CN101156257B - 利用到三重态的直接注入的oled - Google Patents

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Abstract

本发明涉及利用到三重态的直接注入的OLED。本发明也涉及利用谐振注入和/或分阶能级的OLED。

Description

利用到三重态的直接注入的OLED
本申请是2005年5月6日提交的美国专利申请号11/123,155的部分继续申请，在此引用其全部内容作为参考。本申请要求2005年5月31日提交的美国临时专利申请序列号60/666,867的权益。
研究协议
要求的发明由下面多方中一个或多个研制，代表他们，和/或与他们有关以达到共同的大学-公司研究协议：普林斯顿大学，南加州大学和通用显示技术公司。协议在要求的发明创造当日及之前有效，并且作为在协议范围内执行的活动的结果，要求保护的发明被创造。
技术领域
本发明涉及有机发光器件(OLED)，尤其涉及利用到三重态的直接注入的OLED。
背景技术
利用有机材料的光电子器件因许多原因正在变得日益令人期望。用来制造这种器件的许多材料相对便宜，所以有机光电子器件具有优于无机器件的成本优势的潜能。另外，有机材料的固有性质，例如它们的柔韧性，可以使得它们充分适用于特殊应用例如在柔性衬底上的制造。有机光电子器件的实例包括有机发光器件(OLED)、有机光电晶体管、有机光生伏打电池以及有机光电检测器。对于OLED，有机材料可以具有优于常规材料的性能优势。例如，通常可以使用适当的掺杂剂容易地调节有机发射层发光的波长。
如这里使用的，术语“有机”包括可以用来制造有机光电子器件的聚合材料以及小分子有机材料。“小分子”指不是聚合物的任何有机材料，并且“小分子”实际上可能非常大。在一些情况下，小分子可以包括重复单元。例如，使用长链烷基作为取代基不会从“小分子”类中去除分子。小分子也可以合并到聚合物中，例如作为聚合物主链上的悬挂基团或者作为主链的一部分。小分子也可以用作树枝状聚合物的核心部分，树枝状聚合物包括在核心部分上构建的一系列化学壳。树枝状聚合物的核心部分可以是荧光或磷光小分子发射体。树枝状聚合物可以是“小分子”，并且认为当前在OLED领域中使用的所有树枝状聚合物都是小分子。通常，小分子具有意义明确的具有单一分子量的化学公式，然而聚合物具有可能每个分子各不相同的化学公式和分子量。如这里使用的，“有机”包括烃基和杂原子取代的烃基配位体的金属络合物。
OLED利用当跨越器件施加电压时发光的有机薄膜。OLED正在变成在许多应用例如平板显示器、照明和背光中使用的日益有趣的技术。几种OLED材料和构造在美国专利号5,844,363，6,303,238和5,707,745中描述，在此引用其全部内容作为参考。
OLED器件通常(但不总是)打算通过电极中至少一个发光，并且一个或多个透明电极可以在有机光电子器件中使用。例如，透明电极材料例如氧化铟锡(ITO)可以用作底部电极。也可以使用透明顶部电极，例如在美国专利号5,703,436和5,707,745中公开的，在此引用其全部内容作为参考。对于打算仅通过底部电极发光的器件，顶部电极不需要是透明的，并且可以包含具有高导电率的厚的反射金属层。类似地，对于打算仅通过顶部电极发光的器件，底部电极可以是不透明和/或反射的。在电极不需要透明的情况下，使用较厚的层可以提供更高的导电率，并且使用反射电极可以通过将光朝向透明电极反射而增加通过另一个电极发射的光的量。也可以制造完全透明的器件，其中两个电极都是透明的。也可以制造侧面发射的OLED，并且在这种器件中一个或两个电极可以是不透明或反射的。
如这里使用的，“顶部”指与衬底距离最远，而“底部”指最接近衬底。例如，对于具有两个电极的器件，底部电极是最接近衬底的电极，并且通常是制造的第一电极。底部电极具有两个表面，最接近衬底的底面和距离衬底较远的顶面。在第一层描述为“位于”第二层“上面”的情况下，第一层距离衬底较远。在第一和第二层之间可能存在其他层，除非指定第一层与第二层“物理接触”。例如，阴极可以描述为“位于”阳极“上面”，即使其间存在各种有机层。
如这里使用的，“溶液可处理”指能够以溶液或悬浮形式在液体介质中溶解、分散或传输和/或从液体介质中沉积。
如这里使用的，以及由本领域技术人员通常理解的，第一“最高占有分子轨道”(HOMO)或“最低未占有分子轨道”(LUMO)能级“大于”或“高于”第二HOMO或LUMO能级，如果第一能级更接近真空能级。因为电离电势(IP)作为相对于真空级别的负能量而测量，较高HOMO能级对应于具有较小绝对值的IP(较小负值的IP)。类似地，较高LUMO能级对应于具有较小绝对值的电子亲和势(EA)(较小负值的EA)。在常规能级图上，真空级别位于顶部，材料的LUMO能级高于相同材料的HOMO能级。“较高”HOMO或LUMO能级比“较低”HOMO或LUMO能级更接近这种图的顶部而出现。
发明内容
在一种实施方案中，本发明提供一种有机发光器件，包括：a)阳极；b)阴极；c)位于阳极和阴极之间的发射层，发射层包括i)具有磷光掺杂剂HOMO能级、磷光掺杂剂LUMO能级、三重态能量和单重态能量的磷光掺杂剂；以及ii)具有发射层基质(emission layer host)HOMO能级和发射层基质LUMO能级的发射层基质；以及d)位置与发射层相邻的传输层，传输层包括具有第一材料HOMO能级和第一材料LUMO能级的第一材料，其中电子空穴对跨越大约等于磷光掺杂剂的三重态能量的能量间距而直接重新结合。
在优选实施方案中，有机发光器件包括至少大约等于磷光掺杂剂的三重态能量的能量间距。能级间距可以在发射层基质LUMO与磷光掺杂剂HOMO之间，发射层基质HOMO与磷光掺杂剂LUMO之间，电子传输材料LUMO与磷光掺杂剂HOMO之间，空穴传输材料HOMO与磷光掺杂剂LUMO之间，或者电子传输材料LUMO与空穴传输材料HOMO之间。优选地，能量间距比磷光掺杂剂的单重态能量低至少大约0.2eV。
在优选实施方案中，磷光掺杂剂在发射谱中具有小于大约500nm的峰。
在另一种实施方案中，本发明提供一种有机发光器件，包括：a)阳极；b)阴极；c)位于阳极和阴极之间的发射层，发射层包括i)具有磷光掺杂剂HOMO能级、磷光掺杂剂LUMO能级、三重态能量和单重态能量的磷光掺杂剂；以及ii)具有发射层基质HOMO能级和发射层基质LUMO能级的发射层基质；以及d)位置与发射层相邻的传输层，传输层包括多种材料，每种材料具有HOMO能级和LUMO能级，其中多种材料的每种的至少一个能级一起形成通向发射层中至少一个能级的一系列能阶，其中该系列能阶中的每阶至多大约0.2eV。
该系列能阶可以由掺杂有单一材料的子层、掺杂有材料混合物的子层、无杂质子层或者其组合形成。
本发明也提供制造本发明的器件的方法。
附图说明
图1显示具有独立电子传输、空穴传输和发射层以及其他层的有机发光器件。
图2显示不具有独立电子传输层的倒转有机发光器件。
图3显示指定ΔE1-4，谐振注入的可能位置的能级图。
图4显示掺杂剂的三重态(T1)和单重态(S1)。
图5显示第一材料HOMO与磷光掺杂剂HOMO对齐的能级图。
图6显示第一材料LUMO与磷光掺杂剂LUMO对齐的能级图。
图7A显示描绘掺杂有形成一系列能阶的材料混合物的空穴传输层的能级图。图7B描绘包括形成一系列能阶的多个无杂质层的空穴传输层。
图8A显示描绘掺杂有形成一系列能阶的材料混合物的电子传输层的能级图。图8B描绘包括形成一系列能阶的多个无杂质层的电子传输层。
图9显示到三重态的直接注入可以发生而不经过单重态的能级图，其中电子可以在三重态形成之前位于掺杂剂LUMO中。
图10显示到三重态的直接注入可以发生而不经过单重态的能级图，其中空穴可以在三重态形成之前位于掺杂剂HOMO中。
具体实施方式
通常，OLED包括位于阳极和阴极之间并且电连接到阳极和阴极的至少一个有机层。当施加电流时，阳极注入空穴并且阴极注入电子到有机层中。注入的空穴和电子每个朝向带有相反电荷的电极迁移。当电子和空穴局部化于相同分子上时，形成“激子”，其是具有激发能态的局部化电子空穴对。当激子经由光电发射机制衰减时，光被发射。在一些情况下，激子可以局部化于激发物或激态复合物上。非辐射机制例如热松弛也可以发生，但是通常认为是不期望的。
最初的OLED使用从它们的单重态发光的发射分子(“荧光”)，如例如美国专利号4,769,292中公开的，在此引用其全部内容作为参考。荧光发射通常在小于10纳秒的时间帧中发生。
最近，已经证明具有从三重态发光的发射材料(“磷光”)的OLED。Baldo等人“Highly Efficient PhosphorescentEmission from Organic Electroluminescent Devices(从有机场致发光器件中的高效磷光发射)”，自然，vol.395，151-154，1998；(“Baldo-I”)以及Baldo等人，“Very high-efficiency green organiclight-emitting devices based on electrophosphorescence(基于电子磷光的非常高效率绿光有机发光器件)”，Appl.Phys.Lett.，vol.75，No.3，4-6(1999)(“Baldo-II”)，在此引用其全部内容作为参考。磷光可以称作“禁止的”跃迁，因为该跃迁需要自旋态的变化，并且量子力学指示这种跃迁不是有利的。结果，磷光通常在超过至少10纳秒，典型地大于100纳秒的时间帧中发生。如果磷光的自然辐射生命周期太长，三重态可能因非辐射机制而衰减，使得没有光被发射。有机磷光也经常在包含具有非常低温下的非共享电子对的杂原子的分子中观察到，2，2′-二吡啶是这种分子。非辐射衰减机制典型地温度相关，使得在液态氮温度下表现出磷光的有机材料典型地在室温下不表现出磷光。但是，如由Baldo证明的，该问题可以通过选择在室温下表现出磷光的磷光化合物而解决。典型的发射层包括例如在美国专利号6,303,238；6,310,360；6,830,828和6,835,469；美国专利申请发表号2002-0182441；以及WO-02/074015中公开的掺杂或未掺杂磷光有机金属材料。
通常，OLED中的激子认为以大约3∶1的比率产生，也就是大约75％的三重态和25％的单重态。参看，Adachi等人，“Nearly 100％Internal Phosphorescent Efficiency In An OrganicLight Emitting Device(一种有机发光器件中接近100％的内部磷光效率)”，J.Appl.Phys.，90，5048(2001)，在此引用其全部内容作为参考。在许多情况下，单重态激子可以容易地将它们的能量经由“系统间过渡”转换成三重激发态，而三重态激子不可以容易地将它们的能量转换成单重激发态。结果，使用磷光OLED，100％的内部量子效率理论上是可能的。在荧光器件中，三重态激子的能量通常不再为加热器件的非辐射衰减过程所占有，导致非常低的内部量子效率。利用从三重激发态发射的磷光材料的OLED例如在美国专利号6,303,238中公开，在此引用其全部内容作为参考。
磷光发射可以在从三重激发态到发射衰减从其发生的中间非三重态的跃迁之后。例如，等同于镧系元素的有机分子经常从局部化于镧系金属上的激发态发射磷光。但是，这种材料不会直接从三重激发态发射磷光，而是代替地从以镧系金属离子为中心的原子激发态发射。双酮铕络合物说明这种类型物质的一组。
从三重态发射磷光可以通过限制，优选地通过结合高原子序数的原子附近的有机分子而增强优于荧光。称作重原子效应的该现象由称作自旋轨道耦合的机制产生。这种磷光跃迁可以从有机金属分子例如三(2-苯基吡啶)铱(III)的激发金属至配位体电荷转移(MLCT)状态中观察到。
如这里使用的，术语“三重态能量”指与给定材料的磷光光谱中可辨别的最高能量特征相对应的能量。最高能量特征不一定是磷光光谱中具有最大强度的峰，例如可以是这种峰的高能量侧上清晰肩部的局部最大值。
如这里使用的术语“有机金属”与由本领域技术人员通常所理解的以及与例如由Gary L.Miessler和Donald A.Tarr在“无机化学”(第二版)Prentice Hall(1998)中给出的一样。这样，术语有机金属指具有通过碳-金属键结合到金属的有机基团的化合物。该类本身不包括配位化合物，其是仅具有来自杂原子的给体键的物质，例如胺、卤化物、假卤化物(CN等)等的金属络合物。实际上，除了到有机物质的一个或多个碳-金属键之外，有机金属化合物通常包括来自杂原子的一个或多个给体键。到有机物质的碳-金属键指在金属与有机基团例如苯基、烷基、烯基等的碳原子之间的直接键，但是不指到“无机碳”例如CN或CO的碳的金属键。
图1显示有机发光器件100。该图不一定按比例绘制。器件100可以包括衬底110，阳极115，空穴注入层120，空穴传输层125，电子阻挡层130，发射层135，空穴阻挡层140，电子传输层145，电子注入层150，保护层155和阴极160。阴极160是具有第一导电层162和第二导电层164的复合阴极。器件100可以通过按次序沉积描述的层而制造。
衬底110可以是提供期望结构性质的任何适当衬底。衬底110可以是柔性或刚性的。衬底110可以是透明、半透明或不透明的。塑料和玻璃是优选刚性衬底材料的实例。塑料和金属箔是优选柔性衬底材料的实例。衬底110可以是半导体材料以便于电路系统的制造。例如，衬底110可以是能够控制随后沉积在衬底上的OLED的电路制造在其上的硅晶片。可以使用其他衬底。可以选择衬底110的材料和厚度以便获得期望的结构和光学性质。
阳极115可以是充分导电以传输空穴到有机层的任何适当阳极。阳极115的材料优选地具有高于大约4eV的功函数(“高功函数材料”)。优选的阳极材料包括导电金属氧化物，例如氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)，氧化铝锌(AlZnO)以及金属。阳极115(和衬底110)可以充分透明以制造底部发射器件。优选的透明衬底和阳极组合是沉积在玻璃或塑料(衬底)上的市场上可买到的ITO(阳极)。柔性且透明的衬底-阳极组合在美国专利号5,844,363和6,602,540 B2中公开，在此引用其全部内容作为参考。阳极115可以是不透明和/或反射的。反射阳极115对于一些顶部发射器件可以是优选的，以增加从器件顶部发射的光的量。可以选择阳极115的材料和厚度以获得期望的导电和光学性质。在阳极115透明的情况下，对于特定材料可以存在厚度范围，其足够厚以提供期望的导电率，然而足够薄以提供期望的透明度。可以使用其他阳极材料和结构。
空穴传输层125可以包括能够传输空穴的材料。空穴传输层130可以是本征(未掺杂)或掺杂的。掺杂可以用来增强导电率。α-NPD和TPD是本征空穴传输层的实例。p掺杂空穴传输层的实例是以50∶1的摩尔比率掺杂有F4-TCNQ的m-MTDATA，如在Forrest等人的美国专利申请发表号2003-0230980中公开的，在此引用其全部内容作为参考。可以使用其他空穴传输层。
发射层135可以包括当电流经过阳极115和阴极160之间时能够发光的有机材料。优选地，发射层135包含磷光发射材料，虽然也可以使用荧光发射材料。磷光材料因为与这种材料相关联的更高发光效率而是优选的。发射层135也可以包括掺杂有可以捕获电子、空穴和/或激子的发射材料、能够传输电子和/或空穴的基质(host)材料，使得激子经由发光机制从发射材料中衰减。发射层135可以包括结合传输和发射性质的单一材料。发射材料是掺杂剂或主要成分，发射层135可以包括其他材料，例如调谐发射材料的发射的掺杂剂。发射层135可以包括能够组合发射期望光谱的多种发射材料。磷光发射材料的实例包括Ir(ppy)3。荧光发射材料的实例包括DCM和DMQA。基质材料的实例包括Alq3，CBP和mCP。发射和基质材料的实例在Thompson等人的美国专利号6,303,238中公开，在此引用其全部内容作为参考。发射材料可以多种方法包括在发射层135中。例如，发射小分子可以合并到聚合物中。这可以由几种方法完成：通过将小分子作为独立且性质不同的分子物质掺杂到聚合物中；或者通过将小分子合并到聚合物的主链中，以便形成共聚物；或者通过将小分子作为悬挂基团结合在聚合物上。可以使用其他发射层材料和结构。例如，小分子发射材料可以作为树枝状聚合物的核心而存在。
许多有用的发射材料包括结合到金属中心的一个或多个配位体。配位体可以称作“光敏的”，如果它直接有助于有机金属发射材料的光敏性质。与金属结合，“光敏”配位体可以提供当光子发射时电子从其移动或移动到的能级。其他配位体可以称作“辅助的”。辅助配位体可以例如通过移动光敏配位体的能级来修改分子的光敏性质，但是辅助配位体不能直接提供发光中涉及的能级。在一个分子中光敏的配位体在另一个分子中可能是辅助的。光敏和辅助的这些定义打算作为非限制性理论。
电子传输层145可以包括能够传输电子的材料。电子传输层145可以是本征(未掺杂)或掺杂的。掺杂可以用来增强导电率。Alq3是本征电子传输层的实例。n掺杂电子传输层的实例是以1∶1的摩尔比率掺杂有Li的BPhen，如在Forrest等人的美国专利申请发表号2003-0230980中公开的，在此引用其全部内容作为参考。可以使用其他电子传输层。
可以选择电子传输层的载荷成分使得电子可以从阴极有效地注入到电子传输层的LUMO(最低未占有分子轨道)能级。“载荷成分”是实际传输电子的负责LUMO能级的材料。该成分可以是基础材料，或者它可以是掺杂剂。有机材料的LUMO能级通常可以由该材料的电子亲和势表征，并且阴极的相对电子注入效率通常可以根据阴极材料的功函数表征。这意味着电子传输层和相邻阴极的优选性质可以根据ETL的载荷成分的电子亲和势和阴极材料的功函数来指定。特别地，为了实现高电子注入效率，阴极材料的功函数优选地不大于电子传输层的载荷成分的电子亲和势多于大约0.75eV，更优地不多于大约0.5eV。类似的考虑适用于电子注入到其中的任何层。
阴极160可以是本领域已知的任何适当材料或材料的组合，使得阴极160能够传导电子并且将它们注入到器件100的有机层。阴极160可以是透明或不透明的，并且可以是反射的。金属和金属氧化物是适当阴极材料的实例。图1显示具有薄金属层162和较厚导电金属氧化物层164的复合阴极160。在复合阴极中，较厚层164的优选材料包括ITO、IZO和本领域已知的其他材料。美国专利号5,703,436，5,707,745，6,548,956 B2和6,576,134 B2，在此引用其全部内容作为参考，公开包括具有薄金属层例如Mg:Ag和覆盖透明导电溅射沉积ITO层的复合阴极的阴极实例。与底层有机层接触的阴极160的部分，如果它是单层阴极160，复合阴极的薄金属层162，或者其他部分，优选地由功函数低于大约4eV的材料(“低功函数材料”)制成。可以使用其他阴极材料和结构。
阻挡层可以用来减少离开发射层的电荷载流子(电子或空穴)和/或激子的数目。电子阻挡层130可以位于发射层135与空穴传输层125之间，以阻挡电子在空穴传输层125的方向上离开发射层135。类似地，空穴阻挡层140可以位于发射层135与电子传输层145之间，以阻挡空穴在电子传输层145的方向上离开发射层135。阻挡层也可以用来阻挡激子扩散到发射层外。阻挡层的理论和使用在Forrest等人的美国专利号6,097,147和美国专利申请发表号2003-0230980中更详细地描述，在此引用其全部内容作为参考。
如这里使用的，以及如将由本领域技术人员理解的，术语“阻挡层”意思是该层提供显著防止电荷载流子和/或激子传输通过器件的障碍，而不暗示该层一定完全阻挡电荷载流子和/或激子。与缺少阻挡层的类似器件相比较，器件中这种阻挡层的存在可以获得基本上更高的效率。而且，阻挡层可以用来限制发射到OLED的期望区域。
通常，注入层包含可以提高电荷载流子从一层例如电极或有机层到相邻有机层中的注入的材料。注入层也可以执行电荷传输功能。在器件100中，空穴注入层120可以是提高空穴从阳极115到空穴传输层125中的注入的任何层。CuPc是可以用作从ITO阳极115和其他阳极的空穴注入层的材料的实例。在器件100中，电子注入层150可以是提高电子到电子传输层145中的注入的任何层。LiF/Al是可以用作从相邻层到电子传输层中的电子注入层的材料的实例。其他材料或材料的组合可以用于注入层。依赖于特定器件的构造，注入层可以位于与器件100中显示的那些不同的位置。注入层的更多实例在Lu等人的美国专利申请序列号09/931,948中提供，在此引用其全部内容作为参考。空穴注入层可以包括溶液沉积材料例如旋涂聚合物，例如PEDOT:PSS，或者它可以是蒸汽沉积的小分子材料例如CuPc或MTDATA。
空穴注入层(HIL)可以平面化或弄湿阳极表面以便提供从阳极到空穴注入材料的有效空穴注入。空穴注入层也可以包括具有HOMO(最高占有分子轨道)能级的载荷成分，如由它们的这里描述的相对电离电势(IP)能量定义的，其与HIL一侧上的相邻阳极层和HIL相对侧上的空穴传输层有利地匹配。“载荷成分”是实际传输空穴的负责HOMO能级的材料。该成分可以是HIL的基础材料，或者它可以是掺杂剂。使用掺杂的HIL允许为了其电学性质选择掺杂剂，并且为了形态学性质例如湿润、柔韧性、粗糙度等选择基质。HIL材料的优选性质是这样的使得空穴可以从阳极有效地注入到HIL材料中。特别地，HIL的载荷成分优选地具有比阳极材料的IP大不多于大约0.7eV的IP。更优地，载荷成分具有比阳极材料大不多于大约0.5eV的IP。类似的考虑适用于空穴注入到的任何层。HIL材料与典型地在OLED的空穴传输层中使用的常规空穴传输材料进一步区别在于这种HIL材料可以具有基本上小于常规空穴传输材料的空穴导电率的空穴导电率。本发明的HIL的厚度可以足够厚以帮助平面化或弄湿阳极层的表面。例如，小至10nm的HIL厚度对于非常平滑的阳极表面是可接受的。但是，因为阳极表面趋向于非常粗糙，所以高达50nm的HIL的厚度在一些情况下可能是期望的。
保护层可以用来在随后的制造过程中保护底层。例如，用来制造金属或金属氧化物顶部电极的过程可能损坏有机层，并且保护层可以用来减少或消除这种损坏。在器件100中，保护层155可以减少在阴极160的制造期间对底层有机层的损坏。优选地，保护层对于它传输的载流子类型(器件100中的电子)具有高载流子迁移率，使得它不会显著增加器件100的工作电压。CuPc，BCP和各种金属酞菁是可以在保护层中使用的材料的实例。可以使用其他材料或材料的组合。保护层155的厚度优选地足够厚，使得几乎不存在或完全不存在因在有机保护层160沉积之后发生的制造过程而引起的对底层的损坏，然而不会如此厚以至于显著增加器件100的工作电压。保护层155可以掺杂以增加它的导电率。例如，CuPc或BCP保护层160可以掺杂有Li。保护层的更详细描述可以在Lu等人的美国专利申请序列号09/931,948中找到，在此引用其全部内容作为参考。
图2显示倒转的OLED200。器件包括衬底210，阴极215，发射层220，空穴传输层225，以及阳极230。器件200可以通过按次序沉积描述的层而制造。因为最常见的OLED构造具有位于阳极上面的阴极，并且器件200具有位于阳极230下面的阴极215，所以器件200可以称作“倒转的”OLED。与相对于器件100描述的那些类似的材料可以在器件200的相应层中使用。图2提供一些层如何可以从器件100的结构中省略的一个实例。
图1和2中说明的简单分层结构作为非限制性实例而提供，并且应当理解，本发明的实施方案可以结合非常多种其他结构而使用。描述的具体材料和结构实际上是示范性的，并且可以使用其他材料和结构。功能的OLED可以通过基于设计、性能和成本因素以不同方法组合描述的各种层而实现，或者可以整个省略层。也可以包括没有具体描述的其他层。可以使用除了具体描述的那些之外的材料。虽然这里提供的许多实例将各种层描述为包括单一材料，但是应当理解，可以使用材料的组合，例如基质和掺杂剂的混合物，或者更普通地混合物。而且，层可以具有各种子层。这里给予各种层的名字不打算严格限制。例如，在器件200中，空穴传输层225传输空穴并且将空穴注入到发射层220中，并且可以描述为空穴传输层或空穴注入层。在一种实施方案中，OLED可以描述为具有位于阴极与阳极之间的“有机层”。该有机层可以包括单层，或者可以进一步包括不同有机材料的多层，如例如关于图1和2描述的。
也可以使用没有具体描述的结构和材料，例如包含聚合材料的OLED(PLED)，例如在Friend等人的美国专利号5,247,190中公开的，在此引用其全部内容作为参考。作为另一个实例，可以使用具有单个有机层的OLED。OLED可以层叠，例如在Forrest等人的美国专利号5,707,745中描述的，在此引用其全部内容作为参考。OLED结构可以偏离图1和2中说明的简单分层结构。例如，衬底可以包括成角度的反射表面以提高外部耦合，例如Forrest等人的美国专利号6,091,195中描述的台面型结构，和/或Bulovic等人的美国专利号5,834,893中描述的深坑型结构，在此引用其全部内容作为参考。
除非另外指定，各种实施方案的任何层可以由任何适当方法沉积。对于有机层，优选方法包括例如在美国专利号6,013,982和6,087,196中描述的热蒸发、喷墨，在此引用其全部内容作为参考，例如在Forrest等人的美国专利号6,337,102中描述的有机汽相沉积(OVPD)，在此引用其全部内容作为参考，以及例如在美国专利申请号10/233,470中描述的通过有机蒸汽喷印(OVJP)的沉积，在此引用其全部内容作为参考。其他适当的沉积方法包括旋涂和其他基于溶液的过程。基于溶液的过程优选地在氮或惰性气氛下执行。对于其他层，优选方法包括热蒸发。优选形成图案方法包括例如在美国专利号6,294,398和6,468,819号中描述的通过掩模的沉积、冷焊，在此引用其全部内容作为参考，以及与沉积方法例如喷墨和OVJP的一些相关的形成图案。也可以使用其他方法。可以修改待沉积的材料使得它们与特定沉积方法相兼容。例如，分支或未分支并且优选地包含至少3个碳的取代基例如烷基和芳基基团可以在小分子中使用以增强它们经历溶液处理的能力。可以使用具有20个碳或更多的取代基，并且3-20个碳是优选的范围。具有非对称结构的材料可以比具有对称结构的那些具有更好的溶液可处理性，因为非对称材料可以具有较低的再结晶趋势。树枝状聚合物取代基可以用来增强小分子经历溶液处理的能力。
在这里公开的分子可以许多不同的方法取代而不背离本发明的范围。例如，取代基可以添加到具有三种二齿配位体的化合物，使得在添加取代基之后，二齿配位体的一个或多个连接在一起以形成例如四齿配位体或六齿配位体。可以形成其他这种连接。相对于不具有连接的类似化合物，相信这种类型的连接可以增强稳定性，因本领域中通常理解为“螯合效应”的理论。
根据本发明实施方案制造的器件可以合并到非常多种消费品中，包括平板显示器、计算机监视器、电视机、告示牌、用于室内或室外照明和/或信号发送的灯、抬头显示器、完全透明的显示器、柔性显示器、激光打印机、电话机、蜂窝式电话、个人数字助理(PDA)、膝上型计算机、数字照相机、可携式摄像机、取景器、微型显示器、交通工具、大面积墙壁、剧场或运动场屏幕，或者标记。各种控制机制可以用来控制根据本发明制造的器件，包括无源矩阵和有源矩阵。许多器件打算用于人类适应的温度范围，例如18摄氏度至30摄氏度，并且更优地室温(20-25摄氏度)。
这里描述的材料和结构可以具有除了OLED之外的器件中的应用。例如，其他光电子器件例如有机太阳能电池和有机光电检测器可以使用该材料和结构。一般地说，有机器件例如有机晶体管可以使用该材料和结构。
在一种实施方案中，本发明提供利用到磷光掺杂剂的三重态的直接注入的OLED。发明者已经惊人地发现将电荷直接注入到三重态中而不首先经过单重态是可能的。到三重态的直接访问先前认为是不可能的。已知的磷光机制需要添加额外的能量以激发电子达到单重态。这种额外能量可能使得磷光掺杂剂降解，特别是在蓝色磷光体的情况下。相反地，本发明的实施方案通过直接访问三重能态实现磷光。本发明的直接访问机制不需要额外能量以达到单重态，因此较不可能降解磷光体。
在一种实施方案中，本发明提供一种OLED，包括：a)阳极；b)阴极；c)位于阳极和阴极之间的发射层，发射层包括i)具有磷光掺杂剂HOMO能级、磷光掺杂剂LUMO能级、三重态能量和单重态能量的磷光掺杂剂；以及ii)具有发射层基质HOMO能级和发射层基质LUMO能级的发射层基质；以及d)位置与发射层相邻的传输层，传输层包括具有第一材料HOMO能级和第一材料LUMO能级的第一材料，其中电子空穴对跨越大约等于磷光掺杂剂的三重态能量的能量间距而直接重新结合，也就是不提供更高位分子激发态。
磷光掺杂剂具有HOMO和LUMO以及激发态能级：基态、三重态和更高位分子激发态。更高位分子激发态可以是例如单重态。图3显示磷光掺杂剂HOMO和LUMO，而图4显示基态(S0)、三重态(T1)和单重态(S1)。三重态能量(Eg1)是基态和三重态之间的能量间距。单重态能量(Eg2)是基态和更高位分子激发态之间的能量间距。
传输层包括第一材料。传输层可以是空穴传输层，也就是位于发射层的阳极侧上的传输层，或者电子传输层，也就是位于发射层的阴极侧上的传输层。在一种实施方案中，本发明的OLED利用位于发射层的两侧上的这种传输层。第一材料可以是传输层基质，或者它可以是传输层掺杂剂。第一材料也可以是传输层中的唯一材料，也就是，第一材料可以作为无杂质层而沉积。
如这里使用的，术语“相邻的”意思是足够接近以至于使电荷从一种材料直接跳到另一种材料。相邻材料不一定彼此直接物理接触。
第一材料可以选自本领域中技术人员已知的多种传输材料。例如，已知材料例如TCTA可以用作第一材料。其他有用的材料包括在Loy等人，“Thermally Stable Hole Transporting MaterialsBased upon a Fluorene Core(基于芴核心的热稳定空穴传输材料)”Adv.Func.Mater.，12，No，4，245-249，2002和D′Andrade等人，“Relationship between the ionization and oxidation potentialsof molecular organic semiconductors(分子有机半导体的电离和氧化电势之间的关系)”Org.Elec.，2005中公开的那些。
为了直接访问三重态，有机发光器件包括至少大约等于磷光掺杂剂的三重态能量的能量间距。能级间距可以在发射层基质LUMO与磷光掺杂剂HOMO之间，发射层基质HOMO与磷光掺杂剂LUMO之间，电子传输材料LUMO与磷光掺杂剂HOMO之间，空穴传输材料HOMO与磷光掺杂剂LUMO之间，或者电子传输材料LUMO与空穴传输材料HOMO之间。通过具有至少大约等于三重态能量的能量间距，重新结合可以跨越大约等于三重态能量的能量间距而发生。能量间距大约等于三重态能量，当它与三重态能量至多差大约0.1eV时。空穴和电子可以从相邻的分子重新结合。
在优选实施方案中，磷光掺杂剂HOMO与发射层基质LUMO之间的能量间距至少大约等于磷光掺杂剂的三重态能量。在另一种优选实施方案中，电子传输材料LUMO与空穴传输材料HOMO之间的能量间距至少大约等于磷光掺杂剂的三重态能量。
为了避免磷光掺杂剂的更高位分子激发态，至少大约等于三重态能量的能量间距也优选地比磷光掺杂剂的单重态能量低至少大约0.2eV。在该实施方案中使用的磷光材料包括磷光掺杂剂，其中更高位分子激发态和三重态相隔至少大约0.2eV。碳烯分子，例如，举例说明在本发明的某些实施方案中使用的期望单重态-三重态间距。
在另一种实施方案中，到三重态的直接访问由谐振注入制造。为了本发明的目的，谐振注入包括从一个能级到另一个能级的谐振注入和近谐振注入，其中定位能级使得电荷可以由热转移而横渡能差。能级的位置，而不是实际转移机制，表征本发明实施方案中的谐振注入。
为了允许热转移，能级可以位于彼此的上面或下面。如果空穴移动至较高能级或电子移动至较低能级，热转移将发生，即使能差可能很大。例如，在图5中，传输层是空穴传输层，并且第一材料HOMO位于磷光掺杂剂HOMO下面。空穴“向上”的转移在能量方面是有利的，因为电荷正在移动至较低能态。如果空穴移动至较低能级或电子移动至较高能级，热转移仍然可以发生，但是能差必须小。因此，例如，第一材料HOMO也可以在磷光掺杂剂HOMO上面，只要能级足够接近以允许电荷热转移。通常，当电荷必须移动至较高能态时，电荷载流子之间能量的分布可以是这样的，使得大量电荷载流子具有足够的能量以克服障碍。不多于大约0.1eV的障碍例如可以被容易地克服。
即使电荷可以跨越相对大的能差在能量方面有利的方向上热转移，优选地限制能级之间的距离以便减小对受体分子的损坏。当具有额外能量的电荷转移到分子时，额外能量可能损坏分子。损坏由能级对齐而减小，因为电荷不会在转移时带有许多额外能量。因此，在优选实施方案中，第一材料能级与发射层中能级充分对齐以减小对发射层的损坏。换句话说，对齐的能级之间的能差至多是损坏阈值。能差优选地至多大约0.2eV，更优选地小于或等于0.2eV。
在一种实施方案中，本发明提供一种OLED，包括：a)阳极；b)阴极；c)位于阳极和阴极之间的发射层，发射层包括i)具有磷光掺杂剂HOMO能级、磷光掺杂剂LUMO能级、三重态能量和单重态能量的磷光掺杂剂；以及ii)具有发射层基质HOMO能级和发射层基质LUMO能级的发射层基质；以及d)位置与发射层相邻的传输层，传输层包括具有第一材料HOMO能级和第一材料LUMO能级的第一材料，其中电荷可以从至少一个第一材料能级热转移到发射层中的至少一个能级。
图3显示指定谐振注入的可能位置为ΔE1-4的能级图。虽然绘制ΔE1-4使得空穴可能从HTL HOMO向下移动至发射层并且电子可能从ETL LUMO向上移动至发射层，本发明包括电荷在任意方向上移动的OLED。也就是，ΔE1-4也包括空穴可能从HTL HOMO向上移动至发射层并且电子可能从ETL LUMO向下移动至发射层的OLED。图3-8不一定按比例绘制，并且表示能级位置仅帮助本发明的理解。
在一种实施方案中，如图3中所示，磷光掺杂剂的能级嵌套在发射层基质能级内。该构造减少非辐射重新结合。当发射掺杂剂的浓度太高从而导致三重态-三重态消失时，非辐射重新结合在OLED中发生。
在一种实施方案中，传输层是空穴传输层，并且空穴从空穴传输层谐振注入到发射层中。在一种实施方案中，谐振注入在ΔE1发生：定位能级使得空穴可以从第一材料HOMO热转移到发射层基质HOMO。在另一种实施方案中，谐振注入在ΔE2发生：空穴可以从第一材料HOMO热转移到磷光掺杂剂HOMO。该实施方案在图5中描绘。
在优选实施方案中，第一材料HOMO与发射层基质HOMO或磷光掺杂剂HOMO对齐。优选地，第一材料HOMO比发射层基质HOMO或磷光掺杂剂HOMO低大约0至大约0.2eV。这种构造允许空穴在能量方面有利的方向上跨越小能阶从传输层转移到发射层。
在又一种实施方案中，传输层还包括具有第二材料HOMO能级的第二材料，其中第二材料HOMO比第一材料HOMO低大约0至大约0.2eV。这种构造提供两个能阶。传输层可以进一步包含一系列这种能阶，如下面更详细描述的。
在另一种实施方案中，传输层是电子传输层，并且电子从电子传输层谐振注入到发射层中。在一种实施方案中，谐振注入在ΔE4发生：电子可以从第一材料LUMO热转移到发射层基质LUMO。参看例如图8。在另一种实施方案中，谐振注入在ΔE3发生：电子可以从第一材料LUMO热转移到磷光掺杂剂LUMO。该实施方案在图6中描绘。
在优选实施方案中，第一材料LUMO与发射层基质LUMO或磷光掺杂剂LUMO对齐。优选地，第一材料LUMO比发射层基质LUMO或磷光掺杂剂LUMO高大约0至大约0.2eV。这种构造允许电子在能量方面有利的方向上跨越小能阶从传输层转移到发射层。
在另一种实施方案中，传输层还包括具有第二材料LUMO能级的第二材料，其中第二材料LUMO比第一材料LUMO高大约0至大约0.2eV。这种构造提供两个能阶。传输层可以进一步包含一系列这种能阶，如下面更详细描述的。
在另一种实施方案中，电子和空穴都如上所述谐振注入到发射层中。
在一种实施方案中，本发明提供发射蓝光的器件。在优选实施方案中，磷光化合物在发射谱中具有小于大约500nm，优选地小于大约450nm的峰。实现蓝光发射特别具有挑战性，因为与红光或绿光相比较它需要更高的能量发射。在本发明的某些实施方案中，通过将电子直接转移到三重态中更容易实现蓝光发射。这样，提供电子进入发射层基质LUMO所需的另外能量不是必需的。因为电子不需要进入发射层基质LUMO，更广泛多种的基质材料可以用来实践本发明的该实施方案。
本发明也提供在传输层中具有一系列这种能阶的OLED。在该实施方案中，本发明提供一种有机发光器件，包括：a)阳极；b)阴极；c)位于阳极和阴极之间的发射层，发射层包括i)具有磷光掺杂剂HOMO能级、磷光掺杂剂LUMO能级、三重态能量和单重态能量的磷光掺杂剂；以及ii)具有发射层基质HOMO能级和发射层基质LUMO能级的发射层基质；以及d)位置与发射层相邻的传输层，传输层包括多种材料，每种材料具有HOMO能级和LUMO能级，其中多种材料中每种的至少一个能级一起形成通向发射层中至少一个能级的一系列能阶，其中该系列能阶中的每阶至多大约0.2eV。优选地，器件也包括大约等于三重态能量的能量间距，如上面详细描述的。
在一种实施方案中，传输层是空穴传输层，并且多种材料的HOMO能级形成通向发射层基质HOMO或磷光掺杂剂HOMO的一系列能阶，其中该系列能阶中的每阶至多大约0.2eV。
在一种实施方案中，传输层是电子传输层，并且多种材料的LUMO能级形成通向发射层基质LUMO或磷光掺杂剂LUMO的一系列能阶，其中该系列能阶中的每阶至多大约0.2eV。
在一种实施方案中，传输层包括与发射层相邻布置的子层，其中子层包括掺杂有多种材料中多于一种材料的混合物的传输层基质。参看例如图7A和8A。在一种实施方案中，传输层基质优选地以相等的份额掺杂有所有材料的混合物。在一种实施方案中，传输层包括多个相邻子层，每个子层包括掺杂有多种材料中单一材料的传输层基质。每个子层的传输层基质可以相同或不同。
在一种实施方案中，整个传输层掺杂有多种材料的一种或多种材料。作为选择，传输层可以包括a)未掺杂子层，其与b)包含多种材料的一种或多种材料的掺杂子层相邻布置，掺杂子层与c)发射层相邻布置。
在另一种实施方案中，传输层包括一个或多个无杂质层。在优选实施方案中，传输层包括多个无杂质层，每个无杂质层包括多种材料的一种材料以形成该系列能阶。参看例如图7B和8B。
在又一种实施方案中，本发明提供制造本发明的OLED的方法。
在一种实施方案中，本发明提供一种方法，包括：a)在衬底上沉积阳极；b)在阳极上沉积发射层，其中发射层包括i)具有磷光掺杂剂HOMO能级、磷光掺杂剂LUMO能级、三重态能量和单重态能量的磷光掺杂剂，以及ii)具有发射层基质HOMO能级和发射层基质LUMO能级的发射层基质；c)在发射层上沉积电子传输层，其中电子传输层包括具有电子传输材料LUMO能级的电子传输材料；以及d)在电子传输层上沉积阴极，其中i)电子传输材料LUMO或发射层基质LUMO与ii)磷光掺杂剂HOMO之间的能量间距至少大约等于磷光掺杂剂的三重态能量，并且比磷光掺杂剂的单重态能量低至少大约0.2eV。
电子传输层还可以包括多种材料，其中多种材料的LUMO能级形成通向发射层基质LUMO或磷光掺杂剂LUMO的一系列能阶，其中该系列能阶中的每阶至多大约0.2eV。
在另一种实施方案中，本发明提供一种方法，包括：a)在衬底上沉积阳极；b)在阳极上沉积空穴传输层，其中空穴传输层包括具有空穴传输HOMO能级的空穴传输材料；c)在空穴传输层上沉积发射层，其中发射层包括i)具有磷光掺杂剂HOMO能级、磷光掺杂剂LUMO能级、三重态能量和单重态能量的磷光掺杂剂，以及ii)具有发射层基质HOMO能级和发射层基质LUMO能级的发射层基质；以及d)在发射层上沉积阴极，其中i)空穴传输HOMO或发射层基质HOMO与ii)磷光掺杂剂LUMO之间的能量间距至少大约等于磷光掺杂剂的三重态能量，并且比磷光掺杂剂的单重态能量低至少大约0.2eV。
空穴传输层还可以包括多种材料，其中多种材料的HOMO能级形成通向发射层基质HOMO或磷光掺杂剂HOMO的一系列能阶，其中该系列能阶中的每阶至多大约0.2eV。
图9和10显示到三重激发态的直接注入可以发生而不经过单重态的能级图的实例。选择各种层中的各种材料的相对能级，使得不存在形成掺杂剂上的单重激发态的能量方面有利的方法。
图9显示到三重态的直接注入可以发生而不经过单重态的能级图，其中电子可以在三重态形成之前处于掺杂剂LUMO中。如果掺杂剂HOMO低于HTL HOMO，并且ΔE2至少为0.2eV，并且基质HOMO或者高于HTL HOMO或者比HTL HOMO低不多于0.1eV，则认为空穴将注入到基质HOMO中，并且空穴移动至掺杂剂HOMO将是不可能的。另外，如果基质LUMO高于ETLLUMO，并且ΔE4至少为0.2eV，则认为电子移动至基质LUMO中在能量方面将是不利的，并且代替地变成捕获在掺杂剂LUMO上和/或在掺杂剂LUMO上传输。结果，ETL中的电荷载流子将主要位于掺杂剂的LUMO中和基质的HOMO中。最后，如果ΔE5，基质HOMO与掺杂剂LUMO之间的差，其在图9的构造中也是EML中电子和空穴之间的能量间距，比掺杂剂的三重态能量低不多于O.1eV，并且ΔE5比掺杂剂的单重态能量低至少0.2eV，则发射层中电子和空穴之间的能差将是这样的，使得掺杂剂上的三重态形成，但是掺杂剂上的单重态形成在能量方面将是不利的，因为电子和空穴之间的能差比形成单重态所需的能量少太多。注意，这些条件通常将只有(但是不一定)当掺杂剂HOMO和LUMO没有“嵌套”在基质HOMO和LUMO中时发生。在图9的实例中，因为掺杂剂HOMO低于基质HOMO，不存在嵌套。
图10显示到三重态的直接注入可以发生而不经过单重态的能级图，其中空穴可以在三重态形成之前处于掺杂剂HOMO中。如果基质HOMO低于HTL HOMO，并且ΔE1至少为0.2eV，并且掺杂剂HOMO或者高于HTL HOMO或者比HTL HOMO低不多于0.1eV，则认为空穴将注入到掺杂剂HOMO中，并且空穴移动至基质HOMO将是不可能的。另外，如果掺杂剂LUMO高于ETLLUMO，并且ΔE3至少为0.2eV，则认为电子移动至掺杂剂LUMO中在能量方面将是不利的，并且代替地变成捕获在基质LUMO上和/或在基质LUMO上传输。结果，ETL中的电荷载流子将主要位于基质的LUMO中和掺杂剂的HOMO中。最后，如果ΔE6，基质LUMO与掺杂剂HOMO之间的差，其在图10的构造中也是EML中电子和空穴之间的能量间距，比掺杂剂的三重态能量低不多于0.1eV，并且ΔE6比掺杂剂的单重态能量低至少0.2eV，则发射层中电子和空穴之间的能差将是这样的，使得掺杂剂上的三重态形成，但是掺杂剂上的单重态形成在能量方面将是不利的，因为电子和空穴之间的能差比形成单重态所需的能量少太多。注意，这些条件通常将只有(但是不一定)当掺杂剂HOMO和LUMO没有“嵌套”在基质HOMO和LUMO中时发生。在图10的实例中，因为掺杂剂LUMO高于基质LUMO，不存在嵌套。
一般地说，为了避免单重态可以在掺杂剂上形成的构造，避免电荷载流子可以出现在掺杂剂HOMO和掺杂剂LUMO上的构造是优选的。这是因为掺杂剂的单重态能量通常以这种方式与掺杂剂的HOMO和LUMO之间的差相关，即单重态可以从掺杂剂的LUMO上的电子和HOMO上的空穴形成。掺杂剂HOMO和LUMO嵌套在基质HOMO和LUMO内的嵌套能级构造是不期望的，因为在这种构造中，具有基质或掺杂剂的LUMO上的电子和基质或掺杂剂的HOMO上的空穴的任何电子空穴对可以具有足够在掺杂剂上形成单重态的能级差。
图9和10说明实现到掺杂剂的三重激发态的直接注入而没有显著三重态形成的最优方法，因为三重态形成遍及EML是可能的。其他能级构造是可用的。例如，到三重激发态的注入可以从ETL的LUMO上的电子和EML中基质或掺杂剂上的空穴发生。这种构造可以用来实现三重态形成而避免单重激发态，但是可能较不优选，因为这种三重态形成将仅在EML/ETL分界面发生。类似地，到三重激发态的注入可以从HTL的HOMO上的空穴和EML中基质或掺杂剂的LUMO上的电子在HTL/EML分界面发生。
在本发明的方法中，多种材料可以同时共同沉积在例如单个掺杂层中。材料可以但不需要均匀地沉积。在另一种实施方案中，材料按照能级递增的次序顺序沉积。材料可以顺序地沉积为一系列掺杂层或一系列无杂质层。
应当理解，这里描述的各种实施方案仅作为实例，而不打算限制本发明的范围。例如，这里描述的许多材料和结构可以由其他材料和结构代替而不背离本发明的本质。而且，在一种实施方案的上下文中描述的特征不一定局限于该特定实施方案。本发明的实施方案可以利用这里描述的任何兼容特征。应当理解，关于本发明为何起作用的各种理论不打算是限制性的。例如，关于电荷转移的理论不打算是限制性的。
材料定义：
如这里使用的，缩写指下面的材料：
CBP：4，4′-N，N-二咔唑-联苯
m-MTDATA：4，4′，4″-三(3-甲基苯基苯胺)三苯胺
Alq3：8-三-羟基喹啉铝
Bphen：4，7，-联苯-1，10-菲咯啉
n-BPhen：n掺杂BPhen(掺杂有锂)
F4-TCNQ：四氟-四氰基-喹啉并二甲烷
p-MTDATA：p掺杂m-MTDATA(掺杂有F4-TCNQ)
Ir(ppy)3：三(2-苯基吡啶)-铱
Ir(ppz)3：三(1-苯基吡唑，N，C(2′)铱(III)
BCP：2，9-二甲基-4，7-联苯-1，10-菲咯啉
TAZ：3-苯基-4-(I′-萘基)-5-苯基-1，2，4-三唑
CuPc：酞菁铜
ITO：氧化铟锡
NPD：N，N′-联苯-N-N′-二(1-萘基)-联苯胺
TPD：N，N′-联苯-N-N′-二(3-toly)-联苯胺
BAlq：铝(III)二(2-甲基-8-羟基喹啉)-4-苯基苯酚
mCP：1，3-N，N-二咔唑-苯
DCM：4-(二氰基乙烯基)-6-(4-二甲基氨基苯乙烯基-2-甲基)-4H-
吡喃
DMQA：N，N′-二甲基喹吖啶酮
PEDOT:PSS：聚(3，4-二氧乙基噻吩)和聚对苯乙烯磺酸(PSS)的
水分散体
TCTA：4，4′，4″-三(咔唑-9-yl)三苯胺
虽然本发明关于特定实例和优选实施方案而描述，但是应当理解本发明并不局限于这些实例和实施方案。因此，要求保护的本发明包括来自这里描述的特定实例和优选实施方案的变化，如将对本领域技术人员显然的。

Claims (13)

1.一种有机发光器件，包括：
a)阳极；
b)阴极；
c)位于阳极和阴极之间的发射层，发射层包括
i)具有磷光掺杂剂HOMO能级、磷光掺杂剂LUMO能级、三重态能量和单重态能量的磷光掺杂剂；以及
ii)具有发射层基质HOMO能级和发射层基质LUMO能级的发射层基质；以及
d)位于发射层的一侧与发射层相邻的传输层，传输层包括多种材料，每种材料具有HOMO能级和LUMO能级，其中引入到发射层中的电子和空穴具有比在掺杂剂上形成单重态所需的能量低的能差，使得该能差对于掺杂剂上三重态的形成是足够的，而在能量方面不利于掺杂剂上单重态的形成，并且其中所述多种材料的每种的至少一个能级一起形成通向发射层中至少一个能级的一系列能阶，其中该系列能阶中的每阶至多0.2eV。
2.根据权利要求1的器件，其中发射层基质LUMO与磷光掺杂剂HOMO之间的能量间距比磷光掺杂剂的三重态能量低不多于0.1eV。
3.根据权利要求1的器件，其中发射层基质HOMO与磷光掺杂剂LUMO之间的能量间距比磷光掺杂剂的三重态能量低不多于0.1eV。
4.根据权利要求1的器件，其中传输层是电子传输层，并且其中所述多种材料的LUMO能级形成通向发射层基质LUMO或磷光掺杂剂LUMO的所述系列能阶，并且发射层基质LUMO与磷光掺杂剂HOMO之间或磷光掺杂剂LUMO与发射层基质HOMO之间的能量间距比磷光掺杂剂的三重态能量低不多于0.1eV。
5.根据权利要求1的器件，其中传输层是空穴传输层，并且其中所述多种材料的HOMO能级形成通向发射层基质HOMO或磷光掺杂剂HOMO的所述系列能阶，并且发射层基质HOMO与磷光掺杂剂LUMO之间或磷光掺杂剂HOMO与发射层基质LUMO之间的能量间距比磷光掺杂剂的三重态能量低不多于0.1eV。
6.根据权利要求1的器件，包括两个传输层：包括多种电子传输材料的电子传输层和包括多种空穴传输材料的空穴传输层，其中电子传输材料LUMO与空穴传输材料HOMO之间的能量间距比磷光掺杂剂的三重态能量低不多于0.1eV。
7.根据权利要求1-6的任何一个的器件，其中能量间距比磷光掺杂剂的单重态能量低至少0.2eV。
8.根据权利要求1-6的任何一个的器件，其中磷光掺杂剂在发射谱中具有小于500nm的峰。
9.根据权利要求7的器件，其中磷光掺杂剂在发射谱中具有小于500nm的峰。
10.一种制造有机发光器件的方法，包括：
a)在衬底上沉积阳极；
b)在阳极上沉积发射层，其中发射层包括
i)具有磷光掺杂剂HOMO能级、磷光掺杂剂LUMO能级、三重态能量和单重态能量的磷光掺杂剂，以及
ii)具有发射层基质HOMO能级和发射层基质LUMO能级的发射层基质；
c)在发射层上沉积电子传输层，其中电子传输层包括多种电子传输材料，每种材料具有电子传输材料LUMO能级；以及
d)在电子传输层上沉积阴极，
其中引入到发射层中的电子和空穴具有比在掺杂剂上形成单重态所需的能量低的能差，使得该能差对于掺杂剂上三重态的形成是足够的，而在能量方面不利于掺杂剂上单重态的形成，并且其中所述多种电子传输材料的每种的至少一个能级一起形成通向发射层中至少一个能级的一系列能阶，其中该系列能阶中的每阶至多0.2eV。
11.根据权利要求10的方法，其中电子传输材料LUMO和磷光掺杂剂HOMO具有至少等于磷光掺杂剂的三重态能量，并且比磷光掺杂剂的单重态能量低至少0.2eV的能量间距。
12.根据权利要求10的方法，其中发射层基质LUMO和磷光掺杂剂HOMO具有至少等于磷光掺杂剂的三重态能量，并且比磷光掺杂剂的单重态能量低至少0.2eV的能量间距。
13.一种有机发光器件，包括：
a)阳极；
b)阴极；
c)位于阳极和阴极之间的发射层，发射层包括
i)具有磷光掺杂剂HOMO能级、磷光掺杂剂LUMO能级、三重态能量和单重态能量的磷光掺杂剂；以及
ii)具有发射层基质HOMO能级和发射层基质LUMO能级的发射层基质；以及
d)在发射层的一侧并与发射层相邻的传输层，其中传输层包括多种材料，每种材料具有HOMO能级和LUMO能级，其中所述多种材料的每种的至少一个能级一起形成通向发射层中至少一个能级的一系列能阶，其中该系列能阶中的每阶至多0.2eV。
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Families Citing this family (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4412264B2 (ja) * 2005-09-12 2010-02-10 ソニー株式会社 表示装置および表示装置の製造方法
US8148891B2 (en) * 2005-10-04 2012-04-03 Universal Display Corporation Electron impeding layer for high efficiency phosphorescent OLEDs
US8008856B2 (en) * 2006-04-19 2011-08-30 Massachusetts Institute Of Technology Light emitting devices with agent to increase the fraction of excitons formed as a singlet
US7879401B2 (en) * 2006-12-22 2011-02-01 The Regents Of The University Of Michigan Organic vapor jet deposition using an exhaust
JP5300255B2 (ja) * 2007-02-07 2013-09-25 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 有機電界発光素子
US20080309217A1 (en) * 2007-05-18 2008-12-18 Mulder Carlijn L Organic light emitting devices
DE102008033563A1 (de) 2008-07-17 2010-01-21 Merck Patent Gmbh Komplexe mit kleinen Singulett-Triplett-Energie-Abständen zur Verwendung in opto-elektronischen Bauteilen (Singulett-Harvesting-Effekt)
JP5325707B2 (ja) * 2008-09-01 2013-10-23 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子
DE102008063589A1 (de) * 2008-10-07 2010-04-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierende Vorrichtung
KR100994118B1 (ko) * 2009-01-13 2010-11-15 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 소자 및 그 제조 방법
JP5550311B2 (ja) * 2009-11-10 2014-07-16 キヤノン株式会社 有機ｅｌ素子
JP4620802B1 (ja) * 2010-01-20 2011-01-26 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子
CN102201541B (zh) * 2010-03-23 2015-11-25 株式会社半导体能源研究所 发光元件、发光装置、电子设备及照明装置
TWI506121B (zh) 2010-03-31 2015-11-01 Semiconductor Energy Lab 發光元件，發光裝置，電子裝置以及照明裝置
JP2013201153A (ja) * 2010-06-08 2013-10-03 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2012033918A (ja) * 2010-07-08 2012-02-16 Mitsubishi Chemicals Corp 有機電界発光素子、有機電界発光デバイス、有機ｅｌ表示装置及び有機ｅｌ照明
WO2012013271A1 (de) 2010-07-30 2012-02-02 Merck Patent Gmbh Organische elektrolumineszenzvorrichtung
DE202012013752U1 (de) * 2011-02-16 2021-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lichtemittierendes Element
KR101429537B1 (ko) * 2011-07-11 2014-08-12 엘지디스플레이 주식회사 유기발광소자
KR101965014B1 (ko) * 2011-07-14 2019-04-02 유니버셜 디스플레이 코포레이션 Ｏｌｅｄ에서 무기 호스트
WO2013026515A1 (de) 2011-08-22 2013-02-28 Merck Patent Gmbh Organische elektrolumineszenzvorrichtung
KR101419810B1 (ko) * 2012-04-10 2014-07-15 서울대학교산학협력단 엑시플렉스를 형성하는 공동 호스트를 포함하는 유기 발광 소자
US9698386B2 (en) 2012-04-13 2017-07-04 Oti Lumionics Inc. Functionalization of a substrate
US8853070B2 (en) 2012-04-13 2014-10-07 Oti Lumionics Inc. Functionalization of a substrate
KR20220044854A (ko) 2012-04-20 2022-04-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
JP5959970B2 (ja) * 2012-07-20 2016-08-02 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR101960943B1 (ko) * 2012-11-28 2019-03-20 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102255202B1 (ko) * 2013-05-29 2021-05-25 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
WO2014194971A1 (de) * 2013-06-06 2014-12-11 Merck Patent Gmbh Organische elektrolumineszenzvorrichtung
KR102078296B1 (ko) * 2013-06-21 2020-02-18 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
JP2016529730A (ja) * 2013-08-29 2016-09-23 ザ・リージェンツ・オブ・ザ・ユニバーシティ・オブ・ミシガン 多数の溶液処理層を有する有機電子デバイス
US9385348B2 (en) 2013-08-29 2016-07-05 The Regents Of The University Of Michigan Organic electronic devices with multiple solution-processed layers
US9666822B2 (en) 2013-12-17 2017-05-30 The Regents Of The University Of Michigan Extended OLED operational lifetime through phosphorescent dopant profile management
JP6307993B2 (ja) * 2014-04-07 2018-04-11 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、及び、電子デバイス
KR102353647B1 (ko) * 2014-08-29 2022-01-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 표시 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
US20160248030A1 (en) * 2014-09-04 2016-08-25 Boe Technology Group Co., Ltd. Organic electroluminescent display deivce, a fabricating method thereof and a display device
WO2016072092A1 (en) 2014-11-05 2016-05-12 Okinawa Institute Of Science And Technology School Corporation Doping engineered hole transport layer for perovskite-based device
KR102376968B1 (ko) * 2014-11-17 2022-03-22 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
DE102015200699A1 (de) * 2015-01-19 2016-07-21 Siemens Aktiengesellschaft Aminophosphazen-Basen als n-Dotierstoffe in der organischen Elektronik
JP6839659B2 (ja) * 2015-06-29 2021-03-10 アイメック・ヴェーゼットウェーＩｍｅｃ Ｖｚｗ 有機層の高分解能パターニングのための方法
CN111354874B (zh) * 2015-09-30 2023-07-04 株式会社半导体能源研究所 发光元件、显示装置、电子设备及照明装置
DE112016005489T5 (de) * 2015-12-01 2018-08-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Licht emittierendes Element, Licht emittierende Vorrichtung, elektronisches Gerät und Beleuchtungsvorrichtung
KR102641614B1 (ko) * 2016-09-29 2024-02-27 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 및 이를 포함하는 유기발광 표시장치
WO2018150006A1 (en) 2017-02-20 2018-08-23 Novaled Gmbh Electronic semiconducting device, method for preparing the electronic semiconducting device and compound
KR102395782B1 (ko) 2017-07-31 2022-05-09 삼성전자주식회사 유기 발광 소자
US11289667B2 (en) * 2018-02-13 2022-03-29 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting device with high electron injection efficiency
JP7158945B2 (ja) * 2018-08-02 2022-10-24 キヤノン株式会社 白色有機ｅｌ素子
EP3975279B1 (en) 2018-10-15 2024-03-13 Samsung Display Co., Ltd. Organic electroluminescent device emitting blue light
JP2020184568A (ja) * 2019-05-07 2020-11-12 キヤノン株式会社 有機発光素子、それを有する表示装置、撮像装置、照明装置、移動体
KR102349278B1 (ko) 2019-09-03 2022-01-11 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR20210071572A (ko) * 2019-12-06 2021-06-16 엘지디스플레이 주식회사 백색 유기 발광 소자 및 이를 이용한 표시 장치
WO2021192158A1 (ja) * 2020-03-26 2021-09-30 シャープ株式会社 発光素子、表示デバイス
CN117158124A (zh) * 2021-04-01 2023-12-01 国立研究开发法人科学技术振兴机构 有机el元件

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1407837A (zh) * 2001-08-29 2003-04-02 Lg.飞利浦Lcd有限公司 有机电致发光器件及其制造方法

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4769292A (en) * 1987-03-02 1988-09-06 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with modified thin film luminescent zone
GB8909011D0 (en) * 1989-04-20 1989-06-07 Friend Richard H Electroluminescent devices
JP3249297B2 (ja) * 1994-07-14 2002-01-21 三洋電機株式会社 有機電界発光素子
US5703436A (en) * 1994-12-13 1997-12-30 The Trustees Of Princeton University Transparent contacts for organic devices
US5707745A (en) * 1994-12-13 1998-01-13 The Trustees Of Princeton University Multicolor organic light emitting devices
US6548956B2 (en) * 1994-12-13 2003-04-15 The Trustees Of Princeton University Transparent contacts for organic devices
US5844363A (en) * 1997-01-23 1998-12-01 The Trustees Of Princeton Univ. Vacuum deposited, non-polymeric flexible organic light emitting devices
BR9711155B1 (pt) * 1996-08-12 2009-05-05 dispositivo de emissão de luz orgánico flexìvel não-polimérico.
US6091195A (en) * 1997-02-03 2000-07-18 The Trustees Of Princeton University Displays having mesa pixel configuration
US6013982A (en) * 1996-12-23 2000-01-11 The Trustees Of Princeton University Multicolor display devices
US5834893A (en) * 1996-12-23 1998-11-10 The Trustees Of Princeton University High efficiency organic light emitting devices with light directing structures
US5925980A (en) * 1997-05-01 1999-07-20 Motorola, Inc. Organic electroluminescent device with graded region
US6303238B1 (en) * 1997-12-01 2001-10-16 The Trustees Of Princeton University OLEDs doped with phosphorescent compounds
US6337102B1 (en) * 1997-11-17 2002-01-08 The Trustees Of Princeton University Low pressure vapor phase deposition of organic thin films
US6087196A (en) * 1998-01-30 2000-07-11 The Trustees Of Princeton University Fabrication of organic semiconductor devices using ink jet printing
GB9805476D0 (en) 1998-03-13 1998-05-13 Cambridge Display Tech Ltd Electroluminescent devices
US6830828B2 (en) * 1998-09-14 2004-12-14 The Trustees Of Princeton University Organometallic complexes as phosphorescent emitters in organic LEDs
US6097147A (en) * 1998-09-14 2000-08-01 The Trustees Of Princeton University Structure for high efficiency electroluminescent device
GB9822963D0 (en) * 1998-10-20 1998-12-16 Agner Erik Improvements in or relating to chromatography
US6310360B1 (en) * 1999-07-21 2001-10-30 The Trustees Of Princeton University Intersystem crossing agents for efficient utilization of excitons in organic light emitting devices
US6294398B1 (en) * 1999-11-23 2001-09-25 The Trustees Of Princeton University Method for patterning devices
US6645645B1 (en) * 2000-05-30 2003-11-11 The Trustees Of Princeton University Phosphorescent organic light emitting devices
US6939624B2 (en) * 2000-08-11 2005-09-06 Universal Display Corporation Organometallic compounds and emission-shifting organic electrophosphorescence
US6573651B2 (en) * 2000-12-18 2003-06-03 The Trustees Of Princeton University Highly efficient OLEDs using doped ambipolar conductive molecular organic thin films
SG148030A1 (en) * 2000-12-28 2008-12-31 Semiconductor Energy Lab Luminescent device
US7294849B2 (en) 2001-03-14 2007-11-13 The Trustees Of Princeton University Materials and devices for blue phosphorescence based organic light emitting diodes
US7071615B2 (en) * 2001-08-20 2006-07-04 Universal Display Corporation Transparent electrodes
CN100511760C (zh) * 2001-08-29 2009-07-08 普林斯顿大学理事会 具有含金属配合物的载流子传输层的有机发光元件
US6835469B2 (en) 2001-10-17 2004-12-28 The University Of Southern California Phosphorescent compounds and devices comprising the same
JP4032783B2 (ja) * 2002-03-15 2008-01-16 株式会社デンソー 有機ｅｌ素子
US20030230980A1 (en) * 2002-06-18 2003-12-18 Forrest Stephen R Very low voltage, high efficiency phosphorescent oled in a p-i-n structure
US6835169B2 (en) * 2002-07-11 2004-12-28 Stephen K. Tamaribuchi Ergonomic handheld exercisers
US20040043140A1 (en) 2002-08-21 2004-03-04 Ramesh Jagannathan Solid state lighting using compressed fluid coatings
KR100624406B1 (ko) * 2002-12-30 2006-09-18 삼성에스디아이 주식회사 비페닐 유도체 및 이를 채용한 유기 전계 발광 소자
JP2004319456A (ja) * 2003-03-31 2004-11-11 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
US20040209116A1 (en) * 2003-04-21 2004-10-21 Xiaofan Ren Organic light emitting devices with wide gap host materials
TWI428053B (zh) * 2004-02-09 2014-02-21 Idemitsu Kosan Co Organic electroluminescent element
KR101249172B1 (ko) * 2004-07-30 2013-03-29 산요덴키가부시키가이샤 유기 일렉트로루미네센스 소자
JP4850521B2 (ja) * 2005-02-28 2012-01-11 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子
US8143613B2 (en) * 2007-11-27 2012-03-27 The Regents Of The University Of Michigan Organic light emitting device having multiple separate emissive layers

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1407837A (zh) * 2001-08-29 2003-04-02 Lg.飞利浦Lcd有限公司 有机电致发光器件及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20060279204A1 (en) 2006-12-14
WO2006105387A3 (en) 2007-06-21
WO2006105387A2 (en) 2006-10-05
JP2008535266A (ja) 2008-08-28
WO2006105387A8 (en) 2007-11-22
JP2016028459A (ja) 2016-02-25
KR101255871B1 (ko) 2013-04-17
US7683536B2 (en) 2010-03-23
EP1878068B1 (en) 2013-11-13
TW200644719A (en) 2006-12-16
KR20070114376A (ko) 2007-12-03
CN101156257A (zh) 2008-04-02
JP5883548B2 (ja) 2016-03-15
TWI452930B (zh) 2014-09-11
JP5662402B2 (ja) 2015-01-28
EP1878068A2 (en) 2008-01-16
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