WO2006134908A1 - 有機蒸着装置及び有機蒸着方法 - Google Patents

有機蒸着装置及び有機蒸着方法 Download PDF

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Toshio Negishi
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    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
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    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask

Definitions

  • the present invention relates to a technique for forming a vapor deposition film of an organic compound on a substrate, for example, when manufacturing an organic EL element or the like.
  • FIG. 4 is a schematic configuration diagram of an organic vapor deposition apparatus for producing a conventional organic EL element.
  • an evaporation source 106 is disposed in the lower part of the vacuum chamber 102, and a substrate 104, which is a film formation target, is disposed above the evaporation source 106. Has been placed.
  • vapor of the organic evaporation material 108 evaporated from the evaporation source 106 is vapor-deposited on the substrate 104 through the mask 105, thereby forming an organic thin film having a predetermined pattern on the substrate 104.
  • the substrate 104 is rotated about the rotation axis O, and the evaporation source 106 is arranged so as to be offset from the rotation axis O of the substrate 104, thereby providing a uniform film thickness distribution.
  • the conventional technology for example, when using a high-precision mask for full-color devices, it is difficult to make the substrate and pixel inner film thickness uniform, and the use efficiency of organic evaporation materials is improved. There is a problem that it is difficult to do.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Laid-Open No. 10-350662
  • Patent Document 2 Japanese Patent Laid-Open No. 2001-279429
  • Patent Document 3 Japanese Patent Laid-Open No. 2003-321770
  • the present invention has been made to solve the above-described problems of the conventional technique, and the object of the present invention is to provide a substrate and a pixel inner film even when a high-definition mask is used.
  • An object of the present invention is to provide an organic vapor deposition apparatus and an organic vapor deposition method capable of uniforming the thickness and improving the use efficiency of the organic evaporation material. Means for solving the problem
  • the present invention made to achieve the above object is an organic vapor deposition apparatus for depositing an organic evaporation material through a mask while holding and rotating a vapor deposition object in a vacuum chamber, A position where a main evaporation source for performing main evaporation of the organic evaporation material is disposed on a rotation axis of the evaporation target in the vacuum chamber, and a position separated from the main evaporation source in the vacuum chamber.
  • a correction evaporation source for correcting the film thickness distribution of the deposited film by the main evaporation source is arranged.
  • the correction evaporation source may be configured such that a directivity index is larger than a directivity index of the main evaporation source.
  • the correction evaporation source may be configured to have an evaporation rate smaller than an evaporation rate of the main evaporation source.
  • the correction evaporation source may be arranged closer to the deposition object than the main evaporation source.
  • the correction evaporation source may be arranged so as to face an edge of a film formation region of the deposition object.
  • the present invention is an organic vapor deposition method for vapor-depositing an organic evaporation material through a mask while holding and rotating a vapor deposition object in a vacuum chamber, on the rotation axis of the vapor deposition object in the vacuum chamber
  • the main evaporation source is primarily vapor-deposited by the main evaporation source, and the correction evaporation source arranged at a distance from the main evaporation source in the vacuum chamber is used to form a vapor deposition film formed by the main evaporation source. Deposition is performed to correct the film thickness distribution.
  • vapor deposition may be performed so that an evaporation rate of the correction evaporation source is smaller than an evaporation rate of the main evaporation source.
  • the present invention is more effective when the organic evaporation material is a host material for forming an organic layer of an organic EL element.
  • the main evaporation source disposed on the rotation axis of the object to be deposited in the vacuum chamber is used for the main evaporation of the organic evaporation material, and the correction is disposed separately from the main evaporation source.
  • Vapor deposition is performed by an evaporation source, and the vapor is in a uniform state for each area of the deposition object.
  • the film thickness distribution of the deposited film by the main evaporation source is corrected, so that even in the case of using a high-definition mask, the film thickness in the substrate and the pixels can be made uniform.
  • the main evaporation source is arranged on the rotation axis of the object to be deposited in the vacuum chamber, so that the organic evaporation material that does not reach the object to be deposited and is wasted can be reduced. As a result, the use efficiency of the organic evaporation material can be improved.
  • the correction evaporation source when configured to be larger than the directivity index of the main evaporation source, the correction evaporation source is closer to the deposition target than the main evaporation source. Since the vertical incident component of the vapor of the organic evaporating material with respect to the vapor deposition target can be increased, it is possible to further uniform the film thickness in the pixel.
  • the evaporation rate of the evaporation by the correction evaporation source is the evaporation rate of the main evaporation source. If it is smaller, it is possible to efficiently perform the vapor deposition on the region where the film thickness is likely to be thin, so that the use efficiency of the organic evaporation material can be further improved.
  • an organic layer of the organic EL element having a uniform thickness is formed in the substrate and the pixel. Can do.
  • FIG. 1 is a sectional view showing a configuration of an organic vapor deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 (a): Front explanatory view showing the vapor deposition method of the present invention, (b): Planar explanatory view showing the positional relationship between the substrate and each evaporation source.
  • FIG. 3 is a perspective view showing an outline of the vapor deposition method of the present invention.
  • FIG. 4 Cross-sectional view showing the configuration of a conventional organic vapor deposition system
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing the configuration of an organic vapor deposition apparatus according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 2 (a) is a front explanatory view showing an outline of the vapor deposition method of the present invention
  • FIG. It is a plane explanatory view showing the positional relationship with each evaporation source.
  • FIG. 3 is a perspective view showing an outline of the vapor deposition method of the present invention.
  • the organic vapor deposition apparatus 1 of the present embodiment has a vacuum chamber 2 connected to a vacuum exhaust system (not shown).
  • a substrate holder 3 is provided in the upper part of the vacuum chamber 2, and a substrate 4 as an object to be deposited is fixed to the substrate holder 3.
  • a mask 5 is attached near the lower part of the substrate 4.
  • the substrate 4 and the mask 5 are configured to rotate in the horizontal direction around the rotation axis O by driving a motor (not shown).
  • a main evaporation source 6 for performing main vapor deposition of a predetermined organic evaporation material (for example, a host material for forming an organic layer of an organic EL element) 8 is provided below the inside of the vacuum chamber 2.
  • the main evaporation source 6 is provided on the rotation axis O at the position of the center of gravity of the substrate 4.
  • the main evaporation source 6 it is preferable to dispose the main evaporation source 6 at a position where the main evaporation source 6 (more preferably, the evaporation opening 6a) overlaps the rotation axis O. .
  • directivity index is a value derived from the following approximate expression force representing the film thickness distribution of a film formed by an evaporation source having a sufficiently small evaporation surface.
  • t is the film thickness at a predetermined point on the perpendicular extending from the evaporation source in the evaporation direction
  • t is The film thickness at a point that extends from the evaporation source and is located on a straight line that forms an angle Ct with the perpendicular line and intersects a plane that is perpendicular to the perpendicular line and passes through the predetermined point.
  • a correction evaporation source 7 for correcting the film thickness distribution of the deposited film by the main evaporation source 6 is laterally separated from the main evaporation source 6. It is placed at the position.
  • This correction evaporation source 7 is configured to be larger than the directivity index of the main evaporation source 6.
  • the correction evaporation source 7 is disposed closer to the substrate 4 (mask 5) than the main evaporation source 6.
  • the distance between the correction evaporation source 7 and the substrate 4 (mask 5) is not particularly limited, but from the viewpoint of ensuring uniformity of the substrate and the pixel inner film thickness, for example,
  • the distance between the main evaporation source 6 and the substrate 4 (mask 5) L is preferably 0.3L to 0.9L.
  • the correction evaporation source 7 is disposed so as to face the edge of the film formation region 4 a of the substrate 4.
  • a shutter (not shown) for controlling the vapor to be evaporated is provided in the vicinity of the upper part of the main evaporation source 6 and the correction evaporation source 7, respectively.
  • the inside of the vacuum chamber 2 is evacuated to a predetermined pressure, and the main evaporation source 6 and the correction evaporation source 7 are After each organic evaporating material 8 is heated to reach a predetermined evaporation rate, the substrate 4 is rotated at a predetermined speed and the shutter is operated. Note that the evaporation rate of vapor deposition by the correction evaporation source 7 is set to be smaller than the evaporation rate of the main evaporation source 6.
  • the vapors of the organic evaporation material 8 fly from the main evaporation source 6 and the correction evaporation source 7 toward the substrate 4 respectively.
  • the organic evaporation material 8 having a large amount of components reaches the edge of the film formation region 4 a of the substrate 4, and as a result, vapor in a uniform state reaches each region of the substrate 4.
  • the main evaporation source 6 performs the main evaporation of the organic evaporation material 8 by the main evaporation source 6 disposed on the rotation axis O of the substrate 4 in the vacuum chamber 2, and the main evaporation source 6
  • the vapor deposition is performed by the correction evaporation source 7 arranged at a distance from the substrate, and the vapor distribution in the vapor deposition film by the main evaporation source 6 is corrected by introducing uniform vapor to each region of the substrate 4. Therefore, for example, even when a high-definition mask 5 (one pixel size, about 50 ⁇ m x 100 ⁇ m) for forming an organic layer of an organic EL element is used, the substrate and the inner film thickness are uniform. Can be realized.
  • the correction evaporation source 7 is larger than the directivity index of the main evaporation source 6, and the correction evaporation source 7 is closer to the substrate 4 than the main evaporation source 6. Therefore, the vertical incident component of the vapor of the organic evaporating material 8 to the edge of the film formation region 4a of the substrate 4 can be increased, so that the substrate and the pixel can be surely covered over the entire region of the film formation region 4a. It becomes possible to make the inner film thickness uniform.
  • the main evaporation source 6 is disposed on the rotation axis ⁇ of the substrate 4 in the vacuum chamber 2, while the correction evaporation source 7 is disposed on the film formation region 4 a of the substrate 4. Since it is arranged so as to face the edge, and the evaporation rate of evaporation by the correction evaporation source 7 is made smaller than the evaporation rate of the main evaporation source 6, it does not reach the substrate 4 and is wasted. In addition to reducing the organic evaporation material 8, it is possible to efficiently perform the vapor deposition in the region where the film thickness tends to be thin, and as a result, the use efficiency of the organic evaporation material 8 can be greatly improved.
  • one correction evaporation source is provided.
  • the present invention is not limited to this, and for example, a plurality of correction evaporation sources can be provided.
  • the present invention can be applied not only to organic EL elements but also to the deposition of various organic materials.
  • the present invention is most effective in achieving uniform film thickness in the substrate and the pixel, particularly when a high-definition mask is used and a host material for the organic layer of the organic EL element is deposited.

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Abstract

　本発明は、高精細のマスクを用いた場合であっても基板及び画素内膜厚の均一化が可能で、しかも有機蒸発材料の使用効率を向上させることができる有機蒸着装置及び有機蒸着方法を提供する。本発明は、真空槽２内において基板４を保持して回転させながらマスク５を介して有機蒸発材料８の蒸着を行う有機蒸着装置であって、真空槽２内の基板４の回転軸Ｏ上に、有機蒸発材料８の主たる蒸着を行うための主蒸発源６が配置されるとともに、主蒸発源６に対して離間させた位置に、主蒸発源６による蒸着膜の膜厚分布を補正するための補正用蒸発源７が配置されている。補正用蒸発源７は、主蒸発源６の指向指数より指向指数が大きくなるように構成されている。

Description

明 細 書
有機蒸着装置及び有機蒸着方法
技術分野
[0001] 本発明は、例えば、有機 EL素子等を製造する際に、基板上に有機化合物の蒸着 膜を形成するための技術に関する。
背景技術
[0002] 図 4は、従来の有機 EL素子を作成するための有機蒸着装置の概略構成図である。
図 4に示すように、この有機蒸着装置 101にあっては、真空槽 102内の下部に蒸発 源 106が配設されるとともに、この蒸発源 106の上方に成膜対象物である基板 104 が配置されている。
[0003] そして、蒸発源 106から蒸発される有機蒸発材料 108の蒸気を、マスク 105を介し て基板 104に蒸着させることによって基板 104上に所定パターンの有機薄膜を形成 する。
[0004] この場合、従来技術においては、回転軸 Oを中心として基板 104を回転させるとと もに、蒸発源 106を基板 104の回転軸 Oからずらして配置することにより、均一な膜 厚分布を得るようにしているが、従来技術では、例えばフルカラーデバイス用の高精 細のマスクを用いる場合に基板及び画素内膜厚の均一化が困難であるとともに、有 機蒸発材料の使用効率を向上させることが困難であるという問題がある。
特許文献 1 :特開平 10— 335062号公報
特許文献 2：特開 2001— 279429号公報
特許文献 3：特開 2003— 321770号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0005] 本発明は、このような従来の技術の課題を解決するためになされたもので、その目 的とするところは、高精細のマスクを用いた場合であっても基板及び画素内膜厚の均 一化が可能で、しかも有機蒸発材料の使用効率を向上させることができる有機蒸着 装置及び有機蒸着方法を提供することにある。 課題を解決するための手段
[0006] 上記目的を達成するためになされた本発明は、真空槽内において蒸着対象物を保 持して回転させながらマスクを介して有機蒸発材料の蒸着を行う有機蒸着装置であ つて、前記真空槽内の前記蒸着対象物の回転軸上に、前記有機蒸発材料の主たる 蒸着を行うための主蒸発源が配置されるとともに、前記真空槽内の前記主蒸発源に 対して離間させた位置に、前記主蒸発源による蒸着膜の膜厚分布を補正するための 補正用蒸発源が配置されているものである。
本発明では、前記発明において、前記補正用蒸発源が、前記主蒸発源の指向指 数より指向指数が大きくなるように構成されていてもよい。
本発明では、前記発明において、前記補正用蒸発源が、前記主蒸発源の蒸発レ ートより蒸発レートが小さくなるように構成されていてもよい。
本発明では、前記発明において、前記補正用蒸発源が、前記主蒸発源より前記蒸 着対象物に対して近レ、位置に配置されてレ、てもよレ、。
本発明では、前記発明において、前記補正用蒸発源が、前記蒸着対象物の成膜 領域の縁部に対向するように配置されていてもよい。
本発明は、真空槽内において蒸着対象物を保持して回転させながらマスクを介し て有機蒸発材料の蒸着を行う有機蒸着方法であって、前記真空槽内の前記蒸着対 象物の回転軸上に配置した主蒸発源によって前記有機蒸発材料の主たる蒸着を行 うとともに、前記真空槽内の前記主蒸発源に対して離間させて配置した補正用蒸発 源によって、前記主蒸発源による蒸着膜の膜厚分布を補正するための蒸着を行うも のである。
本発明では、前記発明において、前記補正用蒸発源の蒸発レートが前記主蒸発 源の蒸発レートより小さくなるように蒸着を行うこともできる。
本発明では、前記発明において、前記有機蒸発材料が、有機 EL素子の有機層形 成用のホスト材料である場合により効果的である。
[0007] 本発明の場合、真空槽内の蒸着対象物の回転軸上に配置した主蒸発源によって 有機蒸発材料の主たる蒸着を行うとともに、主蒸発源に対して離間させて配置した補 正用蒸発源によって蒸着を行い、蒸着対象物の各領域に対して均一な状態の蒸気 を導くことで主蒸発源による蒸着膜の膜厚分布を補正するようにしたことから、高精細 のマスクを用いた場合であっても基板及び画素内膜厚の均一化が可能になる。
[0008] また、本発明においては、主蒸発源を真空槽内の蒸着対象物の回転軸上に配置 するようにしたことから、蒸着対象物に到達せず無駄になる有機蒸発材料を減らすこ とができ、これにより有機蒸発材料の使用効率を向上させることができる。
[0009] 本発明において、補正用蒸発源が、主蒸発源の指向指数より大きくなるように構成 されている場合、また、補正用蒸発源が、主蒸発源より蒸着対象物に対して近い位 置に配置されている場合には、蒸着対象物に対する有機蒸発材料の蒸気の垂直入 射成分を増加させることができるので、一層の画素内膜厚の均一化を図ることが可能 になる。
[0010] また、補正用蒸発源が、蒸着対象物の成膜領域の縁部に対向するように配置され ている場合、また補正用蒸発源による蒸着の蒸発レートが、主蒸発源の蒸発レートよ り小さい場合には、膜厚が薄くなりやすい領域に対して効率良く蒸着を行うことができ るので、有機蒸発材料の使用効率をより向上させることができる。
そして、本発明において、高精細のマスクを用い、有機 EL素子の有機層形成用の ホスト材料を蒸着すれば、基板及び画素内において均一な膜厚の有機 EL素子の有 機層を形成することができる。
発明の効果
[0011] 本発明によれば、高精細のマスクを用いた場合であっても基板及び画素内膜厚の 均一化が可能で、また有機蒸発材料の使用効率を向上させることができる。
図面の簡単な説明
[0012] [図 1]本発明の実施の形態の有機蒸着装置の構成を示す断面図
[図 2] (a)：本発明の蒸着方法を示す正面説明図、（b)：基板と各蒸発源との位置関 係を示す平面説明図
[図 3]本発明の蒸着方法の概要を示す斜視図
[図 4]従来の有機蒸着装置の構成を示す断面図
符号の説明
[0013] 1…有機蒸着装置 2…真空槽 3…基板ホルダー 4…基板 (蒸着対象物） 5…マ スク 6…主蒸発源 7…補正用蒸発源 8…有機蒸発材料
発明を実施するための最良の形態
[0014] 以下、本発明の好ましい実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。
図 1は、本発明の実施の形態の有機蒸着装置の構成を示す断面図、図 2 (a)は、 本発明の蒸着方法の概要を示す正面説明図、図 2 (b)は、基板と各蒸発源との位置 関係を示す平面説明図である。また、図 3は、本発明の蒸着方法の概要を示す斜視 図である。
[0015] 図 1に示すように、本実施の形態の有機蒸着装置 1は、図示しない真空排気系に 接続された真空槽 2を有してレ、る。
この真空槽 2内の上部には、基板ホルダー 3が設けられ、この基板ホルダー 3に、蒸 着対象物である基板 4が固定されている。そして、基板 4の下方近傍にはマスク 5が 取り付けられている。
本実施の形態の場合、図示しないモータの駆動によって回転軸 Oを中心として基 板 4及びマスク 5が水平方向に回転するように構成されている。
[0016] 一方、真空槽 2内の下方には、所定の有機蒸発材料 (例えば、有機 EL素子の有機 層形成用のホスト材料） 8の主たる蒸着を行うための主蒸発源 6が設けられている。
[0017] 本発明の場合、主蒸発源 6は、上記基板 4の重心の位置で、その回転軸 O上に設 けられている。
この場合、基板及び画素内膜厚の均一化を確保する観点からは、主蒸発源 6 (より 好ましくは蒸発開口部 6a)が回転軸〇と重なり合う位置に主蒸発源 6を配置すること が好ましい。
そして、本実施の形態の場合、基板 4の全面に対して成膜を行うため、主蒸発源 6 として、指向指数が、例えば n = 0. 5〜3のものを用いている。
[0018] 本明細書において、「指向指数」とは、十分に蒸発面の小さい蒸発源によって形成 される膜の膜厚分布を表す以下の近似式力 導かれる値で、
(t/t ) =COSn a
o
における nの値を表すものである。
ここで、 tは、蒸発源から蒸発方向に延びる垂線上の所定点における膜厚、 tは、上 記蒸発源から延び上記垂線と角度 Ctをなす直線上に位置し、上記垂線と直交し上 記所定点を通る平面と交わる点の膜厚を示す。
[0019] さらに、真空槽 2内の下部には、主蒸発源 6による蒸着膜の膜厚分布を補正するた めの補正用蒸発源 7が、主蒸発源 6に対して側方に離間させた位置に配置されてい る。
この補正用蒸発源 7は、主蒸発源 6の指向指数より大きくなるように構成されている
[0020] 本発明の場合、補正用蒸発源 7の指向指数は特に限定されることはないが、基板 及び画素内膜厚の均一化を確保する観点からは、 n= 15〜20のものを用いることが 好ましい。
そして、補正用蒸発源 7は、主蒸発源 6より基板 4 (マスク 5)に対して近い位置に配 置されている。
[0021] 本発明の場合、補正用蒸発源 7と基板 4 (マスク 5)との距離は特に限定されることは ないが、基板及び画素内膜厚の均一化を確保する観点からは、例えば主蒸発源 6と 基板 4 (マスク 5)の距離 Lに対し、 0. 3L〜0. 9Lの位置に配置することが好ましい。
[0022] さらに、図 2 (a) (b)に示すように、この補正用蒸発源 7は、基板 4の成膜領域 4aの 縁部に対向するように配置されている。
なお、主蒸発源 6及び補正用蒸発源 7の上方近傍には、蒸発する蒸気を制御する ための図示しないシャッターがそれぞれ設けられている。
[0023] このような構成を有する本実施の形態において基板 4に対して蒸着を行うには、真 空槽 2内を所定の圧力に真空排気し、主蒸発源 6及び補正用蒸発源 7の各有機蒸 発材料 8を加熱して所定の蒸発レートに到達した後、基板 4を所定の速度で回転させ るとともに、上記シャッターを動作させる。なお、補正用蒸発源 7による蒸着の蒸発レ 一トを主蒸発源 6の蒸発レートより小さくなるように設定する。
[0024] これにより、図 2 (a)及び図 3に示すように、主蒸発源 6及び補正用蒸発源 7から基 板 4に向かってそれぞれ有機蒸発材料 8の蒸気が飛翔する。
この場合、主蒸発源 6として、指向指数力 n = 0. 5〜3のものを用いていることから 、基板 4の全面に対して有機蒸発材料 8が到達する。 [0025] また、主蒸発源 6は、回転軸〇上に設けられているので、基板 4の成膜領域 4aの縁 部に対しては斜め成分が入射するが、本実施の形態では、主蒸発源 6の指向指数よ り大きい (n= 15〜20)補正用蒸発源 7を基板 4の成膜領域 4aの縁部に対向するよう に配置していることから、基板 4に対して垂直成分の多い有機蒸発材料 8が、基板 4 の成膜領域 4aの縁部に到達し、その結果、基板 4の各領域に対して均一な状態の 蒸気が到達するようになる。
[0026] 以上述べたように本実施の形態においては、真空槽 2内の基板 4の回転軸 O上に 配置した主蒸発源 6によって有機蒸発材料 8の主たる蒸着を行うとともに、主蒸発源 6 に対して離間させて配置した補正用蒸発源 7によって蒸着を行い、基板 4の各領域 に対して均一な状態の蒸気を導くことで主蒸発源 6による蒸着膜の膜厚分布を補正 するようにしたことから、例えば有機 EL素子の有機層形成用の高精細のマスク 5 (1 画素寸法、 50 μ m X 100 μ m程度）を用いた場合であっても基板及び画素内膜厚 の均一化が可能になる。
[0027] 特に、本実施の形態では、補正用蒸発源 7が、主蒸発源 6の指向指数より大きぐ かつ、補正用蒸発源 7が、主蒸発源 6より基板 4に対して近い位置に配置されている ことから、基板 4の成膜領域 4aの縁部に対する有機蒸発材料 8の蒸気の垂直入射成 分を増加させることができるので、成膜領域 4aの全域にわたって確実に基板及び画 素内膜厚の均一化を図ることが可能になる。
[0028] また、本実施の形態においては、主蒸発源 6を真空槽 2内の基板 4の回転軸〇上に 配置する一方で、補正用蒸発源 7を、基板 4の成膜領域 4aの縁部に対向するように 配置するようにし、さらに補正用蒸発源 7による蒸着の蒸発レートを主蒸発源 6の蒸 発レートより小さくなるようにしたことから、基板 4に到達せず無駄になる有機蒸発材 料 8を減らすとともに、膜厚が薄くなりやすい領域に対して効率良く蒸着を行うことが でき、その結果、有機蒸発材料 8の使用効率を大幅に向上させることができる。
[0029] なお、本発明は上述の実施の形態に限られることなぐ種々の変更を行うことができ る。
例えば、上述の実施の形態においては、補正用蒸発源を 1つ設けるようにしたが、 本発明はこれに限られず、例えば複数の補正用蒸発源を設けることも可能である。 また、本発明は有機 EL素子のみならず、種々の有機材料を蒸着する場合に適用 すること力 Sできる。
ただし、本発明は、特に高精細のマスクを用レ、、有機 EL素子の有機層用のホスト 材料を蒸着する場合に基板及び画素内膜厚均一化が図れ最も有効となるものであ る。

Claims

請求の範囲
[1] 真空槽内において蒸着対象物を保持して回転させながらマスクを介して有機蒸発 材料の蒸着を行う有機蒸着装置であって、
前記真空槽内の前記蒸着対象物の回転軸上に、前記有機蒸発材料の主たる蒸着 を行うための主蒸発源が配置されるとともに、
前記真空槽内の前記主蒸発源に対して離間させた位置に、前記主蒸発源による 蒸着膜の膜厚分布を補正するための補正用蒸発源が配置されている有機蒸着装置
[2] 前記補正用蒸発源が、前記主蒸発源の指向指数より指向指数が大きくなるように 構成されている請求項 1記載の有機蒸着装置。
[3] 前記補正用蒸発源が、前記主蒸発源の蒸発レートより蒸発レートが小さくなるように 構成されている請求項 1記載の有機蒸着装置。
[4] 前記補正用蒸発源が、前記主蒸発源より前記蒸着対象物に対して近い位置に配 置されている請求項 1記載の有機蒸着装置。
[5] 前記補正用蒸発源が、前記蒸着対象物の成膜領域の縁部に対向するように配置 されている請求項 1記載の有機蒸着装置。
[6] 真空槽内において蒸着対象物を保持して回転させながらマスクを介して有機蒸発 材料の蒸着を行う有機蒸着方法であって、
前記真空槽内の前記蒸着対象物の回転軸上に配置した主蒸発源によって前記有 機蒸発材料の主たる蒸着を行うとともに、
前記真空槽内の前記主蒸発源に対して離間させて配置した補正用蒸発源によつ て、前記主蒸発源による蒸着膜の膜厚分布を補正するための蒸着を行う有機蒸着 方法。
[7] 前記補正用蒸発源の蒸発レートが前記主蒸発源の蒸発レートより小さくなるように 蒸着を行う請求項 6記載の有機蒸着方法。
[8] 前記有機蒸発材料が、有機 EL素子の有機層形成用のホスト材料である請求項 6 記載の有機蒸着方法。
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