JP5268247B2 - 4−アミノフルオレン化合物及び有機発光素子 - Google Patents

4−アミノフルオレン化合物及び有機発光素子 Download PDF

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Description

本発明は、新規な4−アミノフルオレン化合物および有機発光素子に関する。
有機発光素子は、陽極と陰極間に蛍光性有機化合物または燐光性有機化合物を含む薄膜を挟持させて、各電極からホール(正孔)及び電子を注入する。
そして、蛍光性化合物または燐光性化合物の励起子を生成させ、この励起子が基底状態にもどる際に放射される光を利用する素子である。
有機発光素子における最近の進歩は著しく、その特徴は低印加電圧で高輝度、発光波長の多様性、高速応答性、薄型、軽量の発光デバイス化が可能であることから、広汎な用途への可能性を示唆している。
しかしながら、現状では更なる高輝度の光出力あるいは高変換効率が必要である。また、長時間の使用による経時変化や酸素を含む雰囲気気体や湿気などによる劣化等の耐久性の面で未だ多くの問題がある。
さらにはフルカラーディスプレイ等への応用を考えた場合の色純度の良い青、緑、赤の発光が必要となるが、これらの問題に関してもまだ十分でない。
また、フルオレン化合物を用いた、材料および有機発光素子の例として、特許文献1乃至4が挙げられている。しかし、素子の外部量子効率は低く、耐久寿命は十分でない。
また、芳香族第三級アミン誘導体を用いた、材料および有機発光素子の例として、特許文献5乃至8が挙げられている。
特開平11−144875号公報 特開平11−224779号公報 特開平11−288783号公報 特開2001−39933号公報 特開平4−220995号公報 特開2002−324678号公報 特開平5−234681号公報 特開平5−9471号公報 Bull.Chem.Soc.Jpn.,59,97−103(1986)
本発明の目的は、新規な4−アミノフルオレン化合物を提供することにある。
また本発明の目的は、4−アミノフルオレン化合物を用い、極めて高効率で高輝度な光出力を有する有機発光素子を提供することにある。また、極めて耐久性のある有機発光素子を提供することにある。
さらには製造が容易でかつ比較的安価に作成可能な有機発光素子を提供する事にある。
即ち、本発明によりは、
(1)下記一般式[I]で示されることを特徴とする4−アミノフルオレン化合物が提供される。
(式中、Arは、2位または4位で結合する置換あるいは無置換のフルオレン基を表わす。Arはアリール基を表わす。R乃至Rはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基の中から選ばれる。
前記Ar1で示される前記フルオレン基は、ハロゲン原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ターシャリ―ブチル基を有してよいフェニル基、ビフェニル基、9,9−ジメチルフルオレン基、9,9−ジメチル−2,7−ジターシャリ―ブチルフルオレン基置換基として有してよい。
前記R1乃至前記R9で示されるアルキル基は、メチル基、ターシャリブチル基のいずれかである。
前記Ar2で示されるアリール基は、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、フルオレン基のいずれかである。
前記Ar2で示されるフェニル基は、メチル基、ブチル基、9,9−メチルフルオレン基、メチル基またはターシャリ―ブチル基を有してよいフェニル基を置換基として有してよい。
前記Ar2で示されるフルオレン基は、メチル基、エチル基、ターシャリ―ブチル基、9,9−ジメチルフルオレン基、9,9−ジメチル−2,7−ジターシャリ―ブチルフルオレン基を置換基として有してよい。
前記R1乃至前記R9で示されるアリール基は、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、フルオレン基のいずれかである。
前記アリール基は、メチル基、ターシャリブチル基、フェニル基、ビフェニル基を置換基として有してよい。)
本発明の一般式[I]で示される4−アミノフルオレン化合物は優れた発光特性を有する。またこの4−アミノフルオレン化合物を用いた有機発光素子は、低い印加電圧で高効率に発光する。また、優れた耐久性も得られる。
上記一般式[I]における化合物の置換基の具体例を以下に示す。
アルキル基としては、メチル基、ターシャリブチル基のいずれかである。
アリール基としては、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、フルオレン基のいずれかである。
前記アリール基が有してもよい置換基としては、メチル基、ターシャリブチル基、フェニル基、ビフェニル基、フルオレン基である。
本発明のフルオレン化合物は、4−アミノフルオレン誘導体もしくは4−ブロモフルオレン誘導体を原料として合成できる。また、それらの原料は非特許文献1により合成できる。
一般式[I]で示される4−アミノフルオレン化合物は有機発光素子用材料として使用できる。
その中で、一般式[I]で示される4−アミノフルオレン化合物はホール輸送層および発光層として用いることができる。そして高発光効率、高寿命素子を得ることができる。
また、一般式[I]で示されるフルオレン化合物は発光層として使用する場合、発光層において単独で用いること、及びドーパント(ゲスト)材料、蛍光材料及び燐光材料のホスト材料として用いることができ、高色純度、高発光効率、高寿命素子を得ることができる。
一般式[1]で示される4−アミノフルオレン化合物は、フルオレン基の4位にアミノ基が置換することで、分子全体を非平面的に分子設計を可能にする。その為、4−アミノフルオレン化合物は実施例12−30、比較例に示すように、2−アミノフルオレン化合物に比べ、アモルファス性の高い分子を提供し、熱安定性が高く、高寿命素子を得ることができる。また、より好ましくは、フルオレン基の4位に置換した、アミノ基上の置換基(一般式[1]におけるAr及びAr)がフルオレン基である場合、さらに熱安定性が高くなる。さらに好ましくは、上記、アミノ基上の置換基Arがフルオレン基でかつ、フルオレン基の4位でアミノ基上の窒素原子と結合する場合、分子全体の非平面性が増し、さらに熱安定性が高くなり、高寿命素子を得ることができる。
また、非平面的な分子設計は、バンドギャップの広いホール輸送材料を提供し、発光層からホール輸送層への電子注入を阻止すること、発光層で生成する励起子のホール輸送層へのエネルギー移動を阻止することができる。そのため、高効率素子を得ることができる。
フルオレン基やアミノ基に置換基を導入することで、HOMO/LUMOレベルを容易に調節することが可能である。そのため、陽極から発光層へのホール注入及び輸送のバランスを考慮した、ホール輸送材料の分子設計が容易である。さらに、発光材料として青、緑、さらにより長波長側の発光色への変換が可能である。
また、陽極及び陰極からなる一対の電極と、該一対の電極間に挟持された有機化合物を含有する一層または複数の層により構成される有機発光素子において、陽極からホール注入の向上が期待できる銅フタロシアニン(CuPc)やフッ化炭素(CFx)等を含む層を含んでいてもよい。
本発明は、以上のような考察のもとに分子設計し、発明がなされたものである。
以下、本発明を詳細に説明する。
上記一般式[I]における化合物の具体例と参考例とを以下に示す。本発明に係る具体例は例示化合物1乃至4、8、16、17、18、27、29、46、51、61、62、68である。しかし、本発明はこれらに限定されるものではない。また、ArおよびArにあげられる組み合わせは例示化合物1から69の組み合わせのうち、どれを組み合わせてもよい。
次に、本発明の有機発光素子について詳細に説明する。
本発明の有機発光素子は、陽極及び陰極からなる一対の電極と、該一対の電極間に挟持された有機化合物を含有する一層または複数の層により構成される有機発光素子において、前記有機化合物を含む層の少なくとも一層が一般式[I]で示される化合物の少なくとも一種を含有する。
また、本発明では、陽極及び陰極からなる一対の電極と、該一対の電極間に挟持された有機化合物を含有する複数の層により構成される有機発光素子において、有機発光層の陽極側に、前記発光層に隣接して前記第2ホール輸送層が積層され、さらに、前記第2ホール輸送層に隣接して前記第1ホール輸送層が更にもう一層積層している。ここで、第1及び第2ホール輸送層は、陽極から発光層へホールを輸送する能力に優れた層である。
一般的に、ホール輸送層を2層積層し、i陽極界面に隣接する第1ホール輸送層では、陽極とイオン化ポテンシャルの近い材料を、ii発光層に隣接する第2ホール輸送層ではバンドギャップが広い材料をおのおの用いる。上記i乃至iiの層は、それぞれ下記i’ii’に効果を発し、更に下記i’’ii’’のデバイス特性をそれぞれ引き出すことができる。
i’ 陽極から有機層へのホール注入性向上
ii’ 発光層内のキャリヤ及び励起子の閉じ込め
i’’ 駆動電圧の低下
ii’’外部量子効率の向上
本発明では、第2ホール輸送層は、第三級アミンの骨格が1つ含まれる化合物を少なくとも1種類含有する。まず、第三級アミンの骨格を持つことでホール移動度を高めることができる。さらに、第三級アミン骨格数を1にすることで、共役長を短くし、バンドギャップを広げる分子設計に有用である。ここで、更に本発明の上記一般式[1]で表される4−アミノフルオレン化合物は、非平面的な分子形状を成しており、よりワイドバンドギャップな材料を得やすい。この為、発光層のキャリヤ及び励起子を発光層内に効果的に閉じ込めることができ、有機発光素子の外部量子効率向上および低電圧駆動に有効である。ここで、第2ホール輸送層はアミンの骨格が1つ含まれる化合物のみから構成されていてもよく、他の化合物を含んでいてもよい。
また、第1ホール輸送層は、第三級アミンの骨格が1つ含まれる化合物を少なくとも1種類含有する。第三級アミンの骨格数を1にすることで、2以上の化合物と比べ、分子量を低く設計し易く、蒸着性の良好な材料やワイドバンドギャップな材料の提供に有用である。ワイドバンドギャップな化合物を適用することは、発光層内に含まれる短波発光のドーパント(ゲスト)においても、その発光を阻害(再吸収)をすることなく、効率低下をもたらすことがない。また、第1ホール輸送層は非環状第三級アミンの骨格が1つ含まれる化合物のみから構成されていてもよく、他の化合物を含んでいてもよい。
また、第1ホール輸送層と第2ホール輸送層は、少なくとも、非環状第三級アミンの骨格が1つ含まれる化合物、を含有することが好ましい。ここで、非環状第三級アミンとは、第三級アミンの置換基が互いに結合せず環を形成しない第三級アミンを表す。第三級アミンの置換基が互いに結合しないことで、分子構造の回転の自由度が増え、共役長が短い分子設計に有用である。第1ホール輸送層のバンドギャップを広げることで、上記と同様に再吸収を防ぐことができ、また、第2ホール輸送層のバンドギャップを広げることで、キャリヤ及び励起子を発光層内に効果的に閉じ込めることができる。
また、前記第1ホール輸送層と2ホール輸送層を形成する化合物として、本発明の上記一般式[1]の4−アミノフルオレン化合物を含むことが好ましい。4−アミノフルオレン化合物は、第三級アミンに対しフルオレン基が4位に置換することで、他の化合物に比べ、立体障害性が高く共役長が短い。このため、よりバンドギャップが広く、なおかつガラス転移温度も高いホール輸送材料を得ることが出来る。さらに、第1ホール輸送層と第2ホール輸送層にガラス転移温度の高い材料を適用することで、素子の耐久性を向上させることができる。また、前記第2ホール輸送層に含まれる第三級アミンの窒素原子数が1の化合物のバンドギャップが、前記発光層に含まれる最も含有率の高い化合物のバンドギャップより広いことが好ましい。ここで、最も含有率の高い化合物の含有率とはwt%で表す。具体的には、発光層がホストとゲストの場合には、ホストとなる場合が多い。前記バンドギャップの序列を満たすことで、前記発光層へのホール注入を増大し、前記第2ホール輸送層への電子漏れを効果的に低減させることが可能となる。バンドギャップの測定は、紫外−可視光吸収スペクトルから求めることができる。本発明においては、ガラス基板上に成膜した薄膜の吸収端から求めた。装置は日立製分光光度計U−3010を用いた。
また、
前記第1ホール輸送層の含有率が最も高い化合物のイオン化ポテンシャルIp1と
前記第2ホール輸送層の含有率が最も高い化合物のイオン化ポテンシャルIp2と
前記発光層の含有率が最も高い化合物のイオン化ポテンシャルIp3とが、
Ip1<Ip2<Ip3
を満たす素子構成が好ましい。
Ip2がIp1とIp3の中間値をとることで、一部の界面で極端に大きな注入障壁を生じることなく、陽極から発光層への正孔注入を増加させることが可能となる。そこで、イオン化ポテンシャルが上記関係式の素子構成を形成することにより、低電圧化を効果的に行うことができる。ここでイオン化ポテンシャルは、大気下光電子分光手法(測定器名AC−1 理研機器製)を用いて測定した。
図1〜4に本発明の有機発光素子の好ましい例を示す。
図1は、本発明の有機発光素子の一例を示す断面図である。図1は、基板1上に、陽極2、発光層3及び陰極4を順次設けた構成のものである。ここで使用する発光素子は、それ自体でホール輸送能、電子輸送能及び発光性の性能を単一で有している場合や、それぞれの特性を有する化合物を混ぜて使う場合に有用である。
図2は、本発明の有機発光素子における他の例を示す断面図である。図2は、基板1上に、陽極2、ホール輸送層5、電子輸送層6及び陰極4を順次設けた構成のものである。この場合は、発光物質はホール輸送性かあるいは電子輸送性のいずれか、あるいは両方の機能を有している材料をそれぞれの層に用い、発光性の無い単なるホール輸送物質あるいは電子輸送物質と組み合わせて用いる場合に有用である。また、この場合、発光層3は、ホール輸送層5あるいは電子輸送層6のいずれかから成る。
図3は、本発明の有機発光素子における他の例を示す断面図である。図3は、基板1上に、陽極2、ホール輸送層5、発光層3,電子輸送層6及び陰極4を順次設けた構成のものである。これは、キャリヤ輸送と発光の機能を分離したものである。そしてホール輸送性、電子輸送性、発光性の各特性を有した化合物と適時組み合わせて用いることができる。そして極めて材料選択の自由度が増すとともに、発光波長を異にする種々の化合物が使用できるため、発光色相の多様化が可能になる。さらに、中央の発光層3に各キャリヤあるいは励起子を有効に閉じこめて、発光効率の向上を図ることも可能になる。
図4は本発明の有機発光素子における他の例を示す断面図である。ホール輸送層が単層の図3に対して第1ホール輸送層5−1と第2ホール輸送層5−2を2層積層した構造であり、ホール注入と発光層への輸送に優れキャリヤ及び励起子漏れを効果的に閉じこめて、発光効率の向上と低電圧駆動を図ることが可能になる。
本発明における一般式[I]で表わされる化合物を含むホール(正孔)輸送領域とは、上記のホール輸送層5等、おもにホールを注入・輸送する領域を言う。
ただし、図1〜図4はあくまでごく基本的な素子構成であり、本発明の化合物を用いた有機発光素子の構成はこれらに限定されるものではない。例えば、電極と有機層界面に絶縁性層を設ける、接着層あるいは干渉層を設ける、など多様な層構成をとることができる。
本発明に用いられる一般式[I]で示される化合物は、図1〜図4のいずれの形態でも使用することができる。
特に、本発明の化合物を用いた有機層は、発光層、あるいはホール注入輸送層として有用であり、また真空蒸着法や溶液塗布法などによって形成した層は結晶化などが起こりにくく経時安定性に優れている。
本発明は、特に発光層の構成成分として、一般式[I]で示される化合物を用いるが、必要に応じてこれまで知られている低分子系およびポリマー系のホール輸送化合物、発光化合物あるいは電子輸送化合物などを一緒に使用することもできる。
本発明で用いる基板としては、特に限定するものではないが、金属製基板、セラミックス製基板等の不透明性基板、ガラス、石英、プラスチックシート等の透明性基板が用いられる。
また、基板にカラーフィルター膜、蛍光色変換フィルター膜、誘電体反射膜などを用いて発色光をコントロールする事も可能である。また、基板上に薄膜トランジスタ(TFT)を作成し、それに接続して素子を作成することも可能である。
また、素子の光取り出し方向に関しては、ボトムエミッション構成(基板側から光を取り出す構成)および、トップエミッション(基板の反対側から光を取り出す構成)のいずれも可能である。
以下、実施例により本発明をさらに具体的に説明していくが、本発明はこれらに限定されるものではない。
<実施例1>
例示化合物3の合成
a)中間体化合物1−1の合成
中間体は2,7−ジターシャリブチルフルオレン(シグマアルドリッチ社)を原料にして製造できる。[非特許文献1]さらに、ジメチル化することで中間体1−1が得られる。
b)例示化合物3の合成
200ml三ツ口フラスコを用意した。そこに化合物1−1、4.56g(12.0mmol)を入れた。また化合物1−2、0.828g(4.00mmol)、ナトリウムターシャリブトキシド0.96g(10.0mmolを入れた。さらにキシレン100mlを入れ、窒素雰囲気中、室温で攪拌下、トリターシャリブチルフォスフィン34.4mg(0.17mmol)を添加した。次いでパラジウムジベンジリデンアセトン48.9mg(0.085mmol)を添加した。125度に昇温し3時間攪拌した。反応後有機層をトルエンで抽出し無水硫酸ナトリウムで乾燥後、シリカゲルカラム(ヘプタン+トルエン混合展開溶媒)で精製し、例示化合物3(白色結晶)2.53g(収率78.0%)を得た。
質量分析法により、この化合物のM+である817.5を確認した。また、DSC示差走査熱量分析法により、融点267℃及びガラス転移点143℃を確認した。
<実施例2〜11>
[例示化合物1、2、4、8、16、17、18、27、29、46の合成]
実施例1と同様にして、化合物1−1、及び1−2に変えて以下の表1に示す、臭素体、及びアミノ体を用いることで合成できる。
<実施例12〜15>
[例示化合物51、61、62、68の合成]
実施例1と同様にして、化合物1−1、及び1−2に変えて以下の表2に示す、臭素体、及びアミノ体を用いることで合成した。
質量分析法により、それぞれの化合物の構造を確認した。また、DSC示差走査熱量分析法により測定した、ガラス転移温度を表2に示す。
<実施例16>
図3に示す構造の有機発光素子を以下に示す方法で作成した。
基板1としてのガラス基板上に、陽極2としての酸化錫インジウム(ITO)をスパッタ法にて120nmの膜厚で成膜したものを透明導電性支持基板として用いた。これをアセトン、イソプロピルアルコール(IPA)で順次超音波洗浄し、次いでIPAで煮沸洗浄後乾燥した。さらに、UV/オゾン洗浄したものを透明導電性支持基板として使用した。
ホール輸送層5として例示化合物3を用いて、真空蒸着法にて20nmの膜厚に形成した。蒸着時の真空度は1.0×10−4Pa、成膜速度は0.1nm/secの条件であった。
次に、ホール輸送層5の上に発光層として下記に示す化合物2−1を蒸着して20nmの発光層3を設けた。蒸着時の真空度は1.0×10−4Pa、成膜速度は0.1nm/secの条件で成膜した。
更に電子輸送層6としてバソフェナントロリン(BPhen)を真空蒸着法にて40nmの膜厚に形成した。蒸着時の真空度は1.0×10−4Pa、成膜速度は0.2〜0.3nm/secの条件であった。
次に、アルミニウム−リチウム合金(リチウム濃度1原子%)からなる蒸着材料を用いて、先ほどの有機層の上に、真空蒸着法により厚さ0.5nmの金属層膜を形成した。更に真空蒸着法により厚さ150nmのアルミニウム膜を設けた。そのようにしてアルミニウム−リチウム合金膜を電子注入電極(陰極4)とする有機発光素子を作成した。蒸着時の真空度は1.0×10−4Pa、成膜速度は1.0〜1.2nm/secの条件で成膜した。
得られた有機EL素子は、水分の吸着によって素子劣化が起こらないように、乾燥空気雰囲気中で保護用ガラス板をかぶせ、アクリル樹脂系接着材で封止した。
この様にして得られた素子に、ITO電極(陽極2)を正極、Al電極(陰極4)を負極にして、4.0Vの印加電圧で、発光輝度3045cd/m、中心波長462nmの青色発光が観測された。
さらに、窒素雰囲気下で電流密度を30mA/cmに保ち、電圧を印加したところ、初期輝度に対する100時間後の輝度劣化は小さかった。
<実施例17−26>
実施例16のホール輸送層3である例示化合物3に代えて、表1、2に示す化合物を用いた他は実施例16と同様に素子を作成し、同様な評価を行ったところ、いずれの素子においても発光を確認した。
<比較例1−2>
例示化合物3に代えて、下記に示す比較化合物4−1、4−2を用いた他は実施例16と同様に素子を作成し、同様な評価を行ったところ、発光を確認できなかった。
<実施例27>
図4に示す構造の有機発光素子を以下に示す方法で作成した。
基板1としてのガラス基板上に、陽極2としての酸化錫インジウム(ITO)をスパッタ法にて120nmの膜厚で成膜したものを透明導電性支持基板として用いた。これをアセトン、イソプロピルアルコール(IPA)で順次超音波洗浄し、次いでIPAで煮沸洗浄後乾燥した。さらに、UV/オゾン洗浄したものを透明導電性支持基板として使用した。
第1ホール輸送層5−1として例示化合物1を用いて、濃度が0.1wt%となるようにクロロホルム溶液を調整した。
この溶液を上記のITO電極上に滴下し、最初に500RPMの回転で10秒、次に1000RPMの回転で1分間スピンコートを行い膜形成した。この後10分間、80℃の真空オーブンで乾燥し、薄膜中の溶剤を完全に除去した。形成された第1ホール輸送層5−1の厚みは11nmであった。
次に、第1ホール輸送層5−1の上に例示化合物3を蒸着して20nmの正孔輸送層5−2を設けた。蒸着時の真空度は1.0×10−4Pa、成膜速度は0.1nm/secの条件で成膜した。
更に発光層、電子輸送層及びAl電極は実施例16と同様に作成した。
この様にして得られた素子に、ITO電極(陽極2)を正極、Al電極(陰極4)を負極にして、4.0Vの印加電圧で、発光輝度2908cd/m、中心波長464nmの青色発光が観測された。
さらに、窒素雰囲気下で電流密度を30mA/cmに保ち、電圧を印加したところ、初期輝度に対する100時間後の輝度劣化は小さかった。
<実施例28>
図3に示す構造の有機発光素子を以下に示す方法で作成した。
基板1としてのガラス基板上に、陽極2としての酸化錫インジウム(ITO)をスパッタ法にて120nmの膜厚で成膜したものを透明導電性支持基板として用いた。これをアセトン、イソプロピルアルコール(IPA)で順次超音波洗浄し、次いでIPAで煮沸洗浄後乾燥した。さらに、UV/オゾン洗浄したものを透明導電性支持基板として使用した。
ホール輸送層5として例示化合物8を用いて、濃度が0.1wt%となるようにクロロホルム溶液を調整した。
この溶液を上記のITO電極上に滴下し、最初に500RPMの回転で10秒、次に1000RPMの回転で1分間スピンコートを行い膜形成した。この後10分間、80℃の真空オーブンで乾燥し、薄膜中の溶剤を完全に除去した。形成されたホール輸送層5の厚みは12nmであった。
次に化合物5−2に対し化合物5−1を5wt%の割合で共蒸着して25nmの発光層4を設けた。
更に、電子輸送層及びAl電極は実施例16と同様に作成した。
この様にして得られた素子に、ITO電極(陽極2)を正極、Al電極(陰極4)を負極にして、4.0Vの印加電圧で、電流密度3.9mA/cm2,発光輝度408cd/mの青色発光が観測された。
さらに、窒素雰囲気下で電流密度を30mA/cmに保ち、電圧を印加したところ、初期輝度に対する100時間後の輝度劣化は小さかった。
<実施例29>
図3に示す構造の有機発光素子を以下に示す方法で作成した。
基板1としてのガラス基板上に、陽極2としての酸化錫インジウム(ITO)をスパッタ法にて120nmの膜厚で成膜したものを透明導電性支持基板として用いた。これをアセトン、イソプロピルアルコール(IPA)で順次超音波洗浄し、次いでIPAで煮沸洗浄後乾燥した。さらに、UV/オゾン洗浄したものを透明導電性支持基板として使用した。
ホール輸送層5として例示化合物3を用いて、濃度が0.1wt%となるようにクロロホルム溶液を調整した。
この溶液を上記のITO電極上に滴下し、最初に500RPMの回転で10秒、次に1000RPMの回転で1分間スピンコートを行い膜形成した。この後10分間、80℃の真空オーブンで乾燥し、薄膜中の溶剤を完全に除去した。形成されたホール輸送層5の厚みは11nmであった。
次に化合物5−2に対し化合物5−1を5wt%の割合で共蒸着して25nmの発光層4を設けた。
更に、電子輸送層及びAl電極は実施例16と同様に作成した。
この様にして得られた素子に、ITO電極(陽極2)を正極、Al電極(陰極4)を負極にして、4.0Vの印加電圧で、電流密度3.6mA/cm2,発光輝度425cd/mの青色発光が観測された。
さらに、窒素雰囲気下で電流密度を30mA/cmに保ち、電圧を印加したところ、初期輝度に対する100時間後の輝度劣化は小さかった。
<実施例30>
図4に示す構造の有機発光素子を以下に示す方法で作成した。
基板1としてのガラス基板上に、陽極2としての酸化錫インジウム(ITO)をスパッタ法にて120nmの膜厚で成膜したものを透明導電性支持基板として用いた。これをアセトン、イソプロピルアルコール(IPA)で順次超音波洗浄し、次いでIPAで煮沸洗浄後乾燥した。さらに、UV/オゾン洗浄したものを透明導電性支持基板として使用した。
第1ホール輸送層5−1として例示化合物3を用いて、濃度が0.1wt%となるようにクロロホルム溶液を調整した。
この溶液を上記のITO電極上に滴下し、最初に500RPMの回転で10秒、次に1000RPMの回転で1分間スピンコートを行い膜形成した。この後10分間、80℃の真空オーブンで乾燥し、薄膜中の溶剤を完全に除去した。形成された第1ホール輸送層5−1の厚みは12nmであった。
次に、第1ホール輸送層5−1の上に例示化合物8を蒸着して20nmの第2ホール輸送層5−2を設けた。蒸着時の真空度は1.0×10−4Pa、成膜速度は0.1nm/secの条件で成膜した。
次に化合物5−2に対し化合物5−1を5wt%の割合で共蒸着して25nmの発光層4を設けた。
更に、電子輸送層及びAl電極は実施例16と同様に作成した。
この様にして得られた素子に、ITO電極(陽極2)を正極、Al電極(陰極4)を負極にして、4.0Vの印加電圧で、電流密度4.3mA/cm2、発光輝度523cd/mの青色発光が観測された。ここで例示化合物8のバンドギャップは、化合物5−2のそれより大きい。また、イオン化ポテンシャルに関しては、例示化合物3、8、化合物5−2の序列で深い。
さらに、窒素雰囲気下で電流密度を30mA/cmに保ち、電圧を印加したところ、初期輝度に対する100時間後の輝度劣化は小さかった。
本発明における有機発光素子の一例を示す断面図である。 本発明における有機発光素子の他の例を示す断面図である。 本発明における有機発光素子の他の例を示す断面図である。 本発明における有機発光素子の他の例を示す断面図である。
符号の説明
1 基板
2 陽極
3 発光層
4 陰極
5 ホール輸送層
5−1 第1ホール輸送層
5−2 第2ホール輸送層
6 電子輸送層

Claims (7)

  1. 下記一般式[1]で示されることを特徴とする4−アミノフルオレン化合物。

    (式中、Arは、2位または4位で結合する置換あるいは無置換のフルオレン基を表わす。Arはアリール基を表わす。R乃至Rはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基の中から選ばれる。
    前記Ar1で示される前記フルオレン基は、ハロゲン原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ターシャリ―ブチル基を有してよいフェニル基、ビフェニル基、9,9−ジメチルフルオレン基、9,9−ジメチル−2,7−ジターシャリ―ブチルフルオレン基置換基として有してよい。
    前記Ar2で示されるアリール基は、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、フルオレン基のいずれかである。
    前記Ar2で示されるフェニル基は、メチル基、ブチル基、9,9−メチルフルオレン基、メチル基またはターシャリ―ブチル基を有してよいフェニル基を置換基として有してよい。
    前記Ar2で示されるフルオレン基は、メチル基、エチル基、ターシャリ―ブチル基、9,9−ジメチルフルオレン基、9,9−ジメチル−2,7−ジターシャリ―ブチルフルオレン基を置換基として有してよい。
    前記R1乃至前記R9で示されるアルキル基は、メチル基、ターシャリブチル基のいずれかである。
    前記R1乃至前記R9で示されるアリール基は、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、フルオレン基のいずれかである。
    前記アリール基は、メチル基、ターシャリブチル基、フェニル基、ビフェニル基を置換基として有してよい。)
  2. 前記Ar1は前記4位で結合するフルオレン基であることを特徴とする請求項1に記載の4−アミノフルオレン化合物。
  3. 前記Ar2は前記フルオレン基であることを特徴とする請求項2に記載の4−アミノフルオレン化合物。
  4. 陽極及び陰極からなる一対の電極と、該一対の電極間に挟持された有機化合物層を有し、前記有機化合物層は請求項1乃至3の何れか一項に記載の4−アミノフルオレン化合物を有することを特徴とする有機発光素子。
  5. 前記有機化合物層はホール輸送層であり、前記有機化合物層は発光層と前記陽極との間に配置されることを特徴とする請求項4に記載の有機発光素子。
  6. 前記有機化合物層は第2ホール輸送層であり、前記第2ホール輸送層は発光層の前記陽極側に接し、第1ホール輸送層は前記陽極に接することを特徴とする請求項4に記載の有機発光素子。
  7. さらに薄膜トランジスタを有し、前記薄膜トランジスタは前記有機発光素子に接続されていることを特徴とする請求項4乃至6のいずれか一項に記載の有機発光素子。
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