JP2004010989A

JP2004010989A - 薄膜形成装置

Info

Publication number: JP2004010989A
Application number: JP2002168062A
Authority: JP
Inventors: Koji Sasaki; 佐々木　浩司; Hironobu Narui; 成井　啓修; Katsunori Yanashima; 簗嶋　克典; Satohiko Memesawa; 目々澤　聡彦
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2002-06-10
Filing date: 2002-06-10
Publication date: 2004-01-15

Abstract

【課題】基板表面に効率よく原料を堆積させて有機薄膜が形成されるとともに、真空チャンバの内壁への原料付着が抑制される薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバ１１と、真空チャンバ１１内に設けられた基板ホルダー１２と、真空チャンバ１１内にガスを供給するように配置されたガス供給手段１３とを備えた薄膜形成装置であって、ガス供給手段１３は、基板ホルダー１２の基板装着面１２ａに向けて原料ガスを供給する原料ガス供給口２１と、この原料ガス供給口２１を囲む位置に配置され、ガス流壁形成用の不活性ガスを原料ガス流と略平行に供給する不活性ガス供給口２２とを備えていることを特徴とする薄膜形成装置である。
【選択図】　　　　図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は薄膜形成装置に関するものであって、特に、真空チャンバ内で基板表面にキャリアガスとともに原料ガスを供給することにより有機薄膜を形成する有機気相堆積法に適用される薄膜形成装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
有機ＥＬディスプレイ素子、有機半導体レーザーなどの低分子系有機ＥＬ発光素子用の有機薄膜は、一般的に真空蒸着法で成膜されている。
図４に示すように、真空蒸着法に用いられる真空蒸着装置は、真空チャンバ５１と、真空チャンバ５１内の底部に設けられた蒸着源５２と、蒸着源５２の上方に対向配置された基板ホルダー５３とを備えている。
【０００３】
このような装置を用いて、基板Ｗ表面に有機薄膜を形成するには、基板ホルダー５３に表面を下方に向けた状態で基板Ｗを装着し、基板Ｗ表面を蒸着マスク（図示せず）で覆って、蒸着源５２から有機原料を１０^−３〜１０^−４Ｐａの高真空中で真空チャンバ５１内に加熱蒸発させ、矢印Ｄで示すように、ある程度拡散した状態で基板Ｗ表面に有機原料を蒸着させる。
【０００４】
一方、近年、有機薄膜を形成する装置として、有機気相堆積法（Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｖａｐｏｒ　Ｐｈａｓｅ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ（ＯＶＰＤ））による有機気相堆積装置が提案されている（特表２００１−５２３７６８号公報）。
有機気相堆積装置は、真空チャンバと、真空チャンバ内に設けられた基板ホルダーと、真空チャンバ内にガスを供給するように配置されたガス供給手段とを備えており、減圧雰囲気下の真空チャンバ内でキャリアガスとともに原料ガスを基板ホルダーに装着された基板表面に供給することで、有機薄膜を形成する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上述したような真空蒸着装置および有機気相堆積装置では、真空チャンバの内壁面に原料が付着することにより、有機薄膜を形成する際の基板表面への原料の堆積率が悪く、生産性の点で問題があった。
また、この内壁面への原料付着により、真空チャンバ内が汚染されるという問題も生じており、製品品質の点からも真空チャンバ内の汚染を防ぐために、メンテナンスを頻繁に行い管理する必要があった。
【０００６】
したがって、基板表面に効率よく原料を堆積させて有機薄膜が形成されるとともに、真空チャンバの内壁への原料付着が抑制される薄膜形成装置が望まれていた。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記のような課題を解決するために、本発明の薄膜形成装置は、真空チャンバと、真空チャンバ内に設けられた基板ホルダーと、真空チャンバ内にガスを供給するように配置されたガス供給手段とを備えた薄膜形成装置であって、ガス供給手段は、基板ホルダーの基板装着面に向けて原料ガスを供給する第１のガス供給口と、第１のガス供給口を囲む位置に配置され、ガス流壁形成用のガスを原料ガス流と略平行に供給する第２のガス供給口とを備えていることを特徴としている。
【０００８】
このような薄膜形成装置によれば、基板ホルダーの基板装着面に向けて原料ガスを供給する第１のガス供給口と、この第１のガス供給口を囲む位置に配置され、ガス流壁形成用のガスを原料ガス流と略平行に供給する第２のガス供給口とを備えていることから、原料ガス流の周囲にガス流壁が形成される。
これにより、このガス流壁に妨げられて、真空チャンバ内で原料ガスの拡散が抑制されるとともに、進行方向が制御されて基板表面に誘導されるため、基板表面に効率よく原料ガスを堆積させ、有機薄膜を形成することができる。
また、ガス流壁に妨げられて、真空チャンバの内壁への原料ガスの付着が抑制されることから、真空チャンバ内の汚染も抑制することができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】
（第１実施形態）
図１は本発明の薄膜形成装置である有機気相堆積装置の一実施形態を説明するための概要構成図である。
この図に示す有機気相堆積装置は、減圧雰囲気下に維持した真空チャンバ１１内で、基板Ｗを覆うようにマスク（図示せず）を配置し、このマスクを介して基板Ｗ上に所定パターンの有機薄膜の形成を行うものである。
有機気相堆積装置は真空チャンバ１１と真空チャンバ１１内に設けられた基板ホルダー１２と、真空チャンバ１１内にガスを供給するように配置されたガス供給手段１３とを備えている。
【００１０】
真空チャンバ１１は、余分な原料ガスを排気するための排気口１４から図示しない真空ポンプによって、その内部環境（例えば、減圧状態）が制御されるとともに、圧力計１５によって真空チャンバ１１内部の圧力が管理されている。
また、真空チャンバ１１の外側には、例えばヒーター（図示せず）が設けられており、真空チャンバ１１内で原料ガスが気相状態を維持できるように構成されている。
【００１１】
また、真空チャンバ１１内に設けられた基板ホルダー１２は、基板装着面１２ａが水平状態に対して略垂直になるような状態で配置されており、基板装着面１２ａはマスクで覆われた状態の基板Ｗが装着されるように構成されている。
そして、基板ホルダー１２の内部には、装着された基板Ｗを冷却するための冷却機構１６が設けられている。
ここでは、基板ホルダー１２を固定させた状態で用いることとするが、基板ホルダー１２に回転機構やスライド機構が設けられていてもよい。
【００１２】
また、本発明に特徴的なガス供給手段１３は、原料ガス供給源３１と、原料ガス供給源３１に接続され、原料ガス供給口２１（第１のガス供給口）を吹き出し口とする原料ガス供給管２３と、不活性ガス供給源３２と、不活性ガス供給口２２（第２のガス供給口）を吹き出し口とする不活性ガス供給管２４とを備えている。
【００１３】
原料ガス供給源３１には、基板Ｗ表面に有機薄膜を形成するための有機原料が貯留されており、原料ガス供給源３１の外側には、有機原料を気化するためのヒーター１７が設けられている。また、原料ガス供給源３１には圧力計１５が設けられており、内部の圧力が管理されている。
【００１４】
この原料ガス供給源３１には、不活性ガス供給源３２に接続された配管１８が挿入されており、不活性ガス供給源３２にはキャリアガスまたはガス流壁形成用のガスとなる不活性ガスが貯留されている。
ここでは例えば、キャリアガスまたはガス流壁形成用のガスにＮ_２、Ｈｅ、Ａｒ等の不活性ガスが用いられることとするが、本発明はこれに限定されず、原料ガスと反応しないものであればよく、例えばＨ_２等であってもよい。
【００１５】
そして、この配管１８からキャリアガスが原料ガス供給源３１に導入され、原料ガスと混合される。
また配管１８の周囲はヒーター１７で覆われており、加熱されたキャリアガスが原料ガス供給源３１に供給されるように構成されている。
さらに、配管１８にはガス流量制御手段１９が設けられており、キャリアガスの流量を調整することができる。
【００１６】
また、原料ガス供給源３１に接続された原料ガス供給管２３は、その周囲がヒーター１７で覆われており、原料ガス供給源３１からキャリアガスと混合された原料ガスが気相状態を維持したまま、真空チャンバ１１内に供給されるように構成されている。
原料ガス供給管２３にもガス流量制御手段１９が設けられており、キャリアガスと混合された原料ガスの流量を調整することができる。
【００１７】
そして、原料ガス供給管２３の吹き出し口である原料ガス供給口２１は、真空チャンバ１１内の基板ホルダー１２の基板装着面１２ａに向けてキャリアガスとともに原料ガスを供給するように構成されている。
本実施形態では、例えば基板装着面１２ａに対して略垂直方向から原料ガスが供給されるように基板装着面１２ａに対向させて原料ガス供給口２１が設けられることとする。
なお、ここでは、基板装着面１２ａに対して略垂直方向から原料ガスが供給されることとしたが、基板装着面１２ａに対して斜め方向から原料ガスが供給されるように原料ガス供給口２１が設けられていてもよい。
【００１８】
また、本実施形態では原料ガス供給口２１が単一であることとしたが、本発明はこれに限定されることなく、複数の原料ガス供給口２１を有していてもよい。この場合には、１本の原料ガス供給管２３から複数の原料ガス供給口２１に分岐されてもよく、複数の原料ガス供給管２３の吹き出し口として構成されていてもよい。
【００１９】
一方、不活性ガス供給管２４は不活性ガス供給源３２に接続されており、その吹き出し口である不活性ガス供給口２２から真空チャンバ１１内にガス流壁形成用の不活性ガスを供給する。
ここで、不活性ガス供給管２４はヒーター１７で覆われており、真空チャンバ１１内で不活性ガス供給口２２から供給される不活性ガスが原料ガス供給口２１から供給される原料ガスと混ざった場合においても、原料ガスが気相状態を維持したまま、基板装着面１２ａに供給されるように構成されている。
また、不活性ガス供給管２４にはガス流量制御手段１９が設けられており、真空チャンバ１１内に供給される不活性ガスの流量を調整することができる。
【００２０】
そして、図１（ｂ）に示すように、不活性ガス供給口２２は、原料ガス供給口２１よりも径が大きく、原料ガス供給口２１を囲むように形成された二重構造となっており、基板装着面１２ａの外縁側に向けて原料ガス流（矢印Ａ）と略平行にガス流壁形成用の不活性ガスを供給するように構成されている。
これにより、原料ガス流の周囲に不活性ガスのガス流壁（矢印Ｂ）が形成され、このガス流壁により、原料ガス流はその進行方向が制御され、真空チャンバ１１内に拡散することなく、基板装着面１２ａに装着された基板Ｗ表面に誘導される。
【００２１】
ここで、本実施形態では、不活性ガス供給口２２が原料ガス供給口２１を囲むように形成された二重構造となっていることから、基板装着面１２ａを底面とした不活性ガスのガス流壁が筒状に形成されるため、原料ガス流の進行方向を確実に制御することができるので好ましく、不活性ガスのガス流壁が基板装着面１２ａに装着された基板Ｗ外縁により近い位置に形成されるように構成されていれば、原料ガスをより確実に基板Ｗ表面に誘導できるのでさらに好ましい。
【００２２】
このような有機気相堆積装置を用いて基板Ｗ表面に有機薄膜を形成する場合には、図１（ａ）に示すように、まず、固定された基板ホルダー１２にマスク（図示せず）で覆われた基板Ｗを装着する。
【００２３】
一方、不活性ガス供給源３２に接続された配管１８から、原料ガス供給源３１に例えば不活性ガスからなるキャリアガスを導入し、ヒーター１７によって気化された原料ガスと混合する。
そして、図１（ｂ）に示すように、原料ガス供給管２３（図１（ａ）参照）を通って、原料ガス供給口２１から真空チャンバ１１内にキャリアガスと混合された原料ガスが供給される。原料ガスは基板ホルダー１２の基板装着面１２ａに装着された基板Ｗ表面に向けて、矢印Ａに示す方向へ供給される。
【００２４】
一方、例えば不活性ガスからなるガス流壁形成用のガスは不活性ガス供給源３２（図１（ａ）参照）から不活性ガス供給管２４（図１（ａ）参照）を通って、不活性ガス供給口２２から真空チャンバ１１内に供給される。
ここで、この不活性ガスは基板ホルダー１２に基板装着面１２ａの外縁側に向けて、原料ガス流と略平行に矢印Ｂに示す方向へ流動する。この不活性ガスの流動により、原料ガスは基板装着面１２ａに装着された基板Ｗ表面に誘導され、基板Ｗ表面に堆積されて有機薄膜が形成される。
【００２５】
なお、本実施形態では基板Ｗをマスク（図示せず）で覆った例について説明したが、本発明はマスクを装着せずに、基板Ｗ表面全域に有機薄膜を形成する場合にも適用可能である。
【００２６】
このような有機気相堆積装置によれば、真空チャンバ１１内にガスを供給するガス供給手段１３が基板ホルダー１２の基板装着面１２ａに向けて原料ガスを供給する原料ガス供給口２１と、この原料ガス供給口２１を囲む位置に配置され、ガス流壁形成用の不活性ガスを原料ガス流と略平行に供給する不活性ガス供給口２２とを備えていることから原料ガス流の周囲に不活性ガスのガス流壁が形成される。
【００２７】
これにより、原料ガス流は不活性ガスのガス流壁に妨げられて、真空チャンバ１１内での拡散が抑制され、進行方向が制御されて基板Ｗ表面に誘導されることから、原料ガスを効率よく基板Ｗ表面に堆積させ、有機薄膜を形成することができるため、生産性に優れている。
また、不活性ガスのガス流壁に妨げられて、真空チャンバ１１の内壁への原料ガスの付着が抑制されることから、真空チャンバ１１内の汚染が抑制され、メンテナンスの回数を低減することが可能となる。
【００２８】
特に、本実施形態においては、不活性ガス供給口２２が原料ガス供給口２１を囲む二重構造となっていることから、原料ガス流の周囲に基板装着面１２ａを底面とした不活性ガスのガス流壁が筒状に形成されるため、原料ガス流の進行方向をより確実に制御することができる。
【００２９】
また、基板装着面１２ａに装着される基板Ｗに対して略垂直方向から原料ガスが供給されることから、真空蒸着法と比較して、シャドー効果が抑制され、マスクパターンをより正確に転写した有機薄膜を形成することができる。
なお、基板装着面１２ａに装着される基板Ｗに対して斜め方向から原料ガスが供給される場合には、基板ホルダー１２に回転機構やスライド機構が設けられていれば、基板装着面１２ａを駆動させることでシャドー効果を防止できるのでより好ましい。
【００３０】
なお、本実施形態では、不活性ガス供給口２２が原料ガス供給口２１を囲むように形成された二重構造となっているが、本発明はこれに限定されることなく、原料ガス流の周囲に不活性ガスのガス流壁が形成されれば、複数の不活性ガス供給口２２が原料ガス供給口２１を囲む位置に配置されていてもよい。
この場合、不活性ガス供給口２２は原料ガス供給口２１の全周囲を囲むように多数配置する、または、不活性ガス供給口２２の形状を調整することで、原料ガス流の周囲に基板装着面１２ａを底面とした不活性ガスのガス流壁が筒状に形成されるように構成されていれば、不活性ガス供給口２２が二重構造の場合と同様の効果を奏することができるため好ましい。
【００３１】
例えば不活性ガス供給口２２が原料ガス供給口２１の図１（ｂ）における図面上上下２ヶ所に配置された場合であっても、不活性ガス供給口２２の形状を原料ガス供給口２１の形状に沿った幅広な形状に調整することで不活性ガスのガス流壁が筒状に形成されるように構成されていてもよい。
また、ガス流壁は上記のような筒状に限定されず、原料ガス供給口２１の図面上上下に配置された不活性ガス供給口２２から、原料ガス流と略平行に不活性ガスが供給され、原料ガス流を上下から挟むようにガス流壁が形成されてもよく、図１（ｂ）における原料ガス供給口２１の手前と奥に配置され、原料ガス流を手前側と奥側から挟むようにガス流壁が形成されてもよい。
この場合は特に、基板装着面１２ａを上下方向または奥行き・手前方向にスライドさせた場合に有効である。
【００３２】
（第２実施形態）
第１実施形態では、原料ガス供給口２１が不活性ガス供給口２２の内側に単一の流路で形成された例について説明したが、本実施形態では原料ガス供給口２１が原料ガス供給源３１に接続された原料ガス供給管２３から段階的に分岐される例について説明する。
なお、原料ガス供給口２１以外の構成は第１実施形態と同様であることとする。
【００３３】
図２に本実施形態におけるガス供給手段１３の要部拡大図を示す。
本実施形態におけるガス供給手段１３は第１実施形態と同様に、基板ホルダー１２の基板装着面１２ａに向けて原料ガスを供給する原料ガス供給口２１と、この原料ガス供給口２１を囲む位置に配置され、ガス流壁形成用の不活性ガスを原料ガスと略平行に供給する不活性ガス供給口２２とを備えている。
【００３４】
本実施形態における原料ガス供給口２１は、ガスの進行方向（矢印Ａ）に向かって複数段階で分割されたガス拡散室４１を備えている。
具体的には、原料ガス供給源３１に接続された原料ガス供給管２３は１段目のガス拡散室４１Ａに接続されており、ガス拡散室４１Ａは２つの原料ガス供給口２１Ａを介してガスの進行方向に隣接された２段目のガス拡散室４１Ｂ、４１Ｂ’にそれぞれ接続される。
さらに、ガス拡散室４１Ｂ、４１Ｂ’は、それぞれ２つの原料ガス供給口２１Ｂを介して、ガスの進行方向に隣接された３段目（最終段）のガス拡散室４１Ｃ、４１Ｃ’に接続される。
そして、ガス拡散室４１Ｃ、４１Ｃ’はガスの進行方向に原料ガス供給口２１Ｃをそれぞれ３つずつ有しており、これら６つの原料ガス供給口２１Ｃから、キャリアガスとともに原料ガスが真空チャンバ１１内に供給される。
【００３５】
なお、ガス拡散室４１および原料ガス供給口２１の数は上記に限定されるものではなく、その分岐の形状も供給する原料ガスおよびキャリアガスが十分に混合され、拡散されるような形状であればよい。
【００３６】
このような有機気相堆積装置によれば、基板ホルダー１２の基板装着面１２ａに向けてキャリアガスとともに原料ガスを供給する原料ガス供給口２１と、この原料ガス供給口２１を囲む位置に配置され、ガス流壁形成用の不活性ガスを原料ガス流と略平行に供給する不活性ガス供給口２２とを備えていることから、第１実施形態と同様の効果を奏することができる。
【００３７】
また、複数のガス拡散室４１を経由して複数の原料ガス供給口２１Ｃから真空チャンバ１１内に原料ガスが供給されるため、原料ガス供給管２３から直接原料ガスを供給するよりも、原料ガスをより拡散させた状態で、真空チャンバ１１内に供給することが可能である。
さらに、上記のような原料ガス供給口２１の形状であれば、原料ガスが複数段階のガス拡散室４１に強制的に分配されるため、原料ガス供給管２３から一段階で複数の原料ガス供給口２１に分岐された場合のように、真空ポンプにより最短流路となるようにガスの流動が誘導され、各原料ガス供給口２１への原料ガスの分配が不均一になることがなく、原料ガスを十分に拡散させて供給することができる。
したがって、より均一な膜厚の有機薄膜を形成することができ、大画面でも輝度むらのない有機発光素子層を形成することが可能である。
【００３８】
（第３実施形態）
第１実施形態ではガス供給手段１３が単一の原料ガス供給口２１を備えた例について説明したが、本実施形態では複数の原料ガス供給口２１を備えており、これに対応した複数の原料ガス供給管２３を備えた例について説明する。
【００３９】
図３（ａ）に本実施形態における有機気相堆積装置の要部拡大図を示す。
図３（ａ）に示すように、ガス供給手段１３は、基板ホルダー１２側に向けてガスを供給するように配置されており、基板ホルダー１２の基板装着面１２ａに向けて原料ガスを供給する原料ガス供給口２１と、この原料ガス供給口２１を囲む位置に配置されガス流壁形成用のガスを原料ガス流と略平行に供給する不活性ガス供給口２２とを備えている。
【００４０】
本実施形態では、原料ガス供給口２１は例えば５つの原料ガス供給口２１ａ〜２１ｅに分割されており、原料ガス供給口２１ａ〜２１ｅは各々原料ガス供給管２３ａ〜２３ｅの吹き出し口となっている。
また、異なる原料が貯留された原料ガス供給源３１Ａ、３１Ｂを有しており、原料ガス供給管２３ａ、２３ｃ、２３ｅは原料ガス供給源３１Ａに、原料ガス供給管２３ｂ、２３ｄは原料ガス供給源３１Ｂにそれぞれ接続されていることとする。
ここでは、原料ガス供給源３１Ａ、３１Ｂにそれぞれ異なる原料が貯留されていることとするが、本発明はこれに限定されず、同一原料が貯留されていてもよい。
【００４１】
また、本実施形態では、複数の原料ガス供給管２３ａ〜２３ｅがガス供給源３１Ａ、３１Ｂにそれぞれ接続されていることとするが、原料ガス供給管２３ａ〜２３ｅにそれぞれに対応させて、原料ガス供給源３１を複数設けてもよい。
【００４２】
原料ガス供給管２３ａ〜２３ｅには、それぞれ独立したガス流量制御手段（図示せず）が設けられており、ガス流量制御手段を作動させることによって、ガスの流量を調整するだけでなく、流量をゼロにすることもできる。
したがって、原料ガス供給管２３ａ〜２３ｅに異なる原料ガスを導入する場合には、原料ガスの種類を切り換えることも可能である。
【００４３】
このような有機気相堆積装置を用いて基板Ｗ表面に有機薄膜を形成する場合には、まず、固定された基板ホルダー１２にマスク（図示せず）で覆われた基板Ｗを装着する。
【００４４】
一方、不活性ガス供給源３２に接続された配管１８から、原料ガス供給源３１Ａ、３１Ｂにキャリアガスを導入し、ヒーター１７によって気化された原料ガスと混合する。
そして、図３（ｂ）に示すようにガス供給源３１Ａ（図３（ａ）参照）からキャリアガスとともに原料ガスＡが原料ガス供給口２１ａ、２１ｃ、２１ｅから矢印Ａ’に示す方向へ供給される。
また、ガス供給源３１Ｂ（図３（ａ）参照）からキャリアガスとともに原料ガスＢが原料ガス供給口２１ｂ、２１ｄから矢印Ｂ’に示す方向へ供給される。
【００４５】
一方、ガス流壁形成用の不活性ガスは不活性ガス供給源３２から不活性ガス供給管２４を通って、不活性ガス供給口２２から真空チャンバ１１内に供給される（図１（ａ）参照）。
不活性ガスは基板ホルダー１２に基板装着面１２ａの外縁側に向けて、原料ガス流と略平行に矢印Ｃ’に示す方向へ流動する。これにより原料ガス流の周囲に不活性ガスのガス流壁が形成されるため、原料ガスＡ、Ｂは基板Ｗ表面に誘導され、基板Ｗ表面に堆積されて、有機薄膜が形成される。
【００４６】
このような有機気相堆積装置によれば、基板ホルダー１２に基板装着面１２ａに向けて原料ガスを供給する原料ガス供給口２１と、この原料ガス供給口２１を囲む位置に配置され、ガス流壁形成様の不活性ガスを原料ガス流と略平行に供給する不活性ガス供給口２２とを備えていることから第１実施形態と同様の効果を奏することができる。
また、ガス供給手段１３が複数の原料ガス供給口２１を有しており、原料ガス供給口２１ａ、２１ｃ、２１ｅからは原料ガスＡが供給され、原料ガス供給口２１ｂ、２１ｄからは原料ガスＢが導入されることから、原料ガスＢをドーピング材料とした場合、基板Ｗ表面に異種原料がドーピングされた有機薄膜を形成することができる。
【００４７】
また、原料ガス供給口２１ａ〜２１ｅを吹き出し口とする原料ガス供給管２３ａ〜２３ｅにそれぞれ独立したガス流量制御手段を有していることから、例えば原料ガス供給管２３に同一の原料ガスを導入した場合において、膜厚の薄い領域に対応した原料ガス供給口２１のガス流量を増大させる、または、膜厚の厚い領域に対応した原料ガス供給口２１のガス流量を低減させることで、有機薄膜の膜厚を調整することが可能である。
【００４８】
したがって、基板Ｗを固定した状態であっても、有機薄膜の膜厚を均一に形成することができるため、基板ホルダー１２に回転機構やスライド機構を設けなくても、低コストで良質な有機薄膜を形成することができ、大画面でも輝度むらのない有機発光素子層を形成することが可能である。
【００４９】
【発明の効果】
このような薄膜形成装置によれば、基板ホルダーの基板装着面に向けて原料ガスを供給する第１のガス供給口と、この第１のガス供給口を囲む位置に配置され、ガス流壁形成用のガスを原料ガス流と略平行に供給する第２のガス供給口とを有していることから、原料ガス流の周囲を覆うガス流壁に妨げられて真空チャンバ内への原料ガスの拡散が抑制されるとともに、原料ガスの進行方向が制御されて基板表面に誘導されるため、効率よく有機薄膜を形成することができる。
また、このガス流壁に妨げられて、真空チャンバの内壁への原料ガスの付着が抑制されるため、真空チャンバの汚染が抑制され、メンテナンスの回数を低減させることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施形態における薄膜形成装置を説明するための概略構成図（ａ）と、要部拡大図（ｂ）である。
【図２】第２実施形態における薄膜形成装置の要部拡大図である。
【図３】第３実施形態における薄膜形成装置を説明するための概略構成図（ａ）と、要部拡大図（ｂ）である。
【図４】従来の技術における真空蒸着装置を説明するための概略構成図である。
【符号の説明】
１１…真空チャンバ、１２…基板ホルダー、１２ａ…基板装着面、１３…ガス供給手段、２１…原料ガス供給口（第１のガス供給口）、２２…第２のガス供給口（第２のガス供給口）

Claims

真空チャンバと、前記真空チャンバ内に設けられた基板ホルダーと、前記真空チャンバ内にガスを供給するように配置されたガス供給手段とを備えた薄膜形成装置であって、
前記ガス供給手段は、前記基板ホルダーの基板装着面に向けて原料ガスを供給する第１のガス供給口と、
前記第１のガス供給口を囲む位置に配置され、ガス流壁形成用のガスを原料ガス流と略平行に供給する第２のガス供給口とを備えている
ことを特徴とする薄膜形成装置。
前記ガス供給手段が複数の前記第１のガス供給口を備えている
ことを特徴とする請求項１記載の薄膜形成装置。
前記ガス供給手段が複数の前記第２のガス供給口を備えている
ことを特徴とする請求項１記載の薄膜形成装置。
前記複数の第１のガス供給口から異なる原料ガスが供給される
ことを特徴とする請求項２記載の薄膜形成装置。
前記複数の第１のガス供給口から単一の原料ガスが供給される
ことを特徴とする請求項２記載の薄膜形成装置。