TWI602936B - 薄膜沉積源、薄膜沉積設備以及使用其之薄膜沉積方法 - Google Patents

Description

薄膜沉積源、薄膜沉積設備以及使用其之薄膜沉積方法

相關申請案之交互參照

本申請案係主張2012年12月3日提申於韓國智慧財產局之韓國專利申請案第10-2012-0139082號的優先權，該申請案之整體內容係併於此作為參考。

本揭露技術係關於一種薄膜沉積源、一種薄膜沉積設備及一種使用其之薄膜沉積方法。

用於製造顯示設備、半導體裝置、太陽電池等之各種製程絕大多數包含薄膜沉積製程。包含在液晶顯示器、場效發射顯示器、電漿顯示器及電致發光顯示器內之多層薄膜，舉例來說，係藉由沉積製程形成。

在各種沉積製程之中，藉由汽化沉積物質在基板上而形成薄膜之氣相沉積製程通常在使用熱沉積製程的真空沉積腔內實行。也就是說，基板安裝在真空沉積腔內，且面向該基板之一表面的薄膜沉積源被安裝使得沉積物質藉由加熱包含在薄膜沉積源內之沉積物質而汽化。在真空狀態中，為氣相之沉積物質被帶入與基板接觸接著凝結，從而在基板上形成薄膜。

當薄膜藉由氣相沉積形成在基板上時，控制薄膜厚度是必要的。也就是說，必須根據目標裝置之特性來均勻或非均勻地控制薄膜厚度。舉例來說，在均勻地控制薄膜厚度時，薄膜沉積源可安裝在遠離基板之中心處且基板可接著被旋轉。然而，在此例中，沉積腔可能變得巨大。此外，由於薄膜沉積源被安裝在遠離基板中心處，從薄膜沉積源噴射的大部分汽化沉積物質可能沉積在沉積腔內而非基板上。此外，當基板具有大面積時，很難旋轉基板且沉積腔變得巨大。

許多方法曾被提出來克服這些缺點，包括固定基板同時平行基板之一表面移動薄膜沉積源之方法、及固定薄膜沉積源同時平行薄膜沉積源之一表面移動基板之方法。在所提出之方法中，旋轉基板是非必要的。因此，沒有必要過分地增加沉積腔的尺寸。此外，由於是在薄膜沉積源相鄰基板之狀態下進行沉積，大部分的沉積物質可沉積在基板之一表面上。當基板具有大面積時，所提出之方法可更適當地應用。

此處，薄膜沉積源可包括複數個噴射噴嘴依一方向線性地排列，且此方向具有如基板的長邊或短邊之長度。舉例來說，當薄膜沉積源包括複數個噴射噴嘴依具有基板的短邊之長度之一方向排列時，薄膜沉積源從基板之短邊之下部沿基板之長邊方向移動至其他邊之下部，且沉積物質沉積在基板之一表面上。在這樣的方式中，薄膜沉積源藉由掃描一次進行沉積製程。另外，薄膜沉積源可在掃描多次下進行沉積製程，換言之，多次通過基板。

為了調整形成在基板表面上之薄膜厚度，可調整噴射噴嘴之形狀及排列。然而，當使用相同沉積設施之基板具有各種尺寸時，噴射噴嘴應具有各種形狀及排列從而對應不同基板。此外，為了變換噴射噴嘴之形狀及排列， 必須藉由重新加壓(repressurization)薄膜沉積設備來移除真空狀態以完成此類變換，從而失去製程效率。

揭露薄膜沉積設備之態樣，其可在沉積過程期間不喪失真空下控制沉積在基板之一表面上之薄膜厚度。

亦揭露有關薄膜沉積方法之態樣，其可在沉積過程期間不喪失真空下控制沉積在基板之一表面上之薄膜厚度。

揭露態樣也包括薄膜沉積源，其可在沉積過程期間在不取消真空下控制沉積在基板之一表面上之薄膜厚度。

上述及其他態樣將自較佳實施例之下列敘述中闡明或更顯而易見。

根據一態樣，一種薄膜沉積設備包括含有複數個噴射噴嘴之薄膜沉積源，複數個噴射噴嘴在基板之一表面上噴射沉積物質以形成薄膜且依第一方向排列；及藉由開放或遮擋沉積物質之噴射通道之至少一部分而控制沉積物質之噴射區域之至少一擋門。

根據另一態樣，一種薄膜沉積設備包括含有至少一噴射噴嘴之薄膜沉積源，至少一噴射噴嘴噴射沉積物質沉積在基板表面上；及位在至少一噴射噴嘴上且控制沉積物質之噴射區域之至少一擋門，其中根據沉積在基板之一表面上之沉積物質之厚度及沉積物質之預定厚度之間之差異而控制擋門。

根據一態樣，一種薄膜沉積方法包括藉由從薄膜沉積源噴射沉積物質而在基板上形成薄膜；測量薄膜之厚度且將薄膜之厚度與預定厚度比較； 以及當薄膜厚度大於預定厚度時，遮擋面向薄膜之沉積物質之噴射區域之至少一部分，其中噴射區域在基板及薄膜沉積源之間。

根據再一態樣，一種薄膜沉積源包括噴射沉積物質沉積在基板之一表面上且依第一方向排列之複數個噴射噴嘴、以及藉由開放或遮擋沉積物質之噴射通道之至少一部分而控制沉積物質之噴射區域之至少一擋門。

100、101‧‧‧薄膜沉積源

110‧‧‧沉積源托座

120、121‧‧‧噴射噴嘴

200、201、202、203、204‧‧‧擋門

210‧‧‧擋門板托座

210a‧‧‧第一擋門板托座

210b‧‧‧第二擋門板托座

220、221、222、260‧‧‧擋門板

220a、221a、222a‧‧‧第一擋門板

220b、221b、222b‧‧‧第二擋門板

250‧‧‧擋門葉

300‧‧‧厚度測量感應器

310‧‧‧感應器托座

320‧‧‧發光部分

330‧‧‧光接收部分

400‧‧‧基板

500‧‧‧薄膜

600‧‧‧控制器

610‧‧‧厚度計算部分

620‧‧‧厚度儲存部分

630‧‧‧厚度比較部分

640‧‧‧補償計算部分

th‧‧‧厚度

jp‧‧‧噴射通道

jr‧‧‧噴射區域

Th_m、Th_m’‧‧‧測量薄膜厚度

Th_g‧‧‧目標薄膜厚度

St‧‧‧標準點

A、B、A’、B’‧‧‧薄膜厚度

l‧‧‧長度

W‧‧‧寬度

上述及其他揭露技術之特徵及優點將藉由參考附圖詳細說明其特定例示性實施例而變得更顯而易見，其中：第1圖為根據本技術之實施例之薄膜沉積設備之透視圖；第2圖為第1圖中所示薄膜沉積設備之側視圖；第3圖為第1圖中所示薄膜沉積設備之正視圖；第4圖為第1圖中所示薄膜沉積設備之控制器之方塊圖；第5圖為說明示於第1圖中薄膜沉積設備之薄膜沉積源及擋門之第一應用例之平面圖；第6圖為繪出使用第5圖中所示之擋門前後依據薄膜之長度的薄膜厚度之圖表；第7圖為描繪示於第1圖中薄膜沉積設備之薄膜沉積源及擋門之第二應用例之平面圖；第8圖為繪出使用第7圖中所示之擋門前後依據薄膜之長度的薄膜厚度之圖表； 第9圖、第10圖、第12圖及第13圖係根據本技術之其他實施例之薄膜沉積設備之薄膜沉積源及擋門之平面圖；及第11圖為第10圖中沿著線段XI-XI’所截取之擋門之側視圖。

所揭露技術之態樣及特徵以及達成此態樣及特徵之方法將藉由參考附圖參照待詳細說明之實施例而變得顯而易見。然而，所揭露的技術不限於下文中揭露的實施例，而是可以不同的方式實施。在說明中所定義的物件，如詳細構造及元件，僅是提供具體的細節以幫助本領域具有通常知識者全面理解本發明，且揭露之技術僅定義在後附之申請專利範圍之範疇內。

用以表示元件在另一元件上或位在不同元件或層之術語「上」包括其中元件直接在另一元件或層上之情況或其中元件透過另一層或另一元件位在另一元件上之情況。在通篇揭露技術之說明中，相同的參考符號在各圖中代表相同的元件。

雖然術語「第一、第二等」用來說明各種不同的構成元件，但這樣的構成元件不限於此術語。此術語僅用於區分各構成元件與另一構成元件。因此，在之後說明中，第一構成元件可為第二構成元件。

其後，將更進一步參考附圖詳細說明揭露技術之實施例。

第1圖為根據揭露技術之實施例之薄膜沉積設備之透視圖，第2圖為第1圖中所示薄膜沉積設備之側視圖，第3圖為第1圖中所示薄膜沉積設備之正視圖，且第4圖為第1圖中所示薄膜沉積設備之控制器600之方塊圖。

參考第1圖至第4圖，薄膜沉積設備包括薄膜沉積源100及擋門200。此外，薄膜沉積設備可包括厚度測量感應器300及控制器600。

薄膜沉積設備可用於製造顯示設備、半導體裝置、太陽電池等之製程。舉例來說，薄膜沉積設備可用於形成包括在液晶顯示器、場效發射顯示器、電漿顯示器及電致發光顯示器內之多層薄膜之製程。

薄膜沉積設備一般將包括沉積腔(未示出)。沉積腔之內部在沉積製程期間一般維持在真空狀態下。為了維持在真空狀態，沉積腔可包括至少一個真空幫浦，如，冷凍幫浦(Cryo pump)。薄膜沉積源100、擋門200及厚度測量感應器300可安裝在沉積腔內。控制器600可安裝在沉積腔之內部或外部。

薄膜沉積源100、擋門200及厚度測量感應器300可位在沉積腔之內部的一部分，且基板400可位在沉積腔之內部的另一部分。舉例來說，在實行氣相沈積製程之薄膜沉積設備中，薄膜沉積源100、擋門200及厚度測量感應器300可位在沉積腔之下部，且基板400可位在沉積腔之上部。

薄膜沉積源100噴射沉積物質至基板400之表面上。薄膜沉積源100一般將包括沉積源托座110及噴射噴嘴120。沉積源托座110可具有沉積物質包含於其中且可包括加熱沉積物質之加熱器(未示出)。加熱器加熱為固相或液相之沉積物質以產生汽化沉積物質，且透過噴射噴嘴120將產生之汽化沉積物質噴射出薄膜沉積源100。在示於第1圖及第3圖之例示性實施例中，沉積源托座110可成型為矩形平行六面體，矩形平行六面體形成以沿著第一方向延伸為與基板400之寬度W一樣長，但實施例不在此限。

噴射噴嘴120形成於薄膜沉積源100之一表面上以面向要將沉積物質沉積於其上之基板400之一表面。噴射噴嘴120一般包括依第一方向排列之 複數個噴射噴嘴。噴射噴嘴120可依一列或多列排列。如第1圖所示，各噴射噴嘴120可具有以圓形形成之孔，但實施例不在此限。另外，各噴射噴嘴120可具有以橢圓形或多邊形形成之孔，且各別噴射噴嘴120彼此可具有不同形狀。此外，複數個噴射噴嘴120可形成在相同平面上，但複數個噴射噴嘴120之至少之一可形成在與其他噴射噴嘴形成之平面不同的平面上。此外，雖然第1圖展示彼此等間隔分開的複數個噴射噴嘴120，但本揭露技術之態樣不在此限。相反地，複數個噴射噴嘴120彼此可以不同間隔分開。

複數個噴射噴嘴120一般以對應於基板400之長邊或短邊之長度依第一方向排列。在示於第1圖及第3圖之例示性實施例中，複數個噴射噴嘴120可以基板400之寬度W依第一方向排列。此處，基板400之寬度W可為基板400之短邊之長度。如上述，當複數個噴射噴嘴120以對應於基板400之短邊的長度而與基板400之短邊平行排列時，薄膜沉積源100由基板400之一短邊之下部依基板400之長邊方向移動至基板400之另一短邊之下部，且可將沉積物質沉積在基板400之表面上。這樣的方式中，薄膜沉積源100用以在掃描基板400一次下實行沉積製程。另外，薄膜沉積源100亦可在掃描多次或通過下，亦即往復下實行沉積製程。在示於第1圖及第2圖之例示性實施例中，複數個噴射噴嘴120依與基板400之短邊平行之x方向排列成列，而薄膜沉積源100依與基板400之長邊平行之y方向移動且依z方向噴射沉積物質，以從而沉積沉積物質在基板400之一表面上。

擋門200位在噴射噴嘴120上且開放或遮擋沉積物質之噴射通道jp之至少一部分。也就是說，擋門200可藉由開放或遮擋沉積物質之噴射通道jp之至少一部分以控制沉積物質之噴射區域jr。此處，噴射通道jp可為從噴射噴嘴120 所噴射之沉積物質之移動路線。噴射區域jr可為兩擋門200間沉積物質之通過截面。換言之，噴射區域jr可在基板400及薄膜沉積源100之間。

如上述，控制沉積物質之噴射區域jr，從而調整形成於基板400之一表面上之薄膜500之厚度th，其對應於控制之噴射區域jr。

擋門200可形成以依與複數個噴射噴嘴120相同之方向延伸，換言之，依第一方向延伸。此外，擋門200可平行於複數個噴射噴嘴120排列，且可位在複數個噴射噴嘴120之至少一側上。此外，擋門200可與薄膜沉積源100一體成形。此外，擋門200可包括複數個子擋門。在例示性實施例中，擋門200可包括兩個子擋門，且兩個子擋門其中之一可位於複數個噴射噴嘴120一側上而另一個可位於複數個噴射噴嘴120之另一側上。在此例中，從噴射噴嘴120噴射之沉積物質之噴射通道jp可建構於兩子擋門之間。也就是說，兩個子擋門可當作噴射噴嘴120上之擋門構件以定義沉積物質之最大噴射區域jr。參考第2圖，將在後面說明之第一擋門板托座210a及第二擋門板托座210b可定義沉積物質之最大噴射區域jr。藉由使用擋門機制，扇形噴霧可根據要設下之期望薄膜厚度而選擇性地調整。

擋門200可包括擋門板托座210及擋門板220。擋門板托座210支撐擋門板220且形成以依第一方向延伸為與基板400之寬度W一樣長，且可以與複數個噴射噴嘴120平行地排列。擋門板托座210可包括複數個擋門板托座。在展示於第1圖及第2圖中之例示性實施例中，成型為矩形平行六面體之兩擋門板托座210，也就是說，第一擋門板托座210a及第二擋門板托座210b可彼此對稱地形成於複數個噴射噴嘴120之一側之上部及複數個噴射噴嘴120之另一側之上部。

擋門板220可實質上控制沉積物質之噴射區域jr。擋門板220可從擋門板托座210依朝向噴射噴嘴120之方向突出以控制沉積物質之噴射區域jr。舉例來說，參考第2圖，擋門板220遮擋沉積物質之噴射通道jp之一部分，如虛線所表示，從而使沉積物質之沉積區域jr變窄。擋門板220可從擋門板托座210滑動地突出。此外，擋門板220固定為摺疊狀態以接著在展開時突出。如上述，擋門板220可以各種方式依朝向噴射噴嘴120之方向突出。

擋門板220可包括複數個子擋門板。此外，擋門板托座210可包括至少一個子擋門板。在第1圖及第2圖中所展示的例示性實施例中，第一擋門板220a可安裝在第一擋門板托座210a中，且第二擋門板220b可安裝在第二擋門板托座210b中。

擋門板220可安裝於擋門板托座210之內表面上。此處，擋門板托座210之內表面可為擋門板托座210面向噴射噴嘴120之一表面。此外，當擋門板托座210之寬度對分時，擋門板220可形成於任一側。在第1圖所示之例示性實施例中，當第一擋門板托座210a依x方向測量之寬度分為兩半時，第一擋門板220a可形成在左側。當第二擋門板托座210b依x方向測量之寬度分為兩半時，第二擋門板220b可形成在右側。

擋門板220可從擋門板托座210之內表面朝向噴射噴嘴120突出以平行於基板400之一表面。此外，當擋門板220包括複數個子擋門板時，複數個子擋門板可形成於同一平面上。在第1圖所示之例示性實施例中，第一擋門板220a及第二擋門板220b形成在同一平面上，但揭露技術之態樣不在此限。相反地，第一擋門板220a及第二擋門板220h可形成在不同平面上。

擋門板220可為平板形狀。擋門板220之一端可被擋門板托座210支撐且擋門板220面向擋門板220之一端之另一端可朝向噴射噴嘴120突出。在例示性實施例中，擋門板220之另一端之至少一部分可被折疊(folded)。換言之，擋門板220之突出距離依朝向擋門板托座210之中心之方向減少。在第1圖所示之例示性實施例中，第一擋門板220a朝向第一擋門板托座210a依正x方向折疊，且第二擋門板220b朝向第二擋門板托座210b依負x方向折疊。而且，第一擋門板220a及第二擋門板220b相對薄膜沉積源100之中心對稱。

厚度測量感應器300將即時測量沉積於基板400之表面上之薄膜500的厚度。厚度測量感應器300可形成以依其中複數個噴射噴嘴排列之第一方向延伸。此外，厚度測量感應器300可平行於複數個噴射噴嘴120且可以與其中薄膜沉積源100移動之方向相同之方向移動。此外，厚度測量感應器300可與薄膜沉積源100一體成形。

厚度測量感應器300可包括感應器托座310、發光部分320及光接收部分330。感應器托座310可支撐發光部分320及光接收部分330，且可以成型為形成以依第一方向延伸之矩形平行六面體。發光部分320及光接收部分330可形成在感應器托座310面向沉積物質要沉積於其上之基板400之一表面的一表面上。發光部分320及光接收部分330可平行彼此形成且可依第一方向延伸成與基板400之長邊或短邊之長度一樣長。在第1圖所示之例示性實施例中，發光部分320及光接收部分330可形成以對應於基板400之短邊之長度而延伸，換言之，以基板400之寬度W，依x方向。

發光部分320可照射光，如實線所表示進入沉積在基板400之一表面上之薄膜500，且光接收部分330可接收自薄膜500反射之光以測量薄膜厚度 th。由於發光部分320及光接收部分330之長度對應於基板400之寬度W，厚度測量感應器300可以一次測量第一方向上之薄膜厚度th。此外，由於厚度測量感應器300與薄膜沉積源100依垂直於第一方向且平行於基板400之一表面之方向移動，沉積在基板400之一表面上之薄膜的薄膜厚度th可藉由掃描一次來測量。此外，薄膜厚度th可藉往復掃描多次而更精確地測量。

在這些實施例中，控制器600根據藉由厚度測量感應器300所測量之薄膜500之測量厚度(以下稱為測量薄膜厚度Th_m)，與預定厚度(以下稱為目標薄膜厚度Th_g)之間之差異來控制擋門200。雖然控制器600之位置未被繪出，控制器600可與薄膜沉積源100或擋門200一體成形或分離。控制器600可包括厚度計算部分610、厚度儲存部分620、厚度比較部分630及補償計算部分640。

厚度計算部分610接收來自厚度測量感應器300之測量薄膜厚度Th_m之資料，且可獲得依據在第一方向上從一標準點起算之薄膜長度l而定的薄膜厚度th之圖像表示，以接著提供所獲得的圖像及表示給厚度比較部分630。

厚度儲存部分620提供預定目標薄膜厚度Th_g給厚度比較部分630。根據期望的裝置特性，目標薄膜厚度Th_g在整個基板400上可為均勻或非均勻的。

厚度比較部分630接收來自厚度計算部分610之測量薄膜厚度Th_m及來自厚度儲存部分620之目標薄膜厚度Th_g，且可依薄膜長度l來計算介於測量薄膜厚度Th_m及目標薄膜厚度Th_g間之差異，以接著提供計算差異給補償計算部分640。在例示性實施例中，藉由從測量薄膜厚度Th_m減去目標薄膜厚度Th_g所獲得數值之資料可提供給補償計算部分640。

根據測量薄膜厚度Th_m及目標薄膜厚度Th_g間之差異，補償計算部分640開放或遮擋擋門200。

在均勻控制薄膜厚度th的例示性實施例中，若在第一方向上從標準點St以預定距離間隔之特定位置處藉由自測量薄膜厚度Th_m減去目標薄膜厚度Th_g所獲得之數值為正值，換言之，若測量薄膜厚度Th_m大於目標薄膜厚度Th_g，則使面向特定位置之擋門板220突出以遮擋沉積物質之噴射通道jp。此處，面向特定位置之擋門板220可直接位在特定位置下。此例中，藉由自測量薄膜厚度Th_m減去目標薄膜厚度Th_g所獲得之數值之絕對值越大，擋門板220突出越多，從而遮擋較大量沉積物質之噴射通道jp並使沉積物質之噴射區域jr變窄。若擋門200以這樣的方式遮擋，對應於遮擋的擋門200而沉積在基板400之一表面上之薄膜500之厚度th之上升比率減少，從而均勻地控制薄膜厚度th。

在均勻地調整薄膜厚度th的另一例示性實施例中，若在第一方向上從標準點St以預定距離間隔之特定位置處藉由自測量薄膜厚度Th_m減去目標薄膜厚度Th_g所獲得之數值為負值，換言之，若目標薄膜厚度Th_g大於測量薄膜厚度Th_m，則使面向特定位置之擋門板220插入擋門板托座210或折疊，從而開放沉積物質之噴射通道jp。此例中，藉由自測量薄膜厚度Th_m減去目標薄膜厚度Th_g所獲得之數值之絕對值越大，擋門板220插入或折疊越多，從而開放大量沉積物質之噴射通道jp並使沉積物質之噴射區域jr變寬。若擋門200以這樣的方式開放，對應於開放的擋門200而沉積在基板400之一表面上之薄膜500之厚度th之上升比率增加，從而均勻地控制薄膜厚度th。上述實施例之具體例子，換言之，第一應用例，將參考第5圖及第6圖說明。第一應用例中，均勻地控制薄膜厚度th。第5圖為說明示於第1圖中薄膜沉積設備之薄膜沉積源100及擋門200之第一應用 例之平面圖。第6圖為繪出在使用第5圖所示之擋門200前後依據薄膜之長度l的薄膜厚度th之圖表。

首先，參照第6圖，在未使用擋門200之情況中之測量薄膜厚度Th_m，換言之，在校正前所測量之薄膜厚度B，可以從標準點St朝向薄膜長度l之方向之波形代表。也就是說，參照第3圖，在校正前於基板400之兩端所測量之薄膜厚度B可能大於目標薄膜厚度Th_g，且在校正前於基板400之中心所測量之薄膜厚度B可能小於目標薄膜厚度Th_g。

此處，薄膜厚度th可藉由使用如第5圖所示之擋門200來校正。更詳細的說，對應於基板400之兩端之第一擋門板220a及第二擋門板220b遮擋沉積物質之噴射通道jp，從而降低基板400兩端之薄膜形成速率。因此，在使用擋門200之例子中之測量薄膜厚度Th_m，換言之，在校正後所測量的薄膜厚度A與校正前所測量的薄膜厚度B比較下可均勻地校正。上述實施例之另一具體例子，換言之，第二應用例，將參考第7圖及第8圖說明。在第二應用例中，如第一應用例般均勻地控制薄膜厚度th。第7圖為描繪示於第1圖中薄膜沉積設備之薄膜沉積源100及擋門200之第二應用例之平面圖。第8圖為繪出在使用第7圖所示之擋門200前後依據薄膜之長度l的薄膜厚度th之圖表。

首先，參照第8圖，未使用擋門200之例子中之測量薄膜厚度Th_m’，換言之，在校正前所測量之薄膜厚度B’可以從標準點St朝向薄膜長度l之方向增加。也就是說，參照第3圖，在校正前於靠近基板400之標準點之部分所測量之薄膜厚度B’可能小於目標薄膜厚度Th_g，且在校正前於與遠離基板400之標準點St之部分所測量之薄膜厚度B’可能大於目標薄膜厚度Th_g。

此處，薄膜厚度th可藉由使用如第7圖所示之擋門200來校正。更詳細的說，對應於靠近標準點St之部分，第一擋門板220a插入擋門板托座210且開放沉積物質之噴射通道jp，且對應於遠離標準點St之部分，第二擋門板220b遮擋沉積物質之噴射通道jp，從而提升靠近標準點St之部分之薄膜形成速率同時降低遠離基板400之標準點St之部分之薄膜形成速率。因此，在使用如第7圖所示之擋門200之情況中之測量薄膜厚度Th_m，換言之，在校正後測量的薄膜厚度A’與校正前所測量的薄膜厚度B’比較可均勻地修正。

如上述，在根據揭露技術之實施例之薄膜沉積設備中，不需在沉積製程期間移除真空即可控制沉積在基板400之一表面上之薄膜厚度th。

此外，在沉積製程期間，藉由即時修正薄膜厚度th，可輕易地獲得期望的薄膜厚度。

根據本揭露技術的其他實施例，第9圖、第10圖、第12圖及第13圖為薄膜沉積設備之薄膜沉積源100及101以及擋門201、202、203及204的平面圖。第11圖為第10圖中沿著線段XI-XI’所截取之擋門之側視圖。

第9圖至第13圖描繪用以補償校正前所測量的薄膜厚度B之薄膜沉積源100及101以及擋門201、202、203及204，如第6圖所示。藉由使用薄膜沉積源100及101以及擋門201、202、203及204，可如第6圖所示均勻地控制校正後所測量的薄膜厚度A。為求方便說明，如第1圖至第8圖中所示，相同的元件實質上標以相同的參考符號，並將省略其重複說明。

首先，根據本揭露技術的另一實施例之薄膜沉積設備中，擋門201可包括依第一方向排列的複數個擋門板221。獨立控制複數個擋門板221以開放或遮擋沉積物質之噴射通道jp。在例示性實施例中，複數個擋門板221之至少二 個可以不同距離突出以控制沉積物質之噴射區域jr。在另一例示性實施例中，安裝在第一擋門板托座210a中之複數個第一擋門板221a以及安裝在第二擋門板托座210b中之複數個第二擋門板221b彼此對稱。

接著，根據本揭露技術之再一例示性實施例之薄膜沉積設備中，如第10圖所示，擋門202可包括依第一方向排列之複數個擋門板222，如第9圖中所示之沉積設備擋門201。然而，複數個擋門板222可從擋門板托座210朝向噴射噴嘴120突出相同距離。在例示性實施例中，安裝在第一擋門板托座210a中之複數個第一擋門板222a以及安裝在第二擋門板托座210b中之複數個第二擋門板222b可彼此對稱。

然而，參考第11圖，複數個擋門板222之至少二個可具有不同高度。在第11圖中，高度可以對應於從擋門板托座210之底表面在z方向上之距離。也就是說，一些擋門板222具有相對大的高度，從而減少沉積物質之噴射角度。此外，其他擋門板222具有相對小的高度，從而增加沉積物質之噴射角度。

接著，根據本揭露技術之再一例示性實施例之薄膜沉積設備，如第12圖所示，擋門203可納入各複數個噴射噴嘴120。擋門203像是相機快門般開放或遮擋噴射噴嘴120，藉由改變噴射噴嘴120之開口尺寸，從而控制各別噴射噴嘴120之噴射量。

接著，根據本揭露技術之再一例示性實施例之薄膜沉積設備，如第13圖所示，薄膜沉積源101可包括成型為依第一方向拉伸之狹縫的噴射噴嘴121。在例示性實施例中，噴射噴嘴121可為狹縫噴嘴。此外，擋門204納入各噴射噴嘴121中且可控制各別噴射噴嘴121之噴射量，如第12圖中所示之薄膜沉積設備。在例示性實施例中，擋門204可包括從噴射噴嘴121之一側突出之複數個 擋門葉(shutter blades)250、以及連接擋門葉250且遮擋至少一些噴射噴嘴121之擋門板260。此處，擋門葉250可為細棒狀，且擋門板260可為可撓式膜。

以下，根據揭露技術之實施例之薄膜沉積方法將參考第1圖至第4圖說明。

根據揭露技術之實施例之薄膜沉積方法可包括藉由從薄膜沉積源100噴射沉積物質以在基板400上形成薄膜500；測量薄膜500之厚度，換言之，測量薄膜厚度Th_m；以及將測量薄膜厚度Th_m與預定厚度，換言之，目標薄膜厚度Th_g比較。此外，根據揭露技術之實施例，薄膜沉積方法可包括，在測量薄膜厚度Th_m大於目標薄膜厚度Th_g時，遮擋面向薄膜500之沉積物質之噴射區域jr的至少一部分，且/或當目標薄膜厚度Th_g大於測量薄膜厚度Th_m時，開放面向薄膜500之沉積物質之噴射區域jr的至少一部分。

以下，根據揭露技術之實施例之薄膜沉積源100將參考第1圖至第4圖說明。

根據揭露技術之實施例之薄膜沉積源100除了沉積源托座110及噴射噴嘴120以外可包括擋門200、厚度測量感應器300及控制器600。也就是說，薄膜沉積源100可與擋門200、厚度測量感應器300及控制器600一體成形。

雖然所揭露的技術已參考其例示性實施例而具體展示及說明，其將被本領域具有通常知識者理解的是，可對其進行任何形式及細節上之修改，而皆不脫離後附之申請專利範圍所定義之本發明之精神與範疇。因此，理想為本實施例在所有方面係被認為是說明性而非限制性的，參考所附之申請專利範圍而不是上文說明來界定本發明之範疇。

100‧‧‧薄膜沉積源

110‧‧‧沉積源托座

120‧‧‧噴射噴嘴

200‧‧‧擋門

210‧‧‧擋門板托座

210a‧‧‧第一擋門板托座

210b‧‧‧第二擋門板托座

220‧‧‧擋門板

220a‧‧‧第一擋門板

220b‧‧‧第二擋門板

300‧‧‧厚度測量感應器

310‧‧‧感應器托座

320‧‧‧發光部分

330‧‧‧光接收部分

400‧‧‧基板

500‧‧‧薄膜

Claims (19)

1. 一種薄膜沉積設備，其包括：一薄膜沉積源，包括噴射用於在一基板之一表面上形成一薄膜之一沉積物質且依一第一方向排列之複數個噴射噴嘴；以及至少一擋門，藉由開放或遮擋該沉積物質之一噴射通道之至少一部分以控制該沉積物質之一噴射區域；其中該擋門包括：至少一擋門板托座，形成以依該第一方向延伸且排列平行於該複數個噴射噴嘴；以及至少一擋門板，從該擋門板托座依朝向該噴射噴嘴之方向突出，其中該擋門板之一突出距離依朝向該擋門板托座之中心之方向減少。
2. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜沉積設備，其中該擋門形成以在該第一方向上延伸且與該複數個噴射噴嘴平行排列及位在該複數個噴射噴嘴之至少之一側上。
3. 如申請專利範圍第2項所述之薄膜沉積設備，其中該擋門包括二個子擋門，且該子擋門之其中之一位在該複數個噴射噴嘴上方且在該複數個噴射噴嘴之一側，該子擋門之另一個位在該複數個噴射噴嘴上方且在該複數個噴射噴嘴之另一側，且該沉積物質之該噴射通道建構在該兩個子擋門之間。
4. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜沉積設備，其中該擋門板包括複數個子擋門板且依該第一方向排列，該複數個子擋門板相 對該薄膜沉積源之中心對稱，且該複數個子擋門板之至少二個突出不同距離以控制該沉積物質之該噴射區域。
5. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜沉積設備，其中該擋門包括複數個擋門板與該複數個噴射噴嘴依該第一方向平行排列，且該複數個擋門板之至少二個具有不同高度且配置以控制該沉積物質之一噴射角度。
6. 一種薄膜沉積設備，其包括：一薄膜沉積源，包括噴射用於在一基板之一表面上形成一薄膜之一沉積物質且依一第一方向排列之複數個噴射噴嘴；以及至少一擋門，藉由開放或遮擋該沉積物質之一噴射通道之至少一部分以控制該沉積物質之一噴射區域；其中該擋門納入各該噴射噴嘴且控制該噴射噴嘴之噴射量。
7. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜沉積設備，其中該薄膜沉積源依垂直於該第一方向且平行於該基板之該表面之方向移動。
8. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜沉積設備，其進一步包括：一厚度測量感應器，測量該薄膜之一厚度；以及一控制器，根據該薄膜之該厚度及一預定厚度之一差異來控制該擋門。
9. 如申請專利範圍第8項所述之薄膜沉積設備，其中該厚度測量感應器形成以依該第一方向延伸且與該複數個噴射噴嘴平行排列。
10. 一種薄膜沉積設備，其包括： 一薄膜沉積源，包括噴射用於在一基板之一表面上形成一薄膜之一沉積物質且依一第一方向排列之複數個噴射噴嘴；至少一擋門，藉由開放或遮擋該沉積物質之一噴射通道之至少一部分以控制該沉積物質之一噴射區域；一厚度測量感應器，測量該薄膜之一厚度；以及一控制器，根據該薄膜之該厚度及一預定厚度之一差異來控制該擋門；其中該控制器包括：一厚度計算部分，計算該薄膜之該厚度；一厚度儲存部分，儲存該預定厚度；一厚度比較部分，計算該薄膜之該厚度及該預定厚度之間之該差異；以及一補償計算部分，根據該差異而控制該擋門開放或遮擋。
11. 如申請專利範圍第10項所述之薄膜沉積設備，其中當該薄膜之該厚度大於該預定厚度時，該補償計算部分遮擋面向該薄膜之該擋門，且當該預定厚度大於該薄膜之該厚度時，該補償計算部分開放面向該薄膜之該擋門。
12. 一種薄膜沉積設備，其包括：一薄膜沉積源，包括噴射一沉積物質沉積在一基板之一表面上之至少一噴射噴嘴；以及至少一擋門，位在該至少一噴射噴嘴上且控制該沉積物質之一噴射區域， 其中根據該沉積物質沉積在該基板之該表面上之一厚度及該沉積物質之一預定厚度之間之一差異來控制該擋門。
13. 如申請專利範圍第12項所述之薄膜沉積設備，其中該噴射噴嘴係成型為依一第一方向拉伸之一狹縫，且該擋門納入各該噴射噴嘴且控制該噴射噴嘴之噴射量。
14. 如申請專利範圍第13項所述之薄膜沉積設備，其中該擋門包括：複數個擋門葉，從該噴射噴嘴之一側突出；以及一擋門板，相互連接該複數個擋門葉以關閉至少一部分該噴射噴嘴。
15. 如申請專利範圍第12項所述之薄膜沉積設備，其中當該沉積物質沉積在該基板之該表面上之該厚度大於該沉積物質之該預定厚度時，該擋門依該沉積物質沉積在該基板之該表面上之該厚度及該沉積物質之該預定厚度之間之該差異遮擋該噴射區域。
16. 一種薄膜沉積方法，其包括：藉由從一薄膜沉積源噴射一沉積物質而在一基板上形成一薄膜；測量該薄膜之一厚度且將該薄膜之該厚度與一預定厚度比較；以及當該薄膜之該厚度大於該預定厚度時，遮擋面向該薄膜之該沉積物質之一噴射區域之至少一部分，其中該噴射區域在該基板及該薄膜沉積源之間。
17. 如申請專利範圍第16項所述之薄膜沉積方法，在測量該薄膜之該厚度且將該薄膜之該厚度與該預定厚度比較之後，其進一步包括當該預定厚度大於該薄膜之該厚度時開放面向該薄膜之該沉積物質之該噴射區域之至少一部分。
18. 一種薄膜沉積源，其包括：複數個噴射噴嘴，噴射一沉積物質沉積至一基板之一表面上且依一第一方向排列；以及至少一擋門，藉由開放或遮擋該沉積物質之一噴射通道之至少一部分來控制該沉積物質之一噴射區域；其中該擋門包括：至少一擋門板托座，形成以依該第一方向延伸且排列平行於該複數個噴射噴嘴；以及至少一擋門板，從該擋門板托座依朝向該噴射噴嘴之方向突出，其中該擋門板之一突出距離依朝向該擋門板托座之中心之方向減少。
19. 如申請專利範圍第18項所述之薄膜沉積源，其進一步包括：一厚度測量感應器，測量該沉積物質沉積在該基板之該表面上之一厚度；以及一控制器，根據該沉積物質之測量之該厚度與該沉積物質之一預定厚度之間之一差異來控制該擋門。