JPWO2014027578A1 - 真空蒸着装置及び有機el装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
また有機EL素子は、一方又は双方が透光性を有する2つの電極を対向させ、この電極の間に有機化合物からなる発光層を積層したものである。
有機EL装置は、自発光デバイスであり、発光層の材料を適宜選択することにより、種々の波長の光を発光することができる。さらに白熱灯や蛍光灯に比べて厚さが極めて薄く、且つ面状に発光するので、設置場所の制約が少ない。
また、機能層205は、複数の有機化合物又は導電性酸化物の成膜が積層されたものである。代表的な機能層205の層構成は、図21の拡大図に示されるように、透明電極層203側から順に正孔注入層208、正孔輸送層210、発光層211、電子輸送層212、及び電子注入層215を有するものである。
ここで上記した各層の内、機能層205は、前記した様に複数の有機化合物の薄膜が積層されたものであり、各薄膜はいずれも真空蒸着法によって成膜される。
すなわち、前記した様に機能層205は、複数の有機化合物の薄膜が積層されたものであるから、機能層205を形成するには、複数回に渡って真空蒸着を行う必要がある。
また、裏面電極層206は、一般的に、アルミニウムや銀等の金属薄膜で形成されており、機能層205と同様、真空蒸着法によって成膜される。
そのため、一つの有機EL装置を製造する際には、多数回に渡って真空蒸着を行う必要がある。
従って、旧来の有機EL装置の各層の成膜は、真空蒸着装置に対して基板を出し入れする作業を頻繁に行う必要があった。そのため、旧来の方法は、作業効率が低く、改善が望まれていた。
この問題を解決する方策として、一つの成膜室で複数の薄膜層を成膜することができる真空蒸着装置が特許文献1,2に提案されている。
また、各分散装置には、それぞれ複数の蒸発部が接続されており、各蒸発部から分散容器に成膜材料の蒸気が供給される。そして各分散容器から成膜室内に成膜材料の蒸気(以下、成膜蒸気ともいう)が放出されて基板に成膜される。
また、特許文献1,2に開示された真空蒸着装置では、使用する蒸発部を切り換えることによって分散容器に供給する成膜材料を変更することができる。すなわち、特許文献1,2に開示された真空蒸着装置では、一つの成膜室内で複数の薄膜層を成膜することができる。
言い換えれば、特許文献1には、蒸発器と成膜材料の好ましい組み合わせが開示されている。
特許文献1に開示された方策は、成膜材料をその蒸発温度や限界温度で類別し、蒸発温度の近い成膜材料を、同一の分散装置に接続された複数の蒸発部のいずれかに投入し、蒸発させるものである。
しかしながら、この組み合わせが最高であるとは言えず、さらに望ましい組み合わせがある。
また、本発明は、有機EL装置の複数の層を一つの成膜室で成膜する場合に、成膜される薄膜の厚さの分布を均一にすることができる有機EL装置の製造方法を提案することを目的とするものである。
各層の膜厚を均一にするには、各層の成膜を最適条件で実施する必要がある。しかしながら、実際には、有機EL装置を構成する各層の厚さは、一様ではない。そのため、それぞれの膜を均一に成膜するための最適条件は、層ごとに異なる。
ここで、膜の厚さを均一にするために必要な条件の一つとして、単位時間当たりの成膜蒸気の放出量が挙げられる。すなわち、真空蒸着法においては、単位時間当たりに放出開口から放出される成膜蒸気の量を適度に調整することが大切である。この成膜蒸気の放出量が不適であるならば、成膜された膜の厚さにばらつきが生じてしまう。
そこで、本発明は「個々の成膜材料についての蒸気の単位時間あたりの目標放出量」を基準として蒸発器と成膜材料を組み合わせることとした。
すなわち、放出系統が同一であるならば、成膜蒸気が受ける流路抵抗も同等となると予想される。そのため、「個々の成膜材料についての蒸気の単位時間あたりの目標放出量」が近似する成膜材料を同一系統に属する蒸発部で蒸発させると、単位時間あたりの成膜蒸気の放出量は近いものとなる。
本様相の場合、開口面積の差が、プラスマイナス3パーセント以内であることがより好ましい。
本様相は、放出系統の一部又は全部を温度調節する熱媒体流路を備えているので、放出系統を冷却することもでき、低温で気化する成膜材料の蒸着の開始を早期に行うことができる。また、本様相は、放出させる成膜材料の切り替え時間を短縮することもできる。
勿論、熱媒体流路に高温の熱媒体を通過させてもよい。
さらに、成膜時においては、シャッター部材を開放状態とすることによって、成膜材料の蒸気がシャッター部材によって阻害されることなく成膜材料の蒸気を基材に蒸着することができる。
(1)各放出開口の実質的な開口面積。
(2)放出開口の実質的な総開口面積。
(3)放出開口の分布。
(4)放出開口の数。
(5)放出系統の流路抵抗。
本様相は、複数種類の主成膜材料を同一の蒸発部グループに属する蒸発部に選択的に投入し、複数種類の従成膜材料を他の蒸発部グループに属する蒸発部に選択的に投入し、前記蒸発部でそれぞれ成膜材料を蒸発させて基材に共蒸着有機層を成膜する。そのため、主成膜材料と従成膜材料とを好ましい条件で放出することができる。
本様相によると、主成膜材料と従成膜材料とを好ましい条件で放出することができる。
なお、ここでいう「真空状態」とは、10-3(10のマイナス3乗)Pa以下の真空度を有する状態を指す。真空度は、高ければ高いほど、すなわち、圧力で表示して小さければ小さいほど好ましい。
本実施形態の具体的な真空度は1×10-3(10のマイナス3乗)〜1×10-9(10のマイナス9乗)Paの範囲である。ホコリ等の不純物の混入を防止する観点から1×10-5(10のマイナス5乗)〜1×10-9(10のマイナス9乗)Paの範囲が望ましい。
なお、真空度を1×10-9(10のマイナス9乗)Paより低くしようとすると、その真空度に至るまでの時間がかかり過ぎるおそれがある。
基板搬送装置12は、基板11(基材)を搬送する装置であり、成膜室2に対して基板11を出し入れする機能や、所望の成膜位置に基板11を固定する機能を有する。すなわち、基板搬送装置12は、基板11を所定の成膜位置まで搬送したり、成膜室2の外部から搬入口を介して成膜室2の内部に基板11を搬入したり、成膜室2の内部から搬出口を介して成膜室2の外部へ基板11を搬入したりすることが可能である。
本実施形態では、成膜室2内に膜厚センサー27,28,29がある。
なお、シャッター部材8は、実際には成膜材料放出部13に近接した位置にあるが、図1では、作図上の理由からシャッター部材8を成膜材料放出部13から離して図示している。
蒸発室21には、固体状又は液体状の成膜材料16a(成膜材料16b〜16j)を気体状の成膜蒸気18a(18b〜18j)に変換する蒸発空間25がある。
なお、以下の説明においては、成膜材料16a〜16jの性状を区別するため、蒸気となった成膜材料16(16a〜16j)を成膜蒸気18(18a〜18j)と称する。
加熱手段23は、坩堝22を加熱する部材であり、加熱手段24は、蒸発室21全体を加熱する部材である。加熱手段23,24はともに公知のヒーターを使用している。
すなわち、坩堝22の周りには、加熱手段23が設けられており、加熱手段23によって成膜材料16a(16b〜16j)を加熱し、気化又は昇華することが可能となっている。また、蒸発室21の周りにも加熱手段24が設けられており、成膜時において成膜材料16a(16b〜16j)の気化温度よりもやや高い温度に維持することができる。
成膜材料16の性状は、粉体やペレット状の固体や、半練り状の流動体、あるいは液体などが採用可能である。すなわち、成膜材料16は、液状や粉末状、粒状の物質である。なお、本実施形態では、粉末状の成膜材料16を使用している。
マニホールド群6を構成するマニホールド部66,67,68は、図5のように、いずれも外形形状が略長方形であって板状の本体部37,38,39を持つ。
図6に示すように本体部37,38,39の内部は、空洞である。すなわち、マニホールド部66,67,68は、図6に示すように、上板70と下板71及びこれらを繋ぐ周壁72を有し、内部に空洞部73がある。そして各マニホールド部66,67,68の上面(上板70)には、多数の延長管75,76,77が設けられている。なお作図の関係上、延長管の数は、実際よりも相当に少なく図示されている。
すなわち、最上部のマニホールド部66(以下、上部マニホールド部)に設けられた延長管75は、いずれも他のマニホールド部67,68の延長管76,77よりも短い。
その下のマニホールド部67(以下、中間マニホールド部)に設けられた延長管76は中程度の長さを持つ。
そして最も下のマニホールド部68(以下、下部マニホールド部)に設けられた延長管77は、他のマニホールド部66,67の延長管75,76に比べて最も長い。
すなわち、上部マニホールド部66に付属する放出開口80は、全て第1開口グループに属し、中間マニホールド部67に付属する放出開口81は、全て第2開口グループに属し、下部マニホールド部68に付属する放出開口82は、全て第3開口グループに属する。
より具体的に説明すると、第1開口グループに属する放出開口80に設けられた絞り85と、第2開口グループに属する放出開口81に設けられた絞り86と、第3開口グループに属する放出開口82に設けられた絞り87は開口径が異なる。
すなわち、図7のように、第1開口グループに属する放出開口80に設けられた絞り85は、開口面積が大きい。第2開口グループに属する放出開口81に設けられた絞り86は、開口面積が中程度である。そして、第3開口グループに属する放出開口82に設けられた絞り87は、開口面積が小さい。
なお本実施形態では、個々の開口グループに属する放出開口80,81,82に設けられた絞り85,86,87の開口径及び開口面積は同一である。
最も大きな放出開口80と最も小さな放出開口82とは、最も小さな放出開口82とを基準として16倍の開きがある。両者の倍率は、2倍以上30倍以下であることが望ましい。また、本実施形態のように、放出開口80,81,82間で3段階に開きを設ける場合には、各差が2倍から6倍程度であることが適当である。
各開口グループの放出開口の総面積は、互いに相違する。
ハッチ30は、図8のようにネジ31で他の部分に接合されており、ネジ31を外すことにより、他の部分から分離することができる。
また本実施形態では、各マニホールド部66,67,68の全面に加熱手段35,36が設けられている。すなわち、各マニホールド部66,67,68の本体部37,38,39であって、ハッチ30を除く部分と、各延長管75,76,77に加熱手段35が設けられている。またハッチ30には、別の加熱手段36が設けられている。
加熱手段35,36は共に公知のヒーターを使用している。
また本実施形態では、ハッチ30に設けられた加熱手段36が、他の部位に設けられた加熱手段35から独立している。そして、図8に示すように、ハッチ30に設けられた加熱手段36は、リレー50によってオンオフされ、他の部位に設けられた加熱手段35は、リレー51によってオンオフされる。そのため、ハッチ30に設けられた加熱手段36だけを独立して停止することができる。
下部マニホールド部68には、トンネル管は無い。
上部マニホールド部66に設けられた延長管75は、上部に向かって突出している。
また中間マニホールド部67に設けられた延長管76は、上部マニホールド部66のトンネル管88を通過して上部マニホールド部66の上に突出している。
さらに下部マニホールド部68に設けられた延長管77は、中間マニホールド部67に設けられたトンネル管89と上部マニホールド部66のトンネル管88を通過して上部マニホールド部66の上に突出している。
従って、全てのマニホールド部66,67,68に属する放出開口80,81,82は、マニホールド群6の上側にある。また放出開口80,81,82の高さ(延長管75,76,77の先端面の位置)は、すべて同じである。
すなわち、番号1が付された開口は、第1グループに属する放出開口80である。番号2が付された開口は、第2グループに属する放出開口81である。番号3が付された開口は、第3グループに属する放出開口82である。
延長管75,76,77の数についても、放出開口80,81,82の数の傾向と同様である。
例えば、図9に示されるように、第1開口グループに属する放出開口80に隣接する放出開口は、いずれも第2開口グループに属する放出開口81又は第3開口グループに属する放出開口82である。
また第2開口グループに属する放出開口81に隣接する放出開口は、いずれも第1開口グループに属する放出開口80又は第3開口グループに属する放出開口82である。
第3開口グループに属する放出開口82に隣接する放出開口は、いずれも第1開口グループに属する放出開口80又は第2開口グループに属する放出開口81である。
シャッター部材8は、図12(a)のように成膜材料放出部13の略全面を覆い得るだけの面積を持っている。
またシャッター部材8には、図示しない加熱手段が設けられており、成膜時においては、シャッター部材8は、成膜材料16a(16b〜16j)の気化温度よりもやや高い温度に維持される。
なお、ここでいう「略全面を覆う」とは、成膜材料放出部13の主面の90パーセント以上100パーセント以下の部分を覆うことをいう。
接続流路5は、図1のように上部マニホールド部66に成膜蒸気18a〜18dを供給する第1供給流路32と、中間マニホールド部67に成膜蒸気18e〜18gを供給する第2供給流路33と、下部マニホールド部に成膜蒸気18h〜18jを供給する第3供給流路34と、各蒸発部10a〜10jと接続される分岐流路41a〜41jとを有している。
主開閉弁40a〜40jは、公知の開閉弁であり、制御装置26の命令を受けて開閉可能となっている。
すなわち、真空蒸着装置1には、第1蒸発部グループに属する蒸発部10a〜10dと上部マニホールド部66とが第1供給流路32を介して接続され、上部マニホールド部66と、上部マニホールド部66に付随する第1開口グループの放出開口80とが接続されてなる第1放出系統57がある。なお第1放出系統57には、開口面積が大きい絞り85が設けられており、流路抵抗が小さい。
また真空蒸着装置1には、第2蒸発部グループの蒸発部10e〜10gと中間マニホールド部67とが第2供給流路33を介して接続され、中間マニホールド部67と、中間マニホールド部67に付随する第2開口グループの放出開口81とが接続されてなる第2放出系統58がある。なお第2放出系統58には、開口面積が中程度の絞り86が設けられており、流路抵抗は中程度である。
さらに真空蒸着装置1には、第3蒸発部グループの蒸発部10h〜10jと下部マニホールド部68とが第3供給流路34を介して接続され、下部マニホールド部68と、下部マニホールド部68に付随する第3開口グループの放出開口82とが接続されてなる第3放出系統59がある。なお第3放出系統59には、開口面積が小さい絞り87が設けられており、流路抵抗が大きい。
しかし各放出開口80,81,82に設けられた絞り85,86,87は開口面積が相違する。そのため、放出系統57,58,59は、絞り85,86,87の総開口面積が相違する。
より具体的には、第1放出系統57には開口面積が大きい絞り85が装着されているから、絞り85の総開口面積が最も大きく、放出開口80の実質的な開口面積が最も広い。
第2放出系統58には開口面積が中程度の絞り86が装着されているから、絞り86の総開口面積が中程度であり、放出開口81の実質的な開口面積が中程度である。
第3放出系統59には開口面積が小さい絞り87が装着されているから、絞り87の総開口面積が最も小さく、放出開口81の実質的な開口面積が最も小さい。
また中間マニホールド部67に膜厚確認用の放出用開口47が接続され、膜厚センサー28に対して成膜材料の蒸気を放出することができる。
さらに下部マニホールド部68に放出用開口48が接続されており、膜厚センサー29に対して成膜材料の蒸気を放出することができる。
そして、真空蒸着装置1は、膜厚センサー27,28,29で読み取った情報を制御装置26に送信する構造となっている。
膜厚センサー27,28,29は、公知の膜厚センサーであり、成膜される膜厚に寄与する情報を制御装置26に送信可能となっている。
制御装置26は、主開閉弁40a〜40jの開閉制御が可能な装置であり、膜厚センサー27,28,29の情報などに合わせて主開閉弁40a〜40jに開閉命令を送信可能となっている。
本実施形態の真空蒸着装置1では、放出回路3の大部分が成膜室2の外にある。
すなわち、本実施形態の真空蒸着装置1では、図1のように、3個のマニホールド部66,67,68の本体部37,38,39が全て成膜室2の外に設けられている。
そして各マニホールド部66,67,68に付属する延長管75,76,77の先端側と、成膜材料放出部13だけが成膜室2の中に設けられている。
成膜材料放出部13の板体92は水平姿勢に配置されており、放出開口80,81,82はいずれも基板11の方向に向いている。
また膜厚センサー27,28,29は、成膜室2の中にあり、基板11と同一の真空環境に置かれる。
前記したようにシャッター部材8は、エアシリンダー95(図11参照)によって水平方向に移動させることができる。また前記したようにシャッター部材8は、成膜材料放出部13の略全面を覆い得るだけの面積を持ち、且つ放出開口80,81,82に相当する位置に開口93が設けられている。そのため、図12(a)のようにシャッター部材8の開口93を成膜材料放出部13の放出開口80,81,82に一致させると、成膜材料放出部13の全ての放出開口80,81,82が開放状態となる。またエアシリンダー95を動作させてシャッター部材8をずらすと、図12(b)のようにシャッター部材8の開口93が、成膜材料放出部13の放出開口80,81,82を外れ、成膜材料放出部13の全ての放出開口80,81,82が閉塞状態となる。
まず成膜室2について説明すると、成膜室2は、減圧手段7によって常に減圧されており、超高真空状態になっている。ここでいう「超高真空状態」とは、真空度が10-5Pa以下の状態を表す。
本実施形態の真空蒸着装置1では、成膜室2の外にマニホールド部66,67,68の大部分があるから、成膜室2の容積が小さく、「超高真空状態」に至らせるまでに要する時間は比較的短い。
主開閉弁40a〜40jは、いずれも閉状態になっている。また、それぞれの蒸発部10a〜10jの坩堝22内には所望の成膜材料16a〜16jが充填されている。
図1に示す本実施形態では、蒸発部10a〜10jを10個有しており、最大で10種類の組成が違う成膜蒸気18a〜18jを放出することができる。
そのためには、10種類の成膜材料16a〜16jを蒸発部10a〜10jの坩堝22に入れることとなるが、その際に、基板11に要求される膜厚を検討する。そして、必要な膜厚が厚い成膜材料グループ(以下、厚膜グループ)と、必要な膜厚が中間的な成膜材料グループ(以下、中間厚膜グループ)と、必要な膜厚が薄い成膜材料グループ(以下、薄膜グループ)にグループ分けする。
そして、坩堝22の周りに設けられた加熱手段23によって成膜材料16a(16b〜16j)を加熱し、成膜材料16a(16b〜16j)を気化又は昇華させる。また、図2に示される蒸発室21の周りに設けられた加熱手段24によって、蒸発室21内を成膜材料16a(16b〜16j)の気化温度よりもやや高い温度に維持する。
すなわち、加熱手段36によってハッチ30を成膜材料16a(16b〜16j)の気化温度よりもやや高い温度に保温する。また加熱手段36によって本体部37,38,39の他の部分及び各延長管75,76,77が加熱され、各マニホールド部66,67,68全体が、成膜材料16a(16b〜16j)の気化温度よりもやや高い温度に維持される。
このように、真空蒸着装置1は、放出開口80,81,82と蒸発部10を繋ぐ成膜蒸気18の通過流路を加熱手段によって加熱し、通過流路上で成膜蒸気18が固化することを防止できる。
真空蒸着装置1を用いて有機EL装置100を製造する場合には、図示しない予備室から成膜室2に基板11を搬送する。
ここで図示しない予備室は、予め真空状態となっており、この状態で成膜室2の搬入口(図示せず)を開いて成膜室2に基板11を搬入する。
ここで予備室は、真空状態であるとは言うものの、「超高真空状態」と言える程には減圧されていない。そのため、成膜室2の搬入口(図示せず)を開くことによって、成膜室2の真空度が若干低下する。すなわち、成膜室2内の圧力が若干上昇する。
なお搬送される基板11は、あらかじめ別工程によって透明導電膜などが成膜されており、この状態の基板11が真空蒸着装置1に搬入される。基板上に透明導電膜を成膜する方策としては、スパッタ等の公知手段がある。
ここで、上記したように、主開閉弁40a〜40jは蒸発部10a〜10jごとに設けられている。そのため、いずれかの主開閉弁40a〜40jを開くことによって、蒸発部10a〜10jのいずれかで生成された成膜蒸気18a〜18jが、いずれかのマニホールド部66,67,68に導入され、いずれかの開口グループの放出開口80,81,82から放出される。
例えば、第1蒸発部グループに属する蒸発部10aに係る主開閉弁40aを開き、他の主開閉弁40b〜40jを閉状態に維持させる。こうすることにより、蒸発部10aで作られた成膜蒸気18aだけが、接続流路5の第1供給流路32を経由して上部マニホールド部66に入り、第1開口グループに属する放出開口80の全てから放出される。
そして、放出開口80から放出される成膜蒸気18aが所定時間Aの経過と共に安定状態となれば、エアシリンダー95によってシャッター部材8を水平方向に移動させる。すなわち、図12(a)に示されるように、放出開口80,81,82にシャッター部材8の開口を合わせて成膜材料放出部13の全ての放出開口80,81,82を開放する。
しかしながら、前記した様に、本実施形態では、蒸発部10a〜10jごとに主開閉弁40a〜40jがあり、主開閉弁40a〜40jは、選択的に開かれるから、複数設けられた放出開口80,81,82の特定の開口(放出開口80)から特定の成膜蒸気18aが噴射されることとなる。
また放出開口80から放出される成膜蒸気18は、上記した例の場合、蒸発部10aによって生成された成膜蒸気18aに限られ、他の蒸発部10b〜10j内の成膜蒸気18b〜18jは放出されない。
そのため、放出開口80,81,82を全て開放するものの、基板11に蒸着されるのは、蒸発部10aによって生成された成膜蒸気18aに限られる。
シャッター部材8を開放状態とすることによって、基板11に成膜蒸気18aが到達し、基板11に成膜される。
従って、成膜後の膜厚が厚いものとなり、要求に適合する。
膜厚センサー27は、成膜室2内にあり、基板11と同一の真空条件にさらされている。また膜厚センサー27に至る成膜蒸気18は、基板11に成膜されるものと同一であり、かつ同一のマニホールド部66から供給される。そのため膜厚センサー27に付着する膜は、基板11に成膜される膜と強い相関関係があり、基板11の膜厚を正確に反映する。そのため制御装置26は、成膜状況を正確に把握することができる。
ハッチ30を加熱する加熱手段36は、一定時間が経過した後に再起動される。
例えば、主開閉弁40fを開き、蒸発部10f内の成膜蒸気18fを中間マニホールド部67に導入し、第2グループの放出開口81から放出する。この場合も、主開閉弁40fを開いた当初は、シャッター部材8が閉じられており、基板11側に至ることが阻止されている。
所定時間Aが経過すると、エアシリンダー95によってシャッター部材8を水平方向に移動させる。すなわち、放出開口80,81,82にシャッター部材8の開口を合わせて成膜材料放出部13の全ての放出開口80,81,82を開放する。
この場合も、主開閉弁40f以外は閉じられているので、複数設けられた放出開口80,81,82の特定の開口(放出開口81)から、特定の成膜蒸気18fが噴射されることとなる。
また放出開口81から放出される蒸気は、蒸発部10fによって生成された成膜蒸気18fに限られ、他の蒸発部10a〜10e、蒸発部10g〜10j内の成膜蒸気18は放出されない。そのため、放出開口80,81,82を全て開放するものの、基板が蒸着されるのは、蒸発部10fによって生成された成膜蒸気18fに限られる。
従って、成膜後の膜厚が中程度となり、要求に適合する。
ハッチ30を加熱する加熱手段36は、一定時間が経過した後に再起動される。
従って、成膜後の膜厚が薄いものとなり、要求に適合する。
ここで本実施形態の真空蒸着装置1は、マニホールド部66,67,68の一部(ハッチ30)だけを温度低下させることによって、マニホールド部66,67,68内に残留する成膜蒸気18を除去することができる。
そのため、一つの有機EL装置100を製造するための工程中、同一の放出系統を複数回使用したり、同一の放出系統を連続して使用したりしても、マニホールド部66,67,68内で成膜蒸気18が混じることはない。すなわち、本実施形態は、マニホールド部66,67,68内に異なる成膜蒸気18を導入するが、マニホールド部66,67,68内で異なる成膜蒸気18が混合することによる汚染を起こす懸念はない。
しかしながら、次の基板11が搬入されるまでの間は、減圧手段7を運転し続けるので、成膜室2の真空度は「超高真空状態」に回復する。特に本実施形態の真空蒸着装置1では、本実施形態の真空蒸着装置1では、成膜室2の外にマニホールド部66,67,68の大部分があり、成膜室2の容積が比較的小さいから、低下した真空度を「超高真空状態」に回復するのに多くの時間を要しない。
しかしながら、本実施形態の真空蒸着装置1の用途は単蒸着に限定されるものではなく、真空蒸着装置1を使用して共蒸着を行うこともできる。すなわち、複数の主開閉弁40a〜40jを選択し、これを同時に開くことによって基板11に共蒸着を行うことができる。
例えば、主開閉弁40bと、主開閉弁40gを開き、蒸発部10bによって生成された成膜蒸気18bと蒸発部10gによって生成された成膜蒸気18gを同時に放出して基板11に蒸着を行うことにより、共蒸着を行うことができる。
この場合には、第1グループに属する放出開口80から成膜蒸気18bが放出され、第2グループに属する放出開口81から成膜蒸気18gが放出される。
ここでいう「従成膜材料」とは、共蒸着によって成膜する層中に、含有される成分であって、主成膜材料よりも含有量が少ない材料である。
有機EL装置100は、図18のように、透光性を有した基板102上に、第1電極層103と機能層105(発光機能層)と第2電極層106が積層し、封止層130によって封止したものである。
青色発光ユニットは、第1電極層103側から順に、第1正孔注入層107、第1正孔輸送層108、青色発光層109、及び第1電子輸送層110から構成される。
赤緑発光ユニットは、第1電極層103側から順に、第2正孔注入層114、第2正孔輸送層115、赤色発光層116、緑色発光層117、第2電子輸送層118、及び電子注入層119から構成される。
接続層は、第1接続層111、第2接続層112、及び第3接続層113から構成される。
ここで、本発明の真空蒸着装置を用いて、高生産性、かつ高材料使用効率で、本発明の効果である面内膜厚均―性の効果を十分に引き出す観点からは、各発光ユニットの合計膜厚は50nm〜300nm程度とすることが好ましく、また、各発光層の膜厚は5nm〜50nm程度とすることが好ましい。
また、青色発光層109をホスト材料に青色の燐光材料をドープした層とすることも高輝度を得る観点からは好ましい。
このようなタンデム構造の有機EL素子においては、各発光層の膜厚は、各色の発光スペクトル強度と直接関係している。また、各発光層は膜厚方向(積層方向)に直列接続され、かつ、膜厚方向に比べて面内方向のキャリアの移動が極端に制限されている。そのため、各発光層の膜厚は、他色の発光スペクトルとも密接に関係する。
そのため、所望の光を発生させるには、各発光層の膜厚を設計通りに制御することが重要となる。その点において、本発明の真空蒸着装置1を使用すれば、極めて設計通りに制御することができる。
第1正孔注入層107及び第1正孔輸送層108と、第2正孔注入層114及び第2正孔輸送層115は、各々、1層の正孔注入輸送層とすることができる。
また、第1正孔注入層107及び第1正孔輸送層108と、第2正孔注入層114及び第2正孔輸送層115は、各々、正孔輸送材料からなる層、又は、有機p型ドーパントをドープした正孔輸送材料からなる層とすることができる。
このようなドーパントや発光材料をドープしたホスト材料からなる層の成膜においては、このようなホスト材料等を本発明に係る主成膜材料とし、このようなドーパントや発光材料を本発明に係る従成膜材料として、大きな本発明に係る絞りを有する開口グループに接続される蒸発部グループに属する蒸発部に主成膜材料を単独で割り当てることが好ましい。また、小さな本発明に係る絞りを有する開口グループに接続される蒸発部グループに属する蒸発部に従成膜材料を単独で割り当てることが好ましい。こうすることによって、共蒸着組成を精度良く、安定的に制御可能となる。
これらに加えてさらに、電子、及び/又は、正孔輸送性増強ドーパントとして第2従成膜材料を含む少なくとも3種類の化合物が共蒸着されてなる層(共蒸着有機層)とすることも好ましい。
第1従成膜材料の好ましい含有量は1〜30重量%であり、より好ましくは1〜10重量%である。
第2従成膜材料の好ましい含有量は1〜30重量%であり、より好ましくは10〜30重量%である。
こうすることにより、機能層として燐光発光層を含む有機EL装置を成膜するにあたって、制御性に優れ、かつ、安価に成膜できる真空蒸着装置となる。
また、各開口グループに接続される蒸発部グループに複数の蒸発部を割り当て、蒸発部を切り替えることで所望の層を単独で蒸着すること、及び、複数の開口グループから共蒸着することで、機能層内の有機化合物からなる全ての層を一の成膜室で成膜することが可能である。
同一の本発明に係る蒸発部を本発明に係る供給切替え手段を介して複数の開口グループに接続することで、一の本発明の真空蒸着装置で機能層105の全てを成膜することが好ましい。すなわち、前述の電子輸送材料や正孔輸送材料は、異なる層を構成する場合も、同一の蒸発部から同一の材料を蒸発することで供給可能とすることが好ましい。
基板102は、面状に広がりをもっている。具体的には、多角形又は円形をしており、四角形であることが好ましい。本実施形態では、四角形状の基板を採用している。
基板102の最短辺(最短軸)は、300mm以上となっており、350mm以上となっていることが好ましく、500mm以上となっていることが特に好ましい。
基板102の面積は、900cm2 (平方センチメートル)以上4000cm2 (平方センチメートル)以下となっており、1225cm2 以上3500cm2 以下となっていることが好ましく、2500cm2 以上3000cm2 以下となっていることが特に好ましい。
特に、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(Alq3)、トリス(5−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(Almq3)、ビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]−キノリナト)ベリリウム(BeBq2)、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)−4−フェニルフェノラト−アルミニウム(BAlq)などキノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等を好ましく用いることができる。また、この他ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)−ベンゾオキサゾラト]亜鉛(Zn(BOX)2)、ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)−ベンゾチアゾラト]亜鉛(Zn(BTZ)2)などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、2−(4−ビフェニリル)−5−(4−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール(PBD)や、1,3−ビス[5−(p−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール−2−イル]ベンゼン(OXD−7)、3−(4−tert−ブチルフェニル)−4−フェニル−5−(4−ビフェニリル)−1,2,4−トリアゾール(TAZ)、3−(4−tert−ブチルフェニル)−4−(4−エチルフェニル)−5−(4−ビフェニリル)−1,2,4−トリアゾール(p−EtTAZ)、バソフェナントロリン(BPhen)、バソキュプロイン(BCP)なども用いることができる。
例えば、図13、図14に示す真空蒸着装置62では、他の構成の残留蒸気除去手段78が採用されている。残留蒸気除去手段78は、本体部37,38,39とは別にトラップ空間63を設けたものである。トラップ空間63は常時、マニホールド部66,67,68に比べて低温に保持する。そしてトラップ空間63と本体部37,38,39との間を配管接続する。トラップ空間63と本体部37,38,39には開閉弁64a,64b,64cを設けることが望ましい。
図13、図14に示す真空蒸着装置62では、一回の成膜を終えるごとに開閉弁64a,64b,64cを開き、マニホールド部66,67,68とトラップ空間63とを連通させる。その結果、マニホールド部66,67,68からトラップ空間63側に流れ込んだ成膜蒸気18a〜18jが、トラップ空間63内で温度低下して固化し、捕捉される。そのため同一の放出系統を複数回使用したり、同一の放出系統を連続して使用したりしても、マニホールド部66,67,68内で成膜蒸気18が混じることはない。
また図16に示す真空蒸着装置97の様に成膜室45内に上部マニホールド部66の本体部37と、中間マニホールド部67の本体部38の上部を配し、中間マニホールド部67の本体部38の下部以下を成膜室45外に配置してもよい。
さらに図17に示す真空蒸着装置90の様に、マニホールド群6の全てが成膜室91内にあってもよい。
例えば、成膜材料放出部13の中央や辺部に配置されている放出開口80,81,82については、いずれの開口グループについても絞り85,86,87の大きさが他の部位と異なる様に設定してもよい。
またいずれかの放出系統に属する開口グループの全てが絞りを持たなくてもよい。さらには絞りに代わって、あるいは絞りに加えて、延長管75,76,77自体に太いものや細いものがあってもよい。すなわち、延長管75,76,77の内径を相違させて実質的な開口面積を変化させてもよい。
例えば、ある配管系統に属する開口グルーブは、放出開口の数が多く、成膜材料放出部13の全域に均等に分布させ、他の配管系統に属する開口グルーブは、放出開口の数が少なく、成膜材料放出部13の中央側が密となる様に分布させ、さらに他の配管系統に属する開口グルーブは、放出開口の数が多く、成膜材料放出部13の辺部側が密となる様に分布させるといった変化を付けてもよい。
要するに、放出系統ごとに次のいずれかの項目を違えることによって本発明の作用効果を達成することができる。
言い換えると、成膜蒸気の時間当たりの放出量や放出分布を放出系統ごとに異ならせることによって、本発明の作用効果を達成することができる。
(1)各放出開口の実質的な開口面積。
(2)放出開口の実質的な総開口面積。
(3)放出開口の分布。
(4)放出開口の数。
(5)放出系統の流路抵抗。
例えば、図19のように、各マニホールド部66,67,68に熱媒体配管198を設けたり、図20のように熱媒体ジャケット199を設けたりする等の方策により、各マニホールド部66,67,68の温度調節を行う構成も推奨される。本実施形態では、熱媒体配管198や熱媒体ジャケット199が熱媒体流路となり、これに高温又は低温の熱媒体を通過させ、各マニホールド部66,67,68の温度調節を行うことができる。
そのため、マニホールド部66,67,68の温度を成膜材料に適した温度に調節することができる。それ故に、気化温度が高い成膜材料を放出し、これに続いて同一の放出系統を利用して気化温度が低い成膜材料を放出する様な場合に、放出系統を冷却することもでき、低温で気化する成膜材料の蒸着の開始を早期に行うことができる。すなわち、放出させる成膜材料の切り替え時間を短縮することができる。
2,43,45 成膜室
3 放出回路
6 マニホールド群
8 シャッター部材
10a〜10j 蒸発部
11 基板(基材)
13 成膜材料放出部
15,78 残留蒸気除去手段
16a〜16j 成膜材料
18a〜18j 成膜蒸気
21 蒸発室
22 坩堝
27,28,29 膜厚センサー
37,38,39 本体部
40a〜40j 主開閉弁
46,47,48 膜厚確認用の放出開口
66,67,68 マニホールド部
73 空洞部
75,76,77 延長管
80,81,82 放出開口
85,86,87 絞り
93 開口
100 有機EL装置
105 機能層
198 熱媒体配管(熱媒体流路)
199 熱媒体ジャケット(熱媒体流路)
Claims (19)
- 減圧可能であって基材を設置可能な成膜室と、基材に対して成膜材料の蒸気を放出する放出開口が複数設けられた成膜材料放出部を有し、成膜材料放出部から成膜材料の蒸気を放出して基材に成膜する真空蒸着装置において、
成膜材料を蒸発させる蒸発部を複数有し、1又は複数の蒸発部によって構成される一組の蒸発部グループと、複数の放出開口によって構成される一組の開口グループが接続されて一個の放出系統を形成し、前記放出系統が複数存在する流路構成を備えており、
前記蒸発部ごとに主開閉弁があり、当該主開閉弁を開いて蒸発部で発生させた蒸気を成膜材料放出部に導入し、成膜材料放出部から成膜材料の蒸気を放出して基材に成膜する真空蒸着装置であり、
前記蒸発部グループは、個々の成膜材料についての蒸気の単位時間あたりの目標放出量が近似するものを一つのグループとなる様に選択されていることを特徴とする真空蒸着装置。 - 蒸発部から放出開口の開口端近傍に絞りが設けられており、一つの放出系統内に配された絞りは開口面積が一定の基準に基づいて設定されており、他の少なくとも一つの放出系統に設けられた絞りは異なる基準によって設定されたものであることを特徴とする請求項1に記載の真空蒸着装置。
- 各開口グループに属する放出開口は、その開口面積が略同一であることを特徴とする請求項1又は2に記載の真空蒸着装置。
- 各開口グループに属する放出開口には、開口面積が異なるものが混在していることを特徴とする請求項1又は2に記載の真空蒸着装置。
- 各開口グループの放出開口の総面積は互いに相違するものであることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の真空蒸着装置。
- 一の開口グループに属する放出開口に隣接する放出開口は、いずれも異なる開口グループに属する放出開口であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の真空蒸着装置。
- 放出系統の一部又は全部を温度調節する熱媒体流路を備えることを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の真空蒸着装置。
- 成膜室内に膜厚センサーと、膜厚確認用の放出開口があり、放出系統と膜厚確認用の放出開口とが連通していることを特徴とする請求項1乃至7のいずれかに記載の真空蒸着装置。
- 前記放出開口は、直接又は延長管を介してマニホールド部の内部空間と連通するものであり、
1又は複数のマニホールド部の一部又は全部が成膜室の外に配されていることを特徴とする請求項1乃至8のいずれかに記載の真空蒸着装置。 - 前記放出開口は、直接又は延長管を介してマニホールド部の内部空間と連通するものであり、
1又は複数のマニホールド部が成膜室の外に配されており、
さらに、成膜室内に配された膜厚センサーと、膜厚確認用の放出開口を有し、
前記成膜室の外に配されたマニホールド部と膜厚確認用の放出開口とが連通していることを特徴とする請求項1乃至8のいずれかに記載の真空蒸着装置。 - 前記放出開口は、直接又は延長管を介してマニホールド部の内部空間と連通するものであり、
前記マニホールド部は、残留蒸気除去手段を備えており、
当該残留蒸気除去手段は、成膜後において、マニホールド部内に残留した成膜材料の蒸気の性状をマニホールド部の一部の温度を低下させて変化させることが可能であることを特徴とする請求項1乃至10のいずれかに記載の真空蒸着装置。 - 成膜材料放出部の全ての放出開口を覆うシャッター部材を有し、
シャッター部材は、前記放出開口に対して相対的に移動可能であって、開口を備えており、
シャッター部材は、シャッター部材の開口を前記放出開口に一致させて全ての放出開口を開放状態とすることが可能であり、
さらに、シャッター部材は、シャッター部材の開口を前記放出開口から外して、全ての放出開口を閉塞状態とすることが可能であることを特徴とする請求項1乃至11のいずれかに記載の真空蒸着装置。 - 放出系統ごとに、以下(1)〜(5)の項目のうちの少なくとも1つの項目が異なることを特徴とする請求項1乃至12のいずれかに記載の真空蒸着装置。
(1)各放出開口の実質的な開口面積。
(2)放出開口の実質的な総開口面積。
(3)放出開口の分布。
(4)放出開口の数。
(5)放出系統の流路抵抗。 - 単一の成膜室内において基材に対して複数の成膜層を真空蒸着する複数蒸着工程を行う有機EL装置の製造方法であって、
真空蒸着を行う真空蒸着装置は、成膜材料を蒸発させる蒸発部を複数有し、1又は複数の蒸発部によって構成される一組の蒸発部グループと、複数の放出開口によって構成される一組の開口グループが接続されて一個の放出系統を形成し、前記放出系統が複数存在する流路構成を備えており、前記蒸発部ごとに主開閉弁があり、当該主開閉弁を開いて蒸発部で発生させた蒸気を成膜材料放出部に導入し、成膜材料放出部から成膜材料の蒸気を放出して基材に成膜するものであり、
前記放出開口の開口面積を放出系統ごとに異ならせ、前記蒸発部グループに属する蒸発部に、個々の成膜材料についての蒸気の単位時間あたりの目標放出量が近似するものを選択して投入し、前記蒸発部で成膜材料を蒸発させて基材に成膜することによって複数蒸着工程を行うことを特徴とする有機EL装置の製造方法。 - 請求項1乃至13のいずれかに記載の真空蒸着装置を使用して主成膜材料と従成膜材料を同時に放出して共蒸着有機層を形成する共蒸着工程を複数回実施し、複数の共蒸着有機層を含んだ有機EL装置を製造する有機EL装置の製造方法であって、複数種類の主成膜材料を同一の蒸発部グループに属する蒸発部に選択的に投入し、複数種類の従成膜材料を他の蒸発部グループに属する蒸発部に選択的に投入し、前記蒸発部でそれぞれ成膜材料を蒸発させて基材に共蒸着有機層を成膜することを特徴とする有機EL装置の製造方法。
- 共蒸着工程においては、単一の放出系統に属する単一の蒸発部で主成膜材料を蒸発させて前記放出系統に属する放出開口から主成膜材料の蒸気を放出し、前記放出系統とは異なる単一の放出系統に属する単一の蒸発部で従成膜材料を蒸発させて前記放出系統に属する放出開口から従成膜材料の蒸気を放出することを特徴とする請求項15に記載の有機EL装置の製造方法。
- 前記真空蒸着装置は、属する開口グループの放出開口の総面積が大きい大容量用放出系統と、属する開口グループの放出開口の総面積が大容量用放出系統よりも小さい小容量用放出系統と備え、
前記主成膜材料は、成膜された層中に多く含有される成分であり、従成膜材料は、成膜された層中に主成膜材料よりも含有量が少ない成分であり、
主成膜材料を大容量用放出系統に属する蒸発部に選択的に投入し、従成膜材料を小容量用放出系統に属する蒸発部に選択的に投入することを特徴とする請求項15又は16に記載の有機EL装置の製造方法。 - 前記真空蒸着装置は、成膜室内に膜厚センサーと、膜厚確認用の放出開口があり、マニホールド部と膜厚確認用の放出開口とが連通した構成を有するものであり、一以上の放出系統に属する放出開口から主成膜材料を放出し、同時に他の一以上の放出系統に属する放出開口から従成膜材料を放出して共蒸着有機層を形成する共蒸着工程を実施し、共蒸着工程を実施する際に主成膜材料だけによる成膜状態及び/又は従成膜材料だけによる成膜状態を検知可能であることを特徴とする請求項15乃至17のいずれかに記載の有機EL装置の製造方法。
- 前記有機EL装置は、2つの電極層の間に機能層が介在するものであり、
当該機能層は、前記主成膜材料たるホスト材料に、前記従成膜材料たる蛍光材料又は燐光材料をドープしてなる発光層を複数有し、
少なくとも2つの発光層は、前記成膜室内で成膜することを特徴とする請求項15乃至18のいずれかに記載の有機EL装置の製造方法。
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CN108866515B (zh) * | 2018-06-25 | 2021-04-06 | 成都中建材光电材料有限公司 | 一种薄膜太阳能电池吸收层的沉积掺杂装置 |
KR20200040537A (ko) * | 2018-10-10 | 2020-04-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 측향식 진공증착용 소스, 소스 어셈블리 및 이를 이용한 측향식 진공증착 장치 |
JP7374662B2 (ja) * | 2019-08-28 | 2023-11-07 | キヤノン株式会社 | 蒸着装置 |
Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003155555A (ja) * | 2001-11-15 | 2003-05-30 | Eiko Engineering Co Ltd | 薄膜堆積用複合分子線源セル |
JP2003317957A (ja) * | 2002-04-25 | 2003-11-07 | Eastman Kodak Co | 熱物理蒸着装置 |
JP2003321767A (ja) * | 2002-04-26 | 2003-11-14 | Seiko Epson Corp | 薄膜の蒸着方法、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法及び電子機器 |
JP2008075095A (ja) * | 2006-09-19 | 2008-04-03 | Hitachi Zosen Corp | 真空蒸着装置および真空蒸着方法 |
JP2008156724A (ja) * | 2006-12-25 | 2008-07-10 | Matsushita Electric Works Ltd | 真空蒸着装置 |
WO2009060739A1 (ja) * | 2007-11-05 | 2009-05-14 | Ulvac, Inc. | 蒸着源、有機el素子の製造装置 |
JP2009531550A (ja) * | 2006-03-29 | 2009-09-03 | イーストマン コダック カンパニー | 金属および有機材料の均一な蒸発 |
WO2009107733A1 (ja) * | 2008-02-26 | 2009-09-03 | 株式会社アルバック | 成膜源、蒸着装置、有機el素子の製造装置 |
JP2009235479A (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Seiko Epson Corp | 蒸着装置 |
JP2009256705A (ja) * | 2008-04-15 | 2009-11-05 | Hitachi Zosen Corp | 真空蒸着装置 |
WO2011071064A1 (ja) * | 2009-12-09 | 2011-06-16 | 株式会社アルバック | 有機薄膜の成膜装置および有機材料成膜方法 |
JP2011256427A (ja) * | 2010-06-09 | 2011-12-22 | Hitachi Zosen Corp | 真空蒸着装置における蒸着材料の蒸発、昇華方法および真空蒸着用るつぼ装置 |
WO2012105349A1 (ja) * | 2011-01-31 | 2012-08-09 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 真空蒸着装置、真空蒸着方法及び該真空蒸着装置または該真空蒸着方法を用いて形成された有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006057173A (ja) * | 2004-08-24 | 2006-03-02 | Tohoku Pioneer Corp | 成膜源、真空成膜装置、有機elパネルの製造方法 |
-
2013
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Patent Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003155555A (ja) * | 2001-11-15 | 2003-05-30 | Eiko Engineering Co Ltd | 薄膜堆積用複合分子線源セル |
JP2003317957A (ja) * | 2002-04-25 | 2003-11-07 | Eastman Kodak Co | 熱物理蒸着装置 |
JP2003321767A (ja) * | 2002-04-26 | 2003-11-14 | Seiko Epson Corp | 薄膜の蒸着方法、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法及び電子機器 |
JP2009531550A (ja) * | 2006-03-29 | 2009-09-03 | イーストマン コダック カンパニー | 金属および有機材料の均一な蒸発 |
JP2008075095A (ja) * | 2006-09-19 | 2008-04-03 | Hitachi Zosen Corp | 真空蒸着装置および真空蒸着方法 |
JP2008156724A (ja) * | 2006-12-25 | 2008-07-10 | Matsushita Electric Works Ltd | 真空蒸着装置 |
WO2009060739A1 (ja) * | 2007-11-05 | 2009-05-14 | Ulvac, Inc. | 蒸着源、有機el素子の製造装置 |
WO2009107733A1 (ja) * | 2008-02-26 | 2009-09-03 | 株式会社アルバック | 成膜源、蒸着装置、有機el素子の製造装置 |
JP2009235479A (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Seiko Epson Corp | 蒸着装置 |
JP2009256705A (ja) * | 2008-04-15 | 2009-11-05 | Hitachi Zosen Corp | 真空蒸着装置 |
WO2011071064A1 (ja) * | 2009-12-09 | 2011-06-16 | 株式会社アルバック | 有機薄膜の成膜装置および有機材料成膜方法 |
JP2011256427A (ja) * | 2010-06-09 | 2011-12-22 | Hitachi Zosen Corp | 真空蒸着装置における蒸着材料の蒸発、昇華方法および真空蒸着用るつぼ装置 |
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