WO2012124593A1 - 蒸着粒子射出装置および蒸着装置 - Google Patents

蒸着粒子射出装置および蒸着装置 Download PDF

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WO2012124593A1
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vapor deposition
rate
particle generation
deposition particle
injection
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PCT/JP2012/055941
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通 園田
伸一 川戸
井上　智
智志 橋本
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シャープ株式会社
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    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering

Definitions

  • the present invention relates to a vapor deposition particle injection device and a vapor deposition device including the vapor deposition particle injection device as a vapor deposition source.
  • flat panel displays have been used in various products and fields, and further flat panel displays are required to have larger sizes, higher image quality, and lower power consumption.
  • an organic EL display device including an organic EL element using electroluminescence (electroluminescence; hereinafter referred to as “EL”) of an organic material is an all-solid-state type, driven at a low voltage and has a high-speed response.
  • EL electroluminescence
  • the organic EL display device has, for example, a configuration in which an organic EL element connected to a TFT is provided on a substrate made of a glass substrate or the like provided with a TFT (thin film transistor).
  • the organic EL element is a light emitting element that can emit light with high luminance by low-voltage direct current drive, and has a structure in which a first electrode, an organic EL layer, and a second electrode are stacked in this order. Of these, the first electrode is connected to the TFT.
  • the organic EL layer a hole injection layer, a hole transport layer, an electron blocking layer, a light emitting layer, a hole blocking layer, an electron transport layer, an electron injection layer
  • a hole injection layer a hole injection layer, a hole transport layer, an electron blocking layer, a light emitting layer, a hole blocking layer, an electron transport layer, an electron injection layer
  • a full-color organic EL display device is generally formed by arranging organic EL elements of red (R), green (G), and blue (B) as sub-pixels on a substrate, and using TFTs. Image display is performed by selectively emitting light from these organic EL elements with a desired luminance.
  • the organic EL element in the light emitting portion of such an organic EL display device is generally formed by stacking organic films.
  • a light emitting layer made of an organic light emitting material that emits light of each color is formed in a predetermined pattern for each organic EL element that is a light emitting element.
  • an inkjet method, a laser transfer method, or the like can be applied in addition to a vapor deposition method using a mask called a shadow mask.
  • a shadow mask For film formation of a predetermined pattern by stacked vapor deposition, for example, an inkjet method, a laser transfer method, or the like can be applied in addition to a vapor deposition method using a mask called a shadow mask.
  • a vacuum deposition method using a mask called a shadow mask it is most common to use a vacuum deposition method using a mask called a shadow mask.
  • a vapor deposition source for evaporating or sublimating the vapor deposition material is disposed in a vacuum chamber capable of maintaining the inside in a reduced pressure state. To evaporate or sublimate the deposition material.
  • a vapor deposition particle injection device in which a vapor deposition material is accommodated in a heating container called a crucible is used as a vapor deposition source (for example, Patent Document 1).
  • FIG. 15 is a diagram schematically showing again the vapor deposition particle injection apparatus provided in the vapor deposition apparatus described in Patent Document 1.
  • FIG. 15 is a diagram illustrating FIG. 7 of Patent Document 1 so that it can be easily compared with FIG. 1 that is an explanatory diagram of the present invention.
  • the vapor deposition particle injection apparatus includes, as a vapor deposition source, a vapor deposition particle injection portion in which a plurality of nozzles are provided in a line shape for injecting vapor deposition particles, and vapor deposition particles generated with respect to the vapor deposition particle injection portion.
  • the vapor deposition particle generator generates gaseous vapor deposition particles by heating the vapor deposition material with a heater.
  • the vapor deposition particles generated in the vapor deposition particle generation unit are guided from the single part A to B of the vapor deposition particle injection unit, and are ejected from the nozzle to the outside.
  • vapor deposition particles are vapor-deposited and deposited on the deposition target substrate through an opening (not shown) of the deposition mask in which only a desired region is opened.
  • a vapor deposition film can be formed in the region.
  • Japanese Patent Publication Japanese Patent Laid-Open No. 2010-13731 (published on January 21, 2010)
  • heating of the vapor deposition material is performed by a heater provided on the outer circumferential surface of the holder covering the outer circumference of the crucible containing the vapor deposition material, as described in Patent Document 1.
  • a heater provided on the outer circumferential surface of the holder covering the outer circumference of the crucible containing the vapor deposition material, as described in Patent Document 1.
  • FIG. 2 is an explanatory diagram of the present invention.
  • the vapor deposition material 114 in the crucible 113 accommodated in the holder 111 is heated by the heater 112 provided on the outer periphery of the holder 111, heat is transmitted from the inner wall of the crucible 113 to the vapor deposition material 114.
  • the vapor deposition material 114 that is not in contact with the inner wall of the crucible 113 is heated by the heat conduction of the material itself.
  • the temperature rise of the material depends on the thermal conductivity of the material, and since the thermal conductivity of the organic material is generally low, it takes time to increase the temperature uniformly.
  • the temperature drop needs to be gradually cooled in order to prevent the holder 111 containing the crucible 113 from being distorted or causing bumping of the vapor deposition material 114 due to rapid cooling.
  • the crucible 113 and the holder 111 are easily heated by the heater 112, but only the vapor deposition material 114 that is in contact with the inner wall is directly heated, and the portion that is not in contact is heated by the heat conduction of the material itself. Moreover, although it heats also with the thermal radiation from the crucible 113 or the holder 111, it is not enough to heat the vapor deposition material 114 whole in a short time.
  • the slope of the rate setting period (temperature rise period) is gentle, and it takes time to reach the deposition rate stable period (vapor deposition). The rate cannot be changed quickly.
  • the present invention has been made in view of the above-described problems, and the object thereof is to achieve a target vapor deposition rate even if the vapor deposition rate generator is changed or the vapor deposition particle generator is stopped for replenishment of the vapor deposition material. It is an object of the present invention to provide a vapor deposition particle injection apparatus that can quickly reach the above.
  • a vapor deposition particle injection device is connected to a plurality of vapor deposition particle sources that generate vapor deposition particles by heating a vapor deposition material, and the plurality of vapor deposition particle generation sources.
  • An injection container having an injection port for injecting the vapor deposition particles generated from each vapor deposition particle generation source to the outside, and generating a flow rate of vapor deposition particles flowing from each vapor deposition particle generation source to the injection container
  • the time required to reach the target vapor deposition rate in at least one vapor deposition particle generation source among the vapor deposition particle generation sources is the target vapor deposition in the remaining vapor deposition particle generation sources. It is characterized by being shorter than the time to reach the rate.
  • the time required to reach the target vapor deposition rate in at least one vapor deposition particle generation source among the plurality of vapor deposition particle generation sources becomes the target vapor deposition rate in the remaining vapor deposition particle generation sources. Therefore, when changing the deposition rate, first the deposition rate is reached by the deposition particle source that has the shortest time to reach the target deposition rate, so the deposition rate can be switched quickly. There is an effect that can be done.
  • the vapor deposition material is heated to generate gaseous vapor deposition particles, and the vapor deposition particles are connected to the plurality of vapor deposition particle generation sources.
  • An injection container having an injection port for injecting the vapor deposition particles generated from the source to the outside, and the flow rate of the vapor deposition particles flowing from the respective vapor deposition particle generation sources to the injection container is defined as the vapor deposition rate of the vapor deposition particle generation source.
  • FIG. 1 It is a figure which shows the outline of the whole vapor deposition apparatus provided with the vapor deposition particle injection apparatus which concerns on one embodiment of this invention.
  • FIG. 1 It is a schematic block diagram of the vapor deposition particle generation part which comprises the vapor deposition particle injection apparatus shown in FIG.
  • FIG. 1 It is a schematic block diagram of the vapor deposition control apparatus for performing vapor deposition control in the vapor deposition particle injection apparatus shown in FIG.
  • FIG. 1 It is sectional drawing which shows schematic structure of the organic electroluminescent display apparatus of RGB full color display. It is sectional drawing of the TFT substrate in an organic electroluminescence display.
  • (A) is a graph for demonstrating shortening of the change time of a vapor deposition rate
  • (b) is a graph for demonstrating time shortening until a vapor deposition rate is stabilized.
  • FIG. 11 It is a flowchart which shows the flow of the vapor deposition control processing performed with the vapor deposition control apparatus shown in FIG. 11 is a graph showing a time profile of a vapor deposition rate of vapor deposition particle generators 110a to 110d in the vapor deposition particle injection apparatus shown in FIG. It is a figure which shows the outline of the whole vapor deposition apparatus provided with the vapor deposition particle injection apparatus which concerns on other embodiment of this invention. It is a figure which shows the outline of the whole vapor deposition apparatus provided with the vapor deposition particle injection apparatus comprised with only one general vapor deposition particle generation part. It is a graph which shows the time profile of the vapor deposition rate in a vapor deposition particle generation part.
  • FIG. 1 is a diagram showing an outline of the entire vapor deposition apparatus according to the present embodiment.
  • the vapor deposition apparatus has a configuration in which a vapor deposition particle injection device 501 is provided as a vapor deposition source in a vacuum chamber 500 as shown in FIG.
  • the vapor deposition particle injection device 501 includes two vapor deposition particle generation units (vapor deposition particle generation sources) 110 and 120 and a nozzle unit (injection container) 170 having a plurality of injection ports 171.
  • the two vapor-deposited particle generation units 110 and 120 and the nozzle unit 170 are connected by pipes (connection paths) 115, 125, and 130.
  • a vapor deposition mask 300 and a film formation substrate (film formation object) 200 are disposed above the inside of the vacuum chamber 500 so as to face the nozzle portion 170 of the vapor deposition particle injection device 501.
  • the vacuum chamber 500 is provided with a vacuum pump (not shown) that evacuates the vacuum chamber 500 via an exhaust port (not shown) provided in the vacuum chamber 500 in order to keep the vacuum chamber 500 in a vacuum state during vapor deposition. It has been.
  • the average free path of the vapor-deposited particles can provide a necessary and sufficient value when the degree of vacuum is higher than 1.0 ⁇ 10 ⁇ 3 Pa.
  • the degree of vacuum is lower than 1.0 ⁇ 10 ⁇ 3 Pa, the mean free path is shortened, so that the vapor deposition particles are scattered, so that the arrival efficiency to the deposition target substrate 200 is reduced, and the collimating component Or less.
  • the vacuum chamber 500 is set to a vacuum arrival rate of 1.0 ⁇ 10 ⁇ 4 Pa or more by a vacuum pump.
  • the vapor deposition materials 114 and 124 are heated by the heaters (heating members) 112 and 122 provided in the two vapor deposition particle generation units 110 and 120 to evaporate (when the vapor deposition material is a liquid material) or By sublimating (when the vapor deposition material is a solid material), gaseous vapor deposition particles are generated.
  • the vapor deposition particles generated by the vapor deposition particle generation units 110 and 120 are guided to the nozzle unit 170 through the pipes 115, 125, and 130 connected to the vapor deposition particle generation units 110 and 120, respectively, and then mixed. From the injection ports 171 arranged in a line shape, the liquid is injected to the outside toward the film formation substrate 200.
  • the vapor deposition particles injected to the outside from the vapor deposition particle injection device 501 adhere to the deposition target substrate 200 through the vapor deposition mask 300. Thereby, a vapor deposition film is formed on the surface of the deposition target substrate 200. At this time, vapor deposition particles adhere to the deposition target substrate 200 through the vapor deposition mask 300, whereby a pattern of the vapor deposition film is formed.
  • the evaporation mask 300 has a size corresponding to the deposition target substrate 200 (for example, the same size in plan view), and is fixed to the deposition target surface 201 of the deposition target substrate 200 (not illustrated). A case where the contact is fixed by means will be described as an example.
  • the vapor deposition mask 300 may be provided separately from the deposition target substrate 200, and may have a size smaller than the deposition target region of the deposition target substrate 200.
  • the vapor deposition mask 300 can be omitted.
  • the vapor deposition mask 300 can be selectively provided, and may be one of the components constituting the vapor deposition apparatus as an accessory of the vapor deposition apparatus, or it may not be.
  • the film formation substrate 200 is in a direction perpendicular to the paper surface (the injection port 171). Are moved (scanned) in the direction orthogonal to the direction of the alignment of the two.
  • the deposition target substrate 200 is fixed, and the vapor deposition particle injection device 501 is moved in a direction orthogonal to the direction in which the injection ports 171 are arranged to perform the scan vapor deposition.
  • the vapor deposition mask 300 has an opening 301 (through hole) formed in a desired position and shape, and only vapor deposition particles passing through the vapor deposition mask 300 reach the deposition target substrate 200 to form a vapor deposition film pattern.
  • a mask (open mask) having an opening 301 for each pixel is used.
  • a mask (open mask) having an entire display area is used.
  • An example of forming each pixel is a light emitting layer, and an example of forming it on the entire display region is a hole transport layer.
  • the vapor deposition particle generators 110 and 120 are provided with pipes 115 and 125 for deriving the generated vapor deposition particles, respectively. These pipes 115 and 125 are integrally connected to the pipe 130 connected to the nozzle part 170. As a result, the vapor deposition particles generated in the vapor deposition particle generation units 110 and 120 pass through the pipes 115 and 125, merge in the pipe 130, and are guided to the nozzle unit 170.
  • the pipes 115, 125, and 130 function as connection paths that connect the vapor-deposited particle generation units 110 and 120 and the nozzle unit 170.
  • the pipe 115 is provided with an individual rate monitor 140 for monitoring the vapor deposition flow rate (amount of vapor deposition particles) in the vapor deposition particle generator 110, and the pipe 125 is provided with a vapor deposition flow rate (amount of vapor deposition particles) in the vapor deposition particle generator 120. ) Is provided.
  • the flow rate of the vapor deposition particles flowing from the vapor deposition particle generation units 110 and 120 to the nozzle unit 170 is set as the vapor deposition rate of the vapor deposition particle generation units 110 and 120.
  • the individual rate monitor 140 measures the amount of vapor deposition particles (vapor deposition flow rate) discharged from the discharge hole 111 a (FIG. 2) of the vapor deposition particle generation unit 110 and flowing in the pipe 115 as the vapor deposition rate of the vapor deposition particle generation unit 110. It is supposed to be.
  • the individual rate monitor 150 measures the amount of vapor deposition particles (vapor deposition flow rate) discharged from the discharge hole 121a (FIG. 2) of the vapor deposition particle generation unit 120 and flowing in the pipe 125 as the vapor deposition rate of the vapor deposition particle generation unit 120. It is supposed to be.
  • the vapor deposition apparatus has a comprehensive rate monitor 160 for monitoring a comprehensive vapor deposition flow rate (amount of vapor deposition particles).
  • the total rate monitor 160 measures the amount (deposition flow rate) of the vapor deposition particles injected from the injection port 171 to the deposition target substrate 200 as the vapor deposition rate of the vapor deposition particle injection device 501.
  • the vapor deposition flow rate supplied from the individual vapor deposition particle generators 110 and 120 is measured in real time by the individual rate monitors 140 and 150 provided individually.
  • the total deposition flow rate (corresponding to the amount deposited on the substrate) is also measured by the total rate monitor 160.
  • the heating amount of each vapor deposition particle generator 110, 120 is individually controlled. Details of this control will be described later.
  • FIG. 2 is a diagram showing an outline of the overall configuration of the vapor deposition particle generators 110 and 120.
  • the vapor deposition particle generator 110 includes a holder 111, a heater 112 provided on the outer peripheral surface of the holder 111, and a crucible 113 provided in the holder 111 and containing a vapor deposition material 114. It has a structure.
  • the holder 111 which is a housing accommodates and holds the crucible 113 therein.
  • the holder 111 is formed in, for example, a cylindrical shape or a rectangular tube shape. On the top wall of the holder 111, a discharge hole 111a for injecting the vaporized vapor deposition material to the outside is provided.
  • a heater 112 is provided around the holder 111.
  • the heater 112 is configured by winding a high-resistance wiring such as a nichrome wire around the outer peripheral surface of the holder 111, and heats the holder 111 from the outer peripheral surface side.
  • heating means other than the heater 112
  • electromagnetic induction or the like can be used as a heating means other than the heater 112
  • the crucible 113 is a heating container that houses (stores) the vapor deposition material and heats it.
  • the crucible 113 may be a conventional crucible made of, for example, graphite, PBN (Pyrolytic Boron Nitride), metal, etc., which has been used for a conventional vapor deposition source.
  • the holder 111 and the crucible 113 are made of a material having good thermal conductivity because heat from the heater 112 provided outside the holder 111 can be efficiently conducted.
  • the vapor deposition material 114 in the crucible 113 evaporates or sublimates to become gas (vapor deposition particles).
  • the crucible 113 is used as a vapor deposition particle generator that generates gaseous vapor deposition particles.
  • the crucible 113 is provided at the bottom of the holder 111, and the upper surface of the crucible 113 is opened.
  • the vaporized vapor deposition material passes from the discharge hole 111a of the holder 111 through the pipe 115, further through the pipe 130, and is sent to the nozzle unit 170.
  • the vapor deposition material is supplied to the deposition target substrate 200 from the injection port 171 provided in the nozzle unit 170. It is injected towards.
  • the vapor deposition particle generation unit 120 includes a holder 121, a heater 122 provided on the outer peripheral surface of the holder 121, a crucible 123 provided in the holder 121 and containing a vapor deposition material 124. It has a structure with.
  • the heater 122 is configured by winding a high resistance wire such as a nichrome wire around the outer peripheral surface of the holder 121, and heats the holder 121 from the outer peripheral surface side.
  • the vapor deposition material 124 accommodated in the crucible 123 is heated by the heater 122 provided on the outer peripheral surface of the holder 121.
  • a discharge hole 121a for injecting vapor deposition particles generated by heating the vapor deposition material 124 is formed in the upper part of the holder 121.
  • a pipe 125 for guiding the vapor deposition particles to the injection port 171 side is formed in the discharge hole 121a.
  • the pipe 115 and the pipe 125 are connected to the pipe 130 as described above.
  • the vapor deposition particles generated from the vapor deposition particle generation unit 110 and the vapor deposition particle generation unit 120 flow through the pipe 115 and the pipe 125, merge in the pipe 130, and are guided to the nozzle unit 170.
  • the basic configuration of the vapor deposition particle generators 110 and 120 is the same.
  • the amount of the vapor deposition material differs between the vapor deposition particle generation units 110 and 120. That is, the amount of the vapor deposition material 124 in the vapor deposition particle generation unit 120 is smaller than the amount of the vapor deposition material 114 in the vapor deposition particle generation unit 110.
  • the amount of the vapor deposition material is small, heat is easily transmitted to the entire vapor deposition material, so that it is easy to reach a desired vapor deposition rate. That is, the smaller the amount of vapor deposition material accommodated, the shorter the time required to reach a desired vapor deposition rate.
  • FIG. 3 is a control block diagram of the vapor deposition particle injection device 501 for executing vapor deposition control.
  • the vapor deposition particle injection device 501 serves as a control unit in vapor deposition control, a vapor deposition rate control unit 100 that performs main control, and a heater control that controls supply of drive current to the heater 112 of the vapor deposition particle generation unit 110.
  • Part 101 and heater control part 102 which controls supply of drive current to heater 122 of vapor deposition particle generation part 120.
  • the vapor deposition rate control unit 100 includes data (monitor result) from the individual rate monitor 140 that monitors the vapor deposition rate in the vapor deposition particle generation unit 110, and an individual rate monitor 150 that monitors the vapor deposition rate in the vapor deposition particle generation unit 120.
  • Data (detection result) from the vapor deposition material remaining amount detection unit 103 to be detected and data (set vapor deposition rate) input from the operation unit 104 are input, and based on these input data, the heater control unit 101 and A control instruction signal for the heater control unit 102 is output.
  • the data (monitor result) from the individual rate monitor 140 is, for example, a value obtained by measuring the vapor deposition flow rate in the vapor deposition particle generating unit 110, and the vapor deposition rate control unit 100 receives the data from the individual rate monitor 140.
  • the data and the data from the operation unit 104 (set vapor deposition rate) are compared, and it is determined whether or not the vapor deposition rate in the vapor deposition particle generating unit 110 has reached a desired vapor deposition rate (set vapor deposition rate). To do.
  • the data (monitor result) from the individual rate monitor 150 is, for example, a value obtained by measuring the vapor deposition flow rate in the vapor deposition particle generation unit 120, and the vapor deposition rate control unit 100 uses the individual rate monitor. 150 is compared with data from the operation unit 104 (set vapor deposition rate), whether or not the vapor deposition rate in the vapor deposition particle generating unit 120 reaches a desired vapor deposition rate (set vapor deposition rate). Determine whether.
  • the vapor deposition rate control unit 100 is obtained by the above measurement. The measured value is compared with data from the operation unit 104 (set vapor deposition rate), and it is determined whether or not the measured value has reached a desired vapor deposition rate (set vapor deposition rate).
  • the vapor deposition rate control unit 100 determines whether to stop driving the vapor deposition particle generation unit 110 or the vapor deposition particle generation unit 120 (generation of vapor deposition particles) according to the detection result from the vapor deposition material remaining amount detection unit 103. to decide.
  • FIG. 4 is a flowchart showing the flow of the vapor deposition control process in the vapor deposition rate control unit 100.
  • the vapor deposition rate of the vapor deposition particle injection device 501 is set (S1).
  • the vapor deposition rate control unit 100 sets the vapor deposition rate by receiving the vapor deposition rate setting information from the operation unit 104.
  • the heater 112 and the heater 122 are driven (S2).
  • the vapor deposition rate control unit 100 sets the heater 112 of the vapor deposition particle generation unit 110 and the heater 122 of the vapor deposition particle generation unit 120 to the heater control unit 101 and the heater control unit 102 so that the set vapor deposition rate is obtained.
  • a drive signal for driving is sent.
  • the heater control unit 101 and the heater control unit 102 to which the drive signal is sent control the heaters 112 and 122 so as to supply a drive current to drive the heaters 112 and 122, respectively.
  • the vapor deposition rate control unit 100 confirms the detection result from the vapor deposition material remaining amount detection unit 103, and determines whether or not the remaining amount of the vapor deposition material in the vapor deposition particle generation units 120 and 110 is the predetermined amounts X12 and X11. Judging.
  • the heater control unit 101 stops the heater 112 and the heater control unit 102 also stops the heater 122 to perform the vapor deposition process.
  • the vapor deposition rate control unit 100 sends an instruction signal for stopping the current supplied to the heaters 112 and 122 to the heater control units 101 and 102 from the signal indicating the vapor deposition processing stop received from the operation unit 104. . Thereby, the drive of the vapor deposition particle generation parts 110 and 120 stops.
  • the predetermined amounts X12 and X11 are amounts that make it impossible to control the vapor deposition rate by the vapor deposition particle generator 120 and the vapor deposition particle generator 110, and the predetermined amounts X12 and X11 are amounts that the vapor deposition cannot be continued.
  • the vapor deposition material is less than these predetermined amounts X12 and X11, the crucibles 123 and 113 of the vapor deposition particle generators 120 and 110 become empty and may cause a failure.
  • the process proceeds to S6 and whether or not the vapor deposition rate in the vapor deposition apparatus has reached the vapor deposition rate set in S1. Judging. That is, in S6, the vapor deposition rate control unit 100 determines whether or not the set vapor deposition rate has been reached from the data (monitor result) of the comprehensive rate monitor 160.
  • the process proceeds to S7 to determine whether there are vapor deposition particles from the vapor deposition particle generation unit 120. That is, in S ⁇ b> 7, the vapor deposition rate control unit 100 determines the contribution of vapor deposition particles from the vapor deposition particle generation unit 120 from the data (monitor result) of the individual rate monitor 150. If the vapor deposition rate on the individual rate monitor 150 is 0, the heater control unit 102 stops the heater 122 (S8).
  • the drive of the vapor deposition particle generation unit 120 is stopped, and the drive is switched to the drive of only the vapor deposition particle generation unit 110.
  • the deposition rate on the individual rate monitor 150 is not 0 in S7, the process proceeds to S9.
  • the vapor deposition rate control unit 100 determines whether or not the vapor deposition rate has been changed. That is, the vapor deposition rate control unit 100 monitors whether or not there is a change in the vapor deposition rate in a state where the vapor deposition processing by the vapor deposition particle generating units 120 to 110 is performed stably.
  • the vapor deposition rate control unit 100 When the vapor deposition rate control unit 100 receives a signal indicating that the vapor deposition rate change has been instructed during monitoring whether or not there is a vapor deposition rate change in S9, the vapor deposition rate control unit 100 proceeds to S1 to change the vapor deposition rate. The subsequent deposition rate is set, and the processes from S2 to S9 are performed.
  • the deposition rate control unit 100 proceeds to S10 and determines whether or not an instruction to stop the deposition process has been received (S10).
  • the vapor deposition rate control unit 100 sends an instruction signal for stopping the current supplied to the heaters 112 and 122 to the heater control units 101 and 102 from the signal indicating the vapor deposition processing stop received from the operation unit 104. . Thereby, the drive of the vapor deposition particle generation parts 110 and 120 stops.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of the organic EL display device 1 for RGB full-color display.
  • the organic EL display device 1 manufactured in the present embodiment includes an organic EL element 20 connected to the TFT 12 and an adhesive layer on the TFT substrate 10 provided with the TFT 12 (see FIG. 6). 30 and the sealing substrate 40 have the structure provided in this order.
  • the organic EL element 20 includes a pair of substrates (TFT substrates) by bonding the TFT substrate 10 on which the organic EL element 20 is laminated to a sealing substrate 40 using an adhesive layer 30. 10 and the sealing substrate 40).
  • TFT substrates substrates
  • the organic EL element 20 is sealed between the TFT substrate 10 and the sealing substrate 40 in this way, so that oxygen or moisture can enter the organic EL element 20 from the outside. It is prevented.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of the organic EL element 20 constituting the display unit of the organic EL display device 1.
  • the TFT substrate 10 has a configuration in which a TFT 12 (switching element) and wiring 14, an interlayer insulating film 13, an edge cover 15 and the like are formed on a transparent insulating substrate 11 such as a glass substrate. ing.
  • the organic EL display device 1 is a full-color active matrix type organic EL display device.
  • red (R), green (G), blue On the insulating substrate 11, red (R), green (G), blue ( The pixels 2R, 2G, and 2B of the respective colors including the organic EL elements 20 of the respective colors B) are arranged in a matrix.
  • the TFTs 12 are provided corresponding to the respective pixels 2R, 2G, and 2B.
  • the structure of the TFT is conventionally well known. Therefore, illustration and description of each layer in the TFT 12 are omitted.
  • the interlayer insulating film 13 is laminated over the entire area of the insulating substrate 11 on the insulating substrate 11 so as to cover each TFT 12 and the wiring 14.
  • the first electrode 21 in the organic EL element 20 is formed on the interlayer insulating film 13.
  • the interlayer insulating film 13 is provided with a contact hole 13 a for electrically connecting the first electrode 21 in the organic EL element 20 to the TFT 12. Thereby, the TFT 12 is electrically connected to the organic EL element 20 through the contact hole 13a.
  • the edge cover 15 prevents the first electrode 21 and the second electrode 26 in the organic EL element 20 from being short-circuited when the organic EL layer becomes thin or the electric field concentration occurs at the end of the first electrode 21.
  • This is an insulating layer.
  • the edge cover 15 is formed on the interlayer insulating film 13 so as to cover the end of the first electrode 21.
  • the first electrode 21 is exposed at a portion where the edge cover 15 is not provided as shown in FIG. This exposed portion becomes the light emitting portion of each pixel 2R, 2G, 2B.
  • each of the pixels 2R, 2G, and 2B is partitioned by the edge cover 15 having an insulating property.
  • the edge cover 15 also functions as an element isolation film.
  • insulating substrate 11 for example, non-alkali glass or plastic can be used.
  • alkali-free glass having a thickness of 0.7 mm is used.
  • the interlayer insulating film 13 and the edge cover 15 a known photosensitive resin can be used.
  • the photosensitive resin include acrylic resin and polyimide resin.
  • the TFT 12 is manufactured by a known method.
  • the active matrix organic EL display device 1 in which the TFT 12 is formed in each of the pixels 2R, 2G, and 2B is taken as an example.
  • the present embodiment is not limited to this, and the present invention can also be applied to the manufacture of a passive matrix organic EL display device in which TFTs are not formed.
  • the organic EL element 20 is a light emitting element that can emit light with high luminance by low voltage direct current drive, and a first electrode 21, an organic EL layer, and a second electrode 26 are laminated in this order.
  • the first electrode 21 is a layer having a function of injecting (supplying) holes into the organic EL layer. As described above, the first electrode 21 is connected to the TFT 12 via the contact hole 13a.
  • the electron transport layer 24, and the electron injection layer 25 have the structure formed in this order.
  • a carrier blocking layer for blocking the flow of carriers such as holes and electrons may be inserted as necessary.
  • One layer may have a plurality of functions. For example, one layer serving as both a hole injection layer and a hole transport layer may be formed.
  • the stacking order is that in which the first electrode 21 is an anode and the second electrode 26 is a cathode.
  • the stacking order of the organic EL layers is reversed.
  • the hole injection layer is a layer having a function of increasing the efficiency of hole injection from the first electrode 121 to the organic EL layer.
  • the hole transport layer is a layer having a function of improving the efficiency of transporting holes to the light emitting layers 23R, 23G, and 23B.
  • the hole injection layer / hole transport layer 22 is uniformly formed on the entire display region of the TFT substrate 10 so as to cover the first electrode 21 and the edge cover 15.
  • the hole injection layer / hole transport layer 22 in which the hole injection layer and the hole transport layer are integrated is provided as the hole injection layer and the hole transport layer. ing.
  • this embodiment is not limited to this, and the hole injection layer and the hole transport layer may be formed as independent layers.
  • light emitting layers 23R, 23G, and 23B are formed corresponding to the pixels 2R, 2G, and 2B, respectively.
  • the light emitting layers 23R, 23G, and 23B are layers having a function of emitting light by recombining holes injected from the first electrode 21 side and electrons injected from the second electrode 26 side.
  • the light emitting layers 23R, 23G, and 23B are each formed of a material having high light emission efficiency, such as a low molecular fluorescent dye or a metal complex.
  • the electron transport layer 24 is a layer having a function of increasing the efficiency of transporting electrons to the light emitting layer.
  • the electron injection layer 25 is a layer having a function of increasing the electron injection efficiency from the second electrode 26 to the organic EL layer.
  • the electron transport layer 24 is formed on the light emitting layer 23R / 23G / 23B and the hole injection layer / hole transport layer 22 so as to cover the light emitting layer 23R / 23G / 23B and the hole injection layer / hole transport layer 22.
  • the TFT substrate 10 is formed uniformly over the entire display area.
  • the electron injection layer 25 is uniformly formed on the entire surface of the display region of the TFT substrate 10 on the electron transport layer 24 so as to cover the electron transport layer 24.
  • the electron transport layer 24 and the electron injection layer 25 may be formed as independent layers as described above, or may be provided integrally with each other. That is, the organic EL display device 1 may include an electron transport layer / electron injection layer instead of the electron transport layer 24 and the electron injection layer 25.
  • the second electrode 26 is a layer having a function of injecting electrons into the organic EL layer composed of the organic layers as described above.
  • the second electrode 26 is uniformly formed on the entire surface of the display region of the TFT substrate 10 on the electron injection layer 25 so as to cover the electron injection layer 25.
  • organic layers other than the light emitting layers 23R, 23G, and 23B are not essential layers as the organic EL layer, and may be appropriately formed according to the required characteristics of the organic EL element 20.
  • one layer may have a plurality of functions.
  • a carrier blocking layer can be added to the organic EL layer as necessary.
  • a carrier blocking layer as a carrier blocking layer between the light emitting layers 23R, 23G, and 23B and the electron transport layer 24, the holes are prevented from falling out to the electron transport layer 24, and the light emission efficiency is improved. can do.
  • layers other than the first electrode 21 (anode), the second electrode 26 (cathode), and the light emitting layers 23R, 23G, and 23B may be inserted as appropriate.
  • the first electrode 21 is formed by patterning corresponding to the individual pixels 2R, 2G, and 2B by photolithography and etching after an electrode material is formed by sputtering or the like.
  • the first electrode 21 various conductive materials can be used. However, in the case of a bottom emission type organic EL element that emits light toward the insulating substrate 11, it needs to be transparent or translucent.
  • the second electrode 26 needs to be transparent or translucent.
  • Examples of the conductive film material used for the first electrode 21 and the second electrode 26 include ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), and gallium-doped zinc oxide (A transparent conductive material such as GZO) or a metal material such as gold (Au), nickel (Ni), or platinum (Pt) can be used.
  • ITO Indium Tin Oxide
  • IZO Indium Zinc Oxide
  • a transparent conductive material such as GZO
  • a metal material such as gold (Au), nickel (Ni), or platinum (Pt) can be used.
  • a sputtering method a vacuum vapor deposition method, a CVD (chemical vapor deposition) method, a plasma CVD method, a printing method, or the like can be used.
  • a vapor deposition apparatus according to this embodiment to be described later may be used for the lamination of the first electrode 21.
  • Each of the light emitting layers 23R, 23G, and 23B may be a single material, or a mixed material in which a certain material is used as a host material and another material is mixed as a guest material or a dopant. .
  • Examples of the material of the hole injection layer, the hole transport layer, or the hole injection layer / hole transport layer 22 include anthracene, azatriphenylene, fluorenone, hydrazone, stilbene, triphenylene, benzine, styrylamine, triphenylamine, and porphyrin. , Triazole, imidazole, oxadiazole, oxazole, polyarylalkane, phenylenediamine, arylamine, and derivatives thereof, thiophene compounds, polysilane compounds, vinylcarbazole compounds, aniline compounds, etc. Examples thereof include conjugated monomers, oligomers, and polymers.
  • a material having high light emission efficiency such as a low molecular fluorescent dye or a metal complex is used.
  • a material having high light emission efficiency such as a low molecular fluorescent dye or a metal complex.
  • Examples of the material of the electron transport layer 24, the electron injection layer 25, or the electron transport layer / electron injection layer include tris (8-quinolinolato) aluminum complex, oxadiazole derivative, triazole derivative, phenylquinoxaline derivative, silole derivative and the like. Can be mentioned.
  • the TFT substrate 10 is used as a film formation substrate (film formation object), an organic light emitting material is used as a vapor deposition material, and the first electrode 21 is formed on the film formation substrate.
  • an organic EL layer is formed as a vapor deposition film using a vacuum vapor deposition method will be described as an example.
  • Pixels 2R, 2G, and 2B are arranged in a matrix.
  • each color of cyan (C), magenta (M), and yellow (Y) is used instead of the light emitting layers 23R, 23G, and 23B of red (R), green (G), and blue (B), for example, each color of cyan (C), magenta (M), and yellow (Y) is used. You may have a light emitting layer, and you may have the light emitting layer of each color which consists of red (R), green (G), blue (B), and yellow (Y).
  • color images are displayed by selectively emitting these organic EL elements 20 with a desired luminance using the TFT 12.
  • the organic EL display device 1 in order to manufacture the organic EL display device 1, it is necessary to form a light emitting layer made of an organic light emitting material that emits light of each color in a predetermined pattern for each organic EL element 20 on the deposition target substrate. is there.
  • the vapor deposition mask 300 has the opening 301 at a desired position and shape. As shown in FIG. 1, the vapor deposition mask 300 is tightly fixed to the film formation surface 201 of the film formation substrate 200.
  • a vapor deposition particle injection device 501 is disposed as a vapor deposition source so as to face the film formation surface 201 of the film formation substrate 200.
  • the organic light-emitting material is ejected from the ejection port 171 of the nozzle unit 170 as gaseous deposition particles by heating under high vacuum and vapor-depositing or sublimating it into a gas. .
  • the vapor deposition material injected from the injection port 171 of the nozzle unit 170 as vapor deposition particles is vapor deposited on the deposition target substrate 200 through the opening 301 provided in the vapor deposition mask 300.
  • an organic film having a desired film formation pattern is vapor-deposited as a vapor deposition film only at a desired position of the film formation substrate 200 corresponding to the opening 301 of the vapor deposition mask 300.
  • vapor deposition is performed for every color of a light emitting layer (this is called "separate vapor deposition").
  • the film is formed using the fine mask in which only the region where the red light emitting material is deposited is opened as the evaporation mask 300.
  • FIG. 7 is a flowchart showing manufacturing steps of the organic EL display device 1 in the order of steps.
  • the TFT substrate 10 is fabricated, and the first electrode 21 is formed on the fabricated TFT substrate 10 (S101).
  • the TFT substrate 10 can be manufactured using a known technique.
  • a hole injection layer and a hole transport layer are formed over the entire pixel region by vacuum deposition using an open mask as the deposition mask 300.
  • the hole injection layer and the hole transport layer can be the hole injection layer / hole transport layer 22 as described above.
  • the light emitting layers 23R, 23G, and 23B are separately deposited by vacuum vapor deposition (S103). Thereby, a pattern film corresponding to each pixel 2R, 2G, and 2B is formed.
  • the electron transport layer 24, the electron injection layer 25, and the second electrode 26 are sequentially formed on the TFT substrate 10 on which the light emitting layers 23R, 23G, and 23B are formed, using the open mask as the vapor deposition mask 300.
  • the entire pixel region is formed (S104 to S106).
  • the region (display unit) of the organic EL element 20 is sealed so that the organic EL element 20 is not deteriorated by moisture or oxygen in the atmosphere with respect to the substrate on which vapor deposition has been completed (S107). .
  • Sealing includes a method of forming a film that does not easily transmit moisture or oxygen by a CVD method or the like, and a method of bonding a glass substrate or the like with an adhesive or the like.
  • the organic EL display device 1 is manufactured by the process as described above.
  • the organic EL display device 1 can perform desired display by causing a current to flow from the driving circuit formed outside to the organic EL element 20 in each pixel to emit light.
  • the time required to reach the speed (deposition rate) at which the deposition material is evaporated to form deposition particles as a deposition particle on the deposition target substrate is longer in proportion to the amount of the deposition material accommodated. Become. This is because if the amount of the vapor deposition material is large, it takes time for heat to be transmitted to the entire vapor deposition material, and it takes time to evaporate the vapor deposition material and stably eject the vapor deposition particles.
  • the time for heat to be transferred to the entire accommodated vapor deposition material can be made shorter than that of the vapor deposition particle generation unit 110.
  • FIG. 8 is a graph showing a time profile of the vapor deposition rate at each vapor deposition particle generating section.
  • A indicates the vapor deposition particle generation unit 110
  • a indicates the vapor deposition particle generation unit 120.
  • the time until the vapor deposition particle generation unit 120 reaches a certain rate and stabilizes is earlier than that of the vapor deposition particle generation unit 110.
  • the vapor deposition rate of the vapor deposition particle generation unit 120 is shown to be lower, but the vapor deposition rate that can be reached is the same as that of the vapor deposition particle generation unit 110.
  • the heating amount heats the heating amount in order to accelerate the rate of increase in the deposition rate and shorten the arrival time.
  • the vapor deposition material near the inner wall of the crucible is excessively heated, resulting in deterioration of the vapor deposition material, bumping of the vapor deposition material (leaving out from the injection port as a lump), and distortion or damage to the vapor deposition source components Therefore, there is an upper limit for the heating amount.
  • a plurality of vapor deposition particle generation units are provided, and the vapor deposition material capacity of at least one vapor deposition particle generation unit is the vapor deposition material capacity of the remaining other vapor deposition particle generation units By making it smaller than this, the rising rate of the vapor deposition rate can be accelerated and the arrival time can be shortened without causing the upper limit problem of the heating amount.
  • FIG. 9A is a graph for explaining the shortening of the deposition rate changing time
  • FIG. 9B is a graph for explaining the shortening of the time until the deposition rate is stabilized.
  • the case where the deposition rate is changed is, for example, when the model of the organic EL display device on which the film is formed changes and the deposition rate needs to be changed due to the processing tact, or when one layer is made of a single material.
  • the deposition rate is changed due to the processing tact, or when one layer is made of a single material.
  • initial vapor deposition is performed using the vapor deposition particle generation unit 110 (vapor deposition particle generation unit A), and the vapor deposition rate increase is covered by the vapor deposition particle generation unit 120 (vapor deposition particle generation unit a).
  • the vapor deposition particle generation part a reaches the desired vapor deposition rate faster than the vapor deposition rate is increased only by the vapor deposition particle generation part A because the vapor deposition rate increases rapidly.
  • the deposition rate can be quickly stabilized.
  • the vapor deposition material is lost for that time. That is, in the case where the deposition rate is changed only by the deposition particle generation unit 110 which is the main deposition particle generation unit A, the film formation on the deposition target substrate cannot be performed until the deposition rate is stabilized.
  • the amount of time is a loss of vapor deposition material.
  • the vapor deposition particle generation unit 120 which is the sub vapor deposition particle generation unit a having a smaller amount of vapor deposition material than the vapor deposition particle generation unit 110 which is the main vapor deposition particle generation unit A is provided.
  • the vapor deposition particle generation unit 120 which is the sub vapor deposition particle generation unit a having a smaller amount of vapor deposition material than the vapor deposition particle generation unit 110 which is the main vapor deposition particle generation unit A is provided.
  • the vapor deposition particle generation unit 120 which is the sub vapor deposition particle generation unit a having a smaller amount of vapor deposition material than the vapor deposition particle generation unit 110 which is the main vapor deposition particle generation unit A is provided.
  • Initial vapor deposition is performed in both vapor-deposited particle generation units, and heating of the vapor-deposited particle generation unit a may be stopped at a timing when it is desired to lower.
  • the vapor deposition rate in the vapor deposition particle generation unit 120 is shorter than the time required to reach the target vapor deposition rate in the vapor deposition particle generation unit 110, the vapor deposition rate can be changed quickly.
  • a shutter 131 and valves (opening / closing members) 117 and 127 for turning ON / OFF the supply of the vapor deposition particles from the respective vapor deposition particle generation units may be provided.
  • the deposition rate can be switched instantaneously.
  • the deposition rate by each supply source is RA and Ra
  • the deposition rate can be changed to (1) RA, (2) RA + Ra, and (3) Ra by the valves 117 and 127.
  • the shutter 131 is provided between the vapor deposition mask 300 and the nozzle portion 170 as shown by a two-dot chain line in FIG.
  • the shutter 131 is used to determine whether or not the vapor deposition particles are emitted toward the deposition target substrate 200 in order to control the arrival of the vapor deposition particles emitted from the nozzle unit 170 to the vapor deposition mask 300. .
  • the shutter 131 prevents vapor deposition particles from being ejected into the vacuum chamber 500 when stabilizing the vapor deposition rate or when vapor deposition is unnecessary.
  • the shutter 131 is provided by a shutter operation unit (not shown) so as to be able to advance and retract (insertable) between the vapor deposition mask 300 and the nozzle unit 170, for example. Thereby, for example, during the alignment of the deposition target substrate 200 and the deposition mask 300, the ejection path of the deposition particles is prevented so that the deposition particles do not reach the deposition target substrate 200.
  • the shutter 131 covers the injection port 171 for the vapor deposition particles (vapor deposition material) in the nozzle unit 170 except during film formation on the deposition target substrate 200.
  • the vapor deposition particle generation part a has a small amount of vapor deposition material, but reduces the contribution of the vapor deposition particle generation part a to the overall vapor deposition rate (the ratio of the vapor deposition flow rate released from the vapor deposition particle generation part a is kept small). Thus, it is possible to perform vapor deposition for a long time equivalent to the vapor deposition particle generating part A.
  • the vapor deposition material released during the period until it becomes stable becomes a loss.
  • the vapor deposition particle generation part a is used together. Since the vapor deposition particle generating part a has a rapid increase in the vapor deposition rate, the vapor deposition flow released from the vapor deposition particle generating part a is initially used as a main, and the desired vapor deposition rate is quickly reached.
  • the deposition rate is always controlled to be constant. As described above, these controls are precisely controlled using the measurement values of the individual and total rate monitors and the heater.
  • the deposition rate can be stabilized quickly, and the material utilization efficiency can be improved. Moreover, since the vapor deposition particle generation part a is used only until the vapor deposition rate by the vapor deposition particle generation part A reaches a desired value, vapor deposition can be performed for a long time even if the amount of the vapor deposition material is small.
  • the above method can be used in the same manner when the vapor deposition rate of the vapor deposition particle generating part A is lowered. That is, when it becomes necessary to stop the vapor deposition particle generating part A due to replenishment of the material, the vapor deposition flow rate from the vapor deposition particle generating part A gradually decreases by turning off the heating. By making up with the vapor deposition flow rate from the generation part a, a desired vapor deposition rate can be obtained even during the transition to the stop of the vapor deposition particle generation part A. At the same time, the vapor deposition flow of the vapor deposition particle generator A whose vapor deposition rate is decreasing can be utilized, and the material utilization efficiency can be improved.
  • the vapor deposition flow rate from the vapor deposition particle generating part A may become unstable due to disturbance or a change in the remaining amount of vapor deposition material. Even in such a case, the fluctuation of the vapor deposition rate can be reduced by making up for the vapor deposition flow from the vapor deposition particle generating part a.
  • the present invention is not limited to this. It may be provided.
  • the vapor deposition particle generators 110 and 120 constituting the vapor deposition particle injection device 501 are provided in the vacuum chamber 500.
  • the units 110 and 120 may be outside the vacuum chamber 500.
  • the vapor deposition particle generators 110 and 120 may be drawn out to a separately prepared load lock chamber, and the vacuum chamber 500 may be connected to an introduction pipe for introducing vaporized vapor deposition material. Since the load lock chamber can be evacuated and vented separately from the vacuum chamber 500 (film formation chamber), the material can be replenished without opening the vacuum chamber 500 to the atmosphere. If the load lock chamber is smaller than the vacuum chamber 500, the time required to reach a desired reduced pressure state can be shortened.
  • the time from the start of vapor deposition to the desired vapor deposition rate can be shortened.
  • the utilization efficiency of the vapor deposition material has been increased, the second embodiment described below further explains the point of increasing the utilization efficiency of the vapor deposition material by another method.
  • FIG. 10 is a diagram showing an outline of the entire vapor deposition apparatus.
  • the vapor deposition apparatus includes a nozzle unit (vapor deposition particle injection unit) 170 having a plurality of injection ports 171 as a vapor deposition source in a vacuum chamber 500, and four vapor deposition particle generation units 110a to 110d.
  • grain injection apparatus 502 which has these.
  • an evaporation mask 300 and a deposition target substrate 200 are disposed above the vacuum chamber 500 so as to face the nozzle portion 170 of the evaporation particle injection device 502.
  • the vapor deposition material 114 accommodated in each of the vapor deposition particle generation units 110a to 110d is heated by the heaters 112a to 112d provided in the four vapor deposition particle generation units 110a to 110d, thereby causing gaseous vapor deposition. Generate particles.
  • the vapor deposition particle generators 110a to 110d can be individually heated and can individually control the vapor deposition rate.
  • the four vapor deposition particle generators 110a to 110d are sequentially heated and switched to another vapor deposition particle generator at a timing when the vapor deposition material 114 in one vapor deposition particle generator is used up.
  • the vapor deposition particles generated by the vapor deposition particle generation units 110a to 110d are guided to the nozzle unit 170 via the pipes 115a to 115d connected to the vapor deposition particle generation units 110a to 110d, respectively. After that, the vapor deposition particles are ejected toward the deposition target substrate 200 from the ejection ports 171 arranged in a line.
  • a vapor deposition film pattern can be formed by vapor deposition of vapor deposition particles on the surface of the deposition target substrate 200 through the vapor deposition mask 300.
  • the deposition substrate injection apparatus 502 is fixed, and the deposition target substrate 200 and the deposition mask 300 are fixed in close contact with each other. Scan deposition is performed by moving (scanning) in a direction perpendicular to the arrangement direction of 171.
  • the deposition target substrate 200 is fixed, and the vapor deposition particle injection device 502 is moved in a direction orthogonal to the direction in which the injection ports 171 are arranged to perform scan vapor deposition.
  • the vapor deposition mask 300 has an opening 301 at a desired position and shape, and only vapor deposition particles passing through the vapor deposition mask reach the deposition target substrate 200 to form a vapor deposition film. .
  • a mask fine mask
  • a through hole opened for each pixel is used.
  • a mask open mask
  • An example of forming each pixel is a light emitting layer, and an example of forming it on the entire display region is a hole transport layer.
  • the vapor deposition particle generators 110a to 110d are provided with pipes 115a to 115d for deriving the generated vapor deposition particles, respectively. These pipes 115a to 115d are directly connected to the nozzle part 170. As a result, the vapor deposition particles generated in the vapor deposition particle generation units 110a to 110d are guided to the nozzle unit 170 through the pipes 115a to 115d.
  • the pipes 115a to 115d are provided with individual rate monitors 140a to 140d for monitoring the vapor deposition flow rate (amount of vapor deposition particles) in the vapor deposition particle generators 110a to 110d.
  • the individual rate monitors 140a to 140d measure the amount of vapor deposition particles (deposition flow rate) flowing in the pipes 115a to 115d.
  • the vapor deposition particle injection device 502 has an overall rate monitor 160 that monitors the total vapor deposition flow rate (amount of vapor deposition particles).
  • the comprehensive rate monitor 160 measures the amount (vapor deposition flow rate) of vapor deposition particles injected from the injection port 171 to be supplied to the film formation substrate 200.
  • the vapor deposition flow rates supplied from the individual vapor deposition particle generators 110a to 110d are measured in real time by the individual rate monitors 140a to 140d provided individually.
  • the total deposition flow rate (corresponding to the amount deposited on the substrate) is also measured by the total rate monitor 160.
  • the heating amount of each vapor deposition particle generator 110a to 110d is individually controlled according to the measurement value of each rate monitor. Details of this control will be described later.
  • the pipes 115a to 115d are provided with valves (opening / closing members) 116a to 116d.
  • Valves 116a to 116d open and close the pipes 115a to 115d to cause the vapor deposition particles to flow through the pipes 115a to 115d, or to stop the supply of the vapor deposition particles. This control will be described later.
  • the vapor deposition particle generators 110a to 110d have heaters 112a to 112d for heating the deposited vapor deposition material.
  • the supply control of the vapor deposition particles from the vapor deposition particle generation units 110a to 110d to the nozzle unit 170 is not limited to the drive control (current ON / OFF) of the heaters 112a to 112d, but the valve This can also be done by opening and closing 116a to 116d.
  • the supply control of the vapor deposition particles from the vapor deposition particle generation units 110a to 110d to the nozzle unit 170 can be individually performed by individually controlling the drive control of the heaters 112a to 112d and the opening / closing control of the valves 116a to 116d. It becomes possible.
  • the vapor deposition material generated when the remaining amount of the vapor deposition material accommodated in the vapor deposition particle generation unit 110a decreases and needs to be replaced.
  • the formation of the deposited film by the part 110b is started. In this way, when the remaining amount of the vapor deposition material is reduced and replacement is necessary, it is possible to perform continuous vapor deposition film formation by changing to the next vapor deposition particle generation unit.
  • the vapor deposition rate may become unstable depending on the switching timing. By adjusting this timing, it is possible to stabilize the vapor deposition rate even when the vapor deposition particle generating section is switched and used.
  • FIG. 11 is a control block diagram of the vapor deposition particle injection apparatus 502 for executing vapor deposition control.
  • the vapor deposition particle injection device 502 serves as a control unit for vapor deposition control with respect to a vapor deposition rate control unit (drive control unit) 400 that performs main control and heaters 112a to 112d of vapor deposition particle generation units 110a to 110d.
  • Heater control units 401a to 401d that control the supply of drive current and valve drive units 402a to 402d that open and close the valves 116a to 116d of the vapor deposition particle generation units 110a to 110d.
  • the vapor deposition rate control unit 400 monitors data (monitor results) from the individual rate monitors 140a to 140d that monitor vapor deposition rates in the vapor deposition particle generators 110a to 110d, and the overall vapor deposition rate. Data from the rate monitor 160 (monitor result), data from the vapor deposition material remaining amount detection unit 103 that detects the remaining amount of vapor deposition material in the vapor deposition particle generating units 110a to 110d (data detected), and data input from the operation unit 104 (Set vapor deposition rate) is input, and control instruction signals for the heater control units 401a to 401d and the valve drive units 402a to 402d are output based on the input data.
  • the data (monitor results) from the individual rate monitors 140a to 140d are, for example, values obtained by measuring the vapor deposition flow rate in the vapor deposition particle generating unit 110, and the vapor deposition rate control unit 400 uses the individual rate monitor 140. Is compared with the data from the operation unit 104 (set vapor deposition rate), whether or not the vapor deposition rate in the vapor deposition particle generating unit 110 has reached the desired vapor deposition rate (set vapor deposition rate). Judging.
  • the data (monitor result) from the comprehensive rate monitor 160 is a value obtained by measuring the vapor deposition flow rate in the vapor deposition particle injection apparatus 502 as a whole, and the vapor deposition rate control unit 400 is obtained by the measurement. The measured value is compared with the data (set vapor deposition rate) from the operation unit 104, and it is determined whether or not the measured value has reached a desired vapor deposition rate (set vapor deposition rate).
  • the vapor deposition rate control unit 400 determines whether to stop driving the vapor deposition particle generation units 110a to 110d (generation of vapor deposition particles) according to the detection result from the vapor deposition material remaining amount detection unit 103.
  • FIG. 12 is a flowchart showing a flow of vapor deposition control processing in the vapor deposition particle injection device 502 according to the present embodiment.
  • the vapor deposition rate in the vapor deposition particle injection device 502 is set (S11).
  • the deposition rate control unit 400 receives the deposition rate setting information from the operation unit 104 and sets the deposition rate from the received setting information.
  • the valves 116a to 116d are all closed.
  • the heater 112a is driven (S12).
  • the vapor deposition rate control unit 400 sends a drive signal for driving the heater 112a of the vapor deposition particle generating unit 110a to the heater control unit 401a from the vapor deposition rate setting information received from the operation unit 104.
  • the heater control unit 401a to which the drive signal is sent controls the heater 112a to supply a drive current to drive the heater 112a.
  • the vapor deposition rate control unit 400 sends a drive signal for opening the valve 116a of the vapor deposition particle generating unit 110a to the valve driving unit 402a from the vapor deposition rate setting information received from the operation unit 104.
  • the valve drive unit 402a to which the drive signal is sent drives the valve 116a so as to open the valve 116a.
  • the vapor deposition rate control unit 100 confirms the detection result from the vapor deposition material remaining amount detection unit 103, and determines whether or not the remaining amount of vapor deposition material in the vapor deposition particle generation unit 110a is equal to or less than a predetermined amount X. . That is, in S14, the remaining amount of the vapor deposition material in the vapor deposition particle generation unit 110a is monitored.
  • the predetermined amount X is an amount at which vapor deposition cannot be performed stably, and is also an amount for determining whether or not to stop the driving of the vapor deposition particle generation unit 110. It is also an amount that is set in consideration of the time required to reach a predetermined vapor deposition rate when switching to driving of the vapor deposition particle generator 110b.
  • the predetermined amount X is not only a guideline for timing of stopping the vapor deposition particle generation unit 110 but also a guideline for timing of starting driving the next vapor deposition particle generation unit 110.
  • the predetermined amount X may be set to a value that can maintain a desired vapor deposition rate constant even when the vapor deposition particle generator 110 is used while switching, and therefore the amount of vapor deposition material accommodated in the vapor deposition particle generator 110 is sufficient. Alternatively, it may be set as appropriate according to the type of vapor deposition material.
  • the heater 112a of the vapor deposition particle generation unit 110a is stopped, and at the same time, the heater 112b of the vapor deposition particle generation unit 110b is driven (S16) and the valve 116b of the vapor deposition particle generation unit 110b is opened (S17).
  • the heating of the vapor deposition particle generation unit 110a is stopped, but since the valve 116a is kept open, the vapor deposition particles from the vapor deposition particle generation unit 110a remain supplied to the nozzle unit 170. That is, at this time, the vapor deposition particles are supplied to the nozzle unit 170 from both the vapor deposition particle generation unit 110a and the vapor deposition particle generation unit 110b.
  • the vapor deposition rate control unit 400 determines whether or not the generation of vapor deposition particles in the vapor deposition particle generation unit 110a is stopped based on the monitoring result from the individual rate monitor 140a that monitors the vapor deposition flow rate of the vapor deposition particle generation unit 110a. To monitor.
  • the vapor deposition rate control unit 400 determines that only the vapor deposition particles are supplied from the vapor deposition particle generation unit 110b, and the generation of vapor deposition particles is performed.
  • the valve 116a of the part 110a is closed (S19).
  • the vapor deposition rate control unit 400 waits until receiving a vapor deposition process stop signal such as a vapor deposition process stop signal from the operation unit 104.
  • a vapor deposition process stop signal such as a vapor deposition process stop signal from the operation unit 104.
  • the heater 112b of the vapor deposition particle generating unit 110b is received. Is stopped (S21), and the heater control unit 401b and the valve driving unit 402b are controlled so that the valve 116b of the vapor deposition particle generation unit 110b is closed (S22).
  • the above process is also performed on the vapor deposition particle generation units 110c and 110d, so that the vapor deposition process is performed by sequentially switching the vapor deposition particle generation units 110a to 110d.
  • the vapor deposition rate control unit 400 which is a drive control unit, drives the vapor deposition particle generation units 110a to 110d while switching the vapor deposition particle generation unit 110a to 110d while keeping the vapor deposition rate of the vapor deposition particle injection device 502 constant.
  • Vapor deposition particles that are falling and rising during the switching of the generators 110a to 110d can also be used for film formation, and the utilization efficiency of the vapor deposition material can be improved.
  • FIG. 13 is a graph showing the relationship between the vapor deposition rate and the time of vapor deposition particle generators 110a to 110d in the vapor deposition apparatus according to the present embodiment. In addition, the stable period of a vapor deposition rate is shown shortening time.
  • the vapor deposition rate of the vapor deposition particle generators 110a to 110d rises as shown in FIG. 13 by heating.
  • the vapor deposition particle generation units 110a to 110d have the same structure as the vapor deposition particle generation unit 110 of the first embodiment, and although a large amount of vapor deposition material is contained, it takes a long time to stabilize the vapor deposition rate.
  • the vapor deposition flow rate from the vapor deposition particle generators 110a to 110d is precisely controlled by the measured values of the individual rate monitors 140a to 140d and the overall rate monitor 160, as shown in FIG. However, if the relationship between the vapor deposition flow rate and the temperature of the vapor deposition particle generators 110a to 110d is clear in advance, control using only the comprehensive rate monitor 160 is possible.
  • the switching timing of the vapor deposition particle generators 110a to 110d can be arbitrarily controlled.
  • the vapor deposition rate is kept constant, and the vapor deposition flow with the vapor deposition rate decreasing and rising is utilized for film formation by continuously switching the vapor deposition particle generating units 110a to 110d. And the material utilization efficiency is improved.
  • the present invention is not limited to this, and it is sufficient that there are at least two vapor-deposited particle generation units.
  • the vapor deposition particle generators 110c and 110d are not necessarily required as long as the material supply to the vapor deposition particle generator 110a and the heating preparation are completed during use of the vapor deposition particle generator 110b.
  • the configuration is basically the same as that of the vapor deposition particle injection apparatus 502 shown in FIG. 10 of the second embodiment, but as shown in FIG. 14, instead of the vapor deposition particle generator 110d shown in FIG. Further, the vapor deposition apparatus includes a vapor deposition particle injection device 503 using the vapor deposition particle generator 120 shown in FIG. 1 of the first embodiment.
  • the accommodation amount of the vapor deposition material 124 in the vapor deposition particle generation unit 120 is set smaller than the accommodation amount of the vapor deposition material 114 in the other vapor deposition particle generation units 110a to 110c.
  • the vapor deposition particle generation unit 120 is driven, and then the other vapor deposition particle generation units 110a to 110c are sequentially driven at a predetermined timing.
  • the amount of the vapor deposition material 124 in the vapor particle generation unit 120 that is first driven is smaller than that of the vapor deposition particle generation units 110a to 110c.
  • the time during which heat is transmitted to the whole can be made shorter than that of the vapor deposition particle generators 110a to 110c.
  • the vapor deposition particle injection device 503 provided with a plurality of vapor deposition particle generating units, there is an effect that it is possible to shorten the time from the start of vapor deposition to the set vapor deposition rate.
  • the deposition rate is kept constant and the deposition particle generators 110a to 110d are continuously switched, so that the deposition flow with the deposition rate decreasing and rising is also used for film formation. And the material utilization efficiency is improved.
  • the vapor deposition rate can be changed quickly if the vapor deposition particle generator 120 is first driven again.
  • any one of the vapor deposition particle generation units 110a to 110c may be driven at the same time.
  • the vapor deposition particle injection devices 501 to 503 are arranged below the deposition target substrate 200, and the vapor deposition particle injection devices 501 to 503 are disposed via the opening 301 of the vapor deposition mask 300.
  • the case where vapor deposition particles are vapor-deposited (up-deposition) from below to above has been described as an example. However, the present invention is not limited to this.
  • the vapor deposition particle injection devices 501 to 503 are provided above the deposition target substrate 200, and the vapor deposition particles are deposited (down-deposited) on the deposition target substrate 200 from above through the opening 301 of the vapor deposition mask 300. Position).
  • a high-definition pattern can be formed without using a technique such as an electrostatic chuck as a substrate holding member that holds the deposition target substrate 200 in order to suppress the self-weight deflection.
  • the film can be formed with high accuracy over the entire surface of the deposition target substrate 200.
  • the vapor deposition particle injection devices 501 to 503 have a mechanism for injecting vapor deposition particles in the lateral direction, and the vapor deposition particle injection devices 501 to 503 are disposed on the film formation surface 201 side of the film formation substrate 200.
  • the vapor deposition particles may be vapor-deposited (side-deposited) on the deposition target substrate 200 in the lateral direction through the vapor deposition mask 300 in a state where the vertical direction is faced to the side.
  • the opening shape (planar shape) of the injection port 171 of the nozzle part 170 is not specifically limited, It can be set as various shapes, such as circular and square.
  • injection ports 171 of the nozzle unit 170 may be arranged one-dimensionally (that is, in a line shape), or may be arranged two-dimensionally (that is, in a planar shape).
  • the organic EL display device 1 includes the TFT substrate 10 and an organic layer is formed on the TFT substrate 10 has been described as an example.
  • the present invention is limited to this. is not.
  • the organic EL display device 1 may be a passive substrate in which a TFT is not formed on a substrate on which an organic layer is formed, instead of the TFT substrate 10, and the passive substrate is used as the film formation substrate 200. It may be used.
  • the present invention is not limited to this, and instead of the organic layer, The present invention can also be applied when the second electrode 26 is deposited. Moreover, when using a sealing film for sealing of the organic EL element 20, it is applicable also when performing vapor deposition of this sealing film.
  • the vapor deposition particle injection devices 501 to 503 and the vapor deposition device can be suitably applied to, for example, the manufacture of functional devices such as organic thin film transistors in addition to the organic EL display device 1, for example.
  • the vapor deposition particle injection devices 501 to 503 have been described as line type vapor deposition sources.
  • the present invention is not limited to this, and a crucible type vapor deposition source (point type vapor deposition source) or a surface type is not limited thereto. It does not matter as a deposition source.
  • the effect exhibited in the present invention does not depend on the shape of the nozzle outlet. That is, even when a large number of injection ports are arranged, the injection port in which one long opening is formed may be used.
  • the present invention is particularly effective for materials having a long deposition rate stabilization time (the time required for the deposition rate to stabilize). For example, it is possible to improve the processing tact (throughput) of a material that is likely to deteriorate due to a rapid temperature rise, such as an organic material, by rapidly reaching the deposition rate. Furthermore, the present invention is particularly effective for expensive vapor deposition materials. For example, a material for forming an organic layer of an organic EL element. By shortening the stabilization time of the vapor deposition rate and combining a plurality of vapor deposition material supply sources, the vapor deposition material can be used effectively because it can contribute to vapor deposition even when the temperature is raised or lowered.
  • the vapor deposition particle injection device according to the present invention can be applied not only to the manufacture of an organic EL display device but also to other materials that form a film by vapor deposition.
  • the vapor deposition rate can be changed by switching the manufacturing process. Since the change can be performed quickly, the waste of the vapor deposition particles when changing the vapor deposition rate can be eliminated, and the utilization efficiency of the material can be improved.
  • the cost for manufacturing the organic EL element can be reduced, and as a result, the organic EL display device can be manufactured at low cost.
  • the vapor deposition particle generation source is as follows. What is necessary is just to make the vapor deposition material accommodation capacity in less than others.
  • the vapor deposition material accommodation amount of at least one vapor deposition particle generation source is smaller than the vapor deposition material accommodation amounts of the remaining vapor deposition particle generation sources.
  • a vapor deposition particle injection device is connected to a plurality of vapor deposition particle sources that generate vapor deposition particles by heating a vapor deposition material, and the plurality of vapor deposition particle generation sources.
  • an injection container having an injection port for injecting the vapor deposition particles generated by each of the vapor deposition particle generation sources to the outside, and the vapor deposition material capacity of at least one vapor deposition particle generation source among the vapor deposition particle generation sources
  • it is characterized by being smaller than the vapor deposition material capacity of the remaining vapor deposition particle generation sources.
  • a speed deposition rate
  • a vapor deposition material is heated to generate gaseous vapor deposition particles and a vapor deposition film is stably formed on the film deposition target (film deposition target substrate).
  • the vapor deposition material capacity of at least one vapor deposition particle generation source is made smaller than the vapor deposition material capacity of the other vapor deposition particle generation sources.
  • the time for which heat is transmitted to the entire vapor deposition material accommodated is shorter than the time for heat to be transmitted to the entire vapor deposition material accommodated in the other vapor deposition particle generation sources.
  • the time required to reach the vapor deposition rate in at least one vapor deposition particle source can be made shorter than the time required to reach the vapor deposition rate in the other vapor deposition particle sources.
  • a vapor deposition rate control unit for controlling the vapor deposition rate of each vapor deposition particle source, and the vapor deposition rate of the vapor deposition particle source when the flow rate of vapor deposition particles flowing from the vapor deposition particle source to the injection container is the vapor deposition rate of the vapor deposition particle source; It is preferable that the rate control unit simultaneously controls the vapor deposition rates of at least two vapor deposition particle generation sources including vapor deposition particle generation sources having a vapor deposition material capacity smaller than the vapor deposition material capacity of other vapor deposition particle generation sources. .
  • the vapor deposition rate of at least 2 or more vapor deposition particle generation sources including the vapor deposition particle generation source of vapor deposition material accommodation capacity smaller than the vapor deposition material accommodation capacity of other vapor deposition particle generation sources is driven simultaneously. Because the vapor deposition rate of the vapor deposition particle source with the small vapor deposition material capacity is first stabilized before the vapor deposition rate of the vapor deposition material source with the large vapor deposition material capacity is stabilized, the vapor deposition particles with a large vapor deposition material capacity are generated. The vapor deposition particles generated until the vapor deposition rate of the source is stabilized can be used for vapor deposition by supplementing with the vapor deposition particle generating source having a stable vapor deposition rate.
  • the vapor deposition particles consumed until the vapor deposition rate of the vapor deposition particle generating source is stabilized can be used effectively, the utilization efficiency of the vapor deposition material can be improved.
  • the vapor deposition materials accommodated in the vapor deposition particle source whose vapor deposition rate is simultaneously controlled by the vapor deposition rate control unit are all the same type of vapor deposition material.
  • the time until the vapor deposition rate of each vapor deposition particle source is stabilized is reduced. Since it becomes possible to grasp correctly, it becomes possible to grasp correctly the change time at the time of changing a vapor deposition rate.
  • the amount of the vapor deposition material in the vapor deposition particle source according to the time required for changing the vapor deposition rate. That is, if the vapor deposition material capacity in the vapor deposition particle generation source is well designed, the vapor deposition rate can be changed more quickly.
  • An individual rate monitor for measuring the flow rate of the vapor deposition particles flowing from the vapor deposition particle generation source to the injection container as a vapor deposition rate is provided in the connection path connecting the vapor deposition particle generation source and the injection container. Yes.
  • the vapor deposition rate can be accurately controlled by the vapor deposition rate control unit.
  • Each of the vapor deposition particle generation sources includes a storage container that stores the vapor deposition material, and a heating member that heats the vapor deposition material stored in the storage container, and the vapor deposition rate control unit uses the measured value of the individual rate monitor. Accordingly, the heating members in the respective vapor deposition particle generation sources are individually controlled.
  • the apparatus further comprises a comprehensive rate monitor for measuring a vapor deposition rate of the vapor deposition particles injected from the injection port of the injection container, and the vapor deposition rate control unit includes the vapor deposition rate measured by the individual rate monitor and the total rate monitor.
  • the flow rate of the vapor deposition particles flowing from the respective vapor deposition particle generation sources to the injection container is controlled using the measured vapor deposition rate.
  • a vapor deposition particle injection device is connected to a plurality of vapor deposition particle sources that generate vapor deposition particles by heating a vapor deposition material, and the plurality of vapor deposition particle generation sources.
  • An injection container having an injection port for injecting the vapor deposition particles generated by each vapor deposition particle generation source to the outside; and a drive control unit for driving and controlling the vapor deposition particle generation source,
  • the drive control unit switches each vapor deposition particle generation source while keeping the vapor deposition rate constant. Yes.
  • the vapor deposition particles falling and rising when the vapor deposition rate is switched are also generated. It can be used for film formation, and the utilization efficiency of the vapor deposition material can be improved.
  • connection path connecting the vapor deposition particle generating source and the injection container is provided with an open / close member that opens and closes the connection path, and the drive control unit is configured so that the vapor deposition rate is constant. Control the opening and closing member.
  • the flow of the vapor deposition particles can be reliably controlled by performing the open / close control of the open / close members provided in the connection paths connecting the vapor deposition particle generation source and the injection container. That is, since the supply of the vapor deposition particles to the injection container can be reliably performed by the opening / closing control of the opening / closing member, it is possible to prevent unnecessary vapor deposition particles from being released when the vapor deposition is completed.
  • the vapor deposition apparatus includes the vapor deposition particle injection apparatus as a vapor deposition source.
  • the vapor deposition apparatus preferably includes a vapor deposition mask for forming a vapor deposition film pattern.
  • a desired film formation pattern can be obtained by using a vapor deposition mask.
  • the predetermined pattern can be an organic layer in an organic electroluminescence element.
  • the said vapor deposition apparatus can be used suitably as a manufacturing apparatus of an organic electroluminescent element. That is, the said vapor deposition apparatus may be a manufacturing apparatus of an organic electroluminescent element.
  • a TFT substrate / first electrode manufacturing step of manufacturing a first electrode on a TFT substrate, and at least a light emitting layer on the TFT substrate An organic layer deposition step for depositing an organic layer containing a second electrode deposition step for depositing a second electrode, and in at least one of the organic layer deposition step and the second electrode deposition step, Use a vapor deposition particle injection device.
  • the vapor deposition rate can be changed quickly by switching the process, so that waste of vapor deposition particles when changing the vapor deposition rate is eliminated. Therefore, the material utilization efficiency can be improved.
  • the cost for manufacturing the organic electroluminescence element can be reduced, and as a result, the organic EL display device can be manufactured at low cost.
  • the vapor deposition particle injection apparatus and vapor deposition apparatus of the present invention are suitably used for an organic EL display device manufacturing apparatus, a manufacturing method, and the like used in a film forming process such as separate formation of an organic layer in an organic EL display device, for example. Can do.

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Abstract

　本発明の蒸着粒子射出装置（５０１）は、蒸着材料（１１４），（１２４）を加熱して気体状の蒸着粒子を発生させる蒸着粒子発生部（１１０），（１２０）と接続され、上記蒸着粒子発生部（１１０），（１２０）で発生させた蒸着粒子を外部に射出する射出口（１７１）を有するノズル部（１７０）とを備える。上記蒸着粒子発生部（１２０）の蒸着材料収容量が、上記蒸着粒子発生部（１１０）の蒸着材料収容量よりも小さい。

Description

蒸着粒子射出装置および蒸着装置
　本発明は、蒸着粒子射出装置および該蒸着粒子射出装置を蒸着源として備えた蒸着装置に関するものである。
　近年、様々な商品や分野でフラットパネルディスプレイが活用されており、フラットパネルディスプレイのさらなる大型化、高画質化、低消費電力化が求められている。
　そのような状況下において、有機材料の電界発光（エレクトロルミネッセンス；以下、「ＥＬ」と記す）を利用した有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示装置は、全固体型で、低電圧駆動、高速応答性、自発光性等の点で優れたフラットパネルディスプレイとして、高い注目を浴びている。
　有機ＥＬ表示装置は、例えば、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）が設けられたガラス基板等からなる基板上に、ＴＦＴに接続された有機ＥＬ素子が設けられた構成を有している。
　有機ＥＬ素子は、低電圧直流駆動による高輝度発光が可能な発光素子であり、第１電極、有機ＥＬ層、および第２電極が、この順に積層された構造を有している。そのうち、第１電極はＴＦＴと接続されている。
　また、第１電極と第２電極との間には、上記有機ＥＬ層として、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロッキング層、発光層、正孔ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層等を積層させた有機層が設けられている。
　フルカラーの有機ＥＬ表示装置は、一般的に、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色の有機ＥＬ素子をサブ画素として基板上に配列形成してなり、ＴＦＴを用いて、これら有機ＥＬ素子を選択的に所望の輝度で発光させることにより画像表示を行っている。
　このような有機ＥＬ表示装置の発光部における有機ＥＬ素子は、一般的に、有機膜の積層蒸着によって形成される。有機ＥＬ表示装置の製造においては、少なくとも各色に発光する有機発光材料からなる発光層が、発光素子である有機ＥＬ素子毎に所定のパターンで成膜される。
　積層蒸着による所定のパターンの成膜には、例えば、シャドウマスクと称されるマスクを用いた蒸着法の他、インクジェット法、レーザ転写法等が適用可能である。そのうち、現在では、シャドウマスクと称されるマスクを用いた真空蒸着法を用いるのが最も一般的である。
　シャドウマスクと称されるマスクを用いた真空蒸着法では、内部を減圧状態に保持することができる真空チャンバ内に、蒸着材料を蒸発あるいは昇華させる蒸着源を配置し、例えば高真空下で蒸着材料を加熱して蒸着材料を蒸発または昇華させる。
　このような真空蒸着法では、蒸着源として、るつぼと称される加熱容器内に蒸着材料が収容された蒸着粒子射出装置が用いられる（例えば特許文献１）。
　図１５は、特許文献１に記載の蒸着装置に備えられた蒸着粒子射出装置を改めて模式的に示した図である。なお、図１５は、特許文献１の図７を本発明の説明図である図１等に対比しやすいように記載した図である。
　図１５に示すように、蒸着粒子射出装置は、蒸着源として、蒸着粒子を射出するためノズルがライン状に複数設けられた蒸着粒子射出部と、当該蒸着粒子射出部に対して発生した蒸着粒子を供給する蒸着粒子発生部とを備えている。
　上記蒸着粒子発生部は、蒸着材料をヒータにより加熱することで気体状の蒸着粒子を発生させるようになっている。
　上記蒸着粒子発生部において発生した蒸着粒子は、蒸着粒子射出部の単部ＡからＢに向かって導かれ、ノズルから外部に射出される。
　このとき、所望の領域のみが開口している蒸着マスクの開口部（図示せず）を介して被成膜基板上に蒸着粒子を蒸着して堆積させることで、被成膜基板上の所望の領域に蒸着膜を形成することができる。
日本国公開特許公報「特開２０１０－１３７３１号公報（２０１０年１月２１日公開）」
　ところで、上記蒸着粒子発生部において、蒸着材料の加熱は、特許文献１に記載のように、蒸着材料を収容したるつぼの外周を覆っているホルダの外周面に設けられたヒータによって行われる。ここでヒータから蒸着材料への熱の伝わり方について説明する。なお、説明の便宜上、本発明の説明図である図２を参照して説明する。
　ホルダ１１１に収容されているるつぼ１１３内の蒸着材料１１４は、ホルダ１１１の外周に設けられたヒータ１１２によって加熱されるので、るつぼ１１３の内壁から蒸着材料１１４に熱が伝わる。るつぼ１１３の内壁に接していない蒸着材料１１４は、材料自身の熱伝導によって加熱される。
　したがって、材料の昇温は材料の熱伝導率に依存し、一般に有機材料の熱伝導率が低いため、均一に温度上昇するのに時間を要する。一方、降温は、急激な冷却によって、るつぼ１１３を収容しているホルダ１１１が歪んだり、蒸着材料１１４の突沸が生じたりするのを防ぐため、徐冷する必要があった。
　以上のことから、図１５に示す蒸着粒子発生部における蒸着レートの時間プロファイルは、図１６に示すグラフのようになる。
　るつぼ１１３とホルダ１１１は、ヒータ１１２により容易に加熱されるが、蒸着材料１１４は内壁に接しているものだけが直接加熱され、接していない部分は材料自身の熱伝導で加熱される。また、るつぼ１１３やホルダ１１１からの熱放射でも加熱されるが、蒸着材料１１４全体を短い時間で加熱するのには十分でない。
　したがって、従来の蒸着粒子射出装置では、図１６に示すように、レート出し期間（昇温期間）の傾斜が緩やかであり、蒸着レートの安定期間（蒸着）に達するまでに時間がかかるので、蒸着レートの変更が迅速に行えない。
　このため、蒸着レートの変更や蒸着材料の補充のための蒸着粒子発生部の駆動停止の際には、昇温や降温に長い時間を要し、その時間に放出された蒸着材料が無駄となっていた。したがって、蒸着材料の利用効率が低下するという問題が生じる。
　本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、蒸着レートの変更や蒸着材料の補充のための蒸着粒子発生部の駆動停止を行ったとしても、目的とする蒸着レートに迅速に達することのできる蒸着粒子射出装置を提供することにある。
　本発明に係る蒸着粒子射出装置は、上記課題を解決するために、蒸着材料を加熱して気体状の蒸着粒子を発生させる複数の蒸着粒子発生源と、上記複数の蒸着粒子発生源と接続され、上記各蒸着粒子発生源で発生させた蒸着粒子を外部に射出する射出口を有する射出用容器とを備え、上記各蒸着粒子発生源から上記射出用容器に流れる蒸着粒子の流量を蒸着粒子発生源の蒸着レートとしたとき、上記各蒸着粒子発生源のうち、少なくとも一つの蒸着粒子発生源において目的とする蒸着レートに達するまでの時間が、残りの他の蒸着粒子発生源において目的とする蒸着レートに達する時間よりも短いことを特徴としている。
　上記構成のように、複数の蒸着粒子発生源のうち、少なくとも一つの蒸着粒子発生源において目的とする蒸着レートに達するまでの時間が、残りの他の蒸着粒子発生源において目的とする蒸着レートに達する時間よりも短い、そのため、蒸着レートの変更の際に、まず、目的とする蒸着レートに達する時間が短い蒸着粒子発生源により変更後の蒸着レートに達するので、蒸着レートを迅速に切り替えることができるという効果を奏する。
　本発明に係る蒸着粒子射出装置によれば、蒸着材料を加熱して気体状の蒸着粒子を発生させる複数の蒸着粒子発生源と、上記複数の蒸着粒子発生源と接続され、上記各蒸着粒子発生源で発生させた蒸着粒子を外部に射出する射出口を有する射出用容器とを備え、上記各蒸着粒子発生源から上記射出用容器に流れる蒸着粒子の流量を蒸着粒子発生源の蒸着レートとしたとき、上記各蒸着粒子発生源のうち、少なくとも一つの蒸着粒子発生源において目的とする蒸着レートに達するまでの時間が、残りの他の蒸着粒子発生源において目的とする蒸着レートに達する時間よりも短いことで、蒸着レートの変更を迅速に行うことができるという効果を奏する。
本発明の一実施の形態に係る蒸着粒子射出装置を備えた蒸着装置全体の概略を示す図である。 図１に示す蒸着粒子射出装置を構成する蒸着粒子発生部の概略構成図である。 図１に示す蒸着粒子射出装置における蒸着制御を実行するための蒸着制御装置の概略ブロック図である。 図３に示す蒸着制御装置で実行される蒸着制御処理の流れを示すフローチャートである。 ＲＧＢフルカラー表示の有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す断面図である。 有機ＥＬ表示装置におけるＴＦＴ基板の断面図である。 有機ＥＬ表示装置の製造工程を工程順に示すフローチャートである。 各蒸着粒子発生部における蒸着レートの時間プロファイルを示すグラフである。 （ａ）は、蒸着レートの変更時間の短縮を説明するためのグラフであり、（ｂ）は、蒸着レートが安定するまでの時間短縮を説明するためのグラフである。 本発明の他の実施の形態に係る蒸着粒子射出装置を備えた蒸着装置全体の概略を示す図である。 図１０に示す蒸着粒子射出装置における蒸着制御を実行するための蒸着制御装置の概略ブロック図である。 図１１に示す蒸着制御装置で実行される蒸着制御処理の流れを示すフローチャートである。 図１０に示す蒸着粒子射出装置における蒸着粒子発生部１１０ａ～１１０ｄの蒸着レートの時間プロファイルを示すグラフである。 本発明のさらに他の実施の形態に係る蒸着粒子射出装置を備えた蒸着装置全体の概略を示す図である。 一般的な蒸着粒子発生部が一つだけで構成されている蒸着粒子射出装置を備えた蒸着装置全体の概略を示す図である。 蒸着粒子発生部における蒸着レートの時間プロファイルを示すグラフである。
　〔実施の形態１〕
　本発明の一実施の形態について説明すれば、以下の通りである。
　＜蒸着装置の全体構成＞
　図１は、本実施の形態に係る蒸着装置全体の概略を示す図である。
　上記蒸着装置は、図１に示すように、真空チャンバ５００内に、蒸着源として、蒸着粒子射出装置５０１が設けられた構成を有している。
　蒸着粒子射出装置５０１は、２つの蒸着粒子発生部（蒸着粒子発生源）１１０，１２０と、複数の射出口１７１を有するノズル部（射出用容器）１７０とを備えている。
　２つの蒸着粒子発生部１１０，１２０とノズル部１７０とは、配管（接続路）１１５，１２５，１３０により接続されている。
　また、真空チャンバ５００内の上方には、蒸着粒子射出装置５０１のノズル部１７０に対向して、蒸着マスク３００および被成膜基板（被成膜物）２００が配置されている。
　真空チャンバ５００には、蒸着時に該真空チャンバ５００内を真空状態に保つために、該真空チャンバ５００に設けられた図示しない排気口を介して真空チャンバ５００内を真空排気する図示しない真空ポンプが設けられている。
　蒸着粒子の平均自由行程は、１．０×１０－３Ｐａよりも高い真空度となることで、必要十分な値が得られる。一方、真空度が１．０×１０－３Ｐａよりも低いと、同平均自由行程が短くなるため、蒸着粒子が散乱されて、被成膜基板２００への到達効率が低下したり、コリメート成分が少なくなったりする。
　このため、真空チャンバ５００は、真空ポンプによって、１．０×１０－４Ｐａ以上の真空到達率に設定されている。
　上記構成の蒸着装置では、２つの蒸着粒子発生部１１０，１２０に設けられたヒータ（加熱部材）１１２，１２２により蒸着材料１１４，１２４を加熱して蒸発（蒸着材料が液体材料である場合）または昇華（蒸着材料が固体材料である場合）させることにより、気体状の蒸着粒子を発生させる。
　蒸着粒子発生部１１０，１２０で発生させた蒸着粒子は、それぞれ、各蒸着粒子発生部１１０，１２０に接続された配管１１５，１２５，１３０を介してノズル部１７０に誘導され、混合された後、ライン状に配列した射出口１７１から、被成膜基板２００に向けて外部に射出される。
　蒸着粒子射出装置５０１から外部に射出された蒸着粒子は、蒸着マスク３００を介して被成膜基板２００に付着する。これにより、被成膜基板２００の表面に蒸着膜が形成される。このとき、蒸着マスク３００を介して被成膜基板２００に蒸着粒子が付着することで、蒸着膜のパターンが形成される。
　なお、本実施の形態では、蒸着マスク３００が、被成膜基板２００に対応した大きさ（例えば平面視同一サイズ）を有し、被成膜基板２００の被成膜面２０１に、図示しない固定手段によって密着固定される場合を例に挙げて説明する。
　しかしながら、本実施の形態はこれに限定されるものではない。蒸着マスク３００は、被成膜基板２００とは離間して設けられていてもよく、被成膜基板２００における被成膜領域よりも小さいサイズを有していてもよい。
　また、被成膜基板２００に蒸着膜のベタパターンを形成する場合には、蒸着マスク３００を省略することができる。
　蒸着マスク３００は、選択的に設けることができ、蒸着装置の付属部品として蒸着装置を構成する構成物の一つであってもよく、そうでなくても構わない。
　本実施の形態では、例えば、蒸着粒子射出装置５０１を固定して、被成膜基板２００と蒸着マスク３００とを密着固定した状態で、被成膜基板２００を紙面に垂直な方向（射出口１７１の並び方向と直交する方向）に移動（走査）させてスキャン蒸着を行う。あるいは、被成膜基板２００を固定して、蒸着粒子射出装置５０１を射出口１７１の並び方向と直交する方向に移動させてスキャン蒸着を行う。
　蒸着マスク３００は、所望の位置・形状に開口部３０１（貫通穴）が形成されており、それを通過した蒸着粒子のみが被成膜基板２００に到達し蒸着膜のパターンを形成する。画素ごとにパターンを形成する場合には、画素ごとに開口部３０１が開口したマスク（ファインマスク）を用い、表示領域全面に蒸着する場合には、表示領域全面が開口したマスク（オープンマスク）を用いる。画素ごとに形成する例としては、例えば発光層があり、表示領域全面に形成する例としては、正孔輸送層などがある。
　上記蒸着粒子発生部１１０，１２０には、それぞれ発生した蒸着粒子を導出するための配管１１５、１２５が設けられている。これら配管１１５，１２５は、上記ノズル部１７０に接続された配管１３０に一体的に接続されている。これにより、蒸着粒子発生部１１０，１２０で発生した蒸着粒子は、配管１１５，１２５を通り、配管１３０で合流して、ノズル部１７０に導かれる。
　上記配管１１５，１２５および１３０は、上記蒸着粒子発生部１１０，１２０と上記ノズル部１７０とを接続する接続路として機能している。
　上記配管１１５には、蒸着粒子発生部１１０における蒸着流量（蒸着粒子の量）をモニタリングする個別レートモニタ１４０が設けられ、上記配管１２５には、蒸着粒子発生部１２０における蒸着流量（蒸着粒子の量）をモニタリングする個別レートモニタ１５０が設けられている。
　ここで、上記蒸着粒子発生部１１０，１２０から上記ノズル部１７０に流れる蒸着粒子の流量を、蒸着粒子発生部１１０，１２０の蒸着レートとする。
　上記個別レートモニタ１４０は、蒸着粒子発生部１１０の放出孔１１１ａ（図２）から放出された、配管１１５内を流れる蒸着粒子の量（蒸着流量）を、蒸着粒子発生部１１０の蒸着レートとして計測するようになっている。
　上記個別レートモニタ１５０は、蒸着粒子発生部１２０の放出孔１２１ａ（図２）から放出された、配管１２５内を流れる蒸着粒子の量（蒸着流量）を、蒸着粒子発生部１２０の蒸着レートとして計測するようになっている。
　さらに、上記蒸着装置は、総合的な蒸着流量（蒸着粒子の量）をモニタリングする総合レートモニタ１６０を有している。
　上記総合レートモニタ１６０は、射出口１７１から射出された蒸着粒子が被成膜基板２００に供給される量（蒸着流量）を、蒸着粒子射出装置５０１の蒸着レートとして計測するようになっている。
　すなわち、上記個々の蒸着粒子発生部１１０，１２０から供給される蒸着流量は、個別に設けられた個別レートモニタ１４０，１５０にてリアルタイムに計測されている。同時に、総合的な蒸着流量（基板に成膜される量に相当）も総合レートモニタ１６０にて計測されている。各レートモニタの計測値に応じて、各蒸着粒子発生部１１０，１２０の加熱量が個別にコントロールされる。この制御の詳細については後述する。
　続いて、上記蒸着粒子発生部１１０，１２０の構成について以下に説明する。
　＜蒸着粒子発生部の説明＞
　図２は、蒸着粒子発生部１１０，１２０の全体構成の概略を示す図である。
　蒸着粒子発生部１１０は、図２に示すように、ホルダ１１１と、当該ホルダ１１１の外周面に設けられたヒータ１１２と、ホルダ１１１内に設けられ、蒸着材料１１４を収容したるつぼ１１３とを備えた構造となっている。
　＜ホルダ１１１の構成＞
　筐体であるホルダ１１１は、その内部に、るつぼ１１３を収容して保持する。
　ホルダ１１１は、例えば円筒状または角筒状に形成されている。ホルダ１１１の天壁には、気体化された蒸着材料を外部に射出させる放出孔１１１ａが設けられている。
　＜ヒータ１１２の構成＞
　また、ホルダ１１１の周囲には、ヒータ１１２が設けられている。
　上記ヒータ１１２は、ホルダ１１１の外周面にニクロム線などの高抵抗配線を巻き付けて構成され、当該ホルダ１１１を外周面側から加熱するようになっている。
　なお、ヒータ１１２以外の加熱手段としては、電磁誘導等を使用することも可能である。
　＜るつぼ１１３の構成＞
　るつぼ１１３は、内部に蒸着材料を収容（貯留）して加熱する加熱容器である。るつぼ１１３には、例えば、黒鉛、ＰＢＮ（Pyrolytic Boron Nitride）、金属等からなる、従
来蒸着源に使用されている常用のるつぼを用いることができる。
　なお、ホルダ１１１およびるつぼ１１３は、熱伝導度の良い物質で形成されていることが、ホルダ１１１の外部に設けられたヒータ１１２からの熱を効率良く熱伝導させることができることから好ましい。
　ヒータ１１２でホルダ１１１を介してるつぼ１１３を加熱することにより、るつぼ１１３内の蒸着材料１１４が蒸発または昇華して気体（蒸着粒子）になる。
　すなわち、るつぼ１１３は、気体状の蒸着粒子を発生させる蒸着粒子発生部として用いられる。
　るつぼ１１３は、ホルダ１１１の底部に設けられており、るつぼ１１３の上面は開口されている。
　気体化した蒸着材料は、ホルダ１１１の放出孔１１１ａから、配管１１５を通り、さらに配管１３０を通り、ノズル部１７０に送られ、ノズル部１７０に設けられた射出口１７１から被成膜基板２００に向かって射出される。
　また、蒸着粒子発生部１２０は、図２に示すように、ホルダ１２１と、当該ホルダ１２１の外周面に設けられたヒータ１２２と、ホルダ１２１内に設けられ、蒸着材料１２４を収容したるつぼ１２３とを備えた構造となっている。
　上記ヒータ１２２は、ホルダ１２１の外周面にニクロム線などの高抵抗配線を巻き付けて構成され、当該ホルダ１２１を外周面側から加熱するようになっている。
　上記るつぼ１２３に収容された蒸着材料１２４は、ホルダ１２１の外周面に設けられたヒータ１２２により加熱されることになる。
　上記ホルダ１２１の上部には、蒸着材料１２４が加熱されることにより生じる蒸着粒子を射出するための放出孔１２１ａが形成されている。この放出孔１２１ａには、蒸着粒子を射出口１７１側に導くための配管１２５が形成されている。
　上記配管１１５と配管１２５は、上述したように、配管１３０に接続されている。これにより、蒸着粒子発生部１１０、蒸着粒子発生部１２０のそれぞれから発生した蒸着粒子は、配管１１５，配管１２５を流れ、配管１３０において合流して、ノズル部１７０に導かれる。
　このように、蒸着粒子発生部１１０，１２０の基本的な構成は同じである。しかしながら、蒸着粒子発生部１１０，１２０とでは、蒸着材料の収容量が異なる。すなわち、蒸着粒子発生部１２０の蒸着材料１２４の収容量は、蒸着粒子発生部１１０の蒸着材料１１４の収容量よりも小さくなっている。このように、蒸着材料の収容量が小さければ、蒸着材料全体に熱が伝わりやすいので、所望とする蒸着レートに到達させやすい。つまり、蒸着材料の収容量が小さいほど、所望とする蒸着レートに達するまでの時間を短くできる。
　このように、蒸着材料の収容量の違いによる、所望とする蒸着レートに達するまでの時間の違いを利用することで、蒸着レートの変更に対して迅速に対応させることを可能としている。
　以下に、本実施の形態に係る蒸着装置における蒸着制御を実施するための、制御ブロック図および制御処理の流れについて説明する。
　＜蒸着制御用ブロック図＞
　図３は、蒸着制御を実行するための蒸着粒子射出装置５０１における制御ブロック図である。
　蒸着粒子射出装置５０１は、図３に示すように、蒸着制御における制御部として、メイン制御を行う蒸着レート制御部１００と、蒸着粒子発生部１１０のヒータ１１２に対する駆動電流の供給を制御するヒータ制御部１０１と、蒸着粒子発生部１２０のヒータ１２２に対する駆動電流の供給を制御するヒータ制御部１０２とを有している。
　上記蒸着レート制御部１００は、蒸着粒子発生部１１０における蒸着レートをモニタリングしている個別レートモニタ１４０からのデータ（モニタ結果）、蒸着粒子発生部１２０における蒸着レートをモニタリングしている個別レートモニタ１５０からのデータ（モニタ結果）、蒸着装置全体での蒸着レートをモニタリングしている総合レートモニタ１６０からのデータ（モニタ結果）、蒸着粒子発生部１１０、蒸着粒子発生部１２０における蒸着材料の残量を検知する蒸着材料残量検知部１０３からのデータ（検知結果）、操作部１０４から入力されたデータ（設定された蒸着レート）が入力され、これら入力されたデータに基づいて、ヒータ制御部１０１およびヒータ制御部１０２に対する制御指示信号を出力するようになっている。
　上記個別レートモニタ１４０からのデータ（モニタ結果）は、例えば、蒸着粒子発生部１１０における蒸着流量を計測して得られた値であり、上記蒸着レート制御部１００は、上記個別レートモニタ１４０からのデータと、操作部１０４からのデータ（設定された蒸着レート）とを比較して、蒸着粒子発生部１１０における蒸着レートが所望する蒸着レート（設定された蒸着レート）に達しているか否かを判断する。
　同様に、上記個別レートモニタ１５０からのデータ（モニタ結果）は、例えば、蒸着粒子発生部１２０における蒸着流量を計測して得られた値であり、上記蒸着レート制御部１００は、上記個別レートモニタ１５０からのデータと、操作部１０４からのデータ（設定された蒸着レート）とを比較して、蒸着粒子発生部１２０における蒸着レートが所望する蒸着レート（設定された蒸着レート）に達しているか否かを判断する。
　さらに、上記総合レートモニタ１６０からのデータ（モニタ結果）は、蒸着粒子射出装置５０１全体における蒸着流量を計測して得られた値とすると、上記蒸着レート制御部１００は、上記計測して得られた値と、操作部１０４からのデータ（設定された蒸着レート）とを比較して、計測した値が所望する蒸着レート（設定された蒸着レート）に達しているか否かを判断する。
　また、蒸着レート制御部１００は、蒸着材料残量検知部１０３からの検知結果に応じて、蒸着粒子発生部１１０または蒸着粒子発生部１２０の駆動（蒸着粒子の発生）を停止させるか否かを判断する。
　続いて、上記蒸着レート制御部１００における蒸着制御処理の流れについて以下に説明する。
　＜蒸着制御処理フローチャート＞
　図４は、蒸着レート制御部１００における蒸着制御処理の流れを示すフローチャートである。
　まず、蒸着粒子射出装置５０１の蒸着レートを設定する（Ｓ１）。ここでは、蒸着レート制御部１００は、操作部１０４からの蒸着レートの設定情報を受け付けることで、蒸着レートを設定する。
　次に、ヒータ１１２、ヒータ１２２を駆動する（Ｓ２）。ここでは、蒸着レート制御部１００は、設定した蒸着レートとなるように、ヒータ制御部１０１、ヒータ制御部１０２に対して、蒸着粒子発生部１１０のヒータ１１２および蒸着粒子発生部１２０のヒータ１２２を駆動させるための駆動信号を送る。駆動信号が送られたヒータ制御部１０１およびヒータ制御部１０２は、それぞれヒータ１１２および１２２に対して駆動電流を供給するように制御し、ヒータ１１２および１２２を駆動させる。
　続いて、蒸着粒子発生部１２０および１１０の蒸着材料の残量が所定量Ｘ１２およびＸ１１以下であるか否かを判断する（Ｓ３およびＳ５）。ここでは、蒸着レート制御部１００は、蒸着材料残量検知部１０３からの検知結果を確認して、蒸着粒子発生部１２０および１１０における蒸着材料の残量が所定量Ｘ１２およびＸ１１であるか否かを判断する。
　Ｓ３において、蒸着粒子発生部１２０の蒸着材料の残量が所定量Ｘ１２以下の場合、ヒータ制御部１０２はヒータ１２２を停止させる（Ｓ４）。
　一方、Ｓ５において、蒸着粒子発生部１１０の蒸着材料の残量が所定量Ｘ１１以下の場合、ヒータ制御部１０１はヒータ１１２を停止させると共に、ヒータ制御部１０２もヒータ１２２を停止させ、蒸着処理を終了する（Ｓ１１およびＳ１２）。ここでは、蒸着レート制御部１００は、操作部１０４から受け付けた蒸着処理停止を示す信号から、ヒータ制御部１０１、１０２に対してヒータ１１２および１２２に供給する電流を停止するための指示信号を送る。これにより、蒸着粒子発生部１１０および１２０の駆動は、停止する。
　この所定量Ｘ１２、Ｘ１１は、蒸着粒子発生部１２０、蒸着粒子発生部１１０による蒸着レートの制御が不可能となる量であり、また所定量Ｘ１２、Ｘ１１は蒸着が継続できない量となる。蒸着材料がこれらの所定量Ｘ１２、Ｘ１１以下となった場合、蒸着粒子発生部１２０および１１０のるつぼ１２３および１１３が空焚き状態となり、故障の原因となり得る。
　したがって、蒸着粒子発生部１２０および１１０の蒸着材料の残量が所定量Ｘ１２およびＸ１１以下でなければ、Ｓ６に移行して、蒸着装置における蒸着レートがＳ１において設定した蒸着レートに達しているか否かを判断する。すなわち、Ｓ６では、蒸着レート制御部１００は、総合レートモニタ１６０のデータ（モニタ結果）から、設定した蒸着レートに達しているか否かを判断している。
　Ｓ６において、蒸着レート制御部１００は、設定した蒸着レートに達していないと判断すれば、再度、Ｓ３およびＳ４に移行して、蒸着粒子発生部１２０および１１０における蒸着粒子の残量が所定量Ｘ１２およびＸ１１であるか否かを判断する。
　一方、Ｓ６において、蒸着レート制御部１００が、設定した蒸着レートに達していると判断すれば、Ｓ７に移行して、蒸着粒子発生部１２０からの蒸着粒子があるかどうかを判断する。すなわち、Ｓ７では、蒸着レート制御部１００は、個別レートモニタ１５０のデータ（モニタ結果）から、蒸着粒子発生部１２０からの蒸着粒子の寄与を判断している。個別レートモニタ１５０での蒸着レートが０であれば、ヒータ制御部１０２はヒータ１２２を停止させる（Ｓ８）。この時、蒸着粒子発生部１２０と１１０のうち、蒸着粒子発生部１２０の駆動が停止し、蒸着粒子発生部１１０のみの駆動に切り替わっている。一方、Ｓ７において、個別レートモニタ１５０での蒸着レートが０でなければ、Ｓ９に移行する。
　Ｓ９では、蒸着レート制御部１００は、蒸着レートが変更されたか否かを判断する。つまり、蒸着レート制御部１００は、蒸着粒子発生部１２０ないし１１０による蒸着処理が安定して行われている状態で、蒸着レートの変更があるか否かをモニタリングしている。
　そして、蒸着レート制御部１００は、Ｓ９において、蒸着レートの変更があるか否かをモニタリング中に、蒸着レートの変更が指示されたことを示す信号を受け付けた場合、Ｓ１に移行して、変更後の蒸着レートに設定し、Ｓ２～Ｓ９までの処理を行う。
　一方、蒸着レート制御部１００は、Ｓ９において、蒸着レートの変更がなければ、Ｓ１０に移行し、蒸着処理停止の指示を受け付けたか否かを判断する（Ｓ１０）。
　Ｓ１０において、蒸着処理停止の指示を受けていないと判断すれば、再度、Ｓ７に移行し、個別レートモニタ１５０の蒸着レートの判断を行う。
　一方、Ｓ１０において、蒸着処理停止の指示を受け付けていたら、ヒータ１１２および１２２を停止させ（Ｓ１１およびＳ１２）、蒸着処理を終了する。ここでは、蒸着レート制御部１００は、操作部１０４から受け付けた蒸着処理停止を示す信号から、ヒータ制御部１０１、１０２に対してヒータ１１２および１２２に供給する電流を停止するための指示信号を送る。これにより、蒸着粒子発生部１１０および１２０の駆動は、停止する。
　ここで、上記蒸着装置を用いて製造される有機ＥＬ表示装置とその製造方法について説明する。
　＜有機ＥＬ表示装置の全体構成＞
　上記有機ＥＬ表示装置の全体構成について以下に説明する。
　図５は、ＲＧＢフルカラー表示の有機ＥＬ表示装置１の概略構成を示す断面図である。
　図５に示すように、本実施の形態で製造される有機ＥＬ表示装置１は、ＴＦＴ１２（図６参照）が設けられたＴＦＴ基板１０上に、ＴＦＴ１２に接続された有機ＥＬ素子２０、接着層３０、封止基板４０が、この順に設けられた構成を有している。
　図５に示すように、有機ＥＬ素子２０は、該有機ＥＬ素子２０が積層されたＴＦＴ基板１０を、接着層３０を用いて封止基板４０と貼り合わせることで、これら一対の基板（ＴＦＴ基板１０、封止基板４０）間に封入されている。
　上記有機ＥＬ表示装置１は、このように有機ＥＬ素子２０がＴＦＴ基板１０と封止基板４０との間に封入されていることで、有機ＥＬ素子２０への酸素や水分の外部からの浸入が防止されている。
　次に、上記有機ＥＬ表示装置１におけるＴＦＴ基板１０および有機ＥＬ素子２０の構成について詳述する。
　＜ＴＦＴ基板１０の構成＞
　図６は、有機ＥＬ表示装置１の表示部を構成する有機ＥＬ素子２０の概略構成を示す断面図である。
　図６に示すように、ＴＦＴ基板１０は、ガラス基板等の透明な絶縁基板１１上に、ＴＦＴ１２（スイッチング素子）および配線１４、層間絶縁膜１３、エッジカバー１５等が形成された構成を有している。
　有機ＥＬ表示装置１は、フルカラーのアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置であり、絶縁基板１１上には、配線１４で囲まれた領域に、それぞれ、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色の有機ＥＬ素子２０からなる各色の画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂが、マトリクス状に配列されている。
　ＴＦＴ１２は、それぞれ、各画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂに対応して設けられている。なお、ＴＦＴの構成は従来よく知られている。したがって、ＴＦＴ１２における各層の図示並びに説明は省略する。
　層間絶縁膜１３は、各ＴＦＴ１２および配線１４を覆うように、上記絶縁基板１１上に、上記絶縁基板１１の全領域に渡って積層されている。
　層間絶縁膜１３上には、有機ＥＬ素子２０における第１電極２１が形成されている。
　また、層間絶縁膜１３には、有機ＥＬ素子２０における第１電極２１をＴＦＴ１２に電気的に接続するためのコンタクトホール１３ａが設けられている。これにより、ＴＦＴ１２は、上記コンタクトホール１３ａを介して、有機ＥＬ素子２０に電気的に接続されている。
　エッジカバー１５は、第１電極２１の端部で有機ＥＬ層が薄くなったり電界集中が起こったりすることで、有機ＥＬ素子２０における第１電極２１と第２電極２６とが短絡することを防止するための絶縁層である。
　エッジカバー１５は、層間絶縁膜１３上に、第１電極２１の端部を覆うように形成されている。
　第１電極２１は、図６に示すように、エッジカバー１５のない部分で露出している。この露出部分が各画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂの発光部となる。
　言い換えれば、各画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂは、絶縁性を有するエッジカバー１５によって仕切られている。エッジカバー１５は、素子分離膜としても機能する。
　＜ＴＦＴ基板１０の製造方法＞
　絶縁基板１１としては、例えば、無アルカリガラスやプラスチック等を用いることができる。本実施の形態においては、板厚０．７ｍｍの無アルカリガラスを使用した。
　層間絶縁膜１３およびエッジカバー１５としては、既知の感光性樹脂を用いることができる。上記感光性樹脂としては、例えば、アクリル樹脂やポリイミド樹脂等が挙げられる。
　また、ＴＦＴ１２は既知の方法にて作製される。なお、本実施の形態においては、上記したように、ＴＦＴ１２を各画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂに形成したアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置１を例に挙げている。
　しかしながら、本実施の形態はこれに限定されるものではなく、ＴＦＴが形成されていないパッシブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置の製造についても、本発明を適用することができる。
　＜有機ＥＬ素子２０の構成＞
　有機ＥＬ素子２０は、低電圧直流駆動による高輝度発光が可能な発光素子であり、第１電極２１、有機ＥＬ層、第２電極２６が、この順に積層されている。
　第１電極２１は、上記有機ＥＬ層に正孔を注入（供給）する機能を有する層である。第１電極２１は、前記したようにコンタクトホール１３ａを介してＴＦＴ１２と接続されている。
　第１電極２１と第２電極２６との間には、図６に示すように、有機ＥＬ層として、第１電極２１側から、例えば、正孔注入層兼正孔輸送層２２、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂ、電子輸送層２４、および電子注入層２５が、この順に形成された構成を有している。
　なお、図示してないが、必要に応じて正孔、電子といったキャリアの流れをせき止めるキャリアブロッキング層が挿入されていてもよい。また、一つの層が複数の機能を有していてもよく、例えば、正孔注入層と正孔輸送層とを兼ねた一つの層を形成してもよい。
　なお、上記積層順は、第１電極２１を陽極とし、第２電極２６を陰極としたものである。第１電極２１を陰極とし、第２電極２６を陽極とする場合には、有機ＥＬ層の積層順は反転する。
　正孔注入層は、第１電極１２１から有機ＥＬ層への正孔注入効率を高める機能を有する層である。また、正孔輸送層は、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂへの正孔輸送効率を高める機能を有する層である。正孔注入層兼正孔輸送層２２は、第１電極２１およびエッジカバー１５を覆うように、上記ＴＦＴ基板１０における表示領域全面に一様に形成されている。
　なお、本実施の形態では、上記したように、正孔注入層および正孔輸送層として、正孔注入層と正孔輸送層とが一体化された正孔注入層兼正孔輸送層２２を設けている。しかしながら、本実施の形態はこれに限定されるものではなく、正孔注入層と正孔輸送層とは互いに独立した層として形成されていてもよい。
　正孔注入層兼正孔輸送層２２上には、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂが、それぞれ、画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂに対応して形成されている。
　発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂは、第１電極２１側から注入された正孔と第２電極２６側から注入された電子とを再結合させて光を出射する機能を有する層である。発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂは、それぞれ、低分子蛍光色素、金属錯体等の、発光効率が高い材料で形成されている。
　電子輸送層２４は、発光層への電子輸送効率を高める機能を有する層である。また、電子注入層２５は、第２電極２６から有機ＥＬ層への電子注入効率を高める機能を有する層である。
　電子輸送層２４は、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂおよび正孔注入層兼正孔輸送層２２を覆うように、これら発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂおよび正孔注入層兼正孔輸送層２２上に、上記ＴＦＴ基板１０における表示領域全面に渡って一様に形成されている。
　また、電子注入層２５は、電子輸送層２４を覆うように、電子輸送層２４上に、上記ＴＦＴ基板１０における表示領域全面に渡って一様に形成されている。
　なお、電子輸送層２４と電子注入層２５とは、上記したように互いに独立した層として形成されていてもよく、互いに一体化して設けられていてもよい。すなわち、有機ＥＬ表示装置１は、電子輸送層２４および電子注入層２５に代えて、電子輸送層兼電子注入層を備えていてもよい。
　第２電極２６は、上記のような有機層で構成される有機ＥＬ層に電子を注入する機能を有する層である。第２電極２６は、電子注入層２５を覆うように、電子注入層２５上に、上記ＴＦＴ基板１０における表示領域全面に渡って一様に形成されている。
　なお、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂ以外の有機層は有機ＥＬ層として必須の層ではなく、要求される有機ＥＬ素子２０の特性に応じて適宜形成すればよい。
　また、正孔注入層兼正孔輸送層２２および電子輸送層兼電子注入層のように、一つの層は、複数の機能を有していてもよい。
　また、有機ＥＬ層には、必要に応じ、キャリアブロッキング層を追加することもできる。例えば、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂと電子輸送層２４との間にキャリアブロッキング層として正孔ブロッキング層を追加することで、正孔が電子輸送層２４に抜けるのを阻止し、発光効率を向上することができる。
　上記構成において、第１電極２１（陽極）、第２電極２６（陰極）、および発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂ以外の層は、適宜挿入すればよい。
　＜有機ＥＬ素子２０の製造方法＞
　第１電極２１は、電極材料をスパッタ法等で形成した後、フォトリソグラフィ技術およびエッチングにより、個々の画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂに対応してパターン形成されている。
　第１電極２１としては、様々な導電性材料を用いることができるが、絶縁基板１１側に光を放射するボトムエミッション型の有機ＥＬ素子の場合、透明または半透明の必要がある。
　一方、基板とは反対側から光を放射するトップエミッション型有機ＥＬ素子の場合には、第２電極２６が透明または半透明の必要がある。
　これら第１電極２１および第２電極２６に用いられる導電膜材料としては、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウム錫酸化物）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide：インジ
ウム亜鉛酸化物）、ガリウム添加酸化亜鉛（ＧＺＯ）等の透明導電材料、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）等の金属材料を用いることができる。
　また、上記第１電極２１および第２電極２６の積層方法としては、スパッタ法、真空蒸着法、ＣＶＤ（chemical vapor deposition、化学蒸着）法、プラズマＣＶＤ法、印刷法
等を用いることができる。例えば、上記第１電極２１の積層に、後述する本実施の形態に係る蒸着装置を用いてもよい。
　有機ＥＬ層の材料としては、既知の材料を用いることができる。なお、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂには、それぞれ、単一の材料を用いてもよく、ある材料をホスト材料とし、他の材料をゲスト材料またはドーパントとして混ぜ込んだ混合材料を用いてもよい。
　正孔注入層、正孔輸送層、あるいは正孔注入層兼正孔輸送層２２の材料としては、例えば、アントラセン、アザトリフェニレン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、トリフェニレン、ベンジン、スチリルアミン、トリフェニルアミン、ポルフィリン、トリアゾール、イミダゾール、オキサジアゾール、オキザゾール、ポリアリールアルカン、フェニレンジアミン、アリールアミン、およびこれらの誘導体、チオフェン系化合物、ポリシラン系化合物、ビニルカルバゾール系化合物、アニリン系化合物等の鎖状式あるいは環式共役系のモノマー、オリゴマー、またはポリマー等が挙げられる。
　発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂの材料としては、低分子蛍光色素、金属錯体等の発光効率が高い材料が用いられる。例えば、アントラセン、ナフタレン、インデン、フェナントレン、ピレン、ナフタセン、トリフェニレン、ペリレン、ピセン、フルオランテン、アセフェナントリレン、ペンタフェン、ペンタセン、コロネン、ブタジエン、クマリン、アクリジン、スチルベン、およびこれらの誘導体、トリス（８－キノリノラト）アルミニウム錯体、ビス（ベンゾキノリノラト）ベリリウム錯体、トリ（ジベンゾイルメチル）フェナントロリンユーロピウム錯体、ジトルイルビニルビフェニル、ヒドロキシフェニルオキサゾール、ヒドロキシフェニルチアゾール、等が挙げられる。
　電子輸送層２４、電子注入層２５、あるいは電子輸送層兼電子注入層の材料としては、例えば、トリス（８－キノリノラト）アルミニウム錯体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェニルキノキサリン誘導体、シロール誘導体等が挙げられる。
　＜真空蒸着法を用いた成膜パターンの形成方法＞
　ここで、真空蒸着法を用いた成膜パターンの形成方法について、主に図７を用いて以下に説明する。
　なお、以下の説明では、被成膜基板（被成膜物）としてＴＦＴ基板１０を使用するとともに、蒸着材料として有機発光材料を使用し、第１電極２１が形成された被成膜基板上に、真空蒸着法を用いて、蒸着膜として有機ＥＬ層を形成する場合を例に挙げて説明する。
　フルカラーの有機ＥＬ表示装置１では、前記したように、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色の発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂを備えた有機ＥＬ素子２０からなる各色の画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂが、マトリクス状に配列されている。
　なお、勿論、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂに代えて、例えば、シアン（Ｃ）、マゼンタ（Ｍ）、黄（Ｙ）からなる各色の発光層を有していてもよく、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）、黄（Ｙ）からなる各色の発光層を有していてもよい。
　このような有機ＥＬ表示装置１では、ＴＦＴ１２を用いて、これら有機ＥＬ素子２０を選択的に所望の輝度で発光させることによりカラー画像表示を行う。
　このため、有機ＥＬ表示装置１を製造するためには、各色に発光する有機発光材料からなる発光層を、被成膜基板上に、有機ＥＬ素子２０毎に所定のパターンで成膜する必要がある。
　前記したように、蒸着マスク３００には、所望の位置・形状に開口部３０１が形成されている。図１に示すように、蒸着マスク３００は、被成膜基板２００の被成膜面２０１に密着固定されている。
　また、蒸着マスク３００を挟んで被成膜基板２００と反対側には、被成膜基板２００の被成膜面２０１に対向するように、蒸着源として蒸着粒子射出装置５０１が配置されている。
　有機ＥＬ表示装置１を製造する場合、有機発光材料は、高真空下で加熱して蒸着または昇華させて気体にすることで、気体状の蒸着粒子としてノズル部１７０の射出口１７１から射出される。
　蒸着粒子としてノズル部１７０の射出口１７１から射出された蒸着材料は、蒸着マスク３００に設けられた開口部３０１を通して被成膜基板２００に蒸着される。
　これにより、蒸着マスク３００の開口部３０１に対応する、被成膜基板２００の所望の位置にのみ、所望の成膜パターンを有する有機膜が、蒸着膜として蒸着形成される。なお、蒸着は、発光層の色毎に行われる（これを「塗り分け蒸着」と言う）。
　例えば、図６における正孔注入層兼正孔輸送層２２の場合、表示部全面に成膜を行うため、表示部全面および成膜が必要な領域のみ開口しているオープンマスクを蒸着マスク３００として用いて、成膜を行う。
　なお、電子輸送層２４や電子注入層２５、第２電極２６についても、同様である。
　一方、図６において、赤色を表示する画素の発光層２３Ｒの成膜を行う場合、赤色の発光材料を蒸着させる領域のみが開口したファインマスクを蒸着マスク３００として用いて、成膜を行う。
　＜有機ＥＬ表示装置１の製造工程の流れ＞
　図７は、有機ＥＬ表示装置１の製造工程を工程順に示すフローチャートである。
　まず、ＴＦＴ基板１０を作製し、この作製したＴＦＴ基板１０上に、第１電極２１を形成する（Ｓ１０１）。なお、ＴＦＴ基板１０は、公知の技術を用いて作製することができる。
　次に、この第１電極２１が形成されたＴＦＴ基板１０上に、オープンマスクを蒸着マスク３００として用いて、正孔注入層および正孔輸送層を、真空蒸着法により、画素領域全面に形成する（Ｓ１０２）。なお、正孔注入層および正孔輸送層としては、前記したように、正孔注入層兼正孔輸送層２２とすることができる。
　次いで、ファインマスクを蒸着マスク３００として用いて、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂを、真空蒸着法により塗り分け蒸着する（Ｓ１０３）。これにより、各画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂに応じたパターン膜を形成する。
　その後、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂが形成されたＴＦＴ基板１０上に、オープンマスクを蒸着マスク３００として用いて、電子輸送層２４、電子注入層２５、第２電極２６を、順に、真空蒸着法により、画素領域全面に形成する（Ｓ１０４～Ｓ１０６）。
　以上のように、蒸着が完了した基板に対して、有機ＥＬ素子２０が大気中の水分や酸素にて劣化しないように、有機ＥＬ素子２０の領域（表示部）の封止を行う（Ｓ１０７）。
　封止は、水分や酸素の透過し難い膜をＣＶＤ法等で形成する方法、ガラス基板等を接着剤等により貼り合わせる方法等がある。
　以上のような工程により、有機ＥＬ表示装置１が作製される。有機ＥＬ表示装置１は、外部に形成された駆動回路から、個々の画素にある有機ＥＬ素子２０に電流を流し発光させることで、所望の表示を行うことができる。
　以下に、本実施の形態に係る蒸着装置による作用・効果について説明する。
　＜作用・効果について＞
　一般的に、蒸着材料を蒸発させて蒸着粒子として、被成膜基板上に蒸着膜を安定して形成する速度（蒸着レート）に達するまでの時間は、蒸着材料の収容量に比例して長くなる。これは、蒸着材料の収容量が多いと、蒸着材料全体に熱が伝わるのに時間がかかり、蒸着材料を蒸発させて蒸着粒子を安定した射出できるまでに時間を要するからである。
　そこで、蒸着材料の収容量が、蒸着粒子発生部１１０よりも小さい蒸着粒子発生部１２０を用いることで、収容された蒸着材料全体に熱が伝わる時間を、蒸着粒子発生部１１０よりも短くできる。
　これにより、蒸着開始から設定した蒸着レートに達成するまでの時間を短縮することができる。
　このことは、図８に示すグラフからも明らかである。
　図８は、各蒸着粒子発生部における蒸着レートの時間プロファイルを示すグラフである。図８において、Ａは蒸着粒子発生部１１０、ａは蒸着粒子発生部１２０を示す。
　図８に示すグラフから、あるレートまで達して安定化するまでの時間は蒸着粒子発生部１２０のほうが蒸着粒子発生部１１０よりも早いことが判る。なお、図８では、説明の便宜上、蒸着粒子発生部１２０の蒸着レートのほうが低く記載しているが、到達し得る蒸着レートは蒸着粒子発生部１１０と同じである。
　ここで、蒸着レートの上昇速度を加速させ、到達時間を短縮させるために、加熱量（ヒータの昇温速度）を急激に上げることが考えられるが、加熱量が高いと、蒸着粒子発生部内のるつぼ内壁付近の蒸着材料が過度に加熱され、蒸着材料が劣化したり、蒸着材料の突沸（塊のまま、射出口から飛び出す）が生じたり、蒸着源構成部材の歪みや損傷を発生させるという問題が生じるため、上記加熱量には上限が存在する。
　したがって、本実施の形態に係る蒸着装置のように、複数の蒸着粒子発生部を備え、少なくとも一つの蒸着粒子発生部の蒸着材料収容量が、残りの他の蒸着粒子発生部の蒸着材料収容量よりも小さくなるようにすることで、加熱量の上限問題を生じさせずに、蒸着レートの上昇速度を加速させ、到達時間を短縮させることができる。
　このことを利用すれば、以下に示すように、蒸着レートの変更時間の短縮と、蒸着レートが安定するまでの時間の短縮とが可能となる。
　＜蒸着レートの変更時間の短縮効果＞
　図９の（ａ）は、蒸着レートの変更時間の短縮を説明するためのグラフであり、図９の（ｂ）は、蒸着レートが安定するまでの時間短縮を説明するためのグラフである。
　まず、図９の（ａ）を参照しながら、蒸着レートの変更時間の短縮について説明する。
　ここで、蒸着レートを変更する場合とは、例えば、成膜する有機ＥＬ表示装置の機種が変わり、処理タクトの関係上、蒸着レートを変更する必要がある場合や、一つの層を単独材料で蒸着し、別の層において他材料との共蒸着を形成したい時に、他材料との混合比を調整する必要がある場合などが想定できる。
　このような場合、初期の蒸着は蒸着粒子発生部１１０（蒸着粒子発生部Ａ）を用いて行っておき、蒸着レートの上昇分を蒸着粒子発生部１２０（蒸着粒子発生部ａ）にて賄う。蒸着粒子発生部ａは、蒸着レートの上昇が早いため、蒸着粒子発生部Ａのみで蒸着レートを上げるよりも、早く所望の蒸着レートに達する。
　このようにすれば、初期の蒸着レートから、蒸着レートを上昇させる場合でも、迅速に蒸着レートを安定させることができる。
　ところで、通常、蒸着レートを安定させるまでの期間は、被成膜基板への成膜を行えないため、その時間分は蒸着材料のロスとなる。つまり、メインの蒸着粒子発生部Ａである蒸着粒子発生部１１０だけで蒸着レートを変更させる場合には、蒸着レートを安定させるまでの期間は、被成膜基板への成膜を行えないため、その時間分は蒸着材料のロスとなる。
　しかしながら、本実施例の構造を用いれば、メインの蒸着粒子発生部Ａである蒸着粒子発生部１１０よりも蒸着材料の収容量の小さいサブの蒸着粒子発生部ａである蒸着粒子発生部１２０を設けることで、蒸着粒子発生部１１０が無駄にしていた蒸着材料も利用することが可能となり、蒸着材料のロスを低減し、材料の利用効率を向上できる。
　逆に、蒸着レートを下げたい場合も同様である。初期の蒸着を両方の蒸着粒子発生部にて行っておき、下げたいタイミングで蒸着粒子発生部ａの加熱を止めればよい。
　しかも、蒸着粒子発生部１２０において目的とする蒸着レートに達するまでの時間が、蒸着粒子発生部１１０において目的とする蒸着レートに達する時間よりも短いので、蒸着レートの変更を迅速に行うことができる。
　なお、図１に二点鎖線で示すように、各蒸着粒子発生部からの蒸着粒子の供給をＯＮ／ＯＦＦするシャッタ１３１やバルブ（開閉部材）１１７，１２７を設けることもできる。この場合、蒸着レートを瞬間的に切り替えることができる。
　すなわち、各供給源による蒸着レートを各ＲＡ、Ｒａとすると、蒸着レートはバルブ１１７，１２７により、（１）ＲＡ、（２）ＲＡ＋Ｒａ、（３）Ｒａに変更し得る。但し、切り替え前までに各蒸着粒子発生部の蒸着レートを安定化しておく必要がある。従来のように蒸着粒子発生部が一つであれば、瞬間的な蒸着レートの切り替えは不可能である。
　また、上記シャッタ１３１は、図１に二点鎖線で示すように、蒸着マスク３００とノズル部１７０との間に設けられている。このシャッタ１３１は、ノズル部１７０から射出された蒸着粒子の蒸着マスク３００への到達を制御するために、被成膜基板２００に向けて蒸着粒子を放射させるか否かを決定するために用いられる。
　すなわち、シャッタ１３１は、蒸着レートを安定化させる時や、蒸着が不要な時に蒸着粒子が真空チャンバ５００内に射出されるのを防止する。
　シャッタ１３１は、シャッタ作動ユニット（図示せず）により、例えば、蒸着マスク３００とノズル部１７０との間に進退可能（挿入可能）に設けられている。これにより、例えば、被成膜基板２００と蒸着マスク３００とのアライメントを行っている最中に、被成膜基板２００に蒸着粒子が到達しないように、蒸着粒子の射出経路を妨げる。
　なお、シャッタ１３１は、被成膜基板２００への成膜時以外は、ノズル部１７０における蒸着粒子（蒸着材料）の射出口１７１を覆っている。
　蒸着粒子発生部ａは蒸着材料の収容量が少ないが、総合的な蒸着レートに対する蒸着粒子発生部ａの寄与量を減らす（蒸着粒子発生部ａから放出される蒸着流量の割合を小さくしておく）ことで、蒸着粒子発生部Ａと同等の長時間蒸着が可能である。
　従来のような蒸着粒子発生部が単一の場合、蒸着レートを上げるためには、るつぼ温度をより上げる必要がある。それにより、蒸着材料の熱による損傷が増大してしまう。しかし、本実施の形態に係る構造の蒸着装置を用いれば、るつぼ温度をそれほど上げなくてよいので、材料劣化を低減することができる。
　＜蒸着レートが安定するまでの時間の短縮効果＞
　次に、図９の（ｂ）を参照しながら、蒸着レートが安定するまでの時間の短縮について説明する。
　ここでは、蒸着粒子発生部Ａの蒸着レートの上昇は遅いため、安定するまでの期間に放出された蒸着材料はロスとなる。それを低減するために、蒸着粒子発生部ａを併用する。蒸着粒子発生部ａは蒸着レートの上昇が早いため、最初は蒸着粒子発生部ａから放出された蒸着流をメインとし、すばやく所望の蒸着レートに到達させる。
　その後、蒸着粒子発生部Ａからの蒸着流量が増加するにしたがって、蒸着粒子発生部ａからの蒸着流量を下げていく。総合的には常に蒸着レートが一定になるように制御する。これらの制御は、上述したように、個別および総合レートモニタの計測値とヒータを用いて精密に制御される。
　上記のような方法を用いれば、蒸着レートをすばやく安定化させることができ、材料利用効率を向上することができる。また、蒸着粒子発生部ａは、蒸着粒子発生部Ａによる蒸着レートが所望の値に達するまで用いるだけであるので、蒸着材料の収容量が少なくても、長時間蒸着が可能となる。
　上記の方法は、蒸着粒子発生部Ａの蒸着レートを下げる際にも同様に利用できる。すなわち、材料の補給などで蒸着粒子発生部Ａを停止する必要が生じた場合、加熱を切ることで蒸着粒子発生部Ａからの蒸着流量は徐々に低下していくが、低下した分を蒸着粒子発生部ａからの蒸着流量で補うことで、蒸着粒子発生部Ａの停止への移行中でも所望の蒸着レートを得ることができる。同時に、蒸着レートが下降中の蒸着粒子発生部Ａの蒸着流を活用することができ、材料利用効率を向上することができる。
　さらに別の効果として、外乱や蒸着材料の残量変化などによって、蒸着粒子発生部Ａからの蒸着流量が不安定となる場合がある。このような場合においても、蒸着粒子発生部ａからの蒸着流によって補うことで、蒸着レートのふらつきを低減することができる。
　なお、本実施の形態では、蒸着粒子射出装置５０１に、蒸着材料の収容量が小さい蒸着粒子発生部１２０が一つ備えられた例について説明したが、これに限定されるものではなく、複数個備えられていてもよい。
　また、本実施の形態では、蒸着粒子射出装置５０１を構成する蒸着粒子発生部１１０，１２０が真空チャンバ５００内に設けられた例を示したが、これに限定されるものではなく、蒸着粒子発生部１１０，１２０は、真空チャンバ５００外にあってもよい。例えば蒸着粒子発生部１１０，１２０が、別途用意されたロードロックチャンバに引き出されており、真空チャンバ５００へは気化した蒸着材料を導入する導入管が接続されている状態でもよい。ロードロックチャンバは真空チャンバ５００（成膜チャンバ）とは個別に排気やベントが行えるため、真空チャンバ５００を大気開放することなく、材料補給が可能となる。また、真空チャンバ５００よりもロードロックチャンバが小さければ、所望の減圧状態に達するまでの時間も短縮できる。
　本実施の形態に係る蒸着粒子射出装置では、上述のように、蒸着材料の収容量が異なる蒸着粒子発生部を用いることで、蒸着開始から所望する蒸着レートに達するまでの時間を短くすることで、蒸着材料の利用効率を高めていたが、下記の実施の形態２では、さらに、別の方法により蒸着材料の利用効率を高める点について説明する。
　〔実施の形態２〕
　本発明の他の実施の形態について説明すれば以下の通りである。なお、説明の便宜上、前記実施の形態１と同じ機能を有する部材には、同一の符号を付記し、その詳細な説明は省略する。
　＜蒸着装置全体の説明＞
　図１０は、蒸着装置全体の概略を示す図である。
　上記蒸着装置は、図１０に示すように、真空チャンバ５００内に、蒸着源として、複数の射出口１７１を備えたノズル部（蒸着粒子射出部）１７０と、４つの蒸着粒子発生部１１０ａ～１１０ｄとを有する蒸着粒子射出装置５０２を備えている。また、真空チャンバ５００内の上方には、上記蒸着粒子射出装置５０２のノズル部１７０に対向して、蒸着マスク３００および被成膜基板２００が配置されている。
　上記構成の蒸着装置では、４つの蒸着粒子発生部１１０ａ～１１０ｄに設けられたヒータ１１２ａ～１１２ｄにより、各蒸着粒子発生部１１０ａ～１１０ｄに収容された蒸着材料１１４を加熱して、気体状の蒸着粒子を発生させる。
　各蒸着粒子発生部１１０ａ～１１０ｄは、個別に加熱でき、かつ、個別に蒸着レートを制御できるようになっている。４つの蒸着粒子発生部１１０ａ～１１０ｄは、順に加熱され、１つの蒸着粒子発生部内の蒸着材料１１４を使い切るタイミングで別の蒸着粒子発生部に切り替えられる。
　各蒸着粒子発生部１１０ａ～１１０ｄで発生させた蒸着粒子は、それぞれ、各蒸着粒子発生部１１０ａ～１１０ｄに接続された配管１１５ａ～１１５ｄを介してノズル部１７０に誘導される。その後、ライン状に配列した射出口１７１から蒸着粒子を被成膜基板２００に向けて射出する。
　なお、本実施の形態でも、蒸着マスク３００を介して蒸着粒子を被成膜基板２００の表面に蒸着させることにより、蒸着膜のパターンを形成することができる。
　また、本実施の形態でも、上記蒸着粒子射出装置５０２を固定して、被成膜基板２００と蒸着マスク３００とを密着固定した状態で、被成膜基板２００を紙面に垂直な方向（射出口１７１の並び方向と直交する方向）に移動（走査）させてスキャン蒸着を行う。あるいは、被成膜基板２００を固定して、上記蒸着粒子射出装置５０２を射出口１７１の並び方向と直交する方向に移動させてスキャン蒸着を行う。
　蒸着マスク３００は、前記実施の形態１と同様に、所望の位置・形状に開口部３０１が形成されており、それを通過した蒸着粒子のみが被成膜基板２００に到達し蒸着膜を形成する。画素ごとにパターンを形成する場合には、画素ごとに貫通穴が開口したマスク（ファインマスク）を用い、表示領域全面に蒸着する場合には、表示領域全面が開口したマスク（オープンマスク）を用いる。画素ごとに形成する例としては、例えば発光層があり、表示領域全面に形成する例としては、正孔輸送層などがある。
　上記蒸着粒子発生部１１０ａ～１１０ｄには、それぞれ発生した蒸着粒子を導出するための配管１１５ａ～１１５ｄが設けられている。これら配管１１５ａ～１１５ｄは、上記ノズル部１７０に直接接続されている。これにより、蒸着粒子発生部１１０ａ～１１０ｄで発生した蒸着粒子は、配管１１５ａ～１１５ｄを通りノズル部１７０に導かれる。
　上記配管１１５ａ～１１５ｄには、蒸着粒子発生部１１０ａ～１１０ｄにおける蒸着流量（蒸着粒子の量）をモニタリングする個別レートモニタ１４０ａ～１４０ｄが設けられている。
　上記個別レートモニタ１４０ａ～１４０ｄは、配管１１５ａ～１１５ｄ内を流れる蒸着粒子の量（蒸着流量）を計測するようになっている。
　さらに、上記蒸着粒子射出装置５０２は、総合的な蒸着流量（蒸着粒子の量）をモニタリングする総合レートモニタ１６０を有している。
　上記総合レートモニタ１６０は、射出口１７１から射出された蒸着粒子が被成膜基板２００に供給される量（蒸着流量）を計測するようになっている。
　すなわち、上記個々の蒸着粒子発生部１１０ａ～１１０ｄから供給される蒸着流量は、個別に設けられた個別レートモニタ１４０ａ～１４０ｄにてリアルタイムに計測されている。同時に、総合的な蒸着流量（基板に成膜される量に相当）も総合レートモニタ１６０にて計測されている。各レートモニタの計測値に応じて、各蒸着粒子発生部１１０ａ～１１０ｄの加熱量が個別にコントロールされる。この制御の詳細については後述する。
　また、上記配管１１５ａ～１１５ｄには、バルブ（開閉部材）１１６ａ～１１６ｄが設けられている。
　バルブ１１６ａ～１１６ｄは、配管１１５ａ～１１５ｄ内を開閉することで、配管１１５ａ～１１５ｄ内に蒸着粒子を流したり、蒸着粒子の供給を停止させたりする。この制御については、後述する。
　また、蒸着粒子発生部１１０ａ～１１０ｄは、収容されている蒸着材料を加熱するためのヒータ１１２ａ～１１２ｄを有している。
　以上のことから、本実施の形態では、蒸着粒子発生部１１０ａ～１１０ｄからノズル部１７０への蒸着粒子の供給制御は、ヒータ１１２ａ～１１２ｄの駆動制御（電流のＯＮ／ＯＦＦ）だけでなく、バルブ１１６ａ～１１６ｄの開閉によっても行うことができる。
　つまり、蒸着粒子の供給制御を、ヒータ１１２ａ～１１２ｄの駆動制御（電流のＯＮ／ＯＦＦ）で行った場合には、蒸着粒子の発生を迅速に停止させたくても、それができないが、バルブ１１６ａ～１１６ｄの開閉制御、すなわち開放された状態のバルブを閉じるだけで、蒸着粒子の発生を迅速に停止させることができる。
　したがって、ヒータ１１２ａ～１１２ｄの駆動制御、バルブ１１６ａ～１１６ｄの開閉制御を個別に行うことで、蒸着粒子発生部１１０ａ～１１０ｄからノズル部１７０への蒸着粒子の供給制御を、それぞれ個別に行うことが可能となる。
　このように、蒸着粒子発生部１１０ａ～１１０ｄからノズル部１７０への蒸着粒子の供給制御を、それぞれ個別に行うことで、蒸着粒子発生部１１０ａ～１１０ｄを順に切り替えながら使用することが可能となる。
　例えば、蒸着粒子発生部１１０ａのみによって蒸着膜を形成している状態で、当該蒸着粒子発生部１１０ａに収容されている蒸着材料の残量が少なくなり、交換の必要が生じたとき、蒸着粒子発生部１１０ｂによる蒸着膜の形成を開始させる。このようにして、蒸着材料の残量が少なくなり、交換の必要が生じたときに、次の蒸着粒子発生部に変更していくことで、連続した蒸着膜形成を行うことが可能となる。
　ところで、前記実施の形態１でも述べた通り、一般に、蒸着粒子発生部を駆動（ヒータに電流を流す）してから、所定の蒸着レートに達するまでには比較的長い時間を要する。このため、上述のように、蒸着粒子発生部を切り替えて使用する場合、切り替えるタイミングによっては、蒸着レートが不安定になる虞がある。このタイミングを調整することで、蒸着粒子発生部を切り替えて使用した場合であっても、蒸着レートを安定化させることが可能となる。
　以下に、本実施の形態に係る蒸着粒子射出装置５０２における蒸着制御を実施するための、制御ブロック図および制御処理の流れについて説明する。
　＜蒸着制御用ブロック図＞
　図１１は、蒸着制御を実行するための蒸着粒子射出装置５０２における制御ブロック図である。
　蒸着粒子射出装置５０２は、図１１に示すように、蒸着制御における制御部として、メイン制御を行う蒸着レート制御部（駆動制御部）４００と、蒸着粒子発生部１１０ａ～１１０ｄのヒータ１１２ａ～１１２ｄに対する駆動電流の供給を制御するヒータ制御部４０１ａ～４０１ｄと、蒸着粒子発生部１１０ａ～１１０ｄのバルブ１１６ａ～１１６ｄの開閉を行うバルブ駆動部４０２ａ～４０２ｄとを有している。
　上記蒸着レート制御部４００は、蒸着粒子発生部１１０ａ～１１０ｄにおける蒸着レートをモニタリングしている個別レートモニタ１４０ａ～１４０ｄからのデータ（モニタ結果）、蒸着装置全体での蒸着レートをモニタリングしている総合レートモニタ１６０からのデータ（モニタ結果）、蒸着粒子発生部１１０ａ～１１０ｄにおける蒸着材料の残量を検知する蒸着材料残量検知部１０３からのデータ（検知結果）、操作部１０４から入力されたデータ（設定された蒸着レート）が入力され、これら入力されたデータに基づいてヒータ制御部４０１ａ～４０１ｄとバルブ駆動部４０２ａ～４０２ｄとに対する制御指示信号を出力するようになっている。
　上記個別レートモニタ１４０ａ～１４０ｄからのデータ（モニタ結果）は、例えば、蒸着粒子発生部１１０における蒸着流量を計測して得られた値であり、上記蒸着レート制御部４００は、上記個別レートモニタ１４０からのデータと、操作部１０４からのデータ（設定された蒸着レート）とを比較して、蒸着粒子発生部１１０における蒸着レートが所望する蒸着レート（設定された蒸着レート）に達しているか否かを判断する。
　さらに、上記総合レートモニタ１６０からのデータ（モニタ結果）は、蒸着粒子射出装置５０２全体における蒸着流量を計測して得られた値であり、上記蒸着レート制御部４００は、上記計測して得られた値と、操作部１０４からのデータ（設定された蒸着レート）とを比較して、計測した値が、所望する蒸着レート（設定された蒸着レート）に達しているか否かを判断する。
　また、蒸着レート制御部４００は、蒸着材料残量検知部１０３からの検知結果に応じて、蒸着粒子発生部１１０ａ～１１０ｄの駆動（蒸着粒子の発生）を停止させるか否かを判断する。
　続いて、上記蒸着レート制御部４００における蒸着制御処理の流れについて以下に説明する。
　＜蒸着制御処理フローチャート＞
　図１２は、本実施の形態に係る蒸着粒子射出装置５０２における蒸着制御処理の流れを示すフローチャートである。
　まず、蒸着粒子射出装置５０２における蒸着レートを設定する（Ｓ１１）。ここでは、蒸着レート制御部４００は、操作部１０４からの蒸着レートの設定情報を受け付けて、受け付けた設定情報から蒸着レートを設定する。なお、この時点では、バルブ１１６ａ～１１６ｄは、全て閉じた状態とする。
　次に、ヒータ１１２ａを駆動する（Ｓ１２）。ここでは、蒸着レート制御部４００が、操作部１０４から受け付けた蒸着レートの設定情報から、ヒータ制御部４０１ａに対して、蒸着粒子発生部１１０ａのヒータ１１２ａを駆動させるための駆動信号を送る。駆動信号が送られたヒータ制御部４０１ａは、ヒータ１１２ａに対して駆動電流を供給するように制御し、ヒータ１１２ａを駆動させる。
　次いで、バルブ１１６ａのみを開放する（Ｓ１３）。ここでは、蒸着レート制御部４００が、操作部１０４から受け付けた蒸着レートの設定情報から、バルブ駆動部４０２ａに対して、蒸着粒子発生部１１０ａのバルブ１１６ａを開放させるための駆動信号を送る。駆動信号が送られたバルブ駆動部４０２ａは、バルブ１１６ａを開放状態にするようにバルブ１１６ａを駆動する。
　続いて、蒸着粒子発生部１１０ａにおける蒸着材料の残量が所定量Ｘ以下であるか否かを判断する（Ｓ１４）。ここでは、蒸着レート制御部１００は、蒸着材料残量検知部１０３からの検知結果を確認して、蒸着粒子発生部１１０ａにおける蒸着材料の残量が所定量Ｘ以下であるか否かを判断する。つまり、Ｓ１４では、蒸着粒子発生部１１０ａにおける蒸着材料の残量をモニタリングする。
　したがって、Ｓ１４において、蒸着粒子発生部１１０ａにおける蒸着材料の残量が所定量Ｘ以下であれば、Ｓ１５に移行して、蒸着粒子発生部１１０ａのヒータ１１２ａを停止させる。
　ここで、上記所定量Ｘは、蒸着を安定して行うことができない量であり、蒸着粒子発生部１１０の駆動を停止させるか否かを判断するための量でもあるが、さらには、次の蒸着粒子発生部１１０ｂの駆動に切り替わった際に、所定の蒸着レートに達するまでの時間を考慮して設定される量でもある。
　つまり、所定量Ｘは、蒸着粒子発生部１１０を停止させるタイミングを図るための指針であると共に、次の蒸着粒子発生部１１０の駆動を開始させるタイミングを図るための指針でもある。
　したがって、所定量Ｘは、蒸着粒子発生部１１０を切り替えながら使用しても、所望する蒸着レートを一定に保つことができる値に設定すればよいので、蒸着粒子発生部１１０の蒸着材料の収容量や、蒸着材料の種類などに応じて適宜設定すればよい。
　続いて、Ｓ１５において蒸着粒子発生部１１０ａのヒータ１１２ａを停止させると同時に、蒸着粒子発生部１１０ｂのヒータ１１２ｂを駆動させる（Ｓ１６）と共に、蒸着粒子発生部１１０ｂのバルブ１１６ｂを開放させる（Ｓ１７）。この時点では、蒸着粒子発生部１１０ａの加熱は停止しているが、バルブ１１６ａは開放されたままなので、当該蒸着粒子発生部１１０ａからの蒸着粒子はノズル部１７０に供給されたままとなる。つまり、この時点では、蒸着粒子発生部１１０ａ、蒸着粒子発生部１１０ｂの両方から蒸着粒子がノズル部１７０に供給されていることになる。
　次に、蒸着粒子発生部１１０ｂからの蒸着粒子のみの供給か否かを判断する（Ｓ１８）。ここでは、蒸着レート制御部４００は、蒸着粒子発生部１１０ａの蒸着流量を監視している個別レートモニタ１４０ａからのモニタ結果によって、当該蒸着粒子発生部１１０ａにおける蒸着粒子の発生が停止している否かをモニタリングする。
　そして、蒸着粒子発生部１１０ａにおける蒸着粒子の発生が停止していることが判れば、蒸着レート制御部４００は、蒸着粒子発生部１１０ｂからの蒸着粒子のみの供給であると判断し、蒸着粒子発生部１１０ａのバルブ１１６ａを閉じる（Ｓ１９）。
　続いて、蒸着処理停止か否かを判断する（Ｓ２０）。ここでは、蒸着レート制御部４００は、操作部１０４からの蒸着処理停止の信号等の蒸着処理停止信号を受領するまで待機し、蒸着処理停止信号を受領した場合、蒸着粒子発生部１１０ｂのヒータ１１２ｂを停止する（Ｓ２１）と共に、蒸着粒子発生部１１０ｂのバルブ１１６ｂを閉じる（Ｓ２２）ようにヒータ制御部４０１ｂおよびバルブ駆動部４０２ｂを制御する。
　上記の処理を蒸着粒子発生部１１０ｃ、１１０ｄに対しても行うことで、蒸着粒子発生部１１０ａ～１１０ｄを順次切り替えて、蒸着処理を行う。
　＜作用・効果について＞
　本実施の形態では、駆動制御部である蒸着レート制御部４００によって、蒸着粒子射出装置５０２の蒸着レートを一定に保ちながら、蒸着粒子発生部１１０ａ～１１０ｄを切り替えて駆動しているので、蒸着粒子発生部１１０ａ～１１０ｄの切り替え時に生じる蒸着レートの下降中および上昇中の蒸着粒子も成膜に使用することができ、蒸着材料の利用効率を向上させることができる。
　図１３は、本実施の形態に係る蒸着装置における蒸着粒子発生部１１０ａ～１１０ｄの蒸着レートと時間との関係を示したグラフである。なお、蒸着レートの安定期間は時間を短縮して示されている。
　蒸着粒子発生部１１０ａ～１１０ｄの蒸着レートは加熱することにより、図１３に示すように上昇する。蒸着粒子発生部１１０ａ～１１０ｄは、前記実施の形態１の蒸着粒子発生部１１０と同じ構造であり、蒸着材料の収容量は多いものの、蒸着レートの安定化までに長い期間を要する。
　蒸着粒子発生部１１０ａ～１１０ｄからの蒸着流量は、図１０に示すように、個別レートモニタ１４０ａ～１４０ｄおよび総合レートモニタ１６０の計測値にて精密に制御される。但し、蒸着粒子発生部１１０ａ～１１０ｄの温度に対する蒸着流量の関係性が予め明瞭であるならば、総合レートモニタ１６０だけでの制御も可能である。
　また、蒸着粒子発生部１１０ａ～１１０ｄの切り替えのタイミングも任意に制御可能である。
　本実施の形態に係る蒸着装置によれば、蒸着レートを一定に保ち、蒸着粒子発生部１１０ａ～１１０ｄを連続的に切り替えることで、蒸着レートが下降中および上昇中の蒸着流も成膜に活用することができ、材料利用効率が向上するという効果を奏する。
　ここで、本実施の形態では、４つの蒸着粒子発生部を用いた例を示したが、これに限定されるものではなく、蒸着粒子発生部は、少なくとも２つあればよい。例えば、蒸着粒子発生部１１０ｂの使用中に蒸着粒子発生部１１０ａへの材料補給と加熱準備とが完了するのであれば、蒸着粒子発生部１１０ｃ，１１０ｄは必ずしも必要はない。
　但し、材料補給の頻度を少なくしたり、蒸着粒子発生部の故障時にも蒸着処理を停止させたりしないためには、蒸着粒子発生部は３つ以上あるほうが好ましい。
　本実施の形態２では、同型の蒸着粒子発生部を複数用いた例について説明したが、以下の実施の形態３では、複数の蒸着粒子発生部のうち、少なくとも一つの蒸着粒子発生部を、前記実施の形態１で説明した蒸着材料の収容量を他の蒸着粒子発生部よりも小さくした蒸着粒子発生部を用いた例について説明する。
　〔実施の形態３〕
　本発明のさらに他の実施の形態について説明すれば以下の通りである。
　本実施の形態では、基本的に、前記実施の形態２の図１０に示す蒸着粒子射出装置５０２の構成と同じあるが、図１４に示すように、図１０に示す蒸着粒子発生部１１０ｄの代わりに、前記実施の形態１の図１に示す蒸着粒子発生部１２０を用いた蒸着粒子射出装置５０３を蒸着装置に備えた構成としている。
　上記蒸着粒子発生部１２０の蒸着材料１２４の収容量は、他の蒸着粒子発生部１１０ａ～１１０ｃの蒸着材料１１４の収容量より小さく設定されている。
　本実施の形態では、最初に、蒸着粒子発生部１２０を駆動させ、その後、所定のタイミングにより、他の蒸着粒子発生部１１０ａ～１１０ｃを順次駆動していく。
　なお、蒸着制御用ブロック図、蒸着制御処理フローチャートについては、前記実施の形態２と同じであるので、詳細な説明は省略する。
　本実施の形態に係る蒸着粒子射出装置５０３によれば、最初に駆動する蒸着粒子発生部１２０における蒸着材料１２４の収容量が、蒸着粒子発生部１１０ａ～１１０ｃよりも小さいので、収容された蒸着材料全体に熱が伝わる時間を、蒸着粒子発生部１１０ａ～１１０ｃよりも短くできる。
　これにより、複数の蒸着粒子発生部を備えた蒸着粒子射出装置５０３において、蒸着開始から設定した蒸着レートに達成するまでの時間を短縮することができるという効果を奏する。
　しかも、前記実施の形態２でも説明した通り、蒸着レートを一定に保ち、蒸着粒子発生部１１０ａ～１１０ｄを連続的に切り替えることで、蒸着レートが下降中および上昇中の蒸着流も成膜に活用することができ、材料利用効率が向上するという効果を奏する。
　さらに、途中で蒸着レートの変更があった場合に、再度、蒸着粒子発生部１２０を最初に駆動させるようにすれば、蒸着レートの変更を迅速に行えるという効果も奏する。
　なお、前記実施の形態１と同様に、蒸着粒子発生部１２０を駆動させるときに、同時に、蒸着粒子発生部１１０ａ～１１０ｃの何れか一つの蒸着粒子発生部を駆動させるようにしてもよい。
　以下に、本発明のさらに他の変形例について説明する。
　＜ダウンデポジション＞
　なお、前記実施の形態１～３では、蒸着粒子射出装置５０１～５０３が被成膜基板２００の下方に配されており、蒸着粒子射出装置５０１～５０３が、蒸着マスク３００の開口部３０１を介して、蒸着粒子を下方から上方に向かって蒸着（アップデポジション）させる場合を例に挙げて説明した。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではない。
　例えば、蒸着粒子射出装置５０１～５０３を、被成膜基板２００の上方に設け、蒸着マスク３００の開口部３０１を介して蒸着粒子を上方から下方に向かって被成膜基板２００に蒸着（ダウンデポジション）させても構わない。
　このようにダウンデポジションにより蒸着を行う場合、自重撓みを抑制するために被成膜基板２００を保持する基板保持部材として例えば静電チャック等の手法を使用しなくても、高精細のパターンを、被成膜基板２００の全面に渡って、精度良く形成することができる。
　＜サイドデポジション＞
　また、例えば、上記蒸着粒子射出装置５０１～５０３は、横方向に向けて蒸着粒子を射出する機構を有しており、被成膜基板２００の被成膜面２０１側が蒸着粒子射出装置５０１～５０３側を向いて垂直方向に立てられている状態で、蒸着マスク３００を介して蒸着粒子を横方向に被成膜基板２００に蒸着（サイドデポジション）させてもよい。
　＜その他変形例＞
　また、ノズル部１７０の射出口１７１の開口形状（平面形状）は、特に限定されるものではなく、円形、方形等、様々な形状とすることができる。
　また、ノズル部１７０の射出口１７１は、一次元（すなわち、ライン状）に配列されていてもよく、それぞれ二次元（すなわち、面状）に配列されていても構わない。
　被成膜基板２００と蒸着マスク３００とを一方向に相対移動させる蒸着装置の場合、射出口の個数を多くするほど、大面積の被成膜基板２００に対応することができる。
　また、実施の形態１では、有機ＥＬ表示装置１がＴＦＴ基板１０を備え、該ＴＦＴ基板１０上に有機層を形成する場合を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。有機ＥＬ表示装置１は、ＴＦＴ基板１０に代えて、有機層を形成する基板にＴＦＴが形成されていないパッシブ型の基板であってもよく、被成膜基板２００として、上記パッシブ型の基板を用いてもよい。
　また、実施の形態１では、上記したようにＴＦＴ基板１０上に有機層を形成する場合を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、有機層に代えて、第２電極２６の蒸着を行う場合にも適用できる。また、有機ＥＬ素子２０の封止に封止膜を使用する場合、該封止膜の蒸着を行う場合にも適用できる。
　上記蒸着粒子射出装置５０１～５０３および蒸着装置は、例えば、有機ＥＬ表示装置１以外にも、例えば有機薄膜トランジスタ等の機能デバイスの製造にも好適に適用できる。
　前記実施の形態１～３においては、蒸着粒子射出装置５０１～５０３を、ライン型蒸着源として説明したが、これに限定されるものではなく、るつぼ型蒸着源（点型蒸着源）や面型蒸着源としても構わない。
　また、本発明において奏する効果は、ノズルの射出口形状に因らない。すなわち、射出口が多数配列している場合でも、一つの長尺な開口が形成されている射出口であってもよい。
　さらに、本発明は蒸着レートの安定化時間（蒸着レートが安定するまでにかかる時間）が長い材料に関して、特に有効である。例えば、有機材料のような急激な昇温により劣化が起こりやすい材料に対して、迅速な蒸着レートの到達による処理タクト（スループット）の向上を図れる。さらに、高価な蒸着材料に対して、本発明は特に有効である。例えば、有機ＥＬ素子の有機層を形成する材料などである。蒸着レートの安定化時間の短縮や、複数の蒸着材料供給源を組み合わせることで、昇温時・降温時も蒸着に寄与させることができるため、蒸着材料を有効に使用することができる。
　また、本発明に係る蒸着粒子射出装置は、有機ＥＬ表示装置の製造だけでなく、蒸着により膜を形成する物であれば他にも適用できる。
　また、有機ＥＬ素子２０の製造に使用される蒸着装置における、蒸着源として、前記実施の形態１～３に係る蒸着粒子射出装置５０１～５０３を使用することにより、製造工程の切り替えによる蒸着レートの変更を迅速に行うことができるので、蒸着レートを変更する際の蒸着粒子の無駄をなくし、材料の利用効率を向上させることができる。
　これにより、有機ＥＬ素子の製造にかかる費用を低減でき、結果として、有機ＥＬ表示装置を安価に製造することが可能となる。
　また、蒸着粒子発生源において目的とする蒸着レートに達するまでの時間を、他の蒸着粒子発生源において目的とする蒸着レートに達する時間よりも短くするには、以下のように、蒸着粒子発生源における蒸着材料収容量を他よりも小さくすればよい。
　上記各蒸着粒子発生源のうち、少なくとも一つの蒸着粒子発生源の蒸着材料収容量が、残りの他の蒸着粒子発生源の蒸着材料収容量よりも小さいことを特徴としている。
　本発明に係る蒸着粒子射出装置は、上記課題を解決するために、蒸着材料を加熱して気体状の蒸着粒子を発生させる複数の蒸着粒子発生源と、上記複数の蒸着粒子発生源と接続され、上記各蒸着粒子発生源で発生させた蒸着粒子を外部に射出する射出口を有する射出用容器とを備え、上記各蒸着粒子発生源のうち、少なくとも一つの蒸着粒子発生源の蒸着材料収容量が、残りの他の蒸着粒子発生源の蒸着材料収容量よりも小さいことを特徴としている。
　一般的に、蒸着材料を加熱して気体状の蒸着粒子を発生して、被成膜物（被成膜基板）上に蒸着膜を安定して形成する速度（蒸着レート）に達するまでの時間は、蒸着材料の収容量に比例して長くなる。これは、蒸着材料の収容量が多いと、蒸着材料全体に熱が伝わるのに時間がかかり、蒸着材料から蒸着粒子を安定して射出できるまでに時間を要するからである。
　そこで、上記構成のように、複数設けられた蒸着粒子発生源のうち、少なくとも一つの蒸着粒子発生源の蒸着材料収容量を、残りの他の蒸着粒子発生源の蒸着材料収容量よりも小さくすることで、少なくとも一つの蒸着粒子発生源では、収容された蒸着材料全体に熱が伝わる時間が、残りの他の蒸着粒子発生源に収容された蒸着材料全体に熱が伝わる時間よりも短くなる。
　これにより、少なくとも一つの蒸着粒子発生源における蒸着レートに達するまでの時間を、残りの他の蒸着粒子発生源における蒸着レートに達するまでの時間よりも短くすることが可能となり、その結果、蒸着レートが変更されたとき、蒸着材料収容量が全て同じ場合に比べて、当該変更後の蒸着レートに達するまでの時間を短くできる。
　したがって、蒸着開始から設定した蒸着レートに達成するまでの時間を短縮することができる。
　このように、蒸着開始から設定した蒸着レートに達成するまでの時間を短縮できることから、蒸着レートの変更が途中で指示された場合であっても、変更後の蒸着レートになるまでの時間を短くできる。つまり、蒸着レートの変更を迅速に行うことができるという効果を奏する。
　上記各蒸着粒子発生源の蒸着レートを制御する蒸着レート制御部を備え、上記各蒸着粒子発生源から上記射出用容器に流れる蒸着粒子の流量を蒸着粒子発生源の蒸着レートとしたとき、上記蒸着レート制御部は、他の蒸着粒子発生源の蒸着材料収容量よりも小さい蒸着材料収容量の蒸着粒子発生源を含む、少なくとも２つ以上の蒸着粒子発生源の蒸着レートを同時に制御することが好ましい。
　上記の構成によれば、他の蒸着粒子発生源の蒸着材料収容量よりも小さい蒸着材料収容量の蒸着粒子発生源を含む、少なくとも２つ以上の蒸着粒子発生源の蒸着レートを同時に駆動することで、蒸着材料収容量の大きい蒸着粒子発生源の蒸着レートが安定するまでに、蒸着材料収容量の小さい蒸着粒子発生源の蒸着レートが先に安定するので、蒸着材料収容量の大きい蒸着粒子発生源の蒸着レートが安定するまでに発生する蒸着粒子を、先に蒸着レートが安定している蒸着粒子発生源で補うことによって蒸着に用いることが可能となる。
　これにより、蒸着粒子発生源の蒸着レートが安定するまでに消費される蒸着粒子が無駄にならず、有効利用することができるので、蒸着材料の利用効率を高めることができる。
　上記蒸着レート制御部によって蒸着レートが同時に制御される蒸着粒子発生源に収容されている蒸着材料は、全て同じ種類の蒸着材料であることが好ましい。
　このように、蒸着レートが同時に制御される蒸着粒子発生源に収容されている蒸着材料が、全て同じ種類の蒸着材料であれば、各蒸着粒子発生源の蒸着レートが安定化するまでの時間を正確に把握することが可能となるので、蒸着レートを変更する際の変更時間を正確に把握することが可能となる。
　したがって、蒸着レートの変更に係る時間に応じて、蒸着粒子発生源における蒸着材料収容量を設計することが可能となる。つまり、蒸着粒子発生源における蒸着材料収容量をうまく設計すれば、蒸着レートの変更をより迅速に行うことが可能となる。
　上記蒸着粒子発生源と、上記射出用容器とを接続する接続路には、それぞれ上記蒸着粒子発生源から上記射出用容器に流れる蒸着粒子の流量を蒸着レートとして計測する個別レートモニタが設けられている。
　これにより、蒸着粒子の流量をリアルタイムで計測することができるので、蒸着レート制御部による蒸着レートの制御を精度よく行うことが可能となる。
　したがって、蒸着レートが変更された場合であっても、変更後の蒸着レートに達するように、迅速に対応することができ、結果として、蒸着レートの変更をさらに迅速に行うことができるという効果を奏する。
　上記各蒸着粒子発生源は、蒸着材料を収容する収容容器と、上記収容容器に収容した蒸着材料を加熱する加熱部材とをそれぞれ備え、上記蒸着レート制御部は、上記個別レートモニタの計測値に応じて、上記各蒸着粒子発生源における加熱部材を個別に制御する。
　これにより、各蒸着粒子発生源における蒸着粒子の発生を個別に制御できるので、蒸着粒子発生源を必要に応じて、自由に切り替えて使用することが可能となる。
　上記射出用容器の射出口から射出された蒸着粒子の蒸着レートを計測する総合レートモニタをさらに備え、上記蒸着レート制御部は、上記個別レートモニタで計測された蒸着レートと、上記総合レートモニタで計測された蒸着レートとを用いて、上記各蒸着粒子発生源から上記射出用容器に流れる蒸着粒子の流量を制御する。
　これにより、総合レートモニタによる射出用容器の射出口から射出された蒸着粒子の蒸着レートの計測に結果から、各蒸着粒子発生源から上記射出用容器に流れる蒸着粒子の流量を制御することで、実際に蒸着されている状態での蒸着レートを反映した蒸着レートの制御を行うことができる。
　したがって、蒸着レートが変更された場合であっても、変更後の蒸着レートに達するように、迅速に対応することができ、結果として、蒸着レートの変更をさらに迅速に行うことができるという効果を奏する。
　本発明に係る蒸着粒子射出装置は、上記課題を解決するために、蒸着材料を加熱して気体状の蒸着粒子を発生させる複数の蒸着粒子発生源と、上記複数の蒸着粒子発生源と接続され、上記各蒸着粒子発生源で発生させた蒸着粒子を外部に射出する射出口を有する射出用容器と、上記蒸着粒子発生源を駆動制御する駆動制御部とを備え、上記各蒸着粒子発生源から上記射出用容器に流れる蒸着粒子の流量を蒸着粒子発生源の蒸着レートとしたとき、上記駆動制御部は、上記蒸着レートを一定に保ちながら各蒸着粒子発生源を切り替えて駆動することを特徴としている。
　上記構成によれば、蒸着レートを一定に保ちながら、複数設けられた蒸着粒子発生源を切り替えて駆動することで、蒸着粒子発生源の切り替え時に生じる蒸着レートの下降中および上昇中の蒸着粒子も成膜に使用することができ、蒸着材料の利用効率を向上させることができる。
　上記蒸着粒子発生源と上記射出用容器とを接続する接続路には、それぞれ接続路を開閉する開閉部材が設けられており、上記駆動制御部は、上記蒸着レートが一定になるように、上記開閉部材を制御する。
　これにより、蒸着粒子発生源と上記射出用容器とを接続する接続路それぞれに設けられた開閉部材の開閉制御を行うことで、蒸着粒子の流れを確実に制御することができる。つまり、射出用容器への蒸着粒子の供給を開閉部材の開閉制御で確実に行うことができるので、蒸着が完了した時点で、無駄な蒸着粒子の放出を防止できる。
　したがって、蒸着材料の利用効率を向上させることができるという効果を奏する。
　また、本発明にかかる蒸着装置は、蒸着源として、上記蒸着粒子射出装置を備えている。
　このため、上記蒸着装置によれば、蒸着レート変更に迅速に対応でき、且つ蒸着材料の利用効率を向上させることができる。
　また、上記蒸着装置は、蒸着膜の成膜パターンを形成するための蒸着マスクを備えていることが好ましい。
　蒸着マスクを用いることで、所望の成膜パターンを得ることができる。
　また、上記所定のパターンは、有機エレクトロルミネッセンス素子における有機層とすることができる。上記蒸着装置は、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造装置として好適に用いることができる。すなわち、上記蒸着装置は、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造装置であってもよい。
　本発明にかかる蒸着粒子射出装置を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法では、例えば、ＴＦＴ基板上に第１電極を作製するＴＦＴ基板・第１電極作製工程と、前記ＴＦＴ基板上に少なくとも発光層を含む有機層を蒸着する有機層蒸着工程と、第２電極を蒸着する第２電極蒸着工程とを備え、上記有機層蒸着工程および第２電極蒸着工程の少なくとも一方の工程において、蒸着源として上記蒸着粒子射出装置を使用する。
　このように、蒸着源として本発明に係る蒸着粒子射出装置を使用することにより、工程の切り替えによる蒸着レートの変更を迅速に行うことができるので、蒸着レートを変更する際の蒸着粒子の無駄をなくし、材料の利用効率を向上させることができる。
　これにより、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造にかかる費用を低減でき、結果として、有機ＥＬ表示装置を安価に製造することが可能となる。
　本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
　本発明の蒸着粒子射出装置および蒸着装置は、例えば、有機ＥＬ表示装置における有機層の塗り分け形成等の成膜プロセスに用いられる、有機ＥＬ表示装置の製造装置並びに製造方法等に好適に用いることができる。
１　有機ＥＬ表示装置
２Ｒ・２Ｇ・２Ｂ　画素
１０　ＴＦＴ基板
１１　絶縁基板
１２　ＴＦＴ
１３　層間絶縁膜
１３ａ　コンタクトホール
１４　配線
１５　エッジカバー
２０　有機ＥＬ素子
２１　第１電極
２２　正孔注入層兼正孔輸送層
２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂ　発光層
２４　電子輸送層
２５　電子注入層
２６　第２電極
３０　接着層
４０　封止基板
１００　蒸着レート制御部
１０１　ヒータ制御部
１０２　ヒータ制御部
１０３　蒸着材料残量検知部
１０４　操作部
１１０　蒸着粒子発生部（蒸着粒子発生源）
１１０ａ～１１０ｄ　蒸着粒子発生部（蒸着粒子発生源）
１１１　ホルダ
１１１ａ　放出孔
１１２　ヒータ（加熱部材）
１１２ａ～１１２ｄ　ヒータ（加熱部材）
１１４　蒸着材料
１１５　配管（接続路）
１１５ａ～１１５ｄ　配管（接続路）
１１６ａ～１１６ｄ　バルブ（開閉部材）
１１７，１２７　バルブ（開閉部材）
１２０　蒸着粒子発生部（蒸着粒子発生源）
１２１　ホルダ
１２１ａ　放出孔
１２２　ヒータ（加熱部材）
１２４　蒸着材料
１２５　配管（接続路）
１３０　配管（接続路）
１３１　シャッタ
１４０　個別レートモニタ
１４０ａ～１４０ｄ　個別レートモニタ
１５０　個別レートモニタ
１６０　総合レートモニタ
１７０　ノズル部（射出用容器）
１７１　射出口
２００　被成膜基板（被成膜物）
２０１　被成膜面
３００　蒸着マスク
３０１　開口部
４００　蒸着レート制御部（駆動制御部）
４０１ａ～４０１ｄ　ヒータ制御部
４０２ａ～４０２ｄ　バルブ駆動部
５００　真空チャンバ
５０１　蒸着粒子射出装置
５０２　蒸着粒子射出装置
５０３　蒸着粒子射出装置

Claims (13)

  1. 　蒸着材料を加熱して気体状の蒸着粒子を発生させる複数の蒸着粒子発生源と、
    　上記複数の蒸着粒子発生源と接続され、上記各蒸着粒子発生源で発生させた蒸着粒子を外部に射出する射出口を有する射出用容器とを備え、
    　上記各蒸着粒子発生源から上記射出用容器に流れる蒸着粒子の流量を蒸着粒子発生源の蒸着レートとしたとき、
    　上記各蒸着粒子発生源のうち、少なくとも一つの蒸着粒子発生源において目的とする蒸着レートに達するまでの時間が、残りの他の蒸着粒子発生源において目的とする蒸着レートに達する時間よりも短いことを特徴とする蒸着粒子射出装置。
  2. 　上記各蒸着粒子発生源のうち、少なくとも一つの蒸着粒子発生源の蒸着材料収容量が、残りの他の蒸着粒子発生源の蒸着材料収容量よりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の蒸着粒子射出装置。
  3. 　蒸着材料を加熱して気体状の蒸着粒子を発生させる複数の蒸着粒子発生源と、
    　上記複数の蒸着粒子発生源と接続され、上記各蒸着粒子発生源で発生させた蒸着粒子を外部に射出する射出口を有する射出用容器とを備え、
    　上記各蒸着粒子発生源のうち、少なくとも一つの蒸着粒子発生源の蒸着材料収容量が、残りの他の蒸着粒子発生源の蒸着材料収容量よりも小さいことを特徴とする蒸着粒子射出装置。
  4. 　上記各蒸着粒子発生源の蒸着レートを制御する蒸着レート制御部を備え、
    　上記各蒸着粒子発生源から上記射出用容器に流れる蒸着粒子の流量を蒸着粒子発生源の蒸着レートとしたとき、
    　上記蒸着レート制御部は、他の蒸着粒子発生源の蒸着材料収容量よりも小さい蒸着材料収容量の蒸着粒子発生源を含む、少なくとも２つ以上の蒸着粒子発生源の蒸着レートを同時に制御することを特徴としている請求項２または３に記載の蒸着粒子射出装置。
  5. 　上記蒸着レート制御部によって蒸着レートが同時に制御される蒸着粒子発生源に収容されている蒸着材料は、全て同じ種類の蒸着材料であることを特徴とする請求項４に記載の蒸着粒子射出装置。
  6. 　上記蒸着粒子発生源と上記射出用容器とを接続する接続路には、それぞれ上記蒸着粒子発生源から上記射出用容器に流れる蒸着粒子の流量を蒸着レートとして計測する個別レートモニタが設けられていることを特徴とする請求項４または５に記載の蒸着粒子射出装置。
  7. 　上記各蒸着粒子発生源は、蒸着材料を収容する収容容器と、上記収容容器に収容した蒸着材料を加熱する加熱部材とをそれぞれ備え、
    　上記蒸着レート制御部は、上記個別レートモニタの計測値に応じて、上記各蒸着粒子発生源における加熱部材を個別に制御することを特徴とする請求項６に記載の蒸着粒子射出装置。
  8. 　上記射出用容器の射出口から射出された蒸着粒子の蒸着レートを計測する総合レートモニタをさらに備え、
    　上記蒸着レート制御部は、上記個別レートモニタで計測された蒸着レートと、上記総合レートモニタで計測された蒸着レートとを用いて、上記各蒸着粒子発生源から上記射出用容器に流れる蒸着粒子の流量を制御することを特徴とする請求項６または７に記載の蒸着粒子射出装置。
  9. 　蒸着材料を加熱して気体状の蒸着粒子を発生させる複数の蒸着粒子発生源と、
    　上記複数の蒸着粒子発生源と接続され、上記各蒸着粒子発生源で発生させた蒸着粒子を外部に射出する射出口を有する射出用容器と、
    　上記蒸着粒子発生源を駆動制御する駆動制御部とを備え、
    　上記各蒸着粒子発生源から上記射出用容器に流れる蒸着粒子の流量を蒸着粒子発生源の蒸着レートとしたとき、
    　上記駆動制御部は、
    　上記蒸着レートを一定に保ちながら、各蒸着粒子発生源を切り替えて駆動することを特徴とする蒸着粒子射出装置。
  10. 　上記蒸着粒子発生源と上記射出用容器とを接続する接続路には、それぞれ接続路を開閉する開閉部材が設けられており、
    　上記駆動制御部は、上記蒸着レートが一定になるように、上記開閉部材を制御することを特徴とする請求項９に記載の蒸着粒子射出装置。
  11. 　蒸着源として、請求項１～１０の何れか１項に記載の蒸着粒子射出装置を備えていることを特徴とする蒸着装置。
  12. 　蒸着膜の成膜パターンを形成するための蒸着マスクを備えていることを特徴とする請求項１１に記載の蒸着装置。
  13. 　上記成膜パターンが、有機エレクトロルミネッセンス素子における有機層であることを特徴とする請求項１２に記載の蒸着装置。
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