CN103328681B - 坩埚和蒸镀装置 - Google Patents

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Abstract

本发明的坩埚（50）具备：对被成膜基板射出蒸镀颗粒的开口部（55a）；在与开口部（55a）相对的位置设置，对从开口部（55a）射出的蒸镀颗粒进行反射的焦点部件（54a）；和将由焦点部件（54a）反射后的蒸镀颗粒向被成膜基板反射的旋转抛物面（55b）。

Description

坩埚和蒸镀装置
技术领域
本发明涉及用于在被成膜基板上形成蒸镀颗粒的图案的坩埚和蒸镀装置。
背景技术
近年来，在各种商品和领域中应用平板显示器，要求平板显示器进一步大型化、高画质化、低耗电化。
在这样的状况下，具备利用有机材料的电场发光（Electroluminescence（电致发光），以下记为“EL”）的有机EL元件的有机EL显示装置，作为全固体型且在低电压驱动、高速响应性、自发光性等方面优异的平板显示器，受到了高度的关注。
有机EL显示装置，例如，具有在设置有TFT（薄膜晶体管）的包括玻璃基板等的基板上设置有与TFT连接的有机EL元件的结构。
有机EL元件是能够通过低电压直流驱动进行高亮度发光的发光元件，具有依次叠层有第一电极、有机EL层和第二电极的结构。其中，第一电极与TFT连接。另外，在第一电极与第二电极之间，作为上述有机EL层，设置有使空穴注入层、空穴输送层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子输送层、电子注入层等叠层而得到的有机层。
在全彩色的有机EL显示装置中，通常，在基板上排列形成有具备红色（R）、绿色（G）、蓝色（B）的各颜色的发光层的有机EL元件作为子像素。通过使用TFT使这些有机EL元件有选择地以期望的亮度发光来进行彩色图像显示。
为了制造有机EL显示装置，需要按每个有机EL元件以规定图案形成包含发各颜色光的有机发光材料的发光层。另外，对于不需要按每个有机EL元件进行图案形成的层，对包含有机EL元件的像素区域整个面，一并进行薄膜形成。
作为以规定图案形成发光层的方法，例如，已知有真空蒸镀法、 喷墨法、激光转印法。例如，在低分子型有机EL显示装置（OLED）中，大多使用真空蒸镀法。
在真空蒸镀法中，使用形成有规定图案的开口的掩模（也称为阴影掩模）。使密合固定有掩模的基板的被蒸镀面与蒸镀源相对。然后，使来自蒸镀源的蒸镀颗粒（成膜材料）通过掩模的开口而蒸镀在被蒸镀面上，由此形成规定图案的薄膜。蒸镀按每个发光层的颜色进行（将此称为“分涂蒸镀”）。
下述的专利文献1中公开了能够使蒸镀材料高效率地到达被处理基板，并且用于蒸镀材料以垂直入射的状态接近被处理基板的技术。
图15为表示专利文献1中记载的蒸镀装置100的结构的截面图。蒸镀装置100为以下结构：在蒸镀室111内的上方位置配置有保持被处理基板120和掩模131的基板保持件119，在蒸镀室111内的下方位置配置有向被处理基板120供给蒸镀颗粒的蒸镀源112。掩模131与被处理基板120的下表面侧（被成膜面侧）的规定位置重叠。
蒸镀源112具备填装有蒸镀材料的蒸镀用的坩埚140。坩埚140配置在被处理基板120的中心的正下方位置，在被处理基板120固定的状态下进行蒸镀。坩埚140具备：装填蒸镀材料的加热容器141；喷出蒸气流的蒸气流喷出口143a；和将蒸气流的放出路径包围并且向蒸气流的放出方向开口的筒状引导部件142。筒状引导部件142的内周面中，在包含将碰撞的蒸镀颗粒向放出方向反射的抛物面的飞翔方向控制用凹曲面142d的焦点位置配置有蒸气流喷出口143a。
在上述的结构中，在加热容器141内被加热的蒸镀材料，从蒸气流喷出口143a成为蒸气流被放出，堆积在被处理基板120上。此时，蒸气流的放出路径由飞翔方向控制用凹曲面142d包围。因此，飞翔到斜侧方的蒸镀颗粒，由飞翔方向控制用凹曲面142d反射而向被处理基板120飞翔。因此，蒸气流以小的发散角向被处理基板120飞翔，因此，能够防止蒸镀颗粒附着在蒸镀室111的内壁上，因此，能够使蒸镀材料高效率地到达被处理基板120。另外，蒸镀颗粒能够以垂直入射的状态接近被处理基板120。
现有技术文献 
专利文献
专利文献1：日本国公开专利公报“特开2008-163365号公报（2008年7月17日公开）”
发明内容
发明要解决的技术问题
在这样的以往的分涂蒸镀法中，如果基板增大，则需要掩模也随之大型化。但是，当使掩模增大时，由于掩模的自重弯曲和伸长，容易在基板与掩模之间产生间隙。而且，其间隙的大小根据基板的被蒸镀面的位置的不同而不同。因此，难以进行高精度的图案化，会发生蒸镀位置的偏移和混色，难以实现高精细化。
另外，当使掩模增大时，掩模和保持该掩模的框架等变得巨大，其重量也增加，因此，操作变得困难，有可能给生产率和安全性带来障碍。另外，蒸镀装置和附随于其的装置也同样巨大化、复杂化，因此，装置设计变得困难，设置成本也变得高昂。
因此，在以往的分涂蒸镀法中，难以应对大型基板，例如，对超过60英寸大小的那样的大型基板，没有实现能够以量产水平进行分涂蒸镀的方法。
作为解决上述问题的方法，可考虑使用比基板小的阴影掩模，在使蒸镀源与阴影掩模一体化的状态下，在将阴影掩模与基板的间隙保持一定、并对上述一体化物和基板中的任一个进行扫面的同时，进行蒸镀，由此，在规定的基板的位置上图案形成有机膜的方法（扫描蒸镀法）。对于使用扫描蒸镀法的蒸镀装置，参照图16和图17进行说明。
图16为表示使用扫描蒸镀法的蒸镀装置200的结构的截面图。蒸镀装置200为在被成膜基板210上进行蒸镀颗粒的成膜的装置，具备掩模220、限制板230、闸门240和坩埚250。被成膜基板210、掩模220、限制板230和闸门240由框架260支撑，坩埚250载置在支撑台270上。
更详细地说，被成膜基板210由框架260的可动支撑部261支撑。可动支撑部261能够通过包括步进电动机、滚轮和齿轮等的驱动系统在X轴方向（图面跟前方向）上移动。驱动系统驱动可动支撑部261，由此，被成膜基板210在X轴方向上移动。
掩模220和限制板230分别由框架260的固定支撑部262、263支撑。
闸门240由框架260的可动支撑部264支撑。可动支撑部264与可动支撑部261同样能够通过驱动系统在X轴方向上移动。驱动系统驱动可动支撑部264，由此，闸门240在X轴方向上移动。
蒸镀装置200的各构成部件被收容在腔室280内。另外，通过真空泵机构281，腔室280的内部成为真空状态。
坩埚250在与被成膜基板210的移动方向垂直的方向（Y轴方向）上配置有多个，具备加热器251和容器252。容器252中贮存有固体或液体的蒸镀材料。加热器251对容器252进行加热，由此，蒸镀材料气化而成为气体的蒸镀颗粒。蒸镀颗粒从坩埚250的开口部253向被成膜基板210射出。
图17为表示被成膜基板210、掩模220、限制板230、闸门240和坩埚250的配置的立体图。此外，在该图中，支撑被成膜基板210、掩模220、限制板230、闸门240和坩埚250的部件被省略。
被成膜基板210在蒸镀时在X轴方向上被移动（扫描）。另一方面，掩模220和限制板230被固定。从坩埚250的开口部253射出的蒸镀颗粒，通过限制板230的开口部231和掩模220的开口部221到达被成膜基板210。
通常，蒸镀颗粒具有某种程度的扩展而呈放射状射出，但是，由于通过限制板230的开口部231，蒸镀颗粒的扩展被抑制。
掩模220的开口部221以规定的间隔形成有多个。由此，在被成膜基板210上形成多个条状的成膜图案。
闸门240为了控制蒸镀颗粒到达被成膜基板210而根据需要使用。在被成膜基板210的不需蒸镀区域通过掩模220上时，使闸门240移动到坩埚250与限制板230之间。由此，蒸镀颗粒不到达被成膜基板210，因此，能够防止在不需蒸镀区域的蒸镀。
在此，在上述的结构中，为了使被成膜基板210相对于掩模220相对移动，被成膜基板210与掩模220分离（所谓的间隙蒸镀法）。因此，在蒸镀颗粒的粒流（蒸镀流）相对于被成膜基板210的成膜面的法线方向具有倾斜方向成分的情况，通过掩模220到达被成膜基板210 的蒸镀流的角度倾斜。在该情况下，有可能产生成膜图案的模糊或成膜位置的偏移。其结果，会产生生产成品率降低、不能形成高精细的有机EL面板的问题。
就该点而言，在图15所示的专利文献1的蒸镀装置100中，从蒸气流喷出口143a射出的蒸镀流，虽然实现了某种程度的准直化（平行化），但是，越向被成膜基板120的端部，入射方向相对于成膜面的法线方向越倾斜。即，蒸镀流没有被充分准直化。
因此，在将专利文献1的技术应用于使用扫描蒸镀法的蒸镀装置200的情况下，如果不使用充分厚的限制板230以使蒸镀流准直化，则不能得到高精细的成膜图案。但是，当使限制板230的厚度增大时，限制板230的开口部231的壁面上附着的蒸镀颗粒增加，因此，蒸镀颗粒的利用效率降低。
本发明是为了解决上述的问题而做出的，其目的在于实现能够进行高精度成膜的坩埚和蒸镀装置。
用于解决技术问题的手段
为了解决上述的技术问题，本发明的坩埚为具备对被成膜基板射出蒸镀颗粒的开口部的坩埚，其特征在于，具备：在与上述开口部相对的位置设置，对从上述开口部射出的蒸镀颗粒进行反射的第一反射部件；和将由上述第一反射部件反射后的蒸镀颗粒向上述被成膜基板反射的第二反射部件，上述第二反射部件相对于上述被成膜基板具有凹曲面。
根据上述的结构，从开口部射出的蒸镀颗粒，由第一反射部件反射后，进一步由第二反射部件向被成膜基板反射。第一反射部件设置在与开口部相对的位置，第二反射部件相对于被成膜基板具有凹曲面，因此，由第二反射部件反射后的蒸镀颗粒以相对于被成膜基板的法线方向平行或接近平行的状态流动。由此，能够形成成膜图案的模糊或位置偏移等图案异常少的良好的蒸镀膜。因此，能够实现能够进行高精度成膜的坩埚。
本发明的蒸镀装置的特征在于具备上述的坩埚。
根据上述的结构，能够实现能够进行高精度成膜的蒸镀装置。
发明效果
如以上所述，本发明的坩埚为具备对被成膜基板射出蒸镀颗粒的开口部的坩埚，其具备：在与上述开口部相对的位置设置，对从上述开口部射出的蒸镀颗粒进行反射的第一反射部件；和将由上述第一反射部件反射后的蒸镀颗粒向上述被成膜基板反射的第二反射部件，上述第二反射部件相对于上述被成膜基板具有凹曲面。另外，本发明的蒸镀装置具备本发明的坩埚。因此，能得到能够实现能够进行高精度成膜的坩埚和蒸镀装置的效果。
附图说明
图1为表示本发明实施方式1的蒸镀装置的结构的截面图。
图2为表示上述蒸镀装置的坩埚的容器的结构的放大截面图。
图3为表示图2所示的容器的结构的放大立体图。
图4为表示图2所示的容器的结构的分解立体图。
图5为用于说明抛物线原理的图。
图6为表示以往的坩埚和实施方式1的坩埚的蒸镀颗粒的膜厚分布的图。
图7为用于说明N值的导出的图。
图8为用于说明N值的导出的图。
图9为用于说明N值的导出的图。
图10的（a）～（c）分别为表示用于支撑焦点部件的水平支柱的一个例子的截面图。
图11为表示本发明实施方式2的坩埚的容器的结构的截面图。
图12为表示以往的坩埚和实施方式2的坩埚的蒸镀颗粒的膜厚分布的图。
图13为表示本发明实施方式3的坩埚的容器的结构的截面图。
图14为表示以往的坩埚和实施方式3的坩埚的蒸镀颗粒的膜厚分布的图。
图15为表示以往的蒸镀装置的结构的截面图。
图16为表示使用扫描蒸镀法的蒸镀装置的结构的截面图。
图17为表示图16所示的蒸镀装置中的被成膜基板、掩模、限制板、闸门和坩埚的配置的立体图。
具体实施方式
[实施方式1]
根据图1～图10对本发明的第一实施方式进行说明如下。
图1为表示本实施方式的蒸镀装置1的结构的截面图。蒸镀装置1为在被成膜基板10上进行蒸镀颗粒的成膜的装置，具备掩模20、闸门40和坩埚50。被成膜基板10、掩模20和闸门40由框架60支撑，坩埚50载置在支撑台70上。
更详细地说，被成膜基板10由框架60的可动支撑部61支撑。可动支撑部61能够通过包括步进电动机、滚轮和齿轮等的驱动系统在X轴方向（图面跟前方向）上移动。驱动系统驱动可动支撑部61，由此，被成膜基板10在X轴方向上移动。
掩模20由框架60的固定支撑部62支撑。在掩模20上形成有与在被成膜基板10上成膜的图案对应的开口。此外，当在被成膜基板10上形成整面图案的情况下，可以不设置掩模20。
闸门40由框架60的可动支撑部64支撑。可动支撑部64与可动支撑部61同样能够通过驱动系统在X轴方向上移动。驱动系统驱动可动支撑部64，由此，闸门40在X轴方向上移动。仅在蒸镀时使闸门40移出蒸镀流的影响范围。
蒸镀装置1的各构成部件被收容在腔室80内。另外，通过真空泵机构81，腔室80的内部成为真空状态。
坩埚50沿着与被成膜基板10的相对移动方向（X轴方向）和被成膜基板10的法线方向（Z轴方向）两者垂直的方向（Y轴方向）配置有多个，具备加热器51和容器52。容器52中贮存有固体或液体的蒸镀材料。加热器51对容器52进行加热，由此，蒸镀材料气化而成为气体的蒸镀颗粒。由此，蒸镀颗粒从坩埚50向被成膜基板10射出。
蒸镀装置1的坩埚50以外的各部件，与图16所示的蒸镀装置200中的各部件同样。即，蒸镀装置1为在蒸镀装置200中将坩埚250替换为坩埚50、将限制板230省略的结构。
在蒸镀装置1中，来自坩埚50的蒸镀颗粒大致垂直地向被成膜基板10入射。即，从坩埚50射出相对于被成膜基板10的法线方向大致平行的蒸镀流。因此，没有必要设置用于蒸镀流的准直化的限制板。以下，参照图2～图4对用于射出平行的蒸镀流的结构进行说明。
图2为表示坩埚50的容器52的结构的放大截面图。图3为表示容器52的结构的放大立体图，图4为表示容器52的结构的分解立体图。
容器52具备蒸镀源单元53、第一反射部件单元54和第二反射部件单元55。这3个部件例如通过螺纹加工接合。另外，优选各部件能够分别独立地调整温度。
蒸镀源单元53为用于贮存蒸镀材料的圆筒形容器。
如图3和图4所示，第一反射部件单元54具备焦点部件54a、铅垂支柱54b、水平支柱54c和环状支撑部54d。
水平支柱54c以通过环状支撑部54d的中心部将内周部分的2个部位连结的方式形成。铅垂支柱54b的一端与水平支柱54c的中点连接，向下方延伸。铅垂支柱54b的另一端与焦点部件54a连接。焦点部件54a相当于权利要求中记载的第一反射部件。
另外，第二反射部件单元55为在内部形成有开口部55a和旋转抛物面55b的圆筒形部件。旋转抛物面55b相当于权利要求中记载的第二反射部件，具有相对于被成膜基板10凹陷的抛物线形状。开口部55a形成在包括旋转抛物面55b的顶点的区域。
如图3所示，第一反射部件单元54的环状支撑部54d载置在第二反射部件单元55的上端外周部分。此时，焦点部件54a被支撑在与开口部55a相对的位置（开口部55a的正上方）。更具体地说，焦点部件54a被支撑在包括旋转抛物面55b的焦点的位置。另外，焦点部件54a形成为在开口部55a侧具有顶点的圆锥形状。
第一反射部件单元54中至少焦点部件54a被保持在比蒸镀颗粒的升华温度或蒸发温度（即气化温度）高的温度。另外，旋转抛物面55b的表面也被保持在比蒸镀颗粒的气化温度高的温度。
由此，如图2和图3所示，从开口部55a射出的蒸镀颗粒，由焦点部件54a向旋转抛物面55b完全弹性反射。在此，焦点部件54a被 支撑在包括旋转抛物面55b的焦点的位置，因此，由焦点部件54a反射、并进一步由旋转抛物面55b反射后的蒸镀颗粒的行进方向，根据抛物线原理，相对于被成膜基板10大致垂直。即，从坩埚50射出相对于被成膜基板10的法线方向大致平行的蒸镀流。
此外，如图2和图3所示，蒸镀颗粒由焦点部件54a反射，因此，在由旋转抛物面55b反射后的蒸镀颗粒的行进方向相对于被成膜基板10的法线方向完全平行的情况下，蒸镀颗粒不会到达被成膜基板10上的与焦点部件54a相对的区域。因此，该区域成为不成膜的区域，但是在扫描蒸镀法中，在使被成膜基板10相对移动的同时进行蒸镀，因此不会成为问题。
此外，焦点部件54a和旋转抛物面55b使蒸镀颗粒完全弹性反射，因此，优选由热传导性高、且能够均匀地高温化的材料形成。例如，作为焦点部件54a和旋转抛物面55b的材料，能够使用氮化铝、碳化硅、铜、金、银、钼、镍等的单体、它们的合金。另外，可以用上述材料的镀膜形成焦点部件54a和旋转抛物面55b的表面。
图5为用于说明抛物线原理的图。当将图中横方向设为Y轴、纵方向设为Z轴时，用YZ平面切割旋转抛物面而得到的截面为向下方凸的抛物线。在此，当将抛物线设为Z=aY2时，焦点的坐标（Y，Z）为（0，1/（4a））。
与Z轴平行地入射、且由旋转抛物面完全弹性反射的蒸镀颗粒，全部通过焦点。即，从焦点射出、且由旋转抛物面完全弹性反射的蒸镀颗粒的行进方向，与Z轴平行。
如图2所示，焦点部件54a形成为使得从开口部55a放出的蒸镀颗粒不直接向被成膜基板10的方向放射。即，将焦点部件54a的最大直径形成为与开口部55a的直径相比充分大，由此，从开口部55a放出的全部蒸镀颗粒由焦点部件54a反射。另外，优选焦点部件54a的位置接近旋转抛物面55b的底部。
焦点部件54a理论上优选小，但是已知，在蒸镀材料蒸镀时，当开口部55a小时会引起堵塞。因此，焦点部件54a的实用上的尺寸优选为0.5mm～10mm。当焦点部件54a的尺寸增大时，蒸镀流的平行度降低，但是通过使旋转抛物面55b的尺寸与焦点部件54a的尺寸相比充分大，能够抑制平行度的降低。在本实施方式中，开口部55a的直径为2mm。另外，旋转抛物面55b的最大直径为50mm。
此外，当使焦点部件54a的尺寸减小时，从开口部55a射出的蒸镀颗粒的一部分不由焦点部件54a反射。在该情况下，以如下方式形成焦点部件54a：将焦点部件54a的最大直径部分的端部和开口部55a的外周上最接近该端部的部分连结的直线（图2的虚线箭头），与旋转抛物面55b相交。换言之，以如下方式形成焦点部件54a：将开口部55a的外周上的任意部分和旋转抛物面55b的最接近被成膜基板10的部分中最接近上述任意部分的部分连结的直线，与焦点部件54a交叉。由此，能够防止未由焦点部件54a反射的蒸镀颗粒不与旋转抛物面55b碰撞而到达被成膜基板10。
接下来，对以往的蒸镀装置与本实施方式的蒸镀装置的比较例进行说明。
图6为表示以往的坩埚和本实施方式的坩埚的蒸镀颗粒的膜厚分布的图。在该图中，粗线表示以往的坩埚的蒸镀颗粒的膜厚分布，细线表示本实施方式的坩埚的蒸镀颗粒的膜厚分布。
作为坩埚，使用具有直径2mm、长度25mm的开口部的坩埚。另外，作为被成膜基板使用无碱玻璃基板，作为蒸镀材料使用Alq3。无碱玻璃基板与开口部的距离为125mm，成膜速率为0.1nm/sec，腔室内的真空度为10-3Pa以下。另外，在无碱玻璃基板上成膜使得中心膜厚为100nm，将中心膜厚作为100%以百分率测定基板上的膜厚分布。
将粗线和细线进行比较可知，由细线表示的膜厚分布，与由粗线表示的膜厚分布相比，膜厚相对于离成膜中心的距离的减少程度大。即，本实施方式的坩埚，与以往的坩埚相比，将蒸镀颗粒相对于被成膜基板的法线方向更平行地射出。
此外，已知膜厚分布能够用N值进行评价。N值是定量地表示材料固有的成膜状态（腔室内的飞散/扩散状态）的值。以下，对N值的导出进行说明。
如图7和图8所示，在考虑平面上的点蒸镀源的情况下，其蒸镀流密度的分布Φ(α)根据Lambert余弦定律为
Φ(α)=Φ0·cosα。
但是，实际上，由于蒸镀表面不是平面、开口部的壁等的影响，分布受到限制。
在图7所示的相对于蒸镀源正上方向的角度α不极大、且蒸镀源充分小的情况下，来自蒸镀源的蒸镀流密度的分布Φ(α)能够用下式近似。
Φ(α)=Φ0·cosNα
因此，例如半径L0的球面上的蒸镀速度Rsp(α)，在将蒸镀源正上方的蒸镀速度设为R0时，成为下式。
Rsp(α)=R0·cosNα
在将其替换为被成膜基板上的速率的情况下，乘以距离的增大量cos2α和角度修正量cosαt。
因此，相对于蒸镀源正上方向的角度α的位置的基板上的每单位面积、单位时间的蒸镀量（蒸镀速度）R(α)为
R(α)=R0·cosNα×cos2α×cosα
=R0·cosN+3α。
在此，蒸镀源本身的性能为N值。此外，“+3”的成分是基于几何成分。
因此，当如图9所示，将相对于蒸镀源正上方向的角度θ的位置的基板上的膜厚设为t、将蒸镀源正上方的基板上的膜厚设为t0时，N值通过
t/t0=cos(N+3)θ
导出。
在此，在图6所示的测定结果中，以往的坩埚的N值为1.5，而本实施方式的坩埚的N值为14.0。这样，在本实施方式的坩埚中，能够大大地抑制被成膜基板上的蒸镀膜的不需要的扩展。
接下来，对图3和图4所示的水平支柱54c的形状进行说明。水平支柱54c的截面，为了不影响蒸镀流，优选为在蒸镀流的行进方向上细长的形状。另一方面，需要将水平支柱54c的水平方向的厚度形成为温度向焦点部件54a传递的程度的厚度。
图10的（a）～（c）分别为表示水平支柱54c的一个例子的截面图。在任一个例子中，水平支柱54c的截面均形成为在纵方向（蒸镀流的行进方向）上细长。
关于水平支柱54c的尺寸，在图10的（a）所示的例子中，形成为横向宽度1mm、纵向宽度5mm。在图10的（b）和（c）所示的截面形状中，向下方形成为锥状。蒸镀颗粒从图面的下方流向上方，但是，在图10的（a）和（b）所示的例子中，水平支柱54c的底面会对蒸镀颗粒进行反射，将向被成膜基板流动的蒸镀颗粒截断，因此成膜效率降低。
就这一点而言，在图10的（c）所示的截面形状中，蒸镀颗粒几乎不被水平支柱54c反射，因此能够抑制成膜效率降低。因此，在图10的（a）～（c）所示的方式中，最优选图10的（c）所示的方式。
在本实施方式中，没有设置用于实现蒸镀流的准直化的限制板，但是，在蒸镀颗粒的微小的倾斜成分成为问题的情况下，可以设置限制板。即使在设置有限制板的情况下，蒸镀流相对于被成膜基板的法线方向大致平行，因此，蒸镀颗粒也几乎不附着在限制板上。
[实施方式2]
根据图11和图12对本发明的第二实施方式进行说明如下。此外，为说明方便起见，对于与在上述实施方式1中说明的部件具有相同功能的部件，赋予相同的符号，省略其说明。
图11为表示本实施方式的坩埚的容器52’的结构的截面图。容器52’是在图2所示的容器52中将第一反射部件单元54替换为第一反射部件单元54’的结构。第一反射部件单元54’是在第一反射部件单元54中将焦点部件54a替换为焦点部件54a’的结构。
实施方式1的焦点部件54a为圆锥形状，而本实施方式的焦点部件54a’为平板形状。因此，从开口部55a射出的蒸镀颗粒，某种程度地被弹回蒸镀源单元53。
由此，与实施方式1的结构相比，蒸镀颗粒的放出量减少，因此，成膜速率容易下降。但是，焦点部件54a’与焦点部件54a相比，形状简单，因此能够降低装置成本。另外，焦点部件54a’以如下方式形成：将焦点部件54a’的最大直径部分的端部和开口部55a的外周上最接近该端部的部分连结的直线（图11的虚线箭头），与旋转抛物面55b相交。因此，在本实施方式中，也能够某种程度地实现蒸镀流的准直化。
图12为表示以往的坩埚和本实施方式的坩埚的蒸镀颗粒的膜厚分布的图。在该图中，粗线表示以往的坩埚的蒸镀颗粒的膜厚分布，细线表示本实施方式的坩埚的蒸镀颗粒的膜厚分布。使用的坩埚、被成膜基板、蒸镀材料等的测定条件，与实施方式1中的相同。
在图12所示的测定结果中，以往的坩埚的N值为1.5，而本实施方式的坩埚的N值为7.6。即，在本实施方式的坩埚中，也抑制了被成膜基板上的蒸镀膜的不需要的扩展。
[实施方式3]
根据图13和图14对本发明的第三实施方式进行说明如下。此外，为说明方便起见，对于与在上述实施方式1中说明的部件具有相同功能的部件，赋予相同的符号，省略其说明。
图13为表示本实施方式的坩埚的容器52’’的结构的截面图。容器52’’是在图2所示的容器52中将第二反射部件单元55替换为第二反射部件单元55’的结构。第二反射部件单元55’是在第二反射部件单元55中进一步设置有筒状延长部55c的结构。
筒状延长部55c为从开口部55a的外周向焦点部件54a’’侧延伸的筒型部件。即，筒状延长部55c的端部成为从蒸镀源单元53供给的蒸镀颗粒的射出口。筒状延长部55c能够通过在从纯铜部件呈筒状削出的物质上涂敷Ni而形成。
上述的结构，与实施方式1相比，装置结构稍微变得复杂，但是，蒸镀颗粒的射出口更接近焦点部件54a’’，因此，能够进一步缩小焦点区域。因此，能够使由焦点部件54a’’和旋转抛物面55b反射后的蒸镀颗粒的行进方向相对于被成膜基板10的法线方向更平行。
另外，以如下方式形成焦点部件54a’’：将焦点部件54a’’的最大直径部分的端部和筒状延长部55c的外周上的最接近该端部的部分连结的直线（图13的虚线箭头），与旋转抛物面55b相交。由此，能够防止未由焦点部件54a’’反射的蒸镀颗粒不与旋转抛物面55b碰撞而到达被成膜基板10。
图14为表示以往的坩埚和本实施方式的坩埚的蒸镀颗粒的膜厚分布的图。在该图中，粗线表示以往的坩埚的蒸镀颗粒的膜厚分布，细线表示本实施方式的坩埚的蒸镀颗粒的膜厚分布。使用的坩埚、被成膜基板、蒸镀材料等的测定条件，与实施方式1和2中的相同。
在图14所示的测定结果中，以往的坩埚的N值为1.5，而本实施方式的坩埚的N值为20.5。即，在本实施方式的坩埚中，得到了实用上充分的N值。
[附记事项]
在上述中，第二反射部件均具有抛物线形状，但是不需要完全为抛物线形状，可以为接近抛物线形状的凹曲面。
另外，在上述中，对使用在使被成膜基板相对移动的同时进行蒸镀的扫描蒸镀法的例子进行了说明，但是，在被成膜基板比较小的情况下，可以不使被成膜基板相对于蒸镀源相对移动而进行蒸镀。在该情况下，可以为在与被成膜基板的蒸镀膜形成面相对的位置具备多个坩埚的结构，可以将坩埚配置成一列或矩阵状。另外，在被成膜基板小的情况下，可以利用1个或少量的坩埚进行蒸镀。
另外，在上述中，多个坩埚沿着与被成膜基板的相对移动方向和被成膜基板的法线方向两者垂直的方向配置有多个，但是，坩埚的配置方向也可以从与被成膜基板的扫描方向垂直的方向稍微偏移。
<要点概要>
如以上所述，在本发明的实施方式的坩埚中，优选上述凹曲面为旋转抛物面，上述第一反射部件位于上述旋转抛物面的焦点。
根据上述的结构，能够使由第二反射部件反射后的蒸镀颗粒的行进方向相对于被成膜基板的法线方向大致平行。
在本发明的实施方式的坩埚中，优选：将上述开口部的外周上的任意部分和上述凹曲面的最接近上述被成膜基板的部分中最接近上述任意部分的部分连结的直线，与上述第一反射部件交叉。
当第一反射部件的尺寸小时，来自开口部的蒸镀颗粒的一部分有可能不由第一反射部件反射而到达被成膜基板。与此相对，根据上述的结构，能够消除从开口部直接到达被成膜基板的蒸镀颗粒，因此，能够防止蒸镀膜的图案模糊或位置偏移。
在本发明的实施方式的坩埚中，优选上述第一反射部件形成为在上述开口部侧具有顶点的圆锥形状。
根据上述的结构，由第一反射部件反射后的蒸镀颗粒，几乎都朝向第二反射部件，不会返回开口部，因此，能够提高成膜速率和生产率。
在本发明的实施方式的坩埚中，优选上述第一反射部件形成为与上述开口部相对的平板形状。
根据上述的结构，第一反射部件的形状简单，因此，能够降低装置成本。
在本发明的实施方式的坩埚中，优选具备从上述开口部的外周向上述第一反射部件侧延伸的筒状延长部。
根据上述的结构，蒸镀颗粒的射出口更接近第一反射部件，因此能够进一步缩小焦点区域。因此，能够使由第一反射部件和第二反射部件反射后的蒸镀颗粒的行进方向相对于被成膜基板的法线方向更平行。
在本发明的实施方式的坩埚中，优选上述第一反射部件的温度为上述蒸镀颗粒的气化温度以上。
在第一反射部件的温度比蒸镀颗粒的气化温度低的情况下，蒸镀颗粒会附着在第一反射部件上，难以实现蒸镀流的平行化。与此相对，根据上述的结构，蒸镀颗粒与第一反射部件完全弹性碰撞，以与向第一反射部件的碰撞面的入射角度相同的角度被反射，因此，能够容易地实现蒸镀流的平行化。
在本发明的实施方式的坩埚中，优选上述第二反射部件的温度为上述蒸镀颗粒的气化温度以上。
在第二反射部件的温度比蒸镀颗粒的气化温度低的情况下，蒸镀颗粒会附着在第二反射部件上，难以实现蒸镀流的平行化。与此相对，根据上述的结构，蒸镀颗粒与第二反射部件完全弹性碰撞，以与向第二反射部件的碰撞面的入射角度相同的角度被反射，因此，能够容易地实现蒸镀流的平行化。
本发明的实施方式的蒸镀装置具备上述任一个坩埚。
根据上述的结构，能够实现能够进行高精度成膜的蒸镀装置。
在本发明的实施方式的蒸镀装置中，优选在与上述被成膜基板的蒸镀膜形成面相对的位置具备多个上述坩埚。
根据上述的结构，能够应对在更大型的被成膜基板上的成膜。
在本发明的实施方式的蒸镀装置中，优选在上述坩埚的第二反射部件与上述被成膜基板之间，具备用于在上述被成膜基板上形成蒸镀膜的图案的蒸镀掩模。
根据上述的结构，平行化的蒸镀流通过蒸镀掩模到达被成膜基板，因此，能够形成像素单位的微细的图案。
在本发明的实施方式的蒸镀装置中，优选在上述坩埚的第二反射部件与上述被成膜基板之间，具备：用于在上述被成膜基板上形成蒸镀膜的图案的蒸镀掩模；和用于使上述蒸镀颗粒的行进方向接近上述被成膜基板的法线方向的限制板。
根据上述的结构，由第二反射部件反射后的蒸镀颗粒的行进方向进一步接近被成膜基板的法线方向，因此，能够实现蒸镀流的进一步平行化。
在本发明的实施方式的蒸镀装置中，优选具备使上述被成膜基板相对于上述坩埚相对移动的移动单元。
特别是当被成膜基板为大型时，在使被成膜基板静止而形成蒸镀膜的情况下，需要与被成膜基板的尺寸大致相同大小的蒸镀源区域，需要大量的坩埚，存在装置成本增大的问题。与此相对，根据上述的结构，使被成膜基板在一直线上搬送而进行蒸镀，因此，能够减少坩埚的个数。由此，能够降低装置成本。
在本发明的实施方式的蒸镀装置中，优选上述坩埚沿着与上述被成膜基板的相对移动方向和上述被成膜基板的法线方向两者垂直的方向配置有多个。
根据上述的结构，坩埚与被成膜基板的对准变得容易。另外，能够使蒸镀装置小型。
本发明并不限定于上述的各实施方式，能够在权利要求表示的范围内进行各种变更，将在不同的实施方式中分别公开的技术手段适当组合而得到的实施方式也包含在本发明的技术范围内。
产业上的可利用性
本发明不仅能够应用于有机EL显示装置的制造中的蒸镀颗粒的蒸镀，而且能够应用于所有的被成膜对象上的蒸镀颗粒的蒸镀。
符号说明
1    蒸镀装置
10   被成膜基板
20   掩模（蒸镀掩模）
40   闸门
50   坩埚
51   加热器
52   容器
52’  容器
52’’ 容器
53   蒸镀源单元
54   第一反射部件单元
54’  第一反射部件单元
54a  焦点部件
54a’ 焦点部件
54b  铅垂支柱
54c  水平支柱
54d  环状支撑部
55   第二反射部件单元
55’  第二反射部件单元
55a  开口部
55b  旋转抛物面
55c  筒状延长部
60   框架
61   可动支撑部
62   固定支撑部
64   可动支撑部
70   支撑台
80   腔室
81   真空泵机构

Claims (12)

1.一种坩埚，其为具备对被成膜基板射出蒸镀颗粒的开口部的坩埚，其特征在于，具备：
第一反射部件单元，该第一反射部件单元包括第一反射部件、铅垂支柱、水平支柱和环状支撑部，所述第一反射部件在与所述开口部相对的位置设置，对从所述开口部射出的蒸镀颗粒进行反射；和
将由所述第一反射部件反射后的蒸镀颗粒向所述被成膜基板反射的第二反射部件，
所述第二反射部件相对于所述被成膜基板具有凹曲面，
所述铅垂支柱的一端与所述水平支柱的中点连接，向下方延伸，所述铅垂支柱的另一端与所述第一反射部件连接，
所述水平支柱通过所述环状支撑部的中心部而与所述环状支撑部连接，
所述环状支撑部与所述第二反射部件的上端外周部分连接，
所述开口部形成在包括所述第二反射部件的所述凹曲面的顶点的区域，
所述坩埚具备从所述开口部的外周向所述第一反射部件侧延伸的筒状延长部，该筒状延长部的端部为所述蒸镀颗粒的射出口，
将所述第一反射部件的最大直径部分的端部和所述筒状延长部的外周上的最接近该第一反射部件的最大直径部分的端部的部分连结的直线，与所述凹曲面相交。
2.如权利要求1所述的坩埚，其特征在于：
所述凹曲面为旋转抛物面，
所述第一反射部件位于所述旋转抛物面的焦点。
3.如权利要求1或2所述的坩埚，其特征在于：
所述第一反射部件形成为在所述开口部侧具有顶点的圆锥形状。
4.如权利要求1或2所述的坩埚，其特征在于：
所述第一反射部件形成为与所述开口部相对的平板形状。
5.如权利要求1或2所述的坩埚，其特征在于：
所述第一反射部件的温度为所述蒸镀颗粒的气化温度以上。
6.如权利要求1或2所述的坩埚，其特征在于：
所述第二反射部件的温度为所述蒸镀颗粒的气化温度以上。
7.一种蒸镀装置，其特征在于：
具备权利要求1至6中任一项所述的坩埚。
8.如权利要求7所述的蒸镀装置，其特征在于：
在与所述被成膜基板的蒸镀膜形成面相对的位置具备多个所述坩埚。
9.如权利要求7或8所述的蒸镀装置，其特征在于：
在所述坩埚的第二反射部件与所述被成膜基板之间，具备用于在所述被成膜基板上形成蒸镀膜的图案的蒸镀掩模。
10.如权利要求7或8所述的蒸镀装置，其特征在于：
在所述坩埚的第二反射部件与所述被成膜基板之间，具备：
用于在所述被成膜基板上形成蒸镀膜的图案的蒸镀掩模；和
用于使所述蒸镀颗粒的行进方向接近所述被成膜基板的法线方向的限制板。
11.如权利要求7或8所述的蒸镀装置，其特征在于：
具备使所述被成膜基板相对于所述坩埚相对移动的移动单元。
12.如权利要求11所述的蒸镀装置，其特征在于：
所述坩埚沿着与所述被成膜基板的相对移动方向和所述被成膜基板的法线方向两者垂直的方向配置有多个。
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Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5328726B2 (ja) 2009-08-25 2013-10-30 三星ディスプレイ株式會社 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光ディスプレイ装置の製造方法
JP5677785B2 (ja) 2009-08-27 2015-02-25 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法
US8876975B2 (en) * 2009-10-19 2014-11-04 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
KR101084184B1 (ko) 2010-01-11 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR101193186B1 (ko) 2010-02-01 2012-10-19 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101156441B1 (ko) 2010-03-11 2012-06-18 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
US8894458B2 (en) 2010-04-28 2014-11-25 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
KR101223723B1 (ko) 2010-07-07 2013-01-18 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101723506B1 (ko) 2010-10-22 2017-04-19 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101738531B1 (ko) 2010-10-22 2017-05-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR20120045865A (ko) 2010-11-01 2012-05-09 삼성모바일디스플레이주식회사 유기층 증착 장치
KR20120065789A (ko) 2010-12-13 2012-06-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기층 증착 장치
KR101760897B1 (ko) 2011-01-12 2017-07-25 삼성디스플레이 주식회사 증착원 및 이를 구비하는 유기막 증착 장치
KR101840654B1 (ko) 2011-05-25 2018-03-22 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101852517B1 (ko) 2011-05-25 2018-04-27 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101857249B1 (ko) 2011-05-27 2018-05-14 삼성디스플레이 주식회사 패터닝 슬릿 시트 어셈블리, 유기막 증착 장치, 유기 발광 표시장치제조 방법 및 유기 발광 표시 장치
KR101826068B1 (ko) 2011-07-04 2018-02-07 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치
KR101938365B1 (ko) * 2012-07-31 2019-04-12 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치 및 이를 이용한 증착량 측정 방법
KR102084707B1 (ko) * 2012-12-03 2020-04-16 삼성디스플레이 주식회사 증착원, 이를 포함한 증착 장치 및 증착 방법
JP6087267B2 (ja) * 2013-12-06 2017-03-01 シャープ株式会社 蒸着装置、蒸着方法、及び、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
WO2016138964A1 (en) * 2015-03-03 2016-09-09 Applied Materials, Inc. Nozzle for a material source arrangement used in vacuum deposition
JP6276804B2 (ja) 2015-06-26 2018-02-07 キヤノントッキ株式会社 蒸着装置
KR20170104710A (ko) * 2016-03-07 2017-09-18 삼성디스플레이 주식회사 성막 장치 및 표시 장치의 제조 방법
CN206396318U (zh) * 2017-01-24 2017-08-11 京东方科技集团股份有限公司 一种坩埚
US20190032193A1 (en) * 2017-07-31 2019-01-31 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Vapor Deposition Device
CN107686966B (zh) * 2017-07-31 2019-09-24 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 蒸镀装置
CN107686969A (zh) * 2017-08-22 2018-02-13 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种蒸发源装置
JP2020176284A (ja) * 2019-04-16 2020-10-29 株式会社アルバック 蒸着源、真空処理装置、及び成膜方法
CN115287623B (zh) * 2022-08-11 2023-05-16 太原理工大学 一种曲面形金刚石膜片的制备方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3015013A (en) * 1960-05-31 1961-12-26 Avco Corp High density radiant heat systems
US4925295A (en) * 1986-03-17 1990-05-15 Casio Computer Co., Ltd. Projection display apparatus
US4787737A (en) * 1986-03-26 1988-11-29 Casio Computer Co., Ltd. Projection display apparatus
US4791273A (en) * 1987-05-15 1988-12-13 Varian Associates, Inc. Vaporizer system for ion source
US6237529B1 (en) * 2000-03-03 2001-05-29 Eastman Kodak Company Source for thermal physical vapor deposition of organic electroluminescent layers
KR100691025B1 (ko) * 2005-12-16 2007-03-09 두산디앤디 주식회사 유기박막 증착용 도가니 장치
JP2008163365A (ja) * 2006-12-27 2008-07-17 Seiko Epson Corp 蒸着用坩堝、蒸着法および蒸着装置
KR101167546B1 (ko) * 2007-09-10 2012-07-20 가부시키가이샤 알박 증착 장치
JP5247239B2 (ja) * 2008-05-22 2013-07-24 日立造船株式会社 真空蒸着装置の放出部構造
JP4827953B2 (ja) * 2009-07-24 2011-11-30 日立造船株式会社 蒸着装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP5319025B2 (ja) 2013-10-16
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US8673082B2 (en) 2014-03-18
WO2012099012A1 (ja) 2012-07-26
US20130291796A1 (en) 2013-11-07

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