TW201531586A - 發光層之製造方法、發光層及有機發光元件 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 43
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 142
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 claims abstract description 60
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 37
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 34
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 31
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 15
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 claims description 12
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 5
- 239000013526 supercooled liquid Substances 0.000 claims description 5
- 238000000605 extraction Methods 0.000 abstract description 17
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 229
- 239000010408 film Substances 0.000 description 84
- 239000000463 material Substances 0.000 description 36
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 33
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 26
- ZABORCXHTNWZRV-UHFFFAOYSA-N 10-[4-(4,6-diphenyl-1,3,5-triazin-2-yl)phenyl]phenoxazine Chemical compound O1C2=CC=CC=C2N(C2=CC=C(C=C2)C2=NC(=NC(=N2)C2=CC=CC=C2)C2=CC=CC=C2)C2=C1C=CC=C2 ZABORCXHTNWZRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 16
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 16
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 15
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 14
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 14
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 14
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 14
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 11
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 11
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 10
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 8
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 7
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 7
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 7
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 7
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 6
- 238000001748 luminescence spectrum Methods 0.000 description 6
- -1 porphyrin compound Chemical class 0.000 description 6
- 238000001296 phosphorescence spectrum Methods 0.000 description 5
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 5
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 5
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 4
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 238000000695 excitation spectrum Methods 0.000 description 3
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N Pyrazole Chemical class C=1C=NNC=1 WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 2
- 150000008425 anthrones Chemical class 0.000 description 2
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000004455 differential thermal analysis Methods 0.000 description 2
- 238000002189 fluorescence spectrum Methods 0.000 description 2
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- BGZVBIAMRYGGSS-UHFFFAOYSA-N 1,1,2-triphenylhydrazine Chemical class C=1C=CC=CC=1NN(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 BGZVBIAMRYGGSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NSXJEEMTGWMJPY-UHFFFAOYSA-N 9-[3-(3-carbazol-9-ylphenyl)phenyl]carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC(C=2C=CC=C(C=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)=CC=C1 NSXJEEMTGWMJPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910000799 K alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 150000007980 azole derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000002419 bulk glass Substances 0.000 description 1
- 150000001718 carbodiimides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 150000001788 chalcone derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 229940083761 high-ceiling diuretics pyrazolone derivative Drugs 0.000 description 1
- 150000002429 hydrazines Chemical class 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 229940079865 intestinal antiinfectives imidazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 230000000155 isotopic effect Effects 0.000 description 1
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006384 oligomerization reaction Methods 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 125000002971 oxazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 150000004986 phenylenediamines Chemical class 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 150000004033 porphyrin derivatives Chemical class 0.000 description 1
- BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N potassiosodium Chemical compound [Na].[K] BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N pyrazol-3-one Chemical class O=C1C=CN=N1 JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 1
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 1
- 125000004151 quinonyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000000391 spectroscopic ellipsometry Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004867 thiadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- IBBLKSWSCDAPIF-UHFFFAOYSA-N thiopyran Chemical compound S1C=CC=C=C1 IBBLKSWSCDAPIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
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- H10K2102/361—Temperature
-
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- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
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- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
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- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
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-
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/321—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
- H10K85/322—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising boron
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/321—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
- H10K85/324—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising aluminium, e.g. Alq3
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
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Abstract
當藉由氣相生長法將包含主體分子與客體分子之發光層於基板上成膜時，將基板之溫度設為客體分子之表面玻璃轉移溫度以下之溫度。藉此，可製造獲得較高之光提取效率之發光層。
Description
本發明係關於一種可獲得較高之光提取效率之發光層之製造方法、發光層及有機發光元件。
提高有機電致發光元件(有機EL元件)等有機發光元件之發光效率之研究日益盛行。尤其，進行有各種藉由控制構成有機層之分子之配向性而提高發光效率之研究。
例如，於專利文獻1中揭示有如下之載子傳輸性有機非晶質薄膜之製造方法，即，一面將基材之溫度調節為如下溫度一面使有機分子蒸鍍，該溫度為使用有機分子之玻璃轉移點Tg[K]、由薄膜之膜密度算出之有機分子每一分子之體積Vm[Å3]、及有機分子之蒸鍍速度R[Å/sec]根據特定之式所算出之溫度TA[℃]以上且1.15Tg[K]以下，利用該製造方法製造之有機非晶質薄膜之有機分子之配向得以控制，可獲得較高之載子遷移率。
於專利文獻2中揭示有如下之有機發光元件，即，發光層包含主體與第一摻雜劑，且針對第一摻雜劑規定躍遷偶極矩之平均值之相對於基板面之水平方向成分大於垂直方向成分，且記載有藉此可獲得高效率之發光。又，於該文獻中記載有藉由對發光摻雜劑之分子附加適當之官能性基，而可相對於基板面大致水平地配向。
於專利文獻3中揭示有藉由將於支持體上具有含有電荷傳輸性化合物之有機層與含有主體化合物及縱橫比大於3之發光性化合物之有機層的供體薄片之各有機層轉印至基板之被成膜面，而製造具有各有機層之有機發光元件。於該文獻中記載有如此製造之有機發光元件之發光性化合物為水平排列，且滿足較高之配向度、較高之外部量子效率、及耐久性。
[專利文獻1]日本專利特開2013-30406號公報
[專利文獻2]日本專利特開2013-26301號公報
[專利文獻3]日本專利特開2012-234956號公報
如上所述，於專利文獻1~3中記載有如下之有機發光元件：藉由控制有機層之製造條件或有機化合物之縱橫比，或者藉由對有機化合物附加適當之官能性基，而控制有機層之配向度。然而，本發明者等人對該等有機發光元件評價特性時發現發光效率尚有改善之餘地。
因此，本發明者等人進行將有機層之成膜條件進行各種改變而評價光提取效率等發光效率相關之特性的研究。結果發現，尤其於發光層，主體分子之配向性亦與客體分子(摻雜劑分子)之配向性一併較大地影響發光層之性能，藉由以使主體分子之配向無規，僅客體分子選擇性地為水平方向之方式將發光層成膜，而可獲得光提取效率較高之發光層。
於專利文獻1~3中雖記載有使具有載子傳輸性或發光性之有機分子於水平方向上配向，但並未記載使主體分子為無規配向狀態，且完全未對用以實現此種配向狀態之發光層之成膜條件進行研究。
於此種狀況下，本發明者等人以藉由製造可獲得較高之光提取效率之發光層而提供發光效率較高之有機發光元件為目的，進行用於發現可使主體分子之配向無規且僅使客體分子選擇性地為水平方向之成膜條件的研究。
本發明者等人進行努力研究，結果發現當利用氣相生長法將包含主體分子與客體分子之發光層於基板上成膜時，藉由將基板溫度設為客體分子之表面玻璃轉移溫度以下之溫度而成膜，可形成主體分子之配向為無規且僅客體分子選擇性地水平配向之發光層，如此形成之發光層可獲得較高之光提取效率。進而，發現若將該發光層用於有機電致發光元件，除可獲得較高之光提取效率以外，亦可獲得良好之載子平衡，而實現較高之發光效率。表面玻璃轉移溫度為專用於高分子之特性值，至今未報告利用低分子之表面玻璃轉移溫度之技術。本發明係基於以上之見解而完成者，具體而言具有以下之構成。
[1]一種發光層之製造方法，其特徵在於包括如下之發光層成膜步驟：當利用氣相生長法將包含主體分子與客體分子之發光層於基板上成膜時，將上述基板之溫度設為上述客體分子之表面玻璃轉移溫度以下之溫度而成膜。
[2]如[1]之發光層之製造方法，其特徵在於：於上述發光層成膜步驟中，將上述基板之溫度設為上述主體分子之表面玻璃轉移溫度以上之溫度。
[3]如[1]或[2]之發光層之製造方法，其特徵在於：於相對於成膜時之基板之溫度[K]對成膜於該基板上之主體分子之配向秩序參數S進行繪圖而成之關係圖中，自配向秩序參數S之變化量(dS/dK)成為0.001以下之溫度區域選擇上述發光層成膜步驟中之上述基板之溫度。
[4]如[1]至[3]中任一項之發光層之製造方法，其特徵在於：於上
述發光層成膜步驟中，飛至被成膜面之上述主體分子成為過冷液體狀態。
[5]如[1]至[4]中任一項之發光層之製造方法，其特徵在於：作為上述氣相生長法使用真空蒸鍍法。
[6]如[5]之發光層之製造方法，其特徵在於：分別配置包含客體分子之蒸鍍源與包含主體分子之蒸鍍源，將自該等蒸鍍源蒸發之蒸鍍粒子共蒸鍍於上述基板上。
[7]如[1]至[6]中任一項之發光層之製造方法，其特徵在於：於上述發光層成膜步驟之後，將形成有上述發光層之上述基板繼續保持為未達上述客體分子之玻璃轉移溫度(Tg)之溫度。
[8]如[1]至[7]中任一項之發光層之製造方法，其特徵在於：作為上述主體分子使用具有下述式所表示之結構之化合物。
[9]如[1]至[8]中任一項之發光層之製造方法，其特徵在於：作為上述客體分子使用延遲螢光體。
[10]如[1]至[9]中任一項之發光層之製造方法，其特徵在於：作為上述客體分子使用具有下述式所表示之結構之化合物。
[化2]
[11]如[8]至[10]中任一項之發光層之製造方法，其特徵在於：於上述發光層成膜步驟中，將上述基板之溫度設為200~250K。
[12]一種發光層，其係藉由如[1]至[11]中任一項之製造方法而成膜。
[13]一種發光層，其特徵在於：其係包含主體分子與客體分子者，且上述主體分子之配向秩序參數S為0±0.1，上述客體分子之配向秩序參數S未達-0.1。
[14]一種有機發光元件，其特徵在於：具有如[12]或[13]之發光層。
[15]如[14]之有機發光元件，其特徵在於：其係有機電致發光元件。
根據本發明之發光層之製造方法，可獲得光提取效率較高之發光層。又，藉由將利用本發明之製造方法製造之發光層用於有機發光元件，可獲得較高之光提取效率與良好之載子平衡，而可實現較高之發光效率。
1‧‧‧基板
2‧‧‧陽極
3‧‧‧電洞注入層
4‧‧‧電洞傳輸層
5‧‧‧發光層
6‧‧‧電子傳輸層
7‧‧‧陰極
圖1係表示在不同基板溫度下於矽基板上將mCBP膜形成為50nm之厚度時之基板溫度與mCBP之配向秩序參數S之關係之曲線圖。
圖2係表示有機電致發光元件之層構成例之概略剖視圖。
圖3係於200K、250K、300K之基板溫度下將發光層成膜之有機
光致發光元件之光吸收光譜。
圖4係於200K、250K、300K之基板溫度下將發光層成膜之有機光致發光元件之激發光譜及發光光譜。
圖5係表示於200K、250K、300K之基板溫度下將發光層成膜之有機光致發光元件之發光強度之角相依性之曲線圖。
圖6係於200K、250K、300K之基板溫度下將發光層成膜之有機電致發光元件之發光光譜。
圖7係於200K、250K、300K之基板溫度下將發光層成膜之有機電致發光元件之光度之角度分佈圖。
圖8係表示於200K、250K、300K之基板溫度下將發光層成膜之有機電致發光元件之電流密度-外部量子效率特性之曲線圖。
圖9係表示於200K、250K、300K之基板溫度下將發光層成膜之有機電致發光元件之電壓-電流密度-亮度特性之曲線圖。
以下，對本發明之內容進行詳細說明。以下記載之構成要件之說明有基於本發明之代表性之實施態樣或具體例而進行之情況，但本發明並不限定於此種實施態樣或具體例。再者，於本說明書中使用「~」表示之數值範圍係指將於「~」前後記載之數值作為下限值及上限值包括在內之範圍。又，用於本發明之化合物之分子內存在之氫原子之同位素種類並無特別限定，例如分子內之氫原子既可全部為1H，亦可一部分或全部為2H(氘D)。
本發明之發光層之製造方法包含如下步驟：當藉由氣相生長法將包含主體分子與客體分子之發光層於基板上成膜時，將基板之溫度設為客體分子之表面玻璃轉移溫度以下之溫度而成膜。於此種發光層之成膜步驟中，藉由控制主體分子及客體分子之分子形狀或溫度特
性，而可以主體分子之配向為無規且僅客體分子選擇性地配向之方式形成發光層。推測如此形成之發光層具有光度良好之角度分佈，並且於設置在金屬電極基板上之情形時，亦抑制該金屬電極表面之電漿子損耗，從而可獲得較高之光提取效率。進而，若將該發光層應用於有機電致發光元件，除可獲得較高之光提取效率以外，亦可獲得良好之載子平衡，而可達成較高之發光效率。
於本發明中，所謂「表面玻璃轉移溫度」係指於將成為測定對象之分子以較高之配向秩序進行配向之薄膜之溫度以1K/min之速度升溫時薄膜表面開始軟化之溫度。此處，所謂「較高之配向秩序」係指配向秩序參數S之絕對值為0.2以上。又，所謂「薄膜表面開始軟化之溫度」係指於藉由分光橢圓偏光法對薄膜表面進行測定時配向秩序參數S之溫度特性之二次微分量成為零的溫度。「表面玻璃轉移溫度」亦稱為surface glass transition temperature，於本說明書中記述為「Tg(surface)」。又，本說明書中，於簡記為「表面玻璃轉移溫度Tg」時係指本體(bulk)之表面玻璃轉移溫度。
又，於本說明書中，作為分子之配向狀態之指標，使用下述式所表示之配向秩序參數S。配向秩序參數S為-0.5時係指分子完全於水平方向(與基板表面平行之方向)上配向，為1時係指分子完全於垂直方向(基板表面之法線方向)上配向，為0時係指分子之配向狀態完全為無規。又，配向秩序參數S為-0.5以上且未達0之範圍時表示水平配向較垂直配向更佔優勢。
再者，配向秩序參數S之測定可根據Komino,T.；Tanaka,H.；Adachi,C.Chem.Mater.2014,26,3665之記載而進行。本案中之配向秩序參數S之值係根據該論文測得之值。
認為藉由將基板之溫度設為客體分子之表面玻璃轉移溫度以下之溫度而成膜，如此可獲得具有特定之配向性且光提取效率及載子平衡優異之發光層的原因在於以下。
即，已知有機膜之表面玻璃轉移溫度Tg(surface)低於有機膜之本體之玻璃轉移溫度Tg(bulk)，成膜過程中之有機膜表面之玻璃轉移溫度Tg隨著藉由蒸鍍膜之生長而該表面構成膜之內部(本體)，會自表面玻璃轉移溫度Tg(surface)上升至本體之玻璃轉移溫度Tg(bulk)。又，於在基板上蒸鍍形成有機膜之情形時，由於飛至基板之被成膜面之蒸鍍粒子與基板進行熱交換，故而於將基板溫度控制為特定溫度之情形時，於該基板上形成之有機膜亦於與基板或和基板相接設置之層相接之期間被保持為與該基板溫度大致相同之溫度。
此處，於成膜時之基板溫度Tgdeposition高於本體之玻璃轉移溫度Tg(bulk)(Tg(bulk)<Tgdeposition)之情形時，飛至有機膜之表面之蒸鍍粒子會成為液體狀態或過冷液體狀態，構成該蒸鍍粒子之分子會於有機膜上移動而以熱力學上穩定之無規之配向狀態沈積。又，如上所述，有機膜表面之玻璃轉移溫度Tg隨著蒸鍍膜之生長而自表面玻璃轉移溫度Tg(surface)上升至本體之玻璃轉移溫度Tg(bulk)，但該玻璃轉移溫度Tg之上升緩慢。因此，即便於成膜時之基板溫度Tgdeposition為本體之玻璃轉移溫度Tg(bulk)以下且高於表面玻璃轉移溫度Tg(surface)(Tg(surface)<Tgdeposition≦Tg(bulk))之情形時，飛至有機膜表面之蒸鍍粒子之分子亦會於該飛至區域之玻璃轉移溫度Tg為表面玻璃轉移溫度Tg(surface)附近之期間移動而無規地配向，且該無規之配
向狀態於在其上沈積蒸鍍粒子後亦得以保持。另一方面，認為於成膜時之基板溫度Tgdeposition為表面玻璃轉移溫度Tg(surface)以下(Tgdeposition≦Tg(surface))之情形時，飛至有機膜表面之蒸鍍粒子之分子於激烈碰撞之前動能減少，利用近似於單分子製程之機制以與分子形狀等相應之特定之配向狀態沈積。
於本發明中，主體分子與客體分子中，以客體分子之表面玻璃轉移溫度Tg(surface)為基準，將基板溫度設為客體分子之表面玻璃轉移溫度Tg(surface)以下之溫度而成膜。藉此，上述(Tgdeposition≦Tg(surface))之機制發揮作用，客體分子以與分子形狀等相應之特定之配向狀態選擇性地配向。例如，分子形狀為直線狀且分子之長軸方向與躍遷偶極之方向非常一致之客體分子以沿著基板表面之方式在水平方向上配向。如此水平配向之客體分子主要於發光層之表面側(與其長軸方向正交之方向)放射光，因此可自發光層觀測到良好之角度分佈之光。又，認為於發光層設置於金屬電極基板上之情形時，藉由躍遷偶極之方向為水平方向，亦抑制金屬電極表面之電漿子損耗。
再者，此處所提及之「光度之角度分佈」係將以發光層表面之法線為基準(90°)改變觀測方向而觀測到之光度相對於該法線與觀測方向所成之角度進行繪圖而成之光度之分佈圖。又，所謂良好之光度之角度分佈係指該分佈圖為與朗伯放射相同或近似之形狀。關於具體之「光度之角度分佈」，可參照試驗例中測定出之圖7。
另一方面，主體分子於其表面玻璃轉移溫度Tg(surface)低於基板溫度Tgdeposition之情形時，利用上述(Tg(surface)<Tgdeposition≦Tg(bulk))或(Tg(bulk)<Tgdeposition)之機制以無規之配向狀態沈積。又，於表面玻璃轉移溫度Tg(surface)為基板溫度Tgdeposition以上之情形時，主體分子以與分子形狀等相應之特定之配向狀態主體分子配向。例如，於分子形狀為球狀之情形時，主體分子以無規之配向狀態主體
分子沈積。主體分子以無規之配向狀態沈積之發光層由於主體分子之功能各向同性地發揮作用，故而例如於用作有機電致發光元件之發光層之情形時，可抑制電子與電洞之遷移率之差，而可獲得良好之載子平衡。又，推測無規之配向狀態之主體分子幾乎不對客體分子之配向產生影響。
以下，對利用本發明之發光層之製造方法成膜之發光層及發光層之成膜步驟進行具體說明。
(發光層)
利用本發明之發光層之製造方法製造之發光層包含主體分子與客體分子。
發光層中，除包含形成於基板上之發光層以外，亦包含不具有基板而以發光層單獨存在之膜狀之發光層。單獨存在之膜狀之發光層可藉由於本發明所規定之條件下成膜於基板上後自基板剝離而獲得。
作為主體分子，於藉由氣相生長法將基板溫度設為客體分子之表面玻璃轉移溫度以下之溫度而使發光層成膜時，選擇以上述配向秩序參數S為0±0.1進行無規配向之分子，較佳為選擇以0±0.05進行無規配向之分子。主體分子較佳為分子形狀為「圓形」者，換言之為(1)於分子內躍遷偶極多方向地存在、(2)構象異構體(conformational isomer)較多者。具有此種形狀之主體分子有容易藉由氣相生長法以無規之配向狀態沈積，且不易結晶化之傾向。
又，主體分子較佳為其表面玻璃轉移溫度低於成膜時之基板溫度，且熔點高於成膜時之基板溫度者。藉此，自主體用蒸鍍源飛至有機膜之表面之蒸鍍粒子會成為過冷液體狀態，故而可使構成該蒸鍍粒子之主體分子於有機膜上容易地移動而成為無規之配向狀態，進而，容易保持該無規之配向狀態。此處，於本說明書中，所謂「熔點」係指藉由TG-DTA(Thermogravimetry-Differential Thermal Analysis，熱
重量-示差熱分析法)測定之值。
主體分子之表面玻璃轉移溫度具體而言較佳為270~350K，更佳為270~330K，進而較佳為270~300K。主體分子之本體之玻璃轉移溫度較佳為318~412K，更佳為318~388K，進而較佳為318~353K。
以下，具體例示可用作主體分子之較佳之化合物。然而，於本發明中可使用之主體分子並不由以下之例示化合物限定性地解釋。
於該等例示化合物中，較佳為將mCBP用作主體分子。於圖1中表示在不同基板溫度下於矽基板上將mCBP膜形成為50nm之厚度時之基板溫度與mCBP之配向秩序參數S之關係。mCBP之分子形狀為圓形，並且如圖1所示，可於200~350K之較廣之溫度範圍以無規之配向狀態沈積於基板表面。因此，可較佳地用作主體分子。再者，mCBP之表面玻璃轉移溫度為315K，本體之玻璃轉移溫度為370K。
就與客體分子之關係而言，主體分子較佳為使用最低激發單重
態能階S1及最低激發三重態能階T1中之至少一者較客體分子高者。其結果，可使主體分子之激發單重態能量或激發三重態能量效率良好地移動至客體分子而使客體分子激發，並且可將客體分子之激發單重態能量或激發三重態能量封入該客體分子中，從而可充分地提昇其發光效率。
客體分子只要為會被載子之再結合能或自主體分子接收之能量激發，且自其激發態恢復基態時會放出光之發光體即可，可為螢光材料、延遲螢光材料、磷光材料中之任一者，較佳為延遲螢光體。此處，於本說明書中，所謂「延遲螢光體」係指可於躍遷至激發三重態後反向系間跨越至激發單重態，且於自激發單重態恢復基態時會放射螢光之有機化合物。藉由將延遲螢光體用作客體分子，而可亦將激發三重態能量與激發單重態能量一併有效用於發光，從而可獲得較高之發光效率。用作客體分子之延遲螢光體之最低激發單重態與最低激發三重態之差△Est較佳為0.3eV以下，更佳為0.2eV以下，進而較佳為0.1eV以下。
客體分子較佳為選擇分子形狀為「直線狀」，且分子之長軸方向與躍遷偶極之方向非常一致者。直線狀之主體分子藉由將基板溫度設為表面玻璃轉移溫度以下之溫度而使發光層成膜，長軸方向會沿著基板之表面而可容易地水平配向。藉此，所製造之發光層可抑制金屬電極基板表面之電漿子損耗，又，可以良好之角度分佈放射光。作為客體分子，較佳為選擇於藉由氣相生長法將基板溫度設為該客體分子之表面玻璃轉移溫度以下之溫度而使發光層成膜時，以上述配向秩序參數S未達-0.1進行水平配向之分子，更佳為選擇以未達-0.15進行水平配向之分子。
客體分子與主體分子之分子量較佳為400~1000，更佳為450~950，進而較佳為500~900。只要分子量為上述範圍，則可使用蒸鍍
法容易地成膜。
客體分子之表面玻璃轉移溫度較佳為300~500K，更佳為350~500K，進而較佳為400~500K。客體分子之本體之玻璃轉移溫度較佳為353~588K，更佳為412~588K，進而較佳為471~588K。
以下，具體例示可用作客體分子之較佳之化合物。然而，於本發明中可使用之客體分子並不由以下之例示化合物限定性地解釋。
於該等例示化合物中，PXZ-TRZ為延遲螢光體，並且分子形狀為「直線狀」且分子之長軸方向與躍遷偶極之方向非常一致，而可較佳地用作客體分子。PXZ-TRZ之表面玻璃轉移溫度為304K，本體之玻璃轉移溫度為358K。
又，作為主體分子與客體分子之較佳之組合，可列舉mCBP與PXZ-TRZ之組合、mCP與PXZ-TRZ之組合等，較佳為mCBP與PXZ-TRZ之組合。由於mCBP之最低激發三重態能階T1為2.8eV，PXZ-TRZ之最低激發三重態能階T1為2.4V，故而可使來自mCBP之激發三重態能量效率良好地移動至PXZ-TRZ，又，mCBP以將PXZ-TRZ之激發三重態能量封入PXZ-TRZ之分子內之方式發揮功能。藉此，可獲得較高之發光效率。
客體分子含有於發光層中之量較佳為0.1重量%以上，更佳為1重量%以上，又，較佳為50重量%以下，更佳為20重量%以下，進而較佳為10重量%以下。
發光層既可僅由主體分子及客體分子構成，亦可包含主體分子及客體分子以外之分子。作為主體分子及客體分子以外之分子，例如可列舉具有電洞傳輸能力之有機化合物之分子、具有電子傳輸能力之有機化合物之分子等。作為具有電洞傳輸能力之有機化合物、具有電子傳輸能力之有機化合物，可分別參照下述電洞傳輸材料、電子傳輸材料。
發光層例如於設置為光致發光元件之發光層之情形時，藉由光照射產生激子而發光，於設置為有機電致發光元件之發光層之情形時，藉由自陽極及陰極各者注入之電洞及電子再結合而產生激子後發光。該發光可為螢光發光、延遲螢光發光及磷光發光中之任一者，亦可為2種以上之光混合之發光。又，亦可發光之一部分或局部地有來自主體材料之發光。
(發光層之成膜步驟)
於本發明中，藉由氣相生長法而使上述發光層成膜。於本發明中，所謂「氣相生長法」係指將使原料氣化而產生之粒子覆著、沈積於成膜基板之表面而形成薄膜之成膜方法。作為氣相生長法，可較佳
地使用真空蒸鍍法、濺鍍法、離子電鍍法等物理氣相生長法，其中，較佳為真空蒸鍍法。再者，以下，以使用真空蒸鍍法之情形為例對發光層之成膜步驟進行說明。
藉由氣相生長法而使發光層成膜時，準備供發光層成膜之基板、包含主體分子之蒸鍍源及包含客體分子之蒸鍍源，且以使各蒸鍍源與基板之被成膜面相面對之方式配置於真空腔室內。
關於主體分子及客體分子之說明，可參照上述發光層一欄之主體分子及客體分子之說明。
供發光層成膜之基板並無特別限定，可使用有機發光元件等中通常所使用之基板。關於有機發光元件之基板之具體例，可參照下述(基板)一欄中例示之具體例。又，發光層既可直接成膜於基板上，亦可於基板上介隔其他層而成膜。例如，於使有機電致發光元件之發光層成膜之情形時，使發光層介隔設置於基板上之電極與視需要設置之有機層而成膜於該有機層之表面。關於電極及有機層之說明，可參照下述有機發光元件一欄中記載之說明。
繼而，將真空腔室內設為減壓狀態。真空腔室內之壓力並無特別限定，較佳為1×10-4~1×10-3Pa，更佳為3×10-4~1×10-3Pa，進而較佳為5×10-4~1×10-3Pa。
繼而，加熱基板使其達到客體分子之表面玻璃轉移溫度以下之溫度後，加熱主體分子之蒸鍍源及客體分子之蒸鍍源使其等氣化，使產生之蒸鍍粒子覆著並沈積於基板之被成膜面。
此時，藉由使基板之溫度為客體分子之表面玻璃轉移溫度以下，自客體用蒸鍍源到達基板之被成膜面之蒸鍍粒子之客體分子於分子彼此激烈碰撞之前動能會減少，而於與其分子形狀相應之方向上配向並沈積。例如，於分子形狀為直線狀之情形時，客體分子係以長軸方向沿著基板表面之方式於水平方向上配向。另一方面，推測自主體
用蒸鍍源到達基板之被成膜面之蒸鍍粒子於其表面玻璃轉移溫度低於基板溫度之情形時，會成為過冷液體狀態或液體狀態，從而構成蒸鍍粒子之分子於有機膜上移動而以無規之配向狀態沈積。又，於主體分子之表面玻璃轉移溫度為基板溫度以上之情形時，主體分子以與分子形狀等相應之特定之配向狀態沈積。此時，藉由使用例如分子形狀為球狀之主體分子，而可使主體分子以無規之配向狀態沈積。
此處，成膜時之基板溫度於將客體分子之表面玻璃轉移溫度設為Tg(surface)時，較佳為Tg(surface)×0.85℃以下，更佳為Tg(surface)×0.7℃以下。又，成膜時之基板溫度Tgdeposition較佳為Tg(surface)×0.6℃以上。藉此，可使客體分子於水平方向等與分子形狀相應之方向上高度配向。
又，成膜時之基板溫度較佳為主體分子之表面玻璃轉移溫度以下。藉此，不論主體分子之分子形狀如何，均可使主體分子更確實地無規配向。進而，成膜時之基板溫度較佳為於相對於成膜時之基板之溫度[K]對已成膜之主體分子之配向秩序參數S進行繪圖而成之關係圖中，自主體分子之配向秩序參數S之變化量(dS/dK)為0.001以下之溫度區域進行選擇。藉此，可使主體分子穩定地無規配向並沈積，而可形成載子平衡更高之發光層。例如，於主體分子為mCBP之情形時，根據上述圖1，在200~350K之溫度區域，配向秩序參數S之變化量(dS/dK)為0.001以下，較佳為自該溫度區域與客體分子之表面玻璃轉移溫度以下之區域重疊之範圍選擇成膜時之基板溫度。
例如，上述mCBP與PXZ-TRZ之組合中，由於PXZ-TRZ之表面玻璃轉移溫度為304K，故而成膜時之基板溫度較佳為設為200~250K，更佳為設為200~230K，進而較佳為設為200~210K。
成膜速度或要成膜之發光層之厚度並無特別限定，可採用利用氣相生長法使發光層成膜時通常所使用之條件。
具體而言，成膜速度較佳為0.1nm/s~1nm/s，更佳為0.1nm/s~0.5nm/s，進而較佳為0.1nm/s~0.2nm/s。
發光層之厚度較佳為5~100nm，更佳為5~80nm，進而較佳為5~50nm。
較佳為如以上般使發光層成膜後，將形成有發光層之基板繼續保持為未達客體分子之玻璃轉移溫度(本體之玻璃轉移溫度)之溫度。藉此，可抑制客體分子之配向混亂而無秩序化，從而可確實地保持客體分子之配向。保持基板之溫度於將客體分子之本體之玻璃轉移溫度設為Tg(bulk)時，較佳為Tg(bulk)-0.15×Tg(bulk)K以下，更佳為Tg(bulk)-0.3×Tg(bulk)K以下。
利用本發明之製造方法製造之發光層可較佳地用作有機發光元件之發光層。藉此，可實現光提取效率較高且獲得較高之發光效率之有機發光元件。以下，對具有利用本發明之製造方法製造之發光層之有機發光元件(本發明之有機發光元件)進行說明。
應用利用本發明之製造方法製造之發光層之有機發光元件既可為有機光致發光元件，亦可為有機電致發光元件。於應用發光層之有機發光元件為有機電致發光元件之情形時，可獲得較高之光提取效率，並且可獲得良好之載子平衡，而可實現較高之發光效率。
有機光致發光元件具有於基板上至少形成有發光層之結構。又，有機電致發光元件具有至少形成有陽極、陰極、及陽極與陰極之間之有機層之結構。有機層至少包含利用本發明之製造方法製造之發光層，既可僅包含發光層，亦可除發光層以外亦包含1層以上之有機層。作為此種其他有機層，可列舉電洞傳輸層、電洞注入層、電子阻擋層、電洞阻擋層、電子注入層、電子傳輸層、激子阻擋層等。電洞傳輸層亦可為具有電洞注入功能之電洞注入傳輸層，電子傳輸層亦可
為具有電子注入功能之電子注入傳輸層。將具體之有機電致發光元件之結構例示於圖1。於圖1中，1表示基板、2表示陽極、3表示電洞注入層、4表示電洞傳輸層、5表示發光層、6表示電子傳輸層、7表示陰極。
以下，對除有機電致發光元件之發光層以外之各構件及各層進行說明。再者，基板與發光層之說明亦適合有機光致發光元件之基板與發光層。
(基板)
本發明之有機電致發光元件較佳為支持於基板。關於該基板並無特別限制，只要為自先前慣用於有機電致發光元件中者即可，例如可使用包含玻璃、透明塑膠、石英、矽等者。
(陽極)
作為有機電致發光元件中之陽極，可較佳地使用將功函數較大(4eV以上)之金屬、合金、導電性化合物及該等之混合物作為電極材料者。作為此種電極材料之具體例，可列舉Au等金屬、CuI、氧化銦錫(ITO)、SnO2、ZnO等導電性透明材料。又，亦可使用以IDIXO(In2O3-ZnO)等非晶質可製作透明導電膜之材料。陽極既可將該等電極材料藉由蒸鍍或濺鍍等方法形成薄膜，並利用光微影法形成所需形狀之圖案，或者於不太需要圖案精度之情形時(100μm以上左右)，亦可在上述電極材料之蒸鍍或濺鍍時介隔所需形狀之掩膜而形成圖案。或者，於使用如有機導電性化合物般可塗佈之材料之情形時，亦可使用印刷方式、塗佈方式等濕式成膜法。於自該陽極提取發光之情形時，較理想為使透過率大於10%，又，作為陽極之薄片電阻較佳為數百Ω/□以下。進而，膜厚雖亦取決於材料，但通常為10~1000nm，較佳為於10~200nm之範圍內選擇。
(陰極)
另一方面，作為陰極，可使用將功函數較小(4eV以下)之金屬(稱為電子注入性金屬)、合金、導電性化合物及該等之混合物作為電極材料者。作為此種電極材料之具體例，可列舉：鈉、鈉-鉀合金、鎂、鋰、鎂/銅混合物、鎂/銀混合物、鎂/鋁混合物、鎂/銦混合物、鋁/氧化鋁(Al2O3)混合物、銦、鋰/鋁混合物、稀土金屬等。該等中，就電子注入性及對氧化等之耐久性之方面而言，較佳為電子注入性金屬與作為功函數之值較其大且穩定之金屬之第二金屬的混合物，例如鎂/銀混合物、鎂/鋁混合物、鎂/銦混合物、鋁/氧化鋁(Al2O3)混合物、鋰/鋁混合物、鋁等。陰極可藉由將該等電極材料利用蒸鍍或濺鍍等方法形成薄膜而製作。又，作為陰極之薄片電阻較佳為數百Ω/□以下，膜厚通常為10nm~5μm，較佳為於50~200nm之範圍內選擇。再者，為使發出之光透過，只要有機電致發光元件之陽極或陰極中之任一者為透明或半透明，發光亮度便會提昇而較佳。
又，藉由將陽極之說明中所列舉之導電性透明材料用於陰極，而可製作透明或半透明之陰極，藉由應用其而可製作陽極與陰極之兩者均具有透過性之元件。
(注入層)
注入層係為了降低驅動電壓或提昇發光亮度而設置於電極與有機層之間之層，藉此有電洞注入層與電子注入層，亦可存在於陽極與發光層或電洞傳輸層之間、及陰極與發光層或電子傳輸層之間。注入層可視需要而設置。
(阻擋層)
阻擋層係可阻擋存在於發光層中之電荷(電子或電洞)及/或激子向發光層外擴散之層。電子阻擋層可配置於發光層與電洞傳輸層之間，阻擋電子朝向電洞傳輸層之方向通過發光層。同樣地，電洞阻擋層可配置於發光層與電子傳輸層之間，阻擋電洞朝向電子傳輸層之方
向通過發光層。又，阻擋層可用於阻擋激子擴散至發光層之外側。即，電子阻擋層、電洞阻擋層分別亦可兼具作為激子阻擋層之功能。本說明書中所提及之電子阻擋層或激子阻擋層係以包含以一層具有電子阻擋層及激子阻擋層之功能之層的含義而使用。
(電洞阻擋層)
所謂電洞阻擋層，廣義上具有電子傳輸層之功能。電洞阻擋層具有一面傳輸電子，一面阻擋電洞到達電子傳輸層之作用，藉此，可提昇發光層中之電子與電洞之再結合機率。作為電洞阻擋層之材料，視需要可使用下述電子傳輸層之材料。
(電子阻擋層)
所謂電子阻擋層，廣義上具有傳輸電洞之功能。電子阻擋層具有一面傳輸電洞，一面阻擋電子到達電洞傳輸層之作用，藉此，可提昇發光層中之電子與電洞再結合之機率。
(激子阻擋層)
所謂激子阻擋層係用以阻擋藉由在發光層內使電洞與電子再結合而產生之激子擴散至電荷傳輸層之層，藉由插入本層而可有效率地將激子封入發光層內，從而可提昇元件之發光效率。激子阻擋層可鄰接於發光層而插入至陽極側、陰極側之任一側，亦可同時插入至兩側。即，於在陽極側具有激子阻擋層之情形時，可於電洞傳輸層與發光層之間，鄰接於發光層而插入該層，於插入至陰極側之情形時，可於發光層與陰極之間，鄰接於發光層而插入該層。又，於陽極與鄰接於發光層之陽極側之激子阻擋層之間，可具有電洞注入層或電子阻擋層等，於陰極與鄰接於發光層之陰極側之激子阻擋層之間，可具有電子注入層、電子傳輸層、電洞阻擋層等。於配置阻擋層之情形時，較佳為用作阻擋層之材料之激發單重態能量及激發三重態能量之至少任一者高於發光材料之激發單重態能量及激發三重態能量。
(電洞傳輸層)
電洞傳輸層包含具有傳輸電洞之功能之電洞傳輸材料，電洞傳輸層可設置單層或複數層。
作為電洞傳輸材料，具有電洞之注入或傳輸、電子之障壁性中之任一者，可為有機物、無機物中之任一者。作為可使用之公知之電洞傳輸材料，例如可列舉：三唑衍生物、二唑衍生物、咪唑衍生物、咔唑衍生物、吲哚咔唑衍生物、聚芳基烷烴衍生物、吡唑啉衍生物及吡唑啉酮衍生物、苯二胺衍生物、芳基胺衍生物、胺基取代查爾酮衍生物、唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、茀酮衍生物、腙衍生物、茋衍生物、矽氮烷衍生物、苯胺系共聚合物、及導電性高分子低聚物、尤其是噻吩低聚物等，較佳為使用卟啉化合物、芳香族三級胺化合物及苯乙烯基胺化合物，更佳為使用芳香族三級胺化合物。
(電子傳輸層)
電子傳輸層包含具有傳輸電子之功能之材料，電子傳輸層可設置單層或複數層。
作為電子傳輸材料(亦有兼作為電洞阻擋材料之情況)，只要具有將自陰極注入之電子傳遞至發光層之功能即可。作為可使用之電子傳輸層，例如可列舉：硝基取代茀衍生物、二苯基苯醌衍生物、噻喃二氧化物衍生物、碳二醯亞胺、亞茀基甲烷衍生物、蒽醌二甲烷及蒽酮衍生物、二唑衍生物等。進而，於上述二唑衍生物中，將二唑環之氧原子取代為硫原子而成之噻二唑衍生物、具有作為拉電子基眾所周知之喹啉環之喹啉衍生物亦可用作電子傳輸材料。進而，亦可使用將該等材料導入至高分子鏈、或將該等材料作為高分子之主鏈之高分子材料。
該等層之製膜方法並無特別限定，可以乾式製程、濕式製程中之任一者製作。
以下，具體例示可用於有機電致發光元件之較佳之材料。然而，於本發明中可使用之材料並不由以下之例示化合物限定性地解釋。又，既可為作為具有特定功能之材料而例示之化合物，亦可作為具有其他功能之材料而轉用。再者，以下之例示化合物之結構式中之R、R'、R1~R10分別獨立表示氫原子或取代基。X表示形成環骨架之碳原子或雜原子，n表示3~5之整數，Y表示取代基，m表示0以上之整數。
首先，列舉可用作電洞注入材料之較佳之化合物例。
繼而，列舉可用作電洞傳輸材料之較佳之化合物例。
[化10]
繼而，列舉可用作電子阻擋材料之較佳之化合物例。
繼而，列舉可用作電洞阻擋材料之較佳之化合物例。
[化13]
繼而，列舉可用作電子傳輸材料之較佳之化合物例。
繼而，列舉可用作電子注入材料之較佳之化合物例。
進而，列舉作為可添加之材料之較佳之化合物例。例如，考慮作為穩定化材料而添加之情況等。
利用上述方法製作之有機電致發光元件係藉由對所獲得之元件之陽極與陰極之間施加電場而發光。此時，若為利用激發單重態能量之發光，則與其能階相應之波長之光被確認為螢光發光及延遲螢光發光。又，若為利用激發三重態能量之發光，則與其能階相應之波長被確認為磷光。通常之螢光之螢光壽命較延遲螢光發光短，故而發光壽命於螢光與延遲螢光可區分。
另一方面，關於磷光，如本發明之化合物之通常之有機化合物由於激發三重態能量不穩定而轉換為熱等，壽命較短而立即失去活性，故而於室溫下幾乎無法觀測到。為測定通常之有機化合物之激發三重態能量，可藉由觀測極低溫之條件下之發光而測定。
本發明之有機電致發光元件可應用於單一之元件、包含呈陣列狀配置之結構之元件、陽極與陰極呈X-Y矩陣狀配置之結構中之任一者。根據本發明，發光層係將基板溫度設為客體分子之表面玻璃轉移溫度以下之溫度並利用氣相生長法而成膜，藉此可獲得發光效率得到大幅改善之有機發光元件。本發明之有機電致發光元件等有機發光元件可進而應用於各種用途。例如，可使用本發明之有機電致發光元件製造有機電致發光顯示裝置，關於詳細情況，可參照時任靜士、安達千波矢、村田英幸合著之「有機EL顯示器」(Ohmsha公司)。又，尤其是本發明之有機電致發光元件亦可應用於需求較大之有機電致發光照明或背光裝置。
以下，列舉實施例對本發明之特徵進行更具體之說明。以下所示之材料、處理內容、處理順序等只要不脫離本發明之主旨則可適當變更。因此，本發明之範圍並不由以下所示之具體例限定性地解釋。再者，發光特性之評價係使用高性能紫外可見近紅外分光光度計(PerkinElmer公司製造：Lambda950)、螢光分光光度計(堀場製作所公司製造：FluoroMax-4)、絕對PL量子產率測定裝置(Hamamatsu Photonics公司製造：C11347)、電源電錶(Keithley公司製造：2400 Series)、半導體參數分析儀(Agilent Technologies公司製造：E5273A)、光功率測定裝置(Newport公司製造：1930C)、光學分光器(Ocean Optics公司製造：USB2000)、分光放射計(TOPCON公司製造：SR-3)及高速掃描攝影機(Hamamatsu Photonics股份有限公司製造之C4334型)而進行。
試驗例中使用之化合物之最低激發單重態能階ES1及最低激發三重態能階ET1係根據以下順序求得。又，最低激發單重態與77K之最低激發三重態之能量之差△Est係藉由計算ES1與ET1之差而求得。
(1)最低激發單重態能階ES1
將測定對象化合物蒸鍍於Si基板上而製作試樣，於常溫(300K)下測定該試樣之螢光光譜。螢光光譜係將縱軸作為發光、將橫軸作為波長。針對該發光光譜之短波側之下降繪製切線，求出該切線與橫軸之交點之波長值λedge[nm]。將利用以下所示之換算式將該波長值換算為能量值而得之值設為ES1。
換算式：ES1[eV]=1239.85/λedge
於發光光譜之測定時，激發光源係使用氮雷射(Lasertechnik Berlin公司製造，MNL200)，檢測器係使用高速掃描攝影機(Hamamatsu Photonics公司製造，C4334)。
(2)最低激發三重態能階ET1
將與單重態能量ES1相同之試樣冷卻於77[K]，對磷光測定用試樣照射激發光(337nm)，使用高速掃描攝影機測定磷光強度。針對該磷光光譜之短波長側之上升繪製切線，求出該切線與橫軸之交點之波長值λedge[nm]。將利用以下所示之換算式將該波長值換算為能量值而得之值設為ET1。
換算式：ET1[eV]=1239.85/λedge
針對磷光光譜之短波長側之上升之切線係以如下方式繪製。於光譜曲線上自磷光光譜之短波長側移動至光譜之極大值中之最靠短波長側之極大值時，朝向長波長側考慮曲線上之各點之切線。該切線隨著曲線之上升(即，隨著縱軸增加)而斜率增加。將於該斜率之值取極大值之點繪製之切線作為針對該磷光光譜之短波長側之上升之切線。
再者，具有光譜之最大峰值強度之10%以下之峰值強度之極大點不包含於上述最靠短波長側之極大值中，將於與最靠短波長側之極大值最接近且斜率之值取極大值之點繪製之切線作為針對該磷光光譜之短波長側之上升之切線。
(試驗例1)
利用真空蒸鍍法，於真空度1×10-3Pa以下之條件下將PXZ-TRZ與mCBP自不同之蒸鍍源蒸鍍於石英基板上，以40nm之厚度形成PXZ-TRZ之濃度為6.0重量%之薄膜而製成有機光致發光元件。此處，將形成薄膜時之基板溫度設為200K。
(試驗例2~3)
將形成薄膜時之基板溫度設為250K或300K，除此以外，與試驗例1同樣地製作有機光致發光元件。
關於試驗例1~3中製作之各有機光致發光元件，將測定光吸收光譜而得之結果示於圖3，將測定觀測波長530nm下之激發光譜及利
用340nm激發光之發光光譜而得之結果示於圖4。
圖3所示之吸收光譜中，均於340nm附近，主要觀測到源自mCBP之π-π*躍遷之吸收帶。又，各試驗例之吸收光譜大致完全重疊，而未確認相對於基板溫度之相依性。
觀察圖4之發光光譜，於530nm觀測到對應於PXZ-TRZ之綠色發光之峰值，而未檢測到mCBP之發光峰值。由此可確認能量效率良好地自mCBP移動至PXZ-TRZ。
(試驗例4~6)
將薄膜之厚度變更為15nm，除此以外，與試驗例1~3同樣地製作有機光致發光元件。
關於製作之有機光致發光元件，將測定觀測波長530nm下之發光強度之角相依性所得之結果、及將偶極比Pz/Px設為0.53、0.81、1.08進行光學模態分析所得之結果示於圖5。
根據圖5可見如下傾向：尤其於廣角區域，基板溫度越低則發光強度越降低。由於垂直偶極於膜之端面側放射光，故而其發光強度之角相依性顯示基板溫度越低則偶極之水平配向之比率越增加。又，模擬之發光強度之角相依性與測定結果非常一致，可知基板溫度為200K、250K、300K下之偶極比Pz/Px分別為0.53、0.81、1.08，基板溫度為200K、250K、300K下之配向秩序參數S分別為-0.31、-0.12、0.05。根據該等結果亦支持基板溫度越低則PXZ-TRZ之水平配向度越高。然而，mCBP於基板溫度未達100K時結晶化，且若未達200K，則配向秩序參數S急遽變化，因此可知於將PXZ-TRZ用作客體分子，將mCBP用作主體分子之情形時，較佳為將基板溫度設為使mCBP之無規配向充分穩定之200~250K。
(試驗例7)
於膜厚100nm之形成有包含銦-錫氧化物(ITO)之陽極之玻璃基板上，利用真空蒸鍍法於真空度1×10-3Pa下積層各薄膜。首先，於ITO上將α-NPD形成為30nm之厚度。繼而，將PXZ-TRZ與mCBP自不同之蒸鍍源共蒸鍍，形成40nm厚度之層作為發光層。此時，將PXZ-TRZ之濃度設為6.0重量%，將發光層之成膜時之基板之溫度設為200K。繼而，將TPBi形成為30nm之厚度，進而將氟化鋰(LiF)真空蒸鍍0.8nm，然後將鋁(Al)蒸鍍為80nm之厚度，藉此形成陰極，從而製成有機電致發光元件。
(試驗例8、9)
將發光層之成膜時之基板溫度設為250K或300K，除此以外，與試驗例1同樣地製作有機電致發光元件。
關於試驗例7~9中製作之各有機電致發光元件，將於0.01mA/cm2、0.1mA/cm2、1mA/cm2、10mA/cm2之電流密度下測定所得之發光光譜示於圖6，將於1mA/cm2之電流密度下測定出之光度之角度分佈示於圖7，將電流密度-外部量子效率特性示於圖8，將電壓-電流密度-亮度特性示於圖9。又，將測定出之PL特性及EL特性歸納示於表1。
觀察圖6，於各個電流密度下3個發光光譜重疊，未觀測到因基板溫度不同而產生之發光光譜之移位。就激子之空間分佈狀態對發光
光譜之形狀之影響而言，其結果顯示並未因基板溫度不同而使載子之再結合區域大幅移位。
根據圖7，於基板溫度300K下未觀測到以30°為峰值之放射圖案，可知隨著基板溫度變低，放射圖案接近朗伯之放射圖案，於基板溫度200K下垂直方向之放射佔優勢。該光度之角度分佈之基板溫度相依性與PL強度之角相依性依存於基板溫度而變化之情況非常相似，可知客體分子之配向秩序為決定有機EL元件之放射圖案之重要因素，且利用客體分子之水平配向對光提取效率之改善對外部量子效率之提昇有較大貢獻。
如圖8所示，最大外部量子效率於基板溫度300K下為9.6%，且隨著基板溫度變低而變大，於基板溫度200K下為11.9%。11.9%之最大外部量子效率為較300K之情形大24%之值。推測該最大外部量子效率之提昇起因於PXZ-TRZ之水平配向。
觀察圖9，亮度於基板溫度為200K下明顯得以改善，且起始電壓與驅動電壓於各個基板溫度下幾乎相同。由此暗示基板溫度對載子平衡之影響較小，可得出支持不會因基板溫度不同而使載子之再結合區域大幅移位之上述推定的結果。
如表1所示，可見如下傾向：PL量子效率隨著基板溫度變低而稍微增加。推測其並非起因於發光機率之增大，而是起因於薄膜之光提取效率之不同。關於此點，觀察圖4可知，於薄膜間發光光譜及激發光譜無差別，基態之電子結構及激發單重態之電子結構於基板溫度200K下蒸鍍之分子與300K下蒸鍍之分子無差別。進而，延遲成分之發光壽命於200K下為0.72μs、於300K下為0.85μs，△Est於200K下為32meV、於300K下為36meV，於兩者均幾乎相同。由此暗示相對於基板溫度之變化，客體分子之能量狀態穩定。該等情況支持上述推測。
利用本發明之發光層之製造方法製造之發光層之光提取效率較高，且使用其之有機發光元件可獲得較高之發光效率。因此，本發明之產業上之可利用性較高。
1‧‧‧基板
2‧‧‧陽極
3‧‧‧電洞注入層
4‧‧‧電洞傳輸層
5‧‧‧發光層
6‧‧‧電子傳輸層
7‧‧‧陰極
Claims (15)
- 一種發光層之製造方法，其特徵在於包括如下之發光層成膜步驟：當利用氣相生長法將包含主體分子與客體分子之發光層於基板上成膜時，將上述基板之溫度設為上述客體分子之表面玻璃轉移溫度以下之溫度而成膜。
- 如請求項1之發光層之製造方法，其中於上述發光層成膜步驟中，將上述基板之溫度設為上述主體分子之表面玻璃轉移溫度以上之溫度。
- 如請求項1之發光層之製造方法，其中於相對於成膜時之基板之溫度[K]對已成膜之主體分子之配向秩序參數S進行繪圖而成之關係圖中，自配向秩序參數S之變化量(dS/dK)為0.001以下之溫度區域選擇上述發光層成膜步驟中之上述基板之溫度。
- 如請求項1至3中任一項之發光層之製造方法，其中於上述發光層成膜步驟中，飛至被成膜面之上述主體分子成為過冷液體狀態。
- 如請求項1至3中任一項之發光層之製造方法，其中作為上述氣相生長法係使用真空蒸鍍法。
- 如請求項5之發光層之製造方法，其中分別配置包含客體分子之蒸鍍源與包含主體分子之蒸鍍源，將自該等蒸鍍源蒸發之蒸鍍粒子共蒸鍍於上述基板上。
- 如請求項1至3中任一項之發光層之製造方法，其中於上述發光層成膜步驟之後，將形成有上述發光層之上述基板繼續保持為未達上述客體分子之玻璃轉移溫度(Tg)之溫度。
- 如請求項1至3中任一項之發光層之製造方法，其中作為上述主體分子係使用具有下述式所表示之結構之化合物：
- 如請求項1至3中任一項之發光層之製造方法，其中作為上述客體分子係使用延遲螢光體。
- 如請求項1至3中任一項之發光層之製造方法，其中作為上述客體分子係使用具有下述式所表示之結構之化合物：
- 如請求項8之發光層之製造方法，其中於上述發光層成膜步驟中，將上述基板之溫度設為200~250K。
- 一種發光層，其係藉由如請求項1至11中任一項之製造方法而成膜。
- 一種發光層，其特徵在於：其係包含主體分子與客體分子之發光層，且上述主體分子之配向秩序參數S為0±0.1，上述客體分子之配向秩序參數S未達-0.1。
- 一種有機發光元件，其特徵在於：包含如請求項12或13之發光層。
- 如請求項14之有機發光元件，其係有機電致發光元件。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201461937049P | 2014-02-07 | 2014-02-07 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201531586A true TW201531586A (zh) | 2015-08-16 |
Family
ID=53777743
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW104102419A TW201531586A (zh) | 2014-02-07 | 2015-01-23 | 發光層之製造方法、發光層及有機發光元件 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| TW (1) | TW201531586A (zh) |
| WO (1) | WO2015118936A1 (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI552385B (zh) * | 2015-09-04 | 2016-10-01 | 錼創科技股份有限公司 | 發光元件 |
| US10170455B2 (en) | 2015-09-04 | 2019-01-01 | PlayNitride Inc. | Light emitting device with buffer pads |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6768534B2 (ja) * | 2016-07-20 | 2020-10-14 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 有機電界発光素子、有機電界発光装置および電子機器 |
| JP6582038B2 (ja) * | 2017-12-26 | 2019-09-25 | 株式会社Ｋｙｕｌｕｘ | 配向制御剤、膜および有機発光素子 |
| CN112382730B (zh) * | 2020-11-11 | 2024-06-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光二极管和制备方法，显示面板和显示装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5408474B2 (ja) * | 2009-03-11 | 2014-02-05 | 国立大学法人九州大学 | 電荷輸送性非晶質薄膜の分子配向方向の制御方法及び電荷輸送性非晶質薄膜の製造方法 |
| JP2014135466A (ja) * | 2012-04-09 | 2014-07-24 | Kyushu Univ | 有機発光素子ならびにそれに用いる発光材料および化合物 |
-
2015
- 2015-01-20 WO PCT/JP2015/051338 patent/WO2015118936A1/ja active Application Filing
- 2015-01-23 TW TW104102419A patent/TW201531586A/zh unknown
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI552385B (zh) * | 2015-09-04 | 2016-10-01 | 錼創科技股份有限公司 | 發光元件 |
| US10170455B2 (en) | 2015-09-04 | 2019-01-01 | PlayNitride Inc. | Light emitting device with buffer pads |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2015118936A1 (ja) | 2015-08-13 |
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