CN117956822A - 有机电致发光材料和装置 - Google Patents

Abstract

本申请涉及有机电致发光材料和装置。提供了一种OLED，其包括阳极；阴极；和安置于所述阳极与所述阴极之间的发射区域。所述发射区域可以包括第一化合物S1；第二化合物A1；以及第三化合物H1。所述第一化合物S1能够在室温下发射磷光并且是将能量转移至所述第二化合物A1的敏化剂；所述第二化合物A1是作为发射体的受体；并且所述第三化合物H1是第一主体，并且所述第一化合物S1和所述第二化合物A1中的至少一种掺杂于所述第三化合物H1中。还提供了包括所述OLED的消费型产品以及含有所述第一、第二和第三化合物的调配物。

Description

有机电致发光材料和装置

相关申请的交叉参考

本申请是2023年5月17日提交的美国专利申请第18/319,182号的部分继续申请，并且还依据35 U.S.C.§119(e)要求以下美国临时申请的优先权：2022年12月13日提交的第63/387,166号；2022年10月27日提交的第63/419,782号；2022年11月2日提交的第63/421,804号，2023年2月7日提交的第63/483,647号；2023年2月27日提交的第63/487,055号；2023年4月13日提交的第63/459,091号；2022年12月21日提交的第63/434,161号；2023年2月14日提交的第63/484,757号；2023年2月14日提交的第63/484,786号；2023年3月14日提交的第63/490,065号，所述美国申请的全部内容以引用的方式并入本文中。

技术领域

本发明涉及用于制造有机发射装置(例如有机发光二极管)的装置和技术，以及包括有机发射装置的装置和技术。

背景技术

出于多种原因，利用有机材料的光电装置变得越来越受欢迎。用于制造所述装置的许多材料相对较为便宜，因此有机光电装置具有优于无机装置的成本优势的潜力。另外，有机材料的固有性质(例如其柔性)可以使其较适用于特定应用，如在柔性衬底上的制造。有机光电装置的实例包括有机发光二极管/装置(OLED)、有机光电晶体管、有机光伏电池、有机闪烁器和有机光电检测器。对于OLED来说，有机材料可以具有优于常规材料的性能优势。举例来说，有机发射层所发射的光的波长通常可容易用适当掺杂剂调节。

OLED利用有机薄膜，其在电压施加于装置上时会发射光。OLED正成为用于如显示器、照明和背光的应用中的日益受关注的技术。若干OLED材料和配置描述于美国专利第5,844,363号、第6,303,238号以及第5,707,745号中，所述专利以全文引用的方式并入本文中。

发射分子的一个应用是全色显示器。针对此类显示器的行业标准需要适合于发射特定颜色(称为“饱和”色)的像素。具体来说，这些标准需要饱和红色、绿色和蓝色像素。或者，OLED可经设计以发射白光。在常规液晶显示器中，使用吸收滤光器过滤来自白色背光的发射以产生红色、绿色和蓝色发射。相同技术也可以用于OLED。白色OLED可以是单EML装置或堆叠结构。可以使用所属领域中所熟知的CIE坐标来测量色彩。

发明内容

在一个方面中，本公开提供了一种有机发光装置(OLED)，其包含：

阳极；

阴极；和

安置于所述阳极与所述阴极之间的发射区域；

其中所述发射区域包含：

第一化合物S1；

第二化合物A1；和

第三化合物H1；

其中所述第一化合物S1能够在室温下发射磷光并且是将能量转移至所述第二化合物A1的敏化剂；

其中所述第二化合物A1是作为发射体的受体；并且

其中所述第三化合物H1是第一主体，且所述第一化合物S1和所述第二化合物A1中的至少一种掺杂于所述第三化合物H1中；

以下条件中的至少一个为真：

(1)所述第三化合物H1包含硼原子；或

(2)所述第一化合物S1是包含金属M和第一配体L_A的金属络合物，所述第一配体L_A包含至少一个部分F；其中所述至少一个部分F是包含两个或更多个5元和/或6元碳环或杂环的稠环系统且与所述金属M经由阴离子键接合；其中M选自由以下组成的群组：Ir、Rh、Re、Ru、Os、Pt、Pd、Zn、Ag、Au和Cu；并且其限制条件为如果M是Pt或Pd，则所述至少一个部分F不是非稠合的咔唑。

在另一方面中，本公开还提供含有如本文所公开的OLED的消费型产品。本公开进一步提供如本文所述的调配物。

附图说明

图1展示一种有机发光装置。

图2展示不具有独立电子传输层的倒置式有机发光装置。

图3展示具有不同垂直偶极比(VDR)值的发射体的模型化P偏振光致发光相对于角度的图。

图4展示若干磷光体化合物的PL光谱。

具体实施方式

A.术语

除非另外规定，否则本文所用的以下术语定义如下：

如本文所用，“顶部”意指离衬底最远，而“底部”意指最靠近衬底。在第一层被描述为“安置于”第二层“上方”的情况下，第一层被安置于离基板较远处。除非规定第一层“与”第二层“接触”，否则第一与第二层之间可以存在其它层。举例来说，即使阴极和阳极之间存在各种有机层，仍可以将阴极描述为“安置于”阳极“上方”。

如本文所用，“溶液可处理”意指能够以溶液或悬浮液的形式在液体介质中溶解、分散或传输和/或从液体介质沉积。

如本文所用，并且如所属领域的技术人员通常将理解，如果第一能级较接近真空能级，那么第一“最高占用分子轨道”(Highest Occupied Molecular Orbital，HOMO)或“最低未占用分子轨道”(Lowest Unoccupied Molecular Orbital，LUMO)能级“大于”或“高于”第二HOMO或LUMO能级。由于将电离电位(IP)测量为相对于真空能级的负能量，因此较高HOMO能级对应于具有较小绝对值的IP(较不负(less negative)的IP)。类似地，较高LUMO能级对应于具有较小绝对值的电子亲和性(EA)(较不负的EA)。在顶部是真空能级的常规能级图上，材料的LUMO能级高于相同材料的HOMO能级。“较高”HOMO或LUMO能级表现为比“较低”HOMO或LUMO能级更靠近这个图的顶部。

如本文所用，并且如所属领域的技术人员通常将理解，如果第一功函数具有较高绝对值，那么第一功函数“大于”或“高于”第二功函数。因为通常将功函数测量为相对于真空能级的负数，所以这意指“较高”功函数是更负的(more negative)。在顶部是真空能级的常规能级图上，“较高”功函数经说明为在向下方向上离真空能级较远。因此，HOMO和LUMO能级的定义遵循与功函数不同的定则。

术语“卤”、“卤素”和“卤基”可互换地使用并且指氟、氯、溴和碘。

术语“酰基”是指被取代的羰基(-C(O)-R_s)。

术语“酰基”是指被取代的羰基(C(O)-R_s)基团。

术语“酯”是指被取代的氧基羰基(-O-C(O)-R_s或-C(O)-O-R_s)基团。

术语“醚”是指-OR_s基团。

术语“硫基”或“硫醚”可互换地使用并且指-SR_s基团。

术语“硒烷基”是指-SeR_s基团。

术语“亚磺酰基”是指-S(O)-R_s基团。

术语“磺酰基”是指-SO₂-R_s基团。

术语“膦基”是指含有至少一个磷原子的基团，所述磷原子用于键结至相关分子，常见实例例如但不限于-P(R_s)₂基团或-PO(R_s)₂基团，其中每个R_s可相同或不同。

术语“硅烷基”是指含有至少一个硅原子的基团，所述硅原子用于键结至相关分子，常见实例例如但不限于-Si(R_s)₃基团，其中每个R_s可相同或不同。

术语“锗烷基”是指含有至少一个锗原子的基团，所述锗原子用于键结至相关分子，常见实例例如但不限于-Ge(R_s)₃基团，其中每个R_s可相同或不同。

术语“硼烷基”是指含有至少一个硼原子的基团，所述硼原子用于键结至相关分子，常见实例例如但不限于-B(R_s)₂基团或其路易斯加成物-B(R_s)₃基团，其中R_s可相同或不同。

在上述每一个中，R_s可以是氢或本申请中所定义的通用取代基。优选的R_s选自由以下组成的群组：氘、卤素、烷基、环烷基、杂烷基、杂环烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基和其组合。更优选地，R_s选自由以下组成的群组：烷基、环烷基、芳基、杂芳基和其组合。

术语“烷基”是指并且包括直链和支链烷基。优选的烷基是含有一到十五个碳原子、优选一到九个碳原子的烷基，并且包括甲基、乙基、丙基、1-甲基乙基、丁基、1-甲基丙基、2-甲基丙基、戊基、1-甲基丁基、2-甲基丁基、3-甲基丁基、1,1-二甲基丙基、1,2-二甲基丙基、2,2-二甲基丙基等。另外，烷基可以进一步被取代。

术语“环烷基”是指并且包括单环、多环和螺烷基。优选的环烷基为含有3到12个环碳原子的环烷基，并且包括环丙基、环戊基、环己基、双环[3.1.1]庚基、螺[4.5]癸基、螺[5.5]十一烷基、金刚烷基等。另外，环烷基可以进一步被取代。

术语“杂烷基”或“杂环烷基”分别指烷基或环烷基，其具有至少一个被杂原子置换的碳原子。任选地，所述至少一个杂原子选自O、S、N、P、B、Si和Se，优选地O、S或N。另外，杂烷基或杂环烷基可以任选地被取代。

术语“烯基”是指并且包括直链和支链烯基。烯基基本上是在烷基链中包括至少一个碳-碳双键的烷基。环烯基基本上是在环烷基环中包括至少一个碳-碳双键的环烷基。如本文所用的术语“杂烯基”是指至少一个碳原子被杂原子置换的烯基。任选地，所述至少一个杂原子选自O、S、N、P、B、Si、Ge和Se，优选地O、S或N。优选的烯基、环烯基或杂烯基是含有二到十五个碳原子的那些。另外，烯基、环烯基或杂烯基可以进一步被取代。

术语“炔基”是指并且包括直链和支链炔基。炔基本质上是在烷基链中包括至少一个碳-碳三键的烷基。优选的炔基是含有二到十五个碳原子的炔基。另外，炔基可以进一步被取代。

术语“芳烷基”或“芳基烷基”可互换地使用并且是指被芳基取代的烷基。另外，芳烷基可以进一步被取代。

术语“杂环基”是指并且包括含有至少一个杂原子的芳香族和非芳香族环状基团。任选地，所述至少一个杂原子选自O、S、Se、N、P、B、Si、Ge和Se，优选O、S、N或B。芳香族杂环基可与杂芳基互换使用。优选的非芳香族杂环基是含有3到10个环原子的杂环基，优选含有3到7个环原子的杂环基，其包括至少一个杂原子，并且包括环胺，如吗啉基、哌啶基、吡咯烷基等，和环醚/硫醚，如四氢呋喃、四氢吡喃、四氢噻吩等。另外，杂环基可以进一步被取代。

术语“芳基”是指并且包括单环和多环芳香族烃基。多环可以具有其中两个碳为两个邻接环(所述环是“稠合的”)共用的两个或更多个环。优选的芳基是含有六到三十个碳原子、优选六到二十四个碳原子、六到十八个碳原子且更优选六到十二个碳原子的芳基。尤其优选的是具有六个碳、十个碳、十二个碳、十四个碳或十八个碳的芳基。适合的芳基包括苯基、联苯、联三苯、三亚苯、四亚苯、萘、蒽、萉、菲、芘、苝和薁，优选苯基、联苯、联三苯、三亚苯和萘。另外，芳基可以进一步被取代或稠合，例如但不限于芴。

术语“杂芳基”是指并且包括了包括至少一个杂原子的单环芳香族基团和多环芳香族环系统。杂原子包括但不限于O、S、Se、N、P、B、Si、Ge和Se。在许多情况下，O、S、N或B是优选的杂原子。单环杂芳香族系统优选是具有5或6个环原子的单环，并且环可以具有一到六个杂原子。杂多环系统可以具有其中两个原子为两个邻接环(所述环是“稠合的”)共用的两个或更多个芳香族环，其中所述环中的至少一个是杂芳基。杂多环芳香族环系统可以在多环芳香族环系统的每个环上具有一到六个杂原子。优选的杂芳基是含有三到三十个碳原子、优选三到二十四个碳原子、三到十八个碳原子且更优选三到十二个碳原子的杂芳基。适合的杂芳基包括二苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并硒吩、呋喃、噻吩、苯并呋喃、苯并噻吩、苯并硒吩、咔唑、吲哚并咔唑、吡啶基吲哚、吡咯并二吡啶、吡唑、咪唑、三唑、噁唑、噻唑、噁二唑、噁三唑、二噁唑、噻二唑、吡啶、哒嗪、嘧啶、吡嗪、三嗪、噁嗪、噁噻嗪、噁二嗪、吲哚、苯并咪唑、吲唑、吲噁嗪、苯并噁唑、苯并异噁唑、苯并噻唑、喹啉、异喹啉、噌啉、喹唑啉、喹喔啉、萘啶、酞嗪、喋啶、氧杂蒽(xanthene)、吖啶、吩嗪、吩噻嗪、吩噁嗪、苯并呋喃并吡啶、呋喃并二吡啶、苯并噻吩并吡啶、噻吩并二吡啶、苯并硒吩并吡啶和硒吩并二吡啶，优选二苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并硒吩、咔唑、吲哚并咔唑、咪唑、吡啶、三嗪、苯并咪唑、1,2-氮杂硼烷、1,3-氮杂硼烷、1,4-氮杂硼烷、硼氮炔和其氮杂类似物。另外，杂芳基可以进一步被取代。

在上面列出的芳基和杂芳基中，三亚苯、萘、蒽、二苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并硒吩、咔唑、吲哚并咔唑、咪唑、吡啶、吡嗪、嘧啶、三嗪和苯并咪唑以及其各自对应的氮杂类似物尤其受到关注。

在许多情况下，通用取代基选自由以下组成的群组：氘、卤素、烷基、环烷基、杂烷基、杂环烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、锗烷基、硼烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羧酸、醚、酯、腈、异腈、硫基、硒烷基、亚磺酰基、磺酰基、膦基和其组合。

在一些情况下，优选的通用取代基选自由以下组成的群组：氘、氟、烷基、环烷基、杂烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、锗烷基、硼烷基、烯基、环烯基、杂烯基、芳基、杂芳基、腈、异腈、硫基和其组合。

在一些情况下，更优选的通用取代基选自由以下组成的群组：氘、氟、烷基、环烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、芳基、杂芳基、腈、硫基和其组合。

在一些情况下，更优选的通用取代基选自由以下组成的群组：氘、氟、烷基、环烷基、硅烷基、芳基、杂芳基、腈和其组合。

在其它情况下，最优选的通用取代基选自由以下组成的群组：氘、烷基、环烷基、芳基、杂芳基和其组合。

术语“被取代的”和“取代”是指除H以外的取代基键结到相关位置，例如碳或氮。举例来说，当R¹表示单取代时，则一个R¹必须不是H(即，取代)。类似地，当R¹表示二取代时，则两个R¹必须不是H。类似地，当R¹表示零或无取代时，R¹例如可以是环原子可用价数的氢，如苯的碳原子和吡咯中的氮原子，或对于具有完全饱和价数的环原子仅表示无，例如吡啶中的氮原子。环结构中可能的最大取代数目将取决于环原子中可用价数的总数目。

如本文所使用，“其组合”表示适用清单的一或多个成员被组合以形成本领域普通技术人员能够从适用清单中设想的已知或化学稳定的布置。举例来说，烷基和氘可以组合形成部分或完全氘化的烷基；卤素和烷基可以组合形成卤代烷基取代基；并且卤素、烷基和芳基可以组合形成卤代芳烷基。在一个实例中，术语取代包括两到四个列出的基团的组合。在另一个实例中，术语取代包括两到三个基团的组合。在又一实例中，术语取代包括两个基团的组合。取代基的优选组合是含有多达五十个不是氢或氘的原子的组合，或包括多达四十个不是氢或氘的原子的组合，或包括多达三十个不是氢或氘的原子的组合。在许多情况下，取代基的优选组合将包括多达二十个不是氢或氘的原子。

本文所述的片段，即氮杂-二苯并呋喃、氮杂-二苯并噻吩等中的“氮杂”名称意指相应芳香族环中的C-H基团中的一或多个可以被氮原子置换，例如且不限于氮杂三亚苯涵盖二苯并[f,h]喹喔啉和二苯并[f,h]喹啉。所属领域的一般技术人员可以容易地预想上文所述的氮杂-衍生物的其它氮类似物，并且所有此类类似物都意图由如本文所阐述的术语涵盖。

如本文所用，“氘”是指氢的同位素。氘代化合物可以使用本领域已知的方法容易地制备。举例来说，美国专利第8,557,400号、专利公开第WO 2006/095951号和美国专利申请公开第US2011/0037057号(其以全文引用的方式并入本文中)描述了氘取代的有机金属络合物的制备。进一步参考鄢明(Ming Yan)等人,四面体(Tetrahedron)2015,71,1425-30和阿兹罗特(Atzrodt)等人,德国应用化学(Angew.Chem.Int.Ed.)(综述)2007,46,7744-65(其以全文引用的方式并入)分别描述了苄基胺中亚甲基氢的氘化和用氘置换芳香族环氢的有效途径。

如本文所用，任何具体列举的取代基(例如但不限于甲基、苯基、吡啶基等)包括其非氘化、部分氘化和完全氘化的形式。类似地，取代基类别(例如但不限于烷基、芳基、环烷基、杂芳基等)还包括其非氘化、部分氘化和完全氘化的形式。未进一步指明H或D的化学结构应被视为包括其非氘化、部分氘化和完全氘化的形式。一些常见的最小部分或完全氘化基团包括但不限于CD₃、CD₂C(CH₃)₃、C(CD₃)₃和C₆D₅。

应理解，当将分子片段描述为取代基或另外连接到另一部分时，其名称可以如同其是片段(例如苯基、亚苯基、萘基、二苯并呋喃基)一般或如同其是整个分子(例如苯、萘、二苯并呋喃)一般书写。如本文所用，这些不同的命名取代基或连接片段的方式被视为等效的。

在一些情况下，分子中的一对取代基可以任选地接合或稠合成环。优选的环是五到九元碳环或杂环，包括由所述一对取代基形成的环的一部分为饱和以及由所述一对取代基形成的环的一部分为不饱和的两种情况。在其它情况下，一对相邻取代基可以任选地接合或稠合成环。如本文所用，“相邻”意味着所涉及的两个取代基可以在相同环上彼此紧接，或在具有两个最接近的可用可取代位置(如联苯中的2、2'位置或萘中的1、8位置)的两个邻近环上。

层、材料、区域和装置在本文中可参考其发射的光的颜色来描述。一般来说，如本文所用，描述为产生光的特定颜色的发射区域可以包括一或多个彼此堆叠安置的发射层。

如本文所用，“红色”层、材料、区域或装置是指发射光在约580-700nm范围内或其在所述区域中的发射光谱具有最高峰的层、材料、区域或装置。类似地，“绿色”层、材料、区域或装置是指发射或具有峰值波长在约500-600nm范围内的发射光谱的层、材料、区域或装置；“蓝色”层、材料或装置是指发射或具有峰值波长在约400-500nm范围内的发射光谱的层、材料或装置；并且“黄色”层、材料、区域或装置是指具有峰值波长在约540-600nm范围内的发射光谱的层、材料、区域或装置。在一些布置中，各别区域、层、材料、区域或装置可以提供各别的“深蓝色”和“浅蓝色”光。如本文所用，在提供各别“浅蓝色”和“深蓝色”的布置中，“深蓝色”组分是指峰值发射波长比“浅蓝色”组分的峰值发射波长小至少约4nm的组分。典型地，“浅蓝色”组分具有约465-500nm范围内的峰值发射波长，且“深蓝色”组分具有约400-470nm范围内的峰值发射波长，但是这些范围可根据一些配置变化。类似地，变色层是指一种层，其将另一种颜色的光转换或调节成具有如针对所述颜色指定的波长的光。举例来说，“红色”滤色片是指产生波长在约580-700nm范围内的光的滤光片。一般来说，变色层存在两类：通过去除非所需波长的光来调节光谱的滤色片，以及将较高能量的光子转换成较低能量的变色层。“一种颜色”的组分是指在激活或使用时产生或以其它方式发射具有如先前所述的特定颜色的光的组分。举例来说，“第一颜色的第一发射区域”和“不同于第一颜色的第二颜色的第二发射区域”描述两个发射区域，其当在装置内激活时发射如先前所述的两种不同颜色。

如本文所用，基于材料、层或区域最初产生的光与相同或不同结构最终发射的光截然相反，发射材料、层和区域可彼此不同且与其它结构不同。最初产生的光典型地是引起光子发射的能级变化的结果。举例来说，有机发射材料最初可产生蓝光，所述蓝光可通过滤色片、量子点或其它结构转换成红光或绿光，以致完整的发射堆叠或子像素发射红光或绿光。在此情况下，最初发射材料或层可称为“蓝色”组分，即使子像素是“红色”或“绿色”组分。

在一些情况下，可优选地根据1931CIE坐标描述例如发射区域、子像素、变色层等组分的颜色。举例来说，黄色发射材料可具有多种峰值发射波长，一种在“绿色”区域内或边缘附近，而一种在“红色”区域内或边缘附近，如先前所述。相应地，如本文所用，各颜色项还对应于1931CIE坐标颜色空间中的形状。1931CIE颜色空间中的形状是通过追踪两个颜色点与任何其它内部点之间的轨迹而构建。举例来说，可如下所示定义红色、绿色、蓝色和黄色的内部形状参数：

关于OLED和上述定义的更多细节可见于美国专利第7,279,704号中，所述专利以全文引用的方式并入本文中。

本文所述的材料和结构可以应用于除OLED以外的装置中。举例来说，其它光电装置(例如有机太阳能电池和有机光电检测器)可采用所述材料和结构。更一般来说，有机装置(如有机晶体管)可采用所述材料和结构。

在本领域的一般用语中，“子像素”可以指与任何变色层结合的发射区域，其可以是单层EML、堆叠装置等，所述变色层用于调节发射区域所发射的颜色。

如本文所用，子像素的“发射区域”是指子像素中最初用于产生光的任何和所有发射层、区域和装置。子像素还可以包括与发射区域堆叠安置、影响子像素最终产生的颜色的其它层，例如本文所公开的变色层，但此类变色层典型地不被视为如本文所公开的“发射层”。不滤光的子像素是排除颜色调节组件(例如变色层)、但可包括一或多个发射区域、层或装置的子像素。

在一些配置中，“发射区域”可以包括发射多种颜色的光的发射材料。举例来说，黄色发射区域可以包括多种材料，当每种材料在OLED装置中单独使用时，所述多种材料发射红光和绿光。当在黄色装置中使用时，个别材料典型地不布置成使得其可以个别地激活或寻址。也就是说，含有所述材料的“黄色”OLED堆叠无法驱动成产生红光、绿光或黄光；实际上，所述堆叠可以作为整体被驱动产生黄光。此类发射区域可以称为黄色发射区域，尽管在个别发射体的水平下，所述堆叠不直接产生黄光。如下文更详细地描述，发射区域中所用的个别发射材料(如果超过一种)可以放在装置内的同一发射层中，或放在包含发射区域的OLED装置内的多个发射层中。如下文更详细地描述，本文所公开的实施例可以提供OLED装置(例如显示器)，其包括发射区域的有限数目种颜色，同时包括颜色比发射区域的颜色数目更多的子像素或其它OLED装置。举例来说，如本文所公开的装置可以仅包括蓝色和黄色发射区域。可通过使用变色层(例如与黄色或蓝色发射区域堆叠安置的变色层)，或更一般来说，通过使用变色层、电极或形成如本文所公开的微腔的其它结构或任何其它适合配置来实现子像素的其它颜色。在一些情况下，子像素提供的一般颜色可与界定子像素的堆叠中的发射区域所提供的颜色相同，例如其中深蓝色变色层与浅蓝色发射区域堆叠安置以产生深蓝色子像素。类似地，子像素提供的颜色可与界定子像素的堆叠中的发射区域所提供的颜色不同，例如其中绿色变色层与黄色发射区域堆叠安置以产生绿色子像素。

在一些配置中，发射区域和/或发射层可以跨越多个子像素，例如其中其它层和电路的制造可允许发射区域或层的各部分可分别寻址。

如本文所公开的发射区域可不同于所属领域中典型地提及和如本文所用的发射“层”。在一些情况下，单一发射区域可以包括多个层，例如其中黄色发射区域是通过将红色和绿色发射层依序形成黄色发射区域来制成。如先前所述，当此类层存在于如本文所公开的发射区域中时，所述层在单一发射堆叠内不可个别寻址；实际上，所述层并行激活或驱动以供发射区域产生所需颜色的光。在其它配置中，发射区域可以包括具有单一颜色的单一发射层，或具有相同颜色的多个发射层，在此情况下，此类发射层的颜色将与其中安置发射层的发射区域的颜色相同，或与其中安置发射层的发射区域的颜色处于相同的光谱区间内。

一般来说，OLED包含至少一个有机层，其安置于阳极与阴极之间并且与阳极和阴极电连接。当施加电流时，阳极注入空穴并且阴极注入电子到有机层中。所注入的空穴和电子各自朝带相反电荷的电极迁移。当电子和空穴定位在同一分子上时，形成“激子”，其为具有激发能态的定域电子-空穴对。当激子通过光发射机制弛豫时，发射光。在一些情况下，激子可以定位于准分子(excimer)或激态复合物上。非辐射机制(如热弛豫)也可能发生，但通常被视为不合需要的。

最初的OLED利用发射分子从其单态发射光(“荧光”)，如例如美国专利第4,769,292号中所公开，其以全文引用的方式并入。荧光发射通常在小于10纳秒的时间范围内发生。

最近，已经证实了具有从三重态发射光(“磷光”)的发射材料的OLED。以下文献以全文引用的方式并入本文中：巴尔多(Baldo)等人，“有机电致发光装置高效发射磷光(Highly Efficient Phosphorescent Emission from Organic ElectroluminescentDevices)”，自然(Nature)，第395卷，151-154，1998；(“巴尔多-I”)和巴尔多等人，“基于电致磷光的极高效绿色有机发光装置(Very high-efficiency green organic light-emitting devicesbased on electrophosphorescence)”，应用物理学报(Appl.Phys.Lett.)，第75卷，第3,4-6期(1999)(“巴尔多-II”)。美国专利第7,279,704号第5-6栏中更详细地描述了磷光，所述专利以引用的方式并入。

图1展示有机发光装置100。图不一定按比例绘制。装置100可以包括衬底110、阳极115、空穴注入层120、空穴传输层125、电子阻挡层130、发射层135、空穴阻挡层140、电子传输层145、电子注入层150、保护层155、阴极160以及阻挡层170。阴极160是具有第一导电层162和第二导电层164的复合阴极。装置100可以通过依序沉积所述层来制成。这些不同层的特性和功能以及实例材料更详细地描述于US 7,279,704第6-10栏中，所述文献以引用的方式并入。

可获得这些层中的每一者的更多实例。举例来说，美国专利第5,844,363号中公开了柔性并且透明的衬底-阳极组合，所述美国专利以全文引用的方式并入。p掺杂型空穴传输层的实例是以50:1摩尔比掺杂F₄-TCNQ的m-MTDATA，如美国专利申请公开第2003/0230980号中所公开，所述专利以全文引用的方式并入。汤普森(Thompson)等人的美国专利第6,303,238号中公开了发射材料和主体材料的实例，所述专利以全文引用的方式併入本文中。n掺杂型电子传输层的实例是以1:1摩尔比掺杂Li的BPhen，如美国专利申请公开第2003/0230980号中所公开，所述公开以全文引用的方式并入。美国专利第5,703,436号和第5,707,745号公开了阴极的实例，包括具有金属(例如Mg:Ag)薄层的复合阴极，所述金属薄层上覆有溅镀沉积的透明导电ITO层，所述专利以全文引用的方式并入。关于阻挡层的理论和使用更详细地描述于美国专利第6,097,147号和美国专利申请公开第2003/0230980号中，所述文献以全文引用的方式併入本文中。注入层的实例提供于美国专利申请公开第2004/0174116号中，所述公开以全文引用的方式并入。阻挡层170可以是单层或多层势垒并且可以覆盖或包围装置的其它层。阻挡层170也可以包围衬底110，且/或它可以布置在衬底和装置的其它层之间。阻挡层也可以称为包封体、包封层、保护层或阻渗透层，并且典型地防止水分、环境空气和其它类似材料渗透到装置的其它层。美国专利第6,537,688号、第6,597,111号、第6,664,137号、第6,835,950号、第6,888,305号、第6,888,307号、第6,897,474号、第7,187,119号和第7,683,534号中提供了阻挡层材料和结构的实例，这些专利各自以全文引用的方式并入。

图2展示倒置式OLED 200。所述装置包括衬底210、阴极215、发射层220、空穴传输层225以及阳极230。装置200可以通过依序沉积所述层来制成。由于最常见的OLED配置具有安置在阳极上的阴极，并且装置200具有安置在阳极230下的阴极215，因此装置200可以称为“倒置”OLED。装置200的对应层中可以使用与关于装置100所述的材料类似的那些材料。图2提供了如何可省去装置100的结构中的一些层的一个实例。

图1和2中所绘示的简单分层结构是作为非限制性实例提供，并且应了解，本发明的实施例可以结合多种其它结构使用。所描述的具体材料和结构本质上是示范性的，并且可以使用其它材料和结构。可以通过将所述的各种层以不同方式组合来获得功能性OLED，或可以基于设计、性能和成本因素完全省略各层。也可以包括未具体描述的其它层。可以使用除具体描述的材料以外的材料。尽管本文所提供的许多实例将各种层描述为包含单一材料，但应理解，可以使用材料的组合，例如主体与掺杂剂的混合物，或更一般来说，混合物。此外，所述层可以具有各种子层。本文中给予各种层的名称不希望受到严格限制。举例来说，在装置200中，空穴传输层225传输空穴并且将空穴注入发射层220中，并且可以被描述为空穴传输层或空穴注入层。在一个实施例中，可以将OLED描述为具有安置在阴极与阳极之间的“有机层”。这个有机层可以包含单个层，或可以进一步包含例如关于图1和2所述的不同有机材料的多个层。

还可以使用未具体描述的结构和材料，例如包含聚合材料的OLED(PLED)，例如弗兰德(Friend)等人的美国专利第5,247,190号中所公开，所述专利以全文引用的方式并入。借助于另一实例，可以使用具有单个有机层的OLED。OLED可以堆叠，例如如在以全文引用的方式并入的福利斯特(Forrest)等人的美国专利第5,707,745号中所述。OLED结构可以偏离图1和2中所说明的简单分层结构。举例来说，衬底可以包括有角度的反射表面以改进出耦(out-coupling)，例如如在福利斯特等人的美国专利第6,091,195号中所述的台式结构，和/或如在布尔维克(Bulovic)等人的美国专利第5,834,893号中所述的凹点结构，所述专利以全文引用的方式并入。

在本文所公开的一些实施例中，发射层或材料，例如图1-2中分别所示的发射层135和发射层220，可包括量子点。根据所属领域的技术人员的理解，除非有明确相反的说明或上下文有相反的说明，否则如本文中所公开的“发射层”或“发射材料”可以包括有机发射材料和/或含有量子点或等效结构的发射材料。一般来说，发射层包括主体基质内的发射材料。此类发射层可以只包括转换各别发射材料或其它发射体所发射的光的量子点材料，或其还可以包括各别发射材料或其它发射体，或其本身可以通过施加电流而直接发射光。类似地，变色层、滤色片、上转换或下转换层或结构可以包括含有量子点的材料，但此类层可以不视为如本文中所公开的“发射层”。一般来说，“发射层”或材料是基于注入的电荷而发射初始光的层或材料，其中初始光可以被另一层改变，例如滤色片或本身在装置内不发射初始光的其它变色层，但可以基于发射层所发射的初始光的吸收及下转换成更低能量光发射而再次发射不同光谱内容的改变的光。在本文公开的一些实施例中，变色层、滤色片、上转换和/或下转换层可以安置在OLED装置的外部，例如在OLED装置的电极上方或下方。

除非另外说明，否则可以通过任何适合的方法来沉积各种实施例的任一种层。对于有机层来说，优选方法包括热蒸发、喷墨(例如美国专利第6,013,982号和第6,087,196号中所述，所述美国专利以全文引用的方式并入本文)、有机气相沉积(OVPD)(例如颁予福利斯特(Forrest)等人的美国专利第6,337,102号中所述，所述美国专利以全文引用的方式并入本文)以及通过有机蒸气喷射印刷进行沉积(OVJP)(例如美国专利第7,431,968号中所述，所述美国专利以全文引用的方式并入本文)。其它适合的沉积方法包括旋涂和其它基于溶液的工艺。基于溶液的工艺优选在氮气或惰性气氛中进行。对于其它层来说，优选方法包括热蒸发。优选的图案化方法包括通过掩模进行的沉积、冷焊(例如美国专利第6,294,398号和第6,468,819号中所述，所述专利以全文引用的方式并入)，以及与例如喷墨和OVJP等一些沉积方法相关的图案化。也可以使用其它方法。可以将待沉积的材料改性以使其与特定的沉积方法相容。举例来说，小分子中可以使用分支链或无分支链并且优选含有至少3个碳的取代基(例如烷基和芳基)来增强其经历溶液处理的能力。可以使用具有20个或更多个碳的取代基，并且3到20个碳是优选范围。具有不对称结构的材料的溶液可处理性可优于具有对称结构的材料，因为不对称材料再结晶的倾向可能更低。可以使用树枝状聚合物取代基来增强小分子经历溶液处理的能力。

根据本发明的实施例制造的装置可以进一步任选地包含阻挡层。阻挡层的一个目的是保护电极和有机层以免在暴露于包括水分、蒸气和/或气体等的环境中的有害物质时受损。阻挡层可以沉积在衬底、电极上，沉积在衬底、电极下或沉积在衬底、电极旁，或沉积在装置的任何其它部分(包括边缘)上。阻挡层可以包括单个层或多个层。阻挡层可以通过各种已知的化学气相沉积技术形成，并且可以包括具有单一相的组成以及具有多个相的组成。任何适合的材料或材料组合都可以用于阻挡层。阻挡层可以并入无机化合物或有机化合物或两者。优选的阻挡层包含聚合物材料与非聚合物材料的混合物，如美国专利第7,968,146号、PCT专利申请第PCT/US2007/023098号和第PCT/US2009/042829号中所述，所述文献以全文引用的方式并入本文中。为了被视为“混合物”，构成阻挡层的前述聚合物和非聚合物材料应在相同反应条件下沉积和/或同时沉积。聚合物材料相对于非聚合物材料的重量比可以在95:5到5:95范围内。聚合物材料和非聚合物材料可以由相同的前体材料产生。在一个实例中，聚合物材料与非聚合物材料的混合物基本上由聚合硅和无机硅组成。

在一些实施例中，安置在有机发射层上方的阳极、阴极或新层中的至少一个用作增强层。增强层包含展现表面等离激元共振的等离激元材料，所述等离激元材料非辐射地耦合到发射体材料，并将激发态能量从发射体材料转移到表面等离极化激元的非辐射模式。增强层被设置成离有机发射层的距离不超过阈值距离，其中由于存在增强层，发射体材料具有总的非辐射衰减率常数和总的辐射衰减率常数，且阈值距离是总的非辐射衰减率常数等于总的辐射衰减率常数的位置。在一些实施例中，OLED进一步包含外耦合层。在一些实施例中，外耦合层安置在增强层上位于有机发射层的相对侧上。在一些实施例中，外耦合层安置在发射层上与增强层相对的一侧，但是仍能外耦合来自增强层的表面等离激元模式的能量。外耦合层散射来自表面等离极化激元的能量。在一些实施例中，此能量作为光子被散射到自由空间。在其它实施例中，能量从装置的表面等离激元模式散射到其它模式中，例如但不限于有机波导模式、衬底模式或另一波导模式。如果能量被散射到OLED的非自由空间模式，则可以结合其它外耦合方案以将能量提取到自由空间。在一些实施例中，一或多个居间层可以安置在增强层与外耦合层之间。居间层的实例可以是介电材料，包括有机、无机、钙钛矿、氧化物，并且可以包括这些材料的堆叠和/或混合物。

增强层改变了发射体材料所驻留的介质的有效特性，从而引起以下任何一项或全部：发射率降低、发射线形改变、发射强度随角度变化、发射体材料稳定性改变、OLED效率改变以及OLED装置滚降效率降低。在阴极侧、阳极侧或这两侧上放置增强层产生利用了上述任何效果的OLED装置。除了本文中提到的以及图中所示的各种OLED实例中说明的特定功能层之外，根据本公开的OLED还可包括OLED中常见的任何其它功能层。

增强层可以包含等离激元材料、光学活性超构材料或双曲线超构材料。如本文所用，等离激元材料是其中介电常数的实部在电磁光谱的可见或紫外区域中过零的材料。在一些实施例中，等离激元材料包括至少一种金属。在这样的实施例中，金属可以包括以下各者中的至少一种：Ag、Al、Au、Ir、Pt、Ni、Cu、W、Ta、Fe、Cr、Mg、Ga、Rh、Ti、Ru、Pd、In、Bi、Ca、这些材料的合金或混合物、以及这些材料的堆叠。通常，超构材料是由不同材料构成的介质，其中介质整体上的作用与其材料部分的总和不同。具体地说，我们将光学活性超构材料定义为同时具有负电容率和负磁导率的材料。另一方面，双曲线超构材料是各向异性介质，其中对于不同的空间方向，电容率或磁导率具有不同的符号。光学活性超构材料和双曲线超构材料与许多其它光子结构，例如分布式布拉格反射器(Distributed Bragg Reflector，“DBR”)有着严格的区别，因为在光波长的长度尺度上，介质在传播方向上应该显示均匀。使用本领域技术人员可以理解的术语：超构材料在传播方向上的介电常数可以用有效的介质近似来描述。等离激元材料和超构材料提供了用于控制光传播的方法，其可以多种方式增强OLED性能。

在一些实施例中，增强层被设置为平面层。在其它实施例中，增强层具有周期性地、准周期性地或随机地布置的波长大小的特征，或者具有周期性地、准周期性地或随机地布置的亚波长大小的特征。在一些实施例中，波长大小的特征和亚波长大小的特征具有锐利的边缘。

在一些实施例中，出耦层具有周期性地、准周期性地或随机地布置的波长级的特征，或者具有周期性地、准周期性地或随机地布置的亚波长级的特征。在一些实施例中，出耦层可由多个纳米粒子构成，且在其它实施例中，出耦层由安置于材料上的多个纳米粒子构成。在这些实施例中，出耦可通过以下中的至少一者来调谐：改变多个纳米粒子的尺寸、改变多个纳米粒子的形状、改变多个纳米粒子的材料、调节材料的厚度、改变材料或安置于多个纳米粒子上的额外层的折射率、改变增强层的厚度和/或改变增强层的材料。装置中的多个纳米粒子可由以下中的至少一种形成：金属、电介质材料、半导体材料、金属合金、电介质材料的混合物、一或多种材料的堆叠或成层、和/或一种类型的材料的核心，且所述核心涂有不同类型的材料的壳层。在一些实施例中，出耦层至少由金属纳米粒子构成，其中金属选自由以下组成的群组：Ag、Al、Au、Ir、Pt、Ni、Cu、W、Ta、Fe、Cr、Mg、Ga、Rh、Ti、Ru、Pd、In、Bi、Ca、这些材料的合金或混合物，和这些材料的堆叠。多个纳米粒子上可安置有额外层。在一些实施例中，可利用出耦层来调谐发射的偏振。改变出耦层的维度和周期性可以选择优先出耦到空气的偏振类型。在一些实施例中，出耦层也充当装置的电极。

人们相信，荧光OLED的内部量子效率(IQE)通过延迟荧光可以超过25％自旋统计限值。如本文所用，存在两种类型的延迟荧光，即P型延迟荧光和E型延迟荧光。P型延迟荧光由三重态-三重态湮灭(TTA)产生。

另一方面，E型延迟荧光不依赖于两个三重态的碰撞，而是依赖于三重态与单态激发态之间的热布居。能够产生E型延迟荧光的化合物必需具有极小的单态-三重态间隙。热能可以激活三重态转移回到单态。这种类型的延迟荧光也称为热激活延迟荧光(TADF)。TADF的独特特征在于，由于热能增加，因此延迟分量随温度升高而增加。如果逆向系统间穿越速率快足以最小化始于三重态的非辐射衰减，那么回填的单峰激发态的分率可潜在地达到75％。总单峰分率可以是100％，远超过电产生的激子的自旋统计限值。

E型延迟荧光特征可以发现于激发复合物系统或单一化合物中。不受理论束缚，人们相信，E型延迟荧光要求发光材料具有小单态-三重态能隙(ΔES-T)。不含金属的供体-受体有机发光材料能够实现这一点。这些材料的发射通常以供体-受体电荷转移(CT)型发射为特征。这些供体-受体型化合物的HOMO与LUMO的空间间距通常引起小ΔES-T。这些状态可涉及CT状态。通常，通过将电子供体部分(例如氨基或咔唑衍生物)与电子受体部分(例如含N六元芳香族环)连接来构建供体-受体发光材料。

根据本发明的实施例制成的装置可以并入各种各样的电子组件模块(或单元)中，所述电子组件模块可以并入多种电子产品或中间组件中。此类电子产品或中间组件的实例包括可被最终用户产品制造商利用的显示屏、照明装置，例如离散光源装置或照明面板等。此类电子组件模块可以任选地包括驱动电子装置和/或电源。根据本发明的实施例制成的装置可以并入多种消费型产品中，所述消费型产品中并有一或多个电子组件模块(或单元)。公开了一种包含OLED的消费型产品，所述OLED的有机层中包括本公开的化合物。此类消费型产品应包括任何种类的产品，包括一或多个光源和/或一些类型的一或多个视觉显示器。此类消费型产品的一些实例包括平板显示器、曲面显示器、计算机监视器、医疗监视器、电视机、告示牌、内部或外部照明灯和/或信号灯、平视显示器、全透明或部分透明的显示器、柔性显示器、可卷曲显示器、可折叠显示器、可拉伸显示器、激光打印机、电话、手机、平板电脑、平板手机、个人数字助理(PDA)、可穿戴装置、笔记本电脑、数码相机、摄像机、取景器、对角线小于2英寸的微型显示器、3D显示器、虚拟现实或增强现实显示器、交通工具、包含多个平铺在一起的显示器的视频墙、剧院或体育馆屏幕，和指示牌。可以使用各种控制机制来控制根据本发明制造的装置，包括无源矩阵和有源矩阵。许多装置希望在人类舒适的温度范围内使用，例如18℃到30℃，并且更优选在室温下(20-25℃)使用，但可以在此温度范围外(例如-40℃到80℃)使用。

本文所述的材料和结构可以应用于除OLED以外的装置中。举例来说，其它光电装置(例如有机太阳能电池和有机光电检测器)可采用所述材料和结构。更一般来说，有机装置(如有机晶体管)可采用所述材料和结构。

硼三角烯自其问世以来已用作敏化装置中的荧光受体，原因在于其线形窄和发射效率高。5,9-二氧杂-13b-硼杂萘并[3,2,1-de]蒽(OBO)类型的主体与本文所公开的磷光敏化剂和荧光受体的组合尚未被公开。由于电子传输主体的高迁移率可有助于增强敏化剂的激子再结合效率，从而避免荧光受体形成三重态，因此此类组合可具有显著的重要作用。

在一些方面中，提供了一种OLED，其包含阳极；阴极；和安置于阳极与阴极之间的发射区域。发射区域可以包括第一化合物S1；第二化合物A1；以及第三化合物H1。在一些实施例中，第一化合物S1能够在室温下发射磷光并且是将能量转移至第二化合物A1的敏化剂；第二化合物A1是作为发射体的受体；并且第三化合物H1是包含硼原子的第一主体，并且第一化合物S1和第二化合物A1中的至少一种掺杂于第三化合物H1中。在一些实施例中，本公开提供了一种有机发光装置(OLED)，其包含：

阳极；

阴极；和

安置于所述阳极与所述阴极之间的发射区域；

其中所述发射区域包含：

第一化合物S1；

第二化合物A1；和

第三化合物H1；

其中所述第一化合物S1能够在室温下发射磷光并且是将能量转移至所述第二化合物A1的敏化剂；

其中所述第二化合物A1是作为发射体的受体；并且

其中所述第三化合物H1是包含硼原子的第一主体，且所述第一化合物S1和所述第二化合物A1中的至少一种掺杂于所述第三化合物H1中。

在一些实施例中，磷光敏化剂是在OLED内发射光的发射体。在一些实施例中，磷光敏化剂在OLED内不发射光。在一些实施例中，受体是在OLED内发射光的荧光材料或延迟荧光材料。

在一些实施例中，OLED可包含选自由以下组成的群组的额外化合物：荧光材料、延迟荧光材料、磷光材料和其组合。

在一些实施例中，第一化合物S1能够在室温下充当OLED中的TADF发射体。

在一些实施例中，第一化合物S1与第三化合物H1在所述OLED中、在室温下形式激发复合物。

在一些实施例中，第二化合物A1是延迟荧光化合物，其在室温下充当所述OLED中的TADF发射体。

在一些实施例中，第二化合物A1是在室温下充当所述OLED中的发射体的荧光化合物。

在一些实施例中，第一、第二和第三化合物中的至少两种作为混合物存在于一个层中。

在一些实施例中，第一化合物S1部分或完全氘化。在一些实施例中，第二化合物A1部分或完全氘化。在一些实施例中，第三化合物H1部分或完全氘化。

在一些实施例中，第三化合物H1具有选自由以下清单A中的结构组成的群组的结构：式I式II/>及式III/>

其中：

环B、C、D、E、F和G各自独立地是5元或6元碳环或杂环；

Y¹、Y²、Y³和Y⁴各自独立地是不存在的或选自由以下组成的群组：BR、BRR'、NR、PR、P(O)R、O、S、Se、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR、C＝CRR'、S＝O、SO₂、CR、CRR'、SiRR'、GeRR'、亚烷基、环烷基、芳基、亚环烷基、亚芳基、亚杂芳基和其组合；

X¹、X²和X³中的每一者独立地是C或N；

T¹是C或N；

W¹、W²、W³和W⁴中的每一者独立地是C或N；

每个独立地是单键或双键；

R^A、R^B、R^C、R^D、R^E、R^F和R^G中的每一者独立地表示单取代至最多个所允许的取代，或无取代；

每个R、R'、R^D1、R^E1、R^F1、R^G1、R^A、R^B、R^C、R^D、R^E、R^F和R^G独立地是氢或选自由以下组成的群组的取代基：氘、卤素、烷基、环烷基、杂烷基、杂环烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、锗烷基、硼烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羧酸、醚、酯、腈、异腈、硫基、亚磺酰基、磺酰基、膦基、硒烷基和其组合；并且

任何两个取代基可接合或稠合以形成环。

在一些实施例中，每个R、R'、R^D1、R^E1、R^F1、R^G1、R^A、R^B、R^C、R^D、R^E、R^F和R^G独立地是氢或选自由以下组成的群组的取代基：氘、氟、烷基、环烷基、杂烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、锗烷基、硼烷基、烯基、环烯基、杂烯基、芳基、杂芳基、腈、异腈、硫基和其组合。

在包含第三化合物H1(其具有选自由清单A中的结构组成的群组的结构)的一些实施例中，环B、C、D、E、F和G中的每一者独立地选自由以下组成的群组：苯、吡啶、嘧啶、哒嗪、吡嗪、三嗪、咪唑、吡唑、吡咯、噁唑、呋喃、噻吩、噻唑和三唑。

在一些实施例中，第三化合物H1具有式I的结构。

在其中第三化合物H1具有式I结构的一些实施例中，环B是苯。

在其中第三化合物H1具有式I结构的一些实施例中，环C是苯。

在其中第三化合物H1具有式I结构的一些实施例中，X¹至X³中的每一者是C。

在其中第三化合物H1具有式I结构的一些实施例中，X¹至X³中的至少一个是N。

在其中第三化合物H1具有式I结构的一些实施例中，Y¹和Y²都是O。

在其中第三化合物H1具有式I结构的一些实施例中，Y¹和Y²都是NR'，其中R'如上文所定义。

在其中第三化合物H1具有式I结构的一些实施例中，Y¹是O且Y²是NR'，其中R'如上文所定义。

在一些实施例中，第三化合物H1具有式II的结构。

在其中第三化合物H1具有式II结构的一些实施例中，T¹是N。

在其中第三化合物H1具有式II结构的一些实施例中，环D和环E都是6元芳香族环。

在其中第三化合物H1具有式II结构的一些实施例中，环D和环E中的一个是6元芳香族环，而另一个是5元芳香族环。

在其中第三化合物H1具有式II结构的一些实施例中，环D是苯或吡啶，且环E是苯或吡啶。

在其中第三化合物H1具有式II结构的一些实施例中，环D和环E都是苯。

在一些实施例中，第三化合物H1具有式III的结构。

在其中第三化合物H1具有式III结构的一些实施例中，W¹至W⁴中的每一者是C。

在其中第三化合物H1具有式III结构的一些实施例中，W¹至W⁴中的至少一个是N。

在其中第三化合物H1具有式III结构的一些实施例中，W¹至W⁴中恰好有一个是N。

在其中第三化合物H1具有式III结构的一些实施例中，W¹至W⁴中恰好有两个是N。

在其中第三化合物H1具有式III结构的一些实施例中，环F和环G都是6元芳香族环。

在其中第三化合物H1具有式III结构的一些实施例中，环F和环G中的一个是6元芳香族环，而另一个是5元芳香族环。在一些实施例中，环G是苯或吡啶，且环F是苯或吡啶。在一些实施例中，环F和环G中的一个是苯，而另一个是吡啶。在一些实施例中，环F和环G都是苯。在一些实施例中，环F和环G都是吡啶。

在包含清单A的第三化合物H1的一些实施例中，R、R'、R^D1、R^E1、R^F1、R^G1、R^A、R^B、R^C、R^D、R^E、R^F和R^G中的至少一个存在且包含选自由以下组成的群组的部分：硅烷基、锗烷基、四亚苯、苯、吡啶、嘧啶、哒嗪、吡嗪、三嗪、咪唑、吡唑、吡咯、噁唑、呋喃、噻吩、噻唑、三唑、二苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并硒吩、咔唑、氮杂二苯并噻吩、氮杂二苯并呋喃、5λ²-苯并[d]苯并[4,5]咪唑并[3,2-a]咪唑、氮杂二苯并硒吩，和其部分或完全氘化变体。

在一些实施例中，第三化合物H1具有选自由以下清单1中的结构组成的群组的结构：

/>

其中：

X⁴至X¹³中的每一者独立地是C或N；

T²至T¹⁸中的每一者独立地是C或N；

W⁵至W²²中的每一个独立地是C或N；

Y⁵和Y⁶各自独立地选自由以下组成的群组：BR、BRR'、NR、PR、P(O)R、O、S、Se、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR'、C＝CRR、S＝O、SO₂、CRR'、SiRR'和GeRR'；

R^BB、R^CC、R^DD、R^DA、R^EE、R^EA、R^FF、R^FA、R^GG和R^GA中的每一个独立地表示单取代，或直至最多个所允许的取代，或无取代；

每个R、R'、R^BB、R^CC、R^DD、R^DA、R^EE、R^EA、R^FF、R^FA、R^GG和R^GA独立地是氢或选自由以下组成的群组的取代基：氘、卤素、烷基、环烷基、杂烷基、杂环烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、锗烷基、硼烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羧酸、醚、酯、腈、异腈、硫基、亚磺酰基、磺酰基、膦基、硒烷基和其组合；并且

任何两个取代基可接合或稠合以形成环。

在其中第三化合物H1选自清单1中的结构的一些实施例中，每个R^BB、R^CC、R^DD、R^DA、R^EE、R^EA、R^FF、R^FA、R^GG和R^GA独立地是氢或选自由以下组成的群组的取代基：氘、氟、烷基、环烷基、杂烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、锗烷基、硼烷基、烯基、环烯基、杂烯基、芳基、杂芳基、腈、异腈、硫基和其组合。

在其中第三化合物H1选自清单1中的结构的一些实施例中，每个R^BB、R^CC、R^DD、R^DA、R^EE、R^EA、R^FF、R^FA、R^GG和R^GA独立地是氢或选自由以下组成的群组的取代基：氘、苯基、联苯、吡啶、嘧啶、三嗪、吡嗪、咪唑、吡唑、吡咯、噁唑、呋喃、噻吩、噻唑、二苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并硒吩、咔唑、氮杂二苯并噻吩、氮杂二苯并呋喃、氮杂二苯并硒吩、氮杂咔唑、5λ²-苯并[d]苯并[4,5]咪唑并[3,2-a]咪唑、氮杂-5λ²-苯并[d]苯并[4,5]咪唑并[3,2-a]咪唑、双咔唑、硅烷基、硼烷基、其部分或完全氘化的变体，和其组合。

在其中第三化合物H1选自清单1中的结构的一些实施例中，每个R^A、R^BB和R^CC独立地是氢或氘。

在其中第三化合物H1选自清单1中的结构的一些实施例中，X¹至X¹³中的每一个是C。

在其中第三化合物H1选自清单1中的结构的一些实施例中，X¹至X¹³中的至少一个是N。

在其中第三化合物H1选自清单1中的结构的一些实施例中，没有两个取代基接合或稠合以形成环。

在其中第三化合物H1选自清单1中的结构的一些实施例中，所存在的T²至T¹⁸中的每一个是C。

在其中第三化合物H1选自清单1中的结构的一些实施例中，所存在的T²至T¹⁸中的至少一个是N。

在第三化合物H1选自清单1中的结构的一些实施例中，所存在的T²至T¹⁸中恰好有一个是N。

在其中第三化合物H1选自清单1中的结构的一些实施例中，所存在的T²至T⁵中的一个是N。

在其中第三化合物H1选自清单1中的结构的一些实施例中，所存在的T⁶至T⁹中的一个是N。

在其中第三化合物H1选自清单1中的结构的一些实施例中，所存在的T¹⁰至T¹³中的一个是N。

在其中第三化合物H1选自清单1中的结构的一些实施例中，T¹⁴存在并且是N。

在其中第三化合物H1选自清单1中的结构的一些实施例中，T¹⁵至T¹⁸中的一个存在并且是N。

在其中第三化合物H1选自清单1中的结构的一些实施例中，所存在的W⁵至W²²中的每一个是C。

在其中第三化合物H1选自清单1中的结构的一些实施例中，W⁵至W²²中的至少一个存在并且是N。

在其中第三化合物H1选自清单1中的结构的一些实施例中，所存在的W⁵至W²²中恰好有一个是N。

在其中第三化合物H1选自清单1中的结构的一些实施例中，所存在的W⁵至W⁸中的一个是N。

在其中第三化合物H1选自清单1中的结构的一些实施例中，所存在的W⁹至W¹²中的一个是N。

在其中第三化合物H1选自清单1中的结构的一些实施例中，所存在的W¹³至W¹⁷中的一个是N。

在其中第三化合物H1选自清单1中的结构的一些实施例中，所存在的W¹⁸至W²²中的一个是N。

在一些实施例中，第三化合物H1具有选自由以下清单2中的结构组成的群组的结构：/>

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其中：

X³⁰、X³¹和X³²中的每一者独立地是C或N；

每个Y^A独立地选自由以下组成的群组：BR、BRR'、NR、PR、P(O)R、O、S、Se、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR'、C＝CRR、S＝O、SO₂、CRR'、SiRR'和GeRR'；

R^AA、R^BB、R^CC、R^DD、R^DA、R^EE、R^EA、R^JJ、R^KK和R^LL中的每一者独立地表示单取代直至最多个取代，或无取代；

R、R'、R^AA、R^BB、R^CC、R^DD、R^DA、R^EE、R^EA、R^II、R^JJ、R^KK和R^LL独立地是氢或选自由以下组成的群组的取代基：氘、卤素、烷基、环烷基、杂烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羰基、羧酸、酯、腈、异腈、硫基、亚磺酰基、磺酰基、膦基、锗烷基、硒烷基和其组合；并且

任何两个相邻取代基可接合或稠合以形成环。

在其中第三化合物H1选自清单2中的结构的一些实施例中，每个R^AA、R^BB、R^CC、R^DD、R^DA、R^EE、R^EA、R^FF、R^FA、R^GG和R^GA独立地是氢或选自由以下组成的群组的取代基：氘、氟、烷基、环烷基、杂烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、锗烷基、硼烷基、烯基、环烯基、杂烯基、芳基、杂芳基、腈、异腈、硫基和其组合。

在其中第三化合物H1选自清单2中的结构的一些实施例中，每个R^AA、R^BB、R^CC、R^DD、R^DA、R^EE、R^EA、R^FF、R^FA、R^GG和R^GA独立地是氢或选自由以下组成的群组的取代基：氘、苯基、联苯、吡啶、嘧啶、三嗪、吡嗪、咪唑、吡唑、吡咯、噁唑、呋喃、噻吩、噻唑、二苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并硒吩、咔唑、氮杂二苯并噻吩、氮杂二苯并呋喃、氮杂二苯并硒吩、氮杂咔唑、5λ²-苯并[d]苯并[4,5]咪唑并[3,2-a]咪唑、氮杂-5λ²-苯并[d]苯并[4,5]咪唑并[3,2-a]咪唑、双咔唑、硅烷基、硼烷基、其部分或完全氘化的变体，和其组合。

在其中第三化合物H1选自清单2中的结构的一些实施例中，R^AA、R^BB、R^CC、R^DD、R^DA、R^EE、R^EA、R^FF、R^FA、R^GG和R^GA中的至少一个存在且不是氢。

在其中第三化合物H1选自清单2中的结构的一些实施例中，X¹至X³中的至少一个是N。在一些上述具体实例中，X¹至X³中的每一者独立地是C。在一些上述具体实例中，X¹是N。

在一些实施例中，第三化合物H1具有选自由以下清单3中的结构组成的群组的结构： />

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在一些实施例中，第一化合物S1和第二化合物A1存在于发射区域内的各别层中。

在一些实施例中，第一、第二和第三化合物作为混合物存在于发射区域中。

在一些实施例中，发射区域含有N个层，其中N>2。

在一些实施例中，第一化合物S1包含于N个层中的每一层中，第二化合物A1包含于少于或等于N-1个层中。

在一些实施例中，第二化合物A1包含于少于或等于N/2个层中。

在一些实施例中，第一与第二化合物不存在于同一层中。

在一些实施例中，含有第二化合物A1的层包含第四化合物，所述第四化合物不包含于含有第一化合物S1的层中。

在一些实施例中，两个或更多个层含有第二化合物A1；其中第二化合物A1在两个或更多个层中的至少两个层中的浓度不同。

在一些实施例中，当跨越OLED施加电压时，OLED发出发光发射，其包含来自第二化合物A1的S₁能量的发射分量。

在一些实施例中，至少65％的OLED发射是由第二化合物A1以至少10cd/m²的亮度产生。在一些实施例中，至少75％的OLED发射是由第二化合物A1以至少10cd/m²的亮度产生。在一些实施例中，至少85％的OLED发射是由第二化合物A1以至少10cd/m²的亮度产生。在一些实施例中，至少95％的OLED发射是由第二化合物A1以至少10cd/m²的亮度产生。

在一些实施例中，第三化合物H1的T₁能量(即，第一三重态能量)高于第一和第二化合物的T₁能量。

在一些实施例中，第二化合物A1的S₁能量(即，第一单重态能量)低于第一和第三化合物的S₁能量。

在一些实施例中，第一化合物S1的S₁-T₁能隙小于300meV。在一些实施例中，第一化合物S1的S₁-T₁能隙小于250meV。在一些实施例中，第一化合物S1的S₁-T₁能隙小于200meV。在一些实施例中，第一化合物S1的S₁-T₁能隙小于150meV。在一些实施例中，第一化合物S1的S₁-T₁能隙小于100meV。

在一些实施例中，第二化合物A1的S₁-T₁能隙小于300meV。在一些实施例中，第二化合物A1的S₁-T₁能隙小于250meV。在一些实施例中，第二化合物A1的S₁-T₁能隙小于200meV。在一些实施例中，第二化合物A1的S₁-T₁能隙小于150meV。在一些实施例中，第二化合物A1的S₁-T₁能隙小于100meV。

在一些实施例中，第二化合物A1具有30nm或更小的斯托克位移。

在一些实施例中，第一化合物S1在具有第三化合物H1作为主体的单色OLED中、在室温下具有最大发射波长λ_max1；其中藉由用第二化合物A1置换第一化合物S1，第二化合物A1在单色OLED中具有最大发射波长λ_max2；其中Δλ＝λ_max1-λ_max2；并且其中Δλ等于或小于15nm。在一些此类实施例中，Δλ等于或小于12nm、或10nm、或8nm、或6nm、或4nm、或2nm、或0nm、或-2nm、或-4nm、或-6nm、或-8nm、或-10nm。

在一些实施例中，第一化合物S1能够在室温下充当OLED中的磷光发射体。在一些实施例中，第一化合物S1能够在OLED中、在室温下发射从三重激发态到单重基态的光。在一些此类实施例中，发射的光是蓝光。在一些此类实施例中，发射的光是红光。在一些此类实施例中，发射的光是绿光。

在一些实施例中，第一化合物S1是具有金属-碳键的金属配位络合物。在一些实施例中，第一化合物S1是具有金属-氮键的金属配位络合物。在一些实施例中，第一化合物S1是具有金属-氧键的金属配位络合物。

在一些实施例中，第一化合物S1是金属配位络合物，并且金属选自由以下组成的群组：Ir、Rh、Re、Ru、Os、Pt、Pd、Au、Zn、Ag和Cu。在一些此类实施例中，所述金属是Ir。在一些此类实施例中，所述金属是Pt。在一些实施例中，第一化合物S1具有式M(L¹)_x(L²)_y(L³)_z；

其中L¹、L²和L³可以相同或不同；

其中x是1、2或3；

其中y是0、1或2；

其中z是0、1或2；

其中x+y+z是所述金属M的氧化态；

其中L¹选自由以下清单4中的结构组成的群组：

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其中L²和L³独立地选自由以下组成的群组：和清单4中的结构；

其中：

T选自由B、Al、Ga和In组成的群组；

K¹'是直接键或选自由NR_e、PR_e、O、S和Se组成的群组；

每个Y¹至Y¹³独立地选自由碳和氮组成的群组；

Y'选自由以下组成的群组：B R_e、N R_e、P R_e、O、S、Se、C＝O、S＝O、SO₂、CR_eR_f、SiR_eR_f和GeR_eR_f；

R_e与R_f可稠合或接合以形成环；

每个R_a、R_b、R_c和R_d可独立地表示单取代到最大可能数目个取代，或无取代；

每个R_a1、R_b1、R_c1、R_d1、R_a、R_b、R_c、R_d、R_e和R_f独立地是氢或选自由以下组成的群组的取代基：氘、卤素、烷基、环烷基、杂烷基、杂环烷基、硼烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、锗烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羧酸、醚、酯、腈、异腈、硫基、亚磺酰基、磺酰基、膦基、硒烷基和其组合；并且

R_a1、R_b1、R_c1、R_d1、R_a、R_b、R_c和R_d的任何两个相邻取代基可稠合或接合以形成环或形成多齿配体。

在一些实施例中，每个R_a1、R_b1、R_c1、R_d1、R_a、R_b、R_c、R_d、R_e和R_f独立地是氢或选自由以下组成的群组的取代基：氘、氟、烷基、环烷基、杂烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、锗烷基、硼烷基、烯基、环烯基、杂烯基、芳基、杂芳基、腈、异腈、硫基和其组合。

在一些实施例中，L²选自由L_Bk组成的群组，其中k是1至621的整数，并且L_B1到L_B621中的每一个定义于以下清单6中：

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在一些实施例中，式M(L¹)_x(L²)_y(L³)_z中的金属选自由Cu、Ag或Au组成的群组。

在一些实施例中，第一化合物S1具有选自由以下组成的群组的式：Ir(L¹)₃、Ir(L¹)(L²)₂、Ir(L¹)₂(L²)、Ir(L¹)₂(L³)、Ir(L¹)(L²)(L³)和Pt(L¹)(L²)；

其中L¹、L²和L³在所述Ir化合物中彼此不同；

其中L¹和L²在所述Pt化合物中可以相同或不同；并且

其中L¹和L²可连接以在所述Pt化合物中形成四齿配体。

在一些实施例中，第一化合物S1选自由以下清单5中的结构组成的群组：

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其中：

X⁹⁶至X⁹⁹中的每一者独立地是C或N；

Y¹⁰⁰和Y²⁰⁰中的每一者独立地选自由NR"、O、S和Se组成的群组；

L独立地选自由以下组成的群组：直接键、BR"、BR"R'"、NR"、PR"、O、S、Se、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR"、C＝CR"R'"、S＝O、SO₂、CR"、CR"R'"、SiR"R'"、GeR"R'"、烷基、环烷基、芳基、杂芳基和其组合；

X¹⁰⁰和X²⁰⁰在每次出现时选自由O、S、Se、NR"和CR"R'"组成的群组；

每个R^10a、R^20a、R^30a、R^40a和R^50a、R^A"、R^B"、R^C"、R^D"、R^E"和R^F"独立地表示单取代至最大取代，或无取代；

每个R、R'、R"、R"'、R^10a、R^11a、R^12a、R^13a、R^20a、R^30a、R^40a、R^50a、R⁶⁰、R⁷⁰、R⁹⁷、R⁹⁸、R⁹⁹、R^A1'、R^A2'、R^A"、R^B"、R^C"、R^D"、R^E"、R^F"、R^G"、R^H"、R^I"、R^J"、R^K"、R^L"、R^M"和^N"独立地是氢或选自由本文所定义的通用取代基组成的群组的取代基；其中任何两个取代基可稠合或接合以形成环。

在一些实施例中，每个R、R'、R"、R"'、R^10a、R^11a、R^12a、R^13a、R^20a、R^30a、R^40a、R^50a、R⁶⁰、R⁷⁰、R⁹⁷、R⁹⁸、R⁹⁹、R^A1'、R^A2'、R^A"、R^B"、R^C"、R^D"、R^E"、R^F"、R^G"、R^H"、R^I"、R^J"、R^K"、R^L"、R^M"和R^N"独立地是氢或选自由以下组成的群组的取代基：氘、氟、烷基、环烷基、杂烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、锗烷基、硼烷基、烯基、环烯基、杂烯基、芳基、杂芳基、腈、异腈、硫基和其组合。

在一些实施例中，R、R'、R"、R"'、R^10a、R^11a、R^12a、R^13a、R^20a、R^30a、R^40a、R^50a、R⁶⁰、R⁷⁰、R⁹⁷、R⁹⁸、R⁹⁹、R^A1'、R^A2'、R^A"、R^B"、R^C"、R^D"、R^E"、R^F"、R^G"、R^H"、R^I"、R^J"、R^K"、R^L"、R^M"和R^N"中的至少一个是或包含如本文所定义的吸电子基团。

应了解，清单5中的那些化合物中的每一者中的金属Pt可被Pd置换，并且还希望特别涵盖那些衍生的Pd化合物。

在一些实施例中，第一化合物S1包含吸电子基团。在一些实施例中，吸电子基团具有大于0的哈米特常数(Hammett constant)。在一些实施例中，吸电子基团的哈米特常数等于或大于0.1、0.2、0.3、0.4、0.5、0.6、0.7、0.8、0.9、1.0或1.1。

在一些实施例中，第一化合物S1包含吸电子基团，所述吸电子基团选自由以下EWG1清单中的结构组成的群组：F、CF₃、CN、COCH₃、CHO、COCF₃、COOMe、COOCF₃、NO₂、SF₃、SiF₃、PF₄、SF₅、OCF₃、SCF₃、SeCF₃、SOCF₃、SeOCF₃、SO₂F、SO₂CF₃、SeO₂CF₃、OSeO₂CF₃、OCN、SCN、SeCN、NC、⁺N(R^k2)₃、(R^k2)₂CCN、(R^k2)₂CCF₃、CNC(CF₃)₂、BR^k3R^k2、被取代或未被取代的二苯并硼杂环戊二稀、1-被取代的咔唑、1,9-被取代的咔唑、被取代或未被取代的咔唑、被取代或未被取代的吡啶、被取代或未被取代的嘧啶、被取代或未被取代的吡嗪、被取代或未被取代的吡哆醇、被取代或未被取代的三嗪、被取代或未被取代的噁唑、被取代或未被取代的苯并噁唑、被取代或未被取代的噻唑、被取代或未被取代的苯并噻唑、被取代或未被取代的咪唑、被取代或未被取代的苯并咪唑、酮、羧酸、酯、腈、异腈、亚磺酰基、磺酰基、部分和完全氟化的烷基、部分和完全氟化的芳基、部分和完全氟化的杂芳基、含有氰基的烷基、含有氰基的芳基、含有氰基的杂芳基、异氰酸酯、

其中每个R^k1表示单取代到最多可允许个取代，或无取代；

其中Y^G选自由以下组成的群组：BR_e、NR_e、PR_e、O、S、Se、C＝O、S＝O、SO₂、CR_eR_f、SiR_eR_f和GeR_eR_f；并且

其中R^k1、R^k2、R^k3、R_e和R_f中的每一者独立地是氢或选自由本文所定义的通用取代基组成的群组的取代基。

在一些实施例中，第一化合物S1包含吸电子基团，所述吸电子基团选自由以下EWG2清单中的结构组成的群组：

/>

/>

在一些实施例中，第一化合物S1包含吸电子基团，所述吸电子基团选自由以下EWG3清单中的结构组成的群组：/>

在一些实施例中，第一化合物S1包含吸电子基团，所述吸电子基团选自由以下EWG4清单中的结构组成的群组：/>

在一些实施例中，第一化合物S1包含吸电子基团，所述吸电子基团是缺π-电子的吸电子基团。在一些实施例中，缺π-电子的吸电子基团选自由以下Pi-EWG清单中的结构组成的群组：CN、COCH₃、CHO、COCF₃、COOMe、COOCF₃、NO₂、SF₃、SiF₃、PF₄、SF₅、OCF₃、SCF₃、SeCF₃、SOCF₃、SeOCF₃、SO₂F、SO₂CF₃、SeO₂CF₃、OSeO₂CF₃、OCN、SCN、SeCN、NC、⁺N(R^k2)₃、BR^k2R^k3、被取代或未被取代的二苯并硼杂环戊二烯、1-被取代的咔唑、1,9-被取代的咔唑、被取代或未被取代的咔唑、被取代或未被取代的吡啶、被取代或未被取代的嘧啶、被取代或未被取代的吡嗪、被取代或未被取代的哒嗪、被取代或未被取代的三嗪、被取代或未被取代的噁唑、被取代或未被取代的苯并噁唑、被取代或未被取代的噻唑、被取代或未被取代的苯并噻唑、被取代或未被取代的咪唑、被取代或未被取代的苯并咪唑、酮、羧酸、酯、腈、异腈、亚磺酰基、磺酰基、部分和完全氟化的芳基、部分和完全氟化的杂芳基、含有氰基的芳基、含有氰基的杂芳基、异氰酸酯、

/>其中变量如同前文所定义。

在一些实施例中，第一化合物S1选自由以下清单7中的结构组成的群组：

/>

在一些实施例中，敏化剂能够在室温下充当OLED中的磷光发射体、TADF发射体或双重态发射体。在一些实施例中，受体选自由以下组成的群组：在室温下在OLED中充当TADF发射体的延迟荧光化合物、在室温下在OLED中充当荧光发射体的荧光化合物。在一些实施例中，荧光发射体可以是单态或双重态发射体。在一些此类实施例中，单态发射体还可以包括TADF发射体，此外，多谐振MR-TADF发射体。如本文所使用，延迟荧光的描述可以见于美国申请公开US20200373510A1第0083-0084段，其全部内容以引用的方式并入本文中。

在OLED的一些实施例中，敏化剂和受体存在于发射区域内的各别层中。

在一些实施例中，敏化剂和受体以混合物形式存在于发射区域中的一或多个层中。应理解，给定层中的混合物可为均质混合物，或混合物中的化合物在给定层的整个厚度中可具有浓度梯度。浓度梯度可呈线性、非线性、正弦性等。当具有敏化剂和受体化合物的混合物的发射区域中存在超过一个层时，混合物的类型(即，均质或梯度浓度)和超过一个层中的每一层中的混合物中的化合物浓度水平可以相同或不同。除敏化剂和受体化合物以外，还可以存在一或多种其它官能化合物，例如但不限于主体也混合成混合物。

在一些实施例中，受体可以存在于具有相同或不同浓度的两个或更多个层中。在一些实施例中，当两个或更多个层含有受体化合物时，受体在两个或更多个层中的至少两个层中的浓度不同。在一些实施例中，敏化剂在含有敏化剂的层中的浓度在1至50重量％、10至20重量％或12至15重量％范围内。在一些实施例中，含有受体的层中的受体浓度在0.1至10重量％、0.5至5重量％、或1至3重量％范围内。

在一些实施例中，发射区域含有N个层，其中N>2。在一些实施例中，敏化剂存在于N个层中的每一层中，且受体含于少于或等于N-1个层中。在一些实施例中，敏化剂存在于N个层中的每一层中，且受体含于少于或等于N/2个层中。在一些实施例中，受体存在于N个层中的每一层中，且敏化剂含于少于或等于N-1个层中。在一些实施例中，受体存在于N个层中的每一层中，且敏化剂化合物含于少于或等于N/2个层中。

在一些实施例中，当跨越OLED施加电压时，OLED发出发光发射，其包含来自受体的S₁能量(第一单态能量)的发射分量。在一些实施例中，至少65％、75％、85％或95％的OLED发射是由受体以至少10cd/m²的亮度产生。在一些实施例中，受体的S₁能量低于敏化剂化合物的S₁能量。

在一些实施例中，主体化合物的T₁能量(第一三重态能量)大于或等于敏化剂和受体的T₁能量，并且敏化剂的T₁能量大于或等于受体的S₁能量(第一单态能量)。在一些实施例中，敏化剂和/或受体和/或第一主体化合物和/或第二主体化合物的S₁-T₁能隙小于400、300、250、200、150、100或50meV。在一些实施例中，敏化剂的HOMO与受体的HOMO之间的绝对能量差小于0.6、0.5、0.4、0.3或0.2eV。在一些实施例中，敏化剂的LUMO与受体的LUMO之间的绝对能量差小于0.6、0.5、0.4、0.3或0.2eV。

在敏化剂提供单色敏化(即，在能量转移到受体后能量损失最小)的一些实施例中，受体具有30、25、20、15或10nm或更小的斯托克位移(Stokes shift)。一实例是对窄蓝光发射受体敏感的宽蓝色磷光体。

在敏化剂提供下转换过程的一些实施例中(例如，用于敏化绿色发射体的蓝色发射体或用于敏化红色发射体的绿色发射体)，受体具有30、40、60、80或100nm或更大的斯托克位移。

在一些实施例中，敏化剂发射光谱的λmax与受体吸收光谱的λmax之间的差值是50、40、30或20nm或更小。在一些实施例中，相对于敏化剂的发光面积，受体的光吸收面积与敏化剂的发光面积的光谱重叠大于5％、10％、15％、20％、30％、40％、50％或更多。

一种定量敏化剂化合物(待用作本公开的OLED发射区域中的敏化剂的化合物)与受体化合物(待用作本公开的OLED发射区域中的受体的化合物)之间的定性关系的方式是测定值Δλ＝λ_max1-λ_max2，其中λ_max1和λ_max2定义如下。λ_max1是当敏化剂化合物用作具有第一主体的第一单色OLED(仅发射一种颜色的OLED)中的唯一发射体时、敏化剂化合物在室温下的发射最大值。λ_max2是当受体化合物用作具有相同第一主体的第二单色OLED中的唯一发射体时、受体化合物在室温下的发射最大值。

在敏化剂提供单色敏化(即，在能量转移到受体后，能量损失最小)的本公开OLED的一些实施例中，Δλ(如上文所述测定)等于或小于选自由以下组成的群组的数字：15、12、10、8、6、4、2、0、-2、-4、-6、-8和-10nm。

在一些实施例中，敏化剂和受体的光谱重叠积分至少是10¹⁴nm^4*L/cm*mol。在一些实施例中，敏化剂和受体的光谱重叠积分至少是5x 10¹⁴nm^4*L/cm*mol。在一些实施例中，敏化剂和受体的光谱重叠积分至少是10¹⁵nm^4*L/cm*mol。

如本文所用，“光谱重叠积分”是通过将受体消光光谱乘以相对于曲线下面积归一化的敏化剂发射光谱来测定。光谱重叠越高，则福斯特共振能量转移(FRET)效率越好。FRET比率与光谱重叠积分成比例。因此，高光谱重叠可有助于提高FRET效率且缩短OLED中的激子寿命。

在一些实施例中，为了增加光谱重叠，选择受体和敏化剂。可通过若干方式实现光谱重叠的增加，例如增加受体的振荡强度、最小化敏化剂峰值发射强度与受体吸收峰值之间的距离，以及缩窄敏化剂发射或受体吸收的线性形状。在一些实施例中，受体的振荡强度大于或等于0.1。

在受体发射通过敏化红移的一些实施例中，Δλ绝对值等于或大于选自由20、30、40、60、80、100nm组成的群组的数值。

在一些实施例中，敏化剂和/或受体可以是磷光或荧光发射体。磷光通常是指电子自旋量子数变化时的光子发射，即，发射的初始和最终状态具有不同的电子自旋量子数，例如从T1到S0状态。目前在OLED中广泛使用的Ir和Pt络合物属于磷光发射体。在一些实施例中，如果激发复合物形成涉及三重态发射体，那么此类激发复合物也可以发射磷光。另一方面，荧光发射体通常是指电子自旋量子数不变的光子发射，例如从S1到S0状态，或从D1到D0状态。荧光发射体可以是延迟荧光或非延迟荧光发射体。视自旋状态而定，荧光发射体可以是单态发射体或双重态发射体或其它多重态发射体。人们相信，荧光OLED的内部量子效率(IQE)通过延迟荧光可以超过25％自旋统计限值。存在两种类型的延迟荧光，即P型和E型延迟荧光。P型延迟荧光由三重态-三重态湮灭(TTA)产生。另一方面，E型延迟荧光不依赖于两个三重态的碰撞，而是依赖于三重态与单态激发态之间的热布居。热能可以激活三重态转移回到单态。这种类型的延迟荧光也称为热激活延迟荧光(TADF)。E型延迟荧光特征可以发现于激发复合物系统或单一化合物中。不受理论束缚，人们相信，TADF要求化合物或激发复合物具有小于或等于400、350、300、250、200、150、100或50meV的小单态-三重态能隙(ΔE_S-T)。存在两种主要类型的TADF发射体，一种称为供体-受体型TADF，另一种称为多共振(MR)TADF。通常，通过连接电子供体部分(例如氨基或咔唑衍生物)和电子受体部分(例如含N六元芳香族环)来构建供体-受体单一化合物。可以在空穴传输化合物与电子传输化合物之间形成供体-受体激发复合物。MR-TADF的实例包括高度共轭的稠环系统。在一些实施例中，MR-TADF材料包含硼、碳和氮原子。其还可以包含其它原子，例如氧。在一些实施例中，延迟荧光发射在293K下从T1到S1的逆向系统间穿越时间少于或等于10微秒。在一些实施例中，此类时间可以大于10微秒且小于100微秒。

在一些实施例中，第二化合物A1是在室温下充当TADF发射体的延迟荧光化合物。

在一些实施例中，TADF发射体包含至少一个供体基团和至少一个受体基团。

在一些实施例中，TADF发射体是金属络合物。在一些实施例中，TADF发射体是Cu、Zn、Zr、Ag或Au络合物。

在一些实施例中，TADF发射体是非金属络合物。

在一些实施例中，TADF发射体是含硼化合物。

在OLED的一些实施例中，TADF发射体包含硼原子。在一些实施例中，TADF发射体包含至少一种选自由以下清单8中的结构组成的群组的化学部分：

其中T选自由以下组成的群组：BR、NR、PR、O、S、Se、C＝O、S＝O、SO₂、CRR'、SiRR'和GeRR'；

其中每个R^T可以相同或不同，并且每个R^T独立地是供体、受体基团、键结至供体基团的有机连接基团、键结至受体基团的有机连接基团或选自由以下组成的群组的端基：烷基、环烷基、杂烷基、杂环烷基、芳烷基、芳基、杂芳基和其组合；并且

每个R和R'独立地是氢或选自由本文所定义的通用取代基组成的群组的取代基。

在一些上述实施例中，任一种上述结构的每个苯环中的任何碳环原子至总数最多三个碳环原子连同其取代基一起可以被N置换。

在一些实施例中，TADF发射体包含选自由以下组成的群组的至少一种受体部分：腈、异腈、硼烷、氟基、吡啶、嘧啶、吡嗪、三嗪、氮杂-咔唑、氮杂-二苯并噻吩、氮杂-二苯并呋喃、氮杂-二苯并硒吩、氮杂-三亚苯、咪唑、吡唑、噁唑、噻唑、异噁唑、异噻唑、三唑、噻二唑和噁二唑。在一些实施例中，如本文所述的受体部分和供体部分可直接连接，经由共轭的连接基团或非共轭的连接基团(例如sp3碳或硅原子)连接。

在OLED的一些实施例中，TADF发射体具有式M(L⁵)(L⁶)，其中M是Cu、Ag或Au，L⁵和L⁶不同，且L⁵和L⁶独立地选自由以下组成的群组：

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其中A¹-A⁹各自独立地选自C或N；

其中每个R^P、R^P、R^U、R^SA、R^SB、R^RA、R^RB、R^RC、R^RD、R^RE和R^RF独立地是氢或选自由以下组成的群组的取代基：氘、卤素、烷基、环烷基、杂烷基、杂环烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、锗烷基、硼烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羧酸、醚、酯、腈、异腈、硫基、亚磺酰基、磺酰基、膦基、硒烷基和其组合。

在OLED的一些实施例中，TADF发射体可以是以下中的一种：

/>

其中每个R^A”、R^B”、R^C”、R^D”、R^E”和R^F”可独立地表示单个至最大可能数目个取代，或无取代；

每个R"、R"'、R^A1、R^A"、R^B"、R^C"、R^D"、R^E"和R^F"独立地是氢或选自由如本文所定义的通用取代基组成的群组的取代基；其中任何两个取代基可稠合或接合以形成环。

其中L独立地选自由以下组成的群组：直接键、BR"、BR"R"'、NR"、PR"、O、S、Se、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR"、C＝CR"R"'、S＝O、SO₂、CR"、CR"R"'、SiR"R"'、GeR"R"'、烷基、环烷基、芳基、杂芳基和其组合；

其中L₁'和L₂'中的每一者是单齿阴离子配体,

其中X₁'和X₂'中的每一者是卤基；并且

其中任何两个取代基可接合或稠合以形成环。

在OLED的一些实施例中，TADF发射体选自由以下TADF清单中的结构组成的群组：

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在一些实施例中，第二化合物A1选自由以下清单9中的结构组成的群组：

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其中：

Y^F1至Y^F4各自独立地选自O、S和NR^F1；

R¹至R⁶中的每一者独立地表示单取代到最大可能数目个取代，或无取代；并且

每个R^F1和R¹至R⁹独立地是氢或选自由以下组成的群组的取代基：氘、卤素、烷基、环烷基、杂烷基、杂环烷基、硼烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、锗烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羧酸、醚、酯、腈、异腈、硫基、亚磺酰基、磺酰基、膦基、硒烷基和其组合。

在一些实施例中，第二化合物A1选自由以下清单10中的结构组成的群组：

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在一些实施例中，第二化合物A1是在室温下充当所述OLED中的发射体的荧光化合物。在一些实施例中，荧光化合物包含至少一种选自由以下组成的群组的化学部分：

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其中Y^F、Y^G、Y^H和Y^I各自独立地选自由以下组成的群组：BR、NR、PR、O、S、Se、C＝O、S＝O、SO₂、BRR'、CRR'、SiRR'和GeRR'；

其中X^F和Y^G各自独立地选自由C和N组成的群组；并且

其中R^F、R^G、R和R'各自独立地是氢或选自由本文所定义的通用取代基组成的群组的取代基，并且任何两个取代基可接合或稠合以形成环。

在一些上述实施例中，任一上述结构的每个苯环中的任何碳环原子至总数最多三个碳环原子连同其取代基一起可以被N置换。

在一些实施例中，受体化合物选自由以下受体清单中的结构组成的群组：

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氮杂取代的其变体、完全或部分氘化的其变体，和其组合。

在一些上述实施例中，任一上述结构的每个苯环中的任何碳环原子至总数最多三个碳环原子连同其取代基一起可以被N置换。

在一些实施例中，第二化合物A1包含具有至少五个5元或6元芳香族环的稠环系统。在一些实施例中，第二化合物A1由第一基团和第二基团组成，其中第一基团与第二基团不重叠；其中最低单态激发态的单态激发态布居数的至少80％定域于第一基团中；且其中最低三重激发态的三重激发态布居数的至少80％定域于第二基团中。在一些实施例中，稠环系统不可以兼为两种基团的一部分。

如本文所用，第一基团和第二基团是指形成第二化合物A1的离散原子基团。由于所述化合物由第一基团和第二基团组成，因此化合物的所有原子属于第一基团或第二基团。如本文所用，“第一基团的原子与第二基团不重叠”意指原子不兼存于第一基团和第二基团中。“稠环系统不可以兼为两种基团的一部分”是指稠环系统不能分割，且在第一基团与第二基团之间，不能同时模棱两可。换句话说，稠环系统仅可存在于一个基团中。

在一些实施例中，第三化合物H1包含至少一种选自由以下组成的群组的化学基团：三亚苯、咔唑、吲哚并咔唑、二苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并硒吩、5λ²-苯并[d]苯并[4,5]咪唑并[3,2-a]咪唑、5,9-二氧杂-13b-硼杂萘并[3,2,1-de]蒽、三嗪、硼烷基、硅烷基、氮杂-三亚苯、氮杂-咔唑、氮杂-吲哚并咔唑、氮杂-二苯并噻吩、氮杂-二苯并呋喃、氮杂-二苯并硒吩、氮杂-5λ²-苯并[d]苯并[4,5]咪唑并[3,2-a]咪唑，和氮杂-(5,9-二氧杂-13b-硼杂萘并[3,2,1-de]蒽)。

在一些实施例中，第三化合物H1选自由前文所定义的以下清单2中的结构组成的群组：

其中：

X³⁰、X³¹和X³²中的每一者独立地是C或N；

每个Y^A独立地选自由以下组成的群组：BR、BRR'、NR、PR、P(O)R、O、S、Se、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR'、C＝CRR、S＝O、SO₂、CRR'、SiRR'和GeRR'；

R^AA、R^BB、R^CC、R^DD、R^DA、R^EE、R^EA、R^JJ、R^KK和R^LL中的每一者独立地表示单取代直至最多个取代，或无取代；

R、R'、R^AA、R^BB、R^CC、R^DD、R^DA、R^EE、R^EA、R^II、R^JJ、R^KK和R^LL独立地是氢或选自由以下组成的群组的取代基：氘、卤素、烷基、环烷基、杂烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羰基、羧酸、酯、腈、异腈、硫基、亚磺酰基、磺酰基、膦基、锗烷基、硒烷基和其组合；并且

任何两个相邻取代基可接合或稠合以形成环。

在其中第三化合物H1选自清单2的一些实施例中，每个R^AA、R^BB、R^CC、R^DD、R^DA、R^EE、R^EA、R^FF、R^FA、R^GG和R^GA独立地是氢或选自由以下组成的群组的取代基：氘、苯基、联苯、吡啶、嘧啶、三嗪、吡嗪、咪唑、吡唑、吡咯、噁唑、呋喃、噻吩、噻唑、二苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并硒吩、咔唑、氮杂二苯并噻吩、氮杂二苯并呋喃、氮杂二苯并硒吩、氮杂咔唑、5λ²-苯并[d]苯并[4,5]咪唑并[3,2-a]咪唑、氮杂-5λ²-苯并[d]苯并[4,5]咪唑并[3,2-a]咪唑、双咔唑、硅烷基、硼烷基、其部分或完全氘化的变体，和其组合。

在其中第三化合物H1选自清单2的一些实施例中，R^AA、R^BB、R^CC、R^DD、R^DA、R^EE、R^EA、R^FF、R^FA、R^GG和R^GA中的至少一个存在且不是氢。

在其中第三化合物H1选自清单2的一些实施例中，X¹至X³中的至少一个存在并且是N。

在其中第三化合物H1选自清单2的一些实施例中，X¹至X³中的每一者独立地是C。

在其中第三化合物H1选自清单2的一些实施例中，X¹存在并且是N。

在一些实施例中，第二化合物A1的HOMO能级比选自第一化合物S1和第三化合物H1的至少一者深。

在一些实施例中，第二化合物S1与第一化合物A1的质量中心之间的距离是至少0.75nm。

在一些实施例中，第一化合物S1具有等于或小于0.33的垂直偶极比(VDR)值。

在一些实施例中，第一化合物S1和第二化合物A1都具有等于或小于0.33的VDR值。

在一些实施例中，第二化合物A1具有等于或小于0.33的VDR值；并且第一和第三化合物中的至少一种具有大于0.33的VDR值。

在一些实施例中，第二化合物A1具有等于或大于0.33的VDR值；并且第一和第三化合物中的至少一种具有小于0.33的VDR值。

在一些实施例中，发射区域进一步包含第二主体。在一些此类实施例中，第二主体包含选自由以下组成的群组的部分：联咔唑、吲哚并咔唑、三嗪、嘧啶、吡啶和硼烷基。

在一些实施例中，第一化合物S1可存在于发射区域中的与第二化合物A1分开的层中，或第一化合物S1和第二化合物A1可作为混合物存在于一个层中，其中第一化合物S1在含有第一化合物S1的层中的浓度在1至50重量％范围内。

在一些实施例中，第一化合物A1可存在于发射区域中的与第一化合物S1分开的层中，或第一化合物S1和第二化合物A1可作为混合物存在于一个层中。

其中第二化合物A1在含有第二化合物A1的层中的浓度在0.1至10重量％范围内。

在一些实施例中，当跨越装置施加电压时，OLED在室温下发射发光辐射；其中发光辐射包含由第二化合物A1贡献的第一辐射分量，其具有340至500nm的发射λ_max。

在一些实施例中，当跨越施加电压时，OLED在室温下发射发光辐射；其中发光辐射包含由第二化合物A1贡献的第一辐射分量，其具有500至600nm的发射λ_max。

在一些实施例中，当跨越施加电压时，OLED在室温下发射发光辐射；其中发光辐射包含由第二化合物A1贡献的第一辐射分量，其具有600至900nm的发射λ_max。

在一些实施例中，当跨越装置施加电压时，OLED在室温下发射发光辐射；其中发光辐射包含由第二化合物A1贡献的第一辐射分量，其具有50nm或更小的全宽半高(FWHM)。

在一些实施例中，当跨越施加电压时，OLED在室温下发射发光辐射；其中发光辐射包含由第二化合物A1贡献的第一辐射分量，其发射峰的10％起点小于465nm。

在一些实施例中，发射区域进一步包含第一主体。在一些实施例中，敏化剂化合物在室温下与OLED中的第一主体形成激发复合物。在一些实施例中，第一主体的LUMO能量低于发射区域中的敏化剂化合物和受体化合物的LUMO能量。在一些实施例中，第一主体的HOMO能量低于发射区域中的敏化剂化合物和受体化合物的HOMO能量。在一些实施例中，第一主体的HOMO能量高于发射区域中的敏化剂化合物和受体化合物的HOMO能量。在一些实施例中，第一主体的HOMO能量高于发射区域中的敏化剂化合物和受体化合物中的至少一者的HOMO能量。

在一些实施例中，发射区域进一步包含第二主体。在一些实施例中，第一主体与OLED中的第二主体在室温下形成激发复合物。在一些实施例中，第一主体与第二主体所形成的激发复合物中的S₁-T₁能隙小于0.4、0.3、0.2或0.1eV。在一些实施例中，激发复合物的T₁能量大于2.5、2.6、2.7或2.8eV。在一些实施例中，第一和第二主体在含有第一和第二主体的一或多个层中的浓度大于敏化剂化合物和受体化合物在含有敏化剂化合物和受体化合物的一或多个层中的浓度。在一些实施例中，第一和第二主体在含有第一和第二主体的一或多个层中的浓度大于受体化合物在含有敏化剂化合物和受体化合物的一或多个层中的浓度。

在一些实施例中，第一主体的S₁能量大于受体化合物的S₁能量。在一些实施例中，第一主体的T₁能量大于敏化剂化合物的T₁能量。在一些实施例中，敏化剂化合物的HOMO能量大于受体化合物的HOMO能量。在一些实施例中，第二主体的HOMO能级比受体化合物的HOMO能级浅。在一些实施例中，受体化合物的HOMO能级比选自敏化剂化合物和第一主体的至少一者深。

在一些实施例中，第一主体和/或第二主体包含至少一种选自由以下组成的群组的化学基团：三亚苯、咔唑、吲哚并咔唑、二苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并硒吩、5λ²-苯并[d]苯并[4,5]咪唑并[3,2-a]咪唑、5,9-二氧杂-13b-硼杂萘并[3,2,1-de]蒽、三嗪、硼烷基、硅烷基、腈、氮杂-三亚苯、氮杂-咔唑、氮杂-吲哚并咔唑、氮杂-二苯并噻吩、氮杂-二苯并呋喃、氮杂-二苯并硒吩、氮杂-5λ²-苯并[d]苯并[4,5]咪唑并[3,2-a]咪唑，和氮杂-(5,9-二氧杂-13b-硼杂萘并[3,2,1-de]蒽)。在一些实施例中，第一主体和第二主体都是有机化合物。

在一些实施例中，第一主体和第二主体中的至少一种是金属络合物。在一些实施例中，第一主体和/或第二主体中的每一者独立地选自由以下组成的群组：

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其中：

J₁至J₆中的每一者独立地是C或N；L'是直接键或有机连接基团；

每个Y^AA、Y^BB、Y^CC和Y^DD独立地选自由以下组成的群组：不存在、一键、直接键、O、S、Se、CRR'、SiRR'、GeRR'、NR、BR、BRR'；

R^A'、R^B'、R^C'、R^D'、R^E'、R^F'和R^G'中的每一者独立地表示单取代直至最大取代，或无取代；

每个R、R'、R^A'、R^B'、R^C'、R^D'、R^E'、R^F'和R^G'独立地是氢或选自由本文所定义的通用取代基组成的群组的取代基；任何两个取代基可接合或稠合以形成环；

并且，在可能的情况下，每个未被取代的芳香族碳原子任选地被N置换以形成氮杂取代环。

在一些实施例中，J₁至J₃中的至少一者是N；在一些实施例中，J₁至J₃中的至少两者是N；在一些实施例中，J₁至J₃中的所有三者都是N。在一些实施例中，每个Y^CC和Y^DD优选O、S和SiRR'，更优选O或S。在一些实施例中，至少一个未取代的芳香族碳原子被N置换以形成氮杂环。

在另一方面中，本公开提供使用金属络合物的磷光体敏化荧光OLED，所述金属络合物具有包含稠环系统的配体作为磷光敏化荧光OLED的敏化剂。稠合部分的审慎选择可将配体中心状态引入磷光体，从而可产生窄发射光谱。窄发射光谱对磷光敏化剂的重要作用是最大化来自磷光敏化剂的发射与荧光受体的消光系数之间的光谱重叠，以便增加福斯特共振能量转移(FRET)速率，而不引起整体发射的较多红移。

为了优化磷光体敏化荧光的性能，OLED的FRET需要最大化。为了提高FRET速率，来自磷光敏化剂的发射与荧光受体的消光系数的光谱重叠需要尽可能大。另外，为了使FRET过程中的能量损失最小化，敏化剂与受体发射峰之间的谱移应最小化。为了同时实现这两个目标，使用具有窄发射光谱或尖锐发射峰起始的磷光体是有益的。我们提出了使用Ir络合物，其以稠环系统作为环金属化配体的一部分以实现敏化剂的这种窄线形。此系统可与窄蓝色、绿色和红色Ir络合物一起使用，以使位移最小的荧光团在装置的峰值发射中敏化。

在一些实施例中，本公开提供了一种OLED，其依序包含：阳极；空穴传输层；发射区域；电子传输层；和阴极；其中发射区域包含：第一化合物S1；第二化合物A1；和第三化合物H1；其中第一化合物S1是将能量转移至第二化合物A1的敏化剂；其中第二化合物A1是作为发射体的受体；其中第三化合物H1是第一主体，并且第一化合物S1和第二化合物A1中的至少一种掺杂于第三化合物H1中；其中第一化合物S1是金属络合物，其包含选自由以下组成的群组的金属M：Ir、Rh、Re、Ru、Os、Pt、Pd、Zn、Ag、Au和Cu，及包含至少一个部分F的第一配体L_A；其中至少一个部分F是包含两个或更多个5-10元碳环或杂环的稠环系统且与金属M经由阴离子键接合；并且限制条件是如果M是Pt或Pd，则至少一个部分F不是非稠合的咔唑。

在一些实施例中，至少一个部分F是包含两个或更多个5元或6元碳环或杂环的稠环系统。

在OLED的一些实施例中，第一化合物S1是绿色发射体。在一些实施例中，第一化合物S1是蓝色发射体。

在一些实施例中，部分F中的稠环系统包含至少两个6元环。在部分F中的稠环系统包含至少两个6元环的情况下，稠环系统包含至少两个选自由以下组成的群组的环：苯、吡啶、嘧啶、吡嗪、二氢吡啶、噁嗪、噻嗪、氮杂硼杂苯。在一些实施例中，至少两个6元环稠合在一起。

在一些实施例中，部分F中的稠环系统包含两个或更多个5至10元碳环或杂环。在一些实施例中，部分F中的稠环系统包含至少一个7至10元碳环或杂环。

在一些实施例中，部分F中的稠环系统包含至少一个完全或部分饱和的环。

在一些实施例中，部分F中的稠环系统包含至少一个5元环。在部分F中的稠环系统包含至少一个5元环的情况下，稠环系统包含至少一个选自由以下组成的群组的环：呋喃、噻吩、吡咯、噁唑、噻唑、噁二唑、三唑、咪唑。

在OLED的一些实施例中，第一化合物S1是铱络合物。在一些实施例中，部分F中的稠环系统与金属经由阴离子Ir-C键接合。在一些实施例中，第一化合物S1是包含金属碳烯键的铱络合物。

在OLED的一些实施例中，第一化合物S1是包含金属碳烯键的Pt络合物。

在OLED的一些实施例中，部分F中的稠环系统包含由以下组成的基团：啡啶咪唑、二氮杂硼杂苯、被取代或未被取代的二苯并噻吩、被取代或未被取代的二苯并硒吩、被取代或未被取代的咔唑、被取代的二苯并呋喃、氮杂啡啶咪唑、被取代或未被取代的氮杂二苯并噻吩、被取代或未被取代的氮杂二苯并硒吩、被取代或未被取代的氮杂咔唑、被取代或未被取代的氮杂二苯并呋喃、被取代或未被取代的苯并噻吩、被取代或未被取代的苯并硒吩、被取代或未被取代的吲哚、被取代或未被取代的苯并呋喃、被取代或未被取代的苯并咪唑、被取代或未被取代的苯并噁唑、被取代或未被取代的苯并噻唑、被取代或未被取代的苯并噁二唑、被取代或未被取代的苯并噻二唑，和包含4个或更多个稠环的基团。

在一些实施例中，部分F中的稠环系统可进一步被腈、芳基或杂芳基取代。

在一些实施例中，部分F不是二苯并呋喃。在一些实施例中，至少一个部分F不包含咔唑。

在一些实施例中，部分F中的与金属形成阴离子键的稠环系统仅经由单键与环接合，所述环与金属形成配位键。在一些此类实施例中，至少一个部分F包含碳烯并且金属是Ir。

在一些实施例中，第一化合物S1是杂配的铱络合物。

在一些实施例中，第一化合物S1是铂络合物。

在一些实施例中，第一配体L_A包含至少4个碳环或杂环。在一些实施例中，第一配体L_A包含至少5个碳环或杂环。在一些实施例中，第一配体L_A包含至少6个碳环或杂环。在一些实施例中，第一配体L_A包含至少7个或更多个碳环或杂环。

在一些实施例中，至少一个部分F包含至少3个环的稠环结构。

在一些实施例中，部分F中的稠环系统被以下取代：被取代或未被取代的芳基或杂芳基、硼烷基、腈、异腈、乙炔化物、烯丙基和其组合。

在一些实施例中，部分F中的稠环系统被吸电子取代基取代。

在一些实施例中，部分F中的稠环系统被包含至少一种基团的部分取代，所述至少一个基团选自由以下组成的群组：F、CF₃、CN、COCH₃、CHO、COCF₃、COOMe、COOCF₃、NO₂、SF₃、SiF₃、PF₄、SF₅、OCF₃、SCF₃、SeCF₃、SOCF₃、SeOCF₃、SO₂F、SO₂CF₃、SeO₂CF₃、OSeO₂CF₃、OCN、SCN、SeCN、NC、⁺N(R)₃、(R)₂CCN、(R)₂CCF₃、CNC(CF₃)₂、C(O)R、BR₂、BR₃、部分和完全氟化的烷基、部分和完全氟化的环烷基、部分和完全氟化的芳基、杂芳基、部分和完全氟化的杂芳基、含有氰基的烷基、含有氰基的环烷基、含有氰基的芳基、含有氰基的杂芳基、咔唑、1-被取代的咔唑和1,8-双取代的咔唑；其中每个R独立地是氢或选自由以下组成的群组的取代基：氘、卤素、烷基、环烷基、杂烷基、杂环烷基、硼烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、锗烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羧酸、醚、酯、腈、异腈、硫基、亚磺酰基、磺酰基、膦基、硒烷基和其组合。

在一些实施例中，第三化合物H1包含选自由以下组成的群组的部分：联咔唑、吲哚并咔唑、1-N吲哚并咔唑、吡啶、嘧啶、吡嗪、三嗪、二苯并呋喃、二苯并噻吩、二苯并硒吩、氮杂二苯并噻吩、氮杂二苯并硒吩、氮杂咔唑、氮杂二苯并呋喃、硅烷基、苯基腈和硼烷基。在一些实施例中，化合物H1包含选自由以下组成的群组的部分：联咔唑、三嗪、吲哚并咔唑和硼烷基。

在一些实施例中，第一化合物S1具有<50nm的半高全宽(FWHM)。在一些实施例中，第一化合物S1具有<40nm的FWHM。在一些实施例中，第一化合物S1具有<30nm的FWHM。在一些实施例中，第一化合物S1具有<25nm的FWHM。

在一些实施例中，第一化合物S1具有发射起点λ_onset,S和发射峰λ_maxS，其中λ_maxS-λ_onset,S小于15nm。其中如本文所用的发射起点λ_onset,S定义为化合物发射是室温2-甲基四氢呋喃溶液中的λ_maxS的20％时的最短波长。在一些实施例中，λ_maxS-λ_onset,S小于12nm。在一些实施例中，λ_maxS-λ_onset,S小于10nm。在一些实施例中，λ_maxS-λ_onset,S小于8nm。在一些实施例中，λ_maxS-λ_onset,S小于6nm。

在一些实施例中，至少一个部分F选自由以下组成的群组：/>

其中：

X¹-X¹⁸中的每一者可以独立地是C或N；

Y^A、Y^B和Y^C各自独立地选自由以下组成的群组：BR、BRR'、NR、PR、P(O)R、O、S、Se、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR、C＝CRR'、S＝O、SO₂、CR、CRR'、SiRR'、GeRR'、亚烷基、环烷基、芳基、亚环烷基、亚芳基、亚杂芳基和其组合；

每个R^L1、R和R'独立地是氢或选自由以下组成的群组的取代基：氘、卤素、烷基、环烷基、杂烷基、杂环烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、锗烷基、硼烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羧酸、醚、酯、腈、异腈、硫基、亚磺酰基、磺酰基、膦基、硒烷基和其组合；并且

任何两个取代基可接合或稠合以形成环。

在一些实施例中，至少一个部分F选自由以下组成的群组：/>

/>

/>

/>

/>

其中R^F1、R^F2和R^F3各自独立地选自由以下组成的群组：氘、卤素、烷基、环烷基、杂烷基、杂环烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、锗烷基、硼烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羧酸、醚、酯、腈、异腈、硫基、亚磺酰基、磺酰基、膦基、硒烷基和其组合。

在一些实施例中，第一化合物S1包含式IA的配体L_A：

其中部分A和部分B各自独立地是单环或多环系统；X^A和X^B各自独立地是C、N或B；R^A和R^B各自独立地是单取代到最多个可允许的取代，或无取代；L是直接键或选自由以下组成的群组：直接键、BR、BRR'、NR、PR、P(O)R、O、S、Se、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR、C＝CRR'、S＝O、SO₂、CR、CRR'、SiRR'、GeRR'、亚烷基、环烷基、芳基、亚环烷基、亚芳基、亚杂芳基和其组合；R、R'、R^A和R^B中的每一者独立地是氢或选自由以下组成的群组：氘、卤素、烷基、环烷基、杂烷基、杂环烷基、硼烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、锗烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羧酸、醚、酯、腈、异腈、硫基、亚磺酰基、磺酰基、膦基、硒烷基和其组合；任何两个基团可任选地接合或稠合以形成环；并且L_A可任选地与其它配体接合以形成多齿配体。

在一些实施例中，式I中的L是直接键。在一些实施例中，式I中的X^A和X^B中的每一者独立地是C。在一些实施例中，式I中的X^A和X^B中的一个是C，而另一个是N。在一些实施例中，式I中的部分A是至少一个部分F。

在包含式I配体L_A的第一化合物S1的一些实施例中，部分B选自由以下组成的群组：咪唑、苯并咪唑、咪唑碳烯、苯并咪唑碳烯、吡啶基咪唑碳烯、嘧啶基咪唑、吡嗪咪唑、三嗪、吡唑、噁唑、噻唑、噁二唑、噻二唑、吡啶、喹啉、异喹啉、氮杂二苯并噻吩、氮杂二苯并呋喃、氮杂苯并噻吩、氮杂苯并呋喃。

在包含式I配体L_A的第一化合物S1的一些实施例中，部分A选自由以下组成的群组：萘、喹啉、异喹啉、喹唑啉、苯并呋喃、氮杂-苯并呋喃、苯并噁唑、氮杂-苯并噁唑、苯并噻吩、氮杂-苯并噻吩、苯并噻唑、氮杂-苯并噻唑、苯并硒吩、氮杂-苯并硒吩、茚、氮杂-茚、吲哚、氮杂-吲哚、苯并咪唑、氮杂-苯并咪唑、咔唑、氮杂-咔唑、二苯并呋喃、氮杂-二苯并呋喃、二苯并噻吩、氮杂-二苯并噻吩、喹喏啉、酞嗪、菲、啡啶、芴和氮杂-芴。

在包含式I配体L_A的第一化合物S1的一些实施例中，部分A是单环，而部分B是多环。在包含式I配体L_A的化合物S1的一些实施例中，部分A是多环，而部分B是单环。在一些此类实施例中，单环可以是苯、吡啶、嘧啶、哒嗪、吡嗪、三嗪、咪唑、吡唑、吡咯、噁唑、呋喃、噻吩或噻唑。在一些此类实施例中，多环可以是萘、喹啉、异喹啉、喹唑啉、苯并呋喃、苯并噁唑、苯并噻吩、苯并噻唑、苯并硒吩、茚、吲哚、苯并咪唑、咔唑、二苯并呋喃、二苯并噻吩、喹喏啉、酞嗪、菲、啡啶或芴。

在包含式I配体L_A的第一化合物S1的一些实施例中，部分A和部分B中的每一者独立地是多环稠环结构。在一些实施例中，部分A和部分B中的每一者独立地是包含至少三个稠环的多环稠环结构。在一些实施例中，多环稠合环结构具有两个6元环和一个5元环。在一些此类实施例中，5元环与和金属M配位的环稠合且第二个6元环与5元环稠合。在一些实施例中，部分A和部分B中的每一者独立地选自由二苯并呋喃、二苯并噻吩、二苯并硒吩和其氮杂-变体组成的群组。在一些此类实施例中，部分A和部分B中的每一者可以独立地进一步在O、S或Se原子的邻位或间位被选自由以下组成的群组的取代基取代：氘、氟、腈、烷基、环烷基、芳基、杂芳基和其组合。在一些此类实施例中，氮杂-变体在6号位置(O、S或Se的邻位)含有恰好一个N原子，且在7号位置(O、S或Se的间位)含有取代基。

在包含式I配体L_A的第一化合物S1的一些实施例中，部分A和部分B中的每一者独立地是包含至少四个稠环的多环稠环结构。在一些实施例中，多环稠环结构包含三个6元环和一个5元环。在一些此类实施例中，5元环与和金属M配位的环稠合，第二个6元环与5元环稠合，且第三个6元环与第二个6元环稠合。在一些此类实施例中，第三个6元环进一步被选自由以下组成的群组的取代基取代：氘、氟、腈、烷基、环烷基、芳基、杂芳基和其组合。

在包含式I配体L_A的第一化合物S1的一些实施例中，部分A和部分B中的每一者独立地是包含至少五个稠环的多环稠环结构。在一些实施例中，多环稠合环结构包含四个6元环和一个5元环，或三个6元环和两个5元环。在包含两个5元环的一些实施例中，5元环稠合在一起。在包含两个5元环的一些实施例中，所述5元环被至少一个6元环分开。在具有一个5元环的一些实施例中，5元环与和金属M配位的环稠合，第二个6元环与5元环稠合，第三个6元环与第二个6元环稠合，且第四个6元环与第三个6元环稠合。

在包含式I配体L_A的第一化合物S1的一些实施例中，每个部分A和部分B独立地是上述多环稠环的氮杂形式。在一些此类实施例中，每个部分A和部分B独立地含有恰好一个氮杂N原子。在一些此类实施例中，每个部分A和部分B含有恰好两个氮杂N原子，该两个氮杂N原子可以处于一个环中或处于两个不同环中。在一些此类实施例中，具有氮杂N原子的环与金属M原子被至少两个其它环隔开。在一些此类实施例中，具有氮杂N原子的环与金属M原子被至少三个其它环隔开。在一些此类实施例中，氮杂N原子的邻位中的每一个经取代。

在一些实施例中，式I的配体L_A部分或完全氘化。在一些实施例中，第二化合物A1部分或完全氘化。在一些实施例中，第三化合物H1部分或完全氘化。

在本文中所公开的OLED的一些实施例中，第一化合物S1选自由以下结构组成的群组：

/>

/>

/>

其中

X⁹⁶至X⁹⁹中的每一者独立地是C或N；

每个Y¹⁰⁰独立地选自由NR"、O、S和Se组成的群组；

R^10a、R^20a、R^30a、R^40a和R^50a各自独立地表示单取代直至最多个取代，或无取代；

R"、R^10a、R^11a、R^12a、R^13a、R^20a、R^30a、R^40a、R^50a、R⁶⁰、R⁷⁰、R⁹⁷、R⁹⁸和R⁹⁹中的每一者独立地是氢或选自由以下组成的群组的取代基：氘、卤基、烷基、环烷基、杂烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、锗烷基、硼烷基、硒烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羰基、羧酸、酯、腈、异腈、硫基、亚磺酰基、磺酰基、膦基和其组合；并且

对于不包含含有两个或更多个5元和/或6元碳环或杂环的稠环系统的那些络合物来说，至少两个R^10a、两个R^20a、两个R^30a、两个R^40a或两个R^50a稠合以形成5元或6元环；

任何两个相邻R^10a、R^11a、R^12a、R^13a、R^20a、R^30a、R^40a、R^50a、R⁶⁰、R⁷⁰、R⁹⁷、R⁹⁸和R⁹⁹任选地接合或稠合以形成环。

在OLED的一些实施例中，第一化合物S1选自由具有Pt的以下结构组成的群组：

/>

/>

/>

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其中：

每个Y¹⁰⁰独立地选自由NR、O、S和Se组成的群组；

L独立地选自由以下组成的群组：直接键、BR、BRR'、NR、PR、O、S、Se、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR、C＝CRR'、S＝O、SO₂、CR、CRR'、SiRR'、GeRR'、烷基、环烷基、芳基、杂芳基和其组合；

X¹⁰⁰和X²⁰⁰在每次出现时选自由O、S、Se、NR和CRR'组成的群组；

每个R^A"、R^B"、R^C"、R^D"、R^E"和R^F"独立地表示单取代直至最多个取代，或无取代；

R、R'、R^A1'、R^A2'、R^A"、R^B"、R^C"、R^D"、R^E"、R^F"、R^G"、R^H"、R^I"、R^J"、R^K"、R^L"、R^M"和R^N"中的每一者独立地是氢或选自由以下组成的群组的取代基：氘、卤基、烷基、环烷基、杂烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、锗烷基、硼烷基、硒烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羰基、羧酸、酯、腈、异腈、硫基、亚磺酰基、磺酰基、膦基其组合；

对于不包含含有两个或更多个5元和/或6元碳环或杂环的稠环系统的那些络合物来说，至少两个R^A"、两个R^B"、两个R^C"、两个R^D"、两个R^E"或两个R^F"稠合以形成5元或6元环；并且

两个相邻的R、R'、R^A1'、R^A2'、R^A"、R^B"、R^C"、R^D"、R^E"、R^F"、R^G"、R^H"、R^I"、R^J"、R^K"、R^L"、R^M"和R^N"可任选地接合以形成环。

应了解，具有Pt的上述结构中的那些化合物中的每一者中的金属Pt可被Pd置换，并且还希望特别涵盖那些衍生的Pd化合物。

在一些实施例中，第一化合物S1选自由以下组成的群组：

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/>

在一些实施例中，第一化合物S1与第一主体H1在OLED中、在室温下形成激发复合物。在一些实施例中，第一主体H1的LUMO能量低于发射区域中的第一化合物S1和第二化合物A1的LUMO能量。在一些实施例中，第一主体H1的HOMO能量低于发射区域中的第一化合物S1和第二化合物A1的HOMO能量。在一些实施例中，第一主体H1的HOMO能量高于发射区域中的第一化合物S1和第二化合物A1的HOMO能量。在一些实施例中，第一主体H1的HOMO能量高于发射区域中的第一化合物S1和第二化合物A1中的至少一者的HOMO能量。

在所有上述实施例中的一些实施例中，发射区域进一步包含第二主体。在一些实施例中，第一主体H1与第二主体在OLED中、在室温下形成激发复合物。在一些实施例中，第一和第二主体在含有第一和第二主体的一或多个层中的浓度大于第一化合物S1和第二化合物A1在含有第一化合物S1和第二化合物A1的一或多个层中的浓度。在一些实施例中，第一和第二主体在含有第一和第二主体的一或多个层中的浓度大于第二化合物A1在含有第一化合物S1和第二化合物A1的一或多个层中的浓度。

在一些实施例中，第一主体H1的S₁能量大于第二化合物A1的S₁能量。在一些实施例中，第一主体H1的T₁能量大于第一化合物S1的T₁能量。在一些实施例中，第一化合物S1的HOMO能量大于第二化合物A1的HOMO能量。在一些实施例中，第二主体的HOMO能级比第二化合物A1的HOMO能级浅。在一些实施例中，第二化合物A1的HOMO能级比选自第一化合物S1和第一主体H1的至少一者深。

在一些实施例中，第一主体和/或第二主体包含至少一种选自由以下组成的群组的化学基团：三亚苯、咔唑、吲哚并咔唑、二苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并硒吩、5λ²-苯并[d]苯并[4,5]咪唑并[3,2-a]咪唑、5,9-二氧杂-13b-硼杂萘并[3,2,1-de]蒽、三嗪、硼烷基、硅烷基、氮杂-三亚苯、氮杂-咔唑、氮杂-吲哚并咔唑、氮杂-二苯并噻吩、氮杂-二苯并呋喃、氮杂-二苯并硒吩、氮杂-5λ²-苯并[d]苯并[4,5]咪唑并[3,2-a]咪唑，和氮杂-(5,9-二氧杂-13b-硼杂萘并[3,2,1-de]蒽)。

在一些实施例中，第一主体和/或第二主体中的每一者独立地选自由以下组成的群组：

/>

/>

/>

/>

其中：

J₁至J₆中的每一者独立地是C或N；L'是直接键或有机连接基团；

每个Y^AA、Y^BB、Y^CC和Y^DD独立地选自由以下组成的群组：不存在、一键、直接键、O、S、Se、CRR'、SiRR'、GeRR'、NR、BR、BRR'；

R^A'、R^B'、R^C'、R^D'、R^E'、R^F'和R^G'中的每一者独立地表示单取代直至最多个取代，或无取代；

每个R、R'、R^A'、R^B'、R^C'、R^D'、R^E'、R^F'和R^G'独立地是氢或选自由如本文所定义的通用取代基组成的群组的取代基；任何两个取代基可接合或稠合以形成环；

并且，在可能的情况下，每个未被取代的芳香族碳原子任选地被N置换以形成氮杂取代环。

在一些实施例中，J₁至J₃中的至少一个是N。在一些实施例中，J₁至J₃中的至少两个是N。在一些实施例中，J₁至J₃中的所有三个是N。在一些实施例中，每个Y^CC和Y^DD优选O、S和SiRR'，更优选O或S。在一些实施例中，至少一个未取代的芳香族碳原子被N置换以形成氮杂环。

为了减少敏化剂化合物与受体化合物之间的德克斯特能量转移(Dexterenergytransfer)量，在敏化剂化合物的质量中心与发射区域中的最紧邻受体化合物的质量中心之间优选较大距离。因此，在一些实施例中，受体化合物的质量中心与敏化剂化合物的质量中心之间的距离是至少2、1.5、1.0或0.75nm。

优选的受体/敏化剂VDR组合(A)：在一些实施例中，优选的是，与各向同性发射体相比，受体的VDR低于0.33，以便减少发射受体的跃迁偶极矩与等离子体模式的耦合，以便实现更高的出耦效率。在一些情况下，当受体的VDR小于0.33时，优选的是，敏化剂的VDR小于0.33，以便改进敏化剂和受体的跃迁偶极矩的耦合，从而优化福斯特能量转移率。因此，在本发明OLED的一些实施例中，当用具有受体化合物作为唯一发射体的发射薄膜测试样品测量VDR时，本发明OLED中的受体化合物展现出等于或小于0.33、0.30、0.25、0.2、0.15、0.10、0.08或0.05的VDR值；且当用具有敏化剂化合物作为唯一发射体的发射薄膜测试样品测量VDR时，本发明OLED中的敏化剂化合物展现出等于或小于0.33、0.30、0.25、0.2、0.15、0.10、0.08或0.05的VDR值。

优选的受体/敏化剂VDR组合(B)：在一些实施例中，优选的是，与各向同性发射体相比，受体的VDR小于0.33，以便减少发射受体的跃迁偶极矩与等离子体模式的耦合，从而实现更高的出耦效率。在一些情况下，当受体的VDR小于0.33时，优选的是使敏化剂与受体之间的分子间相互作用最小化以减小德克斯特淬灭(Dexter quenching)的程度。通过改变敏化剂的分子几何形状以减少分子间相互作用，可以优选的是敏化剂具有大于0.33的VDR。因此，在本发明OLED的一些实施例中，当用具有受体化合物作为唯一发射体的发射薄膜测试样品测量VDR时，本发明OLED中的受体化合物展现出等于或小于0.33、0.30、0.25、0.2、0.15、0.10、0.08或0.05的VDR值；且当用具有敏化剂化合物作为唯一发射体的发射薄膜测试样品测量VDR时，本发明OLED中的敏化剂化合物展现出大于0.33、0.4、0.5、0.6或0.7的VDR值。

优选的受体/敏化剂VDR组合(C)：在一些实施例中，优选的是，与各向同性发射体相比，受体的VDR大于0.33，以便增加受体的跃迁偶极矩与等离子体模式的耦合，从而减少发射层中激发态的瞬态寿命。在一些情况下，与等离子体模式的耦合增加可与等离子体OLED装置中的增强层配合，以提高效率且延长操作寿命。在一些情况下，当受体的VDR大于0.33时，优选的是使敏化剂与受体之间的分子间相互作用最小化以减小德克斯特淬灭的程度。通过改变敏化剂的分子几何形状以减少分子间相互作用，可以优选的是敏化剂具有小于0.33的VDR。因此，在本发明OLED的一些实施例中，当用具有受体化合物作为唯一发射体的发射薄膜测试样品测量VDR时，本发明OLED中的受体化合物展现出大于0.33、0.4、0.5、0.6或0.7的VDR值；且当用具有敏化剂化合物作为唯一发射体的发射薄膜测试样品测量VDR时，本发明OLED中的敏化剂化合物展现出等于或小于0.33、0.30、0.25、0.2、0.15、0.10、0.08或0.05的VDR值。

优选的受体/敏化剂VDR组合(D)：在一些实施例中，优选的是，与各向同性发射体相比，受体的VDR大于0.33，以便增加受体的跃迁偶极矩与等离子体模式的耦合，从而减少发射层中激发态的瞬态寿命。在一些情况下，与等离子体模式的耦合增加可与等离子体OLED装置中的增强层配合，以提高效率且延长操作寿命。在一些情况下，当受体的VDR小于0.33时，优选的是，敏化剂的VDR大于0.33，以便改进敏化剂和受体的跃迁偶极矩的耦合，从而优化福斯特能量转移率。因此，在本发明OLED的一些实施例中，当用具有受体化合物作为唯一发射体的发射薄膜测试样品测量VDR时，本发明OLED中的受体化合物展现出大于0.33、0.4、0.5、0.6或0.7的VDR值；且当用具有敏化剂化合物作为唯一发射体的发射薄膜测试样品测量VDR时，本发明OLED中的敏化剂化合物展现出大于0.33、0.4、0.5、0.6或0.7的VDR值。

VDR是发射层的薄膜样品中的发光化合物的垂直定向分子偶极的总体平均分率，其中“垂直”定向是相对于其上形成有薄膜样品的衬底表面平面(即，垂直于衬底表面平面)。类似概念是水平偶极比(HDR)，其是发射层的薄膜样品中的发光化合物的水平定向分子偶极的总体平均分率，其中“水平”定向是相对于其上形成有薄膜样品的衬底表面平面(即，平行于衬底表面平面)。根据定义，VDR+HDR＝1。VDR可通过角度相关、偏振相关的光致发光测量方式来测量。通过比较光激发薄膜测试样品的随偏振而变的实测发射模式与计算机模型化模式，可以测定薄膜测试样品发射层的VDR。举例来说，图3中展示p偏振发射的模型化数据。绘制具有不同VDR的发射体的模型化p偏振角光致发光(PL)。在围绕45度角的p偏振PL中观测到模型化PL峰值，其中当发射体的VDR较高时，峰值PL较大。

为了测量薄膜测试样品的VDR值，可以使用受体化合物或敏化剂化合物(取决于是否测量受体化合物或敏化剂化合物的VDR)作为薄膜中的唯一发射体且使用参考主体化合物A作为主体来形成薄膜测试样品。优选地，参考主体化合物A是通过将衬底上的发射体化合物和主体化合物热蒸发来形成薄膜测试样品。举例来说，可将发射体化合物和主体化合物共蒸发。在一些实施例中，发射体化合物在主体中的掺杂水平可以是0.1wt.％至50wt.％。在一些实施例中，对于蓝色发射体来说，发射体化合物在主体中的掺杂水平可以是3wt.％至20wt.％。在一些实施例中，对于红色和绿色发射体来说，发射体化合物在主体中的掺杂水平可以是1wt.％至15wt.％。热蒸发的薄膜测试样品的厚度可以具有50到/>的厚度。

在一些实施例中，本公开的OLED可以在发射区域中包含敏化剂、受体和一或多种主体，且上文所提及的优选受体/敏化剂VDR组合(A)-(D)仍适用。在这些实施例中，可以用由一或多种主体和受体形成的薄膜测试样品测量受体化合物的VDR值，其中受体是薄膜测试样品中的唯一发射体。类似地，可以用由一或多种主体和敏化剂形成的薄膜测试样品测量敏化剂化合物的VDR值，其中敏化剂是薄膜测试样品中的唯一发射体。

在用于产生图3的实例中，30nm厚的材料膜具有1.75的折射率且在折射率为1.75的半无限介质中监测发射。将每个曲线相对于光致发光强度1(在垂直于膜表面的零度角下)归一化。随着发射体的VDR变化，围绕45度的峰值大幅度增加。当使用软件拟合实验数据的VDR时，模型化VDR将改变直到模型化数据与实验数据之间的差异降至最低。

由于VDR表示薄膜样品中的发光化合物的平均偶极定向，因此即使发射层中存在具有发射能力的其它化合物，如果其对光发射无贡献，那么VDR测量不反映其VDR。此外，通过包含与发光化合物相互作用的主体材料，可以调节发光化合物的VDR。因此，具有主体材料A的薄膜样品中的发光化合物将展现出一种VDR测量值，且具有主体材料B的薄膜样品中的相同发光化合物将展现出不同的VDR测量值。此外，在一些实施例中，需要两个相邻分子之间形成发射状态的激态复合物或准分子。这些发射状态的VDR可不同于当激发复合物或准分子中的唯一组分发射或存在于样品中时。

在一些实施例中，OLED是等离激元OLED。在一些实施例中，OLED是波导OLED。

在一些实施例中，发射区域可进一步包含第二主体。在一些实施例中，第二主体包含选自由以下组成的群组的部分：联咔唑、吲哚并咔唑、三嗪、嘧啶、吡啶和硼烷基。在一些实施例中，第二主体的HOMO能级比受体化合物的HOMO能级浅。

在一些实施例中，当跨越装置施加电压时，OLED在室温下发射白光。

在一些实施例中，当跨越装置施加电压时，OLED在室温下发射发光辐射；其中第一辐射发光组分是由发射λ_max1独立地选自由以下组成的群组的受体化合物贡献而成：大于340nm到等于或小于500nm、大于500nm到等于或小于600nm，和大于600nm到等于或小于900nm。在一些实施例中，第一辐射分量的FWHM为50、40、35、30、25、20、15、10或5nm或更低。在一些实施例中，第一辐射分量具有小于465、460、455或450nm的发射峰的10％起点。

在一些实施例中，敏化剂化合物部分或完全氘化。在一些实施例中，受体化合物部分或完全氘化。在一些实施例中，第一主体部分或完全氘化。在一些实施例中，第二主体部分或完全氘化。

在一些实施例中，化合物S1和/或化合物A1各自独立地包含二次球度大于或等于0.45、0.55、0.65、0.75或0.80的至少一个取代基。二次球度是庞大基团的三个维度的度量。二次球度定义为主惯性矩(PMI)之间的比率。具体地说，二次球度是三倍PMI1相对于PMI1、PMI2与PMI3总和的比率，其中PMI1是最小主惯性矩，PMI2是第二最小主惯性矩，且PMI3是最大主惯性矩。可在利用密度泛函理论优化基态之后，计算结构的最低能量构像的二次球度。更详细的信息可见于美国申请第18/062,110号(2022年12月6日提交)的段落[0054]至[0059]中，其内容以引用的方式并入本文中。在一些实施例中，化合物S1和/或化合物A1各自独立地包含范德华体积大于153、206、259、290或的至少一个取代基。在一些实施例中，化合物S1和/或化合物A1各自独立地包含分子量大于167、187、259、303或305amu的至少一个取代基。

在一些实施例中，第一和第二主体中的一种是空穴传输主体，第一和第二主体中的另一种是电子传输主体。在一些实施例中，第一主体是空穴传输主体；且其中第一主体包含至少一个选自由以下组成的群组的化学基团：氨基、咔唑、吲哚并咔唑、二苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并硒吩和5λ²-苯并[d]苯并[4,5]咪唑并[3,2-a]咪唑。在一些实施例中，第一主体为电子传输主体；且其中第一主体包含至少一个选自由以下组成的群组的化学基团：吡啶、嘧啶、吡嗪、哒嗪、三嗪、咪唑、氮杂-三亚苯、氮杂-咔唑、氮杂-二苯并噻吩、氮杂-二苯并呋喃、氮杂-二苯并硒吩、5,9-二氧杂-13b-硼杂萘并[3,2,1-de]蒽、硼烷基、腈、氮杂-5λ²-苯并[d]苯并[4,5]咪唑并[3,2-a]咪唑和氮杂-(5,9-二氧杂-13b-硼杂萘并[3,2,1-de]蒽)。在一些实施例中，第一与第二主体中的一种是包含空穴传输部分与电子传输部分的双极性主体。

在一些实施例中，OLED进一步包含变色层或滤色片。

在一些实施例中，调配物可包含以下化合物中的至少两种不同化合物：敏化剂化合物、受体化合物和主体。

在一些实施例中，化学结构选自由以下组成的群组：单体、聚合物、巨分子和超分子，其中化学结构包含以下组分中的至少两种：敏化剂化合物、受体化合物和主体。

应了解，除非特别或明确不允许，否则与第一化合物S1相关的所有实施例在本公开中可互换。同样，除非特别或明确不允许，否则与第二化合物A1相关的所有实施例可互换。类似地，除非特别或明确不允许，否则与第三化合物H1相关的所有实施例可互换。

在一些实施例中，本文所述的敏化剂化合物、受体化合物、主体化合物中的每一者可以至少10％氘化、至少20％氘化、至少30％氘化、至少40％氘化、至少50％氘化、至少60％氘化、至少70％氘化、至少80％氘化、至少90％氘化、至少95％氘化、至少99％氘化或100％氘化。如本文所用，氘化百分比具有其一般含义，并且包括被氘原子置换的可能氢原子(例如是氢或氘的位置)的百分比。

本公开的OLED的其它方面

在一些实施例中，OLED可以进一步包含另一种主体，其中另一种主体包含含有三亚苯的苯并稠合噻吩或苯并稠合呋喃，其中主体中的任何取代基是独立地选自由以下组成的群组的非稠合取代基：C_nH_2n+1、OC_nH_2n+1、OAr₁、N(C_nH_2n+1)₂、N(Ar₁)(Ar₂)、CH＝CH-C_nH_2n+1、C≡CC_nH_2n+1、Ar₁、Ar₁-Ar₂、C_nH_2n-Ar₁或无取代，其中n是1到10的整数；且其中Ar₁和Ar₂独立地选自由以下组成的群组：苯、联苯、萘、三亚苯、咔唑和其杂芳香族类似物。

在一些实施例中，另一种主体包含至少一种选自由以下组成的群组的化学基团：三亚苯、咔唑、吲哚并咔唑、二苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并硒吩、5λ2-苯并[d]苯并[4,5]咪唑并[3,2-a]咪唑、5,9-二氧杂-13b-硼杂萘并[3,2,1-de]蒽、三嗪、硼烷基、硅烷基、氮杂-三亚苯、氮杂-咔唑、氮杂-吲哚并咔唑、氮杂-二苯并噻吩、氮杂-二苯并呋喃、氮杂-二苯并硒吩、氮杂-5λ2-苯并[d]苯并[4,5]咪唑并[3,2-a]咪唑，和氮杂-(5,9-二氧杂-13b-硼杂萘并[3,2,1-de]蒽)。

在一些实施例中，另一种主体可以选自由以下组成的群组：

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氮杂取代的其变体、完全或部分氘化的其变体，和其组合。

在一些实施例中，另一种主体包含金属络合物。

在又另一方面中，本公开的OLED还可以包含发射区域，所述发射区域含有如本公开的上述化合物章节中所公开的调配物。

在一些实施例中，调配物包含：化合物S1；化合物A1；和化合物H1；其中化合物S1是将能量转移至化合物A1的敏化剂；其中化合物A1是作为发射体的受体；其中化合物H1是第一主体，并且化合物S1和化合物A1中的至少一种掺杂于化合物H1中；其中化合物S1是金属络合物，其包含金属M和含有至少一个部分F的第一配体L_A；其中至少一个部分F是包含两个或更多个5至10元碳环或杂环的稠环系统且经由阴离子键与金属M接合；并且其限制条件为如果M是Pt或Pd，则至少一个部分F不是非稠合的咔唑。

在一些实施例中，所述OLED具有一或多种选自由以下组成的群组的特征：柔性、可卷曲、可折叠、可拉伸和弯曲。在一些实施例中，所述OLED是透明或半透明的。在一些实施例中，所述OLED进一步包含含有碳纳米管的层。

在一些实施例中，所述OLED进一步包含含有延迟荧光发射体的层。在一些实施例中，所述OLED包含RGB像素布置或白色加彩色滤光片像素布置。在一些实施例中，所述OLED为移动装置、手持式装置或可穿戴装置。在一些实施例中，所述OLED是对角线小于10英寸或面积小于50平方英寸的显示面板。在一些实施例中，所述OLED是对角线为至少10英寸或面积为至少50平方英寸的显示面板。在一些实施例中，OLED是照明面板。

在一些方面中，公开了一种发射区域。在一些实施例中，发射区域包含如本文所述的第一化合物S1、第二化合物A1和第三化合物H1。

在发射区域的一些实施例中，所述发射区域进一步包含主体。

在一些实施例中，所述化合物可以是发射掺杂剂。在一些实施例中，化合物可以通过磷光、荧光、热激活延迟荧光(即TADF，也称为E型延迟荧光)、三重态-三重态湮灭或这些过程的组合产生发射。

本文所公开的OLED可以并入消费型产品、电子组件模块和照明面板中的一或多种中。有机层可以是发射层，并且所述化合物在一些实施例中可以是发射掺杂剂，而所述化合物在其它实施例中可以是非发射掺杂剂。

在一些实施例中，消费型产品选自由以下组成的群组：平板显示器、计算机监视器、医疗监视器、电视机、告示牌、内部或外部照明灯和/或信号灯、平视显示器、全透明或部分透明的显示器、柔性显示器、激光打印机、电话、手机、平板电脑、平板手机、个人数字助理(PDA)、可穿戴装置、笔记本电脑、数码相机、摄像机、取景器、对角线小于2英寸的微型显示器、3D显示器、虚拟现实或增强实境显示器、交通工具、包含多个平铺在一起的显示器的视频墙、剧院或体育馆屏幕、光疗装置，和指示牌。

有机层还可以包含主体。在一些实施例中，优选两种或更多种主体。在一些实施例中，所用主体可以是a)双极性材料、b)电子传输材料、c)空穴传输材料或d)在电荷传输中几乎不起作用的宽带隙材料。在一些实施例中，主体可以包括金属络合物。主体可以是无机化合物。

在一些方面中，提供一种调配物，其包含第一化合物S1、第二化合物A1和第三化合物H1。第一化合物S1能够在室温下发射磷光并且是将能量转移至第二化合物A1的敏化剂；第二化合物A1是作为发射体的受体；并且第三化合物H1是包含硼原子的第一主体，并且第一化合物S1和第二化合物A1中的至少一种掺杂于第三化合物H1中。第一化合物S1、第二化合物A1和第三化合物H1具有如本文所述的相同定义。

在一些方面中，提供一种预混合共蒸发源，它是第一化合物S1和第二化合物A1的混合物。共蒸发源是真空沉积过程或有机蒸气喷射印刷(OVJP)过程的共蒸发源。在预混合共蒸发源中，第一化合物S1和第二化合物A1不同地选自由以下组成的群组：

(1)能够发射磷光的化合物，它是敏化剂，在室温下将能量转移至受体，即OLED中的发射体；

(2)作为受体的化合物，其在室温下是所述OLED中的发射体；以及

(3)在室温下是所述OLED中的主体的化合物；

其中所述第一化合物S1具有150至350℃的蒸发温度T1；

其中所述第二化合物A1具有150至350℃的蒸发温度T2；

其中T1-T2的绝对值小于20℃；

其中第一化合物S1在所述混合物中具有浓度C1并且在如下形成的膜中具有浓度C2：将混合物在真空沉积工具中、在以预定义距离相对于所蒸发的混合物定位的表面上、在1×10^-6托至1×10^-9托之间的恒定压力下、在沉积速率下蒸发；并且其中(C1-C2)/C1的绝对值小于5％。

在预混合共蒸发源的一些实施例中，第一化合物S1是能够在室温下充当OLED中的磷光发射体的化合物；其中第二化合物A1是在室温下充当OLED中的热激活延迟荧光(TADF)发射体的延迟荧光化合物。

在预混合共蒸发源的一些实施例中，第一化合物S1是能够在室温下充当OLED中的磷光发射体的化合物；其中第二化合物A1是在室温下充当OLED中的荧光发射体的荧光化合物。

在预混合共蒸发源的一些实施例中，第一化合物S1能够在室温下充当有机发光装置中的TADF发射体；其中第二化合物A1是在室温下充当OLED中的荧光发射体的荧光化合物。

在预混合共蒸发源的一些实施例中，混合物进一步包含第三化合物；其中第三化合物不同于第一和第二化合物，并且选自同一群组；并且其中第三化合物具有150至350℃的蒸发温度T3，且其中T1-T3的绝对值小于20℃。

在预混合共蒸发源的一些实施例中，第一化合物S1具有200℃至350℃的蒸发温度T1并且第二化合物A1具有200℃至350℃的蒸发温度T2。

在预混合共蒸发源的一些实施例中，(C₁-C₂)/C₁的绝对值小于3％。

在预混合共蒸发源的一些实施例中，第一化合物S1在T1下、在1atm下具有蒸气压P1，且第二化合物A1在T2下、在1atm下具有蒸气压P2；并且其中P1/P2比率在0.90:1至1.10:1范围内。

在预混合共蒸发源的一些实施例中，第一化合物S1具有第一质量损失速率，并且第二化合物A1具有第二质量损失速率，其中第一质量损失速率与第二质量损失速率之间的比率在0.90:1至1.10:1范围内。在预混合共蒸发源的一些实施例中，第一质量损失速率和第二质量损失速率之间的比率在0.95:1至1.05:1范围内。在预混合共蒸发源的一些实施例中，第一质量损失速率和第二质量损失速率之间的比率在0.97:1至1.03:1范围内。

在预混合共蒸发源的一些实施例中，如通过高压液相色谱所测定，第一化合物S1和第二化合物A1各自具有超过99％的纯度。

在预混合共蒸发源的一些实施例中，组合物在低于T1和T2中的较低者的温度下呈液体形式。

在一些方面中，提供了一种制造有机发光装置的方法。所述方法包括：提供其上安置有第一电极的衬底；在第一电极上如下沉积第一有机层：将预混合共蒸发源在腔室基础压力介于1×10^-6托至1×10^-9托之间的高真空沉积工具中蒸发，所述预混合共蒸发源是第一化合物S1和第二化合物A1的混合物；以及在第一有机层上沉积第二电极，其中第一化合物S1和第二化合物A1不同地选自由以下组成的群组：

(1)能够发射磷光的化合物，它是敏化剂，在室温下将能量转移至受体，即OLED中的发射体；

(2)作为受体的化合物，其在室温下是所述OLED中的发射体；

(3)在室温下是所述OLED中的主体的化合物；

其中所述第一化合物S1具有150至350℃的蒸发温度T1；

其中所述第二化合物A1具有150至350℃的蒸发温度T2；

其中T1-T2的绝对值小于20℃；

其中第一化合物S1在所述混合物中具有浓度C1并且在如下形成的膜中具有浓度C2：将混合物在真空沉积工具中、在以预定义距离相对于所蒸发的混合物定位的表面上、在1×10^-6托至1×10^-9托之间的恒定压力下、在沉积速率下蒸发；并且其中(C1-C2)/C1的绝对值小于5％。

还应了解，本文所述的所有化合物和装置的实施例如果在整个公开的不同方面也适用，则那些实施例可互换。

在一些实施例中，本文所述的第一化合物S1、第二化合物A1、第三主体化合物H1中的每一者可以至少10％氘化、至少20％氘化、至少30％氘化、至少40％氘化、至少50％氘化、至少60％氘化、至少70％氘化、至少80％氘化、至少90％氘化、至少95％氘化、至少99％氘化或100％氘化。如本文所用，氘化百分比具有其一般含义，并且包括被氘原子置换的可能氢原子(例如是氢或氘的位置)的百分比。

本公开的化合物与其它材料的组合

本文中描述为适用于有机发光装置中的特定层的材料可以与装置中存在的多种其它材料组合使用。举例来说，本文所公开的发射掺杂剂可以与广泛多种主体、传输层、阻挡层、注入层、电极和可能存在的其它层结合使用。下文描述或提及的材料是可以与本文所公开的化合物组合使用的材料的非限制性实例，并且所属领域的技术人员可以容易地查阅文献以鉴别可以组合使用的其它材料。

本文所公开的不同发射层和非发射层和布置可以使用不同材料。适合材料的实例公开于美国专利申请公开第2017/0229663号中，其以全文引用的方式并入。

导电性掺杂剂：

电荷传输层可以掺杂有导电性掺杂剂以大体上改变其电荷载体密度，这转而将改变其导电性。导电性通过在基质材料中生成电荷载体而增加，并且取决于掺杂剂的类型，还可以实现半导体的费米能级(Fermi level)的变化。空穴传输层可以掺杂有p型导电性掺杂剂，并且n型导电性掺杂剂用于电子传输层中。

HIL/HTL：

本发明中所用的空穴注入/传输材料不受特别限制，并且可以使用任何化合物，只要化合物通常用作空穴注入/传输材料即可。

EBL：

电子阻挡层(EBL)可以用以减少离开发射层的电子和/或激子的数目。与缺乏阻挡层的类似装置相比，在装置中存在此类阻挡层可以产生大体上较高的效率和/或较长的寿命。此外，可以使用阻挡层来将发射限制于OLED的所需区域。在一些实施例中，与最接近EBL界面的发射体相比，EBL材料具有较高LUMO(较接近真空能级)和/或较高三重态能量。在一些实施例中，与最接近EBL界面的主体中的一或多种相比，EBL材料具有较高LUMO(较接近真空能级)和/或较高三重态能量。在一个方面中，EBL中所用的化合物含有与下文所述的主体中的一个所用相同的分子或相同的官能团。

主体：

本发明的有机EL装置的发光层优选地至少含有金属络合物作为发光材料，并且可以含有使用金属络合物作为掺杂剂材料的主体材料。主体材料的实例不受特别限制，并且可以使用任何金属络合物或有机化合物，只要主体的三重态能量大于掺杂剂的三重态能量即可。任何主体材料可以与任何掺杂剂一起使用，只要满足三重态准则即可。

HBL：

空穴阻挡层(HBL)可用以减少离开发射层的空穴和/或激子的数目。与缺乏阻挡层的类似装置相比，此类阻挡层在装置中的存在可以产生大体上较高的效率和/或较长的寿命。此外，可以使用阻挡层来将发射限制于OLED的所需区域。在一些实施例中，与最接近HBL界面的发射体相比，HBL材料具有较低HOMO(距真空能级较远)和/或较高三重态能量。在一些实施例中，与最接近HBL界面的主体中的一或多种相比，HBL材料具有较低HOMO(距真空能级较远)和/或较高三重态能量。

ETL：

电子传输层(ETL)可以包括能够传输电子的材料。电子传输层可以是固有的(未经掺杂的)或经掺杂的。可以使用掺杂来增强导电性。ETL材料的实例不受特别限制，并且可以使用任何金属络合物或有机化合物，只要其通常用以传输电子即可。

电荷产生层(CGL)

在串联或堆叠OLED中，CGL对性能起基本作用，其由分别用于注入电子和空穴的经n掺杂的层和经p掺杂的层组成。电子和空穴由CGL和电极供应。CGL中消耗的电子和空穴由分别从阴极和阳极注入的电子和空穴再填充；随后，双极电流逐渐达到稳定状态。典型CGL材料包括传输层中所用的n和p导电性掺杂剂。

实验章节

主体H1、主体H2和主体H3的三重态能量(T1)显示于表1中。T1是由冷冻样品在2-MeTHF中、在77K下的门控发射的最大峰值获得。在配备有氙闪光灯(闪光延迟为10毫秒且收集窗为50毫秒)的Horiba Fluorolog-3光谱荧光计上收集门控发射光谱。在300nm激发样品。

利用溶液电化学法测定主体H1、主体H2和主体H3的LUMO值，如表1中所示。使用CHInstruments型号6201B恒电位器，使用无水二甲基甲酰胺溶剂和四丁铵六氟磷酸盐作为负载电解质来执行溶液循环伏安法和差示脉冲伏安法。玻璃碳和铂和银导线分别用作工作电极、反电极和参比电极。以内部二茂铁-二茂铁盐氧化还原对(Fc/Fc+)作为内标，通过利用差示脉冲伏安法测量峰值电位差来测量电化学电位。根据文献((a)芬克R.(Fink R.)；海斯克尔Y.(Heischkel Y.)；塞拉卡特M.(Thelakkat M.)；施密特H.-W.(Schmidt H.-W.)，材料化学(Chem.Mater.)1998,10,3620-3625；(b)波默J.(Pommerehne J.)；韦斯特韦伯H.(Vestweber H.)；盖斯W.(Guss W.)；马赫特R.F.(Mahrt R.F.)；巴斯勒H.(Bassler H.)；波尔施M.(Porsch M.)；多布(Daub)，先进材料杂志(J.Adv.Mater.)1995,7,551)，通过将阳离子和阴离子氧化还原电位相对于二茂铁参比(4.8eV相对于真空)来测定相应的最高占用分子轨道(HOMO)和最低未占用分子轨道(LUMO)能量。

表1：光电特性

使用主体H1、主体H2和主体H3作为电子传输主体且使用受体1作为荧光受体来制造OLED装置。装置结果显示于表2中，其中EQE和电压是在10mA/cm²下获取，并且寿命(LT₉₀)是在20mA/cm²的恒定电流密度下，亮度降低到初始亮度90％的时间。

OLED在玻璃衬底上生长而成，所述玻璃衬底预涂有薄层电阻为15-Ω/sq的氧化铟锡(ITO)层。在任何有机层沉积或涂布之前，衬底用溶剂去除油污，然后在100毫托、50W下用氧等离子体处理1.5分钟并且用UV臭氧处理5分钟。在高度真空(<10^-6托)中通过热蒸发制造装置。阳极电极是氧化铟锡(ITO)。所有装置在制成之后，立即在氮气手套箱(H₂O和O₂<1ppm)中用玻璃盖封装，用环氧树脂密封，其中在封装内部并入除湿剂。掺杂百分比是体积百分比。

表2中所示的装置中的有机层由以下依序组成：ITO表面；化合物1(HIL)；化合物2(HTL)；/>化合物3(EBL)；/>掺杂有X％主体、12％磷光体1和0或1.5％受体1的化合物3(EML)；/>主体(BL)；/>掺杂有35％化合物6的化合物5(ETL)；/>化合物5(EIL)，继之为/>的Al(阴极)。具有主体H1、主体H2和主体H3、具有以及不具有受体1的装置的装置性能显示于表1中。相对于比较例5的值，报告装置实例1和比较例1至4的V、EQE和LT₉₀。

表2：装置数据

上述数据展示，相对于五个比较装置，装置实例1展现最长寿命、最低电压和最高EQE。相较于不含有萤光团的比较例1、比较例3和比较例5，装置寿命延长至少29％，且相较于具有含有萤光团的主体H2和主体H3的装置，寿命延长至少81％，这超出可归因于实验误差的任何值，并且观察到的改进是显著的。基于主体材料具有相似LUMO能级且都含有相同荧光受体和/或磷光体的事实，在以上数据中观察到的显著性能改进是出人意料的。添加受体之后，主体H1使寿命延长29％，与之相反，主体H2和主体H3使寿命分别下降35％和29％。不受任何理论限制，含硼主体与使用荧光受体的组合所引起的出人意料的改进可归因于主体H1的三角烯硼核心与受体1的三角烯硼核心之间存在有利的分子间相互作用。

在室温下，在2-MeTHF中测量脱气的溶液样品中的磷光体2、磷光体3、磷光体4和磷光体5的磷光发射光谱。在配备有Synapse Plus CCD检测器的Horiba Fluorolog-3光谱荧光计上测量发射。T1起点是与20％峰强度的高能发射边缘对应的波长并且λ_max是在这些光谱中的每一者的发射峰处获取。在340nm激发样品。

表3：若干磷光体的光谱重叠积分

发射体	T1起点	λmax	光谱重叠(cm-1nm4M-1)
				磷光体2	438nm	449nm	5.54x1014
磷光体3	441nm	451nm	5.31x1014
				磷光体4	440nm	454nm	4.86x1014
磷光体5	434nm	464nm	3.91x1014

以上数据展示，含有稠环系统、磷光体2、磷光体3和磷光体4的络合物具有较窄的发射光谱并且因此具有较高的光谱重叠积分。磷光体2、磷光体3和磷光体4的光谱重叠积分相较于比较化合物磷光体5高出24-42％，此超出可归因于实验误差的任何值，并且观察到的改进是显著的。基于磷光体2、磷光体3和磷光体4具有类似或略微红移的三重态能量起点的事实，以上数据的显著性能改进是出人意料的。不受任何理论束缚，磷光体2、磷光体3和磷光体4中的每一者上的多环稠环结构产生更加以配体为中心的发射特征，从而缩窄发射谱带。在无需此高三重态能量的情况下，三重态起点与发射峰之间的小差异确保大量的光谱重叠。类似地，窄发射宽度确保最大量的发射区域与受体吸收重叠。应用稠环结构优化光谱重叠当与在另一光谱区域中发射的不同受体适当搭配时，预期可转换成其它发射颜色。

使用以下材料组来制造额外的OLED装置。

使具有有机层的两个装置生长而成，所述有机层由以下依序组成：ITO表面；化合物1(HIL)；/>化合物2(HTL)；/>化合物3(EBL)；/>掺杂有50％化合物4、12％磷光体6或磷光体7和0.8％受体3的化合物3(EML)；/>的E主体(BL)；/> 掺杂有35％化合物6的化合物5(ETL)；/>化合物5(EIL)；继之为/>的Al(阴极)。发射特征、电压和EQE是在10mA/cm²下获取且报告于表4中。相对于比较例6的值，报告实例2的电压和EQE。

表4：装置数据

装置	磷光体	CIE	λmax(nm)	相对V	相对EQE
						实例2	磷光体6	(0.125,0.138)	470	1.00	1.00
比较例6	磷光体7	(0.125,0.139)	469	0.95	1.07

以上数据展示，相较于不含稠环结构的发射体，含有稠环结构的敏化剂具有更高EQE和更低V。EQE增加7％和V降低5％都超出可归因于实验误差的任何值且观察到的改进是显著的。每个装置的类似发射特性表明，发射主要来源于荧光受体。基于装置结构是类似的且最终都是从同一荧光发射体发射的事实，在以上数据中观察到的显著性能改进是出人意料的。不受任何理论限制，此改进可归因于平面稠环结构所引起的更佳电荷再结合效率。

应理解，本文所述的各种实施例仅为了举例，并且不希望限制本发明的范围。举例来说，可以在不背离本发明的精神的情况下用其它材料和结构取代本文所述的许多材料和结构。所要求的本发明因此可以包括本文所述的具体实例和优选实施例的变化形式，如所属领域的技术人员将显而易见。应理解，关于本发明为何起作用的各种理论不希望具有限制性。

还应了解，本文所述的所有化合物和装置的实施例如果在整个公开的不同方面也适用，则那些实施例可互换。

Claims (15)

1.一种有机发光装置OLED，其包含：

阳极；

阴极；和

安置于所述阳极与所述阴极之间的发射区域；

其中所述发射区域包含：

第一化合物S1；

第二化合物A1；和

第三化合物H1；

其中所述第一化合物S1能够在室温下发射磷光并且是将能量转移至所述第二化合物A1的敏化剂；

其中所述第二化合物A1是作为发射体的受体；并且

其中所述第三化合物H1是第一主体，且所述第一化合物S1和所述第二化合物A1中的至少一种掺杂于所述第三化合物H1中；

以下条件中的至少一个为真：

(1)所述第三化合物H1包含硼原子；或

(2)所述第一化合物S1是包含金属M和第一配体L_A的金属络合物，所述第一配体L_A包含至少一个部分F；其中所述至少一个部分F是包含两个或更多个5元至10元碳环或杂环的稠环系统且与所述金属M经由阴离子键接合；其中M选自由以下组成的群组：Ir、Rh、Re、Ru、Os、Pt、Pd、Zn、Ag、Au和Cu；并且其限制条件为如果M是Pt或Pd，则所述至少一个部分F不是非稠合咔唑。

2.根据权利要求1所述的OLED，其中所述第三化合物H1包含硼原子；且/或其中所述第一化合物S1能够在OLED中、在室温下充当热激活延迟荧光TADF发射体；且/或其中所述第一化合物S1能够在OLED中、在室温下发射从三重激发态到单重基态的光；且/或其中所述第一化合物S1与所述第三化合物H1在所述OLED中、在室温下形成激发复合物；且/或其中所述第二化合物A1是充当热激活延迟荧光TADF发射体的延迟荧光化合物或在所述OLED中、在室温下充当发射体的荧光化合物；且/或其中所述第一化合物S1部分或完全氘化；且/或其中所述第二化合物A1部分或完全氘化；且/或其中所述第三化合物H1部分或完全氘化。

3.根据权利要求1所述的OLED，其中所述第三化合物H1具有选自由以下组成的群组的结构：式I式II/>和式III/>

其中：

环B、C、D、E、F和G各自独立地是5元或6元碳环或杂环；

Y¹、Y²、Y³和Y⁴各自独立地是不存在的或选自由以下组成的群组：BR、BRR'、

NR、PR、P(O)R、O、S、Se、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR、C＝CRR'、S＝O、SO₂、

CR、CRR'、SiRR'、GeRR'、亚烷基、环烷基、芳基、亚环烷基、亚芳基、亚杂芳基和其组合；

X¹、X²和X³中的每一者独立地是C或N；

T¹是C或N；

W¹、W²、W³和W⁴中的每一者独立地是C或N；

每个独立地是单键或双键；

R^A、R^B、R^C、R^D、R^E、R^F和R^G中的每一者独立地表示单取代至最多个所允许的取代，或无取代；

每个R、R'、R^D1、R^E1、R^F1、R^G1、R^A、R^B、R^C、R^D、R^E、R^F和R^G独立地是氢或选自由以下组成的群组的取代基：氘、卤素、烷基、环烷基、杂烷基、杂环烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、锗烷基、硼烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羧酸、醚、酯、腈、异腈、硫基、亚磺酰基、磺酰基、膦基、硒烷基和其组合；并且

任何两个取代基可接合或稠合以形成环。

4.根据权利要求3所述的OLED，其中环B、C、D、E、F和G中的每一者独立地选自由以下组成的群组：苯、吡啶、嘧啶、哒嗪、吡嗪、三嗪、咪唑、吡唑、吡咯、噁唑、呋喃、噻吩、噻唑和三唑；且/或其中R、R'、R^D1、R^E1、R^F1、R^G1、R^A、R^B、R^C、R^D、R^E、R^F和R^G中的至少一个是存在的并且包含选自由以下组成的群组的部分：硅烷基、锗烷基、四亚苯、苯、吡啶、嘧啶、哒嗪、吡嗪、三嗪、咪唑、吡唑、吡咯、噁唑、呋喃、噻吩、噻唑、三唑、二苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并硒吩、咔唑、氮杂二苯并噻吩、氮杂二苯并呋喃、5λ2-苯并[d]苯并[4,5]咪唑并[3,2-a]咪唑、氮杂二苯并硒吩和其部分或完全氘化变体。

5.根据权利要求1所述的OLED，其中所述第三化合物H1具有选自由以下组成的群组的结构：

其中：

X⁴至X¹³中的每一者独立地是C或N；

T²至T¹⁸中的每一者独立地是C或N；

W⁵至W²²中的每一个独立地是C或N；

Y⁵和Y⁶各自独立地选自由以下组成的群组：BR、BRR'、NR、PR、P(O)R、O、S、Se、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR'、C＝CRR、S＝O、SO₂、CRR'、SiRR'和GeRR'；

R^BB、R^CC、R^DD、R^DA、R^EE、R^EA、R^FF、R^FA、R^GG和R^GA中的每一个独立地表示单取代，或直至最多个所允许的取代，或无取代；

每个R、R'、R^BB、R^CC、R^DD、R^DA、R^EE、R^EA、R^FF、R^FA、R^GG和R^GA独立地是氢或选自由以下组成的群组的取代基：氘、卤素、烷基、环烷基、杂烷基、杂环烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、锗烷基、硼烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羧酸、醚、酯、腈、异腈、硫基、亚磺酰基、磺酰基、膦基、硒烷基和其组合；并且

任何两个取代基可接合或稠合以形成环。

6.根据权利要求1所述的OLED，其中所述第三化合物H1具有选自由以下组成的群组的结构：

其中：

X³⁰、X³¹和X³²中的每一者独立地是C或N；

每个Y^A独立地选自由以下组成的群组：BR、BRR'、NR、PR、P(O)R、O、S、

Se、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR'、C＝CRR、S＝O、SO₂、CRR'、SiRR'和GeRR'；

R^AA、R^BB、R^CC、R^DD、R^DA、R^EE、R^EA、R^JJ、R^KK和R^LL中的每一者独立地表示单取代直至最多个取代，或无取代；

R、R'、R^AA、R^BB、R^CC、R^DD、R^DA、R^EE、R^EA、R^II、R^JJ、R^KK和R^LL独立地是氢或选自由以下组成的群组的取代基：氘、卤素、烷基、环烷基、杂烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羰基、羧酸、酯、腈、异腈、硫基、亚磺酰基、磺酰基、膦基、锗烷基、硒烷基和其组合；并且

任何两个相邻取代基可接合或稠合以形成环。

7.根据权利要求1所述的OLED，其中所述第三化合物H1具有选自由以下组成的群组的结构：

8.根据权利要求1所述的OLED，其中所述第一化合物S1的S₁-T₁能隙小于300meV；且/或其中所述第二化合物A1的S₁-T₁能隙小于300meV；且/或所述第二化合物A1具有30nm或更小的斯托克位移；且/或其中所述第一化合物S1在具有所述第三化合物H1作为主体的单色OLED中、在室温下具有最大发射波长λ_max1；其中藉由用所述第二化合物A1置换所述第一化合物S1，所述第二化合物A1在所述单色OLED中具有最大发射波长λ_max2；其中Δλ＝λ_max1-λ_max2；并且其中Δλ等于或小于选自由以下组成的群组的数值：15、12、10、8、6、4、2、0、-2、-4、-6、-8和-10nm；且/或其中当跨越所述装置施加电压时，所述OLED在室温下发出发光辐射；其中所述发光辐射包含由所述第二化合物A1贡献的第一辐射分量，其具有50nm或更小的半高全宽(FWHM)。

9.根据权利要求1所述的OLED，其中所述第一化合物S1具有式M(L¹)_x(L²)_y(L³)_z；

其中L¹、L²和L³可以相同或不同；

其中x是1、2或3；

其中y是0、1或2；

其中z是0、1或2；

其中x+y+z是所述金属M的氧化态；

其中L¹选自由以下清单4中的结构组成的群组：

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其中L²和L³独立地选自由以下组成的群组：和清单4中的结构；

其中：

T选自由B、Al、Ga和In组成的群组；

K¹'是直接键或选自由NR_e、PR_e、O、S和Se组成的群组；

每个Y¹至Y¹³独立地选自由碳和氮组成的群组；

Y'选自由以下组成的群组：B R_e、N R_e、P R_e、O、S、Se、C＝O、S＝O、SO₂、CR_eR_f、SiR_eR_f和GeR_eR_f；

R_e与R_f可稠合或接合以形成环；

每个R_a、R_b、R_c和R_d可独立地表示单取代到最大可能数目个取代，或无取代；每个R_a1、R_b1、R_c1、R_d1、R_a、R_b、R_c、R_d、R_e和R_f独立地是氢或选自由以下组成的群组的取代基：氘、卤素、烷基、环烷基、杂烷基、杂环烷基、硼烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、锗烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羧酸、醚、酯、腈、异腈、硫基、亚磺酰基、磺酰基、膦基、硒烷基和其组合；并且

R_a1、R_b1、R_c1、R_d1、R_a、R_b、R_c和R_d的任何两个相邻取代基可稠合或接合以形成环或形成多齿配体。

10.根据权利要求1所述的OLED，其中所述第一化合物S1选自由以下组成的群组：

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其中：

X⁹⁶至X⁹⁹中的每一者独立地是C或N；

Y¹⁰⁰和Y²⁰⁰中的每一者独立地选自由NR"、O、S和Se组成的群组；

L独立地选自由以下组成的群组：直接键、BR"、BR"R'"、NR"、PR"、O、S、Se、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR"、C＝CR"R'"、S＝O、SO₂、CR"、CR"R'"、SiR"R'"、GeR"R'"、烷基、环烷基、芳基、杂芳基和其组合；

X¹⁰⁰在每次出现时选自由O、S、Se、NR"和CR"R'"组成的群组；

每个R^10a、R^20a、R^30a、R^40a和R^50a、R^A"、R^B"、R^C"、R^D"、R^E"和R^F"独立地表示单取代至最大取代，或无取代；

每个R、R'、R"、R"'、R^10a、R^11a、R^12a、R^13a、R^20a、R^30a、R^40a、R^50a、R⁶⁰、R⁷⁰、R⁹⁷、R⁹⁸、R⁹⁹、R^A1'、R^A2'、R^A"、R^B"、R^C"、R^D"、R^E"、R^F"、R^G"、R^H"、R^I"、R^J"、R^K"、R^L"、R^M"和R^N"独立地为氢或选自由以下组成的群组的取代基：氘、卤素、烷基、环烷基、杂烷基、杂环烷基、硼烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、锗烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羧酸、醚、酯、腈、异腈、硫基、亚磺酰基、磺酰基、膦基、硒烷基和其组合。

11.根据权利要求1所述的OLED，其中所述第一化合物S1选自由以下组成的群组：

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12.根据权利要求1所述的OLED，其中所述第三化合物H1选自由以下组成的群组：

/>

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其中：

X³⁰、X³¹和X³²中的每一者独立地是C或N；

每个Y^A独立地选自由以下组成的群组：BR、BRR'、NR、PR、P(O)R、O、S、

Se、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR'、C＝CRR、S＝O、SO₂、CRR'、SiRR'和GeRR'；

R^AA、R^BB、R^CC、R^DD、R^DA、R^EE、R^EA、R^JJ、R^KK和R^LL中的每一者独立地表示单取代直至最多个取代，或无取代；

R、R'、R^AA、R^BB、R^CC、R^DD、R^DA、R^EE、R^EA、R^II、R^JJ、R^KK和R^LL独立地是氢或选自由以下组成的群组的取代基：氘、卤素、烷基、环烷基、杂烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羰基、羧酸、酯、腈、异腈、硫基、亚磺酰基、磺酰基、膦基、锗烷基、硒烷基和其组合；并且

任何两个相邻取代基可接合或稠合以形成环。

13.根据权利要求1所述的OLED，其中所述第一化合物S1是金属络合物，其包含金属M和含有至少一个部分F的第一配体L_A；其中所述至少一个部分F是包含两个或更多个5元至10元碳环或杂环的稠环系统并且经由阴离子键与所述金属M接合；其中M选自由以下组成的群组：Ir、Rh、Re、Ru、Os、Pt、Pd、Zn、Ag、Au和Cu；并且其限制条件为如果M是Pt或Pd，则所述至少一个部分F不是非稠合咔唑；且/或其中所述稠环系统包含由以下组成的群组：啡啶咪唑、二氮杂硼杂苯、被取代或未被取代的二苯并噻吩、被取代或未被取代的二苯并硒吩、被取代或未被取代的咔唑、被取代的二苯并呋喃、氮杂啡啶咪唑、被取代或未被取代的氮杂二苯并噻吩、被取代或未被取代的氮杂二苯并硒吩、被取代或未被取代的氮杂咔唑、被取代或未被取代的氮杂二苯并呋喃、被取代或未被取代的苯并噻吩、被取代或未被取代的苯并硒吩、被取代或未被取代的吲哚、被取代或未被取代的苯并呋喃、被取代或未被取代的苯并咪唑、被取代或未被取代的苯并噁唑、被取代或未被取代的苯并噻唑、被取代或未被取代的苯并噁二唑、被取代或未被取代的苯并噻二唑和包含4个或更多个稠环的基团；且/或其中所述第三化合物H1包含选自由以下组成的群组的部分：联咔唑、吲哚并咔唑、1-N吲哚并咔唑、吡啶、嘧啶、吡嗪、三嗪、二苯并呋喃、二苯并噻吩、二苯并硒吩、氮杂二苯并噻吩、氮杂二苯并硒吩、氮杂咔唑、氮杂二苯并呋喃、硅烷基、苯基腈和硼烷基；且/或其中所述第一化合物S1具有<50nm的半高全宽FWHM。

14.根据权利要求13所述的OLED，其中所述至少一个部分F选自由以下组成的群组：

其中：

X¹-X¹⁸中的每一者可以独立地是C或N；

Y^A、Y^B和Y^C各自独立地选自由以下组成的群组：BR、BRR'、NR、PR、P(O)R、

O、S、Se、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR、C＝CRR'、S＝O、SO₂、CR、CRR'、SiRR'、

GeRR'、亚烷基、环烷基、芳基、亚环烷基、亚芳基、亚杂芳基和其组合；

每个R^L1、R和R'独立地是氢或选自由以下组成的群组的取代基：氘、卤素、烷基、环烷基、杂烷基、杂环烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、锗烷基、硼烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羧酸、醚、酯、腈、异腈、硫基、亚磺酰基、磺酰基、膦基、硒烷基和其组合；并且

任何两个取代基可接合或稠合以形成环。

15.根据权利要求13所述的OLED，其中所述化合物S1选自由以下结构组成的群组：

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其中：

X⁹⁶至X⁹⁹中的每一者独立地是C或N；

每个Y¹⁰⁰独立地选自由NR、O、S和Se组成的群组；

L独立地选自由以下组成的群组：直接键、BR、BRR'、NR、PR、O、S、Se、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR、C＝CRR'、S＝O、SO₂、CR、CRR'、SiRR'、GeRR'、烷基、环烷基、芳基、杂芳基和其组合；

X¹⁰⁰和X²⁰⁰在每次出现时选自由O、S、Se、NR和CRR'组成的群组；

每个R^10a、R^20a、R^30a、R^40a、R^50a、R^A"、R^B"、R^C"、R^D"、R^E"和R^F"独立地表示单取代直至最多个取代，或无取代；

R、R'、R"、R^10a、R^11a、R^12a、R^13a、R^20a、R^30a、R^40a、R^50a、R⁶⁰、R⁷⁰、R⁹⁷、R⁹⁸、R⁹⁹、R^A1'、R^A2'、R^A"、R^B"、R^C"、R^D"、R^E"、R^F"、R^G"、R^H"、R^I"、R^J"、R^K"、R^L"、R^M"和R^N"中的每一者独立地是氢或选自由以下组成的群组的取代基：氘、卤基、烷基、环烷基、杂烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、锗烷基、硼烷基、硒烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羰基、羧酸、酯、腈、异腈、硫基、亚磺酰基、磺酰基、膦基、其组合；

对于不包含含有两个或更多个5元和/或6元碳环或杂环的稠环系统的那些络合物来说，至少两个R^10a、两个R^20a、两个R^30a、两个R^40a、两个R^50a、R^A"、两个R^B"、两个R^C"、两个R^D"、两个R^E"或两个R^F"稠合以形成5元或6元环；并且

两个相邻R^10a、R^11a、R^12a、R^13a、R^20a、R^30a、R^40a、R^50a、R⁶⁰、R⁷⁰、R⁹⁷、R⁹⁸、R⁹⁹、R、R'、R^A1'、R^A2'、R^A"、R^B"、R^C"、R^D"、R^E"、R^F"、R^G"、R^H"、R^I"、R^J"、R^K"、R^L"、R^M"和R^N"可任选地接合以形成环。