TWI673379B

TWI673379B - 真空蒸鍍裝置

Info

Publication number: TWI673379B
Application number: TW104131265A
Authority: TW
Inventors: 近藤喜成; 田村博之
Original assignee: 日商佳能特機股份有限公司
Priority date: 2014-12-26
Filing date: 2015-09-22
Publication date: 2019-10-01
Also published as: TW201627515A; JP6529257B2; KR101989653B1; KR20160079653A; CN105734495A; JP2016125091A; CN105734495B

Abstract

除了當然可增大成膜圖案的平坦部的比例同時抑制圖案模糊外，可獲得膜厚分布均勻的蒸鍍膜的真空蒸鍍裝置的提供。

一種真空蒸鍍裝置，在蒸發源(1)，沿著蒸發源(1)的長邊方向而設置複數個蒸發口部(2)，蒸發源(1)與配設於位在對向於蒸發源(1)的位置的基板(3)，係相對移動於與蒸發源(1)的長邊方向正交的方向，從蒸發口部(2)射出成膜材料，從而在基板(3)上形成蒸鍍膜，複數個蒸發口部(2)之中設於外側的至少一對的外側蒸發口部(2)，係構成為具有以分別朝向蒸發源(1)的長邊方向外側的方式而傾斜的開口端面，位於外側蒸發口部(2)的內側的內側蒸發口部(2)之中的至少一者，係構成為具有以朝向蒸發源(1)的長邊方向中央側的方式而傾斜的開口端面。

Description

真空蒸鍍裝置

本發明，係關於真空蒸鍍裝置。

將蒸鍍膜形成於在對向於收容成膜材料的蒸發源的位置所配設的基板上的真空蒸鍍裝置中，係成膜材料到達基板的角度(往基板的入射角)小的情況下，有時成膜圖案的平坦部的比例變小，或成膜材料滲透於蒸鍍用遮罩與基板之間隙而發生所謂圖案模糊，要形成期望的成膜圖案產生遮罩開口部為所需以上的大小的需要，無法達成成膜圖案的高精細化。

所以，如揭露於例如專利文獻1，已提出如下技術：使將並置複數個於蒸發源的長邊方向的噴射噴嘴的開口端面，朝向蒸發源的外側方向，從而窄化噴射噴嘴的配列範圍(噴嘴範圍)而增大往基板的入射角。

具體而言，如圖示於圖1，從蒸發源21的噴射噴嘴22所射出的成膜材料的往基板23的入射角θ，係採用基板23與噴射噴嘴22的距離TS、噴嘴範圍N1及蒸鍍區域寬D1，能以下式(1)表示：tanθ=(2TS/N1)-D1 (1)；因此，藉窄化噴嘴範圍N1，可增大入射角θ。

亦即，如圖示於圖2，成膜圖案的端部的傾斜部的寬度，係能以〔遮罩厚度×tan(90°-入射角)〕求出，因此藉使入射角從θ21往θ22增大，可縮小傾斜部的寬度而增大成膜圖案的平坦部的比例。此外，如圖示於圖3，成膜材料的滲透寬，係能以〔基板與遮罩之間隙×tan(90°-入射角)〕求出，因此藉使入射角從θ21往θ22增大，可縮小滲透寬而縮小圖案模糊的範圍。圖2、3中，符號24係遮罩。

此外，遮罩的開口部剖面形狀，係依製造方法，有時不會如圖示於圖2、3相對於基板成為垂直。該形狀的情況下，雖有時與上述計算式係不同，惟可藉增大入射角θ，增大成膜圖案平坦部的比例的情形不變，可同樣地縮小圖案模糊的範圍。

然而，運用上述歷來的技術而窄化噴嘴範圍的情況下，存在基板中央部分的膜厚分布不成均勻如此的問題點。

例如，如圖示於圖4，使全部的噴射噴嘴22的開口端面朝向蒸發源21的外側方向的情況下，係成為基板中央部分為凹的膜厚分布X。此外，如圖示於圖6，使中央部的幾個噴射噴嘴22的開口端面與基板表面平行的情況下，係成為中央部分為凸的膜厚分布Y。

於此，圖4、6中，如圖示於圖5(b)，7(b)，雖可增廣噴嘴範圍並調整噴射噴嘴22的傾斜角度、配置等從而將膜厚分布均勻化，惟此情況下，噴嘴範圍變廣使得入射角增大效果降低，成膜圖案的平坦部的比例變小，圖案模糊的抑制變難。

〔先前技術文獻〕〔專利文獻〕

〔專利文獻1〕日本發明專利公開2014-77193號公報

本發明，係鑑於如上述之現狀而創作者，提供一種真空蒸鍍裝置，窄化噴嘴範圍仍可將基板中央部分的膜厚分布均勻化，除了當然可增大成膜圖案的平坦部的比例同時抑制圖案模糊外，亦可獲得膜厚分布均勻的蒸鍍膜。

參照附圖而說明本發明的要旨。

關於一種真空蒸鍍裝置，構成為於收容成膜材料的蒸發源1，沿著此蒸發源1的長邊方向而設置複數個蒸發口部2，前述蒸發源1與配設於位在對向於前述蒸發源1的位置的基板3，係相對移動於與前述蒸發源1的長邊方向正交的方向，從前述蒸發口部2射出前述成膜材料，從而在基板3上形成蒸鍍膜，特徵在於：前述複數個蒸發口部2之中設於外側的至少一對的外側蒸發口部2，係構成為具有以分別朝向前述蒸發源1的長邊方向外側的方式而傾斜的開口端面，位於前述外側蒸發口部2的內側的內側蒸發口部2之中的至少一者，係構成為具有以朝向前述蒸發源1的長邊方向中央側的方式而傾斜的開口端面。

此外，關於一種真空蒸鍍裝置，構成為設置成膜材料被收容於維持減壓環境的真空槽的蒸發源1，沿著此蒸發源1的長邊方向而設置複數個蒸發口部2，前述蒸發源1與配設於位在對向於前述蒸發源1的位置的基板3，係相對移動於與前述蒸發源1的長邊方向正交的方向，從前述蒸發口部2射出前述成膜材料，從而在基板3上形成蒸鍍膜，特徵在於：設於前述複數個蒸發口部2的外側兩端的最遠端的外側蒸發口部2，係構成為具有以分別朝向前述蒸發源1的長邊方向外側的方式而傾斜的開口端面，前述最遠端的外側蒸發口部2以外的前述蒸發口部2之中的至少一者，係構成為具有以朝向前述蒸發源1的長邊方向中央側的方式而傾斜的開口端面。

此外，關於一種真空蒸鍍裝置，構成為設置成膜材料被收容於維持減壓環境的真空槽的蒸發源1，沿著此蒸發源1的長邊方向而設置複數個蒸發口部2，前述蒸發源1與配設於位在對向於前述蒸發源1的位置的基板3，係相對移動於與前述蒸發源1的長邊方向正交的方向，從前述蒸發口部2射出前述成膜材料，從而在基板3上形成蒸鍍膜，特徵在於：設於前述複數個蒸發口部2的外側兩端的最遠端的外側蒸發口部2，係構成為具有以分別朝向前述蒸發源1的長邊方向外側的方式而傾斜的開口端面，前述最遠端的外側蒸發口部2以外的前述蒸發口部2之中的至少一對的蒸發口部2，係構成為具有以分別朝向前述蒸發源1的長邊方向中央側成彼此相向的方式而傾斜的開口端面。

此外，關於如申請專利範圍第1~3項中任1項之真空蒸鍍裝置，其中，前述蒸發口部2的配列範圍係設定為比前述基板3的前述蒸發源1的長邊方向上的蒸鍍區域寬窄的寬度。

此外，關於如申請專利範圍第1~3項中任1項之真空蒸鍍裝置，其中，前述蒸發口部2之中，最遠端的外側蒸發口部2的開口徑，係設定為比其內側的蒸發口部2的開口徑以上的徑。

此外，關於如申請專利範圍第5項之真空蒸鍍裝置，其中，前述蒸發口部2的開口徑，係設定為朝向前述蒸發源1的長邊方向外側而漸大。

此外，關於如申請專利範圍第1~3項中任1項之真空蒸鍍裝置，其中，前述蒸發口部2之中，最遠端的外側蒸發口部2的開口端面的傾斜角度，係設定為比其內側的蒸發口部2的開口端面的傾斜角度以上的角度。

此外，關於如申請專利範圍第7項之真空蒸鍍裝置，其中，以朝向前述蒸發源1的長邊方向外側的方式而傾斜的前述蒸發口部2的開口端面的傾斜角度，係設定為朝向前述蒸發源1的長邊方向外側而漸大。

此外，關於如申請專利範圍第1~3項中任1項之真空蒸鍍裝置，其中，從開口端面以朝向前述蒸發源1的長邊方向外側的方式而傾斜的前述蒸發口部2所射出的前述成膜材料的往前述基板3的入射角細設定為40°以上、60°以下。

此外，關於如申請專利範圍第1~3項中任1項之真空蒸鍍裝置，其中，以朝向前述蒸發源1的長邊方向外側的方式而傾斜的前述蒸發口部2的開口端面的傾斜角度係設定為20°以上、45°以下。

此外，關於如申請專利範圍第1~3項中任1項之真空蒸鍍裝置，其中，以朝向前述蒸發源1的長邊方向中央側的方式而傾斜的前述蒸發口部2的開口端面的傾斜角度係設定為5°以上、20°以下。

此外，關於如申請專利範圍第1~3項中任1項之真空蒸鍍裝置，其中，設置收容不同成膜材料的複數個蒸發源1，設置於前述複數個蒸發源1之中的至少一個蒸發源1的複數個蒸發口部2的開口端面傾斜於前述蒸發源1與前述基板3的相對移動方向。

此外，關於如申請專利範圍第1~3項中任1項之真空蒸鍍裝置，其中，前述蒸發口部2的在蒸發源1內的成膜材料入射的蒸發源內端面P，係相對於基板3表面而傾斜。

此外，關於如申請專利範圍第1~3項中任1項之真空蒸鍍裝置，其中，前述蒸發口部2的內部的成膜材料通過的區域O，係圓筒狀的直管。

此外，關於如申請專利範圍第1~3項中任1項之真空蒸鍍裝置，其中，具有以朝向前述蒸發源1的長邊方向外側的方式而傾斜的開口端面的外側蒸發口部2的成膜材料通過的區域O，係朝向蒸發源1的長邊方向外側，具有以朝向前述蒸發源1的長邊方向中央側的方式而傾斜的開口端面的內側蒸發口部2的成膜材料通過的區域O，係朝向蒸發源1的長邊方向中央側。

本發明係如上述而構成，故成為除了當然可增大成膜圖案的平坦部的比例同時抑制圖案模糊外，亦可獲得膜厚分布均勻的蒸鍍膜的真空蒸鍍裝置。

1‧‧‧蒸發源

2‧‧‧蒸發口部

3‧‧‧基板

P‧‧‧蒸發源內端面

〔圖1〕入射角的示意說明圖。

〔圖2〕針對使入射角增大的情況下的效果進行說明的示意說明圖。

〔圖3〕針對使入射角增大的情況下的效果進行說明的示意說明圖。

〔圖4〕先前技術的膜厚分布的示意說明圖。

〔圖5〕先前技術的示意說明圖。

〔圖6〕先前技術的膜厚分布的示意說明圖。

〔圖7〕先前技術的示意說明圖。

〔圖8〕本實施例的示意說明側面圖。

〔圖9〕示出蒸發源的一例的示意說明側面圖。

〔圖10〕示出蒸發源的一例的示意說明側面圖。

〔圖11〕示出蒸發源的一例的示意說明側面圖。

〔圖12〕示出蒸發源的一例的示意說明側面圖。

〔圖13〕示出蒸發源的一例的示意說明側面圖。

〔圖14〕示出蒸發源的一例的示意說明側面圖。

〔圖15〕示出蒸發源的一例的示意說明側面圖。

〔圖16〕本實施例的示意說明側面圖。

〔圖17〕本實施例的膜厚分布的示意說明圖。

〔圖18〕他例1的示意說明正面圖。

〔圖19〕他例2的示意說明正面圖。

〔圖20〕他例3的示意說明正面圖。

〔圖21〕本實施例的外側蒸發口部之放大示意說明側面圖。

〔圖22〕本實施例的內側蒸發口部之放大示意說明側面圖。

針對認為適合的本發明的實施形態，根據圖式示出本發明的作用而簡單作說明。

與蒸發源1的長邊方向正交的方向上使基板3與蒸發源1相對移動，同時將從蒸發源1的蒸發口部2所射出的成膜材料蒸鍍於基板3上而形成蒸鍍膜。

此情況下，由於朝向蒸發源1的長邊方向外側的外側蒸發口部2，使得即使將蒸發口部2的配設範圍(噴嘴範圍)設定為窄仍可良好地蒸鍍於基板3的蒸鍍區域整體，此外，藉朝向蒸發源1的長邊方向中央側的內側蒸發口部2的位置及開口端面的傾斜角度等的設定，從而修正藉內側蒸發口部2以外的蒸發口部2而形成的基板中央部分的膜厚分布，使得可作成更均勻的膜厚分布。

亦即，依本發明時，即使不增寬蒸發口部2的配設間隔，仍可藉朝向蒸發源1的長邊方向中央側的內側蒸發口部2而將膜厚分布均勻化，可使入射角的增大與膜厚分布的均勻化同時成立。

〔實施例〕

就本發明的具體實施例根據圖式作說明。

本實施例，係將本發明應用於如下構成的真空蒸鍍裝置者：設置成膜材料被收容於維持減壓環境的真空槽的蒸發源1，沿著此蒸發源1的長邊方向而設置複數個蒸發口部2，前述蒸發源1與配設於位在對向於前述蒸發源1的位置的基板3，係相對移動於與前述蒸發源1的長邊方向正交的方向，從前述蒸發口部2射出前述成膜材料，從而在基板3上形成蒸鍍膜。

具體而言，本實施例，設於前述複數個蒸發口部2的外側兩端的最遠端的外側蒸發口部2，係構成為具有以分別朝向前述蒸發源1的長邊方向外側的方式而傾斜的開口端面，前述最遠端的外側蒸發口部2以外的前述蒸發口部2之中的至少一對的蒸發口部2，係構成為具有以分別朝向前述蒸發源1的長邊方向中央側成彼此相向的方式而傾斜的開口端面。

本實施例的蒸發源1，係如圖示於圖8，作成將坩堝4與擴散室5設成連設狀態的構成，構成為成膜材料係收容在連設於擴散室5的中央位置的坩堝4。另外，亦可如圖示於圖9，構成為不設置坩堝而將成膜材料直接收容於擴散室5。

此外，本實施例的蒸發源1，係所謂線形蒸發源1，構成為以長邊方向中央位置為界而左右對稱地設置一列具有圓形的開口部的筒狀的蒸發口部2(噴射噴嘴)。此外，本實施例，係構成為使蒸發源1相對於被以蒸發源1的長邊方向中央位置及與基板3的相對移動方向正交的寬度方向的中央位置一致的狀態而固定的基板3進行移動同時進行蒸鍍。

具體而言，如圖示於圖8，將位於蒸發源1的長邊方向中央部的相鄰的一對的蒸發口部2，設定為具有以朝向蒸發源1的長邊方向中央側的方式而傾斜的開口端面的內側蒸發口部2a。另外，內側蒸發口部2a係構成為設置至少一個即可，亦可如圖示於圖10構成為設置二對以上。此外，以蒸發源1的長邊方向中央位置為界而左右對稱地設置蒸發口部2較可使膜厚分布均勻，故內側蒸發口部2a係設置偶數個為優選。

此外，將前述內側蒸發口部2a以外的其他全部的蒸發口部2共六個，設定為具有以朝向蒸發源1的長邊方向外側的方式而傾斜的開口端面的外側蒸發口部2b。另外，外側蒸發口部2b，係構成為至少最遠端的蒸發口部2的開口端面分別朝向蒸發源1的長邊方向外側即可，亦可如圖示於圖11構成為將內側蒸發口部2a與外側蒸發口部2b之間的蒸發口部2，設定為具有與基板3表面平行的開口端面的中間蒸發口部2c。此外，外側蒸發口部2b亦如同內側蒸發口部2a在左右對稱位置設置偶數個為優選。

此外，將坩堝4設置於擴散室5的中央以外的位置的情況下，係亦可構成為以蒸發源1的長邊方向中央為界而左右非對稱地設置蒸發口部2。

從以朝向蒸發源1的長邊方向外側的方式而傾斜的外側蒸發口部2b所射出的成膜材料的往基板3的入射角，係分別設定成40°以上、60°以下。本實施例中係設定成60°。

具體而言，如圖示於圖21，以朝向蒸發源1的長邊方向外側的方式而傾斜的外側蒸發口部2b的開口端面的相對於基板3表面的傾斜角度 2係分別設定成20°以上、45°以下，使得入射角成為40°以上、60°以下。本實施例中各外側蒸發口部2b的 2係設定成30°，入射角成為60°。

此外，如圖示於圖22，以朝向蒸發源1的長邊方向中央側的方式而傾斜的內側蒸發口部2a的開口端面的相對於基板3表面的傾斜角度 1，係雖可依取決於其他蒸發口部2的膜厚分布而適當設定，惟分別設定成5°以上、20°以下為優選。本實施例中各內側蒸發口部2a的 1係設定成15°。

此外，如圖示於圖21、22，蒸發口部2a、2b的在蒸發源1內的成膜材料入射的蒸發源內端面P，係予以相對於基板3表面而傾斜，使得蒸發的成膜材料的傾斜成分容易入射至蒸發口部2內，使開口端面Q傾斜而斜向射出的蒸發粒子增加，故更良好地發揮使開口端面Q傾斜的效果。

此外，蒸發口部2之中，最遠端的外側蒸發口部2b的開口徑，係設定為比其內側的蒸發口部2的開口徑以上的徑。本實施例中係設成與內側的蒸發口部2同徑，與各外側蒸發口部2b的開口徑同徑。

另外，蒸發口部2的開口徑，係亦可如圖示於圖12，設定成朝向蒸發源1的長邊方向外側而漸大。此情況下，使得可將蒸發口部2的配設範圍設定成更窄。

此外，蒸發口部2之中，最遠端的外側蒸發口部2b的開口端面的傾斜角度 2，係設定成比此內側的蒸發口部2的開口端面的傾斜角度 2以上的角度。

另外，以朝向蒸發源1的長邊方向外側的方式而傾斜的各外側蒸發口部2b的開口端面的傾斜角度，係亦可如圖示於圖13，設定成朝向蒸發源1的長邊方向外側而漸大。此情況下，使得可將蒸發口部2的配設範圍設定成更窄。

此外，於本實施例中，係使蒸發口部2的內部的成膜材料通過的區域O為圓筒狀的直管，外側蒸發口部2b的成膜材料通過的區域O，係作成朝向蒸發源1的長邊方向外側，外側蒸發口部2a的成膜材料通過的區域O，係作成朝向蒸發源1的長邊方向中央側。藉此，在通過成膜材料通過的區域O而到達開口端面的蒸發粒子之中，具有往斜向的速度成分的蒸發粒子的比例增加，故使開口端面傾斜而斜向射出的蒸發粒子增加。此外，蒸發口部2的成膜材料通過的區域O係不傾斜而藉將開口端作成斜向切斷的形狀，從而構成為使開口端面傾斜亦可。

此外，於本實施例中，蒸發口部2，係雖構成為於蒸發源1沿著其長邊方向設置一列，惟如圖示於圖14構成為在一個蒸發源1設置蒸發口部2二列以上亦可。此外，如圖示於圖15構成為從蒸發源1的長邊方向兩端部分別僅設定既定範圍的外側蒸發口部2b二列以上亦可。

此外，本實施例，係蒸發口部2的配列範圍(噴嘴範圍)N1，係設定成比是基板3的蒸發源1的長邊方向上的形成蒸鍍膜的範圍的蒸鍍區域寬D1窄的寬度(圖16(a)參照)。如示於上述式(1)，縮小蒸發口部2的配列範圍N1，縮小蒸鍍區域寬D1，使得可增大入射角。

此外，亦可如圖示於圖16(b)，為了縮小規定入射角θ的基板3與最遠端的外側蒸發口部2b的距離TS，將最遠端的外側蒸發口部2b的長度設定為短。此情況下，TS變大的程度上，取決於此最遠端的外側蒸發口部2b的蒸鍍率會降低，故端部側的外側蒸發口部2b程度增大開口徑從而對應。

如以上方式構成，使得如圖示於圖17取決於本實施例的蒸發源1的膜厚分布Z，係於基板3的蒸鍍區域成為略均勻，可增大入射角同時將膜厚分布均勻化。

此外，於本實施例中，蒸發口部2，係雖構成為僅傾斜於蒸發源1的長邊方向，惟亦可構成為如圖示於圖18~20的他例1~3，設置收容不同成膜材料的複數個蒸發源1，設置於前述複數個蒸發源1之中的至少一個蒸發源1的複數個蒸發口部2的開口端面亦傾斜於前述蒸發源1與前述基板3的相對移動方向。

例如，如圖示於圖18，於前述相對移動方向並置主分子材料蒸發源1a與摻雜劑材料蒸發源1b，以主分子材料蒸發源1a及摻雜劑材料蒸發源1b的各蒸發口部2分別彼此相向的方式使各蒸發口部2的開口端面傾斜於前述相對移動方向，使得可使共蒸鍍膜的主分子/摻雜劑混合比變良好。

此外，亦可構成為如圖示於圖19，使一方的蒸發源1b的各蒸發口部2的開口端面朝向另一方的蒸發源1a傾斜並使另一方的蒸發源1a的各蒸發口部2的開口端面與基板3平行，或如圖示於圖20，使中央的蒸發源1a的各蒸發口部2的開口端面與基板3平行，使其他2個的蒸發源1b的各蒸發口部2以朝向中央的蒸發源1a的方式而傾斜。

另外，本發明，係非限於本實施例者，各構成要件的具體構成係可適當設計者。

Claims

一種真空蒸鍍裝置，其係具有收容成膜材料的蒸發源，前述蒸發源沿著該蒸發源的長邊方向具有複數個蒸發口部，使前述蒸發源與配設於與前述蒸發源對向的位置的基板相對移動於與前述蒸發源的長邊方向正交的方向，從前述蒸發口部射出前述成膜材料，從而在基板上形成蒸鍍膜者，特徵在於：前述複數個蒸發口部之中設於外側的至少一對的外側蒸發口部的蒸發源外開口端具有以分別朝向前述蒸發源的長邊方向外側的方式傾斜的開口端面，位於前述外側蒸發口部的內側的內側蒸發口部之中的至少一個蒸發源外開口端具有以朝向前述蒸發源的長邊方向中央側的方式傾斜的開口端面，前述一對的外側蒸發口部的蒸發源內開口端具有朝前述蒸發源內設為突出狀態且以朝向前述蒸發源的長邊方向中央側的方式傾斜的開口端面。
一種真空蒸鍍裝置，其係具有維持減壓環境的真空槽、和配置於前述真空槽內並收容成膜材料的蒸發源，前述蒸發源沿著該蒸發源的長邊方向具有複數個蒸發口部，使前述蒸發源與配設於與前述蒸發源對向的位置的基板相對移動於與前述蒸發源的長邊方向正交的方向，從前述蒸發口部射出前述成膜材料，從而在基板上形成蒸鍍膜者，特徵在於：設於前述複數個蒸發口部的外側兩端的最遠端的外側蒸發口部的蒸發源外開口端具有以分別朝向前述蒸發源的長邊方向外側的方式傾斜的開口端面，前述最遠端的外側蒸發口部以外的前述蒸發口部之中的至少一個蒸發源外開口端具有以朝向前述蒸發源的長邊方向中央側的方式傾斜的開口端面，前述最遠端的外側蒸發口部的蒸發源內開口端具有朝前述蒸發源內設為突出狀態並以朝向前述蒸發源的長邊方向中央側的方式傾斜的開口端面。
一種真空蒸鍍裝置，其係具有維持減壓環境的真空槽、和配置於前述真空槽內並具有收容成膜材料的蒸發源，前述蒸發源沿著該蒸發源的長邊方向具有複數個蒸發口部，使前述蒸發源與配設於與前述蒸發源對向的位置的基板相對移動於與前述蒸發源的長邊方向正交的方向，從前述蒸發口部射出前述成膜材料，從而在基板上形成蒸鍍膜者，特徵在於：設於前述複數個蒸發口部的外側兩端的最遠端的外側蒸發口部的蒸發源外開口端具有以分別朝向前述蒸發源的長邊方向外側的方式傾斜的開口端面，前述最遠端的外側蒸發口部以外的前述蒸發口部之中的位於前述蒸發源的長邊方向中央部的相鄰的至少一對的蒸發口部的蒸發源外開口端具有以分別朝向前述蒸發源的長邊方向中央側成彼此相向的方式傾斜的開口端面，前述最遠端的外側蒸發口部的蒸發源內開口端具有朝前述蒸發源內設為突出狀態並以朝向前述蒸發源的長邊方向中央側的方式傾斜的開口端面。
一種真空蒸鍍裝置，其係具有收容成膜材料的蒸發源，前述蒸發源沿著該蒸發源的長邊方向具有複數個蒸發口部，使前述蒸發源與配設於與前述蒸發源對向的位置的基板相對移動於與前述蒸發源的長邊方向正交的方向，從前述蒸發口部射出前述成膜材料，從而在基板上形成蒸鍍膜者，特徵在於：前述複數個蒸發口部之中設於外側的至少一對的外側蒸發口部的蒸發源外開口端具有以分別朝向前述蒸發源的長邊方向外側的方式傾斜的開口端面，位於前述蒸發源的長邊方向中央部的相鄰的一對的蒸發口部的蒸發源外開口端具有以分別朝向前述蒸發源的長邊方向中央側成彼此相向的方式傾斜的開口端面。
如申請專利範圍第1~4項中任一項之真空蒸鍍裝置，其中，前述複數個蒸發口部的前述蒸發源的長邊方向上的配列範圍的寬度比前述基板的前述蒸發源的長邊方向上的蒸鍍區域的寬度窄。
如申請專利範圍第1~4項中任一項之真空蒸鍍裝置，其中，前述蒸發口部之中，最遠端的外側蒸發口部的開口徑為比其內側的蒸發口部的開口徑以上的徑。
如申請專利範圍第6項之真空蒸鍍裝置，其中，前述蒸發口部的開口徑朝向前述蒸發源的長邊方向外側漸大。
如申請專利範圍第1~4項中任一項之真空蒸鍍裝置，其中，前述蒸發口部之中，最遠端的外側蒸發口部的蒸發源外開口端的開口端面的傾斜角度為比其內側的蒸發口部的蒸發源外開口端的開口端面的傾斜角度以上的角度。
如申請專利範圍第8項之真空蒸鍍裝置，其中，以朝向前述蒸發源的長邊方向外側的方式傾斜的前述蒸發口部的蒸發源外開口端的開口端面的傾斜角度朝向前述蒸發源的長邊方向外側漸大。
如申請專利範圍第1~4項中任一項之真空蒸鍍裝置，其中，從以蒸發源外開口端的開口端面朝向前述蒸發源的長邊方向外側的方式傾斜的前述蒸發口部所射出的前述成膜材料的往前述基板的入射角為40°以上且60°以下。
如申請專利範圍第1~4項中任一項之真空蒸鍍裝置，其中，以朝向前述蒸發源的長邊方向外側的方式傾斜的前述蒸發口部的蒸發源外開口端的開口端面的傾斜角度為20°以上且45°以下。
如申請專利範圍第1~4項中任一項之真空蒸鍍裝置，其中，以朝向前述蒸發源的長邊方向中央側的方式傾斜的前述蒸發口部的蒸發源外開口端的開口端面的傾斜角度為5°以上且20°以下。
如申請專利範圍第1~4項中任一項之真空蒸鍍裝置，其具有收容不同成膜材料的複數個蒸發源，設置於前述複數個蒸發源之中的至少一個蒸發源的複數個蒸發口部的蒸發源外開口端的開口端面傾斜於前述蒸發源與前述基板的相對移動方向。
如申請專利範圍第1~4項中任一項之真空蒸鍍裝置，其中，蒸發源外開口端具有以朝向前述蒸發源的長邊方向中央側的方式傾斜的開口端面的內側蒸發口部的蒸發源內開口端具有朝前述蒸發源內設為突出狀態並以朝向前述蒸發源的長邊方向外側的方式傾斜的開口端面。
如申請專利範圍第1~4項中任一項之真空蒸鍍裝置，其中，前述蒸發口部的內部的成膜材料通過的區域為圓筒狀的直管。
如申請專利範圍第1~4項中任一項之真空蒸鍍裝置，其中，蒸發源外開口端具有以朝向前述蒸發源的長邊方向外側的方式傾斜的開口端面的外側蒸發口部的成膜材料通過的區域朝向蒸發源的長邊方向外側，蒸發源外開口端具有以朝向前述蒸發源的長邊方向中央側的方式傾斜的開口端面的內側蒸發口部的成膜材料通過的區域朝向蒸發源的長邊方向中央側。