JPH02247278A - エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は新規な有機エレクトロルミネッセンス素子に関
するものである。さらに詳しくいえば、本発明は、耐熱
性に優れ、歩留りよく作製しうる高輝度で安定性の良好
な緑色発光の有機エレクトロルミネッセンス素子に関す
るものである。

［従来の技術］ 近年、エレクトロルミネッセンス素子（以下、ＥＬ素子
と略称する）は自己発光のため視認性が高く、かつ完全
固体素子であるため、耐衝撃性に優れるなどの特徴を有
することから、各種表示装置における発光素子としての
利用が注目されている。

このＥＬ素子には発光材料に無機化合物を用いて成る無
＠ＥＬ素子と有機化合物を用いて成る有機ＥＬ素子とが
あり、このうち、有機ＥＬ素子は印加電圧を大幅に低く
しうるために、その実用化研究が積極的になされている
。

前記有機ＥＬ素子の構成については、陽極／発光層／陰
極の構成を基本と、これに正孔注入層や電子注入層を適
宜設けたもの、例えば陽極／正孔注入層／発光層／陰極
や、陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極など
の構成のものが知られている。該正孔注入層は、陽極よ
り注入されｔ；正孔を発光層に伝達する機能を有し、ま
た、電子注入層は陰極より注入された電子を発光層に伝
達する機能を有している。そして、該正孔注入層を発光
層と陽極との間に介在させることによって、より低い電
界で多くの正孔が発光層に注入され、さらに、発光層に
陰極又は電子注入層より注入された電子は、該発光層と
正孔注入層の界面に存在する電子の障壁により、この発
光層内の界面に蓄積され発光効率が上がることが知られ
ている〔「アズライド・フィジックス・レターズ」第５
１巻、第９１３ページ（１９８７年）Ｊｏ一方、前記有
機ＥＬ素子においては、有機発光層に電子を注入するに
は、使用される陰極が仕事関数の低いものほど有利であ
り、例えばナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マ
グネシウム、リチウムなど、仕事関数が４ｅＶ以下の金
属から成る陰極を用いた素子は歴史的に有名な公知のこ
とである。［「エレクトロニック・プロセシーズ・イン
・オルガニック・クリスタルズ（Ｅｔｅｃｔｒｉｃ　　
Ｐｒｏｃｅｓｓｅｓ　　ＩｎＯｒｇａｎｉｃ　　Ｃｒｙ
ｓｔａｌｓ）」パーガモン・プレス、二ニー・ヨーク（
１９８ｘ年）］。

このような有機ＥＬ素子としては、例えば（１）８−ヒ
ドロキシキノリンのアルミニウム錯体を発光層の材料と
し、かつジアミン系化合物を正孔注入層の材料とした陽
極／正孔注入層／発光層／陰極の構成から成る積層型Ｅ
Ｌ素子［「アプライド・フィジックス・レターズ（Ａｐ
ｐ　１．Ｐｈｙｓ。

Ｌｅｔｔ、）Ｊ第５１巻、第９１３ページ（１９８７年
）］、（２）発光帯域に８−ヒドロキンキノリンのアル
ミニウム錯体を用いた陽極／正孔注入帯域／有機発光帯
域／陰極の構成から成る積層型ＥＬ素子（特開昭５９−
１９４３９３号公報）、（３）陽極／正孔注入帯／発光
帯／陰極の構成から成り、かつ発光帯がホスト物質と蛍
光性物質で形成されたＥＬ素子（欧州特許公開公報第２
８１３８１号）などが知られている。

しかしながら、前記（１）及び（２）のＥＬ素子におい
ては、低電圧で高輝度の発光が得られているものの、発
光材料として用いられる８−ヒドロキンキノリンの３０
０℃程度以上の温度では容易に熱分解するため、蒸着の
際、蒸着源の温度を３００°Ｃ程度以下と蒸発温度ぎり
ぎりに低く抑える必要があって、素子作製条件が雌しく
しかも蒸着速度が遅いので素子の生産性の低下を免れな
いなどの問題がある。また、ｉｉ性に優れた発光層の材
料を選定しなければ素子は高性能を発揮しえないという
点を留意しなければならない。

一方、（３）のＥＬ素子においては、ホスト物質には、
正孔と電子を外部から注入できるもの、例えば好ましい
化合物として８−ヒドロキシキノリンのＡＱ錯体が、ま
た、蛍光性物質には、正孔と電子の再結合に応答して発
光できるもの例えば公知の蛍光性色素が用いられている
。

この場合、発光帯（発光層）がもつべき注入機能（電界
印加により陽極又は正孔注入層より正孔を注入すること
ができ、かつ電極又は電子注入層より電子を注入できる
機能）、輸送機能（正孔及び電子を電界により輸送する
ことのでさる機能）及び発光機能（正孔と電子の再結合
の場を提供し、これを発光につなげる機能）のうち、注
入機能、輸送機能及び発光機能の一部はホスト物質が担
い、該蛍光性物質は発光機能の一部のみを分担すること
から、該ホスト物質に微量（５モル％以下）含有させて
いる。このような構成のＥＬ素子は、１０ｖ程度の印加
電圧で１０００ｃｄ／ｍ”程度の高輝度で、緑色より赤
色領域の発光を可能としている。

しかしながら、このＥＬ素子は、ホスト物質として、通
常８−ヒドロキシキノリンが用いられているため、前記
（１）及び（２）のＥＬ素子と同様の問題点を有してい
る。

有機ＥＬ素子にジスチルベンゼン！導体を用いることに
ついて触れている文献として米国特許第４，６７２，２
６５号明細書、同４．７２５，５３１号明細書、同４，
７３４．３３８号明細書、同４，７４１，９７６号明細
書及び同４．７７　ｓ　、８２　ｏ号明細書ナトカｊ＞
６゜前記ＢＡｍ書には、電子受容性の電気的発光性化合
物よりなる層と電子供与性の電気的発光性化合物よりな
る層の二層の積層を発光層とした基本構成を用いる積層
構造のＥＬ素子が開示されている。ここで電気的発光性
化合物は、高い発光量子効率を有するとともに、外部摂
動を受けやすいπ電子系を有し、電気的励起が可能な化
合物である。

しかしこれらにおいては、発光層は２層の積層とするこ
とが必須であり、この２層を形成する電子供与性化合物
と受容性化合物の励起錯体の形成に代表される２層の界
面付近における各種相互作用による発光であり、界面の
状態に発光性能は大きく依存するため、作製条件が難し
く、界面の劣化による発光の減少が著しいという問題点
を保有する。

上記の電気的発光性化合物の例として、Ｊ、４−ビス（
２〜メチルスチリル）ベンゼン及びそのアルキル基、ア
ルコキシ基、アミノ基などの置換体の名が記載されてい
る。しかし、これらの化合物を用いた素子の発光性能に
ついては何の開示もない。また前記のように発光層での
発光起源は２層の界面での相互作用によるものとしてい
るので、発光機能を２層界面での励起錯体によるものと
特定化した発明である。この特定化された発光機能によ
らずに、すなわち発光層を２層の構造とせずとも、発光
層としてジスチルベンゼン誘導体からなる薄膜が機能し
うろことは何の技術開示もない。

［発明が解決しようとする課題］ 本発明は、このような従来の低電圧で高輝度の発光が可
能な有機ＥＬ素子における問題を解決し、耐熱性及び薄
膜形成性に優れ、歩留りよく作製しうる高輝度で安定性
の良好なＥＬ素子を提供することを目的としてなされた
ものである。

［課題を解決するｔ；めの手段］ 本発明者らは前記目的を達成するために鋭意研究を重ね
た結果、ある特定構造のスチルベン系化合物が、発光層
として必要不可欠な注入機能、輸送機能及び発光機能を
兼備し、かつ耐熱性及び薄膜性に優れていて、蒸着温度
に加熱しても、該化合物は、何ら分解せず、均一な微結
晶粒からなる緻密な膜が形成できる上、対句電極（金属
）形成時にピンホールが発生しにくいことから、該化合
物を発光材料として用いることにより、歩留りよ＜ＥＬ
素子が得られ、しかもこのＥＬ素子は、低電圧の印加で
高輝度の青緑色より緑色までの安定な発光が得られるこ
とを見い出し、この知見に基づいて本発明を完成するに
至った。

すなわち、本発明は、発光材料として、−最大％式％（
１） （式中のＲ１及びＲ２は、それぞれアルキル基、アルコ
キシ基、シアノ基又は置換基を有する若しくは有しない
アリール基　Ｒ３及びＲ４は、それぞれ置換基を有する
若しくは有しない複素環式基又はアリール基、Ａｒは置
換基を有する若しくは有しないアリーレン基であって　
Ｒ１とＲ３及びＲ２とＲ′はたがいに結合して置換基を
有する若しくは有しない飽和又は不飽和の環構造を形成
していてもよい） で表される化合物を用いたことを特徴とするニレクトロ
ルミ不ツセンス素子を提供するものである。

以下、本発明の詳細な説明する。

本発明のＥＬ素子においては、発光材料として、−絞入 ％式％（） （式中のＲ１、Ｒ２、Ｒ１、Ｒ４及びＡｒは前記と同じ
意味をもつ） で表される化合物が用いられる。

これらの化合物はジスチルベンゼン類似の骨格を有し、
固体状態において蛍光性を示し、かつ電子と正孔の移動
性も良好であり、該ジスチルベンゼン類似の骨格の共役
性により、イオン化エネルギーが小さく、電子親和力が
大きいので、電極などからの電荷の注入が容易であると
いう特性を有している。

前記−絞入（１）において、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ
メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基シクロヘキ
シルなどのアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、プロ
ポキシ基、ブトキシ基などのアルコキシ基、シアノ基又
はアリール基であって、該アリール基はフェニル、ナフ
チル、アントニルなどであり、これらは下記の各種置換
基を有していてもよいし、有さなくてもよい。このアリ
ール基の置換基としては前記の特性が損なわれない範囲
で各種置換基が導入されてよい。例えばハロゲン原子、
メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアル
キル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブト
キシ基などのアルコキシ基、ホルミル基、アセチル基、
プロピオニル基、ブチリル基などのアシル基、アセチル
オキシ基、グロビオニルオキシ基、ブチリルオキシ基な
どのアシルオキシ基、アセチルアミノ基、プロピオニル
アミノ基、プグ・リルアミノ基などのアシルアミ７基、
ベンジル基、７エネチル基などのアラルキル基、フェノ
キシ基、トリルオキシ基などのアリールオキシ基、シア
ン基、カルボキシル基、ビニル基、スチリル基、アニリ
ノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、カルバ
モイル基、アラニル基などのアミノカルボニル基、水酸
基、ナフチルオキシカルボニル基、キシリルオキシカル
ボニル基、フェノキシカルボニル基などのアリールオキ
シカルボニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカル
ボニル基、ブトキシカルボニル基などのアルコキシカル
ボニル基、さらには−絞入 ％式％（） （式中のＲ１及びＲ６は、それぞれ水素原子、メチル基
、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアルキル基、
ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基などのアシル
基、アルデヒド基、フェニル基又はトリル基、ギシリル
基などの置換フェニル基であり、それらは同一であって
もよいし、たがいに異なっていてもよく、また、たがい
に結合して置換、無置換の五員環又は六員環を形成して
いてもよいし、該アリール基に置換している他の基と結
合して置換、無置換の飽和五員環又は飽和六員環を形成
していてもよい） で表されるアミノ基などが挙げられる。また、該Ｒ１及
びＲ２は同一であってもよいし、たがいに異なっていて
もよい。

さらにアリール基を置換する置換基の間で結合し、置換
、無置換の飽和五員環又は六員環を形成してもよい。

前記−絞入（Ｉ）におけるＲ３及びＲ′は、それぞれ複
素環式基又はフェニル、ナフチル、アントニルなどのア
リール基であって、これらは置換基を有していてもよい
し、有さなくてもよい。該複素環式基としては、例えば
ピリジル基、オキサシリル基、チェニル基２イミダゾリ
ル基、チアゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾチ
アゾリル基、ピラゾリル基、トリアゾリル基、ピリドン
よりなる一価の基、ブチリル基、ベンゾオキサシリル基
、キノリル基などが挙げられる。これらアリール基又は
複素環式基が有しえる置換基は前記、Ｒ１、Ｒ２のアリ
ール基が有しえるものと同様である。また、該Ｒ７及び
Ｒ４は同一であってもよいし、たがいに異なっていても
よい。

さらＩこ、前記Ｒ１とＲ３及びＲ″とＲ４はたがいに結
合して、置換基を有する若しくは有さない飽和又は不飽
和の環構造を形成していてもよい。

前記−絞入（Ｉ）におけるＡｒはアリーレン基であって
、置換基を有していてもよいし、有さなくてもよく、ま
た、該置換基としては、前記の特性が損なわれない範囲
で各種置換基が導入されてよい。例えばハロゲン原子、
メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、シクロヘ
キシル基などのアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、
プロポキシ基、ブトキシ基などのアルコキシ基、ホルミ
ル基、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基などの
アシル基、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基、
ブチリルオキシ基などのアシルオキシ基、アセチルアミ
ノ基、ゾａピオニルアミノ基、ブチリルアミノ基などの
アシルアミノ基、ベンジル基、フェネチル基などのアラ
ルキル基、フェノキシ基、トリルオキシ基などのアリー
ルオキシ基、シアノ基、カルボキシル基、アニリノカル
ボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、カルバモイル
基、アラニル基などのアミノカルボニル基、水酸基、フ
ェノキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基、
キシリルオキシカルボニル基などのアリールオキシカル
ボニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル
基、ブトキシカルボニル基、さらには前記−絞入（ＩＩ
）で表されるアミノ基などが挙げられる。

またアリーレン基を置換する置換基の間で結合し、置換
、無置換の飽和五員環又は六員環を形成してもよい。

このような−絞入（Ｉ）で表される化合物の具体例とし
ては、次に示すものを挙げることができる。

（ｉｏ） （ｌ　７） （ｌ　８） 本発明のＥＬ索子における発光層は、前記−絞入（１）
で表される化合物を、例えば蒸着法、スピンコード法、
キャスト法などの公知の方法番；より薄膜化することに
より形成することができるが、特に分子堆積膜であるこ
とが好ましい。ここで分子堆積膜とは、該化合物の気相
状態から沈着され形成された薄膜や、該化合物の溶液状
態又は液相状態から固体化され形成された膜のことであ
り例えば蒸着膜などであるが、通常この分子堆積膜はＬ
Ｂ法により形成された薄膜（分子累積膜）とは区別する
ことができる。また、該発光層は、特開昭５９−１９４
３９３号公報などに開示されているように、樹脂などの
結着剤と、該化合物とを溶剤に溶かして溶液としたのち
、これをスピンコード法などにより薄膜化し、形成する
ことができる。

このようにして形成された発光層の膜厚については特に
制限はなく、適宜状況に応じて選ぶことができるが、通
常５ｎｍないし５μｍの範囲で選ばれる。

本発明のＥＬ素子における発光層は、（１）電界印加時
に、陽極又は正孔注入層より正孔を注入することができ
、かつ陰極又は電子注入層より電子を注入することがで
きる注入機能、（２）注入しｔ；電荷（電子と正孔）を
電界の力で移動させる輸送機能、（３）電子と正孔の再
結合の場を発光層内部に提供し、これを発光につなげる
発光機能などを有している。なお、正孔の注入されやす
さと、電子の注入されやすさに違いがあってもよいし、
正孔と電子の移動度で表される輸送能に大小があっても
よいが、どちらか一方の電荷を移動することが好ましい
。

この発光層に用いる前記−絞入（１）で表される化合物
は、一般にイオン化エネルギーが６、ＯｅＶ程度より小
さいので、適当な陽極金属又は陽極化合物を選べば、比
較的正孔を注入しやすいし、また電子親和力は２．８ｅ
Ｖ程度より大きいので、適当な陰極金属又は陰極化合物
を選べば、比較的電子を注入しやすい上、電子、正孔の
輸送機能も優れている。さらに固体状態の蛍光性が強い
ため、該化合物やその会合体又は結晶などの電子と正孔
の再結合時に形成された励起状態を光に変換する能力が
大きい。

本発明のＥＬ素子の構成は各種の態様があるが、基本的
には、一対の電極（陽極と陰極）間に、前記発光層を挟
持した構成とし、これに必要に応じて、正孔注入層や電
子注入層を介在させればよい。

具体的には（１）陽極／発光層／陰極、（２）陽極／正
孔注入層／発光層／陰極、（３）陽極／正孔注入層／発
光層／電子注入層／陰極などの構成を挙げることができ
る。該正孔注入層や電子注入層は必ずしも必要ではない
が、これらの層があると発光性能が一段と向上する。

また、前屈構成の素子においては、いずれも基板に支持
されていることが好ましく、該基板については特に制限
はなく、従来有機ＥＬ素子に慣用されているもの、例え
ばガラス、透明プラスチック、石英などから成るものを
もちいることができる。

本発明の有機ＥＬ素子における陽極としては、仕事関数
の大きい（４ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物
及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用
いられる。このような電極物質の具体例としては、Ａｕ
などの金属、Ｃｕｌ。

ＩＴＯ，５ｎ０２、ＺｎＯなどの導電性透明材料が挙げ
られる。該陽極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタ
リングなどの方法により、薄膜を形成させることにより
作製することができる。この電極より発光を取り出す場
合には、透過率を１０％より大きくすることが望ましく
、また、電極としてのシート抵抗は数百０／口以下が好
ましい。

さらに膜厚は材料にもよるが（通常１０ｎｍないし１ｐ
ｍ、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。

一方、陰極としては、仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）
金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電
極物質とするものが用いられる。このような電極物質の
具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合
金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物
、Ａ９／　Ａ　Ｑ　Ｏ！、インジウムなどが挙げられる
。該陰極は、これらの電極物質を蒸着やスバ・ツタリン
グなどの方法により、薄膜を形成させることにより、作
製することができる。また、電極としてのシート抵抗は
数百０／口以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍないし
ｌｐｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲で選ばれる
。なお、本発明の素子においては、該陽極又は陰極のい
ずれか一方が透明又は半透明であることが発光を透過し
、取り出す効率がよいので好ましい。

本発明のＥＬ素子の構成は、前記したように、各種の態
様があり、前記（２）又は（３）の構成のＥＬ素子にお
ける正孔注入層（正孔注入輸送ＩＩ）は、正孔伝達化合
物から成る層であって、陽極より注入された正孔を発光
層に伝達する機能を有し、この正孔注入層を陽極と発光
層との間に介在させることにより、より低い電界で多く
の正孔が発光層に注入され、その上、発光層に陰極又は
電子注入層より注入された電子は、発光層と正孔注入層
の界面に存在する電子の障壁により、この発光層内の界
面付近に蓄積され発光効率が向上するなど、発光性能の
優れた素子となる。

前記正孔注入層に用いられる正孔伝達化合物は、電界を
与えられた２個の電極間に配置されて陽極から正孔が注
入された場合、該正孔を適切に発光層へ伝達しうる化合
物であって、例えば１０’〜１０’Ｖ／ｃｍの電界印加
時に、少なくとも１０−’ｃｍ２／　Ｖ・Ｓの正孔移動
度をもつものが好適である。

このような正孔伝達化合物については、前記の好ましい
性質を有するものであれば特に制限はなく、従来、光導
法材料において、正孔の電荷輸送材として慣用されてい
るものやＥＬ素子の正孔注入層に使用される公知のもの
の中から任意のものを選択して用いることができる。該
電荷輸送材としては、例えばトリアゾール誘導体（米国
特許第３．１１２，１９７号明細書などに記載のもの）
、オキサジアゾール誘導体（米国特許＠３，１．８９，
４４７号明細書などに記載のもの）、イミダゾール誘導
体（特公昭３７−１６０９６号公報などに記載のもの）
、ポリアリールアルカン誘導体（米国特許第３，６１５
，４０２号明細書、同３，８２０，９８９号明細書、同
３．５４２，５４４号明細書、特公昭４．５−５５５号
公報、同５１−１０９８３号公報、特開昭５１−９３２
２４号公報、同５５−１７１０５号公報、同５６−４１
４８号公報、同５５−１０８６６７号公報、同５５−１
５６９５３号公報、同５６−３６６５６号公報などに記
載のもの）、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体（
米国特許第３．１８０，７２９号明細書、同４，２７８
，７４６号明細書、特開昭５５−８８０６４号公報、同
５５−８８０６５号公報、同４９−１０５５３７号公報
、同５５−５１０８６号公報、同５６−８００５１号公
報、同５６−８８１４１号公報、同５７−４５５４５号
公報、同５４−１１２６３７号公報、同５５−７４５４
６号公報などにお載のもの）、フェニレンジアミン誘導
体（米国特許第３，６１５，４０４号明細書、特公昭５
１−１０１０５号公報、同４６−３７１２号公報、同４
７−２５３３６号公報、特開昭５４−５３４３５号公報
、同５４−１１０５３６号公報、同５４−１１９９２５
号公報などに記載のもの）、アリールアミン誘導体（米
国特許第３．５６７．４５０号明細書、同３，１８０，
７０３号明細書、同３，２４０，５９７号明細書、同３
．６５８，５２０号明細書、同４，２３２，１０３号明
細書、同４，１７５，９６１号明細書、同４，０１２，
３７６号明細書、特公昭４９−３５７０２号公報、同３
９−２７５７７号公報、特開昭５５−１４４２５０号公
報、同５６−１１９１３２号公報、同５６−２２４３７
号公報、西独特許第１，１１０，５１８号明細書などに
記載のもの）、アミノ置換カルコン誘導体（米国特許筒
３，５２６，５０１号明細書などに記載のもの）、オキ
サゾール誘導体（米国特許筒３．２５７，２０３号明細
書などに記載のもの）、スチリルアントラセン誘導体（
特開昭５６−４６２３４号公報などに記載のもの）、フ
ルオレノン誘導体（特開昭５４−１１０８３７号公報な
どに記載のもの）、ヒドラゾン誘導体（米国特許筒３，
７１７，４６２号明細書、特開昭５４−５９１４３号公
報、同５５−５２０６３号公報、同５５−５２０６４号
公報、同５５−４６７６０号公報、同５５−８５４９５
号公報、同５７−１１３５０号公報、同５７−１４８７
４９号公報などに記載されているもの）、スチルベン誘
導体（特開昭６１−２１０３６３号公報、同６１−２２
８４５１号公報、同６１−１４６４２号公報、同６１−
７２２５５号公報、同６２−４７６４６号公報、同６２
−３６６７４号公報、同６２−１０６５２号公報、同６
２−３０２５５号公報、同６０−９３４４５号公報、同
６０−９４４６２号公報、同６０−１７４７４９号公報
、同６〇−１７５０５２号公報などに記載のもの）など
を挙げることができる。

本発明においては、これらの化合物を正孔伝達化合物と
して使用することができるが、次に示すポリフィリン化
合物（特開昭６３−２９５６９５号公報などに記載のも
の）及び芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン
化合物（米国特許筒４，１２７，４１２号明細書、特開
昭５３−２７０３３号公報、同５４−５８４４５号公報
、同５４−１４９６３４号公報、同５４−６４２９９号
公報、同５５−７９４５０号公報、同５５−１４４２５
０号公報、同５６−１１９１３２号公報、同６１−２９
５５５８号公報、同６１−９８３５３号公報、同６３−
２９５６９５号公報などに記載のもの）、特に該芳香族
第三級アミン化合物を用いることが好ましい。

該ポリフィリン化合物の代表例として は、ポルフィン、１，１０，１５．２０−テトラフェニ
ル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィン鋼（ｎ　）　、ｌ　、
１０．１５　２０−　ｒトラフ　ｘ　−１−ルー　２１
　Ｈ、２３Ｈ−ポルフィン亜鉛（ＩＩ）、５．１０，１
５．２０−テトラキス（ペンタフルオロフェニル）−２
ＬＨ，２３Ｈ−ポルフィン、シリコンフタロシアニンオ
キシド、アルミニウムフタロシアニンクロリド、フタロ
シアニン（無金属）、ジリチウムフタロシアニン、銅テ
トラメチルフタロシアニン、銅フタロシアニン、クロム
フタロシアニン、亜鉛フタロシアニン、鉛フタロシアニ
ン、チタニウム７りロシアニンオキシド、マグネシウム
フタロシアニン、銅オクタメチルフタロシアニンなどが
挙げられる。また該芳香族第三級アミン化合物及びスチ
リルアミン化合物の代表例としては、Ｎ、Ｎ、Ｎ″、Ｎ
′−テトラフェニル−４，４″−ジアミノビフェニル、
ＮＮ’−’；フェニルーＮ、Ｎ’−ジ（３−メチルフェ
ニル）−４，４″−ジアミノビフェニル、２．２−ビス
（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）プロパン、１．
１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロ
ヘキサン、Ｎ　Ｎ、Ｎ″Ｎ゛−テトラ−ｐ−トリル−４
，４′−ジアミノビフェニル、１．１−ビス（４−ジ−
ｐ−トリルアミノフェニル）−４−７エニルシクロヘキ
サン、ビス（４−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル
）フェニルメタン、ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフ
ェニル）フェニルメタン、Ｎ、Ｎ’−ジフェニル−Ｎ、
Ｎ’−ジ（４−メトキシフェニル）−４，４’ジアミノ
ビフエニル、Ｎ、Ｎ、Ｎ’、Ｎ’−テトラフェニル−４
，４′−ジアミノジフェニルエーテル、４．４′−ビス
（ジフェニルアミノ）クオードリフェニル、Ｎ、Ｎ、Ｎ
−トリ　（ｐ−トリル）アミン、４−（ジ−ｐ−トリル
アミノ）−４’−（４（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリ
ル〕スチルベン、４−Ｎ、Ｎ−’、；フェニルアミノ−
（２−ジフェニルビニル）ベンゼン、３−メトキシ−４
’−Ｎ、Ｎ−ジフェニルアミノスチルベン、Ｎ−フェニ
ルカルバゾールなどが挙げられる。

本発明素子における該正孔注入層は、これらの正孔伝達
化合物１種又は２種以上から成る１層で構成されていて
もよいし、あるいは、前記層とは別種の化合物から成る
正孔注入層を積層したものであってもよい。

一方、前記（３）の構成のＥＬ素子における電子注入層
（を子注入輸送層）は、電子伝達化合物から成るもので
あって、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機
能を有している。このような電子伝達化合物について特
に制限はなく、従来公知の化合物の中から任意のものを
選択して用いることができる。該電子伝達化合物の好ま
しい例としては、 などのニトロ置換フルオレノン誘導体、などのチオビラ
ンジオキシド誘導体、 などのジフェニルキノン誘導体［「ポリマー・プレプリ
ント（Ｐｏｌｙｍｅｒ　　Ｐｒｅｐｒｉｎｔｓ）、ジャ
パン」第３７巻、第３号、第６８１ページ（１９８８年
）などに記載のもの］、あるいはなどの化合物［「ジャ
ーナル・オブ・アプライド・フィジックス（Ｊ、Ａｐｐ
ｌｙ、Ｐｈｙｓ、）Ｊ第２７巻、Ｌ２６９　（１９８８
年）などに記載のもの］や、アントラキノジメタン誘導
体（特開昭５７−１４９２５９号公報、同５８−５５４
５０号公報、同８１−２２５１５１号公報、同６１−２
３３７５０号公報、同６３−１０４０６１号公報などに
記載のもの）、フレオレニリデンメタン誘導体（特開昭
６０−６９６５７号公報、同６１−１４３７６４号公報
、同６１−１４８１５９号公報などに記載のもの）、ア
ントロン誘導体（特開昭６１−２２５１５１号公報、同
６１−２３３７５０号公報などに記載のもの）などを挙
げることができる。

次に、本発明の有機ＥＬ素子を作製する好適な方法の例
を、各構成の素子それぞれについて説明する。前記の陽
極／発光層／陰極から成るＥＬ素子の作製法について説
明すると、まず適当な基板上に、所望の電極物質、例え
ば陽極用物質から成る薄膜を、１μｍ以下、好ましくは
１０〜２００ｎｍの範囲の膜厚になるように、蒸着やス
パッタリングなどの方法により形成させ、陽極を作製し
ｔ；のち、この上に発光材料である一般式（Ｄで示され
る化合物の薄膜を形成させ、発光層を設ける。該発光材
料の薄膜化の方法としては、例えばスピンコード法、キ
ャスト法、蒸着法などがあるが、均質な膜が得られやす
く、かつピンホールが生成しにくいなどの点から、蒸着
法が好ましい。

該発光材料の薄膜化に、この蒸着法を採用する場合、そ
の蒸着条件は、使用する発光層に用いる有機化合物の種
類、分子基ｙＩ膜の目的とする結晶構造、会合構造など
により異なるが、一般にボート加熱温度５０−４００℃
、真空度１０−’〜１０−”Ｐａｓ蒸着速度０．０１〜
５０ｎｍ／５ｅｃｓ基板温度−５０〜＋３００℃、膜厚
５ｎｍないし５μｍの範囲で適宜選ぶことが望ましい。

次にこの発光層の形成後、その上に陰極用物質から成る
薄膜を、１μｍ以下、好ましくは５０〜２００ｎｍの範
囲の膜厚になるように、例えば蒸着やスパッタリングな
どの方法により形成させ、陰極を設けることにより、所
望の有機ＥＬ素子が得られる。なお、このＥＬ素子の作
製においては、作製順序を逆にして、陰極、発光層、陽
極の順に作製することも可能である。

次に、陽極／正孔注入層／発光層／陰極から成るＥＬ素
子の作製法について説明すると、まず、陽極を前記のＥ
Ｌ素子の場合と同様にして形成したのち、その上に、正
孔伝達化合物から成る薄膜を蒸着法などにより形成し、
正孔注入層を設ける。

この際の蒸着条件は、前記発光材料の薄膜形成の蒸着条
件に準じればよい。次に、この正孔注入層の上に、順次
発光層及び陰極を、前記ＥＬ素子の作製の場合と同様に
して設けることにより、所望のＥＬ素子が得られる。な
お、このＥＬ素子の作製においても、作製順序を逆にし
て、陰極、発光層、正孔注入層、陽極の順に作製するこ
とも可能である。

さらに、陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極
から成るＥＬ素子の作製法について説明すると、まず、
前記のＥＬ素子の作製の場合と同様にして、陽極、正孔
注入層、発光層を順次設けたのち、この発光層の上に、
電子伝達化合物から成る薄膜を蒸着法などにより形成し
て、電子注入層を設け、次いでこの上に、陰極を前記Ｅ
Ｌ素子の作製の場合と同様にして設けることにより、所
望のＥＬ素子が得られる。なお、このＥＬ素子の作製に
おいても、作製順序を逆にして、陰極、電子注入層、発
光層、正孔注入層、陽極の順に作製してもよい。

このようにして得られｔ；本発明の有機ＥＬ素子に、直
流電圧を印加する場合には、陽極を＋、陰極を−の極性
として電圧５〜４０Ｖ程度を印加すると、発光が透明又
は半透明の電極側より観測できる。また、逆の極性で電
圧を印加しても電流は流れず発光は全く生じない。さら
に、交流電圧を印加する場合には、陽極が＋、陰極が−
の状態になったときのみ発光する。なお、印加する交流
の波形は任意でよい。

［実施例］ 次に実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本
発明はこれらの例によってなんら限定されるものではな
い。

実施例１ ２５ｍｍ％　７５ｍｍ％　１．１ｍｍのガラス基板上に
、ＩＴＯを蒸着法にて１１００ｎの厚さで製膜したもの
を透明支持基板とした。

この透明支持基板を市販の蒸着装置［日本真空技術（株
）製］の基板ホルダーに固定し、一方モリブデン製の抵
抗加熱ボートに、Ｎ、Ｎ’−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’−ジ
（３−メチルフェニル）−４，４′−ジアミノビフェニ
ル（ＴＰＤＡ）２００ｍ９を入れ、さらに別のモリブデ
ン製ボートに１．４−ビス（２，２−ジフェニルビニル
）ベンゼン［ＤＰＶＢ、式（１）の化合物］２００１１
Ｉｇを入れて、真空槽をｌＸｌ０−’Ｐａまで減圧した
。そのＩＴＰＤＡ入りの前記ボートを２１５〜２２０℃
まで加熱し、ＴＰＤＡを蒸着速度０．１〜０．３ｎｍ／
ｓｅｃで透明基板上に蒸着して、膜厚７５ｎｍの正孔注
入層を設けた。この際の基板温度は室温であっｔ；。

次に、これを真空槽より取り出すことなく、該正孔注入
層の上に、もう一つのボートよりＤＰＶＢを発光層とし
て、６０ｎｍ積層蒸着した。

蒸着条件はボート温度が３６５〜３７０℃、蒸着速度は
０．１〜０．２　ｎｍ／ｓ　ｅ　ｃ、基板温度は室温で
ありＩ；。

次に、これを真空槽より取り出し、該発光層の上にステ
ンレススチール類のマスクを設置し、再び基板ホルダー
に固定したのち、モリブデン製の抵抗加熱ポートにマグ
ネシウムリボン１ｇを入れ、一方、真空槽中心部基板ホ
ルダー下に位置する電子ビーム蒸着用電子銃のターゲッ
トとして銅のペレットを装着した。その後真空槽を２ｘ
ｌＯ−’Ｐａまで減圧してから、電子ビーム蒸着法によ
り銅を０．０３−０．０８　ｎｍ／”ｓ　ｅ　ｃの蒸着
速度で、同時に抵抗加熱法により、モリブデンポートか
らマグネシウムを１．７〜２．８　ｎ　ｍ／ｓｅｃの蒸
着速度で蒸着を開始した。この際、電子銃のフィラメン
トのエミッション電流は２００〜２３０ｍＡ、加速電圧
は４ｋＶであり、また、ポートの温度は５００ｍ程度で
あつｔ；、このような条件で、マグネシウムと銅の混合
金属電極を発光層の上に７０ｎｍ積層蒸着し対向電極と
した。

このようにして作製されたＥＬ素子に、ＩＴＯ電極を陽
極、マグネシウム／銅電極を陰極として、直流１９Ｖを
印加したところ、電流が９１ｍＡ／ｃｍ”流れ、青緑色
発光を得た。ピーク波長は分光測定により４９１ｎｍで
あり、発光輝度は８８０ｃｄ／ｍ”であった。

なお、発光は均一に面発光になっており、発光層に電気
的ピンホールがないことが確認された。

また、発光は極めて安定していた。

実施例２ ２５ｍｍ×７５ｍｍｘ　ｌ　、Ｌｍｒｎのガラス基板上
に、ＩＴＯを蒸着法にて１１００ｎの厚さで製膜したも
のを透明支持基板とした。

この透明支持基板を市販の蒸着装置〔日本真空技術（株
）製］の基板ホルダーに固定し、一方モリブデン製の抵
抗加熱ボートに、Ｎ、Ｎ″−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’−ジ
（３−メチルフェニル）−４，４’ジアミノビフエニル
（ＴＰＤＡ）２００ｔｒ９を入れ、さらに別のモリブデ
ン製ポートに１．４−ビス（２−メチル−２−フェニル
ビニル）ベンゼン［ＭＰＶＢ、式（４）の化合物］２０
０ｍｇを入れて、真空槽をｌＸｌ０−’Ｐａまで減圧し
た。その後ＴＰＤＡ入りの前記ポートを２１５〜２２０
°Ｃまで加熱し、ＴＰＤＡを蒸着速度０．１−０．３ｎ
ｍ／ｓｅｃで透明基板上に蒸着して、膜厚７５ｎｍの正
孔注入層を設けた。この際の基板温度は室温であった。

次に、これを真空槽より取り出すことなく、該正孔注入
層の上に、もう一つのポートよりＭＰＶＢを発光層とし
て、６０ｎｍ積層！！ｋＭＩ、た。

蒸着条件はポート温度が３６５°０、蒸着速度は０、ｌ
−０，２ｎｍ／ｓ　ｅ　ｃ、基板温度は室温であった。

次に、これを真空槽より取り出し、該発光層の上にステ
ンレススチール類のマスクを設置し、再び基板ホルダー
に固定しｔ；のち、モリブデン製の抵抗加熱ボートにマ
グネシウムリボン１９を入れ、一方、真空槽中心部基板
ホルダー下に位置する電子ビーム蒸着用電子銃のターゲ
ットとして銅のベレットを装着した。その後真空槽を２
ＸＩｐ−’Ｐａまで減圧してから、電子ビーム蒸着法に
より銅を０．０３〜０．Ｏ８ｎｍ／ｓｅｅの蒸着速度で
、同時に抵抗加熱法により、モリブデンポートからマグ
ネシウムを１．７〜２．８ｎｍ／ｓｅｅの蒸着速度で蒸
着を開始した。この際、電子銃のフィラメントのエミッ
ション電流は２００〜２３０ｍＡ、加速電圧は４ｋＶで
あり、また、ポートの温度は５００ｍ程度であっｔ；。

このような条件で、マグネシウムと銅の混合金属電極を
発光層の上に７０ｎｍ積層蒸着し対向電極とした。

このようにして作製されたＥＬ素子に、ＩＴＯ電極を陽
極、マグネシウム／銅電極を陰極として、直流２０Ｖを
印加したところ、電流が２３８ｍ　Ａ　／　ｃｍ’流れ
、緑色発光を得Ｉ；。ピーク波長は分光測定により５１
２ｎｍであり、発光輝度は１１００ｃｄ／ｍ”であった
。

なお、実施例１と同様に、発光は発光面内で均一であり
、極めて安定した緑色であった。

実施例３ ２５ｍｍＸ　７５ｍｍＸ　１．１ｍｍのガラス基板上に
、ＩＴＯを蒸着法にて１１００ｎの厚さで製膜したもの
を透明支持基板とした。

この透明支持基板を市販の蒸着装置［日本真空技術（株
）製］の基板ホルダーに固定し、一方モリブデン製の抵
抗加熱ポートに、Ｎ、Ｎ″−ジフェニル−Ｎ、Ｎ″−ジ
（３−メチルフェニル）−４，４’−ジアミノビフエニ
ル（ＴＰＤＡ）２００ｍｇを入れ、さらに別のモリブデ
ン製ポートに１．４−ビス（２，２−’；−ｐ−トリル
ビニル）ベンゼン［ＤＴＶＢ、式（３）の化合物］　２
００　ｍｙヲ入して、真空槽を１ＸＩＯ−’Ｐａまで減
圧した。その後ＴＰＤＡ入りの前記ポートを２１５〜２
２０°Ｃまで加熱し、ＴＰＤＡを蒸着速度０．１〜０．
３ｎｍ／ｓｅｅで透明基板上に蒸着して、膜厚７０ｎｍ
の正孔注入層を設けた。この際の基板温度は室温であっ
た。

次に、これを真空槽より取り出すことなく、該正孔注入
層の上に、もう一つのポートよりＤＴＶＢを発光層とし
て、６０ｒ＋ｍ積層蒸着した。

蒸着条件はポート温度が３６５〜３７０℃、蒸着速度は
０６１〜０．２ｎｍ／５ｅｃｓ基板温度は室温であった
。

次に、これを真空槽より取り出し、該発光層の上にステ
ンレススチール製のマスクを設置し、再び基板ホルダー
に固定しｔ；のち、モリブデン製の抵抗加熱ポー、トに
マグネシウムリボン１ｇを入れ、一方、真空槽中心部基
板ホルダー下に位置する電子ビーム蒸着用電子銃のター
ゲットとして銅のペレットを装着した。その後真空槽を
２Ｘ１０−’Ｐａまで減圧してから、電子ビーム蒸着法
により銅を０．０３−０．Ｏ８ｎｍ／ｓｅｅの蒸着速度
で、同時に抵抗加熱法により、モリブデンポートからマ
グネシウムを１．７〜２．８　ｎ　ｍ／ｓｅｅの蒸着速
度で蒸着を開始した。この際、電子銃のフィラメントの
エミッション電流は２００〜２３０ｍＡ、加速電圧は４
ｋＶであり、また、ポートのは度は５００℃程度であっ
た。このような条件で、マグネシウムと銅の混合金属電
極を発光層の上に７０ｎｍ積層蒸着し対向電極とした。

このようにして作製されたＥＬ素子に、ＩＴＯ電極を陽
極、マグネシウム／銅電極を陰極として、直流２０Ｖを
印加したところ、電流が１１９ｍ　Ａ　／　ｃｒｓ″流
れ、青緑色発光を得た。ピーク波長は分光測定により４
８７ｎｍであり、発光輝度は９８０ｃｄ／ｍ２であった
。

なお、発光状態は、発光面内で均一であり、極めて安定
していた。

実施例４ ２５信１＋ＩＸ　７５ｍｍｘ　１　、１ｍｍのガラス基
板上に、ＩＴＯを蒸着法にて１１００ｎの厚さで！！％
膜したものを透明支持基板とした。

この透明支持基板を市販の蒸着装置〔日本真空技術（株
）製］の基板ホルダーに固定し、一方モリブデン製の抵
抗加熱ポートに、Ｎ、Ｎ’−ジフェニル−Ｎ、Ｎ″−、
ジ（３−メチルフェニル）−４，４’−ジアミノビフエ
ニル（ＴＰＤＡ）２００１１１９を入れ、さらに別のモ
リブデン製ポートに１，４−ビス（２，２−ジフェニル
ビニル）ベンゼン［ＤＰＶＢ、式（１）の化合物１２０
０ｍ９を入れて、真空槽をｌＸｌ０−’Ｐａまで減圧し
た。その後ＴＰＤＡ入りの前記ポートを２１５〜２２０
°Ｃまで加熱し、ＴＦ’ＤＡを蒸着速度０．１〜０．３
ｎｍ／ｓｅｃで透明基板上に蒸着して、膜厚６０ｎｍの
正孔注入層を設けｔ；。この際の基板温度は室温であっ
た。

次いで、真空槽を大気圧に戻し、これら２つのモリブデ
ン製ポートを真空槽より取り出し、代わりに〔３′″、
４′″：３，４，５：１０”、９’″：３’、４’、５
’）−ジビリジノ（１，２−ａ：１’、２’−ａ’）ビ
スベンゾイミダゾール−６，１８−ジオン２００ｍｇを
入れたモリブデン製ボートを真空槽ヘセットした。

その後、真空槽を２Ｘ１０−’Ｐａまで減圧して、前記
ポートを５００°Ｃまで加熱し、該発光層の上に電子注
入層として該物質を６０ｎｍ積層蒸着した。

その後、真空槽を大気圧に戻し、基板ホルダーから、前
記積層サンプルをいったんはずしてから、ステンレスス
チール製のマスクを設置し、再び基板ホルダーに固定し
たのち、モリブデン製の抵抗加熱ポートにマグネシウム
リボン１ｇを入れ、一方、真空槽中心部基板ホルダー下
に位置する電子ビーム！Ｘ着用電子銃のターゲットとし
て銅のベレットを装着した。その後真空槽を２ｘｌＯ−
’Ｐａまで減圧してから、電子ビーム蒸着法ｆこより銅
を０．０３−０．Ｏ８ｎｍ／ｓｅｃの蒸着速度で、同時
に抵抗加熱法により、モリブデンポートからマグネシウ
ムを１．７〜２．８ｎｍ／ｓｅｃの蒸着速度で蒸着を開
始しｔ；。この際、電子銃のフィラメントのエミッショ
ン電流は２００〜２３０ｍＡ、加速電圧は４ｋＶであり
、また、ポートの温度はｓ　ｏ　ｏ　’ｃ程度であった
。このような条件で、マグネシウムと銅の混合金属電極
を発光層の上にｌｏｏｎｍ積層蒸着し対向電極とした。

このようにして作製されたＥＬ素子に、ＩＴＯ電極を陽
極、マグネシウム／銅電極を陰極として、直流１９Ｖを
印加したところ、電流が１００ｍＡ／Ｃが流れ、実施例
１と同様な責緑色発光を得た。

ピーク波長は分光測定により４９０ｎｍであり、発光輝
度は１０００ｃｄ／ｍ”であった。

なお、発光状態は、実施例１と同様に均一で、極めて安
定していた。

実施例５ ２５ｍｍＸ７５ｍｉＸ１．１ｍｍのガ歩ス基板上にＩＴ
Ｏを蒸着法にて１１００ｎの厚さで製膜したものを透明
支持基板とした。この透明支持基板を市販の蒸着装置ｔ
［日本真空技術（株）！！］の基板ホルダーに固定し、
モリブデン製の抵抗加熱ポートにＮ、Ｎ″−ジフェニル
−Ｎ、Ｎ’−ビス−（３−メチルフェニル）−（１，１
’ビフエニル）−４，４’ジアミン（Ｔ　Ｐ　Ｄ　Ａ）
を２００ｍｇ入れ、また違うモリブデン製ポートに９．
９″−（１，４−７二二レンジメチリジン）ジフルオレ
ン［ＰＤＭＤ、式（１８）の化合物Ｊを２００Ｂ入れて
、真空槽をｌＸｌ０−’Ｐａまで減圧した。その後ＴＰ
ＤＡ入りの前おポートを２１５〜２２０°０まで加熱し
、ＴＰＤＡを蒸着速度０．１〜Ｑ、３ｎｍ／ｓｅｅで透
明支持基板上に蒸着して、膜厚６５ｎｍの正孔注入層を
製膜させた。この時の基板温度は室温であった。これを
真空槽より取り出すことなく、正孔注入層の上に、もう
一つのポートよりＰＤＭＤを発光層として６０ｎｍ積層
蒸着しｔ；。蒸着条件はポート温度が２６５〜２７０℃
で蒸着速度は０．１−０．２　ｎｍ／ｓ　ｅ　ｃ、基板
温度は室温であった。これを真空槽より取り出し、上記
発光層の上にステンレススチール製のマスクを設置し、
再び基板ホルダーに固定しｔ；。次にモリブデン製の抵
抗加熱ポートにマグネシウムリボン１ｇを入れ、また真
空槽中心部基板ホルダー下に位置する電子ビーム蒸着用
電子銃のターゲットとして銅のベレットを装着した。そ
の後真空槽を２Ｘ１０−’Ｐａまで減圧してから、電子
ビーム蒸着法により銅をＯ；０３〜０．Ｏ８ｎｍ／ｓｅ
ｃの蒸着速度で、同時に抵抗加熱法によりモリブデンか
らマグネシウムを１．７〜２．８　ｎｍ／ｓ　ｅ　ｃの
蒸着速度で蒸着し始めた。電子銃のフィラメントのエミ
ッション電流は２００−２３０ｍＡ１加速電圧は４ｋＶ
であった。またポートの温度は５００°Ｃ程度であった
。上記条件でマグネシウムと銅の混合金属電極を発光層
の上に７０ｎｍ積層蒸着し対向電極とした。この素子に
ＩＴＯ電極を陽極、マグネシウム／銅電極を陰極として
直流２０Ｖを印加すると電流が１９０ｍＡ／ｃｍ’流れ
、黄色発光を得た。

ピーク波長は分光測定より５９４　ｎｍであった。

発光輝度は３００ｃｄ／ｍ”であった。

これらの結果から、本発明のＥＬ素子で、高輝度で極め
て安定した青緑色から緑色の発光が得られることが分か
った。

〔発明の効果］ 本発明のＥＬ素子の発光材料として用いられるある特定
構造のスチルベン系化合物が、発光層として必要不可欠
な注入機能、輸送機能及び発光機能を兼備し、かつ耐熱
性及び薄膜性に優れていて、蒸着温度に加熱しても、該
化合物は、何ら分解せず、均一な微結晶粒からなる緻密
な膜が形成できる上、対向電極（金属）形成時にピンホ
ールが発生しにくいことから、該化合物を発光材料とし
て用いることにより、歩留りよ＜ＥＬ素子が得られ、し
かもこのＥＬ素子は、低電圧の印加で高輝度の青緑色よ
り緑色までの安定な発光が得られる。

手続補正書岨発） 平成２年４月５　日

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １　発光材料として、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼　…（ I ） （式中のＲ＾１及びＲ＾２は、それぞれアルキル基、ア
   ルコキシ基、シアノ基又は置換基を有する若しくは有し
   ないアリール基、Ｒ＾３及びＲ＾４は、それぞれ置換基
   を有する若しくは有しない複素環式基又はアリール基、
   Ａｒは置換基を有する若しくは有しないアリーレン基で
   あって、Ｒ＾１とＲ＾３及びＲ＾２とＲ＾４はたがいに
   結合して置換基を有する若しくは有しない飽和又は不飽
   和の環構造を形成していてもよい） で表される化合物を用いたことを特徴とするエレクトロ
   ルミネッセンス素子。 ２　一般式（ I ）で表される化合物から成る発光層を
   有する請求項１記載のエレクトロルミネッセンス素子。 ３　発光層を一対の電極間に介在させて成る請求項２記
   載のエレクトロルミネッセンス素子。 ４　陽極、正孔注入層、発光層及び陰極の順に積層して
   成る請求項３記載のエレクトロルミネッセンス素子。 ５　陽極、正孔注入層、発光層、電子注入層及び陰極の
   順に積層して成る請求項３記載のエレクトロルミネッセ
   ンス素子。