CN106229300B - 像素结构及制作方法 - Google Patents
像素结构及制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106229300B CN106229300B CN201610708340.9A CN201610708340A CN106229300B CN 106229300 B CN106229300 B CN 106229300B CN 201610708340 A CN201610708340 A CN 201610708340A CN 106229300 B CN106229300 B CN 106229300B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- sub
- pixel unit
- unit
- pixels
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000003491 array Methods 0.000 claims abstract description 10
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 30
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 15
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 15
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 14
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 22
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 12
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 12
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 4
- 241001062009 Indigofera Species 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001994 activation Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 description 1
- 235000012736 patent blue V Nutrition 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
- H10K59/353—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
- H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
- H01L21/84—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being other than a semiconductor body, e.g. being an insulating body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0603—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
- H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
- H10K59/351—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels comprising more than three subpixels, e.g. red-green-blue-white [RGBW]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
- H10K71/135—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明提供一种像素结构及制作方法,该像素结构包括:一基板;阳极电极层,其设置于所述基板上;多个像素单元,其设置于所述阳极电极层上并呈矩形阵列排布,每一所述像素单元包括四个呈矩形阵列排布的子像素单元;任意相邻两个像素单元的相邻的一侧上的相互正对的两个子像素单元的发光颜色相同;阴极电极层,其设置于所述多个像素单元之上。本发明具有提高金属光罩制程能力以及提高像素单元的解析度的目的。
Description
技术领域
本发明涉及显示领域,特别是涉及一种像素结构及制作方法。
背景技术
目前RGB Side-by-side的画素设计以RGB排列或是S-Stripe方式进行排列,此设计排列会导致金属精密光罩制作会有解析度限制的问题产生,导致显示屏解析度无法提高的技术问题。
因此,现有技术存在缺陷,急需改进。
发明内容
本发明的目的在于提供一种像素结构及制作方法;以解决现有的像素结构的解析度较低的缺陷。
为解决上述技术问题,本发明提供一种像素结构,包括:
一基板;
阳极电极层,其设置于所述基板上;
多个像素单元,其设置于所述阳极电极层上并呈矩形阵列排布,每一所述像素单元包括四个呈矩形阵列排布的子像素单元;任意相邻两个像素单元的相邻的一侧上的相互正对的两个子像素单元的发光颜色相同;
阴极电极层,其设置于所述多个像素单元之上。
在本发明所述的像素结构中,每一所述像素单元包括红色子像素单元、绿色子像素单元、蓝色子像素单元以及白色子像素单元。
在本发明所述的像素结构中,还包括空穴传输层、空穴注入层、电子传输层以及电子注入层,所述像素单元、所述空穴传输层、所述空穴注入层以及所述阳极电极层依次层叠设置;所述阴极电极层、所述电子注入层、所述电子传输层以及所述像素单元依次层叠设置。
在本发明所述的像素结构中,所述红色子像素单元包括依次层叠设置于所述空穴传输层上的黄色发光层以及红色发光层;所述白色子像素单元包括依次层叠设置于所述空穴传输层上的蓝色发光层、黄色发光层、红色发光层;
所述空穴传输层的各区域厚度为预设值,从而使得所述红色子像素单元的发光区位于对应的红色发光层,所述白色子像素单元的发光区位于对应的黄色发光层与蓝色发光层的交界处。
在本发明所述的像素结构中,各个所述子像素单元均采用电致发光材料制成。
在本发明所述的像素结构中,每一所述像素单元中的所述红色子像素单元与所述白色子像素单元共线,每一所述像素单元中的所述蓝色子像素单元与所述白色子像素单元共线。
本发明还提供了一种像素结构的制作方法,包括以下步骤:
在基板上形成阳极电极层;
在所述阳极电极层上形成空穴注入层;
在所述空穴注入层上形成空穴传输层;
在所述空穴传输层上形成多个像素单元,该多个像素单元呈矩形阵列排布,每一所述像素单元包括四个呈矩形阵列排布的子像素单元;任意相邻两个像素单元的相邻的一侧上的相互正对的两个子像素单元的发光颜色相同;
在所述多个像素单元上形成电子注入层;
在所述电子注入层上形成电子传输层;
在所述电子传输层上形成阴极电极层。
在本发明所述的像素结构的制作方法中,每一所述像素单元包括红色子像素单元、绿色子像素单元、蓝色子像素单元以及白色子像素单元。
在本发明所述的像素结构的制作方法中,所述在所述空穴传输层上形成多个像素单元,该多个像素单元呈矩形阵列排布,每一所述像素单元包括四个呈矩形阵列排布的子像素单元的步骤包括:
采用第一金属光罩在空穴传输层上形成绿色发光层;
采用第二金属光罩在空穴传输层上形成位于蓝色子像素区域的蓝色发光层以及位于白色子像素区域的蓝色发光层;
采用第三金属光罩来在空穴传输层上形成位于红色子像素区域的黄色发光层以及在白色子像素区域形成位于蓝色发光层之上的黄色发光层;
采用第三金属光罩形成位于红色子像素区域的黄色发光层之上的红色发光层以及位于白色子像素区域的黄色发光层之上的红色发光层;
所述空穴传输层的各区域厚度为预设值,从而使得所述红色子像素单元的发光区位于对应的红色发光层,所述白色子像素单元的发光区位于对应的黄色发光层与蓝色发光层的交界处。
在本发明所述的像素结构的制作方法中,每一所述像素单元中的所述红色子像素单元与所述白色子像素单元共线,每一所述像素单元中的所述蓝色子像素单元与所述白色子像素单元共线。
相较于现有技术,本发明优选实施例提供的像素结构由于每一像素单元包括四个呈矩形阵列排布的子像素单元;任意相邻两个像素单元的相邻的一侧上的相互正对的两个子像素单元的发光颜色相同,因此,在采用金属光罩来形成该多个像素单元时,可以使得至少四个像素单元的一个子像素单元共用一个光罩开口,达到提高金属光罩制程能力以及提高显示屏的解析度的目的。
为让本发明的上述内容能更明显易懂,下文特举优选实施例,并配合所附图式,作详细说明如下:
附图说明
图1为本发明一优选实施例中的像素结构的结构示意图。
图2为本发明图1所示实施例中的像素结构的子像素单元分布示意图。
图3为本发明一优选实施例中的像素结构的制作方法的流程图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图式,用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语,例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等,仅是参考附加图式的方向。因此,使用的方向用语是用以说明及理解本发明,而非用以限制本发明。
在图中,结构相似的单元是以相同标号表示。
同时参照图1以及图2,本发明优选实施例的像素结构包括:基板11、阳极电极层12、空穴注入层13、空穴传输层14、多个像素单元15、电子传输层16、电子注入层17以及阴极电极层18。
其中,阳极电极层12通过蒸镀工艺形成与基板11上,该空穴注入层13通过蒸镀工艺形成与该阳极电极层12之上,该空穴传输层14通过蒸镀工艺形成与该空穴注入层13之上,该多个像素单元15设置于该空穴传输层14上,该电子传输层16通过蒸镀工艺形成与该像素单元15之上,该电子注入层17通过蒸镀工艺形成于该电子传输层16上,该阴极电极层18通过蒸镀工艺形成于该电子注入层17上。每一像素单元15包括四个呈矩形阵列排布的子像素单元;任意相邻两个像素单元15的相邻的一侧上的相互正对的两个子像素单元的发光颜色相同。
具体地,每一所述像素单元15包括红色子像素单元151、绿色子像素单元152、蓝色子像素单元153以及白色子像素单元154。
其中,红色子像素单元151包括依次层叠设置于空穴传输层14上的黄色发光层Y以及红色发光层R;所述白色子像素单元154包括层叠设置于空穴传输层14上的蓝色发光层B、黄色发光层Y、红色发光层R。绿色子像素单元152包括绿色发光层G,蓝色子像素单元153包括蓝色发光层B。本实施例中,通过控制该空穴传输层14的各区域厚度为预设值,从而使得该红色子像素单元151的发光区位于对应的红色发光层R,从而发出红光;使得白色子像素单元154的发光区位于对应的黄色发光层Y与蓝色发光层B的交界处,从而发出白光。
红色子像素单元151、绿色子像素单元152、蓝色子像素单元153以及白色子像素单元154为电致发光材料制成。使用时,阳极12和阴极18产生的空穴和电子在各个子像素单元中复合成激子,激子的能量转移到发光分子,使发光分子中的电子被激发到激发态,而激发态是一个不稳定的状态,去激过程产生可见光,同时,设置的空穴注入层13及电子注入层17增加了空穴及电子的注入能力,设置的空穴传输层13及电子传输层16增加了空穴及电子的传输能力。
更进一步地,每一像素单元15中的红色子像素单元151与白色子像素单元154共线,每一所述像素单元15中的所述蓝色子像素单元153与所述白色子像素单元154共线。采用该方式可以进一步提高共用一个金属光罩的一个开口的子像素单元的个数。
由上可知,本发明优选实施例提供的像素结构由于每一像素单元15包括四个呈矩形阵列排布的子像素单元;任意相邻两个像素单元的相邻的一侧上的相互正对的两个子像素单元的发光颜色相同,因此,在采用金属光罩来形成该多个像素单元时,可以使得至少四个像素单元的一个子像素单元共用一个光罩开口,达到提高金属光罩制程能力以及提高像素单元的解析度的目的。
进一步地,由于红色子像素单元151包括依次层叠设置于空穴传输层14上的黄色发光层Y以及红色发光层R;所述白色子像素单元154包括层叠设置于空穴传输层14上的蓝色发光层B、黄色发光层Y、红色发光层R,并通过控制该空穴传输层14的各区域厚度为预设值,从而使得该红色子像素单元151的发光区位于对应的红色发光层R,从而发出红光,白色子像素单元154的发光区位于对应的黄色发光层Y与蓝色发光层B的交界处,从而发出白光。因此,在制作过程中,可以采用一道金属光罩即可制作出该红色像素子单元151以及白色像素子单元154,具有减少光罩的有益效果。
图3为本发明一优选实施例中的像素结构的制作方法的流程图,该方法包括以下步骤:
S401,在基板上形成阳极电极层;
S402,在所述阳极电极层上形成空穴注入层;
S403,在所述空穴注入层上形成空穴传输层;
S404,在所述空穴传输层上形成多个像素单元,该多个像素单元呈矩形阵列排布,每一所述像素单元包括四个呈矩形阵列排布的子像素单元;任意相邻两个像素单元的相邻的一侧上的相互正对的两个子像素单元的发光颜色相同;
S405,在所述多个像素单元上形成电子注入层;
S406,在所述电子注入层上形成电子传输层;
S407,在所述电子传输层上形成阴极电极层。
同时参照图1以及图2,下面给该像素结构的制作方法的各个步骤进行详细说明。
在该步骤S401中,阳极电极层12通过蒸镀工艺形成与基板11上。
在该步骤S402中,该空穴注入层13通过蒸镀工艺形成与该阳极电极层12之上。
在该步骤S403中,该空穴传输层14通过蒸镀工艺形成与该空穴注入层13之上。
在该步骤S404中,每一所述像素单元15包括红色子像素单元151、绿色子像素单元152、蓝色子像素单元153以及白色子像素单元154。
其中,红色子像素单元151包括依次层叠设置于空穴传输层14上的黄色发光层Y以及红色发光层R;所述白色子像素单元154包括层叠设置于空穴传输层14上的蓝色发光层B、黄色发光层Y、红色发光层R。绿色子像素单元152包括绿色发光层G,蓝色子像素单元153包括蓝色发光层B。因此,该步骤S404具体包括以下子步骤:
S100,采用第一金属光罩在空穴传输层上形成绿色发光层;
S200,采用第二金属光罩在空穴传输层上形成位于蓝色子像素区域的蓝色发光层以及位于白色子像素区域的蓝色发光层;
S300,采用第三金属光罩来在空穴传输层上形成位于红色子像素区域的黄色发光层以及在白色子像素区域形成位于蓝色发光层之上的黄色发光层;
S400,采用第三金属光罩形成位于红色子像素区域的黄色发光层之上的红色发光层以及位于白色子像素区域的黄色发光层之上的红色发光层;
其中,空穴传输层14的各区域厚度为预设值,从而使得所述红色子像素单元151的发光区位于对应的红色发光层R,所述白色子像素单元154的发光区位于对应的黄色发光层Y与蓝色发光层B的交界处。
在步骤S100中,形成绿色发光层G时,可以采用蒸镀工艺或喷墨打印工艺。
在步骤S200中,形成蓝色发光层B时,可以采用蒸镀工艺或喷墨打印工艺。
在步骤S300中,形成黄色发光层Y时,可以采用蒸镀工艺或喷墨打印工艺。
在步骤S400中,形成红色发光层R时,可以采用蒸镀工艺或喷墨打印工艺。
进一步地,每一所述像素单元15中的所述红色子像素单元151与所述白色子像素单元154共线,每一所述像素单元15中的所述蓝色子像素单元153与所述白色子像素单元154共线。
由上可知,本发明优选实施例提供的像素结构的制作方法由于每一像素单元15包括四个呈矩形阵列排布的子像素单元;任意相邻两个像素单元的相邻的一侧上的相互正对的两个子像素单元的发光颜色相同,因此,在采用金属光罩来形成该多个像素单元时,可以使得至少四个像素单元的一个子像素单元共用一个光罩开口,达到提高金属光罩制程能力以及提高像素单元的解析度的目的。
进一步地,由于红色子像素单元151包括依次层叠设置于空穴传输层14上的黄色发光层Y以及红色发光层R;所述白色子像素单元154包括层叠设置于空穴传输层14上的蓝色发光层B、黄色发光层Y、红色发光层R,并通过控制该空穴传输层14的各区域厚度为预设值,从而使得该红色子像素单元151的发光区位于对应的红色发光层R,从而发出红光,白色子像素单元154的发光区位于对应的黄色发光层Y与蓝色发光层B的交界处,从而发出白光。因此,在制作过程中,可以采用一道金属光罩即可制作出该红色像素子单元151以及白色像素子单元154,具有减少光罩的有益效果。
综上所述,虽然本发明已以优选实施例揭露如上,但上述优选实施例并非用以限制本发明,本领域的普通技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,均可作各种更动与润饰,因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
Claims (5)
1.一种像素结构,其特征在于,包括:
一基板;
阳极电极层,其设置于所述基板上;
多个像素单元,其设置于所述阳极电极层上并呈矩形阵列排布,每一所述像素单元包括四个呈矩形阵列排布的子像素单元;任意相邻两个像素单元的相邻的一侧上的相互正对的两个子像素单元的发光颜色相同,每一所述像素单元包括红色子像素单元、绿色子像素单元、蓝色子像素单元以及白色子像素单元;
阴极电极层,其设置于所述多个像素单元之上;
所述像素结构还包括空穴传输层、空穴注入层、电子传输层以及电子注入层,所述像素单元、所述空穴传输层、所述空穴注入层以及所述阳极电极层依次层叠设置;所述阴极电极层、所述电子注入层、所述电子传输层以及所述像素单元依次层叠设置;
所述红色子像素单元包括依次层叠设置于所述空穴传输层上的黄色发光层以及红色发光层;所述白色子像素单元包括依次层叠设置于所述空穴传输层上的蓝色发光层、黄色发光层、红色发光层;
所述空穴传输层的各区域厚度为预设值,从而使得所述红色子像素单元的发光区位于对应的红色发光层,所述白色子像素单元的发光区位于对应的黄色发光层与蓝色发光层的交界处。
2.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,每一所述像素单元中的所述红色子像素单元与所述白色子像素单元共线,每一所述像素单元中的所述蓝色子像素单元与所述白色子像素单元共线。
3.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,各个所述子像素单元均采用电致发光材料制成。
4.一种像素结构的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
在基板上形成阳极电极层;
在所述阳极电极层上形成空穴注入层;
在所述空穴注入层上形成空穴传输层;
在所述空穴传输层上形成多个像素单元,该多个像素单元呈矩形阵列排布,每一所述像素单元包括四个呈矩形阵列排布的子像素单元;任意相邻两个像素单元的相邻的一侧上的相互正对的两个子像素单元的发光颜色相同,每一所述像素单元包括红色子像素单元、绿色子像素单元、蓝色子像素单元以及白色子像素单元;
在所述多个像素单元上形成电子注入层;
在所述电子注入层上形成电子传输层;
在所述电子传输层上形成阴极电极层;
所述在所述空穴传输层上形成多个像素单元,该多个像素单元呈矩形阵列排布,每一所述像素单元包括四个呈矩形阵列排布的子像素单元的步骤包括:
采用第一金属光罩在空穴传输层上形成绿色发光层;
采用第二金属光罩在空穴传输层上形成位于蓝色子像素区域的蓝色发光层以及位于白色子像素区域的蓝色发光层;
采用第三金属光罩在空穴传输层上形成位于红色子像素区域的黄色发光层以及在白色子像素区域形成位于蓝色发光层之上的黄色发光层;
采用第三金属光罩形成位于红色子像素区域的黄色发光层之上的红色发光层以及位于白色子像素区域的黄色发光层之上的红色发光层;
所述空穴传输层的各区域厚度为预设值,从而使得所述红色子像素单元的发光区位于对应的红色发光层,所述白色子像素单元的发光区位于对应的黄色发光层与蓝色发光层的交界处。
5.根据权利要求4所述的像素结构的制作方法,其特征在于,每一所述像素单元中的所述红色子像素单元与所述白色子像素单元共线,每一所述像素单元中的所述蓝色子像素单元与所述白色子像素单元共线。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610708340.9A CN106229300B (zh) | 2016-08-23 | 2016-08-23 | 像素结构及制作方法 |
PCT/CN2016/098561 WO2018035894A1 (zh) | 2016-08-23 | 2016-09-09 | 像素结构及制作方法 |
US15/313,999 US10177203B2 (en) | 2016-08-23 | 2016-09-09 | Pixel structure and manufacturing method for the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610708340.9A CN106229300B (zh) | 2016-08-23 | 2016-08-23 | 像素结构及制作方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN106229300A CN106229300A (zh) | 2016-12-14 |
CN106229300B true CN106229300B (zh) | 2019-03-22 |
Family
ID=57553546
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201610708340.9A Active CN106229300B (zh) | 2016-08-23 | 2016-08-23 | 像素结构及制作方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10177203B2 (zh) |
CN (1) | CN106229300B (zh) |
WO (1) | WO2018035894A1 (zh) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10367037B2 (en) | 2017-04-28 | 2019-07-30 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Pixel structure of OLED display panel and manufacturing method thereof |
CN106935632B (zh) * | 2017-04-28 | 2019-08-13 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种oled显示面板的像素结构及其制程 |
TWI658583B (zh) * | 2017-06-14 | 2019-05-01 | 友達光電股份有限公司 | 畫素陣列及其製造方法 |
CN107680990B (zh) * | 2017-09-30 | 2020-05-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素排列结构、像素结构、制作方法及显示方法 |
CN108321178B (zh) * | 2018-02-06 | 2021-01-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素结构、掩膜板及显示装置 |
CN116456776B (zh) * | 2023-04-27 | 2024-05-17 | 惠科股份有限公司 | 阵列基板、显示面板及显示装置 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006503418A (ja) * | 2002-10-18 | 2006-01-26 | アイファイア テクノロジー コーポレーション | カラー・エレクトロルミネセンス表示装置 |
US8902153B2 (en) * | 2007-08-03 | 2014-12-02 | E Ink Corporation | Electro-optic displays, and processes for their production |
KR20090112090A (ko) * | 2008-04-23 | 2009-10-28 | 삼성전자주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
US8803417B2 (en) * | 2009-12-01 | 2014-08-12 | Ignis Innovation Inc. | High resolution pixel architecture |
CN102540548A (zh) * | 2010-12-21 | 2012-07-04 | 立景光电股份有限公司 | 显示面板的彩色滤光配置结构 |
CN102625112B (zh) * | 2011-01-28 | 2014-11-05 | 华映科技(集团)股份有限公司 | 一种立体显示装置 |
TWI500144B (zh) * | 2012-12-31 | 2015-09-11 | Lg Display Co Ltd | 有機發光顯示裝置及其製造方法 |
KR102007905B1 (ko) * | 2013-01-03 | 2019-08-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치 |
JP5849981B2 (ja) * | 2013-03-25 | 2016-02-03 | ソニー株式会社 | 表示装置および電子機器 |
CN103824875B (zh) * | 2013-12-10 | 2015-07-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示面板及其制作方法、显示装置 |
CN103792724B (zh) * | 2014-01-29 | 2016-05-11 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 显示基板和显示装置 |
CN103762224B (zh) * | 2014-01-29 | 2017-01-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机电致发光显示面板 |
TWI500008B (zh) | 2014-04-07 | 2015-09-11 | E Ink Holdings Inc | 畫素陣列 |
CN104051672B (zh) * | 2014-07-09 | 2019-01-01 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Oled像素结构 |
CN104916661B (zh) * | 2015-04-21 | 2018-09-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素结构、掩膜板、有机电致发光显示面板及显示装置 |
CN105428390A (zh) * | 2015-12-28 | 2016-03-23 | 昆山国显光电有限公司 | Oled显示结构及其像素结构 |
-
2016
- 2016-08-23 CN CN201610708340.9A patent/CN106229300B/zh active Active
- 2016-09-09 US US15/313,999 patent/US10177203B2/en active Active
- 2016-09-09 WO PCT/CN2016/098561 patent/WO2018035894A1/zh active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2018035894A1 (zh) | 2018-03-01 |
US20180182826A1 (en) | 2018-06-28 |
CN106229300A (zh) | 2016-12-14 |
US10177203B2 (en) | 2019-01-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN106229300B (zh) | 像素结构及制作方法 | |
US11561465B2 (en) | Pixel arrangement structure, organic light emitting device, display device and mask | |
TWI506774B (zh) | 畫素結構及其金屬光罩 | |
WO2015139436A1 (zh) | 一种高解析度有机发光二极管显示器件及制造用掩膜板 | |
US11302750B2 (en) | Pixel structure and OLED display panel | |
CN107146804A (zh) | 有机发光二极管像素结构及有机发光二极管显示装置 | |
TWI663592B (zh) | 像素結構、掩膜板及顯示裝置 | |
CN107293571A (zh) | Oled显示面板的像素排列结构及oled显示面板 | |
CN104037202A (zh) | 一种amoled显示器件及其子像素结构的制备方法 | |
TW201635258A (zh) | 畫素結構 | |
WO2017118003A1 (zh) | Oled像素阵列、制备oled像素阵列的方法、oled显示面板和显示装置 | |
WO2016127560A1 (zh) | 一种有机发光二极管阵列基板及其制作方法、显示装置 | |
CN106469743A (zh) | 像素结构、oled显示面板及其制作方法 | |
CN108074951A (zh) | 一种有机发光面板 | |
CN105244364A (zh) | 一种有机发光器件及像素阵列 | |
CN105161511B (zh) | 一种有机发光显示器件和其制造方法 | |
WO2018161704A1 (zh) | 一种显示器件及其制造方法 | |
CN107359283B (zh) | 阵列基板的制备方法、阵列基板、显示面板及显示装置 | |
CN106298833B (zh) | 像素结构 | |
CN102766844B (zh) | 有机电致发光二极管有机材料蒸镀用掩模装置 | |
CN105789254B (zh) | Amoled像素结构及amoled发光层制作方法 | |
CN108258023A (zh) | 显示背板及其制作方法、显示面板和显示装置 | |
CN107591429A (zh) | 一种像素排列结构及其制备方法 | |
CN103943650A (zh) | 一种有机电致发光显示器件及其掩膜板 | |
WO2016197503A1 (zh) | Oled显示面板及其制作方法、oled显示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |