CN103374700A - 真空蒸镀装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种真空蒸镀装置。将多个线状蒸发源相对于成膜方向配置成多级，能够在去路和回路中不改变成膜顺序地进行共蒸镀。在基板上成膜蒸镀材料的真空蒸镀装置中，具有以相对于成膜方向为对称的方式配置有多个线状蒸发源的蒸发源组，上述蒸发源组相对于上述基板向第一方向移动并对上述基板成膜后，相对于上述基板向与上述第一方向相反的方向即第二方向移动并对上述基板成膜。

Description

真空蒸镀装置

技术领域

本发明涉及一种真空蒸镀装置。

背景技术

近年来，有机EL元件作为新的产业领域一直备受关注。期待有机EL显示器作为代替液晶显示器、等离子体显示器的下一代显示器，并期待有机EL照明作为与LED照明并列的下一代照明。

有机EL元件的构造是利用由阳极和阴极构成的电极对夹着层叠有由有机化合物构成的发光层、空穴注入层、空穴输送层、电子输送层、电子注入层等的多层构造。通过对电极施加电压，从阳极侧向发光层注入空穴，从阴极侧向发光层注入电子，利用它们再结合而产生的激子（exciton，激发性电子）的失活而进行发光。

形成发光层的有机材料中有高分子材料和低分子材料。其中，作为现在主流的低分子材料，通过真空蒸镀而成膜。在形成其它层时也采用真空蒸镀。为了提高性能，还进行共蒸镀的掺杂质、合金化（专利文献1）。

真空蒸镀使用的蒸发源具有：封入蒸镀材料的坩埚、喷出蒸镀材料的喷嘴、加热坩埚的加热器、容纳坩埚、喷嘴和加热器等的壳体。使蒸镀材料从由加热器加热的坩埚蒸发或升华，从喷嘴向设置于真空腔室内的基板上喷射气化的蒸镀材料而形成各层。为了制作彩色显示的有机EL元件，在将基板和金属掩膜对准的状态下，按照像素分涂进行不同发光的有机EL材料而成膜。

有机EL元件随着显示器件、照明器件的大型化，要求基板尺寸大型化。可以预见，基板尺寸从现状的第4.5代生产线（玻璃基板尺寸：730mm×920mm）向以基板尺寸计为2.9倍的第5.5代生产线（基板尺寸为1300mm×1500mm）扩大，并可能进一步达到第8代生产线（玻璃基板尺寸：2200mm×2500mm）。

为了对应基板尺寸的大型化，线状的蒸发源或平面状的蒸发源等各种方式的蒸发源得以实用化。从对于基板尺寸的可扩展性（scalability）的观点来看，相比平面状蒸发源，更优选线状蒸发源。线状蒸发源能够通过向与其长度方向垂直的方向沿着基板进行相对移动而在基板上形成均匀的薄膜。线状蒸发源有具有多个喷嘴的整体式的线性蒸发源、将多个具有多个喷嘴的蒸发源单元沿长度方向设置为线状的多蒸发源等方式。

线状蒸发源在其长度方向的尺寸大致为基板尺寸的情况下，可以通过单向扫描在基板整个面上进行成膜。在其长度方向的尺寸比基板尺寸小的情况下，可以通过在去路和回路之间沿长度方向以一定间距（pitch）进行移动而在基板整个面上成膜。

现有技术文献：

专利文献

专利文献1：（日本）特许第3741842号公报

发明内容

发明要解决的课题

在共蒸镀中，在相同的真空腔室中设置多个蒸发源，在不同的蒸发源内配置不同的材料。在利用线状蒸发源进行共蒸镀的情况下，例如，考虑将多个线状蒸发源沿着成膜方向配置成多级。但是，当以这种结构进行往返式成膜时，在去路和回路中，成膜顺序颠倒。因此，在去路和回路上，在不同的基板部位进行成膜时，存在基板面内组成比率不同的课题。对此，下面对本发明的解决方案进行叙述。

用于解决课题的技术方案

用于解决上述课题的本发明的特征如下。一种真空蒸镀装置，其在基板上成膜蒸镀材料，其中，具有以使多个线状蒸发源相对于成膜方向对称的方式配置的蒸发源组，上述蒸发源组相对于上述基板向第一方向移动并对上述基板成膜后，相对于上述基板向作为上述第一方向的反方向的第二方向移动并对上述基板成膜。

本发明的真空蒸镀装置以根据蒸镀材料的种类而准备的多个线状蒸发源相对于成膜方向（及其反方向）为对称的方式配置，能够在去路和回路上不改变成膜顺序地形成共蒸镀膜。因此，通过对于第一方向进行往返成膜，在去路和回路之间大致正交的第二方向沿着基板面进行移动，在去路和回路上在不同的基板位置成膜的情况下，能够使组成比率均匀，因此，能够在更大型的基板上成膜膜厚和组成都均匀的共蒸镀膜。

附图说明

图1是实施例1中的真空蒸镀装置的真空腔室内的结构；

图2是表示实施例1的蒸发源的配置和移动路径的示意图＜1＞；

图3是表示实施例1的蒸发源的配置和移动路径的示意图＜2＞；

图4是表示实施例1的蒸发源的配置和移动路径的示意图＜3＞；

图5是表示实施例1的蒸发源的配置和移动路径的示意图＜4＞；

图6是表示实施例2的蒸发源的配置和移动路径的示意图；

图7是实施例3的真空蒸镀装置的真空腔室内的结构；

图8是表示实施例3的蒸发源的配置和移动路径的示意图；

图9是表示实施例4的蒸发源的配置和移动路径的示意图；

图10是实施例5的蒸发源的配置和移动路径的示意图；

图11是表示实施例6的蒸发源的配置的示意图。

符号说明

1  真空腔室

2  基板

3  蒸发源组

3－A、3－B  蒸发源

4  基板转交部

5  喷嘴

6  移动路径

7  闸门

具体实施方式

下面，使用附图等对本发明的实施例进行说明。下面，作为本发明的真空蒸镀装置的一个例子，对适用于有机EL器件的制造的例子进行说明。下面的说明表示本发明内容的具体例，本发明不限定于这些说明，在本说明书所公开的技术思想的范围内，本领域技术人员可以进行各种变更和修正。例如，蒸镀材料不限于有机材料，可以使用金属材料、无机材料、其它材料。共蒸镀也可以适用于掺杂质、合金形成等许多场合。

实施例1

＜具备一个蒸发源组的真空蒸镀装置＞

图1是表示实施例1的真空蒸镀装置的局部（真空腔室内）结构的概略图。在维持真空的真空腔室1内配置有垂直立起的基板2和由三级构成的线状蒸发源组3。从在与输送腔室（未图示）之间为了维持真空而设置的基板转交部4送入的基板2进行与基板保持器（未图示）的对准，基板2和基板保持器大致垂直立起。在本实施例中，表示了按每个倒角尺寸图案化于晶格上的兼作金属掩膜的基板保持器的例子。另外，在图1所示的实施例中，使垂直方向与成膜方向对应，使水平方向与线状蒸发源组3的长度方向对应。在非必要时对正方向和反方向不进行特别区別。

线状蒸发源组3沿着成膜方向依次由储存第一材料的蒸发源3－A、储存第二材料B的蒸发源3－B、储存第一材料的蒸发源3－A的三级构成。在此，第二材料是与第一材料不同的材料。蒸发源3－A和蒸发源3－B使用例如线性蒸发源或多蒸发源等。线状蒸发源的特征在于，具有长度方向，其长度为基板2水平方向的边的长度的大致一半。优选的是，比基板2的水平方向的边的长度短，比其一半长度长。

图2是表示实施例1的蒸发源的配置和移动路径的示意图＜1＞。图2是从基板转交部4观察基板2的图。另外，后述的图3、图4、图5、图6、图8、图9、图10也一样，都是从基板转交部4观察基板2的图。蒸发源组3沿垂直方向上下移动，同时在基板2上成膜，在上移动（意思是指向上方向的移动）和下移动（意思是指向下方向的移动）之间向水平方向移动基板2长度的大致一半的量，由此，对基板2整体进行扫描。

例如，如图2所示，蒸发源组3从比基板2的下边低的待机位置沿垂直方向进行上移动，同时进行基板2的大致一半（左半部分）的成膜（S21）。而且，蒸发源组3的位置变得比基板2的上边高，然后向水平方向（左右方向）的右方移动基板2的长度的大致一半的量（S22）。然后，沿垂直方向进行下移动，同时进行基板2剩余的大致一半（右半部分）的成膜（S23）。而且，蒸发源组3的位置变得比基板2的下边低，然后向水平方向（左右方向）的左方移动基板2的长度的大致一半的量，返回到基板2成膜前的待机位置（S24）。

图3是表示实施例1的蒸发源的配置和移动路径的示意图＜2＞。蒸发源组3的移动路径6不仅限于上述情况。例如，也可以通过图3所示的移动路径6处理第奇数个基板2，而通过相反的移动路径6处理第偶数个基板2。

图4是表示实施例1的蒸发源的配置和移动路径的示意图＜3＞。与图3一样，也可以通过图4所示的路径处理第奇数个基板2，而通过相反的路径处理第偶数个基板2。如图3或图4所示，通过在上移动和下移动中各按照基板的大致一半成膜的膜厚的重合，在基板2的整个面上能够进行均匀的成膜。此时，通过将扫描速度保持为一定，能够得到较高的膜厚均匀性。

线状蒸发源组3的蒸发源3－A、蒸发源3－B、蒸发源3－A，相对于成膜方向对称地配置，因此，在对基板2的大致一半进行成膜的上移动和对基板2的剩余的大致一半进行成膜的下移动中，能够不改变材料的成膜顺序地进行成膜，因此，能够在基板2的整个面上形成均匀的组成的共蒸镀膜。

通过以上操作，能够在基板2的整个面上成膜膜厚和组成都均匀的共蒸镀膜。结束成膜的基板2被水平放倒，经由基板转交部4送出。

蒸发源组3可以使用比基板2的尺寸小的蒸发源，因此，容易应对基板2的尺寸的大型化。另外，上移动和下移动二者都可以用于成膜，因此，与只进行单向共蒸镀的装置相比，可以降低节拍时间（单位产品生产时间）。

作为第一材料、第二材料的具体例，考虑将第一材料设定为膜主体材料（膜母材），将第二材料设定为添加剂的例子。在利用蒸发源3－A成膜的第一材料和利用蒸发源3－B成膜的第二材料的量相同的情况下，一个蒸发源组中具备两个蒸发源3－A，因此，对于来自一个蒸发源组的成膜量，第一材料的量为第二材料的量的两倍。活用该结构，将需要更多的第一材料设定为膜主体材料。

另外，在改变开口部的大小等，由蒸发源3－B成膜的第二材料的量比由蒸发源3－A成膜的第一材料的量多很多的情况下，也可以将第一材料设定为添加材料，将第二材料设定为膜主体材料。

在此，对蒸镀材料的种类为A和B两种的情况说明了本发明。蒸发源组3的结构除此之外，也可以是蒸发源3－A、蒸发源3－B、蒸发源3－B、蒸发源3－A，或蒸发源3－A、蒸发源3－B、蒸发源3－B、蒸发源3－B、蒸发源3－A等的结构。在该情况下，可以根据蒸发源组3的个数的增加而增加蒸镀率（蒸镀速率）。另外，在蒸镀材料的种类为三种或三种以上的情况下，蒸发源组3的结构和成膜方法也是以上述为准即可。例如，如果蒸镀材料的种类为第一材料A、第二材料B、第三材料C这三种，则蒸发源组3的结构只要按照蒸发源3－A、蒸发源3－B、蒸发源3－C（未图示）、蒸发源3－B、蒸发源3－A的顺序沿成膜方向配置成五级即可。

通常表示时，是沿第一方向移动而在基板上蒸镀M种材料（第一材料～第M材料：M为2或2以上的自然数）的蒸发源组（第一蒸发源～第N蒸发源：N为3或3以上的自然数），其特征在于，一边向第一方向和第二方向（与第一方向相反的方向）移动一边成膜，由此，在基板2的整个面上成膜均匀的组成的共蒸镀膜。上述的具体例与M＝2、N＝3的情况对应。

至此，对蒸发源组3的长度方向的长度为基板2水平方向的边的长度的大致一半的情况进行了说明。通常表示时，对于在蒸发源组3的长度方向的长度为基板2的水平方向的边的长度的大致K分之一（K为2或2以上的自然数）的情况而言，本发明也同样能够适用。可以在成膜中的去路和回路上，沿水平方向移动基板2的水平方向的长度的大致K分之一的量，且通过合计K次扫描，在基板2的整个面上成膜均匀的膜厚和组成的共蒸镀膜。在2或2以上的自然数K为奇数时，从基板2下侧的待机位置出发的蒸发源组3，在基板2上侧的待机位置结束成膜。相反，从基板2上侧的待机位置出发的蒸发源组3，在基板2下侧的待机位置结束成膜。

总之，由于蒸发源组3沿成膜方向对称地配置，因此能够在上移动和下移动中不改变材料的成膜顺序地进行成膜。特别是可以使用比基板2的尺寸更小的蒸发源组3对基板2的整个面进行成膜，因此，在应对基板2的大型化方面是有利的。

图5是表示实施例1中的L＝4时的蒸发源的配置和移动路径的示意图。在该情况下，蒸发源组3向上方向、右方向、下方向、右方向、上方向、右方向、下方向移动并对基板2进行成膜。

在图1～图5中，蒸发源组3由整体式的线性蒸发源和多蒸发源等线状蒸发源构成。各蒸发源包括：由封入蒸镀材料的材料室和作为蒸气喷射口的喷嘴构成的坩埚、从周围加热坩埚的加热器、在加热器外周用于提高上述坩埚的保温性的一个或多个热屏蔽板、用于不使来自加热器的热辐射向外部泄漏的冷却箱（使周边流过水冷水）、用于开关坩埚开口（喷嘴）的（未图示）闸门等。另外，蒸发源也可以具有控制从喷嘴喷出的蒸气的放射角度的板（角度控制板）。角度控制板安装在蒸发源的哪个部分都可以

另外，在图1～图4中，说明了在蒸发源组3向上方向移动并成膜、向下方向移动并成膜期间，沿水平方向移动的例子。此时，具有可在短时间内高效地对基板2整体进行成膜的优点。另一方面，［1］可以进行蒸发源组3向上方向移动并成膜，而不沿水平方向移动，且对基板2的相同区域向下方向移动并成膜的控制；［2］也可以进行蒸发源组3向上方向移动并成膜，对基板2的相同区域向下方向移动并成膜后，向水平方向移动，对另外的区域，蒸发源组3向上方向移动并成膜，向水平方向移动的控制。由此，可以根据需要对基板2的相同区域进行上、下两次成膜。本发明中重要的特征在于，即使蒸发源组3的移动方向不同，也能够不改变材料的成膜顺序地进行成膜。

另外，作为水平方向的例子，以主要向右方向的移动为例进行了列举，但蒸发源组3向左方向移动也没问题。

另外，至此说明了将基板2立起后进行成膜的例子，但也可以在将基板2横向放倒的状态下进行成膜。此时，只要认为是从上方向俯视观察各图的图来考虑即可。

实施例2

＜具备两个蒸发源组的真空蒸镀装置＞

图6是表示实施例2的真空蒸镀装置的蒸发源组3的配置和移动路径6的示意图。蒸发源组3的长度方向的长度为基板2水平距离的大致四分之一（三分之一以下、四分之一或四分之一以上）。蒸发源组3沿着成膜方向对称地配置，且在长度方向上以规定间隔（基板水平方向的边的长度的大致二分之一）并设。各蒸发源各自也可以具有保持和移动机构，或者也可以用一个保持和移动机构控制蒸发源组3。

蒸发源组3一边沿垂直方向上下移动一边进行成膜，在上移动和下移动之间向水平方向移动基板2的长度的大致四分之一的间距（三分之一或三分之一以下、四分之一或四分之一以上），通过合计两次扫描可以对基板2的整个面进行成膜。例如，如图6所示，蒸发源组3一边从比基板2的下边低的待机部位沿垂直方向向上移动，一边进行基板2的大致一半的成膜。而且，相比基板2的上边，蒸发源组3的位置更高，然后沿水平方向移动基板2的水平方向的长度的大致四分之一（三分之一或三分之一以下、四分之一或四分之一以上），然后，一边沿垂直方向向下移动一边进行基板2的剩余的大致一半的成膜。而且，相比基板2的下表面，蒸发源组3的位置更低，然后沿水平方向移动基板2的水平方向的长度的大致四分之一（三分之一或三分之一以下、四分之一或四分之一以上），返回到基板2成膜前的待机位置。

或者，也可以通过与图3类似的移动路径6中处理第奇数个基板2，通过相反的路径处理第偶数个基板2。同样地，也可以通过与图4类似的路径处理第奇数个基板2，通过相反的路径处理第偶数个基板2。由于在上移动和下移动中基板的各大致一半被成膜的膜厚的重合，可以在基板2的整个面上形成均匀的膜厚。另外，此时，通过将扫描速度保持为一定，能够得到较高的膜厚均匀性。结束成膜的基板2水平放倒，经由基板转交部4送出。

另外，沿着成膜方向配置的三级线状蒸发源从上依次由储存第一材料A的蒸发源3－A、储存第二材料B的蒸发源3－B、储存第一材料A的蒸发源3－A构成。相对于成膜方向对称地配置。因此，在对基板2的大致一半进行成膜的路径和对基板2的剩余的大致一半进行成膜的路径中，能够不改变材料的成膜顺序地在基板2整体上形成均匀的组成的共蒸镀膜。

这样，本实施例与实施例1相比，能够缩短蒸发源组3的水平移动距离，因此，能够进一步缩短节拍时间而提高生产力。

以上，对蒸发源组3的长度方向的长度为基板2水平方向的边的长度的大致四分之一（三分之一或三分之一以下、四分之一或四分之一以上）和沿长度方向以规定间隔（基板水平方向的边的长度的大致二分之一）并设（排列设置）的情况进行了说明。同样地，对于蒸发源组3长度方向的长度为基板2水平方向的边的长度的大致N分之一（（N－1）分之一或（N－1）分之一以下、N分之一或N分之一以上）和沿长度方向以规定间隔（基板2水平方向的边的长度的大致M分之一）并设的情况，也同样可以适用本发明。在此，4或4以上的自然数N为2或2以上的自然数M的倍数，自然数M为自然数N的约数（N／M为自然数）。反复进行垂直方向的成膜时，在上移动和下移动之间，将蒸发源组3沿水平方向移动规定间距（基板2的水平方向的长度的大致N／M分之一）进行成膜。在往返中通过反复进行合计M次（N／M为自然数）扫描，可以在基板2的整个面上形成均匀的组成的共蒸镀膜。

另外，蒸发源组3不限定于三级结构，和第一实施例一样，特征在于，是沿第一方向移动对上述基板2蒸镀第一～第M材料的多个或具有多个开口的第一～第N蒸发源（M为2或2以上的自然数，N为3或3以上的自然数），对于上述第一方向和第二方向（上述第一方向的反方向）对称地设置，均通过一边移动一边成膜，在基板2的整个面上成膜均匀的组成的共蒸镀膜。

实施例3

＜双对准方式的真空蒸镀装置＞

实施例3涉及一种真空蒸镀装置，其在一个真空腔室内设置右侧R线和左侧L线两个系统，将第一基板和第二基板交替送入真空腔室1内，进行对准、立起，成膜，能够使节拍时间减半。

图7是表示本发明实施例3的示意图。图7所示的真空蒸镀装置由维持成真空的真空腔室1、由用于在与输送腔室（未图示）之间维持真空的基板转交部4、两组基板2－A、基板2－B、三级构成的线状蒸发源组3构成。蒸发源组3的长度方向的长度优选比基板2水平方向的边的长度长。蒸发源组3由整体式的线性蒸发源或多蒸发源等线状蒸发源构成。

从基板转交部4送入的第一基板2进行与基板保持器（未图示）的对准，并与基板保持器（未图示）一起大致垂直立起。蒸发源组3一边沿垂直方向上下移动一边进行成膜。在对第一基板2进行蒸镀期间，在另一基板转交部4，将之前已成膜的基板2送出，并将第二基板2送入真空腔室1内，进行与基板保持器的对准，并与基板保持器一起大致垂直立起。当结束第一基板2的成膜时，用于第一基板2成膜的蒸发源组3从第一基板2向第二基板2沿水平方向移动，开始成膜。在对第二基板2蒸镀中，结束成膜的第一基板2水平放倒，经由基板转交部4从真空腔室1内送出。

通过反复以上的循环，可以在一个真空腔室1内同时进行对准和成膜。与逐一处理对准和成膜的装置相比，能够使节拍时间减半。

图8是表示实施例3的蒸发源的配置和移动路径的示意图。蒸发源组3一边从比基板2的下边低的待机部位沿垂直方向进行上移动，一边进行基板2的成膜。而且，相比基板2的上边蒸发源组3的位置更高，然后沿水平方向移动至相邻的基板2，然后，一边沿垂直方向进行下移动，一边进行基板2的成膜。而且，相比基板2的下表面蒸发源组3的位置更低，然后沿水平方向移动，返回到相邻的基板2即成膜前的待机位置。蒸发源组3的长度方向的长度优选为比水平方向的基板2的边的长度长。由此，可通过单向扫描在基板2的整个面上形成均匀的膜厚。另外，此时，通过将扫描速度保持为一定，能够得到较高的膜厚均匀性。

此时，沿着成膜方向配置的三级线状蒸发源组3从上依次由储存第一材料A的蒸发源3－A、储存第二材料B的蒸发源3－B、储存第一材料的蒸发源3－A构成。这些蒸发源对于成膜方向对称地配置。因此，在对第一基板2进行成膜的路径和对第二基板2进行成膜的路径中，不改变材料的成膜顺序，在第一基板2和第二基板2都可以形成相同组成的共蒸镀膜。在该情况下，上移动和下移动二者都可以用于成膜，因此，与只是单向进行共蒸镀的装置相比，能够使节拍时间减半。

以上，对线状蒸发源组3的长度方向的长度大概为基板2水平方向的边的长度的情况进行了说明。除此之外，关于线状蒸发源组3长度方向的长度为基板2水平方向的边的长度的大致N分之一的情况，本发明也同样能够适用。

在成膜中的上移动和下移动中，可以沿水平方向移动基板2的水平方向的长度的大致N分之一，通过合计N次扫描对基板2整体进行成膜。在2或2以上的自然数的N为奇数的情况下，从基板2下侧的待机位置出发的蒸发源组3，在基板2下侧的待机位置结束成膜。这样，结束第一基板2的成膜后，移动到相邻的基板2，再次开始第二基板2的成膜。一旦结束第二基板2的成膜，则再次移动到相邻的第一′基板2。通过反复进行以上的循环，可以在一个真空腔室1内同时进行对准和成膜。与逐一处理对准和成膜的装置相比，能够使节拍时间减半。总之，在该情况下，由于蒸发源组3沿成膜方向对称地配置，因此，在上移动和下移动中能够不改变材料的成膜顺序地进行成膜。特别是在该情况下，可以使用尺寸比基板2小的蒸发源组3对基板2的整个面进行成膜，因此，容易应对基板2的大型化。

以上，对于在真空腔室1内设置右侧R线和左侧L线的两个系统，并在对准一个基板2的过程中对另一个基板2进行成膜，而使节拍时间减半的情况进行了说明。同样地，本发明也可适用于如下情况，即，在真空腔室1内存在多个基板2，在对第一个基板2蒸镀中，将第二个基板2送入真空腔室1内，并从真空腔室1送出结束蒸镀的另一基板2。

实施例4

＜双对准方式，多层成膜的真空蒸镀装置＞

实施例4是在采用了实施例3的双对准方式的真空蒸镀装置中，进行多层成膜时的例子。对于共蒸镀没有特别限定。

图9是表示实施例4的真空蒸镀装置的蒸发源组3的配置和移动路径6的示意图。

蒸发源组3一边从比基板2的下边低的待机部位沿垂直方向进行上移动一边进行基板2的成膜。此时，用闸门7屏蔽蒸发源组3内、从最下级（或最上级）的蒸发源3－A喷出的蒸气，不使其到达基板2。而且，相比基板2的上边，蒸发源组3的位置更高，然后返回。

接着，一边沿垂直方向进行下移动一边进行基板2的成膜。此时，用闸门7屏蔽蒸发源组3内、从最上级（或最下级）的蒸发源3－A喷出的蒸气，不使其到达基板2。相比基板2的下表面蒸发源组3的位置更低，然后结束基板2的成膜。

蒸发源组3由整体式的线性蒸发源或多蒸发源等线状蒸发源构成。蒸发源组3的长度方向的长度优选比水平方向的基板2的边的长度长。由此，可以在基板2的整个面上形成均匀的膜厚。另外，通过将扫描速度保持为一定，能够得到高的膜厚均匀性。

沿成膜方向配置的三级线状蒸发源组3，从上起依次由储存第一材料A的蒸发源3－A、储存第二材料B的蒸发源3－B、储存第一材料的蒸发源3－A构成，相对于成膜方向对称地配置。在第一基板2上，通过蒸发源组3的上移动中的成膜，按照第一材料A、第二材料B的顺序形成薄膜。同样地，在第二基板2上，也通过蒸发源组3的下移动中的成膜，按照第一材料A、第二材料B的顺序形成薄膜。这样，在对第一基板2进行成膜的上移动和对第二基板2进行成膜的下移动中，不必改变蒸镀材料的成膜顺序，因此，在第一基板2和第二基板2上均能够形成相同的多层膜。另外，蒸发源组的上移动和下移动二者都可以用于成膜，因此，与只是单向进行多层成膜的情况相比，能够使节拍时间减半。

以上对在一个真空腔室1内在基板上进行两层成膜的情况进行了叙述，但对于成膜两层或两层以上的情况也一样。还对在一个真空腔室1内成膜两个基板2的情况进行了说明，但对于成膜两个或两个以上的基板2的情况也一样。

实施例5

＜蒸发源沿水平方向移动并成膜的真空蒸镀装置＞

在实施例1～4中，对蒸发源沿垂直（水平）方向移动并成膜的真空蒸镀装置的例子进行了说明，在实施例5中，说明蒸发源沿水平方向移动并成膜的真空蒸镀装置的例子。采用该蒸发源的控制时，也是只要使用图1的结构即可。在此，为了简化而省略说明。

图10是表示实施例5的蒸发源的配置和移动路径的示意图。蒸发源组3一边向水平方向（左右方向）移动一边对基板2进行成膜，在右移动（意思是指向右方向的移动）和左移动（意思是指向左方向的移动）之间，沿垂直方向（上下方向）移动基板2的长度的大致一半，由此，对基板2的整体进行扫描。

例如，如图10所示，蒸发源组3一边从基板2左端的外侧的待机位置向右方向移动一边进行基板2的大致一半（上半部分）的成膜（S101）。而且，蒸发源组3到达基板2的右端更外侧，然后向垂直方向（上下方向）的下方移动基板2的长度的大致一半（S102）。然后，一边向左方向移动一边进行基板2剩余的大致一半（下半部分）的成膜（S103）。而且，蒸发源组3到达基板2的左端的外侧，然后向上方向移动基板2的长度的大致一半，返回到成膜前的待机位置（S104）。

如以上所述，蒸发源组3沿成膜方向对称地配置，因此，能够在右移动和左移动中不改变材料的成膜顺序地成膜。另外，蒸发源向水平方向移动并成膜的真空蒸镀装置，也可以采用实施例1～4中说明的各种结构。

实施例6

实施例1～实施例5中，如图11（1）所示，对蒸发源组3为蒸发源3－A、蒸发源3－B、蒸发源3－A这三级构成的情况进行了说明。在实施例6中，对于其它蒸发源组3的结构，表示几个具体例。当然也可以采取除此之外的各种方式。

如图11（2）所示，蒸发源组3也可以是两个蒸发源3－A、蒸发源3－B、两个蒸发源3－A的构成。在该情况下，随着蒸发源3－A的个数增加，可以增加材料A的蒸镀率（速率）。另外，如图11（3）所示，蒸发源组3也可以是蒸发源A、两个蒸发源3－B、蒸发源3－A的构成。在该情况下，随着蒸发源3－B的个数增加，能够增加材料B的蒸镀率（速率）。

另外，如图11（4）或图11（5）所示，蒸发源组3也可以由线性蒸发源和多蒸发源的组合构成。由此，可以对应各种材料的成膜。

总之，由于蒸发源组3沿成膜方向对称地配置，因此，和实施例1～实施例5一样，在向成膜方向和向其反方向的移动中，能够不改变材料的成膜顺序地进行成膜，因此，能够在基板2整体上形成均匀的组成的共蒸镀膜。

Claims (13)

1.一种真空蒸镀装置，其使蒸镀材料在基板成膜，该真空蒸镀装置的特征在于：

具有将多个线状蒸发源以相对于成膜方向对称的方式配置而成的蒸发源组，

所述蒸发源组相对于所述基板向第一方向移动并对所述基板成膜后，相对于所述基板向作为所述第一方向的反方向的第二方向移动并对所述基板成膜。

2.如权利要求1所述的真空蒸镀装置，其特征在于：

所述蒸发源组由蒸镀第一材料的第一蒸发源、蒸镀与所述第一材料不同的第二材料的第二蒸发源、蒸镀所述第一材料的第三蒸发源构成，

所述第二蒸发源设置在所述第一蒸发源和所述第三蒸发源之间。

3.如权利要求2所述的真空蒸镀装置，其特征在于：

所述蒸发源组是将第一蒸发源、第二蒸发源、第三蒸发源沿上下方向排列而构成的，

所述第一方向为上方向或下方向。

4.如权利要求3所述的真空蒸镀装置，其特征在于：

所述蒸发源组在向所述第一方向移动后、向所述第二方向移动前，向左右方向移动。

5.如权利要求2所述的真空蒸镀装置，其特征在于：

所述蒸发源组是将第一蒸发源、第二蒸发源、第三蒸发源沿左右方向排列而构成的，

所述第一方向为左方向或右方向。

6.如权利要求5所述的真空蒸镀装置，其特征在于：

所述蒸发源组在向所述第一方向移动后、向所述第二方向移动前，向上下方向移动。

7.如权利要求4或6所述的真空蒸镀装置，其特征在于：

所述蒸发源组反复进行向所述第一方向、第三方向、所述第二方向的移动，对所述基板进行成膜。

8.一种真空蒸镀装置，其使蒸镀材料在多个基板成膜，该真空蒸镀装置的特征在于：

具有将多个线状蒸发源以相对于上下方向对称的方式配置而成的蒸发源组，

第一基板的设置位置和第二基板的设置位置沿左右方向排列，

所述蒸发源组相对于所述第一基板向第一方向移动并对所述第一基板成膜后，相对于所述第二基板向作为所述第一方向的反方向的第二方向移动并对所述第二基板成膜，

所述第一方向为上方向或下方向。

9.如权利要求8所述的真空蒸镀装置，其特征在于：

所述蒸发源组由蒸镀第一材料的第一蒸发源、蒸镀与所述第一材料不同的第二材料的第二蒸发源、蒸镀所述第一材料的第三蒸发源构成，

所述第二蒸发源设置于所述第一蒸发源和所述第三蒸发源之间。

10.如权利要求8或9所述的真空蒸镀装置，其特征在于：

在对所述第一基板进行成膜的过程中，进行所述第二基板和保持所述第二基板的基板保持器的对准。

11.如权利要求8～10中任一项所述的真空蒸镀装置，其特征在于：

所述蒸发源组在向所述第一方向移动后、向所述第二方向移动前，向左右方向移动。

12.如权利要求1～11中任一项所述的真空蒸镀装置，其特征在于：

所述蒸发源组在喷射所述第一材料或所述第二材料的开口部具有能够开关的闸门，

所述蒸发源组，

在向所述第一方向移动的情况下，打开所述第一蒸发源的闸门和所述第二蒸发源的闸门，关闭所述第三蒸发源的闸门，

在向所述第二方向移动的情况下，关闭所述第一蒸发源的闸门，打开所述第二蒸发源的闸门和所述第三蒸发源的闸门。

13.如权利要求1～12中任一项所述的真空蒸镀装置，其特征在于：

所述第一材料为膜主体材料，所述第二材料为添加材料。

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