CN110492008B - 一种热活化延迟荧光有机电致发光器件 - Google Patents
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- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 title claims abstract description 22
- 238000007725 thermal activation Methods 0.000 title description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 88
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 66
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 19
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 claims description 20
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 20
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 20
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 claims description 19
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 18
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 19
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 16
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 16
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 9
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 6
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 6
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- -1 ZnO Chemical class 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 238000000103 photoluminescence spectrum Methods 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 102100036050 Phosphatidylinositol N-acetylglucosaminyltransferase subunit A Human genes 0.000 description 2
- 101710109723 Phosphatidylinositol N-acetylglucosaminyltransferase subunit A Proteins 0.000 description 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N acridine Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3N=C21 DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 2
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- AIYUHDOJVYHVIT-UHFFFAOYSA-M caesium chloride Chemical compound [Cl-].[Cs+] AIYUHDOJVYHVIT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- WDECIBYCCFPHNR-UHFFFAOYSA-N chrysene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=C3C4=CC=CC=C4C=CC3=C21 WDECIBYCCFPHNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 2
- VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N coronene Chemical compound C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3)C4=C4C3=CC=C(C=C3)C4=C2C3=C1 VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000000695 excitation spectrum Methods 0.000 description 2
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 2
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N phenanthrene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RDOWQLZANAYVLL-UHFFFAOYSA-N phenanthridine Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=NC2=C1 RDOWQLZANAYVLL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N quinoxaline Chemical compound N1=CC=NC2=CC=CC=C21 XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- XJKSTNDFUHDPQJ-UHFFFAOYSA-N 1,4-diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C=C1 XJKSTNDFUHDPQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZZLQHXCRRMUGQJ-UHFFFAOYSA-N 2'-Hydroxyflavone Natural products OC1=CC=CC=C1C1=CC(=O)C2=CC=CC=C2O1 ZZLQHXCRRMUGQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEPOHXYIFQMVHW-XOZOLZJESA-N 2,3-dihydroxybutanedioic acid (2S,3S)-3,4-dimethyl-2-phenylmorpholine Chemical compound OC(C(O)C(O)=O)C(O)=O.C[C@H]1[C@@H](OCCN1C)c1ccccc1 VEPOHXYIFQMVHW-XOZOLZJESA-N 0.000 description 1
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 4-carbazol-9-yl-n,n-bis(4-carbazol-9-ylphenyl)aniline Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000837344 Homo sapiens T-cell leukemia translocation-altered gene protein Proteins 0.000 description 1
- 229910032387 LiCoO2 Inorganic materials 0.000 description 1
- PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N Phenazine Natural products C1=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3N=C21 PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100028692 T-cell leukemia translocation-altered gene protein Human genes 0.000 description 1
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910009520 YbF3 Inorganic materials 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical class [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 229910001632 barium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- DKHNGUNXLDCATP-UHFFFAOYSA-N dipyrazino[2,3-f:2',3'-h]quinoxaline-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile Chemical compound C12=NC(C#N)=C(C#N)N=C2C2=NC(C#N)=C(C#N)N=C2C2=C1N=C(C#N)C(C#N)=N2 DKHNGUNXLDCATP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- HVQAJTFOCKOKIN-UHFFFAOYSA-N flavonol Chemical compound O1C2=CC=CC=C2C(=O)C(O)=C1C1=CC=CC=C1 HVQAJTFOCKOKIN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002189 fluorescence spectrum Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 150000002391 heterocyclic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 229930184652 p-Terphenyl Natural products 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000005041 phenanthrolines Chemical class 0.000 description 1
- 238000001296 phosphorescence spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000000628 photoluminescence spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 125000003367 polycyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 229940042055 systemic antimycotics triazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000000870 ultraviolet spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Abstract
本发明涉及一种热活化延迟荧光有机电致发光器件,包括发光层,所述发光层包含至少一种第一有机化合物和至少一种第二有机化合物作为主体材料,磷光化合物或者荧光化合物作为客体材料。本发明提供的有机电致发光器件具有高发光效率、低效率滚降的优点。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,具体的讲,涉及一种有机电致发光器件。
背景技术
基于热活化延迟荧光材料的有机电致发光器件,由于其材料合成难度低、无需使用贵金属、发光色纯度较高而成为研究开发的热点,被认为在下一代平板显示领域具有巨大的应用潜力,在近年来受到了广泛关注。
有机电致发光器件的基本结构包含相对的阴极和阳极,以及夹在阴极和阳极之间的发光层。通常,为了获取更高的器件性能,发光层一般需要主体材料掺杂客体材料以获取更高效的能量传递效率,充分发挥客体材料的发光潜能。
热激活延迟荧光(TADF)材料是继有机荧光材料和有机磷光材料之后发展的第三代有机发光材料。热活化延迟荧光材料由于其具有较小的三线态和单线态能量差,利于实现反系间窜跃,减小三线态激子浓度,降低激子淬灭几率,充分利用电激发下形成的单线态激子和三线态激子,器件的内量子效率可以达到100%。同时,材料结构可控,性质稳定,价格便宜无需贵重金属,在OLEDs领域的应用前景广阔。
虽然理论上TADF材料可以实现100%的激子利用率,但实际上存在如下问题:
(1)对于热活化延迟荧光发光材料而言,越小的三线态以及单线态能量差具有越小的辐射跃迁速率,难于兼具高激子利用率和高荧光辐射效率;
(2)即使已经采用掺杂器件减轻T激子浓度猝灭效应,大多数TADF材料的器件在高电流密度下由于激子浓度过高淬灭严重,导致器件在高电流密度下效率滚降严重。
为了提高有机电致发光器件的效率以及稳定性,必须进行器件结构的改进以及新材料的开发,才能满足未来面板企业以及照明企业的需求。
发明内容
有鉴于此,针对目前现有技术存在的问题,本发明提供了一种高效率有机电致发光器件。本发明提供的有机电致发光器件能够实现主客体间多通道能量传递,提高器件内部激子利用率的同时减小激子淬灭几率,有效提升有机电致发光器件的效率以及器件稳定性。
本发明的技术方案如下:
一种有机电致发光器件,包括发光层,所述发光层包含主体材料和客体材料,所述主体材料包含至少一种第一有机化合物和至少一种第二有机化合物,所述客体材料为磷光化合物或者荧光化合物;
第一有机化合物的单线态能级和三线态能级差值不大于0.2eV,优选不大于0.15eV,更优选不大于0.1eV;
第二有机化合物的单线态能级和三线态能级差值不大于0.2eV,优选不大于0.15eV,更优选不大于0.1eV;
第一有机化合物的单线态能级小于第二有机化合物的三线态能级,其差值不小于0.1eV,优选不小于0.15eV,更优选不小于0.2eV;
第二有机化合物的HOMO能级与LUMO能级的差值不小于2.8eV,优选不小于3.0eV,更优选不小于3.2eV。
优选的,第一有机化合物为具有D-A结构或D-Π-A结构的化合物。
优选的,第二有机化合物为具有D-A结构或D-Π-A结构的化合物。
优选的,第一有机化合物选自以下化合物中的一种:
优选的,第二有机化合物选自以下化合物中的一种:
优选的,第一有机化合物和第二有机化合物的重量比为9:1至1:9,优选7:3至3:7,更优选6:4至4:6。
优选的,所述荧光化合物包括热活化延迟荧光材料,其中热活化延迟荧光材料的单线态能级和三线态能级差值不大于0.2eV,优选不大于0.15eV,更优选不大于0.1eV。
优选的,所述热活化延迟荧光材料的单线态能级小于第一有机化合物的三线态能级,其差值不小于0.1eV,优选不小于0.15eV。
优选的,客体材料相对于主体材料的重量为0.5-20wt%,优选1-15wt%,更优选3-12wt%,基于主体材料的重量计。
优选的,本申请提供的有机电致发光器件还包括穴传输区域及电子传输区域,所述空穴传输区域包含空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层中的一种或多种的组合;所述电子传输区域包含电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层中的一种或多种的组合。
本申请还提供了一种照明或显示元件,包括如上文所述的有机电致发光器件。
本发明有益的技术效果在于:
在本发明的有机电致发光器件中,发光层的主体材料由两种材料组成,其中第一化合物为具有较小的单线态-三线态能级差(ΔEst)的热活化延迟荧光材料。第二有机化合物也是具有较小的单线态-三线态能级差(ΔEst)的热活化延迟荧光材料。热活化延迟荧光材料能够实现有效的反向系间窜越,减少主体材料的三线态激子浓度,降低三线态激子淬灭的几率,提高器件稳定性。
由于第一有机化合物与第二有机化合物均为热活化延迟荧光材料,具有较小的三线态和单线态能量差,第一有机化合物可以通过反系间窜跃将能量从三线态转移到单线态,然后从单线态通过Forster能量传递转移到客体材料的单线态能级,同时第一有机化合物的三线态能量也可以通过Dexter能量传递转移到客体材料的三线态能级上。第二有机化合物中激子能量也可以通过反系间窜跃从三线态跃迁到单线态,然后通过Forster能量传递传递给第一有机化合物以及客体材料的单线态能级,同时第二有机化合物的三线态能量也可以通过Dexter能量传递转移到第一有机化合物以及客体材料的三线态能级上,实现多通道的能量传递,如图1所示。本发明中的第二化合物为具有较宽带隙的化合物,宽带隙的第二有机化合物可以稀释第一有机化合物,降低第一有机化合物由于集聚而带来的淬灭效应。同时本发明中第二有机化合物的T1能级高于第一有机化合物的S1能级,能够有效防止第一有机化合物向第二有机化合物之间的能量回传,提高了能量利用率,进一步提高了器件的效率和稳定性。
本发明提供有机电致发光器件的发光层能够提高有机电致发光器件的效率和降低效率滚降,具有良好的应用效果和产业化前景。
附图说明
图1是主客体间能量传递示意图。
图2是有机电致发光器件的一种实施方案示意图,其中:1、基板层;2、阳极层;3、空穴注入层4、空穴传输层;5、电子阻挡层;6、发光层;7、空穴阻挡/电子传输层;8、电子注入层;9、阴极层。
图3为初始亮度为5000cd/m2下,器件电压随时间的变化曲线图。
图4为不同温度下器件的EQE的变化。
具体实施方式
在本发明的上下文中,除非另有说明,HOMO意指分子的最高占据轨道,而LUMO意指分子的最低未占据轨道。此外,本说明书中所涉及的“HOMO能级与LUMO能级差值”意指每个能量值的绝对值的差值。此外,在本发明的上下文中,HOMO和LUMO能级用绝对值表示,并且能级之间的比较也是比较其绝对值的大小,本领域技术人员知道能级的绝对值越大,则该能级的能量越低。
在本发明的上下文中,除非另有说明,本发明中所涉及的“不大于”意指小于或等于,“不小于”意指大于或等于,且不存在上下限。
在本发明的上下文中,除非另有说明,单线态(S1)能级意指分子的单线态最低激发态能级,而三线态(T1)能级意指分子的三线态最低激发能级。此外,本说明书中所涉及的“三线态能级差值”以及“单线态和三线态能级差值”意指每个能量值的绝对值的差值。此外,各能级之间的差值用绝对值表示。此外,单线态和三线态能级可以分别由荧光和磷光光谱测量,这是本领域技术人员所熟知的。
在本发明中,对于组成主体材料的第一有机化合物和第二有机化合物的选择没有特别的限制,只要其单重态和三重态能级以及LUMO能级和HOMO能级差满足以上条件即可。
在一个特别优选的实施方案中,第一有机化合物选自具有以下结构式的化合物:
在一个特别优选的实施方案中,第二有机化合物选自具有以下结构式的化合物:
在本发明中,对于组成主体材料的第一有机化合物和第二有机化合物的重量比没有特别的限制。对于客体材料的选择没有特别的限制。对于组成主体材料和客体材料的重量比没有特别的限制。在一个优选的实施方案中,客体材料选自具有以下结构式的化合物:
通常,在有机发光器件中,电子从阴极注入并传输至发光层,而空穴从阳极注入并传输至发光层。
在一个实施方案中,第一电极可为阳极,且第二电极可为阴极。
在一个优选的实施方案中,阳极包括金属、金属氧化物或导电聚合物。例如,阳极可具有的功函数的范围约为3.5至5.5eV。导电材料的说明性实例包括碳、铝、钒、铬、铜、锌、银、金、其他金属及其合金;氧化锌、氧化铟、氧化锡、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌以及其他类似的金属氧化物;以及氧化物和金属的混合物,例如ZnO:Al和SnO2:F。透明材料和非透明材料都可用作阳极材料。对于向阳极发射光的结构,可形成透明的阳极。在本文中,透明意指使从有机材料层发射的光可透过的程度,且光的透过性没有特别限制。
例如,当本说明书的有机发光器件为顶部发光型,且阳极在有机材料层和阴极形成之前形成于基底上时,不仅透明材料还有具有优异光反射性的非透明材料都可用作阳极材料。在另一个实施方案中,当本说明书的有机发光器件为底部发光型,且阳极在有机材料层和阴极形成之前形成于基底上时,需要透明材料用作阳极材料,或者非透明材料需要形成为足够薄以致透明的薄膜。
在一个优选的实施方案中,关于阴极,优选具有小功函数的材料作为阴极材料,以便可容易地进行电子注入。
例如,在本说明书中,具有功函数范围为2eV至5eV的材料可用作阴极材料。阴极可包含金属,例如镁、钙、钠、钾、钛、铟、钇、锂、钆、铝、银、锡和铅或其合金;具有多层结构的材料,例如LiF/Al或LiO2/Al等,但不限于此。
阴极可使用与阳极相同的材料形成。在这种情况下,阴极可使用如以上所述的阳极材料形成。此外,阴极或阳极可包含透明材料。
根据所使用的材料,本发明的有机发光器件可为顶部发光型、底部发光型或两侧发光型。
在一个优选的实施方案中,本发明的有机发光器件包含空穴传输层。该空穴传输层可优选地置于空穴注入层与发光层之间,或者置于阳极与发光层之间。空穴传输层由本领域技术人员已知的空穴传输材料形成。空穴传输材料优选为具有高空穴迁移率的材料,其能够将空穴从阳极或空穴注入层转移至发光层。空穴传输材料的具体实例包括,但不限于,芳胺类有机材料、导电聚合物以及具有接合部分和非接合部分的嵌段共聚物。
在一个优选的实施方案中,本发明的有机发光器件还包含电子阻挡层。该电子阻挡层可优选地置于空穴传输层与发光层之间,或空穴注入层与发光层之间,或者置于阳极与发光层之间。电子阻挡层由本领域技术人员已知的电子阻挡材料形成,例如TCTA。
在一个优选的实施方案中,本发明的有机发光器件包含电子注入层。该电子注入层可优选地置于阴极和发光层之间。电子注入层由本领域技术人员已知的电子注入材料形成。所述电子注入层可使用例如电子接受有机化合物来形成。此处,作为电子接受有机化合物,可使用已知的任选的化合物,而没有特别的限制。作为此类有机化合物,可使用:多环化合物,例如对三联苯或四联苯或其衍生物;多环烃化合物,例如萘、并四苯、苝、六苯并苯、屈、蒽、二苯基蒽或菲,或其衍生物;或杂环化合物,例如,菲咯啉、红菲绕啉、菲啶、吖啶、喹啉、喹喔啉或吩嗪,或其衍生物。还可使用无机物来形成,包括但不限于,例如镁、钙、钠、钾、钛、铟、钇、锂、钆、铝、银、锡和铅或其合金;LiF、LiO2、LiCoO2、NaCl、MgF2、CsF、CaF2、BaF2、NaF、RbF、CsCl、Ru2CO3、YbF3等;以及具有多层结构的材料,例如LiF/Al或LiO2/Al等。
在一个优选的实施方案中,本发明的有机发光器件包含电子传输层。该电子传输层可优选地置于电子注入层和发光层之间,或阴极与发光层之间。电子传输层由本领域技术人员已知的电子传输材料形成。电子传输材料是一种能够容易地接收来自阴极的电子并将所接收的电子转移至发光层的材料。优选具有高电子迁移率的材料。电子传输材料的具体实例包括,但不限于,8-羟基喹啉铝络合物;包含Alg3的复合物;有机自由基化合物;以及羟基黄酮金属络合物;以及TPBi。
在一个优选的实施方案中,本发明的有机发光器件还包含空穴阻挡层。该空穴阻挡层可优选地置于电子传输层与发光层之间,或电子注入层与发光层之间,或者置于阴极与发光层之间。所述空穴阻挡层为通过阻止注入的空穴穿过发光层到达阴极的层,且通常可在与空穴注入层相同的条件下形成。其具体实例包括噁二唑衍生物、三唑衍生物、菲啰啉衍生物、BCP、铝复合物等,但不限于此。
在一个优选的实施方案中,空穴阻挡层可与电子传输层为同一层。
此外,根据本说明书的一个实施方案,有机发光器件还可包括基底。具体而言,在有机发光器件中,第一电极或第二电极可提供于基底上。对于基底,没有特别的限制。所述基底可为刚性的基底,例如玻璃基底,也可以为柔性的基底,例如柔性薄膜形玻璃基底、塑料基底或膜形基底。
本发明的有机发光器件可使用本领域中已知的相同材料和方法进行生产。例如,可通过在基底上依序沉积第一电极、一个或多个有机材料层和第二电极来制造本发明的有机发光器件。具体而言,有机发光器件可通过以下步骤进行生产:使用物理气相沉积(PVD)法(例如溅镀或电子束蒸镀)将金属、导电金属氧化物或其合金沉积在基底上以形成阳极;在阳极上形成包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层和电子传输层的有机材料层;随后在其上沉积可用于形成阴极的材料。此外,还可通过在基底上依序沉积阴极材料、一个或多个有机材料层和阳极材料来制造有机发光器件。此外,在制造有机发光器件期间,除了物理气相沉积法,还可使用溶液涂布法将本发明的有机发光复合材料制成有机材料层。如本说明书中所用,术语“溶液涂布法”意指旋转涂布、浸渍涂布、刮刀涂布、喷墨印刷、网印、喷涂、辊式涂布等,但不限于此。
关于各个层的厚度,没有特定的限制,本领域技术人员可根据需要和具体情况决定。
在一个优选的实施方案中,发光层以及任选地空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层以及电子传输层、电子注入层的厚度分别为0.5至150nm,优选1至100nm。
在一个优选的实施方案中,发光层的厚度为20至80nm,优选30至50nm。
包含本发明的有机发光复合材料的有机电致发光器件的优点在于,器件效率更高、寿命更长。
下面结合图2和实施例,对本发明进行具体描述,但本发明的范围不受这些制备实施例的限制。
实施例1:
实施例1制备得到的有机电致发光器件结构如图2所示,器件具体制备过程如下:
清洗透明玻璃基板层1上的ITO阳极层2,分别用去离子水、丙酮、乙醇超声清洗各15分钟,然后在等离子体清洗器中处理2分钟;将ITO玻璃基板干燥处理后,置于真空腔体内,待真空度小于2*10-6Torr,在ITO阳极层2上,蒸镀10nm厚的HAT-CN,该层作为空穴注入层3;然后蒸镀80nm的HT1,该层作为空穴传输层4,然后蒸镀20nm厚的EB1,该层作为电子阻挡层5;进一步,蒸镀30nm的发光层6:主体材料和掺杂材料的选用如表1所示,通过膜厚仪进行速率控制;在发光层6之上,进一步的蒸镀厚度为40nm的ET1和Liq,两者质量比为1:1,这层有机材料作为空穴阻挡/电子传输层7;在空穴阻挡/电子传输层7之上,真空蒸镀厚度为1nmLiF,该层为电子注入层8;在电子注入层8之上,真空蒸镀阴极Al(80nm),该层为阴极电极层9。
实施例2~60:
实施例2~60制备有机电致发光器件的方法与实施例1相似,具体所用材料如表1所示。
对比例1~18:
对比例1~18制备有机电致发光器件的方法与实施例1相似,具体所用材料如表1所示。
表1
表1中涉及到的原料的结构式如下所示:
其中各物质的能级关系为:
HI1:HOMO为5.9eV,LUMO为3.0eV,S1为2.79eV,T1为2.72eV;
HI2:HOMO为5.82eV,LUMO为2.8eV,S1为2.82eV,T1为2.77eV;
HI5:HOMO为5.65eV,LUMO为2.84eV,S1为2.76eV,T1为2.74eV;
HI13:HOMO为5.86eV,LUMO为3.09eV,S1为2.78eV,T1为2.71eV;
HI16:HOMO为5.63eV,LUMO为2.82eV,S1为2.79eV,T1为2.71eV;
HII12:HOMO为5.68eV,LUMO为2.66eV,S1为2.89eV,T1为2.88eV;
HII16:HOMO为6.48eV,LUMO为2.89eV,S1为3.06eV,T1为2.89eV;
HII23:HOMO为5.79eV,LUMO为2.52eV,S1为3.05eV,T1为2.97eV;
HII24:HOMO为5.95eV,LUMO为2.85eV,S1为3.02eV,T1为2.92eV;
DP-1:HOMO为5.41eV,LUMO为2.71eV,S1为2.62eV,T1为2.45eV;
DP-2:HOMO为5.51eV,LUMO为2.9eV,S1为2.61eV,T1为2.48eV;
对实施例1~60和对比例1~18制备得到的有机电致发光器进行性能测试,测试方法为:HOMO能级通过IPS-3电离能测量系统测量,测量步骤如下:在ITO全面玻璃上蒸镀样品薄膜60nm;将样品置于IPS-3电离能测试系统样品台内,抽真空至5x10-2Pa;在样品上施加电压,检测样品表面出射电子,以电流的形式进行反馈;通过曲线的拟合获取电子的电离能,即为样品的HOMO值。
LUMO能级通过间接测量样品带隙计算得到,测量步骤如下:在空白玻璃上蒸镀样品薄膜60nm,通过紫外-可见光分光光度计测量样品的吸收,通过吸收截止边获得样品的吸收波长,之后通过E=1240/λ换算出样品的带隙,通过HOMO能级与样品带隙的差值即可得到样品的LUMO值。
S1能级和T1能级通过测量样品常温和低温PL光谱得到,测量步骤如下:在真空蒸镀腔中制备上述材料的混合单膜,之后分别测量上述单膜的常温PL光谱以及低温PL光谱。常温PL光谱通过325nm的激光光源照射样品表面,检测其出射光获得激发光谱峰值波长。低温PL光谱,通过将样品冷却到35K,通过用325nm的激光光源照射样品表面,检测其出射光获得激发光谱峰值波长。之后通过公式E=1240/λ换算出S1、T1,得出ΔEst的值。
以上方法测试得到的结果如表2所示。
表2
从表中数据可以看到,实施例1~60与对比例1~18相比,采用单独的热活化延迟荧光材料作为主体材料,并且以传统磷光材料和热活化延迟荧光材料作为客体材料,所制备的器件相较于双热活化延迟荧光材料作为主体,最高器件效率较低,且在高亮度下,效率滚降比较严重,器件稳定性较差。从衰减比例数据可以看出,实施例中使用TADF双主体作为主体材料,效率衰减比在1000cd/m2和5000cd/m2时基本都小于15%,而对比例中单独的使用TADF作为主体材料在1000cd/m2和5000cd/m2的亮度下,其衰减比例均较大,都接近或者超过10%。其主要原因是因为以单一的热活化延迟荧光材料容易集聚导致三线态激子淬灭。同时在较高电流密度下,主客体之间仅有单一的能量传递通道,容易导致激子浓度较高,激子淬灭严重,严重影响器件在高亮度下的效率以及稳定性。
通过使用两种热活化延迟荧光材料第一有机化合物和第二有机化合物混合形成主体材料,第一有机化合物可以通过反系间窜跃将能量从三线态转移到单线态,然后从单线态通过Forster能量传递转移到客体材料。同时第二有机化合物激子也可以通过反系间窜跃从三线态跃迁到单线态,然后通过Forster能量传递同时传递给第一有机化合物以及客体材料,实现多通道的能量传递。本发明中的第二化合物为具有较宽带隙的化合物,宽带隙的第二有机化合物可以稀释第一有机化合物,压制了第一有机化合物与客体材料间的Dexter能量传递,降低第一有机化合物由于集聚而带来的淬灭效应。同时本发明中第二有机化合物的T1能级高于第一有机化合物的S1能级,能够有效防止第一有机化合物向第二有机化合物之间的能量回传,提高了能量利用率,进一步提高了器件的效率和稳定性。
为了进一步验证器件高亮度下的稳定性,本发明测试了初始亮度为5000cd/m2下,随时间的推移器件电压的变化,将器件对比例1、实施例1、对比例5、实施例15、对比例7、
实施例37、对比例14、实施例50进行了测试,结果如表3和图3所示。
表3
时间(h) | 0 | 50 | 100 | 150 | 200 | 250 | 300 |
电压变化 | △V | △V | △V | △V | △V | △V | △V |
对比例1 | 0 | 0.03 | 0.06 | 0.15 | 0.24 | 0.36 | 0.66 |
实施例1 | 0 | 0.03 | 0.05 | 0.08 | 0.10 | 0.11 | 0.11 |
对比例5 | 0 | 0.02 | 0.06 | 0.12 | 0.36 | 0.56 | 0.71 |
实施例15 | 0 | 0.03 | 0.04 | 0.06 | 0.06 | 0.08 | 0.10 |
对比例7 | 0 | 0.02 | 0.05 | 0.14 | 0.33 | 0.54 | 0.75 |
实施例37 | 0 | 0.02 | 0.02 | 0.03 | 0.04 | 0.06 | 0.12 |
对比例14 | 0 | 0.02 | 0.06 | 0.13 | 0.25 | 0.46 | 0.86 |
实施例50 | 0 | 0.03 | 0.05 | 0.08 | 0.08 | 0.12 | 0.13 |
从上表3和图3所示可以发现,本发明所应用的器件在5000cd/m2下随着时间的推移,在300小时时,器件电压的变化均在0.1V左右,而对比例中器件电压在300小时时,变化均超过0.6V甚至更高,说明在较高亮度下器件的稳定性较好。
进一步的为了验证器件环境温度变化下的稳定性,在本发明中测试了在亮度为100cd/A时,对比例3、实施例13、实施例15、实施例17、对比例8、实施例37、实施例39、实施例43在不同温度下器件的EQE的变化,结果如表4和图4所示:
表4
类别(h)/温度℃ | -10 | 10 | 20 | 30 | 40 | 50 | 60 | 70 | 80 |
对比例3 | 10.2% | 10.5% | 10.5% | 10.3% | 9.2% | 8.3% | 7.6% | 6.3% | 5.4% |
实施例13 | 18.2% | 18.2% | 18.2% | 18.2% | 18.0% | 17.8% | 17.4% | 16.8% | 16.8% |
实施例15 | 19.6% | 19.8% | 19.8% | 19.8% | 19.65 | 19.4% | 19.4% | 19.3% | 19.3% |
实施例17 | 18.0% | 18.1% | 18.0% | 18.1% | 18.0% | 18.0% | 17.8% | 17.8% | 17.6% |
对比例8 | 9.2% | 9.2% | 9.0% | 8.8% | 8.4% | 7.8% | 7.2% | 6.4% | 6.0% |
实施例37 | 17.6% | 17.6% | 17.6% | 17.6% | 17.4% | 17.4% | 17.0% | 17.2% | 17.2% |
实施例39 | 17.6% | 17.8% | 17.6% | 17.4% | 17.4% | 17.2% | 17.0% | 17.0% | 16.8% |
实施例43 | 17.8% | 17.8% | 17.8% | 17.8% | 17.6% | 17.2% | 17.2% | 17.2% | 17.0% |
从上表4和图4所示可以发现,本发明所应用的器件其在不同的温度下,相比传统器件搭配,其器件EQE变化较小,在较高的温度下,其器件EQE几乎没有变化,表明本申请结构搭配的器件其器件稳定性较好。
Claims (7)
1.一种有机电致发光器件,包括发光层,所述发光层包含主体材料和客体材料,所述主体材料包含至少一种第一有机化合物和至少一种第二有机化合物,所述客体材料为磷光化合物或者荧光化合物,其特征在于,
第一有机化合物的单线态能级和三线态能级差值不大于0.2eV;
第二有机化合物的单线态能级和三线态能级差值不大于0.2eV;
第一有机化合物的单线态能级小于第二有机化合物的三线态能级,其差值不小于0.1eV;
第二有机化合物的HOMO能级与LUMO能级的差值不小于2.8eV。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,第一有机化合物和第二有机化合物分别独立的为具有D-A结构或D-Π-A结构的化合物。
5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述荧光化合物包括热活化延迟荧光材料,其中热活化延迟荧光材料的单线态能级和三线态能级差值不大于0.2eV。
6.根据权利要求5所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述热活化延迟荧光材料的单线态能级小于第一有机化合物的三线态能级,其差值不小于0.1eV。
7.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,还包括空穴传输区域及电子传输区域,所述空穴传输区域包含空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层中的一种或多种的组合;所述电子传输区域包含电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层中的一种或多种的组合。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201810457062.3A CN110492008B (zh) | 2018-05-14 | 2018-05-14 | 一种热活化延迟荧光有机电致发光器件 |
PCT/CN2019/086678 WO2019218970A1 (zh) | 2018-05-14 | 2019-05-13 | 一种热活化延迟荧光有机电致发光器件 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201810457062.3A CN110492008B (zh) | 2018-05-14 | 2018-05-14 | 一种热活化延迟荧光有机电致发光器件 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110492008A CN110492008A (zh) | 2019-11-22 |
CN110492008B true CN110492008B (zh) | 2020-06-12 |
Family
ID=68539483
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201810457062.3A Active CN110492008B (zh) | 2018-05-14 | 2018-05-14 | 一种热活化延迟荧光有机电致发光器件 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN110492008B (zh) |
WO (1) | WO2019218970A1 (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111100072A (zh) * | 2019-11-28 | 2020-05-05 | 吉林奥来德光电材料股份有限公司 | 一种有机光电化合物、其合成方法及有机电致发光器件 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103922995A (zh) * | 2014-04-08 | 2014-07-16 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种有机电致发光器件及显示装置 |
CN104716268A (zh) * | 2013-12-17 | 2015-06-17 | 北京维信诺科技有限公司 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
CN105503766A (zh) * | 2015-12-18 | 2016-04-20 | 昆山国显光电有限公司 | 一种热活化延迟荧光材料及有机电致发光器件 |
CN106206958A (zh) * | 2015-04-30 | 2016-12-07 | 北京维信诺科技有限公司 | 一种白光有机电致发光器件 |
CN106206997A (zh) * | 2015-04-29 | 2016-12-07 | 北京维信诺科技有限公司 | 一种有机电致发光器件 |
CN106467458A (zh) * | 2016-07-27 | 2017-03-01 | 江苏三月光电科技有限公司 | 一种基于二芳基酮的化合物及其在有机电致发光器件上的应用 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9362517B2 (en) * | 2013-12-02 | 2016-06-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display module, lighting module, light-emitting device, display device, electronic appliance, and lighting device |
-
2018
- 2018-05-14 CN CN201810457062.3A patent/CN110492008B/zh active Active
-
2019
- 2019-05-13 WO PCT/CN2019/086678 patent/WO2019218970A1/zh active Application Filing
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN106467458A (zh) * | 2016-07-27 | 2017-03-01 | 江苏三月光电科技有限公司 | 一种基于二芳基酮的化合物及其在有机电致发光器件上的应用 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2019218970A1 (zh) | 2019-11-21 |
CN110492008A (zh) | 2019-11-22 |
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