CN1773746B - 有机场致发光装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种有机场致发光(EL)装置,其具有:发光层,包含位于第一电极和第二电极之间的至少一种荧光体掺杂剂;蓝色发光层,接触发光层,其中,发光层具有作为主体材料的空穴传输材料和电子传输材料。

Description

有机场致发光装置
                        技术领域
本发明涉及一种有机场致发光(EL)装置,更具体地讲,涉及一种包括接触红色发光层和绿色发光层的蓝色发光层的有机EL装置。
 
有机EL装置典型地包括多个层,例如第一电极、第二电极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层等。可使用聚合物材料或小分子材料来制造有机EL装置。在小分子有机EL装置中,通过真空沉积形成层。在聚合物有机EL装置中,通过旋涂来形成发光元件。
可通过在基板上使用沉积形成有机多层,并在有机多层上形成阴极而获得小分子有机EL装置,该有机多层包括,例如空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子注入层等。
当制造这种小分子有机EL装置时,沉积空穴注入层和空穴传输层,然后使用阴罩(shadow mask)来各自沉积电连接至空穴注入层和空穴传输层的R、G和B区,并使R、G和B区形成图案。接着,在所得到的结构上顺序沉积电接触R、G和B区的空穴阻挡层和电子注入层,然后在电子注入层上沉积阴极。
在小分子有机EL装置中,可使用真空沉积形成层来获得荧光元件或荧光体元件。然而,当制造全彩元件时,使用阴罩来沉积这些层,这就阻止了高效率的大规模生产(见第6,310,360、6,303,238和6,097,147号美国专利)。
在聚合物有机EL装置中,当使用喷墨或激光诱生热成像(LITI)使红色、绿色和蓝色聚合物层形成图案时,可降低发光效率并缩短寿命。
因而,为了根据传统的方法制造有机EL装置,必须单独地使R、G和B形成微型图案,这是对制造有机EL装置的所有方法中的工艺效率的限制。
当根据制造有机EL装置的传统方法在像素区内形成红色区(R)、绿色区(G)和蓝色区(B)时,必须通过沉积或转移至少执行三次形成图案的步骤,而且必须使R、G和B形成微型图案,从而,可发生错位。此外,由于在像素区内空穴比电子移动得快,所以空穴阻挡层必须形成在发光层上以防止空穴转移。即,需要形成空穴阻挡层的另外的工艺。
 
本发明提供了一种为接触红色发光层和绿色发光层而涂覆蓝色发光层的有机场致发光(EL)装置。对于此,发光层包含作为主体材料的空穴传输材料和电子传输材料。
根据本发明的一个方面,提供了一种有机场致发光(EL)装置,其包括:第一电极和第二电极;发光层,位于第一电极和第二电极之间,发光层包括第一发光层和第二发光层,部分第二发光层在整个第一发光层的上方连续地延伸以接触整个第一发光层,第一发光层包括主体材料和至少一种荧光体掺杂剂,主体材料包括空穴传输材料和电子传输材料。
根据本发明的一个方面,提供了一种有机场致发光(EL)装置,其包括:基板;第一电极,在基板上,第一电极限定包括红色像素区、绿色像素区和蓝色像素区的像素区;发光层,包括红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层,红色发光层和蓝色发光层形成在红色像素区内,绿色发光层和蓝色发光层形成在绿色像素区内,蓝色发光层形成在蓝色像素区内并延伸至红色发光层和绿色发光层,红色发光层和绿色发光层包含作为主体材料的空穴传输材料和电子传输材料;第二电极,在蓝色发光层的上方。
 
当结合附图时通过参照下面详细的描述,本发明的更全面的解释以及本发明的许多上述和其它特点及优点将更加清楚,同时也更易于理解,附图中相同的标号表示相同或相似的元件,其中:
图1是传统的有机EL装置的剖面图;
图2是根据本发明实施例的有机EL装置的剖面图;
图3是传统的有机EL装置中各个层的能带图,其中仅使用荧光体发光材料作为绿色发光材料;
图4是根据本发明实施例的有机EL装置中各个层的能带图,其中使用荧光体发光材料作为绿色发光材料,并且在其它的发光层上形成蓝色发光层。
 
图1是传统的有机EL装置的剖面图。
参照图1,在基板10上沉积阳极12并使其形成图案。阳极12限定像素区。然后,形成暴露像素区的绝缘层14,使用例如真空沉积在阳极12和绝缘层14上涂覆由有机材料制成的空穴注入层16和/或空穴传输层18。即,空穴注入层16和/或空穴传输层18接触随后形成的红色区(R)100、绿色区(G)200和蓝色区(B)300。然后,使用真空沉积、旋涂或LITI在空穴注入层16和/或空穴传输层18上形成R 100、G 200和B 300。当使用真空沉积方法时,使用阴罩来使R 100、G 200和B 300形成图案。在LITI方法中,通过激光扫描将材料仅转移到期望的区域,从而不需要阴罩。
接着,在所得到的结构上涂覆空穴阻挡层20和/或电子传输层22以接触R 100、G 200和B 300,然后在其上涂覆阴极24,阴极24是上电极。
当根据传统的方法在像素区内形成R 100、G 200和B 300时,必须通过沉积或转移至少执行三次形成图案的步骤,而且必须使R 100、G 200和B 300形成微型图案,从而可发生错位。此外,由于在像素区内空穴比电子移动得快,所以必须在发光层上形成空穴阻挡层20以防止空穴转移。即,需要形成空穴阻挡层的另外的工艺。
以下,将参照附图来更详细地描述本发明。
在根据本发明实施例的有机场致发光(EL)装置中,有机场致发光(EL)装置具有发光层,该发光层具有作为主体材料的空穴传输材料和电子传输材料。发光层可以是红色发光层或绿色发光层。
用作主体材料的空穴传输材料可具有咔唑基化合物。
咔唑基化合物可包括选自于包括1,3,5-三咔唑基苯、4,4′-双咔唑基联苯、聚乙烯咔唑、间-双咔唑基苯基、4,4′-双咔唑-2,2′-(二甲基联苯)、4,4′,4″-三(氮-咔唑基)三苯胺、1,3,5-三(2-咔唑基苯基)苯、1,3,5-三(2-咔唑基-5-甲氧基苯基)苯和双(4-咔唑基苯基)硅烷的组中的至少一种化合物。
用作主体材料的电子传输材料可包括选自于包括有机金属络合物、噁二唑化合物、菲咯啉化合物、三嗪化合物、三唑化合物和螺芴化合物的组中的至少一种化合物。
有机金属络合物可包括选自于包括双(8-羟基喹啉)联苯氧基金属、双(8-羟基喹啉)苯氧基金属、双(2-甲基-8-羟基喹啉)联苯氧基金属、双(2-甲基-8-羟基喹啉)苯氧基金属、双(2-甲基-8-喹啉醇)(对-苯基-苯酚)金属和双(2-(2-羟基苯基)喹啉)金属的组中的至少一种化合物,所述金属为Al、Zn、Be或Ga。
优选地,有机金属络合物是双(8-羟基喹啉)联苯氧基铝、双(8-羟基喹啉)苯氧基铝、双(2-甲基-8-羟基喹啉)联苯氧基铝、双(2-甲基-8-羟基喹啉)苯氧基铝、双(2-(2-羟基苯基)喹啉)锌或双(2-甲基-8-喹啉醇)(对-苯基-苯酚)铝。
噁二唑化合物可以是(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑。菲咯啉化合物可以是2,9-二甲基-4,7-二苯基-9,10-菲咯啉。三嗪化合物可以是2,4,6-三(二芳氨基)-1,3,5-三嗪、2,4,6-三(二苯基氨基)-1,3,5-三嗪、2,4,6-三咔唑-1,3,5-三嗪、2,4,6-三(氮-苯基-2-萘氨基)-1,3,5-三嗪、2,4,6-三(氮-苯基-1-萘氨基)-1,3,5-三嗪或2,4,6-三联苯-1,3,5-三嗪。三唑化合物可以是3-苯基-4-(1′-萘基)-5-苯基-1,2,4-三唑。
螺芴化合物可以具有下面的分子式(1):
Figure DEST_PATH_GA20178868200510117757X01D00021
其中,R1、R2、R3和R4是独立的H、C1-22烷基、烷氧基、CN基、NO2基或-O-Ar,其中,Ar选自于苯基、联苯、1-萘基和2-萘基;
X选自于O、CR2、NR、S和N=N。
螺芴化合物可包括选自于包括苯基螺芴、联苯螺芴和甲基螺芴的组中的至少一种化合物,但不限于此。
根据本发明的实施例,用于红色发光层或绿色发光层的荧光体掺杂剂可包括选自于包括双噻吩基嘧啶乙酰丙酮铱、双(苯并噻吩基嘧啶)乙酰丙酮铱、双(2-苯基苯并噻唑)乙酰丙酮铱、双(1-苯基异喹啉)乙酰丙酮铱、三(1-苯基异喹啉)铱和三(2-苯基嘧啶)铱的组中的至少一种化合物。
根据本发明实施例的有机EL装置中使用的空穴传输材料和电子传输材料的混合比可从1∶9至9∶1,优选地从2.5∶7.5至7.5∶2.5。如果混合比不在1∶9至9∶1的范围内,则可发生蓝色发光层和红色发光层之间或蓝色发光层与绿色发光层之间的颜色混合。
红色发光层和绿色发光层的每个的厚度可为
Figure DEST_PATH_GA20178868200510117757X01D00023
如果红色发
光层或绿色发光层的厚度小于则空穴和电子重组以形成激子的区域很窄,从而可降低发光效率。如果红色发光层或绿色发光层的厚度大于
Figure 327434DEST_PATH_G200510117757X01D00042
则可增大驱动电压,这并非期望的。对传统的发光层施加的上限厚度是
Figure 415476DEST_PATH_G200510117757X01D00043
当与传统的发光层相比,发光层由具有更高的电荷传输能力的材料制成时,驱动电压没有大大增大,从而上限可大于
可以使用选自于包括真空沉积、湿涂覆、喷墨和LITI的组的方法来形成红色发光层和绿色发光层。当使用真空沉积时,可以使用阴罩来使红色发光层和绿色发光层形成微型图案。当使用旋涂或LITI时,并不需要使用阴罩形成图案的步骤。
在形成红色发光层和绿色发光层之后,在所得到的结构的整个表面上涂覆作为公共层的蓝色发光层。
根据本发明的实施例,蓝色发光层可以包括具有分子式(2)的主体材料:
Figure 881409DEST_PATH_G200510117757X01D00045
其中,R是氢,或者R是具有1至20个碳原子并选自于苯基衍生物、联苯衍生物、萘基衍生物和芳基衍生物的取代物;
X是选自于萘基衍生物、联苯衍生物、苯基萘衍生物和苯基蒽衍生物的单体。
用于公共蓝色发光层300的主体材料可以包括选自于蒽二萘、蒽二联苯、蒽萘联苯和蒽二苯中的至少一种化合物。
以蓝色发光层的重量为100份计,蓝色发光层中的主体材料的浓度以重量计可以为80至99份。如果主体材料的浓度以重量计大于99份,则不会发生能量传输,从而降低了发光效率。如果主体材料的浓度以重量计小于80份,则会发生猝灭,从而降低了发光效率。
用作蓝色发光层中的发光材料的荧光掺杂剂可以是选自于包括DPVBi(4,4′-双(2,2′-二苯基乙烯基)-联苯)、螺-DPVBi、螺-6P(2,2′,7,7′-四(联苯-4-基)-9,9-螺联芴(螺-六苯基))、二苯乙烯基苯(DSB)和二苯乙烯基芳香基(DSA)的组中的小分子材料,含有选自于包括DPVBi、螺-DPVBi、螺-6P、DSB、DSA和二苯乙烯基芳香基三价胺的组中的至少两种主体/掺杂剂的小分子材料,或者选自于PFO(聚(9,9-二辛基芴))-基聚合物和PPV(聚(p-亚苯基亚乙烯基))-基聚合物的聚合物材料。
用于蓝色发光层的荧光体掺杂剂可包括选自于包括吡啶甲酸氟苯基嘧啶铱(fluorophenylpyridine iridium picolinate)、吡啶甲酸二氟苯基嘧啶铱和吡啶甲酸二氟氰基苯基嘧啶铱等的组中的至少一种化合物。
蓝色发光层的厚度可以为
Figure 284709DEST_PATH_G200510117757X01D00051
Figure 543652DEST_PATH_G200510117757X01D00052
如果蓝色发光层的厚度小于
Figure 297981DEST_PATH_G200510117757X01D00053
Figure 34993DEST_PATH_G200510117757X01D00054
则会降低蓝色发光层的稳定性。如果蓝色发光层的厚度大于则会增大驱动电压。
图3是传统的有机EL装置中的各个层的能带图,其中仅使用了荧光体发光材料作为绿色发光材料。图4是根据本发明实施例的有机EL装置中各个层的能带图,其中使用荧光体发光材料作为绿色发光材料,并且蓝色发光层接触绿色发光层。
在荧光体发光装置中,由于绿色发光层200的最高占有分子轨道(HOMO)值(5.80ev)高于电子传输层22的最高占有分子轨道值(5.78ev),所以可将空穴从绿色发光层200传输到电子传输层22。因此,由于空穴被传输到电子传输层22,所以在绿色发光层200中没有产生电子和空穴组合时产生的激子,从而劣化了色纯度。
在具有由荧光发光材料制成的发光层的荧光发光装置中,电子传输层22可直接形成在发光层上。然而,在荧光体发光装置中,空穴阻挡层20的HOMO值必须高于绿色发光层200的HOMO值。参照图3,为了克服这种需求,HOMO值为5.92ev的空穴阻挡层20通常设置在绿色发光层200和电子传输层22之间,以防止空穴被传输到电子传输层22,从而提高了色纯度。
根据本发明的实施例,为了防止空穴被传输到电子传输层22,蓝色发光层300延伸至红色发光层100和绿色发光层200并与它们相接触,因而不需要空穴阻挡层20。空穴注入层16和空穴传输层18与图1中所示的有机EL装置中的空穴注入层16和空穴传输层18相同。
参照图4,蓝色发光层300设置在绿色发光层200和电子传输层22之间,蓝色发光层300的HOMO值为5.85ev,高于绿色发光层200的HOMO值5.80ev,从而防止了空穴被传输到电子传输层22。因此,确定的是,蓝色发光层300与图3中的空穴阻挡层20具有几乎相同的效果。可关于红色发光层100获得相同的效果。此外,通过在红色发光层100和绿色发光层200中使用电子传输材料和空穴传输材料,发光区更靠近空穴传输层18,从而防止了在像素区内公共蓝色发光层300中的发光。
现在将描述根据本实施例的有机EL装置的制造。
图2是根据本发明实施例的有机EL装置的剖面图。参照图2,在基板10上涂覆用于阳极的材料以形成阳极12,阳极12是第一电极。
基板10可以是用于传统的有机EL装置中的任何一种基板,优选地为具有优良的透明度、表面平滑度、容易处理和良好的防水性的玻璃基板、有机基板或透明塑料基板。
当有机EL装置是前部发射型装置时,阳极12是反射性的金属层。当有机EL装置是后部发射型装置时,阳极12可包含氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)等中的一种。然后,形成限定像素区的绝缘层14(像素限定层(PDL))。接着,在所得到的结构上涂覆包含有机材料的空穴注入层16和/或空穴传输层18。
可使用真空热沉积或旋涂在阳极12上选择性地形成空穴注入层(HIL)16。空穴注入层16可包含酞菁铜(CuPc)或星放射型胺,例如TCTA(4,4′,4″-三(氮-咔唑基)三苯基胺)和4,4′,4″-三(3-甲基苯基-苯基氨基)三苯基胺(m-MTDATA)、IDE 406(Idemitsu Kosan Co.,Ltd.制造)等。
空穴注入层16的厚度可为50
Figure 10003_10
至1500
Figure 10003_11
。如果空穴注入层16的厚度小于50,则空穴注入会不充分。如果空穴注入层16的厚度大于1500,则驱动电压会增大。
可使用真空热沉积或旋涂在空穴注入层16上选择性地形成空穴传输层(HTL)18。空穴传输层18可包括氮,氮′-双(3-甲基苯基)-氮,氮′-二苯基-[1,1-联苯]-4,4′-二胺(TPD)、氮,氮′-二(萘-1-基)-氮,氮′-二苯基联苯胺、IDE 320(IdemitsuKosan Co.,Ltd.制造)等。
空穴传输层18的厚度可为如果空穴传输层18的厚度小于
Figure 819486DEST_PATH_G200510117757X01D00063
则空穴传输会不充分。如果空穴传输层18的厚度大于
Figure 462957DEST_PATH_G200510117757X01D00064
则会增大驱动电压。
在形成空穴注入层16和/或空穴传输层18之后,分别使红色发光层(R)100内的红色发光材料和绿色发光层(G)200内的绿色发光材料形成图案以获得对应于像素区的发光层。
绿色发光材料和红色发光材料的每个可以是至少两种主体材料。如上所述,发光层可包括荧光体主体和荧光或荧光体掺杂剂,其中,空穴传输材料和电子传输材料用作荧光体主体。可使用任何传统的方法,例如真空沉积、喷墨印刷、LITI、光刻蚀法等来形成发光层。
发光层的厚度可为
Figure 798123DEST_PATH_G200510117757X01D00065
Figure 527045DEST_PATH_G200510117757X01D00066
优选地为
Figure 166153DEST_PATH_G200510117757X01D00068
如果发光层的厚度小于则会降低发光效率并缩短寿命。如果发光层的厚度大于
Figure 888439DEST_PATH_G200510117757X01D000610
则会增大驱动电压。
在形成红色发光层100和绿色发光层200之后,在所得到的结构上涂覆蓝色发光材料以获得作为公共层的蓝色发光层300。由于蓝色发光层300涂覆在红色发光层100和绿色发光层200上,所以不需要使蓝色发光区单独形成微型图案的步骤。因此,简化了有机EL装置中的形成图案的工艺。此外,由于蓝色发光材料涂覆在所得到的结构的整个表面上,所以红色发光材料和绿色发光材料被损坏得较少,从而,与传统的有机EL装置相比,该有机EL装置可具有更高的稳定性。
蓝色发光层300的厚度必须根据彩色坐标的效率来确定,而且其厚度可为
Figure 770944DEST_PATH_G200510117757X01D000611
如果蓝色发光层300的厚度小于则不能获得形成蓝色发光层300的效果。如果蓝色发光层300的厚度大于则会增大红色像素和绿色像素的驱动电压,并且会改变它们的彩色坐标。
使用真空沉积或旋涂在蓝色发光层300上形成电子传输层20。电子传输层20可由传统的材料,例如Alq3制成。电子传输层20的厚度可为50
Figure DEST_PATH_G051B7757X20071116D000081
至600如果电子传输层20的厚度小于50
Figure DEST_PATH_G051B7757X20071116D000083
则会缩短寿命。如果电子传输层20的厚度大于600
Figure DEST_PATH_G051B7757X20071116D000084
则会增大驱动电压。
此外,可在电子传输层20上选择性地形成电子注入层22。电子注入层20可由传统的材料,例如LiF、NaCl、CsF、Li2O、BaO、Liq等制成。电子注入层22的厚度可为1至100
Figure DEST_PATH_G051B7757X20071116D000086
如果电子注入层22的厚度小于1则电子注入层22不能有效地发挥作用,从而会增大驱动电压。如果电子注入层22的厚度大于100则电子注入层22起绝缘层的作用,从而会增大驱动电压。
Figure DEST_PATH_G051B7757X20071116D000089
接着,通过使用真空热沉积在电子注入层22上涂覆金属来形成阴极24,阴极24是第二电极,然后密封阴极24,从而完成了有机EL装置。阴极24的金属可以是锂(Li)、镁(Mg)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)等。
以下,将参照下列例子来更详细地描述本发明。然而,提出这些例子仅出于示例性的目的,因而这些例子并不用于限制本发明的范围。
例子
例子1
在形成图案的测试单元上形成厚度为30nm的空穴注入层(IDE 406,Idemitsu Kosan Co.,Ltd.制造)和厚度为30nm的空穴传输层(IDE 320,IdemitsuKosan Co.,Ltd.制造)。然后,用以重量计掺杂浓度为10%的掺杂剂(1-(苯基)异喹啉)乙酰丙酮铱(III)[Ir(piq)2acac]掺杂主体材料,其中主体材料包括以重量计为90份的4,4′-氮,氮′-二咔唑-联苯(CBP)(UDC Co.,Ltd.制造)和以重量计为10份的BAlq(双(2-甲基-8-喹啉)4-苯基苯酚铝(III))(Aluminum(III)bis(2-methyl-8-quinolinato)4-phenylpheolate),然后在空穴传输层上使主体材料形成厚度为35nm的层,并使用LITI使其形成图案,从而获得荧光体发光层。在所得到的结构的整个表面上形成厚度为10nm的包括用IDE 105(IdemitsuKosan Co.,Ltd.制造)掺杂的IDE 140(Idemitsu Kosan Co.,Ltd.制造)的蓝色荧光发光层。随后,在蓝色荧光发光层上形成厚度为20nm的包含三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)(Nippon Steel Chemical.Co.,Ltd.制造)的电子传输层,并在其上沉积阴极,然后用玻璃密封产物,从而获得完整的测试单元。
例子2
除了以重量计为75份的CBP和以重量计为25份的BAlq用于形成荧光体发光层之外,用与例子1相同的方法制造有机EL装置。
例子3
除了以重量计为50份的CBP和以重量计为50份的BAlq用于形成荧光体发光层之外,用与例子1相同的方法制造有机EL装置。
例子4
除了以重量计为25份的CBP和以重量计为75份的BAlq用于形成荧光体发光层之外,用与例子1相同的方法制造有机EL装置。
例子5
除了以重量计为10份的CBP和以重量计为90份的BAlq用于形成荧光体发光层之外,用与例子1相同的方法制造有机EL装置。
对比例1
在形成图案的测试单元上形成厚度为30nm的空穴注入层(IDE 406,Idemitsu Kosan Co.,Ltd.制造)和厚度为30nm的空穴传输层(IDE 320,IdemitsuKosan Co.,Ltd制造)。然后,用以重量计掺杂浓度为10%的掺杂剂Ir(piq)2acac掺杂包含CBP(UDC制造)的主体材料,然后在空穴传输层上使主体材料形成厚度为35nm的层,并使用LITI使其形成图案,从而获得发光层。接着,在所得到的结构上形成厚度为5nm的包含BAlq(UDC制造)的空穴阻挡层。随后,在空穴注入层上形成包括Alq3(Nippon Steel Chemical.Co.,Ltd.制造)的电子传输层,并在其上沉积阴极,用玻璃密封产物,从而获得完整的测试单元。
对比例2
除了发光层的主体材料包含BAlq之外,用与对比例1相同的方法制造有机EL装置。
对比例3
在形成图案的测试单元上形成厚度为30nm的空穴注入层(IDE 406,Idemitsu Kosan Co.,Ltd.制造)和厚度为30nm的空穴传输层(IDE 320,IdemitsuKosan Co.,Ltd.制造)。然后,用以重量计掺杂浓度为10%的掺杂剂Ir(ppy)3掺杂包含CBP(UDC制造)的主体材料,然后在空穴传输层上使主体材料形成厚度为35nm的层,并使用LITI使其形成图案,从而获得荧光体发光层。在所得到的结构的整个表面上形成厚度为10nm的包括用IDE 105(Idemitsu KosanCo.,Ltd.制造)掺杂的IDE 140(Idemitsu Kosan Co.,Ltd.制造)的蓝色荧光发光层。随后,在蓝色荧光发光层上形成包含Alq3(Nippon Steel Chemical.Co.,Ltd.制造)的电子传输层,并在其上沉积阴极,用玻璃密封产物,从而获得完整的测试单元。
对比例4
除了荧光体发光层的主体材料包含BAlq之外,用与对比例3相同的方法制造有机EL装置。
测试了例子1至例子5和对比例1至对比例4中制造的有机EL装置的发光效率、彩色坐标和寿命。使用分光光度计测量发光效率,使用光电二极管评估寿命。结果见表1所示。
对比例1至对比例4中获得的有机EL装置的发光效率在约3.1-4.8cd/A的范围内,而例子1至例子5中获得的有机EL装置的发光效率在约5.1-5.9cd/A的范围内,这比对比例1至对比例4中获得的范围高出约30%。
与根据本发明实施例的例子1至例子5中获得的有机EL装置的色纯度相比,对比例3中获得的有机EL装置的色纯度略微较低。例子1至例子5中获得的有机EL装置的色纯度、对比例1、对比例2中获得的有机EL装置的色纯度和对比例4中获得的有机EL装置的色纯度之间几乎没有差别,对比例1和对比例2中获得的有机EL装置在荧光体发光层中使用单个主体材料且包含空穴阻挡层,对比例4中获得的有机EL装置在荧光体发光层中使用单个主体材料且包括公共蓝色发光层而没有空穴阻挡层。
在这里使用的,术语“寿命”指起始亮度下降50%时的时间。例子1至例子5中获得的有机EL装置的寿命在1000cd/m2时为400小时-600小时的范围内,而对比例1至对比例4中获得的有机EL装置的寿命在1000cd/m2时为80小时至150小时的范围内。因此,确定的是,例子1至例子5中获得的有机EL装置的寿命比对比例1至对比例4中获得的有机EL装置的寿命长约200%至300%。
表1
  发光效率(cd/A)   彩色坐标   寿命(hrs)
 例子1   5.7   (0.67,0.32)   500
 例子2   5.9   (0.67,0.32)   600
 例子3   5.5   (0.67,0.32)   500
 例子4   5.5   (0.67,0.32)   400
 例子5   5.1   (0.67,0.32)   350
 对比例1   4.6   (0.67,0.32)   150
 对比例2   4.6   (0.67,0.32)   100
 对比例3   3.5   (0.57,0.34)   80
 对比例4   4.8   (0.67,0.32)   150
如上所述,根据本发明的有机EL装置的结构为,蓝色发光层形成在包含作为主体材料的空穴传输材料和电子传输材料的荧光体发光层上,从而提供了以下优点。
第一,不需要防止空穴扩散到电子传输层的空穴阻挡层,从而,可减少用于制造的沉积过程的数量。
第二,不需要用于形成蓝色区的形成微型图案的步骤,从而进一步减少了用于制造的过程的总数量。
第三,通过使用在红色发光层和绿色发光层中混合的主体材料,可防止公共蓝色发光层与红色发光层、绿色发光层之间的颜色混合现象。
第四,与传统的有机EL装置相比,该有机EL装置的发光效率高30%,寿命长200%。
虽然已经参照本发明的示例性实施例具体地示出和描述了本发明,但是本领域的技术人员应该明白,在不脱离由权利要求限定的本发明的精神和范围的情况下,可进行形式和细节上的各种改变。
[0104]本申请要求于2004年11月12日提交到韩国知识产权局的第10-2004-0092637号韩国专利申请的权益,该申请的全部内容通过引用公开于此。

Claims (18)

1.一种有机场致发光装置,包括:
第一电极和第二电极;
发光层,位于所述第一电极和所述第二电极之间,所述发光层包括第一发光层和第二发光层,部分所述第二发光层在整个所述第一发光层的上方连续地延伸以接触整个所述第一发光层,所述第一发光层包含主体材料和至少一种荧光体掺杂剂,所述主体材料包括空穴传输材料和电子传输材料。
2.如权利要求1所述的有机场致发光装置,其中,所述第一发光层是红色发光层或绿色发光层,所述第二发光层是蓝色发光层。
3.如权利要求1所述的有机场致发光装置,其中,所述空穴传输材料具有咔唑基化合物。
4.如权利要求3所述的有机场致发光装置,其中,所述咔唑基化合物包括选自于包括1,3,5-三咔唑基苯、4,4′-双咔唑基联苯、聚乙烯咔唑、间-双咔唑基苯基、4,4′-双咔唑-2,2′-(二甲基联苯)、4,4′,4″-三(氮-咔唑基)三苯胺、1,3,5-三(2-咔唑基苯基)苯、1,3,5-三(2-咔唑基-5-甲氧基苯基)苯和双(4-咔唑基苯基)硅烷的组中的至少一种化合物。
5.如权利要求2所述的有机场致发光装置,其中,所述电子传输材料包括选自于包括有机金属络合物、噁二唑化合物、菲咯啉化合物、三嗪化合物、三唑化合物和螺芴化合物的组中的至少一种化合物。
6.如权利要求5所述的有机场致发光装置,其中,所述有机金属络合物包括选自于包括双(8-羟基喹啉)联苯氧基金属、双(8-羟基喹啉)苯氧基金属、双(2-甲基-8-羟基喹啉)联苯氧基金属、双(2-甲基-8-羟基喹啉)苯氧基金属、双(2-甲基-8-喹啉醇)(对-苯基-苯酚)金属和双(2-(2-羟基苯基)喹啉)金属的组中的至少一种化合物,所述金属为Al、Zn、Be或Ga,所述噁二唑化合物为(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑,所述菲咯啉化合物为2,9-二甲基-4,7-二苯基-9,10-菲咯啉,所述三嗪化合物为2,4,6-三(二芳氨基)-1,3,5-三嗪、2,4,6-三(二苯基氨基)-1,3,5-三嗪、2,4,6-三咔唑-1,3,5-三嗪、2,4,6-三(氮-苯基-2-萘氨基)-1,3,5-三嗪、2,4,6-三(氮-苯基-1-萘氨基)-1,3,5-三嗪或2,4,6-三联苯-1,3,5-三嗪,所述三唑化合物为3-苯基-4-(1′-萘基)-5-苯基-1,2,4-三唑,所述螺芴化合物包括选自于包括苯基螺芴、联苯螺芴和甲基螺芴的组中的至少一种化合物。
7.如权利要求1所述的有机场致发光装置,其中,所述第一发光层中的所述荧光体掺杂剂包括选自于包括双噻吩基嘧啶乙酰丙酮铱、双(苯并噻吩基嘧啶)乙酰丙酮铱、双(2-苯基苯并噻唑)乙酰丙酮铱、双(1-苯基异喹啉)乙酰丙酮铱、三(1-苯基异喹啉)铱和三(2-苯基嘧啶)铱的组中的至少一种化合物。
8.如权利要求1所述的有机场致发光装置,其中,所述空穴传输材料和所述电子传输材料的混合比为从1∶9至9∶1。
9.如权利要求2所述的有机场致发光装置,其中,所述第一发光层的厚度为
Figure FSB00000117165300022
10.如权利要求2所述的有机场致发光装置,其中,所述蓝色发光层包括选自于蒽二萘、蒽二联苯、蒽萘联苯和蒽二苯中的至少一种化合物。
11.如权利要求10所述的有机场致发光装置,其中,以所述蓝色发光层的重量为100份计,所述蓝色发光层中的主体材料的浓度以重量计为80至99份。
12.如权利要求2所述的有机场致发光装置,其中,所述蓝色发光层包括荧光掺杂剂,所述荧光掺杂剂包括:选自于包括4,4′-双(2,2′-二苯基乙烯基)-联苯、螺-(4,4′-双(2,2′-二苯基乙烯基)-联苯)、2,2′,7,7′-四(联苯-4-基)-9,9-螺联芴(螺-六苯基)、二苯乙烯基苯和二苯乙烯基芳香基的组的小分子材料;含有选自于包括4,4′-双(2,2′-二苯基乙烯基)-联苯、螺-(4,4′-双(2,2′-二苯基乙烯基)-联苯)、2,2′,7,7′-四(联苯-4-基)-9,9-螺联芴(螺-六苯基)、二苯乙烯基苯、二苯乙烯基芳香基和二苯乙烯基芳香基三价胺的组中的至少两种主体/掺杂剂的小分子材料;聚合物材料,选自于聚(9,9-二辛基芴)-基聚合物和聚(p-亚苯基亚乙烯基)-基聚合物。
13.如权利要求2所述的有机场致发光装置,其中,所述蓝色发光层包括荧光体掺杂剂,所述荧光体掺杂剂选自于吡啶甲酸氟苯基嘧啶铱、吡啶甲酸二氟苯基嘧啶铱和吡啶甲酸二氟氰基苯基嘧啶铱。
14.如权利要求2所述的有机场致发光装置,其中,所述蓝色发光层的厚度为
Figure FSB00000117165300023
Figure FSB00000117165300024
15.一种有机场致发光装置,包括:
基板;
第一电极,在所述基板上,所述第一电极限定包括红色像素区、绿色像素区和蓝色像素区的像素区;
发光层,包括形成在所述红色像素区内的红色发光层、形成在所述绿色像素区内的绿色发光层和形成在所述蓝色像素区内的蓝色发光层,所述蓝色发光层在所述红色发光层和所述绿色发光层的上方延伸,所述红色发光层和所述绿色发光层包括作为主体材料的空穴传输材料和电子传输材料;
第二电极,在所述蓝色发光层的上方。
16.如权利要求15所述的有机场致发光装置,其中,所述红色发光层和所述绿色发光层的所述空穴传输材料包括咔唑基化合物,所述红色发光层和所述绿色发光层的所述电子传输材料包括选自于包括有机金属络合物、噁二唑化合物、菲咯啉化合物、三嗪化合物、三唑化合物和螺芴化合物的组中的至少一种化合物,以所述蓝色发光层的重量为100计,所述蓝色发光层中的所述主体材料的浓度以重量计为80至99份。
17.如权利要求15所述的有机场致发光装置,其中,所述空穴传输材料和所述电子传输材料的混合比为从1∶9至9∶1。
18.如权利要求15所述的有机场致发光装置,其中,所述蓝色发光层包括选自于蒽二萘、蒽二联苯、蒽萘联苯和蒽二苯中的至少一种化合物。
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Families Citing this family (98)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100543003B1 (ko) * 2003-09-15 2006-01-20 삼성에스디아이 주식회사 풀칼라 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법
KR20050050487A (ko) * 2003-11-25 2005-05-31 삼성에스디아이 주식회사 풀칼라 유기 전계 발광 소자
KR100659530B1 (ko) * 2003-11-26 2006-12-19 삼성에스디아이 주식회사 풀칼라 유기전계발광소자
JP2007142111A (ja) * 2005-11-17 2007-06-07 Takasago Internatl Corp 発光素子及び表示装置
JP2008027722A (ja) * 2006-07-21 2008-02-07 Sony Corp 表示装置および表示装置の製造方法
KR100841367B1 (ko) * 2006-08-28 2008-06-26 삼성에스디아이 주식회사 유기전계 발광표시장치의 제조방법
US8697254B2 (en) * 2006-11-14 2014-04-15 Sri International Cavity electroluminescent devices and methods for producing the same
TWI323047B (en) * 2006-11-28 2010-04-01 Univ Nat Taiwan The method for forming electronic devices by using protection layers
US20080164809A1 (en) * 2006-12-22 2008-07-10 Sony Corporation Organic electroluminescent device and display apparatus
EP1973386B8 (en) * 2007-03-23 2016-01-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and electronic device
US20080286566A1 (en) * 2007-05-18 2008-11-20 Shiva Prakash Process for forming an organic light-emitting diode and devices made by the process
KR100858824B1 (ko) * 2007-05-31 2008-09-17 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법
EP2188858A1 (en) * 2007-10-23 2010-05-26 E. I. du Pont de Nemours and Company Ternary emissive layers for luminescent applications
CN101971386B (zh) * 2008-01-24 2012-07-04 思研(Sri)国际顾问与咨询公司 高效率电致发光器件及其制造方法
JP4734368B2 (ja) * 2008-03-31 2011-07-27 株式会社 日立ディスプレイズ 有機発光表示装置
KR100938898B1 (ko) * 2008-04-17 2010-01-27 삼성모바일디스플레이주식회사 풀칼라 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법
KR100924144B1 (ko) * 2008-06-05 2009-10-28 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광소자 및 그의 제조 방법
KR101582937B1 (ko) * 2008-12-02 2016-01-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
DE102009014513A1 (de) * 2009-03-23 2010-09-30 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtung
JP5371544B2 (ja) * 2009-05-21 2013-12-18 パナソニック株式会社 有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法
US9741955B2 (en) * 2009-05-29 2017-08-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and method for manufacturing the same
KR101331232B1 (ko) * 2009-07-06 2013-11-18 파이오니아 가부시키가이샤 표시장치 및 그 제조방법
JP5328726B2 (ja) 2009-08-25 2013-10-30 三星ディスプレイ株式會社 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光ディスプレイ装置の製造方法
JP5677785B2 (ja) 2009-08-27 2015-02-25 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法
US8876975B2 (en) 2009-10-19 2014-11-04 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
JP5515661B2 (ja) * 2009-11-16 2014-06-11 ソニー株式会社 有機el表示装置の製造方法
KR101073540B1 (ko) * 2009-12-04 2011-10-14 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 장치
KR101084184B1 (ko) 2010-01-11 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR101174875B1 (ko) 2010-01-14 2012-08-17 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101193186B1 (ko) 2010-02-01 2012-10-19 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
TWI466351B (zh) 2010-02-05 2014-12-21 Sony Corp 有機電激發光顯示器及製造彼之方法
KR101156441B1 (ko) 2010-03-11 2012-06-18 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR101202348B1 (ko) 2010-04-06 2012-11-16 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
JP5678487B2 (ja) 2010-04-09 2015-03-04 ソニー株式会社 有機el表示装置
US8894458B2 (en) 2010-04-28 2014-11-25 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
KR101657222B1 (ko) * 2010-05-14 2016-09-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
US9105847B2 (en) * 2010-06-24 2015-08-11 Joled Inc. Organic EL display and method of manufacturing the same
KR20120003216A (ko) 2010-07-02 2012-01-10 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101223723B1 (ko) 2010-07-07 2013-01-18 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
WO2012011471A1 (ja) * 2010-07-21 2012-01-26 住友化学株式会社 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ装置の製造方法及び有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ装置
JP5766422B2 (ja) * 2010-10-05 2015-08-19 株式会社Joled 有機el表示装置およびその製造方法
KR101723506B1 (ko) 2010-10-22 2017-04-19 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101738531B1 (ko) 2010-10-22 2017-05-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR20120045865A (ko) 2010-11-01 2012-05-09 삼성모바일디스플레이주식회사 유기층 증착 장치
KR20120065789A (ko) 2010-12-13 2012-06-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기층 증착 장치
WO2012087961A2 (en) * 2010-12-20 2012-06-28 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electroactive compositions for electronic applications
DE102010055901A1 (de) * 2010-12-23 2012-06-28 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtung
KR101760897B1 (ko) 2011-01-12 2017-07-25 삼성디스플레이 주식회사 증착원 및 이를 구비하는 유기막 증착 장치
JP5778950B2 (ja) 2011-03-04 2015-09-16 株式会社Joled 有機el表示装置およびその製造方法
CN102683601B (zh) * 2011-03-09 2015-06-03 海洋王照明科技股份有限公司 一种白光发光部件、其制备方法和白光电致发光器件
JP5837316B2 (ja) 2011-03-25 2015-12-24 株式会社Joled 有機el表示装置およびその製造方法
KR101306399B1 (ko) 2011-04-06 2013-09-09 울산대학교 산학협력단 비닐 타입의 폴리노보넨 중합체를 포함하는 청색 인광 호스트 물질 및 이를 이용하는 청색 인광 유기발광소자
KR101771581B1 (ko) 2011-05-23 2017-08-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 소자
KR101840654B1 (ko) 2011-05-25 2018-03-22 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101852517B1 (ko) 2011-05-25 2018-04-27 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101857249B1 (ko) 2011-05-27 2018-05-14 삼성디스플레이 주식회사 패터닝 슬릿 시트 어셈블리, 유기막 증착 장치, 유기 발광 표시장치제조 방법 및 유기 발광 표시 장치
KR101845332B1 (ko) 2011-06-13 2018-05-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101879832B1 (ko) * 2011-06-30 2018-07-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR101826068B1 (ko) 2011-07-04 2018-02-07 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치
JP5858689B2 (ja) * 2011-08-31 2016-02-10 キヤノン株式会社 表示装置
JP2013051161A (ja) * 2011-08-31 2013-03-14 Canon Inc 表示装置
JP5779051B2 (ja) * 2011-09-08 2015-09-16 株式会社Joled 表示装置およびその製造方法、並びに電子機器
JP6158542B2 (ja) 2012-04-13 2017-07-05 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置
JP6158543B2 (ja) * 2012-04-13 2017-07-05 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置
KR101950836B1 (ko) * 2012-05-22 2019-02-22 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 그의 제조 방법
KR101929040B1 (ko) * 2012-05-31 2018-12-13 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 이의 제조방법
JP6217059B2 (ja) * 2012-07-10 2017-10-25 三菱ケミカル株式会社 有機電界発光素子及び有機電界発光デバイス
US9461277B2 (en) 2012-07-10 2016-10-04 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display apparatus
KR102013315B1 (ko) 2012-07-10 2019-08-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101632298B1 (ko) 2012-07-16 2016-06-22 삼성디스플레이 주식회사 평판 표시장치 및 그 제조방법
TWI587557B (zh) 2012-08-03 2017-06-11 半導體能源研究所股份有限公司 發光元件、發光裝置、顯示裝置、電子裝置及照明設備
TWI569491B (zh) * 2012-10-11 2017-02-01 Joled Inc Organic EL display device and manufacturing method thereof, ink and electronic machine
KR20140050994A (ko) 2012-10-22 2014-04-30 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
KR102009726B1 (ko) 2012-11-08 2019-10-22 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
JP2014110143A (ja) * 2012-11-30 2014-06-12 Samsung Display Co Ltd 有機el素子
JP6133583B2 (ja) 2012-12-03 2017-05-24 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR101465029B1 (ko) * 2013-02-21 2014-12-02 호서대학교 산학협력단 전하 수송층 도핑 유기 발광 다이오드
KR20140116692A (ko) 2013-03-25 2014-10-06 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102178256B1 (ko) * 2013-03-27 2020-11-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
KR101627746B1 (ko) * 2013-05-27 2016-06-07 제일모직 주식회사 화합물, 이를 포함하는 유기발광소자 및 상기 유기발광소자를 포함하는 표시장치
KR102080130B1 (ko) 2013-06-25 2020-02-24 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20150005264A (ko) * 2013-07-05 2015-01-14 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN103904228B (zh) * 2014-03-21 2017-02-22 华南理工大学 一种喷墨打印有机电致发光显示器及其制备方法
KR102327086B1 (ko) * 2014-06-11 2021-11-17 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
US9269749B2 (en) * 2014-07-07 2016-02-23 Au Optronics Corporation Organic electroluminescence display panel
JPWO2016009823A1 (ja) * 2014-07-16 2017-04-27 東レ株式会社 モノアミン誘導体、それを用いた発光素子材料および発光素子
CN104282843B (zh) * 2014-10-30 2017-04-19 中国科学院长春应用化学研究所 一种黄色有机电致发光器件及其制备方法
CN104576953B (zh) * 2014-12-31 2017-01-25 北京维信诺科技有限公司 一种有机电致发光装置
CN106920883B (zh) 2015-12-25 2019-01-08 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种有机电致发光器件
WO2018070348A1 (ja) * 2016-10-13 2018-04-19 シャープ株式会社 表示装置およびその製造方法
CN106531775A (zh) * 2016-12-30 2017-03-22 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管显示基板及其显示装置与制备方法
CN110785867B (zh) 2017-04-26 2023-05-02 Oti照明公司 用于图案化表面上覆层的方法和包括图案化覆层的装置
KR20190074211A (ko) * 2017-12-19 2019-06-27 삼성전자주식회사 전계 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
US11751415B2 (en) 2018-02-02 2023-09-05 Oti Lumionics Inc. Materials for forming a nucleation-inhibiting coating and devices incorporating same
KR102604311B1 (ko) * 2018-06-29 2023-11-20 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 소자, 이를 이용한 유기 발광 표시 장치 및 차량용 표시 장치
CN109004096A (zh) * 2018-07-27 2018-12-14 桂林电子科技大学 一种结构简单且高效率的蓝色荧光有机发光二极管
CN109378409B (zh) * 2018-10-18 2020-04-14 纳晶科技股份有限公司 一种电致发光器件及其制造方法
KR20210149058A (ko) 2019-03-07 2021-12-08 오티아이 루미오닉스 인크. 핵생성 억제 코팅물 형성용 재료 및 이를 포함하는 디바이스

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003094578A1 (fr) * 2002-05-01 2003-11-13 Nissan Chemical Industries,Ltd. Dispositif d'electroluminescence organique et materiau associe
CN1503605A (zh) * 2002-11-20 2004-06-09 Lg������ʽ���� 高效有机场致发光器件

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3506281B2 (ja) * 1995-01-26 2004-03-15 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3508805B2 (ja) * 1996-06-06 2004-03-22 出光興産株式会社 多色発光装置およびその製造方法
JP3588978B2 (ja) * 1997-06-12 2004-11-17 凸版印刷株式会社 有機薄膜el素子
US6303238B1 (en) 1997-12-01 2001-10-16 The Trustees Of Princeton University OLEDs doped with phosphorescent compounds
US5935721A (en) * 1998-03-20 1999-08-10 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent elements for stable electroluminescent
JP2000036386A (ja) * 1998-07-16 2000-02-02 Alps Electric Co Ltd 白色発光エレクトロルミネッセンス素子
US6097147A (en) 1998-09-14 2000-08-01 The Trustees Of Princeton University Structure for high efficiency electroluminescent device
US6361886B2 (en) * 1998-12-09 2002-03-26 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with improved hole transport layer
JP3900724B2 (ja) * 1999-01-11 2007-04-04 セイコーエプソン株式会社 有機el素子の製造方法および有機el表示装置
US6310360B1 (en) 1999-07-21 2001-10-30 The Trustees Of Princeton University Intersystem crossing agents for efficient utilization of excitons in organic light emitting devices
US6696177B1 (en) * 2000-08-30 2004-02-24 Eastman Kodak Company White organic electroluminescent devices with improved stability and efficiency
US6893743B2 (en) * 2000-10-04 2005-05-17 Mitsubishi Chemical Corporation Organic electroluminescent device
JP2002260858A (ja) * 2001-02-28 2002-09-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光素子及びその製造方法
JP4018447B2 (ja) * 2001-06-15 2007-12-05 キヤノン株式会社 発光素子
JP2003007647A (ja) * 2001-06-18 2003-01-10 Tokyo Seimitsu Co Ltd ダイシング装置
JP2003007467A (ja) 2001-06-19 2003-01-10 Honda Motor Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
US6835469B2 (en) * 2001-10-17 2004-12-28 The University Of Southern California Phosphorescent compounds and devices comprising the same
JP4011325B2 (ja) * 2001-10-31 2007-11-21 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3481231B2 (ja) * 2002-03-05 2003-12-22 三洋電機株式会社 有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法
JP3965063B2 (ja) * 2002-03-08 2007-08-22 Tdk株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2003321546A (ja) * 2002-04-26 2003-11-14 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> 燐光発光性高分子化合物ならびにこれを用いた発光材料および有機el素子
US20040058193A1 (en) * 2002-09-16 2004-03-25 Eastman Kodak Company White organic light-emitting devices with improved performance
US6891326B2 (en) * 2002-11-15 2005-05-10 Universal Display Corporation Structure and method of fabricating organic devices
JP4152173B2 (ja) * 2002-11-18 2008-09-17 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP4308560B2 (ja) * 2003-03-20 2009-08-05 Tdk株式会社 有機金属錯体、その配位子、および有機el素子
KR100543003B1 (ko) * 2003-09-15 2006-01-20 삼성에스디아이 주식회사 풀칼라 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법
JP2005174639A (ja) * 2003-12-09 2005-06-30 Seiko Epson Corp 有機el装置、および電子機器
KR100712098B1 (ko) * 2004-01-13 2007-05-02 삼성에스디아이 주식회사 백색 발광 유기전계발광소자 및 그를 구비하는유기전계발광표시장치
US7192659B2 (en) * 2004-04-14 2007-03-20 Eastman Kodak Company OLED device using reduced drive voltage
US20080284318A1 (en) * 2007-05-17 2008-11-20 Deaton Joseph C Hybrid fluorescent/phosphorescent oleds

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003094578A1 (fr) * 2002-05-01 2003-11-13 Nissan Chemical Industries,Ltd. Dispositif d'electroluminescence organique et materiau associe
CN1503605A (zh) * 2002-11-20 2004-06-09 Lg������ʽ���� 高效有机场致发光器件

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP特开2004-296403A 2004.10.21

Also Published As

Publication number Publication date
JP2011160003A (ja) 2011-08-18
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