JP2003321770A

JP2003321770A - 薄膜の蒸着方法、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法及び電子機器

Info

Publication number: JP2003321770A
Application number: JP2002126632A
Authority: JP
Inventors: Hidekazu Kobayashi; 英和小林
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2002-04-26
Filing date: 2002-04-26
Publication date: 2003-11-14

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明は、基板に薄膜を蒸着させるときに、
その基板に成膜された薄膜の膜厚の均一化を図ることが
できる薄膜の蒸着方法、有機エレクトロルミネッセンス
装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法及
び電子機器を提供する。【解決手段】基板１０に蒸着物１３を蒸着させて薄膜
を形成させる薄膜の蒸着方法であって、蒸着源１２から
離れた位置に基板１０を配置し、蒸着開始時における基
板１０上の蒸着位置（位置Ｐ）と、蒸着終了時における
基板１０上の蒸着位置とが略同一位置となるように、基
板１０を回転させる。また、基板１０に蒸着された薄膜
の厚さにおける最大値と最小値の差を、該最小値で割っ
た値を膜厚斑値と規定し、目標とする前記膜厚斑値を目
標膜厚斑値と規定し、目標膜厚斑値が基板１０の回転数
の逆数よりも大きくなるように、該回転数を設定する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板に薄膜を蒸着
させるときに、その膜厚の均一化を図るのに好適な薄膜
の蒸着方法、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機
エレクトロルミネッセンス装置の製造方法及び電子機器
に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体基板に薄膜を形成する装置
としては、蒸着装置があった。蒸着装置は、真空装置内
に蒸着源と基板を配置し、蒸着源を加熱することによっ
て蒸着物を蒸発させ、その蒸着物を基板上に堆積させる
ものである。ここで、基板は、回転軸に取り付けられ、
回転しながら蒸着物が堆積されていた。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の蒸着装置では、基板を回転させること以外、基板に
蒸着させた薄膜の厚さの均一性を確保しようとする技術
が何らなされていなかった。そこで、上記従来の蒸着装
置では、比較的膜厚が大きい場合は、薄膜の厚さの均一
性を確保することができるが、比較的膜厚が小さい場合
（例えば、数オングストロームから数十オングストロー
ム）は、薄膜の厚さの均一性を確保することができない
という問題点があった。

【０００４】これは、従来、蒸着源からの蒸着物の発生
量を制御してその発生量を小さくするにも限度があり、
また、基板を回転させる速度を高速にするにも限度があ
るので、膜厚を非常に薄くした場合、例えば、基板にお
いて蒸着源の上を１回通過した部分と２回通過した部分
とで、膜厚が１００パーセントも異なるという事態が生
じるものである。そして、この膜厚の差が膜厚斑とな
る。

【０００５】本発明は、上述した事情に鑑みてなされた
もので、基板に薄膜を蒸着させるときに、その基板に成
膜された薄膜の各部位における膜厚の差を低減すること
ができる薄膜の蒸着方法、有機エレクトロルミネッセン
ス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法
及び電子機器の提供を目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ために、本発明の薄膜の蒸着方法は、基板に蒸着により
薄膜を形成させる薄膜の蒸着方法であって、蒸着源から
離れた位置に前記基板を配置し、蒸着開始時における前
記基板上の蒸着位置と、蒸着終了時における前記基板上
の蒸着位置とが略同一位置となるように、前記基板を回
転させることを特徴とする。このような方法によれば、
基板の蒸着面における全ての部分が蒸着源上を同一回数
だけ通過することとなり、蒸着膜厚の差（蒸着膜厚の
斑）を最小にすることができる。また、本発明の薄膜の
蒸着方法は、前記基板の回転速度が略一定であることが
好ましい。

【０００７】また、本発明の薄膜の蒸着方法は、基板に
蒸着物を蒸着させて薄膜を形成させる薄膜の蒸着方法で
あって、蒸着源から離れた位置に前記基板を配置すると
ともに、該基板を回転させ、成膜厚に基づいて前記基板
の回転速度と成膜速度の内の少なくとも一方を規定する
ことを特徴とする。このような方法によれば、成膜厚が
薄い場合は、成膜厚が厚い場合よりも基板の回転速度を
早くすることで、蒸着膜の厚さにおける最大値と最小値
の差を該最小値で割った値である膜厚斑値について、成
膜の厚さにかかわらず所望の一定値にすることができ
る。

【０００８】また、本発明の薄膜の蒸着方法は、基板に
蒸着により薄膜を形成させる薄膜の蒸着方法であって、
蒸着源から離れた位置に前記基板を配置するとともに、
該基板を回転させ、前記基板に蒸着された薄膜の厚さに
おける最大値と最小値の差を、該最小値で割った値を膜
厚斑値と規定し、目標とする前記膜厚斑値を目標膜厚斑
値と規定し、前記目標膜厚斑値が前記基板の回転数の逆
数よりも大きくなるように、該回転数を設定することを
特徴とする。このような方法によれば、基板の回転数を
上記条件で設定することで、膜厚斑値を目標膜厚斑値以
下にすることができ、膜厚の均一化を図ることができ
る。また、本発明の薄膜の蒸着方法は、前記基板の回転
速度が略一定であることが好ましい。

【０００９】また、本発明の薄膜の蒸着方法は、蒸着開
始時における前記基板上の蒸着位置と、蒸着終了時にお
ける前記基板上の蒸着位置とが略同一位置となるよう
に、前記基板を回転させることが好ましい。このような
方法によれば、基板の蒸着面における全ての部分が蒸着
源上を同一回数だけ通過することとなり、さらに、蒸着
膜厚の差（蒸着膜厚の斑）を最小にすることができる。

【００１０】また、本発明の薄膜の蒸着方法は、前記回
転数を前記目標膜厚斑値の逆数よりも大きくすることが
できない場合は、前記蒸着によって薄膜が単位時間当た
り形成される厚さである成膜速度を調整することが好ま
しい。このような方法によれば、基板に形成する薄膜の
厚さが非常に薄く、装置の回転速度の上限以上にしなけ
れば上記条件（回転数を目標膜厚斑値の逆数よりも大き
くする）を満足することができない場合でも、成膜速度
を調整することで該条件を満足させることができるの
で、膜厚斑値を目標膜厚斑値以下にすることができ、膜
厚の均一化を図ることができる。

【００１１】また、本発明の薄膜の蒸着方法は、基板に
蒸着物を蒸着させて薄膜を形成させる薄膜の蒸着方法で
あって、蒸着源から離れた位置に前記基板を配置すると
ともに、該基板を回転させ、前記基板の回転速度をＮ
［ｒｐｍ］と規定し、成膜速度をα［オングストローム
／ｓｅｃ］と規定し、所望膜厚をｄ［オングストロー
ム］と規定し、前記基板に蒸着された薄膜の厚さにおけ
る最大値と最小値の差を、該最小値で割った値を膜厚斑
値と規定し、目標とする前記膜厚斑値を目標膜厚斑値ａ
と規定したときに、目標膜厚斑値ａ＞｛（６０＊α）／
（Ｎ＊ｄ）｝となるように、前記回転速度Ｎ及び成膜速
度αの内の少なくとも一方を調節することを特徴とす
る。このような方法によれば、目標膜厚斑値ａ及び所望
膜厚ｄに応じて回転速度Ｎ又は成膜速度αを設定するこ
とで、任意の所望膜厚ｄにおいて、膜厚斑値を目標膜厚
斑値以下にすることができ、膜厚の均一化を図ることが
できる。

【００１２】また、本発明の薄膜の蒸着方法は、前記回
転速度Ｎが最高回転速度に達するまでは、前記成膜速度
αの調節は行わずに、該回転速度Ｎを調整することで、
前記膜厚斑値が目標膜厚斑値ａ未満になるように制御
し、前記回転速度Ｎが最高回転速度に達した後は、前記
成膜速度αを調節することで、前記膜厚斑値が目標膜厚
斑値ａ未満になるように制御することが好ましい。この
ような方法によれば、基板に形成する薄膜の厚さが非常
に薄く、装置の最高回転速度の以上にしなければ上記条
件（目標膜厚斑値ａ＞｛（６０＊α）／（Ｎ＊ｄ）｝）
を満足することができない場合でも、成膜速度αを調整
することで該条件を満足させることができるので、任意
の所望膜厚ｄにおいて、膜厚斑値を目標膜厚斑値以下に
することができ、膜厚の均一化を図ることができる。

【００１３】また、本発明の有機エレクトロルミネッセ
ンス装置は、前記薄膜の蒸着方法を用いて作成されたこ
とを特徴とする。このような有機エレクトロルミネッセ
ンス装置によれば、該装置の構成要素である有機層又は
金属層などの膜厚を均一にすることができるので、各部
位の発光特性の均一化を図ることができるので、高品質
な表示をすることが可能となり、製品寿命を延ばすこと
も可能となる。

【００１４】また、本発明の有機エレクトロルミネッセ
ンス装置は、前記薄膜の蒸着方法を用いて有機層及び金
属層の内の少なくとも一方が作成されたことを特徴とす
る。

【００１５】また、本発明の有機エレクトロルミネッセ
ンス装置は、前記薄膜の蒸着方法を用いて正孔注入層が
作成されたことを特徴とする。このような方法によれ
ば、有機エレクトロルミネッセンス装置の構成要素であ
る正孔注入層の膜厚を均一にすることができる。

【００１６】また、本発明の有機エレクトロルミネッセ
ンス装置は、前記薄膜の蒸着方法を用いて陰極が作成さ
れたことを特徴とする。このような方法によれば、有機
エレクトロルミネッセンス装置の構成要素である陰極の
膜厚を均一にすることができる。

【００１７】また、本発明の有機エレクトロルミネッセ
ンス装置は、高分子材料を有してなることが好ましい。
このような方法によれば、高分子材料を用いることで、
製造の簡易化及び迅速化を図ることができるとともに、
各部位の発光特性の均一化を図ることができて、高品質
な表示をすることが可能となり、製品寿命を延ばすこと
も可能となる。

【００１８】また、本発明の有機エレクトロルミネッセ
ンス装置は、前記高分子材料が共役系高分子であること
が好ましい。

【００１９】また、本発明の有機エレクトロルミネッセ
ンス装置は、前記共役系高分子が導電性ポリマーである
ことが好ましい。

【００２０】また、本発明の有機エレクトロルミネッセ
ンス装置の製造方法は、前記薄膜の蒸着方法を用いて有
機エレクトロルミネッセンス装置を作成することを特徴
とする。

【００２１】また、本発明の電気機器は、前記薄膜の蒸
着方法を用いて作成されたことを特徴とする。本発明に
よれば、電気機器の構成要素となる薄膜の厚さの均一化
を図ることが可能となるので、電気機器の各種性能を向
上させることが可能となるとともに、製品寿命を延ばす
ことが可能となる。

【００２２】また、本発明の電気機器は、前記有機エレ
クトロルミネッセンス装置を備えたことを特徴とする。
本発明によれば、上記薄膜の蒸着方法を用いて製造され
た有機ＥＬ装置（表示部）を備えた電気機器となるの
で、表示部における各部位の発光特性の均一化を図るこ
とができ、膜厚の差（膜厚斑）によって生じる発光特性
の差（表示斑）を従来よりも非常に小さくすることがで
き、製品寿命も延ばすことができる。

【００２３】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る薄膜の蒸着方
法について、図面を参照して説明する。本蒸着方法は、
成膜の厚さを均一にするための手法であり、例えば、成
膜厚などに基づいて基板の回転数（または蒸着速度）を
規定するものである。

【００２４】（第１実施形態）本発明の第１実施形態に
係る薄膜の蒸着方法について図１を参照して説明する。
図１は、本実施形態に係る薄膜の蒸着方法を示す模式概
念図である。

【００２５】本図において（ａ）は、蒸着装置（蒸着チ
ャンバー）１の内部に、基板１０と蒸着源１２をセット
した状態を示している。基板１０は、その表面に蒸着に
よって薄膜が形成されるものである。そして、基板１０
としては、例えば、有機ＥＬ装置の製造過程で用いられ
る基板が適用される。また、基板１０の略中心には回転
軸１１が接続されており、回転軸１１の回転に伴って基
板１０も回転する。

【００２６】蒸着源１２は、蒸着装置１内の底部に置か
れた蒸着ボート内に入れられている。そして、蒸着源１
２は、加熱されることで蒸発し、蒸着ボートから蒸着物
１３となって放出される。その蒸着物１３は、基板１０
の表面に蒸着し、薄膜を形成する。

【００２７】蒸着源１２としては、例えば、有機ＥＬ装
置の有機層又は金属層をなす物質を適用することができ
る。具体的には、基板１０に有機ＥＬ装置の正孔注入層
を形成する場合、蒸着源１２としては、銅フタロシアニ
ン（ＣｕＰｃ）や、ポリテトラヒドロチオフェニルフェ
ニレンであるポリフェニレンビニレン、１，１−ビス−
（４−Ｎ，Ｎ−ジトリルアミノフェニル）シクロヘキサ
ン、トリス（８−ヒドロキシキノリノール）アルミニウ
ム等が挙げられるが、特に銅フタロシアニン（ＣｕＰ
ｃ）を用いるのが好ましい。また、基板１０に有機ＥＬ
装置の陰極を形成する場合、蒸着源１２としては、アル
ミニウム（Ａｌ）やマグネシウム（Ｍｇ）、金（Ａ
ｕ）、銀（Ａｇ）等からなる金属が挙げられる。

【００２８】次に、本実施形態における蒸着開始及び蒸
着終了のタイミングと、基板１０の回転速度との関係に
ついて図１（ｂ）を参照して説明する。図１（ｂ）は、
図１（ａ）に示す基板１０の平面図である。成膜の厚さ
を均一にするために、蒸着開始時における基板１０上の
蒸着位置（例えば、位置Ｐとする）と、蒸着終了時にお
ける基板１０上の蒸着位置とが略同一位置（位置Ｐ）と
なるように、基板１０を回転させる。換言すれば、蒸着
開始時における基板１０上の蒸着位置（位置Ｐ）と、蒸
着終了時における基板１０上の蒸着位置とが隣り合わせ
になり、蒸着膜厚の斑（蒸着膜厚の差）が最小となる位
置で蒸着が終了するように、基板１０の回転速度と蒸着
開始及び蒸着終了のタイミングとを設定する。

【００２９】このように設定すれば、蒸着開始から蒸着
終了までに、基板１０の全ての部分が蒸着源１２上を同
一回数だけ通過したこととなり、蒸着膜厚の斑を最小に
することができる。ここで、基板１０の回転速度は、蒸
着開始から蒸着終了まで略一定であることが好ましい。

【００３０】（第２実施形態）次に、本発明の第２実施
形態に係る薄膜の蒸着方法について図１を参照して説明
する。本実施形態は、目標とする膜厚の均一さ（膜厚お
ける最大値と最小値の差）に応じて、基板１０の回転速
度を設定するものである。

【００３１】先ず、基板１０に蒸着された薄膜の厚さに
おける最大値と最小値の差を求め、その差を最小値で割
った値を膜厚斑値と呼ぶこととする。したがって、膜厚
斑値は、薄膜における厚さの不均一の度合いを示すもの
である。この膜厚斑値に１００を乗算して、膜厚斑値の
単位をパーセントとする。例えば、膜厚斑値が１００％
だと、薄膜の厚さにおける最大値と最小値の差がその最
小値と同じ値であることとなる。

【００３２】また、基板１０に形成する薄膜について、
目標とする膜厚斑値を目標膜厚斑値ａ［％］と呼ぶこと
とする。そして、少なくとも蒸着開始から蒸着終了まで
基板１０を一定の回転速度Ｎ［ｒｐｍ］で回転させる。
この回転速度Ｎは、下記数１に示す条件を満たすように
設定する。（数１）目標膜厚斑値ａ＞（１／Ｎ）＊６０＊１００［％］すなわち、目標膜厚斑値ａが基板１０の回転速度Ｎの逆
数よりも大きくなるように、回転速度Ｎを設定する。な
お、数１において６０を乗算しているのは、１秒間にお
ける基板１０の回転数を求めているものである。

【００３３】このように基板１０の回転速度Ｎを設定す
ることで、蒸着時において、基板１０の各部位が蒸着源
１２を通過する回数について、ｎ回の部位と（ｎ−１）
回の部位とで膜厚の差（膜厚斑値ａ）をａ［％］以下に
することができる。

【００３４】例えば、目標膜厚斑値ａ＝２０［％］であ
る場合、２０＞（１／Ｎ）＊６０＊１００［％］Ｎ＞５＊６０［ｒｐｍ］Ｎ＞３００［ｒｐｍ］となる。したがって、この場合は、回転速度Ｎを３００
［ｒｐｍ］以上にすれば、膜厚斑値ａが２０［％］以下
になる。

【００３５】なお、本実施形態においても、第１実施形
態と同様に、蒸着開始時における基板１０上の蒸着位置
（位置Ｐ）と、蒸着終了時における基板１０上の蒸着位
置とが略同一位置（位置Ｐ）となるように基板１０を回
転させることで、蒸着膜厚の斑を最小にすることができ
る。

【００３６】（第３実施形態）次に、本発明の第３実施
形態に係る薄膜の蒸着方法について図１を参照して説明
する。本実施形態は、目標膜厚斑値ａと、基板１０に形
成する薄膜の厚さの目標値である所望膜厚ｄとに基づい
て、基板１０の回転速度Ｎ又は成膜速度αを設定するも
のである。

【００３７】先ず、基板１０に形成する薄膜について、
目標膜厚斑値をａ［％］と規定し、基板１０の回転速度
をＮ［ｒｐｍ］と規定する。また、蒸着時に基板１０に
おいて薄膜が形成する速度である成膜速度をα［オング
ストローム／ｓｅｃ］と規定し、所望膜厚をｄ［オング
ストローム］と規定する。そして、回転速度Ｎは、下記
数２に示す条件を満たすように設定する。（数２）目標膜厚斑値ａ＞｛（６０＊α）／（Ｎ＊ｄ）｝＊１００［％］ここで、成膜速度α及び所望膜厚ｄを一定値として考慮
しなければ、上記数１と同じ式になる。換言すれば、上
記数２は、成膜速度α及び所望膜厚ｄと目標膜厚斑値ａ
に応じて回転速度Ｎを設定するものである。

【００３８】例えば、目標膜厚斑値ａ＝２０［％］、成
膜速度α＝０．００１［オングストローム／ｓｅｃ］、
所望膜厚ｄ＝０．０２［オングストローム］である場
合、２０＞｛（６０＊０．００１）／（Ｎ＊０．０２）｝＊１００［％］Ｎ＞１５［ｒｐｍ］となる。したがって、この場合は、回転速度Ｎを１５
［ｒｐｍ］以上にすれば、膜厚斑値ａを２０［％］以下
にすることができる。

【００３９】また、上記数２の場合において、回転軸１
１を回転させる機械の構造、又は、基板１０を回転軸１
１などに取り付ける構造などの制約で、回転速度Ｎが上
記計算値まで上ることができない場合（回転速度Ｎが最
高回転速度に達した場合）は、成膜速度αを調節するこ
とで、膜厚斑値ａを目標膜厚斑値ａ以下にする。

【００４０】なお、本実施形態においても、第１実施形
態と同様に、蒸着開始時における基板１０上の蒸着位置
（位置Ｐ）と、蒸着終了時における基板１０上の蒸着位
置とが略同一位置（位置Ｐ）となるように基板１０を回
転させることで、蒸着膜厚の斑を最小にすることができ
る。

【００４１】（有機ＥＬ装置）以下、本実施形態の応用
例に係る有機ＥＬ装置について図２を参照しながら説明
する。図２は本実施形態の薄膜の蒸着方法を用いて製造
された有機ＥＬ装置の一例を示す断面図である。図２に
おいて、有機ＥＬ装置５０は、光を透過可能な基板（光
透過層）５２と、基板５２の一方の面側に設けられ一対
の陰極（電極）５７及び陽極（電極）５８に挟持された
有機エレクトロルミネッセンス材料からなる発光層５５
と正孔輸送層５６とからなる有機ＥＬ素子（発光素子）
５９と、封止基板３２０を有している。また、必要に応
じて、基板５２と有機ＥＬ素子５９との間に積層されて
いる低屈折率層及び封止層とを備えている。低屈折率層
は封止層より基板５２側に設けられている。

【００４２】ここで、図２に示す有機ＥＬ装置５０は、
発光層５５からの発光を基板５２側から装置外部に取り
出す形態であり、基板５２の形成材料としては、光を透
過可能な透明あるいは半透明材料、例えば、透明なガラ
ス、石英、サファイア、あるいはポリエステル、ポリア
クリレート、ポリカーボネート、ポリエーテルケトンな
どの透明な合成樹脂などが挙げられる。特に、基板５２
の形成材料としては、安価なソーダガラスが好適に用い
られる。一方、基板と反対側から発光を取り出す形態の
場合には、基板は不透明であってもよく、その場合、ア
ルミナ等のセラミック、ステンレス等の金属シートに表
面酸化などの絶縁処理を施したもの、熱硬化性樹脂、熱
可塑性樹脂などを用いることができる。

【００４３】陽極５８は、インジウム錫酸化物（ＩＴ
Ｏ：Indium Tin Oxide）等からなる透明電極であって光
を透過可能である。正孔輸送層５６は、例えば、トリフ
ェニルアミン誘導体（ＴＰＤ）、ピラゾリン誘導体、ア
リールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニル
ジアミン誘導体等からなる。具体的には、特開昭６３−
７０２５７号、同６３−１７５８６０号公報、特開平２
−１３５３５９号、同２−１３５３６１号、同２−２０
９９８８号、同３−３７９９２号、同３−１５２１８４
号公報に記載されているもの等が例示されるが、トリフ
ェニルジアミン誘導体が好ましく、中でも４，４’−ビ
ス（Ｎ（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）
ビフェニルが好適とされる。

【００４４】なお、正孔輸送層に代えて正孔注入層を形
成するようにしてもよく、さらに正孔注入層と正孔輸送
層を両方形成するようにしてもよい。正孔注入層を形成
する場合は、上記実施形態の薄膜の蒸着方法を用いて形
成する。これにより、正孔注入層の厚さを均一にするこ
とができ、有機ＥＬ装置の各部位からの発光特性の均一
化を図ることができる。

【００４５】発光層５５も上記実施形態の薄膜の蒸着方
法を用いて形成してもよい。発光層５５の形成材料とし
ては、低分子の有機発光色素や高分子発光体、すなわち
各種の蛍光物質や燐光物質などの発光物質、Ａｌｑ
₃（アルミキレート錯体）などの有機エレクトロルミネ
ッセンス材料が使用可能である。発光物質となる共役系
高分子の中ではアリーレンビニレン又はポリフルオレン
構造を含むものなどが特に好ましい。低分子発光体で
は、例えばナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ペ
リレン誘導体、ポリメチン系、キサテン系、クマリン
系、シアニン系などの色素類、８−ヒドロキノリンおよ
びその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニ
ルシクロペンタジエン誘導体等、または特開昭５７−５
１７８１、同５９−１９４３９３号公報等に記載されて
いる公知のものが使用可能である。陰極５７も上記実施
形態の薄膜の蒸着方法を用いて形成してもよい。陰極５
７はアルミニウム（Ａｌ）やマグネシウム（Ｍｇ）、金
（Ａｕ）、銀（Ａｇ）等からなる金属電極である。

【００４６】なお、陰極５７と発光層５５との間に、電
子輸送層や電子注入層を設けることができる。電子輸送
層の形成材料としては、特に限定されることなく、オキ
サジアゾール誘導体、アントラキノジメタンおよびその
誘導体、ベンゾキノンおよびその誘導体、ナフトキノン
およびその誘導体、アントラキノンおよびその誘導体、
テトラシアノアンスラキノジメタンおよびその誘導体、
フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレンおよ
びその誘導体、ジフェノキノン誘導体、８−ヒドロキシ
キノリンおよびその誘導体の金属錯体等が例示される。
具体的には、先の正孔輸送層の形成材料と同様に、特開
昭６３−７０２５７号、同６３−１７５８６０号公報、
特開平２−１３５３５９号、同２−１３５３６１号、同
２−２０９９８８号、同３−３７９９２号、同３−１５
２１８４号公報に記載されているもの等が例示され、特
に２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフ
ェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、ベンゾキノ
ン、アントラキノン、トリス（８−キノリノール）アル
ミニウムが好適とされる。

【００４７】図示しないが、本実施形態の有機ＥＬ装置
５０はアクティブマトリクス型であり、実際には複数の
データ線と複数の走査線とが格子状に基板５２に配置さ
れる。そして、データ線や走査線に区画されたマトリク
ス状に配置された各画素毎に、従来は、スイッチングト
ランジスタやドライビングトランジスタ等の駆動用ＴＦ
Ｔを介して上記の有機ＥＬ素子５９が接続されている。
そして、データ線や走査線を介して駆動信号が供給され
ると電極間に電流が流れ、有機ＥＬ素子５９の発光層５
５が発光して基板５２の外面側に光が射出され、その画
素が点灯する。

【００４８】本有機ＥＬ装置では、上記実施形態の薄膜
の蒸着方法を用いて有機層又は金属層を形成することに
より、有機層又は金属層の厚さの均一化が図られ、各部
位の発光特性の均一化を図ることができるので、高品質
な表示をすることが可能となり、製品寿命を延ばすこと
も可能となる。

【００４９】（電子機器）上記実施形態の電気光学装置
（有機ＥＬ装置）を備えた電子機器の例について説明す
る。図３は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図
３において、符号１０００は携帯電話本体を示し、符号
１００１は上記の有機ＥＬ装置を用いた表示部を示して
いる。

【００５０】図４は、腕時計型電子機器の一例を示した
斜視図である。図４において、符号１１００は時計本体
を示し、符号１１０１は上記の電気光学装置を用いた表
示部を示している。

【００５１】図５は、ワープロ、パソコンなどの携帯型
情報処理装置の一例を示した斜視図である。図５におい
て、符号１２００は情報処理装置、符号１２０２はキー
ボードなどの入力部、符号１２０４は情報処理装置本
体、符号１２０６は上記の電気光学装置を用いた表示部
を示している。

【００５２】図３から図５に示す電子機器は、上記実施
形態で製造された有機ＥＬ装置を備えているので、表示
部における各部位の発光特性の均一化を図ることがで
き、膜厚の差（膜厚斑）によって生じる発光特性の差
（表示斑）を従来よりも非常に小さくすることができ、
製品寿命も延ばすことができる。

【００５３】なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に
限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範
囲において種々の変更を加えることが可能であり、実施
形態で挙げた具体的な材料や層構成などはほんの一例に
過ぎず、適宜変更が可能である。例えば、上記実施形態
の有機ＥＬ装置は、本発明に係る薄膜の蒸着方法を用い
るとともに、共役系高分子（導電性ポリマーなど）を用
いて導電部を形成してもよい。

【００５４】

【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、基板の回転速度などを所定の手法で設定するこ
とにより、基板に薄膜を蒸着させるときに、その基板に
成膜された薄膜の各部位における膜厚の差を低減するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態に係る薄膜の蒸着方法を示
す模式概念図である。

【図２】本実施形態の有機ＥＬ装置の概略断面図であ
る。

【図３】本実施形態の電気光学装置を備えた電子機器
の一例を示す図である。

【図４】本実施形態の電気光学装置を備えた電子機器
の一例を示す図である。

【図５】本実施形態の電気光学装置を備えた電子機器
の一例を示す図である。

【符号の説明】

１蒸着装置（蒸着チャンバー）１０基板１１回転軸１２蒸着源１３蒸着物５０有機ＥＬ装置５２基板５５発光層５６正孔輸送層５７陰極５８陽極５９有機ＥＬ素子（発光素子）３２０封止基板

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板に蒸着により薄膜を形成させる薄膜
の蒸着方法であって、蒸着源から離れた位置に前記基板を配置し、蒸着開始時における前記基板上の蒸着位置と、蒸着終了
時における前記基板上の蒸着位置とが略同一位置となる
ように、前記基板を回転させることを特徴とする薄膜の
蒸着方法。
【請求項２】前記基板の回転速度は、略一定であるこ
とを特徴とする請求項１記載の薄膜の蒸着方法。
【請求項３】基板に蒸着により薄膜を形成させる薄膜
の蒸着方法であって、蒸着源から離れた位置に前記基板を配置するとともに、
該基板を回転させ、成膜厚に基づいて前記基板の回転速度と成膜速度の内の
少なくとも一方を規定することを特徴とする薄膜の蒸着
方法。
【請求項４】基板に蒸着物を蒸着させて薄膜を形成さ
せる薄膜の蒸着方法であって、蒸着源から離れた位置に前記基板を配置するとともに、
該基板を回転させ、前記基板に蒸着された薄膜の厚さにおける最大値と最小
値の差を、該最小値で割った値を膜厚斑値と規定し、目標とする前記膜厚斑値を目標膜厚斑値と規定し、前記目標膜厚斑値が前記基板の回転数の逆数よりも大き
くなるように、該回転数を設定することを特徴とする薄
膜の蒸着方法。
【請求項５】前記基板の回転速度は、略一定であるこ
とを特徴とする請求項４記載の薄膜の蒸着方法。
【請求項６】蒸着開始時における前記基板上の蒸着位
置と、蒸着終了時における前記基板上の蒸着位置とが略
同一位置となるように、前記基板を回転させることを特
徴とする請求項４又は５記載の薄膜の蒸着方法。
【請求項７】前記回転数を前記目標膜厚斑値の逆数よ
りも大きくすることができない場合は、前記蒸着によっ
て薄膜が単位時間当たり形成される厚さである成膜速度
を調整することを特徴とする請求項４乃至６のいずれか
一項記載の薄膜の蒸着方法。
【請求項８】基板に蒸着物を蒸着させて薄膜を形成さ
せる薄膜の蒸着方法であって、蒸着源から離れた位置に前記基板を配置するとともに、
該基板を回転させ、前記基板の回転速度をＮ［ｒｐｍ］と規定し、成膜速度をα［オングストローム／ｓｅｃ］と規定し、所望膜厚をｄ［オングストローム］と規定し、前記基板に蒸着された薄膜の厚さにおける最大値と最小
値の差を、該最小値で割った値を膜厚斑値と規定し、目標とする前記膜厚斑値を目標膜厚斑値ａと規定したと
きに、目標膜厚斑値ａ＞｛（６０＊α）／（Ｎ＊ｄ）｝となるように、前記回転速度Ｎ及び成膜速度αの内の少
なくとも一方を調節することを特徴とする薄膜の蒸着方
法。
【請求項９】前記回転速度Ｎが最高回転速度に達する
までは、前記成膜速度αの調節は行わずに、該回転速度
Ｎを調整することで、前記膜厚斑値が目標膜厚斑値ａ未
満になるように制御し、前記回転速度Ｎが最高回転速度に達した後は、前記成膜
速度αを調節することで、前記膜厚斑値が目標膜厚斑値
ａ未満になるように制御することを特徴とする請求項８
記載の薄膜の蒸着方法。
【請求項１０】請求項１乃至９のいずれか一項記載の
薄膜の蒸着方法を用いて作成されたことを特徴とする有
機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項１１】請求項１乃至９のいずれか一項記載の
薄膜の蒸着方法を用いて有機層及び金属層の内の少なく
とも一方が作成されたことを特徴とする有機エレクトロ
ルミネッセンス装置。
【請求項１２】請求項１乃至９のいずれか一項記載の
薄膜の蒸着方法を用いて正孔注入層が作成されたことを
特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項１３】請求項１乃至９のいずれか一項記載の
薄膜の蒸着方法を用いて陰極が作成されたことを特徴と
する有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項１４】前記有機エレクトロルミネッセンス装
置は、高分子材料を有してなることを特徴とする請求項
１０乃至１３のいずれか一項記載の有機エレクトロルミ
ネッセンス装置。
【請求項１５】前記高分子材料は、共役系高分子であ
ることを特徴とする請求項１４記載の有機エレクトロル
ミネッセンス装置。
【請求項１６】前記共役系高分子は、導電性ポリマー
であることを特徴とする請求項１５記載の有機エレクト
ロルミネッセンス装置。
【請求項１７】請求項１乃至９のいずれか一項記載の
薄膜の蒸着方法を用いて有機エレクトロルミネッセンス
装置を作成することを特徴とする有機エレクトロルミネ
ッセンス装置の製造方法。
【請求項１８】請求項１乃至９のいずれか一項記載の
薄膜の蒸着方法を用いて作成されたことを特徴とする電
子機器。
【請求項１９】請求項１０乃至１６のいずれか一項記
載の有機エレクトロルミネッセンス装置を備えたことを
特徴とする電子機器。