JP3873707B2 - 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス素子用材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子 Download PDFInfo
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は平面光源や表示に使用される有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子用材料およびそれを用いた有機ＥＬ素子に関する。さらに詳しくは、長寿命を有し、黄色〜赤色の高輝度発光を得ることのできる有機ＥＬ素子用材料およびそれを用いた有機ＥＬ素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
有機物質を使用したＥＬ素子は、固体発光型の安価な大面積フルカラー表示素子としての用途が有望視され、多くの開発が行われている。一般にＥＬ素子は、発光層および該層をはさんだ一対の対向電極から構成されている。発光は、両電極間に電界が印加されると、陰極側から電子が注入され、陽極側から正孔が注入され、この電子が発光層において正孔と再結合し、エネルギー準位が伝導帯から価電子帯に戻る際にエネルギーを光として放出する現象である。
【０００３】
従来の有機ＥＬ素子は、無機ＥＬ素子に比べて駆動電圧が高く、発光輝度や発光効率も低かった。また、特性劣化も著しく実用化には至っていなかった。近年、１０Ｖ以下の低電圧で発光する高い蛍光量子効率を持った有機化合物を含有した薄膜を積層した有機ＥＬ素子が報告され、関心を集めている（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，第５１巻，９１３頁，１９８７年発行参照）。この方法は、金属キレート錯体を発光層、アミン系化合物を正孔注入層に使用して、高輝度の緑色発光を得ており、６〜１０Ｖの直流電圧で輝度は数１０００（ｃｄ／ｍ2）、最大発光効率は１．５（ｌｍ／Ｗ）を達成して、実用領域に近い性能を持っている。
【０００４】
有機ＥＬ素子の中でも、特に黄色から赤色の発光を得るための有機ＥＬ素子用発光材料については、Ｃ．Ｈ．Ｃｈｅｎら著，Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｓｙｍｐ．，第１２５号，３４〜３６頁および４９〜５８頁，１９９７年発行に記載されているＤＣＭ、ＤＣＪ、ＤＣＪＴ、ＤＣＪＴＢといった４Ｈ−ピラン誘導体が黄色から赤色の発光を得るための有機ＥＬ素子用発光材料として報告されているが、発光輝度が低いというという問題があった。
【０００５】
一方、ペリレン構造を有する有機ＥＬ素子用発光材料については、例えば、特開平１１−１４４８６９号公報、特開２００１−１１０３１号公報、特開２００１−１７６６６４号公報に記載されているモノおよびジアミノペリレン化合物等が知られている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
従来の技術に述べた黄色〜赤色の高輝度発光を得るための有機ＥＬ素子用発光材料は、いずれも充分な発光輝度を有しておらず、寿命が短いという欠点があった。一方、ペリレンは平面性の高い分子構造であるため、有機ＥＬ素子用発光材料として用いる場合、濃度消光等の好ましくない現象が発生し易い。そのため、従来の技術に述べたように、ペリレンに結合するアミノ基の数を増やしたり、立体的に嵩高い置換基を導入する等の改良が試みられているが、それに伴う分子量の増大によって、溶剤に対する溶解性の低下や、素子作成時の蒸着性が悪くなるといった作業性の悪化という懸念がある。そのため、より一層の高い発光輝度と長い寿命を持った有機ＥＬ素子用材料が求められていた。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、以上の諸問題を考慮し解決すべく鋭意研究を重ねた結果、本発明に至った。すなわち、本発明は、下記一般式［１］で表される化合物であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子用材料に関する。
【０００８】
一般式［１］
【化３】
［式中、Ａｒ1は、未置換の３−ペリレニル基、Ｒ1およびＲ2は、置換もしくは未置換の１価の脂肪族炭化水素基、置換もしくは未置換の１価の芳香族炭化水素基、置換もしくは未置換の１価の脂肪族複素環基、および、置換もしくは未置換の１価の芳香族複素環基より選ばれる１価の有機残基であって、Ｒ1およびＲ2の少なくとも一つは、下記一般式［２］で表される１価の有機残基である。Ｒ1とＲ2は、互いに結合して環を形成していても良い。］
【０００９】
一般式［２］
【化４】
［式中、Ａｒ2は、置換もしくは未置換の炭素数６〜１２の２価の芳香族炭化水素基、または置換もしくは未置換の２価の芳香族複素環基、Ｒ3およびＲ4は、置換もしくは未置換の１価の脂肪族炭化水素基、置換もしくは未置換の１価の芳香族炭化水素基、置換もしくは未置換の１価の脂肪族複素環基、および、置換もしくは未置換の１価の芳香族複素環基より選ばれる１価の有機残基、Ｘ1は、直接結合、Ｏ、Ｓ、
、
のいずれかである（ここに、Ｒ5〜Ｒ8は、水素原子、置換もしくは未置換の１価の脂肪族炭化水素基、置換もしくは未置換の１価の芳香族炭化水素基のいずれかである）。Ａｒ2とＲ3、Ａｒ2とＸ1、Ａｒ2とＲ3、Ａｒ2とＲ4、Ｘ1とＲ3、Ｘ1とＲ4、Ｒ3とＲ4は、互いに結合して環を形成していても良い。］
【００１２】
また、本発明は、Ｒ1およびＲ2が、いずれも一般式［２］で表される１価の有機残基であることを特徴とする上記有機エレクトロルミネッセンス素子用材料に関する。
【００１３】
また、本発明は、Ｘ1が、直接結合であることを特徴とする上記有機エレクトロルミネッセンス素子用材料に関する。
【００１４】
また、本発明は、陽極と陰極とからなる一対の電極間に一層または多層の有機層を形成してなる有機エレクトロルミネッセンス素子において、少なくとも一層が上記有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含有する層である有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
【００１５】
また、本発明は、陽極と陰極とからなる一対の電極間に少なくとも一層の発光層を形成してなる有機エレクトロルミネッセンス素子において、発光層が上記有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含有する層である有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
【００１６】
また、本発明は、さらに、発光層と陰極との間に少なくとも一層の電子注入層を形成してなる上記有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、詳細にわたって本発明を説明する。まずはじめに、本発明の有機ＥＬ素子用材料である一般式［１］で表される化合物について説明する。
【００１８】
まず、一般式［１］中のＡｒ1は、未置換の３−ペリレニル基を表し、Ｒ 1 およびＲ 2 は、置換もしくは未置換の１価の脂肪族炭化水素基、置換もしくは未置換の１価の芳香族炭化水素基、置換もしくは未置換の１価の脂肪族複素環基、置換もしくは未置換の１価の芳香族複素環基より選ばれる１価の有機残基であって、Ｒ 1 およびＲ 2 の少なくとも一つは、一般式［２］で表される１価の有機残基である。
【００１９】
ここで、１価の脂肪族炭化水素基としては、炭素数１〜１８の１価の脂肪族炭化水素基を指し、そのようなものとしては、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、シクロアルキル基があげられる。
【００２０】
したがって、アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、ペンタデシル基、オクタデシル基といった炭素数１〜１８のアルキル基があげられる。
【００２１】
また、アルケニル基としては、ビニル基、１−プロペニル基、２−プロペニル基、イソプロペニル基、１−ブテニル基、２−ブテニル基、３−ブテニル基、１−オクテニル基、１−デセニル基、１−オクタデセニル基といった炭素数２〜１８のアルケニル基があげられる。
【００２２】
また、アルキニル基としては、エチニル基、１−プロピニル基、２−プロピニル基、１−ブチニル基、２−ブチニル基、３−ブチニル基、１−オクチニル基、１−デシニル基、１−オクタデシニル基といった炭素数２〜１８のアルキニル基があげられる。
【００２３】
また、シクロアルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロオクタデシル基、２−ボルニル基、２−イソボルニル基、１−アダマンチル基といった炭素数３〜１８のシクロアルキル基があげられる。
【００２４】
さらに、１価の芳香族炭化水素基としては、炭素数６〜３０の１価の単環、縮合環、環集合芳香族炭化水素基があげられる。ここで、炭素数６〜３０の１価の単環芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、２，４−キシリル基、ｐ−クメニル基、メシチル基等の炭素数６〜３０の１価の単環芳香族炭化水素基があげられる。
【００２５】
また、１価の縮合環芳香族炭化水素基としては、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アンスリル基、２−アンスリル基、５−アンスリル基、１−フェナンスリル基、９−フェナンスリル基、１−アセナフチル基、２−アズレニル基、１−ピレニル基、２−トリフェニレル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、１−ペリレニル基、２−ペリレニル基、３−ペリレニル基、２−トレフェニレニル基、２−インデニル基、１−アセナフチレニル基、２−ナフタセニル基、２−ペンタセニル基等の炭素数１０〜３０の１価の縮合環炭化水素基があげられる。
【００２６】
また、１価の環集合芳香族炭化水素基としては、ｏ−ビフェニリル基、ｍ−ビフェニリル基、ｐ−ビフェニリル基、テルフェニリル基、７−（２−ナフチル）−２−ナフチル基等の炭素数１２〜３０の１価の環集合炭化水素基があげられる。
【００２７】
また、１価の脂肪族複素環基としては、３−イソクロマニル基、７−クロマニル基、３−クマリニル等の炭素数３〜１８の１価の脂肪族複素環基があげられる。
【００２８】
また、１価の芳香族複素環基としては、２−フリル基、３−フリル基、２−チエニル基、３−チエニル基、２−ベンゾフリル基、２−ベンゾチエニル基等の炭素数３〜３０の１価の芳香族複素環基があげられる。
【００２９】
これら、Ｒ 1 およびＲ 2 は、さらに他の置換基によって置換されていても良い。そのような置換基としては、１価の脂肪族炭化水素基、１価の芳香族炭化水素基、１価の脂肪族複素環基、１価の芳香族複素環基、ハロゲン原子、シアノ基、アルコキシル基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、置換アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基等があげられる。
ここで、１価の脂肪族炭化水素基としては、Ｒ 1 およびＲ 2 で説明した１価の脂肪族炭化水素基と同義である。
また、１価の芳香族炭化水素基としては、Ｒ 1 およびＲ 2 で説明した１価の芳香族炭化水素基と同義である。
また、１価の脂肪族複素環基としては、Ｒ 1 およびＲ 2 で説明した１価の脂肪族複素環基と同義である。
また、１価の芳香族複素環基としては、Ｒ 1 およびＲ 2 で説明した１価の芳香族複素環基と同義である。
また、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子があげられる。
【００３０】
また、アルコキシル基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、オクチルオキシ基、ｔｅｒｔ−オクチルオキシ基、２−ボルニルオキシ基、２−イソボルニルオキシ基、１−アダマンチルオキシ基等の炭素数１〜１８のアルコキシル基があげられる。
【００３１】
また、アリールオキシ基としては、フェノキシ基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、９−アンスリルオキシ基といった炭素数６〜３０のアリールオキシ基があげられる。
【００３２】
また、アルキルチオ基としては、メチルチオ基、エチルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基といった炭素数１〜１８のアルキルチオ基があげられる。
【００３３】
また、アリールチオ基としては、フェニルチオ基、２−メチルフェニルチオ基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルチオ基といった炭素数６〜３０のアリールチオ基があげられる。
【００３４】
また、置換アミノ基としては、Ｎ−メチルアミノ基、Ｎ−エチルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジブチルアミノ基、Ｎ−ベンジルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基、Ｎ−フェニルアミノ基、Ｎ−フェニル−Ｎ−メチルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ビス（ｍ−トリル）アミノ基、Ｎ，Ｎ−ビス（ｐ−トリル）アミノ基、Ｎ，Ｎ−ビス（ｐ−ビフェニリル）アミノ基、ビス［４−（４−メチル）ビフェニリル］アミノ基、Ｎ−α−ナフチル−Ｎ−フェニルアミノ基、Ｎ−β−ナフチル−Ｎ−フェニルアミノ基等の炭素数２〜１６の置換アミノ基があげられる。
【００３５】
また、アシル基としては、アセチル基、プロピオニル基、ピバロイル基、シクロヘキシルカルボニル基、ベンゾイル基、トルオイル基、アニソイル基、シンナモイル基等の炭素数２〜１８のアシル基があげられる。
【００３６】
また、アルコキシカルボニル基としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基等の炭素数２〜１８のアルコキシカルボニル基があげられる。
【００３７】
また、アリールオキシカルボニル基としては、フェノキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等の炭素数２〜１８のアリールオキシカルボニル基があげられる。
【００３８】
また、アルキルスルホニル基としては、メシル基、エチルスルホニル基、プロピルスルホニル基等の炭素数２〜１８のアルキルスルホニル基があげられる。
【００３９】
また、アリールスルホニル基としては、ベンゼンスルホニル基、ｐ−トルエンスルホニル基等の炭素数２〜１８のアリールスルホニル基があげられる。
【００４０】
上に述べた置換基は、さらに他の置換基によって置換されていても良い。以上述べた一般式［１］中のＡｒ1 は、未置換の３−ペリレニル基である。この理由として、ペリレンの３位にアミノ基が結合するような構造である場合、ペリレン環とアミノ基とのなす角が比較的同一平面に保たれるため蛍光性が強くなり、有機エレクトロルミネッセンス素子として用いた場合の発光輝度が向上するためと考えられるためである。
【００４４】
ここで、一般式［２］について説明する。まず、一般式［２］中のＡｒ2は、置換もしくは未置換の２価の芳香族炭化水素基または置換もしくは未置換の２価の芳香族複素環基を表す。ここでいう置換基とは、Ｒ 1 およびＲ 2 で説明した置換基と同義である。
【００４５】
ここでいう２価の芳香族炭化水素基とは、２価の単環もしくは縮合環、環集合芳香族炭化水素基を意味し、例えば、フェニレン基、ナフチレン基、アンスリレン基、ビフェニレン基、ｐ−テルフェニル−４，４’’−ジイル基、ｍ−テルフェニル−３，３’’−ジイル基、ｍ−テルフェニル−４，４’−ジイル基、［１，２’−ビナフタレン］−４，５’−ジイル等の炭素数６〜３０の２価の芳香族炭化水素基があげられる。
【００４６】
また２価の芳香族複素環基とは、２価の単環もしくは縮合環、環集合芳香族複素環基を意味し、例えば、２，５−フリレン基、２，５−チエニレン基等の炭素数４〜３０の２価の芳香族複素環基があげられる。
【００４７】
以上述べたＡｒ2における２価の芳香族炭化水素基または芳香族複素環基の内、好ましいものとしては、フェニレン基、ナフチレン基、ビフェニレン基等の炭素数６〜１２の２価の芳香族炭化水素基があげられる。
【００４８】
さらに、一般式［２］中のＲ3およびＲ4は、置換もしくは未置換の１価の脂肪族炭化水素基、置換もしくは未置換の１価の芳香族炭化水素基、置換もしくは未置換の１価の脂肪族複素環基、置換もしくは未置換の１価の芳香族複素環基より選ばれる１価の有機残基を表す。ここでいう置換基とは、Ｒ 1 およびＲ 2 の置換基で説明した置換基と同義である。また、ここでいう置換もしくは未置換の１価の脂肪族炭化水素基、置換もしくは未置換の１価の芳香族炭化水素基、置換もしくは未置換の１価の脂肪族複素環基、置換もしくは未置換の１価の芳香族複素環基とは、それぞれ、Ｒ 1 およびＲ 2 で説明した置換もしくは未置換の１価の脂肪族炭化水素基、置換もしくは未置換の１価の芳香族炭化水素基、置換もしくは未置換の１価の脂肪族複素環基、置換もしくは未置換の１価の芳香族複素環基と同義である。
【００４９】
さらに、一般式［２］中のＸ1は、直接結合、Ｏ、Ｓ、
、
のいずれかである（ここに、Ｒ5〜Ｒ8は、水素原子、置換もしくは未置換の１価の脂肪族炭化水素基、置換もしくは未置換の１価の芳香族炭化水素基のいずれかである）。ここで、Ｒ5〜Ｒ8における置換もしくは未置換の１価の脂肪族炭化水素基、置換もしくは未置換の１価の芳香族炭化水素基とは、Ｒ 1 およびＲ 2 で説明した置換もしくは未置換の１価の脂肪族炭化水素基、置換もしくは未置換の１価の芳香族炭化水素基と同義である。
【００５０】
一般式［１］中のＲ1およびＲ2としては、少なくとも一つが一般式［２］で表される１価の有機残基であれば良いが、いずれも一般式［２］で表される１価の有機残基であることが好ましい。この理由として、Ｒ1およびＲ2が、いずれも一般式［２］で表される１価の有機残基の場合、ペリレン環とアミノ基とのなす角が比較的同一平面に保たれつつも分子が立体的となるため、濃度消光等の好ましくない現象が抑えられるため、有機エレクトロルミネッセンス素子として用いた場合の発光輝度が向上するためと考えられるためである。さらに、一般式［２］中のＸ1が直接結合である場合、分子中の共役系が大きくなるため、発光輝度が向上すると考えられ特に好ましい。
【００５１】
以上、本発明の一般式［１］で表される化合物について説明したが、本発明の一般式［１］で表される化合物の分子量としては、２０００以下が好ましく、１５００以下がさらに好ましく、１０００以下が特に好ましい。この理由として、分子量が大きいと、溶剤に対する溶解性が乏しくなるため、精製が困難になるだけでなく、素子作成時の作業性が悪くなる、また蒸着によって素子を作成しようとした場合の蒸着性が悪くなるといった懸念が考えられるためである。
【００５２】
本発明の有機ＥＬ素子用材料を単独で発光層に使用して作成した素子は、通常、黄色〜オレンジ色の高輝度発光を示すが、後述するように適当なドーピング材料と共に使用することで、高輝度を維持しつつ発光色を赤まで長波長化させることが可能となる。
【００５３】
以下に本発明の有機ＥＬ素子用材料として、特に好ましい化合物群の一般式を一般式［３］〜一般式［５］として示す。
【００５４】
一般式［３］
【化５】
［式中、Ｒ9〜Ｒ19は、水素原子、Ａｒ3およびＡｒ4は、置換もしくは未置換の２価の芳香族炭化水素基、または置換もしくは未置換の２価の芳香族複素環基、Ｒ20〜Ｒ23は、置換もしくは未置換の１価の脂肪族炭化水素基、置換もしくは未置換の１価の芳香族炭化水素基、置換もしくは未置換の１価の脂肪族複素環基、または置換もしくは未置換の１価の芳香族複素環基である。Ａｒ3とＲ20、Ａｒ3とＲ21、Ｒ20とＲ21、Ａｒ4とＲ22、Ａｒ4とＲ23、Ｒ22とＲ23、Ａｒ3とＡｒ4は、互いに結合して環を形成していても良い。］。
【００５５】
上記一般式［３］中、Ａｒ3およびＡｒ4は、未置換の２価の芳香族炭化水素基または未置換の２価の芳香族複素環基が、Ｒ20〜Ｒ23は、未置換の１価の芳香族炭化水素基または未置換の１価の芳香族複素環基が、好ましいものとしてあげられる。
【００５６】
一般式［４］
【化６】
［式中、Ｒ24〜Ｒ34は、水素原子、Ａｒ5およびＡｒ6は、置換もしくは未置換の２価の芳香族炭化水素基、または置換もしくは未置換の２価の芳香族複素環基、Ｒ35〜Ｒ50は、水素原子、置換もしくは未置換の１価の脂肪族炭化水素基、置換もしくは未置換の１価の芳香族炭化水素基、置換もしくは未置換の１価の脂肪族複素環基、または置換もしくは未置換の１価の芳香族複素環基である。］。
【００５７】
上記一般式［４］中、Ａｒ5およびＡｒ6は、未置換の２価の芳香族炭化水素基または未置換の２価の芳香族複素環基が、Ｒ35〜Ｒ50は、水素原子、未置換の１価の脂肪族炭化水素基、または未置換の１価の芳香族炭化水素基が、好ましいものとしてあげられる。
【００５８】
一般式［５］
【化７】
［式中、Ｒ51〜Ｒ61は、水素原子、Ａｒ7およびＡｒ8は、置換もしくは未置換の１価の脂肪族炭化水素基、置換もしくは未置換の１価の芳香族炭化水素基、置換もしくは未置換の１価の脂肪族複素環基、または置換もしくは未置換の１価の芳香族複素環基、Ｒ62〜Ｒ75は、水素原子、置換もしくは未置換の１価の脂肪族炭化水素基、置換もしくは未置換の１価の芳香族炭化水素基、置換もしくは未置換の１価の脂肪族複素環基、または置換もしくは未置換の１価の芳香族複素環基である。］。
【００５９】
上記一般式［５］中、Ａｒ7およびＡｒ8は、未置換の１価の芳香族炭化水素基が、Ｒ62〜Ｒ75は、水素原子、未置換の１価の脂肪族炭化水素基、または未置換の１価の芳香族炭化水素基が好ましいものとしてあげられる。
【００６０】
なお、一般式［３］〜［５］の官能基の定義は、一般式［１］および［２］の官能基の定義と同じである。
【００６１】
以下、表１に本発明の有機ＥＬ素子用材料として用いることができる化合物の代表例を示すが、本発明は、なんらこれらに限定されるものではない（ただし、表１中、ｔ−Ｂｕは第３ブチル基を、Ｐｈはフェニル基を、Ｔｏｌはｐ−トリル基を表す）。
【００６２】
【表１】
【００６３】
【００６４】
【００６５】
【００６６】
【００６７】
【００６８】
【００６９】
【００７０】
【００７１】
【００７２】
【００７３】
【００７４】
【００７５】
【００７６】
【００７７】
【００７８】
【００７９】
【００８０】
【００８１】
【００８４】
ところで、有機ＥＬ素子は、陽極と陰極間に一層または多層の有機層を形成した素子であるが、ここで、一層型有機ＥＬ素子は、陽極と陰極との間に発光材料からなる発光層を有する。一方、多層型有機ＥＬ素子は、（陽極／正孔注入層／発光層／陰極）、（陽極／発光層／電子注入層／陰極）、（陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極）等の多層構成で積層した有機ＥＬ素子である。本発明の有機ＥＬ素子用材料は、前記いずれの層にも使用できるが、これら一層型ないし多層型有機ＥＬ素子の発光材料として好適に使用することができる。特に、本有機ＥＬ素子用発光材料を用いて一層型有機ＥＬ素子を作成する場合、陽極から注入した正孔または陰極から注入した電子を発光材料まで効率よく輸送させるための正孔注入材料または電子注入材料を含有させることができる。
【００８５】
ここで、正孔注入材料とは、発光層または発光材料に対して優れた正孔注入効果を示し、発光層で生成した励起子の電子注入層または電子注入材料への移動を防止し、かつ薄膜形成性に優れた化合物を意味する。そのような正孔注入材料の例としては、フタロシアニン系化合物、ナフタロシアニン系化合物、ポルフィリン系化合物、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、イミダゾロン、イミダゾールチオン、ピラゾリン、ピラゾロン、テトラヒドロイミダゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、ヒドラゾン、アシルヒドラゾン、ポリアリールアルカン、スチルベン、ブタジエン、ベンジジン型トリフェニルアミン、スチリルアミン型トリフェニルアミン、ジアミン型トリフェニルアミン等と、それらの誘導体、およびポリビニルカルバゾール、ポリシラン、導電性ポリマー等があげられるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００８６】
上記正孔注入材料の中でも特に効果的な正孔注入材料としては、芳香族三級アミン誘導体またはフタロシアニン誘導体があげられる。芳香族三級アミン誘導体としては、トリフェニルアミン、トリトリルアミン、トリルジフェニルアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−（４−メチルフェニル）−１，１’−フェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−（４−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジナフチル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−（メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−（４−ｎ−ブチルフェニル）−フェナントレン−９，１０−ジアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ジ−４−トリルアミノフェニル）−４−フェニル−シクロヘキサン、またはこれらの芳香族三級アミン骨格を有するオリゴマーまたはポリマーがあげられる。また、フタロシアニン（Ｐｃ）誘導体としては、Ｈ2Ｐｃ、ＣｕＰｃ、ＣｏＰｃ 、ＮｉＰｃ、ＺｎＰｃ、ＰｄＰｃ、ＦｅＰｃ、ＭｎＰｃ、ＣｌＡｌＰｃ、ＣｌＧａＰｃ、ＣｌＩｎＰｃ、ＣｌＳｎＰｃ、Ｃｌ2ＳｉＰｃ、（ＨＯ）ＡｌＰｃ、（ＨＯ）ＧａＰｃ、ＶＯＰｃ、ＴｉＯＰｃ、ＭｏＯＰｃ、ＧａＰｃ−Ｏ−ＧａＰｃ等のフタロシアニン誘導体およびナフタロシアニン誘導体があげられる。以上述べた正孔注入材料は、更に電子受容材料を添加して増感させることもできる。
【００８７】
一方、電子注入材料とは、発光層または発光材料に対して優れた電子注入効果を示し、発光層で生成した励起子の正孔注入層または正孔注入材料への移動を防止し、かつ薄膜形成性に優れた化合物を意味する。そのような電子注入材料の例としては、キノリン金属錯体、オキサジアゾール、ベンゾチアゾール金属錯体、ベンゾオキサゾール金属錯体、ベンゾイミダゾール金属錯体、フルオレノン、アントラキノジメタン、ジフェノキノン、チオピランジオキシド、オキサジアゾール、チアジアゾール、テトラゾール、ペリレンテトラカルボン酸、フレオレニリデンメタン、アントラキノジメタン、アントロン等とそれらの誘導体があげられる。また、セシウム等の金属をバソフェナントロリンにドープした無機／有機複合材料（例えば、高分子学会予稿集，第５０巻，４号，６６０頁，２００１年発行）も電子注入材料の例としてあげられるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００８８】
上記電子注入材料の中でも特に効果的な電子注入材料としては、金属錯体化合物または含窒素五員環誘導体があげられる。ここで、金属錯体化合物の中でも、下記一般式［６］で示される化合物は好適に使用することができる。
一般式［６］
【化８】
［式中、Ｑ1およびＱ2は、それぞれ独立に、置換もしくは未置換のヒドロキシキノリン誘導体または置換もしくは未置換のヒドロキシベンゾキノリン誘導体を表し、Ｌは、ハロゲン原子、置換もしくは未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のシクロアルキル基、置換もしくは未置換のアリール基、または、置換もしくは未置換の芳香族複素環基、−ＯＲ（Ｒは水素原子、置換もしくは未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のシクロアルキル基、置換もしくは未置換のアリール基、または、置換もしくは未置換の芳香族複素環基を表す。）、−Ｏ−Ｇａ−Ｑ3（Ｑ4）（Ｑ3およびＱ4は、Ｑ1 およびＱ2と同じ意味を表す。）で表される配位子を表す。］
【００８９】
ここで一般式［６］について説明する。一般式［６］で示される化合物のＱ1〜Ｑ4は、置換もしくは未置換のヒドロキシキノリン誘導体または置換もしくは未置換のヒドロキシベンゾキノリン誘導体である。ここでいう置換基とは、一般式［１］中のＲ1およびＲ2における置換基と同義である。
【００９０】
また、Ｌは、ハロゲン原子、置換もしくは未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のシクロアルキル基、置換もしくは未置換のアリール基、置換もしくは未置換の芳香族複素環基を表す。ここでいう置換基とは、一般式［１］中のＲ1およびＲ2における置換基と同義である。また、置換もしくは未置換のシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデカニル基等をあげることができる。
【００９１】
したがって、一般式［６］で示される化合物の具体例としては、ビス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）（１−ナフトラート）ガリウム錯体、ビス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）（２−ナフトラート）ガリウム錯体、ビス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）（フェノラート）ガリウム錯体、ビス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）（４−シアノ−１−ナフトラート）ガリウム錯体、ビス（２、４−ジメチル−８−ヒドロキシキノリナート）（１−ナフトラート）ガリウム錯体、ビス（２、５−ジメチル−８−ヒドロキシキノリナート）（２−ナフトラート）ガリウム錯体、ビス（２−メチル−５−フェニル−８−ヒドロキシキノリナート）（フェノラート）ガリウム錯体、ビス（２−メチル−５−シアノ−８−ヒドロキシキノリナート）（４−シアノ−１−ナフトラート）ガリウム錯体、ビス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）クロロガリウム錯体、ビス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）（ｏ−クレゾラート）ガリウム錯体等があげられるが、本発明はこれらに限定されるものではない。尚、これら一般式［６］で示される化合物は、特開平１０−８８１２１号公報記載の方法により合成することが可能である。
【００９２】
その他、本発明に使用可能な電子注入材料の内、好ましい金属錯体化合物としては、８−ヒドロキシキノリナートリチウム、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）亜鉛、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）銅、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）マンガン、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）ガリウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナート）ベリリウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナート）亜鉛等があげられる。
【００９３】
また、本発明に使用可能な電子注入材料の内、好ましい含窒素五員誘導体としては、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾールまたはトリアゾール誘導体があげられ、具体的には、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−オキサゾール、ジメチルＰＯＰＯＰ、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−チアゾール、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４’−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−(４”−ビフェニル)１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、１，４−ビス［２−(５ −フェニルオキサジアゾリル)］ベンゼン、１，４−ビス［２−(５−フェニルオキサジアゾリル)−４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼン］、２−（４’−ｔｅｒｔ− ブチルフェニル）−５−(４”−ビフェニル)−１，３，４−チアジアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−チアジアゾール、１，４−ビス［２−(５−フェニルチアジアゾリル)］ベンゼン、２−（４’−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−(４”−ビフェニル)−１，３，４−トリアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−トリアゾール、１，４−ビス［２−(５−フェ ニルトリアゾリル)］ベンゼン等があげられる。以上述べた電子注入材料は、更に電子供与性材料を添加して増感させることもできる。
【００９４】
また、本発明の有機ＥＬ素子用材料は、発光層中にドーピングして使用することも可能である。この場合、本有機ＥＬ素子用材料は、以下に説明するホスト材料に対して０．００１〜５０重量％の範囲で含有されることが好ましく、更には０．０１〜１０重量％の範囲で含有されることがより好ましい。
【００９５】
本発明の有機ＥＬ素子用材料をドーピング材料として用いた時に共に使用できるホスト材料としては、キノリン金属錯体、ベンゾキノリン金属錯体、ベンゾオキサゾール金属錯体、ベンゾチアゾール金属錯体、ベンゾイミダゾール金属錯体、ベンゾトリアゾール金属錯体、イミダゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体等の電子輸送性材料。または、スチルベン誘導体、ブタジエン誘導体、ベンジジン型トリフェニルアミン誘導体、スチリルアミン型トリフェニルアミン誘導体、ジアミノアントラセン型トリフェニルアミン誘導体、ジアミノフェナントレン型トリフェニルアミン誘導体等の正孔輸送性材料、およびポリビニルカルバゾール、ポリシラン等の導電性高分子の高分子材料等があげられる。
【００９６】
また、本有機ＥＬ素子における発光層中には、本発明の有機ＥＬ素子用材料の他に、他の発光材料やドーピング材料を二種類以上組み合わせて使用することもできる。この場合は本発明の有機ＥＬ素子用材料はホスト材料として機能する場合もある。本発明の有機ＥＬ素子用材料と共に使用できる他の発光材料やドーピング材料としては、アントラセン、ナフタレン、フェナントレン、ピレン、テトラセン、コロネン、クリセン、フルオレセイン、ペリレン、フタロペリレン、ナフタロペリレン、ペリノン、フタロペリノン、ナフタロペリノン、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、クマリン、オキサジアゾール、アルダジン、ビスベンゾキサゾリン、ビススチリル、ピラジン、シクロペンタジエン、キノリン金属錯体、アミノキノリン金属錯体、イミン、ジフェニルエチレン、ビニルアントラセン、ジアミノカルバゾール、ピラン、チオピラン、ポリメチン、メロシアニン、イミダゾールキレート化オキシノイド化合物、キナクリドン、ルブレン等およびそれらの誘導体があげられる。
【００９７】
本有機ＥＬ素子における発光層中には、本発明の有機ＥＬ素子用材料の他に、必要に応じて、他の発光材料やドーピング材料のみならず、先に述べた正孔注入材料や電子注入材料を二種類以上組み合わせて使用することもできる。また、正孔注入層、発光層、電子注入層は、それぞれ二層以上の層構成により形成されても良い。
【００９８】
さらに、本発明の有機ＥＬ素子の陽極に使用される導電性材料は、４ｅＶより大きな仕事関数を持つものが適しており、そのようなものとしては、炭素、アルミニウム、バナジウム、鉄、コバルト、ニッケル、タングステン、銀、金、白金、パラジウム等およびそれらの合金、ＩＴＯ基板、ＮＥＳＡ基板と称される酸化スズ、酸化インジウム等の酸化金属、さらにはポリチオフェンやポリピロール等の有機導電性ポリマーがあげられる。
【００９９】
また、本発明の有機ＥＬ素子の陰極に使用される導電性材料は、４ｅＶより小さな仕事関数を持つものが適しており、そのようなものとしては、マグネシウム、カルシウム、錫、鉛、チタニウム、イットリウム、リチウム、フッ化リチウム、ルテニウム、マンガン等およびそれらの合金があげられる。ここで、合金としては、マグネシウム／銀、マグネシウム／インジウム、リチウム／アルミニウム等が代表例としてあげられるが、これらに限定されるものではない。合金の比率は、調製時の加熱温度、雰囲気、真空度により制御可能なため、適切な比率からなる合金が調製可能である。これら陽極および陰極は、必要があれば二層以上の層構成により形成されていても良い。
【０１００】
本発明の有機ＥＬ素子を効率良く発光させるためには、素子を構成する材料は素子の発光波長領域において充分透明であることが望ましく、同時に基板も透明であることが望ましい。透明電極は、上記の導電性材料を使用して蒸着やスパッタリング等の方法で作成することができる。特に、発光面の電極は、光透過率が１０％以上であることが望ましい。基板は、機械的、熱的強度を有し、透明であれば特に限定されるものではないが、例えば、ガラス基板、ポリエチレン、ポリエーテルサルフォン、ポリプロピレン等の透明性ポリマーが推奨される。
【０１０１】
また、本発明の有機ＥＬ素子の各層の形成方法としては、真空蒸着、スパッタリング、プラズマ、イオンプレーティング等の乾式成膜法、もしくはスピンコーティング、ディッピング、フローコーティング等の湿式成膜法のいずれかの方法を適用することができる。各層の膜厚は特に限定されるものではないが、適切な膜厚に設定する必要がある。膜厚が厚すぎると、一定の光出力を得るために大きな印加電圧が必要となり効率が悪くなる。逆に膜厚が薄すぎると、ピンホール等が発生し、電界を印加しても充分な発光輝度が得ら難くなる。したがって、通常の膜厚は、１ｎｍから１μｍの範囲が適しているが、１０ｎｍから０．２μｍの範囲がより好ましい。
【０１０２】
湿式成膜法の場合、各層は、それを構成する材料をトルエン、クロロホルム、テトラヒドロフラン、ジオキサン等の適切な溶媒に溶解または分散して薄膜を形成する。ここで用いられる溶媒は単一あるいは混合したもののいずれでも構わない。また、いずれの湿式成膜法においても、成膜性向上、膜のピンホール防止等のため適切なポリマーや添加剤を使用しても良い。このようなポリマーとしては、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン、ポリスルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、セルロース等の絶縁性ポリマー、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリシラン等の光導電性ポリマー、ポリチオフェン、ポリピロール等の導電性ポリマーを挙げることができる。また、添加剤としては、酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤等をあげることができる。本発明の材料を湿式で成膜する際には、各化合物の分子間の親和性が良いため、単独では凝集性が高く膜が不均一になりやすい化合物でも、凝集性の低い誘導体との混合材料にすることにより良好な膜を得ることができる。
【０１０３】
また、本発明により得られた有機ＥＬ素子の温度、湿度、雰囲気等に対する安定性向上のために、さらに素子の表面に保護層を設けたり、シリコンオイル、ポリマー等により素子全体を被覆しても良い。
【０１０４】
以上述べたように、本有機ＥＬ素子用材料を用いて作成した有機ＥＬ素子は、発光効率、最大発光輝度等の特性を向上させることが可能である。また、本有機ＥＬ素子は、低い駆動電圧で実用的に使用可能の発光輝度が得られるため、従来まで大きな問題であった劣化も低減させることが可能である。故に、本有機ＥＬ素子は、壁掛けテレビ等のフラットパネルディスプレイや平面発光体として、さらには、複写機やプリンター等の光源、液晶ディスプレイや計器類等の光源、表示板、標識灯等への応用が考えられる。
【０１０５】
【実施例】
以下、実施例にて本発明を具体的に説明するが、本発明は下記実施例に何ら限定されるものではない。はじめに、実施例に先立って本発明の有機ＥＬ素子用材料の合成例を述べる。
【０１０６】
合成例１
化合物（２）の合成方法
キシレン２００ｍｌ中に、４−ブロモフェニルビス（４−メチルフェニル）アミン６．９ｇ、３−アミノペリレン２．４ｇ、ナトリウム-t-ブトキシド２．０ｇ、酢酸パラジウム０．１０ｇおよびトリ-t-ブチルホスフィン０．３６ｇを加え、窒素雰囲気下、攪拌しながら２時間加熱還流した。放冷後濾過し、濾液を濃縮してシリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィーにより精製し、化合物（２）５．２ｇを得た。マススペクトル、ＮＭＲスペクトル、元素分析による分析により構造を確認した。第１図にテトラヒドロフラン−ｄ8溶液中で測定した化合物（２）の1Ｈ−ＮＭＲスペクトル（テトラメチルシランの吸収ピークを基準とする）を示す。
【０１０７】
合成例２
化合物（３）の合成方法
トルエン１００ｍｌ中に、４−ブロモフェニルビス（２，４−ジメチルフェニル）アミン１０．３ｇ、３−アミノペリレン３．４ｇ、ナトリウム-t-ブトキシド３．２ｇ、酢酸パラジウム０．１２ｇおよびトリ-t-ブチルホスフィン０．４１ｇを加え、窒素雰囲気下、攪拌しながら４時間加熱還流した。放冷後濾過し、濾液を濃縮してシリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィーにより精製し、化合物（３）９．３ｇを得た。マススペクトル、ＮＭＲスペクトル、元素分析による分析により構造を確認した。第２図にトルエン溶液中で測定した化合物（３）の発光スペクトルを示す。
【０１０８】
合成例３
化合物（３９）の合成方法
キシレン５００ｍｌ中に、９−（４−クロロフェニル）カルバゾール３５．０ｇ、３−アミノペリレン１６．０ｇ、ナトリウム-t-ブトキシド１３．８ｇ、酢酸パラジウム０．６７ｇおよびトリ-t-ブチルホスフィン２．４３ｇを加え、窒素雰囲気下、攪拌しながら８時間加熱還流した。放冷後濾過し、濾液を濃縮してシリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィーにより精製し、化合物（３９）３０．１ｇを得た。マススペクトル、ＮＭＲスペクトル、元素分析による分析により構造を確認した。第３図にＣＤＣｌ3溶液中で測定した化合物（３９）の1Ｈ−ＮＭＲスペクトル（テトラメチルシランの吸収ピークを基準とする）を示す。
【０１０９】
合成例４
化合物（４９）の合成方法
キシレン５００ｍｌ中に、ジフェニル−４−ヨードビフェニル−４−イルアミン１９．７ｇ、３−アミノペリレン５．３ｇ、ナトリウム-t-ブトキシド５．４ｇ、酢酸パラジウム０．２２ｇおよびトリ-t-ブチルホスフィン０．８１ｇを加え、窒素雰囲気下、攪拌しながら３時間加熱還流した。放冷後濾過し、濾液を濃縮してシリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィーにより精製し、化合物（４９）１２．９ｇを得た。マススペクトル、ＮＭＲスペクトル、元素分析による分析により構造を確認した。第４図にテトラヒドロフラン−ｄ8溶液中で測定した化合物（４９）の1Ｈ−ＮＭＲスペクトル（テトラメチルシランの吸収ピークを基準とする）を示す。
【０１１０】
合成例５
化合物（６４）の合成方法
キシレン５００ｍｌ中に、４−ブロモトルエン８．７ｇ、３−アミノペリレン１３．６ｇ、ナトリウム-t-ブトキシド５．４３ｇ、酢酸パラジウム０．２９ｇおよびトリ-t-ブチルホスフィン１．０ｇを加え、窒素雰囲気下、攪拌しながら８０℃で８時間加熱した。放冷後濾過し、濾液を濃縮してシリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィーにより精製し、３−ペリレニル−４−メチルフェニルアミン１１．３ｇを得た。続いてキシレン２００ｍｌ中に、４−ブロモフェニルビス（４−メチルフェニル）アミン２．３ｇ、３−ペリレニル−４−メチルフェニルアミン２．１ｇ、ナトリウム-t-ブトキシド０．６６ｇ、酢酸パラジウム０．０３ｇおよびトリ-t-ブチルホスフィン０．１２ｇを加え、窒素雰囲気下、攪拌しながら２時間加熱還流した。放冷後濾過し、濾液を濃縮してシリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィーにより精製し、化合物（６４）３．１ｇを得た。マススペクトル、ＮＭＲスペクトル、元素分析による分析により構造を確認した。第５図にテトラヒドロフラン−ｄ8溶液中で測定した化合物（６４）の1Ｈ−ＮＭＲスペクトル（テトラメチルシランの吸収ピークを基準とする）を示す。
【０１１１】
以下に本発明の化合物を用いた実施例を示す。本例では、特に断りのない限り、混合比は全て重量比を示す。また、電極面積２ｍｍ×２ｍｍの有機ＥＬ素子の特性を測定した。尚、実施にあたって下記に示す公知の材料を用いた。
（比較化合物Ａ）
【０１１２】
【化９】
【０１１３】
（比較化合物Ｂ）
【０１１４】
【化１０】
【０１１５】
（比較化合物Ｃ）
【０１１６】
【化１１】
【０１１７】
（比較化合物Ｄ）
【０１１８】
【化１２】
【０１１９】
（ＤＣＪＴＢ）
【０１２０】
【化１３】
【０１２１】
実施例１
洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、発光材料として表１の化合物（１）、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、ポリカーボネート樹脂（帝人化成：パンライトＫ−１３００）を１：２：１０の重量比でテトラヒドロフランに溶解させ、スピンコーティング法により膜厚１００ｎｍの発光層を得た。その上に、マグネシウムと銀を１０：１（重量比）で混合した合金で膜厚１５０ｎｍの電極を形成して有機ＥＬ素子を得た。この素子の発光特性は、直流電圧１０Ｖでの発光輝度５５０（ｃｄ／ｍ2）、最大発光輝度７４０（ｃｄ／ｍ2）、発光効率０．４９（ｌｍ／Ｗ）の発光が得られた。
【０１２２】
実施例２
洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、Ｎ，Ｎ’―（３―メチルフェニル）―Ｎ，Ｎ’―ジフェニル―１，１’―ビフェニル-４，４’―ジアミン（ＴＰＤ）とポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）を１：１の重量比で１，２−ジクロロエタンに溶解させ、スピンコーティング法により膜厚５０ｎｍの正孔注入層を得た。次いで、表１の化合物（３）を蒸着し膜厚６０ｎｍの電子注入型発光層を作成し、その上に、マグネシウムと銀を１０：１（重量比）で混合した合金で膜厚１００ｎｍの電極を形成して有機ＥＬ素子を得た。この素子の発光特性は、直流電圧１０Ｖでの発光輝度１３００（ｃｄ／ｍ2）、最大発光輝度１８００（ｃｄ／ｍ2）、発光効率０．７１（ｌｍ／Ｗ）の発光が得られた。
【０１２３】
実施例３
洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、ＴＰＤとポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）を１：１の重量比で１，２−ジクロロエタンに溶解させ、スピンコーティング法により膜厚５０ｎｍの正孔注入層を得た。次いで、表１の化合物（５）とトリス（８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム錯体（Ａｌｑ３）との１：５０の重量比からなる混合物を蒸着し、膜厚６０ｎｍの電子注入型発光層を作成し、その上に、マグネシウムと銀を１０：１（重量比）で混合した合金で膜厚１００ｎｍの電極を形成して有機ＥＬ素子を得た。この素子の発光特性は、直流電圧１０Ｖでの発光輝度１９００（ｃｄ／ｍ2）、最大発光輝度３３００（ｃｄ／ｍ2）、発光効率１．２（ｌｍ／Ｗ）の発光が得られた。
【０１２４】
実施例４
洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、表１の化合物（１１）を塩化メチレンに溶解させ、スピンコーティング法により膜厚５０ｎｍの正孔注入型発光層を得た。次いで、ビス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）（１−ナフトラート）ガリウム錯体を真空蒸着して膜厚４０ｎｍの電子注入層を作成し、その上に、マグネシウムと銀を１０：１（重量比）で混合した合金で膜厚１００ｎｍの電極を形成して有機ＥＬ素子を得た。電子注入層は１０-6Ｔｏｒｒの真空中で、基板温度室温の条件下で蒸着した。この素子は、直流電圧６Ｖでの発光輝度３１００（ｃｄ／ｍ2） 、最大発光輝度１１３００（ｃｄ／ｍ2）、発光効率２．４（ｌｍ／ Ｗ）の発光が得られた。
【０１２５】
実施例５
洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、表１の化合物（２０）を真空蒸着して膜厚５０ｎｍの正孔注入型発光層を得た。次いで、ビス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）（ｐ−シアノフェノラート）ガリウム錯体を真空蒸着して膜厚３０ｎｍの電子注入層を作成し、その上に、マグネシウムと銀を１０：１（重量比）で混合した合金で膜厚１００ｎｍの電極を形成して有機ＥＬ素子を得た。各層は１０-6Ｔｏｒｒの真空中で、基板温度室温の条件下で蒸着した。この素子は、直流電圧６Ｖでの発光輝度３６００（ｃｄ／ｍ2）、最大発光輝度１２４００（ｃｄ ／ｍ2）、発光効率２．５（ｌｍ／Ｗ）の発光が得られた。
【０１２６】
実施例６
洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、ＴＰＤを真空蒸着して膜厚２０ｎｍの正孔注入層を得た。次いで、表１の化合物（４６）を蒸着し膜厚４０ｎｍの発光層を作成し、次いでＡｌｑ３を蒸着して膜厚３０ｎｍの電子注入層を得た。その上に、マグネシウムと銀を１０：１（重量比）で混合した合金で膜厚２００ｎｍの電極を形成して有機ＥＬ素子を得た。各層は１０-6Ｔｏｒｒの真空中で、基板温度室温の条件下で蒸着した。この素子は直流電圧６Ｖで発光輝度６４００（ｃｄ／ｍ2）の発光が得られた。また、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ2）で定電流駆動したときの半減寿命は１０００時間であった。
【０１２７】
比較例１
化合物（４６）の代わりに前記比較化合物Ａを成膜して用いる以外は、実施例６と同様の方法で有機ＥＬ素子を作製した。この素子は直流電圧６Ｖでの発光輝度は１６００（ｃｄ／ｍ2）であった。また、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ2）で定電流駆動したときの半減寿命は２６０時間であった。
【０１２８】
実施例７
洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、ＴＰＤを真空蒸着して膜厚４０ｎｍの正孔注入層を得た。次いで、表１の化合物（４７）とＡｌｑ３を１：５０（重量比）の組成比で共蒸着して膜厚３０ｎｍの発光層を得た。さらにＡｌｑ３を蒸着して膜厚３０ｎｍの電子注入層を得た。その上に、マグネシウムと銀を１０：１（重量比）で混合した合金で膜厚２００ｎｍの電極を形成して有機ＥＬ素子を得た。各層は１０-6Ｔｏｒｒの真空中で、基板温度室温の条件下で蒸着した。この素子は、直流電圧６Ｖでの発光輝度が７２００（ｃｄ／ｍ2）、２０Ｖでの発光輝度が５７０００（ｃｄ／ｍ2）の発光が得られた。また、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ2）で定電流駆動したときの半減寿命は１２００時間であった。
【０１２９】
比較例２
化合物（４７）の代わりに前記比較化合物Ｃを成膜して用いる以外は、実施例１５と同様の方法で有機ＥＬ素子を作製した。この素子は直流電圧２０Ｖでの発光輝度は２１０００（ｃｄ／ｍ2）であった。また、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ2）で定電流駆動したときの半減寿命は２４０時間であった。
【０１３０】
実施例８〜３４および比較例３〜６
洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、４，４'−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）を真空蒸着して膜厚３０ｎｍの正孔注入層を形成した。次いで、表１の化合物を真空蒸着し、膜厚３０ｎｍの発光層を得た。さらに、ビス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）（フェノラート）ガリウム錯体を真空蒸着して膜厚３０ｎｍの電子注入層を作成し、その上に、マグネシウムと銀を１０：１（重量比）で混合した合金で膜厚１００ｎｍの電極を形成して有機ＥＬ素子を得た。各層は１０-6Ｔｏｒｒの真空中で、基板温度室温の条件下で蒸着した。この素子の発光特性を表２に示す。本実施例の有機ＥＬ素子は全て、最大発光輝度３５０００（ｃｄ／ｍ2）以上の高い輝度特性を示した。同様に比較例として、前記比較化合物Ａ〜Ｄを成膜して用いる以外は、実施例８と同様の方法で有機ＥＬ素子を作製した。この素子の発光特性を表２に併せて示す。いずれの場合も、最大発光輝度、最大発光効率共に、本実施例で作成した素子よりも劣っていることは明らかである。
【０１３１】
【表２】
【０１３２】
実施例３７
洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、α−ＮＰＤを真空蒸着して膜厚２０ｎｍの正孔注入層を得た。次いで、表１の化合物（６１）とＡｌｑ３を１：５０の重量比で共蒸着して膜厚４０ｎｍの発光層を作成し、次いでＡｌｑ３を蒸着して膜厚３０ｎｍの電子注入層を得た。その上にまず、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を０．５ｎｍ、さらにアルミニウム（Ａｌ）を２００ｎｍ真空蒸着によって電極を形成して有機ＥＬ素子を得た。各層は１０-6Ｔｏｒｒの真空中で、基板温度室温の条件下で蒸着した。この素子は直流電圧７Ｖでの発光輝度６８００（ｃｄ／ｍ2）、最大発光輝度４３２００（ｃｄ／ｍ2）、発光効率４．１（ｌｍ／Ｗ）の発光が得られた。
【０１３３】
実施例３８
発光層として、表１の化合物（４）と化合物（４９）を１：１０の重量比率で蒸着した膜厚３０ｎｍの薄膜を設ける以外は、実施例８と同様の方法で有機ＥＬ素子を作製した。この素子は、直流電圧７Ｖでの発光輝度６４００（ｃｄ／ｍ2）、最大発光輝度３９９００（ｃｄ／ｍ2）、発光効率４．３（ｌｍ／ Ｗ）の発光が得られた。
【０１３４】
実施例３９
発光層として、表１の化合物（１９）とビス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）（フェノラート）ガリウム錯体を１：５０の重量比率で蒸着した膜厚３０ｎｍの薄膜を設ける以外は、実施例８と同様の方法で有機ＥＬ素子を作製した。この素子は、直流電圧７Ｖでの発光輝度６５００（ｃｄ／ｍ2）、最大発光輝度３７８００（ｃｄ ／ｍ2）、発光効率４．０（ｌｍ／Ｗ）の発光が得られた。
【０１３５】
実施例４０
発光層として、表１の化合物（３３）とα−ＮＰＤを１：１０の重量比率で蒸着した膜厚３０ｎｍの薄膜を設ける以外は、実施例８と同様の方法で有機ＥＬ素子を作製した。この素子は、直流電圧７Ｖでの発光輝度７２００（ｃｄ／ｍ2）最大発光輝度４１３００（ｃｄ／ｍ2）、発光効率４．２（ｌｍ／ Ｗ）の発光が得られた。
【０１３７】
実施例４２
発光層として、表１の化合物（５０）とＤＣＪＴＢを１００：５の重量比率で蒸着した膜厚３０ｎｍの薄膜を設ける以外は、実施例８と同様の方法で有機ＥＬ素子を作製した。この素子は、直流電圧７Ｖでの発光輝度５２００（ｃｄ／ｍ2）最大発光輝度３８２００（ｃｄ／ｍ2）、発光効率３．４（ｌｍ／ Ｗ）の発光が得られた。
【０１３８】
実施例４３
洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、α−ＮＰＤを真空蒸着して、膜厚４０ｎｍの正孔注入層を得た。次いで、表１の化合物（１２）を真空蒸着して膜厚１０ｎｍの第一発光層を形成した後、表１の化合物（４９）を真空蒸着して膜厚３０ｎｍの第二発光層を作成し、さらにビス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）（フェノラート）ガリウム錯体を真空蒸着して膜厚３０ｎｍの電子注入層を作成し、その上に、マグネシウムと銀を１０：１（重量比）で混合した合金で膜厚１００ｎｍの電極を形成して有機ＥＬ素子を得た。各層は１０-6Ｔｏｒｒの真空中で、基板温度室温の条件下で蒸着した。この素子は、直流電圧７Ｖでの発光輝度６６００（ｃｄ／ｍ2）、最大発光輝度３８３００（ｃ ｄ／ｍ2）、発光効率３．８（ｌｍ／Ｗ）の発光が得られた。
【０１３９】
実施例４４
洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、４，４’，４”−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミンを真空蒸着して、膜厚６０ｎｍの第一正孔注入層を得た。次いで、α−ＮＰＤを真空蒸着して、膜厚２０ｎｍの第二正孔注入層を得た。さらに、表１の化合物（４５）を真空蒸着して、膜厚１０ｎｍの発光層を作成し、さらにＡｌｑ３を真空蒸着して膜厚３０ｎｍの電子注入層を作成した。その上に、ＬｉＦを０．２ｎｍ、次いでＡｌを１５０ｎｍ真空蒸着することで電極を形成して、有機ＥＬ素子を得た。各層は１０-6Ｔｏｒｒの真空中で、基板温度室温の条件下で蒸着した。この素子は、直流電圧７Ｖでの発光輝度８４００（ｃｄ／ｍ2）、最大発光輝度４３６００（ｃ ｄ／ｍ2）、発光効率４．４（ｌｍ／Ｗ）の発光が得られた。
【０１４０】
実施例４５
発光層として、表１の化合物（４９）とＡｌｑ３を１：１００の重量比率で蒸着した膜厚３０ｎｍの薄膜を設ける以外は、実施例４４と同様の方法で有機ＥＬ素子を作製した。この素子は、直流電圧７Ｖでの発光輝度３４８００（ｃｄ／ｍ2）、発光効率４．２（ｃｄ／Ａ）の発光が得られた。また、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ2）で定電流駆動したときの半減寿命は１５００時間であった。
【０１４１】
比較例７
化合物（４９）の代わりに前記比較化合物Ｂを用いる以外は、実施例４５と同様の方法で有機ＥＬ素子を作製した。この素子は直流電圧７Ｖでの発光輝度は１３０００（ｃｄ／ｍ2）であり、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ2）で定電流駆動したときの半減寿命は２５０時間であった。
【０１４２】
実施例４６
４，４’，４”−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミンの代わりに銅フタロシアニンの膜厚２０ｎｍの正孔注入層を設ける以外は、実施例４５と同様の方法で有機ＥＬ素子を作製した。この素子は、直流電圧７Ｖでの発光輝度３３１００（ｃｄ／ｍ2）、発光効率４．０（ｃｄ／Ａ）の発光が得られた。また、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ2）で定電流駆動したときの半減寿命は１７００時間であった。
【０１４３】
比較例８
化合物（４９）の代わりに前記比較化合物Ｄを用いる以外は、実施例４６と同様の方法で有機ＥＬ素子を作製した。この素子は、直流電圧７Ｖでの発光輝度１５３００（ｃｄ／ｍ2）であり、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ2）で定電流駆動したときの半減寿命は２７０時間であった。
【０１４４】
以上述べた実施例から明らかなように、本発明の有機ＥＬ素子は発光効率、発光輝度の向上と長寿命化を達成するものであり、併せて使用される発光材料、ドーピング材料、正孔注入材料、電子注入材料、増感剤、樹脂、電極材料等および素子作製方法を限定するものではない。
【０１４５】
【発明の効果】
本発明の有機ＥＬ素子用材料に用いて作成した有機ＥＬ素子は、従来に比べて高輝度かつ長寿命であるため、壁掛けテレビ等のフラットパネルディスプレイや平面発光体として好適に使用することができ、複写機やプリンター等の光源、液晶ディスプレイや計器類等の光源、表示板、標識灯等への応用が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】合成例１で得た化合物（２）のテトラヒドロフラン−ｄ8溶液中での1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図２】合成例２で得た化合物（３）のトルエン溶液中での発光スペクトルを示す。
【図３】合成例３で得た化合物（３９）のＣＤＣｌ3溶液中での1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図４】合成例４で得た化合物（４９）のテトラヒドロフラン−ｄ8溶液中での1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図５】合成例５で得た化合物（６４）のテトラヒドロフラン−ｄ8溶液中でのの1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す（尚、図１、４、５中、1Ｈ−ＮＭＲスペクトルはいずれもテトラメチルシランの吸収ピークを基準とする）。
【発明の属する技術分野】
本発明は平面光源や表示に使用される有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子用材料およびそれを用いた有機ＥＬ素子に関する。さらに詳しくは、長寿命を有し、黄色〜赤色の高輝度発光を得ることのできる有機ＥＬ素子用材料およびそれを用いた有機ＥＬ素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
有機物質を使用したＥＬ素子は、固体発光型の安価な大面積フルカラー表示素子としての用途が有望視され、多くの開発が行われている。一般にＥＬ素子は、発光層および該層をはさんだ一対の対向電極から構成されている。発光は、両電極間に電界が印加されると、陰極側から電子が注入され、陽極側から正孔が注入され、この電子が発光層において正孔と再結合し、エネルギー準位が伝導帯から価電子帯に戻る際にエネルギーを光として放出する現象である。
【０００３】
従来の有機ＥＬ素子は、無機ＥＬ素子に比べて駆動電圧が高く、発光輝度や発光効率も低かった。また、特性劣化も著しく実用化には至っていなかった。近年、１０Ｖ以下の低電圧で発光する高い蛍光量子効率を持った有機化合物を含有した薄膜を積層した有機ＥＬ素子が報告され、関心を集めている（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，第５１巻，９１３頁，１９８７年発行参照）。この方法は、金属キレート錯体を発光層、アミン系化合物を正孔注入層に使用して、高輝度の緑色発光を得ており、６〜１０Ｖの直流電圧で輝度は数１０００（ｃｄ／ｍ2）、最大発光効率は１．５（ｌｍ／Ｗ）を達成して、実用領域に近い性能を持っている。
【０００４】
有機ＥＬ素子の中でも、特に黄色から赤色の発光を得るための有機ＥＬ素子用発光材料については、Ｃ．Ｈ．Ｃｈｅｎら著，Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｓｙｍｐ．，第１２５号，３４〜３６頁および４９〜５８頁，１９９７年発行に記載されているＤＣＭ、ＤＣＪ、ＤＣＪＴ、ＤＣＪＴＢといった４Ｈ−ピラン誘導体が黄色から赤色の発光を得るための有機ＥＬ素子用発光材料として報告されているが、発光輝度が低いというという問題があった。
【０００５】
一方、ペリレン構造を有する有機ＥＬ素子用発光材料については、例えば、特開平１１−１４４８６９号公報、特開２００１−１１０３１号公報、特開２００１−１７６６６４号公報に記載されているモノおよびジアミノペリレン化合物等が知られている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
従来の技術に述べた黄色〜赤色の高輝度発光を得るための有機ＥＬ素子用発光材料は、いずれも充分な発光輝度を有しておらず、寿命が短いという欠点があった。一方、ペリレンは平面性の高い分子構造であるため、有機ＥＬ素子用発光材料として用いる場合、濃度消光等の好ましくない現象が発生し易い。そのため、従来の技術に述べたように、ペリレンに結合するアミノ基の数を増やしたり、立体的に嵩高い置換基を導入する等の改良が試みられているが、それに伴う分子量の増大によって、溶剤に対する溶解性の低下や、素子作成時の蒸着性が悪くなるといった作業性の悪化という懸念がある。そのため、より一層の高い発光輝度と長い寿命を持った有機ＥＬ素子用材料が求められていた。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、以上の諸問題を考慮し解決すべく鋭意研究を重ねた結果、本発明に至った。すなわち、本発明は、下記一般式［１］で表される化合物であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子用材料に関する。
【０００８】
一般式［１］
【化３】
【０００９】
一般式［２］
【化４】
【００１２】
また、本発明は、Ｒ1およびＲ2が、いずれも一般式［２］で表される１価の有機残基であることを特徴とする上記有機エレクトロルミネッセンス素子用材料に関する。
【００１３】
また、本発明は、Ｘ1が、直接結合であることを特徴とする上記有機エレクトロルミネッセンス素子用材料に関する。
【００１４】
また、本発明は、陽極と陰極とからなる一対の電極間に一層または多層の有機層を形成してなる有機エレクトロルミネッセンス素子において、少なくとも一層が上記有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含有する層である有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
【００１５】
また、本発明は、陽極と陰極とからなる一対の電極間に少なくとも一層の発光層を形成してなる有機エレクトロルミネッセンス素子において、発光層が上記有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含有する層である有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
【００１６】
また、本発明は、さらに、発光層と陰極との間に少なくとも一層の電子注入層を形成してなる上記有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、詳細にわたって本発明を説明する。まずはじめに、本発明の有機ＥＬ素子用材料である一般式［１］で表される化合物について説明する。
【００１８】
まず、一般式［１］中のＡｒ1は、未置換の３−ペリレニル基を表し、Ｒ 1 およびＲ 2 は、置換もしくは未置換の１価の脂肪族炭化水素基、置換もしくは未置換の１価の芳香族炭化水素基、置換もしくは未置換の１価の脂肪族複素環基、置換もしくは未置換の１価の芳香族複素環基より選ばれる１価の有機残基であって、Ｒ 1 およびＲ 2 の少なくとも一つは、一般式［２］で表される１価の有機残基である。
【００１９】
ここで、１価の脂肪族炭化水素基としては、炭素数１〜１８の１価の脂肪族炭化水素基を指し、そのようなものとしては、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、シクロアルキル基があげられる。
【００２０】
したがって、アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、ペンタデシル基、オクタデシル基といった炭素数１〜１８のアルキル基があげられる。
【００２１】
また、アルケニル基としては、ビニル基、１−プロペニル基、２−プロペニル基、イソプロペニル基、１−ブテニル基、２−ブテニル基、３−ブテニル基、１−オクテニル基、１−デセニル基、１−オクタデセニル基といった炭素数２〜１８のアルケニル基があげられる。
【００２２】
また、アルキニル基としては、エチニル基、１−プロピニル基、２−プロピニル基、１−ブチニル基、２−ブチニル基、３−ブチニル基、１−オクチニル基、１−デシニル基、１−オクタデシニル基といった炭素数２〜１８のアルキニル基があげられる。
【００２３】
また、シクロアルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロオクタデシル基、２−ボルニル基、２−イソボルニル基、１−アダマンチル基といった炭素数３〜１８のシクロアルキル基があげられる。
【００２４】
さらに、１価の芳香族炭化水素基としては、炭素数６〜３０の１価の単環、縮合環、環集合芳香族炭化水素基があげられる。ここで、炭素数６〜３０の１価の単環芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、２，４−キシリル基、ｐ−クメニル基、メシチル基等の炭素数６〜３０の１価の単環芳香族炭化水素基があげられる。
【００２５】
また、１価の縮合環芳香族炭化水素基としては、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アンスリル基、２−アンスリル基、５−アンスリル基、１−フェナンスリル基、９−フェナンスリル基、１−アセナフチル基、２−アズレニル基、１−ピレニル基、２−トリフェニレル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、１−ペリレニル基、２−ペリレニル基、３−ペリレニル基、２−トレフェニレニル基、２−インデニル基、１−アセナフチレニル基、２−ナフタセニル基、２−ペンタセニル基等の炭素数１０〜３０の１価の縮合環炭化水素基があげられる。
【００２６】
また、１価の環集合芳香族炭化水素基としては、ｏ−ビフェニリル基、ｍ−ビフェニリル基、ｐ−ビフェニリル基、テルフェニリル基、７−（２−ナフチル）−２−ナフチル基等の炭素数１２〜３０の１価の環集合炭化水素基があげられる。
【００２７】
また、１価の脂肪族複素環基としては、３−イソクロマニル基、７−クロマニル基、３−クマリニル等の炭素数３〜１８の１価の脂肪族複素環基があげられる。
【００２８】
また、１価の芳香族複素環基としては、２−フリル基、３−フリル基、２−チエニル基、３−チエニル基、２−ベンゾフリル基、２−ベンゾチエニル基等の炭素数３〜３０の１価の芳香族複素環基があげられる。
【００２９】
これら、Ｒ 1 およびＲ 2 は、さらに他の置換基によって置換されていても良い。そのような置換基としては、１価の脂肪族炭化水素基、１価の芳香族炭化水素基、１価の脂肪族複素環基、１価の芳香族複素環基、ハロゲン原子、シアノ基、アルコキシル基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、置換アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基等があげられる。
ここで、１価の脂肪族炭化水素基としては、Ｒ 1 およびＲ 2 で説明した１価の脂肪族炭化水素基と同義である。
また、１価の芳香族炭化水素基としては、Ｒ 1 およびＲ 2 で説明した１価の芳香族炭化水素基と同義である。
また、１価の脂肪族複素環基としては、Ｒ 1 およびＲ 2 で説明した１価の脂肪族複素環基と同義である。
また、１価の芳香族複素環基としては、Ｒ 1 およびＲ 2 で説明した１価の芳香族複素環基と同義である。
また、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子があげられる。
【００３０】
また、アルコキシル基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、オクチルオキシ基、ｔｅｒｔ−オクチルオキシ基、２−ボルニルオキシ基、２−イソボルニルオキシ基、１−アダマンチルオキシ基等の炭素数１〜１８のアルコキシル基があげられる。
【００３１】
また、アリールオキシ基としては、フェノキシ基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、９−アンスリルオキシ基といった炭素数６〜３０のアリールオキシ基があげられる。
【００３２】
また、アルキルチオ基としては、メチルチオ基、エチルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基といった炭素数１〜１８のアルキルチオ基があげられる。
【００３３】
また、アリールチオ基としては、フェニルチオ基、２−メチルフェニルチオ基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルチオ基といった炭素数６〜３０のアリールチオ基があげられる。
【００３４】
また、置換アミノ基としては、Ｎ−メチルアミノ基、Ｎ−エチルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジブチルアミノ基、Ｎ−ベンジルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基、Ｎ−フェニルアミノ基、Ｎ−フェニル−Ｎ−メチルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ビス（ｍ−トリル）アミノ基、Ｎ，Ｎ−ビス（ｐ−トリル）アミノ基、Ｎ，Ｎ−ビス（ｐ−ビフェニリル）アミノ基、ビス［４−（４−メチル）ビフェニリル］アミノ基、Ｎ−α−ナフチル−Ｎ−フェニルアミノ基、Ｎ−β−ナフチル−Ｎ−フェニルアミノ基等の炭素数２〜１６の置換アミノ基があげられる。
【００３５】
また、アシル基としては、アセチル基、プロピオニル基、ピバロイル基、シクロヘキシルカルボニル基、ベンゾイル基、トルオイル基、アニソイル基、シンナモイル基等の炭素数２〜１８のアシル基があげられる。
【００３６】
また、アルコキシカルボニル基としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基等の炭素数２〜１８のアルコキシカルボニル基があげられる。
【００３７】
また、アリールオキシカルボニル基としては、フェノキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等の炭素数２〜１８のアリールオキシカルボニル基があげられる。
【００３８】
また、アルキルスルホニル基としては、メシル基、エチルスルホニル基、プロピルスルホニル基等の炭素数２〜１８のアルキルスルホニル基があげられる。
【００３９】
また、アリールスルホニル基としては、ベンゼンスルホニル基、ｐ−トルエンスルホニル基等の炭素数２〜１８のアリールスルホニル基があげられる。
【００４０】
上に述べた置換基は、さらに他の置換基によって置換されていても良い。以上述べた一般式［１］中のＡｒ1 は、未置換の３−ペリレニル基である。この理由として、ペリレンの３位にアミノ基が結合するような構造である場合、ペリレン環とアミノ基とのなす角が比較的同一平面に保たれるため蛍光性が強くなり、有機エレクトロルミネッセンス素子として用いた場合の発光輝度が向上するためと考えられるためである。
【００４４】
ここで、一般式［２］について説明する。まず、一般式［２］中のＡｒ2は、置換もしくは未置換の２価の芳香族炭化水素基または置換もしくは未置換の２価の芳香族複素環基を表す。ここでいう置換基とは、Ｒ 1 およびＲ 2 で説明した置換基と同義である。
【００４５】
ここでいう２価の芳香族炭化水素基とは、２価の単環もしくは縮合環、環集合芳香族炭化水素基を意味し、例えば、フェニレン基、ナフチレン基、アンスリレン基、ビフェニレン基、ｐ−テルフェニル−４，４’’−ジイル基、ｍ−テルフェニル−３，３’’−ジイル基、ｍ−テルフェニル−４，４’−ジイル基、［１，２’−ビナフタレン］−４，５’−ジイル等の炭素数６〜３０の２価の芳香族炭化水素基があげられる。
【００４６】
また２価の芳香族複素環基とは、２価の単環もしくは縮合環、環集合芳香族複素環基を意味し、例えば、２，５−フリレン基、２，５−チエニレン基等の炭素数４〜３０の２価の芳香族複素環基があげられる。
【００４７】
以上述べたＡｒ2における２価の芳香族炭化水素基または芳香族複素環基の内、好ましいものとしては、フェニレン基、ナフチレン基、ビフェニレン基等の炭素数６〜１２の２価の芳香族炭化水素基があげられる。
【００４８】
さらに、一般式［２］中のＲ3およびＲ4は、置換もしくは未置換の１価の脂肪族炭化水素基、置換もしくは未置換の１価の芳香族炭化水素基、置換もしくは未置換の１価の脂肪族複素環基、置換もしくは未置換の１価の芳香族複素環基より選ばれる１価の有機残基を表す。ここでいう置換基とは、Ｒ 1 およびＲ 2 の置換基で説明した置換基と同義である。また、ここでいう置換もしくは未置換の１価の脂肪族炭化水素基、置換もしくは未置換の１価の芳香族炭化水素基、置換もしくは未置換の１価の脂肪族複素環基、置換もしくは未置換の１価の芳香族複素環基とは、それぞれ、Ｒ 1 およびＲ 2 で説明した置換もしくは未置換の１価の脂肪族炭化水素基、置換もしくは未置換の１価の芳香族炭化水素基、置換もしくは未置換の１価の脂肪族複素環基、置換もしくは未置換の１価の芳香族複素環基と同義である。
【００４９】
さらに、一般式［２］中のＸ1は、直接結合、Ｏ、Ｓ、
【００５０】
一般式［１］中のＲ1およびＲ2としては、少なくとも一つが一般式［２］で表される１価の有機残基であれば良いが、いずれも一般式［２］で表される１価の有機残基であることが好ましい。この理由として、Ｒ1およびＲ2が、いずれも一般式［２］で表される１価の有機残基の場合、ペリレン環とアミノ基とのなす角が比較的同一平面に保たれつつも分子が立体的となるため、濃度消光等の好ましくない現象が抑えられるため、有機エレクトロルミネッセンス素子として用いた場合の発光輝度が向上するためと考えられるためである。さらに、一般式［２］中のＸ1が直接結合である場合、分子中の共役系が大きくなるため、発光輝度が向上すると考えられ特に好ましい。
【００５１】
以上、本発明の一般式［１］で表される化合物について説明したが、本発明の一般式［１］で表される化合物の分子量としては、２０００以下が好ましく、１５００以下がさらに好ましく、１０００以下が特に好ましい。この理由として、分子量が大きいと、溶剤に対する溶解性が乏しくなるため、精製が困難になるだけでなく、素子作成時の作業性が悪くなる、また蒸着によって素子を作成しようとした場合の蒸着性が悪くなるといった懸念が考えられるためである。
【００５２】
本発明の有機ＥＬ素子用材料を単独で発光層に使用して作成した素子は、通常、黄色〜オレンジ色の高輝度発光を示すが、後述するように適当なドーピング材料と共に使用することで、高輝度を維持しつつ発光色を赤まで長波長化させることが可能となる。
【００５３】
以下に本発明の有機ＥＬ素子用材料として、特に好ましい化合物群の一般式を一般式［３］〜一般式［５］として示す。
【００５４】
一般式［３］
【化５】
【００５５】
上記一般式［３］中、Ａｒ3およびＡｒ4は、未置換の２価の芳香族炭化水素基または未置換の２価の芳香族複素環基が、Ｒ20〜Ｒ23は、未置換の１価の芳香族炭化水素基または未置換の１価の芳香族複素環基が、好ましいものとしてあげられる。
【００５６】
一般式［４］
【化６】
【００５７】
上記一般式［４］中、Ａｒ5およびＡｒ6は、未置換の２価の芳香族炭化水素基または未置換の２価の芳香族複素環基が、Ｒ35〜Ｒ50は、水素原子、未置換の１価の脂肪族炭化水素基、または未置換の１価の芳香族炭化水素基が、好ましいものとしてあげられる。
【００５８】
一般式［５］
【化７】
【００５９】
上記一般式［５］中、Ａｒ7およびＡｒ8は、未置換の１価の芳香族炭化水素基が、Ｒ62〜Ｒ75は、水素原子、未置換の１価の脂肪族炭化水素基、または未置換の１価の芳香族炭化水素基が好ましいものとしてあげられる。
【００６０】
なお、一般式［３］〜［５］の官能基の定義は、一般式［１］および［２］の官能基の定義と同じである。
【００６１】
以下、表１に本発明の有機ＥＬ素子用材料として用いることができる化合物の代表例を示すが、本発明は、なんらこれらに限定されるものではない（ただし、表１中、ｔ−Ｂｕは第３ブチル基を、Ｐｈはフェニル基を、Ｔｏｌはｐ−トリル基を表す）。
【００６２】
【表１】
ところで、有機ＥＬ素子は、陽極と陰極間に一層または多層の有機層を形成した素子であるが、ここで、一層型有機ＥＬ素子は、陽極と陰極との間に発光材料からなる発光層を有する。一方、多層型有機ＥＬ素子は、（陽極／正孔注入層／発光層／陰極）、（陽極／発光層／電子注入層／陰極）、（陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極）等の多層構成で積層した有機ＥＬ素子である。本発明の有機ＥＬ素子用材料は、前記いずれの層にも使用できるが、これら一層型ないし多層型有機ＥＬ素子の発光材料として好適に使用することができる。特に、本有機ＥＬ素子用発光材料を用いて一層型有機ＥＬ素子を作成する場合、陽極から注入した正孔または陰極から注入した電子を発光材料まで効率よく輸送させるための正孔注入材料または電子注入材料を含有させることができる。
【００８５】
ここで、正孔注入材料とは、発光層または発光材料に対して優れた正孔注入効果を示し、発光層で生成した励起子の電子注入層または電子注入材料への移動を防止し、かつ薄膜形成性に優れた化合物を意味する。そのような正孔注入材料の例としては、フタロシアニン系化合物、ナフタロシアニン系化合物、ポルフィリン系化合物、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、イミダゾロン、イミダゾールチオン、ピラゾリン、ピラゾロン、テトラヒドロイミダゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、ヒドラゾン、アシルヒドラゾン、ポリアリールアルカン、スチルベン、ブタジエン、ベンジジン型トリフェニルアミン、スチリルアミン型トリフェニルアミン、ジアミン型トリフェニルアミン等と、それらの誘導体、およびポリビニルカルバゾール、ポリシラン、導電性ポリマー等があげられるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００８６】
上記正孔注入材料の中でも特に効果的な正孔注入材料としては、芳香族三級アミン誘導体またはフタロシアニン誘導体があげられる。芳香族三級アミン誘導体としては、トリフェニルアミン、トリトリルアミン、トリルジフェニルアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−（４−メチルフェニル）−１，１’−フェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−（４−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジナフチル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−（メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−（４−ｎ−ブチルフェニル）−フェナントレン−９，１０−ジアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ジ−４−トリルアミノフェニル）−４−フェニル−シクロヘキサン、またはこれらの芳香族三級アミン骨格を有するオリゴマーまたはポリマーがあげられる。また、フタロシアニン（Ｐｃ）誘導体としては、Ｈ2Ｐｃ、ＣｕＰｃ、ＣｏＰｃ 、ＮｉＰｃ、ＺｎＰｃ、ＰｄＰｃ、ＦｅＰｃ、ＭｎＰｃ、ＣｌＡｌＰｃ、ＣｌＧａＰｃ、ＣｌＩｎＰｃ、ＣｌＳｎＰｃ、Ｃｌ2ＳｉＰｃ、（ＨＯ）ＡｌＰｃ、（ＨＯ）ＧａＰｃ、ＶＯＰｃ、ＴｉＯＰｃ、ＭｏＯＰｃ、ＧａＰｃ−Ｏ−ＧａＰｃ等のフタロシアニン誘導体およびナフタロシアニン誘導体があげられる。以上述べた正孔注入材料は、更に電子受容材料を添加して増感させることもできる。
【００８７】
一方、電子注入材料とは、発光層または発光材料に対して優れた電子注入効果を示し、発光層で生成した励起子の正孔注入層または正孔注入材料への移動を防止し、かつ薄膜形成性に優れた化合物を意味する。そのような電子注入材料の例としては、キノリン金属錯体、オキサジアゾール、ベンゾチアゾール金属錯体、ベンゾオキサゾール金属錯体、ベンゾイミダゾール金属錯体、フルオレノン、アントラキノジメタン、ジフェノキノン、チオピランジオキシド、オキサジアゾール、チアジアゾール、テトラゾール、ペリレンテトラカルボン酸、フレオレニリデンメタン、アントラキノジメタン、アントロン等とそれらの誘導体があげられる。また、セシウム等の金属をバソフェナントロリンにドープした無機／有機複合材料（例えば、高分子学会予稿集，第５０巻，４号，６６０頁，２００１年発行）も電子注入材料の例としてあげられるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００８８】
上記電子注入材料の中でも特に効果的な電子注入材料としては、金属錯体化合物または含窒素五員環誘導体があげられる。ここで、金属錯体化合物の中でも、下記一般式［６］で示される化合物は好適に使用することができる。
一般式［６］
【化８】
【００８９】
ここで一般式［６］について説明する。一般式［６］で示される化合物のＱ1〜Ｑ4は、置換もしくは未置換のヒドロキシキノリン誘導体または置換もしくは未置換のヒドロキシベンゾキノリン誘導体である。ここでいう置換基とは、一般式［１］中のＲ1およびＲ2における置換基と同義である。
【００９０】
また、Ｌは、ハロゲン原子、置換もしくは未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のシクロアルキル基、置換もしくは未置換のアリール基、置換もしくは未置換の芳香族複素環基を表す。ここでいう置換基とは、一般式［１］中のＲ1およびＲ2における置換基と同義である。また、置換もしくは未置換のシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデカニル基等をあげることができる。
【００９１】
したがって、一般式［６］で示される化合物の具体例としては、ビス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）（１−ナフトラート）ガリウム錯体、ビス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）（２−ナフトラート）ガリウム錯体、ビス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）（フェノラート）ガリウム錯体、ビス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）（４−シアノ−１−ナフトラート）ガリウム錯体、ビス（２、４−ジメチル−８−ヒドロキシキノリナート）（１−ナフトラート）ガリウム錯体、ビス（２、５−ジメチル−８−ヒドロキシキノリナート）（２−ナフトラート）ガリウム錯体、ビス（２−メチル−５−フェニル−８−ヒドロキシキノリナート）（フェノラート）ガリウム錯体、ビス（２−メチル−５−シアノ−８−ヒドロキシキノリナート）（４−シアノ−１−ナフトラート）ガリウム錯体、ビス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）クロロガリウム錯体、ビス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）（ｏ−クレゾラート）ガリウム錯体等があげられるが、本発明はこれらに限定されるものではない。尚、これら一般式［６］で示される化合物は、特開平１０−８８１２１号公報記載の方法により合成することが可能である。
【００９２】
その他、本発明に使用可能な電子注入材料の内、好ましい金属錯体化合物としては、８−ヒドロキシキノリナートリチウム、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）亜鉛、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）銅、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）マンガン、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）ガリウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナート）ベリリウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナート）亜鉛等があげられる。
【００９３】
また、本発明に使用可能な電子注入材料の内、好ましい含窒素五員誘導体としては、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾールまたはトリアゾール誘導体があげられ、具体的には、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−オキサゾール、ジメチルＰＯＰＯＰ、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−チアゾール、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４’−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−(４”−ビフェニル)１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、１，４−ビス［２−(５ −フェニルオキサジアゾリル)］ベンゼン、１，４−ビス［２−(５−フェニルオキサジアゾリル)−４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼン］、２−（４’−ｔｅｒｔ− ブチルフェニル）−５−(４”−ビフェニル)−１，３，４−チアジアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−チアジアゾール、１，４−ビス［２−(５−フェニルチアジアゾリル)］ベンゼン、２−（４’−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−(４”−ビフェニル)−１，３，４−トリアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−トリアゾール、１，４−ビス［２−(５−フェ ニルトリアゾリル)］ベンゼン等があげられる。以上述べた電子注入材料は、更に電子供与性材料を添加して増感させることもできる。
【００９４】
また、本発明の有機ＥＬ素子用材料は、発光層中にドーピングして使用することも可能である。この場合、本有機ＥＬ素子用材料は、以下に説明するホスト材料に対して０．００１〜５０重量％の範囲で含有されることが好ましく、更には０．０１〜１０重量％の範囲で含有されることがより好ましい。
【００９５】
本発明の有機ＥＬ素子用材料をドーピング材料として用いた時に共に使用できるホスト材料としては、キノリン金属錯体、ベンゾキノリン金属錯体、ベンゾオキサゾール金属錯体、ベンゾチアゾール金属錯体、ベンゾイミダゾール金属錯体、ベンゾトリアゾール金属錯体、イミダゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体等の電子輸送性材料。または、スチルベン誘導体、ブタジエン誘導体、ベンジジン型トリフェニルアミン誘導体、スチリルアミン型トリフェニルアミン誘導体、ジアミノアントラセン型トリフェニルアミン誘導体、ジアミノフェナントレン型トリフェニルアミン誘導体等の正孔輸送性材料、およびポリビニルカルバゾール、ポリシラン等の導電性高分子の高分子材料等があげられる。
【００９６】
また、本有機ＥＬ素子における発光層中には、本発明の有機ＥＬ素子用材料の他に、他の発光材料やドーピング材料を二種類以上組み合わせて使用することもできる。この場合は本発明の有機ＥＬ素子用材料はホスト材料として機能する場合もある。本発明の有機ＥＬ素子用材料と共に使用できる他の発光材料やドーピング材料としては、アントラセン、ナフタレン、フェナントレン、ピレン、テトラセン、コロネン、クリセン、フルオレセイン、ペリレン、フタロペリレン、ナフタロペリレン、ペリノン、フタロペリノン、ナフタロペリノン、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、クマリン、オキサジアゾール、アルダジン、ビスベンゾキサゾリン、ビススチリル、ピラジン、シクロペンタジエン、キノリン金属錯体、アミノキノリン金属錯体、イミン、ジフェニルエチレン、ビニルアントラセン、ジアミノカルバゾール、ピラン、チオピラン、ポリメチン、メロシアニン、イミダゾールキレート化オキシノイド化合物、キナクリドン、ルブレン等およびそれらの誘導体があげられる。
【００９７】
本有機ＥＬ素子における発光層中には、本発明の有機ＥＬ素子用材料の他に、必要に応じて、他の発光材料やドーピング材料のみならず、先に述べた正孔注入材料や電子注入材料を二種類以上組み合わせて使用することもできる。また、正孔注入層、発光層、電子注入層は、それぞれ二層以上の層構成により形成されても良い。
【００９８】
さらに、本発明の有機ＥＬ素子の陽極に使用される導電性材料は、４ｅＶより大きな仕事関数を持つものが適しており、そのようなものとしては、炭素、アルミニウム、バナジウム、鉄、コバルト、ニッケル、タングステン、銀、金、白金、パラジウム等およびそれらの合金、ＩＴＯ基板、ＮＥＳＡ基板と称される酸化スズ、酸化インジウム等の酸化金属、さらにはポリチオフェンやポリピロール等の有機導電性ポリマーがあげられる。
【００９９】
また、本発明の有機ＥＬ素子の陰極に使用される導電性材料は、４ｅＶより小さな仕事関数を持つものが適しており、そのようなものとしては、マグネシウム、カルシウム、錫、鉛、チタニウム、イットリウム、リチウム、フッ化リチウム、ルテニウム、マンガン等およびそれらの合金があげられる。ここで、合金としては、マグネシウム／銀、マグネシウム／インジウム、リチウム／アルミニウム等が代表例としてあげられるが、これらに限定されるものではない。合金の比率は、調製時の加熱温度、雰囲気、真空度により制御可能なため、適切な比率からなる合金が調製可能である。これら陽極および陰極は、必要があれば二層以上の層構成により形成されていても良い。
【０１００】
本発明の有機ＥＬ素子を効率良く発光させるためには、素子を構成する材料は素子の発光波長領域において充分透明であることが望ましく、同時に基板も透明であることが望ましい。透明電極は、上記の導電性材料を使用して蒸着やスパッタリング等の方法で作成することができる。特に、発光面の電極は、光透過率が１０％以上であることが望ましい。基板は、機械的、熱的強度を有し、透明であれば特に限定されるものではないが、例えば、ガラス基板、ポリエチレン、ポリエーテルサルフォン、ポリプロピレン等の透明性ポリマーが推奨される。
【０１０１】
また、本発明の有機ＥＬ素子の各層の形成方法としては、真空蒸着、スパッタリング、プラズマ、イオンプレーティング等の乾式成膜法、もしくはスピンコーティング、ディッピング、フローコーティング等の湿式成膜法のいずれかの方法を適用することができる。各層の膜厚は特に限定されるものではないが、適切な膜厚に設定する必要がある。膜厚が厚すぎると、一定の光出力を得るために大きな印加電圧が必要となり効率が悪くなる。逆に膜厚が薄すぎると、ピンホール等が発生し、電界を印加しても充分な発光輝度が得ら難くなる。したがって、通常の膜厚は、１ｎｍから１μｍの範囲が適しているが、１０ｎｍから０．２μｍの範囲がより好ましい。
【０１０２】
湿式成膜法の場合、各層は、それを構成する材料をトルエン、クロロホルム、テトラヒドロフラン、ジオキサン等の適切な溶媒に溶解または分散して薄膜を形成する。ここで用いられる溶媒は単一あるいは混合したもののいずれでも構わない。また、いずれの湿式成膜法においても、成膜性向上、膜のピンホール防止等のため適切なポリマーや添加剤を使用しても良い。このようなポリマーとしては、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン、ポリスルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、セルロース等の絶縁性ポリマー、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリシラン等の光導電性ポリマー、ポリチオフェン、ポリピロール等の導電性ポリマーを挙げることができる。また、添加剤としては、酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤等をあげることができる。本発明の材料を湿式で成膜する際には、各化合物の分子間の親和性が良いため、単独では凝集性が高く膜が不均一になりやすい化合物でも、凝集性の低い誘導体との混合材料にすることにより良好な膜を得ることができる。
【０１０３】
また、本発明により得られた有機ＥＬ素子の温度、湿度、雰囲気等に対する安定性向上のために、さらに素子の表面に保護層を設けたり、シリコンオイル、ポリマー等により素子全体を被覆しても良い。
【０１０４】
以上述べたように、本有機ＥＬ素子用材料を用いて作成した有機ＥＬ素子は、発光効率、最大発光輝度等の特性を向上させることが可能である。また、本有機ＥＬ素子は、低い駆動電圧で実用的に使用可能の発光輝度が得られるため、従来まで大きな問題であった劣化も低減させることが可能である。故に、本有機ＥＬ素子は、壁掛けテレビ等のフラットパネルディスプレイや平面発光体として、さらには、複写機やプリンター等の光源、液晶ディスプレイや計器類等の光源、表示板、標識灯等への応用が考えられる。
【０１０５】
【実施例】
以下、実施例にて本発明を具体的に説明するが、本発明は下記実施例に何ら限定されるものではない。はじめに、実施例に先立って本発明の有機ＥＬ素子用材料の合成例を述べる。
【０１０６】
合成例１
化合物（２）の合成方法
キシレン２００ｍｌ中に、４−ブロモフェニルビス（４−メチルフェニル）アミン６．９ｇ、３−アミノペリレン２．４ｇ、ナトリウム-t-ブトキシド２．０ｇ、酢酸パラジウム０．１０ｇおよびトリ-t-ブチルホスフィン０．３６ｇを加え、窒素雰囲気下、攪拌しながら２時間加熱還流した。放冷後濾過し、濾液を濃縮してシリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィーにより精製し、化合物（２）５．２ｇを得た。マススペクトル、ＮＭＲスペクトル、元素分析による分析により構造を確認した。第１図にテトラヒドロフラン−ｄ8溶液中で測定した化合物（２）の1Ｈ−ＮＭＲスペクトル（テトラメチルシランの吸収ピークを基準とする）を示す。
【０１０７】
合成例２
化合物（３）の合成方法
トルエン１００ｍｌ中に、４−ブロモフェニルビス（２，４−ジメチルフェニル）アミン１０．３ｇ、３−アミノペリレン３．４ｇ、ナトリウム-t-ブトキシド３．２ｇ、酢酸パラジウム０．１２ｇおよびトリ-t-ブチルホスフィン０．４１ｇを加え、窒素雰囲気下、攪拌しながら４時間加熱還流した。放冷後濾過し、濾液を濃縮してシリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィーにより精製し、化合物（３）９．３ｇを得た。マススペクトル、ＮＭＲスペクトル、元素分析による分析により構造を確認した。第２図にトルエン溶液中で測定した化合物（３）の発光スペクトルを示す。
【０１０８】
合成例３
化合物（３９）の合成方法
キシレン５００ｍｌ中に、９−（４−クロロフェニル）カルバゾール３５．０ｇ、３−アミノペリレン１６．０ｇ、ナトリウム-t-ブトキシド１３．８ｇ、酢酸パラジウム０．６７ｇおよびトリ-t-ブチルホスフィン２．４３ｇを加え、窒素雰囲気下、攪拌しながら８時間加熱還流した。放冷後濾過し、濾液を濃縮してシリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィーにより精製し、化合物（３９）３０．１ｇを得た。マススペクトル、ＮＭＲスペクトル、元素分析による分析により構造を確認した。第３図にＣＤＣｌ3溶液中で測定した化合物（３９）の1Ｈ−ＮＭＲスペクトル（テトラメチルシランの吸収ピークを基準とする）を示す。
【０１０９】
合成例４
化合物（４９）の合成方法
キシレン５００ｍｌ中に、ジフェニル−４−ヨードビフェニル−４−イルアミン１９．７ｇ、３−アミノペリレン５．３ｇ、ナトリウム-t-ブトキシド５．４ｇ、酢酸パラジウム０．２２ｇおよびトリ-t-ブチルホスフィン０．８１ｇを加え、窒素雰囲気下、攪拌しながら３時間加熱還流した。放冷後濾過し、濾液を濃縮してシリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィーにより精製し、化合物（４９）１２．９ｇを得た。マススペクトル、ＮＭＲスペクトル、元素分析による分析により構造を確認した。第４図にテトラヒドロフラン−ｄ8溶液中で測定した化合物（４９）の1Ｈ−ＮＭＲスペクトル（テトラメチルシランの吸収ピークを基準とする）を示す。
【０１１０】
合成例５
化合物（６４）の合成方法
キシレン５００ｍｌ中に、４−ブロモトルエン８．７ｇ、３−アミノペリレン１３．６ｇ、ナトリウム-t-ブトキシド５．４３ｇ、酢酸パラジウム０．２９ｇおよびトリ-t-ブチルホスフィン１．０ｇを加え、窒素雰囲気下、攪拌しながら８０℃で８時間加熱した。放冷後濾過し、濾液を濃縮してシリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィーにより精製し、３−ペリレニル−４−メチルフェニルアミン１１．３ｇを得た。続いてキシレン２００ｍｌ中に、４−ブロモフェニルビス（４−メチルフェニル）アミン２．３ｇ、３−ペリレニル−４−メチルフェニルアミン２．１ｇ、ナトリウム-t-ブトキシド０．６６ｇ、酢酸パラジウム０．０３ｇおよびトリ-t-ブチルホスフィン０．１２ｇを加え、窒素雰囲気下、攪拌しながら２時間加熱還流した。放冷後濾過し、濾液を濃縮してシリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィーにより精製し、化合物（６４）３．１ｇを得た。マススペクトル、ＮＭＲスペクトル、元素分析による分析により構造を確認した。第５図にテトラヒドロフラン−ｄ8溶液中で測定した化合物（６４）の1Ｈ−ＮＭＲスペクトル（テトラメチルシランの吸収ピークを基準とする）を示す。
【０１１１】
以下に本発明の化合物を用いた実施例を示す。本例では、特に断りのない限り、混合比は全て重量比を示す。また、電極面積２ｍｍ×２ｍｍの有機ＥＬ素子の特性を測定した。尚、実施にあたって下記に示す公知の材料を用いた。
（比較化合物Ａ）
【０１１２】
【化９】
（比較化合物Ｂ）
【０１１４】
【化１０】
（比較化合物Ｃ）
【０１１６】
【化１１】
（比較化合物Ｄ）
【０１１８】
【化１２】
（ＤＣＪＴＢ）
【０１２０】
【化１３】
実施例１
洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、発光材料として表１の化合物（１）、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、ポリカーボネート樹脂（帝人化成：パンライトＫ−１３００）を１：２：１０の重量比でテトラヒドロフランに溶解させ、スピンコーティング法により膜厚１００ｎｍの発光層を得た。その上に、マグネシウムと銀を１０：１（重量比）で混合した合金で膜厚１５０ｎｍの電極を形成して有機ＥＬ素子を得た。この素子の発光特性は、直流電圧１０Ｖでの発光輝度５５０（ｃｄ／ｍ2）、最大発光輝度７４０（ｃｄ／ｍ2）、発光効率０．４９（ｌｍ／Ｗ）の発光が得られた。
【０１２２】
実施例２
洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、Ｎ，Ｎ’―（３―メチルフェニル）―Ｎ，Ｎ’―ジフェニル―１，１’―ビフェニル-４，４’―ジアミン（ＴＰＤ）とポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）を１：１の重量比で１，２−ジクロロエタンに溶解させ、スピンコーティング法により膜厚５０ｎｍの正孔注入層を得た。次いで、表１の化合物（３）を蒸着し膜厚６０ｎｍの電子注入型発光層を作成し、その上に、マグネシウムと銀を１０：１（重量比）で混合した合金で膜厚１００ｎｍの電極を形成して有機ＥＬ素子を得た。この素子の発光特性は、直流電圧１０Ｖでの発光輝度１３００（ｃｄ／ｍ2）、最大発光輝度１８００（ｃｄ／ｍ2）、発光効率０．７１（ｌｍ／Ｗ）の発光が得られた。
【０１２３】
実施例３
洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、ＴＰＤとポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）を１：１の重量比で１，２−ジクロロエタンに溶解させ、スピンコーティング法により膜厚５０ｎｍの正孔注入層を得た。次いで、表１の化合物（５）とトリス（８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム錯体（Ａｌｑ３）との１：５０の重量比からなる混合物を蒸着し、膜厚６０ｎｍの電子注入型発光層を作成し、その上に、マグネシウムと銀を１０：１（重量比）で混合した合金で膜厚１００ｎｍの電極を形成して有機ＥＬ素子を得た。この素子の発光特性は、直流電圧１０Ｖでの発光輝度１９００（ｃｄ／ｍ2）、最大発光輝度３３００（ｃｄ／ｍ2）、発光効率１．２（ｌｍ／Ｗ）の発光が得られた。
【０１２４】
実施例４
洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、表１の化合物（１１）を塩化メチレンに溶解させ、スピンコーティング法により膜厚５０ｎｍの正孔注入型発光層を得た。次いで、ビス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）（１−ナフトラート）ガリウム錯体を真空蒸着して膜厚４０ｎｍの電子注入層を作成し、その上に、マグネシウムと銀を１０：１（重量比）で混合した合金で膜厚１００ｎｍの電極を形成して有機ＥＬ素子を得た。電子注入層は１０-6Ｔｏｒｒの真空中で、基板温度室温の条件下で蒸着した。この素子は、直流電圧６Ｖでの発光輝度３１００（ｃｄ／ｍ2） 、最大発光輝度１１３００（ｃｄ／ｍ2）、発光効率２．４（ｌｍ／ Ｗ）の発光が得られた。
【０１２５】
実施例５
洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、表１の化合物（２０）を真空蒸着して膜厚５０ｎｍの正孔注入型発光層を得た。次いで、ビス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）（ｐ−シアノフェノラート）ガリウム錯体を真空蒸着して膜厚３０ｎｍの電子注入層を作成し、その上に、マグネシウムと銀を１０：１（重量比）で混合した合金で膜厚１００ｎｍの電極を形成して有機ＥＬ素子を得た。各層は１０-6Ｔｏｒｒの真空中で、基板温度室温の条件下で蒸着した。この素子は、直流電圧６Ｖでの発光輝度３６００（ｃｄ／ｍ2）、最大発光輝度１２４００（ｃｄ ／ｍ2）、発光効率２．５（ｌｍ／Ｗ）の発光が得られた。
【０１２６】
実施例６
洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、ＴＰＤを真空蒸着して膜厚２０ｎｍの正孔注入層を得た。次いで、表１の化合物（４６）を蒸着し膜厚４０ｎｍの発光層を作成し、次いでＡｌｑ３を蒸着して膜厚３０ｎｍの電子注入層を得た。その上に、マグネシウムと銀を１０：１（重量比）で混合した合金で膜厚２００ｎｍの電極を形成して有機ＥＬ素子を得た。各層は１０-6Ｔｏｒｒの真空中で、基板温度室温の条件下で蒸着した。この素子は直流電圧６Ｖで発光輝度６４００（ｃｄ／ｍ2）の発光が得られた。また、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ2）で定電流駆動したときの半減寿命は１０００時間であった。
【０１２７】
比較例１
化合物（４６）の代わりに前記比較化合物Ａを成膜して用いる以外は、実施例６と同様の方法で有機ＥＬ素子を作製した。この素子は直流電圧６Ｖでの発光輝度は１６００（ｃｄ／ｍ2）であった。また、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ2）で定電流駆動したときの半減寿命は２６０時間であった。
【０１２８】
実施例７
洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、ＴＰＤを真空蒸着して膜厚４０ｎｍの正孔注入層を得た。次いで、表１の化合物（４７）とＡｌｑ３を１：５０（重量比）の組成比で共蒸着して膜厚３０ｎｍの発光層を得た。さらにＡｌｑ３を蒸着して膜厚３０ｎｍの電子注入層を得た。その上に、マグネシウムと銀を１０：１（重量比）で混合した合金で膜厚２００ｎｍの電極を形成して有機ＥＬ素子を得た。各層は１０-6Ｔｏｒｒの真空中で、基板温度室温の条件下で蒸着した。この素子は、直流電圧６Ｖでの発光輝度が７２００（ｃｄ／ｍ2）、２０Ｖでの発光輝度が５７０００（ｃｄ／ｍ2）の発光が得られた。また、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ2）で定電流駆動したときの半減寿命は１２００時間であった。
【０１２９】
比較例２
化合物（４７）の代わりに前記比較化合物Ｃを成膜して用いる以外は、実施例１５と同様の方法で有機ＥＬ素子を作製した。この素子は直流電圧２０Ｖでの発光輝度は２１０００（ｃｄ／ｍ2）であった。また、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ2）で定電流駆動したときの半減寿命は２４０時間であった。
【０１３０】
実施例８〜３４および比較例３〜６
洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、４，４'−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）を真空蒸着して膜厚３０ｎｍの正孔注入層を形成した。次いで、表１の化合物を真空蒸着し、膜厚３０ｎｍの発光層を得た。さらに、ビス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）（フェノラート）ガリウム錯体を真空蒸着して膜厚３０ｎｍの電子注入層を作成し、その上に、マグネシウムと銀を１０：１（重量比）で混合した合金で膜厚１００ｎｍの電極を形成して有機ＥＬ素子を得た。各層は１０-6Ｔｏｒｒの真空中で、基板温度室温の条件下で蒸着した。この素子の発光特性を表２に示す。本実施例の有機ＥＬ素子は全て、最大発光輝度３５０００（ｃｄ／ｍ2）以上の高い輝度特性を示した。同様に比較例として、前記比較化合物Ａ〜Ｄを成膜して用いる以外は、実施例８と同様の方法で有機ＥＬ素子を作製した。この素子の発光特性を表２に併せて示す。いずれの場合も、最大発光輝度、最大発光効率共に、本実施例で作成した素子よりも劣っていることは明らかである。
【０１３１】
【表２】
実施例３７
洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、α−ＮＰＤを真空蒸着して膜厚２０ｎｍの正孔注入層を得た。次いで、表１の化合物（６１）とＡｌｑ３を１：５０の重量比で共蒸着して膜厚４０ｎｍの発光層を作成し、次いでＡｌｑ３を蒸着して膜厚３０ｎｍの電子注入層を得た。その上にまず、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を０．５ｎｍ、さらにアルミニウム（Ａｌ）を２００ｎｍ真空蒸着によって電極を形成して有機ＥＬ素子を得た。各層は１０-6Ｔｏｒｒの真空中で、基板温度室温の条件下で蒸着した。この素子は直流電圧７Ｖでの発光輝度６８００（ｃｄ／ｍ2）、最大発光輝度４３２００（ｃｄ／ｍ2）、発光効率４．１（ｌｍ／Ｗ）の発光が得られた。
【０１３３】
実施例３８
発光層として、表１の化合物（４）と化合物（４９）を１：１０の重量比率で蒸着した膜厚３０ｎｍの薄膜を設ける以外は、実施例８と同様の方法で有機ＥＬ素子を作製した。この素子は、直流電圧７Ｖでの発光輝度６４００（ｃｄ／ｍ2）、最大発光輝度３９９００（ｃｄ／ｍ2）、発光効率４．３（ｌｍ／ Ｗ）の発光が得られた。
【０１３４】
実施例３９
発光層として、表１の化合物（１９）とビス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）（フェノラート）ガリウム錯体を１：５０の重量比率で蒸着した膜厚３０ｎｍの薄膜を設ける以外は、実施例８と同様の方法で有機ＥＬ素子を作製した。この素子は、直流電圧７Ｖでの発光輝度６５００（ｃｄ／ｍ2）、最大発光輝度３７８００（ｃｄ ／ｍ2）、発光効率４．０（ｌｍ／Ｗ）の発光が得られた。
【０１３５】
実施例４０
発光層として、表１の化合物（３３）とα−ＮＰＤを１：１０の重量比率で蒸着した膜厚３０ｎｍの薄膜を設ける以外は、実施例８と同様の方法で有機ＥＬ素子を作製した。この素子は、直流電圧７Ｖでの発光輝度７２００（ｃｄ／ｍ2）最大発光輝度４１３００（ｃｄ／ｍ2）、発光効率４．２（ｌｍ／ Ｗ）の発光が得られた。
【０１３７】
実施例４２
発光層として、表１の化合物（５０）とＤＣＪＴＢを１００：５の重量比率で蒸着した膜厚３０ｎｍの薄膜を設ける以外は、実施例８と同様の方法で有機ＥＬ素子を作製した。この素子は、直流電圧７Ｖでの発光輝度５２００（ｃｄ／ｍ2）最大発光輝度３８２００（ｃｄ／ｍ2）、発光効率３．４（ｌｍ／ Ｗ）の発光が得られた。
【０１３８】
実施例４３
洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、α−ＮＰＤを真空蒸着して、膜厚４０ｎｍの正孔注入層を得た。次いで、表１の化合物（１２）を真空蒸着して膜厚１０ｎｍの第一発光層を形成した後、表１の化合物（４９）を真空蒸着して膜厚３０ｎｍの第二発光層を作成し、さらにビス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）（フェノラート）ガリウム錯体を真空蒸着して膜厚３０ｎｍの電子注入層を作成し、その上に、マグネシウムと銀を１０：１（重量比）で混合した合金で膜厚１００ｎｍの電極を形成して有機ＥＬ素子を得た。各層は１０-6Ｔｏｒｒの真空中で、基板温度室温の条件下で蒸着した。この素子は、直流電圧７Ｖでの発光輝度６６００（ｃｄ／ｍ2）、最大発光輝度３８３００（ｃ ｄ／ｍ2）、発光効率３．８（ｌｍ／Ｗ）の発光が得られた。
【０１３９】
実施例４４
洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、４，４’，４”−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミンを真空蒸着して、膜厚６０ｎｍの第一正孔注入層を得た。次いで、α−ＮＰＤを真空蒸着して、膜厚２０ｎｍの第二正孔注入層を得た。さらに、表１の化合物（４５）を真空蒸着して、膜厚１０ｎｍの発光層を作成し、さらにＡｌｑ３を真空蒸着して膜厚３０ｎｍの電子注入層を作成した。その上に、ＬｉＦを０．２ｎｍ、次いでＡｌを１５０ｎｍ真空蒸着することで電極を形成して、有機ＥＬ素子を得た。各層は１０-6Ｔｏｒｒの真空中で、基板温度室温の条件下で蒸着した。この素子は、直流電圧７Ｖでの発光輝度８４００（ｃｄ／ｍ2）、最大発光輝度４３６００（ｃ ｄ／ｍ2）、発光効率４．４（ｌｍ／Ｗ）の発光が得られた。
【０１４０】
実施例４５
発光層として、表１の化合物（４９）とＡｌｑ３を１：１００の重量比率で蒸着した膜厚３０ｎｍの薄膜を設ける以外は、実施例４４と同様の方法で有機ＥＬ素子を作製した。この素子は、直流電圧７Ｖでの発光輝度３４８００（ｃｄ／ｍ2）、発光効率４．２（ｃｄ／Ａ）の発光が得られた。また、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ2）で定電流駆動したときの半減寿命は１５００時間であった。
【０１４１】
比較例７
化合物（４９）の代わりに前記比較化合物Ｂを用いる以外は、実施例４５と同様の方法で有機ＥＬ素子を作製した。この素子は直流電圧７Ｖでの発光輝度は１３０００（ｃｄ／ｍ2）であり、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ2）で定電流駆動したときの半減寿命は２５０時間であった。
【０１４２】
実施例４６
４，４’，４”−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミンの代わりに銅フタロシアニンの膜厚２０ｎｍの正孔注入層を設ける以外は、実施例４５と同様の方法で有機ＥＬ素子を作製した。この素子は、直流電圧７Ｖでの発光輝度３３１００（ｃｄ／ｍ2）、発光効率４．０（ｃｄ／Ａ）の発光が得られた。また、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ2）で定電流駆動したときの半減寿命は１７００時間であった。
【０１４３】
比較例８
化合物（４９）の代わりに前記比較化合物Ｄを用いる以外は、実施例４６と同様の方法で有機ＥＬ素子を作製した。この素子は、直流電圧７Ｖでの発光輝度１５３００（ｃｄ／ｍ2）であり、発光輝度５００（ｃｄ／ｍ2）で定電流駆動したときの半減寿命は２７０時間であった。
【０１４４】
以上述べた実施例から明らかなように、本発明の有機ＥＬ素子は発光効率、発光輝度の向上と長寿命化を達成するものであり、併せて使用される発光材料、ドーピング材料、正孔注入材料、電子注入材料、増感剤、樹脂、電極材料等および素子作製方法を限定するものではない。
【０１４５】
【発明の効果】
本発明の有機ＥＬ素子用材料に用いて作成した有機ＥＬ素子は、従来に比べて高輝度かつ長寿命であるため、壁掛けテレビ等のフラットパネルディスプレイや平面発光体として好適に使用することができ、複写機やプリンター等の光源、液晶ディスプレイや計器類等の光源、表示板、標識灯等への応用が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】合成例１で得た化合物（２）のテトラヒドロフラン−ｄ8溶液中での1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図２】合成例２で得た化合物（３）のトルエン溶液中での発光スペクトルを示す。
【図３】合成例３で得た化合物（３９）のＣＤＣｌ3溶液中での1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図４】合成例４で得た化合物（４９）のテトラヒドロフラン−ｄ8溶液中での1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す。
【図５】合成例５で得た化合物（６４）のテトラヒドロフラン−ｄ8溶液中でのの1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す（尚、図１、４、５中、1Ｈ−ＮＭＲスペクトルはいずれもテトラメチルシランの吸収ピークを基準とする）。
Claims (6)
- 下記一般式［１］で表される化合物であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
一般式［１］
一般式［２］
、
のいずれかである（ここに、Ｒ5〜Ｒ8は、水素原子、置換もしくは未置換の１価の脂肪族炭化水素基、置換もしくは未置換の１価の芳香族炭化水素基のいずれかである）。Ａｒ2とＲ3、Ａｒ2とＸ1、Ａｒ2とＲ3、Ａｒ2とＲ4、Ｘ1とＲ3、Ｘ1とＲ4、Ｒ3とＲ4は、互いに結合して環を形成していても良い。］ - Ｒ1およびＲ2が、いずれも一般式［２］で表される１価の有機残基であることを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
- Ｘ1が、直接結合であることを特徴とする請求項１または２記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
- 陽極と陰極とからなる一対の電極間に一層または多層の有機層を形成してなる有機エレクトロルミネッセンス素子において、少なくとも一層が請求項１ないし３いずれか記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含有する層である有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 陽極と陰極とからなる一対の電極間に少なくとも一層の発光層を形成してなる有機エレクトロルミネッセンス素子において、発光層が請求項１ないし３いずれか記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含有する層である有機エレクトロルミネッセンス素子。
- さらに、発光層と陰極との間に少なくとも一層の電子注入層を形成してなる請求項５記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
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