JP4090874B2 - 有機電界発光素子 - Google Patents

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Description

【０００１】
【技術分野】
本発明は平面光源や表示に使用される有機電界発光素子（有機ＥＬ素子ともいう）に関するものである。
【０００２】
【背景技術】
近年、これまでにない高輝度な平面ディスプレイの候補として有機電界発光素子が注目され、その研究開発が活発化している。有機電界発光素子は発光層を２つの電極で挟んだ構造であり、陽極から注入された電子とが発光層中で再結合して光を発する。用いられる有機材料には低分子材料と高分子材料があり、共に高輝度の有機電界発光素子が得られることが示されている。
このような有機電界発光素子には２つのタイプがある。一つは、Ｃ．Ｗ．Ｔａｎｇらによって発表された蛍光色素を添加した電荷輸送材料を発光層として用いたもの（Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，６５，３６１０（１９８９））、もう一つは、蛍光色素自身を発光層として用いたものもある（例えば、Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，２７，Ｌ２６９（１９８８））に記載されている素子である。
【０００３】
蛍光色素自身を発光層として用いた有機電界発光素子は、大きく分けて、更に３つのタイプに分けられる。１つ目は、発光層を正孔輸送層と電子輸送層とで挟んで３層にしたもの、２つ目は、正孔輸送層と発光層とを積層として２層としたもの、３つ目は、電子輸送層と発光層を積層にして２層にしたものである。このように２層若しくは３層にすることにより、有機電界発光素子の発光効率が向上することが知られている。
上記各構成の有機電界発光素子における電子輸送層は、電子伝達化合物を含有するものであって、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有している。正孔注入層及び正孔輸送層は正孔伝達化合物を含有する層であって、陽極より注入された正孔を発光層に伝達する機能を有するが、この正孔注入層を陽極と発光層の間に介在させることにより、より低い電界で多くの正孔が発光層に注入され、その上、陰極若しくは電子注入層より注入された電子を発光層に閉じ込めることも可能になるので、発光効率が向上するなど、発光性能に優れた有機電界発光素子を得ることができる。
【０００４】
しかしながら、これらの有機電界発光素子は、実用化のために十分な性能を有していなかった。その大きな原因は、使用材料の耐久性の不足にあり、特に正孔輸送材料の耐久性が乏しいことが挙げられる。有機電界発光素子の有機層に結晶粒界などの不均一部分が存在すると、その部分に電界が集中して素子の劣化・破壊につながると考えられている。そのため有機層はアモルファス状態で使用されることが多い。また、有機電界発光素子は電流注入型素子であり、使用する材料のガラス転移点（Ｔｇ）が低いと、駆動中のジュール熱により有機電界発光素子が劣化する結果となるので、Ｔｇの高い材料が要求される。また、用いられている正孔輸送材料の正孔輸送性が十分でなく、素子の発光効率が実用的ではなかった。
かかる有機電界発光素子に使用される正孔輸送材料としては、トリフェニルアミン誘導体を中心にして多種多様の材料が知られているにもかかわらず、実用化に適した材料は少ない。例えば、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔ．５７，Ｎｏ６，ｐ５３１，（１９９０）には、Ｎ，Ｎ'−ジフェニル−Ｎ，Ｎ'−ジアミノビフェニル（ＴＰＤ）が報告されているが、この化合物は、熱安定性に乏しく、素子の寿命などに問題があった。ＵＳ特許５０４７６８７、ＵＳ特許４０４７９４８、ＵＳ特許４５３６４５７、ＪＰ ６−３２３０７（Ａ１）、ＪＰ ５−２３４６８１（Ａ１）、ＪＰ ５−２３９４５５号（Ａ１）、ＪＰ ８−８７１２２（Ａ１）にも多くのトリフェニルアミン誘導体が記載されているが、十分な特性を持つ化合物はない。
【０００５】
ＪＰ ４−３０８６８８（Ａ１）、ＪＰ ６−１９７２（Ａ１）及びＡｄｖ．Ｍａｔｅｒｉａｌ，６，ｐ６７７（１９９４）年に記載されているスターバーストアミン誘導体、ＪＰ ７−１２６２２６（Ａ１）、ＪＰ ８−４８６５６（Ａ１）、ＪＰ ８−１００１７２（Ａ１）及びＪｏｕｒｎａｌ ｏｆ ｔｈｅ Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ，ｐ２１７５（１９９６）に記載されている各化合物においても、高発光効率で長寿命であるという実用上必須の特性を併せ持つものはない。また、ＪＰ特許２８５１１８５には、Ｎ，Ｎ'−ジナフチル−Ｎ，Ｎ'−ジフェニル４，４'−ジアミノビフェニル（ＮＰＤ）を、更にはＪＰ ９−１９４４４１（Ａ１）には、ＮＰＤ誘導体を使用した例が報告されており、いずれも、ＴＰＤの特性より向上していることが記載されているが、これらにおいても正孔輸送性及び耐熱性が十分ではなかった。
上述のように、従来の有機電界発光素子に用いられる正孔輸送材料は、実用上十分な性能を有しておらず、優れた材料を使用することにより、有機電界発光素子の効率及び寿命を高めることが望まれている。更に、大部分の有機電界発光素子の発光は、電荷輸送層とは別個に設けられた発光層若しくは電子輸送層から得られることが多く、正孔輸送層から得られるものは少ない。この理由には、同時に使用する電子輸送層との相性の問題もあるが、正孔輸送材料自身の発光色、及び発光強度も重要な因子と考えられる。正孔輸送層から発光が取り出せれば、より実用的価値が高くなることが予想されるにも関わらず、そのような材料は少ない。また、そのような材料は、ＪＰ ９−１５７６４３（Ａ１）に記載されている９−アントリル誘導体に代表されるように、多くの場合で発光波長が長く、短波長の発光が取り出せないなどの問題があった。
【０００６】
本発明は、このような従来技術の有する課題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、高発光効率で長寿命な有機電界発光素子、これに用いられる新規な化合物、正孔輸送材料及び有機電界発光材料を提供することにある。
【０００７】
【発明の開示】
本発明者らは、このような従来技術が抱えている上述の課題を解決すべく鋭意検討した結果、特定のトリアリールアミン誘導体を用いることにより、高効率、長寿命な有機電界発光素子が得られることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００８】
本発明は、一般式（１）で表わされるトリアリールアミン誘導体を用いてなる有機電界発光素子である。
【化３】
Figure 0004090874
（式中、Ａｒ1、Ａｒ2及びＡｒ3はそれぞれ独立にフェニル基、低級アルキルフェニル基、低級アルコキシフェニル基、シアノフェニル基、フェノキシフェニル基、ハロフェニル基、ナフチル基、低級アルキルナフチル基、低級アルコキシナフチル基、シアノナフチル基、ハロナフチル基、フルオレニル基、カルバゾリル基、低級アルキルカルバゾリル基、ビフェニル基、低級アルキルビフェニル基、低級アルコキシビフェニル基、チオフェニル基、インドリル基、ピリジル基又は一般式（２）で示される９−フェナントリル基であり、少なくとも二つは前記９−フェナントリル基である）
【化４】
Figure 0004090874
（式中、Ｒ1〜Ｒ9はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アラルキル基、アルケニル基、シアノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アルコキシ基、アルキルスルフォニル基、ハロアルキル基を表す）。
【０００９】
更に、本発明は、発光層、正孔輸送層又は正孔注入層を有し、この発光層、正孔輸送層又は正孔注入層に、前記いずれかのトリアリールアミン誘導体を含有させた有機電界発光素子である。
【００１０】
以下、本発明を詳細に説明する。
【００１１】
本発明における一般式（１）で示されるトリアリールアミンのＡｒ1、Ａｒ2及びＡｒ3は、置換又は未置換のアリール基を表し、かつその中の少なくとも二つは一般式（２）で示される９−フェナントリル基である。なお、少なくとも二つの一般式（２）で示される９−フェナントリル基を有する本発明のトリアリールアミンは新規化合物である。
【００１２】
９−フェナントリル基以外の置換又は未置換のアリール基としては、フェニル基、エチルフェニル基、ビフェニル基、メチルビフェニル基、エチルビフェニル基、シクロヘキシルビフェニル基、ターフェニル基、クロロフェニル基、ニトロフェニル基、シアノフェニル基、ｏ−、ｍ−、及びｐ−メトキシフェニル基、メチルチオフェニル基、ｏ−、ｍ−、及びｐ−フルオロフェニル基、ジクロロフェニル基、ジシアノフェニル基、トリフルオロメトキシフェニル基、ｏ−、ｍ−、及びｐ−トリル基、ｏ−、ｍ−、及びｐ−クメニル基、メシチル基、フェノキシフェニル基、（α、α−ジメチルベンジル）フェニル基、（Ｎ，Ｎ−ジメチル）アミノフェニル基、（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル基、ペンタレニル基、インデニル基、ナフチル基、メチルナフチル基、アズレニル基、ヘプタレニル基、アセナフチレニル基、フェナレニル基、フルオレニル基、アントラキノリル基、メチルアントリル基、フェナントリル基、トリフェニレル基、ピレニル基、クリセニル基、エチル−クリセニル基、ピセニル基、ペリレニル基、クロロペリネリル基、ペンタフェニル基、ペンタセニル基、テトラフェニレニル基、ヘキサフェニル基、ヘキサセニル基、ルビセニル基、コロネリル基、トリナフチレニル基、ヘプタフェニル基、ヘプタセニル基、ピラントレニル基、オバレニル基、フルオレニル基、カルバゾール基等が挙げられる。好ましくは、フェニル基、低級アルキルフェニル基、低級アルコキシフェニル基、シアノフェニル基、フェノキシフェニル基、ハロフェニル基、ナフチル基、低級アルキルナフチル基、低級アルコキシナフチル基、シアノナフチル基、ハロナフチル基、フルオレニル基、カルバゾリル基、低級アルキルカルバゾリル基、ビフェニル基、低級アルキルビフェニル基、低級アルコキシビフェニル基、チオフェニル基、インドリル基又はピリジル基である。低級アルキル、低級アルコキシとしては炭素数が１〜５の範囲が好ましい。より好ましくは、フェニル基、ナフチル基、フェナントレニル基から選ばれる１環〜３環のアリール基又はこれらの芳香族環に炭素数３以下の低級アルキル、炭素数３以下の低級アルコキシ、シアノ、フェノキシ、フェニル又はハロゲンが１〜３個、好ましくは１個が置換したアリール基が挙げられる。
【００１３】
一般式（２）中のＲ1〜Ｒ9はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アラルキル基、アルケニル基、シアノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アルコキシ基、アルキルスルフォニル基又はハロアルキル基を表す。好ましくは、水素原子、ハロゲン原子、炭素数３以下のアルキル基である。
【００１４】
本発明において、一般式（１）で表される化合物は、例えば以下の方法により製造することができる。
置換若しくは無置換の９−ヨードフェナントレンと、置換若しくは無置換のアリールアミン化合物又は置換若しくは無置換のジアリールアミン化合物を、ニトロベンゼン溶媒中、炭酸カリウム及び銅触媒を用いて置換反応させる方法を挙げることができる。
９−フェナントリル基を一つ有するトリアリールアミン誘導体は、置換若しくは無置換の９−ヨードフェナントレンを、置換若しくは無置換の２級ジアリールアミン誘導体を、塩基及び触媒と共に溶媒中で反応させることにより合成することができる。また、９−フェナントリル基を２つ有する化合物に関しては、１当量の１級アリールアミンと２当量の置換若しくは無置換の９−ヨードフェナントレンを、塩基及び触媒と共に溶媒中で反応させることによりできる。更に、９−フェナントリル基を３つ導入した化合物は、１当量の置換若しくは無置換の９−アミノフェナントレンに２当量の置換若しくは無置換の９−ヨードフェナントレンを、塩基及び触媒と共に溶媒中で反応させることにより合成できる。
【００１５】
上記合成反応で使用される塩基としては、炭酸カリウム、水酸化リチウム、水酸化ナトリウムのような無機塩基、ピリジン、ピコリン、トリエチルアミンのような有機塩基が挙げられる。この合成で用いられる触媒としては、銅粉、酸化銅、ハロゲン化銅、硫酸銅等があげられる。この合成で用いられる溶媒は、原料を溶解して、反応を行わせることができるものであればよい。例えば、トルエン、キシレン、ニトロベンゼン、ジメチルスルフォキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルフォキシド等の溶媒が挙げられる。
【００１６】
本発明で有機電界発光素子として使用されるトリアリールアミン誘導体の代表例を、以下の表１〜５に例示するが、これに限定されない。但し、Ａｒ3は９−フェナントリル基である。９−フェナントリル基を２以上有するトリアリールアミン誘導体は、化合物Ｎｏ３２以降に示される。なお、化合物 No １〜３１のトリアリールアミン誘導体は、参考例である。
【００１７】
【表１】
Figure 0004090874
【００１８】
【表２】
Figure 0004090874
【００１９】
【表３】
Figure 0004090874
【００２０】
【表４】
Figure 0004090874
【００２１】
【表５】
Figure 0004090874
【００２２】
本発明で使用するトリアリールアミン誘導体は、剛直なフェナントリル基を構造中に有するため、ガラス転移点や融点が高くなる。このため、電界発光時における有機層中、有機層間若しくは、有機層と金属電極間で発生するジュール熱に対する耐性（耐熱性）及び高温環境下での耐性が向上するので、有機電界発光素子の正孔輸送層や発光材料、発光層ホスト材料、発光層ドープ材料として使用した場合、高い発光輝度を示し、長時間発光させる際にも有利である。中でも、９−フェナントリル基を２以上有するトリアリールアミン誘導体は、剛直なフェナントリル基を２以上有するため、上記効果を更に高める。
また、一般に、有機電界発光素子を構成する有機層に用いられる化合物は、他の層に用いられる化合物と励起錯体を形成しない方がよく、本発明のトリアリールアミン誘導体は、他の化合物と励起錯体を形成し難いという利点もある。これもフェナントリル基を導入したことによると考えられる。また本発明の有機電界発光素子は、高効率ばかりでなく、保存時、及び駆動時の耐久性も高い。これは、本発明で使用されるトリアリールアミン誘導体のＴｇが高いためである。一般式（１）で表されるトリアリールアミン誘導体は、正孔輸送材料、正孔注入材料及び発光材料としての機能も有する。
【００２３】
本発明の有機電界発光素子の構造としては、各種の様態があるが、基本的には陰極（Ａ）と陽極（Ｃ）の間に、少なくとも１層の上記トリアリールアミン誘導体を含有する有機層を挟持した構造である。陰極（Ａ）と陽極（Ｃ）の間には、正孔注入層（Ｂ１）、正孔輸送層（Ｂ２）、有機発光層（Ｂ３）、電子輸送層（Ｂ４）、正孔阻止層（Ｂ５）、電子注入層（Ｂ６）等をから選ばれる複数の中間層が設けられる。上記トリアリールアミン誘導体を含有する有機層は、上記中間層の少なくとも１層であるが、好ましくは正孔注入層（Ｂ１）、正孔輸送層（Ｂ２）又は有機発光層（Ｂ３）の少なくとも１層である。また、所望に応じて、上記トリアリールアミン誘導体含有層に他の正孔注入材料、正孔輸送材料、正孔阻止材料、発光材料、電子注入材料あるいは電子輸送材料などを添加することができる。例えば、トリアリールアミン誘導体を発光層として使用する場合、この発光層に他の発光材料を添加することにより、異なる波長の光を発生させたり、発光効率を向上させることができる。
【００２４】
具体的な構成としては、次のような積層構造を挙げることができる。
１）(A)/(B3)/(C)， ２）(A)/(B2)/(B3)/(C)， ３）(A)/(B2)/(B3)/(B5)/(C)，
４）(A)/(B1)/(B2)/(B3)/(C)， ５）(A)/(B1)/(B2)/(B3)/(B5)/(C),
６）(A)/(B3)/(B4)/(C)， ７）(A)/(B3)/(B4)/(B6)/(C)，
８）(A)/(B3)/(B5)/(B4)/(B6)/(C)， ９）(A)/(B2)/(B3)/(B5)/(B4)/(C)，
１０）(A)/(B1)/(B2)/(B3)/(B4)/(C)， １１）(A)/(B1)/(B2)/(B3)/(B4)/(B5)/(C)，
１２）(A)/(B1)/(B2)/(B3)/(B4)/(B6)/(C)，
１３)(A)/(B1)/(B2)/(B3)/(B5)/(B4)/(B6)/(C)，
正孔注入層（Ｂ１）、電子注入層（Ｂ６）、正孔阻止層（Ｂ５）等は、必ずしも必要ないが、これらの層を設けることにより、発光効率を向上させることができる。
【００２５】
本発明の有機電界発光素子は、上記のいずれの構造であっても、基板に支持されていることが好ましい。基板としては、機械的強度、熱安定性及び透明性を有するものであればよく、ガラス、透明プラスチックフィルムなどを用いることができる。本発明の有機電界発光素子の陽極物質としては、４ｅＶより大きな仕事関数を有する金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を用いることができる。具体例として、Ａｕなどの金属、ＣｕＩ、インジウムチンオキサイド（ＩＴＯ）、ＳｎＯ2、ＺｎＯなどの伝導性透明材料が挙げられる。
【００２６】
陰極物質としては、４ｅＶより小さな仕事関数の金属、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物を使用できる。具体例としては、Ｃａ、Ｍｇ、Ｌｉ、Ａｌ、マグネシウム合金、リチウム合金、アルミニウム合金等がある。合金としては、Ａｌ／Ｌｉ、Ｍｇ／Ａｇ、Ｍｇ／Ｉｎ合金などが挙げられる。有機電界発光素子の発光を効率よく取り出すために、電極の少なくとも一方は光透過率が１０％以上とするのが望ましい。電極としてのシート抵抗は数百Ω／ｍｍ以下とするのが好ましい。なお、膜厚は電極材料の性質にもよるが、通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは１０〜４００ｎｍの範囲で選定される。このような電極は、上述の電極物質を使用して蒸着やスパッタリングなどの方法により作成することができる。
【００２７】
また、本発明のトリアリール誘導体は、分子中に３級アリールアミン基を含有しているために、正孔輸送性があり、正孔輸送材料として適している他、本発明以外の正孔輸送材料と積層させることにより、電子輸送材料としての利用も可能である。
正孔注入層に用いられる材料に要求される条件としては、陽極とのコンタクトがよく均一な薄膜が形成でき、熱的に安定、すなわち、融点又はＴｇが高く、融点としては少なくとも２５０℃以上、Ｔｇとしては１００℃以上が要求されるが、本発明で使用するトリアリールアミン誘導体は、これらの要求を満たしており、正孔注入材料としても適している。
【００２８】
更に、本発明で使用するトリアリールアミン誘導体は、薄膜状態における蛍光強度が非常に高いことから、発光材料として用いることもできる。この場合、必要に応じて正孔阻止材料を積層させることが好ましい。正孔阻止材料については、有機電界発光素子の正孔阻止材料に用いられている公知のものから任意のものを選択して用いることが出来る。例えば、Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，３２，Ｌ９１７（１９９３）に記載のオキサジアゾール誘導体やトリアゾール誘導体、ＭＲＳ ９８ Ｓｐｒｉｎｇ Ｍｅｅｔｉｎｇ，Ｇ２．１，Ａｐｒｉｌ １９９８．に記載のフェナントロリン誘導体、あるいはＪＰ １１−３２９７３４（Ａ１）に記載されている正孔阻止材料などが挙げられる。なお、本発明で使用するトリアリールアミン誘導体を含有する層の膜厚であるが、通常５〜３００ｎｍ、好ましくは１０〜１００ｎｍである。このように薄い層を作るには、蒸着法が好ましいが、必要により、バインダー樹脂を添加し、溶剤に溶解させ、塗布溶液を調整し、スピンコート法等の方法により塗布し、乾燥させ、製膜することもできる。
【００２９】
本発明の有機電界発光素子に使用される他の正孔注入材料及び正孔輸送材料については、光導伝材料において、正孔の電荷輸送材料として従来から慣用されているものや、有機電界発光素子の正孔注入層及び正孔輸送層に使用されている公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。例えば、カルバゾール誘導体（Ｎ−フェニルカルバゾール、ポリビニルカルバゾールなど）、トリアリールアミン誘導体（ＴＰＤ、芳香族第３級アミンを主鎖あるいは側鎖にもつポリマー、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン、Ｎ−Ｎ'−ジフェニル−Ｎ，Ｎ'−ジナフチル−４，４'−ジアミノビフェニル、４，４'，４''−トリス｛Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ｝トリフェニルアミン、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ｔｈｅ Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ，ｐ２１７５（１９９６）に記載されている化合物、ＪＰ５７−１４４５５８（Ａ１）、ＪＰ６１−６２０３８（Ａ１）、ＪＰ６１−１２４９４９（Ａ１）、ＪＰ６１−１３４３５４（Ａ１）、ＪＰ６１−１３４３５５（Ａ１）、ＪＰ６１−１１２１６４（Ａ１）、ＪＰ ４−３０８６８８（Ａ１）、ＪＰ ６−３１２９７９（Ａ１）、ＪＰ ６−２６７６５８（Ａ１）、ＪＰ ７−９０２５６（Ａ１）、ＪＰ ７−９７３５５（Ａ１）、ＪＰ ７−９７３５５（Ａ１）、ＪＰ ６−１９７２（Ａ１）、ＪＰ ７−１２６２２６（Ａ１）、ＪＰ ７−１２６６１５（Ａ１）、ＪＰ ７−３３１２３８（Ａ１）、ＪＰ ８−１００１７２（Ａ１）及びＪＰ ８−４８６５６（Ａ１）に記載されている化合物、Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌ，６，ｐ６７７（１９９４）に記載されているスターバーストアミン誘導体など）、スチルベン誘導体（日本化学会第７２春季年会講演予稿集（ＩＩ）、ｐ１３９２、２ＰＢ０９８など）、フタロシアニン誘導体（無金属、銅フタロシアニンなど）、ポリシランなどが挙げられる。本発明の有機電界発光素子において、正孔注入材料、正孔輸送材料、発光材料、電子注入材料などの使用材料としては、好ましくはＴｇが８０℃以上のもの、より好ましくはＴｇが１００℃以上のものである。
なお、本発明の有機電界発光素子における正孔注入層及び正孔輸送層は、上記の化合物の１種以上を含有する複数の層を積層したものであってもよい。
【００３０】
本発明の有機電界発光素子に使用される他の電子注入材及び電子輸送材については特に制限はなく、光導伝材料において、電子伝達化合物として従来から慣用されているもの、有機電界発光素子の電子注入層及び電子輸送層に使用される公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。かかる電子伝達化合物の好ましいものの例として、ＬｉＦ、アルミニウムの８−ヒドロキシキノリン錯体（Ａｌｑ３）及びその誘導体、ジフェニルキノン誘導体（電子写真学会誌、３０、３（１９９１）に記載のもの）、ペリレン誘導体（Ｊ．Ａｐｐｌｙ．Ｐｈｙｓ．，２７，２６９（１９８８）などに記載のもの）や、オキサジアゾール誘導体（前記文献、Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，２７，Ｌ７１３（１９８８）、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，５５，１４８９（１９８９）などに記載のもの）、チオフェン誘導体（ＪＰ４−２１２２８６（Ａ１）などに記載のもの）、トリアゾール誘導体（Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，３２，Ｌ９１７（１９９３）などに記載のもの、チアジアゾール誘導体（第４３回高分子学会予稿集、（ＩＩＩ）Ｐｌａ００７などに記載のもの）、オキシン誘導体の金属錯体（電子情報通信学会技術研究報告、９２（３１１），（４３（１９９２）などに記載のもの）、フェナントロリン誘導体（第４３回高分子討論会予稿集、１４Ｊ０７などに記載のもの）などを挙げることができる。
【００３１】
本発明の有機電界発光素子の発光層に用いる他の発光材料としては、Ａｌｑ３及びその誘導体の他に、高分子学会編高分子機能材料シリーズ"光機能材料"、共立出版（１９９１），Ｐ２３６に記載されているような昼光蛍光材料、蛍光増白材、レーザー色素、有機シンチレータ、各種の蛍光分析試薬などの公知の発光材料を用いることができる。具体的には、アントラセン、ピレン、クリセン、ペリレン、コロネン、ルブレン、キナクドリンなどの多環縮合化合物、クオーターフェニルなどのオリゴフェニレン系化合物、１，４−ビス（２−メチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（４−メチル−５−フェニル−２−オキサゾリル）ベンゼン、１，４−ビス（５−フェニル−２−オキサゾリル）ベンゼン、２，５−ビス（５−ターシャリーブチル−２−ベンズオキサゾリル）チオフェン、１，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン、１，６−ジフェニル−１，３，５−ヘキサトリエン、１，１，４，４−テトラフェニル−１，３−ブタジエンなどの液体シンチレーション用シンチレータ、ＪＰ６３−２６４６９２（Ａ１）記載のオキシン誘導体の金属錯体、クマリン染料、ジシアノメチレンピラン染料、ジシアノメチレンチオピラン染料、ポリメチン染料、オキソベンズアントラセン染料、キサンテン染料、カルボスチリル染料及びペリレン染料、ＤＥ特許２５３４７１３号に記載のオキサジン系化合物、第４０回応用物理学会講演会予稿集、１１４６（１９９３）に記載のスチルベン誘導体、ＪＰ７−２７８５３７（Ａ１）記載のスピロ化合物及びＪＰ４−３６３８９１（Ａ１）記載のオキサジアゾール系化合物などが好ましい。
【００３２】
本発明の有機電界発光素子を構成する各層は、各層を構成すべき材料を蒸着法、スピンコート法、インクジェット法などの公知の方法で薄膜とすることにより、形成することができる。このようにして形成された各層の膜厚については特に制限はなく、素材の性質に応じて選定することができる。通常２ｎｍ〜５０００ｎｍの範囲で選定される。なお、トリフェニルアミン誘導体を薄膜化する方法としては、均質な膜が得やすく、かつピンホールが生成しにくいなどの点から蒸着法を適用するのが好ましい。蒸着法を用いて薄膜化する場合、その蒸着条件は、フェナントレン誘導体の種類、分子累積膜の目的とする結晶構造及び会合構造などにより異なるが、一般にボート加熱温度５０〜４００℃、真空度１〜１０Ｐａ、蒸着速度０．０１〜５０ｎｍ／秒、基板温度−１５０〜＋３００℃、膜厚５ｎｍ〜５μｍの範囲で選定することが望ましい。
【００３３】
次に、本発明のフェナントレン誘導体を用いた有機電界発光素子を作成する方法の１例として、前述の陽極／フェナントレン誘導体層／陰極からなる有機電界発光素子の作成法について説明する。適当な基板上に、陽極用物質からなる薄膜を、１μｍ以下、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲の薄膜になるように、蒸着法により形成させて陽極を作成した後、この陽極上にフェナントレン誘導体の薄膜を形成させて発光層とし、この発光層の上に陰極用物質からなる薄膜を蒸着法により、１μｍ以下の膜厚になるように形成させ陰極とすることにより、目的の有機電界発光素子が得られる。なお、上述の有機電界発光素子の作成においては、作成順序を逆にして、陰極、発光層、陽極の順に作成することも可能である。
このようにして得られた有機電界発光素子に直流電流を印加する場合には、陽極を＋、陰極を−の極性として印加すればよく、電圧２〜４０Ｖ程度を印加すると、透明又は半透明の電極側（陽極又は陰極、及び両方）より発光が観測できる。また、この有機電界発光素子は、交流電圧を印加した場合にも発光する。なお、印加する交流の波形は任意でよい。
【００３４】
【発明を実施するための最良の形態】
次に、本発明を、合成例及び実施例によって更に詳しく説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。
【００３５】
合成例１
［９−ジ−フェナントリルアニリン（Ｎｏ．３２）の合成］
９−ヨードフェナントレン６．６９ｇ（０．０２２モル）と、アニリン０．９３ｇ（０．０１０モル）、Ｋ2ＣＯ3 ２．１２ｇ、銅粉１．６７ｇを５０ｍｌのニトロベンゼンに加え、窒素下、１８０℃で２７時間反応させた。反応終了後、メタノール２００ｍｌ中に反応溶液を放出し、析出した濃茶色生成物をクロロフォルムに溶解させ、溶媒を留去し、メタノールで洗浄した。その後、シリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィーで精製し、更に昇華精製し、白色粉末状の化合物（３２）２．９８ｇ（０．００６７モル、６７％）を得た。この化合物（３２）のプロトン核磁気共鳴測定［1Ｈ−ＮＭＲ，溶媒：ＣＤＣｌ3］及び質量分析（ｍ／ｅ）の結果、示差走差熱量分析による融点又はＴｇ測定の結果は以下の通りであった。
1Ｈ−ＮＭＲ：δ（ＣＤＣｌ3）６．８８−６．９７（ｍ，３Ｈ），７．１６（ｄｄ，Ｊ＝７．６，８．８Ｈｚ，２Ｈ），７．４４−７．６６（ｍ，１２Ｈ），８．２２（ｄｄ，Ｊ＝０．８，８．４Ｈｚ，２Ｈ），８．６７（ｄｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ），８．７４（ｄｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ）
ｍ／ｅ：４４５（Ｍ+）、ｍ．ｐ．：２９５℃
【００３６】
合成例２
［９−ジ−フェナントリル−２−トルイジン（Ｎｏ．３３）の合成］
９−ヨードフェナントレン６．６９ｇ（０．０２２モル）と、ｏ−トルイジン１．０７ｇ（０．０１０モル）、Ｋ2ＣＯ3 ２．１２ｇ、銅粉１．６７ｇを５０ｍｌのニトロベンゼンに加え、窒素下、１８０℃で２７時間反応させた。反応終了後、メタノール２００ｍｌ中に反応溶液を放出し、析出した濃茶色生成物をクロロフォルムに溶解させ、溶媒を留去し、メタノールで洗浄した。その後、シリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィーで精製し、更に昇華精製し、白色粉末状の化合物（３３）３．５８ｇ（０．００７８モル、７８％）を得た。
1Ｈ−ＮＭＲ：１．５４（ｓ，３Ｈ），６．３８（ｄ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，１Ｈ），６．６２（ｂｒｓ，１Ｈ），６．８３（ｂｒｍ，２Ｈ），７．３２（ｄ，Ｊ＝４．０Ｈｚ，２Ｈ），７．５５−７．７２（ｍ，１１Ｈ），８．０６（ｄ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，１Ｈ），８．７８（ｄｄ，Ｊ＝８．４，１８．８Ｈｚ，２Ｈ），８．８４（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，２Ｈ）
ｍ／ｅ：４５９（Ｍ+）、ｍ．ｐ．：２５２℃、Ｔｇ：１０５℃
【００３７】
合成例３
［９−ジ−フェナントリル−３−トルイジン（Ｎｏ．３４）の合成］
９−ヨードフェナントレン６．６９ｇ（０．０２２モル）と、ｍ−トルイジン１．０７ｇ（０．０１０モル）、Ｋ2ＣＯ3 ２．１２ｇ、銅粉１．６７ｇを５０ｍｌのニトロベンゼンに加え、窒素下、１８０℃で２７時間反応させた。反応終了後、メタノール２００ｍｌ中に反応溶液を放出し、析出した濃茶色生成物をクロロフォルムに溶解させ、溶媒を留去し、メタノールで洗浄した。その後、シリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィーで精製し、更に昇華精製し、白色粉末状の化合物（３４）４．０９ｇ（０．００８９モル、８９％）を得た。
1Ｈ−ＮＭＲ：２．１６（ｓ，３Ｈ），６．６８（ｄ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，１Ｈ），６．７５（ｍ，２Ｈ），７．０３（ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，１Ｈ），７．４４−７．６５（ｍ，１２Ｈ），８．２３（ｄ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，２Ｈ），８．６７（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，２Ｈ），８．７４（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ）
ｍ／ｅ：４４５（Ｍ+）、ｍ．ｐ．：３５１℃
【００３８】
合成例４
［９−ジ−フェナントリル−４−トルイジン（Ｎｏ．３５）の合成］
９−ヨードフェナントレン６．６９ｇ（０．０２２モル）と、ｐ−トルイジン１．０７ｇ（０．０１０モル）、Ｋ2ＣＯ3 ２．１２ｇ、銅粉１．６７ｇを５０ｍｌのニトロベンゼンに加え、窒素下、１８０℃で２７時間反応させた。反応終了後、メタノール２００ｍｌ中に反応溶液を放出し、析出した濃茶色生成物をクロロフォルムに溶解させ、溶媒を留去し、メタノールで洗浄した。その後、シリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィーで精製し、更に昇華精製し、白色粉末状の化合物（３５）３．８６ｇ（０．００８４モル、８４％）を得た。
1Ｈ−ＮＭＲ：２．２８（ｓ，３Ｈ），６．８１（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ），６．９７（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ），７．４１−７．５１（ｍ，６Ｈ），７．５６−７．６４（ｍ，６Ｈ），８．２２（ｄ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，２Ｈ），８．６６（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ），８．７２（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ）
ｍ／ｅ：４４５（Ｍ+）、ｍ．ｐ．：２４５℃
【００３９】
合成例５
［９−ジ−フェナントリル−２−アニシジン（Ｎｏ．３６）の合成］
９−ヨードフェナントレン６．６９ｇ（０．０２２モル）と、ｏ−アニシジン１．２３ｇ（０．０１０モル）、Ｋ2ＣＯ3 ２．１２ｇ、銅粉１．６７ｇを５０ｍｌのニトロベンゼンに加え、窒素下、１８０℃で２７時間反応させた。反応終了後、メタノール２００ｍｌ中に反応溶液を放出し、析出した濃茶色生成物をクロロフォルムに溶解させ、溶媒を留去し、メタノールで洗浄した。その後、シリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィーで精製し、白色粉末状の化合物（３６）３．６１ｇ（０．００７６モル、７６％）を得た。
1Ｈ−ＮＭＲ：３．１２（ｓ，３Ｈ），６．３９（ｍ，１Ｈ），６．４９（ｍ，１Ｈ），６．５９−６．６２（ｍ，２Ｈ），６．７８（ｍ，２Ｈ），７．５６−７．７６（ｍ，８Ｈ），８．２４（ｄｄ，Ｊ＝０．８，８．０Ｈｚ，２Ｈ），８．７７−８．８６（ｍ，４Ｈ）
ｍ／ｅ：４７５（Ｍ+）、ｍ．ｐ．：２６８℃
【００４０】
合成例６
［９−ジ−フェナントリル−３−アニシジン（Ｎｏ．３７）の合成］
９−ヨードフェナントレン６．６９ｇ（０．０２２モル）と、ｍ−アニシジン１．２３ｇ（０．０１０モル）、Ｋ2ＣＯ3 ２．１２ｇ、銅粉１．６７ｇを５０ｍｌのニトロベンゼンに加え、窒素下、１８０℃で２７時間反応させた。反応終了後、メタノール２００ｍｌ中に反応溶液を放出し、析出した濃茶色生成物をクロロフォルムに溶解させ、溶媒を留去し、メタノールで洗浄した。その後、シリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィーで精製し、白色粉末状の化合物（３７）４．１２ｇ（０．００８８モル、８８％）を得た。
1Ｈ−ＮＭＲ：３．５９（ｓ，３Ｈ），６．４９（ｍ，３Ｈ），７．０６（ｔ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，１Ｈ），７．４６−７．６４（ｍ，１２Ｈ），８．２３（ｄｄ，Ｊ＝０．８，８．４Ｈｚ，２Ｈ），８．６７（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ），８．７３（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，２Ｈ）
ｍ／ｅ：４７５（Ｍ+）、ｍ．ｐ．：３２１℃
【００４１】
合成例７
［９−ジ−フェナントリル−４−アニシジン／（Ｎｏ．３８）の合成］
９−ヨードフェナントレン６．６９ｇ（０．０２２モル）と、ｐ−アニシジン１．２３ｇ（０．０１０モル）、Ｋ2ＣＯ3 ２．１２ｇ、銅粉１．６７ｇを５０ｍｌのニトロベンゼンに加え、窒素下、１８０℃で２７時間反応させた。反応終了後、メタノール２００ｍｌ中に反応溶液を放出し、析出した濃茶色生成物をクロロフォルムに溶解させ、溶媒を留去し、メタノールで洗浄した。その後、シリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィーで精製し、白色粉末状の化合物（３８）３．８５ｇ（０．００８１モル、８１％）を得た。
1Ｈ−ＮＭＲ：３．７６（ｓ，３Ｈ），６．７４（ｄ，Ｊ＝９．２Ｈｚ，２Ｈ），６．９０（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ），７．３９−７．４１（ｍ，４Ｈ），７．５０（ｍ，２Ｈ），７．５５−７．６１（ｍ，６Ｈ），８．２２（ｄｄ，Ｊ＝１．２，８．４Ｈｚ，２Ｈ），８．６５（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，２Ｈ），８．７２（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，２Ｈ）
ｍ／ｅ：４４５（Ｍ+）、Ｔｇ：１２２℃
【００４２】
合成例８
［９−ジ−フェナントリル−３−フルオロフェニルアミン（Ｎｏ．４７）の合成］
合成例１においてアニリンに代えて、ｍ−フルオロアニリン１．１１ｇ（０．０１０モル）を用いて反応、精製を行ったところ、３．３８ｇ（０．００７３モル、７３％）の淡黄色粉末を得た。
1Ｈ−ＮＭＲ：６．５０−６．５５（ｂｒｍ，２Ｈ），７．０６（ｄｄ，Ｊ＝６．４，７．６Ｈｚ，２Ｈ），７．４７−７．６８（ｍ，１２Ｈ），８．２０（ｄｄ，Ｊ＝０．８，８．４Ｈｚ，２Ｈ），８．６８（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，２Ｈ），８．７５（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，２Ｈ）
ｍ／ｅ：４６３（Ｍ+）、ｍ．ｐ．：３０７℃，（Ｔｇ）：１１９℃
【００４３】
合成例９
［９−ジ−フェナントリル−２，３−ジメチルフェニルアミン（Ｎｏ．２４４）の合成］
合成例１においてアニリンに代えて、２，３−ジメチルアニリン１．２１ｇ（０．０１０モル）を用いて反応、精製を行ったところ、２．９８ｇ（０．００６３モル、６３％）の淡黄色粉末を得た。
1Ｈ−ＮＭＲ：１．６３（ｓ，３Ｈ），２．０９（ｓ，３Ｈ），６．３１（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，１Ｈ），６．５８（ｂｒｍ，１Ｈ），６．７２（ｂｒ，１Ｈ），７．３１（ｍ，３Ｈ），７．５３−７．７３（ｍ，１０Ｈ），８．０３（ｍ，１Ｈ），８．７６−８．８５（ｍ，４Ｈ）
ｍ／ｅ：４７３（Ｍ+）、Ｔｇ：１０７℃
【００４４】
合成例１０
［９−ジ−フェナントリル−３，５−ジメチルフェニルアミン（Ｎｏ．２４５）の合成］
合成例１においてアニリンに代えて、３，５−ジメチルアニリン１．２１ｇ（０．０１０モル）を用いて反応、精製を行ったところ、２．９３ｇ（０．００６２モル、６２％）の淡黄色粉末を得た。
1Ｈ−ＮＭＲ：２．１１（ｓ，６Ｈ），６．５３（ｓ，２Ｈ），６．６０（ｓ，２Ｈ），７．４１−７．６５（ｍ，１２Ｈ），８．２２（ｄｄ，Ｊ＝１．２，８．４Ｈｚ，２Ｈ），８．６７（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ），８．４３（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ）
ｍ／ｅ：４７３（Ｍ+）、Ｔｇ：検出されず
【００４５】
合成例１１
［９−ジ−フェナントリル−３，４−ジメチルフェニルアミン（Ｎｏ．２４６）の合成］
合成例１においてアニリンに代えて、３，４−ジメチルアニリン１．２１ｇ（０．０１０モル）を用いて反応、精製を行ったところ、３．０３ｇ（０．００６４モル、６４％）の淡黄色粉末を得た。
1Ｈ−ＮＭＲ：２．０７（ｓ，３Ｈ），２．１９（ｓ，３Ｈ），６．６２（ｄｄ，Ｊ＝１．２，８．４Ｈｚ，１Ｈ），６．７６（ｄ，Ｊ＝２．０Ｈｚ，１Ｈ），６．９０（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，１Ｈ），７．４３−７．６４（ｍ，１２Ｈ），８．２３（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ），８．６７（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ），８．７２（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ）
ｍ／ｅ：４７３（Ｍ+）、ｍ．ｐ．：２７０℃、Ｔｇ：１３８℃
【００４６】
合成例１２
［９−ジ−フェナントリル−２，５−ジメチルフェニルアミン（Ｎｏ．２４９）の合成］
合成例１においてアニリンに代えて、２，５−ジメチルアニリン１．２１ｇ（０．０１０モル）を用いて反応、精製を行ったところ、２．４１ｇ（０．００５１モル、５１％）の淡黄色粉末を得た。
1Ｈ−ＮＭＲ：１．５９（ｓ，３Ｈ），２．０１（ｓ，３Ｈ），６．２１（ｄ，Ｊ＝１．６Ｈｚ，１Ｈ），６．４４（ｄ，Ｊ＝４．４Ｈｚ，１Ｈ），６．７１（ｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，１Ｈ），７．３４（ｄ，Ｊ＝４．４Ｈｚ，３Ｈ），７．５０−７．７６（ｍ，１０Ｈ），８．０７（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，１Ｈ），８．７６（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ），８．８５（ｄｄ，Ｊ＝８．０，１３．６Ｈｚ，２Ｈ）
ｍ／ｅ：４７３（Ｍ+）、Ｔｇ：１０９℃
【００４７】
合成例１３
［９−ジ−フェナントリル−２，４−ジメチルフェニルアミン（Ｎｏ．２５０）の合成］
合成例１においてアニリンに代えて、２，４−ジメチルアニリン１．２１ｇ（０．０１０モル）を用いて反応、精製を行ったところ、２．７９ｇ（０．００５９モル、６３％）の淡黄色粉末を得た。
1Ｈ−ＮＭＲ：１．６８（ｓ，３Ｈ），２．１３（ｓ，３Ｈ），６．３１（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，１Ｈ），６．６３（ｄ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，１Ｈ），６．６９（ｓ，１Ｈ），７．２８−７．３３（ｍ，３Ｈ），７．５０−７．７５（ｍ，１０Ｈ），８．０２（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，１Ｈ），８．８１（ｍ，４Ｈ）
ｍ／ｅ：４７３（Ｍ+）、Ｔｇ：１０７℃
【００４８】
合成例１４
［９−ジ−フェナントリル−３，４−ジメトキシフェニルアミン（Ｎｏ．２５１）の合成］
合成例１においてアニリンに代えて、３，４−ジメチルアニリン１．５３ｇ（０．０１０モル）を用いて反応、精製を行ったところ、２．５８ｇ（０．００５１モル、５１％）の淡黄色粉末を得た。
1Ｈ−ＮＭＲ：３．６０（ｓ，３Ｈ），３．８３（ｓ，３Ｈ），６．４０（ｄｄ，Ｊ＝２．４，８．４Ｈｚ，１Ｈ），６．６４（ｍ，２Ｈ），７．２５−７．６４（ｂｒｍ，１２Ｈ），８．１８−８．３０（ｂｒ，２Ｈ），８．６７（ｄ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，２Ｈ），８．７２（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，２Ｈ）
ｍ／ｅ：５０５（Ｍ+）、Ｔｇ：１３２℃
【００４９】
合成例１５
［９−ジ−フェナントリル−３，５−ジメトキシフェニルアミン（Ｎｏ．２５２）の合成］
合成例１においてアニリンに代えて、３，５−ジメチルアニリン１．５３ｇ（０．０１０モル）を用いて反応、精製を行ったところ、２．５８ｇ（０．００５１モル、５１％）の淡黄色粉末を得た。
1Ｈ−ＮＭＲ：３．５５（ｓ，６Ｈ），６．０４（ｓ，２Ｈ），６．０８（ｓ，１Ｈ），７．２３−７．６５（ｍ，１２Ｈ），８．２２（ｄｄ，Ｊ＝０．８，８．４Ｈｚ，２Ｈ），８．６５（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，２Ｈ），８．７２（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ）
ｍ／ｅ：５０５（Ｍ+）、Ｔｇ：１１８℃
【００５０】
実施例１〜１５
図１に示す層構造を有する有機電界発光素子を次のようにして作製した。
抵抗率１５Ω／□及び電極面積２×２ｍｍ2の洗浄したＩＴＯ電極付ガラス基板上（三洋真空製）に、抵抗加熱方式の真空蒸着装置により、蒸着速度をアルバック製の水晶振動子型膜厚コントローラーで制御しながら、蒸着中の真空度７〜９×１０-5Ｐａの条件で上記ＩＴＯ付ガラス基板１のＩＴＯ層２の上に、１５種類の化合物（実施例１〜１５）を５０ｎｍの膜厚で形成し正孔輸送層３を形成した。その上へ、真空を破らず同じ真空蒸着装置内で発光材料としてＡｌｑ３を膜厚５０ｎｍの膜厚で形成して発光層４を得た。更にこの上に、真空条件を維持したままＬｉＦを６Å、Ａｌを２０ｎｍ蒸着し、陰極５を形成した。
得られた電界発光素子に外部電源を接続し直流電圧を印加したところ、これらの電界発光素子は表６のような発光特性を有することが確認された。これらの素子すべてから緑色発光が得られた。その発光ピーク波長は５１４ｎｍであり、Ａｌｑ３のみからの発光であることが確認された。
【００５１】
比較例１〜２
既知の正孔輸送材料であるＴＰＤ、ＮＰＤを用いて、実施例１と同様の方法で、電界発光素子を作成した。表６中に発光特性を示す。
【表６】
Figure 0004090874
【００５２】
実施例１６〜３０
上記化合物の耐熱特性について、次の評価を実施した。それぞれの化合物のみを実施例１に示したと同じ方法にて、ガラス基板上に１０００Åの膜厚で蒸着膜を作成した。その後、温度２０℃湿度３０％雰囲気下において、蒸着膜を保存し、目視にて薄膜の結晶化する日数を追跡した。その結果を表７に示す。
【００５３】
比較例３〜４
ＴＰＤならびにＮＰＤの耐熱特性を比較例として示す。その結果を表７に示す。
【表７】
Figure 0004090874
【００５４】
実施例３１
実施例１〜３で用いたＩＴＯ付きガラス電極付基板１のＩＴＯの上に、正孔輸送材料として、ＮＰＤを５０ｎｍの膜厚で蒸着させ、正孔輸送層を形成した。その上へ、発光材料として、化合物３２を真空蒸着して、膜厚５０ｎｍの発光層を得た。次に、式（３）で表されるバソクプロイン（ＢＣＰ）を真空蒸着して膜厚３０ｎｍの正孔阻止層とし、その上に電子輸送層としてＡｌｑ３を膜厚５０ｎｍで蒸着させ、電子輸送層を得た。更に、ＬｉＦを６Å、Ａｌを２０ｎｍ蒸着し、陰極を形成した。作成した素子構成は以下の通りである。
ＩＴＯ／正孔輸送層（ＮＰＤ）／発光層（化合物３２）／正孔阻止層（ＢＣＰ）／電子輸送層（Ａｌｑ３）／陰極（ＬｉＦ／Ａｌ）
得られた電界発光素子に外部電源を接続し直流電圧を印加したところ、電子輸送層として用いたＡｌｑ３からの緑色発光ではなく、発光材料として用いた化合物３２からの青色発光が得られた。この素子は長時間保存後も、駆動電圧の顕著な上昇は見られず、発光効率や輝度の低下もなく、安定した素子の保存性が得られた。
【化５】
Figure 0004090874
【００５５】
実施例３２
発光材料を化合物３５に変えた以外は、すべて実施例３１と同様にして素子を作成した。得られた電界発光素子に外部電源を接続し直流電圧を印加したところ、実施例３１と同様、発光材料からの青色発光が得られた。この素子は長時間保存後も、駆動電圧の顕著な上昇は見られず、発光効率や輝度の低下もなく、安定した素子の保存性が得られた。
【００５６】
【産業上の利用の可能性】
本発明のトリアリールアミン誘導体は、有機電界発光素子に使用される材料として優れる。本発明の有機電界発光素子は、特定のトリアリールアミン誘導体を使用するため高効率な発光特性及び耐久性に優れた有機電界素子を提供することができる。本発明のトリアリールアミン誘導体は、正孔輸送材料、有機発光材料等として優れた性能を示す。
【００５７】
【図面の簡単な説明】
【図１】 図１は、有機電界発光素子の一例を示す断面模式図である。
【図２】 図２は、化合物３５のＵＶ測定チャートである。

Claims (4)

  1. 一般式（１）で表わされるトリアリールアミン誘導体を用いてなる有機電界発光素子。
    Figure 0004090874
    （式中、Ａｒ1、Ａｒ2及びＡｒ3はそれぞれ独立にフェニル基、低級アルキルフェニル基、低級アルコキシフェニル基、シアノフェニル基、フェノキシフェニル基、ハロフェニル基、ナフチル基、低級アルキルナフチル基、低級アルコキシナフチル基、シアノナフチル基、ハロナフチル基、フルオレニル基、カルバゾリル基、低級アルキルカルバゾリル基、ビフェニル基、低級アルキルビフェニル基、低級アルコキシビフェニル基、チオフェニル基、インドリル基、ピリジル基又は一般式（２）で示される９−フェナントリル基であり、少なくとも二つは一般式（２）で示される９−フェナントリル基である）
    Figure 0004090874
    （式中、Ｒ1〜Ｒ9はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アラルキル基、アルケニル基、シアノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アルコキシ基、アルキルスルフォニル基、ハロアルキル基を表す）
  2. 発光層を有し、この発光層にトリアリールアミン誘導体を含有する請求項１記載の有機電界発光素子。
  3. 正孔輸送層を有し、この正孔輸送層にトリアリールアミン誘導体を含有する請求項１記載の有機電界発光素子。
  4. 正孔注入層を有し、この正孔注入層にトリアリールアミン誘導体を含有する請求項１記載の有機電界発光素子。
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