CN110957435B - 一种基于tta延迟荧光的有机电致发光器件 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种基于三重态‑三重态湮灭(TTA)延迟荧光的有机电致发光器件，其中主体材料至少由一种有机化合物组成，且主体材料中的有机化合物具有TTA延迟荧光效果；其中客体材料为具有热活化延迟荧光效果的有机化合物，且客体材料的单线态能级低于主体材料的单线态能级，客体材料的三线态能级高于主体材料的三线态能级。通过此方法制备出来有机电致发光器件具有高效率和长寿命特性。

Description

一种基于TTA延迟荧光的有机电致发光器件

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种高效率、长寿命有机电致发光器件。

背景技术

近年来，有机电致发光二极管(OLED)已经被广泛的研究开发。有机电致发光器件最简单的基本结构包含发光层，以及夹在发光层两侧相对的阴极和阳极。有机电致发光器件由于可以实现超薄超轻量化、对输入信号响应速度快、且可以实现低压直流驱动，被认为是下一代平板显示材料而受到广泛关注。

在有机电致发光器件中，发光层包含主体材料和客体材料，当在电极两端施加电压时，电子和空穴分别从阴极和阳极注入到发光层中，当电子和空穴在发光层中相遇形成激子并复合，能量就通过光的形式释放出来。需要注意的是有机材料形成的激发态是由三线态激子和单线态激子共同组成的，通过单线态发光的材料被称为荧光材料，通过三线态激子发光的材料被称为磷光材料。单线态激子和三线态激子形成的比例为1:3，换句话说，磷光材料相比于荧光材料具有更高的器件发光效率。因此磷光材料由于效率加高，近些年来得到了快速发展。

磷光材料由于重原子中心强的自旋-轨道耦合增强了系间窜越，可以有效利用电激发形成的单线态激子和三线态激子发光，使器件的内量子效率达100％，已经广泛的应用在绿光和红光发射上。但是磷光蓝光发射一直是困扰产业界多年的问题，主要原因是蓝光磷光发射需要较高的三线态能量，但同时导致较低的材料稳定性，因此难于兼具高效率与高稳定性，因此开发出更加稳定的荧光材料用于蓝光发射至关重要。

三重态-三重态湮灭(TTA)延迟荧光材料可以将不发光的三线态激子转变为单线态激子发光。当两个三线态激子相互碰撞后通过能量转移并通过角动量耦合形成一个可以发光的三线态激子，大幅提高了激子利用率。现阶段，使用的TTA效果的延迟荧光材料与传统的荧光发光材料搭配，效率有所提高，但是器件效率与磷光材料相比仍具有较大的差异，同时器件的稳定性较低，实际上存在如下问题：

(1)传统荧光发光材料只有25％的单线态激子利用率，75％的三线态激子由于自旋限制无法发光；

(2)虽然TTA延迟荧光材料可以将部分三线态激子转变为单线态激子发光，由于转化不充分，仍然会有部分三线态激子能量浪费，激子利用率达不到极值；另一面也会导致主体材料三线态激子浓度过高，影响材料的稳定性。

为了提高有机电致发光器件的效率以及稳定性，必须进行器件结构的改进以及材料的开发，才能满足未来面板企业以及照明企业的需求。

发明内容

针对现有技术存在的上述问题，本申请提供了一种基于TTA延迟荧光材料的高效率、长寿命有机电致发光器件。本申请一方面能够利用荧光材料获取和磷光材料媲美的器件效率；另一反面能够减小光谱的半峰宽度，有效提高有机发光器件的寿命和色纯度。

本发明的技术方案如下：

一种有机电致发光器件，包括阴极、阳极、以及位于阴极和阳极之间的发光层；所述发光层包括主体材料和客体材料；所述阳极和发光层之间含有空穴传输区域，所述阴极和发光层之间含有电子传输区域；

所述主体材料包含至少一种有机化合物，所述有机化合物为三重态-三重态湮灭即TTA延迟荧光材料中的一种，所述客体材料为热活化延迟荧光材料中的一种。

优选的，所述主体材料的三线态能级比单线态能级数值的二分之一高。

优选的，所述客体材料单线态能级与三线态能级差小于等于0.2eV。

优选的，所述主体材料的单线态能级高于客体材料的单线态能级，且两者的能级差不小于0.2eV；所述主体材料的三线态能级小于客体材料材料的三线态能级。

优选的，所述热活化延迟荧光材料单线态能级与三线态能级差优选的小于0.15eV。

优选的，所述主体材料的有机化合物为如下通式(1)所示结构：

通式(1)中，R₁-R₈为氢原子、卤素原子、取代或未取代的碳原子数为1～10的烷基、取代或未取代的碳原子数为3～10的环烷基、取代或未取代的碳原子数为3～20的烷基甲硅烷基、取代或未取代的成环碳原子数为6～30的芳基甲硅烷基、取代或未取代的碳原子数为1～10的烷氧基、取代或未取代的成环碳原子数为6～30的芳氧基、取代或未取代的成环碳原子数为6～30的芳香烃环基、或取代或未取代的成环原子数为5～30的杂环基中的一种；

R₉、R₁₀分别独立的为取代或未取代的成环碳原子数为6～30的芳香烃环基、或取代或未取代的成环碳原子数为5～30的杂环基；且R₉和R₁₀的芳香烃环基或杂环基的取代基不含有苯乙烯基。

更优选的，所述主体材料的有机化合物为以下结构中的一种：

优选的，所述热活化延迟荧光材料为D-A、D-A-D或者A-D-A结构的有机化合物，或者为含硼或含铜金属配合物的有机化合物。

更优选的，所述热活化延迟荧光材料选自以下有机化合物，但不限于此：

优选的，所述空穴传输区域包含空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层中的一种或多种组合。

优选的，所述电子传输区域包含电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层中的一种或多种组合。

还可以优选的，所述主体材料为具有蒽或蒽衍生物的有机化合物。

还可以更优选地，主体材料选自以下化合物：

还可以优选的，所述热活化延迟荧光材料也可以选自含硼或者含铜、锌、铱等金属配合物的有机化合物。还可以更优选的，客体材料选自以下化合物：

优选的，客体材料相对于主体材料的质量百分比为1-5％，优选1-3％；

优选的，客体材料相对于主体材料的质量百分比为5-30％，优选5-10％；

本发明有益的技术效果在于：

本发明提供的有机电致发光器件发光层的主体材料为具有TTA延迟荧光效果的有机化合物，客体材料为具有热活化延迟荧光效果的有机化合物，其具体结构可为D-A、D-A-D或者A-D-A结构，或者是含硼，或者是含铜等金属配合物的有机化合物。

三重态-三重态湮灭(TTA)延迟荧光材料可以将不发光的三线态激子转变为单线态激子发光。当两个三线态激子相互碰撞后通过能量转移并通过角动量耦合形成一个可以发光的单线态激子，大幅提高了激子利用率。同时发光层中掺杂材料是具有TADF效果的有机化合物，可以通过反系间窜越将不发光的三线态激子转变为可发光的单线态激子，提高发光效率。利用TADF材料一方面可以利用客体材料的三线态激子发光，提高器件的发光效率；另一方面，可以有效的减小主体材料三线态激子浓度，降低三线态激子淬灭几率，提高器件的稳定性。

同时TADF客体掺杂材料可以是含硼或者含铜的有机化合物。由于硼或者是铜原子的存在，使得分子内刚性增强，分子的柔性降低，材料基态和激发态的构型差异降低，材料发光光谱的FWHM得到有效降低，有利于提升器件的色纯度，从而提高器件的色域。因此，本发明的器件结构搭配能够有效提升器件效率、寿命和色纯度。

为了能更进一步的了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，需要说明的是，附图仅供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。

附图说明

图1为本发明有机电致发光器件的一种实施方案的示意图，其中：1、基板层；2、阳极层；3、空穴注入层；4、空穴传输层；5、电子阻挡层；6、发光层；7、空穴阻挡/电子传输层；8、电子注入层；9、阴极层。

图2为本发明中所使用的主体材料瞬态延迟荧光光谱。

图3为所制备器件外量子效率随温度变化曲线图。

具体实施方式

下面结合附图1和实施例，对本发明进行具体描述，但本发明的范围不受这些制备实施例的限制。在本发明的上下文中，除非另有说明，HOMO意指分子的最高占据轨道，而LUMO意指分子的最低空轨道。此外，本说明书中所涉及的“LUMO能级差值”意指每个能量值的绝对值的差值。

在本发明的上下文中，除非另有说明，单重态(S1)能级意指分子的单重态最低激发态能级，而三重态(T1)能级意指分子的三重态最低激发能级。此外，本说明书中所涉及的“三重态能级差值”以及“单重态和三重态能级差值”意指每个能量的绝对值的差值。此外，各能级之间的差值用绝对值表示。

本文中所列出的任何数值范围意指包括纳入所列范围内具有相同数值精度的全部子范围。例如，“1.0至10.0”意指包括在所列最小值1.0和所列最大值10.0之间的全部子范围(且包括1.0和10.0)，也就是说，具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值的全部子范围。本文所列出的任何最大数值限制意指包括纳入本文的全部更小的数值限制，并且本文所列出的任何最小数值限制意指包括纳入本文的全部更大的数值限制。因此，申请人保留修改包括权利要求书的本说明书的权利，以明确描述落入本文明确描述的范围内的任何子范围。

为了彻底理解本发明，将在下列的描述中提出详细的步骤以及详细的结构，以便阐释本发明的技术方案。

具体的，如图1所示的结构，该OLED器件包括有：

1、基板层；2、阳极层；3、空穴注入层；4、空穴传输层；5、电子阻挡层；6、发光层；7、空穴阻挡/电子传输层；8、电子注入层；9、阴极层。

作为本发明有机电致发光器件的基板层1，可选用任何常用于有机电致发光器件的基板。基板可以选取玻璃、石英片、硅片、金属片或表面经处理后的聚合物软膜作为基板。在本发明的实施例中，优选使用玻璃基板。基板的厚度没有特别限制。

阳极层可以是全反射电极层也可以是半透明半反射层；阴极层也可以是全反射电极层也可以是半透明半反射层；

对于底发射结构，阳极层2为透明的阳极，可以为金属氧化物，如氧化锌、氧化铟、氧化锡、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌以及其他类似的金属氧化物；可以为金属或者几种金属的合金，如Al、Mg、Ca、Li、Yb、Mg:Ag、Yb:Ag、Mg/Ag、Yb/Ag、Li/Ag、Al/Ag、Ca/Ag等。此阳极层2需要有良好的导电性、良好的透过率、良好的化学形态以及稳定性等。阴极层9为具有良好反射率且不透光的阴极，可以为金属或几种金属的合金，如Ag、Au、Pd、Pt、Ag:Au、Ag:Pd、Ag:Pt、Al:Au、Al:Pd、Al:Pt、Ag:Au、Au/Ag、Pd/Ag、Pt/Ag等。此阴极层9需要有良好的导电性、良好的透过率、良好的化学形态以及稳定性等。

对于顶发射结构，上述阳极层2为高反射率且不透光的阳极，可以为金属或者几种金属的合金如：Ag、Au、Pd、Pt、Ag:Au、Ag:Pd、Ag:Pt、Al:Au、Al:Pd、Al:Pt、Ag:Au、Au/Ag、Pd/Ag、Pt/Ag等。此电极需要有良好的导电性、高反射率、良好的化学形态以及稳定性等特性。阴极层9为透明的阴极，可以为金属氧化物，如氧化锌、氧化铟、氧化锡、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌以及其他类似的金属氧化物；可以为金属或者几种金属的合金，如Al、Mg、Ca、Li、Yb、Mg:Ag、Yb:Ag、Mg/Ag、Yb/Ag、Li/Ag、Al/Ag、Ca/Ag等。此电极需要有良好的导电性、良好的透过率、良好的化学形态以及稳定性等。

优选的，本发明的有机电致发光器件为底发射器件，所使用的阳极为透明阳极，阳极材料可选自金属氧化物，如氧化锌、氧化铟、氧化锡、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌以及其他类似的金属氧化物；也可以选自金属或者几种金属的合金，如Al、Mg、Ca、Li、Yb、Mg:Ag、Yb:Ag、Mg/Ag、Yb/Ag、Li/Ag、Al/Ag、Ca/Ag等。

优选的，本发明的有机电致发光器件包含空穴注入层3。该空穴注入层3可优选地置于阳极层2和发光层6之间。空穴注入层3由本领域技术人员已知的空穴注入材料形成。空穴注入材料是一种在低电压下容易接收来自阳极的空穴的材料，并且空穴注入材料的HOMO的数值优选位于阳极层2材料的功函数和周围电子阻挡层材料的HOMO之间。空穴注入材料的具体实例包括但不限于：金属卟啉类有机材料、寡聚噻吩类有机材料、芳胺类有机材料、六腈六氮杂苯并菲类有机材料、喹吖啶酮类有机材料、苝类有机材料、蒽醌类导电聚合物、聚苯胺类导电聚合物或聚噻吩类导电聚合物等。

优选的，本发明的有机发光器件包含空穴传输层4。该空穴传输层4可优选地置于空穴注入层3与发光层6之间，或者置于阳极层2与发光层6之间。空穴传输层4由本领域技术人员已知的空穴传输材料形成。空穴传输材料优选为具有高空穴迁移率的材料，其能够将空穴从阳极层2或空穴注入层3转移至发光层6。空穴传输材料的具体实例包括但不限于：芳胺类有机材料、导电聚合物以及具有接合部分和非接合部分的嵌段共聚物。

优选的，本发明的有机发光器件还包含电子阻挡层5。该电子阻挡层5可优选地置于空穴传输层4与发光层6之间，或空穴注入层3与发光层6之间，或者置于阳极层2与发光层6之间。电子阻挡层由本领域技术人员已知的电子阻挡材料形成，例如TCTA。

优选的，本发明的有机发光器件包含电子注入层8。该电子注入层8可优选地置于阴极层9和发光层6之间。电子注入层8由本领域技术人员已知的电子注入材料形成。所述电子注入层8可使用例如电子接受有机化合物来形成。此处，作为电子接受有机化合物，可使用已知的任选的化合物，而没有特别的限制。作为此类有机化合物包括并不限于：多环化合物，例如对三联苯或四联苯或其衍生物；多环烃化合物，例如萘、并四苯、苝、六苯并苯、屈、蒽、二苯基蒽或菲，或其衍生物；或杂环化合物，例如，菲咯啉、红菲绕啉、菲啶、吖啶、喹啉、喹喔啉或吩嗪，或其衍生物；还可使用无机物来形成，包括但不限于：镁、钙、钠、钾、钛、铟、钇、锂、钆、镱、铝、银、锡和铅或其合金；LiF、LiO₂、LiCoO₂、NaCl、MgF₂、CsF、CaF₂、BaF₂、NaF、RbF、CsCl、Ru₂CO₃、YbF₃等；以及具有多层结构的材料，例如LiF/Al或LiO₂/Al等。

优选的，本发明的有机发光器件包含电子传输层。该电子传输层可优选地置于电子注入层8和发光层6之间，或阴极层9与发光层6之间。电子传输层由本领域技术人员已知的电子传输材料形成。电子传输材料是一种能够容易地接收来自阴极的电子并将所接收的电子转移至发光层的材料。优选具有高电子迁移率的材料。电子传输材料的具体实例包括，但不限于，8-羟基喹啉铝络合物；包含8-羟基喹啉铝的复合物；有机自由基化合物；以及羟基黄酮金属络合物；以及TPBi。

优选的，本发明的有机发光器件还包含空穴阻挡层。该空穴阻挡层可优选地置于电子传输层与发光层6之间，或电子注入层8与发光层6之间，或者置于阴极层9与发光层6之间。所述空穴阻挡层为通过阻止注入的空穴穿过发光层到达阴极的层，且通常可在与空穴注入层相同的条件下形成。其具体实例包括噁二唑衍生物、三唑衍生物、菲啰啉衍生物、BCP、铝复合物等，但不限于此。

优选的，空穴阻挡层可与电子传输层为同一层，即空穴阻挡/电子传输层7。

本发明的有机发光器件可使用本领域中已知的相同材料和方法进行生产。具体而言，有机发光器件可通过以下步骤进行生产：使用物理气相沉积(PVD)法(例如溅镀或电子束蒸镀)将金属、导电金属氧化物或其合金沉积在基底上以形成阳极层；在阳极层上形成包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层和电子传输层的有机材料层；随后在其上沉积可用于形成阴极的材料。此外，还可通过在基底上依序沉积阴极材料、一个或多个有机材料层和阳极材料来制造有机发光器件。此外，在制造有机发光器件期间，除了物理气相沉积法，还可使用溶液涂布法将本发明的有机发光复合材料制成有机材料层。如本说明书中所用，术语“溶液涂布法”意指旋转涂布、浸渍涂布、刮刀涂布、喷墨印刷、网印、喷涂、辊式涂布等，但不限于此。

关于各个层的厚度，没有特定的限制，本领域技术人员可根据需要和具体情况决定。

优选的，发光层以及任选地空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层以及电子传输层、电子注入层的厚度分别为0.5至150nm，优选1至100nm。

优选的，发光层的厚度为20至80nm，优选30至60nm。

以下实施例与对比例旨在更好地解释本发明，但本发明的范围不限于此。

实施例1

实施例1制备得到的有机电致发光器件结构如图1所示，器件具体制备过程如下：

清洗透明玻璃基板层1上的ITO阳极层2，分别用去离子水、丙酮、乙醇超声清洗各30分钟，然后在等离子体清洗器中处理2分钟；将ITO玻璃基板干燥处理后，置于真空腔体内，待真空度小于1*10^-6Torr，在ITO阳极层2上，蒸镀膜厚为10nm的HT1和P1混合物，HT1和P1质量比为97:3，该层为空穴注入层3；接着，蒸镀50nm厚的HT1，该层作为空穴传输层4；接着蒸镀20nm厚的EB1，该层作为电子阻挡层5；进一步，蒸镀25nm的发光层6，其中，发光层6包括主体材料和客体掺杂染料，具体材料的选用如表1所示，按照主体材料与掺杂染料的质量百分比，通过膜厚仪进行速率控制；在发光层6之上，进一步的蒸镀厚度为40nm的ET1和Liq，ET1和Liq质量比为1:1，这层有机材料作为空穴阻挡/电子传输层7；在空穴阻挡/电子传输层7之上，真空蒸镀厚度为1nm的LiF，该层为电子注入层8；在电子注入层8之上，真空蒸镀阴极Al(80nm)，该层为阴极电极层9。不同的器件其蒸镀膜厚有所差异。

实施例2～30和对比例1～21：

制备方法与实施例1相似，所不同的是发光层材料的选择会有所区别，具体材料的选用如表1所示。

表1

表1中涉及到的其余材料的结构式如下所示：

其中主客体材料的能级关系如下表2所示：

表2

上述主体材料H10、H22、H67、H75、H76、mCP、CBP的电致瞬态荧光光谱如图2所示，当脉冲电压撤掉以后，mCP、CBP的电致发光强度迅速减弱，之后发光强度逐渐消失。主体材料H10、H22、H67、H75、H76延迟荧光的衰减强度相比于mCP以及CBP要慢很多，说明这些主体材料是具有延迟荧光效果的。

检测例：

本发明采用以下方法对材料和器件进行性能测试：

对于OLED材料的HOMO能级的直接测试手段，有多种手段，包括CV方法，UPS方法，IPS方法，AC方法等，也可以通过量化计算的方式，实现OLED材料的HOMO能级预测。上述各种测量手段中，CV方法受溶剂以及操作方法的影响比较大，测量数值往往差异性较大，AC方法测量的时候，样品需要放置在干燥空气的环境中，当高能量的紫外单色光作用在样品表面的时候，逸出电子需要和空气中的氧结合，探测器才能获得信号，因此，样品材料受环境中氧元素的影响较大，对于一些深HOMO能级(譬如P掺杂材料)的材料的HOMO能级的测试不准确。

无论是UPS方法还是IPS方法，均可以做到在高真空环境下OLED材料光电子能谱的测试，这样就可以最大限度的排除不良环境影响，接近OLED发光器件的制备环境氛围，最大限度的接近原位测量的理念，因此从测量方法上来说，相较于其他测量方法，具有较高的数值准确度。即便如此，还是需要强调，不同材料HOMO能级的测试，只有做到了设备的一致性，方法的一致性，规避测试环境的影响，材料之间的HOMO能级才具有绝对对比的意义。本发明所有涉及材料的HOMO能级均为IPS的测量手段。

具体测量方法如下：

利用真空蒸镀设备，在真空度1.0E^-5Pa压力下，控制蒸镀速率为

/s，将材料蒸镀到ITO基板上，其膜厚为60-80nm，然后利用用IPS3测量设备，对样品膜的HOMO能级水平进行测量，测量环境为10-2Pa以下的真空环境；

Eg能级：基于材料单膜的紫外分光光度(UV吸收)基线与第一吸收峰的上升侧画切线，用切线和基线交叉点数值算出。

LUMO能级：基于前述HOMO能级与Eg能级的差值计算得出。

S1能级和T1能级通过测量样品常温和低温PL光谱得到，测量步骤如下：在真空蒸镀腔中制备上述材料的混合单膜，之后分别测量上述单膜的常温PL光谱以及低温PL光谱。常温PL光谱通过325nm的激光光源照射样品表面，检测其出射光获得激发光谱峰值波长。低温PL光谱，通过将样品冷却到35K，通过用325nm的激光光源照射样品表面，检测其出射光获得激发光谱峰值波长。之后通过公式E＝1240/λ换算出S1、T1，得出ΔEst的值。

电致瞬态荧光光谱是通过瞬态电致发光测量仪(Agilent 8114A)测量得到。利用真空蒸镀设备，在真空度1.0E-5Pa压力下，控制蒸镀速率为

/s，将不同主体材料蒸镀到ITO基板上，其膜厚为60-80nm，然后在主体材料上蒸镀Al电极，其膜厚为100nm，制备成不同的器件。将样品固定在光学支架上，脉冲电压通过脉冲信号发生器施加在样品器件上(脉冲频率为1kHz)，器件的电致发光由光纤探头接收后输入到数字示波器显示并储存。电致发光光谱则由SpectraPro-2300i光栅光谱仪测得。

对实施例1～30和对比例1～21制备得到的有机电致发光器进行性能测试，结果如表3所示。

表3

从表3中数据可以看到，实施例1～30与对比例1～21相比，采用上述搭配以TTA延迟荧光材料为主体材料、传统荧光材料作为客体材料，相比传统材料作为主体材料的器件效率与器件寿命得到明显提高，同时器件光谱的FWHM降低，器件色纯度提升。采用TTA延迟荧光材料与DB-1、DB-2等热活化延迟荧光材料搭配，器件效率和寿命提升明显，同时TADF材料具有较纯的发射光谱，在提升器件效率和寿命的同时可以进一步改善器件的色纯度。主要原因是TTA材料可以通过三线态-三线态湮灭将不可发光的三线态激子转变为可以利用的单线态激子，提高单线态激子数量，所以通过使用TTA延迟荧光材料与传统荧光材料搭配可以有效的提升器件效率同时减小了三线态激子淬灭，提高了器件稳定性，器件寿命得以延长。同时通过使用TTA延迟荧光材料与DB-1、DB-2等热活化延迟荧光材料搭配，进一步提高了客体材料三线态激子的利用率，以进一步改善器件寿命。

进一步的，由于客体材料可以选自含硼、铜原子的热活化延迟荧光材料，这类材料具有分子刚性强且基态和激发态构型差异小的特点，材料发光光谱的半峰宽可以得到有效降低，有利于提升器件的色纯度，从而提高器件的色域。与TTA延迟荧光主体材料搭配，在提高器件色纯度的同时可以进一步的提高器件的效率以及稳定性。

更进一步的，本发明制备的OLED器件在不同温度下工作时器件效率也比较稳定，将器件实施例7、15、25和比较例4、12、17在-10～80℃进行效率比较，测试结果如表4和图3所示。

表4

注：以上测试数据为器件在10mA/cm²的器件数据。

从上表4和图3所示，可以发现，本申请结构所采用的主体材料和客体材料搭配的器件在不同的温度下相比于传统器件搭配，其效率变化较小，在较高的温度下几乎没有变化，表明本本申请的结构搭配具有较好的器件稳定性。

Claims (3)

1.一种有机电致发光器件，包括阴极、阳极、以及位于阴极和阳极之间的发光层；所述发光层包括主体材料和客体材料；所述阳极和发光层之间含有空穴传输区域，所述阴极和发光层之间含有电子传输区域；其特征在于，

所述主体材料包含至少一种有机化合物，所述有机化合物为三重态-三重态湮灭即TTA延迟荧光材料中的一种，所述客体材料为热活化延迟荧光材料中的一种；

所述主体材料的有机化合物为以下结构中的一种：

所述热活化延迟荧光材料选自以下有机化合物：

2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴传输区域包含空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层中的一种或多种组合。

3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子传输区域包含电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层中的一种或多种组合。

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