CN207418851U - 蒸发源装置 - Google Patents
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Abstract
一种蒸发源装置,辅助蒸发源和围绕所述辅助蒸发源设置的主蒸发源,所述主蒸发源和所述辅助蒸发源分别具有至少一条蒸发通道,所述辅助蒸发源的蒸发通道向所述主蒸发源一侧倾斜延伸。本实施例提供的蒸发源装置将辅助蒸发源的蒸发通道设置成向主蒸发源一侧倾斜延伸,使主蒸发源和辅助蒸发源的蒸镀角相互重合的范围增大,改善了蒸镀基板上膜厚的稳定性和均一性,进而提高了蒸镀产品的稳定性;在保证主蒸发源与辅助蒸发源中所蒸镀出的主体材料和掺杂材料掺杂均一性的前提下,因辅助蒸发源的蒸镀速率相比主蒸发源的蒸镀速率低,角度限制板处材料沉积减少,进而减少了蒸发源装置在蒸镀过程发生生产宕机的现象。
Description
技术领域
本实用新型涉及蒸镀设备技术领域,特别是涉及一种蒸发源装置。
背景技术
蒸镀制程在液晶显示器组件、半导体组件及太阳能电池组件制作过程中受到了广泛的应用,为了将制作过程中所使用的蒸镀材料均匀涂布于基板,一般是将基板设置于坩埚的开口上方,在借由加热坩埚使得放置于其内的蒸镀材料蒸发,以均匀地附着在基板上,达到均匀涂布的效果。
相关技术中,蒸镀有机材料的蒸发源大致分为两种,一种是将所有坩埚上的喷嘴都垂直向上设计;一种是两侧的坩埚喷嘴朝中间的坩埚方向倾斜,并在两种设置方式的喷嘴周侧设置高度限制板,而此两种方式均会在蒸镀制程中产生角度限制板处的材料沉积过厚使喷嘴孔堵塞进而使蒸镀器件膜厚均一性和稳定性差以及掺杂性差的问题。
因此,有必要提供一种新的蒸发源装置以解决上述问题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种蒸发源装置,解决现有的蒸发源装置因角度限制板处的材料沉积过厚使喷嘴孔堵塞进而使蒸镀器件膜厚均一性和稳定性差以及掺杂性差的问题。
本实用新型实施例提供一种蒸发源装置,包括:辅助蒸发源和围绕所述辅助蒸发源设置的主蒸发源,所述主蒸发源和所述辅助蒸发源分别具有至少一条蒸发通道,所述辅助蒸发源的蒸发通道向所述主蒸发源一侧倾斜延伸。
本实用新型一实施例中,所述辅助蒸发源的蒸发通道由起始端至伸出端向与其靠近的所述主蒸发源一侧倾斜延伸。
本实用新型一实施例中,所述辅助蒸发源的蒸发通道由起始端至伸出端向与其远离的所述主蒸发源一侧倾斜延伸。
本实用新型一实施例中,所述蒸发通道起始端至伸出端的连线与竖直方向具有第一倾斜角,所述第一倾斜角大于0°且小于等于30°。
本实用新型一实施例中,所述蒸发通道的蒸发通道包括第一蒸发通道和第二蒸发通道。
本实用新型一实施例中,所述主蒸发源的蒸发通道由起始端至伸出端向所述辅助蒸发源一侧延伸。
本实用新型一实施例中,所述主蒸发源的蒸发通道起始端至伸出端的连线与竖直方向具有第二倾斜角,所述第二倾斜角大于等于0°且小于等于45°。
本实用新型一实施例中,所述主蒸发源的蒸发通道包括第三蒸发通道和第四蒸发通道。
本实用新型一实施例中,还包括角度限制板,所述角度限制板支撑调节蒸发通道的倾斜角度。
本实用新型一实施例中,所述蒸发通道构造为蒸镀材料喷嘴。
本实用新型实施例提供的蒸发源装置将辅助蒸发源的蒸发通道设置成向主蒸发源一侧倾斜延伸,使主蒸发源和辅助蒸发源的蒸镀角相互重合的范围增大,改善了蒸镀基板上膜厚的稳定性和均一性,进而提高了蒸镀产品的稳定性;在保证主蒸发源与辅助蒸发源中所蒸镀出的主体材料和掺杂材料掺杂均一性的前提下,因辅助蒸发源的蒸镀速率相比主蒸发源的蒸镀速率低,角度限制板处材料沉积减少,进而减少了蒸发源装置在蒸镀过程发生生产宕机的现象。
附图说明
图1为本实用新型提供的一实施例的蒸发源装置的结构示意图;
图2为图1所示的蒸发通道的倾斜角度示意图;
图3为本实用新型提供的另一实施例的蒸发源装置的结构示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本实用新型为达成预定实用新型目的所采取的技术方式及功效,以下结合附图及实施例,对本实用新型的具体实施方式、结构、特征及其功效,详细说明如后。
请参阅图1,本实用新型提供的一实施例的蒸发源装置的结构示意图。本实施例提供的蒸发源装置100包括主蒸发源10、辅助蒸发源50及角度限制板90,辅助蒸发源50围绕主蒸发源10设置,角度限制板90分别设于辅助蒸发源50和主蒸发源10上。
具体的,主蒸发源10为两个,辅助蒸发源50为一个且设于两个主蒸发源10之间。主蒸发源10装有主体材料,辅助蒸发源50装有掺杂材料,主体材料和掺杂材料分别通过主蒸发源10和辅助蒸发源50蒸发至基板上。
主蒸发源10和辅助蒸发源50分别具有至少一条蒸发通道70、80,具体的,主蒸发源10上具有蒸发通道70,辅助蒸发源50上具有蒸发通道80,辅助蒸发源50的蒸发通道80向主蒸发源10一侧倾斜延伸。在本实施例中,蒸发通道70、80构造为蒸镀材料喷嘴。
辅助蒸发源50上的蒸发通道80包括第一蒸发通道81和第二蒸发通道83,第一蒸发通道81和第二蒸发通道83由起始端至伸出端分别沿相反方向朝主蒸发源10一侧倾斜延伸。在一实施例中,第一蒸发通道81和第二蒸发通道83的起始端至伸出端分别向与其靠近的主蒸发源10一侧倾斜延伸。
第一蒸发通道81和第二蒸发通道83可以为间隔设置,也可以是两者相互连接,即第一蒸发通道81设置在第二蒸发通道83上使第一蒸发通道81成为第二蒸发通道83的一个分支或者是第二蒸发通道83设置在第一蒸发通道81上使第二蒸发通道83成为第一蒸发通道81的一个分支。
辅助蒸发源50的蒸发通道80由起始端至伸出端的连线与竖直方向具有第一倾斜角,也就是说,第一蒸发通道81与辅助蒸发源50、第二蒸发通道83与辅助蒸发源50的竖直方向的夹角相等,且均为第一倾斜角。在一实施例中,第一倾斜角大于0°且小于等于30°,如第一倾斜角可以是1°、29°或30°。具体的,第一倾斜角大于等于15°小于等于25°。请参阅图2,其中,第一倾斜角α为第一蒸发通道81与辅助蒸发源50的法线的夹角,L1为第一蒸发通道81的法线和基板的交点至辅助蒸发源50法线之间的距离,TS为第一蒸发通道81至基板200的距离,从计算公式可以得出:当L1=4.85,TS=12时,α等于22°。此种角度的设置方法使主蒸发源10和辅助蒸发源50的蒸镀角重合范围更大,即材料混合性更好,提高了客体材料与主体材料的掺杂均一性。
第一蒸发通道81和第二蒸发通道83分别为多个,多个第一蒸发通道81和多个第二蒸发通道83设置为间隔的两排,并且第一蒸发通道81和第二蒸发通道83沿辅助蒸发源50的长度方向设置,两者的具体数量可根据实际需求进行设置。
主蒸发源10的蒸发通道70起始端至伸出端向辅助蒸发源50一侧倾斜延伸,即主蒸发源10的蒸发通道70起始端至伸出端的连线与主蒸发源10的竖直方向呈夹角设置,且夹角为第二倾斜角。具体的,第二倾斜角为大于等于0°小于等于45°。如第二倾斜角可以是0°、5°、20°或者45°。
在一实施例中,第二倾斜角与第一倾斜角相等。当然,第二倾斜角也可以不等于第一倾斜角。主蒸发源10的蒸发通道70包括第三蒸发通道和第四蒸发通道,因此,第三蒸发通道与主蒸发源10、第四蒸发通道与主蒸发源10的竖直方向的夹角相等,且均为第二倾斜角。
如图2所示,主蒸发源10的蒸发通道70与主蒸发源10的竖直方向的夹角为第二倾斜角β,L2为主蒸发源10的蒸发通道70的法线和基板200的交点至主蒸发源10竖直方向之间的距离,由公式可以计算得出:当L2=4.85,TS=12时,β等于22°。因此,第二倾斜角β与第一倾斜角α相等,可以使蒸发源装置100在蒸镀时,进一步的增大蒸镀角的重合范围,来提高主体材料和掺杂材料的掺杂比,进而提高膜厚均一性。
因此,第一蒸发通道81和第二蒸发通道83的起始端至伸出端分别向主蒸发源10的一侧倾斜延伸,且第一蒸发通道81和第二蒸发通道83的倾斜角度相反,同时,主蒸发源10的蒸发通道70的起始端至伸出端向辅助蒸发源50一侧倾斜延伸的设置方式,使辅助蒸发源50所形成的蒸镀角朝向主蒸发源10的蒸镀角方向偏移,从而使主蒸发源10和辅助蒸发源50的蒸镀角相互重合的范围更大,改善了蒸镀基板上膜厚的稳定性和均一性,进而提高了蒸镀产品的稳定性;在保证主蒸发源10与辅助蒸发源50中所蒸镀出的主体材料和掺杂材料掺杂均一性的前提下,由于辅助蒸发源50的蒸镀速率相比主蒸发源10的蒸镀速率低,角度限制板90处材料沉积减少,进而减少了蒸发源装置100在蒸镀过程发生生产宕机的现象。
当然,第一蒸发通道81和第二蒸发通道83还可以是由起始端至伸出端分别向与其相远离的一侧的主蒸发源10倾斜延伸,即第一蒸发通道81和第二蒸发通道83交叉倾斜设置,同样可以提高材料蒸镀时掺杂均一性,以及解决角度限制处材料沉积过多的问题,但此种方式中两种材料的混合性差,改善的掺杂均一性效果较差,故没有将第一蒸发通道81和第二蒸发通道83分别设置成起始端至伸出端朝与其相邻一侧的主蒸发源10的方向延伸的效果好。
请参阅图3,为本实用新型提供的另一实施例的蒸发源装置的结构示意图。当第一蒸发通道81和第二蒸发通道83由起始端至伸出端分别朝与其相邻一侧的主蒸发源10的方向延伸时,主蒸发源10的蒸发通道70还可以是沿主蒸发源10的竖直方向设置的方式,即主蒸发源10的蒸发通道70与主蒸发源10垂直设置,也就是说第二倾角等于0°,这样能有效降低角度限制板90处材料沉积的问题,改善主体材料和掺杂材料的掺杂均一性,进一步提高产品的稳定性。
角度限制板90分别设于主蒸发源10和辅助蒸发源50上,并且是两块角度限制板90分别对称设于主蒸发源10的蒸发通道70、第一蒸发通道81以及第二蒸发通道83的周侧,角度限制板90用于支撑调节蒸发通道70、80的倾斜角度,以调整蒸发源装置100的蒸镀区域,通过调整角度限制板90伸出主蒸发源10的蒸发通道70、第一蒸发通道81以及第二蒸发通道83的安装面的长度,来控制蒸镀区域的覆盖大小,进而实现蒸镀膜厚的均一性和稳定性。
上述实施例提供的蒸发源装置通过将辅助蒸发源的蒸发通道设置成向主蒸发源一侧倾斜延伸,使主蒸发源和辅助蒸发源的蒸镀角相互重合的范围增大,改善了蒸镀基板上膜厚的稳定性和均一性,进而提高了蒸镀产品的稳定性;在保证主蒸发源与辅助蒸发源中所蒸镀出的主体材料和掺杂材料掺杂均一性的前提下,因辅助蒸发源的蒸镀速率相比主蒸发源的蒸镀速率低,角度限制板处材料沉积减少,进而减少了蒸发源装置在蒸镀过程发生生产宕机的现象。
当然,第一蒸发通道81与辅助蒸发源50的竖直方向的夹角也可以不等于第二蒸发通道83与辅助蒸发源50的竖直方向的夹角。
当然,第三蒸发通道与主蒸发源10的竖直方向的夹角也可以不等于第四蒸发通道与主蒸发源10的竖直方向的夹角。
以上,仅是本实用新型的较佳实施例而已,并非对本实用新型作任何形式上的限制,虽然本实用新型已以较佳实施例揭露如上,然而并非用以限定本实用新型,任何熟悉本专业的技术人员,在不脱离本实用新型技术方案范围内,当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例,但凡是未脱离本实用新型技术方案内容,依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰,均仍属于本实用新型技术方案的范围内。
Claims (10)
1.一种蒸发源装置(100),其特征在于,包括:
辅助蒸发源(50)和围绕所述辅助蒸发源(50)设置的主蒸发源(10),所述主蒸发源(10)和所述辅助蒸发源(50)分别具有至少一条蒸发通道(70,80),所述辅助蒸发源(50)的蒸发通道(80)向所述主蒸发源(10)一侧倾斜延伸。
2.根据权利要求1所述的蒸发源装置,其特征在于,所述辅助蒸发源(50)的蒸发通道(80)由起始端至伸出端向与其靠近的所述主蒸发源(10)一侧倾斜延伸。
3.根据权利要求1所述的蒸发源装置,其特征在于,所述辅助蒸发源(50)的蒸发通道(80)由起始端至伸出端向与其远离的所述主蒸发源(10)一侧倾斜延伸。
4.根据权利要求2或3所述的蒸发源装置,其特征在于,所述辅助蒸发源(50)的蒸发通道(80)起始端至伸出端的连线与竖直方向具有第一倾斜角,所述第一倾斜角大于0°且小于等于30°。
5.如权利要求1所述的蒸发源装置,其特征在于,所述辅助蒸发源(50)的蒸发通道(80)包括第一蒸发通道(81)和第二蒸发通道(83)。
6.如权利要求1所述的蒸发源装置,其特征在于,所述主蒸发源(10)的蒸发通道(70)由起始端至伸出端向所述辅助蒸发源(50)一侧延伸。
7.如权利要求6所述的蒸发源装置,其特征在于,所述主蒸发源(10)的蒸发通道(70)起始端至伸出端的连线与竖直方向具有第二倾斜角,所述第二倾斜角大于等于0°且小于等于45°。
8.根据权利要求6或7所述的蒸发源装置,其特征在于,所述主蒸发源(10)的蒸发通道(70)包括第三蒸发通道和第四蒸发通道。
9.如权利要求1所述的蒸发源装置,其特征在于,还包括角度限制板(90),所述角度限制板(90)支撑调节蒸发通道(70,80)的倾斜角度。
10.根据权利要求1所述的蒸发源装置,其特征在于,所述蒸发通道(70,80)构造为蒸镀材料喷嘴。
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