JP7158945B2 - 白色有機el素子 - Google Patents
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- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 120
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 claims description 91
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 62
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 45
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 31
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 31
- -1 nitrogen-containing heterocyclic compound Chemical class 0.000 claims description 30
- 125000003914 fluoranthenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC=C4C1=C23)* 0.000 claims description 21
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 20
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 19
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 19
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 18
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 16
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims description 14
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 11
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 10
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 claims description 10
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 9
- HKMTVMBEALTRRR-UHFFFAOYSA-N Benzo[a]fluorene Chemical group C1=CC=CC2=C3CC4=CC=CC=C4C3=CC=C21 HKMTVMBEALTRRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 125000005578 chrysene group Chemical group 0.000 claims description 7
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 claims description 7
- 125000005580 triphenylene group Chemical group 0.000 claims description 7
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 4
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 claims description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 2
- 125000002029 aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 419
- 239000000463 material Substances 0.000 description 80
- 239000010408 film Substances 0.000 description 46
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 34
- 238000010893 electron trap Methods 0.000 description 29
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 description 21
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 17
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 12
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 12
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 7
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 150000005839 radical cations Chemical class 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthene Chemical compound C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N phenanthrene Chemical group C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 4
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 4
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 9-[4-(4-carbazol-9-ylphenyl)phenyl]carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000003775 Density Functional Theory Methods 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 239000002585 base Substances 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 238000004776 molecular orbital Methods 0.000 description 3
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KHNYNFUTFKJLDD-UHFFFAOYSA-N Benzo[j]fluoranthene Chemical group C1=CC(C=2C3=CC=CC=C3C=CC=22)=C3C2=CC=CC3=C1 KHNYNFUTFKJLDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004057 DFT-B3LYP calculation Methods 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical group C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005577 anthracene group Chemical group 0.000 description 2
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004219 molecular orbital method Methods 0.000 description 2
- 150000002790 naphthalenes Chemical class 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 125000003367 polycyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 125000005581 pyrene group Chemical group 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical class C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 238000005011 time of flight secondary ion mass spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical class [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910001148 Al-Li alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108091006149 Electron carriers Proteins 0.000 description 1
- 150000000918 Europium Chemical class 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Chemical class 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical class N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 1
- CKUAXEQHGKSLHN-UHFFFAOYSA-N [C].[N] Chemical compound [C].[N] CKUAXEQHGKSLHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NEIHULKJZQTQKJ-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Ag] Chemical compound [Cu].[Ag] NEIHULKJZQTQKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N [Li].[Al] Chemical compound [Li].[Al] JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 1
- 150000008360 acrylonitriles Chemical class 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N aluminum magnesium Chemical compound [Mg].[Al] SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 229940027991 antiseptic and disinfectant quinoline derivative Drugs 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 150000001572 beryllium Chemical class 0.000 description 1
- QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N butyl prop-2-enoate;methyl 2-methylprop-2-enoate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.COC(=O)C(C)=C.CCCCOC(=O)C=C QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 1
- 125000000609 carbazolyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 1
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 150000001846 chrysenes Chemical class 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 150000001893 coumarin derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 1
- 150000004826 dibenzofurans Chemical class 0.000 description 1
- IYYZUPMFVPLQIF-ALWQSETLSA-N dibenzothiophene Chemical class C1=CC=CC=2[34S]C3=C(C=21)C=CC=C3 IYYZUPMFVPLQIF-ALWQSETLSA-N 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000007323 disproportionation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- DNXDYHALMANNEJ-UHFFFAOYSA-N furan-2,3-dicarboxylic acid Chemical class OC(=O)C=1C=COC=1C(O)=O DNXDYHALMANNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 150000002503 iridium Chemical class 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005297 material degradation process Methods 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 1
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 150000007978 oxazole derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- 150000005041 phenanthrolines Chemical class 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 1
- 150000004986 phenylenediamines Chemical class 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003057 platinum Chemical class 0.000 description 1
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Chemical class 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 150000004033 porphyrin derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 150000003216 pyrazines Chemical class 0.000 description 1
- 150000003220 pyrenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000003248 quinolines Chemical class 0.000 description 1
- 150000003252 quinoxalines Chemical class 0.000 description 1
- 150000005838 radical anions Chemical class 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 150000003281 rhenium Chemical class 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003303 ruthenium Chemical class 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- BSWGGJHLVUUXTL-UHFFFAOYSA-N silver zinc Chemical compound [Zn].[Ag] BSWGGJHLVUUXTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 1
- 229940042055 systemic antimycotics triazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 150000003518 tetracenes Chemical class 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005259 triarylamine group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003918 triazines Chemical class 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Description
特許文献1には、タンデム構造を有する白色有機EL素子において、電子供給層を厚膜化することで、リーク電流を抑制し、発光効率の向上を図った白色有機EL素子が開示されている。
特許文献2には、電子供給層に含窒素複素環化合物を用い、さらにその膜厚を厚くして、キャリアバランスの調整を行う白色有機EL素子が開示されている。
また、特許文献2にて開示されている白色有機EL素子は、耐久特性が十分ではなかった。特許文献2の白色有機EL素子では、発光層に隣接する電子供給層に含窒素複素環化合物を有している。ここで、含窒素複素環化合物は、正孔を受けると不安定になり、劣化しやすい。このため、含窒素複素環化合物を発光層に隣接する電子供給層に用いた場合、有機EL素子の耐久特性の低下を招いてしまう。さらに、電子供給層に隣接する発光層の発光材料がアミン化合物である。このため、正孔トラップ性の発光層となるため、正孔ブロッキング層を形成する含窒素複素環化合物と正孔との相互作用を招きやすく、素子特性の低下が懸念される。
本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、電圧特性および耐久特性が改善された白色有機EL素子を提供するものである。
前記正孔ブロッキング層は、前記第一発光層と前記電子輸送層に隣接し、
前記第一発光層に、第一ホストと青色蛍光発光する第一ドーパントが含まれており、
前記第二発光層に、第二ホストと蛍光発光する第二ドーパントが含まれており、
前記第三発光層に、第三ホストと蛍光発光する第三ドーパントが含まれており、
前記第二ドーパントと前記第三ドーパントはそれぞれ異なる色を発光し、
前記正孔ブロッキング層は、炭化水素によって構成され、
前記電子輸送層は、含窒素複素環化合物によって構成され、
前記第一ホストと前記第一ドーパントとの間で、下記(a)の関係が成り立ち、
前記正孔ブロッキング層と前記電子輸送層との間で、下記(b)の関係及び下記(c)の関係が成り立つことを特徴とする。
また、本発明の白色有機EL素子は、少なくとも、陽極と、第二発光層と、第一発光層と、正孔ブロッキング層と、電子輸送層と、陰極とをこの順に備え、
前記正孔ブロッキング層は、前記第一発光層と前記電子輸送層に隣接し、
前記第一発光層に、第一ホストと青色蛍光発光する第一ドーパントが含まれており、
前記第二発光層に、第二ホストと蛍光発光する第二ドーパントと蛍光発光する第三ドーパントが含まれており、
前記第二ドーパントと前記第三ドーパントはそれぞれ異なる色を発光し、
前記正孔ブロッキング層は、炭化水素によって構成され、
前記電子輸送層は、含窒素複素環化合物によって構成され、
前記第一ホストと前記第一ドーパントとの間で、下記(a)の関係が成り立ち、
前記正孔ブロッキング層と前記電子輸送層との間で、下記(b)の関係及び下記(c)の関係が成り立つことを特徴とする。
(a)LUMO(H1)>LUMO(D1)
(b)0.1<d(ETL)/d(HBL)<0.7
(c)90nm≦d(E)=d(HBL)+d(ETL)<150nm
LUMO(H1):前記第一ホストのLUMOエネルギー
LUMO(D1):前記第一ドーパントのLUMOエネルギー
d(HBL):前記正孔ブロッキング層の膜厚
d(ETL):前記電子輸送層の膜厚
d(E):前記正孔ブロッキング層と前記電子輸送層からなる電子供給層の総膜厚
本発明の白色有機EL素子は、少なくとも、陽極と、青色発光層である第一発光層と、正孔ブロッキング層と、電子輸送層と、陰極とをこの順に備え、正孔ブロッキング層は、第一発光層と電子輸送層に隣接する。ここで、第一発光層に、第一ホストと青色蛍光発光する第一ドーパントが含まれており、第一ホストの最低空軌道準位(LUMO)のエネルギーが、第一ドーパントのLUMOエネルギーよりも大きい(真空準位に近い)。さらに、正孔ブロッキング層の膜厚が電子輸送層の膜厚よりも厚く、特定の厚みであることに特徴を有する。
(a)LUMO(H1)>LUMO(D1)
LUMO(H1):第一ホストのLUMOエネルギー
LUMO(D1):第一ドーパントのLUMOエネルギー
(b)0.1<d(ETL)/d(HBL)<0.7、好ましくは0.2≦d(ETL)/d(HBL)<0.5
(c)90nm≦d(E)=d(HBL)+d(ETL)<150nm、好ましくは100nm≦d(E)=d(HBL)+d(ETL)≦130nm
d(HBL):正孔ブロッキング層5の膜厚
d(ETL):電子輸送層6の膜厚
d(E):正孔ブロッキング層5と電子輸送層6からなる電子供給層の総膜厚
発光層中の電荷(正孔、電子)は、ホストとドーパントの準位間を行き来しながら、発光層内を移動する。言い換えれば、発光層中の電荷は、ホストあるいはドーパントにトラップされ、またはホストあるいはドーパントにデトラップすることを繰り返しながら、発光層内を移動する。このときに、ホストとドーパント間のHOMOあるいはLUMO間のエネルギー差が大きいほど電荷の移動度が低下する。より具体的には、ホストのLUMOエネルギーよりもドーパントのLUMOエネルギーが小さい(真空準位から遠い)場合、発光層に電子トラップ性が生じ、ドーパントのLUMOエネルギーが小さいほど、電子トラップ性が向上する。また、ホストのHOMOエネルギーよりも、ドーパントのHOMOエネルギーが大きい(真空準位に近い)場合、発光層に正孔トラップ性が生じる、
ここで、本発明においては、上記(a)の関係が成り立つ。すなわち、正孔ブロッキング層5側の第一発光層4aは電子トラップ性の発光層となり、発光層中の電子移動度が低下する。こうすることで、正孔ブロッキング層5から第一発光層4aへと注入された電子はトラップされ、再結合領域は正孔ブロッキング層5側に偏在することになる。
一方で、複数の発光層が積層した白色有機EL素子の場合、上記のように正孔ブロッキング層5側に再結合領域を偏在させた場合、正孔ブロッキング層5側の発光層のみが発光し、白色発光を得ることが難しくなることが考えられる。
加えて、本発明において、正孔ブロッキング層5は、炭化水素から構成される必要があることを見出した。本発明における正孔ブロッキング層5の役割としては、第一発光層4aへの電子の注入と輸送を担うことと、含窒素複素環化合物からなる電子輸送層6へと正孔が到達することを阻止することである。このため、第一発光層4aと正孔ブロッキング層5との間の界面に正孔を蓄積させることが求められる。すなわち、過剰なラジカルカチオン発生に耐え得る分子構造であることが必要であり、正孔ブロッキング層5の材料としては、化学的安定性の高い炭化水素が好ましいことを見出した。
電子輸送層6は、含窒素複素環化合物により構成される。含窒素複素環化合物は、窒素原子に共有電子対を有するため、電子注入層を有する場合には、電子注入層に用いられるアルカリ金属やアルカリ土類金属に対して、配位結合などの相互作用を起こすことができる。これにより、電子注入層と電子輸送層6周辺にいくつかのエネルギー準位を形成することができる。結果として、これらのエネルギー準位により、陰極7から電子注入が促進される。このような相互作用を誘起するため、電子輸送層6は含窒素複素環化合物により構成される。また、電子注入層との相互作用を十分に生じさせるために、電子輸送層6は10nm以上の膜厚があることが好ましい。
正孔ブロッキング層5と電子輸送層6との間で、上記(b)の関係及び上記(c)の関係が成り立つ。上述したように、正孔ブロッキング層5は、電子輸送層6へ到達する正孔を抑制し、また、励起子エネルギーの閉じ込めを担う役割を有する。(b)の関係及び(c)の関係を有することで、正孔ブロッキング層5の膜厚は十分に厚くなる。その結果として、第一発光層4aや第一発光層4aと正孔ブロッキング層5との界面で発生した励起子が、拡散により電子輸送層6への到達することを抑制することができる。なぜなら、有機化合物の場合、励起子拡散距離は10nm-20nm程度であるからである。
本発明の白色有機EL素子において、陽極2と、第一発光層4aとの間に、正孔輸送層3を含む正孔供給層を有し、正孔供給層と電子供給層との間で、下記(d)の関係が成り立つことが好ましい。
(d)2.0<d(E)/d(H)<6.0、より好ましくは3.5<d(E)/d(H)<6.0
d(E):電子供給層の総膜厚
d(H):正孔供給層の総膜厚
尚、正孔供給層の総膜厚d(H)は、正孔供給層が正孔注入層や電子ブロッキング層を有する場合は、正孔輸送層3とそれらの総膜厚である。
また、再結合域を陰極7側に偏在させる効果を高めるために、第一発光層4a以外の発光層も電子トラップ性であることが好ましい。例えば、図1(a)のように、陽極2と第一発光層4aとの間に、第二発光層4bおよび第三発光層4cを有する場合、これらの発光層においても電子トラップ性の発光層となることが好ましい。具体的には、第二発光層4bに含まれる第二ホストと第二ドーパントとの間で下記(e)の関係が成り立ち、第三発光層4cに含まれる第三ホストと第三ドーパントとの間で下記(f)の関係が成り立つことが好ましい。
(e)LUMO(H2)>LUMO(D2)
(f)LUMO(H3)>LUMO(D3)
LUMO(H2):第二ホストのLUMOエネルギー
LUMO(D2):第二ドーパントのLUMOエネルギー
LUMO(H3):第三ホストのLUMOエネルギー
LUMO(D3):第三ドーパントのLUMOエネルギー
(g)LUMO(H2)>LUMO(D2)
(h)LUMO(H2)>LUMO(D3)
LUMO(H2):第二ホストのLUMOエネルギー
LUMO(D2):第二ドーパントのLUMOエネルギー
LUMO(D3):第三ドーパントのLUMOエネルギー
また、正孔輸送層3の劣化を防ぐことのほかにも、電子トラップ性の発光層であることは耐久特性の改善に効果があることを説明する。
(i)LUMO(H2)-LUMO(D2)>HOMO(D2)-HOMO(H3)
(i)の関係にあることで、第二発光層4bの正孔トラップ性を低下させ、電子トラップ性を向上させることができる。
さらに、図2の第一発光層4aにあるように、下記(j)の関係にあることが好ましい。
(j)HOMO(H1)>HOMO(D1)
(j)の関係にあることで、正孔トラップ性をさらに低下させ、相対的に電子トラップ性を高めることができる。結果として、電子密度を高めることで、再結合確率を増やし、結果的に正孔密度を低下させることができる。さらに、第一発光層4aの正孔トラップ性を低減させることで、正孔ブロッキング層5へと到達する正孔が増加する。これによって、再結合領域を陰極側に偏在にさせることができる。
また、本発明において、ホストとして用いられる化合物は特に限定されないが、分子構造内に結合安定性の低い結合を有しない化合物の方が好ましい。分子構造内に結合安定性の低い結合、すなわち、結合エネルギーの小さい不安定な結合を有する化合物は、発光層にホストとして含ませた場合、素子駆動時に化合物の駆動劣化が起こりやすく、またEL素子の耐久寿命に悪影響を及ぼす可能性が高いからである。
そこで、本発明において、ドーパントとして用いられる化合物は特に限定されないが、上記の電子トラップ性の観点から、電子求引性の構造であるフルオランテン骨格を有することが好ましい。フルオランテン骨格を有することで、LUMOエネルギーが小さく(真空準位から遠く)なるからである。これにより、ホスト材料とのLUMOエネルギーの差が大きくなり、電子トラップ性を向上させることができる。さらに電子供与性の置換アミノ基を有さないほうが好ましい。置換アミノ基を有する場合、LUMOエネルギーが大きくなり(真空準位に近くなり)、電子トラップ性が低下するからである。
さらに、ドーパントがフルオランテン骨格を有する化合物である場合、正孔ブロッキング層の材料のT1エネルギーは、その化合物よりも高いことが好ましく、フルオランテンより高いことがより好ましい。ここで、正孔ブロッキング層を構成する化合物は、ベンゼン環、ナフタレン環、フルオレン環、ベンゾフルオレン環、フェナンスレン環、クリセン環、トリフェニレン環から選ばれる芳香族炭化水素環により分子構造が構成される芳香族炭化水素であることが好ましい。なぜならば、表1に示すように、これらの芳香族炭化水素環はフルオランテン環よりも高いT1エネルギーを有する。尚、表1のT1エネルギーの計算は、B3LYP/は6-31G*を用いて行った。
本実施形態に係る有機EL素子は、一対の電極と、前記一対の電極の間に配置される有機化合物層とを有する有機電界素子である。そして、有機化合物層は、青色発光層である第一発光層4a/正孔ブロッキング層5/電子輸送層6からなる積層構成を有する。
(1)陽極/正孔輸送層/第二発光層/第一発光層/正孔ブロッキング層/電子輸送層/陰極
(2)陽極/正孔輸送層/第二発光層/第一発光層/正孔ブロッキング層/電子輸送層/電子注入層/陰極
(3)陽極/正孔輸送層/第三発光層/第二発光層/第一発光層/正孔ブロッキング層/電子輸送層/電子注入層/陰極
(4)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/第二発光層/第一発光層/正孔ブロッキング層/電子輸送層/電子注入層/陰極
(5)陽極/正孔輸送層/電子ブロッキング層/第二発光層/第一発光層/正孔ブロッキング層/電子輸送層/電子注入層/陰極
(6)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/電子ブロッキング層/第二発光層/第一発光層/正孔ブロッキング層/電子輸送層/電子注入層/陰極
ただしこれらの素子構成例はあくまでごく基本的な素子構成であり、本発明に係る有機EL素子の構成はこれらに限定されるものではない。また、上記素子構成の中では、電子注入層を有している構成(2)から(6)が好ましく、電子ブロッキング層及び正孔ブロッキング層を共に有している構成(6)がより好ましく用いられる。構成(6)では正孔と電子の両キャリアを発光層内に閉じ込めることができるので、キャリア漏れがなく発光効率が高いEL素子を得ることができる。また、電極と有機化合物層界面に絶縁性層を設ける、接着層あるいは干渉層を設ける、電子輸送層もしくは正孔輸送層がイオン化ポテンシャルの異なる二層から構成される、発光層が発光材料の異なる二層から構成されるなど多様な層構成をとることができる。
本実施形態に係る白色有機EL素子は、表示装置や照明装置の構成部材として用いることができる。他にも、電子写真方式の画像形成装置の露光光源や液晶表示装置のバックライト、白色光源にカラーフィルターを有する発光装置等の用途がある。カラーフィルターは例えば赤、緑、青の3つの色のいずれかが透過するフィルターが挙げられる。
図3は、本実施形態に係る表示装置の一例を表す断面模式図であり、有機EL素子とこの有機EL素子に接続されるTFT素子とを有する表示装置の例を示す図である。TFT素子は、能動素子の一例である。本実施形態に係る表示装置は、赤色、緑色、青色を有するカラーフィルタを有してよい。カラーフィルタは、当該赤色、緑色、青色がデルタ配列で配置されてよい。
本実施形態に係る表示装置は、複数のレンズを有する光学部と、当該光学部を通過した光を受光する撮像素子とを有する撮像装置の表示部に用いられてよい。撮像装置は、撮像素子が取得した情報を表示する表示部を有してよい。また、表示部は、撮像装置の外部に露出した表示部であっても、ファインダ内に配置された表示部であってもよい。撮像装置は、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラであってよい。
本実施形態に係る表示装置は、携帯端末等の電子機器の表示部に用いられてもよい。その際には、表示機能と操作機能との双方を有してもよい。携帯端末としては、スマートフォン等の携帯電話、タブレット、ヘッドマウントディスプレイ等が挙げられる。
図8は、本実施形態に係る照明装置の一例を表す模式図である。照明装置1400は、筐体1401と、光源1402と、回路基板1403と、光学フィルタ1404と、光拡散部1405と、を有してよい。光源1402は、本実施形態に係る有機EL素子を有してよい。光学フィルタ1404は光源1402の演色性を向上させるフィルタであってよい。光拡散部1405は、ライトアップ等、光源1402の光を効果的に拡散し、広い範囲に光を届けることができる。必要に応じて、最外部にカバーを設けてもよい。
本実施形態に係る移動体は、機体と、機体に設けられている灯具を有する。図12は、本実施形態に係る移動体の一例を表す模式図であり、車両用灯具の一例であるテールランプを有する自動車を示す図である。機体としての自動車1500は、テールランプ1501を有し、ブレーキ操作等を行った際に、テールランプ1501を点灯する形態であってよい。テールランプ1501は、本実施形態に係る有機EL素子を有してよい。テールランプ1501は、有機EL素子を保護する保護部材を有してよい。保護部材はある程度高い強度を有し、透明であれば材料は問わないが、ポリカーボネート等で構成されることが好ましい。ポリカーボネートにフランジカルボン酸誘導体、アクリロニトリル誘導体等を混ぜてよい。自動車1500は、車体1503、それに取り付けられている窓1502を有してよい。窓1502は、自動車1500の前後を確認するための窓でなければ、透明なディスプレイであってもよい。当該透明なディスプレイは、本実施形態に係る有機EL素子を有してよい。この場合、有機EL素子が有する電極等の構成材料は透明な部材で構成される。
下記に示す方法で、ホストおよびドーパントの評価を行った。結果を表2に示す。
アルミ基板上に膜厚30nmの薄膜を形成し、この薄膜について、AC-3(理研計器社製)を用いて測定した。
石英基板上に膜厚30nmの薄膜を形成し、この薄膜について、分光光度計(V-560 日本分光社製)を用い、被測定材料の光学バンドギャップ(吸収端)を求めた。その光学バンドギャップ値と前述のHOMO値の和をLUMOとした。結果を表2に示す。さらに、表2において、分子軌道計算より求めた計算値を示す。実測値との比較から、HOMOおよびLUMOのエネルギーには相関性があることが分かる。よって本実施例においては、計算値から求めたHOMOおよびLUMOエネルギーの数値を用いて素子結果を考察する。
ガラス基板上にITOを成膜し、所望のパターニング加工を施すことによりITO電極(陽極)を形成した。この時、ITO電極の膜厚を100nmとした。続いて、真空蒸着装置(アルバック社製)に洗浄済みの電極までを形成した基板と材料を取り付け、1.3×10-4Pa(1×10-6Torr)以下まで排気した後、UV/オゾン洗浄を施した。その後、抵抗加熱による真空蒸着を行って、表3に示される層構成で各層の製膜を行った。尚、正孔ブロッキング層の膜厚d(HBL)および電子輸送層の膜厚d(ETL)は表4に示される厚さとした。また、対向する電極(陽極、陰極)の電極面積が3mm2となるようにした。その後、基板をグローブボックスに移し、窒素雰囲気中で乾燥剤を入れたガラスキャップにより封止し、白色有機EL素子を得た。
100mA/cm2における電圧を測定し、駆動電圧を評価した。測定には、ヒューレッドパッカード社製・微小電流計4140Bを用いた。
初期輝度2000cd/m2での連続駆動試験を行い、100時間経過後の輝度の劣化率を測定した。発光輝度は、トプコン社製BM7で測定した。尚、測定は、ガラスキャップ封止方向から行った。
ガラス基板上に、スパッタリング法でTiを40nm成膜し、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングし、陽極を形成した。続いて、実施例1と同様にして、表5に示される層構成(d(HBL)、d(ETL)は表6に示される厚さ)で各層の製膜を行った。その後、実施例1と同様にして白色有機EL素子を得た。得られた白色有機EL素子について、実施例1と同様の評価に加え、下記特性を評価した。結果を表6に示す。
電流密度1.0mA/cm2の低電流駆動における色度を、トプコン製「SR-3」を用いて測定した。
実施例3において、発光層の材料を表7に示される化合物に変更し、正孔ブロッキング層の材料をHB6に変更し、正孔ブロッキング層の膜厚を表8に示される膜厚に変更する以外は、実施例3と同様にして、白色有機EL素子を作製した。ただし、比較例15乃至17においては、第三発光層、第二発光層、第一発光層の膜厚をそれぞれ10nmずつにし、発光層の合計膜厚が実施例12乃至17と同膜厚になるようにした。また、比較例15乃至17のそれぞれの発光層における濃度は、質量比でホスト:ドーパント=99.5:0.5となるようにした。
Claims (19)
- 少なくとも、陽極と、第三発光層と、第二発光層と、第一発光層と、正孔ブロッキング層と、電子輸送層と、陰極とをこの順に備え、
前記正孔ブロッキング層は、前記第一発光層と前記電子輸送層に隣接し、
前記第一発光層に、第一ホストと青色蛍光発光する第一ドーパントが含まれており、
前記第二発光層に、第二ホストと蛍光発光する第二ドーパントが含まれており、
前記第三発光層に、第三ホストと蛍光発光する第三ドーパントが含まれており、
前記第二ドーパントと前記第三ドーパントはそれぞれ異なる色を発光し、
前記正孔ブロッキング層は、炭化水素によって構成され、
前記電子輸送層は、含窒素複素環化合物によって構成され、
前記第一ホストと前記第一ドーパントとの間で、下記(a)の関係が成り立ち、
前記正孔ブロッキング層と前記電子輸送層との間で、下記(b)の関係及び下記(c)の関係が成り立つことを特徴とする白色有機EL素子。
(a)LUMO(H1)>LUMO(D1)
(b)0.1<d(ETL)/d(HBL)<0.7
(c)90nm≦d(E)=d(HBL)+d(ETL)<150nm
LUMO(H1):前記第一ホストのLUMOエネルギー
LUMO(D1):前記第一ドーパントのLUMOエネルギー
d(HBL):前記正孔ブロッキング層の膜厚
d(ETL):前記電子輸送層の膜厚
d(E):前記正孔ブロッキング層と前記電子輸送層からなる電子供給層の総膜厚 - 前記第二ホストと前記第二ドーパントとの間で下記(e)の関係が成り立ち、前記第三ホストと前記第三ドーパントとの間で下記(f)の関係が成り立つことを特徴とする請求項1に記載の白色有機EL素子。
(e)LUMO(H2)>LUMO(D2)
(f)LUMO(H3)>LUMO(D3)
LUMO(H2):前記第二ホストのLUMOエネルギー
LUMO(D2):前記第二ドーパントのLUMOエネルギー
LUMO(H3):前記第三ホストのLUMOエネルギー
LUMO(D3):前記第三ドーパントのLUMOエネルギー - 前記第一ホスト、前記第二ホスト、または前記第三ホストは、炭化水素であることを特徴とする請求項2に記載の白色有機EL素子。
- 少なくとも、陽極と、第二発光層と、第一発光層と、正孔ブロッキング層と、電子輸送層と、陰極とをこの順に備え、
前記正孔ブロッキング層は、前記第一発光層と前記電子輸送層に隣接し、
前記第一発光層に、第一ホストと青色蛍光発光する第一ドーパントが含まれており、
前記第二発光層に、第二ホストと蛍光発光する第二ドーパントと蛍光発光する第三ドーパントが含まれており、
前記第二ドーパントと前記第三ドーパントはそれぞれ異なる色を発光し、
前記正孔ブロッキング層は、炭化水素によって構成され、
前記電子輸送層は、含窒素複素環化合物によって構成され、
前記第一ホストと前記第一ドーパントとの間で、下記(a)の関係が成り立ち、
前記正孔ブロッキング層と前記電子輸送層との間で、下記(b)の関係及び下記(c)の関係が成り立つことを特徴とする白色有機EL素子。
(a)LUMO(H1)>LUMO(D1)
(b)0.1<d(ETL)/d(HBL)<0.7
(c)90nm≦d(E)=d(HBL)+d(ETL)<150nm
LUMO(H1):前記第一ホストのLUMOエネルギー
LUMO(D1):前記第一ドーパントのLUMOエネルギー
d(HBL):前記正孔ブロッキング層の膜厚
d(ETL):前記電子輸送層の膜厚
d(E):前記正孔ブロッキング層と前記電子輸送層からなる電子供給層の総膜厚 - 前記第二ホストと前記第二ドーパントとの間で下記(g)の関係が成り立ち、前記第二ホストと前記第三ドーパントとの間で下記(h)の関係が成り立つことを特徴とする請求項4に記載の白色有機EL素子。
(g)LUMO(H2)>LUMO(D2)
(h)LUMO(H2)>LUMO(D3)
LUMO(H2):前記第二ホストのLUMOエネルギー
LUMO(D2):前記第二ドーパントのLUMOエネルギー
LUMO(D3):前記第三ドーパントのLUMOエネルギー - 前記第一ホストまたは前記第二ホストは、炭化水素であることを特徴とする請求項5に記載の白色有機EL素子。
- 前記正孔ブロッキング層は、芳香族炭化水素によって構成されることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の白色有機EL素子。
- 前記芳香族炭化水素は、ベンゼン環、ナフタレン環、フルオレン環、ベンゾフルオレン環、フェナンナンスレン環、クリセン環及びトリフェニレン環から選ばれる芳香族炭化水素環により分子構造が構成されることを特徴とする請求項7に記載の白色有機EL素子。
- 前記芳香族炭化水素は、炭素原子数1以上12以下のアルキル基を有することを特徴とする請求項7または8に記載の白色有機EL素子。
- 前記陽極と、最も陽極側の発光層との間に、正孔輸送層を含む正孔供給層を有し、前記正孔供給層と前記電子供給層との間で、下記(d)の関係が成りたつことを特徴とする請求項1乃至9のいずれか一項に記載の白色有機EL素子。
(d)2.0<d(E)/d(H)<6.0
d(E):前記電子供給層の総膜厚
d(H):前記正孔供給層の総膜厚 - 前記第一ドーパント、前記第二ドーパントまたは前記第三ドーパントは、フルオランテン骨格を有する化合物であることを特徴とする請求項1乃至10のいずれか一項に記載の白色有機EL素子。
- 前記陰極と、前記電子輸送層との間に、電子注入層を有することを特徴とする請求項1乃至11のいずれか一項に記載の白色有機EL素子。
- 前記電子注入層は、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を含有することを特徴とする請求項12に記載の白色有機EL素子。
- 前記(b)の関係は、下記(b’)の関係であることを特徴とする請求項1乃至13のいずれか一項に記載の白色有機EL素子。
(b’)0.2≦d(ETL)/d(HBL)<0.7 - 複数の画素を有し、前記画素の少なくとも一つは、請求項1乃至14のいずれか一項に記載の白色有機EL素子と、前記白色有機EL素子に接続されている能動素子とを有することを特徴とする表示装置。
- 複数のレンズを有する光学部と、前記光学部を通過した光を受光する撮像素子と、表示部と、を有し、
前記表示部は、前記撮像素子が取得した情報を表示する表示部であり、前記表示部は請求項15に記載の表示装置を有することを特徴とする撮像装置。 - 筐体と、外部と通信する通信部と、表示部とを有し、
前記表示部は請求項15に記載の表示装置であることを特徴とする電子機器。 - 光源と、光拡散部または光学フィルタと、を有する照明装置であって、
前記光源は、請求項1乃至14のいずれか一項に記載の白色有機EL素子を有することを特徴とする照明装置。 - 機体と、前記機体に設けられている灯具を有し、
前記灯具は、請求項1乃至14のいずれか一項に記載の白色有機EL素子を有することを特徴とする移動体。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018145705A JP7158945B2 (ja) | 2018-08-02 | 2018-08-02 | 白色有機el素子 |
US16/523,798 US10790465B2 (en) | 2018-08-02 | 2019-07-26 | White organic EL element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018145705A JP7158945B2 (ja) | 2018-08-02 | 2018-08-02 | 白色有機el素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020021862A JP2020021862A (ja) | 2020-02-06 |
JP7158945B2 true JP7158945B2 (ja) | 2022-10-24 |
Family
ID=69229020
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018145705A Active JP7158945B2 (ja) | 2018-08-02 | 2018-08-02 | 白色有機el素子 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10790465B2 (ja) |
JP (1) | JP7158945B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109585668B (zh) * | 2019-01-10 | 2021-01-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示器件、显示面板、oled显示器件的制备方法 |
WO2021201176A1 (ja) * | 2020-04-01 | 2021-10-07 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、化合物及び電子機器 |
CN111554821B (zh) * | 2020-05-14 | 2023-10-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机电致发光器件、显示面板及显示装置 |
CN113563600B (zh) * | 2021-08-15 | 2022-06-14 | 福州大学 | 一种单组分白光特性的金属有机框架材料 |
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JP2011216640A (ja) | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Canon Inc | 有機発光素子 |
JP2012142383A (ja) | 2010-12-28 | 2012-07-26 | Tdk Corp | 有機el素子 |
JP2014022205A (ja) | 2012-07-19 | 2014-02-03 | Canon Inc | 白色有機el素子、それを用いた照明装置及び表示装置 |
JP2016111134A (ja) | 2014-12-04 | 2016-06-20 | ソニー株式会社 | 有機el素子および表示装置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7683536B2 (en) * | 2005-03-31 | 2010-03-23 | The Trustees Of Princeton University | OLEDs utilizing direct injection to the triplet state |
JP5550311B2 (ja) * | 2009-11-10 | 2014-07-16 | キヤノン株式会社 | 有機el素子 |
US8860013B2 (en) * | 2009-11-27 | 2014-10-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Organic electroluminescence element, manufacturing method thereof, and organic electroluminescence display device |
JP4620802B1 (ja) * | 2010-01-20 | 2011-01-26 | 富士フイルム株式会社 | 有機電界発光素子 |
JP2012204793A (ja) | 2011-03-28 | 2012-10-22 | Sony Corp | 有機電界発光素子および表示装置 |
JP5783853B2 (ja) * | 2011-08-31 | 2015-09-24 | キヤノン株式会社 | 表示装置 |
JP5854706B2 (ja) * | 2011-08-31 | 2016-02-09 | キヤノン株式会社 | 表示装置 |
-
2018
- 2018-08-02 JP JP2018145705A patent/JP7158945B2/ja active Active
-
2019
- 2019-07-26 US US16/523,798 patent/US10790465B2/en active Active
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---|---|---|---|---|
WO2009123277A1 (ja) | 2008-04-03 | 2009-10-08 | ソニー株式会社 | 有機電界発光素子および表示装置 |
JP2011102285A (ja) | 2009-03-16 | 2011-05-26 | Canon Inc | 新規クリセン化合物及びこれを有する有機発光素子 |
JP2011216640A (ja) | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Canon Inc | 有機発光素子 |
JP2012142383A (ja) | 2010-12-28 | 2012-07-26 | Tdk Corp | 有機el素子 |
JP2014022205A (ja) | 2012-07-19 | 2014-02-03 | Canon Inc | 白色有機el素子、それを用いた照明装置及び表示装置 |
JP2016111134A (ja) | 2014-12-04 | 2016-06-20 | ソニー株式会社 | 有機el素子および表示装置 |
US20170271609A1 (en) | 2014-12-04 | 2017-09-21 | Sony Corporation | Organic el device and display unit |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2020021862A (ja) | 2020-02-06 |
US20200044175A1 (en) | 2020-02-06 |
US10790465B2 (en) | 2020-09-29 |
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Date | Code | Title | Description |
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R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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