CN117956824A

CN117956824A - 有机电致发光材料和装置

Info

Publication number: CN117956824A
Application number: CN202311410332.2A
Authority: CN
Inventors: T·费利塔姆; J·费尔德曼; 埃里克·A·玛格里斯; R·哈姆泽; M·富塞拉; N·J·汤普森; E·希娜
Original assignee: Universal Display Corp
Current assignee: Universal Display Corp
Priority date: 2022-10-27
Filing date: 2023-10-27
Publication date: 2024-04-30

Abstract

本申请涉及有机电致发光材料和装置。公开一种OLED，其中所述OLED依次包含：阳极；空穴传输层；发射区域；电子传输层；和阴极；其中所述发射区域包含：化合物S1；和化合物A1。所述化合物S1是将能量转移到所述化合物A1的有机金属敏化剂，且所述化合物A1是作为所述发射区域中的发射体的受体。所述化合物S1的垂直偶极比VDR值大于或等于0.2；且所述化合物A1的VDR值小于或等于0.2。

Description

有机电致发光材料和装置

相关申请的交叉参考

本申请是2023年5月17日提交的第18/319,182号美国专利申请的部分继续申请，并且还依据35U.S.C.§119(e)要求以下美国临时申请的优先权：2022年12月13日提交的第63/387,166号；2022年10月27日提交的第63/419,782号；2022年11月2日提交的第63/421,804号，2023年2月7日提交的第63/483,647号；2023年2月27日提交的第63/487,055号；2023年4月13日提交的第63/459,091号；2022年12月21日提交的第63/434,161号；2023年2月14日提交的第63/484,757号；2023年2月14日提交的第63/484,786号；2023年3月14日提交的第63/490,065号，所述美国申请的全部内容通过引用并入本文中。

技术领域

本公开大体上涉及新颖装置架构和具有那些新颖架构的OLED装置和它们的用途。

背景技术

出于各种原因，利用有机材料的光电装置变得越来越受欢迎。用于制造所述装置的许多材料相对较为便宜，因此有机光电装置具有优于无机装置的成本优势的潜力。另外，有机材料的固有性质(例如其柔性)可以使其较适用于特定应用，如在柔性衬底上的制造。有机光电装置的实例包含有机发光二极管/装置(OLED)、有机光电晶体管、有机光伏电池、有机闪烁器和有机光电检测器。对于OLED来说，有机材料可以具有优于常规材料的性能优势。

OLED利用有机薄膜，其在电压施加于装置上时会发射光。OLED正成为用于如显示器、照明和背光的应用中的日益受关注的技术。

发射分子的一个应用是全色显示器。针对这类显示器的行业标准需要适合于发射特定色彩(称为“饱和”色)的像素。具体来说，这些标准需要饱和红色、绿色和蓝色像素。或者，OLED可经设计以发射白光。在常规液晶显示器中，使用吸收滤光器过滤来自白色背光的发射以产生红色、绿色和蓝色发射。相同技术也可以用于OLED。白色OLED可以是单发射层(EML)装置或堆叠结构。可以使用所属领域中所熟知的CIE坐标来测量色彩。

发明内容

公开了一种OLED，其中所述OLED依次包括：阳极；空穴传输层；发射区域；电子传输层；和阴极；其中所述发射区域包括：化合物S1；和化合物A1。化合物S1是将能量转移到化合物A1的有机金属敏化剂，且化合物A1是作为发射区域中的发射体的受体。化合物S1的垂直偶极比(VDR)值大于或等于0.2；且化合物A1的VDR值小于或等于0.2。

附图说明

图1展示一种有机发光装置。

图2展示不具有独立电子传输层的倒置式有机发光装置。

图3展示具有不同垂直偶极比(VDR)值的发射体的模型化P偏振光致发光相对于角度的图。

图4为展示磷光敏化等离子体OLED中激发态能量转移之各种路径的能级图。

图5为展示TADF敏化等离子体OLED中激发态能量转移之各种路径的能级图。

具体实施方式

A.术语

除非另外规定，否则本文所用的以下术语定义如下：

如本文所用，“顶部”意指离衬底最远，而“底部”意指最靠近衬底。在第一层被描述为“安置于”第二层“上方”的情况下，第一层被安置于离基板较远处。除非规定第一层“与”第二层“接触”，否则第一与第二层之间可以存在其它层。举例来说，即使阴极和阳极之间存在各种有机层，仍可以将阴极描述为“安置于”阳极“上方”。

如本文所用，“溶液可处理”意指能够以溶液或悬浮液的形式在液体介质中溶解、分散或传输和/或从液体介质沉积。

如本文所用，并且如所属领域的技术人员通常将理解，如果第一能级较接近真空能级，那么第一“最高占用分子轨道”(Highest Occupied Molecular Orbital，HOMO)或“最低未占用分子轨道”(Lowest Unoccupied Molecular Orbital，LUMO)能级“大于”或“高于”第二HOMO或LUMO能级。由于将电离电位(IP)测量为相对于真空能级的负能量，因此较高HOMO能级对应于具有较小绝对值的IP(较不负(less negative)的IP)。类似地，较高LUMO能级对应于具有较小绝对值的电子亲和性(EA)(较不负的EA)。在顶部是真空能级的常规能级图上，材料的LUMO能级高于相同材料的HOMO能级。“较高”HOMO或LUMO能级表现为比“较低”HOMO或LUMO能级更靠近这个图的顶部。

如本文所用，并且如所属领域的技术人员通常将理解，如果第一功函数具有较高绝对值，那么第一功函数“大于”或“高于”第二功函数。因为通常将功函数测量为相对于真空能级的负数，所以这意指“较高”功函数是更负的(more negative)。在顶部是真空能级的常规能级图上，“较高”功函数经说明为在向下方向上离真空能级较远。因此，HOMO和LUMO能级的定义遵循与功函数不同的定则。

术语“卤”、“卤素”和“卤基”可互换地使用并且指氟、氯、溴和碘。

术语“酰基”是指被取代的羰基(-C(O)-R_s)。

术语“酯”是指被取代的氧基羰基(-O-C(O)-R_s或-C(O)-O-R_s)基团。

术语“醚”是指-OR_s基团。

术语“硫基”或“硫醚”可互换地使用并且指-SR_s基团。

术语“硒烷基”是指-SeR_s基团。

术语“亚磺酰基”是指-S(O)-R_s基团。

术语“磺酰基”是指-SO₂-R_s基团。

术语“膦基”是指含有至少一个磷原子的基团，所述磷原子用于键结至相关分子，常见实例例如但不限于-P(R_s)₂基团或-PO(R_s)₂基团，其中每个R_s可相同或不同。

术语“硅烷基”是指含有至少一个硅原子的基团，所述硅原子用于键结至相关分子，常见实例例如但不限于-Si(R_s)₃基团，其中每个R_s可相同或不同。

术语“锗烷基”是指含有至少一个锗原子的基团，所述锗原子用于键结至相关分子，常见实例例如但不限于-Ge(R_s)₃基团，其中每个R_s可相同或不同。

术语“硼基”是指含有至少一个硼原子的基团，所述硼原子用于键结至相关分子，常见实例例如但不限于-B(R_s)₂基团或其路易斯加成物-B(R_s)₃基团，其中R_s可相同或不同。

在上述每一个中，R_s可以是氢或本申请中所定义的一般取代基。优选的R_s选自由以下组成的群组：氘、卤素、烷基、环烷基、杂烷基、杂环烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基和其组合。更优选地，R_s选自由以下组成的群组：烷基、环烷基、芳基、杂芳基和其组合。

术语“烷基”是指并且包含直链和支链烷基。优选的烷基是含有一到十五个碳原子、优选一到九个碳原子的烷基，并且包含甲基、乙基、丙基、1-甲基乙基、丁基、1-甲基丙基、2-甲基丙基、戊基、1-甲基丁基、2-甲基丁基、3-甲基丁基、1,1-二甲基丙基、1,2-二甲基丙基、2,2-二甲基丙基等。另外，烷基可以进一步被取代。

术语“环烷基”是指并且包含单环、多环和螺烷基。优选的环烷基为含有3到12个环碳原子的环烷基，并且包含环丙基、环戊基、环己基、双环[3.1.1]庚基、螺[4.5]癸基、螺[5.5]十一烷基、金刚烷基等。另外，环烷基可以进一步被取代。

术语“杂烷基”或“杂环烷基”分别指烷基或环烷基，其具有至少一个被杂原子置换的碳原子。任选地，所述至少一个杂原子选自O、S、N、P、B、Si和Se，优选地O、S或N。另外，杂烷基或杂环烷基可以任选地被取代。

术语“烯基”是指并且包含直链和支链烯基。烯基基本上是在烷基链中包含至少一个碳-碳双键的烷基。环烯基基本上是在环烷基环中包含至少一个碳-碳双键的环烷基。如本文所用的术语“杂烯基”是指至少一个碳原子被杂原子置换的烯基。任选地，所述至少一个杂原子选自O、S、N、P、B、Si、Ge和Se，优选地O、S或N。优选的烯基、环烯基或杂烯基是含有二到十五个碳原子的那些。另外，烯基、环烯基或杂烯基可以进一步被取代。

术语“炔基”是指并且包含直链和支链炔基。炔基本质上是在烷基链中包含至少一个碳-碳三键的烷基。优选的炔基是含有二到十五个碳原子的炔基。另外，炔基可以进一步被取代。

术语“芳烷基”或“芳基烷基”可互换地使用并且是指被芳基取代的烷基。另外，芳烷基可以进一步被取代。

术语“杂环基”是指并且包含含有至少一个杂原子的芳香族和非芳香族环状基团。任选地，所述至少一个杂原子选自O、S、Se、N、P、B、Si、Ge和Se，优选O、S、N或B。芳香族杂环基可与杂芳基互换使用。优选的非芳香族杂环基是含有3到10个环原子的杂环基，优选含有3到7个环原子的杂环基，其包含至少一个杂原子，并且包含环胺，如吗啉基、哌啶基、吡咯烷基等，和环醚/硫醚，如四氢呋喃、四氢吡喃、四氢噻吩等。另外，杂环基可以进一步被取代。

术语“芳基”是指并且包含单环和多环芳香族烃基。多环可以具有其中两个碳为两个邻接环(所述环是“稠合的”)共用的两个或更多个环。优选的芳基是含有六到三十个碳原子、优选六到二十四个碳原子、六到十八个碳原子且更优选六到十二个碳原子的芳基。尤其优选的是具有六个碳、十个碳、十二个碳、十四个碳或十八个碳的芳基。适合的芳基包含苯基、联苯、联三苯、三亚苯、四亚苯、萘、蒽、萉、菲、芘、苝和薁，优选苯基、联苯、联三苯、三亚苯和萘。另外，芳基可以进一步被取代或稠合，例如但不限于芴。

术语“杂芳基”是指并且包含了包含至少一个杂原子的单环芳香族基团和多环芳香族环系统。杂原子包含但不限于O、S、Se、N、P、B、Si、Ge和Se。在许多情况下，O、S、N或B是优选的杂原子。单环杂芳香族系统优选是具有5或6个环原子的单环，并且环可以具有一到六个杂原子。杂多环系统可以具有其中两个原子为两个邻接环(所述环是“稠合的”)共用的两个或更多个芳香族环，其中所述环中的至少一个是杂芳基。杂多环芳香族环系统可以在多环芳香族环系统的每个环上具有一到六个杂原子。优选的杂芳基是含有三到三十个碳原子、优选三到二十四个碳原子、三到十八个碳原子且更优选三到十二个碳原子的杂芳基。适合的杂芳基包含二苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并硒吩、呋喃、噻吩、苯并呋喃、苯并噻吩、苯并硒吩、咔唑、吲哚并咔唑、吡啶基吲哚、吡咯并二吡啶、吡唑、咪唑、三唑、噁唑、噻唑、噁二唑、噁三唑、二噁唑、噻二唑、吡啶、哒嗪、嘧啶、吡嗪、三嗪、噁嗪、噁噻嗪、噁二嗪、吲哚、苯并咪唑、吲唑、吲噁嗪、苯并噁唑、苯并异噁唑、苯并噻唑、喹啉、异喹啉、噌啉、喹唑啉、喹喔啉、萘啶、酞嗪、喋啶、氧杂蒽(xanthene)、吖啶、吩嗪、吩噻嗪、吩噁嗪、苯并呋喃并吡啶、呋喃并二吡啶、苯并噻吩并吡啶、噻吩并二吡啶、苯并硒吩并吡啶和硒吩并二吡啶，优选二苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并硒吩、咔唑、吲哚并咔唑、咪唑、吡啶、三嗪、苯并咪唑、1,2-氮杂硼烷、1,3-氮杂硼烷、1,4-氮杂硼烷、硼氮炔和其氮杂类似物。另外，杂芳基可以进一步被取代。

在上面列出的芳基和杂芳基中，三亚苯、萘、蒽、二苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并硒吩、咔唑、吲哚并咔唑、咪唑、吡啶、吡嗪、嘧啶、三嗪和苯并咪唑以及其各自对应的氮杂类似物尤其受到关注。

在许多情况下，一般取代基选自由以下组成的群组：氘、卤素、烷基、环烷基、杂烷基、杂环烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、锗烷基、硼基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羧酸、醚、酯、腈、异腈、硫基、硒烷基、亚磺酰基、磺酰基、膦基和其组合。

在一些情况下，优选的通用取代基选自由以下组成的群组：氘、氟、烷基、环烷基、杂烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、锗烷基、硼基、烯基、环烯基、杂烯基、芳基、杂芳基、腈、异腈、硫基和其组合。

在一些情况下，更优选的通用取代基选自由以下组成的群组：氘、氟、烷基、环烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、芳基、杂芳基、腈、硫基和其组合。

在一些情况下，更优选的通用取代基选自由以下组成的群组：氘、氟、烷基、环烷基、硅烷基、芳基、杂芳基、腈和其组合。

在其它情况下，最优选的通用取代基选自由以下组成的群组：氘、烷基、环烷基、芳基、杂芳基和其组合。

术语“被取代的”和“取代”是指除H以外的取代基键结到相关位置，例如碳或氮。举例来说，当R¹表示单取代时，则一个R¹必须不是H(即，取代)。类似地，当R¹表示二取代时，则两个R¹必须不是H。类似地，当R¹表示零或无取代时，R¹例如可以是环原子可用价数的氢，如苯的碳原子和吡咯中的氮原子，或对于具有完全饱和价数的环原子仅表示无，例如吡啶中的氮原子。环结构中可能的最大取代数目将取决于环原子中可用价数的总数目。

如本文所使用，“其组合”表示适用清单的一或多个成员被组合以形成本领域普通技术人员能够从适用清单中设想的已知或化学稳定的布置。举例来说，烷基和氘可以组合形成部分或完全氘化的烷基；卤素和烷基可以组合形成卤代烷基取代基；并且卤素、烷基和芳基可以组合形成卤代芳烷基。在一个实例中，术语取代包含两到四个列出的基团的组合。在另一个实例中，术语取代包含两到三个基团的组合。在又一实例中，术语取代包含两个基团的组合。取代基的优选组合是含有多达五十个不是氢或氘的原子的组合，或包含多达四十个不是氢或氘的原子的组合，或包含多达三十个不是氢或氘的原子的组合。在许多情况下，取代基的优选组合将包含多达二十个不是氢或氘的原子。

本文所述的片段，即氮杂-二苯并呋喃、氮杂-二苯并噻吩等中的“氮杂”名称意指相应芳香族环中的C-H基团中的一或多个可以被氮原子置换，例如但不限于氮杂三亚苯涵盖二苯并[f,h]喹喔啉和二苯并[f,h]喹啉。所属领域的一般技术人员可以容易地预想上文所述的氮杂-衍生物的其它氮类似物，并且所有这类类似物都意图由如本文所阐述的术语涵盖。

如本文所用，“氘”是指氢的同位素。氘代化合物可以使用本领域已知的方法容易地制备。举例来说，美国专利第8,557,400号、专利公开第WO 2006/095951号和美国专利申请公开第US2011/0037057号(其以全文引用的方式并入本文中)描述了氘取代的有机金属络合物的制备。进一步参考鄢明(Ming Yan)等人,四面体(Tetrahedron)2015,71,1425-30和阿兹罗特(Atzrodt)等人,德国应用化学(Angew.Chem.Int.Ed.)(综述)2007,46,7744-65(其以全文引用的方式并入)分别描述了苄基胺中亚甲基氢的氘化和用氘置换芳香族环氢的有效途径。

如本文所用，任何具体列举的取代基(例如但不限于甲基、苯基、吡啶基等)包含其非氘化、部分氘化和完全氘化的形式。类似地，取代基类别(例如但不限于烷基、芳基、环烷基、杂芳基等)还包含其非氘化、部分氘化和完全氘化的形式。未进一步指明H或D的化学结构应被视为包含其非氘化、部分氘化和完全氘化的形式。一些常见的最小部分或完全氘化基团例如但不限于CD₃、CD₂C(CH₃)₃、C(CD₃)₃和C₆D₅。

应理解，当将分子片段描述为取代基或另外连接到另一部分时，其名称可以如同其是片段(例如苯基、亚苯基、萘基、二苯并呋喃基)一般或如同其是整个分子(例如苯、萘、二苯并呋喃)一般书写。如本文所用，这些不同的命名取代基或连接片段的方式被视为等效的。

在一些情况下，分子中的一对取代基可以任选地接合或稠合成环。优选的环是五到九元碳环或杂环，包含由所述一对取代基形成的环的一部分为饱和以及由所述一对取代基形成的环的一部分为不饱和的两种情况。在其它情况下，一对相邻取代基可以任选地接合或稠合成环。如本文所用，“相邻”意味着所涉及的两个取代基可以在相同环上彼此紧接，或在具有两个最接近的可用可取代位置(如联苯中的2、2'位置或萘中的1、8位置)的两个邻近环上。

层、材料、区域和装置在本文中可参考其发射的光的色彩来描述。一般来说，如本文所用，描述为产生光的特定色彩的发射区域可以包含一或多个彼此堆叠安置的发射层。

如本文所用，“红色”层、材料、区域或装置是指发射光在约580-700nm范围内或其在所述区域中的发射光谱具有最高峰的层、材料、区域或装置。类似地，“绿色”层、材料、区域或装置是指发射或具有峰值波长在约500-600nm范围内的发射光谱的层、材料、区域或装置；“蓝色”层、材料或装置是指发射或具有峰值波长在约400-500nm范围内的发射光谱的层、材料或装置；并且“黄色”层、材料、区域或装置是指具有峰值波长在约540-600nm范围内的发射光谱的层、材料、区域或装置。在一些布置中，各别区域、层、材料、区域或装置可以提供各别的“深蓝色”和“浅蓝色”光。如本文所用，在提供各别“浅蓝色”和“深蓝色”的布置中，“深蓝色”组分是指峰值发射波长比“浅蓝色”组分的峰值发射波长小至少约4nm的组分。典型地，“浅蓝色”组分具有约465-500nm范围内的峰值发射波长，且“深蓝色”组分具有约400-470nm范围内的峰值发射波长，但是这些范围可根据一些配置变化。类似地，变色层是指一种层，其将另一种色彩的光转换或调节成具有如针对所述色彩指定的波长的光。举例来说，“红色”滤色片是指产生波长在约580-700nm范围内的光的滤光片。一般来说，变色层存在两类：通过去除非所需波长的光来调节光谱的滤色片，以及将较高能量的光子转换成较低能量的变色层。“一种色彩”的组分是指在激活或使用时产生或以其它方式发射具有如先前所述的特定色彩的光的组分。举例来说，“第一色彩的第一发射区域”和“不同于第一色彩的第二色彩的第二发射区域”描述两个发射区域，其当在装置内激活时发射如先前所述的两种不同色彩。

如本文所用，基于材料、层或区域最初产生的光与相同或不同结构最终发射的光截然相反，发射材料、层和区域可彼此不同且与其它结构不同。最初产生的光典型地是引起光子发射的能级变化的结果。举例来说，有机发射材料最初可产生蓝光，所述蓝光可通过滤色片、量子点或其它结构转换成红光或绿光，以致完整的发射堆叠或子像素发射红光或绿光。在此情况下，最初发射材料或层可称为“蓝色”组分，即使子像素是“红色”或“绿色”组分。

在一些情况下，可优选地根据1931CIE坐标描述例如发射区域、子像素、变色层等组分的色彩。举例来说，黄色发射材料可具有多种峰值发射波长，一种在“绿色”区域内或边缘附近，而一种在“红色”区域内或边缘附近，如先前所述。相应地，如本文所用，各色彩项还对应于1931CIE坐标色彩空间中的形状。1931CIE色彩空间中的形状是通过追踪两个色彩点与任何其它内部点之间的轨迹而构建。举例来说，可如下所示定义红色、绿色、蓝色和黄色的内部形状参数：

关于OLED和上述定义的更多细节可见于美国专利第7,279,704号中，所述专利以全文引用的方式并入本文中。

如本文所公开，发射层或材料，例如图1-2中分别所示的发射层135和发射层220，可包含量子点。根据所属领域的技术人员的理解，除非有明确相反的说明或上下文有相反的说明，否则如本文中所公开的“发射层”或“发射材料”可以包含有机发射材料和/或含有量子点或等效结构的发射材料。一般来说，发射层包含主体基质内的发射材料。这类发射层可以只包含转换各别发射材料或其它发射体所发射的光的量子点材料，或其还可以包含各别发射材料或其它发射体，或其本身可以通过施加电流而直接发射光。类似地，变色层、滤色片、上转换或下转换层或结构可以包含含有量子点的材料，但这类层可以不视为如本文中所公开的“发射层”。一般来说，“发射层”或材料是基于注入的电荷而发射初始光的层或材料，其中初始光可以被另一层改变，例如滤色片或本身在装置内不发射初始光的其它变色层，但可以基于发射层所发射的初始光的吸收及下转换成更低能量光发射而再次发射不同光谱内容的改变的光。在本文公开的一些实施例中，变色层、滤色片、上转换和/或下转换层可以安置在OLED装置的外部，例如在OLED装置的电极上方或下方。

除非另外说明，否则可以通过任何适合的方法来沉积各种实施例的任一种层。对于有机层来说，优选方法包含热蒸发、喷墨(例如美国专利第6,013,982号和第6,087,196号中所述，所述美国专利以全文引用的方式并入本文)、有机气相沉积(OVPD)(例如颁予福利斯特(Forrest)等人的美国专利第6,337,102号中所述，所述美国专利以全文引用的方式并入本文)以及通过有机蒸气喷射印刷进行沉积(OVJP，也称为有机蒸气喷射沉积(OVJD))(例如美国专利第7,431,968号中所述，所述美国专利以全文引用的方式并入本文)。其它适合的沉积方法包含旋涂和其它基于溶液的工艺。基于溶液的工艺优选在氮气或惰性气氛中进行。对于其它层来说，优选方法包含热蒸发。优选的图案化方法包含通过掩模进行的沉积、冷焊(例如美国专利第6,294,398号和第6,468,819号中所述，所述专利以全文引用的方式并入)，以及与例如喷墨和OVJP等一些沉积方法相关的图案化。也可以使用其它方法。可以将待沉积的材料改性以使其与特定的沉积方法相容。举例来说，小分子中可以使用分支链或无分支链并且优选含有至少3个碳的取代基(例如烷基和芳基)来增强其经历溶液处理的能力。可以使用具有20个或更多个碳的取代基，并且3到20个碳是优选范围。具有不对称结构的材料的溶液可处理性可优于具有对称结构的材料，因为不对称材料再结晶的倾向可能更低。可以使用树枝状聚合物取代基来增强小分子经历溶液处理的能力。

根据本公开的实施例制造的装置可以进一步任选地包括阻挡层。阻挡层的一个目的是保护电极和有机层以免在暴露于包含水分、蒸气和/或气体等的环境中的有害物质时受损。阻挡层可以沉积在衬底、电极上，沉积在衬底、电极下或沉积在衬底、电极旁，或沉积在装置的任何其它部分(包含边缘)上。阻挡层可以包含单个层或多个层。阻挡层可以通过各种已知的化学气相沉积技术形成，并且可以包含具有单一相的组成以及具有多个相的组成。任何适合的材料或材料组合都可以用于阻挡层。阻挡层可以并入无机化合物或有机化合物或两者。优选的阻挡层包括聚合物材料与非聚合物材料的混合物，如美国专利第7,968,146号、PCT专利申请第PCT/US2007/023098号和第PCT/US2009/042829号中所述，所述文献以全文引用的方式并入本文中。为了被视为“混合物”，构成阻挡层的前述聚合物和非聚合物材料应在相同反应条件下沉积和/或同时沉积。聚合物材料相对于非聚合物材料的重量比可以在95:5到5:95范围内。聚合物材料和非聚合物材料可以由相同的前体材料产生。在一个实例中，聚合物材料与非聚合物材料的混合物基本上由聚合硅和无机硅组成。

人们相信，荧光OLED的内部量子效率(IQE)通过延迟荧光可以超过25％自旋统计限值。如本文所用，存在两种类型的延迟荧光，即P型延迟荧光和E型延迟荧光。P型延迟荧光由三重态-三重态湮灭(TTA)产生。

另一方面，E型延迟荧光不依赖于两个三重态的碰撞，而是依赖于三重态与单态激发态之间的热布居。能够产生E型延迟荧光的化合物必需具有极小的单态-三重态间隙。热能可以激活三重态转移回到单态。这种类型的延迟荧光也称为热激活延迟荧光(TADF)。TADF的独特特征在于，由于热能增加，因此延迟分量随温度升高而增加。如果逆向系统间穿越速率快足以最小化始于三重态的非辐射衰减，那么回填的单峰激发态的分率可潜在地达到75％。总单峰分率可以是100％，远超过电产生的激子的自旋统计限值。

E型延迟荧光特征可以发现于激态复合物系统或单一化合物中。不受理论束缚，人们相信，E型延迟荧光要求发光材料具有小单态-三重态能隙(ΔES-T)。不含金属的供体-受体有机发光材料能够实现这一点。这些材料的发射通常以供体-受体电荷转移(CT)型发射为特征。这些供体-受体型化合物的HOMO与LUMO的空间间距通常引起小ΔES-T。这些状态可涉及CT状态。通常，通过将电子供体部分(例如氨基或咔唑衍生物)与电子受体部分(例如含N六元芳香族环)连接来构建供体-受体发光材料。

根据本公开的实施例制成的装置可以并入各种各样的电子组件模块(或单元)中，所述电子组件模块可以并入多种电子产品或中间组件中。这类电子产品或中间组件的实例包含可被最终用户产品制造商利用的显示屏、照明装置，例如离散光源装置或照明面板等。这类电子组件模块可以任选地包含驱动电子装置和/或电源。根据本公开的实施例制成的装置可以并入多种消费型产品中，所述消费型产品中并有一或多个电子组件模块(或单元)。公开了一种包括OLED的消费型产品，所述OLED的有机层中包含本公开的化合物。这类消费型产品应包含任何种类的产品，包含一或多个光源和/或一些类型的一或多个视觉显示器。这类消费型产品的一些实例包含平板显示器、曲面显示器、计算机监视器、医疗监视器、电视机、告示牌、内部或外部照明灯和/或信号灯、平视显示器、全透明或部分透明的显示器、柔性显示器、可卷曲显示器、可折叠显示器、可拉伸显示器、激光打印机、电话、手机、平板电脑、平板手机、个人数字助理(PDA)、可穿戴装置、笔记本电脑、数码相机、摄像机、取景器、对角线小于2英寸的微型显示器、3D显示器、虚拟现实或增强现实显示器、交通工具、包括多个平铺在一起的显示器的视频墙、剧院或体育馆屏幕，和指示牌。可以使用各种控制机制来控制根据本公开制造的装置，包含无源矩阵和有源矩阵。许多装置希望在人类舒适的温度范围内使用，例如18℃到30℃，并且更优选在室温下(20-25℃)使用，但可以在这个温度范围外(例如-40℃到80℃)使用。

本文所述的材料和结构可以应用于除OLED以外的装置中。举例来说，其它光电装置(例如有机太阳能电池和有机光电检测器)可采用所述材料和结构。更一般来说，有机装置(如有机晶体管)可采用所述材料和结构。

在本领域的一般用语中，“子像素”可以指与任何变色层结合的发射区域，其可以是单层EML、堆叠装置等，所述变色层用于调节发射区域所发射的色彩。

如本文所用，子像素的“发射区域”是指子像素中最初用于产生光的任何和所有发射层、区域和装置。子像素还可以包含与发射区域堆叠安置、影响子像素最终产生的色彩的其它层，例如本文所公开的变色层，但这类变色层典型地不被视为如本文所公开的“发射层”。不滤光的子像素是排除色彩调节组件(例如变色层)、但可包含一或多个发射区域、层或装置的子像素。

在一些配置中，“发射区域”可以包含发射多种色彩的光的发射材料。举例来说，黄色发射区域可以包含多种材料，当每种材料在OLED装置中单独使用时，所述多种材料发射红光和绿光。当在黄色装置中使用时，个别材料典型地不布置成使得其可以个别地激活或寻址。也就是说，含有所述材料的“黄色”OLED堆叠无法驱动成产生红光、绿光或黄光；实际上，所述堆叠可以作为整体被驱动产生黄光。这类发射区域可以称为黄色发射区域，尽管在个别发射体的水平下，所述堆叠不直接产生黄光。如下文更详细地描述，发射区域中所用的个别发射材料(如果超过一种)可以放在装置内的同一发射层中，或放在包括发射区域的OLED装置内的多个发射层中。如下文更详细地描述，本文所公开的实施例可以提供OLED装置(例如显示器)，其包含发射区域的有限数目种色彩，同时包含色彩比发射区域的色彩数目更多的子像素或其它OLED装置。举例来说，如本文所公开的装置可以仅包含蓝色和黄色发射区域。可通过使用变色层(例如与黄色或蓝色发射区域堆叠安置的变色层)，或更一般来说，通过使用变色层、电极或形成如本文所公开的微腔的其它结构或任何其它适合配置来实现子像素的其它色彩。在一些情况下，子像素提供的一般色彩可与界定子像素的堆叠中的发射区域所提供的色彩相同，例如其中深蓝色变色层与浅蓝色发射区域堆叠安置以产生深蓝色子像素。类似地，子像素提供的色彩可与界定子像素的堆叠中的发射区域所提供的色彩不同，例如其中绿色变色层与黄色发射区域堆叠安置以产生绿色子像素。

在一些配置中，发射区域和/或发射层可以跨越多个子像素，例如其中其它层和电路的制造可允许发射区域或层的各部分可分别寻址。

如本文所公开的发射区域可不同于所属领域中典型地提及和如本文所用的发射“层”。在一些情况下，单一发射区域可以包含多个层，例如其中黄色发射区域是通过将红色和绿色发射层依序形成黄色发射区域来制成。如先前所述，当这类层存在于如本文所公开的发射区域中时，所述层在单一发射堆叠内不可个别寻址；实际上，所述层并行激活或驱动以供发射区域产生所需色彩的光。在其它配置中，发射区域可以包含具有单一色彩的单一发射层，或具有相同色彩的多个发射层，在这种情况下，这类发射层的色彩将与其中安置发射层的发射区域的色彩相同，或与其中安置发射层的发射区域的色彩处于相同的光谱区间内。

B.本公开的OLED和装置

本文公开磷光化合物(具有非理想地对齐之跃迁偶极矩)及荧光发射体(具有优先定向之跃迁偶极矩矢量)的组合，用于OLED之发射区域中，其中磷光化合物充当荧光发射体之敏化剂。具体来说，具有水平对齐的跃迁偶极矩的磷光敏化剂与荧光团的组合可以改进外耦合效率。在另一应用中，等离子模式与具有垂直对齐的跃迁偶极矩的荧光受体的优先耦合可以在并入到包括用于等离子体模式中的能量的外耦合层的装置中时改进效率。选择具有优化的化学稳定性、热特性和光致发光量子产额的磷光化合物以与优先对齐的荧光发射体配对，其中磷光化合物充当荧光发射体的敏化剂，因为受体可以在OLED装置中提供寿命和效率的最佳平衡。这种策略可以用于增强OLED中的光外耦合而不牺牲热稳定性或化学稳定性。

为了优化OLED装置的性能，除热和合成考虑因素之外，磷光敏化剂需要针对色彩、寿命、电荷激子形成效率和EQE(包含VDR)进行设计。通常，用于低VDR运行的设计准则与用于其它特性(例如热稳定性)的设计相反。此外，考虑VDR可以使某些具有其它良好特性的家族由于对齐原因而不可用。这对于绿色及蓝色磷光材料尤其重要，其中具有非水平对齐VDR的磷光材料可以充当具有极低VDR的荧光受体的敏化剂。因而，敏化剂可以被设计成优化PLQY、寿命、电荷激子转化效率、热稳定性或合成考虑因素，而荧光受体可以被设计成微调发射光谱及VDR以提高最终OLED装置的效率。

根据一方面，根据本公开的OLED依次包括：阳极；空穴传输层；发射区域；电子传输层；和阴极；其中发射区域包括：化合物S1；和化合物A1。化合物S1是将能量转移到化合物A1的有机金属敏化剂，且化合物A1是作为发射区域中的发射体的受体。化合物S1的垂直偶极比(VDR)值大于或等于0.2；且化合物A1的VDR值小于或等于0.2。在一些实施例中，如果化合物S1是三均配Ir络合物，那么化合物S1包括至少三个Ir-N键。在一些实施例中，如果化合物S1是Pt络合物，那么化合物S1不包括碳烯和咔唑。在OLED的所有实施例中，化合物S1不为

在OLED的一些实施例中，发射区域包括作为第一主体的化合物H1，且化合物S1和化合物A1中的至少一者掺杂于第一主体中。在一些实施例中，化合物S1、A1和H1中的至少一者包括至少一个氘。在一些实施例中，化合物H1包括选自以下的部分：双咔唑、联咔唑、吲哚并咔唑、1-N吲哚并咔唑、三嗪、嘧啶、硼基、氮杂-二苯并硒吩、氮杂-二苯并呋喃、氮杂-二苯并噻吩和三亚苯。

在一些实施例中，化合物S1和化合物A1中的至少一者包括至少一个氘。

在一些实施例中，化合物S1包括选自由以下组成的群组的至少一个部分：二苯并呋喃、二苯并噻吩、二苯并硒吩、咔唑、氮杂-二苯并呋喃、氮杂-二苯并噻吩和氮杂-二苯并硒吩。在一些实施例中，化合物A1包括含有五个或更多个5元或6元碳环或杂环的稠合环系统。在一些实施例中，所述选自由以下组成的群组的至少一个部分包括CN或F基团：二苯并呋喃、二苯并噻吩、二苯并硒吩、咔唑、氮杂-二苯并呋喃、氮杂-二苯并噻吩和氮杂-二苯并硒吩。

在一些实施例中，在室温下，在化合物S1以大约1wt.％掺杂于PMMA中的薄膜中，S1的发射瞬变>3μs。如本文所用，室温是指约20-25℃度的温度范围。在一些实施例中，化合物S1的以相同方式测量的发射瞬变<100μs。优选地，化合物S1的以相同方式测量的发射瞬变<20μs。薄膜样品通过将制备的PMMA溶液(大约0.2mL)滴铸到石英衬底(大小25mm×25mm)上来制造。PMMA溶液以每毫升甲苯50mg PMMA的浓度制备，且发射体相对于PMMA的掺杂浓度是大约1wt.％。在室温下，在连续氮气吹扫下，使用340nm SpecraLED激励源在HoribaFluorolog-3上测量发射瞬变。薄膜的厚度是50到

在一些实施例中，化合物S1包括含有四个或更多个碳环或杂环的第一配体。在一些实施例中，化合物S1可以是Ir络合物。在一些实施例中，化合物S1可以是Pt络合物。在一些实施例中，化合物S1可以是Pd络合物。

在一些实施例中，化合物S1在室温2-MeTHF溶液中的发射最大值10％发射起点≥490nm。在一些实施例中，化合物S1在室温2-MeTHF溶液中的发射最大值10％发射起点≥495nm。在一些实施例中，化合物S1在室温2-MeTHF溶液中的发射最大值10％发射起点≥500nm。在一些实施例中，化合物S1在室温2-MeTHF溶液中的发射最大值10％发射起点≥505nm。在一些实施例中，化合物S1在室温2-MeTHF溶液中的发射最大值10％发射起点≥510nm。对于绿色发光敏化装置，可能需要490nm的下限以避免过多的能量，即，如果发射极限为约520nm，那么发射最大值的10％发射起点低于490将表示能量大量损耗。另外，较高能量下的激发态更可能克服有害衰退路径的激活阻碍。

在一些实施例中，化合物A1的发射半幅值全宽(FWHM)≤30nm。由于窄发射具有与受体具有足以进行有效福斯特共振能量转移(FRET)而不需要大量能量损耗/谱移的光谱重叠的较好能力，因此可能需要30nm的FWHM上限。在一些实施例中，化合物A1的斯托克位移(stokes shift)小于20nm。较小斯托克位移使得S1与A1具有良好光谱重叠所需的过量能量最小化。

在一些实施例中，化合物A1的S₁-T₁能隙≤0.3eV。由于TADF特性对于使T₁能量从德克斯特事件(Dexter event)循环回到S₁能级以用于荧光发射而言可能十分重要，因此可能需要0.3eV的S₁-T₁能隙上限。

在一些实施例中，化合物S1具有HOMO能级E_HS，且化合物A1具有HOMO能级E_HA，且E_HS>E_HA。这个不等式可能需要排除受体上的电荷捕获。

在一些实施例中，化合物A1具有LUMO能级E_LA，且其中化合物H1具有LUMO能级E_LH，且E_LH<E_LA。这个不等式可能需要排除受体上的电荷捕获。

在一些实施例中，化合物S1在室温2-MeTHF溶液中具有发射峰最大值λ_maxS，且化合物A1在室温2-MeTHF溶液具有发射峰最大值λ_maxA，且λ_maxS-λ_maxA<20nm。由于较小差有助于避免能量损耗，因此可能需要使这个差保持在<20nm。

在一些实施例中，化合物S1包括铂-氧键。在一些实施例中，化合物S1包括氘化烷基。在一些实施例中，S1包括至少一个金属-碳烯键。在一些实施例中，S1包括至少一个吸电子基团。在一些这类实施例中，吸电子基团通常包括一或多个高度电负性元素，包含但不限于氟、氧、硫、氮、氯和溴。在一些这类实施例中，吸电子基团的哈米特常数(Hammettconstant)大于0。在一些这类实施例中，吸电子基团的哈米特常数等于或大于0.1、0.2、0.3、0.4、0.5、0.6、0.7、0.8、0.9、1.0或1.1。

在一些这类实施例中，吸电子基团选自由以下结构(清单EWG 1)组成的群组：F、CF₃、CN、COCH₃、CHO、COCF₃、COOMe、COOCF₃、NO₂、SF₃、SiF₃、PF₄、SF₅、OCF₃、SCF₃、SeCF₃、SOCF₃、SeOCF₃、SO₂F、SO₂CF₃、SeO₂CF₃、OSeO₂CF₃、OCN、SCN、SeCN、NC、⁺N(R^k2)₃、(R^k2)₂CCN、(R^k2)₂CCF₃、CNC(CF₃)₂、BR^k3R^k2、被取代或未被取代的二苯并硼杂环戊二稀、1-被取代的咔唑、1,9-被取代的咔唑、被取代或未被取代的咔唑、被取代或未被取代的吡啶、被取代或未被取代的嘧啶、被取代或未被取代的吡嗪、被取代或未被取代的吡哆醇、被取代或未被取代的三嗪、被取代或未被取代的噁唑、被取代或未被取代的苯并噁唑、被取代或未被取代的噻唑、被取代或未被取代的苯并噻唑、被取代或未被取代的咪唑、被取代或未被取代的苯并咪唑、酮、羧酸、酯、腈、异腈、亚磺酰基、磺酰基、部分和完全氟化烷基、部分和完全氟化芳基、部分和完全氟化杂芳基、含氰基的烷基、含氰基的芳基、含氰基的杂芳基、异氰酸酯、/>

其中Y^G选自由以下组成的群组：BR_e、NR_e、PR_e、O、S、Se、C＝O、S＝O、SO₂、CR_eR_f、SiR_eR_f和GeR_eR_f'；且

R^k1各自独立地表示单取代至最大允许取代，或无取代；

其中R^k1、R^k2、R^k3、R_e和R_f中的每一个独立地是氢或选自由本文所定义的通用取代基组成的群组的取代基。

在一些这类实施例中，吸电子基团可以是CN或F。

在OLED的一些实施例中，化合物A1包括硼基。

在发射区域包括化合物H1的OLED的一些实施例中，化合物H1包括硼基。

在发射区域包括化合物H1的OLED的一些实施例中，发射区域进一步包括作为第二主体的化合物H2，其中化合物H2具有HOMO E_HH2，且E_HA-E_HH2<0.25。应理解，优选的是受体HOMO能级与主体HOMO能级接近或更深，以避免受体上的强电荷捕获，所述强电荷捕获可能引起受体上的不期望的直接电荷复合。

在OLED的一些实施例中，化合物S1的VDR值>0.25，更优选>0.3，并且最优选>0.35。

在OLED的一些实施例中，化合物A1的VDR值<0.15，更优选<0.1。

化合物S1对化合物A1的VDR值的影响—仅含有化合物S1和化合物A1的第一薄膜的VDR低于含有掺杂于参考主体化合物A中的化合物A1的第二薄膜，其中化合物A1为第一薄膜和第二薄膜中的唯一发射体，其中参考主体化合物A为

在一些实施例中，化合物S1是包括选自以下的金属M的金属络合物：Ir、Pt、Pd、Zn、Au、Ag和Cu。在一些实施例中，金属M是Ir、Pt或Pd，且化合物S1具有式M(L¹)_x(L²)_y(L³)_z；

其中L¹、L²和L³可以相同或不同；

其中x是1、2或3；

其中y是0、1或2；

其中z是0、1或2；

其中x+y+z是金属M的氧化态；

其中L¹选自由以下配体清单的结构组成的群组：

/>

其中L²和L³独立地选自由以下组成的群组：和配体清单的结构；其中：/>

T选自由以下组成的群组：B、Al、Ga和In；

K¹'是直接键或选自由以下组成的群组：NR_e、PR_e、O、S和Se；

每个Y¹到Y¹³独立地选自由碳和氮组成的群组；

Y'选自由以下组成的群组：BR_e、NR_e、PR_e、O、S、Se、C＝O、S＝O、SO₂、CR_eR_f、SiR_eR_f和GeR_eR_f；

R_e和R_f能稠合或接合以形成环；

每个R_a、R_b、R_c和R_d能够独立地表示单取代至最大可能数目个取代，或无取代；

每个R_a1、R_b1、R_c1、R_d1、R_a、R_b、R_c、R_d、R_e和R_f独立地是氢或选自由本文所定义的通用取代基组成的群组的取代基；且

其中R_a1、R_b1、R_c1、R_d1、R_a、R_b、R_c和R_d中的任何两个能稠合或接合以形成环或形成多齿配体。

在本公开的OLED的一些实施例中，化合物S1具有选自由以下敏化剂清单2中的结构组成的群组的式：

/>

其中：

X⁹⁹为C或N；

每个Y¹⁰⁰独立地选自由NR”、O、S和Se组成的群组；

L独立地选自由以下组成的群组：直接键、BR”、BR”R”'、NR”、PR”、O、S、Se、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR”、C＝CR”R”'、S＝O、SO₂、CR”、CR”R”'、SiR”R”'、GeR”R”'、烷基、环烷基、芳基、杂芳基和其组合；

X¹⁰⁰在每次出现时选自由以下组成的群组：O、S、Se、NR"和CR”R”'；

每个R^10a、R^20a、R^30a、R^40a和R^50a、R^A”、R^B”、R^C”、R^D”、R^E”和R^F”独立地表示单取代至最大取代，或无取代；

R、R'、R”、R”'、R^10a、R^11a、R^12a、R^13a、R^20a、R^30a、R^40a、R^50a、R⁶⁰、R⁷⁰、R⁹⁷、R⁹⁸、R⁹⁹、R^A1'、R^A2'、R^A”、R^B”、R^C”、R^D”、R^E”、R^F”、R^G”、R^H”、R^I”、R^J”、R^K”、R^L”、R^M”和R^N”中的每一个独立地是氢或选自由本文所定义的通用取代基组成的群组的取代基；其中任何两个取代基可稠合或接合以形成环。

应理解，敏化剂清单2中的那些化合物中的每一者中的金属Pt可被Pd置换，并且还希望特别涵盖那些衍生的Pd化合物。

在一些实施例中，化合物S1具有选自由以下敏化剂清单3中的结构组成的群组的式：

/>

根据另一方面，公开一种新颖组合物。组合物包括：化合物S1；和化合物A1；其中当组合物成形为有机电致发光装置的发射层时，化合物S1充当将能量转移到化合物A1的有机金属敏化剂，且化合物A1是作为发射体的受体；其中化合物A1的VDR值≥0.33。优选地，化合物A1的VDR值≥0.4。更优选地，化合物A1的VDR值≥0.5。

根据另一方面，公开一种OLED，其中OLED包括：基板；第一电极；有机发射层，其包括安置在电极上的有机发射材料；其中发射材料包括上文所提及的新颖组合物中的任一者。

[增强层]

在包含包括新颖组合物中的任一者的发射材料的OLED的一些实施例中，装置进一步包括：增强层，其包括展现表面等离子体共振的等离子体材料，所述等离子体材料非辐射地耦合到有机发射材料且将激发态能量从有机发射材料转移到表面等离子体极化激元的非辐射模式能量，所述增强层安置在有机发射层上与第一电极相对；其中增强层被设置成离有机发射层不超过阈值距离；其中有机发射材料由于存在增强层而具有总非辐射衰减率常数和总辐射衰减率常数，且“阈值距离”被定义为总非辐射衰减率常数等于总辐射衰减率常数的位置。这类OLED还可以包含设置在增强层上的外耦合层，其中外耦合层将表面等离子体极化激元的非辐射模式能量作为光子散射到自由空间。

在一些实施例中，公开一种OLED，其包括：

衬底；

第一电极；

有机发射区域，其安置在所述第一电极上；

增强层，其安置在所述有机发射区域上与所述第一电极相对；

其中所述发射区域包括：

化合物S1；和

化合物A1；

其中化合物S1是将能量转移到化合物A1的敏化剂，且化合物A1是作为发射体的受体，其中增强层包括展现表面等离子体共振的等离子体材料，所述等离子体材料非辐射地耦合到化合物A1、化合物S1或化合物A1和S1两者，且将激发态能量从化合物A1、化合物S1或从化合物A1和S1两者转移到表面等离子体极化激元的非辐射模式能量。

在具有增强层的OLED的一些实施例中，增强层被设置成离有机发射区域不超过阈值距离，其中化合物A1由于存在增强层而具有总非辐射衰减率常数和总辐射衰减率常数。在具有增强层的OLED的一些实施例中，增强层包括以下中的一或多者：Ag、Al、Au、Ir、Pt、Ni、Cu、W、Ta、Fe、Cr、Mg、Ga、Rh、Ti、Ru、Pd、In、Bi、Ca、或这些金属的合金或混合物。

在具有增强层的OLED的一些实施例中，增强层被设置成离有机发射区域不超过阈值距离，其中化合物S1由于存在增强层而具有总非辐射衰减率常数和总辐射衰减率常数。

在具有增强层的OLED的一些实施例中，增强层被设置成离有机发射区域不超过阈值距离，其中有机发射区域由于存在增强层而具有总非辐射衰减率常数和总辐射衰减率常数。

在具有增强层的OLED的一些实施例中，OLED还可以包含安置在增强层上的外耦合层，其中外耦合层将表面等离子体极化激元的非辐射模式能量作为光子散射到自由空间。

在具有增强层的OLED的一些实施例中，来自化合物A1的发射的FWHM小于来自化合物S1的发射。在一些实施例中，来自化合物A1的发射的发射峰最大值的能量高于来自化合物S1的发射的发射峰最大值。

在具有增强层的OLED的一些实施例中，化合物A1的VDR>化合物S1的VDR。

在具有增强层的OLED的一些实施例中，化合物A1的光致发光量子产额(PLQY)>化合物S1的PLQY。

在具有增强层的OLED的一些实施例中，有机发射区域中的敏化剂化合物S1和/或发射体化合物A1的掺杂浓度水平分布不均匀。掺杂浓度水平分布是跨有机发射区域的厚度而定义的。

在具有增强层的OLED的一些实施例中，化合物S1和/或化合物A1的掺杂浓度水平跨有机发射区域的厚度呈梯度。在一些实施例中，梯度从低到高。在一些实施例中，梯度从高到低。

在具有增强层的OLED的一些实施例中，有机发射区域是单层。在具有增强层的OLED的一些实施例中，有机发射区域包括多个层。

在具有增强层的OLED的一些实施例中，OLED进一步包括第一电极与有机发射区域之间的空穴传输层(HTL)，其中化合物S1是磷光敏化剂且化合物A1是荧光受体，且化合物A1在发射区域中的掺杂浓度朝向HTL增大，即，化合物A1的浓度靠近HTL而增大。

在具有增强层的OLED的一些实施例中，OLED进一步包括第二电极与有机发射区域之间的电子传输层(ETL)，其中化合物A1是荧光受体，且化合物A1在发射区域中的掺杂浓度朝向ETL增大。

在具有增强层的OLED的一些实施例中，化合物S1能够在室温下进行磷光发射或TADF发射。

在具有增强层的OLED的一些实施例中，化合物S1的发射比重≤OLED的总电致发光光谱的45％。在具有增强层的OLED的一些实施例中，化合物S1不发射光。

在具有增强层的OLED的一些实施例中，化合物S1完全或部分氘化。在具有增强层的OLED的一些实施例中，化合物A1完全或部分氘化。

在具有增强层的OLED的一些实施例中，化合物S1的VDR≥0.25。在一些实施例中，化合物S1的VDR≥0.3。在一些实施例中，化合物S1的VDR≥0.35。在一些实施例中，化合物S1的VDR≥0.40。在一些实施例中，化合物S1的VDR≥0.45。在一些实施例中，化合物S1的VDR≥0.50。在一些实施例中，化合物S1的VDR≥0.55。在一些实施例中，化合物S1的VDR≥0.60。

在具有增强层的OLED的一些实施例中，化合物A1的VDR≤0.33。在一些实施例中，化合物A1的VDR≤0.30。在一些实施例中，化合物A1的VDR≤0.25。在一些实施例中，化合物A1的VDR≤0.20。在一些实施例中，化合物A1的VDR≤0.15。在一些实施例中，化合物A1的VDR≤0.10。

在具有增强层的OLED的一些实施例中，化合物S1和化合物A1的VDR均≥0.33。在一些实施例中，化合物S1和A1的VDR均≥0.40。在一些实施例中，化合物S1和A1的VDR均≥0.45。在一些实施例中，化合物S1和A1的VDR均≥0.50。在一些实施例中，化合物S1和A1的VDR均≥0.55。在一些实施例中，化合物S1和A1的VDR均≥0.60。在具有增强层的OLED的一些实施例中，化合物S1的VDR小于0.33且化合物A1的VDR≥0.33。

在具有增强层的OLED的一些实施例中，发射区域包括作为第一主体的化合物H1，且化合物S1和化合物A1中的至少一者掺杂于第一主体中。在一些实施例中，化合物S1和化合物A1中的至少一者包括至少一个氘。

在一些实施例中，化合物S1、A1和H1中的至少一者包括至少一个氘。

在具有增强层的OLED的所公开实施例中的任一者中，化合物S1可以包括至少一个选自由以下组成的群组的部分：二苯并呋喃、二苯并噻吩、二苯并硒吩、咔唑、氮杂-二苯并呋喃、氮杂-二苯并噻吩和氮杂-二苯并硒吩。

在具有增强层的OLED的所公开实施例中的任一者中，化合物A1可以包括含有五个或更多个5元或6元碳环或杂环的稠合环系统。

在具有增强层的OLED的一些实施例中，化合物H1包括选自以下的部分：双咔唑、联咔唑、吲哚并咔唑、1-N吲哚并咔唑、三嗪、嘧啶、硼基、氮杂-二苯并硒吩、氮杂-二苯并呋喃、氮杂-二苯并噻吩和三亚苯。

在具有增强层的OLED的所公开实施例的任一者中，在室温下，在化合物S1以1重量％掺杂于PMMA中的薄膜中，S1的发射瞬变>3μs。

在具有增强层的OLED的所公开实施例中的任一者中，化合物S1可包括含有四个或更多个碳环或杂环的第一配体。

在具有增强层的OLED的所公开实施例中的任一者中，化合物S1可以是Ir络合物。在具有增强层的OLED的一些实施例中，化合物S1是Pt络合物。

在具有增强层的OLED的一些所公开实施例中，化合物S1在室温2-MeTHF溶液中的发射最大值10％发射起点≥490nm。

在具有增强层的OLED的一些所公开实施例中，化合物A1的FWHM≤30nm。

在具有增强层非OLED的一些所公开实施例中，化合物A1的S₁-T₁≤0.3eV。

在具有增强层的OLED的一些所公开实施例中，化合物S1具有HOMO能级E_HS，且化合物A1具有HOMO能级E_HA，且E_HS>E_HA。在具有增强层的OLED的一些所公开实施例中，化合物A1具有LUMO能级E_LA，且其中化合物H1具有LUMO能级E_LH，且E_LH<E_LA。

在具有增强层的OLED的一些所公开实施例中，化合物S1在室温2-MeTHF溶液中具有发射峰最大值λ_maxS，且化合物A1在室温2-MeTHF溶液中具有发射峰最大值λ_maxA，且λ_maxS-λ_maxA<20nm。

在具有增强层的OLED的一些所公开实施例中，化合物S1包括铂-氧键。

在具有增强层的OLED的一些所公开实施例中，化合物S1包括氘化烷基。

在具有增强层的OLED的一些所公开实施例中，化合物H1包括硼基。

在具有增强层的OLED的一些所公开实施例中，化合物A1包括硼基。

在具有增强层的OLED的一些所公开实施例中，发射区域进一步包括作为第二主体的化合物H2，其中化合物H2具有HOMO E_HH2，且E_HA-E_HH2<0.25。

在具有增强层的OLED的一些所公开实施例中，化合物S1的VDR>0.25。

在具有增强层的OLED的一些所公开实施例中，化合物A1的VDR值<0.15。

在具有增强层的OLED的一些所公开实施例中，仅含有化合物S1和化合物A1的第一薄膜的VDR低于含有掺杂于参考主体化合物A中的化合物A1的第二薄膜，其中化合物A1是第一薄膜和第二薄膜中的唯一发射体，其中参考主体化合物A为

/>

在具有增强层的OLED的一些所公开实施例中，化合物S1是包括选自Ir、Pt、Pd、Au、Ag和Cu的金属的金属络合物。

在具有增强层的OLED的一些所公开实施例中，金属M是Ir、Pt或Pd，且化合物S1具有式M(L¹)_x(L²)_y(L³)_z；

其中L¹、L²和L³可以相同或不同；

其中x是1、2或3；

其中y是0、1或2；

其中z是0、1或2；

其中x+y+z是金属M的氧化态；

其中L¹选自由本文所定义的配体清单的结构组成的群组；且其中L²和L³独立地选自由以下组成的群组：和配体清单的结构。

在具有增强层的OLED的一些所公开实施例中，化合物S1具有选自由本文所定义的敏化剂清单2中的结构组成的群组的式。

在具有增强层的OLED的一些所公开实施例中，化合物S1具有选自由本文所定义的敏化剂清单3中的结构组成的群组的式。

在另一个方面，本公开提供等离子体OLED以及优化等离子体和敏化OLED的优点的装置特性。

相比常规OLED装置设计中可实现的，将激发态能量有意耦合到附近金属的等离子体模式的有机发光装置(OLED)已展现改进的可操作稳定性和较高效率潜能。另外，敏化OLED从敏化掺杂剂快速去除激发态能量且将其转移到具有其它期望特性的发射体，所述其它期望特性可能包含提高的效率或稳定性或更多饱和色彩。

在一些实施例中，等离子体OLED被设计成使得复合区位于增强层的阈值距离内，增强层通常是但不限于是金属阴极。阈值距离被定义为总非辐射衰减率常数等于总辐射衰减率常数的距离。通过将发射体能量快速淬灭到附近增强层的等离子体模式，减少发射体的激发态寿命，从而降低稳态激子密度且增加装置稳定性。此外，利用的并有有效等离子体外耦合机制的等离子体OLED的效率超过常规OLED。

在一些实施例中，公开磷光敏化等离子体OLED，诸如图4中所示。图4绘示展示磷光敏化等离子体OLED中激发态能量转移之各种路径的能级图。所述图包含荧光或TADF发射体的能级。在这些实施例中，能量转移路径产生等离子体模式耦合。

应理解，由于耦合到等离子体模式需要激发态与基态之间存在看得出的跃迁偶极矩，所以并非所有激发态将展现等离子体模式耦合。假设从磷敏化剂的第一单态激发态(S1)到其第一三重态激发态(T1)的系统间穿越的速率比耦合到等离子体模式(即，k_ISC>>k_P)的速率快得多，那么在等离子体耦合发生之前，电注入的激子将全部存在于T1状态。由于磷光发射体从T1辐射衰减到基态(S0)的能力，等离子体耦合可能来自磷敏化剂的T1。除等离子体模式耦合以外，磷的T1激子也将经由福斯特共振能量转移(FRET)转移到发射体的S1。

在一些实施例中，发射体是荧光团，且荧光团的S1到等离子体模式的耦合也是可能的。然而，应理解，经由德克斯特能量转移转移到荧光团的T1的任何三重态激子将不能够耦合到等离子体模式(或允许以辐射方式衰减)。在一些实施例中，发射体是热激活延迟荧光(TADF)发射体，其能够通过逆向系统间穿越到S1来控制转移到T1的任何三重态德克斯特。然而，仅S1而非T1可以耦合到TADF发射体的等离子体模式，因为T1不具有看得出的偶极矩。

不受任何理论限制，相信激发态寿命τ由辐射(k_R)、非辐射(k_NR)和等离子体(k_P)衰减速率组成，其关系如下：

其中发射体表示为下标“e”且敏化剂为下标“s”。

在一些实施例中，公开TADF敏化等离子体OLED，诸如图5中所示。图5绘示展示TADF敏化等离子体OLED中激发态能量转移之各种路径的能级图。所述图包含荧光、TADF或磷光发射体的能级。在这些实施例中，能量转移路径产生等离子体模式。

在一些实施例中，等离子体OLED通过TADF敏化剂敏化(图5)。如果发射体是磷，那么敏化剂上的三重态可以德克斯特转移到磷发射体的三重态，其中这些三重态可以耦合到等离子体模式(或较不优选地，发射到基态)。敏化剂上的单态可以直接耦合到等离子体模式，或可以经由FRET转移到发射体的单态激发态，所述发射体是荧光团、磷或TADF发射体。在荧光团或TADF发射体的情况下，可能直接耦合到等离子体模式。在磷的情况下，由于磷中的系统间穿越的飞秒速率超过等离子体耦合的速率，在发生等离子体耦合之前，单态几乎一定会首先经历到三重态的系统间穿越。

在一些实施例中，在直接耦合到等离子体之前发生激子从TADF敏化剂的转移。这是因为TADF分子中寿命最长的激发态，即三重态不具有看得出的偶极矩，因此无法直接耦合到等离子体模式。这意味着等离子体耦合很可能不会实现TADF敏化剂直接耦合到等离子体模式的装置的装置稳定性的任何增加。然而，这类装置仍然可以实现等离子体OLED相对于常规OLED的效率增加。在一些实施例中，方法是将激子从TADF敏化剂转移到发射体，随后将所述能量耦接到等离子体模式。

在一些实施例中，等离子体OLED仅涉及单种敏化剂和单个发射体。在一些实施例中，等离子体OLED并有多种敏化剂和/或发射体。在一些实施例中，等离子体OLED并有多个敏化等离子体OLED的堆叠，包含其中堆叠的一些组分可以被敏化且其它组分可以不敏化的情况。

在图4和5中，发射体的S1通常低于敏化剂的S1，但敏化剂的T1的能量可能高于或低于发射体的S1。应注意，敏化剂和发射体的能级之间的关系不应如图所示绝对地相对于彼此看待。其主要仅用于参考。还应注意，耦合到等离子体模式可以是双向过程，即，敏化剂或发射体泵吸等离子体，和/或等离子体泵吸敏化剂或发射体。这些过程可以同时发生。

相信敏化等离子体OLED可以实现几种益处。这些益处包含但不限于以下：

(1)磷敏化剂上的三重态转移到发射体的S1或T1将减少磷的激发态寿命，且以上方程式中引入的等离子体模式的其它耦合将进一步缩短激发态寿命，从而可以为装置增加更多稳定性。另外，等离子体模式的耦合效率和所得珀塞尔增强(Purcell enhancement)应不受敏化干扰(即，除敏化之外还发生)。

(2)等离子体OLED实现的外部量子效率(EQE)超出常规OLED装置设计可能实现的水平。虽然敏化OLED由于荧光团或TADF发射体的水平发射偶极而可以实现高于常规OLED的EQE，但等离子体OLED实现高于40％EQE、可能高于60％EQE的可能性仍然更高。

(3)荧光团或TADF发射体通常具有比磷窄的发射(如由电致发光光谱的半幅值全宽所定义)。这种窄发射可能有益，因为其可以被设计成更好地对齐等离子体外耦合方案的共振。相信在等离子体外耦合共振的峰处发射的窄发射体将优于相同峰值波长处发射的宽发射体。

(4)如果发射体的跃迁偶极矩被定向为比各向同性发射体更优先垂直对齐，那么将增强等离子体模式的耦合效率。因此，设计成更垂直定向的跃迁偶极矩的发射体将具有相对于敏化等离子体OLED增加的稳定性和效率益处。

在以上实施例中的一些中，当敏化剂和发射体都与垂直跃迁偶极矩对齐时，偶极-偶极能量转移被优化。这对于敏化等离子体PHOLED特别有利，因为垂直对齐的偶极比水平对齐的偶极更高效地耦合到等离子体模式。此外，在常规OLED设计中，垂直对齐的偶极因为低光子提取效率而不和需要。

在以上实施例中的一些中，即使敏化剂或发射体中的一者具有更垂直对齐的跃迁偶极，能量转移增强。相信情况确实如此，除非其它物种的跃迁偶极比各向同性偶极更水平对齐。即使发射体水平对齐，等离子体装置也可以被设计成并有改进等离子体模式耦合的元素，诸如增强层的表面粗糙度。在另一实施例中，等离子体装置可以被设计成将来自发射体的能量直接耦合到外耦合结构，所述外耦合结构可以由为金属或电介质(或两者的组合)的纳米粒子组成。在这些结构中，可以优选更水平对齐的跃迁偶极以增强到外耦合结构的能量转移。

在以上实施例中的一些中，如果发射体与另一材料形成激态复合物，所述另一材料可以是发射层的主体或另一组分，但也可以跨越与相邻阻挡层或传输层的层界面形成，那么所述激态复合物的偶极矩可以被设计成更垂直定向且因此增强等离子体耦合效率。

在一些实施例中，外耦合结构可以由通过电介质间隔物与增强层分离的纳米粒子层组成。在一些实施例中，可能不需要间隔物层。在一些实施例中，纳米粒子可以是金属、电介质或含有任一或两者的堆叠/合金和/或核/壳结构。在一些实施例中，OLED可以包含安置在增强层上与装置的电泵吸发射层相对的一侧上的发射材料。在一些实施例中，发射材料是具有小斯托克位移和窄发射线宽的下转换材料。在一些这类实施例中，纳米粒子可能存在或可能不存在，且发射材料可以与增强层直接相邻或间隔开。

还公开一种消费型产品，其包括OLED的所公开实施例中的任一者。所述消费型产品选自由以下组成的群组：平板显示器、计算机监视器、医疗监视器、电视机、告示牌、用于内部或外部照明和/或发信号的灯、平视显示器、全透明或部分透明的显示器、柔性显示器、激光打印机、电话、蜂窝电话、平板电脑、平板手机、个人数字助理(PDA)、可佩戴装置、膝上型计算机、数码相机、摄像机、取景器、对角线小于2英寸的微型显示器、3-D显示器、虚拟现实或增强现实显示器、交通工具、包括多个平铺在一起的显示器的视频墙、剧院或体育馆屏幕、光治疗装置和指示牌。

在一些实施例中，本公开的OLED包括安置于阳极与阴极之间的发射区域；其中发射区域包括敏化剂化合物和受体化合物；其中敏化剂将能量转移到作为发射体的受体化合物。在一些实施例中，敏化剂化合物能够在OLED中、在室温下发射从三重激发态到单重基态的光。在一些实施例中，敏化剂化合物能够在室温下充当OLED中的磷光发射体、TADF发射体或双重态发射体。在一些实施例中，受体化合物选自由以下组成的群组：在室温下在OLED中充当TADF发射体的延迟荧光化合物、在室温下在OLED中充当荧光发射体的荧光化合物。在一些实施例中，荧光发射体可以是单态或双重态发射体。在一些这类实施例中，单态发射体还可以包含TADF发射体，此外，多共振MR-TADF发射体。如本文所使用，延迟荧光的描述可以见于美国申请公开US20200373510A1第0083-0084段，其全部内容以引用的方式并入本文中。

在OLED的一些实施例中，敏化剂和受体化合物存在于发射区域内的各别层中。

在一些实施例中，敏化剂和受体化合物以混合物形式存在于发射区域中的一或多个层中。应理解，给定层中的混合物可为均质混合物，或混合物中的化合物在给定层的整个厚度中可具有浓度梯度。浓度梯度可呈线性、非线性、正弦形等。当具有敏化剂和受体化合物的混合物的发射区域中存在超过一个层时，混合物的类型(即，均质或梯度浓度)和超过一个层中的每一层中的混合物中的化合物浓度水平可以相同或不同。除敏化剂和受体化合物以外，还可以存在一或多种其它官能化合物，例如但不限于主体也混合成混合物。

在一些实施例中，受体化合物可以存在于具有相同或不同浓度的两个或更多个层中。在一些实施例中，当两个或更多个层含有受体化合物时，受体化合物在两个或更多个层中的至少两个层中的浓度不同。在一些实施例中，敏化剂化合物在含有敏化剂化合物的层中的浓度在1至50重量％、10至20重量％或12至15重量％范围内。在一些实施例中，含有受体化合物的层中的受体化合物浓度在0.1至10重量％、0.5至5重量％、或1至3重量％范围内。

在一些实施例中，发射区域含有N个层，其中N>2。在一些实施例中，敏化剂化合物存在于N个层中的每一层中，且受体化合物含于少于或等于N-1个层中。在一些实施例中，敏化剂化合物存在于N个层中的每一层中，且受体化合物含于少于或等于N/2个层中。在一些实施例中，受体化合物存在于N个层中的每一层中，且敏化剂化合物含于少于或等于N-1个层中。在一些实施例中，受体化合物存在于N个层中的每一层中，且敏化剂化合物含于少于或等于N/2个层中。

在一些实施例中，当跨越OLED施加电压时，OLED发出发光发射，其包括来自受体化合物的S₁能量(第一单态能量)的发射分量。在一些实施例中，OLED的至少65％、75％、85％或95％的发射是由受体化合物以至少10cd/m²的亮度产生。在一些实施例中，受体化合物的S₁能量低于敏化剂化合物的S₁能量。

在一些实施例中，主体化合物的T₁能量(第一三重态能量)高于敏化剂化合物和受体化合物的T₁能量。在一些实施例中，敏化剂化合物和/或受体化合物的S₁-T₁能量间隙低于400、300、250、200、150、100或50meV。

在敏化剂化合物提供单色敏化(即，在能量转移到受体化合物后，能量损耗最小)的一些实施例中，受体化合物具有30、25、20、15或10nm或更小的斯托克位移。实例是对窄蓝光发射受体敏感的宽蓝色磷光体。

在敏化剂化合物提供下转换过程的一些实施例中(例如，用于敏化绿色发射体的蓝色发射体，或用于敏化红色发射体的绿色发射体)，受体化合物具有30、40、60、80或100nm或更大的斯托克位移。

一种定量敏化剂化合物(待用作本公开的OLED发射区域中的敏化剂的化合物)与受体化合物(待用作本公开的OLED发射区域中的受体的化合物)之间的定性关系的方式是确定值Δλ＝λ_max1-λ_max2，其中λ_max1和λ_max2定义如下。λ_max1是当敏化剂化合物用作具有第一主体的第一单色OLED(仅发射一种色彩的OLED)中的唯一发射体时、敏化剂化合物在室温下的发射最大值。λ_max2是当受体化合物用作具有相同第一主体的第二单色OLED中的唯一发射体时、受体化合物在室温下的发射最大值。

在敏化剂化合物提供单色敏化(即，在能量转移到受体化合物后，能量损耗最小)的本公开OLED的一些实施例中，Δλ(如上文所述确定)等于或小于选自由以下组成的群组的数字：15、12、10、8、6、4、2、0、-2、-4、-6、-8和-10nm。

在受体的发射通过敏化进行红移的一些实施例中，Δλ等于或大于选自由20、30、40、60、80、100nm组成的群组的数值。

在实施例中，敏化剂化合物能够在室温下充当OLED中的磷光发射体，并且敏化剂化合物可以是具有金属-碳键、金属-氮键或金属-氧键的金属配位络合物。在一些实施例中，金属选自由以下组成的群组：Ir、Rh、Re、Ru、Os、Pt、Pd、Zn、Au、Ag和Cu。在一些实施例中，金属是Ir。在一些实施例中，金属是Pt。在一些实施例中，敏化剂化合物具有式M(L¹)_x(L²)_y(L³)_z；

其中L¹、L²和L³可以相同或不同；

其中x是1、2或3；

其中y是0、1或2；

其中z是0、1或2；

其中x+y+z是金属M的氧化态；

其中L¹选自由以下配体清单中的结构组成的群组：

/>

其中L²和L³独立地选自由以下组成的群组：和配体清单中的结构；其中：

T选自由B、Al、Ga和In组成的群组；

K¹'是直接键或选自由NR_e、PR_e、O、S和Se组成的群组；

各Y¹至Y¹³独立地选自由碳和氮组成的群组；

R_e与R_f可稠合或接合以形成环；

各R_a、R_b、R_c和R_d可独立地表示单取代到最大可能数目个取代，或无取代；

各R_a1、R_b1、R_c1、R_d1、R_a、R_b、R_c、R_d、R_e和R_f独立地是氢或选自由本文所定义的通用取代基组成的群组的取代基；并且

其中R_a1、R_b1、R_c1、R_d1、R_a、R_b、R_c和R_d中的任何两个可稠合或接合以形成环或形成多齿配体。

在一些实施例中，式M(L¹)_x(L²)_y(L³)_z中的金属选自由Cu、Ag或Au组成的群组。

在OLED的一些实施例中，敏化剂化合物具有选自由以下组成的群组的式：Ir(L_A)₃、Ir(L_A)(L_B)₂、Ir(L_A)₂(L_B)、Ir(L_A)₂(L_C)、Ir(L_A)(L_B)(L_C)和Pt(L_A)(L_B)；

其中L_A、L_B和L_C在Ir化合物中彼此不同；

其中L_A和L_B在Pt化合物中可以相同或不同；且

其中L_A和L_B可连接以在Pt化合物中形成四齿配体。

在OLED的一些实施例中、敏化剂化合物选自由以下敏化剂清单中的化合物组成的群组：

/>

其中：

X⁹⁶至X⁹⁹中的每一者独立地是C或N；

各Y¹⁰⁰独立地选自由NR”、O、S和Se组成的群组；

X¹⁰⁰在每次出现时选自由O、S、Se、NR”和CR”R”'组成的群组；

每个R^10a、R^20a、R^30a、R^40a和R^50a、R^A"、R^B"、R^C"、R^D"、R^E"和R^F"独立地表示单取代至最大取代，或无取代；

R、R'、R"、R"'、R^10a、R^11a、R^12a、R^13a、R^20a、R^30a、R^40a、R^50a、R⁶⁰、R⁷⁰、R⁹⁷、R⁹⁸、R⁹⁹、R^A1'、R^A2'、R^A"、R^B"、R^C"、R^D"、R^E"、R^F"、R^G"、R^H"、R^I"、R^J"、R^K"、R^L"、R^M"和R^N"中的每一者独立地是氢或选自由如本文所定义的通用取代基组成之群的取代基；其中任何两个取代基可稠合或接合以形成环。

在其中敏化剂选自由敏化剂清单中的结构组成的群组的OLED的一些实施例中，R、R'、R”、R”'、R^10a、R^11a、R^12a、R^13a、R^20a、R^30a、R^40a、R^50a、R⁶⁰、R⁷⁰、R⁹⁷、R⁹⁸、R⁹⁹、R^A1'、R^A2'、R^A”、R^B”、R^C”、R^D”、R^E”、R^F”、R^G”、R^H”、R^I”、R^J”、R^K”、R^L”、R^M”和R^N”中的一或多者包括选自由以下组成的群组的部分：完全或部分氘化的芳基、完全或部分氘化的烷基、硼基、硅烷基、锗烷基、2,6-联三苯、2-联苯、2-(叔丁基)苯基、四亚苯、四氢萘和其组合。

应理解，敏化剂清单中的那些化合物中的每一者中的金属Pt可被Pd置换，并且还希望特别涵盖那些衍生的Pd化合物。

在一些实施例中，敏化剂能够在室温下充当OLED中的磷光发射体、TADF发射体或双重态发射体。在一些实施例中，受体化合物选自由以下组成的群组：在室温下在OLED中充当TADF发射体的延迟荧光化合物、在室温下在OLED中充当荧光发射体的荧光化合物。在一些这类实施例中，单态发射体还可以包含TADF发射体，此外，多共振MR-TADF发射体。如本文所用，延迟荧光的描述可以见于美国申请公开US20200373510A1第0083-0084段，其全部内容通过引用并入本文中。

在OLED的一些实施例中，敏化剂和受体在发射区域内的各别层中。

在一些实施例中，敏化剂和受体以混合物形式存在于发射区域中的一或多个层中。应理解，给定层中的混合物可以是均匀混合物，或混合物中的化合物可以在给定层的整个厚度上呈梯度浓度。浓度梯度可以是线性、非线性、正弦等。当具有敏化剂和受体化合物的混合物的发射区域中存在超过一个层时，混合物的类型(即，均质或梯度浓度)和超过一个层中的每一个中的混合物中的化合物浓度水平可以相同或不同。除敏化剂和受体化合物以外，还可以存在一或多种其它官能化合物，例如但不限于主体也混合到混合物中。

在一些实施例中，受体可以在具有相同或不同浓度的两个或更多个层中。在一些实施例中，当两个或更多个层含有受体时，受体在两个或更多个层中的至少两个中的浓度不同。在一些实施例中，敏化剂在含有敏化剂的层中的浓度在1至50重量％、10至20重量％、或12至15重量％范围内。在一些实施例中，受体在含有受体的层中的浓度在0.1至10重量％、0.5至5重量％、或1至3重量％范围内。

在一些实施例中，发射区域含有N个层，其中N>2。在一些实施例中，敏化剂化存在于N个层中的每一层中，且受体含于少于或等于N-1个层中。在一些实施例中，敏化剂存在于N个层中的每一层中，且受体含于少于或等于N/2个层中。在一些实施例中，受体存在于N个层中的每一个中，且敏化剂含于小于或等于N-1个层中。在一些实施例中，受体存在于N个层中的每一个中，且敏化剂含于小于或等于N/2个层中。

在一些实施例中，当跨越OLED施加电压时，OLED发出发光发射，其包括来自受体的S₁能量(第一单态能量)的发射分量。在一些实施例中，OLED的至少65％、75％、85％或95％的发射是由受体以至少10cd/m²的亮度产生。在一些实施例中，受体的S₁能量低于敏化剂的S₁能量。

在一些实施例中，主体化合物的T₁能量(第一三重态能量)大于或等于敏化剂和受体的T₁能量，并且敏化剂的T₁能量大于或等于受体的S₁能量(第一单态能量)。在一些实施例中，敏化剂和/或受体和/或第一主体化合物和/或第二主体化合物的S₁-T₁能隙小于400、300、250、200、150、100或50meV。在一些实施例中，敏化剂的HOMO与受体的HOMO之间的绝对能量差小于0.6、0.5、0.4、0.3或0.2eV。在一些实施例中，敏化剂的LUMO与受体的LUMO之间的绝对能量差小于0.6、0.5、0.4、0.3或0.2eV。

在敏化剂提供单色敏化(即，在能量转移到受体后，能量损耗最小)的一些实施例中，受体具有30、25、20、15或10nm或更小的斯托克位移。实例是敏化窄蓝光发射受体的宽蓝色磷光体。

在敏化剂提供下转换过程的一些实施例中(例如，用于敏化绿色发射体的蓝色发射体，或用于敏化红色发射体的绿色发射体)，受体具有30、40、60、80或100nm或更大的斯托克位移。

在一些实施例中，敏化剂的发射光谱的λmax与受体的吸收光谱的λmax之间的差是50、40、30或20nm或更小。在一些实施例中，相对于敏化剂的发光面积，受体的光吸收面积与敏化剂的发光面积的光谱重叠大于5％、10％、15％、20％、30％、40％、50％或更多。

一种定量敏化剂化合物(待用作本公开的OLED发射区域中的敏化剂的化合物)与受体化合物(待用作本公开的OLED发射区域中的受体的化合物)之间的定性关系的方式是确定值Δλ＝λ_max1-λ_max2，其中λ_max1和λ_max2定义如下。λ_max1是当敏化剂化合物用作具有第一主体的第一单色OLED(仅发射一种色彩的OLED)中的唯一发射体时，敏化剂化合物在室温下的发射最大值。λ_max2是当受体化合物用作具有相同第一主体的第二单色OLED中的唯一发射体时，受体化合物在室温下的发射最大值。

在敏化剂提供单色敏化(即，在能量转移到受体后，能量损耗最小)的本公开OLED的一些实施例中，Δλ(如上文所描述确定)等于或小于选自由以下组成的群组的数值：15、12、10、8、6、4、2、0、-2、-4、-6、-8和-10nm。

在一些实施例中，敏化剂和受体的光谱重叠积分至少是10¹⁴nm^4*L/cm*mol。在一些实施例中，敏化剂和受体的光谱重叠积分至少是5×10¹⁴nm^4*L/cm*mol。在一些实施例中，敏化剂和受体的光谱重叠积分至少是10¹⁵nm^4*L/cm*mol。

如本文所用，“光谱重叠积分”是通过将受体消光光谱乘以相对于曲线下面积归一化的敏化剂发射光谱来确定。光谱重叠越高，则福斯特共振能量转移(FRET)效率越好。FRET比率与光谱重叠积分成比例。因此，高光谱重叠可有助于提高FRET效率且缩短OLED中的激子寿命。

在一些实施例中，选择受体和敏化剂以增加光谱重叠。可通过若干方式实现光谱重叠的增加，例如增加受体的振荡强度、最小化敏化剂峰值发射强度与受体吸收峰值之间的距离，以及缩窄敏化剂发射或受体吸收的线性形状。在一些实施例中，受体的振荡强度大于或等于0.1。

在受体发射通过敏化红移的一些实施例中，Δλ绝对值等于或大于选自由20、30、40、60、80、100nm组成的群组的数值。

在一些实施例中，敏化剂和/或受体可以是磷光或荧光发射体。磷光通常是指电子自旋量子数变化时的光子发射，即，发射的初始和最终状态具有不同的电子自旋量子数，例如从T1到S0状态。目前在OLED中广泛使用的Ir和Pt络合物属于磷光发射体。在一些实施例中，如果激态复合物形成涉及三重态发射体，那么这类激态复合物也可以发射磷光。另一方面，荧光发射体通常是指电子自旋量子数不变的光子发射，例如从S1到S0状态，或从D1到D0状态。荧光发射体可以是延迟荧光或非延迟荧光发射体。视自旋状态而定，荧光发射体可以是单态发射体或双重态发射体或其它多重态发射体。人们相信，荧光OLED的内部量子效率(IQE)通过延迟荧光可以超过25％自旋统计限值。存在两种类型的延迟荧光，即P型和E型延迟荧光。P型延迟荧光由三重态-三重态湮灭(TTA)产生。另一方面，E型延迟荧光不依赖于两个三重态的碰撞，而是依赖于三重态与单态激发态之间的热布居。热能可以激活三重态转移回到单态。这种类型的延迟荧光也称为热激活延迟荧光(TADF)。E型延迟荧光特征可以发现于激态复合物系统或单一化合物中。不受理论束缚，人们相信，TADF要求化合物或激态复合物具有小于或等于400、350、300、250、200、150、100或50meV的小单态-三重态能隙(ΔE_S-T)。存在两种主要类型的TADF发射体，一种称为供体-受体型TADF，另一种称为多共振(MR)TADF。通常，通过连接电子供体部分(例如氨基或咔唑衍生物)和电子受体部分(例如含N六元芳香族环)来构建供体-受体单一化合物。可以在空穴传输化合物与电子传输化合物之间形成供体-受体激态复合物。MR-TADF的实例包含高度共轭的稠环系统。在一些实施例中，MR-TADF材料包括硼、碳和氮原子。其还可以包括其它原子，例如氧。在一些实施例中，延迟荧光发射在293K下从T1到S1的逆向系统间穿越时间少于或等于10微秒。在一些实施例中，这类时间可以大于10微秒且小于100微秒。

在OLED的一些实施例中，以下条件中的至少一个为真：

(1)敏化剂化合物能够在室温下充当OLED中的TADF发射体；

(2)受体化合物是在室温下充当OLED中的TADF发射体的延迟荧光化合物。

在OLED的一些实施例中，TADF发射体包括至少一种供体基团和至少一种受体基团。在一些实施例中，TADF发射体是金属络合物。在一些实施例中，TADF发射体是非金属络合物。在一些实施例中，TADF发射体是含硼化合物。在一些实施例中，TADF发射体是Cu、Ag或Au络合物。

在OLED的一些实施例中，TADF发射体具有式M(L⁵)(L⁶)，其中M是Cu、Ag或Au，L⁵和L⁶不同，且L⁵和L⁶独立地选自由以下组成的群组：

/>

其中A¹-A⁹各自独立地选自C或N；

每个R^P、R^Q和R^U独立地表示单取代直至最大取代，或无取代；其中每个R^P、R^P、R^U、R^SA、R^SB、R^RA、R^RB、R^RC、R^RD、R^RE和R^RF独立地是氢或选自由如本文所定义的通用取代基组成的群组的取代基；任何两个取代基可接合或稠合以形成环。

在OLED的一些实施例中，TADF发射体可以是以下中的一种：

其中每个R^A”、R^B”、R^C”、R^D”、R^E”和R^F”可独立地表示单个至最大可能数目个取代，或无取代；

每个R”、R”'、R^A1、R^A”、R^B”、R^C”、R^D”、R^E”和R^F”独立地是氢或选自由如本文所定义的通用取代基组成的群组的取代基；其中任何两个取代基可稠合或接合以形成环。

其中L独立地选自由以下组成的群组：直接键、BR"、BR"R"'、NR"、PR"、O、S、Se、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR"、C＝CR"R"'、S＝O、SO₂、CR"、CR"R"'、SiR"R"'、GeR"R"'、烷基、环烷基、芳基、杂芳基和其组合；

其中L₁'和L₂'中的每一者是单齿阴离子配体,

其中X₁'和X₂'中的每一者是卤基；并且

其中任何两个取代基可接合或稠合以形成环。

在OLED的一些实施例中，TADF发射体选自由以下TADF清单中的结构组成的群组：

/>

在OLED的一些实施例中，TADF发射体包括硼原子。在OLED的一些实施例中，TADF发射体包括选自由以下组成的群组的化学部分中的至少一个：

其中Y^T、Y^U、Y^V和Y^W各自独立地选自由以下组成的群组：BR、NR、PR、O、S、Se、C＝O、S＝O、SO₂、BRR'、CRR'、SiRR'和GeRR'；

其中每个R^T可以相同或不同，并且每个R^T独立地是供体、受体基团、键结至供体的有机连接基团、键结至受体基团的有机连接基团或选自由以下组成的群组的端基：烷基、环烷基、杂烷基、杂环烷基、芳烷基、芳基、杂芳基和其组合；并且

R和R'各自独立地是氢或选自由本文所定义的通用取代基组成的群组的取代基。

在一些上述实施例中，任一种上述结构的每个苯环中的任何碳环原子直至总数最多三个碳环原子连同其取代基一起可以被N置换。

在一些实施例中，TADF发射体包括选自由以下组成的群组的至少一种受体部分：腈、异腈、硼烷、氟基、吡啶、嘧啶、吡嗪、三嗪、氮杂-咔唑、氮杂-二苯并噻吩、氮杂-二苯并呋喃、氮杂-二苯并硒吩、氮杂-三亚苯、咪唑、吡唑、噁唑、噻唑、异噁唑、异噻唑、三唑、噻二唑和噁二唑。在一些实施例中，如本文所述的受体部分和供体部分可直接连接，经由共轭的连接基团或非共轭的连接基团(例如sp3碳或硅原子)连接。

在一些实施例中，受体是在室温下充当OLED中的发射体的荧光化合物。在一些实施例中，荧光化合物包括选自由以下组成的群组的至少一种化学部分：

/>

其中Y^F、Y^G、Y^H和Y^I各自独立地选自由以下组成的群组：BR、NR、PR、O、S、Se、C＝O、S＝O、SO₂、BRR'、CRR'、SiRR'和GeRR'；

其中X^F和X^G各自独立地选自由C和N组成的群组；并且

其中R^F、R^G、R和R'各自独立地是氢或选自由本文所定义的通用取代基组成的群组的取代基。

在OLED的一些实施例中，荧光化合物选自由以下组成的群组：

/>

其中Y^F1至Y^F4各自独立地选自O、S和NR^F1；

其中R^F1和R¹至R⁹各自独立地表示单取代至最大可能数目个取代，或无取代；并且

其中R^F1和R¹至R⁹各自独立地是氢或选自由如本文所定义的通用取代基组成的群组的取代基，且任何两个取代基可以接合或稠合以形成环。

在一些实施例中、受体化合物选自由以下受体清单中的结构组成的群组：

/>

其氮杂取代的变体、完其全或部分氘化的变体，和其组合。

在一些实施例中，受体化合物包括具有至少五个到十五个5元和/或6元芳香族环的稠环系统。在一些实施例中，受体化合物具有第一基团和第二基团，其中第一基团与第二基团不重叠；其中最低单态激发态的单态激发态布居数的至少80％定域于第一基团中；且其中最低三重激发态的三重激发态布居数的至少80％、85％、90％或95％定域于第二基团中。

在一些实施例中，发射区域进一步包括第一主体。在一些实施例中，敏化剂化合物在室温下与OLED中的第一主体形成激态复合物。在一些实施例中，第一主体的LUMO能量低于发射区域中的敏化剂化合物和受体化合物的LUMO能量。在一些实施例中，第一主体的HOMO能量低于发射区域中的敏化剂化合物和受体化合物的HOMO能量。在一些实施例中，第一主体的HOMO能量高于发射区域中的敏化剂化合物和受体化合物的HOMO能量。在一些实施例中，第一主体的HOMO能量高于发射区域中的敏化剂化合物和受体化合物中的至少一者的HOMO能量。

在一些实施例中，发射区域进一步包括第二主体。在一些实施例中，第一主体与OLED中的第二主体在室温下形成激态复合物。在一些实施例中，第一和第二主体在含有第一和第二主体的一或多个层中的浓度大于敏化剂化合物和受体化合物在含有敏化剂化合物和受体化合物的一或多个层中的浓度。在一些实施例中，第一和第二主体在含有第一和第二主体的一或多个层中的浓度大于受体化合物在含有敏化剂化合物和受体化合物的一或多个层中的浓度。

在一些实施例中，第一主体的S₁能量大于受体化合物的S₁能量。在一些实施例中，第一主体的T₁能量大于敏化剂化合物的T₁能量。在一些实施例中，敏化剂化合物的HOMO能量大于受体化合物的HOMO能量。在一些实施例中，第二主体的HOMO能级比受体化合物的HOMO能级浅。在一些实施例中，受体化合物的HOMO能级比选自敏化剂化合物和第一主体的至少一者深。

在一些实施例中，第一主体和/或第二主体包括至少一种选自由以下组成的群组的化学基团：三亚苯、咔唑、吲哚并咔唑、二苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并硒吩、5λ²-苯并[d]苯并[4,5]咪唑并[3,2-a]咪唑、5,9-二氧杂-13b-硼杂萘并[3,2,1-de]蒽、三嗪、硼基、硅烷基、氮杂-三亚苯、氮杂-咔唑、氮杂-吲哚并咔唑、氮杂-二苯并噻吩、氮杂-二苯并呋喃、氮杂-二苯并硒吩、氮杂-5λ²-苯并[d]苯并[4,5]咪唑并[3,2-a]咪唑，和氮杂-(5,9-二氧杂-13b-硼杂萘并[3,2,1-de]蒽)。

在一些实施例中，敏化剂与OLED中的第一主体在室温下形成激态复合物。在一些实施例中，第一主体的LUMO能量低于发射区域中的敏化剂化合物和受体化合物(第二化合物)的LUMO能量。在一些实施例中，第一主体的HOMO能量低于发射区域中的敏化剂化合物和受体化合物的HOMO能量。在一些实施例中，第一主体的HOMO能量高于发射区域中的敏化剂化合物和受体化合物的HOMO能量。在一些实施例中，第一主体的HOMO能量高于发射区域中的敏化剂和受体中的至少一者的HOMO能量。

在一些实施例中，发射区域进一步包括第二主体。在一些实施例中，第一主体与OLED中的第二主体在室温下形成激态复合物。在一些实施例中，由第一主体和第二主体形成的激态复合物中的S₁-T₁能隙小于0.4、0.3、0.2或0.1eV。在一些实施例中，激态复合物的T₁能量大于2.5、2.6、2.7或2.8eV。在一些实施例中，第一和第二主体在含有第一和第二主体的一或多个层中的浓度大于敏化剂化合物和受体化合物在含有敏化剂化合物和受体化合物的一或多个层中的浓度。在一些实施例中，第一和第二主体在含有第一和第二主体的一或多个层中的浓度大于受体化合物在含有敏化剂化合物和受体化合物的一或多个层中的浓度。

在一些实施例中，第一主体的S₁能量大于受体化合物的S₁能量。在一些实施例中，第一主体的T₁能量大于敏化剂化合物的T₁能量。在一些实施例中，敏化剂化合物的HOMO能量大于受体化合物的HOMO能量。在一些实施例中，第二主体的HOMO能级比受体化合物的HOMO能级浅。在一些实施例中，受体化合物的HOMO能级比选自敏化剂化合物和第一主体中的一者深。

在一些实施例中，第一主体和/或第二主体包括至少一个选自由以下组成的群组的化学基团：三亚苯、咔唑、吲哚并咔唑、二苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并硒吩、5λ²-苯并[d]苯并[4,5]咪唑并[3,2-a]咪唑、5,9-二氧杂-13b-硼杂萘并[3,2,1-de]蒽、三嗪、硼基、硅烷基、腈、氮杂-三亚苯、氮杂-咔唑、氮杂-吲哚并咔唑、氮杂-二苯并噻吩、氮杂-二苯并呋喃、氮杂-二苯并硒吩、氮杂-5λ²-苯并[d]苯并[4,5]咪唑并[3,2-a]咪唑和氮杂-(5,9-二氧杂-13b-硼杂萘并[3,2,1-de]蒽)。在一些实施例中，第一主体和第二主体都是有机化合物。在一些实施例中，第一主体和第二主体中的至少一者是金属络合物。

在一些实施例中，第一主体和/或第二主体中的每一者独立地选自由以下组成的群组：

/>

其中：

J₁至J₆中的每一者独立地是C或N；

L'是直接键或有机连接基团；

每个Y^AA、Y^BB、Y^CC和Y^DD独立地选自由以下组成的群组：不存在、键、直接键、O、S、Se、CRR'、SiRR'、GeRR'、NR、BR、BRR'；

R^A'、R^B'、R^C'、R^D'、R^E'、R^F'和R^G'中的每一者独立地表示单取代直至最大取代，或无取代；

每个R、R'、R^A'、R^B'、R^C'、R^D'、R^E'、R^F'和R^G'独立地是氢或选自由本文所定义的通用取代基组成的群组的取代基；任何两个取代基可接合或稠合以形成环；

并且，在可能的情况下，每个未被取代的芳香族碳原子任选地被N置换以形成氮杂取代环。

在一些实施例中，J₁至J₃中的至少一者是N。在一些实施例中，J₁至J₃中的至少两者是N；在一些实施例中，J₁至J₃中的所有三者都是N。在一些实施例中，每个Y^CC和Y^DD优选O、S和SiRR'，更优选O或S。在一些实施例中，至少一个未取代的芳香族碳原子被N置换以形成氮杂环。

为了减少敏化剂化合物与受体化合物之间的德克斯特能量转移(Dexter energytransfer)量，在敏化剂化合物的质量中心与发射区域中的最紧邻受体化合物的质量中心之间优选较大距离。因此，在一些实施例中，受体化合物的质量中心与敏化剂化合物的质量中心之间的距离是至少2、1.5、1.0或0.75nm。

优选的受体/敏化剂VDR组合(A)：在一些实施例中，优选的是，与各向同性发射体相比，受体的VDR低于0.33，以便减少发射受体的跃迁偶极矩与等离子体模式的耦合，以便实现更高的出耦效率。在一些情况下，当受体的VDR小于0.33时，优选的是，敏化剂的VDR小于0.33，以便改进敏化剂和受体的跃迁偶极矩的耦合，从而优化福斯特能量转移率。因此，在本发明OLED的一些实施例中，当用具有受体化合物作为唯一发射体的发射薄膜测试样品测量VDR时，本发明OLED中的受体化合物展现出等于或小于0.33、0.30、0.25、0.2、0.15、0.10、0.08或0.05的VDR值；且当用具有敏化剂化合物作为唯一发射体的发射薄膜测试样品测量VDR时，本发明OLED中的敏化剂化合物展现出等于或小于0.33、0.30、0.25、0.2、0.15、0.10、0.08或0.05的VDR值。

优选的受体/敏化剂VDR组合(B)：在一些实施例中，优选的是，与各向同性发射体相比，受体的VDR小于0.33，以便减少发射受体的跃迁偶极矩与等离子体模式的耦合，从而实现更高的出耦效率。在一些情况下，当受体的VDR小于0.33时，优选的是使敏化剂与受体之间的分子间相互作用最小化以减小德克斯特淬灭(Dexter quenching)的程度。通过改变敏化剂的分子几何形状以减少分子间相互作用，可以优选的是敏化剂具有大于0.33的VDR。因此，在本发明OLED的一些实施例中，当用具有受体化合物作为唯一发射体的发射薄膜测试样品测量VDR时，本发明OLED中的受体化合物展现出等于或小于0.33、0.30、0.25、0.2、0.15、0.10、0.08或0.05的VDR值；且当用具有敏化剂化合物作为唯一发射体的发射薄膜测试样品测量VDR时，本发明OLED中的敏化剂化合物展现出大于0.33、0.4、0.5、0.6或0.7的VDR值。

优选的受体/敏化剂VDR组合(C)：在一些实施例中，优选的是，与各向同性发射体相比，受体的VDR大于0.33，以便增加受体的跃迁偶极矩与等离子体模式的耦合，从而减少发射层中激发态的瞬态寿命。在一些情况下，与等离子体模式的耦合增加可与等离子体OLED装置中的增强层配合，以提高效率且延长操作寿命。在一些情况下，当受体的VDR大于0.33时，优选的是使敏化剂与受体之间的分子间相互作用最小化以减小德克斯特淬灭的程度。通过改变敏化剂的分子几何形状以减少分子间相互作用，可以优选的是敏化剂具有小于0.33的VDR。因此，在本发明OLED的一些实施例中，当用具有受体化合物作为唯一发射体的发射薄膜测试样品测量VDR时，本发明OLED中的受体化合物展现出大于0.33、0.4、0.5、0.6或0.7的VDR值；且当用具有敏化剂化合物作为唯一发射体的发射薄膜测试样品测量VDR时，本发明OLED中的敏化剂化合物展现出等于或小于0.33、0.30、0.25、0.2、0.15、0.10、0.08或0.05的VDR值。

优选的受体/敏化剂VDR组合(D)：在一些实施例中，优选的是，与各向同性发射体相比，受体的VDR大于0.33，以便增加受体的跃迁偶极矩与等离子体模式的耦合，从而减少发射层中激发态的瞬态寿命。在一些情况下，与等离子体模式的耦合增加可与等离子体OLED装置中的增强层配合，以提高效率且延长操作寿命。在一些情况下，当受体的VDR小于0.33时，优选的是，敏化剂的VDR大于0.33，以便改进敏化剂和受体的跃迁偶极矩的耦合，从而优化福斯特能量转移率。因此，在本发明OLED的一些实施例中，当用具有受体化合物作为唯一发射体的发射薄膜测试样品测量VDR时，本发明OLED中的受体化合物展现出大于0.33、0.4、0.5、0.6或0.7的VDR值；且当用具有敏化剂化合物作为唯一发射体的发射薄膜测试样品测量VDR时，本发明OLED中的敏化剂化合物展现出大于0.33、0.4、0.5、0.6或0.7的VDR值。

VDR是发射层的薄膜样品中的发光化合物的垂直定向分子偶极的总体平均分率，其中“垂直”定向是相对于其上形成有薄膜样品的衬底表面平面(即，垂直于衬底表面平面)。类似概念是水平偶极比(HDR)，其是发射层的薄膜样品中的发光化合物的水平定向分子偶极的总体平均分率，其中“水平”定向是相对于其上形成有薄膜样品的衬底表面平面(即，平行于衬底表面平面)。根据定义，VDR+HDR＝1。VDR可通过角度相关、偏振相关的光致发光测量方式来测量。通过比较光激发薄膜测试样品的随偏振而变的实测发射模式与计算机模型化模式，可以确定薄膜测试样品发射层的VDR。举例来说，图3中展示p偏振发射的模型化数据。绘制具有不同VDR的发射体的模型化p偏振角光致发光(PL)。在围绕45度角的p偏振PL中观测到模型化PL峰值，其中当发射体的VDR较高时，峰值PL较大。

为了测量薄膜测试样品的VDR值，可以使用受体化合物或敏化剂化合物(取决于是否测量受体化合物或敏化剂化合物的VDR)作为薄膜中的唯一发射体且使用参考主体化合物A作为主体来形成薄膜测试样品。优选地，参考主体化合物A是通过将衬底上的发射体化合物和主体化合物热蒸发来形成薄膜测试样品。举例来说，可将发射体化合物和主体化合物共蒸发。在一些实施例中，发射体化合物在主体中的掺杂水平可以是0.1wt.％至50wt.％。在一些实施例中，对于蓝色发射体来说，发射体化合物在主体中的掺杂水平可以是3wt.％至20wt.％。在一些实施例中，对于红色和绿色发射体来说，发射体化合物在主体中的掺杂水平可以是1wt.％至15wt.％。热蒸发的薄膜测试样品的厚度可以具有50到/>的厚度。

在一些实施例中，本公开的OLED可以在发射区域中包括敏化剂、受体和一或多种主体，且上文所提及的优选受体/敏化剂VDR组合(A)-(D)仍适用。在这些实施例中，可以用由一或多种主体和受体形成的薄膜测试样品测量受体化合物的VDR值，其中受体是薄膜测试样品中的唯一发射体。类似地，可以用由一或多种主体和敏化剂形成的薄膜测试样品测量敏化剂化合物的VDR值，其中敏化剂是薄膜测试样品中的唯一发射体。

在用于产生图3的实例中，30nm厚的材料膜具有1.75的折射率且在折射率为1.75的半无限介质中监测发射。将每个曲线相对于光致发光强度1(在垂直于膜表面的零度角下)归一化。随着发射体的VDR变化，围绕45度的峰值大幅度增加。当使用软件拟合实验数据的VDR时，模型化VDR将改变直到模型化数据与实验数据之间的差异降至最低。

由于VDR表示薄膜样品中的发光化合物的平均偶极定向，因此即使发射层中存在具有发射能力的其它化合物，如果其对光发射无贡献，那么VDR测量不反映其VDR。此外，通过包括与发光化合物相互作用的主体材料，可以调节发光化合物的VDR。因此，具有主体材料A的薄膜样品中的发光化合物将展现出一种VDR测量值，且具有主体材料B的薄膜样品中的相同发光化合物将展现出不同的VDR测量值。此外，在一些实施例中，需要两个相邻分子之间形成发射状态的激态复合物或受激子。这些发射状态的VDR可不同于当激态复合物或受激子中的唯一组分发射或存在于样品中时。

在一些实施例中，OLED是等离子体OLED。在一些实施例中，OLED是波导OLED。

在一些实施例中，发射区域可进一步包含第二主体。在一些实施例中，第二主体包括选自由以下组成的群组的部分：联咔唑、吲哚并咔唑、三嗪、嘧啶、吡啶和硼基。在一些实施例中，第二主体的HOMO能级比受体化合物的HOMO能级浅。

在一些实施例中，当跨越装置施加电压时，OLED在室温下发射白光。

在一些实施例中，当跨越装置施加电压时，OLED在室温下发射发光辐射；其中第一辐射发光组分是由发射λ_max1独立地选自由以下组成的群组的受体化合物贡献而成：大于340nm到等于或小于500nm、大于500nm到等于或小于600nm，和大于600nm到等于或小于900nm。在一些实施例中，第一辐射分量的FWHM为50、40、35、30、25、20、15、10或5nm或更低。在一些实施例中，第一辐射分量具有小于465、460、455或450nm的发射峰的10％起点。

在一些实施例中，敏化剂化合物部分或完全氘化。在一些实施例中，受体化合物部分或完全氘化。在一些实施例中，第一主体部分或完全氘化。在一些实施例中，第二主体部分或完全氘化。

在一些实施例中，化合物S1和/或化合物A1各自独立地包括二次球度大于或等于0.45、0.55、0.65、0.75或0.80的至少一个取代基。二次球度是庞大基团的三个维度的度量。二次球度定义为主惯性矩(PMI)之间的比率。具体地说，二次球度是三倍PMI1相对于PMI1、PMI2与PMI3总和的比率，其中PMI1是最小主惯性矩，PMI2是第二最小主惯性矩，且PMI3是最大主惯性矩。可在利用密度泛函理论优化基态之后，计算结构的最低能量构像的二次球度。更详细的信息可见于美国申请第18/062,110号(2022年12月6日提交)的段落[0054]至[0059]中，其内容以引用的方式并入本文中。在一些实施例中，化合物S1和/或化合物A1各自独立地包括范德华体积大于153、206、259、290或的至少一个取代基。在一些实施例中，化合物S1和/或化合物A1各自独立地包括分子量大于167、187、259、303或305amu的至少一个取代基。

在一些实施例中，第一和第二主体中的一种是空穴传输主体，第一和第二主体中的另一种是电子传输主体。在一些实施例中，第一主体是空穴传输主体；且其中第一主体包括至少一个选自由以下组成的群组的化学基团：氨基、咔唑、吲哚并咔唑、二苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并硒吩和5λ²-苯并[d]苯并[4,5]咪唑并[3,2-a]咪唑。在一些实施例中，第一主体为电子传输主体；且其中第一主体包括至少一个选自由以下组成的群组的化学基团：吡啶、嘧啶、吡嗪、哒嗪、三嗪、咪唑、氮杂-三亚苯、氮杂-咔唑、氮杂-二苯并噻吩、氮杂-二苯并呋喃、氮杂-二苯并硒吩、5,9-二氧杂-13b-硼杂萘并[3,2,1-de]蒽、硼基、氮杂-5λ²-苯并[d]苯并[4,5]咪唑并[3,2-a]咪唑和氮杂-(5,9-二氧杂-13b-硼杂萘并[3,2,1-de]蒽)。在一些实施例中，第一与第二主体中的一种是包括空穴传输部分与电子传输部分的双极性主体。

在一些实施例中，OLED进一步包括变色层或滤色片。

在一些实施例中，调配物可包括以下化合物中的至少两种不同化合物：敏化剂化合物、受体化合物和主体。

在一些实施例中，化学结构选自由以下组成的群组：单体、聚合物、巨分子和超分子，其中化学结构包括以下组分中的至少两种：敏化剂化合物、受体化合物和主体。

在一些实施例中，预混合的共蒸发源是第一化合物与第二化合物的混合物；其中共蒸发源是用于真空沉积工艺或OVJP工艺的共蒸发源；其中第一化合物和第二化合物不同地选自由以下组成的群组1：敏化剂化合物、受体化合物、第一主体化合物和第二主体化合物；其中第一化合物具有150至350℃的蒸发温度T1；其中第二化合物具有150至350℃的蒸发温度T2；其中T1-T2的绝对值小于20℃；其中第一化合物在所述混合物中具有浓度C1且在如下形成的测试膜中具有浓度C2：将混合物在真空沉积工具中、在以预定义距离相对于所蒸发的混合物定位的表面上、在1×10^-6托至1×10^-9托的恒定压力下、在/sec沉积速率下蒸发；并且其中(C1-C2)/C1的绝对值小于5％。在一些实施例中，混合物进一步包括第三化合物；其中第三化合物不同于第一和第二化合物，并且选自同一群组1；其中第三化合物具有150至350℃的蒸发温度T3，且其中T1-T3的绝对值小于20℃。

在一些实施例中，第一化合物具有200至350℃的蒸发温度T1并且第二化合物具有200至350℃的蒸发温度T2。在一些实施例中，(C₁-C₂)/C₁的绝对值小于3％。在一些实施例中，第一化合物在T1下的蒸气压P₁是1atm，第二化合物在T2下的蒸气压P₂是1atm；并且其中P₁/P₂的比率在0.90:1至1.10:1范围内。在一些实施例中，第一化合物具有第一质量损耗速率，并且第二化合物具有第二质量损耗速率，其中第一质量损耗速率与第二质量损耗速率之间的比率在0.90:1至1.10:1、0.95:1至1.05:1、或0.97:1至1.03:1范围内。在一些实施例中，如高压液相色谱所确定，第一化合物和第二化合物各自具有超过99％的纯度。在一些实施例中，组合物在小于T1和T2中的较低者的温度下呈液体形式。

在一些实施例中，制造有机发光装置的方法可包括：提供其上安置有第一电极的衬底；通过将预混合的共蒸发源在高真空沉积工具中蒸发而在第一电极上沉积第一有机层，所述预混合的共蒸发源是上述第一化合物和第二化合物的混合物，所述高真空沉积工具具有1×10^-6托至1×10^-9托的腔室基础压力；以及在第一有机层上沉积第二电极。

应了解，本文所述的所有化合物和装置的实施例如果在整个公开的不同方面也适用，则那些实施例可互换。

在一些实施例中，本文所述的敏化剂化合物S1、受体化合物A1、主体化合物H1中的每一者可至少10％氘化、至少20％氘化、至少30％氘化、至少40％氘化、至少50％氘化、至少60％氘化、至少70％氘化、至少80％氘化、至少90％氘化、至少95％氘化、至少99％氘化、或100％氘化。如本文所用，氘化百分比具有其一般含义，并且包含被氘原子置换的可能氢原子(例如是氢或氘的位置)的百分比。

C.本公开的OLED的其它方面

在一些实施例中，OLED可以进一步包括另一种主体，其中另一种主体包括含有三亚苯的苯并稠合噻吩或苯并稠合呋喃，其中主体中的任何取代基是独立地选自由以下组成的群组的非稠合取代基：C_nH_2n+1、OC_nH_2n+1、OAr₁、N(C_nH_2n+1)₂、N(Ar₁)(Ar₂)、CH＝CH-C_nH_2n+1、C≡CC_nH_2n+1、Ar₁、Ar₁-Ar₂、C_nH_2n-Ar₁或无取代，其中n是1到10的整数；且其中Ar₁和Ar₂独立地选自由以下组成的群组：苯、联苯、萘、三亚苯、咔唑和其杂芳香族类似物。

在一些实施例中，另一种主体包括至少一种选自由以下组成的群组的化学基团：三亚苯、咔唑、吲哚并咔唑、二苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并硒吩、5λ2-苯并[d]苯并[4,5]咪唑并[3,2-a]咪唑、5,9-二氧杂-13b-硼杂萘并[3,2,1-de]蒽、三嗪、硼基、硅烷基、氮杂-三亚苯、氮杂-咔唑、氮杂-吲哚并咔唑、氮杂-二苯并噻吩、氮杂-二苯并呋喃、氮杂-二苯并硒吩、氮杂-5λ2-苯并[d]苯并[4,5]咪唑并[3,2-a]咪唑，和氮杂-(5,9-二氧杂-13b-硼杂萘并[3,2,1-de]蒽)。

在一些实施例中，另一种主体可以选自由以下组成的群组：

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氮杂取代的其变体、完全或部分氘化的其变体，和其组合。

在一些实施例中，另一种主体包括金属络合物。

在又一方面中，本公开的OLED还可以包括发射区域，所述发射区域含有如本公开的以上化合物章节中所公开的调配物。

在一些实施例中，安置在有机发射层上方的阳极、阴极或新层中的至少一个用作增强层。增强层包括展现表面等离子体共振的等离子体材料，所述等离子体材料非辐射地耦合到发射体材料，并将激发态能量从发射体材料转移到表面等离子体极化激元的非辐射模式。增强层被设置成离有机发射层的距离不超过阈值距离，其中由于存在增强层，发射体材料具有总的非辐射衰减率常数和总的辐射衰减率常数，且阈值距离是总的非辐射衰减率常数等于总的辐射衰减率常数的位置。在一些实施例中，OLED进一步包括外耦合层。在一些实施例中，外耦合层安置在增强层上位于有机发射层的相对侧上。在一些实施例中，外耦合层安置在发射层上与增强层相对的一侧，但是仍能外耦合来自增强层的表面等离子体模式的能量。外耦合层散射来自表面等离子体极化激元的能量。在一些实施例中，此能量作为光子被散射到自由空间。在其它实施例中，能量从装置的表面等离子体模式散射到其它模式中，例如但不限于有机波导模式、衬底模式或另一波导模式。如果能量被散射到OLED的非自由空间模式，则可以结合其它外耦合方案以将能量提取到自由空间。在一些实施例中，一或多个居间层可以安置在增强层与外耦合层之间。居间层的实例可以是介电材料，包含有机、无机、钙钛矿、氧化物，并且可以包含这些材料的堆叠和/或混合物。

增强层改变了发射体材料所驻留的介质的有效特性，从而引起以下任何一项或全部：发射率降低、发射线形改变、发射强度随角度变化、发射体材料稳定性改变、OLED效率改变以及OLED装置滚降效率降低。在阴极侧、阳极侧或这两侧上放置增强层产生利用了上述任何效果的OLED装置。除了本文中提到的以及图中所示的各种OLED实例中说明的特定功能层之外，根据本公开的OLED还可包含OLED中常见的任何其它功能层。

增强层可以包括等离子体材料、光学活性超构材料或双曲线超构材料。如本文所用，等离子体材料是其中介电常数的实部在电磁光谱的可见或紫外区域中过零的材料。在一些实施例中，等离子体材料包含至少一种金属。在这样的实施例中，金属可以包含以下各者中的至少一种：Ag、Al、Au、Ir、Pt、Ni、Cu、W、Ta、Fe、Cr、Mg、Ga、Rh、Ti、Ru、Pd、In、Bi、Ca、这些材料的合金或混合物、以及这些材料的堆叠。通常，超构材料是由不同材料构成的介质，其中介质整体上的作用与其材料部分的总和不同。具体地说，我们将光学活性超构材料定义为同时具有负电容率和负磁导率的材料。另一方面，双曲线超构材料是各向异性介质，其中对于不同的空间方向，电容率或磁导率具有不同的符号。光学活性超构材料和双曲线超构材料与许多其它光子结构，例如分布式布拉格反射器(Distributed Bragg Reflector，“DBR”)有着严格的区别，因为在光波长的长度尺度上，介质在传播方向上应该显示均匀。使用本领域技术人员可以理解的术语：超构材料在传播方向上的介电常数可以用有效的介质近似来描述。等离子体材料和超构材料提供了用于控制光传播的方法，其可以多种方式增强OLED性能。

在一些实施例中，增强层被设置为平面层。在其它实施例中，增强层具有周期性地、准周期性地或随机地布置的波长大小的特征，或者具有周期性地、准周期性地或随机地布置的亚波长大小的特征。在一些实施例中，波长大小的特征和亚波长大小的特征具有锐利的边缘。

在一些实施例中，外耦合层具有周期性地、准周期性地或随机地布置的波长大小的特征，或者具有周期性地、准周期性地或随机地布置的亚波长大小的特征。在一些实施例中，外耦合层可以由多个纳米粒子构成，并且在其它实施例中，外耦合层由安置在材料上方的多个纳米粒子构成。在这些实施例中，外耦合可以通过至少一种以下方式调节：改变多个纳米粒子的尺寸、改变多个纳米粒子的形状、改变多个纳米粒子的材料、调节材料的厚度、改变材料或安置在多个纳米粒子上的附加层的折射率、改变增强层的厚度和/或改变增强层的材料。装置的多个纳米粒子可由以下至少一者形成：金属、介电材料、半导体材料、金属合金、介电材料的混合物、一或多种材料的堆叠或分层和/或一种类型材料的芯并涂有另一种类型材料的壳。在一些实施例中，外耦合层由至少金属纳米粒子构成，其中金属选自由以下组成的群组：Ag、Al、Au、Ir、Pt、Ni、Cu、W、Ta、Fe、Cr、Mg、Ga、Rh、Ti、Ru、Pd、In、Bi、Ca、这些材料的合金或混合物、以及这些材料的堆叠。多个纳米粒子可以具有安置在它们之上的附加层。在一些实施例中，可以使用外耦合层来调整发射的极化。改变外耦合层的尺寸和周期性可以选择优先外耦合到空气的极化类型。在一些实施例中，外耦合层还充当装置的电极。

在又一方面中，本公开还提供一种消费型产品，其包括有机发光装置(OLED)，所述有机发光装置具有阳极；阴极；和安置于所述阳极与所述阴极之间的有机层，其中所述有机层可以包括如本公开的以上化合物部分中所公开的化合物。

在一些实施例中，消费型产品包括OLED，所述OLED具有阳极；阴极；和安置于所述阳极与所述阴极之间的有机层，其中所述有机层可以包括如本文所述的调配物。

在一些实施例中，消费型产品可以是以下产品中的一种：平板显示器、计算机监视器、医疗监视器、电视机、告示牌、用于内部或外部照明和/或发信号的灯、平视显示器、全透明或部分透明的显示器、柔性显示器、激光打印机、电话、蜂窝电话、平板电脑、平板手机、个人数字助理(PDA)、可佩戴装置、膝上型计算机、数码相机、摄像机、取景器、对角线小于2英寸的微型显示器、3-D显示器、虚拟现实或增强现实显示器、交通工具、包括多个平铺在一起的显示器的视频墙、剧院或体育馆屏幕、光疗装置，和指示牌。

一般来说，OLED包括至少一个有机层，其安置于阳极与阴极之间并且与阳极和阴极电连接。当施加电流时，阳极注入空穴并且阴极注入电子到有机层中。所注入的空穴和电子各自朝带相反电荷的电极迁移。当电子和空穴定位在同一分子上时，形成“激子”，其为具有激发能态的定域电子-空穴对。当激子通过光发射机制弛豫时，发射光。在一些情况下，激子可以定位于受激子(excimer)或激态复合物上。非辐射机制(如热弛豫)也可能发生，但通常被视为不合需要的。

美国专利第5,844,363号、第6,303,238号和第5,707,745号中描述若干OLED材料和配置，所述专利以全文引用的方式并入本文中。

最初的OLED使用从单态发射光(“荧光”)的发射分子，如例如美国专利第4,769,292号中所公开，其以全文引用的方式并入。荧光发射通常在小于10纳秒的时帧内发生。

最近，已经展示了具有从三重态发射光(“磷光”)的发射材料的OLED。巴尔多(Baldo)等人,“来自有机电致发光装置的高效磷光发射(Highly EfficientPhosphorescent Emission from Organic Electroluminescent Devices)”,自然(Nature),第395卷,151-154,1998(“巴尔多-I”)；和巴尔多等人,“基于电致磷光的极高效绿色有机发光装置(Very high-efficiency green organic light-emitting devicesbased on electrophosphorescence)”,应用物理快报(Appl.Phys.Lett.),第75卷,第3,4-6期(1999)(“巴尔多-II”)，所述文献以全文引用的方式并入。美国专利第7,279,704号第5-6栏中更详细地描述磷光，所述专利以引用的方式并入。

图1展示有机发光装置100。图不一定按比例绘制。装置100可以包含衬底110、阳极115、空穴注入层120、空穴传输层125、电子阻挡层130、发射层135、空穴阻挡层140、电子传输层145、电子注入层150、保护层155、阴极160和阻挡层170。阴极160是具有第一导电层162和第二导电层164的复合阴极。装置100可以通过按顺序沉积所述层来制造。这些各种层和实例材料的性质和功能在US 7,279,704第6-10栏中更详细地描述，所述专利以引用的方式并入。

可以得到这些层中的每一个的更多实例。举例来说，柔性并且透明的衬底-阳极组合公开于美国专利第5,844,363号中，所述专利以全文引用的方式并入。经p掺杂的空穴传输层的实例是以50:1的摩尔比掺杂有F₄-TCNQ的m-MTDATA，如美国专利申请公开第2003/0230980号中所公开，所述专利以全文引用的方式并入。发光和主体材料的实例公开于汤普森(Thompson)等人的美国专利第6,303,238号中，所述专利以全文引用的方式并入。经n掺杂的电子传输层的实例是以1:1的摩尔比掺杂有Li的BPhen，如美国专利申请公开第2003/0230980号中所公开，所述公开案以全文引用的方式并入。以全文引用的方式并入的美国专利第5,703,436号和第5,707,745号公开了阴极的实例，所述阴极包含具有含上覆的透明、导电、溅镀沉积的ITO层的金属(如Mg:Ag)薄层的复合阴极。阻挡层的理论和使用更详细地描述于美国专利第6,097,147号和美国专利申请公开第2003/0230980号中，所述专利以全文引用的方式并入。注入层的实例提供于美国专利申请公开第2004/0174116号中，其以全文引用的方式并入。保护层的描述可以见于美国专利申请公开第2004/0174116号中，其以全文引用的方式并入。

图2展示倒置式OLED 200。所述装置包含衬底210、阴极215、发射层220、空穴传输层225和阳极230。装置200可以通过按顺序沉积所述层来制造。因为最常见OLED配置具有安置于阳极上方的阴极，并且装置200具有安置于阳极230下的阴极215，所以装置200可以被称为“倒置式”OLED。可以在装置200的对应层中使用与关于装置100所述的那些材料类似的材料。图2提供如何可以从装置100的结构省去一些层的一个实例。

图1和2中所说明的简单分层结构借助于非限制性实例提供，并且应理解本公开的实施例可以与各种其它结构结合使用。所描述的具体材料和结构本质上是示范性的，并且可以使用其它材料和结构。可以通过以不同方式组合所述的各种层来获得功能性OLED，或可以基于设计、性能和成本因素完全省略各层。也可以包含未具体描述的其它层。可以使用除具体描述的材料以外的材料。尽管本文中所提供的许多实例将各种层描述为包含单一材料，但应理解，可以使用材料的组合，如主体和掺杂剂的混合物，或更一般来说，混合物。此外，所述层可以具有各种子层。本文中给予各种层的名称并不意图具有严格限制性。举例来说，在装置200中，空穴传输层225传输空穴并且将空穴注入到发射层220中，并且可以被描述为空穴传输层或空穴注入层。在一个实施例中，可以将OLED描述为具有安置于阴极与阳极之间的“有机层”。这一有机层可以包括单个层，或可以进一步包括如例如关于图1和2所述的不同有机材料的多个层。

还可以使用未具体描述的结构和材料，例如包括聚合材料的OLED(PLED)，例如弗兰德(Friend)等人的美国专利第5,247,190号中所公开，所述专利以全文引用的方式并入。借助于另一实例，可以使用具有单个有机层的OLED。OLED可以堆叠，例如如在以全文引用的方式并入的福利斯特(Forrest)等人的美国专利第5,707,745号中所述。OLED结构可以偏离图1和2中所说明的简单分层结构。举例来说，衬底可以包含有角度的反射表面以改进出耦(out-coupling)，例如如在福利斯特等人的美国专利第6,091,195号中所述的台式结构，和/或如在布尔维克(Bulovic)等人的美国专利第5,834,893号中所述的凹点结构，所述专利以全文引用的方式并入。

根据本公开的实施例制造的装置可以进一步任选地包括阻挡层。阻挡层的一个目的是保护电极和有机层以免在暴露于包含水分、蒸气和/或气体等的环境中的有害物质时受损。阻挡层可以沉积在衬底、电极上，沉积在衬底、电极下或沉积在衬底、电极旁，或沉积在装置的任何其它部分(包含边缘)上。阻挡层可以包含单个层或多个层。阻挡层可以通过各种已知的化学气相沉积技术形成，并且可以包含具有单一相的组成以及具有多个相的组成。任何适合的材料或材料组合都可以用于阻挡层。阻挡层可以并入无机化合物或有机化合物或两者。优选的阻挡层包括聚合物材料与非聚合物材料的混合物，如美国专利第7,968,146号、PCT专利申请第PCT/US2007/023098号和第PCT/US2009/042829号中所述，所述文献以全文引用的方式并入本文中。为了被视为“混合物”，构成阻挡层的前述聚合物和非聚合物材料应在相同反应条件下沉积和/或同时沉积。聚合物材料相对于非聚合物材料的重量比可以在95:5到5:95范围内。聚合材料和非聚合材料可以由同一前体材料产生。在一个实例中，聚合材料与非聚合材料的混合物基本上由聚合硅和无机硅组成。

根据本公开实施例制造的装置可以并入到多种多样的电子组件模块(或单元)中，所述电子组件模块可以并入到多种电子产品或中间组件中。所述电子产品或中间组件的实例包含可以为终端用户产品制造商所利用的显示屏、照明装置(如离散光源装置或照明面板)等。所述电子组件模块可以任选地包含驱动电子装置和/或电源。根据本公开实施例制造的装置可以并入到多种多样的消费型产品中，所述消费型产品具有一或多个电子组件模块(或单元)并入于其中。公开一种包括OLED的消费型产品，所述OLED在OLED中的有机层中包含本公开的化合物。所述消费型产品应包含含一或多个光源和/或某种类型的视觉显示器中的一或多个的任何种类的产品。所述消费型产品的一些实例包含平板显示器、曲面显示器、计算机监视器、医疗监视器、电视机、告示牌、用于内部或外部照明和/或发信号的灯、平视显示器、全透明或部分透明的显示器、柔性显示器、可卷曲显示器、可折叠显示器、可拉伸显示器、激光打印机、电话、蜂窝电话、平板电脑、平板手机、个人数字助理(PDA)、可佩戴装置、膝上型计算机、数码相机、摄像机、取景器、微型显示器(对角线小于2英寸的显示器)、3-D显示器、虚拟现实或增强现实显示器、交通工具、包括多个平铺在一起的显示器的视频墙、剧院或体育馆屏幕、光疗装置，和指示牌。可以使用各种控制机制来控制根据本公开制造的装置，包含无源矩阵和有源矩阵。意图将所述装置中的许多装置用于对人类来说舒适的温度范围中，如18℃到30℃，并且更优选在室温下(20-25℃)，但可以在这一温度范围外(例如-40℃到+80℃)使用。

关于OLED和上文所述的定义的更多细节可以见于美国专利第7,279,704号中，所述专利以全文引用的方式并入本文中。

本文所述的材料和结构可以应用于除OLED以外的装置中。举例来说，如有机太阳能电池和有机光电检测器的其它光电装置可以采用所述材料和结构。更一般来说，如有机晶体管的有机装置可以采用所述材料和结构。

在一些实施例中，所述OLED具有一或多种选自由以下组成的群组的特征：柔性、可卷曲、可折叠、可拉伸和弯曲。在一些实施例中，所述OLED是透明或半透明的。在一些实施例中，所述OLED进一步包括包含碳纳米管的层。

在一些实施例中，所述OLED进一步包括包含延迟荧光发射体的层。在一些实施例中，所述OLED包括RGB像素排列或白色加彩色滤光片像素排列。在一些实施例中，所述OLED是移动装置、手持式装置或可佩戴装置。在一些实施例中，所述OLED是对角线小于10英寸或面积小于50平方英寸的显示面板。在一些实施例中，所述OLED是对角线为至少10英寸或面积为至少50平方英寸的显示面板。在一些实施例中，所述OLED是照明面板。

根据另一方面，还公开一种包括本文所述化合物的调配物。

本文所公开的OLED可以并入到消费型产品、电子组件模块和照明面板中的一或多种中。有机层可以是发射层，并且化合物在一些实施例中可以是发射掺杂剂，而化合物在其它实施例中可以是非发射掺杂剂。

在本发明的又一方面中，描述一种包括本文所公开的新颖化合物的调配物。调配物可以包含一或多种本文所公开的选自由以下组成的群组的组分：溶剂、主体、空穴注入材料、空穴传输材料、电子阻挡材料、空穴阻挡材料和电子传输材料。

本公开涵盖包括本公开的新颖化合物或其单价或多价变体的任何化学结构。换句话说，本发明化合物或其单价或多价变体可以是较大化学结构的一部分。这类化学结构可以选自由以下组成的群组：单体、聚合物、大分子和超分子(supramolecule)(也被称为超分子(supermolecule))。如本文所用，“化合物的单价变体”是指与化合物相同但一个氢已经被去除并且被置换成至化学结构的其余部分的键的部分。如本文所用，“化合物的多价变体”是指与化合物相同但多于一个氢已经被去除并且被置换成至化学结构的其余部分的一或多个键的部分。在超分子的情况下，本发明化合物还可以在无共价键的情况下并入超分子复合物中。

F.本公开的化合物与其它材料的组合

本文中描述为适用于有机发光装置中的特定层的材料可以与装置中存在的多种其它材料组合使用。举例来说，本文所公开的发射掺杂剂可以与广泛多种主体、传输层、阻挡层、注入层、电极和可能存在的其它层结合使用。下文描述或提及的材料是可以与本文所公开的化合物组合使用的材料的非限制性实例，并且所属领域的技术人员可以容易地查阅文献以鉴别可以组合使用的其它材料。

a)导电性掺杂剂：

电荷传输层可以掺杂有导电性掺杂剂以大体上改变其电荷载体密度，这转而将改变其导电性。导电性通过在基质材料中生成电荷载体而增加，并且取决于掺杂剂的类型，还可以实现半导体的费米能级(Fermi level)的变化。空穴传输层可以掺杂有p型导电性掺杂剂，并且n型导电性掺杂剂用于电子传输层中。

可以与本文中所公开的材料组合用于OLED中的导电性掺杂剂的非限制性实例与公开那些材料的参考文献一起例示如下：EP01617493、EP01968131、EP2020694、EP2684932、US20050139810、US20070160905、US20090167167、US2010288362、WO06081780、WO2009003455、WO2009008277、WO2009011327、WO2014009310、US2007252140、US2015060804、US20150123047和US2012146012。

b)HIL/HTL：

本公开中所用的空穴注入/传输材料不受特别限制，并且可以使用任何化合物，只要化合物通常用作空穴注入/传输材料即可。材料的实例包含但不限于：酞菁或卟啉衍生物；芳香族胺衍生物；吲哚并咔唑衍生物；含有氟烃的聚合物；具有导电性掺杂剂的聚合物；导电聚合物，如PEDOT/PSS；衍生自如膦酸和硅烷衍生物的化合物的自组装单体；金属氧化物衍生物，如MoO_x；p型半导电有机化合物，如1,4,5,8,9,12-六氮杂三亚苯六甲腈；金属络合物；以及可交联化合物。

用于HIL或HTL的芳香族胺衍生物的实例包含但不限于以下通用结构：

Ar¹到Ar⁹中的每一个选自：由例如以下的芳香族烃环状化合物组成的群组：苯、联苯、联三苯、三亚苯、萘、蒽、萉、菲、芴、芘、苝和薁；由例如以下的芳香族杂环化合物组成的群组：二苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并硒吩、呋喃、噻吩、苯并呋喃、苯并噻吩、苯并硒吩、咔唑、吲哚并咔唑、吡啶基吲哚、吡咯并二吡啶、吡唑、咪唑、三唑、噁唑、噻唑、噁二唑、噁三唑、二噁唑、噻二唑、吡啶、哒嗪、嘧啶、吡嗪、三嗪、噁嗪、噁噻嗪、噁二嗪、吲哚、苯并咪唑、吲唑、吲噁嗪、苯并噁唑、苯并异噁唑、苯并噻唑、喹啉、异喹啉、噌啉、喹唑啉、喹喔啉、萘啶、酞嗪、喋啶、氧杂蒽、吖啶、吩嗪、吩噻嗪、吩噁嗪、苯并呋喃并吡啶、呋喃并二吡啶、苯并噻吩并吡啶、噻吩并二吡啶、苯并硒吩并吡啶和硒吩并二吡啶；以及由2到10个环状结构单元组成的群组，所述环状结构单元是选自芳香族烃环基和芳香族杂环基的相同类型或不同类型的基团并且直接或经由氧原子、氮原子、硫原子、硅原子、磷原子、硼原子、链结构单元和脂肪族环基中的至少一个彼此键结。每个Ar可以未被取代或可以被选自由以下组成的群组的取代基取代：氘、卤素、烷基、环烷基、杂烷基、杂环烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羧酸、醚、酯、腈、异腈、硫基、亚磺酰基、磺酰基、膦基和其组合。

在一个方面中，Ar¹到Ar⁹独立地选自由以下组成的群组：

其中k是1到20的整数；X¹⁰¹到X¹⁰⁸是C(包含CH)或N；Z¹⁰¹是NAr¹、O或S；Ar¹具有上文所定义的相同基团。

HIL或HTL中所用的金属络合物的实例包含但不限于以下通式：

中Met是原子量可以大于40的金属；(Y¹⁰¹-Y¹⁰²)是双齿配体，Y¹⁰¹和Y¹⁰²独立地选自C、N、O、P和S；L¹⁰¹是辅助配体；k'是1到可以与金属连接的最大配体数的整数值；并且k'+k"是可以与金属连接的最大配体数。

在一个方面中，(Y¹⁰¹-Y¹⁰²)是2-苯基吡啶衍生物。在另一方面中，(Y¹⁰¹-Y¹⁰²)是碳烯配体。在另一方面中，Met选自Ir、Pt、Os和Zn。在另一方面中，金属络合物具有相较于Fc⁺/Fc耦合的小于约0.6V的溶液中最小氧化电势。

可以与本文中所公开的材料组合用于OLED中的HIL和HTL材料的非限制性实例与公开那些材料的参考文献一起例示如下：CN102702075、DE102012005215、EP01624500、EP01698613、EP01806334、EP01930964、EP01972613、EP01997799、EP02011790、EP02055700、EP02055701、EP1725079、EP2085382、EP2660300、EP650955、JP07-073529、JP2005112765、JP2007091719、JP2008021687、JP2014-009196、KR20110088898、KR20130077473、TW201139402、US06517957、US20020158242、US20030162053、US20050123751、US20060182993、US20060240279、US20070145888、US20070181874、US20070278938、US20080014464、US20080091025、US20080106190、US20080124572、US20080145707、US20080220265、US20080233434、US20080303417、US2008107919、US20090115320、US20090167161、US2009066235、US2011007385、US20110163302、US2011240968、US2011278551、US2012205642、US2013241401、US20140117329、US2014183517、US5061569、US5639914、WO05075451、WO07125714、WO08023550、WO08023759、WO2009145016、WO2010061824、WO2011075644、WO2012177006、WO2013018530、WO2013039073、WO2013087142、WO2013118812、WO2013120577、WO2013157367、WO2013175747、WO2014002873、WO2014015935、WO2014015937、WO2014030872、WO2014030921、WO2014034791、WO2014104514、WO2014157018。

/>

c)EBL：

电子阻挡层(EBL)可以用以减少离开发射层的电子和/或激子的数目。与缺乏阻挡层的类似装置相比，在装置中存在这类阻挡层可以产生大体上较高的效率和/或较长的寿命。此外，可以使用阻挡层来将发射限制于OLED的所需区域。在一些实施例中，与最接近EBL界面的发射体相比，EBL材料具有较高LUMO(较接近真空能级)和/或较高三重态能量。在一些实施例中，与最接近EBL界面的主体中的一或多种相比，EBL材料具有较高LUMO(较接近真空能级)和/或较高三重态能量。在一个方面中，EBL中所用的化合物含有与下文所述的主体中的一个所用相同的分子或相同的官能团。

d)主体：

本公开的有机EL装置的发光层优选地至少含有金属络合物作为发光材料，并且可以含有使用金属络合物作为掺杂剂材料的主体材料。主体材料的实例不受特别限制，并且可以使用任何金属络合物或有机化合物，只要主体的三重态能量大于掺杂剂的三重态能量即可。任何主体材料可以与任何掺杂剂一起使用，只要满足三重态准则即可。

用作主体的金属络合物的实例优选具有以下通式：

其中Met是金属；(Y¹⁰³-Y¹⁰⁴)是双齿配体，Y¹⁰³和Y¹⁰⁴独立地选自C、N、O、P和S；L¹⁰¹是另一配体；k'是1到可以与金属连接的最大配体数的整数值；并且k'+k"是可以与金属连接的最大配体数。

在一个方面中，金属络合物是：

其中(O-N)是具有与O和N原子配位的金属的双齿配体。

在另一方面中，Met选自Ir和Pt。在另一方面中，(Y¹⁰³-Y¹⁰⁴)是碳烯配体。

在一个方面，主体化合物含有选自以下的以下群组中的至少一个：由例如以下的芳香族烃环状化合物组成的群组：苯、联苯、联三苯、三亚苯、四亚苯、萘、蒽、萉、菲、芴、芘、苝和薁；由例如以下的芳香族杂环化合物组成的群组：二苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并硒吩、呋喃、噻吩、苯并呋喃、苯并噻吩、苯并硒吩、咔唑、吲哚并咔唑、吡啶基吲哚、吡咯并二吡啶、吡唑、咪唑、三唑、噁唑、噻唑、噁二唑、噁三唑、二噁唑、噻二唑、吡啶、哒嗪、嘧啶、吡嗪、三嗪、噁嗪、噁噻嗪、噁二嗪、吲哚、苯并咪唑、吲唑、吲噁嗪、苯并噁唑、苯并异噁唑、苯并噻唑、喹啉、异喹啉、噌啉、喹唑啉、喹喔啉、萘啶、酞嗪、喋啶、氧杂蒽、吖啶、吩嗪、吩噻嗪、吩噁嗪、苯并呋喃并吡啶、呋喃并二吡啶、苯并噻吩并吡啶、噻吩并二吡啶、苯并硒吩并吡啶和硒吩并二吡啶；以及由2到10个环状结构单元组成的群组，所述环状结构单元是选自芳香族烃环基和芳香族杂环基的相同类型或不同类型的基团并且直接或经由氧原子、氮原子、硫原子、硅原子、磷原子、硼原子、链结构单元和脂肪族环基中的至少一个彼此键结。每个基团中的每个选项可以未被取代或可以被选自由以下组成的群组的取代基取代：氘、卤素、烷基、环烷基、杂烷基、杂环烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羧酸、醚、酯、腈、异腈、硫基、亚磺酰基、磺酰基、膦基和其组合。

在一个方面中，主体化合物在分子中含有以下基团中的至少一个：

/>

其中R¹⁰¹选自由以下组成的群组：氢、氘、卤素、烷基、环烷基、杂烷基、杂环烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羧酸、醚、酯、腈、异腈、硫基、亚磺酰基、磺酰基、膦基和其组合，且当其是芳基或杂芳基时，其具有与上文所提及的Ar类似的定义。k是0到20或1到20的整数。X¹⁰¹到X¹⁰⁸独立地选自C(包含CH)或N。Z¹⁰¹和Z¹⁰²独立地选自NR¹⁰¹、O或S。

可以与本文中所公开的材料组合用于OLED中的主体材料的非限制性实例与公开那些材料的参考文献一起例示如下：EP2034538、EP2034538A、EP2757608、JP2007254297、KR20100079458、KR20120088644、KR20120129733、KR20130115564、TW201329200、US20030175553、US20050238919、US20060280965、US20090017330、US20090030202、US20090167162、US20090302743、US20090309488、US20100012931、US20100084966、US20100187984、US2010187984、US2012075273、US2012126221、US2013009543、US2013105787、US2013175519、US2014001446、US20140183503、US20140225088、US2014034914、US7154114、WO2001039234、WO2004093207、WO2005014551、WO2005089025、WO2006072002、WO2006114966、WO2007063754、WO2008056746、WO2009003898、WO2009021126、WO2009063833、WO2009066778、WO2009066779、WO2009086028、WO2010056066、WO2010107244、WO2011081423、WO2011081431、WO2011086863、WO2012128298、WO2012133644、WO2012133649、WO2013024872、WO2013035275、WO2013081315、WO2013191404、WO2014142472，US20170263869、US20160163995、US9466803，

/>

e)其它发射体：

一或多种其它发射体掺杂剂可以与本发明化合物结合使用。其它发射体掺杂剂的实例不受特别限制，并且可以使用任何化合物，只要化合物通常用作发射体材料即可。适合发射体材料的实例包含但不限于可以经由磷光、荧光、热激活延迟荧光(即TADF，也称为E型延迟荧光)、三重态-三重态消灭或这些工艺的组合产生发射的化合物。

可以与本文中所公开的材料组合用于OLED中的发射体材料的非限制性实例与公开那些材料的参考文献一起例示如下：CN103694277、CN1696137、EB01238981、EP01239526、EP01961743、EP1239526、EP1244155、EP1642951、EP1647554、EP1841834、EP1841834B、EP2062907、EP2730583、JP2012074444、JP2013110263、JP4478555、KR1020090133652、KR20120032054、KR20130043460、TW201332980、US06699599、US06916554、US20010019782、US20020034656、US20030068526、US20030072964、US20030138657、US20050123788、US20050244673、US2005123791、US2005260449、US20060008670、US20060065890、US20060127696、US20060134459、US20060134462、US20060202194、US20060251923、US20070034863、US20070087321、US20070103060、US20070111026、US20070190359、US20070231600、US2007034863、US2007104979、US2007104980、US2007138437、US2007224450、US2007278936、US20080020237、US20080233410、US20080261076、US20080297033、US200805851、US2008161567、US2008210930、US20090039776、US20090108737、US20090115322、US20090179555、US2009085476、US2009104472、US20100090591、US20100148663、US20100244004、US20100295032、US2010102716、US2010105902、US2010244004、US2010270916、US20110057559、US20110108822、US20110204333、US2011215710、US2011227049、US2011285275、US2012292601、US20130146848、US2013033172、US2013165653、US2013181190、US2013334521、US20140246656、US2014103305、US6303238、US6413656、US6653654、US6670645、US6687266、US6835469、US6921915、US7279704、US7332232、US7378162、US7534505、US7675228、US7728137、US7740957、US7759489、US7951947、US8067099、US8592586、US8871361、WO06081973、WO06121811、WO07018067、WO07108362、WO07115970、WO07115981、WO08035571、WO2002015645、WO2003040257、WO2005019373、WO2006056418、WO2008054584、WO2008078800、WO2008096609、WO2008101842、WO2009000673、WO2009050281、WO2009100991、WO2010028151、WO2010054731、WO2010086089、WO2010118029、WO2011044988、WO2011051404、WO2011107491、WO2012020327、WO2012163471、WO2013094620、WO2013107487、WO2013174471、WO2014007565、WO2014008982、WO2014023377、WO2014024131、WO2014031977、WO2014038456、WO2014112450。

/>

f)HBL：

空穴阻挡层(HBL)可以用以减少离开发射层的空穴和/或激子的数目。与缺乏阻挡层的类似装置相比，这类阻挡层在装置中的存在可以产生大体上较高的效率和/或较长的寿命。此外，可以使用阻挡层来将发射限制于OLED的所需区域。在一些实施例中，与最接近HBL界面的发射体相比，HBL材料具有较低HOMO(距真空能级较远)和/或较高三重态能量。在一些实施例中，与最接近HBL界面的主体中的一或多种相比，HBL材料具有较低HOMO(距真空能级较远)和/或较高三重态能量。

在一个方面中，HBL中所用的化合物含有与上文所述的主体所用相同的分子或相同的官能团。

在另一方面中，HBL中所用的化合物在分子中含有以下基团中的至少一个：

其中k是1到20的整数；L¹⁰¹是另一个配体，k'是1到3的整数。

g)ETL：

电子传输层(ETL)可以包含能够传输电子的材料。电子传输层可以是固有的(未经掺杂的)或经掺杂的。可以使用掺杂来增强导电性。ETL材料的实例不受特别限制，并且可以使用任何金属络合物或有机化合物，只要其通常用以传输电子即可。

在一个方面中，ETL中所用的化合物在分子中含有以下基团中的至少一个：

其中R¹⁰¹选自由以下组成的群组：氢、氘、卤素、烷基、环烷基、杂烷基、杂环烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羧酸、醚、酯、腈、异腈、硫基、亚磺酰基、磺酰基、膦基和其组合，当其为芳基或杂芳基时，其具有与上述Ar类似的定义。Ar¹到Ar³具有与上文所提及的Ar类似的定义。k是1到20的整数。X¹⁰¹到X¹⁰⁸选自C(包含CH)或N。

在另一方面中，ETL中所用的金属络合物含有但不限于以下通式：

其中(O-N)或(N-N)是具有与原子O、N或N、N配位的金属的双齿配体；L¹⁰¹是另一个配体；k'是1到可以与金属连接的最大配体数的整数值。

可以与本文中所公开的材料组合用于OLED中的ETL材料的非限制性实例与公开那些材料的参考文献一起例示如下：CN103508940、EP01602648、EP01734038、EP01956007、JP2004-022334、JP2005149918、JP2005-268199、KR0117693、KR20130108183、US20040036077、US20070104977、US2007018155、US20090101870、US20090115316、US20090140637、US20090179554、US2009218940、US2010108990、US2011156017、US2011210320、US2012193612、US2012214993、US2014014925、US2014014927、US20140284580、US6656612、US8415031、WO2003060956、WO2007111263、WO2009148269、WO2010067894、WO2010072300、WO2011074770、WO2011105373、WO2013079217、WO2013145667、WO2013180376、WO2014104499、WO2014104535，

/>

h)电荷产生层(CGL)

在串联或堆叠OLED中，CGL对性能起基本作用，其由分别用于注入电子和空穴的经n掺杂的层和经p掺杂的层组成。电子和空穴由CGL和电极供应。CGL中消耗的电子和空穴由分别从阴极和阳极注入的电子和空穴再填充；随后，双极电流逐渐达到稳定状态。典型CGL材料包含传输层中所用的n和p导电性掺杂剂。

在OLED装置的每个层中所用的任何上文所提及的化合物中，氢原子可以部分或完全氘化。化合物中被氘化的氢的最小量选自由以下组成的群组：30％、40％、50％、60％、70％、80％、90％、95％、99％和100％。因此，任何具体列出的取代基，例如但不限于甲基、苯基、吡啶基等可以是其非氘化、部分氘化以及和完全氘化形式。类似地，取代基类别(例如但不限于烷基、芳基、环烷基、杂芳基等)还可以是其非氘化、部分氘化和完全氘化形式。

应理解，本文所述的各种实施例仅为了举例，并且不希望限制本发明的范围。举例来说，可以在不背离本发明的精神的情况下用其它材料和结构取代本文所述的许多材料和结构。所要求的本发明因此可以包含本文所述的具体实例和优选实施例的变化形式，如所属领域的技术人员将显而易见。应理解，关于本发明为何起作用的各种理论不希望具有限制性。

还应理解，本文所述的所有化合物和装置的实施例如果在整个公开的不同方面也适用，则那些实施例可互换。

E.实验部分

用以下材料集合制造OLED装置。

经由将厚的薄膜与5％发射体于主体化合物A中的组合物一起真空热蒸发来制造用于作为发射体的化合物5、化合物6和化合物9中的每一个的VDR测试薄膜。/>

主体化合物A

化合物5的测量VDR是0.33，化合物6的测量VDR是0.39，且化合物9的测量VDR是0.11。

表1列出使用或不使用绿色TADF受体的蓝色磷光OLED的装置结果。等离子体PHOLED数据仅考虑已耦合到增强层的等离子体模式且随后转化为光的能量。参考PHOLED数据是常规底部发射装置的数据。

表1中的等离子体PHOLED数据表明，相对于基于常规层厚度的参考PHOLED的EL瞬变加速意在使等离子体耦合最小化。当受体被引入系统时，瞬变进一步加速，这支持了我们的主张，即激发态寿命(通过EL瞬变测量)通过等离子体耦合加速，然后通过敏化进一步加速。这可对装置稳定性具有合成有益效果。虽然参考PHOLED激发态瞬变也在存在受体时加速，但激发态LT未达到敏化等离子体PHOLED的水平。

波长从蓝色转变为绿色的事实表明，受体还将能量从S1耦合到等离子体模式，如图4所勾勒。

OLED在玻璃衬底上生长而成，所述玻璃衬底预涂有薄层电阻为15-Ω/sq的氧化铟锡(ITO)层。在任何有机层沉积或涂布之前，用溶剂使衬底去除油污，并且接着在100毫托下在50W下用氧等离子体处理1.5分钟且用UV臭氧处理5分钟。

在高真空(<10^-6托)中通过热蒸发制造这项研究中的装置。阳极电极是氧化铟锡(ITO)。

等离子体PHOLED装置实例具有依次由以下组成的有机层：ITO表面、厚化合物1(HIL)、/>化合物2层(HTL)、/>化合物3(EBL)、掺杂有40％化合物4且掺杂有12％化合物5并掺杂有[0％,1％]化合物6的/>化合物3(EML)、/>化合物4(BL)、掺杂有35％化合物8的/>化合物7(ETL)、/>化合物7(EIL)、银阴极以及基于外耦合方案的纳米粒子。

参考PHOLED装置实例具有依序由以下组成的有机层：ITO表面、厚化合物1(HIL)、/>化合物2层(HTL)、/>化合物3(EBL)、掺杂有40％化合物4且掺杂有12％化合物5并掺杂有[0％，1％]化合物6的/>化合物3(EML)、/>化合物4(BL)、掺杂有35％化合物8的/>化合物7(ETL)、/>化合物7(EIL)以及/>AL(Cath)。

所有装置在制造后立即在氮气手套箱(<1ppm的H₂O和O₂)中用由环氧树脂密封的玻璃盖包封，在包装内部加入除湿剂。掺杂百分比以体积百分比计。

以10mA/cm2进行光谱测量(仪器系统(Instrument Systems)CAS140D/TOP200)。使用源测量单元(安捷伦B2902A(Agilent B2902A))进行电测量。使用连接到示波器仪器(National Instruments)PXIe-5110)的纤维耦合光电倍增管(滨松(Hamamatsu)H10721-20)进行EL瞬变的测量。由方波函数发生器(国家仪器PXIe-5413)以4kHz用设置成获得特定电流密度的正向偏压和-2V的反向偏压驱动OLED。通过分析归一化EQE与电流密度的曲线来选择电流密度，以选择峰值EQE的90％与95％之间的点，有意避免任何滚降，以防止任何双分子相互作用修改测量的瞬态时间。接着对8,192次扫描平均衰减曲线进行后处理，以确保所有数据都大于零，随后归一化。对较低的约85％的数据应用与基线的双指数拟合(以避免电压关闭后拟合异常)。

表1

另外，使用具有几乎各向同性VDR的磷光材料和具有高度水平对齐的VDR的受体，使得效率显着提高。两个装置上生长有依次由以下组成的有机层：ITO表面、化合物1(HIL)、/>化合物2(HTL)、/>化合物3(EBL)、掺杂有50％化合物10、12％化合物5和0％或0.8％化合物9的/>化合物11(EML)、/>EHost(BL)、掺杂有35％化合物6的/>化合物5(ETL)、/>化合物5(EIL)以及/>Al(阴极)。在10mA/cm²下获得发射特性和EQE，且报告于表2中。实例1的EQE是相对于比较例1的值而报告的。

表2：装置数据

装置	具有受体	CIE	λmax(nm)	相对EQE
					实例1	是	(0.125,0.137)	470	1.38
比较例1	否	(0.139,0.230)	468	1.0

以上数据显示，用高VDR磷光敏化剂使低VDR受体敏化使得EQE大大增加。EQE的38％增加排除可能归因于实验误差的任何数值，且所观察到的改进是显著的。基于装置结构类似，唯一的差异是添加了0.8％的荧光受体的事实，上述数据中观察到的显著性能改进是出乎意料的。不受任何理论的束缚，这种改进可以归因于向荧光受体的快速能量转移和其低VDR，从而使得与来自阴极的等离子体模式的耦合减少。

Claims

1.一种有机发光装置OLED，其依次包括：

阳极；

空穴传输层；

发射区域；

电子传输层；以及

阴极；其中所述发射区域包括：

化合物S1；和

化合物A1；

其中所述化合物S1是将能量转移到所述化合物A1的有机金属敏化剂，且所述化合物A1是作为发射体的受体；

其中所述化合物S1的垂直偶极比VDR值大于或等于0.2；

其中所述化合物A1的VDR值小于或等于0.2；

其中如果所述化合物S1是三均配Ir络合物，那么所述化合物S1包括至少三个Ir-N键；如果所述化合物S1是Pt络合物，那么所述化合物S1不包括碳烯和咔唑；且所述化合物S1不为

2.根据权利要求1所述的OLED，其中所述化合物S1包括至少一个选自由以下组成的群组的部分：二苯并呋喃、二苯并噻吩、二苯并硒吩、咔唑、氮杂-二苯并呋喃、氮杂-二苯并噻吩和氮杂-二苯并硒吩；和/或其中所述化合物A1包括含有五个或更多个5元或6元碳环或杂环的稠合环系统；和/或其中所述化合物H1包括选自以下各项的部分：双咔唑、联咔唑、吲哚并咔唑、1-N吲哚并咔唑、三嗪、嘧啶、硼基、氮杂-二苯并硒吩、氮杂-二苯并呋喃、氮杂-二苯并噻吩和三亚苯。

3.根据权利要求1所述的OLED，其中所述化合物A1的FWHM≤30nm；和/或其中所述化合物A1的S₁-T₁≤0.3eV；和/或其中所述发射区域进一步包括作为第二主体的化合物H2，其中所述化合物H2具有HOMO能级E_HH2，且E_HA-E_HH2＜0.25；和/或

所述化合物S1具有HOMO能级E_HS，且所述化合物A1具有HOMO能级E_HA，且E_HS＞E_HA；和/或其中所述化合物A1具有LUMO能级E_LA，且其中所述化合物H1具有LUMO能级E_LH，且E_LH＜E_LA。

4.根据权利要求1所述的OLED，其中所述化合物S1的所述VDR值＞0.25；和/或

其中所述化合物A1的所述VDR值＜0.15。

5.根据权利要求1所述的OLED，其中金属M是Ir、Pt或Pd，且所述化合物S1具有式M(L¹)_x(L²)_y(L³)_z；

其中L¹、L²和L³可以相同或不同；

其中x是1、2或3；

其中y是0、1或2；

其中z是0、1或2；

其中x+y+z是所述金属M的氧化态；

其中L¹选自由以下配体清单组成的群组：

其中L²和L³独立地选自由以下组成的群组：和配体清单的结构；其中：

T选自由以下组成的群组：B、Al、Ga和In；

K¹'是直接键或选自由以下组成的群组：NR_e、PR_e、O、S和Se；

每个Y¹到Y¹³独立地选自由碳和氮组成的群组；

R_e和R_f能稠合或接合以形成环；

每个R_a、R_b、R_c和R_d能独立地表示单取代至最大可能数目个取代，或无取代；每个R_a1、R_b1、R_c1、R_d1、R_a、R_b、R_c、R_d、R_e和R_f独立地是氢或选自由本文中所定义的通用取代基组成的群组的取代基；且

6.根据权利要求1所述的OLED，其中所述化合物S1具有选自由以下组成的群组的式：

/>

其中：

X⁹⁹为C或N；

每个Y¹⁰⁰独立地选自由NR”、O、S和Se组成的群组；

R、R'、R”、R”'、R^10a、R^11a、R^12a、R^13a、R^20a、R^30a、R^40a、R^50a、R⁶⁰、R⁷⁰、R⁹⁷、R⁹⁸、R⁹⁹、R^A1'、R^A2'、R^A”、R^B”、R^C”、R^D”、R^E”、R^F”、R^G”、R^H”、R^I”、R^J”、R^K”、R^L”、R^M”和R^N”中的每一个独立地为氢或选自由以下组成的群组的取代基：氘、卤基、烷基、环烷基、杂烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、胺基、矽烷基、锗烷基、硼基、硒基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羰基、羧酸、酯、腈、异腈、硫基、亚磺酰基、磺酰基、膦基、其组合。

7.一种组合物，其包括：

化合物S1；和

化合物A1；

其中当所述组合物成形为有机电致发光装置的发射层时，所述化合物S1充当将能量转移到所述化合物A1的有机金属敏化剂，且所述化合物A1是作为发射体的受体；

其中所述化合物A1的垂直偶极比VDR值≥0.33。

8.一种有机电致发光装置，其包括根据权利要求7所述的组合物。

9.一种有机发光装置OLED，其包括：

衬底；

第一电极；

有机发射区域，其安置在所述第一电极上；

其中所述发射区域包括：

化合物S1；和

化合物A1；

其中所述化合物S1是将能量转移到所述化合物A1的敏化剂，且所述化合物A1是作为发射体的受体；

其中所述增强层包括展现表面等离子体共振的等离子体材料，所述等离子体材料非辐射地耦合到所述化合物A1、化合物S1或化合物A1和S1两者，且将激发态能量从所述化合物A1、化合物S1或从化合物A1和S1两者转移到表面等离子体极化激元的非辐射模式能量。

10.根据权利要求9所述的OLED，其中所述增强层被设置成离所述有机发射区域不超过阈值距离；

其中所述化合物A1由于存在所述增强层而具有总非辐射衰减率常数和总辐射衰减率常数，且所述阈值距离是所述总非辐射衰减率常数等于所述总辐射衰减率常数的位置；和/或其中所述增强层被设置成离所述有机发射区域不超过阈值距离；并且其中所述化合物S1由于存在所述增强层而具有总非辐射衰减率常数和总辐射衰减率常数，且所述阈值距离是所述总非辐射衰减率常数等于所述总辐射衰减率常数的位置；和/或其中所述增强层被设置成离所述有机发射区域不超过阈值距离；并且其中所述有机发射区域由于存在所述增强层而具有总非辐射衰减率常数和总辐射衰减率常数，且所述阈值距离是所述总非辐射衰减率常数等于所述总辐射衰减率常数的位置；和/或其中将外耦合层安置在所述增强层上，其中所述外耦合层将所述表面等离子体极化激元的所述非辐射模式能量作为光子散射到自由空间。

11.根据权利要求9所述的OLED，其中来自所述化合物A1的发射的FWHM比来自所述化合物S1的发射小；和/或其中所述来自所述化合物A1的发射的发射峰最大值的能量比所述来自所述化合物S1的发射的发射峰最大值高；和/或其中所述化合物S1的垂直偶极比VDR≥0.25；和/或其中所述化合物A1的VDR≤0.33。

12.根据权利要求9所述的OLED，其中所述化合物A1的垂直偶极比VDR>所述化合物S1的VDR；和/或其中所述化合物A1的光致发光量子产额PLQY>所述化合物S1的PLQY；和/或其中所述化合物S1和所述化合物A1的VDR均≥0.33。

13.根据权利要求9所述的OLED，其中所述OLED进一步包括位于所述第一电极与所述有机发射区域之间的空穴传输层HTL，其中所述化合物S1是磷光敏化剂且所述化合物A1是荧光受体，且所述化合物A1在所述发射区域中的掺杂浓度朝向所述HTL增大；和/或其中所述OLED进一步包括位于所述第二电极与所述有机发射区域之间的电子传输层ETL，其中所述化合物A1是荧光受体，且所述化合物A1在所述发射区域中的掺杂浓度朝向所述ETL增大。

14.根据权利要求9所述的OLED，其中所述化合物S1能够在室温下进行磷光发射或TADF发射；和/或其中所述化合物S1的发射比重≤所述OLED的总电致发光光谱的45％或其中所述化合物S1不发射光；和/或其中所述化合物S1完全或部分氘化；

和/或其中所述化合物A1完全或部分氘化。

15.一种消费型产品，其包括根据权利要求14所述的OLED。