JPH08239655A

JPH08239655A - 有機エレクトロルミネッセンス素子

Info

Publication number: JPH08239655A
Application number: JP7045504A
Authority: JP
Inventors: Hisahiro Azuma; 久洋東; Chishio Hosokawa; 地潮細川; Yoshio Hironaka; 義雄弘中
Original assignee: Idemitsu Kosan Co Ltd
Current assignee: Idemitsu Kosan Co Ltd
Priority date: 1995-03-06
Filing date: 1995-03-06
Publication date: 1996-09-17
Anticipated expiration: 2020-12-07
Also published as: JP3724833B2

Abstract

(57)【要約】【目的】発光効率が高く、かつ色純度の高い青色光を
発する有機エレクトロルミネッセンス素子を提供するこ
と。【構成】一分子中に、両端が芳香環に、又は芳香環と
芳香族性複素環に結合したビニレン基１個以上を有する
電子供与性スチリル化合物、特に一般式（Ｉ）【化１】〔各記号は明細書に定義したとおりである。〕で表され
るスチリルアミン化合物の中から選ばれた少なくとも二
種を同一機能層に含有させてなる有機エレクトロルミネ
ッセンス素子である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は有機エレクトロルミネッ
センス（以下、ＥＬと略記する）素子に関し、さらに詳
しくは、電子供与性スチリル化合物を二種以上組み合わ
せて同一機能層に含有させてなる高効率で、かつ色純度
の高い青色光を発する有機ＥＬ素子に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】電界発光を利用したＥＬ素子は、自己発
光のため視認性が高く、また完全固体素子であるため耐
衝撃性に優れるという特徴を有しており、薄型ディスプ
レイ素子，液晶ディスプレイのバックライト，平面光源
などに用いられている。現在実用化されているＥＬ素子
は、分散型ＥＬ素子である。この分散型ＥＬ素子は、数
１０Ｖ，１０ｋＨｚ以上の交流電圧を必要とするため駆
動回路が複雑である上、製造コストが高く、かつ輝度や
耐久性が不充分であるなどの欠点を有している。一方、
有機薄膜ＥＬ素子は、駆動電圧が１０Ｖ程度まで低下さ
せることができ、高輝度に発光するため近年盛んに研究
が行われ、多くの有機薄膜ＥＬ素子が開発されており、
例えば、「Appl. Phys. Lett. 」第１５１巻，第９１３
〜９１５ページ（１９８７年）、特開昭５９−１９４３
９３号公報、米国特許第４，５３９，５０７号明細書、
特開昭６３−２９５６９５号公報、米国特許第４，７２
０，４３２号明細書、特開昭６３−２６４６９２号公報
などが報告又は提案されている。これらにおいては、陽
極，正孔注入輸送層，発光層及び陰極からなる電界発光
素子が開示されており、具体的には、正孔注入輸送材料
として芳香族第三級アミンが、また発光材料としてアル
ミニウムキレート錯体が代表的な例として挙げられてい
る。また、この他にも正孔輸送性の発光材料も知られて
おり、このようなものの代表例として、トリフェニルア
ミン骨格を有するスチリルアミン化合物を挙げることが
できる。具体的な例としては、特開平３−３５０８３号
公報，特開平３−５４２８９号公報，特開平３−１６３
１８８号公報，特開平３−２００８８９号公報，特開平
４−３４８１８３号公報などに記載されているものが挙
げられる。しかしながら、これらの化合物は正孔輸送性
に優れているものの、結晶化しやすく、薄膜性に優れる
有機ＥＬ素子が得られにくいという欠点を有している。

【０００３】その他、８−ヒドロキシキノリンアルミニ
ウム錯体をホストとして、これに蛍光物質を微量ドープ
してなる有機発光層を有する素子（特開昭６３−２６４
６９２号公報）、８−ヒドロキシキノリンアルミニウム
錯体をホストとして、これにキナクリドン系色素をドー
プしてなる有機発光層を有する素子（特開平３−２５５
１７０号公報）があるが、これらの素子は、性能面で必
ずしも充分に満足しうるものではない。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
状況下で、発光効率が高く、かつ色純度の高い青色光を
発する有機ＥＬ素子を提供することを目的とするもので
ある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記の好
ましい性質を有する有機ＥＬ素子を開発すべく鋭意研究
を重ねた結果、特定の電子供与性スチリル化合物の中か
ら選ばれた少なくとも二種を組み合わせ、発光層や正孔
輸送層などの同一機能層に含有させることにより、その
目的を達成しうることを見出した。本発明はかかる知見
に基づいて完成したものである。すなわち、本発明は、
一対の電極の間に、少なくとも発光層を含む有機機能層
を挟持する有機ＥＬ素子において、一分子中に、両端が
芳香環及び芳香族性複素環のいずれかに結合したビニレ
ン基１個以上を有する電子供与性スチリル化合物の中か
ら選ばれた少なくとも二種を組み合わせ、同一機能層に
含有させたことを特徴とする有機ＥＬ素子を提供するも
のである。

【０００６】また、本発明の特に好ましい態様は、電子
供与性スチリル化合物として、一般式（Ｉ）

【０００７】

【化３】

【０００８】〔式中のＲ¹〜Ｒ¹²は、それぞれ独立に水
素原子，ハロゲン原子，炭素数１〜１０のアルキル基，
炭素数１〜１０のアルコキシ基，炭素数６〜１８のアリ
ールオキシ基，フェニル基，アミノ基，置換アミノ基，
水酸基又は一般式（II）

【０００９】

【化４】

【００１０】で表される芳香環に置換基を有していても
よいスチリル基を示し、その中の隣接する２つがたがい
に結合して飽和若しくは不飽和の５員環又は６員環を形
成してもよい。Ｚ¹，Ｚ²及びＥは、それぞれ独立に水
素原子，炭素数１〜１０のアルキル基，置換基を有する
若しくは有しない炭素数６〜２０のアリール基，置換基
を有する若しくは有しない炭素数７〜２０のアラルキル
基又は隣接するベンゼン環に結合する結合手を示し、Ａ
ｒは置換基を有する若しくは有しない炭素数６〜２０の
アリーレン基，炭素数４〜２０の２価の芳香族性複素環
式基又は置換基を有する若しくは有しない２価のトリア
リールアミノ基を示す。また、該置換基とは炭素数１〜
１０のアルキル基，炭素数１〜１０のアルコキシ基，炭
素数６〜１８のアリールオキシ基，フェニル基，アミノ
基，シアノ基，ニトロ基，水酸基又はハロゲン原子を示
し、これらの置換基は単一でも複数置換されていてもよ
い。点線１，２及び３はそれぞれ連結することにより複
素環構造をとりうることを示す。ｎは０，１又２を示
し、Ａｒが２個ある場合、各Ａｒは同じでも異なってい
てもよい。〕で表されるスチリルアミン化合物の中から
選ばれた少なくとも二種を組み合わせ、同一機能層に含
有させてなる有機ＥＬ素子である。

【００１１】本発明の有機ＥＬ素子において用いられる
電子供与性スチリル化合物は、一分子中に、両端が芳香
環に、又は芳香環と芳香族性複素環に結合したビニレン
基１個以上を有するものであり、かつ電子供与性基を有
することが必要である。この電子供与性基としては、例
えば炭素数１〜１０のアルコキシ基，炭素数６〜１８の
アリールオキシ基，及び炭素数１〜３０の炭化水素基を
もつ置換アミノ基の中から選ばれた少なくとも一種が好
ましく挙げられる。このような電子供与性スチリル化合
物としては、上記条件を満たすものであればよく、特に
制限されず、様々な化合物を用いることができるが、次
に示す一般式（Ｉ）

【００１２】

【化５】

【００１３】で表されるスチリルアミン化合物が好適で
ある。上記一般式（Ｉ）において、Ｒ¹〜Ｒ¹²は、それ
ぞれ独立に水素原子，ハロゲン原子，炭素数１〜１０の
アルキル基，炭素数１〜１０のアルコキシ基，炭素数６
〜１８のアリールオキシ基，フェニル基，アミノ基，置
換アミノ基，水酸基又は一般式（II）

【００１４】

【化６】

【００１５】で表される芳香環に置換基を有していても
よいスチリル基を示す。該炭素数１〜１０のアルキル基
としては、例えばメチル基，エチル基，ｎ−プロピル
基，イソプロピル基，ｎ−ブチル基，イソブチル基，ｓ
ｅｃ−ブチル基，ｔ−ブチル基，イソペンチル基，ｔ−
ペンチル基，ネオペンチル基，ｎ−ヘキシル基，イソヘ
キシル基などが、炭素数１〜１０のアルコキシ基として
は、例えばメトキシ基，エトキシ基，ｎ−プロポキシ
基，イソプロポキシ基，ｎ−ブチルオキシ基，イソブチ
ルオキシ基，ｓｅｃ−ブチルオキシ基，イソペンチルオ
キシ基，ｔ−ペンチルオキシ基，ｎ−ヘキシルオキシ基
などが、炭素数６〜１８のアリールオキシ基としては、
例えばフェノキシ基やナフチルオキシ基などが挙げられ
る。また、置換アミノ基としては、例えばジメチルアミ
ノ基，メチルアミノ基，アニリノ基，ジフェニルアミノ
基などが挙げられる。さらに、上記一般式（II）で表さ
れるスチリル基としては、例えばＮ，Ｎ−ビス（フェニ
ル）−４−アミノスチリル基，Ｎ，Ｎ−ビス（トリル）
−４−アミノスチリル基などが挙げられる。

【００１６】また、該Ｒ¹〜Ｒ¹²は、その中の隣接する
２つがたがいに結合して飽和若しくは不飽和の５員環又
は６員環を形成してもよい。Ｚ¹，Ｚ²及びＥは、それ
ぞれ独立に水素原子，炭素数１〜１０のアルキル基，置
換基を有する若しくは有しない炭素数６〜２０のアリー
ル基，置換基を有する若しくは有しない炭素数７〜２０
のアラルキル基又は隣接するベンゼン環に結合する結合
手を示す。該炭素数１〜１０のアルキル基としては、例
えばメチル基，エチル基，ｎ−プロピル基，イソプロピ
ル基，ｎ−ブチル基，イソブチル基，ネオペンチル基，
ｎ−ヘキシル基，イソヘキシル基などが、該炭素数６〜
２０のアリール基としては、例えばフェニル基，ナフチ
ル基，タ−フェニル基，アントラニル基，ピレニル基，
ペリレニル基などが、該炭素数７〜２０のアラルキル基
としては、例えばベンジル基やフェネチル基などが挙げ
れらる。Ａｒは、置換基を有する若しくは有しない炭素
数６〜２０のアリーレン基，炭素数４〜２０の２価の芳
香族性複素環式基又は置換基を有する若しくは有しない
２価のトリアリールアミノ基を示す。ここで、炭素数６
〜２０のアリーレン基としては、例えばフェニレン基，
ビフェニレン基，ナフタレンジイル基，ターフェニレン
ジイル基，クオーターフェニレンジイル基，アントラセ
ンジイル基，ピレンジイル基，ペリレンジイル基などが
挙げられ、炭素数４〜２０の芳香族性複素環式基として
は、例えばチオフェンジイル基，ビチオフェンジイル
基，ピリジンジイル基，ピラジンジイル基，キノリンジ
イル基，キノキサリンジイル基，カルバゾールジイル
基，ターチオフェンジイル基などが挙げれらる。前記置
換基としては、メチル基，エチル基，ｎ−プロピル基，
イソプロピル基，ｎ−ブチル基，イソブチル基，ｓｅｃ
−ブチル基，ｔ−ブチル基，イソペンチル基，ｔ−ペン
チル基，ネオペンチル基，ｎ−ヘキシル基，イソヘキシ
ル基などの炭素数１〜１０のアルキル基，メトキシ基，
エトキシ基，ｎ−プロポキシ基，イソプロポキシ基，ｎ
−ブチルオキシ基，イソブチルオキシ基，ｓｅｃ−ブチ
ルオキシ基，イソペンチルオキシ基，ｔ−ペンチルオキ
シ基，ｎ−ヘキシルオキシ基などの炭素数１〜１０のア
ルコキシ基，フェノキシ基，ナフチルオキシ基などの炭
素数６〜１８のアリールオキシ基，フェニル基，アミノ
基，シアノ基，ニトロ基，水酸基又はハロゲン原子が挙
げられ、これらの置換基は単一でも複数置換されていて
もよい。さらに、点線１，２及び３は、それぞれ連結す
ることにより複素環構造をとりうることを示し、例え
ば、点線１又は２の場合では、一般式(III)

【００１７】

【化７】

【００１８】で表されるアクリジン環構造、あるいは、
一般式（IV）

【００１９】

【化８】

【００２０】で表されるカルバゾール環構造をとりうる
ことを示す。なお、一般式（III)及び（IV）におけるＲ
¹〜Ｒ¹²，Ｚ¹及びＺ²は上記と同じである。また、該
Ｒ¹及びＲ⁷が上記一般式（II）で表されるスチリル基
である場合、例えば、一般式（Ｖ）

【００２１】

【化９】

【００２２】〔式中、Ｒ²〜Ｒ⁶，Ｒ⁸〜Ｒ¹²，Ｚ¹，
Ｚ²及びＥは上記と同じである。〕で表される構造をと
りうる。なお、Ｒ¹，Ｒ⁷に対応するＮ−置換アミノス
チリル基の芳香環には、前述した置換基の中から選ばれ
た適当な置換基が１個以上導入されていてもよい。ｎは
０，１又は２を示し、ｎが０の場合は、一般式（Ｉ）の
化合物は、一般式（VI）

【００２３】

【化１０】

【００２４】で表され、ｎが１の場合、一般式（Ｉ）の
化合物は、一般式（VII)

【００２５】

【化１１】

【００２６】で表され、ｎが２の場合、一般式（Ｉ）の
化合物は、一般式（VIII)

【００２７】

【化１２】

【００２８】で表される。なお、一般式（VI），（VII)
及び（VIII) において、Ｒ¹〜Ｒ¹²，Ｚ¹，Ｚ²，Ａ
ｒ，点線１及び点線２は上記と同じである。また、一般
式（VIII) において、２つのＡｒはたがいに同一でも異
なっていてもよい。本発明の有機ＥＬ素子は、一対の電
極の間に、少なくとも発光層をもつ有機機能層を挟持し
たものであって、この有機機能層としては、例えば発光
層と、正孔輸送層及び／又は電子注入層とからなるもの
が好ましく挙げられる。本発明の有機ＥＬ素子において
は、前記の電子供与性スチリル化合物の中から選ばれた
少なくとも二種を組み合わせて、上記有機機能層の中の
同一機能層へ含有させることが必要であり、特に発光層
又は正孔輸送層へ含有させるのが望ましい。この場合、
少なくとも二種の電子供与性スチリル化合物で機能層を
形成してもよく、あるいは該化合物を機能層へドープし
てもよい。この際、少なくとも二種の化合物の使用比率
については、電子供与性スチリル化合物として、前記一
般式（Ｉ）で表されるスチリルアミン化合物を用いる場
合、一般式（VI）で表される化合物（ｎ＝０）を〔V
I〕、一般式（VII)で表される化合物（ｎ＝１）を〔VII
〕、一般式（VIII) で表される化合物（ｎ＝２）を〔V
III〕とすると、〔VI〕と〔VII 〕は同等量若しくは〔VI〕＜〔VII 〕
の比率〔VII 〕と〔VIII〕は同等量若しくは〔VIII〕＜〔VI
I 〕の比率〔VI〕と〔VIII〕は同等量若しくは〔VI〕＜〔VIII〕
の比率〔VI〕と〔VII 〕と〔VIII〕は同等量若しくは〔V
I〕，〔VIII〕＜〔VII 〕の比率が特に好ましい。

【００２９】また、同一機能層へドープする場合には、
上記組み合わせの化合物を、上記比率にてホストに対
し、それぞれ蒸着速度の割合から、１０重量％以下、特
にそれぞれ１〜５重量％の割合でドープするのが望まし
い。上記一般式（VI）〜（VIII) のスチリルアミン化合
物は、蛍光増白剤として知られているものが多く、その
製造方法については、例えば“Ｂｕｌｌｅｔｉｎ”第３
５巻，第１３５ページ（１９６２年）や、“Ｓｙｎｔｈ
ｅｓｉｓ”第３４１ページ（１９８２年）などに記載さ
れている。以下、一般式（VI）〜（VIII) のスチリルア
ミン化合物の具体的な製造方法について説明する。（１）一般式（VI）で表されるスチリルアミン化合物の
製法一般式（IX）

【００３０】

【化１３】

【００３１】〔式中、Ｒ¹〜Ｒ⁶，Ｚ¹及び点線１は上
記と同じであり、Ｒは炭素数１〜４のアルキル基又はフ
ェニル基を示す。〕で表されるホスホン酸エステルと、
一般式（Ｘ）

【００３２】

【化１４】

【００３３】〔式中、Ｒ⁷〜Ｒ¹²，Ｚ²及び点線２は上
記と同じである。〕で表されるアルデヒドとをカップリ
ングさせることにより、一般式（VI）で表されるスチリ
ルアミン化合物が得られる。（２）一般式（VII)で表されるスチリルアミン化合物の
製法一般式（XI）

【００３４】

【化１５】

【００３５】〔式中、Ａｒ及びＲは上記と同じであ
る。〕で表されるホスホン酸エステルと、上記一般式
（Ｘ）又は一般式（XII)

【００３６】

【化１６】

【００３７】〔式中、Ｒ¹〜Ｒ⁶，Ｚ¹及び点線１は上
記と同じである。〕で表されるアルデヒドとをカップリ
ングさせることにより、一般式（VII)で表されるスチリ
ルアミン化合物が得られる。また、一般式（XIII) ＯＨＣ−Ａｒ−ＣＨＯ・・・（XIII) 〔式中、Ａｒは上記と同じである。〕で表されるアルデ
ヒドと、上記一般式（IX）又は一般式（XIV)

【００３８】

【化１７】

【００３９】〔式中、Ｒ⁷〜Ｒ¹²，Ｚ²，点線２及びＲ
は上記と同じである。〕で表されるホスホン酸エステル
とをカップリングさせることによっても、一般式（VII)
で表されるスチリルアミン化合物が得られる。（３）一般式（VIII) で表されるスチリルアミン化合物
の製法一般式（XV）

【００４０】

【化１８】

【００４１】〔式中、Ａｒ及びＲは上記と同じであ
る。〕で表されるホスホン酸エステルと、上記一般式
（Ｘ）又は一般式（XII)で表されるアルデヒドとをカッ
プリングさせることにより、一般式（VIII) で表される
スチリルアミン化合物が得られる。また、一般式（XVI) ＯＨＣ−Ａｒ−ＣＨ＝ＣＨ−Ａｒ−ＣＨＯ・・・（XVI) 〔式中、Ａｒは上記と同じである。〕で表されるアルデ
ヒドと、上記一般式（IX) 又は(XIV) で表されるホスホ
ン酸エステルとをカップリングさせることによっても、
一般式（VIII) で表されるスチリルアミン化合物が得ら
れる。その他、種々の方法が知られているが、上記した
ようなＷｉｔｔｉｇ反応を用いる方法が有利である。

【００４２】前記製造方法においては、通常反応溶媒が
用いられる。該反応溶媒としては、炭化水素類，アルコ
ール類，エーテル類が好ましく、具体的には、メタノー
ル；エタノール；イソプロパノール；ブタノール；２−
メトキシエタノール；１，２−ジメトキシエタン；ビス
（２−メトキシエチル）エーテル；ジオキサン；テトラ
ヒドロフラン；トルエン；キシレン；ジメチルスルホキ
シド；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド；Ｎ−メチルピロ
リドン；１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンなど
が挙げられる。特に、テトラヒドロフラン及びジメチル
スルホキシドが好適である。また、縮合剤として、例え
ば水酸化ナトリウム，水酸化カリウム，ナトリウムアミ
ド，水素化ナトリウム，ｎ−ブチルリチウム，ナトリウ
ムメチラート，カリウムｔ−ブトキシドなどが好ましく
用いられ、特にｎ−ブチルリチウム及びカリウムｔ−ブ
トキシドが好適である。反応温度は、使用する原料の種
類などにより異なり、一概に定めることはできないが、
通常は０〜１００℃の範囲、好ましくは０℃〜室温の範
囲で選ばれる。上記一般式（Ｉ）〔一般式(VI)，(VII),
(VIII)〕で表されるスチリルアミン化合物の具体例とし
ては、以下に示す化合物を挙げることができるが、もち
ろんこれらに限定されるものではない。一般式(VI)で表されるスチリルアミン化合物の例

【００４３】

【化１９】

【００４４】

【化２０】

【００４５】

【化２１】

【００４６】一般式(VII) で表されるスチリルアミン化
合物の例

【００４７】

【化２２】

【００４８】

【化２３】

【００４９】

【化２４】

【００５０】

【化２５】

【００５１】一般式(VIII)で表されるスチリルアミン化
合物の例

【００５２】

【化２６】

【００５３】

【化２７】

【００５４】上記一般式（Ｉ）〔一般式(VI)，(VII),(V
III)〕で表されるスチリルアミン化合物は、ＥＬ素子に
おける発光材料又は正孔輸送材料として有効である。こ
のスチリルアミン化合物を発光層とする場合は、例えば
蒸着法，スピンコート法，キャスト法などの公知の方法
によって、一般式（Ｉ）のスチリルアミン化合物の中か
ら選ばれた少なくとも二種を薄膜化することにより形成
することができるが、特に分子堆積膜とすることが好ま
しい。ここで、分子堆積膜とは、該化合物の気相状態か
ら沈着され形成された薄膜や、該化合物の溶液状態又は
液相状態から固体化され形成された膜のことであり、例
えば蒸着膜などを示すが、通常この分子堆積膜はＬＢ法
により形成された薄膜（分子累積膜）とは区別すること
ができる。また、該発光層は、特開昭５９−１９４３９
３号公報などに開示されているように、樹脂などの結着
剤と該化合物とを、溶剤に溶かして溶液としたのち、こ
れをスピンコート法などにより薄膜化し、形成すること
ができる。

【００５５】また、該スチリルアミン化合物を発光層に
ドープする場合は、例えば発光材料と、一般式（Ｉ）の
スチリルアミン化合物の中から選ばれた少なくとも二種
とを共蒸着させて発光層を形成するのが有利である。こ
のようにして形成された発光層の膜厚については特に制
限はなく、適宜状況に応じて選ぶことができるが、通常
５ｎｍ〜５μｍの範囲で選定される。

【００５６】このＥＬ素子における発光層は、（１）電
界印加時に、陽極又は正孔輸送層により正孔を注入する
ことができ、かつ陰極又は電子注入層より電子を注入す
ることができる注入機能、（２）注入した電荷（電子と
正孔）を電界の力で移動させる輸送機能、（３）電子と
正孔の再結合の場を発光層内部に提供し、これを発光に
つなげる発光機能などを有している。なお、正孔の注入
されやすさと、電子の注入されやすさに違いがあっても
よいし、正孔と電子の移動度で表される輸送能に大小が
あってもよいが、どちらか一方の電荷を移動することが
好ましい。この発光層に用いる前記一般式（Ｉ）で表さ
れる化合物は、一般にイオン化エネルギーが6.０ｅＶ程
度より小さいので、適当な陽極金属又は陽極化合物を選
べば、比較的正孔を注入しやすい。また電子親和力は2.
８ｅＶ程度より大きいので、適当な陰極金属又は陰極化
合物を選べば、比較的電子を注入しやすい上、電子，正
孔の輸送能力も優れている。さらに固体状態の蛍光性が
強いため、該化合物やその会合体又は結晶などの電子と
正孔の再結合時に形成された励起状態を光に変換する能
力が大きい。

【００５７】このスチリルアミン化合物を用いたＥＬ素
子の構成は、各種の態様があるが、基本的には、一対の
電極（陽極と陰極）間に、前記発光層を挟持した構成と
し、これに必要に応じて、正孔輸送層や電子注入層を介
在させればよい。介在方法としては、ポリマーへの混ぜ
込みや同時蒸着がある。具体的には、（１）陽極／発光
層／陰極，（２）陽極／正孔輸送層／発光層／陰極，
（３）陽極／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極，
（４）陽極／発光層／電子注入層／陰極などの構成を挙
げることができる。該正孔輸送層や電子注入層は、必ず
しも必要ではないが、これらの層があると発光性能が一
段と向上する。また、前記構成の素子においては、いず
れも基板に支持されていることが好ましく、該基板につ
いては特に制限はなく、従来ＥＬ素子に慣用されている
もの、例えば、ガラス，透明プラスチック，石英などか
らなるものを用いることができる。

【００５８】なお、本発明においては、一般式（Ｉ）の
スチリルアミン化合物を発光層に用いる代わりに、発光
層の場合と同様に、正孔輸送層に用いてもよい。このＥ
Ｌ素子における陽極としては、仕事関数の大きい（４ｅ
Ｖ以上）金属，合金，電気伝導性化合物及びこれらの混
合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。この
ような電極物質の具体例としてはＡｕなどの金属，Ｃｕ
Ｉ，インジウムチンオキシド（以下、ＩＴＯと略記す
る），ＳｎＯ₂ ，ＺｎＯなどの誘電性透明材料が挙げら
れる。該陽極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタリ
ングなどの方法により、薄膜を形成させることにより作
製することができる。この電極より発光を取り出す場合
には、透過率を１０％より大きくすることが望ましく、
また、電極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ま
しい。さらに膜厚は材料にもよるが、通常１０ｎｍ〜１
μｍ，好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。

【００５９】一方、陰極としては、仕事関数の小さい
（４ｅＶ以下）金属，合金，電気伝導性化合物及びこれ
らの混合物を電極物質とするものが用いられる。このよ
うな電極物質の具体例としては、ナトリウム，ナトリウ
ム−カリウム合金，マグネシウム，リチウム，マグネシ
ウム−銅合金，Ａｌ／ＡｌＯ₂，インジウムなどが挙げ
られる。該陰極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタ
リングなどの方法により、薄膜を形成させることによ
り、作製することができる。また、電極としてのシート
抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ
〜１μｍ，好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲で選ばれ
る。なお、このＥＬ素子においては、該陽極又は陰極の
いずれか一方が透明又は半透明であることが、発光を透
過するため、発光の取出し効率がよく好都合である。

【００６０】本発明の化合物を用いるＥＬ素子の構成
は、前記したように、各種の態様があり、前記（２）又
は（３）の構成のＥＬ素子における正孔輸送層は、正孔
伝達化合物からなる層であって、陽極より注入された正
孔を発光層に伝達する機能を有し、この正孔輸送層を陽
極と発光層との間に介在させることにより、より低い電
界で多くの正孔が発光層に注入される。その上、発光層
に陰極又は電子注入層より注入された電子は、発光層と
正孔輸送層の界面に存在する電子の障壁により、この発
光層内の界面付近に蓄積されＥＬ素子の発光効率を向上
させ、発光性能の優れたＥＬ素子とする。前記正孔輸送
層に用いられる正孔伝達化合物は、電界を与えられた２
個の電極間に配置されて陽極から正孔が注入された場
合、該正孔を適切に発光層へ伝達しうる化合物であっ
て、例えば１０⁴〜１０⁶Ｖ／ｃｍの電界印加時に、少
なくとも１０^-6ｃｍ²／（Ｖ・秒）の正孔移動度をもつ
ものが好適である。このような正孔伝達化合物について
は、前記の好ましい性質を有するものであれば特に制限
はなく、従来、光導電材料において、正孔の電荷輸送材
として慣用されているものやＥＬ素子の正孔輸送層に使
用される公知のものの中から任意のものを選択して用い
ることができる。該電荷輸送材としては、例えばトリア
ゾール誘導体（米国特許第３,1１２,1９７号明細書など
に記載のもの）、オキサジアゾール誘導体（米国特許第
３,1８９,4４７号明細書などに記載のもの）、イミダゾ
ール誘導体（特公昭３７−１６０９６号公報などに記載
のもの）、ポリアリールアルカン誘導体（米国特許第
３,6１５,4０2 号明細書，同３,8２０,9８9 号明細書，
同３,5４２,5４4 号明細書，特公昭４５−５５５号公
報，同５１−１０９８３号公報，特開昭５１−９３２２
４号公報，同５５−１７１０５号公報，同５６−４１４
８号公報，同５５−１０８６６７号公報，同５５−１５
６９５３号公報，同５６−３６６５６号公報などに記載
のもの）、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体（米
国特許第３,1８０,7２9 号明細書，同４,2７８,7４6 号
明細書，特開昭５５−８８０６４号公報，同５５−８８
０６５号公報，同４９−１０５５３７号公報，同５５−
５１０８６号公報，同５６−８００５１号公報，同５６
−８８１４１号公報，同５７−４５５４５号公報，同５
４−１１２６３７号公報，同５５−７４５４６号公報な
どに記載のもの）、フェニレンジアミン誘導体（米国特
許第３,6１５,4０4 号明細書，特公昭５１−１０１０５
号公報，同４６−３７１２号公報，同４７−２５３３６
号公報，特開昭５４−５３４３５号公報，同５４−１１
０５３６号公報，同５４−１１９９２５号公報などに記
載のもの）、アリールアミン誘導体（米国特許第３,5６
７,4５0 号明細書，同３,1８０,7０3 号明細書，同３,2
４０,5９7 号明細書，同３,6５８,5２0 号明細書，同
４,2３２,1０3 号明細書，同４,1７５,9６1 号明細書，
同４,0１２,3７６号明細書，特公昭４９−３５７０２号
公報，同３９−２７５７７号公報，特開昭５５−１４４
２５０号公報，同５６−１１９１３２号公報，同５６−
２２４３７号公報，西独特許第１,1１０,5１8 号明細書
などに記載のもの）、アミノ置換カルコン誘導体（米国
特許第３,5２６,5０1 号明細書などに記載のもの）、オ
キサゾール誘導体（米国特許第３,2５７,2０3 号明細書
などに記載のもの）、スチリルアントラセン誘導体（特
開昭５６−４６２３４号公報などに記載のもの）、フル
オレノン誘導体（特開昭５４−１１０８３７号公報など
に記載のもの）、ヒドラゾン誘導体（米国特許第３,7１
７,4６2 号明細書，特開昭５４−５９１４３号公報，同
５５−５２０６３号公報，同５５−５２０６４号公報，
同５５−４６７６０号公報，同５５−８５４９５号公
報，同５７−１１３５０号公報，同５７−１４８７４９
号公報などに記載されているもの）、スチルベル誘導体
（特開昭６１−２１０３６３号公報，同６１−２２８４
５１号公報，同６１−１４６４２号公報，同６１−７２
２５５号公報，同６２−４７６４６号公報，同６２−３
６６７４号公報，同６２−１０６５２号公報，同６２−
３０２５５号公報，同６０−９３４４５号公報，同６０
−９４４６２号公報，同６０−１７４７４９号公報，同
６０−１７５０５２号公報などに記載のもの）などを挙
げることができる。

【００６１】これらの化合物を正孔伝達化合物として使
用することができるが、次に示すポルフィリン化合物
（特開昭６３−２９５６９５号公報などに記載のもの）
及び芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合
物（米国特許第４,1２７,4１２号明細書，特開昭５３−
２７０３３号公報，同５４−５８４４５号公報，同５４
−１４９６３４号公報，同５４−６４２９９号公報，同
５５−７９４５０号公報，同５５−１４４２５０号公
報，同５６−１１９１３２号公報，同６１−２９５５５
８号公報，同６１−９８３５３号公報，同６３−２９５
６９５号公報などに記載のもの）、特に該芳香族第三級
アミン化合物を用いることが好ましい。

【００６２】該ポルフィリン化合物の代表例としては、
ポルフィリン；５，１０，１５，２０−テトラフェニル
−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン銅（II）；５，１０，
１５，２０−テトラフェニル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフ
ィリン亜鉛（II）；５，１０，１５，２０−テトラキス
（ペンタフルオロフェニル）−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフ
ィリン；シリコンフタロシアニンオキシド；アルミニウ
ムフタロシアニンクロリド；フタロシアニン（無金
属）；ジリチウムフタロシアニン；銅テトラメチルフタ
ロシアニン；銅フタロシアニン；クロムフタロシアニ
ン；亜鉛フタロシアニン；鉛フタロシアニン；チタニウ
ムフタロシアニンオキシド；マグネシウムフタロシアニ
ン；銅オクタメチルフタロシアニンなどが挙げられる。
また該芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化
合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフ
ェニル−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミ
ン；Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’
−ジフェニル−〔１，１’−ビフェニル〕−４，４’−
ジアミン；２，２−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフ
ェニル）プロパン；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリル
アミノフェニル）シクロヘキサン；Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’
−テトラ−ｐ−トリル−（１，１’−ビフェニル）−
４，４’−ジアミン；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリ
ルアミノフェニル）−４−フェニルシクロヘキサン；ビ
ス（４−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル）フェニ
ルメタン；ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）
フェニルメタン；Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ
（４−メトキシフェニル）−（１，１’−ビフェニル）
−４，４’−ジアミン；Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフ
ェニル−４，４’−ジアミノジフェニルエーテル；４，
４’−ビス（ジフェニルアミノ）クオードリフェニル；
Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリル）アミン；４−（ジ−ｐ
−トリルアミン）−４’−〔４（ジ−ｐ−トリルアミ
ン）スチリル〕スチルベン；４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルア
ミノ−（２−ジフェニルビニル）ベンゼン；３−メトキ
シ−４’−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチルベン；Ｎ−
フェニルカルバゾールなどが挙げられる。

【００６３】上記ＥＬ素子における該正孔輸送層は、こ
れらの正孔伝達化合物一種又は二種以上からなる一層で
構成されてもよく、あるいは、前記層とは別種の化合物
からなる正孔輸送層を積層したものであってもよい。一
方、前記（３）の構成のＥＬ素子における電子注入層
（電子注入輸送層）は、電子伝達化合物からなるもので
あって、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機
能を有している。このような電子伝達化合物について特
に制限はなく、従来公知の化合物の中から任意のものを
選択して用いることができる。該電子伝達化合物の好ま
しい例としては、

【００６４】

【化２８】

【００６５】などのニトロ置換フルオレノン誘導体、

【００６６】

【化２９】

【００６７】などのチオピランジオキシド誘導体，

【００６８】

【化３０】

【００６９】などのジフェニルキノン誘導体〔「ポリマ
ー・プレプリント( Polymer Preprints)，ジャパン」第
３７巻，第３号，第６８１ページ（１９８８年）などに
記載のもの〕、あるいは

【００７０】

【化３１】

【００７１】などの化合物〔“J.Apply.Phys．”第２７
巻，第２６９頁（１９８８年）などに記載のもの〕や、
アントラキノジメタン誘導体（特開昭５７−１４９２５
９号公報，同５８−５５４５０号公報，同６１−２２５
１５１号公報，同６１−２３３７５０号公報，同６３−
１０４０６１号公報などに記載のもの）、フレオレニリ
デンメタン誘導体（特開昭６０−６９６５７号公報，同
６１−１４３７６４号公報，同６１−１４８１５９号公
報などに記載のもの）、アントロン誘導体（特開昭６１
−２２５１５１号公報，同６１−２３３７５０号公報な
どに記載のもの）また、次の一般式（XVII) 又は（XVII
I)

【００７２】

【化３２】

【００７３】〔式中、Ａｒ¹〜Ａｒ³及びＡｒ⁵は、そ
れぞれ独立に置換又は無置換のアリール基を示し、Ａｒ
⁴は置換又は無置換のアリーレン基を示す。〕で表され
る電子伝達化合物が挙げられる。ここで、アリール基と
してはフェニル基，ナフチル基，ビフェニル基，アント
ラニル基，ペリレニル基，ピレニル基などが挙げられ、
アリーレン基としてはフェニレン基，ナフチレン基，ビ
フェニレン基，アントラセニレン基，ペリレニレン基，
ピレニレン基などが挙げられる。また、置換基としては
炭素数１〜１０のアルキル基，炭素数１〜１０のアルコ
キシ基又はシアノ基などが挙げられる。この一般式（XV
II) 又は（XVIII)で表される化合物は、薄膜形成性のも
のが好ましい。一般式（XVII) 又は（XVIII)で表される
化合物の具体例としては、

【００７４】

【化３３】

【００７５】

【化３４】

【００７６】

【化３５】

【００７７】など、“Appl. Phys. Lett. ”第５５巻、
第１４８９ページ（１９８９年）に開示されているオキ
サジアゾール誘導体などを挙げることができる。なお、
正孔輸送層及び電子注入層は電荷の注入性，輸送性，障
壁性のいずれかを有する層であり、上記した有機材料の
他にＳｉ系，ＳｉＣ系，ＣｄＳ系などの結晶性ないし非
結晶性材料などの無機材料を用いることもできる。有機
材料を用いた正孔輸送層及び電子注入層は、発光層と同
様にして形成することができ、無機材料を用いた正孔輸
送層及び電子注入層は真空蒸着法やスパッタリングなど
により形成できるが、有機及び無機のいずれの材料を用
いた場合でも発光層のときと同様の理由から真空蒸着法
により形成することが好ましい。次に、本発明のＥＬ素
子を作製する好適な方法の例を、各構成の素子それぞれ
について説明する。前記の陽極／発光層／陰極からなる
ＥＬ素子の作製法について説明すると、まず適当な基板
上に、所望の電極物質、例えば陽極用物質からなる薄膜
を、１μｍ以下、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲の
膜厚になるように、蒸着やスパッタリングなどの方法に
より形成させ、陽極を作製したのち、この上に発光材料
である一般式（Ｉ）で表されるスチリルアミン化合物を
含む薄膜を形成させ、発光層を設ける。該発光材料の薄
膜化の方法としては、例えばスピンコート法，キャスト
法，蒸着法などがあるが、均質な膜が得られやすく、か
つピンホールが生成しにくいなどの点から、蒸着法が好
ましい。該発光材料の薄膜化に、この蒸着法を採用する
場合、その蒸着条件は、使用する発光層に用いる有機化
合物の種類，分子堆積膜の目的とする結晶構造，会合構
造などにより異なるが、一般にボート加熱温度５０〜４
００℃，真空度１０^-5〜１０^-3Ｐａ，蒸着速度0.０１〜
５０ｎｍ／ｓｅｃ，基板温度−５０〜＋３００℃，膜厚
５ｎｍ〜５μｍの範囲で適宜選ぶことが望ましい。次に
この発光層の形成後、その上に陰極用物質からなる薄膜
を、１μｍ以下、好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲の
膜厚になるように、例えば蒸着やスパッタリングなどの
方法により形成させ、陰極を設けることにより、所望の
ＥＬ素子が得られる。なお、このＥＬ素子の作製におい
ては、作製順序を逆にして、陰極，発光層，陽極の順に
作製することも可能である。

【００７８】また、一対の電極間に正孔輸送材料，発光
材料，電子注入材料を混合させた形で電極間に挟持させ
発光層とした、陽極／発光層／陰極からなる素子の場合
の作製方法としては、例えば適当な基板の上に、陽極用
物質からなる薄膜を形成し、正孔輸送材料，発光材料，
電子注入材料，ポリビニルカルバゾールなどの結着剤な
どからなる溶液を塗布するか、又はこの溶液から浸漬塗
工法により薄膜を形成させ発光層とし、その上に陰極用
物質からなる薄膜を形成させるものがある。ここで、作
製した発光層上に、さらに発光層の材料となる素子材料
を真空蒸着し、その上に陰極用物質からなる薄膜を形成
させてもよい。あるいは、正孔輸送材料，電子注入材料
及び発光材料を同時蒸着させ発光層とし、その上に陰極
用物質からなる薄膜を形成させてもよい。

【００７９】次に、陽極／正孔輸送層／発光層／陰極か
らなるＥＬ素子の作製法について説明すると、まず、陽
極を前記のＥＬ素子の場合と同様にして形成したのち、
その上に、正孔伝達化合物からなる薄膜をスピンコート
法などにより形成し、正孔輸送層を設ける。この際の条
件は、前記発光材料の薄膜形成の条件に準じればよい。
次に、この正孔輸送層の上に、順次発光層及び陰極を、
前記ＥＬ素子の作製の場合と同様にして設けることによ
り、所望のＥＬ素子が得られる。なお、このＥＬ素子の
作製においても、作製順序を逆にして、陰極，発光層，
正孔輸送層，陽極の順に作製することも可能である。さ
らに、陽極／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極か
らなるＥＬ素子の作製法について説明すると、まず、前
記のＥＬ素子の作製の場合と同様にして、陽極，正孔輸
送層，発光層を順次設けたのち、この発光層の上に、電
子伝達化合物からなる薄膜をスピンコート法などにより
形成して、電子注入層を設け、次いでこの上に、陰極を
前記ＥＬ素子の作製の場合と同様にして設けることによ
り、所望のＥＬ素子が得られる。なお、このＥＬ素子の
作製においても、作製順序を逆にして、陽極，電子注入
層，発光層，正孔輸送層，陽極の順に作製してもよい。

【００８０】このようにして得られた本発明の有機ＥＬ
素子に、直流電圧を印加する場合には、陽極を＋，陰極
を−の極性として電圧１〜３０Ｖ程度を印加すると、発
光が透明又は半透明の電極側より観測できる。また、逆
の極性で電圧を印加しても電流は流れず発光は全く生じ
ない。さらに、交流電圧を印加する場合には、陽極が
＋，陰極が−の状態になったときのみ発光する。なお、
印加する交流の波形は任意でよい。

【００８１】

【実施例】次に、本発明を製造例及び実施例によりさら
に詳しく説明するが、本発明はこれらの例によってなん
ら限定されるものではない。製造例１１，２−ビス（４−トリフェニルアミノ）エ
チレン（ＢＴＰＡＥ）の製造以下に示す反応式に従ってＢＴＰＡＥを製造した。

【００８２】

【化３６】

【００８３】（１）ヒドロキシメチルトリフェニルアミ
ン〔２〕の製造Ｎ，Ｎ−ジフェニル−４−アミノベンズアルデヒド
〔１〕５２ｇ（0.１９モル）及びメタノール１１４０ミ
リリットルからなるスラリーに、室温でＮａＢＨ₄2.５
ｇ（0.０６６モル）と１０重量％炭酸カリウム水溶液9.
７ミリリットルとの混合物を滴下した。ＴＬＣ（薄層ク
ロマトグラフィー）で原料がなくなった時点で、水３リ
ットルに注加し、酢酸エチル２リットルで抽出した。水
洗後、乾燥してから溶媒を留去し、ヒドロキシメチルト
リフェニルアミン〔２〕の淡緑色固体５3.８ｇが得られ
た。

【００８４】（２）臭化メチルトリフェニルアミン
〔３〕の製造上記（１）と同様な操作で得られたヒドロキシメチルト
リフェニルアミン〔２〕６０ｇ（0.２２モル），塩化メ
チレン1.６リットル及びトリエチルアミン６ミリリット
ルからなる溶液に０℃以下で三臭化リン３０ｇ（0.１１
モル）と塩化メチレン１５０ミリリットルからなる溶液
を滴下した。原料がなくなるまで同温度で攪拌したの
ち、氷水1.５リットル中に注加したのち、分液して得ら
れた油層を水洗し、さらに酸性炭酸ナトリウム水溶液で
洗浄後、水洗してから乾燥し、次いで溶媒を留去するこ
とにより、臭化メチルトリフェニルアミン〔３〕の暗緑
色固体５5.８ｇが得られた。このものは、ＮＭＲ（核磁
気共鳴スペクトル）純度は悪いが、そのまま次反応原料
に供した。（３）化合物〔４〕の製造上記（２）で得られた臭化メチルトリフェニルアミン５
４ｇ（0.１６モル）及びトリフェニルホスフィン４３ｇ
（0.１６４モル）を乾燥ジメチルホルムアミド１６２ミ
リリットルに溶解したのち、１５０℃で３時間攪拌し
た。冷却後、酢酸エチル2.５リットル中に注加し、生成
した固体をろ取したのち、酢酸エチルで洗浄後、減圧乾
燥して、化合物〔４〕の微黄色固体３６ｇを得た。

【００８５】（４）ＢＴＰＡＥの製造乾燥エタノール１リットル中に、上記（３）で得られた
化合物〔４〕７ｇ（１0.６ミリモル）及びＮ，Ｎ−ジフ
ェニル−４−アミノベンズアルデヒド〔１〕3.３９ｇ
（１2.５ミリモル）を加えて３０分間攪拌したのち、不
溶物をろ別した溶液に、0.２１２モル／リットル濃度の
エトキシリチウムエタノール溶液５９ミリリットルを加
え、室温で一夜攪拌した。生成した淡黄色固体をろ取
し、エタノールから再結晶することにより、ＨＰＬＣ
（高速液体クロマトグラフィー）純度９9.３％の淡黄色
固体3.１ｇが得られた。このものの融点は２３４〜２３
5.５℃であった。この化合物を質量分析（ＦＤ−ＭＳ）
したところ、ＢＴＰＡＥに由来するｍ／ｚ＝５１４（ｚ
＝１）のみのピークが得られたことにより、目的物のＢ
ＴＰＡＥであることが確認された。

【００８６】製造例２４，４’−ビス〔２−｛４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミ
ノ）フェニル｝ビニル〕ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）の
製造以下に示す反応式に従って製造した。

【００８７】

【化３７】

【００８８】２００ミリリットルの三つ口フラスコに，
４，４’−ビス〔（ジエチルホスホリル）メチル〕ビフ
ェニル〔２〕1.９１ｇ（0.００４２モル）と、Ｎ，Ｎ−
ジフェニル−４−アミノベンズアルデヒド〔１〕2.９８
ｇ（0.０１１モル）を入れ、モレキュラ−シーブで乾燥
させたジメチルスルホキシド５０ミリリットルに溶解さ
せた。これをアルゴンガス雰囲気下、室温（２０℃）に
てマグネチックスターラーにて攪拌しながら、カリウム
ｔ−ブトキシド（関東化学社製）1.０４ｇ（0.００９３
モル）を粉末の状態で少量ずつ加えた。反応液はただち
に赤黒色を呈し、やがて退色し、緑黄色後に黄土色の析
出物を得た。反応は発熱を伴うので、２０℃前後を保つ
ように氷冷した。反応物は、室温のままさらに３時間攪
拌した。一晩放置後、８０ｗｔ％メタノール水溶液５０
ミリリットルを除々に加えたのち、生成した黄色沈殿を
ろ取し、８０ｗｔ％メタノール水溶液５０ミリリットル
にて２回洗浄し、さらにメタノール５０ミリリットルに
て２回洗浄した。これを５０℃にて３時間真空乾燥を行
ったところ、黄色粉末2.８ｇが得られた。

【００８９】次に、シリカゲル（富士デヴィンソン化学
社製、ＢＷ−８２０ＭＨ）１４０ｇをトルエンにて充填
したカラムに、上記黄色粉末をトルエンにて展開した。
最初に展開する画分を集めた。ＴＬＣ（展開溶媒トルエ
ン：ｎ−ヘキサン＝２：１Ｖ／Ｖ，シリカゲル薄層）で
は、Ｒｆ＝0.８であった。目的物の含まれる画分を集
め、溶媒をエバポレーターにて留去し、乾固させた。次
に、このようにして得られた黄色粉末をトルエン６０ミ
リリットルに熱溶解させ、不溶解物はメンブランフィル
ター（ＡＤＶＡＮＴＥＣ，１μｍ，２５ｍｍ）にてろ去
した。このトルエン溶液を室温にて放置し、得られた析
出物をろ取し、５０℃で２時間乾燥することにより、黄
色粉末2.３６ｇ（収率８１％）を得た。このものの融点
は２２４〜２２６℃であった。この化合物を質量分析
（ＦＤ−ＭＳ）したところ、ＤＰＡＶＢｉに由来するｍ
／ｚ＝６９２（ｚ＝１），ｍ／ｚ＝３４６（ｚ＝２）の
みのピークが得られたことにより、目的物のＤＰＡＶＢ
ｉであることが確認された。

【００９０】製造例３ＤＰＡＶＢＥの製造以下に示す反応式に従って、ＤＰＡＶＢＥを製造した。

【００９１】

【化３８】

【００９２】製造例２において４，４’−ビス〔（ジエ
チルホスホリル）メチル〕ビフェニルの代わりに４，
４’−ビス〔（ジエチルホスホリル）メチル〕ビフェニ
ルエチレン〔２〕2.６ｇ（0.００４２モル）を用いた以
外は、製造例２と同様に操作し、黄色粉末2.０ｇ（収率
５５％）を得た。このものの融点は３００℃以上であっ
た。この化合物を質量分析（ＦＤ−ＭＳ）したところ、
ＤＰＡＶＢＥに由来するｍ／ｚ＝８７０（ｚ＝１），ｍ
／ｚ＝４３５（ｚ＝２）のみのピークが得られたことに
より、ＤＰＡＶＢＥであることが確認された。

【００９３】実施例１２５ｍｍ×７５ｍｍ×1.１ｍｍのガラス基板（ＨＯＹＡ
社製，ＮＡ４０）上に、ＩＴＯを蒸着法にて１００ｎｍ
の厚さで製膜したもの（ＨＯＹＡ製）を透明支持基板と
した。なお、この基板は、イソプロピルアルコール中で
５分間超音波洗浄後、窒素を吹きつけて乾燥し、ＵＶオ
ゾン洗浄（ＵＶ３００，サムコインターナショナル社
製）を１０分間行ったものである。この透明支持基板を
市販の蒸着装置（日本真空技術（株）製）の基板ホルダ
ーに固定し、モリブデン製抵抗加熱ボートにＮ，Ｎ’−
ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル
（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（ＴＰ
Ｄ）を２００ｍｇ入れ、他のモリブデン製抵抗加熱ボー
トに４，４’−ビス（２，２’−ジフェニルビニル）ビ
フェニル（ＤＰＶＢｉ）を２００ｍｇを入れ、さらに他
の２つのモリブデン製抵抗加熱ボートに発光層ドープ剤
として、それぞれ製造例１で得られたＢＴＰＡＥ２００
ｍｇ及び製造例２で得られたＤＰＡＶＢｉ２００ｍｇを
入れ、真空槽を１×１０^-4Ｐａまで減圧した。その後Ｔ
ＰＤの入った前記ボートを２１５〜２２０℃まで加熱
し、蒸着速度0.１〜0.３ｎｍ／秒で透明支持基板上に蒸
着して、膜厚４５ｎｍの正孔輸送層を製膜させた。この
とき、基板の温度は室温であった。これを真空槽より取
り出すことなく、正孔輸送層にＤＰＶＢｉをホスト材料
として５５ｎｍ積層した。このとき同時にＢＴＰＡＥ及
びＤＰＡＶＢｉのボートを加熱し、発光層にＢＴＰＡＥ
及びＤＰＡＶＢｉを混合した。このときの蒸着速度はＤ
ＰＶＢｉの蒸着速度（第１表に示す（Ｂ））に対して、
ＢＴＰＡＥ及びＤＰＡＶＢｉの蒸着速度を（Ｃ）（第１
表に示す）とした。したがって、混合比〔ホスト材料に
対するＢＴＰＡＥ及びＤＰＡＶＢｉの割合〕は（Ｄ）
（第１表に示す）となった。

【００９４】その後、真空槽を大気圧に戻し、新たにモ
リブデン製抵抗加熱ボートに接着層の材料である８−ヒ
ドロキシキノリン・アルミニウム錯体を入れ、さらにモ
リブデン製抵抗加熱ボートにマグネシウムリボン１ｇを
入れタングステン製バスケットに銀ワイヤーを５００ｍ
ｇ入れて、真空槽を１×１０^-4Ｐａまで減圧した。次い
で、蒸着速度0.０１〜0.０３ｎｍ／秒で８−ヒドロキシ
キノリン・アルミニウム錯体を蒸着し接着層を２０ｎｍ
形成した。さらに、銀を蒸着速度0.１ｎｍ／秒，マグネ
シウムを蒸着速度1.４ｎｍ／秒で同時蒸着して銀：マグ
ネシウム混合電極を陰極とした。膜厚は１５０ｎｍであ
った。得られた素子に、第１表に示す電圧を印加し、電
流量，素子の輝度を測定して発光効率を算出した。得ら
れた結果を第１表に示す。

【００９５】実施例２実施例１において、発光層ドープ剤として、製造例１で
得られたＢＴＰＡＥ及び製造例３で得られたＤＰＡＶＢ
Ｅを用いた以外は、実施例１と同様に実施した。結果を
第１表に示す。

【００９６】実施例３実施例１において、発光層ドープ剤として、製造例２で
得られたＤＰＡＶＢｉ及び製造例３で得られたＤＰＡＶ
ＢＥを用いた以外は、実施例１と同様に実施した。結果
を第１表に示す。

【００９７】実施例４実施例１と同様に処理した透明支持基板を市販の蒸着装
置（日本真空技術（株）製）の基板ホルダーに固定し、
モリブテン製抵抗加熱ボートにＮ，Ｎ’−ビス（３−メ
チルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル（１，１’−ビ
フェニル）−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）を２００ｍ
ｇ入れ、他のモリブテン製抵抗加熱ボートに４，４’−
ビス（２，２’−ジフェニルビニル）ビフェニル（ＤＰ
ＶＢｉ）を２００ｍｇを入れ、さらに、他の３つのモリ
ブテン製抵抗加熱ボートに、発光層ドープ剤として、そ
れぞれ製造例１で得られたＢＴＰＡＥ２００ｍｇ，製造
例２で得られたＤＰＡＶＢｉ２００ｍｇ及び製造例３で
得られたＤＰＡＶＢＥ２００ｍｇを入れ、以下、実施例
１と同様に実施した。結果を第１表に示す。

【００９８】比較例１実施例１において、発光層ドープ剤を用いなかったこと
以外は、実施例１と同様に実施した。結果を第１表に示
す。

【００９９】比較例２実施例１において、発光層ドープ剤として、製造例１で
得られたＢＴＰＡＥのみを用いた以外は、実施例１と同
様に実施した。結果を第１表に示す。

【０１００】比較例３実施例１において、発光層ドープ剤として、製造例２で
得られたＤＰＡＶＢｉのみを用いた以外は、実施例１と
同様に実施した。結果を第１表に示す。

【０１０１】比較例４実施例１において、発光層ドープ剤として、製造例３で
得られたＤＰＡＶＢＥのみを用いた以外は、実施例１と
同様に実施した。結果を第１表に示す。

【０１０２】

【表１】

【０１０３】

【表２】

【０１０４】第１表から明らかなように、比較例２及び
３のように発光層に単一ドープした場合の効率に比べ
て、実施例１で示されるように、発光層に混合ドープし
た場合の方が、発光効率は向上し、またＥＬ発光もより
青色味が強くなった。比較例２及び４のように発光層に
単一ドープした場合は、それぞれ0.６ｌｍ／Ｗの発光効
率であったのに対し、実施例２で示されるように、発光
層に混合ドープした場合は、1.０ｌｍ／Ｗと発光効率は
向上し、また色純度のよい青色発光が得られた。比較例
３及び４のように単一ドープした場合は青緑発光であっ
たのに対し、実施例３で示されるように混合ドープする
と、青色味が増した。また、比較例２〜４と実施例４と
比較すると、３種混合ドープした方が青色味が増加し
た。このように、単一ドープに比較して、二種以上の化
合物をドープすることにより、発光効率が向上するとと
もに、より青色に近い（短波長化した）ＥＬ発光が得ら
れた。

【０１０５】実施例５２５ｍｍ×７５ｍｍ×1.１ｍｍのガラス基板（ＨＯＹＡ
社製，ＮＡ４０）上に、ＩＴＯを蒸着法にて１００ｎｍ
の厚さで製膜したもの（ＨＯＹＡ製）を透明支持基板と
した。なお、この基板は、イソプロピルアルコール中で
５分間超音波洗浄後、窒素を吹きつけて乾燥し、ＵＶオ
ゾン洗浄（ＵＶ３００，サムコインターナショナル社
製）を１０分間行ったものである。この透明支持基板を
市販の蒸着装置（日本真空技術（株）製）の基板ホルダ
ーに固定し、モリブデン製抵抗加熱ボートにＮ，Ｎ’−
ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル
（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（ＴＰ
Ｄ）を２００ｍｇ入れ、また、他の２つのモリブテン製
抵抗加熱ボートに、正孔輸送層ドープ剤として、それぞ
れ製造例１で得られたＢＴＰＡＥ２００ｍｇ及び製造例
２で得られたＤＰＡＶＢｉ２００ｍｇを入れ、さらに他
のモリブデン製抵抗加熱ボートに４，４’−ビス（２，
２’−ジフェニルビニル）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）２
００ｍｇを入れ、真空槽を１×１０^-4Ｐａまで減圧し
た。その後ＴＰＤの入った前記ボートを２１５〜２２０
℃まで加熱して蒸着速度１〜３ｎｍ／秒で透明支持基板
上に蒸着し、このとき同時にＢＴＰＡＥ及びＤＰＡＶＢ
ｉのボートを加熱して、正孔輸送槽のＴＰＤにＢＴＰＡ
Ｅ及びＤＰＡＶＢｉを混合した。このときの蒸着速度
は、ＴＰＤの蒸着速度（第２表に示すＢ）に対し、ＢＴ
ＰＡＥ及びＤＰＡＶＢｉの蒸着速度を（Ｃ）（第２表に
示す）とした。したがって、混合比はＤ（第２表に示
す）となった。最終的に膜厚４５ｎｍの正孔輸送槽を製
膜した。次に発光層として、ＤＰＶＢｉを５０ｎｍ積層
した。

【０１０６】その後、真空槽を大気圧に戻し、新たにモ
リブデン製抵抗加熱ボートに接着層の材料である８−ヒ
ドロキシキノリン・アルミニウム錯体を入れ、さらにモ
リブデン製抵抗加熱ボートにマグネシウムリボン１ｇを
入れタングステン製バスケットに銀ワイヤーを５００ｍ
ｇ入れて、真空槽を１×１０^-4Ｐａまで減圧した。次い
で、蒸着速度0.０１〜0.０３ｎｍ／秒で８−ヒドロキシ
キノリン・アルミニウム錯体を蒸着し接着層を２０ｎｍ
形成した。さらに、銀を蒸着速度0.１ｎｍ／秒，マグネ
シウムを蒸着速度1.４ｎｍ／秒で同時蒸着して銀：マグ
ネシウム混合電極を陰極とした。膜厚は１５０ｎｍであ
った。得られた素子に、第２表に示す電圧を印加し、電
流量，素子の輝度を測定して発光効率を算出した。得ら
れた結果を第２表に示す。

【０１０７】比較例５実施例５において、正孔輸送層ドープ剤を用いなかった
こと以外は、実施例５と同様にして実施した。結果を第
２表に示す。

【０１０８】比較例６実施例５において、正孔輸送層ドープ剤として、製造例
２で得られたＤＰＡＶＢｉのみを用いた以外は、実施例
５と同様に実施した。結果を第２表に示す。

【０１０９】

【表３】

【０１１０】

【表４】

【０１１１】第２表から分かるように、正孔輸送層へ二
種の化合物をドープした実施例５は、正孔輸送層へ無ド
ープの比較例５及び正孔輸送層へ一種の化合物をドープ
した比較例６に比べて、発光効率が向上した。

【０１１２】

【発明の効果】本発明の有機ＥＬ素子は、電荷注入性ス
チリル化合物を二種以上組み合わせて、発光層や正孔輸
送層などの同一機能層へ含有させたものであって、発光
効率が高く、かつ色純度の高い青色光を発するなどの特
徴を有し、各種表示装置の発光素子として好適に用いら
れる。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一対の電極の間に、少なくとも発光層を
含む有機機能層を挟持する有機エレクトロルミネッセン
ス素子において、一分子中に、両端が芳香環及び芳香族
性複素環のいずれかに結合したビニレン基１個以上を有
する電子供与性スチリル化合物の中から選ばれた少なく
とも二種を組み合わせ、同一機能層に含有させたことを
特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２】電子供与性スチリル化合物が、電子供与
性基として、炭素数１〜１０のアルコキシ基，炭素数６
〜１８のアリールオキシ基及び炭素数１〜３０の炭化水
素基をもつ置換アミノ基の中から選ばれた少なくとも一
種を有するものである請求項１記載の有機エレクトロル
ミネッセンス素子。
【請求項３】電子供与性スチリル化合物が、一般式
（Ｉ）【化１】〔式中のＲ¹〜Ｒ¹²は、それぞれ独立に水素原子，ハロ
ゲン原子，炭素数１〜１０のアルキル基，炭素数１〜１
０のアルコキシ基，炭素数６〜１８のアリールオキシ
基，フェニル基，アミノ基，置換アミノ基，水酸基，又
は一般式（II）【化２】で表される芳香環に置換基を有していてもよいスチリル
基を示し、その中の隣接する２つがたがいに結合して飽
和若しくは不飽和の５員環又は６員環を形成してもよ
い。Ｚ¹，Ｚ²及びＥは、それぞれ独立に水素原子，炭
素数１〜１０のアルキル基，置換基を有する若しくは有
しない炭素数６〜２０のアリール基，置換基を有する若
しくは有しない炭素数７〜２０のアラルキル基又は隣接
するベンゼン環に結合する結合手を示し、Ａｒは置換基
を有する若しくは有しない炭素数６〜２０のアリーレン
基，炭素数４〜２０の２価の芳香族性複素環式基又は置
換基を有する若しくは有しない２価のトリアリールアミ
ノ基を示す。また、該置換基とは炭素数１〜１０のアル
キル基，炭素数１〜１０のアルコキシ基，炭素数６〜１
８のアリールオキシ基，フェニル基，アミノ基，シアノ
基，ニトロ基，水酸基又はハロゲン原子を示し、これら
の置換基は単一でも複数置換されていてもよい。点線
１，２及び３はそれぞれ連結することにより複素環構造
をとりうることを示す。ｎは０，１又２を示し、Ａｒが
２個ある場合、各Ａｒは同じでも異なっていてもよ
い。〕で表されるスチリルアミン化合物である請求項１
又は２記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項４】有機機能が、発光層と、正孔輸送層及び
／又は電子注入層とからなるものである請求項１，２又
は３記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項５】同一機能層が、正孔輸送層である請求項
１，２又は３記載の有機エレクトロルミネッセンス素
子。
【請求項６】同一機能層が、発光層である請求項１，
２又は３記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。