JP3278975B2 - クマリン誘導体 - Google Patents
クマリン誘導体Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、蛍光塗料、エレクトロ
ルミネッセンス（ＥＬ）素子等の発光材料に関するもの
で、詳しくは新規なクマリン誘導体に関するものであ
る。
ルミネッセンス（ＥＬ）素子等の発光材料に関するもの
で、詳しくは新規なクマリン誘導体に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術とその問題点】有機化合物の高い蛍光効率
に着目し、有機化合物のＥＬ性能を利用した素子の研究
は古くから行われている。例えば、ヘルフリッシュとウ
ィリアムス（W.Helfrish.and Dresmer.Williams)らはア
ントラセン結晶を用い、青色発光を得ている（ジャーナ
ル オブ ケミカル フィジックス、４４巻、２９０２
ページ、１９６６年 J.Chem.Phys.,44,2902(1966)）。
また、タンとバンスライク（C.W.Tangand S.A.Vanslyke
）はオキシン錯体を用いて、緑色の発光を得ている
（アプライド フィジックス レター、５１巻、２１ペ
ージ、１９８７年 Appl.Phys.Lett.,51(12),21(198
7)）。しかしいずれも実用化するために充分な条件を備
えていない。例えば、前者では駆動電圧が高い、後者で
は発光層が正孔注入能を持っていないために正孔注入層
を含む積層構造を必要とし、さらに電子注入能を持つ８
−ヒドロキシキノリンアルミニウム錯体（Ａｌｑ3 ）の
発光波長より短波長の発光を得る事が難しいなどの問題
点があった。一方、クマリン誘導体をＥＬ素子に応用し
た報告がある（特開平４−３００９９１）。しかしなが
ら、一般にクマリン誘導体は固体では濃度消光を起こ
し、蛍光の強度は低いという欠点を持つ。そこで、本発
明者等は新規クマリン誘導体、特にＥＬ素子の１成分と
して有効に機能（電荷の注入機能と輸送機能、発光機能
および良好な薄膜特性等）する新規な化合物を開発すべ
く鋭意研究を重ねた。
に着目し、有機化合物のＥＬ性能を利用した素子の研究
は古くから行われている。例えば、ヘルフリッシュとウ
ィリアムス（W.Helfrish.and Dresmer.Williams)らはア
ントラセン結晶を用い、青色発光を得ている（ジャーナ
ル オブ ケミカル フィジックス、４４巻、２９０２
ページ、１９６６年 J.Chem.Phys.,44,2902(1966)）。
また、タンとバンスライク（C.W.Tangand S.A.Vanslyke
）はオキシン錯体を用いて、緑色の発光を得ている
（アプライド フィジックス レター、５１巻、２１ペ
ージ、１９８７年 Appl.Phys.Lett.,51(12),21(198
7)）。しかしいずれも実用化するために充分な条件を備
えていない。例えば、前者では駆動電圧が高い、後者で
は発光層が正孔注入能を持っていないために正孔注入層
を含む積層構造を必要とし、さらに電子注入能を持つ８
−ヒドロキシキノリンアルミニウム錯体（Ａｌｑ3 ）の
発光波長より短波長の発光を得る事が難しいなどの問題
点があった。一方、クマリン誘導体をＥＬ素子に応用し
た報告がある（特開平４−３００９９１）。しかしなが
ら、一般にクマリン誘導体は固体では濃度消光を起こ
し、蛍光の強度は低いという欠点を持つ。そこで、本発
明者等は新規クマリン誘導体、特にＥＬ素子の１成分と
して有効に機能（電荷の注入機能と輸送機能、発光機能
および良好な薄膜特性等）する新規な化合物を開発すべ
く鋭意研究を重ねた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】その結果、下記一般式
【化２】 ［式中、Ｒ1 〜Ｒ5 はそれぞれ独立に水素、フッ素、ア
ルキル基、アルコキシ基、ジアルキルアミノ基、アルカ
ノイルオキシ基、アルキルオキシカルボニル基、アリー
ル基、シアノ基、アルカノイル基またはトリフルオロメ
チル基を示し、ＸはＯまたはＮＹ（Ｙはアルキル基また
はアリール基を示す）を示し、ｎは１，２，３または４
を示す］で表されるクマリン誘導体がＥＬ素子の１成分
として有用であることを見い出し、本発明を完成した。
以上の記述から明らかなように、本発明の目的は、ＥＬ
素子の成分として有用な新規化合物、特に電荷注入およ
び輸送能を持ち、良好な薄膜特性を示す発光材料を提供
する事である。
ルキル基、アルコキシ基、ジアルキルアミノ基、アルカ
ノイルオキシ基、アルキルオキシカルボニル基、アリー
ル基、シアノ基、アルカノイル基またはトリフルオロメ
チル基を示し、ＸはＯまたはＮＹ（Ｙはアルキル基また
はアリール基を示す）を示し、ｎは１，２，３または４
を示す］で表されるクマリン誘導体がＥＬ素子の１成分
として有用であることを見い出し、本発明を完成した。
以上の記述から明らかなように、本発明の目的は、ＥＬ
素子の成分として有用な新規化合物、特に電荷注入およ
び輸送能を持ち、良好な薄膜特性を示す発光材料を提供
する事である。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は下記（１）ない
し（２）の各構成を有する。（１）一般式
し（２）の各構成を有する。（１）一般式
【化３】 ［式中、Ｒ1 〜Ｒ5 はそれぞれ独立に水素、フッ素、ア
ルキル基、アルコキシ基、ジアルキルアミノ基、アルカ
ノイルオキシ基、アルキルオキシカルボニル基、アリー
ル基、シアノ基、アルカノイル基またはトリフルオロメ
チル基を示し、ＸはＯまたはＮＹ（Ｙはアルキル基また
はアリール基を示す）を示し、ｎは１，２，３または４
を示す］で表されるクマリン誘導体。（２）前記第１項
記載の化合物を用いた電界発光素子。
ルキル基、アルコキシ基、ジアルキルアミノ基、アルカ
ノイルオキシ基、アルキルオキシカルボニル基、アリー
ル基、シアノ基、アルカノイル基またはトリフルオロメ
チル基を示し、ＸはＯまたはＮＹ（Ｙはアルキル基また
はアリール基を示す）を示し、ｎは１，２，３または４
を示す］で表されるクマリン誘導体。（２）前記第１項
記載の化合物を用いた電界発光素子。
【０００５】本発明の構成と効果につき以下に詳述す
る。本発明の化合物の具体例としては、下記の化合物を
挙げる事ができる。
る。本発明の化合物の具体例としては、下記の化合物を
挙げる事ができる。
【化４】
【化５】
【化６】
【化７】
【化８】
【化９】
【化１０】
【化１１】 ［式中、ｎは前記と同じ］
【０００６】上述した本発明の新規なクマリン誘導体
は、以下のようにして製造できる。すなわち、［化１
３］で表されるクマリン誘導体（式中、Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ
3 ，Ｒ4 ，Ｒ5 およびＸは前記と同じ）と［化１４］で
表されるカルバゾール誘導体（ｎは前記と同じであり、
Ｚは塩素、臭素、沃素、トシルオキシ基、メシルオキシ
基またはトリフルオロメシルオキシ基を表す）を塩基の
存在下に反応させる事によって本発明の化合物を得る事
ができる。ここで用いられる溶媒としては、特に制限が
なく、基質を溶解し得るものならば良い。また、用いら
れる塩基としても特に制限がなく通常用いられる物で良
い。例えば、炭酸カリウム、水酸化カリウム、水素化ナ
トリウム、トリアルキルアミン、芳香族アミン等があげ
られる。
は、以下のようにして製造できる。すなわち、［化１
３］で表されるクマリン誘導体（式中、Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ
3 ，Ｒ4 ，Ｒ5 およびＸは前記と同じ）と［化１４］で
表されるカルバゾール誘導体（ｎは前記と同じであり、
Ｚは塩素、臭素、沃素、トシルオキシ基、メシルオキシ
基またはトリフルオロメシルオキシ基を表す）を塩基の
存在下に反応させる事によって本発明の化合物を得る事
ができる。ここで用いられる溶媒としては、特に制限が
なく、基質を溶解し得るものならば良い。また、用いら
れる塩基としても特に制限がなく通常用いられる物で良
い。例えば、炭酸カリウム、水酸化カリウム、水素化ナ
トリウム、トリアルキルアミン、芳香族アミン等があげ
られる。
【化１３】
【化１４】 この様にして得られた本発明のクマリン誘導体は、低電
圧で高輝度の発光が可能なＥＬ素子の１成分として有効
に利用できるものである。特に固体状態においても、ア
ルキルカルバゾリル基を導入したために、濃度消光など
による蛍光強度の低下がほとんど見られない。また、本
発明の化合物は、電荷注入または電荷輸送能を持つ。こ
れは、クマリン骨格自体が有する性質に加えて、アルキ
ルカルバゾリル基を導入した効果があらわれたことによ
る。
圧で高輝度の発光が可能なＥＬ素子の１成分として有効
に利用できるものである。特に固体状態においても、ア
ルキルカルバゾリル基を導入したために、濃度消光など
による蛍光強度の低下がほとんど見られない。また、本
発明の化合物は、電荷注入または電荷輸送能を持つ。こ
れは、クマリン骨格自体が有する性質に加えて、アルキ
ルカルバゾリル基を導入した効果があらわれたことによ
る。
【０００７】本発明の化合物を用いたＥＬ素子の構成
は、各種の態様があるが、基本的には一対の電極（陽極
と陰極）間に、前記発光層を挟持した構成とし、これに
必要に応じて、正孔注入層や電子注入層を介在させれば
よい。具体的には（１）陽極／発光層／陰極、（２）陽
極／正孔注入層／発光層／陰極、（３）陽極／発光層／
電子注入層／陰極、（４）陽極／正孔注入層／発光層／
電子注入層／陰極などの構成を挙げることができる。該
正孔注入層や電子注入層は、必ずしも必要ではない。ま
た、前記構成の素子においては、いずれも基板に支持さ
れていることが好ましく、該基板については特に制限は
なく、従来ＥＬ素子に慣用されているもの、例えばガラ
ス、透明プラスチック、石英などから成るものを用いる
ことができる。
は、各種の態様があるが、基本的には一対の電極（陽極
と陰極）間に、前記発光層を挟持した構成とし、これに
必要に応じて、正孔注入層や電子注入層を介在させれば
よい。具体的には（１）陽極／発光層／陰極、（２）陽
極／正孔注入層／発光層／陰極、（３）陽極／発光層／
電子注入層／陰極、（４）陽極／正孔注入層／発光層／
電子注入層／陰極などの構成を挙げることができる。該
正孔注入層や電子注入層は、必ずしも必要ではない。ま
た、前記構成の素子においては、いずれも基板に支持さ
れていることが好ましく、該基板については特に制限は
なく、従来ＥＬ素子に慣用されているもの、例えばガラ
ス、透明プラスチック、石英などから成るものを用いる
ことができる。
【０００８】本発明の化合物は、これらＥＬ素子の発光
層として有用である。この発光層は、例えば蒸着法、ス
ピンコート法、キャスト法等の公知の方法によって、
［化１２］の化合物を薄膜化する事により形成すること
ができるが、特に分子堆積膜とすることが好ましい。こ
こで分子堆積膜とは、該化合物の気相状態から沈着され
形成された薄膜や、該化合物の溶液状態または液相状態
から固体化され形成された膜のことであり、例えば、蒸
着膜などを示すが、通常この分子堆積膜はＬＢ法により
形成された薄膜（分子累積膜）とは区別することができ
る。また、該発光層は、特開昭５９−１９４３９３号公
報などに開示されているように、樹脂などの結着剤と該
化合物とを、溶剤に溶かして溶液とした後、これをスピ
ンコート法などにより薄膜化し、形成することができ
る。
層として有用である。この発光層は、例えば蒸着法、ス
ピンコート法、キャスト法等の公知の方法によって、
［化１２］の化合物を薄膜化する事により形成すること
ができるが、特に分子堆積膜とすることが好ましい。こ
こで分子堆積膜とは、該化合物の気相状態から沈着され
形成された薄膜や、該化合物の溶液状態または液相状態
から固体化され形成された膜のことであり、例えば、蒸
着膜などを示すが、通常この分子堆積膜はＬＢ法により
形成された薄膜（分子累積膜）とは区別することができ
る。また、該発光層は、特開昭５９−１９４３９３号公
報などに開示されているように、樹脂などの結着剤と該
化合物とを、溶剤に溶かして溶液とした後、これをスピ
ンコート法などにより薄膜化し、形成することができ
る。
【０００９】このようにして形成された発光層の薄膜に
ついては特に制限はなく、適宜状況に応じて選ぶことが
できるが、通常２ｎｍないし５０００ｎｍの範囲で選定
される。この様にして作製された本発明の化合物よりな
る発光層は、置換基の位置、種類または数によりその色
を様々に変化させることができる。例えば実施例１で示
される化合物は青色に発光し、実施例４で示される化合
物は橙色に発光する。
ついては特に制限はなく、適宜状況に応じて選ぶことが
できるが、通常２ｎｍないし５０００ｎｍの範囲で選定
される。この様にして作製された本発明の化合物よりな
る発光層は、置換基の位置、種類または数によりその色
を様々に変化させることができる。例えば実施例１で示
される化合物は青色に発光し、実施例４で示される化合
物は橙色に発光する。
【００１０】このＥＬ素子における陽極としては、仕事
関数の大きい（４ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化
合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好まし
く用いられる。このような電極物質の具体例としてはＡ
ｕなどの金属、ＣｕＩ，ＩＴＯ，ＳｎＯ2 ，ＺｎＯなど
の誘電性透明材料が挙げられる。該陽極は、これらの電
極物質を蒸着やスパッタリングなどの方法により、薄膜
を形成させることにより作製することができる。この電
極より発光を取り出す場合には、透過率を１０％より大
きくすることが望ましく、また、電極としてのシート抵
抗は数百Ω／ｍｍ以下が好ましい。さらに膜厚は材料に
もよるが、通常１０ｎｍないし１μｍ、好ましくは１０
〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。
関数の大きい（４ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化
合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好まし
く用いられる。このような電極物質の具体例としてはＡ
ｕなどの金属、ＣｕＩ，ＩＴＯ，ＳｎＯ2 ，ＺｎＯなど
の誘電性透明材料が挙げられる。該陽極は、これらの電
極物質を蒸着やスパッタリングなどの方法により、薄膜
を形成させることにより作製することができる。この電
極より発光を取り出す場合には、透過率を１０％より大
きくすることが望ましく、また、電極としてのシート抵
抗は数百Ω／ｍｍ以下が好ましい。さらに膜厚は材料に
もよるが、通常１０ｎｍないし１μｍ、好ましくは１０
〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。
【００１１】一方、陰極としては、仕事関数の小さい
（４ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれ
らの混合物を電極物質とするものが用いられる。このよ
うな電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウ
ム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシ
ウム／銅混合物、Ａｌ／Ａ１０2 、インジウムなどが挙
げられる。該陰極は、これらの電極物質を蒸着やスパッ
タリングなどの方法により、薄膜を形成させることによ
り、作製することができる。また、電極としてのシート
抵抗は数百Ω／ｍｍ以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎ
ｍないし１μｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲で
選ばれる。なお、このＥＬ素子においては、該陽極また
は陰極のいずれか一方が透明または半透明であること
が、発光を透過するため、発光の取出し効率がよく好都
合である。
（４ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれ
らの混合物を電極物質とするものが用いられる。このよ
うな電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウ
ム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシ
ウム／銅混合物、Ａｌ／Ａ１０2 、インジウムなどが挙
げられる。該陰極は、これらの電極物質を蒸着やスパッ
タリングなどの方法により、薄膜を形成させることによ
り、作製することができる。また、電極としてのシート
抵抗は数百Ω／ｍｍ以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎ
ｍないし１μｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲で
選ばれる。なお、このＥＬ素子においては、該陽極また
は陰極のいずれか一方が透明または半透明であること
が、発光を透過するため、発光の取出し効率がよく好都
合である。
【００１２】本発明の化合物を用いるＥＬ素子の構成
は、前記したように、各種の態様があり、前記（２）ま
たは（４）の構成のＥＬ素子における正孔注入層（正孔
注入輸送層）は、正孔伝達化合物からなる層であって、
陽極より注入された正孔を発光層に伝達する機能を有
し、この正孔注入層を陽極と発光層との間に介在させる
ことにより、より低い電界で多くの正孔が発光層に注入
され、その上、発光層に陰極または電子注入層より注入
された電子は、発光層と正孔注入層の界面に存在する電
子の障壁により、この発光層内の界面付近に蓄積され発
光効率が向上するなど、発光性能の優れた素子となる。
前記正孔注入層に用いられる正孔伝達化合物は、電界を
与えられた２個の電極間に配置されて陽極から正孔が注
入された場合、該正孔を適切に発光層へ伝達しうる化合
物であって、例えば、１０4 〜１０6 Ｖ／ｃｍの電界印
加時に、少なくとも１０-6ｃｍ2 ／Ｖ・秒の正孔移動度
をもつものが好適である。このような正孔伝達化合物に
ついては、前記の好ましい性質を有する物であれば特に
制限はなく、本発明の化合物ばかりでなく、従来、光導
電材料において、正孔の電荷輸送材料として慣用されて
いるものやＥＬ素子の正孔注入層に使用される公知のも
のの中から任意のものを選択して用いることができる。
は、前記したように、各種の態様があり、前記（２）ま
たは（４）の構成のＥＬ素子における正孔注入層（正孔
注入輸送層）は、正孔伝達化合物からなる層であって、
陽極より注入された正孔を発光層に伝達する機能を有
し、この正孔注入層を陽極と発光層との間に介在させる
ことにより、より低い電界で多くの正孔が発光層に注入
され、その上、発光層に陰極または電子注入層より注入
された電子は、発光層と正孔注入層の界面に存在する電
子の障壁により、この発光層内の界面付近に蓄積され発
光効率が向上するなど、発光性能の優れた素子となる。
前記正孔注入層に用いられる正孔伝達化合物は、電界を
与えられた２個の電極間に配置されて陽極から正孔が注
入された場合、該正孔を適切に発光層へ伝達しうる化合
物であって、例えば、１０4 〜１０6 Ｖ／ｃｍの電界印
加時に、少なくとも１０-6ｃｍ2 ／Ｖ・秒の正孔移動度
をもつものが好適である。このような正孔伝達化合物に
ついては、前記の好ましい性質を有する物であれば特に
制限はなく、本発明の化合物ばかりでなく、従来、光導
電材料において、正孔の電荷輸送材料として慣用されて
いるものやＥＬ素子の正孔注入層に使用される公知のも
のの中から任意のものを選択して用いることができる。
【００１３】該電荷輸送材料としては、例えばトリアゾ
ール誘導体（米国特許第３，１１２，１９７号明細書な
どに記載のもの）、オキサジアゾール誘導体（米国特許
第３，１８９，４４７号明細書などに記載のもの）、イ
ミダゾール誘導体（特公昭３７−１６０９６号公報など
に記載のもの）、ポリアリールアルカン誘導体（米国特
許第３，６１５，４０２号明細書、同３，８２０，９８
９号明細書、同３，５４２，５４４号明細書、特公昭４
５−５５５号公報、同５１−１０９８３号公報、特開昭
５１−９３２２４号公報、同５５−１７１０５号公報、
同５６−４１４８号公報、同５５−１０８６６７号公
報、同５５−１５６９５３号公報、同５６−３６６５６
号公報などに記載のもの）、ピラゾリン誘導体及びピラ
ゾロン誘導体（米国特許第３，１８０，７２９号明細
書、同４，２７８，７４６号明細書、特開昭５５−８８
０６４号公報、同５５−８８０６５号公報、同４９−１
０５５３７号公報、同５５−５１０８６号公報、同５６
−８００５１号公報、同５６−８８１４１号公報、同５
７−４５５４５号公報、同５４−１１２６３７号公報、
同５５−７４５４６号公報などに記載のもの）、フェニ
レンジアミン誘導体（米国特許第３，６１５，４０４号
明細書、特公昭５１−１０１０５号公報、同４６−３７
１２号公報、同４７−２５３３６号公報、特開昭５４−
５３４３５号公報、同５４−１１０５３６号公報、同５
４−１１９９２５号公報などに記載のもの）、アリール
アミン誘導体（米国特許第３，５６７，４５０号明細
書、同３，１８０，７０３号明細書、同３，２４０，５
９７号明細書、同３，６５８，５２０号明細書、同４，
２３２，１０３号明細書、同４，１７５，９６１号明細
書、同４，０１２，３７６号明細書、特公昭４９−３５
７０２号公報、同３９−２７５７７号公報、特開昭５５
−１４４２５０号公報、同５６−１１９１３２号公報、
同５６−２２４３７号公報、西独特許第１，１１０，５
１８号明細書などに記載のもの）、アミノ置換カルコン
誘導体（米国特許第３，５２６，５０１号明細書などに
記載のもの）、オキサゾール誘導体（米国特許第３，２
５７，２０３号明細書などに記載のもの）、スチリルア
ントラセン誘導体（特開昭５６−４６２３４号公報など
に記載のもの）、フルオレノン誘導体（特開昭５４−１
１０８３７号公報などに記載のもの）、ヒドラゾン誘導
体（米国特許第３，７１７，４６２号明細書、特開昭５
４−５９１４３号公報、同５５−５２０６３号公報、同
５５−５２０６４号公報、同５５−４６７６０号公報、
同５５−８５４９５号公報、同５７−１１３５０号公
報、同５７−１４８７４９号公報などに記載されている
もの）、スチルベン誘導体（特開昭６１−２１０３６３
号公報、同６１−２２８４５１号公報、同６１−１４６
４２号公報、同６１−７２２５５号公報、同６２−４７
６４６号公報、同６２−３６６７４号公報、同６２−１
０６５２号公報、同６２−３０２５５号公報、同６０−
９３４４５号公報、同６０−９４４６２号公報、同６０
−１７４７４９号公報、同６０−１７５０５２号公報に
記載のもの）などを挙げることができる。
ール誘導体（米国特許第３，１１２，１９７号明細書な
どに記載のもの）、オキサジアゾール誘導体（米国特許
第３，１８９，４４７号明細書などに記載のもの）、イ
ミダゾール誘導体（特公昭３７−１６０９６号公報など
に記載のもの）、ポリアリールアルカン誘導体（米国特
許第３，６１５，４０２号明細書、同３，８２０，９８
９号明細書、同３，５４２，５４４号明細書、特公昭４
５−５５５号公報、同５１−１０９８３号公報、特開昭
５１−９３２２４号公報、同５５−１７１０５号公報、
同５６−４１４８号公報、同５５−１０８６６７号公
報、同５５−１５６９５３号公報、同５６−３６６５６
号公報などに記載のもの）、ピラゾリン誘導体及びピラ
ゾロン誘導体（米国特許第３，１８０，７２９号明細
書、同４，２７８，７４６号明細書、特開昭５５−８８
０６４号公報、同５５−８８０６５号公報、同４９−１
０５５３７号公報、同５５−５１０８６号公報、同５６
−８００５１号公報、同５６−８８１４１号公報、同５
７−４５５４５号公報、同５４−１１２６３７号公報、
同５５−７４５４６号公報などに記載のもの）、フェニ
レンジアミン誘導体（米国特許第３，６１５，４０４号
明細書、特公昭５１−１０１０５号公報、同４６−３７
１２号公報、同４７−２５３３６号公報、特開昭５４−
５３４３５号公報、同５４−１１０５３６号公報、同５
４−１１９９２５号公報などに記載のもの）、アリール
アミン誘導体（米国特許第３，５６７，４５０号明細
書、同３，１８０，７０３号明細書、同３，２４０，５
９７号明細書、同３，６５８，５２０号明細書、同４，
２３２，１０３号明細書、同４，１７５，９６１号明細
書、同４，０１２，３７６号明細書、特公昭４９−３５
７０２号公報、同３９−２７５７７号公報、特開昭５５
−１４４２５０号公報、同５６−１１９１３２号公報、
同５６−２２４３７号公報、西独特許第１，１１０，５
１８号明細書などに記載のもの）、アミノ置換カルコン
誘導体（米国特許第３，５２６，５０１号明細書などに
記載のもの）、オキサゾール誘導体（米国特許第３，２
５７，２０３号明細書などに記載のもの）、スチリルア
ントラセン誘導体（特開昭５６−４６２３４号公報など
に記載のもの）、フルオレノン誘導体（特開昭５４−１
１０８３７号公報などに記載のもの）、ヒドラゾン誘導
体（米国特許第３，７１７，４６２号明細書、特開昭５
４−５９１４３号公報、同５５−５２０６３号公報、同
５５−５２０６４号公報、同５５−４６７６０号公報、
同５５−８５４９５号公報、同５７−１１３５０号公
報、同５７−１４８７４９号公報などに記載されている
もの）、スチルベン誘導体（特開昭６１−２１０３６３
号公報、同６１−２２８４５１号公報、同６１−１４６
４２号公報、同６１−７２２５５号公報、同６２−４７
６４６号公報、同６２−３６６７４号公報、同６２−１
０６５２号公報、同６２−３０２５５号公報、同６０−
９３４４５号公報、同６０−９４４６２号公報、同６０
−１７４７４９号公報、同６０−１７５０５２号公報に
記載のもの）などを挙げることができる。
【００１４】これらの化合物を正孔伝達化合物として使
用することができるが、次に示すポリフィリン化合物
（特開昭６３−２９５６９５号公報などに記載のもの）
及び芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合
物（米国特許第４，１２７，４１２号明細書、特開昭５
３−２７０３３号公報、同５４−５８４４５号公報、同
５４−１４９６３４号公報、同５４−６４２９９号公
報、同５５−７９４５０号公報、同５５−１４４２５０
号公報、同５６−１１９１３２号公報、同６１−２９５
５５８号公報、同６１−９８３５３号公報、同６３−２
９５６９５号公報などに記載のもの）、特に該芳香族第
三級アミン化合物を用いることが好ましい。
用することができるが、次に示すポリフィリン化合物
（特開昭６３−２９５６９５号公報などに記載のもの）
及び芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合
物（米国特許第４，１２７，４１２号明細書、特開昭５
３−２７０３３号公報、同５４−５８４４５号公報、同
５４−１４９６３４号公報、同５４−６４２９９号公
報、同５５−７９４５０号公報、同５５−１４４２５０
号公報、同５６−１１９１３２号公報、同６１−２９５
５５８号公報、同６１−９８３５３号公報、同６３−２
９５６９５号公報などに記載のもの）、特に該芳香族第
三級アミン化合物を用いることが好ましい。
【００１５】該ポリフィリン化合物の代表例としては、
ポリフィリン；５，１０，１５，２０−テトラフェニル
−２１Ｈ，２３Ｈ−ポリフィリン銅（II）；５，１０，
１５，２０−テトラフェニル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポリフ
ィリン亜鉛（II）；５，１０，１５，２０−テトラキス
（ペンタフルオロフェニル）−２１Ｈ，２３Ｈ−ポリフ
ィリン；シリコンフタロシアニンオキシド；アルミニウ
ムフタロシアニンクロリド；フタロシアニン（無金
属）；ジリチウムフタロシアニン；銅テトラメチルフタ
ロシアニン；銅フタロシアニン；クロムフタロシアニ
ン；亜鉛フタロシアニン；鉛フタロシアニン；チタニウ
ムフタロシアニンオキシド；マグネシウムフタロシアニ
ン；銅オクタメチルフタロシアニン；などが挙げられ
る。
ポリフィリン；５，１０，１５，２０−テトラフェニル
−２１Ｈ，２３Ｈ−ポリフィリン銅（II）；５，１０，
１５，２０−テトラフェニル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポリフ
ィリン亜鉛（II）；５，１０，１５，２０−テトラキス
（ペンタフルオロフェニル）−２１Ｈ，２３Ｈ−ポリフ
ィリン；シリコンフタロシアニンオキシド；アルミニウ
ムフタロシアニンクロリド；フタロシアニン（無金
属）；ジリチウムフタロシアニン；銅テトラメチルフタ
ロシアニン；銅フタロシアニン；クロムフタロシアニ
ン；亜鉛フタロシアニン；鉛フタロシアニン；チタニウ
ムフタロシアニンオキシド；マグネシウムフタロシアニ
ン；銅オクタメチルフタロシアニン；などが挙げられ
る。
【００１６】また該芳香族第三級化合物及びスチリルア
ミン化合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テ
トラフェニル−４，４’−ジアミノビフェニル；Ｎ，
Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（３−メチルフェニ
ル）−４，４’−ジアミノビフェニル（ＴＰＤ）；２，
２−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）プロパ
ン；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニ
ル）シクロヘキサン；Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ−ｐ
−トリル−４，４’−ジアミノビフェニル；１，１−ビ
ス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）−４−フェニ
ルシクロヘキサン；ビス（４−ジメチルアミノ−２−メ
チルフェニル）フェニルメタン；Ｎ，Ｎ’−ジフェニル
−Ｎ，Ｎ’−ジ（４−メトキシフェニル）−４，４’−
ジアミノビフェニル；Ｎ，Ｎ’−テトラフェニル−４，
４’−ジアミノビフェニルエーテル；４，４’−ビス
（ジフェニルアミノ）クオードリフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ
−トリ（ｐ−トリル）アミン；４−（ジ−ｐ−トリルア
ミン）−４’−［４（ジ−ｐ−トリルアミン）スチリ
ル］スチルベン；４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ−（２
−ジフェニルビニル）ベンゼン；３−メトキシ−４’−
Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチルベン；Ｎ−フェニルカ
ルバゾールなどが挙げられる。
ミン化合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テ
トラフェニル−４，４’−ジアミノビフェニル；Ｎ，
Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（３−メチルフェニ
ル）−４，４’−ジアミノビフェニル（ＴＰＤ）；２，
２−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）プロパ
ン；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニ
ル）シクロヘキサン；Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ−ｐ
−トリル−４，４’−ジアミノビフェニル；１，１−ビ
ス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）−４−フェニ
ルシクロヘキサン；ビス（４−ジメチルアミノ−２−メ
チルフェニル）フェニルメタン；Ｎ，Ｎ’−ジフェニル
−Ｎ，Ｎ’−ジ（４−メトキシフェニル）−４，４’−
ジアミノビフェニル；Ｎ，Ｎ’−テトラフェニル−４，
４’−ジアミノビフェニルエーテル；４，４’−ビス
（ジフェニルアミノ）クオードリフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ
−トリ（ｐ−トリル）アミン；４−（ジ−ｐ−トリルア
ミン）−４’−［４（ジ−ｐ−トリルアミン）スチリ
ル］スチルベン；４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ−（２
−ジフェニルビニル）ベンゼン；３−メトキシ−４’−
Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチルベン；Ｎ−フェニルカ
ルバゾールなどが挙げられる。
【００１７】上記ＥＬ素子における該正孔注入層は、こ
れらの正孔伝達化合物一種または二種以上からなる一層
で構成されてもよいし、あるいは、前記層とは別種の化
合物からなる正孔注入層を積層したものであってもよ
い。前記（３）または（４）の構成のＥＬ素子における
電子注入層（電子注入輸送層）は、電子伝達化合物から
なるものであって、陰極より注入された電子を発光層に
伝達する機能を有している。このような電子伝達化合物
について特に制限はなく、本発明の化合物ばかりでな
く、従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用
いる事ができる。該電子伝達化合物の好ましい例として
は、
れらの正孔伝達化合物一種または二種以上からなる一層
で構成されてもよいし、あるいは、前記層とは別種の化
合物からなる正孔注入層を積層したものであってもよ
い。前記（３）または（４）の構成のＥＬ素子における
電子注入層（電子注入輸送層）は、電子伝達化合物から
なるものであって、陰極より注入された電子を発光層に
伝達する機能を有している。このような電子伝達化合物
について特に制限はなく、本発明の化合物ばかりでな
く、従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用
いる事ができる。該電子伝達化合物の好ましい例として
は、
【００１８】
【化１５】
【化１６】 などのニトロ置換フルオレノン誘導体、
【化１７】 などのチオピランオキシド誘導体、
【化１８】 などのジフェニルキノン誘導体［「ポリマー・プレプリ
ント（Polymer Preprints ），ジャパン」37,9,681(198
8)］などに記載のもの、あるいは
ント（Polymer Preprints ），ジャパン」37,9,681(198
8)］などに記載のもの、あるいは
【００１９】
【化１９】
【化２０】 などの化合物［J.Apply.Phys.,27,269(1988)などに記載
のもの］や、アントラキノジメタン誘導体（特開昭５７
−１４９２５９号公報、同５８−５５４５０号公報、同
６１−２２５１５１号公報、同６１−２３３７５０号公
報、同６３−１０４０６１号公報などに記載のもの）、
フルオレニリデンメタン誘導体（特開昭６０−６９６５
７号公報、同６１−１４３７６４号公報、同６１−１４
８１５９号公報などに記載のもの）、アントロン誘導体
（特開昭６１−２２５１５１号公報、同６１−２３３７
５０号公報などに記載のもの）などを挙げることができ
る。
のもの］や、アントラキノジメタン誘導体（特開昭５７
−１４９２５９号公報、同５８−５５４５０号公報、同
６１−２２５１５１号公報、同６１−２３３７５０号公
報、同６３−１０４０６１号公報などに記載のもの）、
フルオレニリデンメタン誘導体（特開昭６０−６９６５
７号公報、同６１−１４３７６４号公報、同６１−１４
８１５９号公報などに記載のもの）、アントロン誘導体
（特開昭６１−２２５１５１号公報、同６１−２３３７
５０号公報などに記載のもの）などを挙げることができ
る。
【００２０】次に、本発明の化合物を用いたＥＬ素子を
作製する好適な方法の例を各構成の素子それぞれについ
て説明する。前記の陽極／発光層／陰極からなるＥＬ素
子の作製法について説明すると、まず適当な基板上に、
所望の電極物質、例えば陽極用物質からなる薄膜を、１
μｍ以下、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲の膜厚に
なるように、蒸着やスパッタリングなどの方法により形
成させ、陽極を作製したのち、この上に発光材料である
一般式（Ｉ）で表される化合物の薄膜を形成させ、発光
層を設ける。該発光材料の薄膜化の方法としては、例え
ば、スピンコート法、キャスト法、蒸着法などがある
が、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが生成し
にくいなどの点から蒸着法が好ましい。
作製する好適な方法の例を各構成の素子それぞれについ
て説明する。前記の陽極／発光層／陰極からなるＥＬ素
子の作製法について説明すると、まず適当な基板上に、
所望の電極物質、例えば陽極用物質からなる薄膜を、１
μｍ以下、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲の膜厚に
なるように、蒸着やスパッタリングなどの方法により形
成させ、陽極を作製したのち、この上に発光材料である
一般式（Ｉ）で表される化合物の薄膜を形成させ、発光
層を設ける。該発光材料の薄膜化の方法としては、例え
ば、スピンコート法、キャスト法、蒸着法などがある
が、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが生成し
にくいなどの点から蒸着法が好ましい。
【００２１】該発光材料の薄膜化に、この蒸着法を採用
する場合、その蒸着条件は、使用する発光層に用いる有
機化合物の種類、分子累積膜の目的とする結晶構造、会
合構造などにより異なるが、一般にボート加熱温度５０
〜４００℃、真空度１０-5〜１０-3Ｐａ、蒸着速度０．
０１〜５０ｎｍ／ｓｅｃ、基板温度−５０〜＋３００
℃、膜厚５ｎｍないし５μｍの範囲で適宜選ぶ事が望ま
しい。次にこの発光層の形成後、その上に陰極用物質か
らなる薄膜を、１μｍ以下、例えば蒸着やスパッタリン
グ等の方法により形成させ、陰極を設けることにより、
所望のＥＬ素子が得られる。なお、このＥＬ素子の作製
においては、作製順序を逆にして、陰極、発光層、陽極
の順に作製することも可能である。
する場合、その蒸着条件は、使用する発光層に用いる有
機化合物の種類、分子累積膜の目的とする結晶構造、会
合構造などにより異なるが、一般にボート加熱温度５０
〜４００℃、真空度１０-5〜１０-3Ｐａ、蒸着速度０．
０１〜５０ｎｍ／ｓｅｃ、基板温度−５０〜＋３００
℃、膜厚５ｎｍないし５μｍの範囲で適宜選ぶ事が望ま
しい。次にこの発光層の形成後、その上に陰極用物質か
らなる薄膜を、１μｍ以下、例えば蒸着やスパッタリン
グ等の方法により形成させ、陰極を設けることにより、
所望のＥＬ素子が得られる。なお、このＥＬ素子の作製
においては、作製順序を逆にして、陰極、発光層、陽極
の順に作製することも可能である。
【００２２】次に、陽極／正孔注入層／発光層／陰極か
らなるＥＬ素子の作製法について説明すると、まず、陽
極を前記のＥＬ素子の場合と同様にして形成した後、そ
の上に、正孔伝達化合物からなる薄膜を蒸着法などによ
り形成し、正孔注入層を設ける。この際の蒸着条件は、
前記発光材料の薄膜形成の蒸着条件に準じれば良い。次
に、この正孔注入層の上に、順次発光層及び陰極を、前
記ＥＬ素子の作製の場合と同様にして設けることによ
り、所望のＥＬ素子が得られる。なお、このＥＬ素子の
作製においても、作製順序を逆にして、陰極、発光層、
正孔注入層、陽極の順に作製することも可能である。ま
た、陽極／発光層／電子注入層／陰極からなるＥＬ素子
の作製法について説明すると、まず、陽極を前記のＥＬ
素子の場合と同様にして形成した後、その上に、前記の
蒸着条件に準じ発光材料からなる薄膜を形成し、発光層
を設ける。次に、この発光層の上に、電子伝達化合物か
らなる薄膜を蒸着法等により形成し、電子注入層を設
け、ついでこの上に、陰極を前記ＥＬ素子の作製の場合
と同様にして設けることにより、所望のＥＬ素子が得ら
れる。なお、このＥＬ素子の作製においても、作製順序
を逆にして、陰極、電子注入層、発光層、陽極の順に作
製することも可能である。さらに、陽極／正孔注入層／
発光層／電子注入層／陰極からなるＥＬ素子の作製法に
ついて説明すると、前記のＥＬ素子の場合と同様にし
て、陽極、正孔注入層、発光層、電子注入層、陰極を順
次設けることにより所望のＥＬ素子が得られる。なお、
このＥＬ素子の作製においても、作製順序を逆にして、
陰極、発光層、正孔注入層、陽極の順に作製することも
可能である。
らなるＥＬ素子の作製法について説明すると、まず、陽
極を前記のＥＬ素子の場合と同様にして形成した後、そ
の上に、正孔伝達化合物からなる薄膜を蒸着法などによ
り形成し、正孔注入層を設ける。この際の蒸着条件は、
前記発光材料の薄膜形成の蒸着条件に準じれば良い。次
に、この正孔注入層の上に、順次発光層及び陰極を、前
記ＥＬ素子の作製の場合と同様にして設けることによ
り、所望のＥＬ素子が得られる。なお、このＥＬ素子の
作製においても、作製順序を逆にして、陰極、発光層、
正孔注入層、陽極の順に作製することも可能である。ま
た、陽極／発光層／電子注入層／陰極からなるＥＬ素子
の作製法について説明すると、まず、陽極を前記のＥＬ
素子の場合と同様にして形成した後、その上に、前記の
蒸着条件に準じ発光材料からなる薄膜を形成し、発光層
を設ける。次に、この発光層の上に、電子伝達化合物か
らなる薄膜を蒸着法等により形成し、電子注入層を設
け、ついでこの上に、陰極を前記ＥＬ素子の作製の場合
と同様にして設けることにより、所望のＥＬ素子が得ら
れる。なお、このＥＬ素子の作製においても、作製順序
を逆にして、陰極、電子注入層、発光層、陽極の順に作
製することも可能である。さらに、陽極／正孔注入層／
発光層／電子注入層／陰極からなるＥＬ素子の作製法に
ついて説明すると、前記のＥＬ素子の場合と同様にし
て、陽極、正孔注入層、発光層、電子注入層、陰極を順
次設けることにより所望のＥＬ素子が得られる。なお、
このＥＬ素子の作製においても、作製順序を逆にして、
陰極、発光層、正孔注入層、陽極の順に作製することも
可能である。
【００２３】このようにして得られたＥＬ素子に、直流
電圧を印加する場合には、陽極を＋、陰極を−の極性と
して電圧５〜４０Ｖ程度を印加すると、発光が透明また
は半透明の電極側より観測できる。また、逆の極性で電
圧を印加しても電流は流れずに発光は全く生じない。さ
らに、交流電圧を印加する場合には、陽極が＋、陰極が
−の状態になったときのみ発光する。なお印加する交流
の波形は任意でよい。次に、該ＥＬ素子の発光メカニズ
ムについて、陽極／正孔注入輸送層／発光層／陰極の構
成の場合を例にあげて説明する。前記陽極を＋、陰極を
−の極性として電圧を印加すると、該陽極より正孔注入
層内に電界により注入される。この注入された正孔は、
該正孔注入輸送層内を発光層との界面に向けて輸送さ
れ、この界面から発光機能が発現される領域（例えば発
光層）に注入または輸送される。一方、電子は、陰極か
ら発光層内に電界により注入され、さらに輸送され、正
孔のいる領域、すなわち、発光機能が発現される領域で
正孔と再結合する（この意味で、前記領域は再結合領域
といってもよい）。この再結合が行われると、分子、そ
の会合体または結晶などの励起状態が形成され、これが
光に変換される。なお、再結合領域は、正孔注入輸送層
と発光層との界面でもよいし、発光層と陰極との界面で
もよく、あるいは両界面より離れた発光層中央部であっ
てもよい。これは使用する化合物の種類、その会合や結
晶構造により変わる。
電圧を印加する場合には、陽極を＋、陰極を−の極性と
して電圧５〜４０Ｖ程度を印加すると、発光が透明また
は半透明の電極側より観測できる。また、逆の極性で電
圧を印加しても電流は流れずに発光は全く生じない。さ
らに、交流電圧を印加する場合には、陽極が＋、陰極が
−の状態になったときのみ発光する。なお印加する交流
の波形は任意でよい。次に、該ＥＬ素子の発光メカニズ
ムについて、陽極／正孔注入輸送層／発光層／陰極の構
成の場合を例にあげて説明する。前記陽極を＋、陰極を
−の極性として電圧を印加すると、該陽極より正孔注入
層内に電界により注入される。この注入された正孔は、
該正孔注入輸送層内を発光層との界面に向けて輸送さ
れ、この界面から発光機能が発現される領域（例えば発
光層）に注入または輸送される。一方、電子は、陰極か
ら発光層内に電界により注入され、さらに輸送され、正
孔のいる領域、すなわち、発光機能が発現される領域で
正孔と再結合する（この意味で、前記領域は再結合領域
といってもよい）。この再結合が行われると、分子、そ
の会合体または結晶などの励起状態が形成され、これが
光に変換される。なお、再結合領域は、正孔注入輸送層
と発光層との界面でもよいし、発光層と陰極との界面で
もよく、あるいは両界面より離れた発光層中央部であっ
てもよい。これは使用する化合物の種類、その会合や結
晶構造により変わる。
【００２４】
【実施例】次に本発明を実施例及び応用例に基づいて更
に詳しく説明する。 実施例１ ４−メチル−７−（２−カルバゾリルエチ
ル）ウンベリフェロンの合成 ４−メチルウンベリフェロン０．８８ｇと炭酸カリウム
１．３８ｇのアセトン溶液にＮ−（２−トシルオキシエ
チル）カルバゾール２．７４ｇのアセトン溶液を加え
た。５時間還流後、固体をろ別してアセトンを留去し
た。トルエンと水をそれぞれ５０ｍｌ加え有機層に抽出
後、さらに２回水洗し硫酸マグネシウムで乾燥後濃縮し
た。酢酸エチルで再結晶し、真空下で乾燥した。収量は
０．２４ｇであった。この化合物のクロロホルム中での
蛍光のλｍａｘは４２４ｎｍであった。
に詳しく説明する。 実施例１ ４−メチル−７−（２−カルバゾリルエチ
ル）ウンベリフェロンの合成 ４−メチルウンベリフェロン０．８８ｇと炭酸カリウム
１．３８ｇのアセトン溶液にＮ−（２−トシルオキシエ
チル）カルバゾール２．７４ｇのアセトン溶液を加え
た。５時間還流後、固体をろ別してアセトンを留去し
た。トルエンと水をそれぞれ５０ｍｌ加え有機層に抽出
後、さらに２回水洗し硫酸マグネシウムで乾燥後濃縮し
た。酢酸エチルで再結晶し、真空下で乾燥した。収量は
０．２４ｇであった。この化合物のクロロホルム中での
蛍光のλｍａｘは４２４ｎｍであった。
【００２５】実施例２ ４−トリフルオロメチル−７−
（２−カルバゾリルエチル）ウンベリフェロンの合成 実施例１で用いた４−メチルウンベリフェロンを４−ト
リフルオロメチルウンベリフェロンに代えて、実施例１
に準ずる方法で合成した。
（２−カルバゾリルエチル）ウンベリフェロンの合成 実施例１で用いた４−メチルウンベリフェロンを４−ト
リフルオロメチルウンベリフェロンに代えて、実施例１
に準ずる方法で合成した。
【００２６】実施例３ ３−エトキシカルボニル−７−
（２−カルバゾリルエチル）ウンベリフェロンの合成 実施例１で用いた４−メチルウンベリフェロンを３−エ
トキシカルボニルウンベリフェロンに代えて、実施例１
に準ずる方法で合成した。この化合物のクロロホルム中
での蛍光のλｍａｘは４９７ｎｍであった。
（２−カルバゾリルエチル）ウンベリフェロンの合成 実施例１で用いた４−メチルウンベリフェロンを３−エ
トキシカルボニルウンベリフェロンに代えて、実施例１
に準ずる方法で合成した。この化合物のクロロホルム中
での蛍光のλｍａｘは４９７ｎｍであった。
【００２７】実施例４ ３−ベンゾオキサゾリル−７−
（２−カルバゾリルエチル）ウンベリフェロンの合成 実施例１で用いた４−メチルウンベリフェロンを３−ベ
ンゾオキサゾリルウンベリフェロンに代えて、実施例１
に準ずる方法で合成した。この化合物のクロロホルム中
での蛍光のλｍａｘは４６２ｎｍであった。
（２−カルバゾリルエチル）ウンベリフェロンの合成 実施例１で用いた４−メチルウンベリフェロンを３−ベ
ンゾオキサゾリルウンベリフェロンに代えて、実施例１
に準ずる方法で合成した。この化合物のクロロホルム中
での蛍光のλｍａｘは４６２ｎｍであった。
【００２８】実施例５ ３−ベンゾチアゾリル−７−
（２−カルバゾリルエチル）ウンベリフェロンの合成 実施例１で用いた４−メチルウンベリフェロンを３−ベ
ンゾチアゾリルウンベリフェロンに代えて、実施例１に
準ずる方法で合成した。
（２−カルバゾリルエチル）ウンベリフェロンの合成 実施例１で用いた４−メチルウンベリフェロンを３−ベ
ンゾチアゾリルウンベリフェロンに代えて、実施例１に
準ずる方法で合成した。
【００２９】実施例６ ３−ベンゾイミダゾリル−７−
（２−カルバゾリルエチル）ウンベリフェロンの合成 実施例１で用いた４−メチルウンベリフェロンを３−ベ
ンゾイミダゾリルウンベリフェロンに代えて、実施例１
に準ずる方法で合成した。
（２−カルバゾリルエチル）ウンベリフェロンの合成 実施例１で用いた４−メチルウンベリフェロンを３−ベ
ンゾイミダゾリルウンベリフェロンに代えて、実施例１
に準ずる方法で合成した。
【００３０】実施例７ ３，４，８−トリメチル−７−
（２−カルバゾリルエチル）ウンベリフェロンの合成 実施例１で用いた４−メチルウンベリフェロンを３，
４，８−トリメチルウンベリフェロンに代えて、実施例
１に準ずる方法で合成した。
（２−カルバゾリルエチル）ウンベリフェロンの合成 実施例１で用いた４−メチルウンベリフェロンを３，
４，８−トリメチルウンベリフェロンに代えて、実施例
１に準ずる方法で合成した。
【００３１】実施例８ Ｎ−メチル，Ｎ−（２−カルバ
ゾリルエチル）−４，６−ジメチル−７−アミノクマリ
ンの合成 実施例１で用いた４−メチルウンベリフェロンをＮ−エ
チル−４，６−ジメチル−７−アミノクマリンに代え
て、実施例１に準ずる方法で合成した。
ゾリルエチル）−４，６−ジメチル−７−アミノクマリ
ンの合成 実施例１で用いた４−メチルウンベリフェロンをＮ−エ
チル−４，６−ジメチル−７−アミノクマリンに代え
て、実施例１に準ずる方法で合成した。
【００３２】応用例１ ２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上にＩＴ
Ｏを蒸着法にて５０ｎｍの厚さで製膜したもの（東京三
容真空（株）製）を透明支持基板とした。この透明支持
基板を市販の蒸着装置（真空機工（株）製）の基板ホル
ダーに固定し、石英製のるつぼにＴＰＤを入れ、また別
のるつぼに実施例１で得られた化合物をそれぞれ別に入
れて真空槽を１×１０-4Ｐａまで減圧した。その後ＴＰ
Ｄ入りの前記るつぼを加熱し、ＴＰＤを蒸着速度０．１
〜０．２ｎｍ／秒で透明支持基板上に蒸着して、膜厚５
０ｎｍの正孔注入層を製膜させた。次いで、これを真空
槽より取り出す事なく、正孔注入層の上に、もう一つの
るつぼより実施例１で得られた化合物を発光層として５
０ｎｍ蒸着した。蒸着速度は０．１〜０．２ｎｍ／秒で
あった。これを真空槽より取り出し、上記発光層の上に
アルミニウム製のマスクを設置し、再び基板ホルダーに
固定した。次に、グラファイト製のるつぼにマグネシウ
ムを入れ、また別のるつぼに銀を装着した。その後真空
槽を２×１０-4Ｐａまで減圧してから、マグネシウムを
１．２〜２．４ｎｍ／秒の蒸着速度で、同時にもう一方
のるつぼから銀を０．１〜０．２ｎｍ／秒の蒸着速度で
蒸着した。上記条件でマグネシウムと銀の混合金属電極
を発光層の上に２００ｎｍ積層蒸着して対向電極とし、
素子を形成した。ＩＴＯ電極を陽極、マグネシウムと銀
の混合電極を陰極として、得られた素子に、直流電圧１
１Ｖを印加すると電流が１０ｍＡ／ｃｍ2 程度流れ、青
色の発光を得た。
Ｏを蒸着法にて５０ｎｍの厚さで製膜したもの（東京三
容真空（株）製）を透明支持基板とした。この透明支持
基板を市販の蒸着装置（真空機工（株）製）の基板ホル
ダーに固定し、石英製のるつぼにＴＰＤを入れ、また別
のるつぼに実施例１で得られた化合物をそれぞれ別に入
れて真空槽を１×１０-4Ｐａまで減圧した。その後ＴＰ
Ｄ入りの前記るつぼを加熱し、ＴＰＤを蒸着速度０．１
〜０．２ｎｍ／秒で透明支持基板上に蒸着して、膜厚５
０ｎｍの正孔注入層を製膜させた。次いで、これを真空
槽より取り出す事なく、正孔注入層の上に、もう一つの
るつぼより実施例１で得られた化合物を発光層として５
０ｎｍ蒸着した。蒸着速度は０．１〜０．２ｎｍ／秒で
あった。これを真空槽より取り出し、上記発光層の上に
アルミニウム製のマスクを設置し、再び基板ホルダーに
固定した。次に、グラファイト製のるつぼにマグネシウ
ムを入れ、また別のるつぼに銀を装着した。その後真空
槽を２×１０-4Ｐａまで減圧してから、マグネシウムを
１．２〜２．４ｎｍ／秒の蒸着速度で、同時にもう一方
のるつぼから銀を０．１〜０．２ｎｍ／秒の蒸着速度で
蒸着した。上記条件でマグネシウムと銀の混合金属電極
を発光層の上に２００ｎｍ積層蒸着して対向電極とし、
素子を形成した。ＩＴＯ電極を陽極、マグネシウムと銀
の混合電極を陰極として、得られた素子に、直流電圧１
１Ｖを印加すると電流が１０ｍＡ／ｃｍ2 程度流れ、青
色の発光を得た。
【００３３】応用例２ ２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上にＩＴ
Ｏを蒸着法にて１００ｎｍの厚さで製膜したもの（東京
三容真空（株）製）を透明支持基板とした。この透明支
持基板を市販の蒸着装置（真空機工（株）製）の基板ホ
ルダーに固定し、石英製のるつぼにＴＰＤを入れ、また
別のるつぼに実施例４で得られた化合物をそれぞれ別に
入れて真空槽を１×１０-4Ｐａまで減圧した。その後Ｔ
ＰＤ入りの前記るつぼを加熱し、ＴＰＤを蒸着速度０．
１〜０．２ｎｍ／秒で透明支持基板上に蒸着して、膜厚
５０ｎｍの正孔注入層を製膜させた。次いで、これを真
空槽より取り出す事なく、正孔注入層の上に、もう一つ
のるつぼより実施例４で得られた化合物を発光層として
５０ｎｍ蒸着した。蒸着速度は０．１〜０．２ｎｍ／秒
であった。これを真空槽より取り出し、上記発光層の上
にアルミニウム製のマスクを設置し、再び基板ホルダー
に固定した。次に、グラファイト製のるつぼにマグネシ
ウムを入れ、また別のるつぼに銀を装着した。その後真
空槽を２×１０-4Ｐａまで減圧してから、マグネシウム
を１．２〜２．４ｎｍ／秒の蒸着速度で、同時にもう一
方のるつぼから銀を０．１〜０．２ｎｍ／秒の蒸着速度
で蒸着した。上記条件でマグネシウムと銀の混合金属電
極を発光層の上に２００ｎｍ積層蒸着して対向電極と
し、素子を形成した。ＩＴＯ電極を陽極、マグネシウム
と銀の混合電極を陰極として、得られた素子に、直流電
圧１２Ｖを印加すると電流が１０ｍＡ／ｃｍ2 程度流
れ、橙色の発光を得た。
Ｏを蒸着法にて１００ｎｍの厚さで製膜したもの（東京
三容真空（株）製）を透明支持基板とした。この透明支
持基板を市販の蒸着装置（真空機工（株）製）の基板ホ
ルダーに固定し、石英製のるつぼにＴＰＤを入れ、また
別のるつぼに実施例４で得られた化合物をそれぞれ別に
入れて真空槽を１×１０-4Ｐａまで減圧した。その後Ｔ
ＰＤ入りの前記るつぼを加熱し、ＴＰＤを蒸着速度０．
１〜０．２ｎｍ／秒で透明支持基板上に蒸着して、膜厚
５０ｎｍの正孔注入層を製膜させた。次いで、これを真
空槽より取り出す事なく、正孔注入層の上に、もう一つ
のるつぼより実施例４で得られた化合物を発光層として
５０ｎｍ蒸着した。蒸着速度は０．１〜０．２ｎｍ／秒
であった。これを真空槽より取り出し、上記発光層の上
にアルミニウム製のマスクを設置し、再び基板ホルダー
に固定した。次に、グラファイト製のるつぼにマグネシ
ウムを入れ、また別のるつぼに銀を装着した。その後真
空槽を２×１０-4Ｐａまで減圧してから、マグネシウム
を１．２〜２．４ｎｍ／秒の蒸着速度で、同時にもう一
方のるつぼから銀を０．１〜０．２ｎｍ／秒の蒸着速度
で蒸着した。上記条件でマグネシウムと銀の混合金属電
極を発光層の上に２００ｎｍ積層蒸着して対向電極と
し、素子を形成した。ＩＴＯ電極を陽極、マグネシウム
と銀の混合電極を陰極として、得られた素子に、直流電
圧１２Ｖを印加すると電流が１０ｍＡ／ｃｍ2 程度流
れ、橙色の発光を得た。
【００３４】
【発明の効果】本発明の化合物は、置換基の種類、位置
および数を変えることにより、様々な発光色が得られる
ためＥＬ素子の発光層の１成分として適している。ま
た、電荷輸送性に優れることからＥＬ素子の電荷輸送層
として適している。さらに固体状態においても、蛍光の
強度が強いため、これらを用いることにより、フルカラ
ーディスプレー等の高効率な発光素子が作成できる。
および数を変えることにより、様々な発光色が得られる
ためＥＬ素子の発光層の１成分として適している。ま
た、電荷輸送性に優れることからＥＬ素子の電荷輸送層
として適している。さらに固体状態においても、蛍光の
強度が強いため、これらを用いることにより、フルカラ
ーディスプレー等の高効率な発光素子が作成できる。
Claims (2)
- 【請求項１】 一般式 【化１】 ［式中、Ｒ1 〜Ｒ5 はそれぞれ独立に水素、フッ素、ア
ルキル基、アルコキシ基、ジアルキルアミノ基、アルカ
ノイルオキシ基、アルキルオキシカルボニル基、アリー
ル基、シアノ基、アルカノイル基またはトリフルオロメ
チル基を示し、ＸはＯまたはＮＹ（Ｙはアルキル基また
はアリール基を示す）を示し、ｎは１，２，３または４
を示す］で表されるクマリン誘導体。 - 【請求項２】 請求項第１項記載の化合物を用いた電界
発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11399093A JP3278975B2 (ja) | 1993-04-16 | 1993-04-16 | クマリン誘導体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11399093A JP3278975B2 (ja) | 1993-04-16 | 1993-04-16 | クマリン誘導体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06298758A JPH06298758A (ja) | 1994-10-25 |
| JP3278975B2 true JP3278975B2 (ja) | 2002-04-30 |
Family
ID=14626302
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11399093A Expired - Lifetime JP3278975B2 (ja) | 1993-04-16 | 1993-04-16 | クマリン誘導体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3278975B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3505761B2 (ja) * | 1993-12-27 | 2004-03-15 | チッソ株式会社 | 共重合体、その製造法及びそれを用いた電界発光素子 |
| KR100441512B1 (ko) * | 1996-10-07 | 2004-10-08 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전기발광표시소자용발색화합물 |
| US7456205B2 (en) * | 2003-02-26 | 2008-11-25 | Shanghai Institute Of Materia Medica, Chinese Academy Of Sciences | Benzopyran compounds, process for preparing the same and their use |
| US9070885B2 (en) | 2011-01-27 | 2015-06-30 | Jnc Corporation | Anthracene compound and organic electroluminescence element using same |
| JP5780132B2 (ja) | 2011-05-19 | 2015-09-16 | Jnc株式会社 | ベンゾフルオレン化合物、該化合物を用いた発光層用材料および有機電界発光素子 |
| TWI612054B (zh) | 2012-09-11 | 2018-01-21 | 捷恩智股份有限公司 | 有機電場發光元件、顯示裝置以及照明裝置 |
| TWI636056B (zh) | 2014-02-18 | 2018-09-21 | 學校法人關西學院 | 多環芳香族化合物及其製造方法、有機元件用材料及其應用 |
| EP3626722A4 (en) | 2017-05-16 | 2021-03-03 | Kwansei Gakuin Educational Foundation | POLYCYCLIC AROMATIC COMPOUND |
| WO2021261398A1 (ja) * | 2020-06-25 | 2021-12-30 | コニカミノルタ株式会社 | 発光性ナノ粒子及び病理診断用発光性標識材 |
-
1993
- 1993-04-16 JP JP11399093A patent/JP3278975B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06298758A (ja) | 1994-10-25 |
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