TW201418490A - 蒸鍍裝置及蒸鍍方法 - Google Patents

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Masanao Fujitsuka
Teiji Takahashi
Keita Misawa
Satoshi Nakamura
Toshimitsu Kariya
Eiichi Matsumoto
Satoshi Takahashi
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Canon Tokki Corp
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Abstract

本發明是在於提供一種蒸鍍裝置，是在與蒸鍍遮罩(2)離間狀態下搬送基板(4)，而於比蒸鍍遮罩(2)更廣的範圍，將既定的成膜圖案的蒸鍍膜形成於基板(4)上的蒸鍍裝置中，在基板(4)的搬送方向(Y)設置複數個由蒸鍍遮罩(2)，遮罩架(6)及蒸發源(1)所構成的蒸發源集合體(S)，藉由使此複數的蒸發源集合體(S)分別獨立地移動對位，可抑制成膜圖案的位移，且藉由使複數的蒸發源集合體(S)分別獨立移動將與蒸鍍遮罩(2)的離間距離保持於一定，可抑制成膜圖案寬的變動及成膜圖案的位移，進行高精度的蒸鍍。本發明的蒸鍍裝置是在各蒸發源集合體(S)設置：檢測出位移量來分別獨立驅動各蒸發源集合體(S)的X方向對準手段(9)，及檢測出基板(4)與蒸鍍遮罩(2)的離間距離的變動量來分別獨立驅動各蒸發源集合體(S)的Z方向離間距離控制手段(10)。

Description

蒸鍍裝置及蒸鍍方法
本發明是有關使依據蒸鍍遮罩之成膜圖案的蒸鍍膜形成於基板上的蒸鍍裝置及蒸鍍方法。
近年來，利用有機電致發光元件的有機EL顯示裝置，作為替代CRT或LCD的顯示裝置受到注目。
此有機EL顯示裝置是在基板層疊形成電極層及複數的有機發光層，更被覆形成密封層的構成，為自發光，相較於LCD，高速回應性佳，可實現高視野角及高對比。
一般如此的有機EL裝置是藉由真空蒸鍍法來製造，在真空容器內將基板與蒸鍍遮罩對準而使密合進行蒸鍍，藉由此蒸鍍遮罩來將所望的成膜圖案的蒸鍍膜形成於基板。
又，作為用以價格便宜且有效地量產有機EL裝置之製造方法，亦有藉由卷對卷(Roll-to-roll)方式來一邊連續性地輸送可撓性基板，一邊進行對於使用薄板狀的塑料薄膜之可撓性基板的成膜之方法。
並且，在如此的有機EL裝置的製造中，隨著基板的 大型化，用以取得所望的成膜圖案之蒸鍍遮罩也大型化，但為了此大型化，必須在對蒸鍍遮罩施加張力(tension)的狀態下熔接固定於遮罩框來製作，因此大型的蒸鍍遮罩的製造不容易。
又，若此張力不充分，則隨著遮罩的大型化，在遮罩中心產生變形，蒸鍍遮罩與基板的密合度會降低，或為了考慮該等，遮罩框會變成大型，壁厚化或重量的增大顯著。
如此，隨著基板尺寸的大型化，要求蒸鍍遮罩的大型化，但高精細的遮罩的大型化困難，且即使可製作，也會因為前變形的問題，實用上產生各種的問題。
又，例如日本特表2010-511784號等所示般，亦有將基板與蒸鍍遮罩離間配設，藉由蒸發源及使持有指向性的蒸發粒子產生的開口部來令有機發光層高精度地成膜之方法，但由於前述蒸發源及使產生指向性的前述開口部為形成一體構造，為了使蒸發粒子從開口部產生，形成將前述一體構造加熱成高溫的構成，因此會在蒸鍍遮罩接受來自蒸發源的輻射熱，無法防止蒸鍍遮罩的熱膨脹所造成成膜圖案的位置精度降低。
又，如日本特開2010-261081號所示般，亦有一邊搬送基板，一邊攝取蒸鍍遮罩的對準標記與基板表面的基準圖案之位移量，以位移量能夠成為既定值的方式，將蒸鍍遮罩移動於與搬送方向大致正交的方向而對位之方法，但若基板大型化，則隨之搬送直線導件也會變長，更亦有產 生必須依序連接複數的直線導件之情況，隨著偏航(yawing)成分及波蕩(pitching)成分變大，此直線導件的真直度會降低。
並且，需要用以補正直線導件的偏航成分及波蕩成分所產生蒸鍍圖案的位置精度及蒸鍍圖案的變動之對位，但由於發光層的R(紅)，G(綠)，B(藍)的各個蒸鍍源單元為一體，因此蒸鍍遮罩的圖案開口有R，G，B的3種類，但因為所控制的對準標記為一處，所以從此對準標記到被配設於基板的搬送方向內側的蒸鍍遮罩的圖案開口為止的距離會變長，即使以基板的基準標記及蒸鍍遮罩的對準標記來補正導件的誤差所造成基板的位移量，還是無法補正從蒸鍍遮罩的對準標記到圖案開口為止的距離部分的導件的誤差，因此即使將複數的蒸鍍源單元成為一體的一體型單元對於基板進行對位，還是會有搬送蒸鍍時的成膜圖案偏離所望的位置之問題點。
又，揭示有為了使基板與遮罩的間隙(離間距離)形成均一，而以設在搬送方向前側的雷射變位計來計測所被搬送的基板的平坦度，反餽給位於為了保持基板而分割設置之靜電吸盤的吸附面的相反側的端面之壓電元件，控制靜電吸盤的突出量之方法。雷射變位計是計測基板單體的平坦度與導件的波蕩成分作為變位量，但與上述對位時同様的問題點，因為雷射變位計與搬送方向內側的蒸鍍源單元是離開某程度距離，所以無法補正導件的波蕩成分。而且，就控制一體物的基板的突出量之方法而言，基板的個 體也有差，恐有無法使與R，G，B的各蒸鍍遮罩的對向面的間隙形成均一之虞。
[先行技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特表2010-511784號公報
[專利文獻2]日本特開2010-261081號公報
本發明的目的是在於解決如此的各種問題，提供一種不隨著玻璃基板或薄板狀的可撓性基板等的基板的大型化而使蒸鍍遮罩同等地大型化，即使是比基板小形的蒸鍍遮罩，也可藉由使基板在離間狀態下搬送來廣範圍地將依據蒸鍍遮罩之成膜圖案的蒸鍍膜蒸鍍，且藉由使複數的蒸發源集合體分別獨立移動對位，即使以搬送蒸鍍來形成複數的成膜圖案時，也可將各成膜圖案的位移量壓在最小限度，且藉由使複數的蒸發源集合體分別獨立移動，將基板與蒸發源集合體的一部分的蒸鍍遮罩的離間距離保持於一定，可抑制複數的成膜材料各成膜圖案寬的變動及成膜圖案的位移，可進行高精度的蒸鍍之蒸鍍裝置及蒸鍍方法。
參照附圖來說明本發明的要旨。
一種蒸鍍裝置，係構成經由蒸鍍遮罩2的遮罩開口部 3來將從蒸發源1氣化的成膜材料堆積於基板4上，使依此蒸鍍遮罩2而定的成膜圖案的蒸鍍膜形成於基板4上，在前述蒸發源1與和此蒸發源對向狀態配設的前述基板4之間，配設具有飛散限制部的遮罩架6，該飛散限制部是設有限制從前述蒸發源1蒸發的前述成膜材料的蒸發粒子的飛散方向之限制用開口部5，在此遮罩架6附設與前述基板4配設成離間狀態的前述蒸鍍遮罩2，對於由此蒸鍍遮罩2、附設此蒸鍍遮罩2的前述遮罩架6及前述蒸發源1所構成的蒸發源集合體S來保持與前述蒸鍍遮罩2的離間狀態下搬送前述基板4，在比前述蒸鍍遮罩2更廣的範圍，使依此蒸鍍遮罩2而定的成膜圖案的蒸鍍膜形成於基板4上，其特徵為：在前述基板4的搬送方向Y設置複數個前述蒸發源集合體S，且在前述各蒸發源集合體S設置X方向對準手段9，該X方向對準手段9係於前述基板4的搬送時根據設在前述基板4的基板基準標記7及設在前述蒸鍍遮罩2的遮罩基準標記8之位置的檢測來檢測出前述蒸鍍遮罩2與前述基板4之至少與前述基板4的搬送方向Y正交的正交方向X的位移量，而在此正交方向X分別獨立驅動前述各蒸發源集合體S，且在前述各蒸發源集合體S設置Z方向離間距離控制手段10，該Z方向離間距離控制手段10係根據前述基板4之位置的檢測來檢測出此基板4與前述蒸鍍遮罩2的離間距離的變動量，而在與前述基板4的搬送方向Y正交的垂直方向Z分別獨立驅動前述各蒸發源 集合體S。
又，如申請專利範圍第1項之蒸鍍裝置，其中，前述X方向對準手段9係具有：畫像取得手段11，其係在前述基板4與前述蒸鍍遮罩2離間狀態搬送的狀態下，取得設在前述基板4的基板基準標記7及設在前述蒸鍍遮罩2的前述遮罩基準標記8作為測定用畫像；位置算出手段，其係由此測定用畫像來算出前述基板基準標記7與前述遮罩基準標記8的位置；補正值算出手段，其係算出此基板基準標記7與遮罩基準標記8的間隔和間隔基準值的差分值作為X方向補正值；及X方向致動器12，其係提供使前述蒸發源集合體S移動於與前述基板4的搬送方向Y正交的正交方向X之驅動力，構成一邊搬送前述基板4，一邊進行此基板4與前述蒸鍍遮罩2的對位。
又，如申請專利範圍第2項之蒸鍍裝置，其中，前述X方向對準手段9係構成可將在前述補正值算出手段算出之根據前述X方向補正值的控制訊號傳送至使前述蒸發源集合體S移動的前述X方向致動器12，而進行反餽控制。
又，如申請專利範圍第2項之蒸鍍裝置，其中，前述畫像取得手段11係具有至少2個以上的攝影機，被配設 在與前述基板4的搬送方向Y正交的垂直方向Z的基板4側，攝取前述基板4的基板基準標記7及前述蒸鍍遮罩2的遮罩基準標記8。
又，如申請專利範圍第1項之蒸鍍裝置，其中，前述基板4的前述基板基準標記7係為了對於搬送此基板4的直線導件17對位，且在此基板4的搬送中根據與前述蒸鍍遮罩2的遮罩基準標記8的位置關係來對準，而設為在基板4的端部沿著此基板4的搬送方向Y的直線或沿著此搬送方向Y來複數並列之圖案的基準標記。
又，如申請專利範圍第1項之蒸鍍裝置，其中，前述Z方向離間距離控制手段10係具有：變位感測器13，其係檢測出前述基板4表面與前述蒸鍍遮罩2的離間距離；補正值算出手段，其係算出在前述變位感測器13所被檢測出的離間距離與離間基準值的差分值作為變動量，以此變動量作為Z方向補正值；及Z方向致動器16，其係提供使前述蒸發源集合體S移動於與前述基板4的搬送方向Y正交的前述垂直方向Z之驅動力，一邊搬送前述基板4，一邊將此基板4與前述蒸鍍遮罩2的離間距離保持於一定。
又，如申請專利範圍第6項之蒸鍍裝置，其中，前述Z方向離間距離控制手段10係將在前述補正值算出手段算出之根據前述Z方向補正值的控制訊號傳送至使前述蒸 發源集合體S移動的前述Z方向致動器16，而進行反餽控制。
又，如申請專利範圍第6項之蒸鍍裝置，其中，前述變位感測器13係設為光學式變位感測器，在與前述基板4的搬送方向Y正交的正交方向X的兩端部或前述基板4的搬送方向Y的前後配置複數個。
又，如申請專利範圍第1項之蒸鍍裝置，其中，設為具備搬送裝置18的構成，該搬送裝置18係藉由基板搬送托盤14所具備的吸附手段15來吸附保持前述基板4，對於前述蒸發源集合體S以離間狀態來沿著直線導件17而搬送。
又，如申請專利範圍第9項之蒸鍍裝置，其中，前述基板搬送托盤14係於與此基板4的搬送方向Y正交的正交方向X形成比前述基板4更小。
又，如申請專利範圍第10項之蒸鍍裝置，其中，前述吸附手段15係構成至少設置一個以上的靜電吸盤或黏著吸盤，來吸附前述基板4的成膜面的相反面。
又，如申請專利範圍第1項之蒸鍍裝置，其中，將前述成膜材料設為有機材料。
又，一種蒸鍍方法，其特徵為：利用前述申請專利範圍第1~12項中的任一項所記載的蒸鍍裝置，在前述基板4上形成依前述蒸鍍遮罩2而定的成膜圖案的蒸鍍膜。
由於本發明是如上述般構成，因此可不隨基板的大型化而使蒸鍍遮罩同等地大型化，即使是比基板小形的蒸鍍遮罩，還是可藉由使基板在離間狀態下相對移動來廣範圍地將依據蒸鍍遮罩之成膜圖案的蒸鍍膜蒸鍍，且在離間狀態下搬送基板，可構造簡單效率佳且快速地蒸鍍，且使複數的蒸發源集合體分別獨立移動於與基板的搬送方向正交的正交方向，將所被搬送的基板與蒸發源集合體對位，且使複數的蒸發源集合體移動於與基板的搬送方向正交的垂直方向，將基板與蒸發源集合體的一部分的蒸鍍遮罩的離間距離形成一定，藉此成為可將所望的成膜圖案高精度地形成於所望的成膜位置之蒸鍍裝置及蒸鍍方法。
特別是有機EL裝置的製造，可對應於基板的大型化，有機發光層的蒸鍍也可精度佳地進行，成為可藉由比基板小的蒸鍍遮罩來實現高精度的蒸鍍之有機EL裝置製造用的蒸鍍裝置及蒸鍍方法。
並且，在請求項2記載的發明中，基板是在與蒸鍍遮罩離間狀態移動的狀態下，辨識基板的基準標記及前述蒸鍍遮罩的基準標記，算出位移量，成為可以簡易的構成來容易地實現進行至補正為止的X方向對準手段之更實用性佳的蒸鍍裝置。
並且，在請求項3記載的發明中，藉由進行反餽控制，可適時地補正基板與蒸鍍遮罩的位移量，可防止位移量變大。
並且，在請求項4記載的發明中，藉由以複數的攝影 機來攝取基板的基板基準標記及蒸鍍遮罩的遮罩基準標記，可高精度地進行基板與蒸鍍遮罩的對位，且攝影機是被配設於與基板的搬送方向垂直正交的方向的基板側，可降低來自蒸發源的熱或飛散粒子的影響。
並且，在請求項5記載的發明中，基板的基板基準標記是可對於直線導件進行對置，且以搬送中能夠與各蒸發源集合體的各蒸鍍遮罩的遮罩基準標記對準的方式形成直線或直線狀圖案，因此更可將蒸鍍圖案高精度地蒸鍍於所望的位置。
並且，在請求項6記載的發明中，基板是在與蒸鍍遮罩離間狀態移動的狀態下，辨識基板與蒸鍍遮罩的離間距離，成為可以簡易的構成來容易地實現進行至補正為止的Z方向離間距離控制手段之更實用性佳的蒸鍍裝置。
並且，在請求項7記載的發明中，藉由進行反餽控制，可適時地補正基板與蒸鍍遮罩的離間距離，可防止離間距離的變動。
並且，在請求項8記載的發明中，藉由變位感測器使用光學式，可高精度地檢測出基板表面，且藉由將變位感測器配設於與基板的搬送方向正交的正交方向的兩端，可精度佳地補正直線導件的滾動(rolling)成分，藉由配設於基板的搬送方向的前後，可精度佳地補正直線導件的波蕩(pitching)成分。
並且，在請求項9記載的發明中，即使基板的成膜面為重力方向，還是可抑制基板的彎曲進行搬送。
並且，在請求項10記載的發明中，即使藉由基板搬送托盤來吸附保持基板，還是可由基板側來觀察基板基準標記及遮罩基準標記。
並且，在請求項11記載的發明中，可不接觸於基板的成膜面，在基板全面平坦地保持，且基板的裝卸容易。
並且，在請求項12記載的發明中，成為有機材料的蒸發裝置，實用性更佳。
並且，在請求項13記載的發明中，成為發揮前述作用.效果佳的蒸鍍方法。
S‧‧‧蒸發源集合體
X‧‧‧正交方向
Y‧‧‧搬送方向
Z‧‧‧垂直方向
1‧‧‧蒸發源
2‧‧‧蒸鍍遮罩
3‧‧‧遮罩開口部
4‧‧‧基板
5‧‧‧限制用開口部
6‧‧‧遮罩架
7‧‧‧基板基準標記
8‧‧‧遮罩基準標記
9‧‧‧X方向對準手段
10‧‧‧Z方向離間距離控制手段
11‧‧‧畫像取得手段
12‧‧‧X方向致動器
13‧‧‧變位感測器
14‧‧‧基板搬送托盤
15‧‧‧吸附手段
16‧‧‧Z方向致動器
17‧‧‧直線導件
18‧‧‧搬送裝置
圖1是將本實施例的要部剖面後的概略說明正面圖。
圖2是將本實施例的要部剖面後的概略說明平面圖。
圖3是將本實施例的要部剖面後的概略說明正面圖。
圖4是表示本實施例的蒸發口部、蒸鍍遮罩的遮罩開口部、基板的位置關係的說明圖。
圖5是本實施例的理想的導件與現實的導件的比較之說明圖(有關偏航成分)。
圖6是表示本實施例的基板搬送時的對準順序的流程圖。
圖7是表示本實施例的基板搬送時的對準用基準標記的攝像畫像的說明圖。
圖8是表示本實施例的直線導件的偏航的說明圖。
圖9是表示以蒸發源集合體R，作為基準時的G，B 的偏移(間隔300mm)的說明圖。
圖10是表示以蒸發源集合體R，作為基準時的G，B的偏移(間隔500mm)的說明圖。
圖11是表示本實施例的離間成膜時的成膜圖案的說明圖。
圖12是比較理想的導件與現實的導件之說明圖(有關波蕩成分)。
圖13是表示本實施例的基板搬送時的基板與蒸鍍遮罩離間距離控制順序的流程圖。
圖14是表示本實施例的直線導件的波蕩所產生基板與蒸鍍遮罩的離間距離變動時的圖案平坦部的變化之說明圖。
圖15是表示本實施例的直線導件的波蕩所造成基板與蒸鍍遮罩的離間距離變動時的蒸鍍圖案位置的變化之說明圖。
圖16是將使用本實施例的薄板狀的可撓性基板時的要部剖面後的概略說明正面圖。
根據圖面顯示本發明的作用來簡單說明合適之本發明的實施形態。
在各蒸發源集合體S中，從蒸發源1蒸發的成膜材料是通過作為飛散限制部構成的遮罩架6的限制用開口部5，且經由蒸鍍遮罩2的遮罩開口部3來堆積於基板4 上，依此蒸鍍遮罩2而定的成膜圖案的蒸鍍膜會被形成於基板4上。
此時，將前述基板4及前述蒸鍍遮罩2配設成離間狀態，且使該基板4對於前述蒸鍍遮罩2或前述蒸發源1保持此離間狀態下構成相對移動自如，藉由使此基板4相對移動，依此蒸鍍遮罩2而定的成膜圖案的蒸鍍膜可在比蒸鍍遮罩2本身更廣的範圍來形成於基板4上。
因此，藉由使基板4對於各蒸發源集合體S(以蒸鍍遮罩2，附設此蒸鍍遮罩2的遮罩架6及蒸發源1所構成)保持與該蒸鍍遮罩2的離間狀態下相對移動，可使依據蒸鍍遮罩2之前述成膜圖案的蒸鍍膜連續於此相對移動方向，即使比基板4小的蒸鍍遮罩2也可在廣範圍形成蒸鍍膜。
並且，本發明是在前述基板4的搬送方向Y設置複數個前述蒸發源集合體S，且在前述各蒸發源集合體S設置X方向對準手段9，該X方向對準手段9是在前述基板4的搬送時根據設在前述基板4的基板基準標記7及設在前述蒸鍍遮罩2的遮罩基準標記8之位置的檢測來檢測出前述蒸鍍遮罩2與前述基板4之至少與前述基板4的搬送方向Y正交的正交方向X的位移量，而在此正交方向X分別獨立驅動前述各蒸發源集合體S，分別獨立對準各蒸發源集合體S。
亦即，一邊在與各蒸發源集合體S的遮罩開口部3離間狀態下搬送基板4，一邊藉由此X方向對準手段9來驅動各蒸發源集合體S而對基板4對準。
而且，本發明是在前述各蒸發源集合體S設置Z方向離間距離控制手段10，該Z方向離間距離控制手段10是根據前述基板4之位置的檢測來檢測出此基板4與前述蒸鍍遮罩2的離間距離的變動量，而在與前述基板4的搬送方向Y正交的垂直方向Z分別獨立驅動前述各蒸發源集合體S，使各蒸發源集合體S分別獨立保持離間距離於一定。
亦即，一邊在與各蒸發源集合體S的遮罩開口部3離間狀態下搬送基板4，一邊藉由該Z方向離間距離控制手段10來控制成使各蒸發源集合體S對於基板4昇降而離間距離成為一定。
因此，使沿著基板4的搬送方向Y而複數並設之此複數的蒸發源集合體S分別獨立移動於與基板4的搬送方向Y正交的正交方向X，將被搬送的基板4與蒸發源集合體S對位，且使複數的蒸發源集合體S移動於與基板4的搬送方向Y正交的垂直方向Z，使基板4與蒸發源集合體S的一部分的蒸鍍遮罩2的離間距離形成一定，藉此成為可在所望的成膜位置高精度地形成所望的成膜圖案之蒸鍍裝置及蒸鍍方法。
[實施例]
根據圖面來說明有關本發明的具體的實施例。
本實施例是經由蒸鍍遮罩2的遮罩開口部3來將從蒸發源1氣化的成膜材料(在本實施例是有機材料)堆積於基 板4上，使依此蒸鍍遮罩2而定的成膜圖案的蒸鍍膜形成於基板4上，在前述蒸發源1與和此蒸發源1對向狀態配設的前述基板4之間，配設具有飛散限制部的遮罩架6(該飛散限制部是設有限制從前述蒸發源1蒸發的前述成膜材料的蒸發粒子的飛散方向之限制用開口部5)，在此遮罩架6附設前述蒸鍍遮罩2，對於由此蒸鍍遮罩2、附設此蒸鍍遮罩2的前述遮罩架6及前述蒸發源1所構成的蒸發源集合體S來保持與前述蒸鍍遮罩2的離間狀態下搬送前述基板4，在比前述蒸鍍遮罩2更廣的範圍，使依此蒸鍍遮罩2而定的成膜圖案的蒸鍍膜形成於基板4上。
具體而言，設為具備搬送裝置18之構成，該搬送裝置18是藉由基板搬送托盤14所具備的吸附手段15來吸附保持前述基板4，對於前述蒸發源集合體S以離間狀態來沿著直線導件17而搬送，前述基板搬送托盤14是在與此基板4的搬送方向Y正交的横方向形成比前述基板4更小。
並且，前述吸附手段15是設置至少一個以上的靜電吸盤或黏著吸盤，構成可吸附前述基板4的成膜面的相反面。
亦即，本實施例，從蒸發源1蒸發的成膜材料是通過作為飛散限制部構成的遮罩架6的限制用開口部5，且經由蒸鍍遮罩2的遮罩開口部3來堆積於基板4上，依此蒸鍍遮罩2而定的成膜圖案的蒸鍍膜會被形成於基板4上。
此時，將前述基板4與前述蒸鍍遮罩2配設成離間狀 態，使此基板4對於前述蒸鍍遮罩2或前述蒸發源1保持此離間狀態下構成相對移動自如，藉由使此基板4相對移動，依此蒸鍍遮罩2而定的成膜圖案的蒸鍍膜會在比蒸鍍遮罩2本身更廣的範圍形成於基板4上。
並且，在此蒸鍍遮罩2與蒸發源1之間設置具有飛散限制部的遮罩架6，該飛散限制部是設有限制從蒸發源1蒸發的成膜材料的蒸發粒子的飛散方向之前述限制用開口部5，例如藉由此限制用開口部5，不使蒸發源1之來自相鄰或分離的位置的蒸發口部的蒸發粒子通過，即使蒸鍍遮罩2與基板4處於離間狀態，還是可防止成膜圖案的重疊。
而且，更設為使蒸鍍遮罩2接合於構成此飛散限制部的遮罩架6而附設之構成，抑止來自前述蒸發源1之熱的射入，抑制遮罩架6或蒸鍍遮罩2的溫度上昇，且即使蒸鍍遮罩2與基板4為離間狀態，藉由與該遮罩架6接觸，蒸鍍遮罩2的熱還是可往遮罩架6逃離，且若在此遮罩架6或蒸鍍遮罩2例如設置溫度控制機構，則將蒸鍍遮罩2保持於一定溫度的溫度保持機能會更提升。
因此，具有此飛散限制部的遮罩架6是與蒸發粒子的飛散方向的限制機能同時實現溫度保持機能，可抑制蒸鍍遮罩2的溫度上昇，將蒸鍍遮罩2保持於一定的溫度，因熱所造成蒸鍍遮罩2的變形不易發生。
因此，藉由使基板4對於各蒸發源集合體S(以蒸鍍遮罩2，附設此蒸鍍遮罩2的遮罩架6及蒸發源1所構成)保 持與該蒸鍍遮罩2的離間狀態下相對移動，可使依據蒸鍍遮罩2之前述成膜圖案的蒸鍍膜連續於此相對移動方向，即使比基板4小的蒸鍍遮罩2也可在廣範圍形成蒸鍍膜，且來自鄰接或分離的位置的蒸發口部之射入所造成的成膜圖案的重疊及熱所造成的變形等也可充分地被抑制，可進行高精度的蒸鍍。
並且，本實施例是在前述基板4的搬送方向Y設置複數個前述蒸發源集合體S，且在前述各蒸發源集合體S設置X方向對準手段9，該X方向對準手段9是在前述基板4的搬送時根據設在前述基板4的基板基準標記7及設在前述蒸鍍遮罩2的遮罩基準標記8之位置的檢測來檢測出前述蒸鍍遮罩2與前述基板4之至少與前述基板4的搬送方向Y正交的正交方向X的位移量，而在此正交方向X分別獨立驅動前述各蒸發源集合體S。
並且，在本實施例中，前述X方向對準手段9是具有：畫像取得手段11，其係在前述基板4與前述蒸鍍遮罩2離間狀態搬送的狀態下，取得設在前述基板4的基板基準標記7及設在前述蒸鍍遮罩2的前述遮罩基準標記8作為測定用畫像；位置算出手段，其係由此測定用畫像來算出前述基板基準標記7與前述遮罩基準標記8的位置；補正值算出手段，其係算出此基板基準標記7與遮罩基準標記8的間隔和間隔基準值的差分值作為X方向補正 值；及X方向致動器12，其係提供使前述蒸發源集合體S移動於與前述基板4的搬送方向Y正交的正交方向X之驅動力，構成一邊搬送前述基板4，一邊進行此基板4與前述蒸鍍遮罩2的對位。
並且，此X方向對準手段9是構成將在前述補正值算出手段算出之根據前述X方向補正值的控制訊號傳送至使前述蒸發源集合體S移動的前述X方向致動器12，而進行反餽控制。
並且，前述畫像取得手段11是具有至少2個以上的攝影機，配設在與前述基板4的搬送方向Y正交的垂直方向Z的基板4側，作為攝取前述基板4的基板基準標記7及前述蒸鍍遮罩2的遮罩基準標記8之構成。
並且，前述基板4的前述基板基準標記7是為了對於搬送此基板4的直線導件17對位，且根據此基板4的搬送中與前述蒸鍍遮罩2的遮罩基準標記8的位置關係來對準，而設為在基板4的端部沿著此基板4的搬送方向Y的直線或沿著此搬送方向Y來複數並列之圖案的基準標記。
並且，本實施例是在前述各蒸發源集合體S設置Z方向離間距離控制手段10，該Z方向離間距離控制手段10是根據前述基板4之位置的檢測來檢測出此基板4與前述蒸鍍遮罩2的離間距離的變動量，而在與前述基板4的搬送方向Y正交的垂直方向Z分別獨立驅動前述各蒸發源 集合體S。
此Z方向離間距離控制手段10是具有：變位感測器13，其係檢測出前述基板4表面與前述蒸鍍遮罩2的離間距離；補正值算出手段，其係以在前述變位感測器13所被檢測出的離間距離與離間基準值的差分值作為變動量算出，以此變動量作為Z方向補正值；及Z方向致動器16，其係提供使前述蒸發源集合體S在與前述基板4的搬送方向Y正交的前述垂直方向Z移動之驅動力，一邊搬送前述基板4，一邊將此基板4與前述蒸鍍遮罩2的離間距離保持於一定。
並且，此Z方向離間距離控制手段10是構成可將在前述補正值算出手段算出之根據前述Z方向補正值的控制訊號傳送至使前述蒸發源集合體S移動的前述Z方向致動器16，而進行反餽控制。
並且，此變位感測器13是設為光學式變位感測器，在與前述基板4的搬送方向Y正交的正交方向X的兩端部或前述基板4的搬送方向Y的前後配設複數個。
以下，更加以詳述。
圖1是將本實施例的要部予以剖面後的概略說明正面圖。圖2是將本實施例的要部予以剖面後的概略說明平面圖。
本實施例是如前述般構成一邊搬送被吸附保持於作為 吸附手段15(被設在基板搬送托盤14)的靜電吸盤的基板4，一邊在基板4上高精度地形成依蒸鍍遮罩2而定的成膜圖案的蒸鍍膜之蒸鍍裝置，在各蒸發源集合體S設置X方向對準手段9，該X方向對準手段9是藉由畫像取得手段11的攝像手段(例如CCD攝影機)來辨識搬送中的基板4所形成的基板基準標記7及蒸鍍遮罩2所形成的遮罩基準標記8的位置座標，以位移量能夠形成預先設定的基準值之方式，將蒸鍍遮罩2、遮罩架6及蒸發源1所構成的各蒸發源集合體S(例如有機EL裝置的發光層的紅、綠、藍)分別獨立驅動於與基板4的搬送方向Y大致正交的正交方向X而對準，且在各蒸發源集合體S亦具備Z方向離間距離控制手段10，該Z方向離間距離控制手段10是以搬送中的基板4與蒸鍍遮罩2的離間距離能夠形成一定的方式，一邊使此複數的各蒸發源集合體S藉由設在各基板4的搬送方向Y前方的變位感測器13來檢測出基板4與各蒸鍍遮罩2的離間距離，一邊根據此檢測來將各蒸發源集合體S分別獨立驅動於與基板4的搬送方向Y大致正交的垂直方向Z，而使離間距離形成一定，可在基板4的所望的蒸鍍位置高精度蒸鍍。
攝像手段的攝影機是在基板4的搬送方向Y前後配置4處攝影機A，A’，及相對於攝影機A，A’在與基板4的搬送方向Y正交的正交方向X相反側配置4處攝影機B，B’，觀察蒸鍍遮罩2之設在比形成成膜圖案的開口部還要靠搬送方向Y前側的遮罩基準標記8、及形成於基板 4的基板基準標記7。攝影機A，B是各設於複數的蒸發源集合體S，可獨立進行基板4與蒸發源集合體S的對準。利用攝影機A，A’，攝影機B，B’的4處所配設的攝影機的攝像畫像(測定用畫像)來進行基板4與蒸發源集合體S的對準，藉此可高精度對位。
又，如圖2所示般，像攝影機A，A’，攝影機B，B’那樣，若在4處配設攝影機，則在使基板4往返來進行蒸鍍時，攝影機A’，B’會在基板4歸路蒸鍍時形成搬送方向Y前側，可在比蒸鍍遮罩2的遮罩開口部3更前面對準。
X方向對準手段9及Z方向離間距離控制手段10是具有底板、伺服馬達、滾珠螺桿及直線導件，可在X，Y，Z方向高精度的定位之精密平台，設在未圖示的真空容器外，使真空容器內的蒸發源集合體S驅動。
如圖1，2所示般，形成蒸發源集合體S的蒸發源1是具備主用蒸發源及摻雜劑用蒸發源。從主用蒸發源氣化的主材料及從摻雜劑用蒸發源氣化的摻雜劑材料會通過同一蒸鍍遮罩2的遮罩開口部3，被蒸鍍於基板4上。
並且，蒸發源集合體S的蒸鍍遮罩2是在蒸鍍有機EL裝置的發光層的紅、綠、藍色時，各成膜圖案間距份，分別在與搬送方向Y大致正交的正交方向X偏移配設。
圖3是將本實施例的要部予以剖面後的說明正面圖。
被收容於蒸發粒子發生部的成膜材料是藉由加熱來氣 化，被擴散於擴散部，從蒸發口部(噴嘴)噴出。被噴出的成膜材料是經由蒸鍍遮罩2的遮罩開口部3來堆積於基板4上，依此蒸鍍遮罩2而定的成膜圖案的蒸鍍膜會被形成於基板4上。在蒸鍍遮罩2的遮罩開口部3是僅從對向的蒸發口部噴出的成膜材料會射入，從鄰接的蒸發口部噴出的成膜材料是附著於蒸發源1的各噴嘴間所配設的限制部(限制用開口部5間部)。
圖4是表示本實施例的蒸發口部、蒸鍍遮罩2的遮罩開口部3、基板4的位置關係的說明圖。
當基板4與蒸鍍遮罩2在離間狀態下蒸鍍時，以成膜圖案能夠被蒸鍍於所望的位置之方式，將決定被蒸鍍於基板4的成膜圖案之蒸鍍遮罩2的遮罩開口部3之與前述基板4的搬送方向Y正交的正交方向X的形成間距能以下記的式(1)來表示之方式，設定成僅對應於基板4與蒸鍍遮罩2的間隙G的大小及至蒸鍍口部與蒸鍍遮罩2為止的距離TS的大小之不同部分比前述蒸鍍膜的成膜圖案的間距更窄。
具體而言，如圖4所示般，從與蒸發源1的蒸發口部開口中心對向的遮罩位置到遮罩開口部中心為止的距離 MPx是縮小成從與蒸發口部開口中心對向的基板4位置到成膜圖案中心為止的距離Px乘以α/(1+α)的部分(此時α=TS/G)。
因此，例如若將上述距離TS設為100mm，將上述間隙G設為1mm，則上述α是成為100，α/(1+α)是約成為0.99。因此，例如若將Px設為10mm，則MPx是成為9.9mm，MPx是成為比Px小的值。
如此，當基板4與蒸鍍遮罩2在離間狀態下蒸鍍時，藉由比成膜圖案間距還要縮小蒸鍍遮罩2開口間距，可在所望的成膜位置高精度地蒸鍍，但由於本實施例基板4與蒸鍍遮罩2是在離間狀態下一邊搬送基板4一邊進行蒸鍍，因此需要高精度的搬送機構。
就圖5(a)所示之理想的直線導件17而言，可高精度的蒸鍍，但如圖5(b)所示般，現實上在直線導件17有偏航成分，基板4是一邊晃動於與搬送方向Y正交的正交方向X，一邊搬送。就本實施例而言，直線導件17是使用高精度的LM導件，但隨著基板4的大型化，一旦搬送距離變長，則直線導件17也會變長，由於分割連接使用，因此偏航成分也會變大。由圖4所示般，基板4的搬送所產生的位移是與蒸鍍位移量同等，因此直線導件17的偏航成分是牽連成膜位移。
因此，本實施例為了補正導件的偏航成分之位移量，而在各蒸發源集合體S設置X方向對準手段9，其係配合搬送時的基板4的位移，使各蒸發源集合體S驅動於與基 板4的搬送方向Y大致正交的正交方向X。
具體而言，首先，使基板4藉由基板搬送托盤14所具備之作為吸附手段15的靜電吸盤來吸附。吸附後的基板4會在形成與直線導件17的搬送方向Y平行的初期位置進行對準。
圖6是本實施例的基板4搬送時的對準順序。
在各蒸發源集合體S的兩端配設攝影機A，攝影機B。在基板4與蒸鍍遮罩2離間狀態移動的狀態下，以CCD攝影機來攝取印成直線之基板4的基板基準標記7及印成圓形之蒸鍍遮罩2的遮罩基準標記8，由測定用畫像來算出基板基準標記7及遮罩基準標記8的中心座標。算出此基板基準標記7的中心座標與遮罩基準標記8的中心座標的間隔和基準值的座標差分值，使蒸發源集合體S移動於與基板4的搬送方向Y大致正交的正交方向X，進行基板4與蒸鍍遮罩2的對位。此時，蒸發源集合體S的移動量是利用攝影機A，攝影機B的座標差分值的平均值。
在圖7顯示基板4的基板基準標記7與蒸鍍遮罩2的遮罩基準標記8的位置關係。
遮罩基準標記8是設在蒸鍍遮罩2端部的貫通孔，基板基準標記7是設在基板4端部的直線狀的基準標記。
由於基板4是在與基板4的搬送方向Y正交的正交方向X形成比基板搬送托盤14大，因此基板4的基板基準標記7的吸附面側是無基板搬送托盤14，可由基板4吸附面側以攝影機來觀察基板4的基板基準標記7及蒸鍍遮 罩2的遮罩基準標記8。對於搬送中的基板基準標記7，以遮罩基準標記8能夠形成既定的距離之方式，使蒸發源集合體S逐次驅動，藉此進行對準。
由於一邊搬送基板4一邊與蒸鍍遮罩2的基準進行對準，因此基板基準標記7是使用在搬送方向Y長的直線上的標記(圖7(a))，或基準標記在搬送方向Y斷續地配設成直線狀者(圖7(b))。
在基板4的搬送時，使蒸發源集合體S驅動於與基板4的搬送方向Y大致正交的正交方向X，進行基板4與蒸鍍遮罩2的對位，藉此可高精度地在所望的位置蒸鍍成膜圖案，且可防止被線狀地成膜的蒸鍍膜的線寬增大成所望的線寬以上。
又，本實施例的特徵是分別獨立控制發光層的R，G，B用的蒸發源集合體S來進行對位。在基板4為G6以上的大型玻璃基板4時特別有效。
具體而言，在圖8顯示將真直度設為20μm時，以正弦函數來表示直線導件17的偏航者。由於sinπ的長度是設為2000mm，基板4為大型，且需要基板4的二倍以上的行程(stroke)，因此搬送方向Y的直線導件17的長度是設為6000mm。因為沿著圖8所示的直線導件17的偏航來搬送基板4，所以對基板4上的基板基準標記7進行蒸鍍遮罩2的遮罩基準標記8的對位。
在圖9顯示在圖8所示的直線導件17將R，G，B的蒸發源集合體S設為一體，顯示按每個此一體型單元進行 對位時的偏移者。圖9是從基板4的搬送方向Y前面以R，G，B的順序來以300mm的間隔配設蒸發源集合體S，配合基板4的搬送來將R，G，B的蒸發源集合體S設為一體，顯示以R的基準標記來進行對位時之G，B的位移。上述的情況，相對於R的基準，最大在G是產生約4.7μm的偏移，在B產生約9.1μm的偏移。
圖10是表示與圖9同直線導件17，將蒸發源間隔設為500mm時的偏移。此情況，相對於R的基準，最大在G產生約7.7μm的偏移，在B產生約14.1μm的偏移。
因此，將複數的蒸發源集合體S同時對位時，複數的蒸發源集合體S的間隔越長，位移量越大。而且，不僅上述的情況，一旦真直度變大，偏航的週期變短，則位移量會變更大，成膜圖案的線寬也會比所望的線寬更大。
並且，在蒸鍍R，G，B的發光層時，由於各成膜材料的蒸氣壓特性不同，因此蒸發源的溫度的設定值各不同。所以，蒸鍍遮罩2及遮罩架6的熱膨脹量也不同。而且，連複數的蒸發源集合體S的各初期對位誤差也考慮的話，則即使一體控制複數的蒸發源集合體S，也無法在所望的位置以所望的線寬來成膜。
因此，本發明是可分別獨立控制複數的蒸發源集合體S來高精度地蒸鍍之蒸鍍裝置。
由於各獨立控制複數的蒸發源集合體S，補正直線導件17的誤差，因此不僅在搬送中隨時進行對位，且亦可使預先計測的誤差成分反餽。
圖11是本實施例的離間成膜時的成膜圖案。
在離間狀態下配設基板4及蒸鍍遮罩2進行成膜時，如圖11所示般，產生成膜圖案中央的膜厚平坦部(P)及蒸鍍膜的兩側側端部的傾斜部分之陰影(SH)。若將基板4與蒸鍍遮罩2的離間距離設為G，將與蒸發口部的搬送方向Y正交的正交方向X的開口寬設為 x，將蒸發口部與蒸鍍遮罩2的距離設為TS，則陰影SH是以下記的式(2)來表示，必須小於鄰接的蒸鍍膜的間隔PP。
具體而言，若將上述 x設為1mm，將上述G設為1mm，將上述TS設為100mm，則上述陰影SH是成為0.01mm。
如式(2)般，一旦基板4與蒸鍍遮罩2的距離G變動，則陰影SH會變動。例如，若大於既定的離間距離，則陰影SH也會變大。一旦陰影SH變大，則會被蒸鍍於鄰接畫素領域，因此在基板4一邊搬送一邊蒸鍍的本實施例中為了高精度地蒸鍍，必須將搬送中的基板4與蒸鍍遮罩2的離間距離保持於一定。
在圖12顯示有關導件的波蕩成分。像圖12(a)那樣，若為理想的導件，則在基板4搬送中，基板4與蒸鍍遮罩2的離間距離是被保持於一定，但如圖12(b)所示般，現 實的直線導件17是有波蕩成分，若搬送基板4，則基板4與蒸鍍遮罩2的離間距離會變動。為此，本實施例是如圖1所示般，具有可在與基板4的搬送方向Y大致正交的垂直方向Z控制蒸發源集合體S的機構，而使搬送中的基板4與蒸鍍遮罩2的離間距離能夠形成一定。
在圖13顯示本實施例的基板4搬送時的基板4與蒸鍍遮罩2離間量控制順序。
在蒸發源集合體S的搬送方向Y前側的兩端配設變位感測器A，B。變位感測器A，B啟動，算出與基板4表面的距離。其次，算出所被檢測出的離間距離與基準距離的差。其次，算出變位感測器A，B各與基準距離的差的平均值，算出離間量控制手段的移動量，使Z方向致動器16驅動，使配設有蒸發源集合體S的平台移動於與基板4的搬送方向Y大致正交的垂直方向Z，藉此使蒸鍍遮罩2與基板4的離間距離能夠形成一定。
此時，變位感測器是以光學式來算出與玻璃基板4表面的距離為理想。
並且，在圖中是算出變位感測器A，B的平均值，但一個的變位感測器亦可作為監視器使用，或由變位感測器A，B的差來算出傾斜量，在Z軸配設2軸的Z方向致動器16來補正。並且，若使用變位感測器A，A’，B，B’及4個的變位感測器的平均值，則對於基板4全面可高精度地補正離間量。而且，藉由使用被配設於基板4的搬送方向Y的前後之變位感測器A，A’，連直線導件17的波蕩 成分所產生傾斜也可補正。
又，如圖14所示般，基板4與蒸鍍遮罩2的離間成膜時的成膜圖案中央的膜厚平坦部P是以下記的式(3)來表示，當蒸發口部的開口寬 x大於遮罩開口寬Mx時，僅對應於基板4與蒸鍍遮罩2的離間距離G的大小及至蒸發口部與蒸鍍遮罩2的距離TS的大小之不同部分，小於蒸鍍遮罩2開口寬Mx。
例如，將蒸鍍遮罩2開口寬設為0.1mm，將TS設為100mm，將G設為1mm，將 x設為1mm時，蒸鍍圖案寬P是成為0.081mm。在基板4搬送時，基板4與蒸鍍遮罩2的離間量會因直線導件17的波蕩成分而變動，但如圖14所示般，例如在上述的條件下，一旦離間距離的變動量△G變大，則蒸鍍圖案寬P變小。
而且，如圖15所示般，以蒸鍍膜能夠被蒸鍍於所望的位置之方式，將遮罩開口間距設定成比成膜圖案間距還要窄，但若基板4與蒸鍍遮罩2的離間距離因直線導件17的波蕩成分而變動，則被蒸鍍的位置會偏移。成膜圖案位置的偏移量是以下記的式(4)來表示。
【數4】△Px=△G×tanθ‧‧‧(4)
圖案位置的偏移量是成為對基板4與蒸鍍遮罩2的離間距離變動量乘以自蒸發口部射出的蒸發粒子之往遮罩開口的入射角的正切之值。因此，為了抑制成膜圖案的位移量，而縮小離間距離的變動量是具有其效果。
如上述般，若基板4與蒸鍍遮罩2的離間距離因直線導件17的波蕩成分而變動，則蒸鍍圖案陰影SH、蒸鍍圖案平坦部P、蒸鍍圖案位置Px的值會變動。因此，本實施例是具有將基板4與蒸鍍遮罩2的離間距離保持於一定的蒸發源集合體控制機構。
和上述與基板4的搬送方向Y正交的正交方向X的對位機構同様，有關基板4與蒸鍍遮罩2的離間量控制也同様，若使複數的蒸發源集合體S一體進行對位，則會產生偏移，因此藉由分別獨立控制複數的蒸發源集合體S，可成為高精度蒸鍍的蒸鍍裝置。
又，本實施例，如圖16所示般，基板4並非限於玻璃基板4，在一邊傳送可撓性基板4(例如薄板狀的塑料薄膜)一邊蒸鍍時也同様成為可高精度地蒸鍍的蒸鍍裝置。
另外，本發明並非限於本實施例，各構成要件的具體構成是可適當設計。
S‧‧‧蒸發源集合體
X‧‧‧正交方向
Y‧‧‧搬送方向
Z‧‧‧垂直方向
4‧‧‧基板
6‧‧‧遮罩架
9‧‧‧X方向對準手段
10‧‧‧Z方向離間距離控制手段
11‧‧‧畫像取得手段
13‧‧‧變位感測器
14‧‧‧基板搬送托盤
15‧‧‧吸附手段
17‧‧‧直線導件
18‧‧‧搬送裝置

Claims (13)

  1. 一種蒸鍍裝置，係構成經由蒸鍍遮罩的遮罩開口部來將從蒸發源氣化的成膜材料堆積於基板上，使依此蒸鍍遮罩而定的成膜圖案的蒸鍍膜形成於基板上，在前述蒸發源與和此蒸發源對向狀態配設的前述基板之間，配設具有飛散限制部的遮罩架，該飛散限制部是設有限制從前述蒸發源蒸發的前述成膜材料的蒸發粒子的飛散方向之限制用開口部，在此遮罩架附設與前述基板配設成離間狀態的前述蒸鍍遮罩，對於由此蒸鍍遮罩、附設此蒸鍍遮罩的前述遮罩架及前述蒸發源所構成的蒸發源集合體來保持與前述蒸鍍遮罩的離間狀態下搬送前述基板，在比前述蒸鍍遮罩更廣的範圍，使依此蒸鍍遮罩而定的成膜圖案的蒸鍍膜形成於基板上，其特徵為：在前述基板的搬送方向設置複數個前述蒸發源集合體，且在前述各蒸發源集合體設置X方向對準手段，該X方向對準手段係於前述基板的搬送時根據設在前述基板的基板基準標記及設在前述蒸鍍遮罩的遮罩基準標記之位置的檢測來檢測出前述蒸鍍遮罩與前述基板之至少與前述基板的搬送方向正交的正交方向的位移量，而在此正交方向分別獨立驅動前述各蒸發源集合體，且在前述各蒸發源集合體設置Z方向離間距離控制手段，該Z方向離間距離控制手段係根據前述基板之位置的檢測來檢測出此基板與前述蒸鍍遮罩的離間距離的變動量，而在與前述基板的搬送方向正交的垂直方向分別獨立驅動前述各蒸發源集合體。
  2. 如申請專利範圍第1項之蒸鍍裝置，其中，前述X方向對準手段係具有：畫像取得手段，其係在前述基板與前述蒸鍍遮罩離間狀態搬送的狀態下，取得設在前述基板的基板基準標記及設在前述蒸鍍遮罩的前述遮罩基準標記作為測定用畫像；位置算出手段，其係由此測定用畫像來算出前述基板基準標記與前述遮罩基準標記的位置；補正值算出手段，其係算出此基板基準標記與遮罩基準標記的間隔和間隔基準值的差分值作為X方向補正值；及X方向致動器，其係提供使前述蒸發源集合體移動於與前述基板的搬送方向正交的正交方向之驅動力，構成一邊搬送前述基板，一邊進行此基板與前述蒸鍍遮罩的對位。
  3. 如申請專利範圍第2項之蒸鍍裝置，其中，前述X方向對準手段係構成可將在前述補正值算出手段算出之根據前述X方向補正值的控制訊號傳送至使前述蒸發源集合體移動的前述X方向致動器，而進行反餽控制。
  4. 如申請專利範圍第2項之蒸鍍裝置，其中，前述畫像取得手段係具有至少2個以上的攝影機，被配設在與前述基板的搬送方向正交的垂直方向的基板側，攝取前述基板的基板基準標記及前述蒸鍍遮罩的遮罩基準標記。
  5. 如申請專利範圍第1項之蒸鍍裝置，其中，前述基板的前述基板基準標記係為了對於搬送此基板的直線導件 對位，且根據此基板的搬送中與前述蒸鍍遮罩的遮罩基準標記的位置關係來對準，而設為在基板的端部沿著此基板的搬送方向的直線或沿著此搬送方向來複數並列之圖案的基準標記。
  6. 如申請專利範圍第1項之蒸鍍裝置，其中，前述Z方向離間距離控制手段係具有：變位感測器，其係檢測出前述基板表面與前述蒸鍍遮罩的離間距離；補正值算出手段，其係算出在前述變位感測器所被檢測出的離間距離與離間基準值的差分值作為變動量，以此變動量作為Z方向補正值；及Z方向致動器，其係提供使前述蒸發源集合體移動於與前述基板的搬送方向正交的前述垂直方向之驅動力，一邊搬送前述基板，一邊將此基板與前述蒸鍍遮罩的離間距離保持於一定。
  7. 如申請專利範圍第6項之蒸鍍裝置，其中，前述Z方向離間距離控制手段係將在前述補正值算出手段算出之根據前述Z方向補正值的控制訊號傳送至使前述蒸發源集合體移動的前述Z方向致動器，而進行反餽控制。
  8. 如申請專利範圍第6項之蒸鍍裝置，其中，前述變位感測器係設為光學式變位感測器，在與前述基板的搬送方向正交的正交方向的兩端部或前述基板的搬送方向的前後配置複數個。
  9. 如申請專利範圍第1項之蒸鍍裝置，其中，設為具 備搬送裝置的構成，該搬送裝置係藉由基板搬送托盤所具備的吸附手段來吸附保持前述基板，對於前述蒸發源集合體以離間狀態來沿著直線導件而搬送。
  10. 如申請專利範圍第9項之蒸鍍裝置，其中，前述基板搬送托盤係於與此基板的搬送方向正交的正交方向形成比前述基板更小。
  11. 如申請專利範圍第10項之蒸鍍裝置，其中，前述吸附手段係構成至少設置一個以上的靜電吸盤或黏著吸盤，來吸附前述基板的成膜面的相反面。
  12. 如申請專利範圍第1項之蒸鍍裝置，其中，將前述成膜材料設為有機材料。
  13. 一種蒸鍍方法，其特徵為：利用前述申請專利範圍第1~12項中的任一項所記載的蒸鍍裝置，在前述基板上形成依前述蒸鍍遮罩而定的成膜圖案的蒸鍍膜。
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