JPH10335062A

JPH10335062A - 有機ｅｌ素子の製造装置および製造方法

Info

Publication number: JPH10335062A
Application number: JP9157489A
Authority: JP
Inventors: Michio Arai; 三千男荒井; Hiroshi Yamamoto; 洋山本; Hiroshi Tanabe; 宏田辺
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1997-05-30
Filing date: 1997-05-30
Publication date: 1998-12-18

Abstract

(57)【要約】【課題】比較的大きな面積の基板に対応し、膜厚分布
の変動が少なく、有機ＥＬ素子を効率よく量産すること
のできる有機ＥＬ素子の製造装置および製造方法を実現
する。【解決手段】有機ＥＬ素子が形成される基板２と、蒸
発源４とを有し、前記蒸発源４の開口部上の中心で開口
部よりＬ0 の距離における蒸気密度ｍ0 に対する開口部
の中心線からの放射角θで開口部より距離Ｌ離れた任意
の位置での蒸気密度ｍの比ｍ／ｍ0 ∝（Ｌ0 ／Ｌ）² ・
ｃｏｓⁿθで近似したときの値であるｎ値が、３〜６で
あって、前記基板２に対する蒸発源４の位置を、基板２
の中央Ｃ／Ｌに対して、基板２の中央Ｃ／Ｌから基板２
の端部までの距離の１．０〜１．４倍の位置に配置し、
前記蒸発源４の開口部から基板２までの垂直距離が、基
板２の中央から端部までの距離の１．５〜３．５倍であ
る有機ＥＬ素子の製造装置とし、この装置を用いて成膜
することとした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は有機ＥＬ素子の製造
装置に関し、詳しくは、加熱により有機ＥＬ素子用の有
機原料物質を蒸発させ、これを基板上の成膜領域に堆積
させることで薄膜を形成する蒸着法を用いた有機ＥＬ素
子の製造装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】薄膜形成を行う基本技術の１つとして、
真空蒸着法が知られている。この真空蒸着法は、真空槽
内で蒸発源と成膜用基板を適当に組み合わせて、薄膜を
形成するものである。蒸発源を作る手段も様々考えられ
ており、例えば、Appl.Phys.Lett. 68(16),15 April 19
96 に記載されているような、比較的電気抵抗の高い金
属容器（金属ボード）に電流を流し、その発熱により原
料を蒸発させるいわゆる抵抗加熱蒸着法が知られてい
る。また、原料に直接電子ビームやレーザービームを照
射し、そのエネルギーで原料を蒸発させるいわゆる電子
ビーム・レーザービーム蒸着法等も知られている。中で
も抵抗加熱を用いた成膜方法（抵抗加熱蒸着法）は、成
膜装置の構成が簡便であり、低価格で良質の薄膜形成を
実現できることから広く普及している。

【０００３】抵抗加熱蒸着法は、融点の高いタングステ
ン、タンタル、モリブデン等の金属材料を薄板状に加工
して、電気抵抗を高くした金属板から原料容器（金属ボ
ード）を作製し、その両端から直流電流を流し、その発
熱を用いて原料を蒸発させ、蒸発ガスを供給している。
図３はこのような抵抗加熱蒸着装置の構成を示した概略
構成図で、真空槽内１に基板Ｓと、この基板Ｓと対抗し
て金属ボード４ｂを配置し、この金属ボード４ｂにより
形成された原料容器４ａの上部には小さな穴が設けられ
ていて、この穴から加熱により原料ガスＶが発散する。
発散したガスの一部が基板Ｓ上に堆積し、薄膜が形成さ
れる。蒸発原料として使用できるものは、蒸気圧の比較
的高いものであれば何でも良いが、原料容器と容易に化
学反応するものは避ける必要がある。

【０００４】このような抵抗加熱装置の場合、有機層へ
のダメージも少なく、陰電極等の有機ＥＬ素子の構成薄
膜を蒸着する装置として優れた面を有している。しか
し、このような真空蒸着装置で成膜できる基板の大きさ
は、均一な膜厚を得ようとすると、１００×１００mmと
比較的小型のものに限られていた。このため、有機ＥＬ
素子を応用したディスプレイ等を量産しようとした場
合、一度に製造できるディスプレイの数が少なく、生産
効率が低い。また、製造可能な画面の大きさも限られて
しまい、ディスプレイの大画面化への対応が困難であっ
た。

【０００５】一方、膜厚の変動を無視して製膜した場
合、ある程度の大きさの基板でも成膜可能であるが、特
性が安定せず、不良品率が多くなったり、一つのディス
プレイ内で輝度のバラツキや表示ムラが多くなったりし
て、実用に耐えうる品質のものを得ることが困難であっ
た。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】この発明の目的は、比
較的大きな面積の基板に対応し、膜厚分布の変動が少な
く、有機ＥＬ素子を効率よく量産することのできる有機
ＥＬ素子の製造装置および製造方法を実現することであ
る。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記の目的は、以下の
（１）〜（４）の構成により実現される。（１）有機ＥＬ素子が形成される基板と、蒸発源とを
有し、前記蒸発源の開口部上の中心で開口部よりＬ0 の
距離における蒸気密度ｍ0 に対する開口部の中心線から
の放射角θで開口部より距離Ｌ離れた任意の位置での蒸
気密度ｍの比ｍ／ｍ0 ∝（Ｌ0 ／Ｌ）² ・ｃｏｓⁿθで
近似したときの値であるｎ値が、３〜６であって、前記
基板に対する蒸発源の位置を、基板の中央に対して、基
板の中央から基板の端部までの距離の１．０〜１．４倍
の位置に配置し、前記蒸発源の開口部から基板までの垂
直距離が、基板の中央から端部までの距離の１．５〜
３．５倍である有機ＥＬ素子の製造装置。（２）前記基板は最大長が２００〜６００mmである上
記（１）の有機ＥＬ素子の製造装置。（３）形成される有機層の膜厚の膜厚分布が±１０％
以内である上記（１）または（２）の有機ＥＬ素子の製
造装置。（４）有機ＥＬ素子が形成される基板を真空槽内に配
置し、蒸発源を、前記基板の中央に対して、基板の中央
から基板の端部までの距離の１．０〜１．４倍の位置で
あって、前記蒸発源の開口部から基板までの垂直距離
が、基板の中央から端部までの距離の１．５〜３．５倍
である位置に配置し、前記蒸発源のｎ値を３〜６として
蒸着を行う有機ＥＬ素子の製造方法。

【０００８】

【発明の実施の形態】本発明の有機ＥＬ素子の製造装置
は、有機ＥＬ素子が形成される基板と、蒸発源とを有
し、前記蒸発源の開口部上の中心で開口部よりＬ0 の距
離における蒸気密度ｍ0 に対する開口部の中心線からの
放射角θで開口部より距離Ｌ離れた任意の位置での蒸気
密度ｍの比ｍ／ｍ0 ∝（Ｌ0 ／Ｌ）² ・ｃｏｓⁿθで近
似したときの値であるｎ値が、３〜６であって、前記基
板に対する蒸発源の位置を、基板の中央に対して、基板
の中央から基板の端部までの距離の１．０〜１．４倍の
位置に配置し、前記蒸発源の開口部から基板までの垂直
距離が、基板の中央から端部までの距離の１．５〜３．
５倍である位置に配置するものである。このように、一
定範囲のｎ値に対して、蒸発源の位置を基板の中央から
所定の位置に配置することにより、均一な膜厚分布が得
られる。

【０００９】基板としては特に限定されるものではな
く、有機ＥＬ素子が積層可能なものであればよいが、発
光した光を取り出す側の場合、ガラスや石英、樹脂等の
透明ないし半透明材料を用いる。また、基板に色フィル
ター膜や蛍光性物質を含む色変換膜、あるいは誘電体反
射膜を用いて発光色をコントロールしてもよい。また、
発光した光を取り出す側ではない場合には、基板は透明
でも不透明であってもよく、不透明である場合にはセラ
ミックス等を使用してもよい。

【００１０】基板の大きさも特に限定されるものではな
いが、好ましくは最大長、特に対角長が２００〜７００
mm、特に４００〜７００mmの範囲が好ましい。最大長は
２００mm以下であっても問題ないが、特に２００mm以上
の基板で均一な膜厚分布を得ることができ好ましい。ま
た、基板の大きさが７００mmを超えると成膜装置が大型
化し、成膜効率が低下し、膜厚制御が困難になってく
る。

【００１１】蒸発源は有機ＥＬ素子の各材料と容易に化
学反応せず、これらを所定ｎ値の蒸気に拡散しうるもの
であれば特に限定されるものではないが、好ましくはク
ヌードセンセル（Knudsen Cell：以下Ｋセルと呼ぶ場合
がある）が好ましい。クヌードセンセルは、蒸気噴出口
に所定の開口部を有するセルである。開口部の開口径ｄ
と厚さｔをパラメータとして、噴出口の上に立つ蒸気密
度の分布は、ローソクの炎状をなしており、ｃｏｓⁿθ
の形で近似される。ここで、ｎ値とは中心の蒸気密度ｍ
0 に対する任意の位置での蒸気密度ｍの比ｍ0 ／ｍｃ
ｏｓⁿθで近似したときの値である。ｄ／ｔが小さくな
るにつれてｎの値は大きくなり、炎の形は鋭くなる。最
極端のｔ＝０の場合、ｎ＝１になり、開口部の上に立つ
球状の分布になる。これは開放された液面からの蒸発に
相当し、ラングミュア（Langmuir）蒸発と呼ばれる。

【００１２】前記ｎ値は、ｄ／ｔ等を制御して３〜６に
規制する。このようにｎ値に一定の範囲を与えたのは、
蒸発源の開口部、つまりオリフィスから蒸発する蒸気は
一定ではなく、ｎ値も変動するためで、この範囲のｎ値
であれば問題なく動作する。ｎ値が上記値より小さいと
拡散方向が広がりすぎて成膜効率が低下する。ｎ値が上
記値より大きいと指向性が強くなり、大型の基板への対
応が困難になる。

【００１３】蒸発源の位置は、基板の中央に対して、基
板の中央から基板の端部までの距離の１．０〜１．４
倍、好ましくは１．０〜１．３倍、特に１．１〜１．３
倍の位置に、また、蒸発源開口部から基板までの垂直距
離が、基板の中央から端部までの距離の１．５〜３．５
倍、好ましくは１．５〜３．０、特に１．５〜２．５倍
の位置に配置する配置する。基板の中央から所定の距離
だけ離れた位置に配置させることにより、膜厚分布を一
定値以内とすることができ、特性の安定した有機ＥＬ素
子を得ることができる。蒸発源は、上記範囲内であれば
複数個を、基板中心に対して同心円上に配置してもよ
い。この場合には、共蒸着を行うこともできる。

【００１４】成膜された薄膜の膜厚分布は、好ましくは
±１０％以内、特に９％以内、さらには８％以内が好ま
しい。膜厚分布が±１０％を超えると有機ＥＬ素子の特
性が不安定となる。

【００１５】本発明の装置により成膜される有機ＥＬ素
子の薄膜としては、ホール注入・輸送層、発光および電
子注入輸送層、電子注入電極、保護層等が挙げられ、こ
れらと同一組成、あるいは蒸着により同一組成となる金
属材料、合金、有機材料等が挙げられる。

【００１６】電子注入電極としては、低仕事関数の物質
が好ましく、例えば、Ｋ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｍｇ、Ｌａ、Ｃ
ｅ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ａｌ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚ
ｎ、Ｚｒ等の金属元素単体、または安定性を向上させる
ためにそれらを含む２成分、３成分の合金系を用いるこ
とが好ましい。合金系としては、例えばＡｇ・Ｍｇ（Ａ
ｇ：１〜２０at％）、Ａｌ・Ｌｉ（Ｌｉ：０．５〜１０
at％）、Ｉｎ・Ｍｇ（Ｍｇ：５０〜８０at％）、Ａｌ・
Ｃａ（Ｃａ：５〜２０at％）等が好ましい。

【００１７】保護層としては、金属材料、ＳｉＯ_X 等の
無機材料、テフロン等の有機材料等が挙げられる。

【００１８】発光層には発光機能を有する化合物である
蛍光性物質が用いられる。このような蛍光性物質として
は、例えば、特開昭６３−２６４６９２号公報に開示さ
れているような化合物、例えばキナクリドン、ルブレ
ン、スチリル系色素等の化合物から選択される少なくと
も１種が挙げられる。また、トリス（８−キノリノラ
ト）アルミニウム等の８−キノリノールないしその誘導
体を配位子とする金属錯体色素などのキノリン誘導体、
テトラフェニルブタジエン、アントラセン、ペリレン、
コロネン、１２−フタロペリノン誘導体等が挙げられ
る。さらには、特願平６−１１０５６９号のフェニルア
ントラセン誘導体、特願平６−１１４４５６号のテトラ
アリールエテン誘導体等を用いることができる。

【００１９】また、それ自体で発光が可能なホスト物質
と組み合わせて使用することが好ましく、ドーパントと
しての使用が好ましい。このような場合の発光層におけ
る化合物の含有量は０．０１〜１０wt% 、さらには０．
１〜５wt% であることが好ましい。ホスト物質と組み合
わせて使用することによって、ホスト物質の発光波長特
性を変化させることができ、長波長に移行した発光が可
能になるとともに、素子の発光効率や安定性が向上す
る。

【００２０】ホスト物質としては、キノリノラト錯体が
好ましく、さらには８−キノリノールないしその誘導体
を配位子とするアルミニウム錯体が好ましい。このよう
なアルミニウム錯体としては、特開昭６３−２６４６９
２号、特開平３−２５５１９０号、特開平５−７０７３
３号、特開平５−２５８８５９号、特開平６−２１５８
７４号等に開示されているものを挙げることができる。

【００２１】具体的には、まず、トリス（８−キノリノ
ラト）アルミニウム、ビス（８−キノリノラト）マグネ
シウム、ビス（ベンゾ｛ｆ｝−８−キノリノラト）亜
鉛、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）アルミニウ
ムオキシド、トリス（８−キノリノラト）インジウム、
トリス（５−メチル−８−キノリノラト）アルミニウ
ム、８−キノリノラトリチウム、トリス（５−クロロ−
８−キノリノラト）ガリウム、ビス（５−クロロ−８−
キノリノラト）カルシウム、５，７−ジクロル−８−キ
ノリノラトアルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−
８−ヒドロキシキノリノラト）アルミニウム、ポリ［亜
鉛（II）−ビス（８−ヒドロキシ−５−キノリニル）メ
タン］、等がある。

【００２２】また、８−キノリノールないしその誘導体
のほかに他の配位子を有するアルミニウム錯体であって
もよく、このようなものとしては、ビス（２−メチル−
８−キノリノラト）（フェノラト）アルミニウム(III)
、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（オルト−
クレゾラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−
８−キノリノラト）（メタークレゾラト）アルミニウム
(III) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（パラ
−クレゾラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル
−８−キノリノラト）（オルト−フェニルフェノラト）
アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−８−キノリノ
ラト）（メタ−フェニルフェノラト）アルミニウム(II
I) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（パラ−
フェニルフェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−
メチル−８−キノリノラト）（２，３−ジメチルフェノ
ラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−８−キ
ノリノラト）（２，６−ジメチルフェノラト）アルミニ
ウム(III) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）
（３，４−ジメチルフェノラト）アルミニウム(III) 、
ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（３，５−ジメ
チルフェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチ
ル−８−キノリノラト）（３，５−ジ−tert−ブチルフ
ェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−８
−キノリノラト）（２，６−ジフェニルフェノラト）ア
ルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラ
ト）（２，４，６−トリフェニルフェノラト）アルミニ
ウム(III) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）
（２，３，６−トリメチルフェノラト）アルミニウム(I
II) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（２，
３，５，６−テトラメチルフェノラト）アルミニウム(I
II) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（１−ナ
フトラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−８
−キノリノラト）（２−ナフトラト）アルミニウム(II
I) 、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラト）
（オルト−フェニルフェノラト）アルミニウム(III) 、
ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラト）（パラ−
フェニルフェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２，
４−ジメチル−８−キノリノラト）（メタ−フェニルフ
ェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２，４−ジメチ
ル−８−キノリノラト）（３，５−ジメチルフェノラ
ト）アルミニウム(III) 、ビス（２，４−ジメチル−８
−キノリノラト）（３，５−ジ−tert−ブチルフェノラ
ト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−４−エチ
ル−８−キノリノラト）（パラ−クレゾラト）アルミニ
ウム(III) 、ビス（２−メチル−４−メトキシ−８−キ
ノリノラト）（パラ−フェニルフェノラト）アルミニウ
ム(III) 、ビス（２−メチル−５−シアノ−８−キノリ
ノラト）（オルト−クレゾラト）アルミニウム(III) 、
ビス（２−メチル−６−トリフルオロメチル−８−キノ
リノラト）（２−ナフトラト）アルミニウム(III) 等が
ある。

【００２３】このほか、ビス（２−メチル−８−キノリ
ノラト）アルミニウム(III) −μ−オキソ−ビス（２−
メチル−８−キノリノラト）アルミニウム(III) 、ビス
（２，４−ジメチル−８−キノリノラト）アルミニウム
(III) −μ−オキソ−ビス（２，４−ジメチル−８−キ
ノリノラト）アルミニウム(III) 、ビス（４−エチル−
２−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム(III) −
μ−オキソ−ビス（４−エチル−２−メチル−８−キノ
リノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−４
−メトキシキノリノラト）アルミニウム(III) −μ−オ
キソ−ビス（２−メチル−４−メトキシキノリノラト）
アルミニウム(III) 、ビス（５−シアノ−２−メチル−
８−キノリノラト）アルミニウム(III) −μ−オキソ−
ビス（５−シアノ−２−メチル−８−キノリノラト）ア
ルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−５−トリフルオ
ロメチル−８−キノリノラト）アルミニウム(III) −μ
−オキソ−ビス（２−メチル−５−トリフルオロメチル
−８−キノリノラト）アルミニウム(III) 等であっても
よい。

【００２４】このほかのホスト物質としては、特願平６
−１１０５６９号に記載のフェニルアントラセン誘導体
や特願平６−１１４４５６号に記載のテトラアリールエ
テン誘導体なども好ましい。

【００２５】発光層は電子注入輸送層を兼ねたものであ
ってもよく、このような場合はトリス（８−キノリノラ
ト）アルミニウム等を使用することが好ましい。これら
の蛍光性物質を蒸着すればよい。

【００２６】電子注入輸送性の化合物としては、キノリ
ン誘導体、さらには８−キノリノールないしその誘導体
を配位子とする金属錯体、特にトリス（８−キノリノラ
ト）アルミニウム（Ａｌｑ３）を用いることが好まし
い。また、上記のフェニルアントラセン誘導体、テトラ
アリールエテン誘導体を用いるのも好ましい。

【００２７】ホール注入輸送層用の化合物としては、強
い蛍光を持ったアミン誘導体、例えば上記のホール輸送
材料であるトリフェニルジアミン誘導体、さらにはスチ
リルアミン誘導体、芳香族縮合環を持つアミン誘導体を
用いるのが好ましい。

【００２８】蒸着時の圧力は好ましくは１×１０^-8〜１
×１０^-5Torrで、蒸発源の加熱温度は、金属材料であれ
ば１００〜１４００℃、有機材料であれば１００〜５０
０℃程度が好ましい。

【００２９】次に、本発明の製造装置のより具体的な構
成について、図を参照しつつ説明する。

【００３０】図１は本発明装置の基本構成を示す半裁断
面図である。図において、本発明の有機Ｅｌ素子の製造
装置は、基板２と、蒸発源載置台３と、蒸発源４とを有
する。図は基板２の中央Ｃ／Ｌから右半分を示してい
る。従って、蒸発源４は、基板中央から端部までの距離
ａと、その１．４倍の距離ｂとの間であって、蒸発源４
の開口部２４から基板２までの垂直距離ｃが、基板２の
中央Ｃ／Ｌから端部までの距離の１．５〜３．５倍であ
る位置に配置されることになる。なお、蒸発源４の位置
は、蒸発源４の中心の位置とする。

【００３１】図２は、本発明に好ましく使用される蒸発
源４のより具体的な構成を示した要部断面図である。図
において、蒸発源４は、外部ケース２１と、断熱材２２
と、るつぼ２３と、開口部２４と、材料２５と、加熱手
段２６と、温度検出手段２７とを有する。

【００３２】るつぼ２３は蒸着される材料２５と容易に
化学反応せず、所定の温度に耐えうるものが好ましく、
例えばバイオライティックボロンナイトライド（ＰＢ
Ｎ）、アルミナ等のセラミックス、石英等が挙げられ、
特にＰＢＮ等が好ましい。外部ケース２１は、所定の強
度と耐腐食性等を備えたものであれば特に限定されるも
のではなく、下記断熱材２２と同様のものの中から選択
すればよく、あるいはこれと兼用してもよく、例えばモ
リブデン等を好ましく用いることができる。断熱材２２
は、熱反射性、耐熱性、耐腐食性等を有するものであれ
ばよく、モリブデン、タンタル、ステンレス（ＳＵＳ３
１６）、インコネル、カウウール、アスベスト等が挙げ
られる。

【００３３】加熱手段２６は所定の熱容量、反応性等を
備えたものであればよく、例えばタンタル線ヒータ、シ
ースヒータ等が挙げられる。加熱手段に２６による加熱
温度は、好ましくは１００〜１４００℃程度、温度制御
の精度は、蒸発させる材料により異なるが、例えば１０
００℃で±１℃、好ましくは±０．５℃程度である。温
度検出手段２７は、るつぼ２３中の材料２５の温度を適
正に検出しうるものであればよく、例えば、白金−白金
ロジウム、タングステン−タングステンレニウム等の熱
電対等が挙げられる。

【００３４】

【実施例】次に実施例を挙げ、本発明をより具体的に説
明する。

【００３５】＜実施例１＞図１に示すように、真空槽内
に大きさ２５０×２５０mmの基板２を用意し、この基板
２の端部（ａ）から１３７．５mmの距離（ｂ）まで蒸発
源を移動させ、それぞれの位置（図中入射位置として基
板の中央から端部までの距離との比として表示する。）
で蒸着を行い、得られた各蒸着膜について膜厚分布を測
定した。このときのｎ値は３，４，５または６のいずれ
かの値とし、蒸着材料にはＡｌｑ3を用いた。また、基
板２から蒸発源４開口部２４までの距離は５０cmとし
た。得られた結果を図３に示す。

【００３６】図３から明らかなように、本発明の装置に
よれば、３〜６のいずれのｎ値においても膜厚分布が±
１０％以内となっていることがわかる。

【００３７】＜実施例２＞実施例１において、ｎ値を３
〜６のいずれかの値とし、蒸発源から基板２までの距離
を２００〜８００mmに移動させ、それぞれの位置で蒸着
を行い、得られた各蒸着膜について膜厚分布を測定し
た。このときの蒸着材料にはＡｌｑ3 を用いた。また、
基板２の中央から蒸発源４までの距離は３０cmとした。
得られた結果を図４に示す。

【００３８】図４から明らかなように、本発明の装置に
よれば、３〜６のいずれのｎ値においても膜厚分布が±
１０％以内となっていることがわかる。

【００３９】＜実施例３＞実施例１で用いた蒸着材料に
代えて、ＴＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ｍ
−トリル−４，４’−ジアミノ−１，１’−ビフェニ
ル）を用いた他は実施例１と同様にして製膜したとこ
ろ、ほぼ同様な結果が得られた。

【００４０】＜実施例４＞実施例１で用いた蒸着材料に
代えて、Ｍｇを用いた他は実施例１と同様にして製膜し
たところ、ほぼ同様な結果が得られた。

【００４１】＜実施例５＞実施例３で用いた蒸着材料に
加えて、ルブレンを用いた。これら各蒸着材料が備えら
れた各蒸発源４をそれぞれ用意し、これらを実施例１と
同一条件となるよう同心円上に配置し、各蒸発源４の蒸
着速度（加熱温度）をコントロールしてＴＰＤ：ルブレ
ンが、１００：１０となるように共蒸着を行った他は実
施例３と同様にして製膜したところ、ほぼ同様な結果が
得られた。

【００４２】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、比較的大
きな面積の基板に対応し、膜厚分布の変動が少なく、有
機ＥＬ素子を効率よく量産することのできる有機ＥＬ素
子の製造装置および製造方法を実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の装置の概略構成を示す半裁断面図であ
る。

【図２】本発明の装置に好ましく使用されるクヌードセ
ンセルの要部断面図である。

【図３】各ｎ値における、基板中央に対する蒸発源の位
置を変化させたときの膜厚分布を示したグラフである。

【図４】各ｎ値における、蒸発源から基板２までの距離
を２００〜８００mmとしたときの膜厚分布を示したグラ
フである。

【符号の説明】

２基板３蒸発源載置台４蒸発源２１外部ケース２２断熱材２３るつぼ２４開口部２５材料２６加熱手段２７温度測定手段

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】有機ＥＬ素子が形成される基板と、蒸発
源とを有し、前記蒸発源の開口部上の中心で開口部よりＬ0 の距離に
おける蒸気密度ｍ0 に対する開口部の中心線からの放射
角θで開口部より距離Ｌ離れた任意の位置での蒸気密度
ｍの比ｍ／ｍ0 ∝（Ｌ0 ／Ｌ）² ・ｃｏｓⁿθで近似し
たときの値であるｎ値が、３〜６であって、前記基板に対する蒸発源の位置を、基板の中央に対し
て、基板の中央から基板の端部までの距離の１．０〜１．４
倍の位置に配置し、前記蒸発源の開口部から基板までの垂直距離が、基板の
中央から端部までの距離の１．５〜３．５倍である有機
ＥＬ素子の製造装置。
【請求項２】前記基板は最大長が２００〜６００mmで
ある請求項１の有機ＥＬ素子の製造装置。
【請求項３】形成される有機層の膜厚の膜厚分布が±
１０％以内である請求項１または２の有機ＥＬ素子の製
造装置。
【請求項４】有機ＥＬ素子が形成される基板を真空槽
内に配置し、蒸発源を、前記基板の中央に対して、基板の中央から基
板の端部までの距離の１．０〜１．４倍の位置であっ
て、前記蒸発源の開口部から基板までの垂直距離が、基板の
中央から端部までの距離の１．５〜３．５倍である位置
に配置し、前記蒸発源のｎ値を３〜６として蒸着を行う有機ＥＬ素
子の製造方法。