源,其特征在于:在所述真空镀膜室内设置有两个或两个以上的蒸发源,且所述蒸发源中至少有两个蒸发源在沿所述真空镀膜室的高度方向高低错层布置。
所述错层布置指的是各所述蒸发源位于不同的平面内,且上下错层布置的所述蒸发源之间的相对位置满足于各所述蒸发源所需的蒸发角的成膜工艺要求。
所述蒸发源指的是装载有蒸发材料的坩埚台。
一种实现上述的节省真空镀膜室内空间的蒸发源配置结构的设计方法,其特征在于:根据蒸发源的蒸发材料的性能,在真空镀膜室内空间高低错层的配置所述蒸发源。
优选地,所述蒸发材料的性能包括所述蒸发材料所需的蒸发角,所述蒸发角相对较大的蒸发材料配置于蒸发角相对较小的蒸发材料的上方。
蒸发角大的蒸发材料,其对应的蒸发源可以放置在较高位置,从而既可实现整个伞架上的基片都能接收到膜料,又能为其他蒸发材料预留出较低位置的空间。
根据蒸发材料的蒸发性能和实际镀膜测试结果来判断采取错层配置的具体方式,包括各蒸发材料在高低错层布置方式中所配置的具体位置以及各蒸发材料之间的相对位置。
当所述蒸发源为装载有所述蒸发材料的装载坩埚台时,所述装载坩埚台的尺寸满足于其所装载的蒸发材料的成膜工艺需求,且各装载坩埚台的相对位置满足于各所述蒸发源所需的蒸发角的成膜工艺要求。
本发明的优点是:可以在真空镀膜腔室的内部空间容积一定的情况下放置更多或更大的坩埚;即,在一定规格的真空腔室内合理利用空间以实现配置更大规格的蒸发源坩埚的目的;经济性好,可有效利用既有的真空镀膜设备,无需额外配置;能够保证成膜效果。
附图说明
图1为本发明中两个蒸发源布置结构的俯视图;
图2为本发明的结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图通过实施例对本发明特征及其它相关特征作进一步详细说明,以便于同行业技术人员的理解:
如图1-2所示,图中1-4及A、H标记分别表示为:真空镀膜室1、蒸发源2、蒸发源3、被镀基板4、真空镀膜室内径A、蒸发源高度差H。
实施例:如图1和2所示,本实施例中的节省真空室内空间的蒸发源配置结构用于在真空镀膜室1内配置蒸发源2和蒸发源3,蒸发源2和蒸发源3用于对置于真空镀膜室1内的被镀基板4进行蒸发镀膜,其中图2所示的为蒸发源2和蒸发源3的中心位置。真空镀膜室1的内径为一定值,即真空镀膜室内径A。本实施例的目的是在不改变真空镀膜室内径A的前提下,合理利用空间以达到配置更大规格的蒸发源2和蒸发源3的目的。而之所以需要更大规格的蒸发源2和蒸发源3则是基于薄膜工艺对蒸发源需求的提高。
具体地,如图1和图2所示,蒸发源2和蒸发源3为装载有镀膜材料的装载坩埚台,作为蒸发源的两个装载坩埚台的尺寸均小于真空镀膜室内径A。如图2所示,蒸发源2和蒸发源3沿真空镀膜室1的高度方向上下错层配置,即蒸发源2和蒸发源3位于相独立的两个平面内,这样一来,可使每个装载坩埚台的规格尺寸在其所处的独立平面内扩大,其规格满足于薄膜工艺对蒸发源的需求。
如图2所示,上下错层配置的两个蒸发源2和蒸发源3之间具有蒸发源高度差H。当蒸发源2的蒸发源3的外轮廓在投影方向具有重合部分时,即产生如图1所示的位置相互干涉时,该蒸发源高度差H则应满足两个蒸发源之间不会产生不良影响的要求,一方面是两个蒸发源的装载坩埚台之间不会相互碰撞,另一方面则是需要保证两个装载坩埚台具有满足成膜工艺需求的蒸发角,即如图2所示,蒸发源2的蒸发角和蒸发源3的蒸发角相互独立且完全覆盖被镀基板4的表面,从而实现被镀基板4的成膜。
本实施例中的节省真空室内空间的蒸发源配置结构在设计时,包括如下方法:
1)根据蒸发源的蒸发材料的性能,在真空镀膜室1内空间高低错层的配置蒸发源。
该蒸发材料的性能包括蒸发材料的蒸发角,由于配置在真空镀膜室1内的各蒸发材料因其材料特性及工艺需要往往具有不同的蒸发角。此时,蒸发角相对较大的蒸发材料,其对应的蒸发源可以放置在高低错层配置方式中的较高位置,这样一来,既可实现整个真空镀膜室1内的伞架上的被镀基片4均能接收到膜料,又能为其他蒸发材料预留出较低位置的空间,而蒸发角相对较小的蒸发材料则布置在较低位置,从而实现真空室内空间的节省,以便配置更大或更多的蒸发源坩埚台。
与此同时,根据蒸发材料的特性,还可结合实际镀膜测试结果来判断采取错层配置的具体方式,例如,各蒸发材料在高低错层布置方式中所配置的具体位置(何种蒸发材料在较高位置,何种蒸发材料在较低位置等)以及各蒸发材料之间的相对位置(蒸发源高度差H的具体数值、蒸发材料所对应的蒸发源坩埚台在真空镀膜室内径A方向所处的水平位置等)。
2)当蒸发源为装载有所述蒸发材料的装载坩埚台时,装载坩埚台的尺寸满足于其所装载的蒸发材料的成膜工艺需求且小于真空镀膜室内径A。各装载坩埚台的相对位置满足于各蒸发源所需的蒸发角的成膜工艺要求。
本实施例在具体实施时:除了上述的两个蒸发源,即蒸发源2和蒸发源3以外,当采用两种以上的蒸发源时,例如三种蒸发源时,可采用两个蒸发源布置在同一平面内,而另一个蒸发源高低错层布置在这两个蒸发源上方的配置结构,从而在真空镀膜腔室的内部空间容积一定的情况下放置更多或更大的坩埚。
虽然以上实施例已经参照附图对本发明目的的构思和实施例做了详细说明,但本领域普通技术人员可以认识到,在没有脱离权利要求限定范围的前提条件下,仍然可以对本发明作出各种改进和变换,故在此不一一赘述。

Claims (4)

1.一种节省真空镀膜室内空间的蒸发源配置结构,包括设置在真空镀膜室内空间的蒸发源,其特征在于:在所述真空镀膜室内设置有两个或两个以上的蒸发源,且所述蒸发源中至少有两个蒸发源在沿所述真空镀膜室的高度方向高低错层布置;所述蒸发源的蒸发角相互独立且完全覆盖被镀基板表面;
所述错层布置指的是各所述蒸发源位于不同的平面内,且上下错层布置的所述蒸发源之间的相对位置满足于各所述蒸发源所需的蒸发角的成膜工艺要求。
2.根据权利要求1所述的一种节省真空镀膜室内空间的蒸发源配置结构,其特征在于:所述蒸发源指的是装载有蒸发材料的坩埚台。
3.一种实现权利要求1-2中任一项所述的节省真空镀膜室内空间的蒸发源配置结构的设计方法,其特征在于:根据蒸发源的蒸发材料的性能,在真空镀膜室内空间高低错层的配置所述蒸发源。
4.根据权利要求3所述的一种节省真空镀膜室内空间的蒸发源配置结构的设计方法,其特征在于:当所述蒸发源为装载有所述蒸发材料的装载坩埚台时,所述装载坩埚台的尺寸满足于其所装载的蒸发材料的成膜工艺需求,且各装载坩埚台的相对位置满足于各所述蒸发源所需的蒸发角的成膜工艺要求。
CN202010771051.XA 2020-08-04 2020-08-04 一种节省真空镀膜室内空间的蒸发源配置结构及其设计方法 Active CN111676454B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010771051.XA CN111676454B (zh) 2020-08-04 2020-08-04 一种节省真空镀膜室内空间的蒸发源配置结构及其设计方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010771051.XA CN111676454B (zh) 2020-08-04 2020-08-04 一种节省真空镀膜室内空间的蒸发源配置结构及其设计方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111676454A CN111676454A (zh) 2020-09-18
CN111676454B true CN111676454B (zh) 2023-09-05

Family

ID=72458172

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010771051.XA Active CN111676454B (zh) 2020-08-04 2020-08-04 一种节省真空镀膜室内空间的蒸发源配置结构及其设计方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111676454B (zh)

Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006134908A1 (ja) * 2005-06-15 2006-12-21 Ulvac, Inc. 有機蒸着装置及び有機蒸着方法
JP2007332433A (ja) * 2006-06-16 2007-12-27 Seiko Epson Corp 真空蒸着装置
JP2009203534A (ja) * 2008-02-28 2009-09-10 Fujifilm Corp 真空蒸着装置
CN101845617A (zh) * 2010-06-07 2010-09-29 崔铮 直线型金属镀膜蒸发源的连续输送镀膜料装置
CN103993269A (zh) * 2014-05-19 2014-08-20 上海和辉光电有限公司 镀膜装置及镀膜方法
CN103993267A (zh) * 2014-04-30 2014-08-20 光驰科技(上海)有限公司 一种镀膜机中补正板的设置修正方法
CN105887020A (zh) * 2016-06-30 2016-08-24 光驰科技(上海)有限公司 多蒸发源镀膜装置及其镀膜方法
CN205556763U (zh) * 2016-04-08 2016-09-07 光驰科技(上海)有限公司 采用扫描式蒸发源的镀膜装置
CN205774776U (zh) * 2016-06-30 2016-12-07 光驰科技(上海)有限公司 多蒸发源镀膜装置
WO2016199728A1 (ja) * 2015-06-09 2016-12-15 株式会社アルバック 巻取式成膜装置、蒸発源ユニット、及び巻取式成膜方法
CN207243983U (zh) * 2017-09-13 2018-04-17 光驰科技(上海)有限公司 一种多蒸发源镀膜装置
WO2018166618A1 (en) * 2017-03-17 2018-09-20 Applied Materials, Inc. Apparatus for vacuum processing of a substrate, system for the manufacture of devices having organic materials, and method for sealing a processing vacuum chamber and a maintenance vacuum chamber from each other
CN110607504A (zh) * 2018-06-15 2019-12-24 佳能特机株式会社 成膜装置、成膜方法以及电子设备制造方法
WO2020025145A1 (en) * 2018-08-03 2020-02-06 Applied Materials, Inc. An evaporation source to deposit evaporated source materials, a method of shielding evaporated source materials and a shielding device for an evaporation source
CN212404260U (zh) * 2020-08-04 2021-01-26 光驰科技(上海)有限公司 一种节省真空镀膜室内空间的蒸发源配置结构

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040007183A1 (en) * 2002-07-11 2004-01-15 Ulvac, Inc. Apparatus and method for the formation of thin films
JP4447256B2 (ja) * 2003-06-27 2010-04-07 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法

Patent Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006134908A1 (ja) * 2005-06-15 2006-12-21 Ulvac, Inc. 有機蒸着装置及び有機蒸着方法
JP2007332433A (ja) * 2006-06-16 2007-12-27 Seiko Epson Corp 真空蒸着装置
JP2009203534A (ja) * 2008-02-28 2009-09-10 Fujifilm Corp 真空蒸着装置
CN101845617A (zh) * 2010-06-07 2010-09-29 崔铮 直线型金属镀膜蒸发源的连续输送镀膜料装置
CN103993267A (zh) * 2014-04-30 2014-08-20 光驰科技(上海)有限公司 一种镀膜机中补正板的设置修正方法
CN103993269A (zh) * 2014-05-19 2014-08-20 上海和辉光电有限公司 镀膜装置及镀膜方法
WO2016199728A1 (ja) * 2015-06-09 2016-12-15 株式会社アルバック 巻取式成膜装置、蒸発源ユニット、及び巻取式成膜方法
CN205556763U (zh) * 2016-04-08 2016-09-07 光驰科技(上海)有限公司 采用扫描式蒸发源的镀膜装置
CN205774776U (zh) * 2016-06-30 2016-12-07 光驰科技(上海)有限公司 多蒸发源镀膜装置
CN105887020A (zh) * 2016-06-30 2016-08-24 光驰科技(上海)有限公司 多蒸发源镀膜装置及其镀膜方法
WO2018166618A1 (en) * 2017-03-17 2018-09-20 Applied Materials, Inc. Apparatus for vacuum processing of a substrate, system for the manufacture of devices having organic materials, and method for sealing a processing vacuum chamber and a maintenance vacuum chamber from each other
CN207243983U (zh) * 2017-09-13 2018-04-17 光驰科技(上海)有限公司 一种多蒸发源镀膜装置
CN110607504A (zh) * 2018-06-15 2019-12-24 佳能特机株式会社 成膜装置、成膜方法以及电子设备制造方法
WO2020025145A1 (en) * 2018-08-03 2020-02-06 Applied Materials, Inc. An evaporation source to deposit evaporated source materials, a method of shielding evaporated source materials and a shielding device for an evaporation source
CN212404260U (zh) * 2020-08-04 2021-01-26 光驰科技(上海)有限公司 一种节省真空镀膜室内空间的蒸发源配置结构

Also Published As

Publication number Publication date
CN111676454A (zh) 2020-09-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111676454B (zh) 一种节省真空镀膜室内空间的蒸发源配置结构及其设计方法
CN201012941Y (zh) 硅片生产中使用的石墨舟
CN212404260U (zh) 一种节省真空镀膜室内空间的蒸发源配置结构
CN104852153A (zh) 一种基于交叉领结形amc的宽带缩减rcs复合材料
KR20220140461A (ko) 금속판, 증착용마스크 및 이를 이용한 oled 패널
CN213652623U (zh) 一种小型化腔体及蒸发台设备
CN204174275U (zh) 一种用于双面连续镀膜的分段式翻转镀膜治具机构
US11530489B2 (en) Apparatus for electro-forming and apparatus for horizontal electro-forming
CN114583472A (zh) 一种L到Ka超宽频段内可调吸波结构
CN101008081B (zh) 硅片生产中使用的石墨舟
CN107230741A (zh) 一种fpc型柔性led灯丝固晶装置
CN208271866U (zh) 一种柔性衬底基板以及高平整度柔性衬底
CN206970694U (zh) 一种光伏焊带镀锡生产线
CN108866505A (zh) 一种化学气相沉积设备
CN110600415A (zh) 一种三维堆叠对准方法
CN210429770U (zh) 一种用于给蓝宝石衬底镀膜的真空吸附托盘
CN207542191U (zh) 下电极机构及反应腔室
CN110042346B (zh) 一种提高蒸铝均匀度的装置、设备及方法
US20240021374A1 (en) Thin-Film Capacitor Core
CN214753697U (zh) 一种托盘及半导体工艺腔室
CN214218856U (zh) 一种镀膜装置
CN105088145B (zh) 用于oled蒸发源的坩埚及其制造方法
CN206204418U (zh) 远端电浆增强化学气相沉积装置
CN105720178A (zh) 一种发光二极管的封装方法
CN202308040U (zh) 新型铜基板

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant