JP3506281B2 - 有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は有機エレクトロルミネッ
センス（以下、ＥＬと略記する）素子に関し、さらに詳
しくは、長時間駆動しても発光色の変化が少ないなど、
長寿命を有し、かつ高効率の有機ＥＬ素子に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】電界発光を利用したＥＬ素子は、自己発
光のため視認性が高く、かつ完全固体素子であるため、
耐衝撃性に優れるなどの特徴を有することから、各種表
示装置における発光素子としての利用が注目されてい
る。このＥＬ素子には、発光材料に無機化合物を用いて
なる無機ＥＬ素子と有機化合物を用いてなる有機ＥＬ素
子とがあり、このうち、有機ＥＬ素子は、印加電圧を大
幅に低くしうるために、次世代の表示素子としてその実
用化研究が積極的になされている。

【０００３】ところで、この有機ＥＬ素子においては、
長寿命かつ高効率の青色発光素子を開発するため、これ
まで青色発光材料に関する研究に力が注がれ、種々の青
色発光材料、例えば高輝度，高効率のジスチリルアリー
レン系青色発光材料（特開平２−２４７２７８号公
報），高輝度のキレート系青色発光材料（特開平５−１
９８３７８号公報），高輝度のジアミン系青色発光材料
（特開平６−２２０４３７号公報）などが開示されてい
る。しかしながら、これらの青色発光材料は、通常陽極
／正孔注入輸送層／発光層／電子注入輸送層／陰極の構
成で利用され、性能が発揮されていたが、寿命の点では
必ずしも満足しうるものではなく、例えば（１）駆動時
間が経過するとともに、色が緑色化し、発光色が変化す
る、（２）初期輝度１００ｃｄ／ｍ² の時の半減寿命が
１０００時間程度と短い（実用上は数千時間以上が要求
される）、などの問題がある。

【０００４】他方、本発明における蛍光性ドーパントに
類似した構造を有する化合物を発光層の材料とする素子
が提案されているが（特開平６−２２０４３７号公
報）、微量添加された蛍光性ドーパントの機能について
は何ら言及していない。また、特開平６−９９５３号公
報及び国際特許公開９４−６１５７号には、発光層に添
加させる電荷注入補助剤であるジスチリルアリーレン系
材料が開示されている。この材料は蛍光性ドーパントと
しても働くものであるが、このものを用いた素子の半減
寿命は１０００時間程度（初期輝度１００ｃｄ／ｍ² ）
と短く、改善が求められていた。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
従来の有機ＥＬ素子がもつ欠点を改良し、長時間駆動し
ても発光色の変化が少ないなど、長寿命を有し、かつ高
効率の有機ＥＬ素子を提供することを目的とするもので
ある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、長寿命か
つ高効率の有機ＥＬ素子を開発すべく鋭意研究を重ねた
結果、素子の正孔と電子との結合領域又は発光領域の少
なくともいずれかに、蛍光性ドーパントとして、特定の
化合物を所定の割合で含有させることにより、その目的
を達成しうることを見出した。本発明は、かかる知見に
基づいて完成したものである。すなわち、本発明は、正
孔と電子とが再結合する再結合領域及び該再結合に応答
して発光する発光領域を少なくとも有する有機化合物層
と、この有機化合物層を挾持する一対の電極とを備えた
有機エレクトロルミネッセンス素子において、上記再結
合領域及び／又は発光領域に、蛍光性ドーパントとし
て、一般式（Ｉ）

【０００７】

【化３】

【０００８】〔式中、Ａｒ¹ ，Ａｒ² 及びＡｒ³ は、そ
れぞれ炭素数１〜１０のアルキル基，炭素数６〜３０の
アリール基又は複素環式基を示し、それらはたがいに同
一でも異なっていてもよいが、その少なくとも一つは炭
素数１２以上の縮合多環炭化水素基である。また、Ａｒ
¹ 〜Ａｒ ³ は、それぞれ置換基を有していてもよい。〕
及び一般式（II）

【０００９】

【化４】

【００１０】〔式中、Ａｒ⁴ ，Ａｒ⁵ ，Ａｒ⁶ 及びＡｒ
⁷ はそれぞれ炭素数１〜１０のアルキル基，炭素数６〜
３０のアリール基又は複素環式基を示し、それらはたが
いに同一でも異なっていてもよく、Ａｒ⁸ は炭素数６〜
３０のアリーレン基又は二価の複素環式基を示すが、Ａ
ｒ⁴ 〜Ａｒ⁸ の少なくとも一つは炭素数１２以上の縮合
多環炭化水素基である。また、Ａｒ⁴ 〜Ａｒ⁸ は、それ
ぞれ置換基を有していてもよい。〕で表される化合物の
中から選ばれた少なくとも一種を0.１〜８重量％の割合
で含有させ、発光材料（ホスト材料）として、ジスチリ
ルアリーレン系化合物の中から選ばれた少なくとも一種
を含有させたことを特徴とする有機ＥＬ素子を提供する
ものである。本発明において用いられる蛍光性ドーパン
トは、一般式（Ｉ）

【００１１】

【化５】

【００１２】又は、一般式（II）

【００１３】

【化６】

【００１４】で表される構造を有する化合物である。上
記一般式（Ｉ）及び（II）において、Ａｒ¹ 〜Ａｒ
⁷ は、それぞれ炭素数１〜１０のアルキル基，炭素数６
〜３０のアリール基又は複素環式基を示す。ここで、炭
素数１〜１０のアルキル基の例としては、メチル基，エ
チル基，ｎ−プロピル基，イソプロピル基，ｎ−ブチル
基，イソブチル基，ｓｅｃ−ブチル基，ｔ−ブチル基な
どが挙げられ、炭素数６〜３０のアリール基の例として
は、フェニル基，ビフェニル基，ターフェニル基などの
非縮合炭化水素基や縮合多環炭化水素基が挙げられる。
該縮合多環炭化水素基としては、好ましくは環を形成す
る炭素数が１８以下のもの、例えばペンタレニル基，イ
ンデニル基，ナフチル基，アズレニル基，ヘプタレニル
基，ビフェニレニル基，ａｓ−インダセニル基，フルオ
レニル基，ｓ−インダセニル基，アセナフチレニル基，
プレイアデニル基，アセナフテニル基，フェナレニル
基，フェナントリル基，アントリル基，フルオランテニ
ル基，アセフェナントリレニル基，アセアントリレニル
基，トリフェニレニル基，ピレニル基，クリセニル基，
ナフタセニル基などが挙げられる。

【００１５】また、複素環式基の例としては、ピリジル
基，ピリミジル基，ピラジニル基，トリアジニル基，フ
ラニル基，ピロリル基，チオフェニル基，キノリル基，
クマリニル基，ベンゾフラニル基，ベンズイミダゾリル
基，ベンズオキサゾリル基，ジベンゾフラニル基，ベン
ゾチオフェニル基，ジベンゾチオフェニル基，インドリ
ル基，カルバゾリル基，ピラゾリル基，イミダゾリル
基，オキサゾリル基，イソオキサゾリル基，チアゾリル
基，インダゾリル基，ベンゾチアゾリル基，ピリダジニ
ル基，シンノリル基，キナゾリル基，キノキサリル基，
フタラジニル基，フタラジンジオニル基，フタルアミジ
ル基，クロモニル基，ナフトラクタミル基，キノロニル
基，ｏ−スルホ安息香酸イミジル基，マレイン酸イミジ
ル基，ナフタリジニル基，ベンズイミダゾロニル基，ベ
ンズオキサゾロニル基，ベンゾチアゾロニル基，ベンゾ
チアゾチオニル基，キナゾロニル基，キノキサロニル
基，フタラゾニル基，ジオキソピリミジニル基，ピリド
ニル基，イソキノロニル基，イソキノリニル基，イソチ
アゾリル基，ベンズイソキサゾリル基，ベンズイソチア
ゾリル基，インダジロニル基，アクリジニル基，アクリ
ドニル基，キナゾリンジオニル基，キノキサリンジオニ
ル基，ベンゾオキサジンジオニル基，ベンゾキサジノニ
ル基，ナフタルイミジル基などが挙げられる。

【００１６】一方、Ａｒ⁸ は炭素数６〜３０のアリーレ
ン基又は二価の複素環式基を示す。ここで、炭素数６〜
３０のアリーレン基又は二価の複素環式基としては、例
えばＡｒ¹ 〜Ａｒ⁷ の説明で例示したアリール基又は複
素環式から、水素原子を１個除いた二価の基を挙げるこ
とができる。また、他のアリーレン基として、ジフェニ
レンプロパン基，ジフェニレンメタン基などのジアリー
レンアルカン基、ジフェニレンシクロヘキサン基，ジフ
ェニレンシクロペンタン基などのジアリーレンアルカン
基、ジフェニレンエーテル基などのジアリーレンエーテ
ル基、ジフェニレンチオエーテル基などのジアリーレン
チオエーテル基、Ｎ−フェニルジフェニレンアミン基，
Ｎ−ナフチルジナフチレンアミン基，Ｎ−フェニルカル
バゾリレン基などのＮ−アリールジアリーレンアミン
基、さらにジフェニルチオフェン，ジフェニルビチオフ
ェンの２価の基などのジアリールチオフェン又はジアリ
ールビチオフェン基なども好ましく挙げることができ
る。該Ａｒ¹ ，Ａｒ² 及びＡｒ³ は、たがいに同一でも
異なっていてもよいが、その少なくとも一つは炭素数１
２以上の縮合多環炭化水素基であることが必要である。
またＡｒ⁴ ，Ａｒ⁵ ，Ａｒ⁶ 及びＡｒ⁷ はたがいに同一
でも異なっていてもよいが、Ａｒ⁴ 〜Ａｒ⁸ の少なくと
も一つは炭素数１２以上の縮合多環炭化水素基であるこ
とが必要である。

【００１７】さらに、該Ａｒ¹ 〜Ａｒ⁸ は適当な置換基
が導入されていてもよく、この置換基としては、例えば
（１）ハロゲン原子（Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ），シアノ
基，ニトロ基，（２）アルキル基，（３）アルコキシ
基，（４）アリールオキシ基，（５）アルキル又はアリ
ールメルカプト基，（６）−ＮＲ¹ Ｒ² （Ｒ¹ 及びＲ²
はそれぞれ水素原子，アルキル基又はアリール基を示
し、それらはたがいに同一でも異なっていてもよい。）
で表される置換若しくは無置換アミノ基，（７）アルキ
レンジオキシ基，アルキレンジチオ基などを挙げること
ができる。ここで、（２）のアルキル基としては、炭素
数１〜２０、特に１〜１２の直鎖状又は分岐鎖状のもの
が好ましく、また、このアルキル基は、さらにハロゲン
原子（Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ），水酸基，シアノ基，炭素
数１〜１２のアルコキシ基，フェニル基又は炭素数１〜
１２のアルキル基やアルコキシ基で置換されたフェニル
基を含有していてもよい。このようなアルキル基の例と
しては、メチル基，エチル基，ｎ−プロピル基，イソプ
ロピル基，ｔ−ブチル基，ｓｅｃ−ブチル基，ｎ−ブチ
ル基，イソブチル基，トリフルオロメチル基，２−ヒド
ロキシエチル基，２−シアノエチル基，２−エトキシエ
チル基，２−メトキシエチル基，ベンジル基，４−クロ
ロベンジル基，４−メチルベンジル基，４−メトキシベ
ンジル基，４−フェニルベンジル基などが挙げられる。

【００１８】（３）のアルコキシ基（−ＯＲ³ ）として
は、Ｒ³ として上記（２）で例示したアルキル基を有す
るものを挙げることができ、具体的には、メトキシ基，
エトキシ基，ｎ−プロポキシ基，イソプロポキシ基，ｔ
−ブトキシ基，ｎ−ブトキシ基，ｓｅｃ−ブトキシ基，
イソブトキシ基，２−ヒドロキシエトキシ基，２−シア
ノエトキシ基，ベンジルオキシ基，４−メチルベンジル
オキシ基，トリフルオロメトキシ基などが挙げられる。
（４）のアリールオキシ基（−ＯＡｒ）としては、Ａｒ
として無置換又はハロゲン原子（Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，
Ｉ），炭素数１〜４のアルキル基若しくはアルコキシ基
などが置換されたフェニル基やナフチル基を有するもの
を好ましく挙げることができ、具体的にはフェノキシ
基，１−ナフチルオキシ基，２−ナフチルオキシ基，４
−メチルフェノキシ基，４−メトキシフェノキシ基，４
−クロロフェノキシ基，６−メチル−２−ナフチルオキ
シ基などが挙げられる。また、（５）のアルキル又はア
リールメルカプト基（−ＳＲ⁴ ）としては、Ｒ⁴ として
上記（２）で例示したアルキル基又は（４）で例示した
フェニル基やナフチル基などを有するものを挙げること
ができ、具体的には、メチルチオ基，エチルチオ基，フ
ェニルチオ基，ｐ−メチルフェニルチオ基などが挙げら
れる。

【００１９】さらに、（６）の−ＮＲ¹ Ｒ² で示される
基としては、Ｒ¹ 及びＲ² がそれぞれ水素原子，アルキ
ル基又はアリール基であるものが挙げられる。ここで、
アルキル基としては、上記（２）で例示したものを挙げ
ることができ、またアリール基としては、無置換又はハ
ロゲン原子（Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ），炭素数１〜４のア
ルキル基若しくはアルコキシ基などが置換されたフェニ
ル基，ビフェニル基，ナフチル基，ピレニル基，アント
ラニル基などを挙げることができる。該Ｒ¹ 及びＲ² は
たがいに同一でも異なっていてもよく、またたがいに結
合して環構造を形成していてもよい。具体的には、アミ
ノ基，ジエチルアミノ基，Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルア
ミノ基，Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ基，Ｎ，Ｎ−ジ−
（ｐ−トリル）アミノ基，ジベンジルアミノ基，ピペリ
ジノ基，モルホリノ基，ユロリジル基などが挙げられ
る。（７）のアルキレンジオキシ基，アルキレンジチオ
基としては、例えばメチレンジオキシ基，メチレンジチ
オ基などが挙げられる。

【００２０】前記一般式（Ｉ），（II）で表される化合
物としては、例えば次に示す構造のものを挙げることが
できる。

【００２１】

【化７】

【００２２】

【化８】

【００２３】

【化９】

【００２４】

【化１０】

【００２５】

【化１１】

【００２６】

【化１２】

【００２７】

【化１３】

【００２８】

【化１４】

【００２９】本発明においては、蛍光性ドーパントとし
て、これらの化合物を一種用いてもよく、二種以上を組
み合わせて用いてもよい。なお、本発明における蛍光性
ドーパントとは、有機ＥＬ素子の再結合領域又は発光領
域において、正孔と電子の再結合に応答して光を発する
化合物のことであり、再結合領域又は発光領域を形成す
る物質（ホスト材料）に微量含有させるものである。こ
こで、再結合領域とは、素子中にあって、正孔と電子と
が出会い、結合して励起状態を形成する場所のことであ
る。また、発光領域とは、再結合領域で形成された励起
状態は、場合によっては移動し、拡散するが、その拡散
する範囲を指定する場所のことである。

【００３０】本発明においては、上記蛍光性ドーパント
は、再結合領域及び発光領域の少なくともいずれか、即
ち、再結合領域のみに、発光領域のみに、あるいは両領
域に、0.１〜８重量％の割合で含有させることが必要で
ある。この含有量が0.１重量％未満では蛍光性ドーパン
トの効果が充分に発揮されず、本発明の目的が達せられ
ない。一方、８重量％を超えると蛍光性ドーパント間の
会合により、消失現象が生じ、充分に効果が発揮されな
い場合がある。素子の長寿命化及び高効率化の点から、
蛍光性ドーパントの好ましい含有量は0.３〜４重量％の
範囲であり、特に0.８〜３重量％の範囲が好適である。
この蛍光性ドーパントを、再結合領域又は発光領域に含
有させる方法については特に制限はないが、例えば再結
合領域又は発光領域を形成する材料（ホスト材料）との
共蒸着法を採用するのが好ましい。この方法において
は、ホスト材料と蛍光性ドーパントを、それぞれが収容
された別々のボートから真空蒸着し、再結合領域や発光
領域を形成する。本発明の有機ＥＬ素子においては、有
機化合物層として、再結合領域及び発光領域を少なくと
も有するものが用いられる。この再結合領域及び発光領
域は、通常発光層に存在するため、本発明においては、
有機化合物層として発光層のみを用いてもよいが、必要
に応じ、発光層以外に、例えば正孔注入層，電子注入
層，有機半導体層，電子障壁層，付着改善層なども用い
ることができる。

【００３１】次に、本発明の有機ＥＬ素子の代表的な構
成例を示す。もちろん、これに限定されるものではな
い。 陽極／正孔注入層／発光層／陰極 陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極 陽極／発光層／電子注入層／陰極 陽極／有機半導体層／発光層／陰極 陽極／有機半導体層／電子障壁層／発光層／陰極 陽極／正孔注入層／発光層／付着改善層／陰極 これらの中で、通常の構成が好ましく用いられる。

【００３２】本発明の素子における再結合領域及び発光
領域は、前記したように通常発光層に存在する。したが
って、蛍光性ドーパントは、通常発光層に含有される。
しかし、場合によっては、他の層、例えば正孔注入層，
電子注入層，有機半導体層，電子障壁層，付着改善層な
ども、再結合や発光に関与することがある。この場合、
これらの層にも含有させるのが好ましい。

【００３３】本発明の有機ＥＬ素子は、上記有機化合物
層が一対の電極、すなわち陽極と陰極とによって挾持さ
れた構造を有しており、該陽極としては、仕事関数の大
きい（４ｅＶ以上）金属，合金，電気伝導性化合物及び
これらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いら
れる。このような電極物質の具体例としては、Ａｕなど
の金属，ＣｕＩ，ＩＴＯ，ＳｎＯ₂,ＺｎＯなどの誘電性
透明材料が挙げられる。該陽極は、これらの電極物質を
蒸着やスパッタリングなどの方法により、薄膜を形成さ
せることにより作製することができる。この電極より発
光を取り出す場合には、透過率を１０％より大きくする
ことが望ましく、また、電極としてのシート抵抗は数百
Ω／□以下が好ましい。さらに膜厚は材料にもよるが、
通常１０ｎｍ〜１μｍ，特に１０〜２００ｎｍの範囲が
好ましい。

【００３４】一方、陰極としては、仕事関数の小さい
（４ｅＶ以下）金属，合金，電気伝導性化合物及びこれ
らの混合物を電極物質とするものが用いられる。このよ
うな電極物質の具体例としては、ナトリウム，ナトリウ
ム−カリウム合金，マグネシウム，リチウム，マグネシ
ウム・銀合金，Ａｌ／ＡｌＯ₂ ，インジウム，希土類金
属などが挙げられる。該陰極はこれらの電極物質を蒸着
やスパッタリングなどの方法により、薄膜を形成させる
ことにより、作製することができる。また、電極として
のシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常
１０ｎｍ〜１μｍ，特に５０〜２００ｎｍの範囲が好ま
しい。なお、本発明の素子においては、特に規定しない
が、該陽極又は陰極のいずれか一方が透明若しくは半透
明であることが発光を透過し、取り出す効率がよいので
好ましい。

【００３５】本発明の素子における発光層においては、
発光材料（ホスト材料）として、一般式（III)

【００３６】

【化１５】

【００３７】で表されるジスチリルアリーレン系化合物
の中から選ばれた少なくとも一種が用いられる。この化
合物は、特開平２−２４７２７８号公報に開示されてい
る。

【００３８】上記一般式（III)において、Ｙ¹ 〜Ｙ⁴ は
それぞれ水素原子，炭素数１〜６のアルキル基，炭素数
１〜６のアルコキシ基，炭素数７〜８のアラルキル基，
置換あるいは無置換の炭素数６〜１８のアリール基，置
換あるいは無置換のシクロヘキシル基，置換あるいは無
置換の炭素数６〜１８のアリールオキシ基，炭素数１〜
６のアルコキシ基を示す。ここで、置換基は炭素数１〜
６のアルキル基，炭素数１〜６のアルコキシ基，炭素数
７〜８のアラルキル基，炭素数６〜１８のアリールオキ
シ基，炭素数１〜６のアシル基，炭素数１〜６のアシル
オキシ基，カルボキシル基，スチリル基，炭素数６〜２
０のアリールカルボニル基，炭素数６〜２０のアリール
オキシカルボニル基，炭素数１〜６のアルコキシカルボ
ニル基，ビニル基，アニリノカルボニル基，カルバモイ
ル基，フェニル基，ニトロ基，水酸基あるいはハロゲン
を示す。これらの置換基は単一でも複数でもよい。ま
た、Ｙ¹ 〜Ｙ⁴ は同一でも、また互いに異なっていても
よく、Ｙ¹ とＹ² 及びＹ³ とＹ⁴ は互いに置換している
基と結合して、置換あるいは無置換の飽和五員環又は置
換あるいは無置換の飽和六員環を形成してもよい。Ａｒ
⁹ は置換あるいは無置換の炭素数６〜２０のアリーレン
基を表し、単一置換されていても、複数置換されていて
もよく、また結合部位は、オルト，パラ，メタいずれで
もよい。但し、Ａｒ⁹ が無置換フェニレン基の場合、Ｙ
¹ 〜Ｙ⁴ はそれぞれ炭素数１〜６のアルコキシ基，炭素
数７〜８のアラルキル基，置換あるいは無置換のナフチ
ル基，ビフェニル基，シクロヘキシル基，アリールオキ
シ基より選ばれたものである。このようなジスチリルア
リーレン系化合物としては、例えば、

【００３９】

【化１６】

【００４０】

【化１７】

【００４１】

【化１８】

【００４２】

【化１９】

【００４３】などが挙げられる。

【００４４】また、別の好ましい発光材料（ホスト材
料）として、８−ヒドロキシキノリン、又はその誘導体
の金属錯体を挙げることができる。具体的には、オキシ
ン（一般に８−キノリノールまたは８−ヒドロキシキノ
リン）のキレートを含む金属キレートオキシノイド化合
物である。このような化合物は高水準の性能を示し、容
易に薄膜形態に成形される。このオキシノイド化合物の
例は下記構造式を満たすものである。

【００４５】

【化２０】

【００４６】（式中、Ｍｔは金属を表し、ｎは１〜３の
整数であり、Ｚはそのそれぞれの位置が独立であって、
少なくとも２以上の縮合芳香族環を完成させるために必
要な原子を示す。） ここで、Ｍｔで表される金属は、一価，二価又は三価の
金属とすることができるものであり、例えばリチウム，
ナトリウム，カリウムなどのアルカリ金属、マグネシウ
ムやカルシウムなどのアルカリ土類金属、あるいはホウ
素又はアルミニウムなどの土類金属である。一般に有用
なキレート化合物であると知られている一価，二価又は
三価の金属はいずれも使用することができる。

【００４７】また、Ｚは、少なくとも２以上の縮合芳香
族環の一方がアゾール又はアジンからなる複素環を形成
させる原子を示す。ここで、もし必要であれば、上記縮
合芳香族環に他の異なる環を付加することが可能であ
る。また、機能上の改善がないまま嵩ばった分子を付加
することを回避するため、Ｚで示される原子の数は１８
以下に維持することが好ましい。さらに、具体的にキレ
ート化オキシノイド化合物を例示すると、トリス（８−
キノリノール）アルミニウム，ビス（８−キノリノー
ル）マグネシウム，ビス（ベンゾ−８−キノリノール）
亜鉛，ビス（２−メチル−８−キノリラート）アルミニ
ウムオキシド，トリス（８−キノリノール）インジウ
ム，トリス（５−メチル−８−キノリノール）アルミニ
ウム，８−キノリノールリチウム，トリス（５−クロロ
−８−キノリノール）ガリウム，ビス（５−クロロ−８
−キノリノール）カルシウム，５，７−ジクロル−８−
キノリノールアルミニウム，トリス（５，７−ジブロモ
−８−ヒドロキシキノリノール）アルミニウムなどがあ
る。

【００４８】さらに、特開平５−１９８３７８号公報に
記載されているフェノラート置換８−ヒドロキシキノリ
ンの金属錯体は、青色発光材料として、好ましいもので
る。このフェノラート置換８−ヒドロキシキノリンの金
属錯体の具体例としては、ビス（２−メチル−８−キノ
リノラート）（フェノラート）アルミニウム（III)，ビ
ス（２−メチル−８−キノリノラート）（ｏ−クレゾラ
ート）アルミニウム（III)，ビス（２−メチル−８−キ
ノリノラート）（ｍ−クレゾラート）アルミニウム（II
I)，ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（ｐ−ク
レゾラート）アルミニウム（III)，ビス（２−メチル−
８−キノリノラート）（ｏ−フェニルフェノラート）ア
ルミニウム（III)，ビス（２−メチル−８−キノリノラ
ート）（ｍ−フェニルフェノラート）アルミニウム（II
I)，ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（ｐ−フ
ェニルフェノラート）アルミニウム（III)，ビス（２−
メチル−８−キノリノラート）（２，３−ジメチルフェ
ノラート）アルミニウム（III)，ビス（２−メチル−８
−キノリノラート）（２，６−ジメチルフェノラート）
アルミニウム（III)，ビス（２−メチル−８−キノリノ
ラート）（３，４−ジメチルフェノラート）アルミニウ
ム（III)，ビス（２−メチル−８−キノリノラート）
（３，５−ジメチルフェノラート）アルミニウム（II
I)，ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（３，５
−ジ−ｔ−ブチルフェノラート）アルミニウム（III)，
ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２，６−ジ
フェニルフェノラート）アルミニウム（III)，ビス（２
−メチル−８−キノリノラート）（２，４，６−トリフ
ェニルフェノラート）アルミニウム（III)などが挙げら
れる。これらの発光材料は一種用いてもよく、二種以上
を組み合わせて用いてもよい。

【００４９】本発明の素子における発光層の形成方法と
しては、例えば蒸着法，スピンコート法，キャスト法，
ＬＢ法などの公知の方法により薄膜化することにより形
成することができるが、特に分子堆積膜であることが好
ましい。ここで、分子堆積膜とは、該化合物の気相状態
から沈着され形成された薄膜や、該化合物の溶融状態又
は液相状態から固体化され形成された膜のことである。
通常、この分子堆積膜はＬＢ法により形成された薄膜
（分子累積膜）と凝集構造，高次構造の相違や、それに
起因する機能的な相違により区別することができる。ま
た、この発光層は樹脂などの結着材と共に溶剤に溶かし
て溶液とした後、これをスピンコート法などにより薄膜
化して形成することができる。このようにして形成され
た発光層の膜厚については特に制限はなく、適宜状況に
応じて選ぶことができるが、好ましくは１ｎｍ〜１０μ
ｍ、特に好ましくは５ｎｍ〜５μｍの範囲がよい。

【００５０】次に、正孔注入層は、必ずしも本発明の素
子に必要なものではないが、発光性能の向上のために用
いた方が好ましいものである。この正孔注入層は、発光
層への正孔注入を助ける層であって、正孔移動度が大き
く、イオン化エネルギーが、通常5.５ｅＶ以下と小さ
い。このような正孔注入層としては、より低い電界で正
孔を発光層に輸送する材料が好ましく、さらに正孔の移
動度が、例えば１０⁴ 〜１０⁶ Ｖ／ｃｍの電界印加時
に、少なくとも１０^-6ｃｍ² ／Ｖ・秒であればなお好ま
しい。このような正孔注入材料については、前記の好ま
しい性質を有するものであれば特に制限はなく、従来、
光導伝材料において、正孔の電荷輸送材として慣用され
ているものやＥＬ素子の正孔注入層に使用される公知の
ものの中から任意のものを選択して用いることができ
る。

【００５１】該正孔注入材料としては、例えばトリアゾ
ール誘導体（米国特許第3,112,197号明細書等参照），
オキサジアゾール誘導体（米国特許第3,189,447 号明細
書等参照），イミダゾール誘導体（特公昭３７−１６０
９６号公報等参照），ポリアリールアルカン誘導体（米
国特許第3,615,402 号明細書，同3,820,989 号明細書，
同3,542,544 号明細書，特公昭４５−５５５号公報，同
５１−１０９８３号公報，特開昭５１−９３２２４号公
報，同５５−１７１０５号公報，同５６−４１４８号公
報，同５５−１０８６６７号公報，同５５−１５６９５
３号公報，同５６−３６６５６号公報等参照),ピラゾリ
ン誘導体およびピラゾロン誘導体（米国特許第3,180,72
9 号明細書，同4,278,746 号明細書，特開昭５５−８８
０６４号公報，同５５−８８０６５号公報，同４９−１
０５５３７号公報，同５５−５１０８６号公報，同５６
−８００５１号公報，同５６−８８１４１号公報，同５
７−４５５４５号公報，同５４−１１２６３７号公報，
同５５−７４５４６号公報等参照），フェニレンジアミ
ン誘導体（米国特許第3,615,404 号明細書，特公昭５１
−１０１０５号公報，同４６−３７１２号公報，同４７
−２５３３６号公報，特開昭５４−５３４３５号公報，
同５４−１１０５３６号公報，同５４−１１９９２５号
公報等参照），アリールアミン誘導体（米国特許第3,56
7,450 号明細書，同3,180,703 号明細書，同3,240,597
号明細書，同3,658,520 号明細書，同4,232,103 号明細
書，同4,175,961 号明細書，同4,012,376 号明細書，特
公昭４９−３５７０２号公報，同３９−２７５７７号公
報，特開昭５５−１４４２５０号公報，同５６−１１９
１３２号公報，同５６−２２４３７号公報，西独特許第
1,110,518 号明細書等参照），アミノ置換カルコン誘導
体（米国特許第3,526,501 号明細書等参照），オキサゾ
ール誘導体（米国特許第3,257,203 号明細書などに記載
のもの），スチリルアントラセン誘導体（特開昭５６−
４６２３４号公報等参照），フルオレノン誘導体（特開
昭５４−１１０８３７号公報等参照），ヒドラゾン誘導
体（米国特許第3,717,462 号明細書，特開昭５４−５９
１４３号公報，同５５−５２０６３号公報，同５５−５
２０６４号公報，同５５−４６７６０号公報，同５５−
８５４９５号公報，同５７−１１３５０号公報，同５７
−１４８７４９号公報等参照），スチルベン誘導体（特
開昭６１−２１０３６３号公報，同６１−２２８４５１
号公報，同６１−１４６４２号公報，同６１−７２２５
５号公報，同６２−４７６４６号公報，同６２−３６６
７４号公報，同６２−１０６５２号公報，同６２−３０
２５５号公報，同６０−９３４４５号公報，同６０−９
４４６２号公報，同６０−１７４７４９号公報，同６０
−１７５０５２号公報等参照）などを挙げることができ
る。さらに、シラザン誘導体（米国特許第4,950,950 号
明細書），ポリシラン系（特開平２−２０４９９６号公
報），アニリン系共重合体（特開平２−２８２２６３号
公報），導電性高分子オリゴマー（特開平１−２１１３
９９号公報），特に含チオフェンオリゴマーなどが挙げ
られる。

【００５２】本発明においては、これらの化合物を正孔
注入材料として使用することができるが、次に示すポリ
フィリン化合物（特開昭６３−２９５６９６５号公報な
どに記載のもの）、芳香族第三級アミン化合物およびス
チリルアミン化合物（米国特許第4,127,412 号明細書，
特開昭５３−２７０３３号公報，同５４−５８４４５号
公報，同５４−１４９６３４号公報，同５４−６４２９
９号公報，同５５−７９４５０号公報，同５５−１４４
２５０号公報，同５６−１１９１３２号公報，同６１−
２９５５５８号公報，同６１−９８３５３号公報，同６
３−２９５６９５号公報等参照），特に該芳香族第三級
アミン化合物を用いることが好ましい。

【００５３】該ポリフィリン化合物の代表例としては、
ポルフィン，１，１０，１５，２０−テトラフェニル−
２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィン銅（II）；１，１０，１
５，２０−テトラフェニル２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィン
亜鉛（II）；５，１０，１５，２０−テトラキス（ペン
タフルオロフェニル）−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィン；
シリコンフタロシアニンオキシド；アルミニウムフタロ
シアニンクロリド；フタロシアニン（無金属）；ジリチ
ウムフタロシアニン；銅テトラメチルフタロシアニン；
銅フタロシアニン；クロムフタロシアニン；亜鉛フタロ
シアニン；鉛フタロシアニン；チタニウムフタロシアニ
ンオキシド；マグネシウムフタロシアニン；銅オクタメ
チルフタロシアニンなどが挙げられる。

【００５４】また該芳香族第三級アミン化合物及びスチ
リルアミン化合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，
Ｎ’−テトラフェニル−４，４’−ジアミノフェニル，
Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（３−メチルフェ
ニル）−４，４’−ジアミノビフェニル，２，２−ビス
（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）プロパン，１，
１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロ
ヘキサン，Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ−ｐ−トリル−
４，４’−ジアミノビフェニル，１，１−ビス（４−ジ
−ｐ−トリルアミノフェニル）−４−フェニルシクロヘ
キサン，ビス（４−ジメチルアミノ−２−メチルフェニ
ル）フェニルメタン，ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノ
フェニル）フェニルメタン，Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−
Ｎ，Ｎ’−ジ（４−メトキシフェニル）−４，４’−ジ
アミノビフェニル，Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニ
ル−４，４’−ジアミノジフェニルエーテル，４，４’
−ビス（ジフェニルアミノ）クオードリフェニル，Ｎ，
Ｎ，Ｎ−トリ（Ｐ−トリル）アミン，４−（ジ−ｐ−ト
リルアミノ）−４’−〔４（ジ−ｐ−トリルアミノ）ス
チリル〕スチルベン，４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ−
（２−ジフェニルビニル）ベンゼン，３−メトキシ−
４’−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチルベンゼン，Ｎ−
フェニルカルバゾール，芳香族ジメチリディン系化合物
などが挙げられる。

【００５５】本発明のＥＬ素子における該正孔注入層
は、上記化合物を、例えば真空蒸着法，スピンコート
法，ＬＢ法などの公知の薄膜法により製膜して形成する
ことができる。この正孔注入層の膜厚は、特に制限はな
いが、通常は５ｎｍ〜５μｍである。この正孔注入層
は、上記正孔注入材料一種又は二種以上からなる一層で
構成されていてもよいし、あるいは、前記正孔注入層と
は別種の化合物からなる正孔注入層を積層したものであ
ってもよい。また、有機半導体層は、発光層への正孔注
入又は電子注入を助ける層であって、１０^-10 Ｓ／ｃｍ
以上の導電率を有するものが好適である。このような有
機半導体層の材料としては、含チオフェンオリゴマーや
含アリールアミンオリゴマーなどの導電性オリゴマー、
含アリールアミンデンドリマーなどの導電性デンドリマ
ーなどを用いることができる。具体的には、

【００５６】

【化２１】

【００５７】

【化２２】

【００５８】などが挙げられる。さらに、電子障壁層
は、電子を発光層内に閉じ込める役割をもつ層であっ
て、発光層と陽極との間に設けられ、正孔輸送性に優れ
ることが望ましい。このような電子障壁層の材料として
は、例えば

【００５９】

【化２３】

【００６０】

【化２４】

【００６１】

【化２５】

【００６２】などを挙げることができる。

【００６３】一方、電子注入層は、発光層への電子の注
入を助ける層であって、電子移動度が大きく、また付着
改善層は、この電子注入層の中で、特に陰極との付着が
良い材料からなる層である。電子注入層に用いられる材
料としては、例えば８−ヒドロキシキノリン又はその誘
導体の金属錯体、あるいはオキサジアゾール誘導体が好
ましく挙げられる。また、付着改善層に用いられる材料
としては、特に８−ヒドロキシキノリン又はその誘導体
の金属錯体が好適である。上記８−ヒドロキシキノリン
又はその誘導体の金属錯体の具体例としては、オキシン
（一般に８−キノリノール又は８−ヒドロキシキノリ
ン）のキレートを含む金属キレートオキシノイド化合物
が挙げられる。

【００６４】一方、オキサジアゾール誘導体としては、
一般式（IV）及び（Ｖ）

【００６５】

【化２６】

【００６６】（式中Ａｒ¹⁰〜Ａｒ¹³はそれぞれ置換又は
無置換のアリール基を示し、Ａｒ¹⁰とＡｒ¹¹及びＡｒ¹²
とＡｒ¹³はそれぞれにおいてたがいに同一であっても異
なっていてもよく、Ａｒ¹⁴は置換又は無置換のアリーレ
ン基を示す。）で表される電子伝達化合物が挙げられ
る。ここで、アリール基としてはフェニル基，ビフェニ
ル基，アントラニル基，ペリレニル基，ピレニル基など
が挙げられ、アリーレン基としてはフェニレン基，ナフ
チレン基，ビフェニレン基，アントラセニレン基，ペリ
レニレン基，ピレニレン基などが挙げられる。また、置
換基としては炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜
１０のアルコキシ基又はシアノ基などが挙げられる。こ
の電子伝達化合物は、薄膜形成性のものが好ましい。上
記電子伝達化合物の具体例としては、

【００６７】

【化２７】

【００６８】などが挙げられる。

【００６９】

【実施例】次に、本発明を実施例によりさらに詳しく説
明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定され
るものではない。

【００７０】製造例１ Ｋ−１の製造 ３００ミリリットルの三つ口フラスコに、Ｎ，Ｎ’−ジ
フェニル−４，４’−ベンジジン（東京化成社製）２
ｇ；１−ヨードアントラセン（ナード研究所社製）５
ｇ，無水炭酸カリウム１０ｇ及び銅１ｇを入れ、ジメチ
ルスルホキシド（ＤＭＳＯ）２００ミリリットルに溶解
し、２００℃で８時間加熱し、攪拌した。反応終了後、
無機物をろ別し、溶媒を減圧下で留去したのち、残渣を
シリカゲル（広島和光社製）を充填したカラムでトルエ
ンを展開溶媒として精製したところ、黄色粉末1.８ｇを
得た。このものは、ＮＭＲ及びＦＤ−ＭＳ（フィールド
ディフュージョンマススペクトル）の測定より、Ｎ，
Ｎ’−ジ−（アントラセン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジ
フェニル−４，４’−ベンジジン（Ｋ−１）と同定し
た。

【００７１】製造例２ Ｋ−２の製造 製造例１において、１−ヨードアントラセンの代わりに
１−ヨードピレン（ナード研究所社製）を用いた以外
は、製造例１と同様に反応し、精製したところ、黄色粉
末1.５ｇを得た。このものは、ＮＭＲ及びＦＤ−ＭＳの
測定より、Ｎ，Ｎ’−ジ−（ピレン−１−イル）−Ｎ，
Ｎ’−ジフェニル−４，４’−ベンジジン（Ｋ−２）と
同定した。

【００７２】製造例３ Ｋ−３の製造 製造例１において、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジンの
代わりに１，６−ジアミノピレン（東京化成社製）を用
い、かつ１−ヨードアントラセンの代わりにヨードベン
ゼン（東京化成社製）２０ｇを用いた以外は、製造例１
と同様に反応し、精製したところ、黄色粉末1.４ｇを得
た。このものは、ＮＭＲ及びＦＤ−ＭＳの測定より、
Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル−１，６−ジアミ
ノピレン（Ｋ−３）と同定した。

【００７３】製造例４ Ｋ−４の製造 製造例１において、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジンの
代わりにＮ，Ｎ’−ジフェニル−１，３−フェニレンジ
アミン（ナード研究所社製）を用い、かつ１−ヨードア
ントラセンの代わりに１−ヨードピレン（ナード研究所
社製）を用いた以外は、製造例１と同様に反応し、精製
したところ、黄色粉末1.５ｇを得た。このものは、ＮＭ
Ｒ及びＦＤ−ＭＳの測定より、Ｎ，Ｎ’−ジ−（ピレン
−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，３−フェニ
レンジアミン（Ｋ−４）と同定した。

【００７４】製造例５ Ｋ−５の製造 製造例１において、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジンの
代わりに１−アミノピレンを用い、かつ１−ヨードアン
トラセンの代わりにヨードベンゼン１０ｇを用いた以外
は、製造例１と同様に反応し、精製したところ、黄色粉
末1.９ｇを得た。このものは、ＮＭＲとＦＤ−ＭＳの測
定より、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１−アミノピレン（Ｋ
−５）と同定した。

【００７５】製造例６ Ｋ−６の製造 ３００ミリリットルの三つ口フラスコに、１−アミノア
ントラセン（アルドリッチ社製）２ｇ；２，５−ビス−
（４−ヨードフェニル−１−イル）−チオフェン（ナー
ド研究所社製）２ｇ，無水炭酸カリウム１０ｇ及び銅１
ｇを入れ、ＤＭＳＯ２００ミリリットルに溶解し、２０
０℃で８時間加熱攪拌した。反応終了後、無機物をろ別
し、減圧下で溶媒を留去したのち、残渣を、シリカゲル
（広島和光社製）を充填したカラムでトルエンを展開溶
媒として精製し、黄色粉末1.７ｇを得た。次に、３００
ミリリットルの三つ口フラスコに、この黄色粉末1.５
ｇ，ヨードベンゼン１０ｇ，無水炭酸カリウム１０ｇ及
び銅１ｇを入れ、ＤＭＳＯに溶解し、２００℃で８時間
加熱攪拌した。反応終了後、無機物をろ別し、減圧下で
溶媒を留去したのち、残渣を、シリカゲル（広島和光社
製）を充填したカラムでトルエンを展開溶媒として精製
し、黄色粉末0.６８ｇを得た。このものは、ＮＭＲ及び
ＦＤ−ＭＳの測定より、２，５−ビス−（４−〔Ｎ−
（アントラセン−１−イル）−Ｎ−フェニル〕アミノフ
ェニル）チオフェン（Ｋ−６）と同定した。

【００７６】実施例１〜６及び比較例１ ２５ｍｍ×７５ｍｍ×1.１ｍｍのガラス基板上に、ＩＴ
Ｏを蒸着法にて１００ｎｍの厚さで製膜したもの（ジオ
マティック社製）を透明支持基板とした。なお、この基
板は、イソプロピルアルコール中で５分間超音波洗浄
後、窒素を吹きつけて乾燥し、ＵＶオゾン洗浄（ＵＶ３
００，サムコインターナショナル社製）を３０分間行っ
たものである。この透明支持基板を市販の蒸着装置（日
本真空技術（株）製）の基板ホルダーに固定し、モリブ
デン製抵抗加熱ボートにＭＴＤＡＴＡ２００ｍｇを入
れ、他のモリブデン製抵抗加熱ボートにＤＰＶＢｉ２０
０ｍｇを入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートに正孔
輸送材であるＮＰＤ２００ｍｇを入れ、さらに他のモリ
ブデン製抵抗加熱ボートに第１表に示す種類の蛍光性ド
ーパント〔化合物（Ａ）〕２００ｍｇを入れ、真空槽を
１×１０^-4Ｐａまで減圧した。その後ＭＴＤＡＴＡの入
った前記ボートを２１５〜２２０℃まで加熱し、蒸着速
度0.１〜0.３ｎｍ／秒で透明支持基板上に蒸着して、膜
厚６０ｎｍの正孔注入層を製膜させた。次に、真空槽よ
り基板を取り出すことなく、ＮＰＤの入ったボートを加
熱し、膜厚２０ｎｍの正孔輸送層を正孔注入層の上に製
膜した。このとき、基板の温度は室温であった。これを
真空槽より取り出すことなく、ＮＰＤ層上にＤＰＶＢｉ
をホスト材料として４０ｎｍ積層した。このとき同時に
化合物（Ａ）のボートを加熱し、発光層に化合物（Ａ）
を混合した。このときの蒸着速度はＤＰＶＢｉの蒸着速
度（第１表に示す（Ｂ））に対して、化合物（Ａ）の蒸
着速度を（Ｃ）（第１表に示す）とした。したがって、
混合比〔ホスト材料に対する化合物（Ａ）の割合〕は
（Ｄ）（第１表に示す）となった。その後、真空槽を大
気圧に戻し、新たにモリブデン製抵抗加熱ボートに電子
注入層の材料である８−ヒドロキシキノリン・アルミニ
ウム錯体を入れ、さらにモリブデン製抵抗加熱ボートに
マグネシウムリボン１ｇを入れ、タングステン製バスケ
ットに銀ワイヤーを５００ｍｇ入れて、真空槽を１×１
０^-4Ｐａまで減圧した。次いで、蒸着速度0.０１〜0.０
３ｎｍ／秒で８−ヒドロキシキノリン・アルミニウム錯
体を蒸着し電子注入層を２０ｎｍ形成した。さらに、銀
を蒸着速度0.１ｎｍ／秒，マグネシウムを蒸着速度1.４
ｎｍ／秒で同時蒸着して銀：マグネシウム混合電極を陰
極とした。膜厚は１５０ｎｍであった。得られた素子
に、電圧８Ｖを印加し、電流量，素子の輝度を測定して
発光効率を算出した。得られた結果を第２表に示す。な
お、ＭＴＤＡＴＡ，ＤＰＶＢｉ及びＮＰＤの構造は次の
とおりである。

【００７７】

【化２８】

【００７８】

【表１】

【００７９】

【表２】

【００８０】以上の結果、本発明の素子は、蛍光性ドー
パントとしてペリレン（特開平５−１９８３７８号公報
記載の蛍光性ドーパント）を用いた比較例１のものに比
べて、発光効率が優れていることが分かる。次に各素子
を初期輝度３００ｃｄ／ｍ² にて乾燥窒素雰囲気下で駆
動し、半減寿命（初期輝度が半分になる時間）を求め
た。結果を第３表に示す。尚、初期輝度１００ｃｄ／ｍ
² で試験した結果は、第３表の約3.５倍程度の寿命が得
られている。従って、本発明の素子は初期輝度１００ｃ
ｄ／ｍ² の条件では２５００時間〜１１００時間の寿命
が得られるものである。

【００８１】

【表３】

【００８２】第３表から分かるように、本発明の素子
は、比較例１のものに比べて寿命が大幅に改善されてい
る。

【００８３】比較例２ 蛍光性ドーパント〔化合物（Ａ）〕として、ＰＡＶＴＰ
（国際特許公開９４−６１５７号記載の蛍光性ドーパン
ト）を用いた以外は、実施例１と同様にして素子を作製
し、初期輝度３００ｃｄ／ｍ² で半減寿命を求めたとこ
ろ、半減寿命は３００時間であり、本発明の素子に比べ
て寿命が短く、劣っていた。尚、初期輝度１００ｃｄ／
ｍ² の時での試験結果は半減寿命１０００時間であっ
た。なお、ＰＡＶＴＰの構造を次に示す。

【００８４】

【化２９】

【００８５】

【発明の効果】本発明の有機ＥＬ素子は、正孔と電子と
が再結合する再結合領域又は該再結合に応答して発光す
る発光領域の少なくともいずれかに、特定の構造の蛍光
性ドーパントを含有させたものであって、長時間駆動し
ても発光色の変化が少ないなど、長寿命を有し、かつ発
光効率が高く、例えば情報産業機器のディスプレイなど
に好適に用いられる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平６−346049（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−240248（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−240247（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−175395（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−220437（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−283271（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−264692（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) C09K 11/06 H05B 33/14

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 正孔と電子とが再結合する再結合領域及
   び該再結合に応答して発光する発光領域を少なくとも有
   する有機化合物層と、この有機化合物層を挾持する一対
   の電極とを備えた有機エレクトロルミネッセンス素子に
   おいて、上記再結合領域及び／又は発光領域に、 蛍光性ドーパントとして、一般式（Ｉ） 【化１】 〔式中、Ａｒ¹ ，Ａｒ² 及びＡｒ³ は、それぞれ炭素数
   １〜１０のアルキル基，炭素数６〜３０のアリール基又
   は複素環式基を示し、それらはたがいに同一でも異なっ
   ていてもよいが、その少なくとも一つは炭素数１２以上
   の縮合多環炭化水素基である。また、Ａｒ¹ 〜Ａｒ
   ³ は、それぞれ置換基を有していてもよい。〕及び一般
   式（II） 【化２】 〔式中、Ａｒ⁴ ，Ａｒ⁵ ，Ａｒ⁶ 及びＡｒ⁷ はそれぞれ
   炭素数１〜１０のアルキル基，炭素数６〜３０のアリー
   ル基又は複素環式基を示し、それらはたがいに同一でも
   異なっていてもよく、Ａｒ⁸ は炭素数６〜３０のアリー
   レン基又は二価の複素環式基を示すが、Ａｒ⁴ 〜Ａｒ⁸
   の少なくとも一つは炭素数１２以上の縮合多環炭化水素
   基である。また、Ａｒ⁴ 〜Ａｒ⁸ は、それぞれ置換基を
   有していてもよい。〕で表される化合物の中から選ばれ
   た少なくとも一種を0.１〜８重量％の割合で含有させ、
   発光材料（ホスト材料）として、一般式（ III) 【化３】 ［式中、Ｙ ¹ 〜Ｙ ⁴ はそれぞれ水素原子，炭素数１〜６
   のアルキル基，炭素数１〜６のアルコキシ基，炭素数７
   〜８のアラルキル基，置換あるいは無置換の炭素数６〜
   １８のアリール基，置換あるいは無置換のシクロヘキシ
   ル基，置換あるいは無置換の炭素数６〜１８のアリール
   オキシ基，炭素数１〜６のアルコキシ基を示す。ここ
   で、置換基は炭素数１〜６のアルキル基，炭素数１〜６
   のアルコキシ基，炭素数７〜８のアラルキル基，炭素数
   ６〜１８のアリールオキシ基，炭素数１〜６のアシル
   基，炭素数１〜６のアシルオキシ基，カルボキシル基，
   スチリル基，炭素数６〜２０のアリールカルボニル基，
   炭素数６〜２０のアリールオキシカルボニル基，炭素数
   １〜６のアルコキシカルボニル基，ビニル基，ア ニリノ
   カルボニル基，カルバモイル基，フェニル基，ニトロ
   基，水酸基あるいはハロゲン原子を示す。これらの置換
   基は単一でも複数でもよい。また、Ｙ ¹ 〜Ｙ ⁴ は同一で
   も、また互いに異なっていてもよく、Ｙ ¹ とＹ ² 及びＹ
   ³ とＹ ⁴ は互いに置換している基と結合して、置換ある
   いは無置換の飽和五員環又は置換あるいは無置換の飽和
   六員環を形成してもよい。Ａｒ ⁹ は置換あるいは無置換
   の炭素数６〜２０のアリーレン基を表し、単一置換され
   ていても、複数置換されていてもよく、また結合部位
   は、オルト，パラ，メタいずれでもよい。但し、Ａｒ ⁹
   が無置換フェニレン基の場合、Ｙ ¹ 〜Ｙ ⁴ はそれぞれ炭
   素数１〜６のアルコキシ基，炭素数７〜８のアラルキル
   基，置換あるいは無置換のナフチル基，ビフェニル基，
   シクロヘキシル基，アリールオキシ基より選ばれたもの
   である。］で表されるジスチリルアリーレン系化合物の
   中から選ばれた少なくとも一種を含有させたことを特徴
   とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
2. 【請求項２】 蛍光性ドーパントを発光層に含有させて
   なる請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素
   子。
3. 【請求項３】 素子構成が、陽極／正孔注入層／発光層
   ／電子注入層／陰極である請求項１記載の有機エレクト
   ロルミネッセンス素子。
4. 【請求項４】 Ａｒ¹ 〜Ａｒ⁸ の置換基が、それぞれ
   （１）ハロゲン原子（Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ），シアノ
   基，ニトロ基、（２）アルキル基、（３）アルコキシ
   基、（４）アリールオキシ基、（５）アルキル又はアリ
   ールメルカプト基、（６）−ＮＲ¹ Ｒ² （Ｒ¹ 及びＲ²
   はそれぞれ水素原子，アルキル基又はアリール基を示
   し、それらはたがいに同一でも異なっていてもよい。）
   で表される置換若しくは無置換のアミノ基、及び（７）
   アルキレンジオキシ基，アルキレンジチオ基の中から選
   ばれる基である請求項１記載の有機エレクトロルミネッ
   センス素子。