CN110191976B - 蒸发坩埚和蒸发设备 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种蒸发坩埚，包括坩埚主体(1)和连接到坩埚主体(1)的多个喷嘴(2)。多个喷嘴(2)中的每一个在远离坩埚主体(1)的一侧上具有开口。多个喷嘴(2)包括在多个喷嘴(2)的第一边缘(E1)上的第一喷嘴(2A)。第一喷嘴(2A)在接近第一边缘(E1)的一侧上相对于坩埚主体(1)的表面的第一高度(H1)大于在远离第一边缘(E1)的一侧上相对于坩埚主体(1)的表面(S)的第二高度(H2)。

Description

蒸发坩埚和蒸发设备
技术领域
本发明涉及一种蒸发坩埚和蒸发设备。
背景技术
在制作有机发光二极管(OLED)的过程中，使用蒸发坩埚将有机发光材料蒸发到基板上。具体地，将有机发光材料置于具有加热源的蒸发坩埚内。当向加热源施加动力时，有机发光材料蒸发或升华成为蒸汽。蒸发的或升华的蒸汽在到达蒸发坩埚的顶部上的基板时凝结。有机发光材料被沉积在基板上。
发明内容
在一个方面中，本发明提供了一种蒸发坩埚，包括：坩埚主体；以及连接到所述坩埚主体的多个喷嘴，每个喷嘴在远离所述坩埚主体的一侧上具有开口；其中所述多个喷嘴包括在所述多个喷嘴的第一边缘上的第一喷嘴；并且所述第一喷嘴在接近所述第一边缘的一侧上相对于所述坩埚主体的表面的第一高度大于在远离所述第一边缘的一侧上相对于所述坩埚主体的表面的第二高度。
可选地，所述第一喷嘴具有第一开口；并且所述第一开口的平面相对于与所述第一喷嘴的中轴正交的所述第一喷嘴的截面倾斜第一角度，所述第一角度在约5度至约85度的范围内。
可选地，所述多个喷嘴包括在所述多个喷嘴的第二边缘上的第二喷嘴，所述第二边缘与所述第一边缘相对；并且所述第二喷嘴在接近所述第二边缘的一侧上相对于所述坩埚主体的表面的第三高度大于在远离所述第二边缘的一侧上相对于所述坩埚主体的表面的第四高度。
可选地，所述第二喷嘴具有第二开口；并且所述第二开口的平面相对于与所述第二喷嘴的中轴正交的所述第二喷嘴的截面倾斜第二角度，所述第二角度在约5度至约85度的范围内。
可选地，所述第三高度与所述第一高度实质上相同；并且所述第四高度与所述第二高度实质上相同。
可选地，所述第一开口的平面和所述第二开口的平面朝向彼此倾斜，使得所述第一开口的平面与所述第二开口的平面在所述第一开口和所述第二开口的接近所述坩埚主体的一侧上相交；与所述第一开口的平面正交的平面和与所述第二开口的平面正交的平面实质上相互平行；所述第一开口的平面相对于与所述第一喷嘴的中轴正交的所述第一喷嘴的截面倾斜第一角度，所述第一角度在约5度至约85度的范围内；所述第二开口的平面相对于与所述第二喷嘴的中轴正交的所述第二喷嘴的截面倾斜第二角度，所述第二角度在约5度至约85度的范围内；并且所述第一角度和所述第二角度实质上相同。
可选地，所述多个喷嘴包括在所述第一喷嘴与所述第二喷嘴之间的至少第三喷嘴；所述第三喷嘴在接近所述第一边缘的一侧上和在接近所述第二边缘的一侧上相对于所述坩埚主体的表面具有实质上相同的第五高度；所述第二高度、所述第四高度和所述第五高度实质上相同；并且所述第三高度与所述第一高度实质上相同。
可选地，所述第三喷嘴具有第三开口；并且所述第三喷嘴沿着所述第三开口的边缘具有实质上均匀的高度。
可选地，所述第三喷嘴具有第三开口；并且所述第三开口的平面实质上正交于所述第三喷嘴的中轴。
可选地，所述第一喷嘴与所述第二喷嘴之间的任何喷嘴在接近所述第一边缘的一侧上和在接近所述第二边缘的一侧上相对于所述坩埚主体的表面具有实质上相同的第六高度；所述第二高度、所述第四高度和所述第六高度实质上相同；并且所述第三高度与所述第一高度实质上相同。
可选地，所述第一喷嘴与所述第二喷嘴之间的任何喷嘴的开口的平面实质上正交于其中轴；并且与所述第一开口的平面正交的平面和与所述第二开口的平面正交的平面实质上相互平行，并且实质上平行于所述第一喷嘴与所述第二喷嘴之间的各喷嘴的中轴。
可选地，所述第一高度是沿着所述第一开口的边缘的最大高度；并且所述第二高度是沿着所述第一开口的边缘的最小高度。
可选地，所述第三高度是沿着所述第二开口的边缘的最大高度；并且所述第四高度是沿着所述第二开口的边缘的最小高度。
可选地，所述多个喷嘴的中轴实质上相互平行。
可选地，所述多个喷嘴中的每一个具有正交于其中轴的截面；并且所述多个喷嘴中的每一个的截面具有实质上相同的面积。
可选地，所述多个喷嘴中的每一个包括单个开口。
可选地，所述多个喷嘴中的每一个在所述坩埚主体上的投影具有实质上相同的形状和实质上相同的面积。
可选地，所述多个喷嘴中的每一个在所述坩埚主体上的投影具有圆形形状。
在另一方面中，本发明提供了一种蒸发设备，包括本文所述的蒸发坩埚。
可选地，所述蒸发设备还包括壳体；以及所述壳体中的运送设备；其中所述运送设备在所述蒸发坩埚上方并且构造为支承用于对从所述蒸发坩埚的多个喷嘴蒸发的蒸汽进行接收的基板；所述多个喷嘴实质上沿着第一方向布置；并且所述运送设备构造为在实质上垂直于所述第一方向的方向上移动所述基板。
附图说明
以下附图仅为根据所公开的各个实施例的用于例示目的的示例，并不意在限制本发明的范围。
以下附图仅为根据所公开的各个实施例的用于例示目的的示例，并不意在限制本发明的范围。
图1是示出从喷嘴的出口离开的气态有机材料的分布图案的示意图。
图2是示出传统蒸发坩埚的结构的示意图。
图3是示出根据本公开的一些实施例中的蒸发坩埚的结构的示意图。
图4是示出根据本公开的一些实施例中的第一喷嘴和第二喷嘴的结构的示意图。
图5是示出根据本公开的一些实施例中的第一喷嘴和第二喷嘴的结构的示意图。
图6是示出根据本公开的一些实施例中的第一喷嘴和第二喷嘴的结构的示意图。
图7是示出根据本公开的一些实施例中的第三喷嘴的结构的示意图。
图8是示出根据本公开的一些实施例中的第一喷嘴、第二喷嘴和多个第三喷嘴的结构的示意图。
图9是示出根据本公开的一些实施例中的蒸发坩埚的结构的示意图。
图10是示出根据本公开的一些实施例中的蒸发设备的结构的示意图。
具体实施方式
现在将参照附图更具体地描述本公开。应当注意，本文呈现的一些实施例的以下描述仅出于例示和说明的目的。其不意在是详尽的或限于所公开的精确形式。
来自于喷嘴的气态有机材料的分布遵循麦克斯韦-玻尔兹曼分布函数。图1是示出从喷嘴的出口离开的气态有机材料的分布图案的示意图。参照图1，喷嘴开口处的有机材料的量表示为I0。可以根据等式I＝I0cosnθ来计算以相对于坩埚主体的表面的角度θ分布的有机材料的量I。因此，可以通过计算n值来估计沉积膜的厚度和蒸发的效率。n值还部分地取决于喷嘴开口的尺寸和喷嘴的高度。当喷嘴的高度保持相同时，开口的尺寸越大，n值越小。当开口的尺寸保持相同时，喷嘴的高度越大，n值越大。n值越小，分布的范围越宽。n值越大，分布的范围越窄。
在一个示例中，在表1中示出了n值与开口的尺寸之间的相互关系。喷嘴的高度保持为15mm。
表1.n值与开口的尺寸之间的相互关系
Figure BDA0001354583420000051
在另一示例中，在表2中示出了n值与喷嘴的高度之间的相互关系。开口的直径保持为10mm。
表2.n值与喷嘴的高度之间的相互关系
Figure BDA0001354583420000052
图2是示出传统蒸发坩埚的结构的示意图。参照图2，传统蒸发坩埚包括坩埚主体1和连接到坩埚主体1的多个喷嘴2。传统蒸发坩埚中的多个喷嘴2具有基本上相同的形状、大小和定向。多个喷嘴2中的每一个的入口连接到坩埚主体1的内部。多个喷嘴2中的每一个的出口穿过坩埚主体的顶部上的开口。一些实施例中的坩埚主体包括材料室1A和加热器1B。通过加热材料室1A，有机材料(例如有机发光材料)蒸发成气态有机材料。气态有机材料进入多个喷嘴2中的每一个的入口，并离开多个喷嘴2中的每一个的出口。从多个喷嘴2中的每一个的出口离开的气态有机材料沉积到置于蒸发坩埚的顶部上的基板3的表面上。
如图2所示，在基板3上的A与B之间的区域中，沉积在基板3上的材料来自于两个相邻喷嘴2。在A与B之间区域的外部(例如在A的左侧或在B的右侧)，沉积在基板3上的材料来自于单个喷嘴2。因此，形成在A与B之间的区域中的沉积膜比形成在A与B之间区域的外部的沉积膜厚。该边缘效应导致具有不均匀厚度的沉积膜，即膜的厚度沿着边缘较小而在中央较大。不均匀的沉积膜(例如有机发光层)不利地影响了显示质量。
因此，本公开特别提供了一种蒸发坩埚和蒸发设备，其基本上避免了由于相关技术的局限和缺点而导致的一个或多个问题。在一个方面中，本公开提供了一种蒸发坩埚。在一些实施例中，蒸发坩埚包括坩埚主体和连接到坩埚主体的多个喷嘴。多个喷嘴中的每一个具有在远离坩埚主体的一侧上的开口。多个喷嘴包括在所述多个喷嘴的第一边缘上的第一喷嘴。第一喷嘴在接近第一边缘的一侧上相对于坩埚主体的表面的第一高度大于在远离第一边缘的一侧上相对于坩埚主体的表面的第二高度。使用本蒸发坩埚，可以实现有机材料的极其均匀的分布和沉积在基板上的其整体具有极其均匀的厚度的膜。
图3是示出根据本公开的一些实施例中的蒸发坩埚的结构的示意图。参照图3，一些实施例中的蒸发坩埚包括坩埚主体1和连接到坩埚主体1的多个喷嘴2。多个喷嘴2包括第一喷嘴2A、第二喷嘴2B、和处在第一喷嘴2A与第二喷嘴2B之间的至少第三喷嘴2C。第一喷嘴2A在多个喷嘴2的第一边缘(例如左边缘)上。第二喷嘴2B在多个喷嘴2的与第一边缘相对的第二边缘(例如右边缘)上。多个喷嘴2中的每一个的入口连接到坩埚主体1的内部。多个喷嘴2中的每一个的出口穿过坩埚主体的顶部上的开口。一些实施例中的坩埚主体包括材料室1A和加热器1B。加热器1B可以布置在材料室1A内。可选地，加热器1B布置在材料室1A之外。通过加热材料室1A，有机材料(例如有机发光材料)蒸发成气态有机材料。气态有机材料进入多个喷嘴2中的每一个的入口，并离开多个喷嘴2中的每一个的出口。从多个喷嘴2中的每一个的出口离开的气态有机材料被沉积到置于蒸发坩埚的顶部上的基板3的表面上。在一些实施例中，多个喷嘴2布置为一行多个喷嘴2(如图3所示)。在沉积工艺期间，该行多个喷嘴2和基板相对于彼此移动。该行多个喷嘴2扫描基板3的表面，在基板3的表面上沉积具有基本上均匀的厚度的有机材料的层。在一些实施例中，在基板3与该行多个喷嘴2之间放置掩模板4。
第一喷嘴2A在多个喷嘴2的第一边缘E1上，例如，第一喷嘴2A是多个喷嘴2中的在左侧的第一个。第二喷嘴2B在多个喷嘴2的第二边缘E2上，例如，第二喷嘴2B是多个喷嘴2中的在右侧的最后一个。第二边缘E2与第一边缘E1相对。因此，在一行多个喷嘴2中，第一喷嘴2A是该行中的第一个，第二喷嘴2B是该行中的最后一个。
图4是示出根据本公开的一些实施例中的第一喷嘴和第二喷嘴的结构的示意图。参照图4，一些实施例中的第一喷嘴2A具有连接到坩埚主体1的内部的入口IL以及穿过在坩埚主体1的顶部上的开口且允许气态有机材料离开坩埚主体1的出口OL。参照图3和图4，第一喷嘴2A在多个喷嘴2的第一边缘E1上，例如，第一喷嘴2A是多个喷嘴2的在左侧的第一个。第一喷嘴2A在接近第一边缘E1的第一侧S1具有相对于坩埚主体1的表面S的第一高度H1，并在远离第一边缘E1(并接近第二边缘E2)的第二侧S2上具有相对于坩埚主体1的表面S的第二高度H2。第一高度H1大于第二高度H2。如图4中所示，一些实施例中的第一高度H1为h+h’，一些实施例中的第二高度为h。因此，第一高度H1比第二高度H2大h’。可选地，第一高度H1比第二高度H2大至少10％，例如，大至少20％、大至少50％、大至少100％等。可选地，第一高度H1是沿着第一开口O1的整个边缘的最大高度。可选地，第二高度H2是沿着第一开口O1的整个边缘的最小高度。
通过使第一喷嘴2A在接近第一边缘E1的第一侧S1上相对于坩埚主体1的表面S的第一高度H1大于在远离第一边缘E1的第二侧S2上相对于坩埚主体1的表面S的第二高度H2，避免了传统蒸发坩埚的边缘效应。通过在第一侧上具有更大的第一高度H1，在第一喷嘴2A的左侧上的n值增大，导致在第一喷嘴2A的左侧上更窄的材料分布。在左侧上更窄的分布引起在第一喷嘴2A的左侧上的增大的沉积，这转而增大了在该区域中的沉积膜的厚度。通过使第二高度H2更小，例如，基本上与多个喷嘴2的中间其他喷嘴的高度相同，第一喷嘴2A的右侧的n值基本上维持与多个喷嘴2的中间其他喷嘴的n值相同。因此，第一喷嘴2A的右侧上的沉积基本上不变。结果，可以实现在第一喷嘴2A的左侧上和右侧上基本上均匀的厚度。
参照图4，一些实施例中的第二喷嘴2B具有连接到坩埚主体1的内部的入口IL、以及穿过坩埚主体1的顶部上的开口且允许气态有机材料离开坩埚主体1的出口OL。参照图3和图4，第二喷嘴2B在多个喷嘴2的第二边缘E2上，例如，第二喷嘴2B是多个喷嘴2中的在右侧上的最后一个。第二喷嘴2B在接近第二边缘E2的第三侧S3上具有相对于坩埚主体1的表面S的第三高度H3，并且在远离第二边缘E2(并接近第一边缘E1)的第四侧S4上具有相对于坩埚主体1的表面S的第四高度H4。第三高度H3大于第四高度H4。如图4所示，一些实施例中的第三高度H3为h+h’，一些实施例中的第四高度H4为h。因此，第三高度H3比第四高度H4大h’。可选地，第三高度H3比第四高度H4大至少10％，例如，大至少20％、大至少50％、大至少100％等。可选地，第三高度H3是沿着第二开口O2的整个边缘的最大高度。可选地，第四高度H4是沿着第二开口O2的整个边缘的最小高度。
通过使第二喷嘴2B在接近第二边缘E2的第三侧S3上相对于坩埚主体1的表面S的第三高度H3大于在远离第二边缘E2的第四侧S4上相对于坩埚主体1的表面S的第四高度H4，避免了传统蒸发坩埚的边缘效应。通过在第三侧上具有更大的第三高度H3，在第二喷嘴2B的右侧上的n值增大，导致在第二喷嘴2B的右侧上更窄的材料分布。在右侧上更窄的分布引起在第二喷嘴2B的右侧上的增大的沉积，这转而增大了在该区域中的沉积膜的厚度。通过使第四高度H4小于第三高度H3，例如，第四高度H4基本上与多个喷嘴2的中间其他喷嘴的高度相同，第二喷嘴2B的左侧的n值基本上维持与多个喷嘴2的中间其他喷嘴的n值相同。因此，第二喷嘴2B的左侧上的沉积基本上不变。结果，可以实现在第二喷嘴2B的左侧上和右侧上基本上均匀的厚度。
可选地，第一高度H1和第三高度H3基本上相同，并且第二高度H2和第四高度H4基本上相同。
参照图4，一些实施例中的第一喷嘴2A具有第一开口O1。第一开口O1的平面P1相对于与第一喷嘴2A的中轴A1正交的第一喷嘴2A的截面C1倾斜。如图4所示，开口O1的平面P1相对于与第一喷嘴2A的中轴A1正交的第一喷嘴2A的截面C1倾斜第一角度α1。可选地，第一角度α1在约5度至约85度的范围内，例如，在约10度至约80度的范围内、在约20度至约70度的范围内、在约30度至约60度的范围内、以及在约40度至约50度的范围内。
如本文所使用的，术语“倾斜”是指其中第一平面与第二平面形成非零且非90度的角度的情形。可选地，第一平面不平行于第二平面，并且不正交于第二平面。
参照图4，一些实施例中的第二喷嘴2B具有第二开口O2。第二开口O2的平面P2相对于与第二喷嘴2B的中轴A2正交的第二喷嘴2B的截面C2倾斜。如图4所示，第二开口O2的平面P2相对于与第二喷嘴2B的中轴A2正交的第二喷嘴2B的截面C2倾斜第二角度α2。可选地，第二角度α2在约5度至约85度的范围内，例如，在约10度至约80度的范围内、在约20度至约70度的范围内、在约30度至约60度的范围内、以及在约40度至约50度的范围内。
可选地，第一角度α1基本上与第二角度α2相同。
参照图3和图4，在一些实施例中，第一开口O1的平面P1和第二开口O2的平面P2朝向彼此倾斜。第一开口O1的平面P1和第二开口O2的平面P2在第一开口O1和第二开口O2的接近坩埚主体1的一侧上。与第一开口O1的平面P1正交的平面P1’和与第二开口O2的平面P2正交的平面P2’基本上相互平行。第一开口O1的平面P1相对于与第一喷嘴2A的中轴A1正交的第一喷嘴2A的截面C1倾斜第一角度α1。第二开口O2的平面P2相对于与第二喷嘴2B的中轴A2正交的第二喷嘴2B的截面C2倾斜第二角度α2。可选地，第一角度α1在约10度至约80度的范围内。可选地，第二角度α2在约10度至约80度的范围内。可选地，第一角度α1基本上与第二角度α2相同。
在本公开的上下文中，开口的平面是指与沿着开口边缘的多个点接触的平面。图4中的第一开口O1和第二开口O2具有基本上平滑的边缘，并且整个边缘具有基本上相同的斜率。在一些实施例中，开口无需具有平滑的边缘，边缘也无需沿其整个路径具有基本上相同的斜率。可选地，开口的平面是与沿着开口边缘的多个点接触的平面，并且具有与沿开口边缘的平均斜率基本上相同的斜率。图5是示出根据本公开的一些实施例中的第一喷嘴和第二喷嘴的结构的示意图。参照图5，第一喷嘴2A和第二喷嘴2B基本上与图4中的那些相同，只除了第一开口O1和第二开口O2具有锯齿状或凹凸不平的边缘。第一开口O1的平面P1是与沿着第一开口O1的边缘的多个点接触的平面，并且具有与沿着第一开口O1的边缘的平均斜率基本上相同的斜率。第二开口O2的平面P2是与沿着第二开口O2的边缘的多个点接触的平面，并且具有与沿着第二开口O2的边缘的平均斜率基本上相同的斜率。图6是示出根据本公开的一些实施例中的第一喷嘴和第二喷嘴的结构的示意图。参照图6，第一喷嘴2A和第二喷嘴2B与图4中的那些基本上相同，只除了第一开口O1和第二开口O2均具有下凹的形状。第一开口O1和第二开口O2的边缘均具有沿其边缘可变的斜率。第一开口O1的平面P1是与沿着第一开口O1的边缘的多个点接触的平面，并具有与沿着第一开口O1的边缘的平均斜率基本上相同的斜率。第二开口O2的平面P2是与沿着第二开口O2的边缘的多个点接触的平面，并具有与沿着第二开口O2的边缘的平均斜率基本上相同的斜率。
在一些实施例中，多个喷嘴包括在第一喷嘴与第二喷嘴之间的至少第三喷嘴。图7是示出根据本公开的一些实施例中的第三喷嘴的结构的示意图。参照图7，第三喷嘴2C在接近第一边缘E1的第五侧S5上和接近第二边缘E2的第六侧S6上相对于坩埚主体1的表面S具有基本上相同的第五高度H5。可选地，第五高度H5为h。参照图4和图7，在一些实施例中，第一喷嘴2A的第二高度H2、第二喷嘴2B的第四高度H4、和第三喷嘴2C的第五高度H5基本上相同。可选地，第二喷嘴2B的第三高度H3与第一喷嘴2A的第一高度H1基本上相同。
参照图7，在一些实施例中，第三喷嘴2C包括第三开口O3。可选地，第三喷嘴2C沿着第三开口O3的整个边缘具有基本上均匀的高度。第三开口O3的平面P3基本上正交于第三喷嘴2C的中轴A3，即，第三开口O3的平面P3基本上平行于与中轴A3正交的截面C3。
参照图3和图7，在一些实施例中，第一喷嘴2A与第二喷嘴2B之间的每个喷嘴为第三喷嘴2C。第一喷嘴2A与第二喷嘴2B之间的多个第三喷嘴中的每个第三喷嘴2C在接近第一边缘E1的第五侧S5上和接近第二边缘E2的第六侧S6上相对于坩埚主体1的表面S具有基本上相同的第五高度H5。可选地，第五高度H5为h。参照图3、图4和图7，在一些实施例中，第一喷嘴2A的第二高度H2、第二喷嘴2B的第四高度H4、和多个第三喷嘴中的每个第三喷嘴2C的第五高度H5基本上相同。可选地，第二喷嘴2B的第三高度H3与第一喷嘴2A的第一高度H1基本上相同。可选地，多个第三喷嘴中的每个第三喷嘴2C具有第三开口O3。可选地，多个第三喷嘴中的每个第三喷嘴2C沿着第三开口O3的整个边缘具有基本上均匀的高度。可选地，第三开口O3的平面P3基本上正交于第三喷嘴2C的中轴A3，即，第三开口O3的平面P3基本上平行于与中轴A3正交的截面C3。
图8是示出根据本公开的一些实施例中的第一喷嘴、第二喷嘴和多个第三喷嘴的结构的示意图。参照图8，第一喷嘴2A与第二喷嘴2B之间的任何第三喷嘴2C的开口O3的平面P3基本上正交于其中轴A3。与第一开口O1的平面P1正交的平面P1’和与第二开口O2的平面P2正交的平面P2’基本上相互平行，并且基本上平行于第一喷嘴2A与第二喷嘴2B之间的喷嘴的中轴A3。可选地，第一开口O1于平面P1上的投影的图案相对于平面P1’呈镜面对称，第二开口O2于平面P2上的投影的图案相对于平面P2’呈镜面对称。可选地，平面P1’、平面P2’和中轴A3基本上共面，如图8所示。
在一些实施例中，在第一边缘上的第一喷嘴与第二边缘上的第二喷嘴之间，多个喷嘴还包括与第三喷嘴不同的喷嘴，例如，在第一喷嘴与第二喷嘴之间的喷嘴不是每一个均为第三喷嘴。图9是示出根据本公开的一些实施例中的蒸发坩埚的结构的示意图。参照图9，在一些实施例中，多个喷嘴2包括在多个喷嘴2的第一边缘E1上的第一喷嘴2A、在多个喷嘴2的第二边缘E2上的第二喷嘴2B、在第一喷嘴2A与第二喷嘴2B之间的一个或多个第三喷嘴2C、与第一喷嘴2A相邻的第四喷嘴2D、和与第二喷嘴2B相邻的第五喷嘴2E。类似于第一喷嘴2A，第四喷嘴2D在接近第一边缘E1的一侧上相对于坩埚主体1的表面的高度也大于在远离第一边缘E1的一侧上的相对于坩埚主体1的表面的高度。然而，针对第四喷嘴2D的接近第一边缘E1的一侧上的高度与远离第一边缘E1的一侧上的高度之间的高度比小于针对第一喷嘴2A的这种高度比。类似于第二喷嘴2B，第五喷嘴2E在接近第二边缘E2的一侧上相对于坩埚主体1的表面的高度也大于远离第二边缘E2的一侧上的相对于坩埚主体1的表面的高度。针对第五喷嘴2E的接近第二边缘E2的一侧上的高度与远离第二边缘E2的一侧上的高度之间的高度比小于针对第二喷嘴2B的这种高度比
参照图8，在一些实施例中，多个喷嘴2中的所有喷嘴的中轴(例如中轴A1、A2和A3)全部基本上相互平行。可选地，多个喷嘴2中的每一个具有与其中轴正交的截面。多个喷嘴2中的所有喷嘴的截面(例如C1、C2和C3)全部具有基本上相同的面积。如图8所示，多个喷嘴2中的每一个具有单个开口。可选地，多个喷嘴2中的所有喷嘴的每一个在坩埚主体1上的投影具有基本上相同的形状和基本上相同的面积。可选地，多个喷嘴2中的每一个在坩埚主体上的投影具有圆形形状。
在另一方面中，本公开提供了具有本文所述的蒸发坩埚的蒸发设备。图10是示出根据本公开的一些实施例中的蒸发设备的结构的示意图。参照图10，一些实施例中的蒸发设备包括壳体5和在壳体5中的运送设备6。运送设备6布置在蒸发坩埚的上方，蒸发坩埚包括坩埚主体1和多个喷嘴2。运送设备6构造为支承对从蒸发坩埚的多个喷嘴2蒸发的蒸汽进行接收的基板3。可选地，在基板3与多个喷嘴2之间放置了掩模板4。可选地，多个喷嘴2基本上沿着第一方向布置，并且运送设备6构造为在基本上垂直于第一方向的方向上移动基板3。
在本蒸发设备中可以使用各种适当的运送设备。可选地，运送设备为传送带。当基板3移动到与多个喷嘴2相对的位置时，多个喷嘴2喷射气态有机材料以允许有机材料沉积到基板3。
已经出于例示和说明的目的呈现了本发明实施例的前述描述。其并不旨在是详尽的或者将本发明局限于所公开的精确形式或示例实施例。因此，前述描述应当被视为例示性而非限制性的。显然，许多修改和变型对于本领域从业技术人员是显而易见的。选择和描述实施例以便说明本发明的原理及其最佳实际应用，从而使得本领域技术人员能够理解本发明的适于预期的特定用途的各个实施例和各种修改。本发明的范围旨在由所附权利要求及其等同物限定，其中所有术语含义为其最宽泛的合理意义，除非另有指明。因此，术语“发明”、“本发明”等不一定将权利要求范围限制到具体实施例，对本发明示例实施例的引用并不表明对本发明的限制，也不应作出这种限制的推断。本发明仅由所附权利要求的精神和范围来限制。此外，这些权利要求可能涉及在名词或元件前使用“第一”、“第二”等。这样的术语应被理解为命名方式，而不应解释为对由这种命名方式修饰的元件的数量进行限制，除非已给出具体数量。所描述的任何优点和利益可能不应用于本发明的所有实施例。应当理解，在不脱离所附权利要求限定的本发明范围的情况下可以由本领域技术人员对各实施例作出变型。此外，本公开的元件和部件均不意在贡献给公众，无论该元件或部件是否明确记载在所附权利要求中。

Claims (19)

1. 一种蒸发坩埚，包括：
坩埚主体；以及
连接到所述坩埚主体的多个喷嘴，每个喷嘴在远离所述坩埚主体的一侧上具有开口；
其中所述多个喷嘴包括在所述多个喷嘴的第一边缘上的第一喷嘴；并且
所述第一喷嘴在接近所述第一边缘的一侧上相对于所述坩埚主体的表面的第一高度大于在远离所述第一边缘的一侧上相对于所述坩埚主体的表面的第二高度；
所述多个喷嘴包括在所述多个喷嘴的第二边缘上的第二喷嘴，所述第二边缘与所述第一边缘相对；并且
所述第二喷嘴在接近所述第二边缘的一侧上相对于所述坩埚主体的表面的第三高度大于在远离所述第二边缘的一侧上相对于所述坩埚主体的表面的第四高度；
所述第一喷嘴的第一开口和所述第二喷嘴的第二开口均具有锯齿状或凹凸不平的边缘。
2.根据权利要求1所述的蒸发坩埚，其中，所述第一喷嘴具有第一开口；并且
所述第一开口的平面相对于与所述第一喷嘴的中轴正交的所述第一喷嘴的截面倾斜第一角度，所述第一角度在5度至85度的范围内。
3.根据权利要求1所述的蒸发坩埚，其中，所述第二喷嘴具有第二开口；并且
所述第二开口的平面相对于与所述第二喷嘴的中轴正交的所述第二喷嘴的截面倾斜第二角度，所述第二角度在5度至85度的范围内。
4.根据权利要求1所述的蒸发坩埚，其中，所述第三高度与所述第一高度实质上相同；并且
所述第四高度与所述第二高度实质上相同。
5.根据权利要求1所述的蒸发坩埚，其中，所述第一开口的平面和所述第二开口的平面朝向彼此倾斜，使得所述第一开口的平面与所述第二开口的平面在所述第一开口和所述第二开口的接近所述坩埚主体的一侧上相交；
与所述第一开口的平面正交的平面和与所述第二开口的平面正交的平面实质上相互平行；
所述第一开口的平面相对于与所述第一喷嘴的中轴正交的所述第一喷嘴的截面倾斜第一角度，所述第一角度在5度至85度的范围内；
所述第二开口的平面相对于与所述第二喷嘴的中轴正交的所述第二喷嘴的截面倾斜第二角度，所述第二角度在5度至85度的范围内；并且
所述第一角度和所述第二角度实质上相同。
6.根据权利要求1所述的蒸发坩埚，其中，所述多个喷嘴包括在所述第一喷嘴与所述第二喷嘴之间的至少第三喷嘴；
所述第三喷嘴在接近所述第一边缘的一侧上和在接近所述第二边缘的一侧上相对于所述坩埚主体的表面具有实质上相同的第五高度；
所述第二高度、所述第四高度和所述第五高度实质上相同；并且
所述第三高度与所述第一高度实质上相同。
7.根据权利要求6所述的蒸发坩埚，其中，所述第三喷嘴具有第三开口；并且
所述第三喷嘴沿着所述第三开口的边缘具有实质上均匀的高度。
8.根据权利要求6所述的蒸发坩埚，其中，所述第三喷嘴具有第三开口；并且
所述第三开口的平面实质上正交于所述第三喷嘴的中轴。
9. 根据权利要求1所述的蒸发坩埚，其中，所述第一喷嘴与所述第二喷嘴之间的任何喷嘴在接近所述第一边缘的一侧上和在接近所述第二边缘的一侧上相对于所述坩埚主体的表面具有实质上相同的第六高度；
所述第二高度、所述第四高度和所述第六高度实质上相同；并且
所述第三高度与所述第一高度实质上相同。
10.根据权利要求9所述的蒸发坩埚，其中，所述第一喷嘴与所述第二喷嘴之间的任何喷嘴的开口的平面实质上正交于其中轴；并且
与所述第一开口的平面正交的平面和与所述第二开口的平面正交的平面实质上相互平行，并且实质上平行于所述第一喷嘴与所述第二喷嘴之间的各喷嘴的中轴。
11.根据权利要求2所述的蒸发坩埚，其中，所述第一高度是沿着所述第一开口的边缘的最大高度；并且
所述第二高度是沿着所述第一开口的边缘的最小高度。
12.根据权利要求3所述的蒸发坩埚，其中，所述第三高度是沿着所述第二开口的边缘的最大高度；并且
所述第四高度是沿着所述第二开口的边缘的最小高度。
13. 根据权利要求1所述的蒸发坩埚，其中所述多个喷嘴的中轴实质上相互平行。
14.根据权利要求1所述的蒸发坩埚，其中，所述多个喷嘴中的每一个具有正交于其中轴的截面；并且
所述多个喷嘴中的每一个的截面具有实质上相同的面积。
15.根据权利要求1所述的蒸发坩埚，其中，所述多个喷嘴中的每一个包括单个开口。
16.根据权利要求1所述的蒸发坩埚，其中，所述多个喷嘴中的每一个在所述坩埚主体上的投影具有实质上相同的形状和实质上相同的面积。
17.根据权利要求16所述的蒸发坩埚，其中，所述多个喷嘴中的每一个在所述坩埚主体上的投影具有圆形形状。
18. 一种蒸发设备，包括权利要求1-17中任一项所述的蒸发坩埚。
19.根据权利要求18所述的蒸发设备，还包括壳体；以及
所述壳体中的运送设备；
其中所述运送设备在所述蒸发坩埚上方并且构造为支承用于对从所述蒸发坩埚的多个喷嘴蒸发的蒸汽进行接收的基板；
所述多个喷嘴实质上沿着第一方向布置；并且
所述运送设备构造为在实质上垂直于所述第一方向的方向上移动所述基板。
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