CN108570645B - 真空蒸镀装置及其蒸发头、真空蒸镀方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种真空蒸镀装置及其蒸发头、真空蒸镀方法。所述蒸发头包括蒸发头腔体，还包括多个喷射方向不同且喷射方向互不相交的喷嘴，所述多个喷嘴与所述蒸发头腔体连通。发明采用蒸发头具有多个喷嘴，实现了多张需蒸镀基底同时蒸镀的目的。另外，本发明与现有技术相比缩小了掩模板的尺寸，可以减少或避免掩模板过大所引起的形变问题，同时使用缩小后的掩模板有利于提高对位精准度以及产品分辨率。

Description

真空蒸镀装置及其蒸发头、真空蒸镀方法

技术领域

本发明涉及真空蒸镀领域，尤其涉及一种真空蒸镀装置及其蒸发头、真空蒸镀方法。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light Emitting Display，简称OLED)采用的是一项基于有机薄膜的自有光源显示屏技术，具有自发光、刷新速度快、低能耗、高对比度、低温特性好以及卷曲应用等优势，是一种非常有前景的显示技术，被称为“梦幻显示器”。随着OLED行业发展，对于OLED要求越来越高，如大尺寸、高分辨率、高稳定性、长寿命和低成本。

蒸镀是OLED制造工艺的重要组成部分，其是通过金属掩模板(FMM，也称掩模板)的精密开孔将有机发光材料蒸镀到基板(例如玻璃基板)上。在显示屏的应用中，消费者越来越关注分辨率，特别是虚拟现实技术(Virtual Reality，简称VR)的问世，更是对分辨率提出了苛刻的要求，这就要求金属掩模板必须突破高分辨率难题。

另外，发明人研究发现，随着OLED向大尺寸方向的发展，如果采用现有的真空蒸镀装置则需要适应性配置大尺寸的掩模板，将需要更高的张网精度和蒸镀对准精度，同时避免出现掩模板过大所引起的形变问题。

此外，发明人还发现，现有的真空蒸镀装置在一个蒸镀室中一次只能实现一张需蒸镀基底的蒸镀，产能较低。

发明内容

本发明的目的之一在于，提供一种可以在一个蒸镀室中同时实现多张需蒸镀基底蒸镀，以提高产能的真空蒸镀装置及其蒸发头、真空蒸镀方法。

本发明的另一目的在于，提供一种可以有效改善掩模板形变引起的对位精度较低及产品分辨率较低的真空蒸镀装置及其蒸发头、真空蒸镀方法。

本发明的再一目的在于，提供一种可以改善蒸镀后的薄膜均匀性较差的真空蒸镀装置及其蒸发头、真空蒸镀方法。

为实现上述目的，本发明的第一方面提供一种真空蒸镀装置的蒸发头，用于向需蒸镀基底喷射蒸镀材料，包括蒸发头腔体，其特征在于，还包括多个喷射方向不同且喷射方向互不相交的喷嘴，所述多个喷嘴均与所述蒸发头腔体连通。

可选的，所述喷嘴的数量为两个，两个所述喷嘴的喷射方向相反。

可选的，所述蒸发头腔体是长方体、正方体、柱状结构、椭球状结构或球状结构，所述喷嘴是由多块挡板围成的两端开口的结构，所述喷嘴的一端固定在所述蒸发头腔体上，所述喷嘴的另一端朝向对应设置的需蒸镀基底，通过设置于所述蒸发头腔体上的通孔使所述多个喷嘴均与所述蒸发头腔体连通。

可选的，还包括设置于所述蒸发头腔体内的增压的组件，用于增加蒸镀材料的喷射强度。

本发明的第二方面提供一种真空蒸镀装置，所述真空蒸镀装置包括蒸发头。

可选的，所述真空蒸镀装置还包括：蒸发源，用于将固态蒸镀材料转换为气态蒸镀材料；蒸镀室，用于提供将气态蒸镀材料蒸镀到需蒸镀基底上的环境；以及输送管，连接所述蒸发源和所述蒸发头，用于向所述蒸发头输送气态蒸镀材料。

可选的，所述真空蒸镀装置还包括：蒸发头固定机构，用于固定蒸发头并可带动所述蒸发头移动；掩模板固定机构，用于固定掩膜板并可带动所述掩膜板移动；以及基底固定机构，用于固定需蒸镀基底并可带动所述需蒸镀基底移动。

可选的，所述每个喷嘴的喷射方向上对应设置有一个掩模板固定机构和一个基底固定机构。

可选的，所述掩模板、需蒸镀基底、蒸发头之间相互平行设置。

可选的，所述掩模板与需蒸镀基底均垂直于水平面或平行于水平面。

可选的，所述喷嘴的喷射方向与对应设置的掩模板之间的夹角在45～90度之间。

可选的，所述掩模板和需蒸镀基底均为长方形；

所述掩模板长边的边长与需蒸镀基底长边的边长相同，且所述掩模板短边的边长是需蒸镀基底短边的边长的1/n；或者，所述掩模板长边的边长是需蒸镀基底长边的边长的1/n，且所述掩模板短边的边长与需蒸镀基底短边的边长相同；

其中，n为大于1的整数。

可选的，所述蒸发头到需蒸镀基底的距离与需蒸镀基底的面积之比在4～6之间。

本发明的第三方面提供一种真空蒸镀方法，包括：蒸镀室维持在真空状态下，蒸发源将固态蒸镀材料转换为气态蒸镀材料，输送管将气态蒸镀材料输送至蒸发头，并经由蒸发头上的多个喷嘴喷向需蒸镀基底喷射蒸镀材料。

可选的，蒸发头、掩模板以及需蒸镀基底三者之间进行相对运动，同时，气态蒸镀材料输送至所述蒸发头并经由所述蒸发头的多个喷嘴喷至掩模板，以对所述需蒸镀基底进行扫描蒸镀。

可选的，所述喷嘴的喷射方向与对应设置的掩模板之间的夹角在45～90度之间。

本发明与现有技术相比具有显著的优点和有益效果，具体表现在以下几个方面：

1.本发明所提供的真空蒸镀装置的蒸发头上设置有多个喷射方向不同且喷射方向互不相交的喷嘴，同时实现多张需蒸镀基底的蒸镀，从而提高了产能。

2.本发明所提供的真空蒸镀装置中采用的掩模板的尺寸小于需蒸镀基底的尺寸，即，与现有技术相比缩小了掩模板的尺寸，可以减少或避免掩模板过大所引起的形变问题，同时使用缩小后的掩模板有利于提高对位精准度以及产品分辨率。

3.本发明所提供的真空蒸镀方法中通过调整蒸发头到需蒸镀基底之间的距离以及蒸发头、掩模板和需蒸镀基底之间的相对运动，改善了蒸镀后的薄膜均匀性。

附图说明

图1是本发明实施例一的真空蒸镀装置的剖面示意图；

图2是本发明实施例一的真空蒸镀装置的使用状态示意图；

图3是本发明实施例一的真空蒸镀方法的移动示意图；

图4是本发明实施例一的真空蒸镀方法的当需蒸镀基底与蒸发头相对静止时，蒸发源到基底距离不同时的膜厚分布模拟图；

图5是本发明实施例一的当需蒸镀基底与蒸发头相对运动时，蒸发源到基底距离不同时的膜厚分布模拟图；

图6是本发明实施例一的真空蒸镀装置的工作流程图；

图7是本发明实施例一的真空蒸发头的立体示意图；

图8是本发明实施例二的真空蒸镀装置的剖面示意图；

图9是本发明实施例二的真空蒸镀装置的移动示意图。

具体实施方式

真空蒸发镀膜法也称真空蒸镀，它的原理是加热待形成薄膜的原材料，使其原子或分子从表面气化逸出，形成蒸汽流，入射到基底(衬底或基片)表面，凝结形成固态薄膜。蒸镀工艺被广泛地应用在电子器件的镀膜生产过程中。

如背景技术所述，发明人研究发现，现有真空蒸镀装置因为需蒸镀基底较大，因此需要同样较大的掩模板，使得掩模板易发生形变，并产生产品的分辨率较低、张网精度较低以及蒸镀过程耗时较长的问题。同时，在真空蒸镀过程中，在需蒸镀基底上获得均匀薄膜，不仅是镀膜的关键，也是制备器件的关键，然而现有的真空蒸镀装置所形成的薄膜均匀性还不够理想。

基于上述研究，本发明通过设置多个喷射方向不同且喷射方向互不相交的喷嘴在蒸发头上，实现同时蒸镀多张需蒸镀基底，从而提高了产能。另外，通过采用了掩模板的尺寸小于需蒸镀基底的尺寸的方案，有利于提高分辨率和张网精度。此外，通过调整蒸发头到需蒸镀基底之间的距离以及蒸发头、掩模板和需蒸镀基底之间的相对运动来提高蒸镀后薄膜均匀性。

以下结合附图和具体实施例对本发明的蒸发头、真空蒸镀装置及真空蒸镀方法作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。

实施例一

图1为本实施例的真空蒸镀装置的剖面示意图。如图1所示，本实施例公开了一种真空蒸镀装置，所述真空蒸镀装置包括蒸镀室1。蒸镀室1可通过内部排气而维持在真空状态下，用于提供将蒸镀材料蒸镀到基底上的环境。

所述真空蒸镀装置还包括蒸发源7。蒸发源7可设置在蒸镀室1外，用于将固态蒸镀材料加热转换为气态蒸镀材料。蒸发源7的数量可以是一个也可以是多个。本实施例中，真空蒸镀装置包括一个蒸发源7。

所述真空蒸镀装置还包括输送管8。输送管8连接所述蒸发源7和所述蒸发头2，用于向所述蒸发头输送气态蒸镀材料。可以是一个输送管8连接一个蒸发源7，也可以是多个输送管8共同连接一个蒸发源7，还可以是多个输送管8连接多个蒸发源7，其中输送管数量至少与蒸发源数量相同。本实施例中，一个输送管8连接一个蒸发源7。

图7是本实施例的真空蒸发头的立体示意图，如图7所示，所述真空蒸镀装置还包括蒸发头2。所述蒸发头2包括蒸发头腔体21，还包括多个喷射方向不同且喷射方向互不相交的喷嘴。所述多个喷嘴与所述蒸发头腔体21连通。所述蒸发头腔体21例如是长方体、正方体、柱状结构、椭球状结构或球状结构。所述蒸发头腔体21相对设置的两个面上设置有若干通孔21a，所述蒸发头腔体21通过所述通孔21a与所述喷嘴连通。本实施例中，如图1所示，所述蒸发头2上设置有两个喷射方向相反且相互平行的喷嘴91和92，所述蒸发头2通过喷嘴喷射气态蒸镀材料，同时实现多张需蒸镀基底的蒸镀。所述喷嘴91、92均是由多块挡板例如是四块挡板围成的两端开口的结构，所述喷嘴91、92的一端固定在所述蒸发头腔体21上，蒸发头腔体21内的蒸镀材料经由通孔21a和喷嘴91、92喷出。可选的，所述蒸发头2内部还设置有一增压组件(图中未示出)，用于增加蒸镀材料喷射强度。

所述每个喷嘴的喷射方向上对应设置有一个掩模板固定机构和一个基底固定机构。所述掩模板固定机构，用于固定掩膜板并可带动所述掩膜板移动。所述基底固定机构，用于固定需蒸镀基底并可带动所述需蒸镀基底移动。本实施例中，喷嘴91对应方向设置有掩模板固定机构31和基底固定机构41；喷嘴92对应方向设置有掩模板固定机构32和基底固定机构42。掩模板固定机构31，用于固定掩膜板51并可带动所述掩膜板移动；掩模板固定机构32，用于固定掩膜板52并可带动所述掩膜板移动。基底固定机构41，用于固定需蒸镀基底61并可带动所述需蒸镀基底移动；基底固定机构42，用于固定需蒸镀基底62并可带动所述需蒸镀基底移动。其中，掩模板51和掩模板52的形状和尺寸可以完全相同，需蒸镀基底61和需蒸镀基底62的形状和尺寸可以完全相同。当然，掩模板51和掩模板52的形状和尺寸可以不相同，需蒸镀基底61和需蒸镀基底62的形状和尺寸也可以不相同。由上可知，本实施例可以同时蒸镀两个需蒸镀基底，提高了产能。

图2为本实施例的真空蒸镀装置的使用状态示意图，如图2所示，所述真空蒸镀装置还包括蒸发头固定机构10，用于固定蒸发头并可带动所述蒸发头移动。本实施例中，蒸发头2固定在蒸发头固定机构10上，蒸发头固定机构10垂直地面安装即蒸发头固定机构10沿Z方向安装且垂直于XY方向所限定的水平面，当然，蒸发头2可沿竖直方向上下伸缩移动(Z方向移动)，蒸发头2还可沿水平方向移动(X方向或Y方向移动)，蒸发头2还可进行扭动或摆动。

所述蒸发头2、掩模板51和需蒸镀基底61之间相互平行设置并可相对运动，同样，所述蒸发头2、掩模板52和需蒸镀基底62之间相互平行设置并可相对运动。本实施例中，如图1所示，所述掩模板和需蒸镀基底沿水平方向排列(均垂直于水平面)。所述喷嘴的喷射方向与对应设置的掩模板之间的夹角例如在45～90度之间。可通过调节掩模板固定机构31和基底固定机构41的位置和角度使得掩模板51和需蒸镀基底61水平排列且垂直水平面设置，同时，喷嘴91的喷射方向与掩模板51相互垂直，即喷嘴的喷射方向与对应设置的掩模板之间的夹角为90°；可通过调节掩模板固定机构32和基底固定机构42的位置和角度使得掩模板52和需蒸镀基底62水平排列且垂直水平面设置，同时，喷嘴92的喷射方向与掩模板52相互垂直，即喷嘴的喷射方向与对应设置的掩模板之间的夹角为90°。其中掩模板51和需蒸镀基底61的位置关系与掩模板52和需蒸镀基底62的位置关系完全相同。

图3为本实施例的真空蒸镀方法的移动示意图。如图3所示，本实施例中，需蒸镀基板61静止，蒸发头2、掩模板51和需蒸镀基板61相互平行设置，掩模板51和需蒸镀基板61上下移动(例如是由下向上匀速运动)；需蒸镀基板62静止，蒸发头2、掩模板52和需蒸镀基板62相互平行设置，掩模板51和需蒸镀基板61上下移动(例如是由下向上匀速运动)。

所述掩模板和需蒸镀基底均为长方形。所述掩模板长边的边长与需蒸镀基底长边的边长相同，且所述掩模板的短边的边长是需蒸镀基底短边的边长的1/n；或者，所述掩模板长边的边长是需蒸镀基底长边的边长的1/n，且所述掩模板的短边的边长与需蒸镀基底短边的边长相同。其中，n为大于1的整数。本实施例中，掩模板51长边的边长a1与需蒸镀基底61长边的边长b1相同，掩模板51的短边的边长a1’是需蒸镀基底短边的边长b1’的1/2；掩模板52长边的边长a2与需蒸镀基底62长边的边长b2相同，掩模板52的短边的边长a2’是需蒸镀基底短边的边长b2’的1/2。同时掩模板51和掩模板52形状相同，需蒸镀基底61和需蒸镀基底62形状相同。因此，掩模板51和掩模板52大小形状完全相同，需蒸镀基底61和需蒸镀基底62大小形状完全相同。

本实施例的真空蒸镀装置可以看出掩模板尺寸与现有技术相比明显缩小(传统的掩模板的形状和尺寸通常与需蒸镀基底的形状和尺寸完全相同)，这样可以有效改善掩模板形变的问题。并且，蒸镀工艺过程中由于掩模板尺寸的明显缩小，使得张网精度、对位精度和产品分辨率都得到了改善。

请继续参阅图4，图4为当需蒸镀基底与蒸发头相对静止时，蒸发源到基底距离不同时的膜厚分布模拟图，如图所示，

首先，膜厚均匀性为Max-Min(％)，,其满足如下关系式：

其中，Max和Min分别代表需蒸镀基底范围内膜厚的最大值和最小值。

本实施例中蒸发头2到需蒸镀基底61的距离h1，蒸发头2到需蒸镀基底62的距离h2，h1＝h2；需蒸镀基底61的面积s1，需蒸镀基底62的面积s2，s1＝s2。当需蒸镀基底静止时，无量纲H变化满足关系式：且取值分别为0.5、1、2和5，假设气体分子沿直线飞行，分子间不发生碰撞，气体分子沉积到需蒸镀基底上立即凝结，不发生再生发现象，通过蒙特卡罗方法模拟薄膜生长得出图4，从图4利用膜厚厚度均匀性的关系式可以看出，无量纲H取值不同的四种情况下，膜厚的均匀性的由差到好的顺序(H＝0.5)<(H＝1)<(H＝2)<(H＝5)。经试验发现，所述蒸发头到需蒸镀基底的距离与需蒸镀基底的面积之比在4～6之间效果较佳，尤其是当H＝5时蒸镀后的膜厚均匀性非常理想。

请继续参阅图5，图5为当需蒸镀基底与蒸发头相对运动时，蒸发源到基底距离不同时的膜厚分布模拟图，需蒸镀基底与蒸发头相对静止时的膜厚均匀性关系式同样适用于需蒸镀基底与蒸发头相对运动时的膜厚均匀性。当需蒸镀基底运动时，无量纲H变化且取值分别为0.5、1、2和5，假设气体分子沿直线飞行，分子间不发生碰撞，气体分子沉积到需蒸镀基底上立即凝结，不发生再生发现象，通过蒙特卡罗方法模拟薄膜生长得出图5，从图5利用膜厚厚度均匀性的关系式可以看出，无量纲H取值不同的四种情况下，膜厚的均匀性的由差到好的顺序(H＝0.5)<(H＝1)<(H＝2)<(H＝5)。同样，所述蒸发头到需蒸镀基底的距离与需蒸镀基底的面积之比在4～6之间效果较佳，尤其是当H＝5时蒸镀后的膜厚均匀性非常理想。

由图4和图5可以看出，需蒸镀基底与蒸发头相对运动时的膜厚均匀性比需蒸镀基底与蒸发头相对静止时膜厚均匀性好，尤其是当需蒸镀基底与蒸发头相对运动且H＝5时，蒸镀后的膜厚均匀性较佳。由上述可知，本实施例中的蒸发源、掩模板和需蒸镀基底的距离设定以及它们的相对运动，提高了蒸镀后的膜厚均匀性。

虽然本实施例中采用蒸发源沿竖直方向(Z方向)由下向上移动，也可以采用蒸发源竖直方向(Z方向)由上向下移动；或者，也可以采用蒸发源沿水平方向(X方向或Y方向)移动，例如是由右向左、由左向右、由前向后、由后向前移动。

虽然本实施例中采用喷嘴的喷射方向与对应设置的掩模板之间的夹角为90°相对运动，但实际上只要夹角满足夹角在45°～90°之间时效果均较为理想，当然本发明并不限制喷嘴的喷射方向与对应设置的掩模板之间的夹角，其也可以小于45°。

虽然本实施例中以采用蒸发源是包括两个喷嘴，实现同时蒸镀两张需蒸镀基底为例，然而本领域技术人员容易理解，也可以采用多个喷嘴，实现同时蒸镀多张需蒸镀基底；本实施例中两个喷嘴相互平行，然而本领域技术人员容易理解，蒸发源包括多个喷射方向不同且喷射方向互不相交的喷嘴，实现多张需蒸镀基底同时蒸镀。

虽然本实施例中采用两组相同的掩模板和需蒸镀基底，但实际上掩模板和需蒸镀基底的数量并不局限于上述描述，还可以设置三组、四组或更多组掩模板和需蒸镀基底，例如，蒸发头腔体21的一个面上可以仅设置有一组喷嘴，也可以在蒸发头腔体21的一个面上设置有两个朝向不同的喷嘴，这个面对应设置有两组掩模板和需蒸镀基底。当然，还可以有更多的变化形式，在此不一一列举。

并且，多组掩模板之间的尺寸可以相同也可以不相同，同理，多组需蒸镀基底的尺寸可以相同也可以不相同。

虽然本实施例中采用需蒸镀基底静止，蒸发头和掩模板运动的方式，然而本领域技术人员容易理解，满足蒸发头、掩模板和需蒸镀基底相对运动的方式还有，可以采用蒸发头和掩模板静止，需蒸镀基底运动的方式；或者，可以采用掩模板静止，蒸发头和需蒸镀基底相向运动的方式；或者，可以采用蒸发头静止，掩模板和需蒸镀基底相向运动的方式等。当然，还可以有更多的变化形式，在此不一一列举。

本实施例还提供一种真空蒸镀方法，包括以下步骤：

蒸镀室通过内部排气而维持在真空状态下，蒸发源将蒸镀材料由固态加热转换为气态，输送管将气态的蒸镀材料输送至蒸发头，经由蒸发头的多个喷嘴喷出。该真空蒸镀方法可以同时蒸镀多张需蒸镀基底，提高产能。可以理解的是，蒸发源具有的喷嘴与对应的掩模板和需蒸镀基底越多，同时可实现的同时蒸镀的需蒸镀基底越多，产能越高。

图6是本实施例的真空蒸镀方法的工作流程图。下面结合图6详细介绍本实施例的真空蒸镀装置的工作方法。

步骤1：固定掩膜板，即将掩模板固定在掩模板固定机构上，并对掩膜板进行对位，对位成功进入下一步，对位失败返回上一步骤进行再对位或者卸载掩模板重新加载一个掩模板。

其中掩模板51长边的边长a1与需蒸镀基底61长边的边长b1相同，掩模板51的短边的边长a1’是需蒸镀基底短边的边长b1’的1/2；掩模板52长边的边长a2与需蒸镀基底62长边的边长b2相同，掩模板52的短边的边长a2’是需蒸镀基底短边的边长b2’的1/2。同时掩模板51和掩模板52形状相同，需蒸镀基底61和需蒸镀基底62形状相同。即，掩模板51和掩模板52大小形状完全相同，需蒸镀基底61和需蒸镀基底62大小形状完全相同。

步骤2：固定需蒸镀基底，将需蒸镀基底与掩膜板进行对位，对位成功进入下一步，对位失败返回上一步骤进行再对位或者卸载需蒸镀基底重新加载一个需蒸镀基底。所述蒸发头到需蒸镀基底的距离与需蒸镀基底的面积之比在4～6之间，蒸镀后的膜厚均匀性较佳，本实施例中蒸发头到需蒸镀基底的距离与需蒸镀基底的面积之比是5时，蒸镀后的膜厚均匀性较佳。

步骤3：加热蒸发源7。蒸发源的数量可以是一个或多个。

步骤4：蒸发头、掩模板和需蒸镀基底例如是相互平行设置，且蒸发头、掩模板以及需蒸镀基底三者之间进行相对运动，同时，气态的蒸镀材料输送至蒸发头并经由蒸发头的多个喷嘴喷出至掩模板以对需蒸镀基底进行扫描蒸镀，其中喷嘴的喷射方向与掩模板之间的夹角的优选的在45～90度之间。

步骤5：卸载蒸镀后基底。

如上所述，多张需蒸镀基底可以同时按照以上流程在同一个蒸镀室内进行蒸镀。

实施例二

图8为本实施例的真空蒸镀装置的剖面示意图。如图8所示，本实施例与实施例一的区别在于，一方面，所述真空蒸镀装置中的蒸发头2平行于地面(水平面)安装，蒸发头2固定在蒸发头固定机构10上，蒸发头固定机构10平行地面，蒸发头固定机构10可带动蒸发头2沿水平方向(如X方向)移动，且蒸发头2可进行转动或摆动；另一方面，掩模板51和需蒸镀基底61相互平行且平行于地面放置(即沿竖直方向排列)，同样，掩模板52和需蒸镀基底62相互平行且平行于地面放置。

请继续参阅图9，图9为本实施例的真空蒸镀装置的移动示意图，如图9所示，本实施例与实施例一的区别在于，本实施例中蒸发头2、掩模板51和需蒸镀基板61沿X方向相互平行。蒸发头2静止，掩模板52和需蒸镀基板62反方向平行匀速运动即掩模板52沿X方向由左向右匀速运动，需蒸镀基板62沿X方向由右向左匀速运动。与实施例一相比，提供了蒸发头、掩模版、需蒸镀基底的另一种安装固定方式。另外，实施例一中的各部件的尺寸关系、位置关系以及相对运动对实施例二同样适用，在此不复赘述。

综上所述，采用本发明的真空蒸镀装置及其蒸发头、真空蒸镀方法，可使多张需蒸镀基底同时蒸镀，同时解决掩模板较大引起的形变问题，提高产品分辨率使产品有更好的竞争力。根据所需的应用及期望的效果，可以根据实施例一和实施例二进行任意的组合，均在本发明的保护范围之内。

上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何限定，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。

Claims (13)

1.一种真空蒸镀装置，其特征在于，包括：

蒸发头，所述蒸发头包括蒸发头腔体以及多个喷射方向不同且喷射方向互不相交的喷嘴，所述多个喷嘴均与所述蒸发头腔体连通；

蒸发头固定机构，用于固定蒸发头并可带动所述蒸发头移动；

掩模板固定机构，用于固定掩膜板并可带动所述掩膜板移动；

基底固定机构，用于固定需蒸镀基底并可带动所述需蒸镀基底移动；

其中，所述掩模板的尺寸小于所述需蒸镀基底的尺寸，且所述蒸发头、掩模板以及需蒸镀基底三者之间能够进行相对运动。

2.如权利要求1所述的真空蒸镀装置，其特征在于，所述喷嘴的数量为两个，两个所述喷嘴的喷射方向相反。

3.如权利要求1所述的真空蒸镀装置，其特征在于，所述蒸发头腔体是长方体、正方体、柱状结构、椭球状结构或球状结构，所述喷嘴是由多块挡板围成的两端开口的结构，所述喷嘴的一端固定在所述蒸发头腔体上，所述喷嘴的另一端朝向对应设置的需蒸镀基底，通过设置于所述蒸发头腔体上的通孔使所述多个喷嘴均与所述蒸发头腔体连通。

4.如权利要求1所述的真空蒸镀装置，其特征在于，还包括设置于所述蒸发头腔体内的增压组件，用于增加蒸镀材料的喷射强度。

5.如权利要求1所述的真空蒸镀装置，其特征在于，还包括：

蒸发源，用于将固态蒸镀材料转换为气态蒸镀材料；

蒸镀室，用于提供将气态蒸镀材料蒸镀到需蒸镀基底上的环境；以及

输送管，连接所述蒸发源和所述蒸发头，用于向所述蒸发头输送气态蒸镀材料。

6.如权利要求1所述的真空蒸镀装置，其特征在于，所述每个喷嘴的喷射方向上对应设置有一个掩模板固定机构和一个基底固定机构。

7.如权利要求1所述的真空蒸镀装置，其特征在于，所述掩模板、需蒸镀基底、蒸发头之间相互平行设置。

8.如权利要求1所述的真空蒸镀装置，其特征在于，所述掩模板与需蒸镀基底均垂直于水平面或平行于水平面。

9.如权利要求1所述的真空蒸镀装置，其特征在于，所述喷嘴的喷射方向与对应设置的掩模板之间的夹角在45～90度之间。

10.如权利要求1至9中任一项所述的真空蒸镀装置，其特征在于，所述掩模板和需蒸镀基底均为长方形；

所述掩模板长边的边长与需蒸镀基底长边的边长相同，且所述掩模板短边的边长是需蒸镀基底短边的边长的1/n；或者，所述掩模板长边的边长是需蒸镀基底长边的边长的1/n，且所述掩模板短边的边长与需蒸镀基底短边的边长相同；

其中，n为大于1的整数。

11.如权利要求1至9中任一项所述的真空蒸镀装置，其特征在于，所述蒸发头到需蒸镀基底的距离与需蒸镀基底的面积之比在4～6之间。

12.一种真空蒸镀方法，其特征在于，包括：蒸镀室维持在真空状态下，蒸发源将固态蒸镀材料转换为气态蒸镀材料，输送管将气态蒸镀材料输送至蒸发头，所述蒸发头、掩模板以及需蒸镀基底三者之间进行相对运动，同时，所述气态蒸镀材料输送至蒸发头并经由所述蒸发头的多个喷嘴喷至掩模板，以对所述需蒸镀基底进行扫描蒸镀；

其中，所述蒸发头包括蒸发头腔体以及多个喷射方向不同且喷射方向互不相交的喷嘴，所述多个喷嘴均与所述蒸发头腔体连通，且所述掩模板的尺寸小于所述需蒸镀基底的尺寸。

13.如权利要求12所述的真空蒸镀方法，其特征在于，所述喷嘴的喷射方向与对应设置的掩模板之间的夹角在45～90度之间。