CN113097400A - 一种有机发光二极管结构和显示装置 - Google Patents
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 125
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 60
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 34
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 30
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 claims description 24
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 claims description 24
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 21
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 21
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 10
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 7
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 6
- 125000006413 ring segment Chemical group 0.000 claims description 6
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 claims description 4
- 125000006819 (C2-60) heteroaryl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000004453 alkoxycarbonyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000005110 aryl thio group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 claims description 3
- 229910052805 deuterium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 125000004431 deuterium atom Chemical group 0.000 claims description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical group [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000005012 migration Effects 0.000 claims 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 claims 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 23
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 8
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 8
- 101001003146 Mus musculus Interleukin-11 receptor subunit alpha-1 Proteins 0.000 description 4
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 4
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Chemical compound O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 3
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 3
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 2
- 125000006615 aromatic heterocyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- TXCDCPKCNAJMEE-UHFFFAOYSA-N dibenzofuran Chemical group C1=CC=C2C3=CC=CC=C3OC2=C1 TXCDCPKCNAJMEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 2
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003003 spiro group Chemical group 0.000 description 2
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXKMXDQBHDTQII-UHFFFAOYSA-N 9-phenyl-3,6-bis(9-phenylcarbazol-3-yl)carbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=C(C=3C=C4C5=CC(=CC=C5N(C=5C=CC=CC=5)C4=CC=3)C=3C=C4C5=CC=CC=C5N(C=5C=CC=CC=5)C4=CC=3)C=C2C2=CC=CC=C21 FXKMXDQBHDTQII-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000687716 Drosophila melanogaster SWI/SNF-related matrix-associated actin-dependent regulator of chromatin subfamily A containing DEAD/H box 1 homolog Proteins 0.000 description 1
- 101000687741 Mus musculus SWI/SNF-related matrix-associated actin-dependent regulator of chromatin subfamily A containing DEAD/H box 1 Proteins 0.000 description 1
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Natural products C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 anthracene compound Chemical class 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- DKHNGUNXLDCATP-UHFFFAOYSA-N dipyrazino[2,3-f:2',3'-h]quinoxaline-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile Chemical compound C12=NC(C#N)=C(C#N)N=C2C2=NC(C#N)=C(C#N)N=C2C2=C1N=C(C#N)C(C#N)=N2 DKHNGUNXLDCATP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 125000006575 electron-withdrawing group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- SKEDXQSRJSUMRP-UHFFFAOYSA-N lithium;quinolin-8-ol Chemical compound [Li].C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 SKEDXQSRJSUMRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- ONFSYSWBTGIEQE-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-4-[2-[4-[2-[4-(n-phenylanilino)phenyl]ethenyl]phenyl]ethenyl]aniline Chemical compound C=1C=C(C=CC=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=CC=1C=CC(C=C1)=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ONFSYSWBTGIEQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
- H10K2101/40—Interrelation of parameters between multiple constituent active layers or sublayers, e.g. HOMO values in adjacent layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/12—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising dopants
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/18—Carrier blocking layers
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
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Abstract
本公开提供一种有机发光二极管结构和显示装置。有机发光二极管结构中的发光层、空穴阻挡层和电子阻挡层满足以下条件：T1(HBL)>T1(Host)；T1(EBL)＞T1(Host)；T1(Dopant)＞T1(Host)；S1(Host)＞S1(Dopant)；其中，T1(HBL)为空穴阻挡层材料的最低三重态能量，T1(Host)为主体材料的最低三重态能量，T1(EBL)为电子阻挡层材料的最低三重态能量，T1(Dopant)为客体材料的最低三重态能量，S1(Host)为主体材料的最低单重态能量，S1(Dopant)为客体材料的最低单重态能量。本公开实施例的技术方案有助于提高显示器件的发光效率和寿命。
Description
技术领域
本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种有机发光二极管结构和显示装置。
背景技术
有机电致发光显示器(OrganicLight-Emitting Diode，OLED)作为一种新型的显示技术逐渐受到更多的关注。由于其具有主动发光、发光亮度高、分辨率高、宽视角、响应速度快、低能耗以及可柔性化等特点，成为目前市场上炙手可热的主流显示产品。
发明内容
第一方面，本公开实施例提供了一种有机发光二极管结构，包括依次层叠设置的阴极、电子传输层、空穴阻挡层、发光层、电子阻挡层、空穴传输层和阳极，所述发光层包括主体材料和客体材料；
所述主体材料具有结构：
取代基R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8各自独立的选自：氢原子、氘原子、具有6至60个碳原子的取代或未取代的芳基、具有6至60个碳原子的取代或未取代的杂芳基、具有1至50个碳原子的取代或未取代的烷基、具有1至50个碳原子的取代或未取代的环烷基、具有1至50个碳原子的取代或未取代的烷氧基、具有6至50个碳原子的取代或未取代的芳烷基、具有5至50个环原子的取代或未取代的芳氧基、具有5至50个环原子的取代或未取代的芳硫基、具有1至50个碳原子的取代或未取代的烷氧基羰基；
取代基Ar1为取代或未取代的芳基；
取代基Ar2选自以下任一项：
其中，L为单键、取代或未取代的芳基；
R为取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基，多个R相同或不同；
a为0～5的整数，b为0～5的整数；
所述发光层、所述空穴阻挡层和所述电子阻挡层满足以下条件：
T1(HBL)>T1(Host)；
T1(EBL)＞T1(Host)；
T1(Dopant)＞T1(Host)；
S1(Host)＞S1(Dopant)；
电子阻挡层和空穴传输层的材料包括芳胺类材料或咔唑材料，空穴传输层的空穴迁移率范围位于10-4～10-6cm2V-1s-1，电子阻挡层的空穴迁移率范围位于10-4～10-7cm2V-1s-1；
其中，所述T1(HBL)为空穴阻挡层材料的最低三重态能量，所述T1(Host)为所述主体材料的最低三重态能量，所述T1(EBL)为电子阻挡层材料的最低三重态能量，T1(Dopant)为所述客体材料的最低三重态能量，所述S1(Host)为所述主体材料的最低单重态能量，所述S1(Dopant)为所述客体材料的最低单重态能量。
可选的，所述空穴阻挡层和所述电子传输层满足以下条件：
0.4eV≤LUMO(HBL)-LUMO(ETL)≤1eV；
其中，所述LUMO(HBL)为所述空穴阻挡层的材料的最低未占分子轨道，所述LUMO(ETL)为所述电子传输层的材料的最低未占分子轨道。
可选的，所述空穴传输层和所述电子阻挡层满足以下条件：
0.3eV≤HOMO(HTL)-HOMO(EBL)≤1eV；
其中，所述HOMO(HTL)为所述空穴传输层的最高占据分子轨道，所述HOMO(EBL)为所述电子阻挡层的最高占据分子轨道。
可选的，空穴阻挡层的电子迁移率范围位于10-7～10-9cm2V-1s-1，电子传输层的电子迁移率范围位于10-5～10-7cm2V-1s-1；
发光层的主体材料的电子迁移率位于10-5～10-8cm2V-1s-1，空穴迁移率位于10-8～10-12cm2V-1s-1。
可选的，取代基R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8中，存在相邻的两个取代基键合成环。
可选的，存在相邻的两个R键合成环。
可选的，所述主体材料选自：
可选的，所述电子传输层的材料具有结构：
其中，X1、X2和X3为C或N，且X1、X2和X3中的至少一个为N；
L1为单键、经取代或未经取代的C6至60亚芳基；
Ar3和Ar4为经取代或未经取代的C6至60芳基；或者
Ar3和Ar4为经取代或未经取代的含有O、N、Si和S中的至少一者的C2-60杂芳基；
Ar3和Ar4相同或不同；
取代基A的结构选自以下任一项：
取代基Ar5、Ar6、Ar7各自独立的选自：氢、具有碳原子数为1至20的取代或未取代的烷基、具有碳原子书为3至20的取代或未取代的环烷基、具有碳原子数为1至20的取代或未取代的硅烷基、具有5至30个芳族环原子的芳族或杂芳族环体系；
p为0至4的整数；q为0至4的整数；m为0至4的整数；n为0至4的整数；
Y为C、O、S，N或单键。
可选的，在p、m和n中的至少两个大于0的情况下，取代基(Ar5)p、(Ar6)q、(Ar7)m中存在至少两个取代基相同，或者取代基(Ar5)p、(Ar6)q、(Ar7)m中的任意两个均不相同。
可选的，取代基(Ar5)p、(Ar6)q、(Ar7)m中，存在相邻的两个键合成环。
可选的，所述电子传输层的材料选自：
第二方面，本公开实施例提供了一种显示装置，包括第一方面中任一项所述的有机发光二极管结构。
这样，本公开实施例的提供的一种有机发光二极管结构中的发光层、空穴阻挡层和电子阻挡层满足以下条件：T1(HBL)>T1(Host)；T1(EBL)＞T1(Host)；T1(Dopant)＞T1(Host)；S1(Host)＞S1(Dopant)；其中，所述T1(HBL)为空穴阻挡层材料的最低三重态能量，所述T1(Host)为所述主体材料的最低三重态能量，所述T1(EBL)为电子阻挡层材料的最低三重态能量，T1(Dopant)为所述客体材料的最低三重态能量，所述S1(Host)为所述主体材料的最低单重态能量，所述S1(Dopant)为所述客体材料的最低单重态能量。通过控制发光层、空穴阻挡层和电子阻挡层之间的能级关系，能够减少电子阻挡层界面的载流子积累，此外，还有助于将激子限制在发光层中，防止发光层能量向其他结构扩散，通过对主体材料和客体材料的能级限定，能够使得主体材料中的激子产生三重态-三重态湮灭，并将能量有效的传递至客体材料。这样，本实施例的技术方案有助于提高显示器件的发光效率和寿命。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对本公开实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获取其他的附图。
图1是本公开第一实施例提供的有机发光二极管结构的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本公开实施例中的附图，对本公开实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获取的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
本公开实施例提供了一种有机发光二极管结构。
如图1所示，在一个实施例中，该有机发光二极管结构包括依次层叠设置的阴极101、电子注入层(EIL)102、电子传输层(ETL)103、空穴阻挡层(HBL)104、发光层105、电子阻挡层(EBL)106、空穴传输层(HTL)107、空穴注入层(HIL)108和阳极109，发光层105包括主体材料和客体材料。
本公开的发明人在研究过程中发现，有机发光二极管(OLED)可以分为荧光OLED发光器件和磷光OLED发光器件两种，在工作过程中，当施加电压时，空穴从阳极中注入，电子从阴极中注入。空穴和电子在发光层中复合从而形成激子。根据电子自旋统计理论，单重态激子和三重态激子以25％∶75％的比例被产生。由单重态激子发光的荧光器件中，内量子效率的极限值被认为是25％,如图1，这相当于约5％的外量子效率，导致实际发光效率较低。
发明人经过进一步研究发现，工作过程中，电子的传输速率和空穴的传输速率是不同的，一般来说，电子的传输速率大于空穴的传输速率，这样，激子在发光层中的复合区域更偏向电子阻挡层的，尤其是电子阻挡层和发光层相交的界面。这种现象进而可能导致电子阻挡层的材料上电子的堆积，而电荷可能导致材料劣化，对发光器件的性能造成影响。
被公开实施例中，发光层、空穴阻挡层和电子阻挡层满足以下条件：
T1(HBL)>T1(Host)；
T1(EBL)＞T1(Host)；
T1(Dopant)＞T1(Host)；
S1(Host)＞S1(Dopant)；
其中，T1(HBL)为空穴阻挡层材料的最低三重态能量，T1(Host)为主体材料的最低三重态能量，T1(EBL)为电子阻挡层材料的最低三重态能量，T1(Dopant)为客体材料的最低三重态能量，S1(Host)为主体材料的最低单重态能量，S1(Dopant)为客体材料的最低单重态能量。
本公开实施例中，通过控制空穴阻挡层和电子阻挡层的能级，能够减小电子阻挡层和发光层的界面处的载流子积累，有助于降激子更有效的限制在发光层中，防止发光层的能量向其他结构和膜层扩散，从而有助于提高使用寿命。
通过对主体材料和客体材料的能级限定，能够使得主体材料中的激子产生三重态-三重态湮灭(Triple-Triple Annihilation，缩写为TTA)，TTA指的是通过两个三重态激子的碰撞和融合来产生单重态激子的现象，能够产生更多的单重态激子，将能量有效的传递至客体材料，有助于提高发光效率。
在其中一些实施例中，空穴阻挡层和电子传输层满足以下条件：
0.4eV≤LUMO(HBL)-LUMO(ETL)≤1eV；本实施例中，LUMO代表最低未占分子轨道，LUMO(HBL)为空穴阻挡层的材料的最低未占分子轨道，LUMO(ETL)为电子传输层的材料的最低未占分子轨道，这样，本实施例通过增加空穴阻挡层与电子传输层之间的能级势垒，能够减缓电子的传输速率，降低由于电子传输速率大于空穴传输速率导致激子复合区域偏向电子阻挡层一侧的可能性。
在其中一些实施例中，空穴传输层和电子阻挡层满足以下条件：
0.3eV≤HOMO(HTL)-HOMO(EBL)≤1eV；本实施例中，HOMO代表最高占据分子轨道，HOMO(HTL)为空穴传输层的最高占据分子轨道，HOMO(EBL)为电子阻挡层的最高占据分子轨道。这样，本实施例能够降低由于能级势垒造成的空穴传输慢的现象，有助于提高空穴传输速度，从而降低由于空穴传输速率小于电子传输速率导致激子复合区域偏向电子阻挡层一侧的可能性。
在其中一些实施例中，主体材料具有结构：
通式(1)
在其中一些实施例中，取代基R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8各自独立的选自：氢原子H、氘原子D、具有6至60个碳原子的取代或未取代的芳基、具有6至60个碳原子的取代或未取代的杂芳基、具有1至50个碳原子的取代或未取代的烷基、具有1至50个碳原子的取代或未取代的环烷基、具有1至50个碳原子的取代或未取代的烷氧基、具有6至50个碳原子的取代或未取代的芳烷基、具有5至50个环原子的取代或未取代的芳氧基、具有5至50个环原子的取代或未取代的芳硫基、具有1至50个碳原子的取代或未取代的烷氧基羰基。
本实施例中，取代基R1至R8中的任意两个可以相同，也可以不相同。
在其中一些实施例中，取代基R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8中，存在相邻的两个取代基键合成环。
在其中一些实施例中，取代基Ar1为取代或未取代的芳基；
取代基Ar2选自以下取代基Ar-1至Ar-7中的任一项：
其中，L为单键、取代或未取代的芳基；R为取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基；a为0～5的整数，b为0～5的整数。
本实施例中，主体材料的通式代表蒽类化合物，其最高占据分子轨道/最低未占分子轨道的电子云集中在蒽核上，能够使得电子和空穴相对稳定。进一步的，通过在蒽核上引入含氧O、硫S的基团，例如二苯并呋喃等集团，能够一定程度上减低器件的电压，通式，通过引入含氧O、硫S的基团，能够使得分子呈现一定的极性，有助于提高主体材料和电子阻挡层之间的相互作用，有助于优化发光层和电子阻挡层相邻的界面的能级。
在其中一些实施例中，主体材料选自以下Host-1至Host-6中的任一项：
在其中一些实施例中，电子传输层的材料具有结构：
通式(3)
其中，X1、X2和X3为C或N，且X1、X2和X3中的至少一个为氮N。
在其中一些实施例中，L1为单键、经取代或未经取代的C6至60亚芳基；
Ar3和Ar4为经取代或未经取代的C6至60芳基；或者
Ar3和Ar4为经取代或未经取代的含有氧O、氮N、硅Si和硫S中的至少一者的C2-60杂芳基；
Ar3和Ar4相同或不同。
在其中一些实施例中，取代基A的结构选自以下A-1至A-3中的任一项：
在本实施例中，取代基Ar5、Ar6、Ar7各自独立的选自：氢H、具有碳原子数为1至20的取代或未取代的烷基、具有碳原子书为3至20的取代或未取代的环烷基、具有碳原子数为1至20的取代或未取代的硅烷基、具有5至30个芳族环原子的芳族或杂芳族环体系。其中，p为0至4的整数；q为0至4的整数；m为0至4的整数；n为0至4的整数；Y为碳C、氧O、硫S，氮N或单键。
在其中一些实施例中，在p、m和n中的至少两个大于0的情况下，取代基(Ar5)p、(Ar6)q、(Ar7)m中存在至少两个取代基相同，或者取代基(Ar5)p、(Ar6)q、(Ar7)m中的任意两个均不相同。
在其中一些实施例中，取代基(Ar5)p、(Ar6)q、(Ar7)m中，存在相邻的两个键合成环。
本实施例的电子传输层的材料中，含氮的吖嗪为很强的吸电子基团，具有这样取代基的电子传输层的材料具有较深的HOMO/LUMO能级，有助于电荷的传输。
螺环结构为具有较高T1能级的片段，可将激子有效的限制在发光层较高的T1，更为具体的，主要由片段的T1决定；此外、螺环为较好的空间构型、较大的空间位阻基团，在一定程度上可以抑制材料的结晶。
在其中一些实施例中，电子传输层的材料选自以下ETL-1至ETL-11中的任一项：
本实施例中，空穴阻挡层的迁移率小于电子传输层的迁移率，以减缓电子传输速度。
在其中一些实施例中，控制空穴阻挡层的电子迁移率范围在10-7～10-9cm2V-1s-1，控制电子传输层的电子迁移率范围在10-5～10-7cm2V-1s-1，这样，能够一定程度上抑制电子的传输效率。空穴传输层的空穴迁移率范围在10-4～10-6cm2V-1s-1，电子阻挡层的空穴迁移率范围在10-4～10-7cm2V-1s-1，从而提高空穴传输效率。发光层的主体材料的电子迁移率控制在10-5～10-8cm2V-1s-1，空穴迁移率控制在10-8～10-12cm2V-1s-1，从而有助于提高空穴电子传输速度并抑制电子传输速度。
本公开实施例提供了一种显示装置，包括以上任一项的有机发光二极管结构。
由于本实施例的显示装置包括了上述有机发光二极管结构实施例的全部技术方案，因此至少能够实现上述全部技术效果，此处不再赘述。
下面，参考具体实施例对本公开作进一步的示例性说明。
如图1所示，在一个实施例中，有机发光二级管有结构包括依次层叠设置的阴极101、电子注入层(EIL)102、电子传输层(ETL)103、空穴阻挡层(HBL)104、发光层105、电子阻挡层(EBL)106、空穴传输层(HTL)107、空穴注入层(HIL)108和阳极109，发光层105包括主体材料和客体材料。
本公开实施例中，电子注入层的材料可以选择金属或碱金属，例如氟化锂LiF、镱Yb、LIQ(C9H6NOLi，8-羟基喹啉-锂)等材料。
相关技术中的电子传输层的材料通常为芳族杂环化合物，TPBi，Bphen等材料，本实施例中具体以上述通式(2)的材料。
空穴阻挡层的材料通常为芳族杂环化合物，如BCP、Bphen等材料。
本实施例中发光层的主体材料选择上述通式(1)的材料，客体材料可以选择Dpvbi、DPAVB、DSA-Ph等材料。
电子阻挡层的材料可以选择空穴传输特性的芳胺类或者咔唑材料，如mCBP、Tris-PCz等材料。
空穴传输层的材料可以选择具有空穴传输特性的芳胺类或者咔唑材料，如NPB、m-MTDATA、TPD等材料。
空穴注入层的材料可以为无机氧化物，如三氧化钼MoO3，F4-TCNQ、HAT-CN等材料。
本公开实施例和对比例中，空穴注入层的P形掺杂材料选择：
本公开实施例和对比例中，空穴注入层材料选择：
本公开实施例和对比例中，电子阻挡层的材料选择：
对比例中的电子传输层材料可以选择对比ETL：
本公开实施例和对比例中，空穴阻挡层的材料选择：
对比例的主体材料可以选择对比Host：
本公开实施例和对比例中，客体材料选择：
本公开示例性的提供多个对比例和实施例。
在对比例1中，电子传输层材料选择对比ETL，主体材料选择对比Host。
在对比例2中，电子传输层材料选择上述ETL-2，主体材料选择对比Host。
在对比例3中，电子传输层材料选择上述ETL-3，主体材料选择对比Host。
在对比例4中，电子传输层材料选择对比ETL，主体材料选择上述Host-1。
在对比例5中，电子传输层材料选择对比ETL，主体材料选择上述Host-4。
在实施例1中，电子传输层材料选择上述ETL-2，主体材料选择上述Host-1。
在实施例2中，电子传输层材料选择上述ETL-2，主体材料选择上述Host-4。
在实施例3中，电子传输层材料选择上述ETL-3，主体材料选择上述Host-1。
在实施例4中，电子传输层材料选择上述ETL-3，主体材料选择上述Host-4。
本实施例中所使用的电子传输层的材料物性如表1所示，所使用的发光层的主体材料的物性如表2所示。对对比例1至5以及实施例1至4的有机发光二极管结构进行电压、发光效率和寿命测试，其中，寿命测试按照LT95@1000nit进行，测试结果见表3。
表1：电子传输层材料物性
| ETL | HOMO(eV) | LUMO(eV) | T1(eV) |
| ETL-2 | -6.50 | -3.4 | 2.52 |
| ETL-3 | -6.4 | -2.51 | 2.58 |
表2：主体材料物性
| Host | HOMO | LUMO | T1 |
| Host-1 | -6.00 | -3.01 | 1.77 |
| Host-4 | -6.01 | -2.98 | 1.71 |
表3：对比例和实施例的OLED结构测试结果
由上表可知，通过对电子传输层的材料和发光层的主体材料进行改进，使得发光器件的发光效率提高，使用寿命增加。
以上，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。
Claims (12)
1.一种有机发光二极管结构，包括依次层叠设置的阴极、电子传输层、空穴阻挡层、发光层、电子阻挡层、空穴传输层和阳极，所述发光层包括主体材料和客体材料；
所述主体材料具有结构：
取代基R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8各自独立的选自：氢原子、氘原子、具有6至60个碳原子的取代或未取代的芳基、具有6至60个碳原子的取代或未取代的杂芳基、具有1至50个碳原子的取代或未取代的烷基、具有1至50个碳原子的取代或未取代的环烷基、具有1至50个碳原子的取代或未取代的烷氧基、具有6至50个碳原子的取代或未取代的芳烷基、具有5至50个环原子的取代或未取代的芳氧基、具有5至50个环原子的取代或未取代的芳硫基、具有1至50个碳原子的取代或未取代的烷氧基羰基；
取代基Ar1为取代或未取代的芳基；
取代基Ar2选自以下任一项：
其中，L为单键、取代或未取代的芳基；
R为取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基，多个R相同或不同；
a为0～5的整数，b为0～5的整数；
所述发光层、所述空穴阻挡层和所述电子阻挡层满足以下条件：
T1(HBL)>T1(Host)；
T1(EBL)＞T1(Host)；
T1(Dopant)＞T1(Host)；
S1(Host)＞S1(Dopant)；
电子阻挡层和空穴传输层的材料包括芳胺类材料或咔唑材料，空穴传输层的空穴迁移率范围位于10-4～10-6cm2V-1s-1，电子阻挡层的空穴迁移率范围位于10-4～10-7cm2V-1s-1；
其中，所述T1(HBL)为空穴阻挡层材料的最低三重态能量，所述T1(Host)为所述主体材料的最低三重态能量，所述T1(EBL)为电子阻挡层材料的最低三重态能量，T1(Dopant)为所述客体材料的最低三重态能量，所述S1(Host)为所述主体材料的最低单重态能量，所述S1(Dopant)为所述客体材料的最低单重态能量。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管结构，其中，所述空穴阻挡层和所述电子传输层满足以下条件：
0.4eV≤LUMO(HBL)-LUMO(ETL)≤1eV；
其中，所述LUMO(HBL)为所述空穴阻挡层的材料的最低未占分子轨道，所述LUMO(ETL)为所述电子传输层的材料的最低未占分子轨道。
3.根据权利要求1所述的有机发光二极管结构，其中，所述空穴传输层和所述电子阻挡层满足以下条件：
0.3eV≤HOMO(HTL)-HOMO(EBL)≤1eV；
其中，所述HOMO(HTL)为所述空穴传输层的最高占据分子轨道，所述HOMO(EBL)为所述电子阻挡层的最高占据分子轨道。
4.根据权利要求1所述的有机发光二极管结构，其中，空穴阻挡层的电子迁移率范围位于10-7～10-9cm2V-1s-1，电子传输层的电子迁移率范围位于10-5～10-7cm2V-1s-1；
发光层的主体材料的电子迁移率位于10-5～10-8cm2V-1s-1，空穴迁移率位于10-8～10- 12cm2V-1s-1。
5.根据权利要求1所述的有机发光二极管结构，其中，取代基R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8中，存在相邻的两个取代基键合成环。
6.根据权利要求1所述的有机发光二极管结构，其中，存在相邻的两个R键合成环。
7.根据权利要求1所述的有机发光二极管结构，其中，所述主体材料选自：
8.根据权利要求1所述的有机发光二极管结构，其中，所述电子传输层的材料具有结构：
其中，X1、X2和X3为C或N，且X1、X2和X3中的至少一个为N；
L1为单键、经取代或未经取代的C6至60亚芳基；
Ar3和Ar4为经取代或未经取代的C6至60芳基；或者
Ar3和Ar4为经取代或未经取代的含有O、N、Si和S中的至少一者的C2-60杂芳基；
Ar3和Ar4相同或不同；
取代基A的结构选自以下任一项：
取代基Ar5、Ar6、Ar7各自独立的选自：氢、具有碳原子数为1至20的取代或未取代的烷基、具有碳原子书为3至20的取代或未取代的环烷基、具有碳原子数为1至20的取代或未取代的硅烷基、具有5至30个芳族环原子的芳族或杂芳族环体系；
p为0至4的整数；q为0至4的整数；m为0至4的整数；n为0至4的整数；
Y为C、O、S，N或单键。
9.根据权利要求8所述的有机发光二极管结构，其中，在p、m和n中的至少两个大于0的情况下，取代基(Ar5)p、(Ar6)q、(Ar7)m中存在至少两个取代基相同，或者取代基(Ar5)p、(Ar6)q、(Ar7)m中的任意两个均不相同。
10.根据权利要求9所述的有机发光二极管结构，其中，取代基(Ar5)p、(Ar6)q、(Ar7)m中，存在相邻的两个键合成环。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的有机发光二极管结构，其中，所述电子传输层的材料选自：
12.一种显示装置，包括权利要求1至11中任一项所述的有机发光二极管结构。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110367717.XA CN113097400B (zh) | 2021-04-06 | 2021-04-06 | 一种有机发光二极管结构和显示装置 |
| PCT/CN2021/129588 WO2022213601A1 (zh) | 2021-04-06 | 2021-11-09 | 一种有机发光二极管结构和显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110367717.XA CN113097400B (zh) | 2021-04-06 | 2021-04-06 | 一种有机发光二极管结构和显示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113097400A true CN113097400A (zh) | 2021-07-09 |
| CN113097400B CN113097400B (zh) | 2024-05-07 |
Family
ID=76674198
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110367717.XA Active CN113097400B (zh) | 2021-04-06 | 2021-04-06 | 一种有机发光二极管结构和显示装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113097400B (zh) |
| WO (1) | WO2022213601A1 (zh) |
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- 2021-04-06 CN CN202110367717.XA patent/CN113097400B/zh active Active
- 2021-11-09 WO PCT/CN2021/129588 patent/WO2022213601A1/zh active Application Filing
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2022213601A1 (zh) | 2022-10-13 |
| CN113097400B (zh) | 2024-05-07 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |