CN115707267A - 有机电致发光材料和装置 - Google Patents
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Abstract
本申请案涉及有机电致发光材料和装置。本公开提供有机电致发光装置OLED，其包括阳极；阴极；以及安置在所述阳极与所述阴极之间的发射层。所述发射层包括磷光掺杂剂、第一主体和第二主体，其中所述第一主体传输空穴，所述第二主体传输电子，并且所述第一主体是完全或部分氘化的。还提供包括所述OLED的消费型产品。
Description
相关申请案的交叉引用
本申请案是2022年2月16日提交的美国专利申请案第17/672,895号的部分接续申请案，其要求2021年8月5如提交的美国临时申请案第63/229,748号、2021年7月9日提交的第63/220,429号、2021年2月26日提交的第63/154,320号在35U.S.C.§119(e)下的优先权。本申请案还是2022年2月16日提交的美国专利申请案第17/672,934号的部分接续申请案，其要求2021年8月5日提交的美国临时申请案第63/229,748号和2021年7月9日提交的第63/220,429号在35U.S.C.§119(e)下的优先权。本申请案还要求2022年2月24日提交的美国临时申请案第63/313,545号在35U.S.C.§119(e)下的优先权，其全部内容以引用的方式并入本文中。
技术领域
本公开大体上涉及有机发光二极管和相关电子装置。
背景技术
出于各种原因，利用有机材料的光电装置变得越来越受欢迎。用于制造所述装置的许多材料相对较为便宜，因此有机光电装置具有优于无机装置的成本优势的潜力。另外，有机材料的固有性质(例如其柔性)可以使其较适用于特定应用，如在柔性衬底上的制造。有机光电装置的实例包括有机发光二极管/装置(OLED)、有机光电晶体管、有机光伏电池和有机光电检测器。对于OLED，有机材料可以具有优于常规材料的性能优势。
OLED利用有机薄膜，其在电压施加于装置上时会发射光。OLED正成为用于如平板显示器、照明和背光的应用中的日益受关注的技术。
磷光发射分子的一个应用是全色显示器。针对此类显示器的行业标准需要适合于发射特定颜色(称为“饱和”色)的像素。具体来说，这些标准需要饱和红色、绿色和蓝色像素。或者，OLED可经设计以发射白光。在常规液晶显示器中，使用吸收滤光器过滤来自白色背光的发射以产生红色、绿色和蓝色发射。相同技术也可以用于OLED。白色OLED可以是单发射层(EML)装置或堆叠结构。可以使用所属领域中所熟知的CIE坐标来测量色彩。
发明内容
在一个方面中，本公开提供一种OLED，其包含：阳极；阴极；和安置于阳极与阴极之间的发射层。发射层包含磷光掺杂剂、第一主体和第二主体，其中第一主体传输空穴，第二主体传输电子，并且第一主体是完全或部分氘化的。
在另一方面中，本公开提供一种包含如本文所述的OLED的消费型产品。
附图说明
图1展示一种有机发光装置。
图2展示不具有独立电子传输层的倒置式有机发光装置。
具体实施方式
A.术语
除非另外规定，否则本文所用的以下术语定义如下：
如本文所用，术语“有机”包括可以用于制造有机光电装置的聚合材料和小分子有机材料。“小分子”是指并非聚合物的任何有机材料，并且“小分子”可能实际上相当大。在一些情况下，小分子可以包括重复单元。举例来说，使用长链烷基作为取代基并不会将某一分子从“小分子”类别中去除。小分子还可以并入聚合物中，例如作为聚合物主链上的侧接基团或作为主链的一部分。小分子还可以充当树枝状聚合物的核心部分，所述树枝状聚合物由一系列构建在核心部分上的化学壳层组成。树枝状聚合物的核心部分可以是荧光或磷光小分子发射体。树枝状聚合物可以是“小分子”，并且认为当前在OLED领域中使用的所有树枝状聚合物都是小分子。
如本文所用，“顶部”意指离衬底最远，而“底部”意指最靠近衬底。在第一层被描述为“安置于”第二层“上方”的情况下，第一层被安置于离基板较远处。除非规定第一层“与”第二层“接触”，否则第一与第二层之间可以存在其它层。举例来说，即使阴极和阳极之间存在各种有机层，仍可以将阴极描述为“安置于”阳极“上方”。
如本文所用，“溶液可处理”意指能够以溶液或悬浮液的形式在液体介质中溶解、分散或传输和/或从液体介质沉积。
当认为配体直接促成发射材料的光敏性质时，所述配体可以被称为“光敏性的”。当认为配体并不促成发射材料的光敏性质时，所述配体可以被称为“辅助性的”，但辅助性配体可以改变光敏性配体的性质。
如本文所用，并且如所属领域的技术人员通常将理解，如果第一能级较接近真空能级，那么第一“最高占用分子轨道”(Highest Occupied Molecular Orbital，HOMO)或“最低未占用分子轨道”(Lowest Unoccupied Molecular Orbital，LUMO)能级“大于”或“高于”第二HOMO或LUMO能级。由于将电离电位(IP)测量为相对于真空能级的负能量，因此较高HOMO能级对应于具有较小绝对值的IP(较不负(less negative)的IP)。类似地，较高LUMO能级对应于具有较小绝对值的电子亲和性(EA)(较不负的EA)。在顶部是真空能级的常规能级图上，材料的LUMO能级高于相同材料的HOMO能级。“较高”HOMO或LUMO能级表现为比“较低”HOMO或LUMO能级更靠近这个图的顶部。
如本文所用，并且如所属领域的技术人员通常将理解，如果第一功函数具有较高绝对值，那么第一功函数“大于”或“高于”第二功函数。因为通常将功函数测量为相对于真空能级的负数，所以这意指“较高”功函数是更负的(more negative)。在顶部是真空能级的常规能级图上，“较高”功函数经说明为在向下方向上离真空能级较远。因此，HOMO和LUMO能级的定义遵循与功函数不同的定则。
术语“卤”、“卤素”和“卤基”可互换地使用并且指氟、氯、溴和碘。
术语“酰基”是指被取代的羰基(C(O)-Rs)。
术语“酯”是指被取代的氧基羰基(-O-C(O)-Rs或-C(O)-O-Rs)基团。
术语“醚”是指-ORs基团。
术语“硫基”或“硫醚”可互换地使用并且指-SRs基团。
术语“硒烷基”是指-SeRs基团。
术语“亚磺酰基”是指-S(O)-Rs基团。
术语“磺酰基”是指-SO2-Rs基团。
术语“膦基”是指-P(Rs)3基团，其中每个Rs可以相同或不同。
术语“硅烷基”是指-Si(Rs)3基团，其中每个Rs可以相同或不同。
术语“甲锗烷基”是指-Ge(Rs)3基团，其中每个Rs可以相同或不同。
术语“硼烷基”是指-B(Rs)2基团或其路易斯加合物(Lewis adduct)-B(Rs)3基团，其中Rs可以相同或不同。
在上述每一个中，Rs可以是氢或选自由以下组成的群组的取代基：氘、卤素、烷基、环烷基、杂烷基、杂环烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基和其组合。优选的Rs选自由以下组成的群组：烷基、环烷基、芳基、杂芳基和其组合。
术语“烷基”是指并且包括直链和支链烷基。优选的烷基是含有一到十五个碳原子的烷基，并且包括甲基、乙基、丙基、1-甲基乙基、丁基、1-甲基丙基、2-甲基丙基、戊基、1-甲基丁基、2-甲基丁基、3-甲基丁基、1,1-二甲基丙基、1,2-二甲基丙基、2,2-二甲基丙基等。另外，烷基可以任选地被取代。
术语“环烷基”是指并且包括单环、多环和螺烷基。优选的环烷基为含有3到12个环碳原子的环烷基，并且包括环丙基、环戊基、环己基、双环[3.1.1]庚基、螺[4.5]癸基、螺[5.5]十一烷基、金刚烷基等。另外，环烷基可以任选地被取代。
术语“杂烷基”或“杂环烷基”分别指烷基或环烷基，其具有至少一个被杂原子置换的碳原子。任选地，所述至少一个杂原子选自O、S、N、P、B、Si和Se，优选地O、S或N。另外，杂烷基或杂环烷基可以任选地被取代。
术语“烯基”是指并且包括直链和支链烯基。烯基基本上是在烷基链中包括至少一个碳-碳双键的烷基。环烯基基本上是在环烷基环中包括至少一个碳-碳双键的环烷基。如本文所用的术语“杂烯基”是指至少一个碳原子被杂原子置换的烯基。任选地，所述至少一个杂原子选自O、S、N、P、B、Si和Se，优选地O、S或N。优选的烯基、环烯基或杂烯基是含有二到十五个碳原子的那些。另外，烯基、环烯基或杂烯基可以任选地被取代。
术语“炔基”是指并且包括直链和支链炔基。炔基本质上是在烷基链中包括至少一个碳-碳三键的烷基。优选的炔基是含有二到十五个碳原子的炔基。另外，炔基可以任选地被取代。
术语“芳烷基”或“芳基烷基”可互换地使用并且是指被芳基取代的烷基。另外，芳烷基可以任选地被取代。
术语“杂环基”是指并且包括含有至少一个杂原子的芳香族和非芳香族环状基团。任选地，所述至少一个杂原子选自O、S、N、P、B、Si和Se，优选地O、S或N。芳香族杂环基可与杂芳基互换使用。优选的非芳香族杂环基是含有包括至少一个杂原子的3到7个环原子的杂环基，并且包括环胺，如吗啉基、哌啶基、吡咯烷基等，和环醚/硫醚，如四氢呋喃、四氢吡喃、四氢噻吩等。另外，杂环基可以是任选被取代的。
术语“芳基”是指并且包括单环芳香族烃基和多环芳香族环系统。多环可以具有其中两个碳为两个邻接环(所述环是“稠合的”)共用的两个或更多个环，其中所述环中的至少一个是芳香族烃基，例如其它环可以是环烷基、环烯基、芳基、杂环和/或杂芳基。优选的芳基是含有六到三十个碳原子、优选六到二十个碳原子、更优选六到十二个碳原子的芳基。尤其优选的是具有六个碳、十个碳或十二个碳的芳基。合适的芳基包括苯基、联苯、联三苯、三亚苯、四亚苯、萘、蒽、萉、菲、芴、芘、
苝和薁，优选苯基、联苯、联三苯、三亚苯、芴和萘。另外，芳基可以任选地被取代。
术语“杂芳基”是指并且包括了包括至少一个杂原子的单环芳香族基团和多环芳香族环系统。杂原子包括但不限于O、S、N、P、B、Si和Se。在许多情况下，O、S或N是优选的杂原子。单环杂芳香族系统优选是具有5或6个环原子的单环，并且环可以具有一到六个杂原子。杂多环系统可以具有其中两个原子为两个邻接环(所述环是“稠合的”)共用的两个或更多个环，其中所述环中的至少一个是杂芳基，例如其它环可以是环烷基、环烯基、芳基、杂环和/或杂芳基。杂多环芳香族环系统可以在多环芳香族环系统的每个环上具有一到六个杂原子。优选的杂芳基是含有三到三十个碳原子、优选三到二十个碳原子、更优选三到十二个碳原子的杂芳基。合适的杂芳基包括二苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并硒吩、呋喃、噻吩、苯并呋喃、苯并噻吩、苯并硒吩、咔唑、吲哚并咔唑、吡啶基吲哚、吡咯并二吡啶、吡唑、咪唑、三唑、噁唑、噻唑、噁二唑、噁三唑、二噁唑、噻二唑、吡啶、哒嗪、嘧啶、吡嗪、三嗪、噁嗪、噁噻嗪、噁二嗪、吲哚、苯并咪唑、吲唑、吲噁嗪、苯并噁唑、苯并异噁唑、苯并噻唑、喹啉、异喹啉、噌啉、喹唑啉、喹喔啉、萘啶、酞嗪、喋啶、氧杂蒽(xanthene)、吖啶、吩嗪、吩噻嗪、吩噁嗪、苯并呋喃并吡啶、呋喃并二吡啶、苯并噻吩并吡啶、噻吩并二吡啶、苯并硒吩并吡啶和硒吩并二吡啶，优选二苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并硒吩、咔唑、吲哚并咔唑、咪唑、吡啶、三嗪、苯并咪唑、1,2-氮杂硼烷、1,3-氮杂硼烷、1,4-氮杂硼烷、硼氮炔和其氮杂类似物。另外，杂芳基可以任选地被取代。
在上面列出的芳基和杂芳基中，三亚苯、萘、蒽、二苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并硒吩、咔唑、吲哚并咔唑、咪唑、吡啶、吡嗪、嘧啶、三嗪和苯并咪唑以及其各自对应的氮杂类似物尤其受到关注。
如本文所用的术语烷基、环烷基、杂烷基、杂环烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳烷基、杂环基、芳基和杂芳基独立地为未取代的或独立地被一或多个一般取代基取代。
在许多情况下，一般取代基选自由以下组成的群组：氘、卤素、烷基、环烷基、杂烷基、杂环烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、甲锗烷基、硼烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羧酸、醚、酯、腈、异腈、硫基、硒烷基、亚磺酰基、磺酰基、膦基和其组合。
在一些情况下，优选的一般取代基选自由以下组成的群组：氘、氟、烷基、环烷基、杂烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、烯基、环烯基、杂烯基、芳基、杂芳基、腈、异腈、硫基、硼烷基和其组合。
在一些情况下，更优选的一般取代基选自由以下组成的群组：氘、氟、烷基、环烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、硼烷基、芳基、杂芳基、硫基和其组合。
在其它情况下，最优选的一般取代基选自由以下组成的群组：氘、氟、烷基、环烷基、芳基、杂芳基和其组合。
术语“被取代的”和“取代”是指除H以外的取代基键结到相关位置，例如碳或氮。举例来说，当R1表示单取代时，则一个R1必须不是H(即，取代)。类似地，当R1表示二取代时，则两个R1必须不是H。类似地，当R1表示零或无取代时，R1例如可以是环原子可用价数的氢，如苯的碳原子和吡咯中的氮原子，或对于具有完全饱和价数的环原子仅表示无，例如吡啶中的氮原子。环结构中可能的最大取代数目将取决于环原子中可用价数的总数目。
如本文所使用，“其组合”表示适用清单的一或多个成员被组合以形成本领域普通技术人员能够从适用清单中设想的已知或化学稳定的布置。举例来说，烷基和氘可以组合形成部分或完全氘化的烷基；卤素和烷基可以组合形成卤代烷基取代基；并且卤素、烷基和芳基可以组合形成卤代芳烷基。在一个实例中，术语取代包括两到四个列出的基团的组合。在另一个实例中，术语取代包括两到三个基团的组合。在又一实例中，术语取代包括两个基团的组合。取代基的优选组合是含有多达五十个不是氢或氘的原子的组合，或包括多达四十个不是氢或氘的原子的组合，或包括多达三十个不是氢或氘的原子的组合。在许多情况下，取代基的优选组合将包括多达二十个不是氢或氘的原子。
本文所述的片段，即氮杂-二苯并呋喃、氮杂-二苯并噻吩等中的“氮杂”名称意指相应芳香族环中的C-H基团中的一或多个可以被氮原子置换，例如并且无任何限制性，氮杂三亚苯涵盖二苯并[f,h]喹喔啉和二苯并[f,h]喹啉。所属领域的一般技术人员可以容易地预想上文所述的氮杂-衍生物的其它氮类似物，并且所有此类类似物都意图由如本文所阐述的术语涵盖。
如本文所用，“氘”是指氢的同位素。氘代化合物可以使用本领域已知的方法容易地制备。举例来说，美国专利第8,557,400号、专利公开第WO 2006/095951号和美国专利申请公开第US 2011/0037057号(其以全文引用的方式并入本文中)描述了氘取代的有机金属络合物的制备。进一步参考鄢明(Ming Yan)等人,四面体(Tetrahedron)2015,71,1425-30和阿兹罗特(Atzrodt)等人,德国应用化学(Angew.Chem.Int.Ed.)(综述)2007,46,7744-65(其以全文引用的方式并入)分别描述了苄基胺中亚甲基氢的氘化和用氘置换芳香族环氢的有效途径。
应理解，当将分子片段描述为取代基或另外连接到另一部分时，其名称可以如同其是片段(例如苯基、亚苯基、萘基、二苯并呋喃基)一般或如同其是整个分子(例如苯、萘、二苯并呋喃)一般书写。如本文所用，这些不同的命名取代基或连接片段的方式被视为等效的。
在一些情况下，一对相邻取代基可以任选地接合或稠合成环。优选的环是五、六或七元碳环或杂环，包括由所述一对取代基形成的环的一部分为饱和以及由所述一对取代基形成的环的一部分为不饱和的两种情况。如本文所用，“相邻”意味着所涉及的两个取代基可以在相同环上彼此紧接，或在具有两个最接近的可用可取代位置(如联苯中的2、2'位置或萘中的1、8位置)的两个邻近环上，只要其可以形成稳定稠合环系统即可。
B.本公开的OLED和装置
在一个方面中，本公开涉及OLED，其包含阳极；阴极；和安置在阳极与阴极之间的发射层，其中发射层包含磷光掺杂剂、第一主体和第二主体，其中第一主体传输空穴，第二主体传输电子，并且第一主体是完全或部分氘化的。
在本发明的OLED的一些实施例中，以下条件中的至少一个为真：
(i)第二主体不包含咔唑或吲哚并咔唑；
(ii)第二主体的HOMO能级<-5.75eV；
(iii)第二主体的HOMO能级>-5.5eV并且至少25％氘化；
(iv)第二主体包含至少60％氘化的双咔唑或吲哚并咔唑部分；
(v)第一主体包含至少50％氘化的空穴传输部分，并且第二主体包含至少50％氘化的电子传输部分；以及
(vi)本发明的OLED的使用寿命(以LT95形式测量)比比较性OLED的使用寿命(LT95)高至少75％，其中本发明的OLED与比较性OLED之间的唯一差异在于比较性OLED中的第一主体未被氘化。
本文中提及的HOMO能级可以通过使用无水二甲基甲酰胺溶剂和六氟磷酸四丁基铵作为支持电解质，用恒电势器(例如，CH Instruments 6201B型)进行溶液循环伏安法和差示脉冲伏安法来测量。可以分别使用玻璃碳、铂和银线作为工作电极、反电极和参考电极。通过由差示脉冲伏安法测量峰值电位差异，电化学电位可以参考内部二茂铁-二茂铁盐氧化还原对(Fc/Fc+)。相应的HOMO和LUMO能量可以通过根据文献参考针对二茂铁的阳离子性和阴离子性氧化还原电位(4.8eV相对于真空)来确定((a)芬克(Fink,R.)；海施克尔(Heischkel,Y.)；赛拉卡特(Thelakkat,M.)；施密特(Schmidt,H.-W.),“化学材料(Chem.Mater)”.1998,10,3620-3625.；(b)波默林(Pommerehne,J.)；韦斯特韦伯(Vestweber,H.)；盖斯(Guss,W.)；马赫特(Mahrt,R.F.)；巴斯莱尔(Bassler,H.)；保时捷(Porsch,M.)；多布(Daub),“先进材料杂志(J.Adv.Mater.)”1995,7,551。
本文中提及的OLED的使用寿命测量结果(LT95)是在80mA/cm2的恒定电流密度下，OLED的亮度降低到初始亮度的95％所需的时间。
在一些实施例中，第一主体包含咔唑或吲哚并咔唑部分。
在一些实施例中，第一主体包含至少一个选自由以下组成的群组的部分：萘、联苯、三亚苯、二苯并噻吩、二苯并呋喃、硅烷基、硼烷基、菲、啡啶、芳基胺和芴。
在一些实施例中，第二主体包含至少一个选自由以下组成的群组的部分：苯、吡啶、嘧啶、哒嗪、吡嗪、三嗪、咪唑、氮杂二苯并噻吩、氮杂二苯并呋喃和氮杂咔唑、硼烷基、噻唑、萘、喹啉、异喹啉、喹唑啉、苯并喹唑啉、苯并呋喃、苯并噁唑、苯并噻吩、苯并噻唑、苯并硒吩、苯并咪唑、咔唑、二苯并呋喃、二苯并噻吩、喹喏啉、酞嗪、菲、啡啶、三亚苯和芴。
在一些实施例中，第一主体至少10％经氘化。在一些实施例中，第一主体至少25％经氘化。在一些实施例中，第一主体至少50％经氘化。在一些实施例中，第一主体>75％经氘化。在一些实施例中，第一主体>90％经氘化。
在一些实施例中，第二主体不包含咔唑或吲哚并咔唑。
在一些实施例中，第二主体的HOMO能级<-5.75eV。
在一些实施例中，第二主体的HOMO能级>-5.5eV并且至少25％氘化。
在一些实施例中，第二主体包含至少60％氘化的双咔唑或吲哚并咔唑部分。
在一些实施例中，第一主体包含至少50％氘化的空穴传输部分，并且第二主体包含至少50％氘化的电子传输部分。
在一些实施例中，第一主体的空穴传输部分选自由以下列表1中的结构组成的群组：
其中：
各Y1和Y2独立地选自由以下组成的群组：BR、BRR'、NR、PR、P(O)R、O、S、Se、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR、C＝CRR'、S＝O、SO2、CRR'、SiRR'和GeRR'；
各RA至RW表示单取代至最大可允许的取代，或无取代；
各R、R'以及RA至RW独立地是氢或选自由以下组成的群组的取代基：氘、卤素、烷基、环烷基、杂烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羰基、羧酸、酯、腈、异腈、硫基、亚磺酰基、磺酰基、膦基、甲锗烷基、硒烷基和其组合；
R、R'以及RA至RW中任何相邻的两个可以接合或稠合以形成环；以及
当存在时，RA和RB中至少4个是D；RC、RD和RE中至少5个是D；RF和RG中至少4个是D；RH和RI中至少4个是D；RJ、RK、RL、RM中至少8个是D；RN、RO、RP和RQ中至少7个是D；RR和RS中至少4个是D；并且RT、RU、RV和RW中至少7个是D。
在一些实施例中，第二主体的电子传输部分选自由以下组成的群组：以下列表2中的结构：
其中：
X1至X22中的每一个独立地是C或N；
X1至X3中的至少一个是N；
X4至X11中的至少一个是N；
各YC、YD和YE独立地选自由以下组成的群组：BR、BRR'、NR、PR、P(O)R、O、S、Se、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR、C＝CRR'、S＝O、SO2、CRR'、SiRR'和GeRR'；
各RR'至RZ'和RAA至RAK表示单取代至最大可允许的取代，或无取代；
各R、R'、RR'至RZ'以及RAA至RAK独立地是氢或选自由以下组成的群组的取代基：氘、卤素、烷基、环烷基、杂烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羰基、羧酸、酯、腈、异腈、硫基、亚磺酰基、磺酰基、膦基、甲锗烷基、硒烷基和其组合；
任何两个相邻的R、R'、RR'至RZ'或RAA至RAK可以接合或稠合以形成环；以及
当存在时，RR'和RS'中的至少5个是D；RT'和RU'中的至少4个是D；RV'、RW'和RX'中的至少6个是D；RY'、RZ'、RAA和RAB中的至少9个是D；RAC、RAD和RAE中的至少7个是D；RAF、RAG、RAH和RAI中的至少9个是D；并且RAJ和RAK中的至少5个是D。
在一些实施例中，第二主体未被氘化。
在一些实施例中，第一主体包含至少一个选自由咔唑、双咔唑和吲哚并咔唑组成的群组的氘化稠合部分，并且至少一个氘化稠合部分是至少50％氘化的。在一些实施例中，至少一个氘化稠合部分是至少70％氘化的。在一些实施例中，至少一个氘化稠合部分是至少90％氘化的。
在一些实施例中，装置在10mA/cm2下的EQE大于25％。
在一些实施例中，装置在10mA/cm2下的电压小于4.5V。
在一些实施例中，装置在1000尼特下的LT95大于30,000小时。
在一些实施例中，第一主体的HOMO能级大于-5.75eV。
在一些实施例中，第二主体的HOMO能级小于-5.75eV，并且第一主体的HOMO大于-5.6eV。在一些实施例中，第二主体的HOMO能级小于-5.45eV，并且第一主体的HOMO大于-5.3eV。
在一些实施例中，第二主体的HOMO能级小于-5.75eV，并且第一主体的HOMO小于-5.8eV但大于-5.75eV。在一些实施例中，第二主体的HOMO能级小于-5.9eV，并且第一主体的HOMO小于-5.95eV但大于-5.9eV。
在一些实施例中，第一主体选自由以下列表3中的结构组成的群组：
其中：
X1至X11中的每一个独立地是C或N；
L'是直接键或有机连接子；
各YA独立地选自由以下组成的群组：不存在、一键、O、S、Se、CRR'、SiRR'、NR、BR、BRR'；
RA'、RB'、RC'、RD'、RE'、RF'和RG'中的每一个独立地表示单取代至最大取代，或无取代；
R、R'、RA'、RB'、RC'、RD'、RE'、RF'和RG'中的每一个独立地是氢或选自由以下组成的群组的取代基：氘、卤素、烷基、环烷基、杂烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羰基、羧酸、酯、腈、异腈、硫基、亚磺酰基、磺酰基、膦基、甲锗烷基、硒烷基和其组合；
RA'、RB'、RC'、RD'、RE'、RF'和RG'中相邻的两个任选地接合或稠合以形成环；以及
至少一个R、R'、RA'、RB'、RC'、RD'、RE'、RF'或RG'包含氘。
在一些实施例中，连接子L'选自由以下组成的群组：直接键、BR、BRR'、NR、PR、P(O)R、O、S、Se、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR'、C＝CR'R"、S＝O、SO2、CR、CRR'、SiRR'、GeRR'、亚烷基、环烷基、芳基、亚环烷基、亚芳基、亚杂芳基和其组合。
在一些实施例中，第一主体选自由以下列表4中的结构组成的群组：
其中：
YZ选自由以下组成的群组：O、S和N-苯基；和
第一主体是至少部分氘化的。
在其中第一主体是列表4中的一个结构的一些实施例中，至少50％的氢原子被氘置换。在其中第一主体是列表4中的一个结构的一些实施例中，至少70％的氢原子被氘置换。在其中第一主体是列表4中的一个结构的一些实施例中，至少90％的氢原子被氘置换。
在一些实施例中，第一主体选自由以下列表5中的结构组成的群组：
在一些实施例中，第二主体选自由以下列表6中的结构组成的群组：
其中：
X1至X11中的每一个独立地是C或N；
L'是直接键或有机连接子；
各YA独立地选自由以下组成的群组：不存在、一键、O、S、Se、CRR'、SiRR'、NR、BR、BRR'；
RA'、RB'、RC'、RD'、RE'、RF'和RG'中的每一个独立地表示单取代至最大可允许的取代，或无取代；
R、R'、RA'、RB'、RC'、RD'、RE'、RF'和RG'中的每一个独立地是氢或选自由以下组成的群组的取代基：氘、卤素、烷基、环烷基、杂烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羰基、羧酸、酯、腈、异腈、硫基、亚磺酰基、磺酰基、膦基、甲锗烷基、硒烷基和其组合；
RA'、RB'、RC'、RD'、RE'、RF'和RG'中任何相邻的两个可以接合或稠合以形成环。
在一些实施例中，连接子L'选自由以下组成的群组：直接键、BR、BRR'、NR、PR、P(O)R、O、S、Se、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR'、C＝CR'R"、S＝O、SO2、CR、CRR'、SiRR'、GeRR'、亚烷基、环烷基、芳基、亚环烷基、亚芳基、亚杂芳基和其组合。
在一些实施例中，第二主体选自由以下列表7中的结构组成的群组：
在一些实施例中，磷光掺杂剂具有式M(LA)p(LB)q(LC)r，其中LB和LC各自是双齿配体；并且其中p是1、2或3；q是0、1或2；r是0、1或2；并且p+q+r是金属M的氧化态。
在一些实施例中，磷光掺杂剂具有选自由以下组成的群组的化学式：Ir(LA)3、Ir(LA)(LB)2、Ir(LA)2(LB)、Ir(LA)2(LC)和Ir(LA)(LB)(LC)；并且其中LA、LB和LC彼此不同。
在一些实施例中，LB是被取代或未被取代的苯基吡啶，并且LC是被取代或未被取代的乙酰基丙酮酸盐。
在一些实施例中，磷光掺杂剂具有式Pt(LA)(LB)；并且LA和LB可以相同或不同。在一些这类实施例中，LA和LB连接以形成四齿配体。
在一些实施例中，磷光掺杂剂是过渡金属络合物，其具有至少一个选自由以下列表8中的结构组成的群组的配体或配体的一部分(如果配体超过二齿)：
其中：
各Y1至Y13独立地选自由以下组成的群组：碳和氮；
Y'选自由以下组成的群组：BRe、BReRf、NRe、PRe、P(O)Re、O、S、Se、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRe、C＝CReRf、S＝O、SO2、CReRf、SiReRf和GeReRf；
Re和Rf能够稠合或接合以形成环；
每个Ra、Rb、Rc和Rd独立地表示对其相关环的零取代、单取代或最多最大允许数目的取代；
Ra、Rb、Rc、Rd、Re和Rf中的每一个独立地是氢或选自由以下组成的群组的取代基：氘、卤素、烷基、环烷基、杂烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羰基、羧酸、酯、腈、异腈、硫基、亚磺酰基、磺酰基、膦基、甲锗烷基、硒烷基和其组合；以及
Ra、Rb、Rc和Rd的两个相邻取代基可以稠合或接合以形成环或形成多齿配体。
在一些实施例中，磷光掺杂剂选自由以下列表9中的结构组成的群组：
其中
X96至X99中的每一个独立地是C或N；
各Y独立地选自由以下组成的群组：NR、O、S和Se；
各R10、R20、R30、R40和R50独立地表示单取代至最大允许数目的取代，或无取代；
各R、R10、R11、R12、R13、R20、R30、R40、R50、R60、R70、R97、R98和R99独立地是氢或选自由以下组成的群组的取代基：氘、卤素、烷基、环烷基、杂烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羰基、羧酸、酯、腈、异腈、硫基、亚磺酰基、磺酰基、膦基、甲锗烷基、硒烷基和其组合；以及
R10、R11、R12、R13、R20、R30、R40、R50、R60、R70、R97、R98和R99中相邻的两个可以接合或稠合以形成环。
在一些实施例中，磷光掺杂剂选自由以下列表10中的结构组成的群组：
在一些实施例中，磷光掺杂剂选自由以下列表11中的结构组成的群组：
其中：
各Y独立地选自由以下组成的群组：NR、O、S和Se；
L独立地选自由以下组成的群组：直接键、BR、BRR'、NR、PR、O、S、Se、C＝X'、S＝O、SO2、CR、CRR'、SiRR'、GeRR'、烷基、环烷基、芳基、杂芳基和其组合；
各X和X'独立地选自由以下组成的群组：O、S、Se、NR"和CR”R”'；
各R、R'、R"、R'"、RA”、RB”、RC”、RD”、RE”和RF”独立地表示单取代至最大允许数目的取代，或无取代；
各R、R'、RA1'、RA2'、RA”、RB”、RC”、RD”、RE”、RF”、RG”、RH”、RI”、RJ”、RK”、RL”、RM”和RN”独立地是氢或选自由以下组成的群组的取代基：氘、卤素、烷基、环烷基、杂烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羰基、羧酸、酯、腈、异腈、硫基、亚磺酰基、磺酰基、膦基、甲锗烷基、硒烷基和其组合。
在一些实施例中，磷光掺杂剂选自由以下列表12中的结构组成的群组：
在一些实施例中，安置在有机发射层上方的阳极、阴极或新层中的至少一个用作增强层。增强层包含展现表面等离激元共振的等离激元材料，所述等离激元材料非辐射地耦合到发射体材料，并将激发态能量从发射体材料转移到表面等离极化激元的非辐射模式。增强层被设置成离有机发射层的距离不超过阈值距离，其中由于存在增强层，发射体材料具有总的非辐射衰减率常数和总的辐射衰减率常数，且阈值距离是总的非辐射衰减率常数等于总的辐射衰减率常数的位置。在一些实施例中，OLED进一步包含外耦合层。在一些实施例中，外耦合层安置在增强层上位于有机发射层的相对侧上。在一些实施例中，外耦合层安置在发射层上与增强层相对的一侧，但是仍能外耦合来自增强层的表面等离激元模式的能量。外耦合层散射来自表面等离极化激元的能量。在一些实施例中，此能量作为光子被散射到自由空间。在其它实施例中，能量从装置的表面等离激元模式散射到其它模式中，例如但不限于有机波导模式、衬底模式或另一波导模式。如果能量被散射到OLED的非自由空间模式，则可以结合其它外耦合方案以将能量提取到自由空间。在一些实施例中，一或多个居间层可以安置在增强层与外耦合层之间。居间层的实例可以是介电材料，包括有机、无机、钙钛矿、氧化物，并且可以包括这些材料的堆叠和/或混合物。
增强层改变了发射体材料所驻留的介质的有效特性，从而引起以下任何一项或全部：发射率降低、发射线形改变、发射强度随角度变化、发射体材料稳定性改变、OLED效率改变以及OLED装置滚降效率降低。在阴极侧、阳极侧或这两侧上放置增强层产生利用了上述任何效果的OLED装置。除了本文中提到的以及图中所示的各种OLED实例中说明的特定功能层之外，根据本公开的OLED还可包括OLED中常见的任何其它功能层。
增强层可以包含等离激元材料、光学活性超构材料或双曲线超构材料。如本文所用，等离激元材料是其中介电常数的实部在电磁光谱的可见或紫外区域中过零的材料。在一些实施例中，等离激元材料包括至少一种金属。在这样的实施例中，金属可以包括以下各者中的至少一种：Ag、Al、Au、Ir、Pt、Ni、Cu、W、Ta、Fe、Cr、Mg、Ga、Rh、Ti、Ru、Pd、In、Bi、Ca、这些材料的合金或混合物、以及这些材料的堆叠。通常，超构材料是由不同材料构成的介质，其中介质整体上的作用与其材料部分的总和不同。具体地说，我们将光学活性超构材料定义为同时具有负电容率和负磁导率的材料。另一方面，双曲线超构材料是各向异性介质，其中对于不同的空间方向，电容率或磁导率具有不同的符号。光学活性超构材料和双曲线超构材料与许多其它光子结构，例如分布式布拉格反射器(Distributed Bragg Reflector，“DBR”)有着严格的区别，因为在光波长的长度尺度上，介质在传播方向上应该显示均匀。使用本领域技术人员可以理解的术语：超构材料在传播方向上的介电常数可以用有效的介质近似来描述。等离激元材料和超构材料提供了用于控制光传播的方法，其可以多种方式增强OLED性能。
在一些实施例中，增强层被设置为平面层。在其它实施例中，增强层具有周期性地、准周期性地或随机地布置的波长大小的特征，或者具有周期性地、准周期性地或随机地布置的亚波长大小的特征。在一些实施例中，波长大小的特征和亚波长大小的特征具有锐利的边缘。
在一些实施例中，外耦合层具有周期性地、准周期性地或随机地布置的波长大小的特征，或者具有周期性地、准周期性地或随机地布置的亚波长大小的特征。在一些实施例中，外耦合层可以由多个纳米粒子构成，并且在其它实施例中，外耦合层由安置在材料上方的多个纳米粒子构成。在这些实施例中，外耦合可以通过至少一种以下方式调节：改变多个纳米粒子的尺寸、改变多个纳米粒子的形状、改变多个纳米粒子的材料、调节材料的厚度、改变材料或安置在多个纳米粒子上的附加层的折射率、改变增强层的厚度和/或改变增强层的材料。装置的多个纳米粒子可由以下至少一者形成：金属、介电材料、半导体材料、金属合金、介电材料的混合物、一或多种材料的堆叠或分层和/或一种类型材料的芯并涂有另一种类型材料的壳。在一些实施例中，外耦合层由至少金属纳米粒子构成，其中金属选自由以下组成的群组：Ag、Al、Au、Ir、Pt、Ni、Cu、W、Ta、Fe、Cr、Mg、Ga、Rh、Ti、Ru、Pd、In、Bi、Ca、这些材料的合金或混合物、以及这些材料的堆叠。多个纳米粒子可以具有安置在它们之上的附加层。在一些实施例中，可以使用外耦合层来调整发射的极化。改变外耦合层的尺寸和周期性可以选择优先外耦合到空气的极化类型。在一些实施例中，外耦合层还充当装置的电极。
在另一方面中，本公开的OLED可以包括含有发射层的发射区域，所述发射层包含磷光掺杂剂、第一主体和第二主体，其中第一主体传输空穴，第二主体传输电子，并且第一主体是完全或部分氘化的。
在另一方面中，本公开还提供消费型产品，其包含本公开的OLED，其中本发明的OLED包括发射层，所述发射层包含磷光掺杂剂、第一主体和第二主体，其中第一主体传输空穴，第二主体传输电子，并且第一主体是完全或部分氘化的。
在一些实施例中，消费型产品可以是以下产品中的一种：平板显示器、计算机监视器、医疗监视器、电视机、告示牌、用于内部或外部照明和/或发信号的灯、平视显示器、全透明或部分透明的显示器、柔性显示器、激光打印机、电话、蜂窝电话、平板电脑、平板手机、个人数字助理(PDA)、可佩戴装置、膝上型计算机、数码相机、摄像机、取景器、对角线小于2英寸的微型显示器、3-D显示器、虚拟现实或增强现实显示器、交通工具、包含多个平铺在一起的显示器的视频墙、剧院或体育馆屏幕、光疗装置，和指示牌。
一般来说，OLED包含至少一个有机层，其安置于阳极与阴极之间并且与阳极和阴极电连接。当施加电流时，阳极注入空穴并且阴极注入电子到有机层中。所注入的空穴和电子各自朝带相反电荷的电极迁移。当电子和空穴定位在同一分子上时，形成“激子”，其为具有激发能态的定域电子-空穴对。当激子通过光发射机制弛豫时，发射光。在一些情况下，激子可以定位于准分子(excimer)或激态复合物上。非辐射机制(如热弛豫)也可能发生，但通常被视为不合需要的。
美国专利第5,844,363号、第6,303,238号和第5,707,745号中描述若干OLED材料和配置，所述专利以全文引用的方式并入本文中。
最初的OLED使用从单态发射光(“荧光”)的发射分子，如例如美国专利第4,769,292号中所公开，其以全文引用的方式并入。荧光发射通常在小于10纳秒的时帧内发生。
最近，已经展示了具有从三重态发射光(“磷光”)的发射材料的OLED。巴尔多(Baldo)等人,“来自有机电致发光装置的高效磷光发射(Highly EfficientPhosphorescent Emission from Organic Electroluminescent Devices)”,自然(Nature),第395卷,151-154,1998(“巴尔多-I”)；和巴尔多等人,“基于电致磷光的极高效绿色有机发光装置(Very high-efficiency green organic light-emitting devicesbased on electrophosphorescence)”,应用物理快报(Appl.Phys.Lett.),第75卷,第3,4-6期(1999)(“巴尔多-II”)，所述文献以全文引用的方式并入。美国专利第7,279,704号第5-6栏中更详细地描述磷光，所述专利以引用的方式并入。
图1展示有机发光装置100。图不一定按比例绘制。装置100可以包括衬底110、阳极115、空穴注入层120、空穴传输层125、电子阻挡层130、发射层135、空穴阻挡层140、电子传输层145、电子注入层150、保护层155、阴极160和阻挡层170。阴极160是具有第一导电层162和第二导电层164的复合阴极。装置100可以通过按顺序沉积所述层来制造。这些各种层和实例材料的性质和功能在US 7,279,704第6-10栏中更详细地描述，所述专利以引用的方式并入。
可以得到这些层中的每一个的更多实例。举例来说，柔性并且透明的衬底-阳极组合公开于美国专利第5,844,363号中，所述专利以全文引用的方式并入。经p掺杂的空穴传输层的实例是以50:1的摩尔比掺杂有F4-TCNQ的m-MTDATA，如美国专利申请公开第2003/0230980号中所公开，所述专利以全文引用的方式并入。发光和主体材料的实例公开于汤普森(Thompson)等人的美国专利第6,303,238号中，所述专利以全文引用的方式并入。经n掺杂的电子传输层的实例是以1:1的摩尔比掺杂有Li的BPhen，如美国专利申请公开第2003/0230980号中所公开，所述公开案以全文引用的方式并入。以全文引用的方式并入的美国专利第5,703,436号和第5,707,745号公开了阴极的实例，所述阴极包括具有含上覆的透明、导电、溅镀沉积的ITO层的金属(如Mg:Ag)薄层的复合阴极。阻挡层的理论和使用更详细地描述于美国专利第6,097,147号和美国专利申请公开第2003/0230980号中，所述专利以全文引用的方式并入。注入层的实例提供于美国专利申请公开第2004/0174116号中，其以全文引用的方式并入。保护层的描述可以见于美国专利申请公开第2004/0174116号中，其以全文引用的方式并入。
图2展示倒置式OLED 200。所述装置包括衬底210、阴极215、发射层220、空穴传输层225和阳极230。装置200可以通过按顺序沉积所述层来制造。因为最常见OLED配置具有安置于阳极上方的阴极，并且装置200具有安置于阳极230下的阴极215，所以装置200可以被称为“倒置式”OLED。可以在装置200的对应层中使用与关于装置100所述的那些材料类似的材料。图2提供如何可以从装置100的结构省去一些层的一个实例。
图1和2中所说明的简单分层结构借助于非限制性实例提供，并且应理解本公开的实施例可以与各种其它结构结合使用。所描述的具体材料和结构本质上是示范性的，并且可以使用其它材料和结构。可以通过以不同方式组合所述的各种层来获得功能性OLED，或可以基于设计、性能和成本因素完全省略各层。也可以包括未具体描述的其它层。可以使用除具体描述的材料以外的材料。尽管本文中所提供的许多实例将各种层描述为包括单一材料，但应理解，可以使用材料的组合，如主体和掺杂剂的混合物，或更一般来说，混合物。此外，所述层可以具有各种子层。本文中给予各种层的名称并不意图具有严格限制性。举例来说，在装置200中，空穴传输层225传输空穴并且将空穴注入到发射层220中，并且可以被描述为空穴传输层或空穴注入层。在一个实施例中，可以将OLED描述为具有安置于阴极与阳极之间的“有机层”。这一有机层可以包含单个层，或可以进一步包含如例如关于图1和2所述的不同有机材料的多个层。
还可以使用未具体描述的结构和材料，例如包含聚合材料的OLED(PLED)，例如弗兰德(Friend)等人的美国专利第5,247,190号中所公开，所述专利以全文引用的方式并入。借助于另一实例，可以使用具有单个有机层的OLED。OLED可以堆叠，例如在以全文引用的方式并入的福利斯特(Forrest)等人的美国专利第5,707,745号中所述。OLED结构可以偏离图1和2中所说明的简单分层结构。举例来说，衬底可以包括有角度的反射表面以改进出耦(out-coupling)，例如如在福利斯特等人的美国专利第6,091,195号中所述的台式结构，和/或如在布尔维克(Bulovic)等人的美国专利第5,834,893号中所述的凹点结构，所述专利以全文引用的方式并入。
除非另外规定，否则可以通过任何合适的方法来沉积各个实施例的层中的任一个。对于有机层，优选方法包括热蒸发、喷墨(如以全文引用的方式并入的美国专利第6,013,982号和第6,087,196号中所述)、有机气相沉积(OVPD)(如以全文引用的方式并入的福利斯特等人的美国专利第6,337,102号中所述)和通过有机蒸气喷射印刷(OVJP，也称为有机蒸气喷射沉积(OVJD))的沉积(如以全文引用的方式并入的美国专利第7,431,968号中所述)。其它合适的沉积方法包括旋涂和其它基于溶液的工艺。基于溶液的工艺优选在氮气或惰性气氛中进行。对于其它层，优选的方法包括热蒸发。优选的图案化方法包括通过掩模的沉积、冷焊(如以全文引用的方式并入的美国专利第6,294,398号和第6,468,819号中所述)和与例如喷墨和有机蒸气喷射印刷(OVJP)的沉积方法中的一些方法相关联的图案化。还可以使用其它方法。可以将待沉积的材料改性以使其与具体沉积方法相适合。举例来说，可以在小分子中使用支链或非支链并且优选含有至少3个碳的例如烷基和芳基的取代基来增强其经受溶液处理的能力。可以使用具有20个或更多个碳的取代基，并且3到20个碳是优选范围。具有不对称结构的材料可以比具有对称结构的材料具有更好的溶液可处理性，因为不对称材料可能具有更低的再结晶倾向性。可以使用树枝状聚合物取代基来增强小分子经受溶液处理的能力。
根据本公开实施例制造的装置可以进一步任选地包含阻挡层。阻挡层的一个用途是保护电极和有机层免受暴露于包括水分、蒸气和/或气体等的环境中的有害物质的损害。阻挡层可以沉积在衬底、电极上，沉积在衬底、电极下或沉积在衬底、电极旁，或沉积在装置的任何其它部分(包括边缘)上。阻挡层可以包含单个层或多个层。阻挡层可以通过各种已知的化学气相沉积技术形成，并且可以包括具有单一相的组合物和具有多个相的组合物。任何合适的材料或材料组合都可以用于阻挡层。阻挡层可以并有无机化合物或有机化合物或两者。优选的阻挡层包含聚合材料与非聚合材料的混合物，如以全文引用的方式并入本文中的美国专利第7,968,146号、PCT专利申请第PCT/US2007/023098号和第PCT/US2009/042829号中所述。为了被视为“混合物”，构成阻挡层的前述聚合材料和非聚合材料应在相同反应条件下沉积和/或同时沉积。聚合材料与非聚合材料的重量比可以在95:5到5:95范围内。聚合材料和非聚合材料可以由同一前体材料产生。在一个实例中，聚合材料与非聚合材料的混合物基本上由聚合硅和无机硅组成。
根据本公开实施例制造的装置可以并入到多种多样的电子组件模块(或单元)中，所述电子组件模块可以并入到多种电子产品或中间组件中。所述电子产品或中间组件的实例包括可以为终端用户产品制造商所利用的显示屏、照明装置(如离散光源装置或照明面板)等。所述电子组件模块可以任选地包括驱动电子装置和/或电源。根据本公开实施例制造的装置可以并入到多种多样的消费型产品中，所述消费型产品具有一或多个电子组件模块(或单元)并入于其中。公开一种包含OLED的消费型产品，所述OLED在OLED中的有机层中包括本公开的化合物。所述消费型产品应包括含一或多个光源和/或某种类型的视觉显示器中的一或多个的任何种类的产品。所述消费型产品的一些实例包括平板显示器、曲面显示器、计算机监视器、医疗监视器、电视机、告示牌、用于内部或外部照明和/或发信号的灯、平视显示器、全透明或部分透明的显示器、柔性显示器、可卷曲显示器、可折叠显示器、可拉伸显示器、激光打印机、电话、蜂窝电话、平板电脑、平板手机、个人数字助理(PDA)、可佩戴装置、膝上型计算机、数码相机、摄像机、取景器、微型显示器(对角线小于2英寸的显示器)、3-D显示器、虚拟现实或增强现实显示器、交通工具、包含多个平铺在一起的显示器的视频墙、剧院或体育馆屏幕、光疗装置，和指示牌。可以使用各种控制机制来控制根据本公开制造的装置，包括无源矩阵和有源矩阵。意图将所述装置中的许多装置用于对人类来说舒适的温度范围中，如18℃到30℃，并且更优选在室温下(20-25℃)，但可以在这一温度范围外(例如-40℃到+80℃)使用。
关于OLED和上文所述的定义的更多细节可以见于美国专利第7,279,704号中，所述专利以全文引用的方式并入本文中。
本文所述的材料和结构可以应用于除OLED以外的装置中。举例来说，如有机太阳能电池和有机光电检测器的其它光电装置可以采用所述材料和结构。更一般来说，如有机晶体管的有机装置可以采用所述材料和结构。
在一些实施例中，所述OLED具有一或多种选自由以下组成的群组的特征：柔性、可卷曲、可折叠、可拉伸和弯曲。在一些实施例中，所述OLED是透明或半透明的。在一些实施例中，所述OLED进一步包含包括碳纳米管的层。
在一些实施例中，所述OLED进一步包含包括延迟荧光发射体的层。在一些实施例中，所述OLED包含RGB像素排列或白色加彩色滤光片像素排列。在一些实施例中，所述OLED是移动装置、手持式装置或可佩戴装置。在一些实施例中，所述OLED是对角线小于10英寸或面积小于50平方英寸的显示面板。在一些实施例中，所述OLED是对角线为至少10英寸或面积为至少50平方英寸的显示面板。在一些实施例中，所述OLED是照明面板。
本文所公开的OLED可以并入到消费型产品、电子组件模块和照明面板中的一或多种中。有机层可以是发射层，并且化合物在一些实施例中可以是发射掺杂剂，而化合物在其它实施例中可以是非发射掺杂剂。
a)导电性掺杂剂：
电荷传输层可以掺杂有导电性掺杂剂以大体上改变其电荷载体密度，这转而将改变其导电性。导电性通过在基质材料中生成电荷载体而增加，并且取决于掺杂剂的类型，还可以实现半导体的费米能级(Fermi level)的变化。空穴传输层可以掺杂有p型导电性掺杂剂，并且n型导电性掺杂剂用于电子传输层中。
可以与本文中所公开的材料组合用于OLED中的导电性掺杂剂的非限制性实例与公开那些材料的参考文献一起例示如下：EP01617493、EP01968131、EP2020694、EP2684932、US20050139810、US20070160905、US20090167167、US2010288362、WO06081780、WO2009003455、WO2009008277、WO2009011327、WO2014009310、US2007252140、US2015060804、US20150123047和US2012146012。
b)HIL/HTL：
本公开中所用的空穴注入/传输材料不受特别限制，并且可以使用任何化合物，只要化合物通常用作空穴注入/传输材料即可。材料的实例包括(但不限于)：酞菁或卟啉衍生物；芳香族胺衍生物；吲哚并咔唑衍生物；含有氟烃的聚合物；具有导电性掺杂剂的聚合物；导电聚合物，如PEDOT/PSS；衍生自如膦酸和硅烷衍生物的化合物的自组装单体；金属氧化物衍生物，如MoOx；p型半导电有机化合物，如1,4,5,8,9,12-六氮杂三亚苯六甲腈；金属络合物；以及可交联化合物。
用于HIL或HTL的芳香族胺衍生物的实例包括(但不限于)以下一般结构：
Ar1到Ar9中的每一个选自：由例如以下的芳香族烃环状化合物组成的群组：苯、联苯、联三苯、三亚苯、萘、蒽、萉、菲、芴、芘、
苝和薁；由例如以下的芳香族杂环化合物组成的群组：二苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并硒吩、呋喃、噻吩、苯并呋喃、苯并噻吩、苯并硒吩、咔唑、吲哚并咔唑、吡啶基吲哚、吡咯并二吡啶、吡唑、咪唑、三唑、噁唑、噻唑、噁二唑、噁三唑、二噁唑、噻二唑、吡啶、哒嗪、嘧啶、吡嗪、三嗪、噁嗪、噁噻嗪、噁二嗪、吲哚、苯并咪唑、吲唑、吲噁嗪、苯并噁唑、苯并异噁唑、苯并噻唑、喹啉、异喹啉、噌啉、喹唑啉、喹喔啉、萘啶、酞嗪、喋啶、氧杂蒽、吖啶、吩嗪、吩噻嗪、吩噁嗪、苯并呋喃并吡啶、呋喃并二吡啶、苯并噻吩并吡啶、噻吩并二吡啶、苯并硒吩并吡啶和硒吩并二吡啶；以及由2到10个环状结构单元组成的群组，所述环状结构单元是选自芳香族烃环基和芳香族杂环基的相同类型或不同类型的基团并且直接或经由氧原子、氮原子、硫原子、硅原子、磷原子、硼原子、链结构单元和脂肪族环基中的至少一个彼此键结。每个Ar可以未被取代或可以被选自由以下组成的群组的取代基取代：氘、卤素、烷基、环烷基、杂烷基、杂环烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羧酸、醚、酯、腈、异腈、硫基、亚磺酰基、磺酰基、膦基和其组合。
在一个方面中，Ar1到Ar9独立地选自由以下组成的群组：
其中k是1到20的整数；X101到X108是C(包括CH)或N；Z101是NAr1、O或S；Ar1具有上文所定义的相同基团。
HIL或HTL中所用的金属络合物的实例包括(但不限于)以下通式：
其中Met是原子量可以大于40的金属；(Y101-Y102)是双齿配体，Y101和Y102独立地选自C、N、O、P和S；L101是辅助配体；k'是1到可以与金属连接的最大配体数的整数值；并且k'+k"是可以与金属连接的最大配体数。
在一个方面中，(Y101-Y102)是2-苯基吡啶衍生物。在另一方面中，(Y101-Y102)是碳烯配体。在另一方面中，Met选自Ir、Pt、Os和Zn。在另一方面中，金属络合物具有相较于Fc+/Fc耦合的小于约0.6V的溶液中最小氧化电势。
可以与本文中所公开的材料组合用于OLED中的HIL和HTL材料的非限制性实例与公开那些材料的参考文献一起例示如下：CN102702075、DE102012005215、EP01624500、EP01698613、EP01806334、EP01930964、EP01972613、EP01997799、EP02011790、EP02055700、EP02055701、EP1725079、EP2085382、EP2660300、EP650955、JP07-073529、JP2005112765、JP2007091719、JP2008021687、JP2014-009196、KR20110088898、KR20130077473、TW201139402、US06517957、US20020158242、US20030162053、US20050123751、US20060182993、US20060240279、US20070145888、US20070181874、US20070278938、US20080014464、US20080091025、US20080106190、US20080124572、US20080145707、US20080220265、US20080233434、US20080303417、US2008107919、US20090115320、US20090167161、US2009066235、US2011007385、US20110163302、US2011240968、US2011278551、US2012205642、US2013241401、US20140117329、US2014183517、US5061569、US5639914、WO05075451、WO07125714、WO08023550、WO08023759、WO2009145016、WO2010061824、WO2011075644、WO2012177006、WO2013018530、WO2013039073、WO2013087142、WO2013118812、WO2013120577、WO2013157367、WO2013175747、WO2014002873、WO2014015935、WO2014015937、WO2014030872、WO2014030921、WO2014034791、WO2014104514、WO2014157018。
c)EBL：
电子阻挡层(EBL)可以用以减少离开发射层的电子和/或激子的数目。与缺乏阻挡层的类似装置相比，在装置中存在此类阻挡层可以产生大体上较高的效率和/或较长的寿命。此外，可以使用阻挡层来将发射限制于OLED的所需区域。在一些实施例中，与最接近EBL界面的发射体相比，EBL材料具有较高LUMO(较接近真空能级)和/或较高三重态能量。在一些实施例中，与最接近EBL界面的主体中的一或多种相比，EBL材料具有较高LUMO(较接近真空能级)和/或较高三重态能量。在一个方面中，EBL中所用的化合物含有与下文所述的主体中的一个所用相同的分子或相同的官能团。
d)其它发射体：
一或多种其它发射体掺杂剂可以与本发明化合物结合使用。其它发射体掺杂剂的实例不受特别限制，并且可以使用任何化合物，只要化合物通常用作发射体材料即可。合适发射体材料的实例包括(但不限于)可以经由磷光、荧光、热激活延迟荧光(即TADF，也称为E型延迟荧光)、三重态-三重态消灭或这些工艺的组合产生发射的化合物。
可以与本文中所公开的材料组合用于OLED中的发射体材料的非限制性实例与公开那些材料的参考文献一起例示如下：CN103694277、CN1696137、EB01238981、EP01239526、EP01961743、EP1239526、EP1244155、EP1642951、EP1647554、EP1841834、EP1841834B、EP2062907、EP2730583、JP2012074444、JP2013110263、JP4478555、KR1020090133652、KR20120032054、KR20130043460、TW201332980、US06699599、US06916554、US20010019782、US20020034656、US20030068526、US20030072964、US20030138657、US20050123788、US20050244673、US2005123791、US2005260449、US20060008670、US20060065890、US20060127696、US20060134459、US20060134462、US20060202194、US20060251923、US20070034863、US20070087321、US20070103060、US20070111026、US20070190359、US20070231600、US2007034863、US2007104979、US2007104980、US2007138437、US2007224450、US2007278936、US20080020237、US20080233410、US20080261076、US20080297033、US200805851、US2008161567、US2008210930、US20090039776、US20090108737、US20090115322、US20090179555、US2009085476、US2009104472、US20100090591、US20100148663、US20100244004、US20100295032、US2010102716、US2010105902、US2010244004、US2010270916、US20110057559、US20110108822、US20110204333、US2011215710、US2011227049、US2011285275、US2012292601、US20130146848、US2013033172、US2013165653、US2013181190、US2013334521、US20140246656、US2014103305、US6303238、US6413656、US6653654、US6670645、US6687266、US6835469、US6921915、US7279704、US7332232、US7378162、US7534505、US7675228、US7728137、US7740957、US7759489、US7951947、US8067099、US8592586、US8871361、WO06081973、WO06121811、WO07018067、WO07108362、WO07115970、WO07115981、WO08035571、WO2002015645、WO2003040257、WO2005019373、WO2006056418、WO2008054584、WO2008078800、WO2008096609、WO2008101842、WO2009000673、WO2009050281、WO2009100991、WO2010028151、WO2010054731、WO2010086089、WO2010118029、WO2011044988、WO2011051404、WO2011107491、WO2012020327、WO2012163471、WO2013094620、WO2013107487、WO2013174471、WO2014007565、WO2014008982、WO2014023377、WO2014024131、WO2014031977、WO2014038456、WO2014112450。
e)HBL：
空穴阻挡层(HBL)可以用以减少离开发射层的空穴和/或激子的数目。与缺乏阻挡层的类似装置相比，此类阻挡层在装置中的存在可以产生大体上较高的效率和/或较长的寿命。此外，可以使用阻挡层来将发射限制于OLED的所需区域。在一些实施例中，与最接近HBL界面的发射体相比，HBL材料具有较低HOMO(距真空能级较远)和/或较高三重态能量。在一些实施例中，与最接近HBL界面的主体中的一或多种相比，HBL材料具有较低HOMO(距真空能级较远)和/或较高三重态能量。
在一个方面中，HBL中所用的化合物含有与上文所述的主体所用相同的分子或相同的官能团。
在另一方面中，HBL中所用的化合物在分子中含有以下基团中的至少一个：
其中k是1到20的整数；L101是另一个配体，k'是1到3的整数。
f)ETL：
电子传输层(ETL)可以包括能够传输电子的材料。电子传输层可以是固有的(未经掺杂的)或经掺杂的。可以使用掺杂来增强导电性。ETL材料的实例不受特别限制，并且可以使用任何金属络合物或有机化合物，只要其通常用以传输电子即可。
在一个方面中，ETL中所用的化合物在分子中含有以下基团中的至少一个：
其中R101选自由以下组成的群组：氢、氘、卤素、烷基、环烷基、杂烷基、杂环烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羧酸、醚、酯、腈、异腈、硫基、亚磺酰基、磺酰基、膦基和其组合，当其为芳基或杂芳基时，其具有与上述Ar类似的定义。Ar1到Ar3具有与上文所提及的Ar类似的定义。k是1到20的整数。X101到X108选自C(包括CH)或N。
在另一方面中，ETL中所用的金属络合物含有(但不限于)以下通式：
其中(O-N)或(N-N)是具有与原子O、N或N、N配位的金属的双齿配体；L101是另一个配体；k'是1到可以与金属连接的最大配体数的整数值。
可以与本文中所公开的材料组合用于OLED中的ETL材料的非限制性实例与公开那些材料的参考文献一起例示如下：CN103508940、EP01602648、EP01734038、EP01956007、JP2004-022334、JP2005149918、JP2005-268199、KR0117693、KR20130108183、US20040036077、US20070104977、US2007018155、US20090101870、US20090115316、US20090140637、US20090179554、US2009218940、US2010108990、US2011156017、US2011210320、US2012193612、US2012214993、US2014014925、US2014014927、US20140284580、US6656612、US8415031、WO2003060956、WO2007111263、WO2009148269、WO2010067894、WO2010072300、WO2011074770、WO2011105373、WO2013079217、WO2013145667、WO2013180376、WO2014104499、WO2014104535，
g)电荷产生层(CGL)
在串联或堆叠OLED中，CGL对性能起基本作用，其由分别用于注入电子和空穴的经n掺杂的层和经p掺杂的层组成。电子和空穴由CGL和电极供应。CGL中消耗的电子和空穴由分别从阴极和阳极注入的电子和空穴再填充；随后，双极电流逐渐达到稳定状态。典型CGL材料包括传输层中所用的n和p导电性掺杂剂。
在OLED装置的每个层中所用的任何上文所提及的化合物中，氢原子可以部分或完全氘化。化合物中的被氘化的氢的最小量选自由以下组成的群组：30％、40％、50％、60％、70％、80％、90％、95％、99％和100％。因此，任何具体列出的取代基，如(但不限于)甲基、苯基、吡啶基等可以是其非氘化、部分氘化以及和完全氘化形式。类似地，取代基类别(例如(但不限于)烷基、芳基、环烷基、杂芳基等)还可以是其非氘化、部分氘化和完全氘化形式。
应理解，本文所述的各种实施例仅借助于实例，并且并不意图限制本发明的范围。举例来说，可以在不背离本发明的精神的情况下用其它材料和结构取代本文所述的许多材料和结构。如所要求的本发明因此可以包括本文所述的具体实例和优选实施例的变化形式，如所属领域的技术人员将显而易见。应理解，关于本发明为何起作用的各种理论并不意图是限制性的。
实验部分
所测试的所有实验装置是通过高真空(<10-7托)热蒸发(VTE)制造。阳极电极是
的氧化铟锡(ITO)。阴极由
LiQ，接着
Al组成。所有装置在制造之后，立即在氮气手套箱(<1ppm H2O和O2)中用环氧树脂密封的玻璃盖封装，并且将除湿剂并入封装内部。
从ITO表面开始，装置实例的有机堆叠依序由以下组成：作为空穴注入层(HIL)的
HATCN、作为空穴传输层(HTL)的
空穴传输材料HTM、作为电子阻挡层(EBL)的
EBL、作为发射层(EML)的掺杂有30重量％第二主体和10重量％发射体(参见表格)的
第一主体、作为阻挡层(BL)的
第二主体以及作为电子传输层(ETL)的
含35％ETM的LiQ。如本文中所使用，HATCN、HTM、ETM、EBL、H1、H2、DH1、DH2、GD1、GD2、GD3和GD4具有以下结构：
通过使H1和H2分别经历如WO2011053334A1所描述的H/D交换条件来合成DH1和DH2。用根据本公开的氘化的第一主体DH1制造本发明的装置，即实例1至实例8。用未被氘化的第一主体H1制造比较性装置，即比较例1至比较例8。所测量的实例1-8和比较例1-8的使用寿命(LT95)报告于以下表1中，其中LT95是在80mA/cm2的恒定电流密度下亮度降低至初始亮度的95％所需的时间。将所报告的比较例1、比较例2、实例1和实例2的LT95相对于比较例1的LT95正规化。将所报告的比较例3、比较例4、实例3和实例4的LT95相对于比较例3的LT95正规化。将所报告的比较例5、比较例6、实例5和实例6的LT95相对于比较例5的LT95正规化。将所报告的比较例7、比较例8、实例7和实例8的LT95相对于比较例7的LT95正规化。
表1
以上数据表明，本发明的装置实例1-2与比较性装置比较例1和比较例2相比各自呈现显著更高的使用寿命。100％-130％使用寿命增加超出任何可归因于实验误差的值，并且观察到的改进是统计显著的。此外，在比较例2中，由第一主体的氘化引起的增加比由第二主体的氘化引起的增加大超过90％。基于装置具有仅有的差异为第一主体的氘化的相同结构，在以上数据中观察到的显著性能改进是出人意料的。类似地，本发明的装置实例3-8各自呈现比其对应的比较性装置比较例3-8长50-120％的使用寿命。这与其中与未被氘化的宿主系统相比，第二主体的氘化产生显著较小的增加的比较例4、比较例6和比较例8明显不同。不希望受任何理论约束，此改进可以归因于氘化主体与呈阳离子状态的与主体相关的掺杂剂之间的分子间分解反应的抑制。
Claims (15)
1.一种有机电致发光装置OLED，其包含：
阳极；
阴极；和
发射层，其安置在所述阳极与所述阴极之间，
其中所述发射层包含磷光掺杂剂、第一主体和第二主体，其中所述第一主体传输空穴，所述第二主体传输电子，
其中所述第一主体是完全或部分氘化的，以及
其中以下条件中的至少一个为真：
(i)所述第二主体不包含咔唑或吲哚并咔唑；
(ii)所述第二主体的HOMO能级<-5.75eV；
(iii)所述第二主体的HOMO能级>-5.5eV并且至少25％氘化；
(iv)所述第二主体包含至少60％氘化的双咔唑或吲哚并咔唑部分；
(v)所述第一主体包含至少50％氘化的空穴传输部分，并且所述第二主体包含至少50％氘化的电子传输部分；以及
(vi)所述OLED的由LT95表示的使用寿命比比较性OLED的使用寿命LT95高至少75％，其中所述比较性OLED被构造成使得所述OLED与所述比较性OLED之间的唯一差异在于所述比较性OLED的第一主体未被氘化，并且其中装置的LT95是测量为在80mA/cm2的恒定电流密度下，所述装置的亮度降低至其初始亮度的95％所需的时间。
2.根据权利要求1所述的OLED，其中所述第一主体包含至少一个选自由以下组成的群组的部分：萘、联苯、三亚苯、二苯并噻吩、二苯并呋喃、硅烷基、硼烷基、菲、啡啶、芳基胺和芴。
3.根据权利要求1所述的OLED，其中所述第二主体包含至少一个选自由以下组成的群组的部分：苯、吡啶、嘧啶、哒嗪、吡嗪、三嗪、咪唑、氮杂二苯并噻吩、氮杂二苯并呋喃和氮杂咔唑、硼烷基、噻唑、萘、喹啉、异喹啉、喹唑啉、苯并喹唑啉、苯并呋喃、苯并噁唑、苯并噻吩、苯并噻唑、苯并硒吩、苯并咪唑、咔唑、二苯并呋喃、二苯并噻吩、喹喏啉、酞嗪、菲、啡啶、三亚苯和芴。
4.根据权利要求1所述的OLED，其中所述第一主体是至少10％氘化的。
5.根据权利要求1所述的OLED，其中所述第一主体包含咔唑或吲哚并咔唑部分；和/或所述第二主体不包含咔唑或吲哚并咔唑。
6.根据权利要求1所述的OLED，其中所述第一主体的空穴传输部分选自由以下组成的群组：
其中：
各Y1和Y2独立地选自由以下组成的群组：BR、BRR'、NR、PR、P(O)R、O、S、Se、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR、C＝CRR'、S＝O、SO2、CRR'、SiRR'和GeRR'；
RA至RW中的每一个独立地表示单取代至最大可允许数目的取代，或无取代；
各R、R'以及RA至RW独立地是氢或选自由以下组成的群组的取代基：氘、卤素、烷基、环烷基、杂烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羰基、羧酸、酯、腈、异腈、硫基、亚磺酰基、磺酰基、膦基、甲锗烷基、硒烷基和其组合；
R、R'或RA至RW中相邻的两个能够接合或稠合以形成环；以及
当存在时，RA和RB中至少4个是D；RC、RD和RE中至少5个是D；RF和RG中至少4个是D；RH和RI中至少4个是D；RJ、RK、RL、RM中至少8个是D；RN、RO、RP和RQ中至少7个是D；RR和RS中至少4个是D；并且RT、RU、RV和RW中至少7个是D；
其中所述第二主体的电子传输部分选自由以下组成的群组：
其中：
X1至X22中的每一个独立地是C或N；
X1至X3中的至少一个是N；
X4至X11中的至少一个是N；
各YC、YD和YE独立地选自由以下组成的群组：BR、BRR'、NR、PR、P(O)R、O、S、Se、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR、C＝CRR'、S＝O、SO2、CRR'、SiRR'和GeRR'；
RR'至RZ'和RAA至RAK中的每一个独立地表示单取代至最大可允许数目的取代，或无取代；
各R、R'、RR'至RZ'以及RAA至RAK独立地是氢或选自由以下组成的群组的取代基：氘、卤素、烷基、环烷基、杂烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羰基、羧酸、酯、腈、异腈、硫基、亚磺酰基、磺酰基、膦基、甲锗烷基、硒烷基和其组合；
R、R'、RR'至RZ'或RAA至RAK中相邻的两个能够接合或稠合以形成环；以及
当存在时，RR'和RS'中的至少5个是D；RT'和RU'中的至少4个是D；RV'、RW'和RX'中的至少6个是D；RY'、RZ'、RAA和RAB中的至少9个是D；RAC、RAD和RAE中的至少7个是D；RAF、RAG、RAH和RAI中的至少9个是D；并且RAJ和RAK中的至少5个是D。
7.根据权利要求1所述的OLED，其中所述第一主体选自由以下组成的群组：
其中：
X1至X11中的每一个独立地是C或N；
L'是直接键或有机连接子；
各YA独立地选自由以下组成的群组：不存在、一键、O、S、Se、CRR'、SiRR'、NR、BR、BRR'；
RA'、RB'、RC'、RD'、RE'、RF'和RG'中的每一个独立地表示单取代至最大数目的取代，或无取代；
R、R'、RA'、RB'、RC'、RD'、RE'、RF'和RG'中的每一个独立地是氢或选自由以下组成的群组的取代基：氘、卤素、烷基、环烷基、杂烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羰基、羧酸、酯、腈、异腈、硫基、亚磺酰基、磺酰基、膦基、甲锗烷基、硒烷基和其组合；
RA'、RB'、RC'、RD'、RE'、RF'和RG'中相邻的两个能够接合或稠合以形成环；以及
至少一个R、R'、RA'、RB'、RC'、RD'、RE'、RF'或RG'包含氘。
8.根据权利要求1所述的OLED，其中所述第一主体选自由以下组成的群组：
其中：
YZ选自由以下组成的群组：O、S和N-苯基；
所述第一主体是至少部分氘化的；和/或
至少50％的氢原子被氘置换。
9.根据权利要求1所述的OLED，其中所述第一主体选自由以下组成的群组：
其中所述第二主体选自由以下组成的群组：
10.根据权利要求1所述的OLED，其中所述磷光掺杂剂具有式M(LA)p(LB)q(LC)r，其中LB和LC各自是双齿配体；并且其中p是1、2或3；q是0、1或2；r是0、1或2；并且p+q+r是所述金属M的氧化态。
11.根据权利要求10所述的OLED，其中所述磷光掺杂剂是过渡金属络合物，其具有至少一个选自由以下组成的群组的配体或在所述配体超过二齿时，具有所述配体的一部分：
其中：
各Y1至Y13独立地选自由以下组成的群组：碳和氮；
Y'选自由以下组成的群组：BRe、BReRf、NRe、PRe、P(O)Re、O、S、Se、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRe、C＝CReRf、S＝O、SO2、CReRf、SiReRf和GeReRf；
Re和Rf任选地稠合或接合以形成环；
各Ra、Rb、Rc和Rd独立地表示对其相关环的单取代至最大允许数目的取代，或无取代；
Ra、Rb、Rc、Rd、Re和Rf中的每一个独立地是氢或选自由以下组成的群组的取代基：氘、卤素、烷基、环烷基、杂烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羰基、羧酸、酯、腈、异腈、硫基、亚磺酰基、磺酰基、膦基、甲锗烷基、硒烷基和其组合；以及
Ra、Rb、Rc和Rd的两个相邻取代基任选地稠合或接合以形成环或形成多齿配体。
12.根据权利要求10所述的OLED，其中所述磷光掺杂剂选自由以下组成的群组：
其中：
X96至X99中的每一个独立地是C或N；
各Y独立地选自由以下组成的群组：NR、O、S和Se；
各R10、R20、R30、R40和R50独立地表示单取代至最大允许数目的取代，或无取代；
各R、R10、R11、R12、R13、R20、R30、R40、R50、R60、R70、R97、R98和R99独立地是氢或选自由以下组成的群组的取代基：氘、卤素、烷基、环烷基、杂烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羰基、羧酸、酯、腈、异腈、硫基、亚磺酰基、磺酰基、膦基、甲锗烷基、硒烷基和其组合；以及
R10、R11、R12、R13、R20、R30、R40、R50、R60、R70、R97、R98和R99中相邻的两个能够接合或稠合以形成环。
13.根据权利要求10所述的OLED，其中所述磷光掺杂剂选自由以下组成的群组：
其中所述磷光掺杂剂选自由以下组成的群组：
其中：
各Y独立地选自由以下组成的群组：NR、O、S和Se；
L独立地选自由以下组成的群组：直接键、BR、BRR'、NR、PR、O、S、Se、C＝X'、S＝O、SO2、CR、CRR'、SiRR'、GeRR'、烷基、环烷基、芳基、杂芳基和其组合；
各X和X'独立地选自由以下组成的群组：O、S、Se、NR"和CR”R”'；
各R、R'、R"、R'"、RA”、RB”、RC”、RD”、RE”和RF”独立地表示单取代至最大取代，或无取代；
各R、R'、RA1'、RA2'、RA”、RB”、RC”、RD”、RE”、RF”、RG”、RH”、RI”、RJ”、RK”、RL”、RM”和RN”独立地是氢或选自由以下组成的群组的取代基：氘、卤素、烷基、环烷基、杂烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羰基、羧酸、酯、腈、异腈、硫基、亚磺酰基、磺酰基、膦基、甲锗烷基、硒烷基和其组合。
14.根据权利要求10所述的OLED，其中所述磷光掺杂剂选自由以下组成的群组：
15.一种包含OLED的消费型产品，所述OLED包含：
阳极；
阴极；和
发射层，其安置在所述阳极与所述阴极之间，
其中所述发射层包含磷光掺杂剂、第一主体和第二主体，其中所述第一主体传输空穴，所述第二主体传输电子，并且
其中所述第一主体是完全或部分氘化的。
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