CN105088145B - 用于oled蒸发源的坩埚及其制造方法 - Google Patents

用于oled蒸发源的坩埚及其制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明的实施例提供了一种用于OLED蒸发源的坩埚及其制造方法。所述坩埚包括主体和设置在主体上的内板。在垂直于主体的长度方向的横截面中,所述主体的底部从下至上逐渐变大。

Description

用于OLED蒸发源的坩埚及其制造方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种用于OLED蒸发源的坩埚及其制造方法。
背景技术
随着人们对更高品质的显示产品的追求,OLED成为了最具潜力的替代LCD液晶显示的新兴技术,OLED技术正处于快速发展的阶段。国内外普遍采用有机材料蒸镀的方式生产OLED显示产品,RGB像素的色偏、效率等取决于蒸镀膜层均匀性等特性,而在蒸镀过程中,用于蒸发源的坩埚作为蒸镀中的重要部件,直接决定着蒸镀膜层的均匀性。
然而,现有技术中用于OLED蒸发源的坩埚为平底结构,加之有机材料本身粘性较大和液化后表面张力作用,导致有机材料在坩埚中的分布不均匀。蒸镀过程中会出现部分露底,影响有机材料蒸镀的均匀性。
有鉴于此,确有需要提供一种能够至少部分地解决上述问题的新的用于OLED蒸发源的坩埚及其制造方法。
发明内容
本发明的目的旨在解决现有技术中存在的上述问题和缺陷的至少一个方面。
根据本发明的一个方面,提供了一种用于OLED蒸发源的坩埚,所述坩埚包括主体和设置在主体上的内板,其中:
在垂直于主体的长度方向的横截面中,所述主体的底部从下至上逐渐变大。
在一个示例中,在垂直于主体的长度方向的横截面中所述主体的底部设置成V形、U形或者它们的组合的形状。
在一个示例中,在所述横截面中所述主体的底部设置成单个V形、两个相连的V形或更多个相连的V形。
在一个示例中,在所述横截面中所述主体的底部设置成单个U形、两个相连的U形或更多个相连的U形。
在一个示例中,在所述横截面中所述主体的底部设置成相连的V形和U形的组合形状。
在一个示例中,所述内板被设置成在所述横截面中具有与所述主体的底部相匹配的形状。
在一个示例中,所述内板上设置有成预定排布形式的多个孔,使得在坩埚内的蒸发材料能够穿过所述孔沉积在放置在所述坩埚上或上方的OLED器件的基板上。
在一个示例中,所述内板上的孔在垂直于主体的高度方向的水平面上的投影中是均匀分布的。
在一个示例中,以主体的长度方向为X坐标轴,以主体的宽度方向为Y坐标轴,以主体的高度方向为Z坐标轴建立的坐标系中,所述内板的孔在XY平面上的投影中是均匀分布的。
在一个示例中,在所述XY平面上的投影中,在Y轴方向上设置以第一间距彼此间隔开的多排孔,在每一排孔中的多个孔沿X轴方向延伸并且相邻的两个孔以第二间距彼此间隔开。
在一个示例中,所述第一间距等于第二间距。
在一个示例中,相邻的两排孔中的孔彼此对准。
在一个示例中,在相邻的两排孔中的孔不彼此对准时,将其中的一排孔中的每个孔与另一排孔中的与之相邻的两个孔的连接直线的中心对准。
在一个示例中,中间部,所述中间部上设置有所述孔。
在一个示例中,所述内板还包括位于中间部两侧的侧部,所述侧部用于盖设在主体的顶部上。
根据本发明的另一方面,提供了一种制造根据权利要求1所述的用于OLED蒸发源的坩埚的方法,包括以下步骤:
提供一具有主体的坩埚,在垂直于主体的长度方向的横截面中,所述主体的底部从下至上逐渐变大;
将内板盖设在坩埚的主体的上端上。
本发明的实施例通过对坩埚结构(具体是坩埚底部的结构)改善或优化,可以提高蒸镀的均匀性和材料使用率及由于基底用量过少对蒸镀膜层均匀性的影响,使蒸镀膜层的性能大大提高。
附图说明
本发明的这些和/或其他方面和优点从下面结合附图对优选实施例的描述中将变得明显和容易理解,其中:
图1a和1b是现有技术中的用于OLED蒸发源的坩埚的垂直于宽度方向的横截面的示意图和垂直于长度方向的横截面的示意图;
图2a和2b是根据本发明的第一实施例的用于OLED蒸发源的坩埚的垂直于长度方向的横截面的示意图和坩埚的内板的俯视图;
图3a和3b是根据本发明的第二实施例的用于OLED蒸发源的坩埚的垂直于长度方向的横截面的示意图和坩埚的内板的俯视图;
图4a和4b是根据本发明的第三实施例的用于OLED蒸发源的坩埚的沿垂直于长度方向的横截面的示意图和坩埚的内板的俯视图;
图5a和5b是根据本发明的第四实施例的用于OLED蒸发源的坩埚的垂直于长度方向的横截面的示意图和坩埚的内板的俯视图;
图6是根据本发明的第五实施例的用于OLED蒸发源的坩埚的垂直于长度方向的横截面的示意图;
图7是根据本发明的第六实施例的用于OLED蒸发源的坩埚的垂直于长度方向的横截面的示意图。
具体实施方式
下面通过实施例,并结合附图1-7,对本发明的技术方案作进一步具体的说明。在说明书中,相同或相似的附图标号指示相同或相似的部件。下述参照附图对本发明实施方式的说明旨在对本发明的总体发明构思进行解释,而不应当理解为对本发明的一种限制。
参见图1a和1b,其示出了现有技术的用于OLED蒸发源的坩埚的垂直于宽度方向的横截面示意图和垂直于坩埚的纵长方向或长度方向的横截面示意图。具体地,坩埚10包括主体12和设置在主体12上的内板14。如图所示,主体12的底部设计成平底结构;内板14设置成平板形式,并且其上设置有孔,以使得将材料通过所述孔蒸镀到设置在内板上或上方的玻璃基底(即用于OLED器件的基底)上。
当蒸镀材料的剩余料不充足时,主体12的底部有些地方会出现露底,造成材料蒸镀到在内板14上方的玻璃基底上的均匀性不好,所以有些时候为了保证基底(base)量,而加入较多的材料,同时造成了材料的浪费。
图1a示出了内板14的长度L,图1b示出了坩埚主体12的宽度W和高度H。
本发明的主要构思在于将现有的坩埚底部设置成曲率较小的弧形结构或锥形结构,保证当有机材料较少时,既能够保证长边方向(长度方向)上分布的均匀性,也能最大限度地保证短边方向(宽度方向)上分布的均匀性。这样,本发明所提供的新型的坩埚能够用于有机材料液化后流动性一般的有机材料,相比,现有技术中的坩埚不能用于这样的液化后流动性不够好的有机材料。
对于OLED器件,现在量产成熟的技术都采用真空物理气相沉积工艺来制备相应的器件。就是将制作好的背板或基底放置于真空腔内利用热蒸发的方式将每一层有机材料蒸镀在背板上形成OLED器件。蒸镀工艺是生产OLED的一种重要的技术路线,使用蒸镀工艺,坩埚又是必不可少的治具。坩埚的结构设计对有机材料成膜品质和生产效率有重要影响。通常将有机材料装入坩埚内,待温度达到材料蒸发温度时,有机材料以气体的方式逸出到坩埚上方的开口,沉积在背板表面形成致密的蒸镀薄膜。最后,利用高精度金属掩膜板上的图形形成红绿蓝器件。
在本发明的一个方面中,提供了一种用于OLED蒸发源的坩埚,所述坩埚包括主体和设置在主体上的内板,在垂直于主体的长度方向的横截面中,所述主体的底部从下至上逐渐变大。
参见图2a和2b,分别示出了根据本发明的第一实施例的用于OLED蒸发源的坩埚的垂直于长度方向的横截面的示意图和坩埚的内板的俯视图。所述坩埚20包括主体22和设置在主体上的内板24。如图所示,所述主体22的底部26设置成V形结构。相应地,将内板24也设置成V形结构,并且内板24上设置有成预定排布形式的孔244(参见图2b),以使得将材料通过所述孔蒸镀到设置在内板24上方的玻璃基底(未示出)上。
在此需要说明的是,坩埚的长度方向是指坩埚的长度延伸所在的方向(有时简称为长边方向),相应地,坩埚的宽度方向是指坩埚的宽度延伸所在的方向(有时简称为短边方向)。这样的定义适用于本发明的各个实施例,故在下文不再详述。
如图2a所示,主体22的底部26设置成在垂直于的长度方向的横截面(即图2a所示的横截面)中设置成单个V形。图2a示出了坩埚主体22的宽度W和高度H;图2b示出了内板24的长度L(结合图2a可知,主体22的长度略微比内板24的长度短一些)。显然,本领域技术人员可以根据需要选择坩埚的长度L、宽度W和高度H的具体数值。例如,在一个示例中,长度L为880mm,宽度W为50mm,高度H为120mm。
如图2a和2b所示,在保证坩埚的长宽高均不变的情况下(即与图1a和1b所示的相同的情况下),将现有的坩埚设置成底部为V字形的结构,使得其能够适用于有机材料液化后流动性较差的有机材料。可以理解,将现有坩埚底部改为曲率较小的V形结构,当有机材料较少时,既能保证长边方向上分布的均匀性也能保证短边方向上分布的均匀性。
另外,如图2b所示,内板24包括在两侧的侧部241、242和位于两侧部之间的中间部243。具体地,两个侧部241和242可以用于盖设在主体22的侧边的顶部上。当然,本领域技术还可以根据需要选择其他的方式将内板24设置在主体22上而不采用上述的侧部。
所述中间部243包括两个倾斜的斜面245,所述斜面245上设置有成预定排布形式的孔244(即图2中显示的黑点)。在一个示例中,所述中间部243上的孔244在垂直于高度H方向的水平面上的投影(即如图2b所示的俯视图或相应的仰视图)中是均匀分布的或等距分布的。具体地,以长度L方向为X坐标轴,以宽度W方向为Y坐标轴,以高度H方向为Z坐标轴建立的坐标系中,中间部243上的孔244在XY平面上的投影中是均匀分布的或等距分布的。在一个具体示例中,在所述XY平面上的投影中,在Y轴方向上设置以第一间距彼此间隔开的多排孔,在每一排孔中的多个孔沿X轴方向延伸并且相邻的两个孔以第二间距彼此间隔开。在一个优选的示例中,第一间距等于第二间距。可以理解,当相邻的两排孔中的孔彼此对准时,所述孔在XY平面上的投影中的分布是均匀的。当然,还可以在相邻的两排孔中的孔不彼此对准时,将其中的一排孔中的每个孔与另一排孔中的与之相邻的两个孔的连接直线的中心对准,从而实现所述孔在XY平面上的投影中的分布是均匀的,例如图2b所示。由于所述孔在XY平面中的投影中的分布是均匀的,故使得蒸发的材料均匀地沉积在设置在坩埚上或上方的OLED器件的基板上。可以理解,由于内板的中间部实际中成大体V形的沟槽,故由于所述孔在所述投影中是均匀分布的,故在中间部的斜面上不是均匀分布的。
需要说明的是,本领域技术人员还可以设计其他形式的孔排布方式而不限于上述的具体情形,以使得所述孔在XY平面上的投影中的分布是均匀的。鉴于这样的孔排布方式基于本发明的上述说明是显而易见的,故在次不再详细说明。
图3a和3b分别示出了根据本发明的第二实施例的用于OLED蒸发源的坩埚的垂直于长度方向的横截面的示意图和坩埚的内板的俯视图。所述坩埚30包括主体32和设置在主体32上的内板34。如图所示,所述主体32的底部36设置成W形结构。相应地,将内板34也设置成W形结构,并且内板34上设置有成预定排布形式的孔(参见图3b),以使得将材料通过所述孔蒸镀到设置在内板34上方的玻璃基底(未示出)上。如图3a所示,主体32的底部36设置成在垂直于长度方向的横截面(即图3a所示的横截面)中设置成单个W形。可以理解,所述W形可以看成两个相连的V形。
另外,如图3b所示,内板34包括在两侧的侧部341、342和位于两侧部之间的中间部343。具体地,两个侧部341和342可以用于盖设在主体32的侧边上。
所述中间部343包括四个倾斜的斜面345,所述斜面345上设置有成预定排布形式的孔344。在一个示例中,所述中间部343上的孔344在垂直于高度H方向的水平面上的投影(即如图3b所示的俯视图或相应的仰视图)中是均匀分布的或等距分布的。具体地,以长度L方向为X坐标轴,以宽度W方向为Y坐标轴,以高度H方向为Z坐标轴建立的坐标系中,中间部343上的孔344在XY平面上的投影中是均匀分布的或等距分布的。在一个具体示例中,在所述XY平面上的投影中,在Y轴方向上设置以第一间距彼此间隔开的多排孔,在每一排孔中相邻的两个孔以第二间距彼此间隔开。在一个优选的示例中,第一间距等于第二间距。可以理解,当相邻的两排孔中的孔彼此对准时,所述孔在XY平面上的投影中的分布是均匀的。当然,还可以在相邻的两排孔中的孔不彼此对准时,将其中的一排孔中的每个孔与另一排孔中的与之相邻的两个孔的连接直线的中心对准,从而实现所述孔在XY平面上的投影中的分布是均匀的,例如图3b所示。
如图3a和3b所示,在保证坩埚的长宽高均不变的情况下,将现有的坩埚设置成底部为W字形的结构,使得其能够适用于有机材料液化后流动性较差的有机材料。可以理解,将现有坩埚底部改为曲率较小的W形结构,当有机材料较少时,既能保证长边方向上分布的均匀性也能保证短边方向上分布的均匀性。
图4a和4b分别示出根据本发明的第三实施例的用于OLED蒸发源的坩埚的垂直于长度方向的横截面的示意图和坩埚的内板的俯视图。所述坩埚40包括主体42和设置在主体42上的内板44。如图所示,所述主体42的底部46设置成U形结构。相应地,将内板44也设置成U形结构,并且内板44上设置有成预定排布形式的孔(参见图4b),以使得将材料通过所述孔蒸镀到设置在内板44上方的玻璃基底(未示出)上。如图4a所示,主体42的底部46设置成在垂直于长度方向的横截面(即图4a所示的横截面)中设置成单个U形。
另外,如图4b所示,内板44包括在两侧的侧部441、442和位于两侧部之间的中间部443。具体地,两个侧部441和442可以用于盖设在主体42的侧边上。
所述中间部443包括一个U形的弯曲面445,所述弯曲面445上设置有成预定排布形式的孔444。在一个示例中,所述中间部443上的孔444在垂直于高度H方向的水平面上的投影(即如图4b所示的俯视图或相应的仰视图)中是均匀分布的或等距分布的。具体地,以长度L方向为X坐标轴,以宽度W方向为Y坐标轴,以高度H方向为Z坐标轴建立的坐标系中,中间部443上的孔444在XY平面上的投影中是均匀分布的或等距分布的。在一个具体示例中,在所述XY平面上的投影中,在Y轴方向上设置以第一间距彼此间隔开的多排孔,在每一排孔中相邻的两个孔以第二间距彼此间隔开。在一个优选的示例中,第一间距等于第二间距。可以理解,当相邻的两排孔中的孔彼此对准时,所述孔在XY平面上的投影中的分布是均匀的。当然,还可以在相邻的两排孔中的孔不彼此对准时,将其中的一排孔中的每个孔与另一排孔中的与之相邻的两个孔的连接直线的中心对准,从而实现所述孔在XY平面上的投影中的分布是均匀的,例如图4b所示。
如图4a和4b所示,在保证坩埚的长宽高均不变的情况下,将现有的坩埚设置成底部为U字形的结构,使得其能够适用于有机材料液化后流动性较差的有机材料。可以理解,将现有坩埚底部改为曲率较小的弧形结构,当有机材料较少时,既能保证长边方向上分布的均匀性也能保证短边方向上分布的均匀性。
图5a和5b分别根据本发明的第四实施例的用于OLED蒸发源的坩埚的垂直于长度方向的横截面的示意图和坩埚的内板的俯视图。所述坩埚50包括主体52和设置在主体52上的内板54。如图所示,所述主体52的底部56设置成两个相连的U形结构。相应地,将内板54也设置成两个相连的U形结构,并且内板54上设置有成预定排布形式的孔(参见图5b),以使得将材料通过所述孔蒸镀到设置在内板54上方的玻璃基底(未示出)上。如图5a所示,主体52的底部56设置成在垂直于长度方向的横截面(即图5a所示的横截面)中设置成两个相连的U形结构。
另外,如图5b所示,内板54包括在两侧的侧部541、542和位于两侧部之间的中间部543。具体地,两个侧部541和542可以用于盖设在主体52的侧边上。
所述中间部543包括两个U形的弯曲面545,所述弯曲面545上设置有成预定排布形式的孔544。在一个示例中,所述中间部543上的孔544在垂直于高度H方向的水平面上的投影(即如图5b所示的俯视图或相应的仰视图)中是均匀分布的或等距分布的。具体地,以长度L方向为X坐标轴,以宽度W方向为Y坐标轴,以高度H方向为Z坐标轴建立的坐标系中,中间部543上的孔544在XY平面上的投影中是均匀分布的或等距分布的。在一个具体示例中,在所述XY平面上的投影中,在Y轴方向上设置以第一间距彼此间隔开的多排孔,在每一排孔中相邻的两个孔以第二间距彼此间隔开。在一个优选的示例中,第一间距等于第二间距。可以理解,当相邻的两排孔中的孔彼此对准时,所述孔在XY平面上的投影中的分布是均匀的。当然,还可以在相邻的两排孔中的孔不彼此对准时,将其中的一排孔中的每个孔与另一排孔中的与之相邻的两个孔的连接直线的中心对准,从而实现所述孔在XY平面上的投影中的分布是均匀的,例如图5b所示。
如图5a和5b所示,在保证坩埚的长宽高均不变的情况下,将现有的坩埚设置成底部为两个相连的U字形的结构,使得其能够适用于有机材料液化后流动性较差的有机材料。可以理解,将现有坩埚底部改为曲率较小的弧形结构,当有机材料较少时,既能保证长边方向上分布的均匀性也能保证短边方向上分布的均匀性。
图6是根据本发明的第五实施例的用于OLED蒸发源的坩埚的垂直于长度方向的横截面的示意图。所述坩埚60包括主体62和设置在主体62上的内板64。如图所示,所述主体62的底部66设置成多个相连的V形结构。相应地,将内板64也设置成多个相连的V形结构,并且内板64上设置有成预定排布形式的孔,以使得将材料通过所述孔蒸镀到设置在内板64上方的玻璃基底(未示出)上。如图6所示,主体62的底部66设置成在垂直于长度方向的横截面(即图6所示的横截面)中设置成多个相连的V形结构。
如图6所示,其与第二实施例所述的结构大体相同,不同之处仅在于内板64的中间部643在横截面中设置成多个V形。因此,关于其的内板和孔分布的具体设置在此不再详述。如图6所示,将坩埚设置成底部为多个相连的V字形的结构,当有机材料较少时,既能保证长边方向上分布的均匀性也能保证短边方向上分布的均匀性。
图7是根据本发明的第六实施例的用于OLED蒸发源的坩埚的垂直于长度方向的横截面的示意图。所述坩埚70包括主体72和设置在主体72上的内板74。如图所示,所述主体72的底部76设置成多个相连的U形结构。相应地,将内板74也设置成多个相连的U形结构,并且内板74上设置有成预定排布形式的孔,以使得将材料通过所述孔蒸镀到设置在内板74上方的玻璃基底(未示出)上。主体72的底部76设置成在垂直于长度方向的横截面(即图7所示的横截面)中设置成多个相连的U形结构。
如图7所示,其与第四实施例所述的结构大体相同,不同之处仅在于内板74的中间部743在横截面中设置成多个U形。因此,关于其的内板和孔分布的具体设置在此不再详述。
如图7所示,将坩埚设置成底部为多个相连的U字形的结构,将现有坩埚底部设置为多个曲率较小的弧形结构,当有机材料较少时,既能保证长边方向上分布的均匀性也能保证短边方向上分布的均匀性。
可以理解,虽然本发明没有给出将坩埚的底部设置成V形和U形组合的形状,但是本领域技术人员可以根据上述的各实施例图示的情形显而易见获知这样的底部形状。本领域技术人员可以根据需要设置V形和U形的具体组合形式,在此不再对其进行详细描述。通过本发明的上述的示例的说明可知,只要使得所述坩埚的主体底部被设置成在垂直于主体的长度方向的横截面中从下至上逐渐变大,就能够解决本发明要解决的技术问题。因此,坩埚的主体底部的具体形状可以根据具体需要进行选择,而不限于本发明图示的示例的情形。
相应地,本发明的实施例还提供了一种制造如上所述的用于OLED蒸发源的坩埚的方法,包括以下步骤:
提供一具有主体的坩埚,所述坩埚的主体底部被设置成在垂直于主体的长度方向的横截面中从下至上逐渐变大;
将内板设置在坩埚的主体的上端上。
关于内板和主体的具体设置方式可以参见上述的描述,在此不再详述。
本发明的各实施例提供用于OLED蒸发源的坩埚,底部采用锥形凹槽或弧形底部设计,避免因材料蒸镀大量蒸发后基底量的减少对蒸镀材料均匀性的影响,同时能够有效改善蒸发材料的均匀性和提高材料使用率。
传统坩埚的底部为平底结构,加之有机材料本身粘性较大和液化后表面张力作用,导致有机材料在坩埚中分布不均,蒸镀过程中会出现部分露底,影响有机材料蒸镀的均匀性。本发明的各个实施例通过优化改变坩埚的底部结构,所述主体的底部设置成V形、U形或者它们的组合的形状,增加有机材料液化后分布的均匀性,从而改善蒸渡均匀性和材料的使用率。
以上仅为本发明的一些实施例,本领域普通技术人员将理解,在不背离本总体发明构思的原则和精神的情况下,可对这些实施例做出改变,本发明的范围以权利要求和它们的等同物限定。

Claims (15)

1.一种用于OLED蒸发源的坩埚,所述坩埚包括主体和设置在主体上的内板,其特征在于:
在垂直于主体的长度方向的横截面中,所述主体的底部从下至上逐渐变大,所述内板被设置成在所述横截面中具有与所述主体的底部相匹配的形状。
2.根据权利要求1所述的用于OLED蒸发源的坩埚,其特征在于,
在垂直于主体的长度方向的横截面中所述主体的底部设置成V形、U形或者它们的组合的形状。
3.根据权利要求2所述的用于OLED蒸发源的坩埚,其特征在于,
在所述横截面中所述主体的底部设置成单个V形、两个相连的V形或更多个相连的V形。
4.根据权利要求2所述的用于OLED蒸发源的坩埚,其特征在于,
在所述横截面中所述主体的底部设置成单个U形、两个相连的U形或更多个相连的U形。
5.根据权利要求2所述的用于OLED蒸发源的坩埚,其特征在于,
在所述横截面中所述主体的底部设置成相连的V形和U形的组合形状。
6.根据权利要求1所述的用于OLED蒸发源的坩埚,其特征在于,
所述内板上设置有成预定排布形式的多个孔,使得在坩埚内的蒸发材料能够穿过所述孔沉积在放置在所述坩埚上或上方的OLED器件的基板上。
7.根据权利要求6所述的用于OLED蒸发源的坩埚,其特征在于,
所述内板上的孔在垂直于主体的高度方向的水平面上的投影中是均匀分布的。
8.根据权利要求7所述的用于OLED蒸发源的坩埚,其特征在于,
以主体的长度方向为X坐标轴,以主体的宽度方向为Y坐标轴,以主体的高度方向为Z坐标轴建立的坐标系中,所述内板的孔在XY平面上的投影中是均匀分布的。
9.根据权利要求8所述的用于OLED蒸发源的坩埚,其特征在于,
在所述XY平面上的投影中,在Y轴方向上设置以第一间距彼此间隔开的多排孔,在每一排孔中的多个孔沿X轴方向延伸并且相邻的两个孔以第二间距彼此间隔开。
10.根据权利要求9所述的用于OLED蒸发源的坩埚,其特征在于,
所述第一间距等于第二间距。
11.根据权利要求9所述的用于OLED蒸发源的坩埚,其特征在于,
相邻的两排孔中的孔彼此对准。
12.根据权利要求10所述的用于OLED蒸发源的坩埚,其特征在于,
在相邻的两排孔中的孔不彼此对准时,将其中的一排孔中的每个孔与另一排孔中的与之相邻的两个孔的连接直线的中心对准。
13.根据权利要求1-12中任一项所述的用于OLED蒸发源的坩埚,其特征在于,所述内板包括:
中间部,所述中间部上设置有所述孔。
14.根据权利要求1-12中任一项所述的用于OLED蒸发源的坩埚,其特征在于,
所述内板还包括位于中间部两侧的侧部,所述侧部用于盖设在主体的顶部上。
15.一种制造根据权利要求1-14中任一项所述的用于OLED蒸发源的坩埚的方法,包括以下步骤:
提供一具有主体的坩埚;
将内板盖设在坩埚的主体的上端上。
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JP7394134B2 (ja) * 2018-11-30 2023-12-07 フェローテック(ユーエスエー)コーポレイション 電子ビーム源を用いた被覆のためのるつぼカバー

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3901647A (en) * 1974-04-26 1975-08-26 Xerox Corp Low radiation open-boat crucibles
US5031229A (en) * 1989-09-13 1991-07-09 Chow Loren A Deposition heaters
US5616180A (en) * 1994-12-22 1997-04-01 Northrop Grumman Corporation Aparatus for varying the flux of a molecular beam
US5532102A (en) * 1995-03-30 1996-07-02 Xerox Corporation Apparatus and process for preparation of migration imaging members
FR2733253B1 (fr) * 1995-04-24 1997-06-13 Commissariat Energie Atomique Dispositif pour deposer un materiau par evaporation sur des substrats de grande surface
KR100437768B1 (ko) * 2001-09-13 2004-06-30 엘지전자 주식회사 박막증착장치
TWI264473B (en) * 2001-10-26 2006-10-21 Matsushita Electric Works Ltd Vacuum deposition device and vacuum deposition method
DE10316228B3 (de) * 2003-04-09 2004-12-16 Dr. Eberl Mbe-Komponenten Gmbh Effusionszelle mit verbesserter Temperaturkontrolle des Tiegels
JP2007169729A (ja) * 2005-12-22 2007-07-05 Fujifilm Corp 蒸着装置および方法、固体検出器の製造方法
US20090098280A1 (en) 2007-10-12 2009-04-16 Jean-Pierre Tahon Vapor deposition apparatus and method of vapor deposition making use thereof
KR101136143B1 (ko) * 2009-09-05 2012-04-17 주식회사 크리스텍 사파이어 단결정 성장방법과 그 장치
US20120057222A1 (en) * 2010-09-03 2012-03-08 Yasuhiro Hashimoto Single crystal of magnesium fluoride, optical member and optical element comprising the same
JP2012233211A (ja) * 2011-04-28 2012-11-29 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 光学薄膜形成用ハースライナー
CN102351407B (zh) * 2011-08-25 2014-02-05 江苏阳山硅材料科技有限公司 一种熔铝石英坩埚的制作方法
FR2981667B1 (fr) * 2011-10-21 2014-07-04 Riber Systeme d'injection pour dispositif de depot de couches minces par evaporation sous vide
JP2013209687A (ja) * 2012-03-30 2013-10-10 Panasonic Corp 蒸着用ボートおよびこれを用いた蒸着装置
CN105088145B (zh) * 2015-08-19 2017-03-29 京东方科技集团股份有限公司 用于oled蒸发源的坩埚及其制造方法

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