CN105734495A - 真空蒸镀装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供真空蒸镀装置，当然使成膜图案的平坦部的比例变大并且能够抑制图案模糊，还能够获得膜厚分布均匀的蒸镀膜。在蒸发源(1)上沿着蒸发源(1)的长度方向设置有多个蒸发口部(2)，蒸发源(1)和配设于与蒸发源(1)对置的位置的基板(3)在与蒸发源(1)的长度方向垂直的方向上相对地移动，从蒸发口部(2)射出成膜材料，由此在基板(3)上形成蒸镀膜，其中，多个蒸发口部(2)中的设置于外侧的至少一对外侧蒸发口部(2)分别具有以朝向蒸发源(1)的长度方向外侧的方式倾斜的开口端面，位于外侧蒸发口部(2)的内侧的内侧蒸发口部(2)中的至少一个具有以朝向蒸发源(1)的长度方向中央侧的方式倾斜的开口端面。

Description

真空蒸镀装置
技术领域
本发明涉及真空蒸镀装置。
背景技术
在配设于与容纳有成膜材料的蒸发源对置的位置的基板上形成蒸镀膜的真空蒸镀装置中，在成膜材料到达基板的角度(向基板入射的入射角)较小的情况下，有时成膜图案的平坦部的比例变小，或者在蒸镀用掩模和基板之间的间隙浸透成膜材料而产生所谓的图案模糊，为了形成期望的成膜图案，需要使掩模开口部成为不必要的大小，无法实现成膜图案的高清晰化。
因此，例如如专利文献1所公开的那样，提出通过使在蒸发源的长度方向上并列设置的多个喷射喷嘴的开口端面朝向蒸发源的外侧方向，而使喷射喷嘴的排列范围(喷嘴范围)变窄来使向基板入射的入射角变大的技术。
具体地说，如图1所图示那样，使用基板23和喷射喷嘴22之间的距离TS、喷嘴范围N1以及蒸镀区域宽度D1，从蒸发源21的喷射喷嘴22射出的成膜材料向基板23入射的入射角θ能以下式(1)
tanθ＝(2TS/N1)－D1(1)
表示，因而，通过使喷嘴范围N1变窄而能够使入射角θ变大。
即，如在图2中所图示那样，成膜图案的端部的倾斜部的宽度能够通过“掩模厚度×tan(90°－入射角)”求出，因而，通过使入射角从θ21变大到θ22，而能够使倾斜部的宽度变小，使成膜图案的平坦部的比例变大。另外，如在图3中所图示那样，成膜材料的浸透宽度能够通过“基板与掩模之间的间隙×tan(90°－入射角)”求出，因而，通过使入射角从θ21变大到θ22，而能够使浸透宽度变小，使图案模糊的范围变小。图2、3中，标号24是掩模。
另外，根据制造方法，掩模的开口部剖面形状有不像图2、3所图示那样与基板垂直的情况。在该形状的情况下，虽然是与上述计算公式不同的情况，但不变的是，通过使入射角θ变大能够使成膜图案平坦部的比例变大，同样也能够使图案模糊的范围变小。
但是，在使用上述以往的技术使喷嘴范围变窄的情况下，存在基板中央部分的膜厚分布不均匀的问题点。
例如，如图4所图示那样，在使所有的喷射喷嘴22的开口端面朝向蒸发源21的外侧方向的情况下，成为基板中央部分凹进去的膜厚分布X。另外，如图6所图示那样，在使中央部的几个喷射喷嘴22的开口端面与基板表面平行的情况下，成为中央部分凸出的膜厚分布Y。
在此，在图4、6中，如图5的(b)、7的(b)所图示那样，通过拓宽喷嘴范围来调整喷射喷嘴22的倾斜角度或配置等从而能够使膜厚分布均匀化，但在这种情况下，因为喷嘴范围扩展所以入射角增大效果降低，成膜图案的平坦部的比例变小且难以抑制图案模糊。
专利文献1：日本特开2014－77193号公报
发明内容
本发明就是鉴于上述的现状而完成的，提供真空蒸镀装置，该真空蒸镀装置即使使喷嘴范围变窄当然也能够使基板中央部分的膜厚分布均匀化，能够使成膜图案的平坦部的比例变大并且抑制图案模糊，还能够获得膜厚分布均匀的蒸镀膜。
参照附图说明本发明的主旨。
涉及一种真空蒸镀装置，该真空蒸镀装置构成为：在容纳有成膜材料的蒸发源1上沿该蒸发源1的长度方向设置有多个蒸发口部2，所述蒸发源1和配设于与所述蒸发源1对置的位置的基板3在与所述蒸发源1的长度方向垂直的方向上相对地移动，从所述蒸发口部2射出所述成膜材料，由此在基板3上形成蒸镀膜，其特征在于，所述多个蒸发口部2中的设置于外侧的至少一对外侧蒸发口部2构成为分别具有以朝向所述蒸发源1的长度方向外侧的方式倾斜的开口端面，位于所述外侧蒸发口部2的内侧的内侧蒸发口部2中的至少一个构成为具有以朝向所述蒸发源1的长度方向中央侧的方式倾斜的开口端面。
另外，涉及一种真空蒸镀装置，该真空蒸镀装置构成为，在维持减压气氛的真空槽中设置有容纳成膜材料的蒸发源1，沿该蒸发源1的长度方向设置有多个蒸发口部2，所述蒸发源1和配设于与所述蒸发源1对置的位置的基板3在与所述蒸发源1的长度方向垂直的方向上相对地移动，且从所述蒸发口部2射出所述成膜材料，由此在基板3上形成蒸镀膜，其特征在于，设置于所述多个蒸发口部2的外侧两端的最外端的外侧蒸发口部2构成为分别具有以朝向所述蒸发源1的长度方向外侧的方式倾斜的开口端面，所述最外端的外侧蒸发口部2以外的所述蒸发口部2中的至少一个构成为具有以朝向所述蒸发源1的长度方向中央侧的方式倾斜的开口端面。
另外，涉及一种真空蒸镀装置，该真空蒸镀装置构成为：在维持减压气氛的真空槽中设置有容纳成膜材料的蒸发源1，沿该蒸发源1的长度方向设置有多个蒸发口部2，所述蒸发源1和配设于与所述蒸发源1对置的位置的基板3在与所述蒸发源1的长度方向垂直的方向上相对地移动，且从所述蒸发口部2射出所述成膜材料，由此在基板3上形成蒸镀膜，其特征在于，设置于所述多个蒸发口部2的外侧两端的最外端的外侧蒸发口部2构成为分别具有以朝向所述蒸发源1的长度方向外侧的方式倾斜的开口端面，所述最外端的外侧蒸发口部2以外的所述蒸发口部2中的至少一对蒸发口部2构成为具有以彼此面对的方式分别朝向所述蒸发源1的长度方向中央侧倾斜的开口端面。
另外，根据权利要求1～3中任1项所述的真空蒸镀装置，其特征在于，所述蒸发口部2的排列范围被设定成比所述基板3的在所述蒸发源1的长度方向上的蒸镀区域宽度窄的宽度。
另外，根据权利要求1～3中任1项所述的真空蒸镀装置，其特征在于，所述蒸发口部2中的最外端的外侧蒸发口部2的开口直径被设定成比该最外端的外侧蒸发口部2靠内侧的蒸发口部2的开口直径以上的直径。
另外，根据权利要求5所述的真空蒸镀装置，其特征在于，所述蒸发口部2的开口直径被设定成朝向所述蒸发源1的长度方向外侧而逐渐变大。
另外，根据权利要求1～3中任1项所述的真空蒸镀装置，其特征在于，所述蒸发口部2中的最外端的外侧蒸发口部2的开口端面的倾斜角度被设定成比该最外端的外侧蒸发口部2靠内侧的蒸发口部2的开口端面的倾斜角度以上的角度。
另外，根据权利要求7所述的真空蒸镀装置，其特征在于，以朝向所述蒸发源1的长度方向外侧的方式倾斜的所述蒸发口部2的开口端面的倾斜角度被设定成朝向所述蒸发源1的长度方向外侧而逐渐变大。
另外，根据权利要求1～3中的任1项所述的真空蒸镀装置，其特征在于，从开口端面以朝向所述蒸发源1的长度方向外侧的方式倾斜的所述蒸发口部2射出的所述成膜材料向所述基板3入射的入射角被设定成40°以上且60°以下。
另外，根据权利要求1～3中的任1项所述的真空蒸镀装置，其特征在于，以朝向所述蒸发源1的长度方向外侧的方式倾斜的所述蒸发口部2的开口端面的倾斜角度被设定成20°以上且45°以下。
另外，根据权利要求1～3中的任1项所述的真空蒸镀装置，其特征在于，以朝向所述蒸发源1的长度方向中央侧的方式倾斜的所述蒸发口部2的开口端面的倾斜角度被设定成5°以上且20°以下。
另外，根据权利要求1～3中的任1项所述的真空蒸镀装置，其特征在于，设置有容纳不同的成膜材料的多个蒸发源1，设置于所述多个蒸发源1中的至少一个蒸发源1上的多个蒸发口部2的开口端面向所述蒸发源1和所述基板3的相对移动方向倾斜。
另外，根据权利要求1～3中的任1项所述的真空蒸镀装置，其特征在于，所述蒸发口部2的供存在于蒸发源1内的成膜材料入射的蒸发源内端面P相对于基板3的表面倾斜。
另外，根据权利要求1～3中的任1项所述的真空蒸镀装置，其特征在于，所述蒸发口部2的内部的供成膜材料穿过的区域O是圆筒状的直管。
另外，根据权利要求1～3中的任1项所述的真空蒸镀装置，其特征在于，具有以朝向所述蒸发源1的长度方向外侧的方式倾斜的开口端面的外侧蒸发口部2的供成膜材料穿过的区域O朝向蒸发源1的长度方向外侧，具有以朝向所述蒸发源1的长度方向中央侧的方式倾斜的开口端面的内侧蒸发口部2的供成膜材料穿过的区域O朝向蒸发源1的长度方向中央侧。
发明效果
本发明如上述那样构成，所以成为如下的真空蒸镀装置：当然能够使成膜图案的平坦部的比例变大并且抑制图案模糊，还能够获得膜厚分布均匀的蒸镀膜。
附图说明
图1是入射角的概略说明图。
图2是说明使入射角增大的情况下的效果的概略说明图。
图3是说明使入射角增大的情况下的效果的概略说明图。
图4是以往技术的膜厚分布的概略说明图。
图5的(a)和(b)是以往技术的概略说明图。
图6是以往技术的膜厚分布的概略说明图。
图7的(a)和(b)是以往技术的概略说明图。
图8是本实施例的概略说明侧视图。
图9是示出蒸发源的一例的概略说明侧视图。
图10是示出蒸发源的一例的概略说明侧视图。
图11是示出蒸发源的一例的概略说明侧视图。
图12是示出蒸发源的一例的概略说明侧视图。
图13是示出蒸发源的一例的概略说明侧视图。
图14是示出蒸发源的一例的概略说明侧视图。
图15是示出蒸发源的一例的概略说明侧视图。
图16的(a)和(b)是本实施例的概略说明侧视图。
图17是本实施例的膜厚分布的概略说明图。
图18是其它例1的概略说明主视图。
图19是其它例2的概略说明主视图。
图20是其它例3的概略说明主视图。
图21是本实施例的外侧蒸发口部的放大概略说明侧视图。
图22是本实施例的内侧蒸发口部的放大概略说明侧视图。
符号说明
1：蒸发源；
2：蒸发口部；
3：基板；
P：蒸发源内端面。
具体实施方式
根据附图示出本发明的作用而简单地说明认为优选的本发明的实施方式。
一边使基板3和蒸发源1在与蒸发源1的长度方向垂直的方向上相对地移动，一边使从蒸发源1的蒸发口部2射出的成膜材料镀敷到基板3上而形成蒸镀膜。
此时，即使利用朝向蒸发源1的长度方向外侧的外侧蒸发口部2将蒸发口部2的配设范围(喷嘴范围)设定成较窄，也能够良好地镀敷到基板3的整个蒸镀区域上，另外，通过设定朝向蒸发源1的长度方向中央侧的内侧蒸发口部2的位置和开口端面的倾斜角度等来修正由内侧蒸发口部2以外的蒸发口部2所形成的基板中央部分的膜厚分布，能够成为更均匀的膜厚分布。
即，根据本发明，即使不拓宽蒸发口部2的配设间隔，也能够利用朝向蒸发源1的长度方向中央侧的内侧蒸发口部2使膜厚分布均匀化，且能够兼顾入射角的增大和膜厚分布的均匀化。
实施例
根据附图说明本发明的具体的实施例。
本实施例在以如下方式构成的真空蒸镀装置中应用本发明：在维持减压气氛的真空槽中设置有容纳有成膜材料的蒸发源1，沿该蒸发源1的长度方向设置有多个蒸发口部2，使所述蒸发源1和配设于与所述蒸发源1对置的位置的基板3在与所述蒸发源1的长度方向垂直的方向上相对地移动，通过从所述蒸发口部2射出所述成膜材料，而在基板3上形成蒸镀膜。
具体地说，在本实施例中，设置于所述多个蒸发口部2的外侧两端的最外端的外侧蒸发口部2构成为分别具有以朝向所述蒸发源1的长度方向外侧的方式倾斜的开口端面，所述最外端的外侧蒸发口部2以外的所述蒸发口部2中的至少一对蒸发口部2构成为具有以彼此面对的方式分别朝向所述蒸发源1的长度方向中央侧倾斜的开口端面。
如图8中所图示那样，本实施例的蒸发源1构成为使坩埚4和扩散室5设置成连接设置状态，成膜材料构成为被容纳于与扩散室5的中央位置连接设置的坩埚4。此外，例如也可以如图9中所图示那样，构成为不设置坩埚而直接将成膜材料容纳于扩散室5。
另外，本实施例的蒸发源1是所谓线性蒸发源1，成为以长度方向中央位置为边界左右对称地设置一列具有圆形的开口部的筒状的蒸发口部2(喷射喷嘴)的结构。另外，本实施例构成为，使蒸发源1一边相对于基板3移动一边进行镀敷，该基板3在蒸发源1的长度方向中央位置和基板3的与相对移动方向垂直的宽度方向的中央位置一致的状态下被固定。
具体地说，如在图8中所图示那样，将位于蒸发源1的长度方向中央部的相邻的一对蒸发口部2设定成具有以朝向蒸发源1的长度方向中央侧的方式倾斜的开口端面的内侧蒸发口部2a。此外，内侧蒸发口部2a构成为至少设置一个即可，例如也可以如图10中所图示那样构成为设置两对以上。另外，以蒸发源1的长度方向中央位置为边界左右对称地设置蒸发口部2能够使膜厚分布均匀，因此内侧蒸发口部2a优选设置偶数个。
另外，将所述内侧蒸发口部2a以外的其它所有的蒸发口部2合计六个设定成具有以朝向蒸发源1的长度方向外侧的方式倾斜的开口端面的外侧蒸发口部2b。此外，外侧蒸发口部2b只要至少最外端的蒸发口部2的开口端面构成为分别朝向蒸发源1的长度方向外侧即可，例如也可以如图11所图示那样构成为，将内侧蒸发口部2a和外侧蒸发口部2b之间的蒸发口部2设定成具有与基板3的表面平行的开口端面的中间蒸发口部2c。另外，外侧蒸发口部2b也与内侧蒸发口部2a同样优选在左右对称位置设置偶数个。
另外，在将坩埚4设置于扩散室5的中央以外的位置的情况下，也可以构成为将蒸发口部2以蒸发源1的长度方向中央为边界而左右非对称地设置。
从以朝向蒸发源1的长度方向外侧的方式倾斜的外侧蒸发口部2b射出的成膜材料向基板3入射的入射角分别设定为40°以上且60°以下。在本实施例中设定为60°。
具体地说，如在图21中所图示那样，通过将以朝向蒸发源1的长度方向外侧的方式倾斜的外侧蒸发口部2b的开口端面相对于基板3表面的倾斜角度分别设定为20°以上且45°以下，则入射角成为40°以上且60°以下。在本实施例中，各外侧蒸发口部2b的设定为30°，入射角为60°。
另外，如在图22中所图示那样，以朝向蒸发源1的长度方向中央侧的方式倾斜的内侧蒸发口部2a的开口端面相对于基板3表面的倾斜角度能够与其它的蒸发口部2的膜厚分布对应地适当设定，优选分别设定为5°以上且20°以下。在本实施例中，各内侧蒸发口部2a的设定为15°。
另外，如在图21、22中所图示那样，通过使蒸发口部2a、2b的供存在于蒸发源1内的成膜材料入射的蒸发源内端面P相对于基板3表面倾斜，从而蒸发的成膜材料的倾斜成分容易向蒸发口部2内入射，使开口端面Q倾斜而使向倾斜方向射出的蒸发粒子增加，因此能够更加良好地发挥使开口端面Q倾斜的效果。
另外，蒸发口部2中的最外端的外侧蒸发口部2b的开口直径设定成比该最外端的外侧蒸发口2b靠内侧的蒸发口部2的开口直径以上的直径。在本实施例中，与内侧的蒸发口部2相同直径，使各外侧蒸发口部2b的开口直径成为相同直径。
此外，如在图12中所图示那样，蒸发口部2的开口直径也可以设定成朝向蒸发源1的长度方向外侧而逐渐变大。在这种情况下，能够将蒸发口部2的配设范围设定成更窄。
另外，蒸发口部2中的最外端的外侧蒸发口部2b的开口端面的倾斜角度设定成比该最外端的外侧蒸发口部2b靠内侧的蒸发口部2的开口端面的倾斜角度以上的角度。
此外，也可以如图13中所图示的那样，以朝向蒸发源1的长度方向外侧的方式倾斜的各外侧蒸发口部2b的开口端面的倾斜角度设定成朝向蒸发源1的长度方向外侧而逐渐变大。在这种情况下，能够将蒸发口部2的配设范围设定成更窄。
另外，在本实施例中，使蒸发口部2的内部的供成膜材料穿过的区域O成为圆筒状的直管，外侧蒸发口部2b的供成膜材料穿过的区域O朝向蒸发源1的长度方向外侧，内侧蒸发口部2a的供成膜材料穿过的区域O朝向蒸发源1的长度方向中央侧。由此，在通过成膜材料穿过的区域O而到达开口端面的蒸发粒子中，拥有朝向倾斜方向的速度分量的蒸发粒子的比例增加，因此使开口端面倾斜而向倾斜方向射出的蒸发粒子增加。另外，不使蒸发口部2的供成膜材料穿过的区域O倾斜而通过将开口端形成为倾斜地缺去的形状，也可以构成为使开口端面倾斜。
另外，在本实施例中，蒸发口部2构成为在蒸发源1上沿其长度方向设置一列，也可以例如在图14中所图示那样，构成为在一个蒸发源1上设置二列以上的蒸发口部2。另外，也可以如在图15中所图示那样，构成为仅将从蒸发源1的长度方向两端部起规定范围的外侧蒸发口部2b设置两列以上。
另外，在本实施例中，蒸发口部2的排列范围(喷嘴范围)N1设定成比蒸镀区域宽度D1窄的宽度，该蒸镀区域宽度D1是基板3的在蒸发源1的长度方向上形成蒸镀膜的范围(参照图16的(a))。如上述式(1)所示那样，通过使蒸发口部2的排列范围N1变小，使蒸镀区域宽度D1变小，由此能够使入射角变大。
另外，如在图16的(b)中所图示那样，为了使规定入射角θ的基板3和最外端的外侧蒸发口部2b之间的距离TS变小，也可以将最外端的外侧蒸发口部2b的长度设定成较短。在这种情况下，与TS变大相应地，该最外端的外侧蒸发口部2b的蒸镀速率降低，因此通过使越靠端部侧的外侧蒸发口部2b使开口直径越大来应对。
通过如以上那样构成，如在图17中所图示那样，通过本实施例的蒸发源1形成的膜厚分布Z在基板3的蒸镀区域中成为大致均匀，能够使入射角变大并且使膜厚分布均匀化。
另外，在本实施例中，蒸发口部2构成为仅向蒸发源1的长度方向倾斜，但也可以例如在图18～20中所图示的其它例1～3那样，设置有多个容纳不同的成膜材料的蒸发源1，设置于所述多个蒸发源1中的至少一个蒸发源1上的多个蒸发口部2的开口端面构成为也向所述蒸发源1与所述基板3的相对移动方向倾斜。
例如，如在图18中所图示那样，在所述相对移动方向上并列设置主体材料蒸发源1a和掺杂材料蒸发源1b，主体材料蒸发源1a和掺杂材料蒸发源1b各自的蒸发口部2分别以彼此相对的方式使各蒸发口部2的开口端面向所述相对移动方向倾斜，而能够使共蒸镀膜的主体/掺杂混合比变得良好。
另外，也可以构成为如下的结构：如在图19中所图示那样，使一个蒸发源1b的各蒸发口部2的开口端面朝向另一个蒸发源1a倾斜，使另一个蒸发源1a的各蒸发口部2的开口端面与基板3平行，或者如在图20中所图示那样，使中央的蒸发源1a的各蒸发口部2的开口端面与基板3平行，使其它的2个蒸发源1b的各蒸发口部2朝向中央的蒸发源1a倾斜。
此外，本发明不限于本实施例，也能够适当设计各构成要件的具体的结构。

Claims (15)

1.一种真空蒸镀装置，该真空蒸镀装置构成为，在容纳有成膜材料的蒸发源上沿该蒸发源的长度方向设置有多个蒸发口部，所述蒸发源和配设于与所述蒸发源对置的位置的基板在与所述蒸发源的长度方向垂直的方向上相对地移动，从所述蒸发口部射出所述成膜材料，由此在基板上形成蒸镀膜，其特征在于，
所述多个蒸发口部中的设置于外侧的至少一对外侧蒸发口部构成为分别具有以朝向所述蒸发源的长度方向外侧的方式倾斜的开口端面，位于所述外侧蒸发口部的内侧的内侧蒸发口部中的至少一个构成为具有以朝向所述蒸发源的长度方向中央侧的方式倾斜的开口端面。
2.一种真空蒸镀装置，该真空蒸镀装置构成为，在维持减压气氛的真空槽中设置有容纳成膜材料的蒸发源，沿该蒸发源的长度方向设置有多个蒸发口部，所述蒸发源和配设于与所述蒸发源对置的位置的基板在与所述蒸发源的长度方向垂直的方向上相对地移动，从所述蒸发口部射出所述成膜材料，由此在基板上形成蒸镀膜，其特征在于，
设置于所述多个蒸发口部的外侧两端的最外端的外侧蒸发口部构成为分别具有以朝向所述蒸发源的长度方向外侧的方式倾斜的开口端面，所述最外端的外侧蒸发口部以外的所述蒸发口部中的至少一个构成为具有以朝向所述蒸发源的长度方向中央侧的方式倾斜的开口端面。
3.一种真空蒸镀装置，该真空蒸镀装置构成为：在维持减压气氛的真空槽中设置有容纳成膜材料的蒸发源，沿该蒸发源的长度方向设置有多个蒸发口部，所述蒸发源和配设于与所述蒸发源对置的位置的基板在与所述蒸发源的长度方向垂直的方向上相对地移动，从所述蒸发口部射出所述成膜材料，由此在基板上形成蒸镀膜，其特征在于，
设置于所述多个蒸发口部的外侧两端的最外端的外侧蒸发口部构成为分别具有以朝向所述蒸发源的长度方向外侧的方式倾斜的开口端面，所述最外端的外侧蒸发口部以外的所述蒸发口部中的至少一对蒸发口部构成为具有以彼此面对的方式分别朝向所述蒸发源的长度方向中央侧倾斜的开口端面。
4.根据权利要求1～3中的任1项所述的真空蒸镀装置，其特征在于，
所述蒸发口部的排列范围被设定成比所述基板的在所述蒸发源的长度方向上的蒸镀区域宽度窄的宽度。
5.根据权利要求1～3中任1项所述的真空蒸镀装置，其特征在于，
所述蒸发口部中的最外端的外侧蒸发口部的开口直径被设定成比该最外端的外侧蒸发口部靠内侧的蒸发口部的开口直径以上的直径。
6.根据权利要求5所述的真空蒸镀装置，其特征在于，
所述蒸发口部的开口直径被设定成朝向所述蒸发源的长度方向外侧而逐渐变大。
7.根据权利要求1～3中的任1项所述的真空蒸镀装置，其特征在于，
所述蒸发口部中的最外端的外侧蒸发口部的开口端面的倾斜角度被设定成比该最外端的外侧蒸发口部靠内侧的蒸发口部的开口端面的倾斜角度以上的角度。
8.根据权利要求7所述的真空蒸镀装置，其特征在于，
以朝向所述蒸发源的长度方向外侧的方式倾斜的所述蒸发口部的开口端面的倾斜角度被设定成朝向所述蒸发源的长度方向外侧而逐渐变大。
9.根据权利要求1～3中的任1项所述的真空蒸镀装置，其特征在于，
从开口端面以朝向所述蒸发源的长度方向外侧的方式倾斜的所述蒸发口部射出的所述成膜材料向所述基板入射的入射角被设定成40°以上且60°以下。
10.根据权利要求1～3中的任1项所述的真空蒸镀装置，其特征在于，
以朝向所述蒸发源的长度方向外侧的方式倾斜的所述蒸发口部的开口端面的倾斜角度被设定成20°以上且45°以下。
11.根据权利要求1～3中的任1项所述的真空蒸镀装置，其特征在于，
以朝向所述蒸发源的长度方向中央侧的方式倾斜的所述蒸发口部的开口端面的倾斜角度被设定成5°以上且20°以下。
12.根据权利要求1～3中的任1项所述的真空蒸镀装置，其特征在于，
所述真空蒸镀装置设置有容纳不同的成膜材料的多个蒸发源，设置于所述多个蒸发源中的至少一个蒸发源上的多个蒸发口部的开口端面向所述蒸发源和所述基板的相对移动方向倾斜。
13.根据权利要求1～3中的任1项所述的真空蒸镀装置，其特征在于，
所述蒸发口部的供存在于蒸发源内的成膜材料入射的蒸发源内端面相对于基板的表面倾斜。
14.根据权利要求1～3中的任1项所述的真空蒸镀装置，其特征在于，
所述蒸发口部的内部的供成膜材料穿过的区域是圆筒状的直管。
15.根据权利要求1～3中的任1项所述的真空蒸镀装置，其特征在于，
具有以朝向所述蒸发源的长度方向外侧的方式倾斜的开口端面的外侧蒸发口部的供成膜材料穿过的区域朝向蒸发源的长度方向外侧，具有以朝向所述蒸发源的长度方向中央侧的方式倾斜的开口端面的内侧蒸发口部的供成膜材料穿过的区域朝向蒸发源的长度方向中央侧。
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Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109328244A (zh) * 2016-08-02 2019-02-12 株式会社爱发科 真空蒸镀装置
CN109666898A (zh) * 2019-01-03 2019-04-23 福建华佳彩有限公司 一种用于点蒸发源的坩埚
CN110791731A (zh) * 2019-11-20 2020-02-14 信利(仁寿)高端显示科技有限公司 一种蒸发源组件
CN111148860A (zh) * 2017-09-28 2020-05-12 夏普株式会社 蒸镀粒子射出装置及蒸镀装置、以及蒸镀膜制造方法
CN111206203A (zh) * 2018-11-02 2020-05-29 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 沉积腔室、镀膜设备及镀膜方法
CN111206207A (zh) * 2018-11-02 2020-05-29 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 沉积腔室、镀膜设备及镀膜方法
CN111206219A (zh) * 2018-11-02 2020-05-29 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 沉积腔室、镀膜设备及镀膜方法
CN111206221A (zh) * 2018-11-02 2020-05-29 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 一种镀膜设备及镀膜方法
CN111206220A (zh) * 2018-11-02 2020-05-29 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 一种镀膜设备及镀膜方法
CN111206205A (zh) * 2018-11-02 2020-05-29 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 沉积腔室、镀膜设备及镀膜方法
CN111206224A (zh) * 2018-11-02 2020-05-29 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 沉积腔室、镀膜设备及镀膜方法
CN113039306A (zh) * 2019-04-19 2021-06-25 株式会社爱发科 蒸镀源以及蒸镀装置

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI580807B (zh) * 2016-10-28 2017-05-01 財團法人工業技術研究院 蒸鍍設備與利用此設備之蒸鍍方法
US20200087777A1 (en) * 2017-09-28 2020-03-19 Sharp Kabushiki Kaisha Vapor deposition source and vapor deposition apparatus, and method for manufacturing vapor deposition film
CN108570645B (zh) * 2017-11-30 2023-09-29 上海微电子装备（集团）股份有限公司 真空蒸镀装置及其蒸发头、真空蒸镀方法
JP6931599B2 (ja) * 2017-12-06 2021-09-08 長州産業株式会社 蒸着装置及び蒸着方法
JP6941547B2 (ja) 2017-12-06 2021-09-29 長州産業株式会社 蒸着装置、蒸着方法及び制御板
JP6983096B2 (ja) * 2018-03-30 2021-12-17 株式会社アルバック 真空蒸着装置用の蒸着源
JP7217635B2 (ja) * 2019-01-11 2023-02-03 株式会社アルバック 蒸着源、成膜装置、及び蒸着方法
CN114318237A (zh) * 2021-12-29 2022-04-12 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种蒸镀装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009197336A (ja) * 2005-03-07 2009-09-03 Samsung Mobile Display Co Ltd 蒸発源アセンブリ及びそれを用いた蒸着装置
CN101949001A (zh) * 2009-07-10 2011-01-19 三菱重工业株式会社 真空气相沉积设备
US20120141674A1 (en) * 2010-12-03 2012-06-07 Il-Soo Park Evaporator and method for depositing organic material
CN103710682A (zh) * 2012-10-09 2014-04-09 三星显示有限公司 沉积装置以及使用该装置制造有机发光显示器的方法
CN104099571A (zh) * 2013-04-01 2014-10-15 上海和辉光电有限公司 蒸发源组件和薄膜沉积装置和薄膜沉积方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104099570B (zh) * 2013-04-01 2016-10-05 上海和辉光电有限公司 单点线性蒸发源系统

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009197336A (ja) * 2005-03-07 2009-09-03 Samsung Mobile Display Co Ltd 蒸発源アセンブリ及びそれを用いた蒸着装置
CN101949001A (zh) * 2009-07-10 2011-01-19 三菱重工业株式会社 真空气相沉积设备
US20120141674A1 (en) * 2010-12-03 2012-06-07 Il-Soo Park Evaporator and method for depositing organic material
CN103710682A (zh) * 2012-10-09 2014-04-09 三星显示有限公司 沉积装置以及使用该装置制造有机发光显示器的方法
CN104099571A (zh) * 2013-04-01 2014-10-15 上海和辉光电有限公司 蒸发源组件和薄膜沉积装置和薄膜沉积方法

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109328244B (zh) * 2016-08-02 2021-06-22 株式会社爱发科 真空蒸镀装置
CN109328244A (zh) * 2016-08-02 2019-02-12 株式会社爱发科 真空蒸镀装置
CN111148860A (zh) * 2017-09-28 2020-05-12 夏普株式会社 蒸镀粒子射出装置及蒸镀装置、以及蒸镀膜制造方法
CN111206219A (zh) * 2018-11-02 2020-05-29 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 沉积腔室、镀膜设备及镀膜方法
CN111206203A (zh) * 2018-11-02 2020-05-29 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 沉积腔室、镀膜设备及镀膜方法
CN111206207A (zh) * 2018-11-02 2020-05-29 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 沉积腔室、镀膜设备及镀膜方法
CN111206221A (zh) * 2018-11-02 2020-05-29 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 一种镀膜设备及镀膜方法
CN111206220A (zh) * 2018-11-02 2020-05-29 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 一种镀膜设备及镀膜方法
CN111206205A (zh) * 2018-11-02 2020-05-29 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 沉积腔室、镀膜设备及镀膜方法
CN111206224A (zh) * 2018-11-02 2020-05-29 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 沉积腔室、镀膜设备及镀膜方法
CN109666898A (zh) * 2019-01-03 2019-04-23 福建华佳彩有限公司 一种用于点蒸发源的坩埚
CN113039306A (zh) * 2019-04-19 2021-06-25 株式会社爱发科 蒸镀源以及蒸镀装置
CN113039306B (zh) * 2019-04-19 2023-06-06 株式会社爱发科 蒸镀源以及蒸镀装置
CN110791731A (zh) * 2019-11-20 2020-02-14 信利(仁寿)高端显示科技有限公司 一种蒸发源组件

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