CN116744711A - 有机电致发光材料和装置 - Google Patents
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Landscapes
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Abstract
本申请涉及有机电致发光材料和装置。提供一种有机发光装置，其包括包含以下各项的发光堆叠：第一电极；第二电极；安置于所述第一电极与所述第二电极之间的第一层。所述第一层可为空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发射层、空穴阻挡层、电子传输层或电子注入层。所述第一层包括混合在一起的第一化合物和第二化合物。所述第一化合物包括可为D、F、CN、Si、Ge、P、B或Se的第一元素(F1)。所述第二化合物包括可为D、F、CN、Si、Ge、P、B或Se的第一元素(S1)。所述第一化合物的所述第一元素可与所述第二化合物的所述第一元素(S1)相同或不同。
Description
相关申请的交叉参考
本申请根据35U.S.C.§119(e)要求2022年4月1日提交的美国临时申请第63/326,548号、2022年3月9日提交的美国临时申请第63/318,269号、2022年8月24日提交的美国临时申请第63/400,416号、2022年4月11日提交的美国临时申请第63/329,688号、2022年8月4日提交的美国临时申请第63/395,173号、2022年4月12日提交的美国临时申请第63/329,924号、2022年8月29日提交的美国临时申请第63/401,800号、2022年5月16日提交的美国临时申请第63/342,198号和2022年7月7日提交的美国临时申请第63/367,818号的优先权，所有以上专利的全部内容以引入的方式并入本文中。
技术领域
本公开大体上涉及OLED装置和其在包括消费型产品的相关电子装置中的用途。
背景技术
出于各种原因，利用有机材料的光电装置变得越来越受欢迎。用于制造所述装置的许多材料相对较为便宜，因此有机光电装置具有优于无机装置的成本优势的潜力。另外，有机材料的固有性质(例如其柔性)可以使其较适用于特定应用，如在柔性衬底上的制造。有机光电装置的实例包括有机发光二极管/装置(OLED)、有机光电晶体管、有机光伏电池和有机光电检测器。对于OLED，有机材料可以具有优于常规材料的性能优势。
OLED利用有机薄膜，其在电压施加于装置上时会发射光。OLED正成为用于如平板显示器、照明和背光的应用中的日益受关注的技术。
磷光发射分子的一个应用是全色显示器。针对此类显示器的行业标准需要适合于发射特定颜色(称为“饱和”色)的像素。具体来说，这些标准需要饱和红色、绿色和蓝色像素。或者，OLED可经设计以发射白光。在常规液晶显示器中，使用吸收滤光器过滤来自白色背光的发射以产生红色、绿色和蓝色发射。相同技术也可以用于OLED。白色OLED可以是单发射层(EML)装置或堆叠结构。可以使用所属领域中所熟知的CIE坐标来测量色彩。
发明内容
在一个方面中，本公开提供一种有机发光装置(OLED)，其包含含有以下的发光堆叠：第一电极；第二电极；安置于所述第一电极与所述第二电极之间的第一层；其中所述第一层选自由以下组成的群组：空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子阻挡层(EBL)、发射层(EML)、空穴阻挡层(HBL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)；其中所述第一层包含混合在一起的第一化合物和第二化合物；其中所述第一化合物包含选自由D、F、CN、Si、Ge、P、B和Se组成的群组的第一元素(F1)；其中所述第二化合物包含选自由D、F、CN、Si、Ge、P、B和Se组成的群组的第一元素(S1)；并且其中所述第一化合物的所述第一元素(F1)可与所述第二化合物的所述第一元素(S1)相同或不同。
在另一方面中，本公开提供一种包含如本公开所述的OLED的消费型产品。
附图说明
图1展示一种有机发光装置。
图2展示不具有独立电子传输层的倒置式有机发光装置。
具体实施方式
A.术语
除非另外规定，否则本文所用的以下术语定义如下：
如本文所用，术语“有机”包括可以用于制造有机光电装置的聚合材料和小分子有机材料。“小分子”是指并非聚合物的任何有机材料，并且“小分子”可能实际上相当大。在一些情况下，小分子可以包括重复单元。举例来说，使用长链烷基作为取代基并不会将某一分子从“小分子”类别中去除。小分子还可以并入聚合物中，例如作为聚合物主链上的侧接基团或作为主链的一部分。小分子还可以充当树枝状聚合物的核心部分，所述树枝状聚合物由一系列构建在核心部分上的化学壳层组成。树枝状聚合物的核心部分可以是荧光或磷光小分子发射体。树枝状聚合物可以是“小分子”，并且认为当前在OLED领域中使用的所有树枝状聚合物都是小分子。
如本文所用，“顶部”意指离衬底最远，而“底部”意指最靠近衬底。在第一层被描述为“安置于”第二层“上方”的情况下，第一层被安置于离基板较远处。除非规定第一层“与”第二层“接触”，否则第一与第二层之间可以存在其它层。举例来说，即使阴极和阳极之间存在各种有机层，仍可以将阴极描述为“安置于”阳极“上方”。
如本文所用，“溶液可处理”意指能够以溶液或悬浮液的形式在液体介质中溶解、分散或传输和/或从液体介质沉积。
当认为配体直接促成发射材料的光敏性质时，所述配体可以被称为“光敏性的”。当认为配体并不促成发射材料的光敏性质时，所述配体可以被称为“辅助性的”，但辅助性配体可以改变光敏性配体的性质。
如本文所用，并且如所属领域的技术人员通常将理解，如果第一能级较接近真空能级，那么第一“最高占用分子轨道”(Highest Occupied Molecular Orbital，HOMO)或“最低未占用分子轨道”(Lowest Unoccupied Molecular Orbital，LUMO)能级“大于”或“高于”第二HOMO或LUMO能级。由于将电离电位(IP)测量为相对于真空能级的负能量，因此较高HOMO能级对应于具有较小绝对值的IP(较不负(less negative)的IP)。类似地，较高LUMO能级对应于具有较小绝对值的电子亲和性(EA)(较不负的EA)。在顶部是真空能级的常规能级图上，材料的LUMO能级高于相同材料的HOMO能级。“较高”HOMO或LUMO能级表现为比“较低”HOMO或LUMO能级更靠近这个图的顶部。
如本文所用，并且如所属领域的技术人员通常将理解，如果第一功函数具有较高绝对值，那么第一功函数“大于”或“高于”第二功函数。因为通常将功函数测量为相对于真空能级的负数，所以这意指“较高”功函数是更负的(more negative)。在顶部是真空能级的常规能级图上，“较高”功函数经说明为在向下方向上离真空能级较远。因此，HOMO和LUMO能级的定义遵循与功函数不同的定则。
术语“卤”、“卤素”和“卤基”可互换地使用并且指氟、氯、溴和碘。
术语“酰基”是指被取代的羰基(C(O)-Rs)。
术语“酯”是指被取代的氧基羰基(-O-C(O)-Rs或-C(O)-O-Rs)基团。
术语“醚”是指-ORs基团。
术语“硫基”或“硫醚”可互换地使用并且指-SRs基团。
术语“硒烷基”是指-SeRs基团。
术语“亚磺酰基”是指-S(O)-Rs基团。
术语“磺酰基”是指-SO2-Rs基团。
术语“膦基”是指-P(Rs)3基团，其中每个Rs可以相同或不同。
术语“硅烷基”是指-Si(Rs)3基团，其中每个Rs可以相同或不同。
术语“锗烷基”是指-Ge(Rs)3基团，其中每个Rs可以相同或不同。
术语“硼烷基”是指-B(Rs)2基团或其路易斯加合物(Lewis adduct)-B(Rs)3基团，其中Rs可以相同或不同。
在上述每一个中，Rs可以是氢或选自由以下组成的群组的取代基：氘、卤素、烷基、环烷基、杂烷基、杂环烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基和其组合。优选的Rs选自由以下组成的群组：烷基、环烷基、芳基、杂芳基和其组合。
术语“烷基”是指并且包括直链和支链烷基。优选的烷基是含有一到十五个碳原子的烷基，并且包括甲基、乙基、丙基、1-甲基乙基、丁基、1-甲基丙基、2-甲基丙基、戊基、1-甲基丁基、2-甲基丁基、3-甲基丁基、1,1-二甲基丙基、1,2-二甲基丙基、2,2-二甲基丙基等。另外，烷基可以任选地被取代。
术语“环烷基”是指并且包括单环、多环和螺烷基。优选的环烷基为含有3到12个环碳原子的环烷基，并且包括环丙基、环戊基、环己基、双环[3.1.1]庚基、螺[4.5]癸基、螺[5.5]十一烷基、金刚烷基等。另外，环烷基可以任选地被取代。
术语“杂烷基”或“杂环烷基”分别指烷基或环烷基，其具有至少一个被杂原子置换的碳原子。任选地，所述至少一个杂原子选自O、S、N、P、B、Si和Se，优选地O、S或N。另外，杂烷基或杂环烷基可以任选地被取代。
术语“烯基”是指并且包括直链和支链烯基。烯基基本上是在烷基链中包括至少一个碳-碳双键的烷基。环烯基基本上是在环烷基环中包括至少一个碳-碳双键的环烷基。如本文所用的术语“杂烯基”是指至少一个碳原子被杂原子置换的烯基。任选地，所述至少一个杂原子选自O、S、N、P、B、Si和Se，优选地O、S或N。优选的烯基、环烯基或杂烯基是含有二到十五个碳原子的那些。另外，烯基、环烯基或杂烯基可以任选地被取代。
术语“炔基”是指并且包括直链和支链炔基。炔基本质上是在烷基链中包括至少一个碳-碳三键的烷基。优选的炔基是含有二到十五个碳原子的炔基。另外，炔基可以任选地被取代。
术语“芳烷基”或“芳基烷基”可互换地使用并且是指被芳基取代的烷基。另外，芳烷基可以任选地被取代。
术语“杂环基”是指并且包括含有至少一个杂原子的芳香族和非芳香族环状基团。任选地，所述至少一个杂原子选自O、S、N、P、B、Si和Se，优选地O、S或N。芳香族杂环基可与杂芳基互换使用。优选的非芳香族杂环基是含有包括至少一个杂原子的3到7个环原子的杂环基，并且包括环胺，如吗啉基、哌啶基、吡咯烷基等，和环醚/硫醚，如四氢呋喃、四氢吡喃、四氢噻吩等。另外，杂环基可以是任选被取代的。
术语“芳基”是指并且包括单环芳香族烃基和多环芳香族环系统。多环可以具有其中两个碳为两个邻接环(所述环是“稠合的”)共用的两个或更多个环，其中所述环中的至少一个是芳香族烃基，例如其它环可以是环烷基、环烯基、芳基、杂环和/或杂芳基。优选的芳基是含有六到三十个碳原子、优选六到二十个碳原子、更优选六到十二个碳原子的芳基。尤其优选的是具有六个碳、十个碳或十二个碳的芳基。合适的芳基包括苯基、联苯、联三苯、三亚苯、四亚苯、萘、蒽、萉、菲、芴、芘、苝和薁，优选苯基、联苯、联三苯、三亚苯、芴和萘。另外，芳基可以任选地被取代。
术语“杂芳基”是指并且包括了包括至少一个杂原子的单环芳香族基团和多环芳香族环系统。杂原子包括但不限于O、S、N、P、B、Si和Se。在许多情况下，O、S或N是优选的杂原子。单环杂芳香族系统优选是具有5或6个环原子的单环，并且环可以具有一到六个杂原子。杂多环系统可以具有其中两个原子为两个邻接环(所述环是“稠合的”)共用的两个或更多个环，其中所述环中的至少一个是杂芳基，例如其它环可以是环烷基、环烯基、芳基、杂环和/或杂芳基。杂多环芳香族环系统可以在多环芳香族环系统的每个环上具有一到六个杂原子。优选的杂芳基是含有三到三十个碳原子、优选三到二十个碳原子、更优选三到十二个碳原子的杂芳基。合适的杂芳基包括二苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并硒吩、呋喃、噻吩、苯并呋喃、苯并噻吩、苯并硒吩、咔唑、吲哚并咔唑、吡啶基吲哚、吡咯并二吡啶、吡唑、咪唑、三唑、噁唑、噻唑、噁二唑、噁三唑、二噁唑、噻二唑、吡啶、哒嗪、嘧啶、吡嗪、三嗪、噁嗪、噁噻嗪、噁二嗪、吲哚、苯并咪唑、吲唑、吲噁嗪、苯并噁唑、苯并异噁唑、苯并噻唑、喹啉、异喹啉、噌啉、喹唑啉、喹喔啉、萘啶、酞嗪、喋啶、氧杂蒽(xanthene)、吖啶、吩嗪、吩噻嗪、吩噁嗪、苯并呋喃并吡啶、呋喃并二吡啶、苯并噻吩并吡啶、噻吩并二吡啶、苯并硒吩并吡啶和硒吩并二吡啶，优选二苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并硒吩、咔唑、吲哚并咔唑、咪唑、吡啶、三嗪、苯并咪唑、1,2-氮杂硼烷、1,3-氮杂硼烷、1,4-氮杂硼烷、硼氮炔和其氮杂类似物。另外，杂芳基可以任选地被取代。
在上面列出的芳基和杂芳基中，三亚苯、萘、蒽、二苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并硒吩、咔唑、吲哚并咔唑、咪唑、吡啶、吡嗪、嘧啶、三嗪和苯并咪唑以及其各自对应的氮杂类似物尤其受到关注。
如本文所用的术语烷基、环烷基、杂烷基、杂环烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳烷基、杂环基、芳基和杂芳基独立地为未取代的或独立地被一或多个一般取代基取代。
在许多情况下，一般取代基选自由以下组成的群组：氘、卤素、烷基、环烷基、杂烷基、杂环烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、锗烷基、硼烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羧酸、醚、酯、腈、异腈、硫基、硒烷基、亚磺酰基、磺酰基、膦基和其组合。
在一些情况下，优选的一般取代基选自由以下组成的群组：氘、氟、烷基、环烷基、杂烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、锗烷基、硼烷基、烯基、环烯基、杂烯基、芳基、杂芳基、腈、异腈、硫基和其组合。
在一些情况下，更优选的一般取代基选自由以下组成的群组：氘、氟、烷基、环烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、芳基、杂芳基、硫基和其组合。
在其它情况下，最优选的一般取代基选自由以下组成的群组：氘、氟、烷基、环烷基、芳基、杂芳基和其组合。
术语“被取代的”和“取代”是指除H以外的取代基键结到相关位置，例如碳或氮。举例来说，当R1表示单取代时，则一个R1必须不是H(即，取代)。类似地，当R1表示二取代时，则两个R1必须不是H。类似地，当R1表示零或无取代时，R1例如可以是环原子可用价数的氢，如苯的碳原子和吡咯中的氮原子，或对于具有完全饱和价数的环原子仅表示无，例如吡啶中的氮原子。环结构中可能的最大取代数目将取决于环原子中可用价数的总数目。
如本文所使用，“其组合”表示适用清单的一或多个成员被组合以形成本领域普通技术人员能够从适用清单中设想的已知或化学稳定的布置。举例来说，烷基和氘可以组合形成部分或完全氘化的烷基；卤素和烷基可以组合形成卤代烷基取代基；并且卤素、烷基和芳基可以组合形成卤代芳烷基。在一个实例中，术语取代包括两到四个列出的基团的组合。在另一个实例中，术语取代包括两到三个基团的组合。在又一实例中，术语取代包括两个基团的组合。取代基的优选组合是含有多达五十个不是氢或氘的原子的组合，或包括多达四十个不是氢或氘的原子的组合，或包括多达三十个不是氢或氘的原子的组合。在许多情况下，取代基的优选组合将包括多达二十个不是氢或氘的原子。
本文所述的片段，即氮杂-二苯并呋喃、氮杂-二苯并噻吩等中的“氮杂”名称意指相应芳香族环中的C-H基团中的一或多个可以被氮原子置换，例如并且无任何限制性，氮杂三亚苯涵盖二苯并[f,h]喹喔啉和二苯并[f,h]喹啉。所属领域的一般技术人员可以容易地预想上文所述的氮杂-衍生物的其它氮类似物，并且所有此类类似物都意图由如本文所阐述的术语涵盖。
如本文所用，“氘”是指氢的同位素。氘代化合物可以使用本领域已知的方法容易地制备。举例来说，美国专利第8,557,400号、专利公开第WO 2006/095951号和美国专利申请公开第US 2011/0037057号(其以全文引用的方式并入本文中)描述了氘取代的有机金属络合物的制备。进一步参考鄢明(Ming Yan)等人,四面体(Tetrahedron)2015,71,1425-30和阿兹罗特(Atzrodt)等人,德国应用化学(Angew.Chem.Int.Ed.)(综述)2007,46,7744-65(其以全文引用的方式并入)分别描述了苄基胺中亚甲基氢的氘化和用氘置换芳香族环氢的有效途径。
应理解，当将分子片段描述为取代基或另外连接到另一部分时，其名称可以如同其是片段(例如苯基、亚苯基、萘基、二苯并呋喃基)一般或如同其是整个分子(例如苯、萘、二苯并呋喃)一般书写。如本文所用，这些不同的命名取代基或连接片段的方式被视为等效的。
在一些情况下，一对相邻取代基可以任选地接合或稠合成环。优选的环是五、六或七元碳环或杂环，包括由所述一对取代基形成的环的一部分为饱和以及由所述一对取代基形成的环的一部分为不饱和的两种情况。如本文所用，“相邻”意味着所涉及的两个取代基可以在相同环上彼此紧接，或在具有两个最接近的可用可取代位置(如联苯中的2、2'位置或萘中的1、8位置)的两个邻近环上，只要其可以形成稳定稠环系统即可。
本文可以参考层、材料、区和装置发射的光的颜色来对其进行描述。一般来说，如本文所用，被描述为产生特定颜色的光的发射区域可以包括以堆叠方式安置在彼此上的一或多个发射层。
如本文所用，“红色”层、材料、区域或装置是指在约580-700nm范围内发射光或其发射光谱在所述区域中具有最高峰的层。类似地，“绿色”层、材料、区域或装置是指发射或具有峰值波长在约500-600nm范围内的发射光谱的一者；“蓝色”层、材料或装置是指发射或具有峰值波长在约400-500nm范围内的发射光谱的一者；且“黄色”层、材料、区域或装置是指具有峰值波长在约540-600nm范围内的发射光谱的一者。在一些布置中，单独的区域、层、材料、区域或装置可以提供单独的“深蓝色”和“浅蓝色”光。如本文所用，在提供单独的“浅蓝色”和“深蓝色”的布置中，“深蓝色”分量是指峰值发射波长比“浅蓝色”分量的峰值发射波长小至少约4nm的分量。通常，“浅蓝色”分量的峰值发射波长在约465-500nm范围内，且“深蓝色”分量的峰值发射波长在约400-470nm范围内，但是对于一些配置来说这些范围可以变化。类似地，变色层是指将另一颜色的光转换或修改成具有指定用于所述颜色的波长的光的层。举例来说，“红色”滤光片是指形成具有在约580-700nm范围内的波长的光的滤光片。一般来说，存在两类变色层：通过去除光的非所需波长修改光谱的彩色滤光片，以及将较高能量的光子转换成较低能量的变色层。“颜色的”分量是指在激活或使用时产生或以其它方式发射具有如先前所述的特定颜色的光的分量。举例来说，“第一颜色的第一发射区域”和“不同于第一颜色的第二颜色的第二发射区域”描述当在装置内激活时发射如先前所述的两种不同颜色的两个发射区域。
如本文所用，发射材料、层和区域可基于由所述材料、层或区域初始产生的光，而不是由相同或不同结构最终发射的光彼此区分开，并与其它结构区分开。初始光产生通常是导致光子发射的能级变化的结果。举例来说，有机发射材料可初始地产生蓝光，所述蓝光可通过彩色滤光片、量子点或其它结构转换成红光或绿光，使得完整的发射堆叠或子像素发射红光或绿光。在此情况下，初始发射材料或层可被称为“蓝色”分量，即使子像素为“红色”或“绿色”分量。
在一些情况下，可优选地根据1931CIE坐标描述分量，如发射区域、子像素、变色层等的颜色。举例来说，黄色发射材料可具有多个峰值发射波长，一个在“绿色”区域的边缘中或附近，且一个在“红色”区域的边缘内或附近，如先前所描述。因此，如本文所用，每一颜色项还对应于1931CIE坐标颜色空间中的形状。1931CIE颜色空间中的形状是通过跟随两个颜色点与任何其它内部点之间的轨迹构造的。举例来说，可如下所示地定义红色、绿色、蓝色和黄色的内部形状参数：
B.本公开的OLED和装置
在一个方面中，本公开提供一种有机发光装置(OLED)，其包含含有以下的发光堆叠：第一电极；第二电极；安置于所述第一电极与所述第二电极之间的第一层；其中所述第一层选自由以下组成的群组：空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子阻挡层(EBL)、发射层(EML)、空穴阻挡层(HBL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)；其中所述第一层包含混合在一起的第一化合物和第二化合物；其中所述第一化合物包含选自由D、F、CN、Si、Ge、P、B和Se组成的群组的第一元素(F1)；其中所述第二化合物包含选自由D、F、CN、Si、Ge、P、B和Se组成的群组的第一元素(S1)；并且其中所述第一化合物的所述第一元素(F1)可与所述第二化合物的所述第一元素(S1)相同或不同。
应理解，就EML和阳极和阴极电极而言，层EBL、HTL和HIL组与层HBL、ETL和EIL组在OLED中的位置次序如图1中所示。
在一些实施例中，OLED是具有一个如本文所定义的发光堆叠的单堆叠装置。在一些实施例中，OLED可以是堆叠装置，其是指其中两个或更多个发光堆叠串联堆叠的OLED。在堆叠装置中，位于两个相邻发光堆叠之间的电极称为CGL。
在本公开中，多组分层中的每种组分是指化合物且意指层中的多种化合物在所述层中混合在一起。在此类多组分层中，化合物中的每一种在所述层的整体中可具有均一的浓度，或可以浓度梯度分布存在于所述层的整个厚度中。换句话说，如果将x-y-z坐标系应用于层且x-y平面表示层的平面，那么化合物的浓度梯度分布限定了所述化合物的浓度沿着所述层的z轴的变化。给定层中的每种化合物独立地具有其自身的浓度梯度分布。在一些实施例中，两种或更多种化合物中的每一种在给定层中的浓度梯度分布可以相同或不同。
一般来说，指定的OLED装置中可以缺少一些功能层(例如HIL、HTL、EBL、HBL、EIL、ETL，不论其是否是多组分类型与否)。然而，功能层对HTL/HIL和/或ETL/EIL当其相应EBL和/或HBL存在于OLED中时，被认为是必需层。换句话说，EBL和HBL各自仅可在以下情况下存在：相应电极与EML之间存在至少三个不同层；三个层包括EBL或HBL(此视OLED的电极侧而定)。举例来说，如果OLED在EML与阳极之间具有邻接于EML的EBL，则EBL与阳极之间必须存在HTL和HIL。如果OLED在EML与阴极之间具有邻接于EML的HBL，则HBL与阴极之间必须存在ETL和EIL。然而，功能层对HTL/HIL和/或ETL/EIL可存在于不存在EBL或HBL的OLED中。
在一些实施例中，第一化合物进一步包含选自由以下组成的群组的第二元素(F2)：D、F、CN、Si、Ge、P、B和Se；并且其中所述第一化合物的第一元素(F1)不同于所述第一化合物的第二元素(F2)。
在一些实施例中，第二化合物进一步包含选自由以下组成的群组的第二元素(S2)：D、F、CN、Si、Ge、P、B和Se；并且其中所述第二化合物的第一元素(S1)不同于所述第二化合物的第二元素(S2)。
在一些实施例中，第一化合物进一步包含选自由以下组成的群组的第三元素(F3)：D、F、CN、Si、Ge、P、B和Se；并且其中所述第一化合物的第一元素、第二元素和第三元素彼此不同。
在一些实施例中，第二化合物进一步包含选自由以下组成的群组的第三元素(S3)：D、F、CN、Si、Ge、P、B和Se；其中所述第二化合物的第一元素、第二元素和第三元素彼此不同。
在一些实施例中，包含F1的取代基定义为FS1，包含F2的取代基定义为FS2，包含F3的取代基定义为FS3，包含S1的取代基定义为SS1，包含S2的取代基定义为SS2，包含S3的取代基定义为SS3。
在一些实施例中，第一化合物的第一元素(F1)和第二元素(F2)均连接于相同环。在一些实施例中，第一化合物的第一元素(F1)、第二元素(F2)和第三元素(F3)中的任何两个连接于相同环。在一些实施例中，第一化合物的第一元素(F1)、第二元素(F2)和第三元素(F3)均连接于相同环。
在一些实施例中，第一化合物的FS1和FS2均连接于相同环。在一些实施例中，第一化合物的FS1、FS2和FS3中的任何两个连接于相同环。在一些实施例中，第一化合物的FS1、FS2和FS3中的每一个均连接于相同环。
在一些实施例中，第一化合物的第一元素(F1)和第二元素(F2)均连接于不同环。在一些实施例中，第一化合物的第一元素(F1)、第二元素(F2)和第三元素(F3)中的每一个连接于不同环。
在一些实施例中，第一化合物的FS1和FS2连接于不同环。在一些实施例中，第一化合物的FS1、FS2和FS3中的每一个连接于不同环。
在一些实施例中，第二化合物的第一元素(S1)和第二元素(S2)均连接于相同环。在一些实施例中，第二化合物的第一元素(S1)、第二元素(S2)和第三元素(S3)中的任何两个连接于相同环。在一些实施例中，第二化合物的第一元素(S1)、第二元素(S2)和第三元素(S3)均连接于相同环。
在一些实施例中，第二化合物的SS1和SS2均连接于相同环。在一些实施例中，第二化合物的SS1、SS2和SS3中的任何两个连接于相同环。在一些实施例中，第二化合物的SS1、SS2和SS3中的每一个均连接于相同环。
在一些实施例中，第二化合物的第一元素(S1)和第二元素(S2)连接于不同环。在一些实施例中，第二化合物的第一元素(S1)、第二元素(S2)和第三元素(S3)中的每一个连接于不同环。
在一些实施例中，第二化合物的SS1和SS2连接于不同环。在一些实施例中，第二化合物的SS1、SS2和SS3中的每一个连接于不同环。
在一些实施例中，第一化合物和/或第二化合物可包含具有CN基团的经Si取代且氘化的芳基。在一些实施例中，第一化合物和/或第二化合物可包含不含CN基团的经Si取代且氘化的芳基。
在一些实施例中，第一化合物和/或第二化合物可包含经硅烷基取代的10luoro烷基。
在一些实施例中，第一层进一步包含与第一化合物和第二化合物混合的第三化合物；其中所述第三化合物包含至少一种选自由以下组成的群组的元素：D、F、CN、Si、Ge、P、B和Se。在一些以上实施例中，第三化合物包含至少两种选自由以下组成的群组的不同元素：D、F、CN、Si、Ge、P、B和Se。在一些以上实施例中，第三化合物包含至少三种选自由以下组成的群组的不同元素：D、F、CN、Si、Ge、P、B和Se。
在一些实施例中，OLED进一步包含安置于第一电极与第二电极之间的第二层；其中所述第二层选自由以下组成的群组：HIL、HTL、EBL、EML、HBL、ETL和EIL；第二层为与第一层类型不同的层；并且第二层包含第三化合物；其中所述第三化合物包含至少一种选自由以下组成的群组的元素：D、F、CN、Si、Ge、P、B和Se。在一些以上实施例中，第三化合物包含至少两种选自由以下组成的群组的不同元素：D、F、CN、Si、Ge、P、B和Se。在一些以上实施例中，第三化合物包含至少三种选自由以下组成的群组的不同元素：D、F、CN、Si、Ge、P、B和Se。
在一些实施例中，第一层为EML。
在一些实施例中，第一层为EBL或HBL。
在一些实施例中，第一层为HIL或HTL。
在一些实施例中，第一层为ETL或EIL。
在一些实施例中，第一层为EML；其中第一化合物为第一发射体，第二化合物为第一主体。在一些此类实施例中，第一元素为D，并且第一化合物包含完全或部分氘化烷基和完全或部分氘化芳基两者。在这些实施例中的一些中，第二化合物的第一元素(S1)为B。在这些实施例中的一些中，第二化合物的第二元素(S2)为D。在这些实施例中的一些中，第二化合物的第一元素S1为CN。在这些实施例中的一些中，第二化合物的第一元素S1为Ge。在这些实施例中的一些中，第二化合物的第一元素S1和第二元素(S2)为Si和D。
在一些实施例中，第二化合物和第三化合物均包含Si。在一些实施例中，第二化合物和第三化合物均包含Si和D两者。
在这些实施例中的一些中，第一化合物的第一元素(F1)选自由D、CN和Si组成的群组。在这些实施例中的一些中，第一化合物的第二元素(F2)选自由D、CN和Si组成的群组。
在一些实施例中，F1和S1均为Si。在一些实施例中，F1和S1均为CN。在一些实施例中，F1和S1均为B。在一些实施例中，F1为Si并且S1为B。在一些实施例中，F1为Si并且S1为CN。在一些实施例中，F1为CN并且S1为B。在一些实施例中，F2和S2中之一为D。在一些实施例中，F2和S2均为D。在一些实施例中，第三化合物包含D、B、CN或Si。
在一些实施例中，第一层为EML；其中第一化合物为第一发射体，第二化合物为第二发射体。
在一些实施例中，第一层为EML；其中第一化合物为第一主体，第二化合物为第二主体。在这些实施例中的一些中，第二化合物的第一元素(S1)为B。在这些实施例中的一些中，第一化合物的第一元素(F1)选自由D、CN、Si、Se和Ge组成的群组。在这些实施例中的一些中，第一化合物的第二元素(F2)选自由D、CN、Si、Se和Ge组成的群组。在一些以上实施例中，第一化合物包含基团SiAr1 Ar2 Ar3，其中Ar1、Ar2和Ar3各自独立地为经取代或未经取代的芳环或杂芳环；Ar1、Ar2和Ar3可以任选地稠合或接合以形成环。
在一些以上实施例中，F1和S1均为Si并且F2为D。在一些以上实施例中，F1和S1均为CN。在一些以上实施例中，F1和S1均为B。在一些以上实施例中，F1为Si并且S1为CN。在一些以上实施例中，F1为Si，F2为CN，并且S1选自由Si、B和CN组成的群组。在一些以上实施例中，F1为Si并且S1为B。F1为B并且S1为CN。在一些以上实施例中，第一化合物和第二化合物中的至少一种包含D。在一些以上实施例中，第一化合物和第二化合物两者包含D。在一些以上实施例中，第三化合物包含D、B、CN或Si。
在一些以上实施例中，第一化合物具有选自由以下组成的群组的结构：
/>
/>
/>
/>
/>
/>
其中：
X1至X24中的每一个独立地为C或N；
L'为直接键或有机连接基团；
每个YA独立地选自由以下组成的群组：不存在键、O、S、Se、CRR'、SiRR'、GeRR'、NR、BR、BRR'；
RA'、RB'、RC'、RD'、RE'、RF'和RG'中的每一个独立地表示单取代至最大取代或无取代；
RA'、RB'、RC'、RD'、RE'、RF'和RG'中的每一个独立地为氢或选自由如本文所定义的一般取代基组成的群组的取代基；
RA'、RB'、RC'、RD'、RE'、RF'和RG'中任何相邻的两个取代基可接合或稠合以形成环。
在一些实施例中，有机连接基团选自由以下组成的群组：直接键、BR、BRR'、NR、PR、P(O)R、O、S、Se、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR'、C＝CR'R”、S＝O、SO2、CR、CRR'、SiRR'、GeRR'、亚烷基、环烷基、芳基、亚环烷基、亚芳基、亚杂芳基和其组合。
在一些以上实施例中，RA'、RB'、RC'、RD'、RE'、RF'和RG'中的至少一个选自由以下组成的群组：氘、氟、腈、部分或完全氘化烷基、部分或完全氘化杂烷基、部分或完全氘化芳基、部分或完全氘化杂芳基、部分或完全氟化烷基、部分或完全氟化杂烷基、部分或完全氟化芳基、部分或完全氟化杂芳基、烷基硅烷基、杂烷基硅烷基、芳基硅烷基、杂芳基硅烷基、烷基锗烷基、杂烷基锗烷基、芳基锗烷基、杂芳基锗烷基、硼烷基烷基、硼烷基杂烷基、硼烷基芳基、硼烷基杂芳基、硼烷基氟、硼酸酯、硼杂环戊二烯(borole)、氮杂硼杂环戊二烯、氮二杂硼杂环戊二烯、噁氮硼杂环戊二烯、氮杂硼杂苯、氧杂硼杂苯、经氰基取代的芳基、经氰基取代的杂芳基、经氰基取代的烷基、经氰基取代的杂烷基、芳基硒烷基、烷基硒烷基、杂芳基硒烷基、杂烷基硒烷基、苯并硒吩、二苯并硒吩、芳基膦、烷基膦、杂芳基膦、杂烷基膦、氧化膦，其可进一步经取代。
在一些实施例中，第一化合物可以选自由以下组成的群组：
/>
在一些实施例中，第一化合物、第二化合物和第三化合物中的至少一种包含选自由以下组成的群组的结构：
/>
和其氮杂变体、其完全或部分氘化变体和其组合；
其中：
YA和YB中的每一个独立地选自无键、直接键或选自由以下组成的群组：BRe、BReRf、NRe、PRe、P(O)Re、O、S、Se、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NRe、C＝CReRf、S＝O、SO2、CReRf、SiReRf和GeReRf；
Re和Rf可稠合或接合以形成环；
RA'、RB'、RC'、RD'、RE'、RF'、Re和Rf中的每一个独立地表示单取代到最大允许数目个取代或无取代；
RA'、RB'、RC'、RD'、RE'、RF'、Re和Rf中的每一个独立地为氢或选自由以下组成的群组的取代基：氘、卤基、烷基、环烷基、杂烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、锗烷基、硼烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羰基、羧酸、酯、腈、异腈、硫基、硒烷基、亚磺酰基、磺酰基、膦基和其组合；并且
RA'、RB'、RC'、RD'、RE'和RF'中的任何两个取代基可稠合或接合以形成环。
在一些实施例中，第二化合物具有选自由以下组成的群组的结构：
和其氮杂变体、其完全或部分氘化变体和其组合；/>
其中：
X1至X3中的每一个独立地为C或N；
每个YA独立地选自由以下组成的群组：不存在键、O、S、Se、CRR'、SiRR'、GeRR'、NR、BR、BRR'；
RA'、RB'、RC'、RD'、RE'、RF'和RG'中的每一个独立地表示单取代至最大取代或无取代；
RA'、RB'、RC'、RD'、RE'、RF'和RG'中的每一个独立地为氢或选自由如本文所定义的一般取代基组成的群组的取代基；并且
RA'、RB'、RC'、RD'、RE'、RF'和RG'中任何相邻的两个取代基可接合或稠合以形成环。
在一些以上实施例中，第一化合物具有选自由以下组成的群组的结构：
/>
/>
/>
在一些实施例中，第一层为EML；其中第一化合物为第一发射体，第二化合物为第一主体，第三化合物为第二主体。在这些实施例中的一些中，第二化合物的第一元素(S1)为B。在这些实施例中的一些中，第一化合物的第一元素(F1)选自由D、CN、Si、Se和Ge组成的群组并且第三化合物包含选自由D、CN、Si、Se和Ge组成的群组的元素。在这些实施例中的一些中，第一化合物的第一元素(F1)选自由D、CN、F和Si组成的群组，并且第三化合物包含选自由D、Si和Ge组成的群组的元素。
在一些以上实施例中，第二化合物的第二元素(S2)选自由D、CN、Si、Se和Ge组成的群组。
在一些实施例中，第二化合物具有式I结构，
其中每个X1至X11独立地选自由碳和氮组成的群组；
其中YA和YB各自独立地选自由以下组成的群组：BR、NR、PR、O、S、Se、C＝O、S＝O、SO2、CRR'、SiRR'和GeRR'；
其中每个RA、RB和RC可独立地表示单个到最大可允许数目个取代或无取代；
其中每个RA、RB和RC独立地为氢或选自由以下组成的群组的取代基：氘、卤素、烷基、环烷基、杂烷基、杂环烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、锗烷基、硼烷基、硒烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羧酸、醚、酯、腈、异腈、硫基、亚磺酰基、磺酰基、膦基和其组合；
其中RA、RB和RC中的任何两个相邻取代基可稠合或接合以形成环；并且
其中任何两个相邻RB和RC可接合以形成环。
在一些以上实施例中，第二化合物具有选自由以下组成的群组的结构：
/>
其中YA'和YB'各自独立地选自由以下组成的群组：O、S、SiRR'和GeRR'；
其中每个RA'、RB'、RC'、RD'、RE'、RF'和RG'可独立地表示单取代至最大可能数目个取代或无取代；
其中每个RA'、RB'、RC'、RD'、RE'、RF'和RG'独立地为氢或选自由以下组成的群组的取代基：氘、卤素、烷基、环烷基、杂烷基、杂环烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、锗烷基、硼烷基、硒烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羧酸、醚、酯、腈、异腈、硫基、亚磺酰基、磺酰基、膦基和其组合；并且其中RA'、RB'、RC'、RD'、RE'、RF'和RG'中任何相邻的两个取代基可稠合或接合以形成环。
在一些实施例中，第二化合物具有选自由以下组成的群组的结构：
/>
/>
其中：
X1、X2和X3中的每一个独立地为C或N；
每个YA独立地选自由以下组成的群组：BR、BRR'、NR、PR、P(O)R、O、S、Se、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR'、C＝CRR、S＝O、SO2、CRR'、SiRR'和GeRR'；
RAA、RBB、RCC、RDD、REE、RFF、RGG、RII、RJJ、RKK和RLL中的每一个独立地表示单取代至最大取代或无取代；
R、R'、RAA、RBB、RCC、RDD、REE、RFF、RGG、RII、RJJ、RKK和RLL中的每一个独立地为氢或选自由以下组成的群组的取代基：氘、卤基、烷基、环烷基、杂烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羰基、羧酸、酯、腈、异腈、硫基、亚磺酰基、磺酰基、膦基、锗烷基、硒烷基和其组合；并且
任何两个相邻取代基可接合或稠合以形成环。
在一些以上实施例中，RA、RB、RC、RA'、RB'、RC'、RD'、RE'和RF'中的至少一个包含D。在一些以上实施例中，RAA、RBB、RCC、RDD、REE、RFF、RGG、RII、RJJ、RKK和RLL中的至少一个包含D。
在一些以上实施例中，第二化合物包含Si。
在一些以上实施例中，第二化合物具有选自由以下组成的群组的结构：
/>
/>
/>
/>
/>
在一些以上实施例中，第一主体为空穴传输主体，第二主体为电子传输主体。在一些以上实施例中，第一主体和第二主体形成激态复合物。
在一些实施例中，第一层为EML；其中第一化合物为第一受体，第二化合物为第一敏化剂，第三化合物为第一主体。
在一些实施例中，第一层为EML；其中第一化合物为第一发射体，第二化合物为第二发射体，第三化合物为第一主体。
在一些实施例中，与EML直接接触的层中的各种组分的T1能量比EML中的任何组分高至少0.1eV。
在一些实施例中，第一层为EBL或HBL；并且第一层中的每种组分具有彼此的约0.4eV内的HOMO能量和/或彼此的0.4eV内的LUMO能量。
在一些实施例中，第一层为EBL或HBL；并且其中第一化合物为空穴传输化合物，并且第二化合物为电子传输化合物。
在一些实施例中，第一化合物的第一元素(F1)连接于不饱和碳原子。在一些实施例中，第一化合物的第一元素(F1)连接于饱和碳原子。在一些实施例中，第一化合物的第一元素(F1)连接于Si或Ge原子。在一些实施例中，第一化合物的第一元素(F1)连接于第一环。在一些实施例中，第一化合物的第一元素(F1)连接于第一稠环系统。
在一些实施例中，第一化合物的FS1连接于不饱和碳原子。在一些实施例中，第一化合物的FS1连接于饱和碳原子。在一些实施例中，第一化合物的FS1连接于Si或Ge原子。在一些实施例中，第一化合物的FS1连接于第一环。在一些实施例中，第一化合物的FS1连接于第一稠环系统。
在一些实施例中，第二化合物的第一元素(S1)连接于不饱和碳原子。在一些实施例中，第二化合物的第一元素(S1)连接于饱和碳原子。在一些实施例中，第二化合物的第一元素(S1)连接于Si或Ge原子。在一些实施例中，第二化合物的第一元素(S1)连接于第一环。在一些实施例中，第二化合物的第一元素(S1)连接于第一稠环系统。
在一些实施例中，第二化合物的SS1连接于不饱和碳原子。在一些实施例中，第二化合物的SS1连接于饱和碳原子。在一些实施例中，第二化合物的SS1连接于Si或Ge原子。在一些实施例中，第二化合物的SS1连接于第一环。在一些实施例中，第二化合物的SS1连接于第一稠环系统。
在一些实施例中，第一化合物的第二元素(F2)连接于不饱和碳原子。在一些实施例中，第一化合物的第二元素(F2)连接于饱和碳原子。在一些实施例中，第一化合物的第二元素(F2)连接于Si或Ge原子。在一些实施例中，第一化合物的第二元素(F2)连接于第一环。在一些实施例中，第一化合物的第二元素(F2)连接于第一稠环系统。
在一些实施例中，第一化合物的FS2连接于不饱和碳原子。在一些实施例中，第一化合物的FS2连接于饱和碳原子。在一些实施例中，第一化合物的FS2连接于Si或Ge原子。在一些实施例中，第一化合物的FS2连接于第一环。在一些实施例中，第一化合物的FS2连接于第一稠环系统。
在一些实施例中，第二化合物的第二元素(S2)连接于不饱和碳原子。在一些实施例中，第二化合物的第二元素(S2)连接于饱和碳原子。在一些实施例中，第二化合物的第二元素(S2)连接于Si或Ge原子。在一些实施例中，第二化合物的第二元素(S2)连接于第一环。在一些实施例中，第二化合物的第二元素(S2)连接于第一稠环系统。
在一些实施例中，第二化合物的SS2连接于不饱和碳原子。在一些实施例中，第二化合物的SS2连接于饱和碳原子。在一些实施例中，第二化合物的SS2连接于Si或Ge原子。在一些实施例中，第二化合物的SS2连接于第一环。在一些实施例中，第二化合物的SS2连接于第一稠环系统。
在一些实施例中，第一化合物的第三元素(F3)连接于不饱和碳原子。在一些实施例中，第一化合物的第三元素(F3)连接于饱和碳原子。在一些实施例中，第一化合物的第三元素(F3)连接于Si或Ge原子。在一些实施例中，第一化合物的第三元素(F3)连接于第一环。在一些实施例中，第一化合物的第三元素(F3)连接于第一稠环系统。
在一些实施例中，第一化合物的FS3连接于不饱和碳原子。在一些实施例中，第一化合物的FS3连接于饱和碳原子。在一些实施例中，第一化合物的FS3连接于Si或Ge原子。在一些实施例中，第一化合物的FS3连接于第一环。在一些实施例中，第一化合物的FS3连接于第一稠环系统。
在一些实施例中，第二化合物的第三元素(S3)连接于不饱和碳原子。在一些实施例中，第二化合物的第三元素(S3)连接于饱和碳原子。在一些实施例中，第二化合物的第三元素(S3)连接于Si或Ge原子。在一些实施例中，第二化合物的第三元素(S3)连接于第一环。在一些实施例中，第二化合物的第三元素(S3)连接于第一稠环系统。
在一些实施例中，第二化合物的SS3连接于不饱和碳原子。在一些实施例中，第二化合物的SS3连接于饱和碳原子。在一些实施例中，第二化合物的SS3连接于Si或Ge原子。在一些实施例中，第二化合物的SS3连接于第一环。在一些实施例中，第二化合物的SS3连接于第一稠环系统。
在一些实施例中，第一化合物和第二化合物均为非含金属化合物。
在一些实施例中，第一化合物为非含金属化合物；第二化合物为含金属化合物。
在一些实施例中，第一化合物和第二化合物均为含金属化合物。
在一些实施例中，OLED包含安置于第一电极与第二电极之间的EML；其中所述EML包含第一发射体；其中所述第一发射体可为磷光或荧光发射体。磷光通常是指具有电子自旋变化的光子发射，即，发射的初始和最终状态具有不同的多样性，如从T1到S0状态。目前在OLED中广泛使用的Ir和Pt络合物属于磷光发射体。在一些实施例中，如果激态复合物形成涉及三重态发射体，那么此类激态复合物还可以发射磷光。另一方面，荧光发射体通常指代不改变电子自旋的情况下的光子发射，如从S1到S0状态。荧光发射体可为延迟荧光或非延迟荧光发射体。取决于自旋状态，荧光发射体可为单重态发射体或双重态发射体或其它多重态发射体。据信，荧光OLED的内部量子效率(IQE)可以通过延迟荧光超过25％自旋统计限制。存在两种类型的延迟荧光，即P型和E型延迟荧光。P型延迟荧光由三重态-三重态湮灭(TTA)产生。另一方面，E型延迟荧光不依赖于两个三重态的碰撞，而是依赖于三重态与单态激发态之间的热布居数。热能可以激活由三重态跃迁回到单重态。这种类型的延迟荧光也称为热激活延迟荧光(TADF)。E型延迟荧光特征可以见于激态复合物系统或单一化合物中。在不受理论束缚的情况下，认为TADF需要具有小于或等于300、250、200、150、100或50meV的单重态-三重态能隙(ΔES-T)的化合物或激态复合物。存在两种主要类型的TADF发射体，一种称为供体-受体型TADF，另一种称为多共振(MR)TADF。通常，供体-受体单一化合物通过连接电子供体部分(如氨基或咔唑衍生物)和电子受体部分(如含N六元芳香族环)来构造。可以在空穴传输化合物与电子传输化合物之间形成供体-受体激态复合物。MR-TADF的实例包括高度共轭的含硼化合物。在一些实施例中，在293K处延迟荧光发射的从T1到S1的反向系统间窜越(crossing)时间低于或等于10微秒。在一些实施例中，此类时间可以大于10微秒且小于100微秒。
在某一实施例中，第一发射体能够在室温下在OLED中将光从三重激发态发射到单重基态。
在一些实施例中，第一发射体为具有金属-碳键的金属配位络合物。
在一些实施例中，第一发射体为具有金属-氮键的金属配位络合物。
在一些实施例中，第一发射体是具有金属-氧键的金属配位络合物。
在一些实施例中，金属选自由以下组成的群组：Ir、Rh、Re、Ru、Os、Pt、Pd、Au、Ag和Cu。
在一些实施例中，金属为Ir。在一些实施例中，金属为Pt。
在一些实施例中，第一发射体具有式M(L1)x(L2)y(L3)z；
其中L1、L2和L3可以相同或不同；
其中x为1、2或3；
其中y为0、1或2；
其中z为0、1或2；
其中x+y+z是金属M的氧化态；
其中L1选自由以下组成的群组：
/>
其中L2和L3独立地选自由以下组成的群组：
/>
其中T选自由B、Al、Ga和In组成的群组；
其中K1'是直接键或选自由NRe、PRe、O、S和Se组成的群组；
其中每个Y1到Y13独立地选自由碳和氮组成的群组；
其中Y'选自由以下组成的群组：B Re、N Re、P Re、O、S、Se、C＝O、S＝O、SO2、CReRf、SiReRf和GeReRf；
其中Re和Rf可稠合或接合以形成环；
其中每个Ra、Rb、Rc和Rd可独立地表示单取代至最大可能数目个取代或无取代；
其中每个Ra1、Rb1、Rc1、Rd1、Ra、Rb、Rc、Rd、Re和Rf独立地为氢或选自由本文所定义的一般取代基组成的群组的取代基；以及
其中Ra1、Rb1、Rc1、Rd1、Ra、Rb、Rc和Rd中的任何两个相邻取代基可稠合或接合以形成环或形成多齿配体。
在一些实施例中，第一发射体具有选自由以下组成的群组的式：Ir(LA)3、Ir(LA)(LB)2、Ir(LA)2(LB)、Ir(LA)2(LC)、Ir(LA)(LB)(LC)和Pt(LA)(LB)；
其中LA、LB和LC在Ir化合物中彼此不同；
其中LA和LB在Pt化合物中可相同或不同；并且
其中LA和LB可连接以在Pt化合物中形成四齿配体。
在一些实施例中，第一发射体具有选自由以下组成的群组的式：
/>
/>
/>
/>
其中
X96至X99中的每一个独立地为C或N；
每个Y100独立地选自由NR”、O、S和Se组成的群组；
R10a、R20a、R30a、R40a和R50a中的每一个独立地表示单取代、至多最大取代或无取代；
R、R'、R”、R10a、R11a、R12a、R13a、R20a、R30a、R40a、R50a、R60、R70、R97、R98和R99中的每一个独立地为氢或选自由本文所定义的一般取代基组成的群组的取代基。
在一些实施例中，第一发射体具有选自由以下组成的群组的式：
/>
/>
/>
/>
/>
/>
/>
其中：
每个Y100独立地选自由NR”、O、S和Se组成的群组；
L独立地选自由以下组成的群组：直接键、BR”、BR”R”'、NR”、PR”、O、S、Se、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR”、C＝CR”R”'、S＝O、SO2、CR”、CR”R”'、SiR”R”'、GeR”R”'、烷基、环烷基、芳基、杂芳基和其组合；
X100在每次出现时选自由以下组成的群组：O、S、Se、NR”和CR”R”'；
每个RA”、RB”、RC”、RD”、RE”和RF”独立地表示单取代、至多最大取代或无取代；
R、R'、R”、R”'、RA1'、RA2'、RA”、RB”、RC”、RD”、RE”、RF”、RG”、RH”、RI”、RJ”、RK”、RL”、RM”和RN”中的每一个独立地为氢或选自由如本文中所定义的一般取代基组成的群组的取代基。
在具有如上文所定义的式M(L1)x(L2)y(L3)z的杂配化合物一些实施例中，配体L1具有第一取代基RI，其中第一取代基RI的第一原子a-I在配体LA中所有原子中距离金属M最远。此外，配体L2如果存在则具有第二取代基RII，其中第二取代基RII的第一原子a-II在配体L2的所有原子中距离金属M最远。另外，配体L3如果存在则具有第三取代基RIII，其中第三取代基RIII中的第一原子a-III在配体L3的所有原子中距离金属M最远。
在此类杂配化合物中，可以定义矢量VD1、VD2和VD3，其定义如下。VD1表示从金属M到第一原子a-I的方向，并且矢量VD1的值D1表示金属M与第一取代基RI中的第一原子a-I之间的直线距离。VD2表示从金属M到第一原子a-II的方向，并且矢量VD2的值D2表示金属M与第二取代基RII中的第一原子a-II之间的直线距离。VD3表示从金属M到第一原子a-III的方向，并且矢量VD3的值D3表示金属M与第三取代基RIII中的第一原子a-III之间的直线距离。
在此类杂配化合物中，定义具有半径r的球体，其中心是金属M且半径r是允许球体围封化合物中并非取代基RI、RII和RIII的一部分的所有原子的最小半径；且其中D1、D2和D3中的至少一个比半径r大至少在一些实施例中，D1、D2和D3中的至少一者比半径r大至少2.9、3.0、4.3、4.4、5.2、5.9、7.3、8.8、10.3、13.1、17.6或/>
在此类杂配化合物的一些实施例中，所述化合物具有跃迁偶极矩轴，并且跃迁偶极矩轴与矢量VD1、VD2和VD3之间的角度被确定，其中跃迁偶极矩轴与矢量VD1、VD2和VD3之间的至少一个角度小于40°。在一些实施例中，跃迁偶极矩轴与矢量VD1、VD2和VD3之间的至少一个角度小于30°。在一些实施例中，跃迁偶极矩轴与矢量VD1、VD2和VD3之间的至少一个角度小于20°。在一些实施例中，跃迁偶极矩轴与矢量VD1、VD2和VD3之间的至少一个角度小于15°。在一些实施例中，跃迁偶极矩轴与矢量VD1、VD2和VD3之间的至少一个角度小于10°。在一些实施例中，跃迁偶极矩轴与矢量VD1、VD2和VD3之间的至少两个角度小于20°。在一些实施例中，跃迁偶极矩轴与矢量VD1、VD2和VD3之间的至少两个角度小于15°。在一些实施例中，跃迁偶极矩轴与矢量VD1、VD2和VD3之间的至少两个角度小于10°。
在一些实施例中，跃迁偶极矩轴与矢量VD1、VD2和VD3之间的所有三个角度均小于20°。在一些实施例中，跃迁偶极矩轴与矢量VD1、VD2和VD3之间的所有三个角度均小于15°。在一些实施例中，跃迁偶极矩轴与矢量VD1、VD2和VD3之间的所有三个角度均小于10°。
在此类杂配化合物的一些实施例中，所述化合物具有0.33或更小的垂直偶极比(VDR)。在此类杂配化合物的一些实施例中，所述化合物具有0.30或更小的VDR。在此类杂配化合物的一些实施例中，所述化合物具有0.25或更小的VDR。在此类杂配化合物的一些实施例中，所述化合物具有0.20或更小的VDR。在此类杂配化合物的一些实施例中，所述化合物具有0.15或更小的VDR。
本领域的普通技术人员很容易理解术语化合物的跃迁偶极矩轴和化合物的垂直偶极比的含义。然而，这些术语的含义可见于美国专利第10,672,997号中，其公开内容以全文引用的方式并入本文中。美国专利第10,672,997号中论述了化合物的水平偶极比，而非VDR。然而，本领域的技术人员容易了解VDR＝1-HDR。
在一些实施例中，OLED包含安置于第一电极与第二电极之间的EML；其中所述EML包含第一发射体；并且其中所述第一发射体能够在室温下充当OLED中的延迟荧光发射体。
在一些实施例中，第一发射体能够在室温下充当OLED中的热激活延迟荧光发射体。
在一些实施例中，第一发射体包含至少一个供体基团和至少一个受体基团。
在一些实施例中，第一发射体为金属络合物。
在一些实施例中，第一发射体为非金属络合物。
在一些实施例中，第一发射体为Cu、Ag或Au络合物。
在一些实施例中，第一发射体具有式M(L5)(L6)，其中M为Cu、Ag或Au，L5和L6不同，并且L5和L6独立地选自由以下组成的群组：
/>
其中A1-A9各自独立地选自C或N；
其中RP、RP、RU、RSA、RSB、RRA、RRB、RRC、RRD、RRE和RRF中的每一个独立地为氢或选自由以下组成的群组的取代基：氘、卤素、烷基、环烷基、杂烷基、杂环烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、锗烷基、硼烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羧酸、醚、酯、腈、异腈、硫基、亚磺酰基、磺酰基、膦基、硒烷基和其组合。
在OLED的一些实施例中，TADF发射体选自由以下TADF清单中的结构组成的群组：
/>
在一些实施例中，第一发射体包含选自由以下组成的群组的化学部分中的至少一个：
其中YT、YU、YV和YW各自独立地选自由以下组成的群组：BR、NR、PR、O、S、Se、C＝O、S＝O、SO2、BRR'、CRR'、SiRR'和GeRR'；
其中每个RT可以相同或不同，并且每个RT独立地为供体、受体基团、键结于供体的有机连接基团、键结于受体基团的有机连接基团或选自由以下组成的群组的端基：烷基、环烷基、杂烷基、杂环烷基、芳烷基、芳基、杂芳基和其组合；并且
R和R'各自独立地为氢或选自由以下组成的群组的取代基：氘、卤素、烷基、环烷基、杂烷基、杂环烷基、硼烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、锗烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羧酸、醚、酯、腈、异腈、硫基、亚磺酰基、磺酰基、膦基、硒烷基和其组合。
在一些以上实施例中，在以上结构中的任一个的每个苯基环中的最大总数至多三个的任何碳环原子连同其取代基可被N置换。
在一些实施例中，第一发射体包含选自由以下组成的群组的化学部分中的至少一个：腈、异腈、硼烷、氟化物、吡啶、嘧啶、吡嗪、三嗪、氮杂-咔唑、氮杂-二苯并噻吩、氮杂-二苯并呋喃、氮杂-二苯并硒吩、氮杂-三亚苯、咪唑、吡唑、噁唑、噻唑、异噁唑、异噻唑、三唑、噻二唑和噁二唑。
在一些实施例中，OLED包含安置于第一电极与第二电极之间的EML；其中所述EML包含第一发射体；并且其中所述第一发射体能够在室温下充当OLED中的荧光发射体。
在一些实施例中，第一发射体包含至少一个选自由以下组成的群组的有机基团：
/>
/>
其中YF、YG、YH和YI各自独立地选自由以下组成的群组：BR、NR、PR、O、S、Se、C＝O、S＝O、SO2、BRR'、CRR'、SiRR'和GeRR'；
其中XF和XG各自独立地选自由C和N组成的群组；并且
其中RF、RG、R和R'各自独立地为氢或选自由本文所定义的一般取代基组成的群组的取代基。
在一些以上实施例中，在以上结构中的任一个的每个苯基环中的最大总数至多三个的任何碳环原子连同其取代基可被N置换。
在OLED的一些实施例中，第一发射体选自由以下组成的群组：
/>
/>
/>
其中YF1至YF4各自独立地选自O、S和NRF1；
其中RF1和R1S至R9S各自独立地表示单取代至最大可能数目个取代或无取代；并且
其中RF1和R1S至R9S各自独立地为氢或选自由如本文所定义的一般取代基组成的群组的取代基。
在一些实施例中，第一发射体选自由以下清单的结构组成的群组：
/>
/>
在一些实施例中，OLED包含安置于第一电极与第二电极之间的EML；其中所述EML包含第一发射体；并且其中所述第一发射体包含镧系金属。
在一些实施例中，第一层可为发射层并且如本文中所述的第一化合物可为发射掺杂剂或非发射掺杂剂。在一些实施例中，第一层可为发射层并且如本文中所述的第二化合物可为发射掺杂剂或非发射掺杂剂。在一些实施例中，第一层可为发射层并且如本文中所述的第三化合物可为发射掺杂剂或非发射掺杂剂。
在一些实施例中，OLED包含安置于第一电极与第二电极之间的发射区域；所述发射区域可涉及敏化过程。举例来说，第一化合物可为将能量转移到第二化合物的敏化剂化合物，并且第二化合物可为作为发射体的受体。在一些实施例中，所述敏化剂化合物能够在室温下在OLED中将光从三重激发态发射到单重基态。在一些实施例中，敏化剂化合物能够在室温下充当OLED中的磷光发射体、TADF发射体或双重态发射体。在一些实施例中，所述受体化合物选自由以下组成的群组：在室温下在OLED中充当TADF发射体的延迟荧光化合物、在室温下在OLED中充当荧光发射体的荧光化合物。在OLED的一些实施例中，所述敏化剂和受体化合物在所述发射区域内的分开层中。在一些实施例中，敏化剂和受体化合物以混合物形式存在于发射区域中的一或多个层中。应理解，给定层中的混合物可为均匀混合物，或混合物中的化合物可在给定层的整个厚度上呈梯度浓度。浓度梯度可为线性、非线性、正弦等。当在具有敏化剂和受体化合物的混合物的发射区域中存在超过一个层时，混合物的类型(即，均质或梯度浓度)和在超过一个层中的每一个中的混合物中的化合物的浓度水平可以相同或不同。除敏化剂和受体化合物以外，还可以存在一种或多种其它官能化合物，如(但不限于)主体混合到混合物中。
在一些实施例中，受体化合物可在具有相同或不同浓度的两个或更多个层中。在一些实施例中，当两个或更多个层含有受体化合物时，所述受体化合物在所述两个或更多个层中的至少两个中的浓度不同。在一些实施例中，敏化剂化合物在含有敏化剂化合物的层中的浓度在1至50重量％、10至20重量％或12-15重量％范围。在一些实施例中，受体化合物在含有受体化合物的层中的浓度在0.1至10重量％、0.5至5重量％或1至3重量％范围。
在一些实施例中，发射区域含有N层，其中N>2。在一些实施例中，敏化剂化合物存在于N层中的每一个中，且受体化合物含于小于或等于N-1层中。在一些实施例中，敏化剂化合物存在于N层中的每一个中，且受体化合物含于小于或等于N/2层中。在一些实施例中，受体化合物存在于N层中的每一个中，且敏化剂化合物含于小于或等于N-1层中。在一些实施例中，受体化合物存在于N层中的每一个中，且敏化剂化合物含于小于或等于N/2层中。
在一些实施例中，当在OLED两端施加电压时，OLED发射包含来自受体化合物的S1能量(第一单重态能量)的发射分量的发光发射。在一些实施例中，至少65％、75％、85％或95％的来自OLED的发射由亮度为至少10cd/m2的受体化合物产生。在一些实施例中，受体化合物的S1能量低于敏化剂化合物的S1能量。
在一些实施例中，主体化合物的T1能量(第一三重态能量)高于敏化剂化合物和受体化合物的T1能量。在一些实施例中，敏化剂化合物和/或受体化合物的S1-T1能隙低于400、300、250、200、150、100或50meV。
在敏化剂化合物提供单色敏化(即，在能量转移到受体化合物后能量损失最小)的一些实施例中，受体化合物的斯托克位移(Stokes shift)为30、25、20、15或10nm或更低。实例将为敏化窄蓝光发射受体的宽蓝色磷光体。
在敏化剂化合物提供降频转换过程的一些实施例中(例如，用于敏化绿色发射体的蓝色发射体或用于敏化红色发射体的绿色发射体)，受体化合物的斯托克位移为30、40、60、80或100nm或更多。
一种定量敏化剂化合物(待用作本公开的OLED的发射区域中的敏化剂的化合物)与受体化合物(待用作本公开的OLED的发射区域中的受体的化合物)之间的定性关系的方式通过值Δλ＝λmax1-λmax2确定，其中λmax1和λmax2定义如下。λmax1为当敏化剂化合物用作具有第一主体的第一单色OLED(仅发射一种颜色的OLED)中的唯一发射体时敏化剂化合物在室温下的发射最大值。λmax2为当受体化合物用作具有相同第一主体的第二单色OLED中的唯一发射体时受体化合物在室温下的发射最大值。
在敏化剂化合物提供单色敏化(即，在能量转移到受体化合物后能量损失最小)的本公开的OLED的一些实施例中，Δλ(如上文所描述确定)等于或小于选自由以下组成的群组的数字：15、12、10、8、6、4、2、0、-2、-4、-6、-8和-10nm。
在受体的发射通过敏化进行红移的一些实施例中，Δλ等于或大于选自由20、30、40、60、80、100nm组成的群组的数目。
在一些实施例中，发射区域包含可为主体的第三化合物。
在一些实施例中，第一层进一步包含另外主体，其中所述另外主体包含含有苯并稠合噻吩或苯并稠合呋喃的三亚苯；
其中所述主体中的任何取代基是独立地选自由以下组成的群组的非稠合取代基：CnH2n+1、OCnH2n+1、OAr1、N(CnH2n+1)2、N(Ar1)(Ar2)、CH＝CH-CnH2n+1、C≡CCnH2n+1、Ar1、Ar1-Ar2、CnH2n-Ar1或无取代基；
其中n是1到10；并且其中Ar1与Ar2独立地选自由以下组成的群组：苯、联苯、萘、三亚苯、咔唑和其杂芳香族类似物。
在一些实施例中，有机层可以进一步包含主体，其中所述主体包含至少一个选自由以下组成的群组的化学基团：三亚苯、咔唑、吲哚并咔唑、二苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并硒吩、5λ2-苯并[d]苯并[4,5]咪唑并[3,2-a]咪唑、5,9-二氧杂-13b-硼萘并[3,2,1-de]蒽、三嗪、硼烷基、硅烷基、氮杂-三亚苯、氮杂-咔唑、氮杂-吲哚并咔唑、氮杂-二苯并噻吩、氮杂-二苯并呋喃、氮杂-二苯并硒吩、氮杂-5λ2-苯并[d]苯并[4,5]咪唑并[3,2-a]咪唑和氮杂-(5,9-二氧杂-13b-硼萘并[3,2,1-de]蒽)。
在一些实施例中，另外主体可以选自由以下组成的主体群组：
/>
/>
其部分或完全氘化变体和其组合。
在一些实施例中，有机第一层可以进一步包含另外主体，其中所述另外主体包含金属络合物。
在一些实施例中，如本文所述的第一化合物和/或第二化合物和/或第三化合物可以是敏化剂；其中装置可以进一步包含受体；并且其中所述受体可以选自由以下组成的群组：荧光发射体、延迟荧光发射体和其组合。
在又一方面中，本公开的OLED还可以包含发射区域，所述发射区域含有如本文所公开的化合物。
在一些实施例中，发射区域可以包含如本文所述的化合物。
在一些实施例中，安置在有机发射层上方的阳极、阴极或新层中的至少一个用作增强层。增强层包含展现表面等离激元共振的等离激元材料，所述等离激元材料非辐射地耦合到发射体材料，并将激发态能量从发射体材料转移到表面等离极化激元的非辐射模式。增强层被设置成离有机发射层的距离不超过阈值距离，其中由于存在增强层，发射体材料具有总的非辐射衰减率常数和总的辐射衰减率常数，且阈值距离是总的非辐射衰减率常数等于总的辐射衰减率常数的位置。在一些实施例中，OLED进一步包含外耦合层。在一些实施例中，外耦合层安置在增强层上位于有机发射层的相对侧上。在一些实施例中，外耦合层安置在发射层上与增强层相对的一侧，但是仍能外耦合来自增强层的表面等离激元模式的能量。外耦合层散射来自表面等离极化激元的能量。在一些实施例中，此能量作为光子被散射到自由空间。在其它实施例中，能量从装置的表面等离激元模式散射到其它模式中，例如但不限于有机波导模式、衬底模式或另一波导模式。如果能量被散射到OLED的非自由空间模式，则可以结合其它外耦合方案以将能量提取到自由空间。在一些实施例中，一或多个居间层可以安置在增强层与外耦合层之间。居间层的实例可以是介电材料，包括有机、无机、钙钛矿、氧化物，并且可以包括这些材料的堆叠和/或混合物。
增强层改变了发射体材料所驻留的介质的有效特性，从而引起以下任何一项或全部：发射率降低、发射线形改变、发射强度随角度变化、发射体材料稳定性改变、OLED效率改变以及OLED装置滚降效率降低。在阴极侧、阳极侧或这两侧上放置增强层产生利用了上述任何效果的OLED装置。除了本文中提到的以及图中所示的各种OLED实例中说明的特定功能层之外，根据本公开的OLED还可包括OLED中常见的任何其它功能层。
增强层可以包含等离激元材料、光学活性超构材料或双曲线超构材料。如本文所用，等离激元材料是其中介电常数的实部在电磁光谱的可见或紫外区域中过零的材料。在一些实施例中，等离激元材料包括至少一种金属。在这样的实施例中，金属可以包括以下各者中的至少一种：Ag、Al、Au、Ir、Pt、Ni、Cu、W、Ta、Fe、Cr、Mg、Ga、Rh、Ti、Ru、Pd、In、Bi、Ca、这些材料的合金或混合物、以及这些材料的堆叠。通常，超构材料是由不同材料构成的介质，其中介质整体上的作用与其材料部分的总和不同。具体地说，我们将光学活性超构材料定义为同时具有负电容率和负磁导率的材料。另一方面，双曲线超构材料是各向异性介质，其中对于不同的空间方向，电容率或磁导率具有不同的符号。光学活性超构材料和双曲线超构材料与许多其它光子结构，例如分布式布拉格反射器(Distributed Bragg Reflector，“DBR”)有着严格的区别，因为在光波长的长度尺度上，介质在传播方向上应该显示均匀。使用本领域技术人员可以理解的术语：超构材料在传播方向上的介电常数可以用有效的介质近似来描述。等离激元材料和超构材料提供了用于控制光传播的方法，其可以多种方式增强OLED性能。
在一些实施例中，增强层被设置为平面层。在其它实施例中，增强层具有周期性地、准周期性地或随机地布置的波长大小的特征，或者具有周期性地、准周期性地或随机地布置的亚波长大小的特征。在一些实施例中，波长大小的特征和亚波长大小的特征具有锐利的边缘。
在一些实施例中，外耦合层具有周期性地、准周期性地或随机地布置的波长大小的特征，或者具有周期性地、准周期性地或随机地布置的亚波长大小的特征。在一些实施例中，外耦合层可以由多个纳米粒子构成，并且在其它实施例中，外耦合层由安置在材料上方的多个纳米粒子构成。在这些实施例中，外耦合可以通过至少一种以下方式调节：改变多个纳米粒子的尺寸、改变多个纳米粒子的形状、改变多个纳米粒子的材料、调节材料的厚度、改变材料或安置在多个纳米粒子上的附加层的折射率、改变增强层的厚度和/或改变增强层的材料。装置的多个纳米粒子可由以下至少一者形成：金属、介电材料、半导体材料、金属合金、介电材料的混合物、一或多种材料的堆叠或分层和/或一种类型材料的芯并涂有另一种类型材料的壳。在一些实施例中，外耦合层由至少金属纳米粒子构成，其中金属选自由以下组成的群组：Ag、Al、Au、Ir、Pt、Ni、Cu、W、Ta、Fe、Cr、Mg、Ga、Rh、Ti、Ru、Pd、In、Bi、Ca、这些材料的合金或混合物、以及这些材料的堆叠。多个纳米粒子可以具有安置在它们之上的附加层。在一些实施例中，可以使用外耦合层来调整发射的极化。改变外耦合层的尺寸和周期性可以选择优先外耦合到空气的极化类型。在一些实施例中，外耦合层还充当装置的电极。
在又一方面中，本公开还提供一种消费型产品，其包含如本文所述的有机发光装置(OLED)。
在一些实施例中，消费型产品可以是以下产品中的一种：平板显示器、计算机监视器、医疗监视器、电视机、告示牌、用于内部或外部照明和/或发信号的灯、平视显示器、全透明或部分透明的显示器、柔性显示器、激光打印机、电话、蜂窝电话、平板电脑、平板手机、个人数字助理(PDA)、可佩戴装置、膝上型计算机、数码相机、摄像机、取景器、对角线小于2英寸的微型显示器、3-D显示器、虚拟现实或增强现实显示器、交通工具、包含多个平铺在一起的显示器的视频墙、剧院或体育馆屏幕、光疗装置，和指示牌。
一般来说，OLED包含至少一个有机层，其安置于阳极与阴极之间并且与阳极和阴极电连接。当施加电流时，阳极注入空穴并且阴极注入电子到有机层中。所注入的空穴和电子各自朝带相反电荷的电极迁移。当电子和空穴定位在同一分子上时，形成“激子”，其为具有激发能态的定域电子-空穴对。当激子通过光发射机制弛豫时，发射光。在一些情况下，激子可以定位于准分子(excimer)或激态复合物上。非辐射机制(如热弛豫)也可能发生，但通常被视为不合需要的。
美国专利第5,844,363号、第6,303,238号和第5,707,745号中描述若干OLED材料和配置，所述专利以全文引用的方式并入本文中。
最初的OLED使用从单态发射光(“荧光”)的发射分子，如例如美国专利第4,769,292号中所公开，其以全文引用的方式并入。荧光发射通常在小于10纳秒的时帧内发生。
最近，已经展示了具有从三重态发射光(“磷光”)的发射材料的OLED。巴尔多(Baldo)等人,“来自有机电致发光装置的高效磷光发射(Highly EfficientPhosphorescent Emission from Organic Electroluminescent Devices)”,自然(Nature),第395卷,151-154,1998(“巴尔多-I”)；和巴尔多等人,“基于电致磷光的极高效绿色有机发光装置(Very high-efficiency green organic light-emitting devicesbased on electrophosphorescence)”,应用物理快报(Appl.Phys.Lett.),第75卷,第3,4-6期(1999)(“巴尔多-II”)，所述文献以全文引用的方式并入。美国专利第7,279,704号第5-6栏中更详细地描述磷光，所述专利以引用的方式并入。
图1展示有机发光装置100。图不一定按比例绘制。装置100可以包括衬底110、阳极115、空穴注入层120、空穴传输层125、电子阻挡层130、发射层135、空穴阻挡层140、电子传输层145、电子注入层150、保护层155、阴极160和阻挡层170。阴极160是具有第一导电层162和第二导电层164的复合阴极。装置100可以通过按顺序沉积所述层来制造。这些各种层和实例材料的性质和功能在US 7,279,704第6-10栏中更详细地描述，所述专利以引用的方式并入。
可以得到这些层中的每一个的更多实例。举例来说，柔性并且透明的衬底-阳极组合公开于美国专利第5,844,363号中，所述专利以全文引用的方式并入。经p掺杂的空穴传输层的实例是以50:1的摩尔比掺杂有F4-TCNQ的m-MTDATA，如美国专利申请公开第2003/0230980号中所公开，所述专利以全文引用的方式并入。发光和主体材料的实例公开于汤普森(Thompson)等人的美国专利第6,303,238号中，所述专利以全文引用的方式并入。经n掺杂的电子传输层的实例是以1:1的摩尔比掺杂有Li的BPhen，如美国专利申请公开第2003/0230980号中所公开，所述公开案以全文引用的方式并入。以全文引用的方式并入的美国专利第5,703,436号和第5,707,745号公开了阴极的实例，所述阴极包括具有含上覆的透明、导电、溅镀沉积的ITO层的金属(如Mg:Ag)薄层的复合阴极。阻挡层的理论和使用更详细地描述于美国专利第6,097,147号和美国专利申请公开第2003/0230980号中，所述专利以全文引用的方式并入。注入层的实例提供于美国专利申请公开第2004/0174116号中，其以全文引用的方式并入。保护层的描述可以见于美国专利申请公开第2004/0174116号中，其以全文引用的方式并入。
图2展示倒置式OLED 200。所述装置包括衬底210、阴极215、发射层220、空穴传输层225和阳极230。装置200可以通过按顺序沉积所述层来制造。因为最常见OLED配置具有安置于阳极上方的阴极，并且装置200具有安置于阳极230下的阴极215，所以装置200可以被称为“倒置式”OLED。可以在装置200的对应层中使用与关于装置100所述的那些材料类似的材料。图2提供如何可以从装置100的结构省去一些层的一个实例。
图1和2中所说明的简单分层结构借助于非限制性实例提供，并且应理解本公开的实施例可以与各种其它结构结合使用。所描述的具体材料和结构本质上是示范性的，并且可以使用其它材料和结构。可以通过以不同方式组合所述的各种层来获得功能性OLED，或可以基于设计、性能和成本因素完全省略各层。也可以包括未具体描述的其它层。可以使用除具体描述的材料以外的材料。尽管本文中所提供的许多实例将各种层描述为包括单一材料，但应理解，可以使用材料的组合，如主体和掺杂剂的混合物，或更一般来说，混合物。此外，所述层可以具有各种子层。本文中给予各种层的名称并不意图具有严格限制性。举例来说，在装置200中，空穴传输层225传输空穴并且将空穴注入到发射层220中，并且可以被描述为空穴传输层或空穴注入层。在一个实施例中，可以将OLED描述为具有安置于阴极与阳极之间的“有机层”。这一有机层可以包含单个层，或可以进一步包含如例如关于图1和2所述的不同有机材料的多个层。
还可以使用未具体描述的结构和材料，例如包含聚合材料的OLED(PLED)，例如弗兰德(Friend)等人的美国专利第5,247,190号中所公开，所述专利以全文引用的方式并入。借助于另一实例，可以使用具有单个有机层的OLED。OLED可以堆叠，例如如在以全文引用的方式并入的福利斯特(Forrest)等人的美国专利第5,707,745号中所述。OLED结构可以偏离图1和2中所说明的简单分层结构。举例来说，衬底可以包括有角度的反射表面以改进出耦(out-coupling)，例如如在福利斯特等人的美国专利第6,091,195号中所述的台式结构，和/或如在布尔维克(Bulovic)等人的美国专利第5,834,893号中所述的凹点结构，所述专利以全文引用的方式并入。
除非另外规定，否则可以通过任何合适的方法来沉积各个实施例的层中的任一个。对于有机层，优选方法包括热蒸发、喷墨(如以全文引用的方式并入的美国专利第6,013,982号和第6,087,196号中所述)、有机气相沉积(OVPD，又称为有机蒸气喷射沉积(OVJD))(如以全文引用的方式并入的福利斯特等人的美国专利第6,337,102号中所述)和通过有机蒸气喷射印刷(OVJP)的沉积(如以全文引用的方式并入的美国专利第7,431,968号中所述)。其它合适的沉积方法包括旋涂和其它基于溶液的工艺。基于溶液的工艺优选在氮气或惰性气氛中进行。对于其它层，优选的方法包括热蒸发。优选的图案化方法包括通过掩模的沉积、冷焊(如以全文引用的方式并入的美国专利第6,294,398号和第6,468,819号中所述)和与例如喷墨和有机蒸气喷射印刷(OVJP)的沉积方法中的一些方法相关联的图案化。还可以使用其它方法。可以将待沉积的材料改性以使其与具体沉积方法相适合。举例来说，可以在小分子中使用支链或非支链并且优选含有至少3个碳的例如烷基和芳基的取代基来增强其经受溶液处理的能力。可以使用具有20个或更多个碳的取代基，并且3到20个碳是优选范围。具有不对称结构的材料可以比具有对称结构的材料具有更好的溶液可处理性，因为不对称材料可能具有更低的再结晶倾向性。可以使用树枝状聚合物取代基来增强小分子经受溶液处理的能力。
根据本公开实施例制造的装置可以进一步任选地包含阻挡层。阻挡层的一个用途是保护电极和有机层免受暴露于包括水分、蒸气和/或气体等的环境中的有害物质的损害。阻挡层可以沉积在衬底、电极上，沉积在衬底、电极下或沉积在衬底、电极旁，或沉积在装置的任何其它部分(包括边缘)上。阻挡层可以包含单个层或多个层。阻挡层可以通过各种已知的化学气相沉积技术形成，并且可以包括具有单一相的组合物和具有多个相的组合物。任何合适的材料或材料组合都可以用于阻挡层。阻挡层可以并有无机化合物或有机化合物或两者。优选的阻挡层包含聚合材料与非聚合材料的混合物，如以全文引用的方式并入本文中的美国专利第7,968,146号、PCT专利申请第PCT/US2007/023098号和第PCT/US2009/042829号中所述。为了被视为“混合物”，构成阻挡层的前述聚合材料和非聚合材料应在相同反应条件下沉积和/或同时沉积。聚合材料与非聚合材料的重量比可以在95:5到5:95范围内。聚合材料和非聚合材料可以由同一前体材料产生。在一个实例中，聚合材料与非聚合材料的混合物基本上由聚合硅和无机硅组成。
根据本公开实施例制造的装置可以并入到多种多样的电子组件模块(或单元)中，所述电子组件模块可以并入到多种电子产品或中间组件中。所述电子产品或中间组件的实例包括可以为终端用户产品制造商所利用的显示屏、照明装置(如离散光源装置或照明面板)等。所述电子组件模块可以任选地包括驱动电子装置和/或电源。根据本公开实施例制造的装置可以并入到多种多样的消费型产品中，所述消费型产品具有一或多个电子组件模块(或单元)并入于其中。公开一种包含OLED的消费型产品，所述OLED在OLED中的有机层中包括本公开的化合物。所述消费型产品应包括含一或多个光源和/或某种类型的视觉显示器中的一或多个的任何种类的产品。所述消费型产品的一些实例包括平板显示器、曲面显示器、计算机监视器、医疗监视器、电视机、告示牌、用于内部或外部照明和/或发信号的灯、平视显示器、全透明或部分透明的显示器、柔性显示器、可卷曲显示器、可折叠显示器、可拉伸显示器、激光打印机、电话、蜂窝电话、平板电脑、平板手机、个人数字助理(PDA)、可佩戴装置、膝上型计算机、数码相机、摄像机、取景器、微型显示器(对角线小于2英寸的显示器)、3-D显示器、虚拟现实或增强现实显示器、交通工具、包含多个平铺在一起的显示器的视频墙、剧院或体育馆屏幕、光疗装置，和指示牌。可以使用各种控制机制来控制根据本公开制造的装置，包括无源矩阵和有源矩阵。意图将所述装置中的许多装置用于对人类来说舒适的温度范围中，如18℃到30℃，并且更优选在室温下(20-25℃)，但可以在这一温度范围外(例如-40℃到+80℃)使用。
关于OLED和上文所述的定义的更多细节可以见于美国专利第7,279,704号中，所述专利以全文引用的方式并入本文中。
本文所述的材料和结构可以应用于除OLED以外的装置中。举例来说，如有机太阳能电池和有机光电检测器的其它光电装置可以采用所述材料和结构。更一般来说，如有机晶体管的有机装置可以采用所述材料和结构。
在一些实施例中，所述OLED具有一或多种选自由以下组成的群组的特征：柔性、可卷曲、可折叠、可拉伸和弯曲。在一些实施例中，所述OLED是透明或半透明的。在一些实施例中，所述OLED进一步包含包括碳纳米管的层。
在一些实施例中，所述OLED进一步包含包括延迟荧光发射体的层。在一些实施例中，所述OLED包含RGB像素排列或白色加彩色滤光片像素排列。在一些实施例中，所述OLED是移动装置、手持式装置或可佩戴装置。在一些实施例中，所述OLED是对角线小于10英寸或面积小于50平方英寸的显示面板。在一些实施例中，所述OLED是对角线为至少10英寸或面积为至少50平方英寸的显示面板。在一些实施例中，所述OLED是照明面板。
C.本公开的化合物与其它材料的组合
本公开的有机发光装置可以与多种其它材料组合使用。举例来说，其可以与广泛多种主体、传输层、阻挡层、注入层、电极和可能存在的其它层结合使用。下文描述或提及的材料是可以与本文所公开的装置组合使用的材料的非限制性实例，并且所属领域的技术人员可以容易地查阅文献以鉴别可以组合使用的其它材料。
a)导电性掺杂剂：
电荷传输层可以掺杂有导电性掺杂剂以大体上改变其电荷载体密度，这转而将改变其导电性。导电性通过在基质材料中生成电荷载体而增加，并且取决于掺杂剂的类型，还可以实现半导体的费米能级(Fermi level)的变化。空穴传输层可以掺杂有p型导电性掺杂剂，并且n型导电性掺杂剂用于电子传输层中。
可以与本文中所公开的材料组合用于OLED中的导电性掺杂剂的非限制性实例与公开那些材料的参考文献一起例示如下：EP01617493、EP01968131、EP2020694、EP2684932、US20050139810、US20070160905、US20090167167、US2010288362、WO06081780、WO2009003455、WO2009008277、WO2009011327、WO2014009310、US2007252140、US2015060804、US20150123047和US2012146012。
b)HIL/HTL：
本公开中所用的空穴注入/传输材料不受特别限制，并且可以使用任何化合物，只要化合物通常用作空穴注入/传输材料即可。材料的实例包括(但不限于)：酞菁或卟啉衍生物；芳香族胺衍生物；吲哚并咔唑衍生物；含有氟烃的聚合物；具有导电性掺杂剂的聚合物；导电聚合物，如PEDOT/PSS；衍生自如膦酸和硅烷衍生物的化合物的自组装单体；金属氧化物衍生物，如MoOx；p型半导电有机化合物，如1,4,5,8,9,12-六氮杂三亚苯六甲腈；金属络合物；以及可交联化合物。
用于HIL或HTL的芳香族胺衍生物的实例包括(但不限于)以下一般结构：
Ar1到Ar9中的每一个选自：由例如以下的芳香族烃环状化合物组成的群组：苯、联苯、联三苯、三亚苯、萘、蒽、萉、菲、芴、芘、苝和薁；由例如以下的芳香族杂环化合物组成的群组：二苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并硒吩、呋喃、噻吩、苯并呋喃、苯并噻吩、苯并硒吩、咔唑、吲哚并咔唑、吡啶基吲哚、吡咯并二吡啶、吡唑、咪唑、三唑、噁唑、噻唑、噁二唑、噁三唑、二噁唑、噻二唑、吡啶、哒嗪、嘧啶、吡嗪、三嗪、噁嗪、噁噻嗪、噁二嗪、吲哚、苯并咪唑、吲唑、吲噁嗪、苯并噁唑、苯并异噁唑、苯并噻唑、喹啉、异喹啉、噌啉、喹唑啉、喹喔啉、萘啶、酞嗪、喋啶、氧杂蒽、吖啶、吩嗪、吩噻嗪、吩噁嗪、苯并呋喃并吡啶、呋喃并二吡啶、苯并噻吩并吡啶、噻吩并二吡啶、苯并硒吩并吡啶和硒吩并二吡啶；以及由2到10个环状结构单元组成的群组，所述环状结构单元是选自芳香族烃环基和芳香族杂环基的相同类型或不同类型的基团并且直接或经由氧原子、氮原子、硫原子、硅原子、磷原子、硼原子、链结构单元和脂肪族环基中的至少一个彼此键结。每个Ar可以未被取代或可以被选自由以下组成的群组的取代基取代：氘、卤素、烷基、环烷基、杂烷基、杂环烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羧酸、醚、酯、腈、异腈、硫基、亚磺酰基、磺酰基、膦基和其组合。
在一个方面中，Ar1到Ar9独立地选自由以下组成的群组：
其中k是1到20的整数；X101到X108是C(包括CH)或N；Z101是NAr1、O或S；Ar1具有上文所定义的相同基团。
HIL或HTL中所用的金属络合物的实例包括(但不限于)以下通式：
其中Met是原子量可以大于40的金属；(Y101-Y102)是双齿配体，Y101和Y102独立地选自C、N、O、P和S；L101是辅助配体；k'是1到可以与金属连接的最大配体数的整数值；并且k'+k"是可以与金属连接的最大配体数。
在一个方面中，(Y101-Y102)是2-苯基吡啶衍生物。在另一方面中，(Y101-Y102)是碳烯配体。在另一方面中，Met选自Ir、Pt、Os和Zn。在另一方面中，金属络合物具有相较于Fc+/Fc耦合的小于约0.6V的溶液中最小氧化电势。
可以与本文中所公开的材料组合用于OLED中的HIL和HTL材料的非限制性实例与公开那些材料的参考文献一起例示如下：CN102702075、DE102012005215、EP01624500、EP01698613、EP01806334、EP01930964、EP01972613、EP01997799、EP02011790、EP02055700、EP02055701、EP1725079、EP2085382、EP2660300、EP650955、JP07-073529、JP2005112765、JP2007091719、JP2008021687、JP2014-009196、KR20110088898、KR20130077473、TW201139402、US06517957、US20020158242、US20030162053、US20050123751、US20060182993、US20060240279、US20070145888、US20070181874、US20070278938、US20080014464、US20080091025、US20080106190、US20080124572、US20080145707、US20080220265、US20080233434、US20080303417、US2008107919、US20090115320、US20090167161、US2009066235、US2011007385、US20110163302、US2011240968、US2011278551、US2012205642、US2013241401、US20140117329、US2014183517、US5061569、US5639914、WO05075451、WO07125714、WO08023550、WO08023759、WO2009145016、WO2010061824、WO2011075644、WO2012177006、WO2013018530、WO2013039073、WO2013087142、WO2013118812、WO2013120577、WO2013157367、WO2013175747、WO2014002873、WO2014015935、WO2014015937、WO2014030872、WO2014030921、WO2014034791、WO2014104514、WO2014157018。
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c)EBL：
电子阻挡层(EBL)可以用以减少离开发射层的电子和/或激子的数目。与缺乏阻挡层的类似装置相比，在装置中存在此类阻挡层可以产生大体上较高的效率和/或较长的寿命。此外，可以使用阻挡层来将发射限制于OLED的所需区域。在一些实施例中，与最接近EBL界面的发射体相比，EBL材料具有较高LUMO(较接近真空能级)和/或较高三重态能量。在一些实施例中，与最接近EBL界面的主体中的一或多种相比，EBL材料具有较高LUMO(较接近真空能级)和/或较高三重态能量。在一个方面中，EBL中所用的化合物含有与下文所述的主体中的一个所用相同的分子或相同的官能团。
d)主体：
本公开的有机EL装置的发光层优选地至少含有金属络合物作为发光材料，并且可以含有使用金属络合物作为掺杂剂材料的主体材料。主体材料的实例不受特别限制，并且可以使用任何金属络合物或有机化合物，只要主体的三重态能量大于掺杂剂的三重态能量即可。任何主体材料可以与任何掺杂剂一起使用，只要满足三重态准则即可。
用作主体的金属络合物的实例优选具有以下通式：
其中Met是金属；(Y103-Y104)是双齿配体，Y103和Y104独立地选自C、N、O、P和S；L101是另一配体；k'是1到可以与金属连接的最大配体数的整数值；并且k'+k"是可以与金属连接的最大配体数。
在一个方面中，金属络合物是：
其中(O-N)是具有与O和N原子配位的金属的双齿配体。
在另一方面中，Met选自Ir和Pt。在另一方面中，(Y103-Y104)是碳烯配体。
在一个方面，主体化合物含有选自以下的以下群组中的至少一个：由例如以下的芳香族烃环状化合物组成的群组：苯、联苯、联三苯、三亚苯、四亚苯、萘、蒽、萉、菲、芴、芘、苝和薁；由例如以下的芳香族杂环化合物组成的群组：二苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并硒吩、呋喃、噻吩、苯并呋喃、苯并噻吩、苯并硒吩、咔唑、吲哚并咔唑、吡啶基吲哚、吡咯并二吡啶、吡唑、咪唑、三唑、噁唑、噻唑、噁二唑、噁三唑、二噁唑、噻二唑、吡啶、哒嗪、嘧啶、吡嗪、三嗪、噁嗪、噁噻嗪、噁二嗪、吲哚、苯并咪唑、吲唑、吲噁嗪、苯并噁唑、苯并异噁唑、苯并噻唑、喹啉、异喹啉、噌啉、喹唑啉、喹喔啉、萘啶、酞嗪、喋啶、氧杂蒽、吖啶、吩嗪、吩噻嗪、吩噁嗪、苯并呋喃并吡啶、呋喃并二吡啶、苯并噻吩并吡啶、噻吩并二吡啶、苯并硒吩并吡啶和硒吩并二吡啶；以及由2到10个环状结构单元组成的群组，所述环状结构单元是选自芳香族烃环基和芳香族杂环基的相同类型或不同类型的基团并且直接或经由氧原子、氮原子、硫原子、硅原子、磷原子、硼原子、链结构单元和脂肪族环基中的至少一个彼此键结。每个基团中的每个选项可以未被取代或可以被选自由以下组成的群组的取代基取代：氘、卤素、烷基、环烷基、杂烷基、杂环烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羧酸、醚、酯、腈、异腈、硫基、亚磺酰基、磺酰基、膦基和其组合。
在一个方面中，主体化合物在分子中含有以下基团中的至少一个：
其中R101选自由以下组成的群组：氢、氘、卤素、烷基、环烷基、杂烷基、杂环烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羧酸、醚、酯、腈、异腈、硫基、亚磺酰基、磺酰基、膦基和其组合，且当其是芳基或杂芳基时，其具有与上文所提及的Ar类似的定义。k是0到20或1到20的整数。X101到X108独立地选自C(包括CH)或N。Z101和Z102独立地选自NR101、O或S。
可以与本文中所公开的材料组合用于OLED中的主体材料的非限制性实例与公开那些材料的参考文献一起例示如下：EP2034538、EP2034538A、EP2757608、JP2007254297、KR20100079458、KR20120088644、KR20120129733、KR20130115564、TW201329200、US20030175553、US20050238919、US20060280965、US20090017330、US20090030202、US20090167162、US20090302743、US20090309488、US20100012931、US20100084966、US20100187984、US2010187984、US2012075273、US2012126221、US2013009543、US2013105787、US2013175519、US2014001446、US20140183503、US20140225088、US2014034914、US7154114、WO2001039234、WO2004093207、WO2005014551、WO2005089025、WO2006072002、WO2006114966、WO2007063754、WO2008056746、WO2009003898、WO2009021126、WO2009063833、WO2009066778、WO2009066779、WO2009086028、WO2010056066、WO2010107244、WO2011081423、WO2011081431、WO2011086863、WO2012128298、WO2012133644、WO2012133649、WO2013024872、WO2013035275、WO2013081315、WO2013191404、WO2014142472，US20170263869、US20160163995、US9466803，
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e)其它发射体：
一或多种其它发射体掺杂剂可以与本发明化合物结合使用。其它发射体掺杂剂的实例不受特别限制，并且可以使用任何化合物，只要化合物通常用作发射体材料即可。合适发射体材料的实例包括(但不限于)可以经由磷光、荧光、热激活延迟荧光(即TADF，也称为E型延迟荧光)、三重态-三重态消灭或这些工艺的组合产生发射的化合物。
可以与本文中所公开的材料组合用于OLED中的发射体材料的非限制性实例与公开那些材料的参考文献一起例示如下：CN103694277、CN1696137、EB01238981、EP01239526、EP01961743、EP1239526、EP1244155、EP1642951、EP1647554、EP1841834、EP1841834B、EP2062907、EP2730583、JP2012074444、JP2013110263、JP4478555、KR1020090133652、KR20120032054、KR20130043460、TW201332980、US06699599、US06916554、US20010019782、US20020034656、US20030068526、US20030072964、US20030138657、US20050123788、US20050244673、US2005123791、US2005260449、US20060008670、US20060065890、US20060127696、US20060134459、US20060134462、US20060202194、US20060251923、US20070034863、US20070087321、US20070103060、US20070111026、US20070190359、US20070231600、US2007034863、US2007104979、US2007104980、US2007138437、US2007224450、US2007278936、US20080020237、US20080233410、US20080261076、US20080297033、US200805851、US2008161567、US2008210930、US20090039776、US20090108737、US20090115322、US20090179555、US2009085476、US2009104472、US20100090591、US20100148663、US20100244004、US20100295032、US2010102716、US2010105902、US2010244004、US2010270916、US20110057559、US20110108822、US20110204333、US2011215710、US2011227049、US2011285275、US2012292601、US20130146848、US2013033172、US2013165653、US2013181190、US2013334521、US20140246656、US2014103305、US6303238、US6413656、US6653654、US6670645、US6687266、US6835469、US6921915、US7279704、US7332232、US7378162、US7534505、US7675228、US7728137、US7740957、US7759489、US7951947、US8067099、US8592586、US8871361、WO06081973、WO06121811、WO07018067、WO07108362、WO07115970、WO07115981、WO08035571、WO2002015645、WO2003040257、WO2005019373、WO2006056418、WO2008054584、WO2008078800、WO2008096609、WO2008101842、WO2009000673、WO2009050281、WO2009100991、WO2010028151、WO2010054731、WO2010086089、WO2010118029、WO2011044988、WO2011051404、WO2011107491、WO2012020327、WO2012163471、WO2013094620、WO2013107487、WO2013174471、WO2014007565、WO2014008982、WO2014023377、WO2014024131、WO2014031977、WO2014038456、WO2014112450。
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f)HBL：
空穴阻挡层(HBL)可以用以减少离开发射层的空穴和/或激子的数目。与缺乏阻挡层的类似装置相比，此类阻挡层在装置中的存在可以产生大体上较高的效率和/或较长的寿命。此外，可以使用阻挡层来将发射限制于OLED的所需区域。在一些实施例中，与最接近HBL界面的发射体相比，HBL材料具有较低HOMO(距真空能级较远)和/或较高三重态能量。在一些实施例中，与最接近HBL界面的主体中的一或多种相比，HBL材料具有较低HOMO(距真空能级较远)和/或较高三重态能量。
在一个方面中，HBL中所用的化合物含有与上文所述的主体所用相同的分子或相同的官能团。
在另一方面中，HBL中所用的化合物在分子中含有以下基团中的至少一个：
其中k是1到20的整数；L101是另一个配体，k'是1到3的整数。
g)ETL：
电子传输层(ETL)可以包括能够传输电子的材料。电子传输层可以是固有的(未经掺杂的)或经掺杂的。可以使用掺杂来增强导电性。ETL材料的实例不受特别限制，并且可以使用任何金属络合物或有机化合物，只要其通常用以传输电子即可。
在一个方面中，ETL中所用的化合物在分子中含有以下基团中的至少一个：
其中R101选自由以下组成的群组：氢、氘、卤素、烷基、环烷基、杂烷基、杂环烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羧酸、醚、酯、腈、异腈、硫基、亚磺酰基、磺酰基、膦基和其组合，当其为芳基或杂芳基时，其具有与上述Ar类似的定义。Ar1到Ar3具有与上文所提及的Ar类似的定义。k是1到20的整数。X101到X108选自C(包括CH)或N。
在另一方面中，ETL中所用的金属络合物含有(但不限于)以下通式：
其中(O-N)或(N-N)是具有与原子O、N或N、N配位的金属的双齿配体；L101是另一个配体；k'是1到可以与金属连接的最大配体数的整数值。
可以与本文中所公开的材料组合用于OLED中的ETL材料的非限制性实例与公开那些材料的参考文献一起例示如下：CN103508940、EP01602648、EP01734038、EP01956007、JP2004-022334、JP2005149918、JP2005-268199、KR0117693、KR20130108183、US20040036077、US20070104977、US2007018155、US20090101870、US20090115316、US20090140637、US20090179554、US2009218940、US2010108990、US2011156017、US2011210320、US2012193612、US2012214993、US2014014925、US2014014927、US20140284580、US6656612、US8415031、WO2003060956、WO2007111263、WO2009148269、WO2010067894、WO2010072300、WO2011074770、WO2011105373、WO2013079217、WO2013145667、WO2013180376、WO2014104499、WO2014104535，
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/>
h)电荷产生层(CGL)
在串联或堆叠OLED中，CGL对性能起基本作用，其由分别用于注入电子和空穴的经n掺杂的层和经p掺杂的层组成。电子和空穴由CGL和电极供应。CGL中消耗的电子和空穴由分别从阴极和阳极注入的电子和空穴再填充；随后，双极电流逐渐达到稳定状态。典型CGL材料包括传输层中所用的n和p导电性掺杂剂。
在OLED装置的每个层中所用的任何上文所提及的化合物中，氢原子可以部分或完全氘化。化合物中的被氘化的氢的最小量选自由以下组成的群组：30％、40％、50％、60％、70％、80％、90％、95％、99％和100％。因此，任何具体列出的取代基，如(但不限于)甲基、苯基、吡啶基等可以是其非氘化、部分氘化以及和完全氘化形式。类似地，取代基类别(例如(但不限于)烷基、芳基、环烷基、杂芳基等)还可以是其非氘化、部分氘化和完全氘化形式。
应理解，本文所述的各种实施例仅借助于实例，并且并不意图限制本发明的范围。举例来说，可以在不背离本发明的精神的情况下用其它材料和结构取代本文所述的许多材料和结构。如所要求的本公开因此可以包括本文所述的具体实例和优选实施例的变化形式，如所属领域的技术人员将显而易见。应理解，关于本发明为何起作用的各种理论并不意图是限制性的。
实验部分
使用包含元素Si、CN、B、D和F的若干主体和发射体材料制造OLED装置。装置结果示于表3中，其中EQE在10mA/cm2下获取，并且寿命(LT90)为在20mA/cm2的恒定电流密度下，亮度降低到初始亮度的90％的时间。
/>
OLED在玻璃衬底上生长而成，所述玻璃衬底预涂有薄层电阻为15-Ω/sq的氧化铟锡(ITO)层。在任何有机层沉积或涂布之前，衬底用溶剂去除油污，并且接着在100毫托、50W下用氧等离子体处理1.5分钟并用UV臭氧处理5分钟。在高真空(<10-6托)中通过热蒸发制造装置。阳极电极为氧化铟锡(ITO)。在制造之后，立即在氮气手套箱(<1ppm的H2O和O2)中将所有装置用经环氧树脂密封的玻璃盖包封，并且将吸湿气剂并入到包装内部。掺杂百分比以体积百分比计。装置以两个不同装置结构生长。
装置依序从ITO表面开始具有由以下组成的有机层：化合物1(HIL)、/>化合物2(HTL)、/>EBL、/>H主体、X％的E主体、Y％的发射体、/>HBL、/>掺杂有35％化合物6的化合物5(ETL)、/>化合物5(EIL)，之后为/>的Al(阴极)。EBL、H主体、E主体、HBL、X和Y各自示于表1中。对于表1中的每个装置，包含于每种材料内的元素示于表2中。对应装置数据在表3中给出。相对于比较装置比较例1的值报告每个实例的EQE和LT90。
| 装置 | H主体 | 元素 | E主体 | 元素 | 发射体 | 元素 |
| 实例1 | HH1 | Si | EH1 | B | 发射体1 | D |
| 实例2 | HH1 | Si | EH5 | B、Si | 发射体1 | D |
| 实例3 | HH3 | Si、D | EH3 | B、D | 发射体1 | D |
| 实例4 | HH3 | Si、D | EH6 | B、Si、D | 发射体1 | D |
| 实例5 | HH5 | CN | EH2 | Si | 发射体1 | D |
| 实例6 | HH3 | Si、D | EH7 | Si、D | 发射体1 | D |
| 实例7 | HH3 | Si、D | EH3 | B、D | 发射体1 | D |
| 实例8 | HH3 | Si、D | EH6 | B、Si、D | 发射体1 | D |
| 实例9 | HH2 | -- | EH2 | Si | 发射体2 | Si |
| 实例10 | HH2 | -- | EH2 | Si | 发射体4 | Si、D |
| 实例11 | HH2 | -- | EH2 | Si | 发射体3 | Si、D、CN |
| 实例12 | HH2 | -- | EH2 | Si | 发射体5 | Si、D |
| 实例13 | HH2 | -- | EH2 | Si | 发射体7 | D-烷基、D-芳基 |
| 实例14 | HH4 | D | EH7 | Si、D | 发射体4 | Si、D |
| 实例15 | HH4 | D | EH3 | B、D | 发射体4 | Si、D |
| 实例16 | HH4 | D | EH6 | B、Si、D | 发射体4 | Si、D |
| 实例17 | HH3 | Si、D | EH7 | Si、D | 发射体7 | D-烷基、D-芳基 |
| 实例18 | HH3 | Si、D | EH3 | B、D | 发射体7 | D-烷基、D-芳基 |
| 实例19 | HH3 | Si、D | EH6 | B、Si、D | 发射体7 | D-烷基、D-芳基 |
| 比较例1 | HH2 | -- | EH4 | -- | 发射体1 | D |
| 比较例2 | HH1 | Si | EH4 | -- | 发射体1 | D |
| 比较例3 | HH2 | -- | EH5 | B、Si | 发射体1 | D |
| 比较例4 | HH4 | D | EH7 | Si、D | 发射体1 | D |
| 比较例5 | HH2 | -- | EH2 | Si | 发射体1 | D |
| 比较例6 | HH2 | -- | EH1 | B | 发射体1 | D |
| 比较例7 | HH2 | -- | EH4 | -- | 发射体2 | Si |
| 比较例8 | HH2 | -- | EH4 | -- | 发射体4 | Si、D |
| 比较例9 | HH2 | -- | EH4 | -- | 发射体3 | Si、D、CN |
| 比较例10 | HH2 | -- | EH4 | -- | 发射体5 | Si、D |
| 比较例11 | HH2 | -- | EH4 | -- | 发射体7 | D-烷基、D-芳基 |
/>
以上数据显示每个装置实例1至19展现出比比较装置，即比较例1更长的寿命和/或更高的效率。观测到的EQE增加高达40％和寿命延长高达810％超出可归因于实验误差的任何值，并且观察到的改进为显著的。来自多种不同主体和掺杂剂结构的优化装置实现这些显著增强，但均保留类似结构特征，即类似四齿铂架构、包含缺电子的电子传输主体和基于3,9-二咔唑的空穴传输主体。基于以下事实：装置具有类似结构，其中主要差异为并入包含如Si、CN、D和B的元素的部分，在以上数据中观察到的显著性能改进为出人意料的。在不受任何理论束缚的情况下，此改进可归因于由这些较不常用的元素提供的较大结构和能量变化。
Claims (15)
1.一种有机发光装置OLED，其包含含有以下各项的发光堆叠：
第一电极；
第二电极；
安置于所述第一电极与所述第二电极之间的第一层；
其中所述第一层选自由以下组成的群组：空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、电子阻挡层EBL、发射层EML、空穴阻挡层HBL、电子传输层ETL和电子注入层EIL；
其中所述第一层包含混合在一起的第一化合物和第二化合物；
其中所述第一化合物包含选自由以下组成的群组一的第一元素(F1)：D、F、CN、Si、Ge、P、B和Se；
其中所述第二化合物包含选自所述群组一的第一元素(S1)；并且
其中所述第一化合物的所述第一元素(F1)可与所述第二化合物的所述第一元素(S1)相同或不同。
2.根据权利要求1所述的OLED，其中所述第一化合物进一步包含选自所述群组一的第二元素(F2)；并且其中所述第一化合物的所述第一元素与所述第一化合物的所述第二元素不同。
3.根据权利要求2所述的OLED，其中所述第二化合物进一步包含选自所述群组一的第二元素(S2)；并且其中所述第二化合物的所述第一元素与所述第二化合物的所述第二元素不同。
4.根据权利要求2所述的OLED，其中所述第一化合物进一步包含选自所述群组一的第三元素(F3)；并且其中所述第一化合物的所述第一元素、所述第二元素和所述第三元素彼此不同。
5.根据权利要求3所述的OLED，其中所述第二化合物进一步包含选自所述群组一的第三元素(S3)；并且其中所述第二化合物的所述第一元素、所述第二元素和所述第三元素彼此不同。
6.根据权利要求1所述的OLED，其中所述第一层进一步包含与所述第一化合物和所述第二化合物混合的第三化合物；其中所述第三化合物包含至少一种选自所述群组一的元素。
7.根据权利要求1所述的OLED，其中OLED进一步包含安置于所述第一电极与所述第二电极之间的第二层；
其中
所述第二层选自由以下组成的群组：HIL、HTL、EBL、EML、HBL、ETL和EIL；
所述第二层为与所述第一层不同类型的层；并且
所述第二层包含第三化合物；其中所述第三化合物包含至少一种选自由以下组成的群组的元素：D、F、CN、Si、Ge、P、B和Se。
8.根据权利要求1所述的OLED，其中所述第二化合物的第一元素(S1)为B；和/或所述第一化合物的所述第一元素(F1)选自由D、CN和Si组成的群组。
9.根据权利要求1所述的OLED，其中所述第一层为EML，所述第一化合物为第一发射体，并且所述第二化合物为第二发射体；或所述第一化合物为第一主体，并且所述第二化合物为第二主体。
10.根据权利要求1所述的OLED，其中所述第一化合物具有选自由以下组成的群组的结构：
其中：
X1至X24中的每一个独立地为C或N；
L'为直接键或有机连接基团；
每个YA独立地选自由以下组成的群组：不存在键、O、S、Se、CRR'、SiRR'、GeRR'、NR、BR、BRR'；
RA'、RB'、RC'、RD'、RE'、RF'和RG'中的每一个独立地表示单取代至最大取代或无取代；
R、R'、RA'、RB'、RC'、RD'、RE'、RF'和RG'中的每一个独立地为氢或选自由以下组成的群组的取代基：氘、卤素、烷基、环烷基、杂烷基、杂环烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、氨基、硅烷基、锗烷基、硼烷基、硒烷基、烯基、环烯基、杂烯基、炔基、芳基、杂芳基、酰基、羧酸、醚、酯、腈、异腈、硫基、亚磺酰基、磺酰基、膦基和其组合；
并且RA'、RB'、RC'、RD'、RE'、RF'和RG'中任何相邻的两个取代基能够接合或稠合以形成环。
11.根据权利要求1所述的OLED，其中所述第一化合物具有选自由以下组成的群组的结构：
/>
/>
/>
12.根据权利要求1所述的OLED，其中所述第二化合物具有选自由以下组成的群组的结构：
/>
/>
/>
/>
/>
13.根据权利要求6所述的OLED，其中所述第一层为EML；其中所述第一化合物为第一发射体，所述第二化合物为第二发射体，所述第三化合物为第一主体。
14.根据权利要求1所述的OLED，其中所述第一化合物和所述第二化合物均不含金属；
或所述第一化合物不含金属，并且所述第二化合物为含金属化合物。
15.一种消费型产品，其包含有机发光装置，所述有机发光装置包含含有以下各项的发光堆叠：
第一电极；
第二电极；
安置于所述第一电极与所述第二电极之间的第一层；
其中所述第一层选自由以下组成的群组：空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、电子阻挡层EBL、发射层EML、空穴阻挡层HBL、电子传输层ETL和电子注入层EIL；
其中所述第一层包含混合在一起的第一化合物和第二化合物；
其中所述第一化合物包含选自由以下组成的群组一的第一元素(F1)：D、F、CN、Si、Ge、P、B和Se；
其中所述第二化合物包含选自所述群组一的第一元素(S1)；并且
其中所述第一化合物的所述第一元素(F1)可与所述第二化合物的所述第一元素(S1)相同或不同。
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