CN111148860A - 蒸镀粒子射出装置及蒸镀装置、以及蒸镀膜制造方法 - Google Patents

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Abstract

蒸镀粒子射出装置(1)具备：第二蒸镀源(20)、及在Y轴方向上夹着第二蒸镀源的第一蒸镀源(10)和第三蒸镀源(30)。在第一蒸镀源及第三蒸镀源中，在X轴方向上排列着朝向第二蒸镀源倾斜的多个喷嘴(12、31)。在第二蒸镀源中，在X轴方向上排列着朝向第一蒸镀源倾斜的多个喷嘴(23)和朝向第三蒸镀源倾斜的多个喷嘴(22)。

Description

蒸镀粒子射出装置及蒸镀装置、以及蒸镀膜制造方法
技术领域
本发明涉及一种在主体与掺杂物的共蒸镀中使用的蒸镀粒子射出装置、及具有该蒸镀粒子射出装置的蒸镀装置、以及使用上述蒸镀粒子射出装置的蒸镀膜制造方法。
背景技术
在具有发光元件的EL(Electro luminescence；电致发光)显示装置等平板显示器中，构成发光元件的设于一对电极间的发光层的形成通常使用真空蒸镀法。
至于发光层中所使用的蒸镀材料，一般情况下为了提高发光效率而由承担传输空穴及电子的主体、及承担发光的掺杂物的2成分系统形成。理想的是掺杂物均匀地分散于作为主成分的主体中。
主体与掺杂物从相互不同的蒸镀源射出。在各蒸镀源设有喷嘴，所述喷嘴具有射出这些蒸镀材料的射出口。这些蒸镀材料通过从各蒸镀源朝向被成膜基板分别同时射出而进行共蒸镀，在被成膜基板上形成包含两种材料的蒸镀膜作为发光层。(例如参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本公开专利公报“日本专利特开2012-146658号(2012年8月2日公开)”
发明内容
本发明所要解决的技术问题
掺杂物相对于主体的混合比率通常小至1～20％。主体与掺杂物的混合比率通常通过成膜速率来进行调整。因此，对于掺杂物用蒸镀源，与主体用蒸镀源相比而言，成膜速率低，且与主体用蒸镀源相比而言，蒸发源的内压变低。
如果蒸镀源的内压不充分，则膜厚分布并不变均匀。因此，如果想确保与主体用蒸镀源的内压为同等程度的掺杂物用蒸镀源的内压，则需要使掺杂物用蒸镀源的喷嘴直径比主体用蒸镀源的喷嘴直径小。
然而，若喷嘴直径变小，则自蒸镀源射出的蒸镀流的指向性变高。其结果，成为对蒸镀流的指向性相对低的主体与蒸镀流的指向性相对高的掺杂物进行混合，从而造成主体与掺杂物的混合变得不均匀。
本发明是鉴于上述问题点而成者，其目的在于提供在将主体与掺杂物共蒸镀时，可使掺杂物均匀地分散于主体中的蒸镀粒子射出装置及蒸镀装置、以及蒸镀膜制造方法。
解决问题的方案
为了解决上述课题，本发明的一形态所涉及的蒸镀粒子射出装置的特征在于，将掺杂物射出为蒸镀粒子的掺杂物用蒸镀源、及将主体射出为蒸镀粒子的第一主体用蒸镀源和第二主体用蒸镀源，以通过第一主体用蒸镀源与第二主体用蒸镀源夹着掺杂物用蒸镀源的方式并列配置于第一方向上，在上述第一主体用蒸镀源中，朝向上述掺杂物用蒸镀源倾斜的多个第一喷嘴沿着与上述第一方向正交的第二方向而排列为线状，在上述第二主体用蒸镀源中，朝向上述掺杂物用蒸镀源倾斜的多个第二喷嘴沿着上述第二方向而排列为线状，在上述掺杂物用蒸镀源中，朝向上述第一主体用蒸镀源倾斜的多个第三喷嘴和朝向上述第二主体用蒸镀源倾斜的多个第四喷嘴分别沿着上述第二方向而排列为线状。
为了解决上述课题，本发明的一形态所涉及的蒸镀装置具备本发明的一形态所涉及的上述蒸镀粒子射出装置，其特征在于，在将上述蒸镀粒子射出装置与被成膜基板对置配置的状态下，一面使上述蒸镀粒子射出装置及上述被成膜基板的至少一者，沿着上述第一方向相对于另一者而相对移动，一面进行上述主体与上述掺杂物的共蒸镀。
为了解决上述课题，本发明的一形态所涉及的蒸镀膜制造方法是在被成膜基板上制造包含主体与掺杂物的蒸镀膜的蒸镀膜制造方法，其特征在于，在将本发明的一形态所涉及的上述蒸镀粒子射出装置与被成膜基板对置配置的状态下，一面使上述蒸镀粒子射出装置及上述被成膜基板的至少一者，沿着上述第一方向相对于另一者而相对移动，一面进行上述主体与上述掺杂物的共蒸镀。
发明效果
根据本发明的一形态，可提供在对主体与掺杂物进行共蒸镀时，可使掺杂物均匀地分散于主体中的蒸镀粒子射出装置及蒸镀装置、以及蒸镀膜制造方法。
附图说明
图1的(a)是示出本发明的第一实施方式所涉及的蒸镀粒子射出装置的概略结构的透视图，(b)是示出本发明的第一实施方式所涉及的蒸镀粒子射出装置中的第一蒸镀源的主要部分的概略结构的透视图，(c)是将本发明的第一实施方式所涉及的蒸镀粒子射出装置中的第二蒸镀源的概略结构局部剖开而示出的透视图。
图2是示出本发明的第一实施方式所涉及的具备蒸镀粒子射出装置的蒸镀装置的主要部分的概略结构的透视图。
图3的(a)是示出本发明的第一实施方式所涉及的具备蒸镀粒子射出装置的蒸镀装置的主要部分的概略结构的剖视图，(b)是示出本发明的第一实施方式所涉及的蒸镀粒子射出装置中的第二蒸镀源的概略结构的剖视图。
图4是示出自主体用喷嘴及掺杂物用喷嘴射出的蒸镀粒子的蒸镀流的指向性的图。
图5是示出在实施例1中所形成的由主体构成的蒸镀膜及由掺杂物构成的蒸镀膜的各自的相对膜厚、与距被成膜基板的中心位置的Y轴方向的距离的关系的图表。
图6是将比较例1所涉及的蒸镀粒子射出装置的主要部分的概略结构，与被成膜基板一并示出的剖视图。
图7是示出在比较例1中所形成的由主体构成的蒸镀膜及由掺杂物构成的蒸镀膜的各自的相对膜厚、与距被成膜基板的中心位置的Y轴方向的距离的关系的图表。
图8是将比较例2所涉及的蒸镀粒子射出装置的主要部分的概略结构，与被成膜基板一并示出的剖视图。
图9是示出在比较例2中所形成的由主体构成的蒸镀膜及由掺杂物构成的蒸镀膜的各自的相对膜厚、与距被成膜基板的中心位置的Y轴方向的距离的关系的图表。
图10是示出在将掺杂物相对于主体的混合比率设定为100％，利用实施例1及比较例1、2所涉及的各蒸镀粒子射出装置形成主体与掺杂物的共蒸镀膜时，该共蒸镀膜的厚度方向中的掺杂物相对于主体的混合比率、与距被成膜基板的中心位置的Y轴方向的距离的关系的图表。
具体实施方式
[第一实施方式]
如下所示地基于图1的(a)～(c)至图10对本发明的一实施方式加以说明。
图1的(a)是示出本实施方式所涉及的蒸镀粒子射出装置1的概略结构的透视图，图1的(b)是示出本实施方式所涉及的蒸镀粒子射出装置1中的第一蒸镀源10的主要部分的概略结构的透视图，图1的(c)是将本实施方式所涉及的蒸镀粒子射出装置1中的第二蒸镀源20的概略结构局部剖开而示出的透视图。
图2是示出本实施方式所涉及的具备蒸镀粒子射出装置1的蒸镀装置100的主要部分的概略结构的透视图。图3的(a)是示出本实施方式所涉及的具备蒸镀粒子射出装置1的蒸镀装置100的主要部分的概略结构的剖视图，图3的(b)是示出本实施方式所涉及的蒸镀粒子射出装置1中的第二蒸镀源20的概略结构的剖视图。
以下，将第一蒸镀源10、第二蒸镀源20、第三蒸镀源30的排列方向，也就是沿着蒸镀粒子射出装置1对被成膜基板200的扫描方向的水平方向轴方向设为Y轴方向(第一方向)，将这些第一蒸镀源10、第二蒸镀源20、第三蒸镀源30中的各喷嘴12、22、23、32的排列方向，也就是沿着与上述被成膜基板200的扫描方向垂直的方向的水平方向轴方向设为X轴方向(第二方向)，将被成膜基板200的被成膜面201的法线方向，也就是垂直于X轴及Y轴的垂直方向轴(上下方向轴)方向设为Z轴方向而进行说明。而且，为了便于说明，除非有特别提及，否则将Z轴方向的朝上的箭头侧设为上侧而进行说明。
如图2及图3的(a)所示那样，本实施方式所涉及的蒸镀装置100用于在被成膜基板200上形成蒸镀膜(未图示)。
作为上述被成膜基板200，例如可列举有机EL显示装置中的有机EL元件搭载基板所使用的TFT(Thin Film Transistor；薄膜晶体管)基板。作为上述蒸镀膜，例如可列举有机EL元件中的发光层。发光层的蒸镀中所使用的蒸镀材料由承担传输空穴及电子的主体和承担发光的掺杂物的2成分系统形成。上述蒸镀装置100例如可用作有机EL显示装置的制造装置。
蒸镀装置100具备：真空室50、蒸镀粒子射出装置1、限制板单元40、保持被成膜基板200的未图示的基板固持器、保持未图示的蒸镀掩模的未图示的掩模固持器、可使上述蒸镀粒子射出装置1与被成膜基板200的相对位置变化的未图示的搬送装置。蒸镀粒子射出装置1、限制板单元40、基板固持器、掩模固持器、及上述搬送装置设于真空室50内。在真空室50内，蒸镀粒子射出装置1介隔未图示的蒸镀掩模而与被成膜基板200的被成膜面201对置配置。
本实施方式所涉及的蒸镀粒子射出装置1如图1的(a)～(c)至图3的(a)、(b)所示那样具备：第一蒸镀源10(第一主体用蒸镀源)、第二蒸镀源20(掺杂物用蒸镀源)、及第三蒸镀源30(第二主体用蒸镀源)。
第一蒸镀源10及第三蒸镀源30在高真空下，对主体进行加热使其气化，分别作为蒸镀粒子而朝向被成膜基板200射出。第二蒸镀源20在高真空下，对掺杂物进行加热而使其气化，作为蒸镀粒子而朝向被成膜基板200射出。这些第一蒸镀源10、第二蒸镀源20、第三蒸镀源30以通过第一蒸镀源10及第三蒸镀源30夹着第二蒸镀源20的方式并列配置于被成膜基板200的扫描方向、即Y轴方向上。另外，此处所谓使主体或掺杂物气化，在这些蒸镀材料(主体或掺杂物)为液体的情况下，表示使这些蒸镀材料蒸发，在这些蒸镀材料为固体的情况下，表示使这些蒸镀材料升华。
第一蒸镀源10是被称为线源或线性源的在俯视下为线状(矩形状)的长条的蒸镀源。
如图1的(a)、(b)、图2、及图3的(a)所示那样，第一蒸镀源10具备：收容部11，收容被气化为蒸镀粒子211的主体；多个喷嘴12(第一喷嘴)，将收容部11内的蒸镀粒子211射出到外部。
收容部11是X轴方向的长度比Y轴方向的长度长，且在俯视下形成为线状(矩形状)的四角棱柱体的长条的容器。
收容部11例如可以是在内部直接收容未气化的主体(即，气化前的主体)的容器，也可以是构成为具有负载锁定式的配管，自外部供给已气化或未气化的主体的容器。
作为一例，第一蒸镀源10可以在内部具备：未图示的坩埚，其是收容主体的耐热性容器；未图示的加热器(热源)，其对坩埚内的主体进行加热而使其气化。为了防止主体的堵塞，将收容部11的内部加热至主体气化的温度以上的温度。
多个喷嘴12沿着与扫描方向正交的X轴方向，线状地排列为一列而设于收容部11的一表面。
各喷嘴12由具有圆环状剖面的筒状直管形成。各喷嘴12自收容部11的一表面突出地进行设置，且相对于作为直立方向的法线方向，朝向第二蒸镀源20稍许倾斜。各喷嘴12的上端侧开口端面与喷嘴12的轴方向正交。
各喷嘴12分别具有同一喷嘴直径，且具有同一喷嘴倾斜角θ，具有同一喷嘴长度(喷嘴轴方向的长度)。因此，喷嘴12的上端侧开口端面沿着X轴方向而排列为一列(同一轴上)。
喷嘴12以与收容部11的内部空间连通的方式连结于收容部11。与收容部11连结的喷嘴12的下端侧开口端面(未图示)被用作蒸镀粒子入口。喷嘴12的上端侧开口端面被用作蒸镀粒子出口12a(射出口)。喷嘴12的上端侧开口端面的中心成为射出口的中心。喷嘴12将自蒸镀粒子入口进入到喷嘴12内的蒸镀粒子211，从蒸镀粒子出口12a朝向被成膜基板200射出。
第三蒸镀源30具有与第一蒸镀源10相同的构成。因此，在上述说明中，第一蒸镀源10、收容部11、喷嘴12(第一喷嘴)、蒸镀粒子出口12a、蒸镀粒子211可顺次更换为第三蒸镀源30、收容部31、喷嘴32(第二喷嘴)、蒸镀粒子出口32a、蒸镀粒子213进行解读。
另外，第一蒸镀源10与第三蒸镀源30夹着第二蒸镀源20而进行设置，因此喷嘴12与喷嘴32在相互对置的方向(换而言之，喷嘴轴彼此交叉的方向)上倾斜。
与第一蒸镀源10及第三蒸镀源30同样地，第二蒸镀源20是被称为线源或线性源的在俯视下为线状(矩形状)的长条的蒸镀源。
如图1的(a)、(c)、图2、及图3的(a)、(b)所示那样，第二蒸镀源20具备：收容部21，收容气化为蒸镀粒子212的掺杂物；多个喷嘴22、23，将收容部21内的蒸镀粒子212射出到外部。
收容部21是X轴方向的长度比Y轴方向的长度长，且在俯视下形成为线状(矩形状)的四角棱柱体的长条的容器。
收容部21例如可以是在内部直接收容未气化的掺杂物(即，气化前的掺杂物)的容器，也可以是构成为具有负载锁定式的配管，自外部供给已气化或未气化的掺杂物的容器。
作为一例，第二蒸镀源20可以在内部具备：未图示的坩埚，其是收容掺杂物的耐热性容器；未图示的加热器(热源)，其对坩埚内的掺杂物进行加热而使其气化。为了防止掺杂物的堵塞，将收容部21的内部加热至掺杂物气化的温度以上的温度。
多个喷嘴22(第四喷嘴)沿着与扫描方向正交的X轴方向，线状地排列为一列而设于收容部21的一表面(例如上表面)；且多个喷嘴23(第三喷嘴)沿着上述X轴方向，线状地排列为一列而设于收容部21的一表面(例如上表面)。因此，在收容部21的上述一表面，由上述多个喷嘴22构成的喷嘴22的列(以下记为“喷嘴22列”)、与由上述多个喷嘴23构成的喷嘴23的列(以下记为“喷嘴23列”)并列配置于Y轴方向上。
喷嘴22列以与第一蒸镀源10邻接的方式进行设置。喷嘴23列以与第三蒸镀源30邻接的方式进行设置。
各喷嘴22、23与喷嘴12、32同样地由具有圆环状剖面的筒状直管形成。
在收容部21的上述一表面设有V字状的沟部21a。喷嘴22以该喷嘴22的喷嘴轴与构成沟部21a的一个倾斜面(即，一个沟部内壁)正交的方式竖立设置在该倾斜面。喷嘴23以该喷嘴23的喷嘴轴与构成沟部21a的另一个倾斜面(即，另一个沟部内壁)正交的方式竖立设置在该倾斜面。
因此，各喷嘴22、23自收容部21的一表面突出地进行设置，且分别相对于作为直立方向的法线方向，朝向喷嘴23的轴方向与喷嘴22的轴方向交叉的方向稍许倾斜。即，喷嘴23朝向第一蒸镀源10倾斜。喷嘴22朝向第三蒸镀源30倾斜。
喷嘴22、23分别具有同一喷嘴直径，且具有同一喷嘴倾斜角θ，具有同一喷嘴长度。因此，喷嘴22的上端侧开口端面沿着X轴方向而排列为一列(同一轴上)。而且，喷嘴23的上端侧开口端面沿着X轴方向而排列为一列(同一轴上)。另外，在本实施方式中，所谓喷嘴长度是表示喷嘴的轴方向(喷嘴轴方向)的长度。
因此，如图1的(a)所示那样，在X轴方向上邻接的喷嘴22的上端侧开口端面的中心彼此连结而成的线L1为直线，在X轴方向上邻接的喷嘴23的上端侧开口端面的中心彼此连结而成的先L2也是直线。线L1与线L2位于同一平面上，且沿着X轴方向而相互平行。
理想的是线L1与线L2如图1的(c)及图3的(b)所示那样一致(即，为同一线)。换而言之，如图3的(b)所示那样，喷嘴22的上端侧开口端面的Y轴方向的中心位置和喷嘴23的上端侧开口端面的Y轴方向的中心位置与收容部21的Y轴方向的中心位置Y1一致。喷嘴22的上端侧开口端面与喷嘴23的上端侧开口端面如图1的(c)所示那样，沿着X轴方向而交互地排列为一列。
沟部21a以喷嘴22、23的轴方向与法线方向所成的喷嘴倾斜角θ成为所期望的角度的方式形成。如此地在收容部21的一表面形成具有相互对置的倾斜面的沟部21a，并以与沟部21a中的各倾斜面正交的方式竖立设置喷嘴22、23，由此可以在各个喷嘴列中，使各喷嘴22、23的轴方向与法线方向所成的喷嘴倾斜角θ容易地一致固定为所期望的角度。
但是，本实施方式并不限定于此，也可以并不在收容部21的一表面形成沟部21a，而是设为各喷嘴22、23倾斜地连结于收容部21的一表面的构成。而且，也可以在各收容部11、31的一表面形成具有倾斜面的沟部或凸部，在该倾斜面形成喷嘴12、31。
另外，在图1的(a)、(c)、图2、及图3的(a)、(b)中，如上所示地列举沟部21a为V字状的情况作为例子而进行图示。然而，本实施方式并不限定于此。沟部21a只要具有相互对置的倾斜面即可，也可以具有内壁具有倾斜面的凹形状。
喷嘴22、23以与收容部21的内部空间连通的方式分别连结于收容部21。与收容部21连结的喷嘴22、23的各下端侧开口端面(未图示)被用作蒸镀粒子入口。喷嘴22的上端侧开口端面被用作蒸镀粒子出口22a(射出口)。喷嘴23的上端侧开口端面被用作蒸镀粒子出口23a。喷嘴22、23的上端侧开口端面的中心成为各射出口的中心。喷嘴22、23将自蒸镀粒子入口进入到喷嘴22、23内的蒸镀粒子212，分别从蒸镀粒子出口22a、23a朝向被成膜基板200射出。
将主体与掺杂物从这些第一蒸镀源10、第二蒸镀源20、及第三蒸镀源30分别同时朝向被成膜基板200射出，由此进行共蒸镀。由此在被成膜基板200上形成包含主体与掺杂物的蒸镀膜作为发光层。
在这些第一蒸镀源10、第二蒸镀源20、及第三蒸镀源30中，分别为了改善收容部11、21、31的长边方向、即上述X轴方向的蒸镀膜的分布偏差而使各收容部11、21、31中的X轴方向端部的各喷嘴12、22、23、32的配设密度比各收容部11、21、31的中央部的各喷嘴12、22、23、32的配设密度高。
另外，在图2及图3的(a)中，作为蒸镀粒子射出装置1自第一蒸镀源10、第二蒸镀源20、第三蒸镀源30从下方向上方蒸镀对应的蒸镀粒子211、212、213的向上沉积的例子，列举喷嘴12、22、23、32分别设于对应的收容部11、21、31的上表面的情况作为例子而进行图示。然而，本实施方式并不限定于此。这些喷嘴12、22、23、32例如也可以设于对应的收容部11、21、31的下表面。在将这些喷嘴12、22、23、32设于收容部11、21、31的下表面的情况下，可应用于从上方向下方蒸镀对应的蒸镀粒子211、212、213的向下沉积。
而且，在图1的(a)～(c)及图2中，列举各喷嘴12、22、23、32相互对置配置于Y轴方向上，且各喷嘴12、22、23、32的轴方向与法线方向所成的喷嘴倾斜角θ在各自的喷嘴列中固定的情况作为例子而进行图示。然而，本实施方式并不限定于此。
各喷嘴12、22、23、32无需设为分别相同的数量，且无需在沿Y轴方向观察时，相互对置配置于一直线上。各喷嘴12、22、23、32可以是在沿Y轴方向观察时，配置在相互错开的位置。因此，各喷嘴12、22、23、32可以在各喷嘴列内具有相互不同的喷嘴倾斜角θ。
图4是示出自喷嘴12及喷嘴22射出的蒸镀粒子的蒸镀流的指向性的图。
如上所述，喷嘴22与喷嘴23仅倾斜方向不同，具有同一喷嘴直径，且具有同一喷嘴倾斜角θ，喷嘴轴方向的长度(喷嘴长度)相同。喷嘴22与喷嘴23中，各自的上端侧开口端面、也就是蒸镀粒子出口22a、23a与各自的喷嘴轴方向正交，这些蒸镀粒子出口22a、23a均形成为正圆状。因此，自喷嘴23射出的蒸镀粒子的蒸镀流的指向性与自喷嘴22射出的蒸镀粒子的蒸镀流的指向性相同。
同样地，喷嘴12与喷嘴32仅倾斜方向不同，具有同一喷嘴直径，且具有同一喷嘴倾斜角θ，喷嘴轴方向的长度(喷嘴长度)相同。喷嘴12与喷嘴32中，各自的上端侧开口端面、也就是蒸镀粒子出口12a、32a与各自的喷嘴轴方向正交，这些蒸镀粒子出口12a、32a均形成为正圆状。因此，自喷嘴32射出的蒸镀粒子的蒸镀流的指向性与自喷嘴12射出的蒸镀粒子的蒸镀流的指向性相同。
因此，关于自喷嘴23射出的蒸镀粒子的蒸镀流的指向性及自喷嘴32射出的蒸镀粒子的蒸镀流的指向性，省略图示。
另外，在图2及图3的(a)中，作为蒸镀粒子21，示出了自以喷嘴轴交叉的方式倾斜配置的喷嘴22、23射出的蒸镀粒子合并而成的蒸镀粒子的蒸镀流。
掺杂物相对于主体的混合比率通常小至1～20％。主体与掺杂物的混合比率通常通过成膜速率来进行调整。因此，如图4所示那样，喷嘴22、23的喷嘴直径形成得比喷嘴12、32的喷嘴直径小。更准确而言，喷嘴22、23的纵横比形成得比喷嘴12、32的纵横比大。另外，此处所谓纵横比是表示喷嘴轴方向的喷嘴长度相对于喷嘴的直径的比(喷嘴轴方向的喷嘴长度/喷嘴的直径)，所谓喷嘴轴方向的喷嘴长度是表示喷嘴的上端侧开口端面的中心与喷嘴的下端侧开口端面的中心连结而成的线段的长度。因此，自喷嘴22、23射出的蒸镀粒子的蒸镀流的指向性高于自喷嘴12、32射出的蒸镀粒子的蒸镀流的指向性。
然而，根据本实施方式，通过如上所述地在第二蒸镀源20上设置于相互不同方向倾斜的多列喷嘴列，可缓和蒸镀流的指向性。
在本实施方式中，设为使自第二蒸镀源20中的喷嘴22射出的掺杂物(第一掺杂物成分)与自喷嘴23射出的掺杂物(第二掺杂物成分)的合成成分，与自第一蒸镀源10射出的主体(第一主体成分)与自第三蒸镀源30射出的主体(第二主体成分)的合成成分一致的设计。
然而，如上所述那样，通过将各喷嘴12、22、23、32，以在各喷嘴列内具有相互不同的喷嘴倾斜角θ的方式，分别设定为多个方向的角度，可以比主体的指向性更能降低掺杂物的指向性。
另外，上述主体及掺杂物可使用在发光元件的发光层中所使用的公知的主体及掺杂物。上述主体及掺杂物的种类及组合并无特别限定。
蒸镀粒子射出装置1、限制板单元40、未图示的蒸镀掩模、被成膜基板200沿着Z轴方向而顺次对置配置于真空室50内。
蒸镀装置100通过未图示的搬送装置而使蒸镀粒子射出装置1及被成膜基板200的至少一者相对于另一者而相对移动，由此一面扫描被成膜基板200一面进行蒸镀(主体与掺杂物的共蒸镀)。由此在被成膜基板200上成膜(制造)发光层，其是包含自第一蒸镀源10及第三蒸镀源30射出的主体与自第二蒸镀源射出的掺杂物的蒸镀膜(上述主体与上述掺杂物的共蒸镀膜)。因此，蒸镀粒子射出装置1与限制板单元40彼此相对的位置固定。
限制板单元40具备多个限制板41，限制自各喷嘴12、22、23、32射出的蒸镀粒子211、212、213的穿过角度。
以在俯视下，将各蒸镀源10、20、30之间隔开的方式沿着Y轴方向相互离开间隔地设置这些限制板41。这些限制板41沿着X轴方向而相互平行地设置。因此，限制板单元40沿着X轴方向而具有多个限制板开口41a。
如图2及图3的(a)所示那样，自第一蒸镀源10射出的主体作为蒸镀粒子211，通过沿着该第一蒸镀源10的长边方向而设置的邻接的限制板41之间所设的限制板开口41a后，穿过蒸镀掩模上所形成的掩模开口而蒸镀于被成膜基板200上。同样地，自第三蒸镀源30射出的主体作为蒸镀粒子213，通过沿着该第三蒸镀源30的长边方向而设置的邻接的限制板41之间所设的限制板开口41a后，穿过蒸镀掩模上所形成的掩模开口而蒸镀于被成膜基板200上。而且，自第二蒸镀源20射出的掺杂物作为蒸镀粒子212，通过沿着该第二蒸镀源20的长边方向而设置的邻接的限制板41之间所设的限制板开口41a后，穿过蒸镀掩模上所形成的掩模开口而蒸镀于被成膜基板200上。
限制板单元40根据入射角度而选择性遮蔽(捕捉)入射至该限制板单元40的蒸镀粒子211、212、213。由此，限制板单元40将入射至蒸镀掩模的掩模开口的蒸镀粒子211、212、213的入射角限制于一定范围内，防止来自倾斜方向的蒸镀粒子211、212、213附着于被成膜基板200上。
<效果>
以下，针对本实施方式所涉及的蒸镀粒子射出装置1的效果，使用实施例及比较例的膜厚分布、以及所形成的蒸镀膜中的该蒸镀膜的厚度方向的掺杂物相对于主体的混合比率的测定结果而加以具体说明。
[实施例1]
在本实施例中，如图2及图3的(a)所示那样，在真空室50内，以与被成膜基板200对置的方式配置本实施方式所涉及的蒸镀粒子射出装置1及限制板单元40，在将被成膜基板200及蒸镀粒子射出装置1固定的状态下，在被成膜基板200上分别形成自各喷嘴12、22、23、32射出的蒸镀粒子的蒸镀膜。
蒸镀粒子射出装置1与被成膜基板200中，第一蒸镀源10、第二蒸镀源20、第三蒸镀源30分别与被成膜基板200的一个边平行，且以在俯视下，被成膜基板200的中心位置C1与第二蒸镀源20的中心位置一致的方式与被成膜基板200对置配置。
此时，第二蒸镀源20的收容部21及喷嘴22、23以在X轴方向及Y轴方向上分别成为轴对称的方式形成。而且，本实施例中所使用的蒸镀粒子射出装置1如图1的(a)及图2所示那样以如下方式形成：收容部11、21、31的X轴方向的长度相等，收容部11、21、31的X轴方向端面沿着Y轴方向而位于一直线上，且在Y轴方向上邻接的喷嘴12、22、23、32分别沿着Y轴方向而位于一直线上。
喷嘴12、22、23、32的喷嘴倾斜角θ均设为相同角度。在本实施例中，将喷嘴倾斜角θ设为20°。喷嘴12、22、23、32的喷嘴轴方向的长度如图3的(b)所示那样，喷嘴22的上端侧开口端面(蒸镀粒子出口22a)的Y轴方向的中心位置和喷嘴23的上端侧开口端面(蒸镀粒子出口23a)的Y轴方向的中心位置，与收容部21的Y轴方向的中心位置Y1一致，且在Y轴方向上邻接的喷嘴12与喷嘴22、23之间的间距、以及在Y轴方向上邻接的喷嘴32与喷嘴22、23之间的间距均设为120mm的长度。
另外，在Y轴方向上邻接的喷嘴12与喷嘴22、23之间的间距是指在Y轴方向上邻接的喷嘴12的蒸镀粒子出口12a的Y轴方向的中心位置、与喷嘴22、23的蒸镀粒子出口22a、23a的Y轴方向的中心位置之间的距离。而且，在Y轴方向上邻接的喷嘴32与喷嘴22、23之间的间距是指在Y轴方向上邻接的喷嘴32的蒸镀粒子出口32a的Y轴方向的中心位置、与喷嘴22、23的蒸镀粒子出口22a、23a的Y轴方向的中心位置之间的距离。
将Z轴方向中的被成膜基板200的被成膜面201与各喷嘴12、22、23、32的上端侧开口端面的Y轴方向的中心位置之间的距离TS设定为500mm。
其后，使用公知的膜厚测定装置，以固定间隔对如此形成的各蒸镀膜的膜厚进行光学测定，由此测定Y轴方向的各蒸镀膜的相对膜厚的变动。将其结果示于图5中。
而且，如上所述地在将被成膜基板200及蒸镀粒子射出装置1固定的状态下，将掺杂物相对于主体的混合比率设为100％(即，掺杂物/主体混合比＝1)而形成蒸镀膜(主体与掺杂物的共蒸镀膜)，沿着Y轴方向测定该蒸镀膜的厚度方向的掺杂物相对于主体的混合比率的变动。将其结果与后述的比较例1、2的结果一并示于图10中。
图5是示出在实施例1中所形成的由主体构成的蒸镀膜及由掺杂物构成的蒸镀膜的各自的相对膜厚、与距被成膜基板200的中心位置C1的Y轴方向的距离的关系的图表。
即，于图5中，坐标原点表示被成膜基板200的中心位置C1，其成为第二蒸镀源20中的收容部21的Y轴方向中心位置Y1的正上方。
而且，图5中的各蒸镀膜的相对膜厚是表示在将被成膜基板200及蒸镀粒子射出装置1固定的状态下，在被成膜基板200上分别将主体及掺杂物形成为蒸镀膜，将所形成的主体的最大膜厚设为100％时的主体的相对膜厚、以及将所形成的掺杂物的最大膜厚设为100％时的掺杂物的相对膜厚。
于图5中，以第一掺杂物成分所示的相对膜厚表示由自喷嘴22射出的掺杂物形成的蒸镀膜的相对膜厚。以第二掺杂物成分所示的相对膜厚表示由自喷嘴23射出的掺杂物形成的蒸镀膜的相对膜厚。以掺杂物合成成分所示的相对膜厚表示由自喷嘴22射出的掺杂物及自喷嘴23射出的掺杂物形成的蒸镀膜的相对膜厚。以主体合成成分所示的相对膜厚表示由自第一蒸镀源10射出的主体及自第二蒸镀源20射出的主体形成的蒸镀膜的相对膜厚。
如图5所示那样，根据本实施例，主体合成成分的Y轴方向的膜厚分布与掺杂物合成成分的Y轴方向的膜厚分布基本重叠。因此，根据本实施例，自喷嘴12、32射出的主体的合成成分的Y轴方向的指向性与自喷嘴22、23射出的掺杂物的合成成分的Y轴方向的指向性基本相同。如上所示，根据本实施例，通过将第二蒸镀源20中的掺杂物用喷嘴设为使喷嘴轴在朝向第一蒸镀源10及第三蒸镀源30的方向上，相对于被成膜基板200而倾斜的多列结构，可以使掺杂物的Y轴方向的指向性降低，使其接近主体的Y轴方向的指向性。
另外，图5是如上所述地将被成膜基板200及蒸镀粒子射出装置1固定，且并不使蒸镀粒子射出装置扫描或移动地形成蒸镀膜(固定成膜)时的该蒸镀膜的膜厚分布。通过使蒸镀粒子射出装置1沿着Y轴方向扫描、摇动，所获得的蒸镀膜在Y轴方向上成为均匀的膜厚。
[比较例1]
另一方面，作为比较例1，使用图6所示的蒸镀粒子射出装置1A代替蒸镀粒子射出装置1，除此以外与实施例1同样地进行，分别形成自后述的各喷嘴12、24、32射出的蒸镀粒子的蒸镀膜(固定成膜)，与使用蒸镀粒子射出装置1的情况同样地进行而测定这些蒸镀膜的膜厚。
图6是将比较例1所涉及的蒸镀粒子射出装置1A的主要部分的概略结构与被成膜基板200一并示出的剖视图。
蒸镀粒子射出装置1A是在蒸镀粒子射出装置1中，具备第一蒸镀源10'、第二蒸镀源20'、第三蒸镀源30'，代替第一蒸镀源10、第二蒸镀源20、第三蒸镀源30。第一蒸镀源10'除了喷嘴12直立以外，具有与第一蒸镀源10相同的构成。第三蒸镀源30'除了喷嘴31直立以外，具有与第三蒸镀源30相同的构成。第二蒸镀源20'除了如下方面以外，具有与第二蒸镀源20相同的构成：收容部21的上表面平坦，多个喷嘴24沿着与扫描方向正交的X轴方向，线状地排为一列而直立设置于收容部21的一表面。除此以外，设为与实施例1相同的条件。
其后，使用公知的膜厚测定装置，以固定间隔对如此形成的各蒸镀膜的膜厚进行光学测定，由此测定Y轴方向的各蒸镀膜的相对膜厚的变动。将其结果示于图7。
而且，如上所述地在将被成膜基板200及蒸镀粒子射出装置1固定的状态下，将掺杂物相对于主体的混合比率设为100％(即，掺杂物/主体混合比＝1)而形成蒸镀膜，沿着Y轴方向测定该蒸镀膜的厚度方向的掺杂物相对于主体的混合比率的变动。将其结果与实施例1及后述的比较例2的结果一并示于图10中。
图7是示出在比较例1中所形成的由主体构成的蒸镀膜及由掺杂物构成的蒸镀膜的各自的相对膜厚、与距被成膜基板200的中心位置C1的Y轴方向的距离的关系的图表。
另外，于图7中，坐标原点表示被成膜基板200的中心位置C1，其成为第二蒸镀源20'中的收容部21的Y轴方向中心位置Y1的正上方。而且，第二蒸镀源20'中的收容部21的Y轴方向的中心位置Y1相当于喷嘴24中的上端侧开口端面的Y轴方向的中心位置。
而且，图7中的各蒸镀膜的相对膜厚是表示在将被成膜基板200及蒸镀粒子射出装置1A固定的状态下，在被成膜基板200上分别将主体及掺杂物形成为蒸镀膜，将所形成的主体的最大膜厚设为100％时的主体的相对膜厚、以及将所形成的掺杂物的最大膜厚设为100％时的掺杂物的相对膜厚。
于图7中，以第一主体成分所示的相对膜厚表示由自第一蒸镀源10'中的喷嘴12射出的主体形成的蒸镀膜的相对膜厚。以第二主体成分所示的相对膜厚表示由自第三蒸镀源30'中的喷嘴32射出的主体形成的蒸镀膜的相对膜厚。以主体合成成分所示的相对膜厚表示由自第一蒸镀源10'射出的主体及自第二蒸镀源20'射出的主体形成的蒸镀膜的相对膜厚。
如上所述那样，在主体与掺杂物的共蒸镀中，掺杂物用蒸镀源的成膜速率低，内部的压力(内压)不充分。因此，掺杂物用蒸镀源所形成的蒸镀膜的膜厚分布的均匀性低。
在主体用喷嘴与掺杂物用喷嘴具有相同形状的情况下，掺杂物用喷嘴的内压不足，膜厚分布容易变得不均匀。因此，一般情况下，掺杂物用喷嘴的喷嘴直径(更准确而言，如上所述的纵横比)形成得比主体用喷嘴的喷嘴直径(更准确而言，如上所述的纵横比)小。因此，掺杂物的指向性变得比主体高，主体的指向性变得比掺杂物低。
而且，主体的成膜速率高，因此分子彼此之间的碰撞所造成的散射成分多，指向性容易进一步降低。另外，如果为了提高内压而如图6所示那样使喷嘴24的喷嘴直径比喷嘴12、32细以提高内压，则掺杂物的指向性进一步变高。因此，主体在原来的一根线性源中，也容易成为指向性比掺杂物低的分布。
于上述比较例1中，如上所述那样，在作为掺杂物用蒸镀源的第二蒸镀源20'的两侧分别配置有作为主体用蒸镀源的第一蒸镀源10'及第三蒸镀源30'，因此与仅使用一根主体用蒸镀源的情况相比而言，以主体合成成分所示的主体的Y轴方向的指向性变低。
其结果，根据比较例1，如图7所示那样，自喷嘴12、32射出的主体合成成分的Y轴方向的指向性与自喷嘴24射出的掺杂物的指向性的差变大。
[比较例2]
而且，作为比较例2，使用图8所示的蒸镀粒子射出装置1B代替蒸镀粒子射出装置1，除此以外与实施例1同样地进行，分别形成自后述的各喷嘴12、24、32射出的蒸镀粒子的蒸镀膜(固定成膜)，与使用蒸镀粒子射出装置1的情况同样地进行而测定这些蒸镀膜的膜厚。
图8是将比较例2所涉及的蒸镀粒子射出装置1B的主要部分的概略结构与被成膜基板200一并示出的剖视图。
蒸镀粒子射出装置1B是在蒸镀粒子射出装置1中，具备与图6所示的第二蒸镀源20'相同的第二蒸镀源20'而代替第二蒸镀源20。除此以外，设为与实施例1相同的条件。
而且，在本比较例中，为了使自第一蒸镀源10及第三蒸镀源30射出的主体合成成分，与自具有喷嘴24(其为直立喷嘴)的第二蒸镀源20'射出的掺杂物合成成分的Y轴方向的指向性一致，将喷嘴12、32的喷嘴倾斜角θ均设为15°。由此，使主体沿着掺杂物的射出方向射出。其他条件设为与实施例1相同的条件。
其后，使用公知的膜厚测定装置，以固定间隔对如此形成的各蒸镀膜的膜厚进行光学测定，由此测定Y轴方向的各蒸镀膜的相对膜厚的变动。将其结果示于图9中。
而且，如上所述地在将被成膜基板200及蒸镀粒子射出装置1固定的状态下，将掺杂物相对于主体的混合比率设为100％(即，掺杂物/主体混合比＝1)而形成蒸镀膜，沿着Y轴方向测定该蒸镀膜的厚度方向的掺杂物相对于主体的混合比率的变动。将其结果与实施例1及比较例1的结果一并示于图10中。
图9是示出在比较例2中所形成的由主体构成的蒸镀膜及由掺杂物构成的蒸镀膜的各自的相对膜厚、与距被成膜基板200的中心位置C1的Y轴方向的距离的关系的图表。
另外，于图9中也是坐标原点表示被成膜基板200的中心位置C1，其成为第二蒸镀源20'中的收容部21的Y轴方向中心位置Y1的的正上方。而且，第二蒸镀源20'中的收容部21的Y轴方向的中心位置Y1相当于喷嘴24中的上端侧开口端面的Y轴方向的中心位置。
而且，图9中的各蒸镀膜的相对膜厚是表示在将被成膜基板200及蒸镀粒子射出装置1B固定的状态下，在被成膜基板200上分别将主体及掺杂物形成为蒸镀膜，将所形成的主体的最大膜厚设为100％时的主体的相对膜厚、以及将所形成的掺杂物的最大膜厚设为100％时的掺杂物的相对膜厚。
于图9中，以第一主体成分所示的相对膜厚表示由自第一蒸镀源10中的喷嘴12射出的主体形成的蒸镀膜的相对膜厚。以第二主体成分所示的相对膜厚表示由自第三蒸镀源30中的喷嘴32射出的主体形成的蒸镀膜的相对膜厚。以主体合成成分所示的相对膜厚表示由自第一蒸镀源10射出的主体及自第二蒸镀源20射出的主体形成的蒸镀膜的相对膜厚。
根据比较例2，由第一蒸镀源10及第三蒸镀源30夹着第二蒸镀源20'，使喷嘴12、32分别在朝向第二蒸镀源20'的方向上，相对于被成膜基板200而倾斜，由此可如图9所示那样，与比较例1相比而言更能使自喷嘴12、32射出的主体合成成分的Y轴方向的指向性接近自喷嘴24射出的掺杂物的Y轴方向的指向性。然而，原本主体的指向性较低，因此如图9所示那样，并不能使主体合成成分的Y轴方向的指向性与掺杂物的Y轴方向的指向性一致。
图10是示出在将掺杂物相对于主体的混合比率设定为100％(即，掺杂物/主体混合比＝1)，利用实施例1及比较例1、2所涉及的各蒸镀粒子射出装置1、1A、1B形成主体与掺杂物的共蒸镀膜作为蒸镀膜时，该共蒸镀膜的厚度方向中的掺杂物相对于主体的混合比率、与距被成膜基板200的中心位置C1的Y轴方向的距离的关系的图表。另外，在图10中也是坐标原点表示被成膜基板200的中心位置C1，其成为第二蒸镀源20中的收容部21的Y轴方向中心位置Y1的正上方。
在比较例1中，自喷嘴12、32射出的主体合成成分的Y轴方向的指向性与自喷嘴24射出的掺杂物的Y轴方向的指向性的差较大，因此主体与掺杂物在Y轴方向中并未均匀地混合。因此，如图10所示那样，根据比较例1，掺杂物相对于主体的混合比率的Y轴方向的变动变显著。
在比较例2中，如图10所示那样，虽然比实施例1更能抑制掺杂物相对于主体的混合比率的Y轴方向的变动，但在Y轴方向中，仍会在掺杂物相对于主体的混合比率中产生变动。
此种变动是由于如图7及图9所示那样固定成膜中的主体与掺杂物的膜厚分布而引起的。此种变动成为使发光元件的特性恶化的主要原因。
相对于此，根据实施例1，可以如图5所示那样使掺杂物的Y轴方向的指向性与主体的Y轴方向的指向性基本一致，因此可以如图10所示那样，使掺杂物相对于主体的混合比率的Y轴方向的分布稳定地保持。因此，根据实施例1，可以避免成膜开始时(换而言之空穴传输层等与发光层邻接的层的界面)的掺杂物浓度比设定值低的风险。其结果，根据实施例1，可使量产性及产率提高。
因此，根据本实施形态，可提供如实施例1所示那样，在对主体与掺杂物进行共蒸镀时，可使掺杂物均匀地分散于主体中的蒸镀粒子射出装置1及蒸镀装置100、以及蒸镀膜制造方法。
[变形例1]
另外，在上述实施方式中列举如下情况进行了说明：主体用喷嘴12、32分别线状地排为一列(即，同一轴上)而设于第一蒸镀源10、第三蒸镀源30中，掺杂物用喷嘴22、23分别线状地排为一列而设于第二蒸镀源20中。然而，上述实施方式并不限定于此。在第一蒸镀源10、第三蒸镀源30中，主体用喷嘴12、32也可以分别线状地设置多列。同样地，在第二蒸镀源20中，掺杂物用喷嘴22、23也可以分别线状地设置多列。
[变形例2]
而且，在上述实施方式中，列举上述蒸镀膜例如为有机EL元件(OLED(Organic LightEmitting Diode：有机发光二极管))中的发光层的情况作为例子而进行说明。然而，上述实施方式并不限定于此。上述蒸镀膜例如可以是无机发光二极管元件(无机EL元件)、或QLED(Quantum-dot Light Emitting Diode：量子点发光二极管)元件中的发光层。上述蒸镀粒子射出装置1可用于主体与掺杂物的共蒸镀膜的成膜(制造)的全部中。
上述蒸镀粒子射出装置1及蒸镀装置100例如可适用为具备OLED(Organic LightEmitting Diode：有机发光二极管)元件的有机EL显示装置、具备无机发光二极管元件的无机EL显示装置等EL显示装置、具备QLED元件的QLED显示装置的制造装置。
[变形例3]
而且，在制造上述蒸镀膜时，掺杂物相对于主体的混合比率越小，则越可以使喷嘴22、23的喷嘴倾斜角θ变大。
另外，上述蒸镀粒子射出装置1可以具备具有如下喷嘴22、23的第二蒸镀源20，该喷嘴22、23具有与掺杂物中所使用的发光材料的种类相应的喷嘴倾斜角θ、且固定于收容部21；且也可以具备具有可动式喷嘴22、23的第二蒸镀源20，该可动式喷嘴22、23可以根据掺杂物中所使用的发光材料的种类而使喷嘴倾斜角θ变更。而且，第一蒸镀源10的喷嘴12及第三蒸镀源30的喷嘴32也可以固定于收容部11或收容部31，也可以将喷嘴倾斜角θ设为可变更。
[小结]
本发明的第一形态所涉及的蒸镀粒子射出装置(1)的特征在于：将掺杂物射出为蒸镀粒子(212)的掺杂物用蒸镀源(第二蒸镀源20)、及将主体射出为蒸镀粒子(蒸镀粒子211或蒸镀粒子213)的第一主体用蒸镀源(第一蒸镀源10)和第二主体用蒸镀源(第三蒸镀源30)，以通过第一主体用蒸镀源与第二主体用蒸镀源夹着掺杂物用蒸镀源的方式并列配置于第一方向(Y轴方向)上，在上述第一主体用蒸镀源中，朝向上述掺杂物用蒸镀源倾斜的多个第一喷嘴(喷嘴12)沿着与上述第一方向正交的第二方向(X轴方向)而排列为线状，在上述第二主体用蒸镀源中，朝向上述掺杂物用蒸镀源倾斜的多个第二喷嘴(喷嘴32)沿着上述第二方向而排列为线状，在上述掺杂物用蒸镀源中，朝向上述第一主体用蒸镀源倾斜的多个第三喷嘴(喷嘴23)和朝向上述第二主体用蒸镀源倾斜的多个第四喷嘴(喷嘴22)分别沿着上述第二方向而排列为线状。
本发明的第二形态所涉及的蒸镀粒子射出装置是在上述第一形态的基础上，上述第一喷嘴、上述第四喷嘴、上述第三喷嘴、上述第二喷嘴序排列于上述第一方向上。
本发明的第三形态所涉及的蒸镀粒子射出装置是在上述第一形态或第二形态的基础上，上述第三喷嘴与上述第四喷嘴在各个喷嘴轴彼此交叉的方向上倾斜。
本发明的第四形态所涉及的蒸镀粒子射出装置是在上述第三形态的基础上，上述第三喷嘴的射出口(蒸镀粒子出口22a)与上述第四喷嘴的射出口(蒸镀粒子出口23a)沿着上述第二方向排列于同一轴上。
本发明的第五形态所涉及的蒸镀粒子射出装置是在上述第四形态的基础上，上述第三喷嘴的射出口的中心彼此连结而成的第一线(线L1)与上述第四喷嘴的射出口的中心彼此连结而成的第二线(线L2)为同一线。
本发明的第六形态所涉及的蒸镀粒子射出装置是在上述第三形态～第五形态的任一形态的基础上，上述掺杂物用蒸镀源具备收容部(21)，所述收容部(21)于一表面具有包含相互对置的倾斜面的沟部(21a)，且于内部收容上述掺杂物，于一个上述倾斜面上，与该倾斜面正交地竖立设置上述多个第三喷嘴部，于另一个上述倾斜面上，与该倾斜面正交地竖立设置上述多个第四喷嘴部。
本发明的第七形态所涉及的蒸镀粒子射出装置是在上述第一形态～第六形态的任一形态的基础上，上述第一喷嘴的倾斜角(喷嘴倾斜角θ)与上述第二喷嘴的倾斜角(喷嘴倾斜角θ)相同。
本发明的第八形态所涉及的蒸镀粒子射出装置是在上述第一形态～第七形态的任一形态的基础上，上述第三喷嘴的倾斜角(喷嘴倾斜角θ)与上述第四喷嘴的倾斜角(喷嘴倾斜角θ)相同。
本发明的第九形态所涉及的蒸镀粒子射出装置是在上述第一形态～第八形态的任一形态的基础上，上述第一喷嘴与上述第二喷嘴具有相互相同的喷嘴直径及喷嘴长度。
本发明的第十形态所涉及的蒸镀粒子射出装置是在上述第一形态～第九形态的任一形态的基础上，上述第三喷嘴与上述第四喷嘴具有相互相同的喷嘴直径及喷嘴长度。
本发明的第十一形态所涉及的蒸镀粒子射出装置是在上述第一形态～第十形态的任一形态的基础上，上述第三喷嘴的喷嘴直径及上述第四喷嘴的喷嘴直径比上述第一喷嘴的喷嘴直径及上述第二喷嘴的喷嘴直径小。
本发明的第十二形态所涉及的蒸镀装置(100)具备上述第一形态～第十一形态的任一形态的蒸镀粒子射出装置，其特征在于，在将上述蒸镀粒子射出装置与被成膜基板(200)对置配置的状态下，一面使上述蒸镀粒子射出装置及上述被成膜基板的至少一者，沿着上述第一方向相对于另一者而相对移动，一面进行上述主体与上述掺杂物的共蒸镀。
本发明的第十三形态所涉及的蒸镀装置是在上述第十二形态的基础上，在上述蒸镀粒子射出装置与上述被成膜基板之间进一步具备限制板单元(40)，所述限制板单元(40)具有以在俯视下，将各蒸镀源之间(即，上述第一主体用蒸镀源与上述掺杂物用蒸镀源之间、以及上述掺杂物用蒸镀源与上述第二主体用蒸镀源之间)隔开的方式沿着上述第二方向相互离开间隔地设置的，限制自各喷嘴(12、22、23、32)射出的蒸镀粒子(211、212、213)的穿过角度的多个限制板(41)。
本发明的第十四形态所涉及的蒸镀膜制造方法是在被成膜基板(200)上制造包含主体与掺杂物的蒸镀膜的蒸镀膜制造方法，其特征在于，在将根上述第一形态～第十一形态的任一形态的蒸镀粒子射出装置与被成膜基板对置配置的状态下，一面使上述蒸镀粒子射出装置及上述被成膜基板的至少一者，沿着上述第一方向相对于另一者而相对移动，一面进行上述主体与上述掺杂物的共蒸镀。
本发明的第十五形态所涉及的蒸镀膜制造方法是在上述第十四形态的基础上，上述掺杂物相对于上述主体的混合比率越小，则上述第三喷嘴的倾斜角及上述第四喷嘴的倾斜角越变大。
附图标记说明
1：蒸镀粒子射出装置
10：第一蒸镀源(第一主体用蒸镀源)
11、21、31：收容部
12：喷嘴(第一喷嘴)
12a、22a、23a、32a：蒸镀粒子出口(射出口)
20：第二蒸镀源(掺杂物用蒸镀源)
21a：沟部
22：喷嘴(第四喷嘴)
23：喷嘴(第三喷嘴)
30：第三蒸镀源
32：喷嘴(第二喷嘴)
40：限制板单元
41：限制板
100：蒸镀装置
200：被成膜基板
211、212、213：蒸镀粒子

Claims (15)

1.一种蒸镀粒子射出装置，其特征在于，
将掺杂物射出为蒸镀粒子的掺杂物用蒸镀源、及将主体射出为蒸镀粒子的第一主体用蒸镀源和第二主体用蒸镀源，以通过上述第一主体用蒸镀源与上述第二主体用蒸镀源夹着上述掺杂物用蒸镀源的方式并列配置于第一方向上，
在上述第一主体用蒸镀源中，朝向上述掺杂物用蒸镀源倾斜的多个第一喷嘴沿着与上述第一方向正交的第二方向而排列为线状，
在上述第二主体用蒸镀源中，朝向上述掺杂物用蒸镀源倾斜的多个第二喷嘴沿着上述第二方向而排列为线状，
在上述掺杂物用蒸镀源中，朝向上述第一主体用蒸镀源倾斜的多个第三喷嘴和朝向上述第二主体用蒸镀源倾斜的多个第四喷嘴分别沿着上述第二方向而排列为线状。
2.根据权利要求1所述的蒸镀粒子射出装置，其特征在于，
上述第一喷嘴、上述第四喷嘴、上述第三喷嘴、上述第二喷嘴依序排列于上述第一方向上。
3.根据权利要求1或2所述的蒸镀粒子射出装置，其特征在于，
上述第三喷嘴与上述第四喷嘴在各个喷嘴轴彼此交叉的方向上倾斜。
4.根据权利要求3所述的蒸镀粒子射出装置，其特征在于，
上述第三喷嘴的射出口与上述第四喷嘴的射出口沿着上述第二方向排列于同一轴上。
5.根据权利要求4所述的蒸镀粒子射出装置，其特征在于，
上述第三喷嘴的射出口的中心彼此连结而成的第一线与上述第四喷嘴的射出口的中心彼此连结而成的第二线为同一线。
6.根据权利要求3至5中任一项所述的蒸镀粒子射出装置，其特征在于，
上述掺杂物用蒸镀源具备收容部，所述收容部于一表面具有包含相互对置的倾斜面的沟部，且于内部收容上述掺杂物，
于一个上述倾斜面上，与该倾斜面正交地竖立设置上述多个第三喷嘴部，
于另一个上述倾斜面上，与该倾斜面正交地竖立设置上述多个第四喷嘴部。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的蒸镀粒子射出装置，其特征在于，
上述第一喷嘴的倾斜角与上述第二喷嘴的倾斜角相同。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的蒸镀粒子射出装置，其特征在于，
上述第三喷嘴的倾斜角与上述第四喷嘴的倾斜角相同。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的蒸镀粒子射出装置，其特征在于，
上述第一喷嘴与上述第二喷嘴具有相互相同的喷嘴直径及喷嘴长度。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的蒸镀粒子射出装置，其特征在于，
上述第三喷嘴与上述第四喷嘴具有相互相同的喷嘴直径及喷嘴长度。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的蒸镀粒子射出装置，其特征在于，
上述第三喷嘴的喷嘴直径及上述第四喷嘴的喷嘴直径比上述第一喷嘴的喷嘴直径及上述第二喷嘴的喷嘴直径小。
12.一种蒸镀装置，其具备根据权利要求1至11中任一项所述的蒸镀粒子射出装置，其特征在于，
在将上述蒸镀粒子射出装置与被成膜基板对置配置的状态下，一面使上述蒸镀粒子射出装置及上述被成膜基板的至少一者，沿着上述第一方向相对于另一者而相对移动，一面进行上述主体与上述掺杂物的共蒸镀。
13.根据权利要求12中任一项所述的蒸镀装置，其特征在于，
在上述蒸镀粒子射出装置与上述被成膜基板之间进一步具备限制板单元，所述限制板单元具有以在俯视下，将各蒸镀源之间隔开的方式沿着上述第二方向相互离开间隔地设置的，限制自各喷嘴射出的蒸镀粒子的穿过角度的多个限制板。
14.一种蒸镀膜制造方法，其是在被成膜基板上制造包含主体与掺杂物的蒸镀膜的蒸镀膜制造方法，其特征在于，
在将根据权利要求1至11中任一项所述的蒸镀粒子射出装置与被成膜基板对置配置的状态下，一面使上述蒸镀粒子射出装置及上述被成膜基板的至少一者，沿着上述第一方向相对于另一者而相对移动，一面进行上述主体与上述掺杂物的共蒸镀。
15.根据权利要求14中任一项所述的蒸镀膜制造方法，其特征在于，
上述掺杂物相对于上述主体的混合比率越小，则上述第三喷嘴的倾斜角及上述第四喷嘴的倾斜角越变大。
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