CN111020486B - 横向型真空沉积装置以及用于其的源块和源组件 - Google Patents

Abstract

本发明涉及横向型真空沉积装置以及用于其的源块和源组件。公开了可以简化横向型真空沉积装置的源块以及使用其的横向型真空沉积装置。源块具有预定形状。在横向型真空沉积装置中，衬底和源块可以彼此面对。因此，包括源块的横向型真空沉积装置没有用于将蒸发源传递至喷嘴的导管，从而简化了装置的结构。特别地，源块可以具有至少10％的可见光透射率并且可以在横向型真空沉积处理期间表现出优异的形状保持能力。

Description

横向型真空沉积装置以及用于其的源块和源组件

技术领域

本公开内容涉及用于横向型真空沉积装置的源块。

此外，本公开内容涉及用于横向型真空沉积装置的源组件。

此外，本公开内容涉及横向型真空沉积装置。

背景技术

随着显示技术的发展，广泛使用平板显示设备。平板显示设备包括液晶显示设备、电致发光显示设备等。液晶显示设备需要背光单元作为单独的光源块并且在亮度和对比度方面具有技术限制。因此，对电致发光显示设备的兴趣不断增加，电致发光显示设备在亮度和对比度方面相对地优于液晶显示设备，并且实现自发光，因此没有单独的光源块。

此外，在照明领域中对使用电致发光器件的照明设备的兴趣增加。

电致发光器件通常具有空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发光层(ETL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)的叠层。

构成电致发光元件的各个层通常通过真空沉积方案形成。真空沉积方案包括向上型方案和向下型方案。在向上型真空沉积方案中，衬底放置在真空沉积装置的顶部，而源设置在真空沉积装置的底部。相反，在向下型真空沉积方案中，衬底放置在真空沉积装置的底部，而源放置在真空沉积装置的顶部。

发明内容

本公开内容的发明人已经研究和开发了用于形成电致发光器件的横向型真空沉积装置。

本公开内容的发明人已经研究了横向型真空沉积方案。在横向型真空沉积方案中，衬底放置在真空沉积装置内的一个横向端，而源放置在真空沉积装置中的另一横向端。本公开内容的发明人已经认识到横向型真空沉积方案可以促进连续沉积过程。此外，本公开内容的发明人已经认识到横向型真空沉积方案可以解决在向上型真空沉积方案和向下型真空沉积方案中发生的衬底下垂问题。本公开内容的发明人已经认识到横向型真空沉积方案允许传递系统重量轻。

本公开内容的发明人经常使用粉末型源用于横向型真空沉积装置。粉末型源在蒸发状态下通过导管输送至面对衬底的喷嘴，然后从喷嘴喷射至衬底。

本发明的发明人已认识到，当将粉末型源块应用于横向型真空沉积装置时，会出现以下问题：粉末型源塌陷；在真空沉积过程中，源材料沉积在导管的内壁上，因此需要经常进行清洁处理以去除沉积在导管内壁上的源块材料。此外，本公开内容的发明人已经认识到，由于经常进行清洁处理，导管的腐蚀是成问题的，因此需要定期更换导管。

本公开内容的目的是提供一种源块，该源块可以允许横向型真空沉积装置具有简单的结构。

此外，本公开内容的另一目的是提供一种包括该源块的源组件。

此外，本公开内容的又一目的是提供一种包括该源块的横向型真空沉积装置，因此没有用于传递蒸发源的导管。

本公开内容的目的不限于上述目的。本公开内容的上面未提及的其他目的和优点可以根据下面的描述中理解，并且可以根据本公开内容的实施方式更清楚地理解。此外，将容易理解的是，本公开内容的目的和优点可以通过权利要求中公开的特征及其组合来实现。

为了实现该目的，与常规粉末型光源不同，根据本公开内容的用于横向型真空沉积装置的源块被形成为预定形状。当将粉末型源施加至横向型真空沉积装置时，需要复杂形状的导管以将蒸发源输送至喷嘴。如上所述，由于在真空沉积期间源沉积在导管的内壁上，因此需要定期清洁处理以防止导管堵塞。此外，频繁清洁处理可能导致导管的腐蚀，因此可能需要频繁更换导管。然而，根据本公开内容，由于被形成为预定形状的源块可以直接面对衬底，因此可以省略用于将蒸发源传递至喷嘴的管道。源块的形状可以变化。例如，形状可以为长方体块。

就此而言，源块优选具有10％或更高的可见光透射率。被形成为预定形状的源块可以包括结晶源块或压缩模制源块。在结晶源块和压缩模制源块中，结晶源块可以通过熔化和冷却粉末源来生产并且可以表现出比压缩模制源块的可见光透射率高的可见光透射率。此外，结晶源块可以具有比压缩模制源块的密度高的密度并且可以表现出高的断裂强度。因此，结晶源块可以在横向型沉积处理中表现出优异的源块的形状维持能力。

源块可以包含用于电致发光器件的层的有机材料。电致发光器件的每个层可以由有机材料制成，其可以以横向型真空沉积方案沉积。用于电致发光器件的层的粉末型有机材料可以模制成预定形状并且可以用作横向型真空沉积装置的源。

用于实现该目的的根据本公开内容的用于横向型真空沉积装置的源组件包括具有如上所述的预定形状的源块、加热装置和喷嘴。

源块安装在加热装置中，加热装置用于加热并蒸发源块。喷嘴用于排出由加热装置蒸发的源。就此而言，加热装置具有两个间隔开的侧部和底部。源块可以装配到加热装置中。此外，喷嘴可以接合至加热装置的两个侧部的顶部。

此外，至少一个板可以设置在源块与喷嘴之间。至少一个板使得源块与喷嘴能够彼此略微间隔开。此外，所述至少一个板具有限定在其中的开口。因此，可以通过调整开口的尺寸来控制源块的供应量。

此外，冷却板或绝热板可以耦合到加热装置的背侧。源组件的阵列可以放置在一个腔室中。当源组件中包括的源块的蒸发温度彼此不同时，源块之间的相互热影响被最小化。因此，当冷却板或绝热板耦合到每个源组件的加热装置的背侧时，这可以防止相邻源组件之间的不希望的热传递。

为实现上述目的的根据本公开内容的横向型真空沉积装置包括真空腔室和源组件。衬底放置在真空腔室内的一个横向端，而源组件放置在真空腔室中的另一横向端。因此，衬底的其上要沉积源块的表面面对源组件。源组件向衬底供应蒸发源。就此而言，源组件包括源块。如上所述，源块被模制成预定形状。

在一个示例中，多个源组件沿第一方向布置并且设置在真空腔室内的另一横向端。真空腔室可以在其中容纳用于沿第一方向传递衬底的衬底传递装置。该配置可以使得例如具有不同有机材料的多个层能够在单个腔室中连续沉积在衬底上。

根据本公开内容的用于横向型真空沉积装置的源块可以是具有预定形状的模制块。因此，横向型真空沉积装置，衬底和源块可以彼此面对。因此，包括根据本公开内容的源块的横向型真空沉积装置可以没有用于将蒸发源传递至喷嘴的导管，从而简化了装置的结构。特别地，根据本公开内容的用于横向型真空沉积装置的源块可以在横向型真空沉积处理期间表现出优异的形状保持能力，同时具有10％或更高的可见光透射率。

除了上述效果以外，下面结合用于实现本公开内容的具体细节的描述来描述本公开内容的具体效果。

附图说明

图1是示意性地示出根据本公开内容的横向型真空沉积装置的顶视图。

图2示出了在根据本公开内容的横向型真空沉积装置中使用的源组件的阵列。

图3示出了衬底与源组件彼此面对的状态。

图4是根据本公开内容的源组件的分解透视图。

图5是根据本公开内容的源组件的分解剖视图。

图6示出了根据本公开内容组装源组件的示例。

图7示出了通过其制造根据本公开内容的源块的状态图。

图8示出了用于制造根据本公开内容的源块的方法。

图9示出了结晶源块和压缩模制源块中的每一个的体积减小百分比。

图10示出了高真空状态下结晶源块和压缩模制源块中的每一个的热导率。

图11示出了结晶源块和压缩模制源块中的每一个的断裂强度。

图12示出了结晶源块的纯度。

具体实施方式

为了说明的简单和清楚，附图中的元件不一定按比例绘制。不同图中的相同附图标记表示相同或相似的元件，并且因此执行相似的功能。此外，在本公开内容的以下详细描述中，阐述了许多具体细节以提供对本公开内容的透彻理解。然而，将理解的是，可以在没有这些具体细节的情况下实践本公开内容。在其他情况下，没有详细描述公知的方法、过程、部件和电路，以免不必要地模糊本公开内容的各方面。

下面进一步说明和描述各种实施方案的示例。将理解的是，本文的描述并非旨在将权利要求限制于所描述的具体实施方案。相反，旨在覆盖可以包括在由所附权利要求限定的本公开内容的精神和范围内的替选方案、修改和等同方案。

本文使用的术语仅用于描述特定实施方式的目的，并不旨在限制本公开内容。如本文所使用的，除非上下文另有明确说明，否则单数形式“一”和“一个”也旨在包括复数形式。将进一步理解的是，术语“包括”、“包含”、“具有”和“含有”在本说明书中使用时指定存在所述特征、整数、操作、元件和/或部件，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整数、操作、元件、部件和/或其部分。如本文所使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项目的任何和所有组合。当诸如“至少一个”的表述在元件列表之前时可以修饰整个元件列表，并且可以不修饰列表中的各个元素。

将理解的是，尽管在本文中可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、部件、区、层和/或部分，但是这些元件、部件、区、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语用于将一个元件、部件、区、层或部分与另一元件、部件、区、层或部分区分开。因此，在不脱离本公开内容的精神和范围的情况下，下面描述的第一元件、部件、区、层或部分可以被称为第二元件、部件、区、层或部分。

还将理解的是，当第一元件或层被称为存在于第二元件或层“上”或“下方”时，第一元件可以直接设置在第二元件上或下方，或者可以间接地设置在第二元件上或下方，其中，第三元件或层设置在第一和第二元件或层之间。

将理解的是，当元件或层被称为“连接到”或“耦合到”另一元件或层时，它可以直接在另一元件或层上、连接到或耦合至另一元件或层，或者可以存在一个或更多个元件或层。另外，还将理解的是，当元件或层被称为在两个元件或层“之间”时，它可以是两个元件或层之间的唯一元件或层，或者也可以存在一个或更多个中间元件或层。

除非另外定义，否则本文使用的包括技术和科学术语的所有术语具有与本发明构思所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。将进一步理解的是，除非本文明确定义，否则诸如在常用词典中定义的那些术语应当被解释为具有与其在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且将不被理解为理想化或过于正式的含义。

在下文中，将描述根据本公开内容的一些实施方式的用于横向型真空沉积装置的源块、源组件以及使用其的横向型真空沉积装置。

图1是示意性地示出根据本公开内容的横向型真空沉积装置的顶视图。

参照图1，根据本公开内容的横向型真空沉积装置包括真空腔室和源组件100，真空腔室包括腔室11和泵15。

衬底放置在腔室11的一个横向端。在衬底101具有含长边和短边的矩形形状的情况下，衬底101的长边和短边可以限定其底部。

在图1中，在源组件100的阵列中，源组件水平地布置在腔室11中。衬底101在腔室11中沿从一个横向端到另一横向端的方向输送。本公开内容不限于此。例如，可以在一个腔室11中放置单个源组件100。

衬底传递装置13可以设置在腔室11中以用于传递衬底101。衬底传递装置13在支承衬底101的同时沿一个方向传递衬底101。衬底传递装置13可以实施为例如传送带。此外，可以在腔室11的侧壁中限定缝(未示出)，以允许由衬底传递装置13传递的衬底101移动至腔室中并被送出腔室。此外，可以在腔室11的外部设置另外的真空腔室(未示出)以维持腔室11内的真空状态。

图2示出了在根据本公开内容的横向型真空沉积装置中使用的源组件的阵列。

源组件100用于向衬底101供应蒸发源。为此目的，源组件100包括源块、用于加热源块的加热装置以及用于将经加热的源块供应至衬底的喷嘴。

源块可以是用于电致发光器件的层的有机材料。电致发光器件的各个层由有机材料形成，其可以以横向型真空沉积方案沉积。用于电致发光器件的各个层的粉末型有机材料可以模制成预定形状，其可以用作用于横向型真空沉积装置的源块。

在图2中，在源组件100a、100b和100c的阵列中，源组件沿A方向布置。在衬底101-1、101-2和101-3沿A方向输送时，衬底101-1、101-2和101-3经受沉积。例如，在电致发光器件的电子传输层中使用的有机材料源块包括在源组件100a中，在电致发光器件的发光层中使用的有机材料源块包括在源组件100b中，并且在电致发光器件的空穴传输层中使用的有机材料源块包括在源组件100c中。因此，电子传输层、发光层和空穴传输层依次形成在衬底上。即，电子传输层形成在衬底101-3上，衬底101-3移动至衬底101-2的区域并成为衬底101-2。然后，发光层形成在衬底101-2上的电子传输层上，衬底101-2移动至衬底101-1的区域并成为衬底101-1。然后，空穴传输层形成在衬底101-1上的发光层上。

此外，在图2中，包括相同有机材料源块的三个源组件被分组为一个单元。然而，本公开内容不限于此。如有必要，单个源组件可以作为一个单元。在另一示例中，包括相同有机材料源块的两个或四个源组件可以被分组为一个单元。

图3示出了衬底和源组件彼此面对的状态。图4和图5分别示出了源组件的分解透视图和分解剖视图。

参照图3，源组件100被设置成面对衬底101。

参照图3至图5，源组件100包括加热装置110、源块120和喷嘴130。

就此而言，源块120已经被模制成预定形状。由于形成为预定形状的源块120可以直接面对衬底，因此可以省略用于将蒸发源传递至喷嘴130的管道。源块的类型可以变化。例如，形状可以是长方体块。形成为预定形状的源块可以包括结晶源块或压缩模制源块。

加热装置110将源块120接纳在其中并且用于通过加热源块来蒸发源块。图4和图5示出了加热装置110由坩埚111和加热源112组成并且具有两个部件结构的示例。然而，本公开内容不限于此。加热装置110可以具有单个部件结构。源块由加热装置间接加热并蒸发。加热装置可以采用电阻加热方案、感应加热方案等。如图4所示，加热装置110包括侧部和底部。源块可以被接纳在由加热装置110的侧部和底部限定的空间中。在一个示例中，源块120可以向下插入到空间中。可替选地，源块120可以如图6所示横向地插入到空间中。

喷嘴130用于排出由加热装置110蒸发的源。喷嘴130可以耦合到加热装置110的侧部的顶部。喷嘴和加热装置的组合可以采用各种容器-盖耦合结构。喷嘴130可包括多个喷射孔135。

在一个示例中，参照图4和图5，至少一个板140可以进一步设置在源块120与喷嘴130之间。至少一个板140确保源块与喷嘴彼此略微间隔开。此外，至少一个板140具有限定在其中的开口O。因此，可以基于开口的尺寸来调整蒸发源的供应量。例如，板140可以实施为蒸汽压力控制膜。蒸汽压力控制膜调整中心开口的尺寸，使得整个有机材料可以在高真空环境中蒸发，同时保持源块与喷嘴之间的恒定间隔。

此外，参照图3至图5，冷却板或绝热板115可以耦合到加热装置110的背表面。源组件的阵列放置在一个腔室中。在源组件中包含的源块的蒸发温度彼此不同的情况下，必须使源块之间的相互热影响最小化。在冷却板或绝热板115耦合到每个源组件的加热装置110的背侧的情况下，这可以抑制热量从源组件至相邻源组件不希望的传递。冷却板或绝热板115可以如加热装置110一样具有侧部和底部。加热装置110可以插入到由冷却板的侧部和底部或绝热板115的侧部和底部限定的空间中。例如，当使用冷却板时，冷却板内可以包括冷却水通过其流动的管道。

图6示出了根据本公开内容组装源组件的示例。在图6所示的示例中，具有两个间隔开的侧部和底部的加热源112可以插入到由冷却板或绝热板115的两个间隔开的侧部和底部限定的空间中。在一个示例中，源块被插入坩埚111内。喷嘴130耦合到坩埚111的顶部。坩埚111和喷嘴130的组合可以以可滑动的方式耦合到加热源112。

图7示出了通过其生产源块更具体地生产根据本公开内容的结晶源块的状态图。图8示出了用于制造根据本公开内容的源块的方法。

如图7和图8所示，结晶源块可以通过将粉末相从固相(S)熔化至液相(L)(S810)，并通过冷却或结晶液相产物以将相从液相(L)回转化至固相(S)(S820)来生产。该过程类似于玻璃生产过程。

以这种方式生产的结晶源块可以通过熔化和冷却粉末型源材料来生产。结晶源块的特征在于它可以表现出大于或等于10％的可见光透射率。然而，压缩模制源块中包含许多孔，这是因为压缩模制源块是通过压实粉末生产的。因此，压缩模制源块的可见光透射率小于10％。因此，结晶源块和压缩模制源块具有明显的差异。此外，结晶源块包含很少或没有孔，使得它具有比压缩模制源块更高的密度，因此表现出高的断裂强度。因此，结晶源块在横向型沉积处理具有优异的形状保持能力。

在一个示例中，在形成具有作为主体的有机材料和作为掺杂剂的有机材料的混合物的层例如电致发光器件的发光层时，可以通过熔化作为主体的有机材料和作为掺杂剂的有机材料的混合物，然后冷却/结晶所熔化的混合物来生产源块。为了使混合物均匀地沉积在衬底上，源组件与衬底之间的距离应足够大。然而，源组件与衬底之间的间隔必须很小，以提高沉积效率。就此而言，当作为主体的有机材料和作为掺杂剂的有机材料混合并熔化然后冷却/结晶时，有机材料彼此预混合。为此，即使衬底与源组件之间的间隔很小，也可以以足够高的均匀性来沉积混合物。

示例

下面将使用本公开内容的优选示例更详细地描述本公开内容的配置和操作。然而，该示例仅作为本公开内容的优选示例呈现，并且不能以任何方式解释为限制本公开内容。本领域技术人员将能够在技术上推导出如本文未描述的内容，因此将省略其描述。

1.源块生产

(1)分别提供空穴注入层(HIL)材料、空穴传输层(HTL)材料、红色发光层材料、绿色发光层材料、蓝色发光层材料、电子传输层(ETL)材料和电子注入层材料(EIL)材料的粉末。

(2)使用压力机使粉末经受压缩模制处理以生产压缩模制源块。可替选地，使粉末经受熔化和冷却/结晶以生产结晶源块。

2.源块特性评估

测量压缩模制源块和结晶源块的体积减小百分比、热导率和断裂强度。测量结果分别如图9至图11所示。

通过测量压缩模制前的粉末状态源材料的体积(即，参考体积)、压缩模制后的压缩模制源块的体积以及通过熔化、冷却/结晶粉末状态源材料产生的结晶源块的体积，然后通过将测量结果应用于下式来获得各个体积减小百分比：

体积减小百分比＝(参考体积-源块体积)/源块体积×100

在25℃的温度和1×10^-3Pa的真空状态下针对压缩模制源块和结晶源块中的每一个测量热导率。

使用落锤冲击试验机LT-LP1000测量断裂强度。

图9示出了结晶源块和压缩模制源块中的每一个的体积减小百分比。

参照图9，结晶源块具有与压缩模制源块的体积减小百分比相比相对大的体积减小百分比。大的体积减小百分比意味着源块中包含相对少的孔。

这种大的体积减小百分比具有提高沉积材料的填充效率的效果。因此，这可以提供诸如增加沉积可用的时间和减小源组件体积的额外效果。

图10示出了在高真空状态下结晶源块和压缩模制源块中的每一个的热导率。

参照图10，结晶源块在高真空中具有比压缩模制源块的热导率高的热导率。它们之间的热导率的差异取决于它们之间的孔隙率的差异。

图11示出了结晶源块和压缩模制源块中的每一个的断裂强度。

参照图11，结晶源块具有比压缩模制源块相对较高的断裂强度。由于熔化和冷却/结晶致使的致密微观结构获得了结晶源块的相对较高的断裂强度。

因此，具有高断裂强度的结晶源块可以在横向型沉积处理中表现出高的形状保持能力。这可以有助于提高的沉积稳定性。

图12示出了针对相同有机材料的粉末状态和结晶状态中的每一种的源的纯度。

参照图12，可以看出粉末状态和结晶状态都表现出相同的峰值。因此，可以看出，即使当粉末熔化并冷却/结晶以制造源块时，该处理也不会导致纯度变化。

下表1示出了在190nm至900nm区域中压缩模制源块和结晶源块中的每一个的最大透射率。

[表1]

最大透射率	HIL	HTL	红色	绿色	蓝色	ETL
							压缩模制源块	0.05	0.08	0.05	0.05	0.05	0.05
结晶源块	32.38	41.94	39.5	31.99	36.36	37.58

参照表1，压缩模制源块具有小于1％的非常低的可见光透射率。相反，对于针对电致发光器件的层的所有有机材料，结晶源块具有超过30％的可见光透射率。这意味着具有相同形状的压缩模制源块和结晶源块表现出完全不同的特性。

如上面的示例所示，尽管压缩模塑源块用于根据本公开内容的横向型真空沉积装置，但是就密度、强度等而言更优选的是使用结晶源块。

用于根据本公开内容的横向型真空沉积装置的源块可以是具有预定形状的模制块。因此，横向型真空沉积装置，衬底和源块可以彼此面对。因此，包括根据本公开内容的源块的横向型真空沉积装置可以没有用于将蒸发源传递至喷嘴的导管，从而简化了装置的结构。特别地，根据本公开内容的横向型真空沉积装置的源块可以在横向型真空沉积处理期间表现出优异的形状保持能力，同时具有10％或更高的可见光透射率。

如上所描述的本公开内容不限于上面描述的实施方式和附图。对于本领域技术人员而言将明显的是，可以在不脱离本公开内容的技术公开的情况下进行各种替换、修改和变化。因此，本公开内容的范围由所附权利要求限定。旨在在权利要求及其等同方案的等同物的含义和范围内的所有改变和修改都包括在本公开内容的范围内。

Claims (8)

1.一种用于横向型真空沉积装置的源组件，所述源组件包括：

具有预定形状的源块，所述源块是通过熔化并冷却粉末状态源材料而生产的结晶源块；

具有内部空间的加热装置，所述加热装置用于在所述内部空间内接纳所述源块并且用于加热并蒸发所述源块，所述源块的所述预定形状对应于所述内部空间的形状；

所述加热装置上的喷嘴，所述喷嘴用于排出由所述加热装置蒸发的所述源块的源，所述喷嘴具有多个喷射孔；

放置在所述源块与所述喷嘴之间的至少一个板，其中，所述板具有穿过所述板而限定的开口，所述开口在尺寸上可调整；以及

耦合到所述加热装置的外表面的冷却板，

其中，所述加热装置包括加热源和坩埚，其中，所述内部空间是所述坩埚的内部，

其中，所述加热源具有两个间隔开的侧壁和耦合到所述侧壁的底部，其中，用于接纳所述源块的所述坩埚被可滑动地插入到由所述侧壁和所述底部限定的空间中，

其中，所述坩埚和所述喷嘴的组合以在纵向方向上可滑动的方式耦合到所述加热源，

其中，所述板具有与所述坩埚的顶表面齐平的底表面，

其中，所述喷嘴突出超过所述冷却板的顶部，

其中，所述坩埚和所述喷嘴具有多个区段，并且每个区段具有所述多个喷射孔中的两个或更多个，并且

其中，所述冷却板具有侧部和底部，并且所述加热装置被插入到由所述冷却板的侧部和底部限定的空间中。

2.根据权利要求1所述的源组件，其中，所述源块具有大于或等于10％的可见光透射率。

3.根据权利要求1所述的源组件，其中，所述喷嘴耦合到所述坩埚。

4.根据权利要求1所述的源组件，其中，所述源组件还包括耦合到所述加热装置的背侧的冷却板或绝热板。

5.根据权利要求1所述的源组件，其中，冷却水通过其流动的管道包括在所述冷却板内。

6.一种横向型真空沉积装置，包括：

用于在其中容纳衬底的真空腔室，其中，所述衬底设置在所述真空腔室的横向上的一端；以及

设置在与所述真空腔室的所述横向上的一端相对的横向上的另一端的根据权利要求1至5中的任一项所述的源组件，其中，所述源组件被配置用于向所述衬底供应蒸发源。

7.根据权利要求6所述的横向型真空沉积装置，其中，所述喷嘴向所述衬底供应由所述加热装置蒸发的所述源块的源。

8.根据权利要求6所述的横向型真空沉积装置，其中，所述源组件包括沿第一方向布置并且设置在所述真空腔室的所述横向上的另一端的多个源组件，并且

其中，用于沿所述第一方向传递所述衬底的衬底传递装置被容纳在所述真空腔室中。