CN111663104A - 蒸镀系统及蒸镀方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种蒸镀系统及蒸镀方法,通过在真空腔室中,将蒸镀源垂直设置,将多个基板设置在深蒸镀源的两侧,进而可以对两侧的基板进行蒸镀,可以提高生产节拍,降低生产成本,提高产品质量。并且本发明将真空腔室设置成多个子真空腔室,可以进一步的对多块基板进行蒸镀,且通过使用一个蒸镀源进行不同子真空腔室的蒸镀,减小了成本。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种蒸镀系统及蒸镀方法。
背景技术
有机电致发光显示器(OLED)的发光层的制备通过蒸镀工艺来完成,目前蒸镀机台设计通常为多层膜层结构在同一个腔室内蒸镀完成。因为蒸镀需要真空环境,每次更换补充材料就需要很长时间,尤其是金属镀膜腔室,都是高温点源,并且每次只能蒸镀一片基板,这会影响生产节拍的提高。在同一个腔室蒸镀多种材料,也容易造成相互之间的交叉污染,影响器件的品质。
因此,急需提供一种蒸镀系统及蒸镀方法,可以提高生产节拍,降低生产成本,提高产品质量。
发明内容
为了解决上述技术问题,本发明提供一种蒸镀系统及蒸镀方法,可以提高生产效率,降低生产成本,提高产品质量。
具体地,为了实现上述方法,本发明提供一种蒸镀系统,包括:搬运装置,用以承载并搬运待蒸镀的多个基板;第一真空腔室,用以接受所述基板并垂直蒸镀所述基板;所述第一真空腔室包括:第一进口,所述搬运装置水平搬运所述基板至所述第一进口;翻转装置,用以将所述基板由水平状态翻转为竖直状态;蒸发源,垂直设于所述第一真空腔室的中间,翻转后的基板与所述蒸发源平行设置且设于所述蒸发源的两侧;以及第一出口,将蒸镀好的基板运送出所述第一出口;其中,所述蒸发源的两侧具有喷射出口,所述喷射出口的中心与所述基板中心位置一致,用以对位于所述蒸发源两侧的基板同时进行蒸镀。
进一步地,所述搬运装置包括:导轨;载物台,滑动连接所述导轨。
进一步地,所述的蒸镀系统还包括对位系统,用以将待蒸镀的所述基板与第一掩膜板进行对位,然后放置在所述载物台上并与所述载物台贴合。
进一步地,所述基板与所述搬运装置在所述第一真空腔室为竖直状态;所述基板与所述搬运装置在未进入所述第一真空腔室为水平状态。
进一步地,所述的蒸镀系统还包括:交换装置,用以接收从所述第一出口蒸镀好的基板,并将所述基板的第一掩膜板更换为第二掩膜板,进行对位并传送至第二真空腔室并再次蒸镀;所述第二真空腔室包括:第二进口,用以接收所述更换为第二掩膜板的所述基板;翻转装置,用以将所述多个基板由水平状态翻转为竖直状态;蒸发源,垂直设于所述第二真空腔室的中间,翻转后的基板与所述蒸发源平行设置且设于所述蒸发源的两侧;以及第二出口,用以将蒸镀好的基板运送出所述第二出口。
进一步地,所述蒸发源包括:喷嘴,设于所述喷射出口处;主体结构,所述主体结构内设有蒸镀材料、加热系统以及水冷系统;导流装置,设于所述主体结构上,用以将加热后的蒸镀材料输送所述喷嘴。
进一步地,所述导流装置垂直或平行于所述主体结构。
进一步地,所述第一真空腔室内包括多个子真空腔室;所述多个子真空腔室通过铺设导轨相互连通;所述蒸发源滑动连接至所述导轨上,用以在所述子真空腔室进行蒸镀。
进一步地,所述水冷系统包括一进水口以及一出水口;所述进水口以及所述出水口的水流速度相同,用以将所述水冷系统保持在一个动态平衡的状态。
本发明还提供一种蒸镀方法,包括:提供所述的蒸镀系统;将待蒸镀的基板与所述第一掩膜板进行对位并与所述载物台一起贴合在一起;将所述基板传送至所述第一真空腔室的多个子真空腔室中,所述基板平行设置于所述蒸发源的两侧;在多个子真空腔室移动所述蒸发源,对所述基板进行蒸镀。
本发明的有益效果是:本发明提供一种蒸镀系统及蒸镀方法,通过在真空腔室中,将蒸镀源垂直设置,将多个基板设置在深蒸镀源的两侧,进而可以对两侧的基板进行蒸镀,可以提高生产节拍,降低生产成本,提高产品质量。并且本发明将真空腔室设置成多个子真空腔室,可以进一步的对多块基板进行蒸镀,且通过使用一个蒸镀源进行不同子真空腔室的蒸镀,减小了成本。
附图说明
下面结合附图,通过对本发明的具体实施方式详细描述,将使本发明的技术方案及其它有益效果显而见。
图1为本发明提供的蒸镀系统的平面示意图。
图2为本发明提供的基板、掩膜板以及载物台贴合的结构示意图。
图3为本发明提供的第一真空腔室的透视图;
图4为本发明提供的蒸发源的结构示意图。
图5为本发明提供的喷嘴的平面图。
图6为本发明提供的蒸发源双侧蒸镀的结构示意图。
图7为本发明提供的垂直结构的第一真空腔室的透视图。
图8为本发明提供的基板与搬运装置垂直状态下的结构示意图。
图9为本发明提供的第二真空腔室的平面示意图。
蒸镀系统100;基板10;掩膜板11;
搬运装置101;第一真空腔室102;导轨1011;
载物台1012;蒸发源1022;喷嘴1024;
主体结构1022-1;导流装置1022-2;
子真空腔室1021;加热系统1022-3;水冷系统1022-4;
进水口1022-5;出水口1022-6;喷射出口1022-7;
导轨1023;第二真空腔室103。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开,下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然,它们仅仅为示例,并且目的不在于限制本发明。此外,本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母,这种重复是为了简化和清楚的目的,其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外,本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子,但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
如图1所示,本发明提供一种蒸镀系统100,包括:搬运装置101、第一真空腔室102、对位系统。
如图2所示,所述对位系统用以将待蒸镀的基板10与第一掩膜板11进行对位,然后放置在所述载物台1012上并与所述载物台1012贴合。
所述搬运装置101用以承载并搬运待蒸镀的基板10。所述搬运装置101包括:导轨1011以及载物台1012。
所述载物台1012滑动连接所述导轨1011。在图1中,由于基板10设置在载物台1012的上方,因此俯视图并未显示载物台1012。
继续参照图1所示,在一实施例中,所述第一真空腔室102包括多个子真空腔室1021。
所述多个子真空腔室1021通过铺设导轨1023(参照图3标记1023)相互连通;所述蒸发源1022滑动连接至所述导轨1023上,用以在多个子真空腔室1021进行蒸镀。
每个子真空腔室1021的两侧皆垂直设置多个待蒸镀基板10,所述第一真空腔室102的蒸发源1022在多个子真空中进行移动,分别对每个子真空腔室1021两侧的基板10进行蒸镀,可以更快的对基板10进行蒸镀,提高生产节拍,降低生产成本,提高产品质量。
如图3所示,所述第一真空腔室102用以接受所述基板10并垂直蒸镀所述多个基板10。所述第一真空腔室102包括:第一进口、翻转装置、蒸发源1022以及第一出口。
所述搬运装置101水平搬运多个基板10至所述第一进口。
所述翻转装置用以将所述多个基板10由水平状态翻转为竖直状态,。
所述蒸发源1022垂直设于所述第一真空腔室102的中间,翻转后的基板10与所述蒸发源1022平行设置且设于所述蒸发源1022的两侧。
所述蒸发源1022的两侧具有喷射出口1022-7,用以对两侧的基板10同时进行蒸镀,这样可以增加蒸镀效率。所述喷射出口的中心与所述基板10的中心位置一致。最后将蒸镀好的基板10运送出所述第一出口。
同时参照图4所示,所述蒸发源1022包括:喷嘴1024、主体结构1022-1以及导流装置1022-2。
同时参照图5以及图6所示,所述喷嘴1024设于所述喷射出口处。所述喷嘴1024的开口角度可调节,用于调节蒸镀角。
图5位部分的喷嘴1024俯视图,喷嘴1024对准所述基板10的蒸镀面,图5只是展示了单侧的蒸镀。图6为本发明的发明点的双侧蒸镀示意图,喷嘴1024对着两侧的基板10进行蒸镀,这可以提高蒸镀效率。
继续参照图4所示,所述主体结构1022-1内设有蒸镀材料、加热系统1022-3以及水冷系统1022-4。
所述导流装置1022-2设于所述主体结构1022-1上,用以将加热后的蒸镀材料输送喷嘴1024。
所述导流装置1022-2垂直或平行于所述主体结构1022-1。
若所述导流装置1022-2平行所述主体结构1022-1,则所述蒸发源1022为线源。此时的结构若可以覆盖整个基板10,则可以固定所述蒸发源1022;若尺寸不够,则在蒸镀的时候需要一边移动一边蒸镀,这样可以蒸镀整个基板10。
如图7所示,若所述导流装置1022-2垂直所述主体结构1022-1,则所述蒸发源1022为线源,该蒸发源1022结构的设计尺寸小,材料利用率更高,成本更低。
在其他实施例中,所述蒸发源1022还可以为线源。
所述加热系统1022-3包括加热电阻,用以加热产生热量。
所述水冷系统1022-4包括一进水口1022-5以及一出水口1022-6;所述进水口1022-5以及所述出水口1022-6的水流速度相同,用以将所述水冷系统1022-4保持在一个动态平衡的状态。
所述基板10与所述搬运装置101在未进入所述第一真空腔室102为水平状态。通过所述翻转装置翻转后,如图8所示,所述基板10与所述搬运装置101在所述第一真空腔室102为竖直状态。
如图9所示,在一实施例中,所述蒸镀系统100还包括交换装置以及第二真空腔室103。
所述交换装置用以接收从所述第一出口蒸镀好的基板10,并将第一掩膜板11更换为第二掩膜板。通过所述对位系统再次进行对位贴合,并传送至第二真空腔室103并再次蒸镀。在第二真空腔室蒸镀的膜层与在第一真空腔室102蒸镀的膜层不同。
因此,在一条生产线中,所述第二真空腔室103设置在所述第一真空腔室102的下游。
所述第二真空腔室103包括:第二进口、翻转装置、蒸发源1022以及第二出口。
所述第二进口用以接收所述更换为第二掩膜板的基板10。
所述翻转装置用以将所述多个基板10由水平状态翻转为竖直状态。
所述蒸发源1032垂直设于所述第二真空腔室的中间,翻转后的基板10与所述蒸发源1032平行设置且设于所述蒸发源1032的两侧。
所述蒸发源1032的具体结构参照所述第一真空腔室102的蒸发源1022结构。
所述第二出口用以将蒸镀好的基板10运送出所述第二出口。所述第一真空腔室103包括多个子真空腔室1031。所述多个子真空腔室1031通过铺设导轨相互连通;所述蒸发源1032滑动连接至所述导轨上,用以在多个子真空腔室1031进行蒸镀。
本发明提供一种蒸镀系统100,通过在真空腔室中,将蒸镀源垂直设置,将多个基板10设置在深蒸镀源的两侧,进而可以对两侧的基板10进行蒸镀,可以提高生产节拍,降低生产成本,提高产品质量。并且本发明将真空腔室设置成多个子真空腔室,可以进一步的对多块基板10进行蒸镀,且通过使用一个蒸镀源进行不同子真空腔室的蒸镀,减小了成本。
本发明还提供一种蒸镀方法,包括如下步骤。
提供如所述的蒸镀系统100。
将待蒸镀的基板10与所述第一掩膜板11进行对位并与所述载物台1012一起贴合在一起。
将所述基板10传送至所述第一真空腔室102的多个子真空腔室中,所述基板10平行设置于所述蒸发源1022的两侧。
在多个子真空腔室移动所述蒸发源1022,对所述基板10进行蒸镀。
蒸镀结束后,移出第一出口后,对基板10进行翻转复位,使基板10水平放置。
将第一掩膜板更换第二掩膜板,后将第二掩膜板与基板10对位并与载物台1012贴合。
将基板10传送至所述第二真空腔室中,分别垂直设置在所述第二真空腔室的两侧,移动蒸发源1022,再次对基板10进行蒸镀。
本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的技术方案及其核心思想;本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例的技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种蒸镀系统,其特征在于,包括:
搬运装置,用以承载并搬运待蒸镀的多个基板;
第一真空腔室,用以接受所述基板并垂直蒸镀所述基板;
所述第一真空腔室包括:
第一进口,所述搬运装置水平搬运所述基板至所述第一进口;
翻转装置,用以将所述基板由水平状态翻转为竖直状态;
蒸发源,垂直设于所述第一真空腔室的中间,翻转后的基板与所述蒸发源平行设置且设于所述蒸发源的两侧;以及
第一出口,将蒸镀好的基板运送出所述第一出口;
其中,所述蒸发源的两侧具有喷射出口,所述喷射出口的中心与所述基板的中心位置一致,用以对位于所述蒸发源两侧的基板同时进行蒸镀。
2.如权利要求1所述的蒸镀系统,其特征在于,
所述搬运装置包括:
导轨;
载物台,滑动连接所述导轨。
3.如权利要求2所述的蒸镀系统,其特征在于,还包括
对位系统,用以将待蒸镀的所述基板与第一掩膜板进行对位,然后放置在所述载物台上并与所述载物台贴合。
4.如权利要求2所述的蒸镀系统,其特征在于,
所述基板与所述搬运装置在所述第一真空腔室为竖直状态;
所述基板与所述搬运装置在未进入所述第一真空腔室为水平状态。
5.如权利要求1所述的蒸镀系统,其特征在于,还包括:
交换装置,用以接收从所述第一出口蒸镀好的基板,并将所述基板的第一掩膜板更换为第二掩膜板,进行对位并传送至第二真空腔室并再次蒸镀;
所述第二真空腔室包括:
第二进口,用以接收更换为第二掩膜板的所述基板;
翻转装置,用以将所述基板由水平状态翻转为竖直状态;
蒸发源,垂直设于所述第二真空腔室的中间,翻转后的基板与所述蒸发源平行设置且设于所述蒸发源的两侧;以及
第二出口,用以将蒸镀好的基板运送出所述第二出口。
6.如权利要求1所述的蒸镀系统,其特征在于,
所述蒸发源包括:
喷嘴,设于所述喷射出口处;
主体结构,所述主体结构内设有蒸镀材料、加热系统以及水冷系统;
导流装置,设于所述主体结构上,用以将加热后的蒸镀材料输送至所述喷嘴。
7.如权利要求6所述的蒸镀系统,其特征在于,
所述导流装置垂直或平行于所述主体结构。
8.如权利要求1所述的蒸镀系统,其特征在于,
所述第一真空腔室内包括多个子真空腔室;
所述子真空腔室通过铺设导轨相互连通;
所述蒸发源滑动连接至所述导轨上,用以在所述子真空腔室进行蒸镀。
9.如权利要求6所述的蒸镀系统,其特征在于,
所述水冷系统包括一进水口以及一出水口;
所述进水口以及所述出水口的水流速度相同,用以将所述水冷系统保持在一个动态平衡的状态。
10.一种蒸镀方法,其特征在于,包括:
提供如权利要求1~9任一项所述的蒸镀系统;
将待蒸镀的基板与所述第一掩膜板进行对位并与所述载物台一起贴合在一起;
将所述基板传送至所述第一真空腔室的多个子真空腔室中,所述基板平行设置于所述蒸发源的两侧;
在多个子真空腔室移动所述蒸发源,对所述基板进行蒸镀。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112289711A (zh) * | 2020-10-23 | 2021-01-29 | 西北工业大学 | 用于生长半导体薄膜的低温型衬底加热台及其制作方法 |
CN114438456A (zh) * | 2021-12-24 | 2022-05-06 | 重庆金美新材料科技有限公司 | 一种轻质、高导电薄膜的制备装置和制备工艺 |
CN114875363A (zh) * | 2022-03-24 | 2022-08-09 | 广州华星光电半导体显示技术有限公司 | 蒸镀装置及显示面板的制作方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20120064728A1 (en) * | 2010-09-15 | 2012-03-15 | Jeong-Ho Yi | Substrate depositing system and depositing method using the same |
CN102421933A (zh) * | 2009-05-07 | 2012-04-18 | 韩商Snu精密股份有限公司 | 薄膜沉积装置及其系统 |
CN103361606A (zh) * | 2012-03-29 | 2013-10-23 | 株式会社日立高新技术 | 有机el器件制造装置以及有机el器件制造方法 |
JP2016130367A (ja) * | 2015-01-14 | 2016-07-21 | エスエヌユー プレシジョン カンパニー リミテッドSnu Precision Co., Ltd. | 有機発光素子製造用クラスタータイプの蒸着装置 |
CN107201501A (zh) * | 2014-02-04 | 2017-09-26 | 应用材料公司 | 在由载具支撑的基板上沉积一层或多层的系统及方法 |
CN206570394U (zh) * | 2017-01-23 | 2017-10-20 | 南京高光半导体材料有限公司 | 双排式高效线性蒸发源 |
CN109997241A (zh) * | 2016-11-28 | 2019-07-09 | 应用材料公司 | 具有多个源喷射方向的蒸发源 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101667630A (zh) * | 2008-09-04 | 2010-03-10 | 株式会社日立高新技术 | 有机el设备制造装置和其制造方法以及成膜装置和成膜方法 |
KR101097737B1 (ko) * | 2009-03-31 | 2011-12-22 | 에스엔유 프리시젼 주식회사 | 박막 증착 장치와 박막 증착 방법 및 박막 증착 시스템 |
KR101932943B1 (ko) * | 2014-12-05 | 2018-12-27 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 재료 증착 시스템 및 재료 증착 시스템에서 재료를 증착하기 위한 방법 |
CN109154067A (zh) * | 2017-04-28 | 2019-01-04 | 应用材料公司 | 在基板上沉积一种或多种材料的真空系统和方法 |
WO2018197010A1 (en) * | 2017-04-28 | 2018-11-01 | Applied Materials, Inc. | Vacuum system and method for depositing a plurality of materials on a substrate |
KR102395754B1 (ko) * | 2017-11-20 | 2022-05-06 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 기판을 프로세싱하기 위한 기판 지지부, 진공 프로세싱 장치 및 기판 프로세싱 시스템 |
CN108570645B (zh) * | 2017-11-30 | 2023-09-29 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 真空蒸镀装置及其蒸发头、真空蒸镀方法 |
JP6754474B2 (ja) * | 2019-06-25 | 2020-09-09 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 成膜装置、蒸着膜の成膜方法および有機el表示装置の製造方法 |
-
2020
- 2020-06-24 CN CN202010590351.8A patent/CN111663104A/zh active Pending
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- 2020-07-22 WO PCT/CN2020/103398 patent/WO2021258473A1/zh active Application Filing
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102421933A (zh) * | 2009-05-07 | 2012-04-18 | 韩商Snu精密股份有限公司 | 薄膜沉积装置及其系统 |
US20120064728A1 (en) * | 2010-09-15 | 2012-03-15 | Jeong-Ho Yi | Substrate depositing system and depositing method using the same |
CN103361606A (zh) * | 2012-03-29 | 2013-10-23 | 株式会社日立高新技术 | 有机el器件制造装置以及有机el器件制造方法 |
CN107201501A (zh) * | 2014-02-04 | 2017-09-26 | 应用材料公司 | 在由载具支撑的基板上沉积一层或多层的系统及方法 |
JP2016130367A (ja) * | 2015-01-14 | 2016-07-21 | エスエヌユー プレシジョン カンパニー リミテッドSnu Precision Co., Ltd. | 有機発光素子製造用クラスタータイプの蒸着装置 |
CN109997241A (zh) * | 2016-11-28 | 2019-07-09 | 应用材料公司 | 具有多个源喷射方向的蒸发源 |
CN206570394U (zh) * | 2017-01-23 | 2017-10-20 | 南京高光半导体材料有限公司 | 双排式高效线性蒸发源 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112289711A (zh) * | 2020-10-23 | 2021-01-29 | 西北工业大学 | 用于生长半导体薄膜的低温型衬底加热台及其制作方法 |
CN112289711B (zh) * | 2020-10-23 | 2024-04-26 | 西北工业大学 | 用于生长半导体薄膜的低温型衬底加热台及其制作方法 |
CN114438456A (zh) * | 2021-12-24 | 2022-05-06 | 重庆金美新材料科技有限公司 | 一种轻质、高导电薄膜的制备装置和制备工艺 |
CN114875363A (zh) * | 2022-03-24 | 2022-08-09 | 广州华星光电半导体显示技术有限公司 | 蒸镀装置及显示面板的制作方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20220190305A1 (en) | 2022-06-16 |
WO2021258473A1 (zh) | 2021-12-30 |
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