CN102732836A

CN102732836A - 真空蒸镀装置及有机el显示装置的制造方法

Info

Publication number: CN102732836A
Application number: CN2011104427801A
Authority: CN
Inventors: 三宅龙也; 玉腰武司; 山本健一; 松浦宏育; 峰川英明; 矢崎秋夫; 楠敏明; 尾方智彦
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd; Hitachi High Tech Corp
Priority date: 2011-03-31
Filing date: 2011-12-27
Publication date: 2012-10-17
Also published as: KR101248355B1; KR20120111964A; JP2012214834A; TW201246651A

Abstract

本发明提供一种真空蒸镀装置及成膜装置，该真空蒸镀装置及成膜装置在大型基板上高速地形成膜厚均匀的有机EL上部电极用的铝金属薄膜，能够长时间连续运行。使用陶瓷制的坩埚，防止铝的向上蠕动，使用在横向上操作蒸发源列(3-2)进行蒸镀的机构，该蒸发源列(3-2)在纵向上排列了至少2个以上在相同方向上按规定角度倾斜了的蒸发源(3-1)，据此，能够相对于大型化的纵向设置的基板(1-1)高速地形成有机EL上部电极用金属薄膜，能够进行长时间的连续成膜。

Description

真空蒸镀装置及有机EL显示装置的制造方法

技术领域

本发明涉及一种形成真空蒸镀膜的方法及其装置，特别是涉及用于在大型的基板上形成有机EL显示装置有效的真空蒸镀方法及其装置。

背景技术

用于有机EL显示装置、照明装置的有机EL元件为从上下用阴极和阴极一对电极夹入由有机材料构成的有机层的构造，成为以下的结构，即，通过对电极施加电压，从而从阳极侧向有机层注入空穴，从阴极侧向有机层注入电子，使它们再结合而发光。

该有机层成为层叠了包含空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层、电子注入层的多层膜的结构。作为形成该有机层的材料，使用高分子材料和低分子材料。在其中的使用低分子材料的情况下，使用真空蒸镀装置形成有机膜。

有机EL器件的特性很大地受到有机层的膜厚的影响。另一方面，形成有机薄膜的基板逐年大型化。因此，在使用真空蒸镀装置的情况下，需要高精度地控制形成在大型的基板上的有机薄膜、电极用金属薄膜的膜厚，长时间连续运行。电极用金属薄膜随着大型化，需要低电阻化，特别是在用于显示器中，作为有机层的上部的电极材料，铝材料被视为最有优势。

作为用于由真空蒸镀在基板上连续地形成薄膜的构成的蒸发源，在“专利文献1”中公开了以下装置，该装置具有蒸发源机构，该蒸发源机构设置2个以上的线性蒸发源，蒸发源内至少一个蒸发源相对于地面或水平方向倾斜了规定角度，使该蒸发源机构上下移动而进行蒸镀。在“专利文献2”中公开了一种直线地配置多个坩埚、对蒸发源的AL合金进行扫描蒸镀的技术及水平地设置基板、使蒸发源朝上进行蒸镀的机构。另外，在“专利文献3”中公开了一种制造装置，该制造装置配置多个坩埚，相对于基板进行倾斜扫描蒸镀。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2006-249572号

专利文献2：日本专利第4545504号

专利文献3：日本专利第4515060号

在“专利文献1”中公开了一种蒸发源机构，该蒸发源机构设置2个以上的线性蒸发源，蒸发源内至少一个蒸发源相对于地面倾斜规定角度，而多个线性蒸发源朝着相同基板位置，为了对纵向上大的面积进行蒸镀，需要在上下方向上扫描。上述线性蒸发源在使用了铝材料的情况下，润湿、向上蠕动(這い上がる)的影响使得不能进行连续的蒸镀。另外，若线性蒸发源内的材料被消耗，则蒸镀停止，所以，不能应对长时间运行。

在“专利文献2”中公开了一种直线地配置多个坩埚、对蒸发源的AL合金进行扫描蒸镀的技术及水平地设置基板、使蒸发源朝上进行蒸镀的机构。然而，关于对纵向地设置的基板进行蒸镀的方法及长时间运行并未公开。

在“专利文献3”中公开了一种制造装置，该制造装置配置多个坩埚，相对于基板进行倾斜扫描蒸镀。然而，关于对纵向地设置的基板进行蒸镀的方法及长时间运行并未公开。

发明内容

本发明的目的在于解决上述现有技术的课题，提供一种真空蒸镀方法及其装置，在该真空蒸镀方法及其装置中使用设置有在相同方向上排列的多个蒸发源的蒸发源列，对应于纵向地设置的大型基板，能够高速、连续地形成以铝材料为主的金属薄膜。

本发明的最主要的特征在于，使用陶瓷制的坩埚，为了防止铝的向上蠕动，应对纵型的大型基板，具有这样的机构，该机构在纵向上排列至少2个以上的在相同方向上按规定角度倾斜的蒸发源进行蒸镀。

根据本发明，为了防止因铝蒸镀而成为问题的润湿、向上蠕动，采用一体型的坩埚结构，材质为不与铝材料反应的热分解性氮化硼(PBN)，使得PBN坩埚以规定角度，使得倾斜地配置了多个蒸发源的蒸发源列相对于基板相对地沿横向移动，据此，对纵型配置的基板进行蒸镀。为此，即使为大型基板，只要增加蒸发源列的蒸发源数量，不论大小如何，都能够进行蒸镀。另外，在真空蒸镀室内准备多个蒸发源列，切换着进行蒸镀，据此，能够应对长时间运行。

附图说明

图1为表示本发明的第1实施例的蒸发源列和蒸镀室、基板、膜厚监视器的构成的模式图和说明动作的图。

图2为表示本发明的第1实施例的蒸发源列与基板、蒸镀薄膜及薄膜的膜厚分布的关系的截面的模式图。

图3为表示用于改善本发明的第1实施例的薄膜的膜厚分布的构成的截面的模式图。

图4为表示本发明的第2实施例的蒸发源列和蒸镀室、基板、膜厚监视器的构成的模式图和说明动作的图。

图5为表示本发明的第3实施例的蒸发源列和蒸镀室、基板、膜厚监视器的构成的模式图和说明动作的图。

图6为表示本发明的第4实施例的蒸发源列截面构造的模式图。

图7为表示本发明的第5实施例的蒸发源列和蒸镀室、基板、闸阀、真空内移动机构的构成的模式图和说明动作的图。

图8为表示本发明的第6实施例的蒸发源列和蒸镀室、基板、闸阀、真空内移动机构的构成的模式图和说明动作的图。

图9为表示本发明的第7实施例的蒸发源列和蒸镀室、基板、闸阀、真空内移动机构的构成的模式图和说明动作的图。

图10为表示本发明的第8实施例的有机EL显示器生产工序的一例的工序图。

附图标记的说明

1-1...基板，1-2...基板，2...蒸气，3-1...蒸发源，3-2...蒸发源列，3-3...蒸发源列，3-4...蒸发源列，4...蒸镀材料，5...蒸镀室，6-1蒸镀薄膜，6-2...蒸镀薄膜，6-3...蒸镀薄膜，6-4...膜厚分布，6-5...膜厚分布，6-6...膜厚分布，7...膜厚监视器，8...膜厚控制仪，9...蒸发源电源，10...控制用计算机，11...材料供给机，12...闸阀，13...真空内移动机构。

具体实施方式

作为本发明的真空蒸镀装置的一例，说明适用于有机EL器件的制造的例子。有机EL器件的制造装置为这样的装置，该装置利用真空蒸镀层叠多层各种材料的薄膜层，从而在金属电极层(阳极)上形成空穴注入层、空穴输送层、发光层(有机膜层)，在金属电极层(阴极、上部电极)下形成电子注入层、电子输送层等。

本发明的有机EL器件制造装置的特征在于：具有这样的机构，该机构在蒸镀室中使用陶瓷制的坩埚，为了防止铝的向上蠕动，应对纵型的大型基板，在纵向上排列至少2个以上的在相同方向上按规定角度倾斜的蒸发源进行蒸镀。下面，使用实施例及附图详细说明本发明的内容。

[实施例1]

图1为本发明的真空蒸镀装置的基本构成的模式图和说明动作的图。本发明的蒸镀装置在蒸镀室5内由基板1-1、蒸发源3-1、蒸发源列3-2、膜厚监视器7构成，在蒸镀室外由用于控制膜厚的膜厚控制仪8、用于控制蒸发源的温度的蒸发源电源9以及控制用计算机10构成，该控制用计算机10用于连动地控制膜厚控制仪8和蒸发源电源9，记录蒸镀数据。蒸发源3-1被称为克努森池(クヌ一ドセンセル；Knudsen cell)，由PBN坩埚和对其进行加热的加热器、用于控制坩埚温度的热电偶、用于防止热漏到外部的热遮护板、水冷遮护板构成。

图2(a)为表示蒸发源3-1、基板1-1、蒸镀薄膜6-1的构成的、从侧方观看的截面图。在图2(a)中，作为现有技术例，表示蒸发源3-1为1个的情况。相对于纵型地配置的基板1-1，从蒸发源3-1朝倾斜方向放出了的蒸镀材料的蒸气2堆积在基板上，形成蒸镀薄膜6-1。如图2(a)所示，蒸镀薄膜6-1由于为倾斜地蒸镀的膜，所以，成为在上下方向上非对称的膜厚分布，基板1-1的周边部的蒸镀薄膜6-1的膜厚变薄，在基板中央附近，膜厚分布6-4变大，在用于有机薄膜、金属薄膜时成为偏差大的膜，器件特性变差。

在本实施例中，如图1及图2(b)所示那样，在纵向上排列至少2个以上的在相同方向上按规定角度倾斜了的蒸发源3-1进行蒸镀。换言之，蒸发源列3-2的各蒸发源3-1的长轴相对于水平方向按规定角度朝相同方向倾斜。

在本实施例中，通过使用与基板1-1的上下方向的长度同等的蒸发源列3-2，蒸镀薄膜6-1在为1个的情况下，成为在上下方向上非对称的膜厚分布，膜厚分布6-4变大，而通过在纵向上排列，在上下方向上非对称的膜厚分布与邻接的蒸发源3-1的膜厚分布重叠，在基板上成膜的膜厚分布6-5能够减小。

在图1的实施例中，膜厚监视器7相对于蒸发源列3-2用1个进行膜厚控制，但各蒸发源3-1的坩埚温度相对于电源功率而不同，因此存在各蒸发源3-1的蒸气2的量变化，膜厚分布进一步变大的可能性。为此，膜厚监视器7通过分别对于蒸发源列3-2的蒸发源3-1在每个蒸气出口附近设置1个，从而可以进行高精度的膜厚控制。

在图2(b)中，使用与基板1-1的上下方向的长度同等的蒸发源列3-2，所以，膜厚分布6-5比膜厚分布6-4小，在基板1-1的上下的端部，膜厚变薄。在图3中表示进一步改善膜厚分布的构成。图3为表示蒸发源3-1、基板1-1、蒸镀薄膜6-3的构成的、从侧方观看的截面图。通过设置基板1-1的上下方向长度以上的蒸发源列3-3，从而在基板1-1的上下端部抑制膜厚的减少，能够进一步改善膜厚分布6-6。但是，在该情况下，由于蒸气2还朝向基板上下方向上的没有基板的部分放出蒸气2，所以，蒸镀材料的消耗量变大，朝装置内放出无用的蒸镀材料，所以，需要利用遮蔽板等防止对蒸镀室5内的污染。

在本实施例中，基板1-1固定，蒸发源列3-2左右移动，据此，实施向着基板整体的成膜，即使固定蒸发源列3-2，使基板1-1朝横向移动进行蒸镀，也能够获得相同的效果。

在图1中未表示，采用具有能够从蒸镀室5的外部连续地将基板1-1供给到真空内的输送机构的设备，据此，能够一边按分批式地进行基板供给，一边连续地成膜。另外，通过在基板1-1与蒸发源列3-2之间设置掩模，从而能够形成图案。

[实施例2]

在实施例1中，说明了在蒸镀室5内设置1片基板1-1进行蒸镀的构成，在图4中表示了以下的装置构成，该装置构成在基板1-1更换时将另一基板1-2准备在邻接的位置，减少蒸发源列3-2未蒸镀的时间，有效地利用蒸发源3-1的坩埚内的蒸镀材料。

在基板1-1和基板1-2与蒸发源列3-2相向的位置，使蒸发源列3-2的等候位置在基板1-1与基板1-2之间，使其朝右在横向上进行1轴的往返移动，对基板1-1进行成膜，在其成膜中实施基板1-2的设置。在对基板1-1成膜后，接下来使其朝左在横向上进行1轴的往返移动，对基板1-2进行成膜。在对基板1-2成膜的期间，将基板1-1侧的玻璃基板更换成下一基板作好准备，据此，能够不损失运行时间地对多个基板成膜。

蒸发源3-1一旦使坩埚温度上升到蒸发温度，则始终放出蒸镀材料，所以，为了使其长时间运行而不损失地使用内部的蒸镀材料，本实施例那样地减少未进行蒸镀的时间为有效的方法。在本实施例中，为交替地蒸镀2片基板的例子，即使为多片也有效。另外，不是本实施例的分批式，而是单片(枚葉)式，通过固定蒸发源3-1，一边连续地使基板朝横向移动，一边进行蒸镀，从而能够提高蒸镀装置的利用效率。另外，在图4中未进行表示，采用具有能够从蒸镀室5的外部连续地将基板1-1和基板1-2供给到真空内的输送机构的设备，据此，能够一边按分批式供给基板，一边连续地成膜。

[实施例3]

在实施例1、2中，若蒸镀材料4放出完了能够投入到坩埚内的量，则需要暂时使装置停止并补充蒸镀材料4，蒸镀装置的连续运行存在限制。在本实施例中，如图5所示那样，在蒸镀室5内具有材料供给机11，能够不使真空装置停止地补充蒸镀材料。蒸镀材料4在铝材料的情况下主要使用数mm尺寸的丸粒状的颗粒。

使蒸发源列3-2移动到材料供给机11的位置，从斜上部方向将粒状的材料从材料供给机11投入在真空内，据此，能够进行真空装置的连续运行。其中，蒸发源列3-2在加热中不能进行材料投入，所以，需要暂时使蒸发源温度下降到不产生蒸气的温度。图5中未表示，蒸发源列3-2不仅为1列，在蒸镀室5内配置2列以上的蒸发源列，据此，能够一边更换2列以上的蒸发源列，一边控制蒸发源温度，进行材料供给，据此，能够进行蒸镀的连续运行。材料供给量通过设置能够测量各蒸发源列3-2的重量的机构，与材料的消耗量一致地进行决定。

[实施例4]

在实施例1～3中，蒸发源3-1为圆筒状，使用烧杯(ビ一か)形状的PBN坩埚，在该情况下，由于倾斜设置进行使用，所以，如图6(a)所示那样，蒸镀材料4不可能装入到坩埚容量的最大量。另外，由于蒸气2朝倾斜方向放出，所以，如图2(a)所示那样，在基板1-1的上下方向上成为非对称的膜厚分布，为了减小膜厚分布的范围，存在极限。

在本实施例中，通过将蒸发源3-1的坩埚构造形成为图6(b)～(d)所示的截面构造，从而能够增加蒸镀材料4的投入量，改善膜厚分布。图6(b)为使坩埚朝横向，将出口部分的颈周(首周り)设置成比下部缩径，即使朝着横向也不使蒸镀材料4流失的构造，蒸气方向也成为朝横向，所以，在基板1-1的上下方向上膜厚分布也变得对称，排列多个蒸发源3-1，据此，整体的膜厚分布也能够改善。图6(b)的蒸发源3-1的长轴为水平方向，喷出蒸气的开口形成在蒸发源的竖直方向的中心的上方。

图6(c)为将坩埚朝纵向，仅将出口部分朝横向的构造，使蒸镀材料4的投入量增加，蒸气方向也成为朝横向，所以，在基板1-1的上下方向上膜厚分布也变得对称，排列多个蒸发源3-1，据此，整体的膜厚分布也能够得到改善。图6(c)的蒸发源3-1的长轴为竖直方向，喷出蒸气的开口形成在蒸发源的竖直方向的中心的上方。其中，在为图6(c)的情况下，为了在纵向上排列多个蒸发源3-1，坩埚在纵向上延伸，所以，不能减小蒸发源彼此的间隔，所以，有时膜厚分布变宽。

图6(d)为使坩埚朝倾斜方向倾斜，仅出口部分朝横向的构造，蒸镀材料4的投入量与图6(a)的情况没有太大变化，而蒸气方向成为横向，所以，在基板1-1的上下方向上膜厚分布也变得对称，排列多个蒸发源3-1，据此，整体的膜厚分布也得到了改善。

另一方面，在用PBN制作图6(b)～(d)的坩埚构造的情况下，由于用CVD成膜制作PBN坩埚，所以，在复杂的构造的情况下，很费时间，坩埚制造成本变高，所以，在即使为膜厚分布的范围大的薄膜也没有关系的情况下，也可采用能够降低坩埚制造成本的图6(a)的坩埚构造。

[实施例5]

在实施例3中使用材料供给机11，据此，能够连续地运行，在本实施例中，图7表示设置2个以上的蒸发源列，连续运行的情况。图7为模式地从上观看装置构成的图。设置蒸发源列3-3和蒸发源列3-4这样2个，各蒸发源具有能够用闸阀12分离的真空内移动机构13，在蒸镀室5内能够相对于基板1-1在横向上移动。

在图7中，蒸发源列3-3为在加热中蒸气正在出来的状况，正实施成膜。蒸发源列3-4为用闸阀12与蒸镀室5进行真空分离，在真空内移动机构13内停止了的状态。若关闭闸阀12，则蒸发源列3-4能够在该状态下取出到大气中，进行材料更换、维护。

若蒸发源列3-3的材料变少下去，则在图7的状态下使蒸发源列3-4准备成为能够蒸镀的状态，通过闸阀12的开闭，可在能够蒸镀的状态下切换蒸发源列3-3与蒸发源列3-4。因此，若按上述顺序反复进行，则可进行长时间的连续运行。真空内移动机构13在本实施例的图7中表示了波纹管方式，即使为大气箱方式等其它方法也没关系。在图7中，说明了设置1片基板1-1的方式，通过如在实施例2中表示的那样设置2片以上的基板，能够减少基板更换时的蒸镀材料损失。

[实施例6]

在实施例5中，由于真空内移动机构13需要基板1-1的横宽度以上的伸缩，所以，装置占用空间(フツトプリント)变大。在本实施例中，为了减小装置占用空间，在图8中表示将基板更换从分批式改变为单片式的实施例。图8由(a)俯视图和(b)侧视图构成，表示装置构成的模式图。

蒸发源列3-3和蒸发源列3-4使用能够由闸阀12分离的真空内移动机构13，与实施例5同样地切换地进行使用，据此，能够进行连续运行。真空内移动机构13为能够使蒸发源列3-3和蒸发源列3-4进出蒸镀室5内的移动距离，不存在大小的问题，所以，能够比实施例5减小装置占用空间。其中，由于基板1-1按单片式进行基板更换，所以，需要以纵型配置输送基板的机构。在图8中虽未图示，但成为以下的构成，即，从图8(a)的基板1-1的上部输送蒸镀前基板，蒸镀后，从基板1-1的下部送出。

[实施例7]

在实施例6中，真空内移动机构13在蒸发源坩埚的长度方向上移动，需要能够由闸阀12分离的移动距离。在本实施例中，移动与蒸发源坩埚的蒸镀方向竖直的方向上的短的移动距离的机构，据此，能够实现比实施例6更小的装置占用空间。

在图9中表示从上观看的模式图。使蒸镀室5的蒸发源导入部分朝内侧缩径，据此，进一步实现装置占用空间的缩小化。蒸发源列3-3和蒸发源列3-4能够进出蒸镀室5内的移动距离为图9的上下方向，所以，与实施例6相比，能够进一步缩短。

另外，由于为单片式，所以，蒸发源的移动距离能够为蒸发源列3-3和蒸发源列3-4能够进出蒸镀室5内的移动距离，所以，能够比实施例5更减小装置占用空间。其中，由于基板1-1按单片式更换基板，所以，需要按纵型配置进行基板输送的机构。在图9中虽未表示，但成为以下的构成，即，从图9的基板1-1的上部输送蒸镀前基板，蒸镀后从基板1-1的下部送出。

[实施例8]

图10为表示有机EL显示器生产工序的一例的工序图。在实施例1～7中，主要说明了仅仅该生产工序的金属蒸镀的工序。在图10中，分别形成TFT基板和封装基板，在封装工序中进行组合，该TFT基板形成了有机层和控制流到有机层的电流的薄膜晶体管(TFT)，该封装基板保护有机层不受外部的湿气的影响。

在图10的TFT基板的制造工序中，对受到了湿洗的基板进行干洗。干洗也有时包含由紫外线照射进行的清洗。在被干洗了的TFT基板上首先形成TFT。在TFT上形成钝化膜及平坦化膜，在其上形成有机EL层的下部电极。下部电极与TFT的漏极(ドレイン)电极连接。在设下部电极为阳极的情况下，例如使用ITO(Indium Tin Oxide)(铟锡氧化物)膜。

在下部电极上形成有机EL层。有机EL层由多个层构成。在下部电极为阳极的情况下，从下开始例如为空孔(ホ一ル)注入层、空孔输送层、发光层、电子输送层、电子注入层。这样的有机EL层通过蒸镀形成，在其上形成上部电极层。上部电极层通过在实施例1～实施例7中说明地那样地蒸镀装置或蒸镀方法形成。

在有机EL层上，按各像素通用的方式按固体膜(ベタ膜)形成上部电极。在有机EL显示装置为顶部发光的情况下，在上部电极使用IZO等透明电极，在有机EL显示装置为接合底部发光(ボンデイングボトムエミツシヨン)的情况，使用Al等金属膜。

在图10的封装基板工序中，对进行了湿洗及干洗的封装基板配置干燥剂。有机EL层若存在水分，则劣化，所以，为了将内部的水分除去，使用干燥剂。干燥剂可使用各种材料，有机EL显示装置根据是顶部发光还是底部发光，干燥剂的配置方法不同。

这样，分别制造的TFT基板和封装基板在封装工序中被组合。用于封装TFT基板和封装基板的密封材料形成在封装基板上。在组合封装基板与TFT基板后，将紫外线照射在密封部，使密封部硬化，完成封装。

对这样形成了的有机EL显示装置进行点亮检查。在点亮检查中，对于即使在产生了黑点、白点等缺陷的情况下也能够修正缺陷的有机EL显示装置进行修正，完成有机EL显示装置。

根据本发明，能够抑制由杂质造成的污染而且按短的节拍时间形成由多个层形成的有机EL层，所以，能够降低有机EL显示装置的制造成本，提高产品合格率。另外，由于能够正确地控制有机EL层的各层的成分，所以，特性的再现性高，而且能够制造可靠性高的有机EL显示装置。

Claims

1.一种真空蒸镀装置，其具有蒸发源列和能够纵向地配置基板的基板设置机构，其特征在于，

上述蒸发源列由二个以上的在纵向上排列的蒸发源构成，上述蒸发源为了放出蒸气而在一部分形成开口，各上述蒸发源的长轴相对于水平方向按规定角度朝相同方向倾斜。

2.根据权利要求1所述的真空蒸镀装置，其特征在于，上述蒸发源列能够相对于纵向地配置的基板相对地进行1轴移动。

3.根据权利要求1或2所述的真空蒸镀装置，其特征在于，上述蒸发源的开口朝着水平方向。

4.根据权利要求1或2所述的真空蒸镀装置，其特征在于，

上述蒸发源列能够在蒸镀装置内配置二组以上，交替地使用。

5.根据权利要求1或2所述的真空蒸镀装置，其特征在于，

上述蒸发源列具有能够真空隔断的阀，并具有能够在真空外进行材料更换的设备。

6.根据权利要求1或2所述的真空蒸镀装置，其特征在于，

上述蒸发源列具有能够在真空内进行材料补充的材料供给机。

7.根据权利要求1或2所述的真空蒸镀装置，其特征在于，

上述蒸发源列具有比上述基板的纵向长度更长的蒸发源列。

8.根据权利要求1或2所述的真空蒸镀装置，其特征在于，

上述蒸发源列能够通过闸阀在真空内移动，所述闸阀能够与蒸镀室分离。

9.根据权利要求1或2所述的真空蒸镀装置，其特征在于，

上述基板设置机构在蒸镀室内配置了2组以上。

10.一种真空蒸镀装置，具有蒸发源列和能够纵向地配置基板的基板设置机构，其特征在于，

上述蒸发源列由二个以上的在纵向上排列的蒸发源构成，上述蒸发源为了放出蒸气而在一部分形成开口，各上述蒸发源的长轴为水平方向，上述开口形成在上述蒸发源的竖直方向的中央部的上侧，并且，上述开口朝着水平方向。

11.一种真空蒸镀装置，具有蒸发源列和能够纵向地配置基板的基板设置机构，其特征在于，

上述蒸发源列由二个以上的在纵向上排列的蒸发源构成，上述蒸发源为了放出蒸气而在一部分形成开口，各上述蒸发源的轴为竖直方向，上述开口形成在上述蒸发源的竖直方向的中央部的上侧，并且，上述开口朝着水平方向。

12.根据权利要求10或11所述的真空蒸镀装置，其特征在于，上述蒸发源列能够相对于纵向配置的基板相对地进行1轴移动。

13.一种有机EL显示装置的制造方法，该有机EL显示装置由封装基板封装了TFT基板，该TFT基板形成有薄膜晶体管、有机EL层以及夹住上述有机EL层的电极层，其特征在于，

将形成有薄膜晶体管的TFT基板配置在真空蒸镀装置内的基板设置机构中，与上述TFT基板相向地配置蒸发源列，该蒸发源列在纵向上排列蒸发源，该蒸发源收容了上述有机EL层或电极层的材料，

上述蒸发源的轴相对于水平方向倾斜规定角度，

通过使上述TFT基板或上述蒸发源列在水平方向上相对地移动，从而形成上述有机EL层或上述电极层。