CN104540975A - 真空蒸镀装置以及有机el装置的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及具备多个蒸发器的真空蒸镀装置，提出蒸发器和成膜材料的优选的组合。具备成膜室(2)和使成膜材料气化而朝向基材释放的一系列的释放回路(3)。释放回路(3)由蒸发部(10a～10j)、歧管组(6)、成膜材料释放部(13)、闸门部件(8)构成。在成膜材料释放部(13)分布有与歧管部(66、67、68)连通的释放开口(80、81、82)。在释放开口(80、81、82)的开口端附近设有节流件(85、86、87)。节流件(85、86、87)的开口面积针对各个歧管部(66、67、68)而不同。考虑将成膜材料(16a～16j)的需要的膜厚近似的放入相同组的蒸发部(10a～10j)。

Description

真空蒸镀装置以及有机EL装置的制造方法
技术领域
本发明涉及真空蒸镀装置。尤其，本发明涉及能够在一个成膜室内使多个成膜层成膜的真空蒸镀装置。本发明的真空蒸镀装置适合作为用于制造有机EL(Electro Luminesence：电致发光)装置的装置。另外，本发明涉及有机EL装置的制造方法。
背景技术
近几年，作为替代白炽灯、荧光灯的照明装置，有机EL装置受到注目，并进行了很多研究。有机EL装置是通过在玻璃基板、透明树脂薄膜等基材层叠了有机EL元件而成的。
并且，有机EL元件是使一方或者双方具有透光性的2个电极对置、且在该电极之间层叠了由有机化合物构成的发光层而成的。
有机EL装置是自发光器件，通过适当地选择发光层的材料，能够发出各种波长的光。另外，与白炽灯、荧光灯相比厚度极薄，且面状地发光，从而设置位置的制约较少。
代表的有机EL装置的层结构如图21所示。图21所示的有机EL装置200构成为，在玻璃基板202上，层叠透明电极层203、功能层205、背面电极层206，并由密封部207对它们进行密封。有机EL装置200是从玻璃基板202侧取出光的、被称作所谓底部放射型的结构。
另外，功能层205是层叠有多个有机化合物或者导电性氧化物的成膜而成的。代表的功能层205的层结构如图21的放大图所示地从透明电极层203侧依次具有空穴注入层208、空穴输送层210、发光层211、电子输送层212、以及电子注入层215。
这样，有机EL装置是通过在玻璃基板202上依次使所述的层成膜而制造的。
此处，在所述的各层中，功能层205是如所述那样层叠有多个有机化合物的薄膜而成的，各薄膜均通过真空蒸镀法成膜。
即，由于如所述那样，功能层205是层叠有多个有机化合物的薄膜而成的，所以为了形成功能层205，需要多次进行真空蒸镀。
另外，背面电极层206一般由铝、银等的金属薄膜形成，与功能层205相同，通过真空蒸镀法成膜。
因此，当制造一个有机EL装置时，需要多次进行真空蒸镀。
此处，以往的真空蒸镀装置仅能够蒸镀一个种类的薄膜。例如，有机EL装置的功能层205由空穴注入层208、空穴输送层210、发光层211、电子输送层212以及电子注入层215构成，但在以往的方法中，所述层由分别不同的真空蒸镀装置成膜。
因此，以往的有机EL装置的各层的成膜需要频繁进行相对于真空蒸镀装置拿出、放入基板的作业。因此，以往的方法的作业效率较低，而期望改善。
作为解决该问题的对策，专利文献1、2中提出了能够在一个成膜室使多个薄膜层成膜的真空蒸镀装置。
专利文献1、2所公开的真空蒸镀装置中，在成膜室内设置有3个分散容器。
另外，各分散装置分别与多个蒸发部连接，从各蒸发部向分散容器供给成膜材料的蒸气。而且，从各分散容器向成膜室内释放成膜材料的蒸气(以下，也称作成膜蒸气)而在基板上成膜。
专利文献1、2所公开的真空蒸镀装置中，通过选择使成膜蒸气释放的分散容器，能够在一个成膜室内使多个薄膜层成膜。
另外，专利文献1、2所公开的真空蒸镀装置中，通过切换使用的蒸发部，能够变更向分散容器供给的成膜材料。即，专利文献1、2所公开的真空蒸镀装置中，能够在一个成膜室内使多个薄膜层成膜。
专利文献1中，作为成膜材料的分组方法，公开了将蒸发温度、极限温度相近的作为一个组的对策。即，专利文献1所公开的真空蒸镀装置中，对各分散装置与多个蒸发部连接、但使用哪个蒸发部来使哪个成膜材料蒸发这一点，进行了有趣的研究。
换言之，专利文献1中，公开了蒸发器和成膜材料的优选的组合。
专利文献1所公开的对策中，将成膜材料以其蒸发温度、极限温度分类，将蒸发温度相近的成膜材料向与相同的分散装置连接的多个蒸发部中每一个投入，并使之蒸发。
专利文献1：日本特开2008-75095号公报
专利文献2：日本特开2009-256705号公报
专利文献1所公开的对策中，理论上是合理的，可以说是蒸发器和成膜材料的组合方法之一。
然而，不能说该组合是最好的，还有更加优选的组合。
发明内容
因此，本发明涉及具备多个蒸发器的真空蒸镀装置，其目的在于提出蒸发器和成膜材料的优选的组合。
另外，本发明的目的在于，提出如下有机EL装置的制造方法，即，当在一个成膜室使有机EL装置的多个层成膜的情况下，能够使成膜的薄膜的厚度的分布均匀。
有机EL装置如上所述地层叠有多个薄膜层。这些各层均优选为以膜厚分布均匀的方式成膜。即，优选各层分别均匀，且在各层分别因位置不同而厚度的差别较少。
为了使各层的膜厚均匀，需要在最佳的条件下实施各层的成膜。然而，实际上，构成有机EL装置的各层的厚度不一样。因此，用于使各个膜均匀地成膜的最佳的条件按照层而不同。
此处，作为使膜的厚度均匀所需要的一个条件，可以举出单位时间内的成膜蒸气的释放量。即，在真空蒸镀法中，适当地调整在单位时间内从释放开口释放的成膜蒸气的量是重要的。若该成膜蒸气的释放量不适当，则成膜后的膜的厚度产生差别。
因此，本发明以“各个成膜材料的蒸气在单位时间内的目标释放量”为基准而组合蒸发器和成膜材料。
即，若释放系统相同，则预料成膜蒸气所受到的流路阻力也同等。因此，若使“各个成膜材料的蒸气在单位时间内的目标释放量”近似的成膜材料在属于相同系统的蒸发部蒸发，则单位时间内的成膜蒸气的释放量相近。
基于以上的研究而完成的本发明的一个方式是一种真空蒸镀装置，其具有能够减压且能够设置基材的成膜室、和设有多个向基材释放成膜材料的蒸气的释放开口的成膜材料释放部，从成膜材料释放部释放成膜材料的蒸气而在基材上成膜，所述真空蒸镀装置的特征在于，具备存在多个所述释放系统的流路结构，在所述释放系统中具有多个使成膜材料蒸发的蒸发部，并且一个所述释放系统是由1个或者多个蒸发部构成的一组的蒸发部组与由多个释放开口构成的一组的开口组连接而形成的，所述真空蒸镀装置构成为，在每个所述蒸发部存在主开闭阀，打开该主开闭阀来向成膜材料释放部导入由蒸发部产生的蒸气，并从成膜材料释放部释放成膜材料的蒸气而在基材上成膜，所述蒸发部组是以使各个成膜材料的蒸气在单位时间内的目标释放量近似的成为一个组的方式选择而成的。
优选，从蒸发部在释放开口的开口端附近设有节流件，在一个释放系统内配置的节流件的开口面积基于一定的基准而设定，在其它至少一个释放系统设置的节流件根据不同的基准设定。
根据该方式，由于能够针对各个释放系统使节流件的开口面积不同，所以能够使成膜蒸气在单位时间内的释放量接近理想状态。
优选属于各开口组的释放开口的开口面积大致相同。
此处所说的“开口面积大致相同”是指开口面积的差为正负5％以内。当然，“开口面积大致相同”也包括开口面积相同。
该方式的情况下，开口面积的差优选为正负3％以内。
优选在属于各开口组的释放开口中混有开口面积不同的释放开口。
更加优选各开口组的释放开口的总面积相互不同。
根据该方式，能够按照开口组地控制单位时间内的成膜量。
更加优选与属于一个开口组的释放开口邻接的释放开口均是属于不同的开口组的释放开口。
根据该方式，由于一个释放开口和与该释放开口邻接的释放开口属于不同的开口组，所以能够平均地分布属于分别的开口组的释放开口。
优选具备对释放系统的一部分或者全部进行温度调节的热介质流路。
在热介质流路通过的热介质并不限定于高温的，也有使用低温的情况。例如，若释放气化温度较高的成膜材料后，接着要利用相同的释放系统来释放气化温度较低的成膜材料时，会需要冷却歧管等释放系统。
该方式由于具备对释放系统的一部分或者全部进行温度调节的热介质流路，所以也能够冷却释放系统，从而能够早开始低温且气化的成膜材料的蒸镀。另外，该方式也能够缩短释放的成膜材料的切换时间。
当然，也可以在热介质流路通过高温的热介质。
优选在成膜室内存在膜厚传感器和膜厚确认用的释放开口，释放系统与膜厚确认用的释放开口连通。
该方式的真空蒸镀装置能够正确地检测在基材上层叠的膜的厚度。
优选所述释放开口直接或者经由延长管而与歧管部的内部空间连通，1个或者多个歧管部的一部分或者全部在成膜室外配置。
根据该方式，由于1个或者多个歧管部的一部分或者全部在成膜室外配置，所以成膜室的容积能够比较小。因此，当将成膜室设为真空环境气时，与以往相比能够缩短成膜室内的抽真空的时间。因此，单位时间内的成膜量较多。
优选所述释放开口直接或者经由延长管而与歧管部的内部空间连通，1个或者多个歧管部在成膜室外配置，另外具有在成膜室内配置的膜厚传感器和膜厚确认用的释放开口，在所述成膜室外配置的歧管部与膜厚确认用的释放开口连通。
根据该方式，由于在成膜室内设置膜厚传感器，所以也可以不新设置膜厚传感器用的空间。因此，能够减少设备成本。
优选所述释放开口直接或者经由延长管而与歧管部的内部空间连通，所述歧管部具备残留蒸气除去机构，在成膜后，该残留蒸气除去机构能够使歧管部的一部分的温度降低而使在歧管部内残留的成膜材料的蒸气的性状变化。
此处所说的“性状”是表示物质的性质和状态，“性状变化”是指例如组成变化、物性变化、形状变化、状态变化。
根据该方式，利用残留蒸气除去机构使成膜材料的蒸气冷却而固化或者液化，从而能够除去成膜材料的蒸气。
然而，真空蒸镀装置刚动作后的成膜材料的蒸气大多有反应不充分、不稳定的情况。
因此，优选具有覆盖成膜材料释放部的全部释放开口的闸门部件，闸门部件能够相对于所述释放开口相对移动，且具备开口，闸门部件使闸门部件的开口与所述释放开口一致而能够使全部释放开口为敞开状态，另外，闸门部件使闸门部件的开口从所述释放开口偏离，而能够使全部释放开口为闭塞状态。
根据该方式，在真空蒸镀装置刚动作后，通过使闸门部件为闭塞状态，能够防止不稳定的成膜材料的蒸气蒸镀到作为成膜对象的基材上。另外，在非成膜时，同样通过使闸门部件为闭塞状态，也能够防止不稳定的成膜材料的蒸气蒸镀到作为成膜对象的基材上。
另外，在成膜时，通过使闸门部件为敞开状态，从而能够使成膜材料的蒸气不被闸门部件阻碍地在基材上蒸镀成膜材料的蒸气。
优选，对于各个释放系统，使以下(1)～(5)的项目中的至少一个项目不同。
(1)各释放开口的实际的开口面积。
(2)释放开口的实际的总开口面积。
(3)释放开口的分布。
(4)释放开口的数量。
(5)释放系统的流路阻力。
根据该方式，利用释放系统能够调整基材上的成膜的厚度、分布。
并且，用于解决本发明的相同的课题的方法的方式是一种有机EL装置的制造方法，其在单一成膜室内进行相对于基材真空蒸镀多个成膜层的多个蒸镀工序，其中，进行真空蒸镀的真空蒸镀装置具备存在多个释放系统的流路结构，在所述释放系统中具有多个使成膜材料蒸发的蒸发部，并且一个所述释放系统是连接由1个或者多个蒸发部构成的一组的蒸发部组与由多个释放开口构成的一组的开口组而形成的，并在每个所述蒸发部存在主开闭阀，打开该主开闭阀而向成膜材料释放部导入由蒸发部产生的蒸气，并从成膜材料释放部释放成膜材料的蒸气而在基材上成膜，使所述释放开口的开口面积针对各个释放系统而不同，向属于所述蒸发部组的蒸发部，选择性地投入各个成膜材料的蒸气在单位时间内的目标释放量近似的成膜材料，利用所述蒸发部使成膜材料蒸发而在基材上成膜，从而进行多个蒸镀工序。
本发明的一个方式是一种有机EL装置的制造方法，其使用所述的真空蒸镀装置，来实施多次同时释放主成膜材料和次成膜材料而形成共蒸镀有机层的共蒸镀工序，从而制造含有多个共蒸镀有机层的有机EL装置，其中，将多种主成膜材料选择性地投入属于相同的蒸发部组的蒸发部，并将多种次成膜材料选择性地投入属于其它的蒸发部组的蒸发部，在所述蒸发部分别使成膜材料蒸发而在基材上使共蒸镀有机层成膜。
该方式使用所述的真空蒸镀装置来进行共蒸镀。如公知那样，共蒸镀同时释放多个成膜材料(主成膜材料和次成膜材料)而成膜，但主成膜材料和次成膜材料的蒸镀量十分不同。具体而言，在共蒸镀的层中，一般一方(例如主成膜材料)含有70至99重量百分比，另一方(例如次成膜材料)含有剩余的1至30重量百分比。因此，释放开口的最佳条件自然不同。
该方式构成为，将多种主成膜材料选择性地向属于相同的蒸发部组的蒸发部投入，并将多种次成膜材料选择性地向属于其它蒸发部组的蒸发部投入，在所述蒸发部分别使成膜材料蒸发而在基材上使共蒸镀有机层成膜。因此，能够在优选的条件下释放主成膜材料和次成膜材料。
优选在共蒸镀工序中，在属于单一释放系统的单一蒸发部使主成膜材料蒸发、而从属于所述释放系统的释放开口释放主成膜材料的蒸气，并在属于与所述释放系统不同的单一释放系统的单一蒸发部使次成膜材料蒸发、而从属于所述释放系统的释放开口释放次成膜材料的蒸气。
此处次成膜材料是除p型掺杂剂、n型掺杂剂等掺杂剂材料之外还包括形成发光层的材料的概念。主要是在成膜的层中含有的成分，是含有量比主成膜材料的含有量少的材料。
根据该方式，能够在优选的条件下释放主成膜材料和次成膜材料。
优选，所述真空蒸镀装置具备所属的开口组的释放开口的总面积较大的大容量用释放系统、和所属的开口组的释放开口的总面积比大容量用释放系统的释放开口的总面积小的小容量用释放系统，所述主成膜材料是在成膜的层中较多含有的成分，次成膜材料是在成膜的层中含有量比主成膜材料的含有量少的成分，将主成膜材料选择性地投入属于大容量用释放系统的蒸发部，并将次成膜材料选择性地投入属于小容量用释放系统的蒸发部。
该方式中，由于经由大容量用释放系统释放主成膜材料，并经由小容量用释放系统释放次成膜材料，所以能够在优选的条件下释放主成膜材料和次成膜材料。
优选，所述真空蒸镀装置是具有在成膜室内存在膜厚传感器和膜厚确认用的释放开口、且歧管部与膜厚确认用的释放开口连通的结构的装置，实施从属于一个以上的释放系统的释放开口释放主成膜材料、同时从属于另外一个以上的释放系统的释放开口释放次成膜材料、而形成共蒸镀有机层的共蒸镀工序，且在实施共蒸镀工序时能够检测仅主成膜材料的成膜状态以及或者仅次成膜材料的成膜状态。
根据该方式，在执行共蒸镀时，能够分别独立地确认主成膜材料的释放量、次成膜材料的释放量。即，由于能够利用属于一个歧管部的膜厚传感器来测量单一成膜材料(主成膜材料或者次成膜材料)的蒸镀速度，所以能够一边正确地测量共蒸镀有机层的组成一边蒸镀。
优选，所述有机EL装置在2个电极层之间夹持有功能层，该功能层具有多个发光层，所述多个发光层是在作为所述主成膜材料的主体材料中掺杂作为所述次成膜材料的荧光材料或者磷光材料而成的，至少2个发光层在所述成膜室内成膜。
根据该方式，能够容易地制造具备多个发光层的有机EL装置。
根据本发明的真空蒸镀装置以及有机EL装置的制造方法，为了均匀地成膜而能够释放适当的成膜蒸气释放量。因此，膜的厚度变得均匀。
附图说明
图1是本发明的实施方式的真空蒸镀装置的结构图。
图2是图1的真空蒸镀装置的蒸发部的示意图。
图3是示意地表示图1的真空蒸镀装置的歧管部以及成膜材料释放部的立体图。
图4是示意地表示与图3相同的歧管部以及成膜材料释放部的立体图，是表示拆下了构成成膜材料释放部的一部分的板体的状态的立体图。
图5是表示分离了图3所示的歧管部以及板体的状态的立体图。
图6是图3的歧管部以及成膜材料释放部的剖面立体图。
图7是表示在图1的真空蒸镀装置的释放开口设置的节流件的剖视图。
图8是图1的歧管部的剖视图。
图9是示意地表示图1的真空蒸镀装置中采用的成膜材料释放部的俯视图。
图10是图1的真空蒸镀装置中采用的成膜材料释放部的俯视图。
图11是图1的真空蒸镀装置中采用的闸门部件的立体图。
图12是表示图1的真空蒸镀装置中采用的成膜材料释放部与闸门部件的关系的俯视图，图12(a)表示在成膜时的状态下敞开了全部的释放开口的状态，图12(b)表示在准备阶段的状态下关闭了全部的释放开口的状态。
图13是本发明的其它实施方式的真空蒸镀装置的结构图。
图14是示意地表示图13的真空蒸镀装置的歧管部以及成膜材料释放部的立体图。
图15是本发明的其它实施方式的真空蒸镀装置的结构图。
图16是本发明的其它实施方式的真空蒸镀装置的结构图。
图17是本发明的其它实施方式的真空蒸镀装置的结构图。
图18是示意地表示使用图1的真空蒸镀装置而能够成膜的有机EL装置的层结构的剖视图，省略了功能层的剖面线。
图19是表示歧管部的变形例的剖视图。
图20是表示歧管部的其它变形例的剖视图。
图21是一般的有机EL装置的层结构的示意图。
具体实施方式
以下，参照附图详细地对本发明的第一实施方式的真空蒸镀装置进行说明。
本发明的第一实施方式的真空蒸镀装置1如图1所示地具备成膜室2、和使成膜材料气化而朝向基材释放的一系列的释放回路3。
成膜室2具有气密性，且具备减压机构7。减压机构7是用于将成膜室2内的空间维持为真空状态的设备，是公知的减压泵。
此外，此处所说的“真空状态”是指具有10-3(10的负3次方)Pa以下的真空度的状态。真空度优选越高越好，即，以压力表示的情况下优选越小越好。
本实施方式的具体的真空度为1×10-3(10的负3次方)～1×10-9(10的负9次方)Pa的范围。从防止灰尘等杂质的混入的观点来看，优选为1×10-5(10的负5次方)～1×10-9(10的负9次方)Pa的范围。
此外，若欲将真空度设为比1×10-9(10的负9次方)Pa低，则有达到该真空度的时间花费过多的担忧。
如图1所示，成膜室2具备搬运基板11(基材)的基板搬运装置12，在成膜室2的壁面，设有未图示的搬入口和搬出口。
基板搬运装置12是搬运基板11(基材)的装置，具有相对于成膜室2拿出、放入基板11的功能、在所希望的成膜位置固定基板11的功能。即，基板搬运装置12能够将基板11搬运至规定的成膜位置、或从成膜室2的外部经由搬入口向成膜室2的内部搬入基板11、或从成膜室2的内部经由搬出口向成膜室2的外部搬入基板11。
在本实施方式中，在成膜室2内存在膜厚传感器27、28、29。
如图1所示，释放回路3由蒸发部10a～10j、歧管组6、成膜材料释放部13、以及闸门部件8构成。
此外，闸门部件8实际上在与成膜材料释放部13接近的位置存在，但在图1中，因作图上的理由而以闸门部件8从成膜材料释放部13远离的方式进行图示。
蒸发部10a(蒸发部10b～10j)是如图2所示地使成膜材料16a(成膜材料16b～16j)蒸发的装置。蒸发部10a(蒸发部10b～10j)分别具备蒸发室21、坩埚22、以及加热机构23、24。
在蒸发室21，存在将固体状或者液体状的成膜材料16a(成膜材料16b～16j)变换为气体状的成膜蒸气18a(18b～18j)的蒸发空间25。
此外，以下的说明中，为了区别成膜材料16a～16j的性状，将成为蒸气的成膜材料16(16a～16j)称作成膜蒸气18(18a～18j)。
坩埚22是收容所希望的成膜材料16的容器。
加热机构23是加热坩埚22的部件，加热机构24是加热蒸发室21整体的部件。加热机构23、24均使用公知的加热器。
即，在坩埚22的周围，设有加热机构23，利用加热机构23加热成膜材料16a(16b～16j)，能够使之气化或者升华。另外，在蒸发室21的周围也设有加热机构24，在成膜时能够维持为比成膜材料16a(16b～16j)的气化温度稍高的温度。
成膜材料16(16a～16j)是形成后述的有机EL装置100的各层的所希望的材料。
成膜材料16的性状可以采用粉体或小丸状的固体、熬炼(halfboiling)状的流动体、或者液体等。即，成膜材料16是液状、粉末状、粒状的物质。此外，在本实施方式中，使用了粉末状的成膜材料16。
蒸发部10被分为多个蒸发器组。本实施方式的真空蒸镀装置1中，10个蒸发部10a～10j被分为3个蒸发部组。而且，本实施方式的真空蒸镀装置1中，4个蒸发部10a～10d属于第一蒸发部组，3个蒸发部10e～10g属于第二蒸发部组，3个蒸发部10h～10j属于第三蒸发部组。
接下来，对歧管组6进行说明。本实施方式中，如从图3、图4、图5、图6读出那样，歧管组6由3个歧管部66、67、68构成。即，歧管组6通过在高度方向上层叠该3个歧管部66、67、68而成。
如图5所示，构成歧管组6的歧管部66、67、68的外形形状大致形成为长方形，且具有板状的主体部37、38、39。
如图6所示，主体部37、38、39的内部是空洞。即，如图6所示，歧管部66、67、68具有上板70、下板71以及连接它们的周壁72，并在内部存在空洞部73。而且，在各歧管部66、67、68的上表面(上板70)，设有多个延长管75、76、77。此外，在作图的关系上，延长管的数量表示为比实际少很多。
如图5所示，延长管75、76、77的长度针对各个歧管部66、67、68而不同。
即，在最上部的歧管部66(以下，上部歧管部)设置的延长管75比其它的歧管部67、68的延长管76、77都短。
在其下的歧管部67(以下，中间歧管部)设置的延长管76具有中等程度的长度。
而且，在最下方的歧管部68(以下，下部歧管部)设置的延长管77与其它的歧管部66、67的延长管75、76相比最长。
各歧管部66、67、68经由所述的延长管75、76、77朝向上方开口。该延长管75、76、77的开口作为释放开口80、81、82发挥功能。另外，各歧管部66、67、68所属的释放开口80、81、82构成一个开口组。
即，附属于上部歧管部66的释放开口80全部属于第一开口组，附属于中间歧管部67的释放开口81全部属于第二开口组，附属于下部歧管部68的释放开口82全部属于第三开口组。
另外，在各延长管75、76、77的开口端附近，如图6、图7所示地设有节流件85、86、87。节流件85、86、87的开口面积按照歧管部66、67、68而不同。
更加具体地进行说明，在属于第一开口组的释放开口80设置的节流件85、在属于第二开口组的释放开口81设置的节流件86、以及在属于第三开口组的释放开口82设置的节流件87的开口径不同。
即，如图7所示，在属于第一开口组的释放开口80设置的节流件85的开口面积较大。在属于第二开口组的释放开口81设置的节流件86的开口面积是中等程度。而且，在属于第三开口组的释放开口82设置的节流件87的开口面积较小。
此外，在本实施方式中，在属于各个开口组的释放开口80、81、82设置的节流件85、86、87的开口径以及开口面积相同。
即，在属于第一开口组的释放开口80设置的节流件85例如均是0.48平方厘米。在属于第二开口组的释放开口81设置的节流件86均是0.12平方厘米。在属于第三开口组的释放开口82设置的节流件87均是0.03平方厘米。
最大的释放开口80和最小的释放开口82以最小的释放开口82为基准而相差16倍。两者的倍率优选为2倍以上30倍以下。另外，如本实施方式那样，当在释放开口80、81、82间设置3个阶段的差异的情况下，各差为2倍至6倍左右是适当的。
各开口组的释放开口的总面积相互不同。
在各歧管部66、67、68的主体部37、38、39，如图8所示地设有残留蒸气除去机构15。残留蒸气除去机构15具体地包括清扫用的舱口盖(hatch)30和后述的加热机构36。
舱口盖30如图8所示地通过螺纹件31而与其它的部分接合，通过拆下螺纹件31，能够从其它的部分分离舱口盖30。
并且，在本实施方式中，在各歧管部66、67、68的整个面设有加热机构35、36。即，各歧管部66、67、68的主体部37、38、39在除舱口盖30以外的部分和各延长管75、76、77设有加热机构35。并且，在舱口盖30，设有其它的加热机构36。
加热机构35、36均使用公知的加热器。
在本实施方式中，在各歧管部66、67、68的整个面设有加热机构35、36。因此，在成膜时，能够将各歧管部66、67、68维持为比成膜材料16a(16b～16j)的气化温度稍高的温度。
并且，在本实施方式中，设于舱口盖30的加热机构36与设于其它部位的加热机构35独立。而且，如图8所示，设于舱口盖30的加热机构36通过继电器50而接通、断开，设于其它部位的加热机构35通过继电器51而接通、断开。因此，能够独立地仅使设于舱口盖30的加热机构36停止。
如图6所示，3个歧管部66、67、68中，在上部歧管部66和其下的中间歧管部67，设有通道管88、89。通道管88、89是通道状地连接各歧管部66、67的上板70和下板71的部件，不与歧管部66、67内的空洞部73连通。
在下部歧管部68不存在通道管。
对于通道管88、89的数量而言，如从图5、图6读出那样，上部歧管部66比中间歧管部67多。即，在上部歧管部66、且在中间歧管部67的通道管89的上部或者上方存在通道管88，并且在上部歧管部66、且在中间歧管部67的延长管76的上部或者上方也存在通道管88。
如上所述，3个歧管部66、67、68在高度方向上层叠。
设于上部歧管部66的延长管75朝向上部突出。
并且，设于中间歧管部67的延长管76在上部歧管部66的通道管88通过而在上部歧管部66上突出。
另外，设于下部歧管部68的延长管77在设于中间歧管部67的通道管89和上部歧管部66的通道管88通过而在上部歧管部66上突出。
因此，全部的歧管部66、67、68所属的释放开口80、81、82处于歧管组6的上侧。并且，释放开口80、81、82的高度(延长管75、76、77的前端面的位置)全部相同。
如图6所示，成膜材料释放部13由所述的歧管组6的延长管75、76、77的前端部分和固定该前端部分的板体92构成。在成膜材料释放部13上，且在板体92的上表面，以具有平面发散的方式分布有与歧管部66、67、68连通的释放开口80、81、82。
从成膜材料释放部13突出的释放开口80、81、82的布局如图9所示，连接邻接的释放开口80、81、82的图形成为紧密地排列正三角形而成的形状。此外，图9中，1、2、3的编号表示所属的开口组。
即，赋予了编号1的开口是属于第一组的释放开口80。赋予了编号2的开口是属于第二组的释放开口81。赋予了编号3的开口是属于第三组的释放开口82。
因此，在赋予了1的编号的释放开口80，设有开口面积较大的节流件85。另外，在赋予了2的编号的释放开口81，设有开口面积为中等程度的节流件86。而且，在赋予了3的编号的释放开口82，设有开口面积较小的节流件87。
此外，在作图的关系上，图9所示的释放开口80、81、82的总数为18个，但实际上如图10所示地数量相当多，它们以具有平面发散的方式分布。
延长管75、76、77的数量也与释放开口80、81、82的数量的倾向相同。
本实施方式中，在属于一个开口组的释放开口80、81、82的周围，总是存在属于不同的开口组的释放开口80、81、82。
例如，如图9所示，与属于第一开口组的释放开口80邻接的释放开口均是属于第二开口组的释放开口81或者属于第三开口组的释放开口82。
并且，与属于第二开口组的释放开口81邻接的释放开口均是属于第一开口组的释放开口80或者属于第三开口组的释放开口82。
与属于第三开口组的释放开口82邻接的释放开口均是属于第一开口组的释放开口80或者属于第二开口组的释放开口81。
如从图1、图11读出那样，闸门部件8是在与所述的各释放开口80、81、82相当的位置设有开口93的板体。闸门部件8通过气缸95等动力源而沿水平方向移动。即，闸门部件8能够相对于各释放开口80、81、82相对移动。
闸门部件8如图12(a)所示地具有能够覆盖成膜材料释放部13的大致整个面的面积。
并且，在闸门部件8，设有未图示的加热机构，在成膜时，闸门部件8维持为比成膜材料16a(16b～16j)的气化温度稍高的温度。
此外，此处所说的“覆盖大致整个面”是指覆盖成膜材料释放部13的主面的90％以上100％以下的部分。
接下来对连接释放回路3的各部件间的连接流路5进行说明。
连接流路5如图1所示地具有：向上部歧管部66供给成膜蒸气18a～18d的第一供给流路32；向中间歧管部67供给成膜蒸气18e～18g的第二供给流路33；向下部歧管部供给成膜蒸气18h～18j的第三供给流路34；以及与各蒸发部10a～10j连接的分支流路41a～41j。
并且，在分支流路41a～41j的中途，设有主开闭阀40a～40j。换言之，在分支流路41a～41j的成膜蒸气18a～18j的流动方向的中流，存在主开闭阀40a～40j。这样，在本实施方式中，在每个蒸发部10a～10j存在主开闭阀40a～40j。
主开闭阀40a～40j是公知的开闭阀，接收控制装置26的命令而能够进行开闭。
本实施方式的真空蒸镀装置1具备3个系统的释放系统。
即，在真空蒸镀装置1存在第一释放系统57，该第一释放系统57构成为，属于第一蒸发部组的蒸发部10a～10d和上部歧管部66经由第一供给流路32连接，并且上部歧管部66和上部歧管部66所附带的第一开口组的释放开口80连接。此外，在第一释放系统57设有开口面积较大的节流件85，流路阻力较小。
并且在真空蒸镀装置1存在第二释放系统58，该第二释放系统58构成为，第二蒸发部组的蒸发部10e～10g和中间歧管部67经由第二供给流路33连接，中间歧管部67和中间歧管部67所附带的第二开口组的释放开口81连接。此外，在第二释放系统58，设有开口面积为中等程度的节流件86，流路阻力为中等程度。
另外在真空蒸镀装置1存在第三释放系统59，该第三释放系统59构成为，第三蒸发部组的蒸发部10h～10j和下部歧管部68经由第三供给流路34连接，下部歧管部68和下部歧管部68所附带的第三开口组的释放开口82连接。此外，在第三释放系统59，设有开口面积较小的节流件87，流路阻力较大。
在本实施方式中，各释放系统57、58、59具有数目相同的释放开口80、81、82。
但是，设于各释放开口80、81、82的节流件85、86、87的开口面积不同。因此，释放系统57、58、59的节流件85、86、87的总开口面积不同。
更具体而言，由于在第一释放系统57安装有开口面积较大的节流件85，所以节流件85的总开口面积最大，释放开口80的实际的开口面积最大。
由于在第二释放系统58安装有开口面积为中等程度的节流件86，所以节流件86的总开口面积为中等程度，释放开口81的实际的开口面积为中等程度。
由于在第三释放系统59安装有开口面积较小的节流件87，所以节流件87的总开口面积最小，释放开口81的实际的开口面积最小。
在连接流路5安装有未图示的加热机构，在成膜时加热为成膜材料16的气化温度以上。因此，即使在连接流路5内通过气体状的成膜蒸气18，也不会引起状态变化，从而能够保持气体状态不变地流动至各歧管部66、67、68。因此，能够抑制成膜蒸气18a～18j固化而使得成膜材料16固定在形成连接流路5的配管的内侧面的情况。
真空蒸镀装置1中，如图1所示，上部歧管部66与膜厚确认用的释放开口46连接，能够向膜厚传感器27释放成膜材料的蒸气。
并且，中间歧管部67与膜厚确认用的释放用开口47连接，能够向膜厚传感器28释放成膜材料的蒸气。
另外，下部歧管部68与释放用开口48连接，能够向膜厚传感器29释放成膜材料的蒸气。
而且，真空蒸镀装置1是向控制装置26发送由膜厚传感器27、28、29读取的信息的构造。
膜厚传感器27、28、29是公知的膜厚传感器，能够向控制装置26发送有助于成膜的膜厚的信息。
控制装置26是能够进行主开闭阀40a～40j的开闭控制的装置，能够与膜厚传感器27、28、29的信息等对应地向主开闭阀40a～40j发送开闭命令。
接下来，对成膜室2与释放回路3的位置关系进行说明。
本实施方式的真空蒸镀装置1中，释放回路3的大部分在成膜室2外存在。
即，本实施方式的真空蒸镀装置1中，如图1所示，3个歧管部66、67、68的主体部37、38、39全部在成膜室2外设置。
而且，仅附属于各歧管部66、67、68的延长管75、76、77的前端侧和成膜材料释放部13在成膜室2内设置。
成膜材料释放部13的板体92配置为水平姿势，释放开口80、81、82均朝向基板11的方向。
并且，膜厚传感器27、28、29在成膜室2内存在，在与基板11相同的真空环境下放置。
并且，如图1所示，基板搬运装置12在从成膜材料释放部13的释放面向释放方向离开规定的距离的位置配置，闸门部件8在它们之间配置。具体而言，闸门部件8在基板搬运装置12与成膜材料释放部13之间设置。
如上所述，闸门部件8通过气缸95(参照图11)而能够沿水平方向移动。并且，如上所述，闸门部件8具有能够覆盖成膜材料释放部13的大致整个面的面积，且在与释放开口80、81、82相当的位置设有开口93。因此，若如图12(a)所示地使闸门部件8的开口93与成膜材料释放部13的释放开口80、81、82一致，则成膜材料释放部13的全部释放开口80、81、82成为敞开状态。并且，若使气缸95动作而挪开闸门部件8，则如图12(b)所示，闸门部件8的开口93从成膜材料释放部13的释放开口80、81、82偏离，从而成膜材料释放部13的全部释放开口80、81、82成为闭塞状态。
接下来，对使用本发明的真空蒸镀装置1进行的有机EL装置100(参照图18)的成膜方法进行说明，在成膜顺序的说明之前，对成膜开始时的真空蒸镀装置1的各部位的状态进行说明。
首先对成膜室2进行说明，成膜室2总是由减压机构7减压，成为超高真空状态。此处所说的“超高真空状态”是表示真空度为10-5Pa以下的状态。
本实施方式的真空蒸镀装置1中，由于歧管部66、67、68的大部分在成膜室2外存在，所以成膜室2的容积较小，达到“超高真空状态”所需要的时间比较短。
主开闭阀40a～40j均成为关闭状态。另外，在各个蒸发部10a～10j的坩埚22内填充有所希望的成膜材料16a～16j。
此处在本实施方式中，对于放入坩埚22的成膜材料16a～16j而言，考虑将需要的膜厚近似的放入相同组的蒸发部10a～10j。
图1所示的本实施方式中，具有10个蒸发部10a～10j，最大能够释放10种组成不同的成膜蒸气18a～18j。
因此，将10种成膜材料16a～16j放入蒸发部10a～10j的坩埚22，此时研究基板11所要求的膜厚。而且，分组为需要的膜厚较厚的成膜材料组(以下，厚膜组)、需要的膜厚为中间的成膜材料组(以下，中间厚膜组)、以及需要的膜厚较薄的成膜材料组(以下，薄膜组)。
而且，将属于厚膜组的成膜材料16放入第一组的蒸发部10a～10d。并且，将属于中间厚膜组的成膜材料16放入第二组的蒸发部10e～10g。将属于薄膜组的成膜材料16放入第三组的蒸发部10h～10j。
而且，利用设于坩埚22的周围的加热机构23来加热成膜材料16a(16b～16j)，使成膜材料16a(16b～16j)气化或者升华。另外，利用图2所示的设于蒸发室21的周围的加热机构24，来将蒸发室21内维持为比成膜材料16a(16b～16j)的气化温度稍高的温度。
并且，对未图示的连接流路5的加热机构进行通电，将连接流路5保持为比成膜材料16a(16b～16j)的气化温度稍高的温度。同样，对设于各歧管部66、67、68的加热机构35、36(参照图8)进行通电，来对图5所示的舱口盖30、其它的主体部37、38、39以及各延长管75、76、77进行加热。
即，利用加热机构36将舱口盖30保持为比成膜材料16a(16b～16j)的气化温度稍高的温度。并且，利用加热机构36来加热主体部37、38、39的其它部分以及各延长管75、76、77，从而各歧管部66、67、68整体维持为比成膜材料16a(16b～16j)的气化温度稍高的温度。
这样，真空蒸镀装置1利用加热机构来对连接释放开口80、81、82和蒸发部10的成膜蒸气18的通过流路进行加热，从而能够防止成膜蒸气18在通过流路上固化。
接下来，对由本实施方式的真空蒸镀装置1实施的有机EL装置100(参照图18)的成膜顺序进行说明。
在使用真空蒸镀装置1而制造有机EL装置100的情况下，从未图示的预备室向成膜室2搬运基板11。
此处未图示的预备室预先成为真空状态，在该状态下打开成膜室2的搬入口(未图示)并向成膜室2搬入基板11。
此处虽然说预备室是真空状态，但未减压至可被称作“超高真空状态”的程度。因此，由于打开成膜室2的搬入口(未图示)，所以成膜室2的真空度稍微降低。即，成膜室2内的压力稍微上升。
然而，由于至少在开始成膜之前，使减压机构7持续运转，所以成膜室2的真空度恢复为“超高真空状态”。尤其在本实施方式的真空蒸镀装置1中，由于歧管部66、67、68的大部分在成膜室2外存在，成膜室2的容积比较小，所以使降低的真空度恢复为“超高真空状态”不需要较多的时间。
由基板搬运装置12向成膜室2搬入的基板11以与成膜材料释放部13的喷出面对置的方式固定。
此外，对于搬运的基板11而言，预先通过其它工序成膜有透明导电膜等，并将该状态下的基板11向真空蒸镀装置1搬入。作为在基板上使透明导电膜成膜的对策，有溅射等公知方法。
而且，如图12(b)所示使闸门部件8成为闭塞姿势，来使成膜材料释放部13的全部释放开口80、81、82成为闭塞状态。即，使闸门部件8的开口93从成膜材料释放部13的释放开口80、81、82偏离，从而成膜材料释放部13的全部释放开口80、81、82成为闭塞状态。
之后，打开任一个主开闭阀40a～40j。
此处，如上所述，主开闭阀40a～40j在每个蒸发部10a～10j设置。因此，通过打开任一个主开闭阀40a～40j，来将在蒸发部10a～10j的任一个中生成的成膜蒸气18a～18j向任一个歧管部66、67、68导入，并从任一个开口组的释放开口80、81、82释放。
例如，打开属于第一蒸发部组的蒸发部10a的主开闭阀40a，使其它的主开闭阀40b～40j维持关闭状态。这样，仅在蒸发部10a中生成的成膜蒸气18a经由连接流路5的第一供给流路32进入上部歧管部66，并从属于第一开口组的全部释放开口80释放。
即，从蒸发部10a内的坩埚22内气化或者升华的成膜材料16a(成膜蒸气18a)从蒸发部10a通过主开闭阀40a而向分支流路41a流动，并在第一供给流路32通过，而到达上部歧管部66。而且，到达上部歧管部66的成膜材料16a从全部释放开口80释放。
此处在打开主开闭阀40a的最初，从释放开口80释放的成膜蒸气18a不稳定，由闸门部件8阻止其到达基板11侧。
而且，若从释放开口80释放的成膜蒸气18a随规定时间A的经过而成为稳定状态，则由气缸95使闸门部件8沿水平方向移动。即，如图12(a)所示，使闸门部件8的开口对准释放开口80、81、82而敞开成膜材料释放部13的全部释放开口80、81、82。
然而，如上所述，在本实施方式中，由于在每个蒸发部10a～10j存在主开闭阀40a～40j，并且主开闭阀40a～40j选择性地打开，所以从设置的多个释放开口80、81、82的特定的开口(释放开口80)喷射特定的成膜蒸气18a。
更具体而言，释放开口80、81、82被分为3组，但仅从属于其中的第一开口组的释放开口80释放蒸气，不从属于其它组的释放开口81、82释放蒸气。
并且，在所述的例子的情况下，从释放开口80释放的成膜蒸气18限定为由蒸发部10a生成的成膜蒸气18a，不释放其它的蒸发部10b～10j内的成膜蒸气18b～18j。
因此，虽然敞开全部释放开口80、81、82，但在基板11上蒸镀的限定为由蒸发部10a生成的成膜蒸气18a。
所述的规定时间A(打开闸门部件8之前的等待时间)优选为1秒至10秒。若是该范围，则能够将不利于成膜的成膜蒸气18的消耗抑制为最小限度，并且能够将稳定的成膜蒸气18用于成膜。
通过使闸门部件8为敞开状态，从而成膜蒸气18a到达基板11，并在基板11上成膜。
此处，生成成膜蒸气18a的蒸发部10a被导入属于最终需要的膜厚较厚的成膜材料组(厚膜组)的成膜材料。而且，蒸发部10a属于第一蒸发部组，与第一开口组连通。并且如上所述，在第一开口组的释放开口80，设有开口面积最大的节流件85。因此，成膜蒸气18a在单位时间内释放的量较多。
因此，成膜后的膜厚较厚，符合要求。
在成膜时，利用图1所示的膜厚传感器27检测成膜蒸气，监视与膜厚有关的信息(成膜量等)，并总是向控制装置26发送该信息。
膜厚传感器27在成膜室2内存在，在与基板11相同的真空条件下存在。并且，到达膜厚传感器27的成膜蒸气18与在基板11上成膜的成膜蒸气相同，并且从相同的歧管部66供给。因此，附着于膜厚传感器27的膜与在基板11上成膜的膜存在较强的相关关系，正确地反映基板11的膜厚。因此控制装置26能够正确地把握成膜状况。
若成膜材料16a在基板11成膜至所希望的膜厚(成膜结束)，则如图12(b)所示地关闭闸门部件8，并关闭主开闭阀40a。
而且在本实施方式中，在关闭闸门部件8的动作的前后仅使加热歧管部66的舱口盖30的加热机构36停止。即，如上所述，仅舱口盖30由与其它不同的加热机构36加热，电源电路也与其它独立。因此，通过断开图8所示的继电器50能够仅使舱口盖30的加热机构36停止。
结果，仅舱口盖30的部位急剧温度降低，仅舱口盖30的部位的温度降低至比成膜材料16a(16b～16j)的气化温度低的温度。因此，在歧管部66的主体部37内残留的成膜蒸气18a与舱口盖30的部位接触而固化，从而除去在主体部37内残留的成膜蒸气18a。即，根据本实施方式，利用由舱口盖30和加热机构36构成的残留蒸气除去机构15来使成膜材料的蒸气冷却而固化或者液化，从而能够除去成膜材料的蒸气。
在经过一定时间之后再起动加热舱口盖30的加热机构36。
接着，打开其它的主开闭阀40，并释放其它的蒸发部10内的成膜蒸气18。
例如，打开主开闭阀40f，蒸发部10f内的成膜蒸气18f向中间歧管部67导入，并从第二组的释放开口81释放。该情况下，在打开主开闭阀40f的最初，也关闭闸门部件8，阻止成膜蒸气到达基板11侧。
经过规定时间A后，由气缸95使闸门部件8沿水平方向移动。即，使闸门部件8的开口对准释放开口80、81、82而敞开成膜材料释放部13的全部释放开口80、81、82。
该情况下，由于除主开闭阀40f以外都被关闭，所以也从设置的多个释放开口80、81、82的特定的开口(释放开口81)喷射特定的成膜蒸气18f。
更具体而言，仅从属于第二组的释放开口81释放蒸气，不从属于其它组的释放开口80、82释放蒸气。
并且，从释放开口81释放的蒸气限定为由蒸发部10f生成的成膜蒸气18f，不释放其它的蒸发部10a～10e、蒸发部10g～10j内的成膜蒸气18。因此，虽然敞开全部释放开口80、81、82，但在基板上蒸镀的限定为由蒸发部10f生成的成膜蒸气18f。
此处，生成成膜蒸气18f的蒸发部10f被导入属于最终需要的膜厚为中等程度的成膜材料组(中间厚膜组)的成膜材料。而且，蒸发部10f属于第二蒸发部组，与第二开口组连通。并且如上所述，在第二开口组的释放开口81，设有开口面积为中等程度的节流件86。因此，成膜蒸气18f在单位时间内释放的量为中等程度。
因此，成膜后的膜厚为中等程度，符合要求。
若成膜材料16f在基板11上成膜至所希望的膜厚(成膜结束)，则如图12(b)所示地关闭闸门部件8，并关闭主开闭阀40f。
而且与之前相同，在关闭闸门部件8的动作的前后仅使加热歧管部67的舱口盖30的加热机构36停止，仅使舱口盖30的部位降低。结果，在歧管部67的主体部38内残留的成膜蒸气18f与舱口盖30的部位接触而固化，从而除去在主体部38内残留的成膜蒸气18f。
在经过一定时间之后再起动加热舱口盖30的加热机构36。
另外，例如，若打开主开闭阀40j，则蒸发部10j内的成膜蒸气18j从第三组的释放开口82释放。生成成膜蒸气18j的蒸发部10j被导入属于最终需要的膜厚较薄的成膜材料组(薄膜组)的成膜材料16。而且，由于在第三开口组的释放开口82设有开口面积最小的节流件87，所以成膜蒸气18j在单位时间内释放的量较少。
因此，成膜后的膜厚较薄，符合要求。
本实施方式的真空蒸镀装置1具备3个系统的释放系统，但由于有机EL装置100层叠有多个薄膜层，所以需要多次使用各释放系统来在基板11上成膜。
此处，本实施方式的真空蒸镀装置1通过仅使歧管部66、67、68的一部分(舱口盖30)温度降低，能够除去在歧管部66、67、68内残留的成膜蒸气18。
因此，在用于制造一个有机EL装置100的工序中，即使多次使用相同的释放系统、或连续使用相同的释放系统，在歧管部66、67、68内成膜蒸气18也不会混合。即，本实施方式中，向歧管部66、67、68内导入不同的成膜蒸气18，但没有因在歧管部66、67、68内不同的成膜蒸气18混合而引起污染的担忧。
若达到规定层而结束成膜，则打开未图示的搬出口，利用基板搬运装置12搬出基板11。由于打开成膜室2的搬出口(未图示)，所以成膜室2的真空度稍微降低。
然而，由于在搬入下一个基板11之前的期间，使减压机构7持续运转，所以成膜室2的真空度恢复为“超高真空状态”。尤其本实施方式的真空蒸镀装置1中，由于歧管部66、67、68的大部分在成膜室2外存在，成膜室2的容积比较小，所以使降低的真空度恢复为“超高真空状态”不需要较多的时间。
所述的实施方式中，选择性地打开主开闭阀40a～40j中的一个而在基板11上进行了成膜。根据该对策，仅由一个成膜材料的成分蒸镀一个层。即，根据所述的对策，进行单蒸镀。
然而，本实施方式的真空蒸镀装置1的用途不限定于单蒸镀，也能够使用真空蒸镀装置1进行共蒸镀。即，选择多个主开闭阀40a～40j，通过同时打开该多个主开闭阀40a～40j，能够在基板11上进行共蒸镀。
例如，打开主开闭阀40b和主开闭阀40g，同时释放由蒸发部10b生成的成膜蒸气18b和由蒸发部10g生成的成膜蒸气18g而在基板11上进行蒸镀，从而能够进行共蒸镀。
此时，从属于第一组的释放开口80释放成膜蒸气18b，并从属于第二组的释放开口81释放成膜蒸气18g。
即，在共蒸镀工序中，在属于单一释放系统(第一释放系统57、大容量用释放系统)的单一蒸发部10b使主成膜材料蒸发，而从属于所述释放系统57的释放开口80释放主成膜材料的蒸气。另外，在属于与第一释放系统57不同的单一释放系统(第二释放系统58、小容量用释放系统)的单一蒸发部10g使次成膜材料蒸发，而从属于第二释放系统58的释放开口81释放次成膜材料的蒸气。
此处所说的“主成膜材料”是指在通过共蒸镀而成膜的层中成为主要含有的成分的材料。
此处所说的“次成膜材料”是指在通过共蒸镀而成膜的层中含有的成分，是含有量比主成膜材料的含有量少的材料。
该情况下，由于分别从单独的歧管部66、67、68向各膜厚传感器27、28、29释放成膜蒸气，所以能够分别独立地检测实施共蒸镀时的主成膜材料和次成膜材料的释放量。
并且，选择2个以上属于相同组的蒸发部10的主开闭阀40打开，即使在属于组的歧管部66、67、68内混合而释放成膜蒸气18，也能够进行共蒸镀。
接下来，对有机EL装置100的推荐的层结构进行说明。
如图18所示，有机EL装置100构成为，在具有透光性的基板102上，层叠第一电极层103、功能层105(发光功能层)以及第二电极层106，并由密封层130进行密封。
另外，如图18的放大图所示，功能层105的结构例如能够是用连接层电连接(结合connect)有蓝色发光单元和红绿发光单元的层叠构造。
蓝色发光单元从第一电极层103侧依次由第一空穴注入层107、第一空穴输送层108、蓝色发光层109、以及第一电子输送层110构成。
红绿发光单元从第一电极层103侧依次由第二空穴注入层114、第二空穴输送层115、红色发光层116、绿色发光层117、第二电子输送层118、以及电子注入层119构成。
连接层由第一连接层111、第二连接层112、以及第三连接层113构成。
此处，从使用本发明的真空蒸镀装置来以高生产率、并且高材料使用效率充分地发挥作为本发明的效果的面内膜厚均一性的效果的观点看，各发光单元的合计膜厚优选为50nm～300nm左右，并且各发光层的膜厚优选为5nm～50nm左右。
此处，能够将蓝色发光层109设为在主体材料掺杂有蓝色荧光材料的层，并能够将红色发光层116以及绿色发光层117设为在主体材料掺杂有各个色的磷光材料的层。这样，成为荧光磷光混合构造在得到高亮度、高演色性、以及长寿命的有机EL元件的观点看优选。
另外，将蓝色发光层109设为在主体材料掺杂有蓝色的磷光材料的层在得到高亮度的观点看也优选。
这样的层叠构造的有机EL元件中，各发光层的膜厚与各色的发光光谱强度有直接关系。另外，各发光层在膜厚方向(层叠方向)上直列连接，并且与膜厚方向相比，支架的面内方向的移动受到极端限制。因此，各发光层的膜厚与其它色的发光光谱均有紧密的关系。
另外，对于使用作为寿命较长的三重态激发子的发光的磷光的混合构造的有机EL元件而言，尤其在红色以及绿色的发光层邻接配置的情况、由一层构成的情况下，发光常常向长波长侧红移。
因此，为了产生所希望的光，如设计那样地控制各发光层的膜厚是重要的。在这一点上，若使用本发明的真空蒸镀装置1，则能够极好地如设计那样进行控制。
第一空穴注入层107以及第一空穴输送层108、第二空穴注入层114以及第二空穴输送层115分别能够成为1层的空穴注入输送层。
另外，第一空穴注入层107以及第一空穴输送层108、第二空穴注入层114以及第二空穴输送层115能够分别成为由空穴输送材料构成的层、或者由掺杂了有机p型掺杂剂的空穴输送材料构成的层。
另外，例如，作为第一连接层111，能够使用由掺杂了有机n型掺杂剂的有机电子输送材料构成的层。作为第二连接层112，能够使用由有机电子输送材料构成的层。作为第三连接层113，能够使用由掺杂了有机p型掺杂剂的有机空穴输送材料构成的层。
在由掺杂了这样的掺杂剂、发光材料的主体材料构成的层的成膜中，将这样的主体材料等作为本发明的主成膜材料，将这样的掺杂剂、发光材料作为本发明的次成膜材料，优选向属于与具有本发明的较大的节流件的开口组连接的蒸发部组的蒸发部单独分配主成膜材料。并且，优选向属于与具有本发明的较小的节流件的开口组连接的蒸发部组的蒸发部单独分配次成膜材料。这样，能够精度良好、且稳定地控制共蒸镀组成。
使用了所述的磷光材料的发光层(磷光发光层)优选是将包括作为本发明的主成膜材料的主体材料和作为本发明的次成膜材料所含有的第一次成膜材料的发光性掺杂剂的、至少2种化合物共蒸镀而成的层(共蒸镀有机层)。
除此之外，还优选是将作为电子以及/或者空穴输送性增强掺杂剂而包括第二次成膜材料的、至少3种化合物共蒸镀而成的层(共蒸镀有机层)。
第一次成膜材料的优选的含有量是1～30重量％，更加优选是1～10重量％。
第二次成膜材料的优选的含有量是1～30重量％，更加优选是10～30重量％。
本发明的真空蒸镀装置根据分配各成膜材料，能够具备如下成膜室，该成膜室具有作为与这样的主成膜材料对应的开口组的主开口组、作为与第一次成膜材料对应的开口组的第一次开口组、以及作为与第二次成膜材料对应的开口组的第二次开口组这3个。
这样，在使作为功能层而包括磷光发光层的有机EL装置成膜时，成为控制性优异、并且能够廉价地成膜的真空蒸镀装置。
另外，向与各开口组连接的蒸发部组分配多个蒸发部，能够进行通过切换蒸发部来单独地蒸镀所希望的层、以及能够进行通过从多个开口组共蒸镀来在一个成膜室使由功能层内的有机化合物构成的全部层成膜。
另外，也能够成为具有向不同的方向释放的2组以上的开口组的真空蒸镀装置，且各组也能够具有3组开口组。
优选将相同的本发明的蒸发部经由本发明的供给切换机构与多个开口组连接，来在一个本发明的真空蒸镀装置使全部功能层105成膜。即，在所述的电子输送材料、空穴输送材料构成不同的层的情况下，也优选能够从相同的蒸发部蒸发相同的材料来供给。
而且，构成功能层105的各层以及第二电极层106由真空蒸镀装置1形成。
基板102是具有透光性以及绝缘性的透明绝缘基板。对于基板102的材质没有特别限定，例如从柔性的薄膜基板、塑料基板等中适当地选择来使用。尤其玻璃基板、透明的薄膜基板在透明性、加工性良好的方面适合。
基板102具有面状扩展。具体而言，设为多边形或者圆形，优选为四边形。在本实施方式中，采用四边形状的基板。
基板102的最短边(最短轴)是300mm以上，优选为350mm以上，尤其优选为500mm以上。
基板102的面积为900cm2(平方厘米)以上4000cm2(平方厘米)以下，优选为1225cm2以上3500cm2以下，尤其优选为2500cm2以上3000cm2以下。
若第一电极层103的材料透明且具有导电性，则没有特别限定，例如可以采用铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)等透明导电性氧化物等。在有效地取出从功能层105内的发光层产生的光这一点，尤其优选透明性较高的ITO或IZO。在本实施方式中，作为第一电极层103的材料，采用了ITO。
作为第一空穴注入层107、第二空穴注入层114的材料，能够使用公知的空穴注入材料。例如，可以使用1，3，5-三咔唑基苯、4，4’-双咔唑基联苯、聚乙烯基咔唑、间-双咔唑基苯基、4，4’-双咔唑基-2，2’-二甲基联苯、4，4’，4”-三(N-咔唑基)三苯基胺、1，3，5-三(2-咔唑基苯基)苯、1，3，5-三(2-咔唑基-5-甲氧基苯基)苯、双(4-咔唑基苯基)硅烷、N，N’-双(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-[1，1-联苯]-4，4’-二胺(TPD)、N，N’-二(萘-1-基)-N，N’-二苯基联苯胺(α-NPD)、N，N’-二苯基-N，N’-双(1-萘基)-(1，1’-联苯)-4，4’-二胺(NPB)、聚(9，9-二辛基芴-co-N-(4-丁基苯基)二苯基胺)(TFB)或聚(9，9-二辛基芴-co-双-N，N’-(4-丁基苯基)-双-N，N-苯基-1，4-亚苯基二胺(PFB)等。
作为第一空穴输送层108、第二空穴输送层115的材料，能够使用公知的空穴输送材料。例如，可以采用苯、苯乙烯基胺、三苯基甲烷、卟啉、三唑、咪唑、二唑、聚芳基烷烃、亚苯基二胺、芳基胺、唑、蒽、芴酮、腙、茋、以及它们的衍生物、聚硅烷化合物、乙烯基咔唑化合物、噻吩化合物、苯胺化合物等杂环式共轭系的单体、低聚物、聚合物等。
作为蓝色发光层109的材料，可以采用二苯乙烯基芳撑衍生物、二唑衍生物以及它们的聚合物、聚乙烯基咔唑衍生物、聚对苯撑衍生物、聚芴衍生物等。尤其优选高分子材料的聚乙烯基咔唑衍生物、聚对苯撑衍生物、聚芴衍生物等。
作为红色发光层116的材料，可以采用香豆素衍生物、噻吩环化合物、以及它们的聚合物、聚对苯撑乙烯撑生物、聚噻吩衍生物、聚芴衍生物等。尤其优选高分子材料的聚对苯撑乙烯撑生物、聚噻吩衍生物、聚芴衍生物等。
作为绿色发光层117的材料，可以采用喹吖啶酮衍生物、香豆素衍生物、以及它们的聚合物、聚对苯撑乙烯撑生物、聚芴衍生物等。尤其优选高分子材料的聚对苯撑乙烯撑生物、聚芴衍生物等。
作为第一电子输送层110、第二电子输送层118的材料，能够使用公知的电子输送材料。例如，可以采用挥发油、苯乙烯基胺、三苯基甲烷、卟啉、三唑、咪唑、二唑、聚芳基烷烃、亚苯基二胺、芳基胺、唑、蒽、芴酮、腙、茋、以及它们的衍生物、聚硅烷化合物、乙烯基咔唑化合物、噻吩化合物、苯胺化合物等杂环式共轭系的单体、低聚物、聚合物等。
尤其，可以优选使用三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、三(5-甲基-8-羟基喹啉)铝(Almq3)、双(10-羟基苯并[h]-喹啉)铍(BeBq2)、双(2-甲基-8-羟基喹啉)-4-苯基苯酚-铝(BAlq)等具有喹啉骨架或苯并喹啉骨架的金属配合物等。另外、可以使用此外的双[2-(2-羟基苯基)-苯并唑]锌(Zn(BOX)2)、双[2-(2-羟基苯基)-苯并噻唑]锌(Zn(BTZ)2)等具有唑系、噻唑系配体的金属配合物等。此外，除了金属配合物以外，还可以使用2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-二唑(PBD)、1，3-双[5-(对-叔丁基苯基)-1，3，4-二唑-2-基]苯(OXD-7)、3-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-5-(4-联苯基)-1，2，4-三唑(TAZ)、3-(4-叔丁基苯基)-4-(4-乙基苯基)-5-(4-联苯基)-1，2，4-三唑(p-EtTAZ)、红菲绕啉(BPhen)、浴铜灵(BCP)等。
作为电子注入层119的材料，能够使用公知的电子注入材料。例如，可以采用氟化锂(LiF)、氟化铯(CsF)、氟化钙(CaF2)等之类的碱金属或者碱土金属的化合物等。另外，作为所述电子注入层，也能够优选使用在由具有电子输送性的物质构成的层中含有碱金属或者碱土金属的电子注入层，例如在Alq3中含有镁(Mg)的电子注入层等。
若第二电极层106的材料具有导电性，则没有特别限定，例如可以举出银(Ag)、铝(Al)等金属。
根据本实施方式的真空蒸镀装置1，能够在一个成膜室2内使有机EL装置100的大致整个层(除基板102、第一电极层103、以及密封层130之外)成膜。
以上说明的实施方式中，蒸发部10a～10j在蒸发室21内配置有坩埚22，但蒸发室21整体也可以兼具坩埚的功能。
以上说明的实施方式中，均水平地配置了成膜材料释放部13，但本发明不限定于该结构，也可以将成膜材料释放部13配置为垂直姿势。
以上说明的实施方式中，在歧管部66、67、68设有延长管75、76、77，但例如对于最上层的歧管部66而言，也可以在主体部37直接设置释放开口80。
以上说明的实施方式中，表示了设有3个歧管部66、67、68的例子，但歧管部的数量是任意的，也可以是4个以上。并且也可以不足3个。
以上说明的实施方式中，举例表示了具有10个蒸发部10a～10j的结构，但蒸发部10a～10j的数量是任意的。然而，蒸发部10的数量优选为9个以上，更加优选为13个。实际上，12个至20个左右是适当的。
以上说明的实施方式中，对于放入坩埚22的成膜材料16a～16j而言，考虑将需要的膜厚近似的放入相同组的蒸发部10a～10j，但也可以代替地或者除此之外地，以各个成膜材料的蒸气在单位时间内的目标释放量、成膜室内的蒸气的目标分压为基准，而选定将近似的放入相同组的蒸发部10a～10j。并且，也推荐将释放开口的开口端附近的蒸气的目标压力近似的选择为一个组。
以上说明的实施方式中，为了防止因在歧管部66、67、68内不同的成膜蒸气混合而引起的污染，而设有残留蒸气除去机构15。即，真空蒸镀装置1中，将对歧管部66、67、68进行保温的加热机构35、36设为多个系统，通过在歧管部66、67、68的一部分故意作成低温部分，来除去成膜蒸气18a～18j。也可以进一步发展，强制地对歧管部66、67、68的一部分进行冷却，来捕捉残留的成膜蒸气18a～18j。
并且在所述的实施方式中，低温部分在歧管部66、67、68的主体部37、38、39形成，但也可以在其它部位作成低温部分。
例如，图13、图14所示的真空蒸镀装置62中，采用了其它结构的残留蒸气除去机构78。残留蒸气除去机构78与主体部37、38、39不同地设有收集空间63。收集空间63与歧管部66、67、68相比总是保持为低温。而且，在收集空间63与主体部37、38、39之间连接配管。优选在收集空间63和主体部37、38、39设置开闭阀64a、64b、64c。
并且在设置开闭阀64a、64b、64c的情况下，优选在收集空间63另外设置减压机构65，并将收集空间63预先减压为与成膜室2相同程度。
图13、图14所示的真空蒸镀装置62中，每当结束一次成膜时，打开开闭阀64a、64b、64c，使歧管部66、67、68和收集空间63连通。结果，从歧管部66、67、68向收集空间63侧流入的成膜蒸气18a～18j在收集空间63内温度降低而固化，并被捕捉。因此，即使多次使用相同的释放系统、或连续地使用同一释放系统，在歧管部66、67、68内成膜蒸气18也不会混合。
图13、图14所示的真空蒸镀装置62中，举例表示了相对于多个歧管部66、67、68设有一个收集空间63的结构，但也可以在各歧管部66、67、68分别独立地设置收集空间63。在设置各个收集空间63的情况下，不需要设置开闭阀64a、64b、64c、减压机构65。其中在设置各个收集空间63的情况下，与所述的舱口盖30相同，推荐设置另外的加热机构，优选在结束成膜后仅使收集空间63的温度降低。
以上说明的真空蒸镀装置1具有3个歧管部66、67、68，且该主体部37、38、39全部在成膜室2外配置。然而本发明不限定于该结构，例如也可以如图15所示的真空蒸镀装置96那样，在成膜室43内配置上部歧管部66，并在成膜室43外配置其它的歧管部67、68。
并且也可以如图16所示的真空蒸镀装置97那样，在成膜室45内配置上部歧管部66的主体部37和中间歧管部67的主体部38的上部，并在成膜室45外配置中间歧管部67的主体部38的下部以下。
另外也可以如图17所示的真空蒸镀装置90那样，歧管组6全部在成膜室91内。
所述的实施方式中，使在属于各个开口组的释放开口80、81、82设置的节流件85、86、87的开口径以及开口面积一致，但在开口组内也可以有一些差别。换言之，也可以在属于各个开口组的释放开口中混有开口面积不同的释放开口。
例如，对于在成膜材料释放部13的中央、边部配置的释放开口80、81、82而言，在任一个开口组中节流件85、86、87的大小也可以设定为与其它部位不同。
并且在所述的实施方式中，在全部释放开口80、81、82设有节流件85、86、87，但也可以是没有节流件的释放开口。
并且属于任一个释放系统的开口组也可以全部不具有节流件。另外也可以代替节流件或者除节流件之外，在延长管75、76、77本身设置粗的、细的部分。即，也可以使延长管75、76、77的内径不同而使实际的开口面积变化。
并且在所述的实施方式中，各释放系统57、58、59具有数目相同的释放开口80、81、82，但释放开口80、81、82的数量、分布也可以根据释放系统而不同。
例如，也可以赋予如下变化，即，属于某配管系统的开口组的释放开口的数量较多，使之在成膜材料释放部13的全域均衡地分布，属于另一个配管系统的开口组的释放开口的数量较少，使之分布为成膜材料释放部13的中央侧较密，属于其它另一个配管系统的开口组的释放开口的数量较多，使之分布为成膜材料释放部13的边部侧较密。
主要通过针对各个释放系统而使如下任一个项目不同，能够实现本发明的作用效果。
换言之，通过针对每个释放系统使成膜蒸气的时间内的释放量、释放分布不同，能够实现本发明的作用效果。
(1)各释放开口的实际的开口面积。
(2)释放开口的实际的总开口面积。
(3)释放开口的分布。
(4)释放开口的数量。
(5)释放系统的流路阻力。
以上说明的实施方式中，具备3个系统的释放系统57、58、59，在各释放系统设有加热机构23、24、35、36。这些加热机构23、24、35、36均是加热器，仅具备升温功能，但也可以除此以外还具备冷却功能。
例如，也推荐如下结构，即，通过如图19所示地在各歧管部66、67、68设有热介质配管198、如图20所示地设有热介质护套199等的对策，来进行各歧管部66、67、68的温度调节。在本实施方式中，热介质配管198、热介质护套199成为热介质流路，使高温或者低温的热介质在该热介质流路通过，能够调节各歧管部66、67、68的温度。
因此，能够将歧管部66、67、68的温度维持为适于成膜材料的温度。因此，释放气化温度较高的成膜材料，接着利用相同的释放系统来释放气化温度较低的成膜材料，这样的情况下，也能够冷却释放系统，从而能够早开始在低温就会气化的成膜材料的蒸镀。即，能够缩短释放的成膜材料的切换时间。
本实施方式的真空蒸镀装置1、62、96、90、97中，按照释放系统57、58、59地改变节流件85、86、87的大小，并利用释放系统57、58、59使成膜蒸气的释放状态不同。而且，由于与成膜材料的特性对应地选定释放系统57、58、59，所以能够在优选的成膜条件下使各薄膜层成膜。因此有难以产生膜的厚度的差别的效果。
所述的实施方式中，在共蒸镀工序中，作为通过共蒸镀而成膜的层中所含有的成分，使用含有量不同的主成膜材料和次成膜材料，但本发明不限定于此，也可以使用含有量相同的成膜材料。
所述的实施方式中，举例表示了使用本发明的真空蒸镀装置来制造从基板侧取出光的底部放射型有机EL装置的方法，但本发明不限定于此，本发明的真空蒸镀装置也能够用于从基板的相反侧取出光的上部反射型有机EL装置。
附图标记的说明
1、62、91、96、97…真空蒸镀装置；2、43、45…成膜室；3…释放回路；6…歧管组；8…闸门部件；10a～10j…蒸发部；11…基板(基材)；13…成膜材料释放部；15、78…残留蒸气除去机构；16a～16j…成膜材料；18a～18j…成膜蒸气；21…蒸发室；22…坩埚；27、28、29…膜厚传感器；37、38、39…主体部；40a～40j…主开闭阀；46、47、48…膜厚确认用的释放开口；66、67、68…歧管部；73…空洞部；75、76、77…延长管；80、81、82…释放开口；85、86、87…节流件；93…开口；100…有机EL装置；105…功能层；198…热介质配管(热介质流路)；199…热介质护套(热介质流路)。

Claims (19)

1.一种真空蒸镀装置，其具有能够减压且能够设置基材的成膜室、和设有多个向基材释放成膜材料的蒸气的释放开口的成膜材料释放部，从成膜材料释放部释放成膜材料的蒸气而在基材上成膜，所述真空蒸镀装置的特征在于，
具备存在多个释放系统的流路结构，在所述释放系统中具有多个使成膜材料蒸发的蒸发部，并且一个所述释放系统是连接由1个或者多个蒸发部构成的一组的蒸发部组与由多个释放开口构成的一组的开口组连接而形成的，
所述真空蒸镀装置构成为，在每个所述蒸发部存在主开闭阀，打开该主开闭阀来向成膜材料释放部导入由蒸发部产生的蒸气，并从成膜材料释放部释放成膜材料的蒸气而在基材上成膜，
所述蒸发部组是以使各个成膜材料的蒸气在单位时间内的目标释放量近似的成为一个组的方式选择而成的。
2.根据权利要求1所述的真空蒸镀装置，其特征在于，
从蒸发部在释放开口的开口端附近设有节流件，在一个释放系统内配置的节流件的开口面积基于一定的基准而设定，在其它至少一个释放系统设置的节流件根据不同的基准设定。
3.根据权利要求1或2所述的真空蒸镀装置，其特征在于，
属于各开口组的释放开口的开口面积大致相同。
4.根据权利要求1或2所述的真空蒸镀装置，其特征在于，
在属于各开口组的释放开口中混有开口面积不同的释放开口。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的真空蒸镀装置，其特征在于，
各开口组的释放开口的总面积相互不同。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的真空蒸镀装置，其特征在于，
与属于一个开口组的释放开口邻接的释放开口均是属于不同的开口组的释放开口。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的真空蒸镀装置，其特征在于，
具备对释放系统的一部分或者全部进行温度调节的热介质流路。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的真空蒸镀装置，其特征在于，
在成膜室内存在膜厚传感器和膜厚确认用的释放开口，释放系统与膜厚确认用的释放开口连通。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的真空蒸镀装置，其特征在于，
所述释放开口直接或者经由延长管而与歧管部的内部空间连通，
1个或者多个歧管部的一部分或者全部在成膜室外配置。
10.根据权利要求1～8中任一项所述的真空蒸镀装置，其特征在于，
所述释放开口直接或者经由延长管而与歧管部的内部空间连通，
1个或者多个歧管部在成膜室外配置，
另外具有在成膜室内配置的膜厚传感器和膜厚确认用的释放开口，
在所述成膜室外配置的歧管部与膜厚确认用的释放开口连通。
11.根据权利要求1～10中任一项所述的真空蒸镀装置，其特征在于，
所述释放开口直接或者经由延长管而与歧管部的内部空间连通，
所述歧管部具备残留蒸气除去机构，
在成膜后，该残留蒸气除去机构能够使歧管部的一部分的温度降低而使在歧管部内残留的成膜材料的蒸气的性状变化。
12.根据权利要求1～11中任一项所述的真空蒸镀装置，其特征在于，
具有覆盖成膜材料释放部的全部释放开口的闸门部件，
闸门部件能够相对于所述释放开口相对移动，且具备开口，
闸门部件使闸门部件的开口与所述释放开口一致而能够使全部释放开口为敞开状态，
另外，闸门部件使闸门部件的开口从所述释放开口偏离，而能够使全部释放开口为闭塞状态。
13.根据权利要求1～12中任一项所述的真空蒸镀装置，其特征在于，
对于各个释放系统来说，以下(1)～(5)的项目中的至少一个项目不同：
(1)各释放开口的实际的开口面积；
(2)释放开口的实际的总开口面积；
(3)释放开口的分布；
(4)释放开口的数量；
(5)释放系统的流路阻力。
14.一种有机EL装置的制造方法，其在单一成膜室内进行相对于基材真空蒸镀多个成膜层的多个蒸镀工序，所述有机EL装置的制造方法的特征在于，
进行真空蒸镀的真空蒸镀装置具备存在多个释放系统的流路结构，在所述释放系统中具有多个使成膜材料蒸发的蒸发部，并且一个所述释放系统是连接由1个或者多个蒸发部构成的一组的蒸发部组与由多个释放开口构成的一组的开口组而形成的，并在每个所述蒸发部存在主开闭阀，打开该主开闭阀而向成膜材料释放部导入由蒸发部产生的蒸气，并从成膜材料释放部释放成膜材料的蒸气而在基材上成膜，
使所述释放开口的开口面积针对各个释放系统而不同，向属于所述蒸发部组的蒸发部，选择性地投入各个成膜材料的蒸气在单位时间内的目标释放量近似的成膜材料，利用所述蒸发部使成膜材料蒸发而在基材上成膜，从而进行多个蒸镀工序。
15.一种有机EL装置的制造方法，其使用权利要求1至13中任一项所述的真空蒸镀装置，来实施多次同时释放主成膜材料和次成膜材料而形成共蒸镀有机层的共蒸镀工序，从而制造含有多个共蒸镀有机层的有机EL装置，所述有机EL装置的制造方法的特征在于，
将多种主成膜材料选择性地投入属于相同的蒸发部组的蒸发部，并将多种次成膜材料选择性地投入属于其它的蒸发部组的蒸发部，利用所述蒸发部分别使成膜材料蒸发而在基材上使共蒸镀有机层成膜。
16.根据权利要求15所述的有机EL装置的制造方法，其特征在于，
在共蒸镀工序中，在属于单一释放系统的单一蒸发部使主成膜材料蒸发、而从属于所述释放系统的释放开口释放主成膜材料的蒸气，并在属于与所述释放系统不同的单一释放系统的单一蒸发部使次成膜材料蒸发、而从属于所述释放系统的释放开口释放次成膜材料的蒸气。
17.根据权利要求15或16所述的有机EL装置的制造方法，其特征在于，
所述真空蒸镀装置具备所属的开口组的释放开口的总面积较大的大容量用释放系统、和所属的开口组的释放开口的总面积比大容量用释放系统的释放开口的总面积小的小容量用释放系统，
所述主成膜材料是在成膜的层中较多含有的成分，次成膜材料是在成膜的层中含有量比主成膜材料的含有量少的成分，
将主成膜材料选择性地投入属于大容量用释放系统的蒸发部，并将次成膜材料选择性地投入属于小容量用释放系统的蒸发部。
18.根据权利要求15～17中任一项所述的有机EL装置的制造方法，其特征在于，
所述真空蒸镀装置是具有在成膜室内存在膜厚传感器和膜厚确认用的释放开口、且歧管部与膜厚确认用的释放开口连通的结构的装置，实施从属于一个以上的释放系统的释放开口释放主成膜材料、同时从属于另外一个以上的释放系统的释放开口释放次成膜材料、而形成共蒸镀有机层的共蒸镀工序，且在实施共蒸镀工序时能够检测仅主成膜材料的成膜状态以及或者仅次成膜材料的成膜状态。
19.根据权利要求15～18中任一项所述的有机EL装置的制造方法，其特征在于，
所述有机EL装置在2个电极层之间夹持有功能层，
该功能层具有多个发光层，所述多个发光层是在作为所述主成膜材料的主体材料中掺杂作为所述次成膜材料的荧光材料或者磷光材料而成的，
至少2个发光层在所述成膜室内成膜。
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