KR101166924B1 - 유기 장치의 제조 방법 및 구조 - Google Patents

유기 장치의 제조 방법 및 구조 Download PDF

Info

Publication number
KR101166924B1
KR101166924B1 KR1020057008390A KR20057008390A KR101166924B1 KR 101166924 B1 KR101166924 B1 KR 101166924B1 KR 1020057008390 A KR1020057008390 A KR 1020057008390A KR 20057008390 A KR20057008390 A KR 20057008390A KR 101166924 B1 KR101166924 B1 KR 101166924B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
organic
organic layer
light emitting
emitting device
Prior art date
Application number
KR1020057008390A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20050074591A (ko
Inventor
민-하오 미카엘 루
Original Assignee
유니버셜 디스플레이 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 유니버셜 디스플레이 코포레이션 filed Critical 유니버셜 디스플레이 코포레이션
Publication of KR20050074591A publication Critical patent/KR20050074591A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101166924B1 publication Critical patent/KR101166924B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14Carrier transporting layers
    • H10K50/15Hole transporting layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14Carrier transporting layers
    • H10K50/16Electron transporting layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/113Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
    • H10K85/1135Polyethylene dioxythiophene [PEDOT]; Derivatives thereof
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30Coordination compounds
    • H10K85/311Phthalocyanine
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30Coordination compounds
    • H10K85/321Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
    • H10K85/324Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising aluminium, e.g. Alq3
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30Coordination compounds
    • H10K85/341Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
    • H10K85/342Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising iridium
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/917Electroluminescent

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

혼합 유기층을 가질 수 있는 유기 발광 장치가 제공된다. 그런 유기 발광 장치의 조립 방법이 제공된다. 첫번째 유기 물질이 첫번째 전극 상에 증착되어 패터닝된 유기층을 형성하게 된다. 두번째 유기 물질이, 용액 가공 이외의 수단으로, 첫번째 유기층 상에 그리고 첫번째 유기층과 물리적으로 접촉하도록 증착되어 두번째 유기층을 형성하게 된다. 두번째 유기층이 첫번째 유기층 상에 블랭킷 층을 형성한다. 이후 두번째 전극이 두번째 유기층 상에 증착된다.

Description

유기 장치의 제조 방법 및 구조 {STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING ORGANIC DEVICES}
본 출원은 동시 출원된 미국 출원 10/295,802 (대리인 관리번호 10052/3301) 및 10/295,322 (대리인 관리번호 10052/3401)에 관한 것이며, 이것의 전문이 본원에 참고문헌으로 인용되었다.
본 발명은 유기 발광 장치 (OLED), 및 더 구체적으로 혼합 유기층을 가지는 유기 장치 및 그런 장치의 조립 방법에 관한 것이다.
여러 가지 이유로 광전자식 장치에 유기 물질을 사용하는 것이 바람직하게 증가하고 있다. 그런 장치에 사용되는 많은 물질은 상대적으로 저렴하며, 따라서 유기 광전자식 장치는 무기 장치에 대해 비용적 장점에 대한 잠재력을 가진다. 게다가, 유기 물질의 고유한 성질, 예컨대 그들의 가요성(flexibility)은, 그들로 하여금 가요성 기재 상에서의 조립과 같은 특별한 응응에 잘 들어맞도록 한다. 유기 광전자식 장치의 예는 유기 발광 장치 (OLED), 유기 광트랜지스터, 유기 광볼타전지, 및 유기 광검출기를 포함한다. OLED의 경우, 유기 물질은 종래의 물질에 대해 성능상의 장점을 가질 수 있다. 예컨대, 유기 발광층이 빛을 방출하는 파장은 일반적으로 적절한 도펀트(dopant)에 의해 용이하게 튜닝될 수 있다.
본원에 사용된 것으로서, 용어 "유기"는 유기 광전자식 장치를 조립하는데 사용될 수 있는 중합체성 물질 뿐만 아니라 소분자(small molecule) 유기 물질을 포함한다. "소분자"는 중합체가 아닌 임의의 유기 물질을 의미하며, "소분자"는 실질적으로 대형일 수 있다. 소분자는 일부 환경에서 반복 단위를 포함할 수 있다. 예컨대, 치환기로서 긴 체인 알킬기를 사용하는 것은 "소분자" 클래스 유래 분자를 제거하지 않는다. 소분자는 또한 중합체 내로, 예컨대 중합체 골격(backbone)의 일부로서, 또는 중합체 골격상의 펜던트 기로서 도입될 수 있다. 소분자는 또한 덴드리머(dendrimer)의 코어 모이어티로서 작용할 수 있으며, 이들은 코어 모이어티 상에 구축된 일련의 화학적 껍질로 구성된다. 덴드리머의 코어 모이어티는 형광 또는 인광성 소분자 발광기일 수 있다. 덴드리머는 "소분자"일 수 있으며, OLED 분야에서 현재 사용되는 모든 덴드리머는 소분자인 것으로 여겨진다.
OLED는 장치에 걸쳐 전압이 인가될 때 빛을 방출하는 얇은 유기 필름을 사용한다. OLED는 평판 디스플레이, 조명, 및 역광조명과 같은 응용에 사용되기 위한 관심이 증가하는 기술이 되어가고 있다. 몇개의 OLED 물질 및 구조가 미국 특허 5,844,363, 6,303,238, 및 5,707,745에 기재되어 있으며, 그것의 전문이 참고문헌으로 본원에 인용되었다.
OLED 장치는 일반적으로 (항상은 아니지만) 1 이상의 전극을 통해 빛을 방출하는 경향이 있으며, 1 또는 그 이상의 투명 전극이 유기 광전자식 장치에 있어 유용할 수 있다. 예컨대, 투명 전극 물질, 예컨대 인듐 주석 산화물(ITO)이, 하부 전극(bottom electrode)으로 사용될 수 있다. 투명 상부 전극(top electrode), 예컨대 그것의 전문이 참고문헌으로 본원에 인용된 미국 특허 5,703,436 및 5,707,745에 개시된 것이 또한 사용될 수 있다. 하부 전극을 통해서만 빛을 방출하는 경향의 장치의 경우, 상부 전극은 투명하지 않아도 되며, 높은 전기 전도성을 가지면서 두껍고 그리고 반사형 금속 층을 포함할 수 있다. 유사하게, 상부 전극을 통해서만 빛을 방출하는 경향의 장치의 경우, 하부 전극은 반투명이거나 및/또는 반사형일 수 있다. 전극이 투명할 필요가 없는 경우, 더 두꺼운 층을 사용하는 것이 더 나은 전도성을 제공하며, 그리고 반사형 전극을 사용하는 것은, 투명 전극에 대한 역광을 반사함으로써 다른 전극을 통해 방출되는 빛의 양을 증가시킬 수 있다. 두 전극이 다 투명한 경우, 완전 투명 장치가 또한 조립될 수 있다. 측면 발광 OLED가 또한 조립될 수 있으며, 그런 장치에서는 하나 또는 두 전극이 반투명이거나 또는 반사형일 수 있다.
본원에 사용된 "상부"은 기판으로부터 가장 멀다는 의미이며, "하부"은 기판으로부터 가장 가깝다는 의미이다. 예컨대, 두 전극을 가지는 장치의 경우, 하부 전극은 기판으로부터 가장 가까운 전극이고, 그리고 일반적으로 첫번째 조립된 전극이다. 하부 전극은 두 표면을 가지며, 하부 표면이 기재와 가장 가깝고, 상부 표면은 기재로부터 더 멀리 있다. 첫번째 층이 두번째 층 "상에 걸쳐 배치된" 것으로 설명된 경우, 첫번째 층은 기재로부터 더 멀리 배치된다. 첫번째 층이 두번째 층과 "물리적으로 접촉"한다고 특정되지 않는 한, 첫번째와 두번째 층 사이에는 다른 층들이 존재할 수 있다. 예컨대, 그 사이에 다양한 유기 층들이 있음에도 불구하고, 캐소드가 아노드에 "걸쳐 배치된" 것으로 설명될 수 있다.
OLED의 한가지 주된 목표는 레드(red), 그린(green) 및 블루(blue) 픽셀이 패터닝되어 증착된 패터닝된 완전 컬러 평판 디스플레이를 실현하는 것이다. 증기상 증착 시스템을 사용하여 대형 면적 기재에 대한 마스크를 사용하는데 있어 어려움이 있기 때문에, 예컨대 직경 약 0.5 미터 이상의 기판인 경우, 용액-가공 물질의 잉크-제트 프린팅을 사용하는 디스플레이의 패터닝은 명백한 장점을 제공하는 것으로 여겨진다. 잉크 제트 프린팅 기술은 중합체를 기초로 하는 발광층을 가지는 OLED에서 사용되는 용액-가공 중합체를 패터닝하는데 특히 적절하다고 여겨진다. 그렇지만, 그런 중합체계 시스템에서 사용될 수 있는 물질의 선택은 담체 매질로서 사용되는 용액이 밑에 놓인 층의 용해를 피하도록 선택되어야 한다는 사실로 인하여 통상적으로 제한된다. 일반적인 선택은 PEDOT:PSS 층을 사용하여 정공(hole) 주입 및 정공 수송 기능을 제공하는 것이다. PEDOT:PSS는 물에 가용성이지만, 중합체계 발광층에 사용되는 특정 유기 용매에는 불용성이다. 결과적으로, 용액 가공은 PEDOT:PSS를 용해시키지 않으면서 PEDOT:PSS 상에 중합체계 층을 증착시키는데 사용될 수 있다.
고성능 OLED, 특히 고성능 전계인광 OLED는, 통상적으로 각각 별개의 기능을 수행하는 몇개의 층들의 존재를 필요로 한다. 이는 각 층에 대해 다양한 물질로부터 자유롭게 선택되는 것이 상당히 바람직하다는 것을 의미한다. 예컨대, 고성능 전계인광 OLED의 경우, 아노드 층과 발광층 사이에 두개의 정공 수송층을 갖는 것이 일반적으로 바람직하다. 첫번째 정공 수송층은, 아노드 층과 직접 접촉하고 있으며, 그것의 평탄화 특성 뿐 아니라 그것의 더 바람직한 정공 주입 특성을 위해 사용된다. 이 층은 정공 주입층(HIL)으로서 언급될 수 있다. 두번째 정공 수송층 (HTL)은, 발광층과 직접 접촉할 수 있으며, 일반적으로 높은 정공 전도성을 가지도록 선택된다. 이 층은 또한, 적어도 부분적으로, 전자 및/또는 엑시톤을 차단하는 추가 기능을 가질 수 있다.
용액-가공이 가능한 물질을 패터닝함으로써 증착된 패터닝된 발광층과 다른 방법으로 증착된 발광층을 조합하여 사용하는 장치가 바람직한데, 그 이유는 그 패터닝된 발광층 중의 물질은 그들의 용해도 특성에 무관하게 광범위한 물질로부터 선택될 수 있으며, 다른 방법에 의해 증착된 발광층은 용액 가공을 통해 증착에 적합하지 않은 물질을 포함할 수 있기 때문이다. 따라서, 넓은 범위의 스펙트럼광을 발광할 수 있는 장치가 얻어질 수 있다.
발명의 요약
혼합 유기층을 가질 수 있는 유기 발광 장치가 제공된다. 그런 유기 발광 장치의 조립 방법이 제공된다. 첫번째 유기 물질이 첫번째 전극 상에 증착되어 패터닝된 유기층을 형성하게 된다. 두번째 유기 물질이, 용액 가공 이외의 수단으로, 첫번째 유기층 상에 그리고 첫번째 유기층과 물리적으로 접촉하도록 증착되어 두번째 유기층을 형성하게 된다. 두번째 유기층이 첫번째 유기층 상에 블랭킷 층을 형성한다. 이후 두번째 전극이 두번째 유기층 상에 증착된다.
구체적으로, 본 발명의 구체예는 완전 컬러 유기 발광 디스플레이에서, 용액 가공형 발광 물질을 포함하는 첫번째 유기층을 증착시키고 두번째 유기층을 용액 가공 이외의 수단으로 첫번째 유기층 상에 증착시키는 것에 관한 것이다.
더 구체적으로, 본 발명의 구체예는 완전 컬러 유기 발광 디스플레이에서, 다른 증착 기술과 조합된 용액 가공을 사용하는 것에 관한 것이다.
본 발명의 구체예의 목적은 향상된 수명을 가지는 유기 발광 장치의 조립 방법을 제공하는 것이다. 그런 향상된 수명은 전계인광 장치에 대해서만 유일하게 얻을 수 있는데, 그 이유는 전계인광 장치의 향상된 수명이 실현되는 효율과 수명 사이의 실질적으로 유익한 트레이드 오프를 허용할 수 있으며, 그 장점은 인광 물질의 매우 높은 효율에 유일하게 기여할 수 있기 때문이다.
도면의 간단한 설명
도 1은 별개의 전자 수송층, 정공 수송층, 및 발광층, 뿐 아니라 다른 층을 가지는 유기 발광 장치를 보여준다.
도 2는 별개의 전자 수송층을 가지지 않는 역 유기 발광 장치를 보여준다.
도 3은 두번째 유기층과 물리적으로 접촉하며, 첫번째 용액-증착된 유기층을 갖는 유기 발광 장치를 보여준다.
상세한 설명
일반적으로, OLED는 아노드와 캐소드에 전기적으로 연결되고 그리고 아노드와 캐소드 사이에 배치된 하나 이상의 유기 층을 포함한다. 전류가 인가될 때, 그 유기 층(들) 내로 아노드는 정공을 주입하고 그리고 캐소드는 전자를 주입한다. 주입된 정공과 전자는 각각 반대로 하전된 전극을 향해 이동한다. 동일한 분자 상에 전자와 정공이 편재될 때, 여기된 에너지 상태를 갖는 전자-정공 쌍이 편재되고, "엑시톤"이 형성된다. 엑시톤이 광발광 메카니즘을 통해 이완될 때 빛이 발광된다. 어떤 경우, 엑시톤이 엑시머 또는 엑시플렉스 상에 편재될 수 있다. 비-발광 메카니즘, 예컨대 열 이완이 또한 발생할 수 있지만, 일반적으로 바람직하지 않은 것으로 고려된다.
초기 OLED는 그들의 싱글렛 상태("형광")로부터 발광하는 발광 분자를 사용하였으며, 이것은 예컨대, 미국 특허 4,769,292에 기재되어 있으며, 그것의 전문이 참고문헌으로 본원에 인용되었다. 형광 발광은 일반적으로 10 나노초 이하의 시간 프레임으로 발생한다.
더 최근에는, 트리플렛 상태("인광")로부터 발광하는 발광 물질을 가지는 OLED가 이하에서 연구되었으며, Baldo et al., "Highly Efficient Phosphorescent Emission from Organic Electroluminescent Devices", Nature, vol.395, 151-154, 1998; ("Baldo-I") 및 Baldo et al., "Very high-efficiency Green Organic light-emitting Devices based on electrophosphorescence", Appl. Phys. Lett., vol.75, No.3, 4-6 (1999) ("Baldo-II"), 그것의 전문이 참고문헌으로 본원에 인용되었다. 인광은 전이될 때 스핀 상태의 변화를 요구하며, 양자 역학에서는 그런 전이가 잘 일어나지 않는다고 하기 때문에, "금지된" 전이라고 언급된다. 결과적으로, 인광은 일반적으로 10 나노초 이상을 초과하는 시간 프레임으로 발생하며, 통상적으로 100 나노초 이상이다. 만약 인광의 자연 발광 수명이 너무 길다면, 트리플렛은 비-발광으로 붕괴될 수 있으며, 따라서 빛이 발광되지 않게 된다. 유기 인광은 또한 매우 낮은 온도에서 비공유 전자쌍을 갖는 헤테로원자를 포함하는 분자 중에서 종종 발견된다. 2,2'-비피리딘이 그런 분자이다. 비-발광 붕괴 메카니즘은 통상적으로 온도 의존적이며, 따라서 액체 질소 온도에서 인광을 나타내는 물질이 실온에서는 인광을 나타내기 않게 된다. 그렇지만, Baldo에 의해 설명된 바와 같이, 이 문제점은 실온에서 인광인 인광 화합물을 선택함으로써 해결될 수 있게 되었다.
일반적으로, OLED 중 엑시톤은 약 3:1의 비율로, 즉, 대략 75% 트리플렛 및 25% 싱글렛으로 생성되는 것으로 여겨진다. Adachi et al., "Nearly 100% Internal Phosphorescent Efficiency In An Organic Light Emitting Device, "J. Appl. Phys., 90, 5048 (2001) 참조, 그것의 전문이 참고문헌으로 본원에 인용되었다. 많은 경우, 싱글렛 엑시톤은 "시스템간 교차"에 의해 트리플렛 여기 상태로 그들의 에너지를 용이하게 전이시킬 수 있으며 트리플렛 엑시톤은 싱글렛 여기 상태로 그들의 에너지를 용이하게 전이할 수 없다. 결과적으로, 100% 내부 양자 효율은 이론적으로 인광 OLED에서 가능하다. 형광 장치에서, 일반적으로 장치를 가열시키는 비발광 붕괴로 트리플렛 엑시톤의 에너지를 잃게 되고, 더 낮은 내부 양자 효율을 초래하게 된다. 트리플렛 여기 상태로부터 발광하는 인광 물질을 사용하는 OLED는, 예컨대, 미국 특허 6,303,238에 개시되어 있으며, 그것의 전문이 참고문헌으로 본원에 인용되었다.
트리플렛 여기 상태로부터 중간 비-트리플렛 상태까지 발광 붕괴가 발생하는 전이에 의해 인광이 선행할 수 있다. 예컨대, 란탄족 원소에 배위된 유기 분자는 란탄족 금속 상에 편재된 여기 상태로부터 종종 인광을 발한다. 그렇지만, 그런 분자는 트리플렛 여기 상태로부터 직접 인광을 발하지 않지만 대신에 란탄족 금속 이온 상에 중앙 집중된 원자 여기 상태로부터 발광한다. 유로퓸 디케토네이트 착화합물은 이들 유형의 종의 하나의 군을 예시한다.
트리플렛으로부터의 인광은 유기 분자를 높은 원자 번호의 원자에 가까이 가둠으로써, 바람직하게는 결합을 통해 형광에 대해 향상될 수 있다. 중원자(heavy atom) 효과라고 불리는 이 현상은 스핀-궤도 커플링으로 알려진 메카니즘에 의해 생성된다. 그런 인광 전이는 유기금속 분자 예컨대 트리스(2-페닐피리딘)이리듐 (III)의 여기 금속-리간드 전하 전이 (MLCT) 상태로부터 관찰될 수 있다.
도 1은 유기 발광 장치(100)를 보여준다. 도면은 반드시 스케일대로 그려질 필요는 없다. 장치(100)는 기재(110), 아노드(115), 정공 주입층(120), 정공 수송층(125), 전자 차단층(130), 발광층(135), 정공 차단층(140), 전자 수송층(145), 전자 주입층(150), 보호층(155), 및 캐소드(160)를 포함할 수 있다. 캐소드(160)는 제1도전층(162) 및 제2도전층(164)을 갖는 화합물 캐소드이다. 장치(100)는 기재된 층들을 순서대로 증착시킴으로써 조립될 수 있다.
기판(110)은 바람직한 구조적 성질을 구비한 임의의 적절한 기판일 수 있다. 기판(110)은 가요성이거나 또는 견고성일 수 있다. 기판(110)은 투명, 반투명 또는 불투명일 수 있다. 플라스틱과 유리는 바람직한 견고성 기재 물질의 예이다. 플라스틱과 금속 호일은 바람직한 가요성 기재 물질의 예이다. 기판(110)은 회로 조립을 돕기 위한 반도체 물질일 수 있다. 예컨대, 기판(110)은 기판 상에 연속적으로 증착된 OLED를 제어할 수 있는 회로가 조립되는 실리콘(silicon) 웨이퍼일 수 있다. 다른 기판이 사용될 수 있다. 기판(110)의 물질 및 두께는 목적하는 구조적 및 광학적 성질을 얻기 위해 선택될 수 있다.
아노드(115)는 유기 층들에 정공을 이송하도록 충분히 전도성인 임의의 적절한 아노드일 수 있다. 아노드(115)의 물질은 바람직하게는 약 4 eV 이상의 일함수를 가진다("고 일함수 물질"). 바람직한 아노드 물질은 전도성 금속 옥사이드, 예컨대 인듐 틴 옥사이드(ITO) 및 인듐 아연 옥사이드(IZO), 알루미늄 아연 옥사이드(AlZnO), 및 금속류를 포함한다. 아노드(115) (및 기재(110))는 하부-발광 장치를 생성하도록 충분히 투명일 수 있다. 바람직한 투명 기재 및 아노드 조합은 상업상 구입할 수 있는 것인 유리 또는 플라스틱 (기판) 상에 증착된 ITO (아노드)이다. 가요성 및 투명 기판-아노드 조합은 미국 특허 5,844,363에 개시되어 있으며, 그것의 전문이 참고문헌으로 본원에 인용되었다. 아노드(115)는 불투명 및/또는 반사형일 수 있다. 반사형 아노드(115)는 장치의 상부으로부터 발광된 빛의 양이 증가하는 일부 상부-발광 장치에 바람직할 수 있다. 아노드(115)의 물질 및 두께는 목적하는 전도성 및 광학적 성질을 얻기 위해 선택될 수 있다. 아노드(115)가 투명한 경우, 목적하는 전도성을 제공하기에 충분히 두껍지만, 목적하는 투명도를 제공하도록 충분히 얇은, 특정 물질에 대한 두께의 범위가 있을 수 있다. 다른 아노드 물질 및 구조가 사용될 수 있다.
정공 수송층(125)은 정공을 이송할 수 있는 물질을 함유할 수 있다. 정공 수송층(130)은 고유할 수 있거나(도핑되지 않거나), 또는 도핑될 수 있다. 도핑은 전도성을 향상시키는데 사용될 있다. α-NPD 및 TPD는 고유한 정공 수송층의 예이다. p-도핑된 정공 수송층의 예는 1:50의 몰비로 F4-TCNQ로 도핑된 m-MTDATA이며, 미국 특허출원 10/173,682 (Forrest et al.)에 개시되어 있으며, 그것의 전문이 참고문헌으로 본원에 인용되었다. 다른 정공 수송층이 사용될 수 있다.
발광층(135)은 전류가 아노드(115)와 캐소드(160) 사이를 통과할 때 발광할 수 있는 유기 물질을 포함할 수 있다. 바람직하게는, 발광층(135)은 인광 발광 물질을 함유하지만, 그렇지만 형광 발광 물질 또한 사용될 수 있다. 더 높은 발광 효율은 그런 물질과 관련되기 때문에 인광 물질이 바람직하다. 발광층(135)은 또한 전자 및/또는 정공을 이송할 수 있으면서, 전자, 정공, 및/또는 엑시톤을 트랩핑할 수 있는 발광 물질로 도핑된 호스트 물질을 함유할 수 있으며, 따라서 엑시톤이 발광 물질로부터 광발광 메카니즘을 통해 이완된다. 발광층(135)은 이송 및 발광 성질을 조합한 단일 물질을 함유할 수 있다. 발광 물질이 도펀트 또는 주된 구성이라면, 발광층(135)은 발광 물질의 발광을 튜닝하는 도펀트와 같은 다른 물질을 함유할 수 있다. 발광층(135)은 목적하는 스펙트럼광을 발광할 수 있는 복수의 발광 물질을 조합하여 포함할 수 있다. 인광 발광 물질의 예는 Ir(ppy)3을 포함한다. 형광 발광 물질의 예는 DCM 및 DMQA를 포함한다. 호스트 물질의 예는 Alq3, CBP 및 mCP를 포함한다. 발광 및 호스트 물질의 예는 미국 특허 6,303,238 (Thompson et al.)에 개시되어 있으며, 그것의 전문이 참고문헌으로 본원에 인용되었다. 발광 물질은 다수의 방식으로 발광층(135)에 함유될 수 있다. 예컨대, 발광 소분자가 중합체 또는 덴드리머 분자 내로 도입될 수 있다. 다른 발광층 물질 구조가 사용될 수 있다.
전자 수송층(140)은 전자를 이송할 수 있는 물질을 함유할 수 있다. 전자 수송층(140)은 고유할 수 있거나(도핑되지 않거나), 또는 도핑될 수 있다. 도핑은 전도성을 향상시키는데 사용될 있다. Alq3는 고유한 전자 수송층의 예이다. n-도핑된 전자 수송층의 예는 1:1의 몰비로 Li으로 도핑된 BPhen이며, 미국 특허출원 10/173,682 (Forrest et al.)에 개시되어 있으며, 그것의 전문이 참고문헌으로 본원에 인용되었다. 다른 전자 수송층이 사용될 수 있다.
전자 수송층의 전하를 운반하는 성분은 캐소드로부터 전자 수송층의 LUMO(최저 비점유 분자 오비탈) 레벨 내로 효율적으로 전자가 주입될 수 있도록 선택될 수 있다. "전하 운반 성분"은 실질적으로 전자를 이송하는 LUMO에 대응하는 물질이다. 이 성분은 베이스 물질일 수 있거나, 또는 도펀트일 수 있다. 유기 물질의 LUMO 레벨은 일반적으로 그 물질의 전자 친화도를 특징으로 할 수 있으며 캐소드의 효율적인 상대적 전자 주입은 일반적으로 캐소드 물질의 일함수의 측면을 특징으로 할 수 있다. 이는 전자 수송층 및 인접한 캐소드의 바람직한 성질이 ETL의 전하 운반 성분의 전자 친화도 및 캐소드 물질의 일함수의 측면으로 구체화될 수 있다는 것을 의미한다. 특히, 높은 전자 주입 효율을 얻기 위해, 캐소드 물질의 일함수는 바람직하게는 약 0.75 eV 이상으로, 더 바람직하게는, 약 0.5 eV 이상으로 전자 수송층의 전하 운반 성분의 전자 진화도보다 크지 않다. 가장 바람직하게는, 전자 수송층의 전하 운반 성분의 전자 친화도는 캐소드 물질의 일함수 이상이다. 전자가 주입되는 임의의 층에 대해 유사한 고려가 적용된다.
캐소드(160)는 본 기술분야에 공지된 임의의 적절한 물질 또는 물질들의 조합일 수 있으며, 그런 캐소드(160)는 장치(100)의 유기 층들 내로 전자를 운반할 수 있으며 그들을 주입할 수 있다. 캐소드(160)는 투명 또는 불투명일 수 있으며, 반사형일 수 있다. 금속 및 금속 옥사이드가 적절한 캐소드 물질의 예이다. 캐소드(160)는 단일층일 수 있거나, 또는 화합물 구조를 가질 수 있다. 도 1은 금속 박층(162) 및 더 두꺼운 전도성 금속 옥사이드 층(164)을 갖는 화합물 캐소드(160)를 보여준다. 화합물 캐소드에서, 더 두꺼운 층(164)에 바람직한 물질은 ITO, IZO, 및 기타 본 기술분야에 공지된 물질을 포함한다. 미국 특허 5,703,436 및 5,707,745에 알려져 있으며, 그것의 전문이 참고문헌으로 본원에 인용되었으며, 금속 예컨대 Mg:Ag의 박층을 갖는 화합물 캐소드를 포함하며, 과도하게 투명하며, 전기적으로 전도성이며, 스퍼터(sputter)-증착된 ITO 층으로 된 캐소드의 예를 개시하고 있다. 밑에 놓인 유기 층과 접촉하는 캐소드(160)의 일부는, 그것이 단일층 캐소드(160)라면, 화합물 캐소드의 금속 박층(162), 또는 일부 다른 부분이, 바람직하게는 약 4 eV 이하의 일함수를 갖는 물질("저 일함수 물질")로 이루어진다. 다른 캐소드 물질 및 구조가 사용될 수 있다.
발광층을 벗어나는 전하 담체 (전자 또는 정공) 및/또는 엑시톤의 수를 감소시키기 위해 차단층이 사용될 수 있다. 전자 차단층(130)은, 발광층(135)을 벗어나는 것으로부터 정공 수송층(125)의 방향에서 전자를 차단하도록 발광층(135)과 정공 수송층(125) 사이에 배치될 수 있다. 유사하게, 정공 차단층(140)이 발광층(135)을 벗어나는 것으로부터 전자 수송층(140)의 방향에서 정공을 차단하도록 발광층(l35)과 전자 수송층(145) 사이에 배치될 수 있다. 차단층은 또한 발광층을 확산시키는 것으로부터 엑시톤을 차단하는데 사용될 수 있다. 차단층의 이론 및 용도는 미국 특허 6,097,147 및 미국 특허출원 10/173,682 (Forrest et al.)에 더 상세히 설명되어 있으며, 그것의 전문이 참고문헌으로 본원에 인용되었다.
일반적으로, 주입층은 하나의 층, 예컨대 전극 또는 유기층으로부터, 인접한 유기층 내로 전하 담체의 주입을 향상시킬 수 있는 물질에 함유된다. 주입층은 또한 전하 이송 기능을 수행할 수 있다. 장치(100)에서, 정공 주입층(120)은 아노드(115)로부터 정공 수송층(125) 내로 정공의 주입을 향상시키는 임의의 층일 수 있다. CuPc는 ITO 아노드(115), 및 다른 아노드로부터 정공 주입층으로 사용될 수 있는 물질의 예이다. 장치(100)에서, 전자 주입층(150)은 전자 수송층(145) 내로 전자의 주입을 향상시키는 임의의 층일 수 있다. LiF/Al은 인접한 층으로부터 전자 수송층 내로 전자 주입층으로서 사용될 수 있는 물질의 예이다. 다른 물질 또는 물질의 조합이 주입층에 대해 사용될 수 있다. 특정 장치의 구조에 좌우되어, 주입층은 장치(100)에 보여진 것과는 상이한 위치에 배치될 수 있다. 주입층의 다른 예는 미국 특허출원 09/931,948 (Lu et al.)에 제공되며, 그것의 전문이 참고문헌으로 본원에 인용되었다. 정공 주입 층은 용액 증착 물질, 예컨대 스핀 코팅 중합체, 예컨대, PEDOT:PSS를 함유할 수 있으며, 또는 그것은 증기 증착 소분자 물질, 예컨대, CuPc 또는 MTDATA일 수 있다.
정공 주입층(HIL)은 아노드로부터 정공 주입 물질 내로 유효한 정공 주입을 제공하도록 아노드 표면을 평탄화할 수 있거나 또는 습윤화할 수 있다. 정공 주입층은 또한 HOMO (최고 점유 분자 오비탈) 에너지 레벨을 가지는 전하 운반 성분을 가질 수 있으며, 이는 본원에서 그들의 상대적 이온화 포텐셜 (IP) 에너지로 정의되는 것으로서, HIL의 하나의 면 상에 인접한 아노드 층 및 HIL의 반대 면 상에 정공 수송층과 바람직하게 매칭되는 것이다. "전하 운반 성분"은 실질적으로 정공을 이송하는 HOMO에 대응하는 물질이다. 이 성분은 HIL의 베이스 물질일 수 있거나, 또는 그것은 도펀트일 수 있다. 도핑된 HIL을 사용하는 것은 도펀트가 그것의 전기적 성질에 대해 선택되는 것, 그리고 호스트가 형태학상의 성질, 예컨대 습윤화(wetting), 가요성, 인성(toughness) 등에 대해 선택되는 것을 허용한다. HIL 물질에 대한 바람직한 성질은 아노드로부터 HIL 물질 내로 정공이 효율적으로 주입될 수 있는 것이다. 구체적으로, HIL의 전하 운반 성분은 바람직하게는 아노드 물질의 IP보다 약 0.7 eV 이상을 넘지 않는 IP를 가진다. 더 바람직하게는, 전하 운반 성분은 아노드 물질의 IP보다 약 0.5 eV 이상을 넘지 않는 IP를 가진다. 정공이 주입되는 임의의 층에 대해 유사한 고려가 적용될 수 있다. HIL 물질은 OLED의 정공 수송층에 통상적으로 사용되는 종래의 정공 이송 물질로부터 그런 HIL 물질이 종래의 정공 이송 물질의 정공 전도성보다 실질적으로 낮은 정공 전도성을 가질 수 있다는 점에서 더 구분된다. 본 발명의 HIL의 두께는 아노드 층의 표면을 평탄화하거나 또는 습윤시키는 것을 도울 만큼 충분한 두께일 수 있다. 예컨대, 10 nm 남짓한 HIL 두께는 매끄러운 아노드 표면에 수용될 수 있다. 그렇지만, 아노드 표면이 상당히 거친 경향이기 때문에, 어떤 경우에는 50 nm 이하의 HIL 두께가 바람직할 수 있다.
뒤이은 조립 과정 동안 밑에 놓여진 층들을 보호하기 위해 보호층이 사용될 수 있다. 예컨대, 금속 또는 금속 옥사이드 상부 전극을 조립하는데 사용된 공정은 유기층을 손상시킬 수 있으며, 그리고 보호층은 그런 손상을 감소시키거나 또는 제거하는데 사용될 수 있다. 장치(100)에서, 보호층(155)은 캐소드(160)의 조립 동안 밑에 놓여진 유기층에 대한 손상을 감소시킬 수 있다. 바람직하게는, 보호층은 그것이 이송하는 담체 (장치(100)에서 전자)의 유형에 대해 높은 담체 유동성을 가지며, 따라서 장치(100)의 작동 전압을 현저하게 증가시키지 않게 된다. CuPc, BCP, 및 다양한 금속 프탈로시아닌은 보호층으로 사용될 수 있는 물질의 예이다. 다른 물질 또는 물질의 조합이 사용될 수 있다. 보호층(155)의 두께는 바람직하게는, 유기 보호층(155)이 증착된 이후 발생하는 조립 과정에 의해 밑에 놓여진 층을 거의 손상시키지 않거나 또는 손상시키지 않도록 충분한 두께이지만, 장치(100)의 작동 전압을 현저하게 증가시킬만한 두께는 아니다. 보호층(155)은 그것의 전도성을 증가시키기 위해 도핑될 수 있다. 예컨대, CuPc 또는 BCP 보호층(155)은 Li으로 도핑될 수 있다. 보호층의 상세한 설명은 미국 특허출원 09/931,948 (Lu et al.)에서 발견될 수 있으며, 그것의 전문이 참고문헌으로 본원에 인용되었다.
도 2는 역 OLED(200)를 보여준다. 그 장치는 기판(210), 캐소드(215), 발광층(220), 정공 수송층(225), 및 아노드(230)를 포함한다. 장치(200)는 설명된 층들을 순서대로 증착시킴으로써 조립될 수 있다. 대부분 일반적인 OLED 구조는 아노드 상에 배치된 캐소드를 가지며, 그리고 장치(200)는 아노드(230) 하부에 배치된 캐소드(215)를 가지며, 장치(200)는 "역" OLED로 언급될 수 있다. 장치(100)에 대해 기재된 것과 유사한 물질이 장치(200)의 대응하는 층에 사용될 수 있다. 도 2는 일부 층들이 장치(100)의 구조로부터 어떻게 생략될 수 있는지 하나의 예를 제공한다.
도 1과 2에 예시된 단순 층 구조는 제한하지 않는 예시의 방식으로 제공되며, 본 발명의 구체예가 광범위한 다른 구조와 연관되어 사용될 수 있는 것으로 이해된다. 기재된 특정 물질 및 구조는 당연히 예시이며, 다른 물질 및 구조가 사용될 수 있다. 디자인, 성능, 및 비용 인자에 기초한 상이한 방식으로 기재된 다양한 층, 또는 전체적으로 생략될 수 있는 층들을 조합함으로써 기능적 OLED를 얻을 수 있다. 구체적으로 기재되지 않은 다른 층들이 또한 포함될 수 있다. 구체적으로 언급한 것 외에 다른 물질이 사용될 수 있다. 본원에 기재된 많은 실시예가 단일 물질을 함유하는 다양한 층으로 기재되었지만, 그것은 물질들의 조합, 예컨대 호스트와 도펀트의 혼합물, 또는 더 일반적으로 혼합물이 사용될 수 있는 것으로 이해된다. 또한, 그 층들은 다양한 하부층을 가질 수 있다. 본원에 다양한 층으로 주어진 명칭은 엄격하게 제한하는 것으로 의도되지 않는다. 예컨대, 장치(200)에서, 정공 수송층(225)은 정공을 이송하고 그리고 정공을 발광층(220) 내로 주입하며, 정공 수송층 또는 정공 주입층으로 설명될 수 있다. 하나의 구체예에서, OLED는 캐소드와 아노드 사이에 배치된 "유기층"을 갖는 것으로 설명될 수 있다. 이 유기층은 단일 층을 포함할 수 있거나, 또는 예컨대, 도 1과 2에 설명된 것과 같은 상이한 유기 물질의 다중 층을 더 포함할 수 있다.
구체적으로 언급되지 않은 구조 및 물질, 예컨대 중합체계 물질 (PLEDs)을 함유하는 OLED 또한 미국 특허 5,247,190 (Friend et al.)에 개시된 바와 같이 사용될 수 있으며, 그것의 전문이 참고문헌으로 본원에 인용되었다. 추가의 실시예의 방식으로, 단일 유기층을 갖는 OLED가 사용될 수 있다. OLED는 적층될 수 있으며, 예컨대 미국 특허 5,707,745 (Forrest et al.)에 기재된 바와 같으며, 그것의 전문이 참고문헌으로 본원에 인용되었다. OLED 구조는 도 1과 2에 도시된 단순 층 구조로부터 벗어날 수 있다. 예컨대, 그 기재는 아웃-커플링을 향상시키기 위한 각도화된 반사형 표면, 예컨대 미국 특허 6,091,195 (Forrest et al.)에 기재된 바와 같이 메사(mesa) 구조 및/또는 미국 특허 5,834,893 (Bulovic et al.)에 기재된 바와 같이 핏(pit) 구조를 포함할 수 있으며, 그것의 전문이 참고문헌으로 본원에 인용되었다.
달리 언급되지 않는다면, 다양한 구체예의 임의의 층들이 임의의 적절한 방법으로 증착될 수 있다. 유기층의 경우, 바람직한 방법은 열 증착, 잉크-제트를 포함하며, 예컨대 미국 특허 6,013,982 및 6,087,196에 기재되어 있으며, 그것의 전문이 참고문헌으로 본원에 인용되었다, 유기 증기상 증착 (OVPD)은, 예컨대 미국 특허 6,337,102 (Forrest et al.)에 기재되어 있으며, 그것의 전문이 참고문헌으로 본원에 인용되었으며, 그리고 유기 증기 제트 증착 (OVJD)은, 예컨대 미국 특허출원 10/233,470에 기재되어 있으며, 그것의 전문이 참고문헌으로 본원에 인용되었다. 다른 적절한 증착 방법은 스핀 코팅 및 기타 용액에 기초하는 과정을 포함한다. 다른 층들의 경우, 바람직한 방법은 열 증착을 포함한다. 바람직한 패터닝 방법은 마스크를 통한 증착, 냉각 용접을 포함하며 예컨대 미국 특허 6,294,398 및 6,468,819에 기재되어 있으며, 그것의 전문이 참고문헌으로 본원에 인용되었으며, 패터닝은 일부 증착 방법 예컨대 잉크-제트 및 OVJD와 관련된다. 다른 방법이 또한 사용될 수 있다. 증착되는 물질은 특정 증착 방법과 양립할 수 있도록 그들을 변형시킬 수 있다. 예컨대, 분지형이거나 또는 분지형이 아니며 그리고 바람직하게는 3 이상의 탄소를 함유하는 알킬 및 아릴기와 같은 치환기가 용액 가공을 수행하는 그들의 능력을 향상시키는 소형 분자로 사용될 수 있다. 20 또는 그 이상의 탄소를 가지는 치환기가 사용될 수 있으며, 그리고 3-20 탄소가 바람직한 범위이다. 비대칭 물질이 더 낮게 재결정화되는 경향을 가질 수 있기 때문에, 비대칭 구조의 물질이 대칭 구조를 가지는 것보다 더 나은 용액 가공성을 가질 수 있다. 소분자의 용액 가공을 수행하는 능력을 향상시키기 위해 덴드리머 치환기가 사용될 수 있다.
본 발명의 구체예와 관련하여 조립되는 장치는 광범위한 소비자 제품으로 도입될 수 있으며, 평판 디스플레이, 컴퓨터 모니터, 텔레비젼, 광고판, 내부 또는 외부 조명을 위한 빛 및/또는 시그날링, 헤드업 디스플레이, 완전 투명 디스플레이, 가요성 디스플레이, 레이저 프린터, 전화기, 휴대폰, 개인용 디지탈 보조기 (PDA), 랩상부 컴퓨터, 디지탈 카메라, 캠코더, 뷰파인더, 마이크로-디스플레이, 자동차, 광장벽, 극장 또는 운동장 스크린, 또는 싸인을 포함한다. 본 발명과 관련하여 조립된 장치를 조절하는데 있어 다양한 제어 메카니즘이 사용될 수 있으며, 패시브 매트릭스 및 액티브 매트릭스를 포함한다. 인간에게 편안한 온도 범위, 예컨대 18℃ 내지 30℃, 및 더 바람직하게는 실온(20-25℃)에서 사용하기 위해 많은 장치가 고안되었다.
본원에 기재된 물질과 구조는 OLED 이외의 장치에 응용될 수 있다. 예컨대, 다른 광전자 장치 예컨대 유기 태양 전지 및 유기 광검출기가 그 물질과 구조를 사용할 수 있다. 더 일반적으로, 유기 장치, 예컨대 유기 트랜지스터가 그 물질과 구 조를 사용할 수 있다.
도 3은 패터닝된 발광층이 정공 수송층 상에 정공 수송층과 물리적으로 접촉하여 용액 증착되는 경우를 보여준다. 장치(300)는 기판(310) 상에 조립된다. 기재(310)는 아노드(320)로 코팅된다. 기재와 아노드 층은 임의의 적절한 물질로부터 선택될 수 있다. 정공 수송층(330)과 도핑되지 않은 호스트 발광 물질의 층(340)이 이후 아노드(320) 상에 그 순서대로 증착된다.
발광 영역(351 및 352)을 추가로 포함하는 패터닝된 발광층이 이후 층(340) 상에 그리고 층(340)과 물리적으로 접촉하여 용액 가공으로 증착된다. 이후 추가의 발광층(360)이 용액 가공 이외의 방법으로 증착되어, 발광 영역(351 및 352)를 포함하는 패터닝된 방츨층 상에 블랭킷층을 형성하고 그리고 물리적으로 접촉하게 된다된다. 발광층(360)은, 장치가 작동할 때 빛을 발광하는 층(360)의 영역이 되는, 캐소드(383) 이하에 증착된 활성 영역(353)을 포함한다. 발광층(360)에 임의의 적절한 물질이 사용될 수 있다. 예컨대, 발광층(360)은 열 수증기 증착과 같은 방법으로 증착될 수 있다. 각각 레드, 그린 및 블루 발광 물질을 포함하는 영역들(351, 352 및 360)을 증착시킴으로써 완전 컬러 디스플레이가 조립될 수 있다.
일부 발광 영역, 예컨대 영역(351 및 352)을 용액 증착시키고, 이어서 다른 발광층, 예컨대 층(360)을 다른 기술로 블랭킷 증착시킴으로써, 용액 가공 및 두번째 기술의 많은 장점을 얻을 수 있다. 예컨대, 잉크-제트 프린팅이 영역(351 및 352)을 증착시키는데 사용될 수 있으며, 그럼으로써 상대적으로 저렴한 기술로 우수한 패터닝 해상도를 얻게 된다. 이후 비-용액계 기술, 예컨대 열 증착 또는 우기상 증착으로 층(360)이 블랭킷 증착된다. 용액계 기술과 관련된 임의의 단점은 따라서 층(360)과는 무관하다. 그렇지만, 일부 용액계 공정과 관련된 저렴한 패터닝이 남을 수 있다. 영역(351 및 352)이 존재하지 않는 경우에만 층(360)이 발광하도록 물질을 선택함으로써 블랭킷 증착됨에도 불구하고 층(360)은 효율적으로 패터닝된다. 따라서, 층(360)은 새도우 마스크 또는 비-용액계 공정과 관련된 패터닝 기술를 사용하지 않고 증착될 수 있다.
많은 장치에서, 하나 이상의 발광 물질로 증기 가공시키는 것이 유리할 수 있다. 구체적으로, 인광 발광 물질, 블루 발광 물질, 및 특히 블루 발광 인광 물질은, 블루 발광 물질의 넓은 밴드 갭 및/또는 인광 물질에서 엑시톤의 긴 수명 때문에, 용액 가공의 결과로서 유도된 임의의 불순물에 특히 취약할 수 있다. 하나의 구체예에서, 레드와 그린 발광 인광 물질이 용액 가공을 통해 패터닝된 영역 내로 증착될 수 있으며, 비-용액계 공정을 통해 블루 인광 물질의 블랭킷 증착이 이어진다. 다른 구체예에서, 레드와 그린 발광 형광 물질이 용액 가공을 통해 패터닝된 영역 내로 증착될 수 있으며, 비-용액계 공정을 통해 블루 형광 물질의 블랭킷 증착이 이어진다. 다른 구체예에서, 형광 발광 물질이 용액 가공을 통해 증착될 수 있으며, 비-용액계 공정을 통해 인광 물질의 블랭킷 증착이 이어진다. 용액 가공 이외의 기술을 사용하여 발광층(360)을 증착시킴으로써, 층(360)에서 용액 가공의 단점을 피할 수 있다. 구체적으로 언급되지 않은 다른 구체예가 또한 실행될 수 있다.
이후 전자 수송층(370)이 발광층(360) 상에 증착되고, 그리고 캐소드(381, 382 및 383)가 전자 수송층(370) 상에 증착된다. 임의의 적절한 물질 및 증착 기술이 기재(310), 아노드(320), 정공 수송층(330), 전자 수송층(370), 및 캐소드(380)에 대해 사용될 수 있다. 하나의 구체예에서, 영역(351 및 352)을 제외한 모든 유기층이 비-용액계 공정, 예컨대 증착으로 증착된다. 다른 구체예에서, 다중 층들이 용액 증착될 수 있다.
도 3의 구체예에서, 층들(340 및 351, 352 및 360)에 대해 전자 유동성보다 명백하게 높은 정공 이동성을 가지는 호스트 물질을 선택하는 것이 바람직할 수 있다. 그런 물질에서, 발광 도펀트가 가장 집중되는 곳인 층(340)의 상부 및 영역들(351, 352 및 360) 근처에서 대부분의 재조합 및 엑시톤 형성이 발생하게 된다. 게다가, 전하 담체 및/또는 엑시톤을 트랩핑하는 발광 도펀트를 사용하여, 담체 및 엑시톤이 적절한 발광 도펀트를 함유하지 않는 다른 층, 또는 층(340)과 영역(351, 352 및 360)의 일부을 벗어나지 않는 것이 바람직할 수 있다.
도 3의 구체예에 기재된 방법은 도 3에 관하여 설명된 특정 층에만 제한되지 않는다. 예컨대, 구체적으로 설명되지 않은 층들도 포함될 수 있으며, 설명된 층들은 생략될 수 있으며, 층들의 순서는 변경될 수 있다.
본원에 기재된 용액 가공 방법은 단일 장치에서 수회 사용될 수 있으며, 그리고 조합될 수 있다. 예컨대, 정공 주입층 및 정공 수송층이 조립될 수 있으며, 도 3에 설명된 바와 같이 추가 발광층의 패터닝된 발광층의 용액 증착 그리고 연속하여 열 증기상 증착이 이어진다.
본원에서 사용된 것으로서, "용액가공형"이란 액체 매질에 용해되고, 분해되고 또는 이송되며 그리고/또는 액체매질로부터 증착될 수 있는 용액 또는 현탁액 형태를 의미한다.
본원에 언급된 다양한 구체예는 단지 예시의 방식이며, 본 발명의 범위를 제한하는 것으로 의도되지 않는 것으로 이해된다. 예컨대, 본원에 언급된 많은 물질 및 구조가 본 발명의 사상으로부터 벗어나지 않고 다른 물질과 구조로 치환될 수 있다. 다양한 이론들은 왜 본 발명이 제한하는 것으로 의도되지 않는지 이해한다. 예컨대, 전하 이전에 관한 이론은 제한되는 것으로 의도되지 않는다.
물질 정의:
본원에 사용된 것으로서, 약자는 다음과 같은 물질을 의미한다:
CBP: 4,4'-N,N'-디카바졸-비페닐
m-MTDATA: 4,4',4"-트리스(3-메틸페닐페닐아미노)트리페닐아민
Alq3: 8-트리스-하이드록시퀴놀린 알루미늄
BPhen: 4,7-디페닐-1,10-페난트롤린
n-BPhen: n-도핑된 BPhen (리튬으로 도핑)
F4-TCNQ: 네트라플루오로-테트라싱노-퀴노디메탄
p-MTDATA: p-도핑된 m-MTDATA (F4-TCNQ으로 도핑)
Ir(ppy)3: 트리스(2-페닐피리딘)-이리듐
Ir(ppz)3: 트리스(1-페닐피라졸로토, N,C(2')이리듐 (III)
BCP: 2,9-디메틸-4,7-디페닐-1,10-페난트롤린
TAZ: 3-페닐-4-(1'-나프틸)-5-페닐-1,2,4-트리아졸
CuPc: 구리 프탈로시아닌
ITO: 인듐 틴 옥사이드
NPD: 나프틸-페닐-디아민
TPD: N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-비스-(페닐)-벤지딘
BAlq: 알루미늄(III)비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)4-페닐페놀레이트
mCP: 1,3-디카바졸-벤젠
DCM: 4-(디시아노메틸렌)-6-(4-디메틸아미노스티릴-2-메틸)-4H-파이란
DMQA: N,N'-디메틸퀴나크리돈
PEDOT:PSS: 폴리스티렌설포네이트 (PSS)를 가지는 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)의 수성 분산액 (또는 건조 이후 제조되는 물질)
본 발명은 특정 실시예 및 바람직한 구체예에 대해 설명되었으며, 본 발명이 이들 실시예 및 구체예로 제한되지 않는 것으로 이해된다. 청구범위에 기재된 본 발명은 따라서 본원에 설명된 특정 실시예 및 바람직한 구체예로부터 본 기술 분야에서 당업자에게 자명한 변형을 포함한다.

Claims (22)

  1. 하부 전극(bottom electrode);
    제1 스펙트럼광을 발광할 수 있는 제1 영역 및 제3 스펙트럼광을 발광할 수 있는 제2 영역을 포함하고, 하부 전극 상에 배치된 패터닝된 제1 유기층으로서, 제1 유기층은 용액 가공에 의해 증착되는 것인 제1 유기층;
    제1 유기층 상에 배치되며 제1 유기층과 물리적으로 접촉하는 제2 유기층으로서, 상기 제2 유기층이 하부 전극 상에 배치되고, 제2 유기층은 블루(blue)인 제2 스펙트럼광을 발광할 수 있는 인광성 유기 물질을 포함하고, 열 증기상 증착에 의해 증착되는 것인 제2 유기층; 및
    제2 유기층 상에 배치된 상부 전극(top electrode)
    을 포함하며, 제1, 제2 및 제3 스펙트럼광은 서로 상이한 것인 유기 발광 장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서, 제1 스펙트럼광은 레드(red)인 것인 유기 발광 장치.
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서, 제3 스펙트럼광은 그린(green)인 것인 유기 발광 장치.
  7. 삭제
  8. 제1항에 있어서, 용액 가공은 잉크 제트(ink jet)에 의한 것인 유기 발광 장치.
  9. 삭제
  10. 제1항에 있어서, 상부 전극은 인듐 주석 산화물(indium tin oxide)을 포함하는 것인 유기 발광 장치.
  11. 제1항에 있어서, 상부 전극과 하부 전극은 전기적으로 유기층과 연결되는 것인 유기 발광 장치.
  12. 제1항에 있어서, 제1 유기층이 정공 수송층이고 제2 유기층이 발광층인 것인 유기 발광 장치.
  13. 제1항에 있어서, 제2 유기층이 발광 물질로 구성되는 층인 것인 유기 발광 장치.
  14. 제1항에 있어서, 하부 전극과 제1 유기층 사이에 배치된 제3 유기층을 더 포함하는 것인 유기 발광 장치.
  15. 제14항에 있어서, 제3 유기층이 정공 수송층이고, 제1 유기층이 발광층인 것인 유기 발광 장치.
  16. 제14항에 있어서, 제3 유기층이 정공 주입층(hole injection layer)이고, 제1 유기층이 발광층인 것인 유기 발광 장치.
  17. 제14항에 있어서, 제3 유기층이 전자 차단층이고, 제1 유기층이 발광층인 것인 유기 발광 장치.
  18. 제14항에 있어서, 하부 전극과 제3 유기층 사이에 배치된 제4 유기층을 더 포함하는 것인 유기 발광 장치.
  19. 제18항에 있어서, 제4 유기층이 정공 수송층이고, 제3 유기층이 전자 차단층인 것인 유기 발광 장치.
  20. 삭제
  21. 기판 상에 하부 전극을 증착시키는 단계;
    하부 전극 상에 패터닝된 제1 유기층을 용액 증착으로 증착시키는 단계로서, 상기 제1 유기층은 제1 스펙트럼광을 발광할 수 있는 제1 영역, 및 제3 스펙트럼광을 발광할 수 있는 제2 영역의 두 영역을 포함하는 것인 단계;
    제1 유기층 및 하부 전극 상에 배치되며 제1 유기층과 물리적으로 접촉하는 제2 유기층을 증기 증착 기법으로 증착시키는 단계로서, 상기 제2 유기층은 제2 스펙트럼광을 발광할 수 있는 인광성 유기 물질을 포함하며, 상기 제2 스펙트럼광은 블루인 것인 단계; 및
    제2 유기층 상에 상부 전극을 증착시키는 단계
    를 포함하며, 상기 제1, 제2 및 제3 스펙트럼광은 서로 상이한 유기 발광 장치의 제조 방법.
  22. 제21항에 있어서, 제1 스펙트럼광은 레드이며, 제3 스펙트럼광은 그린인 것인 유기 발광 장치의 제조 방법.
KR1020057008390A 2002-11-15 2003-11-12 유기 장치의 제조 방법 및 구조 KR101166924B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/295,322 US6891326B2 (en) 2002-11-15 2002-11-15 Structure and method of fabricating organic devices
US10/295,322 2002-11-15
PCT/US2003/036170 WO2004047196A2 (en) 2002-11-15 2003-11-12 Structure and method of fabricating organic devices

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20050074591A KR20050074591A (ko) 2005-07-18
KR101166924B1 true KR101166924B1 (ko) 2012-07-19

Family

ID=32297166

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020057008390A KR101166924B1 (ko) 2002-11-15 2003-11-12 유기 장치의 제조 방법 및 구조

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6891326B2 (ko)
EP (1) EP1561250A2 (ko)
JP (1) JP4896402B2 (ko)
KR (1) KR101166924B1 (ko)
CN (2) CN103474577A (ko)
AU (1) AU2003299558A1 (ko)
WO (1) WO2004047196A2 (ko)

Families Citing this family (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7098060B2 (en) * 2002-09-06 2006-08-29 E.I. Du Pont De Nemours And Company Methods for producing full-color organic electroluminescent devices
US20040096570A1 (en) * 2002-11-15 2004-05-20 Michael Weaver Structure and method of fabricating organic devices
US6982179B2 (en) * 2002-11-15 2006-01-03 University Display Corporation Structure and method of fabricating organic devices
DE10262143B4 (de) * 2002-12-20 2011-01-20 Ksg Leiterplatten Gmbh Lichtemittierende Anordnung
CN1574214A (zh) * 2003-06-03 2005-02-02 国际商业机器公司 用于制造电子器件的基于熔化的图案化工艺
DE10333232A1 (de) * 2003-07-21 2007-10-11 Merck Patent Gmbh Organisches Elektrolumineszenzelement
DE10339772B4 (de) * 2003-08-27 2006-07-13 Novaled Gmbh Licht emittierendes Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
KR100543003B1 (ko) * 2003-09-15 2006-01-20 삼성에스디아이 주식회사 풀칼라 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법
US7179543B2 (en) * 2003-10-06 2007-02-20 The Trustees Of Princeton University Doping of organic opto-electronic devices to extend reliability
US20050100657A1 (en) * 2003-11-10 2005-05-12 Macpherson Charles D. Organic material with a region including a guest material and organic electronic devices incorporating the same
US20060284556A1 (en) * 2003-11-12 2006-12-21 Tremel James D Electronic devices and a method for encapsulating electronic devices
US20060283546A1 (en) * 2003-11-12 2006-12-21 Tremel James D Method for encapsulating electronic devices and a sealing assembly for the electronic devices
US20050238803A1 (en) * 2003-11-12 2005-10-27 Tremel James D Method for adhering getter material to a surface for use in electronic devices
KR20050050487A (ko) * 2003-11-25 2005-05-31 삼성에스디아이 주식회사 풀칼라 유기 전계 발광 소자
KR100659530B1 (ko) * 2003-11-26 2006-12-19 삼성에스디아이 주식회사 풀칼라 유기전계발광소자
KR100608403B1 (ko) * 2004-03-24 2006-08-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계발광 소자 및 그 제조방법
JP4890447B2 (ja) * 2004-06-02 2012-03-07 トムソン ライセンシング ドープ有機層を有する有機発光ダイオード
KR100669757B1 (ko) 2004-11-12 2007-01-16 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자
US7268006B2 (en) * 2004-12-30 2007-09-11 E.I. Du Pont De Nemours And Company Electronic device including a guest material within a layer and a process for forming the same
US20060220529A1 (en) * 2005-03-31 2006-10-05 Ivan Pawlenko Large scale transportable illuminated display
KR101370317B1 (ko) * 2005-07-14 2014-03-05 코닌클리케 필립스 엔.브이. 유기 전계 발광원
US20070096640A1 (en) * 2005-08-19 2007-05-03 Gang Yu Methods for producing full color organic electroluminescent devices
JP2007080917A (ja) * 2005-09-12 2007-03-29 Seiko Epson Corp 有機el素子、有機el装置及びその製造方法、並びに有機装置及びその製造方法
US7514861B2 (en) * 2005-11-24 2009-04-07 Chunghwa Picture Tubes, Ltd. Organic electro-luminescent device
US8173995B2 (en) 2005-12-23 2012-05-08 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electronic device including an organic active layer and process for forming the electronic device
JP4775118B2 (ja) * 2006-06-01 2011-09-21 凸版印刷株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
US7911134B2 (en) * 2006-06-05 2011-03-22 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for forming an organic light-emitting diode and devices made by the process
JP2008027722A (ja) * 2006-07-21 2008-02-07 Sony Corp 表示装置および表示装置の製造方法
TWI378740B (en) * 2006-10-04 2012-12-01 Ritdisplay Corp Full-color organic light emitting diode display panel and method thereof
US20080166566A1 (en) * 2006-12-29 2008-07-10 Shiva Prakash Process for forming an organic light-emitting diode and devices made by the process
US20080286566A1 (en) * 2007-05-18 2008-11-20 Shiva Prakash Process for forming an organic light-emitting diode and devices made by the process
KR100858824B1 (ko) * 2007-05-31 2008-09-17 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법
US8053770B2 (en) * 2008-10-14 2011-11-08 Universal Display Corporation Emissive layer patterning for OLED
US8476844B2 (en) * 2008-11-21 2013-07-02 B/E Aerospace, Inc. Light emitting diode (LED) lighting system providing precise color control
US8288187B2 (en) 2010-01-20 2012-10-16 Universal Display Corporation Electroluminescent devices for lighting applications
KR20110110589A (ko) * 2010-04-01 2011-10-07 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 소자
CN102810638B (zh) * 2011-05-30 2016-04-13 海洋王照明科技股份有限公司 一种p型掺杂聚合物太阳能电池及其制备方法
CN102842593B (zh) * 2011-06-22 2016-02-10 海洋王照明科技股份有限公司 聚合物太阳能电池及其制备方法
WO2013061237A1 (en) * 2011-10-28 2013-05-02 Koninklijke Philips Electronics N.V. Transparent oled device with structured cathode and method of producing such an oled device
FR2999018B1 (fr) * 2012-11-30 2016-01-22 Commissariat Energie Atomique Ecran d'affichage a diodes electroluminescentes organiques
CN103715367B (zh) * 2013-12-24 2016-03-30 合肥京东方光电科技有限公司 有机发光二极管及电子设备
EP3002797B1 (en) * 2014-09-30 2020-04-29 Novaled GmbH A light emitting organic device and an active OLED display
KR102369676B1 (ko) 2017-04-10 2022-03-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10153967A (ja) * 1996-11-25 1998-06-09 Seiko Epson Corp フルカラー有機el表示装置およびその製造方法
JP2000196140A (ja) * 1998-12-28 2000-07-14 Sharp Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造法
JP2002100476A (ja) * 2000-07-17 2002-04-05 Fuji Photo Film Co Ltd 発光素子及びアゾール化合物
JP2002299265A (ja) 2001-04-04 2002-10-11 Sony Corp 多結晶性半導体薄膜の形成方法及び半導体装置の製造方法

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4769292A (en) 1987-03-02 1988-09-06 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with modified thin film luminescent zone
GB8909011D0 (en) 1989-04-20 1989-06-07 Friend Richard H Electroluminescent devices
US5424560A (en) * 1994-05-31 1995-06-13 Motorola, Inc. Integrated multicolor organic led array
US5703436A (en) 1994-12-13 1997-12-30 The Trustees Of Princeton University Transparent contacts for organic devices
US5707745A (en) 1994-12-13 1998-01-13 The Trustees Of Princeton University Multicolor organic light emitting devices
US5693428A (en) * 1995-02-06 1997-12-02 Sanyo Electric Co., Ltd. Organic electroluminescent device
JP4477150B2 (ja) * 1996-01-17 2010-06-09 三星モバイルディスプレイ株式會社 有機薄膜el素子
JP3508805B2 (ja) * 1996-06-06 2004-03-22 出光興産株式会社 多色発光装置およびその製造方法
US5844363A (en) 1997-01-23 1998-12-01 The Trustees Of Princeton Univ. Vacuum deposited, non-polymeric flexible organic light emitting devices
US5834893A (en) 1996-12-23 1998-11-10 The Trustees Of Princeton University High efficiency organic light emitting devices with light directing structures
US6013982A (en) 1996-12-23 2000-01-11 The Trustees Of Princeton University Multicolor display devices
US6091195A (en) 1997-02-03 2000-07-18 The Trustees Of Princeton University Displays having mesa pixel configuration
US6303238B1 (en) 1997-12-01 2001-10-16 The Trustees Of Princeton University OLEDs doped with phosphorescent compounds
US6337102B1 (en) 1997-11-17 2002-01-08 The Trustees Of Princeton University Low pressure vapor phase deposition of organic thin films
US6087196A (en) 1998-01-30 2000-07-11 The Trustees Of Princeton University Fabrication of organic semiconductor devices using ink jet printing
CN1094657C (zh) * 1998-03-10 2002-11-20 陈兴 全彩色有机发光二极管及其制造方法
JP2000036386A (ja) 1998-07-16 2000-02-02 Alps Electric Co Ltd 白色発光エレクトロルミネッセンス素子
US6097147A (en) 1998-09-14 2000-08-01 The Trustees Of Princeton University Structure for high efficiency electroluminescent device
JP3287344B2 (ja) * 1998-10-09 2002-06-04 株式会社デンソー 有機el素子
JP3900724B2 (ja) 1999-01-11 2007-04-04 セイコーエプソン株式会社 有機el素子の製造方法および有機el表示装置
US6294398B1 (en) 1999-11-23 2001-09-25 The Trustees Of Princeton University Method for patterning devices
WO2001074121A1 (fr) 2000-03-31 2001-10-04 Seiko Epson Corporation Dispositif electroluminescent organique et procede de fabrication
EP2566302B1 (en) * 2000-08-11 2015-12-16 The Trustees of Princeton University Organometallic compounds and emission-shifting organic electrophosphorence
JP2002175887A (ja) 2000-12-07 2002-06-21 Denso Corp 有機el素子
JP5265840B2 (ja) * 2001-03-14 2013-08-14 ザ、トラスティーズ オブ プリンストン ユニバーシティ 有機発光ダイオード類に基づく青色リン光用の材料および素子

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10153967A (ja) * 1996-11-25 1998-06-09 Seiko Epson Corp フルカラー有機el表示装置およびその製造方法
JP2000196140A (ja) * 1998-12-28 2000-07-14 Sharp Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造法
JP2002100476A (ja) * 2000-07-17 2002-04-05 Fuji Photo Film Co Ltd 発光素子及びアゾール化合物
JP2002299265A (ja) 2001-04-04 2002-10-11 Sony Corp 多結晶性半導体薄膜の形成方法及び半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2004047196A2 (en) 2004-06-03
JP2006506791A (ja) 2006-02-23
US20040095064A1 (en) 2004-05-20
US6891326B2 (en) 2005-05-10
WO2004047196A3 (en) 2004-12-29
CN103474577A (zh) 2013-12-25
EP1561250A2 (en) 2005-08-10
JP4896402B2 (ja) 2012-03-14
AU2003299558A1 (en) 2004-06-15
CN1711653A (zh) 2005-12-21
KR20050074591A (ko) 2005-07-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101166924B1 (ko) 유기 장치의 제조 방법 및 구조
US11594697B2 (en) Non-blocked phosphorescent OLEDs
KR101200220B1 (ko) 유기 장치의 조립 방법 및 구조
KR101255871B1 (ko) 삼중항 상태로의 직접 주입을 이용하는 유기 발광 장치
US8148891B2 (en) Electron impeding layer for high efficiency phosphorescent OLEDs
US8143613B2 (en) Organic light emitting device having multiple separate emissive layers
US20070247061A1 (en) Multiple dopant emissive layer OLEDs
US20070103066A1 (en) Stacked OLEDs with a reflective conductive layer
US8330351B2 (en) Multiple dopant emissive layer OLEDs
US20040096570A1 (en) Structure and method of fabricating organic devices
US20060251921A1 (en) OLEDs utilizing direct injection to the triplet state

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150618

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160616

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170616

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190617

Year of fee payment: 8