CN103160798A - 侦测蒸发源的装置及方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及OLED显示面板的制备工艺，尤其涉及一种侦测蒸发源的装置及方法，主要通过在侦测蒸镀源上设置可移动的侦测器，以对整个蒸镀源的蒸镀速率进行及时有效的检测，在有效的回馈蒸镀源的镀率均匀性的同时，还能及时发现蒸镀源的异常；同时在侦测器不进行侦测工作时，将其固定设置在位于蒸镀源的一侧，以避免因机械动作造成有机材料或是灰尘等缺陷掉落而造成蒸发源污染，以进一步的提高产品的良率和品质。

Description

侦测蒸发源的装置及方法
技术领域
本发明涉及OLED显示面板的制备工艺，尤其涉及一种侦测蒸发源的装置及方法。
背景技术
有机发光二极管（Organic Light-Emitting Diode，简称OLED）是主要由有机材料涂层和玻璃基板构成，当有电流通过时，该有机材料就会发光。
目前，由于OLED显示屏幕可视角度大，并且能够显著节省电能，使得其在平板显示器领域得到了广泛的应用；其中，OLED的蒸镀技术是OLED规模生产的关键技术，其主要通过采用小分子OLED制程方法进行工艺，该制程方法是在高真空状态下，通过对线性蒸发源的加热使小分子材料蒸发的一种技术，即在真空状态下进行小分子蒸镀，以将金属掩膜版遮挡在基板的前方，进而使得有机材料沉积在基板上。
在OLED的蒸镀技术中，控制线性蒸发源的蒸镀速率及蒸镀均匀性是核心技术，在传统蒸镀工艺中主要是通过将CRTS（Crystal sensor）石英晶振器固定在蒸发源的上方来侦测线性蒸发源的蒸镀速率及蒸镀均匀性，而由于CRTS石英晶振器是固定安装的，造成该CRTS石英晶振器只能监测线性蒸发源的局部位置的蒸镀速率及蒸镀均匀性，而无法对整个线性蒸发源进行全面的蒸镀速率及蒸镀均匀性的侦测，导致不能及时发现整个线性蒸发源的均匀性异常情况如蒸发源塞孔等，给工艺生产带来一定的安全隐患，降低了产品的良率。
图1是传统的采用固定位置的CRTS侦测器监测线性蒸发源的结构示意图；如图1所示，在对基板13进行蒸镀时，CRTS侦测器12需固定设置在线性蒸发源11的上方；由于CRTS侦测器12的位置是固定的，造成只能侦测靠近该CRTS侦测器12一端的线性蒸发源11的蒸镀速率及蒸镀均匀性，而远离CRTS侦测器12的线性蒸发源11的部分的蒸镀速率及蒸镀均匀性则无法检测到，尤其是当远离CRTS侦测器12的线性蒸发源11的部分出现如蒸发源塞孔等影响整个线性蒸发源均匀性异常状况出现时，传统的侦测系统根本无法及时发现，极易造成产品良率的降低，增大工艺成本。
中国专利（申请公布号：CN102102175A）公开了一种线性蒸发源及具有该蒸发源的沉积设备，主要通过在线性蒸发源中熔罐中设置多个分隔件，以隔开沉积材料，进而最小化沉积材料的量偏差，均匀地形成镀层；但其并没有公开侦测线性蒸发源的蒸镀速率及其蒸镀均匀性的相关技术手段。
中国专利（申请公布号：CN102703866A）公开了一种线性蒸发源装置及具有该装置的蒸发速率精控式蒸发设备，主要通过在真空腔体内并与基板临近处设置晶振传感器，具体的是传感器位于玻璃基板的上方以使得晶振传感器对蒸发物质沉积速率的检测更精准，从而为蒸发速率的精准控制创造优异的条件。由于传统的技术中均将晶振传感器设置在玻璃基板的上方，即该专利文献中是采用传统的固定晶振传感器的技术实现对线性蒸发源的蒸镀速率及其蒸镀均匀性的监控，且将晶振传感器设置在线性蒸发源的上方时，会导致因机械动作造成有机材料或是灰尘等缺陷掉落，进而造成蒸发源污染，增大了工艺生产成本。
发明内容
针对上述存在的问题，本发明揭示了一种侦测蒸发源的装置及方法，主要通过在侦测蒸镀源上设置可移动的侦测器，以对整个蒸镀源的蒸镀速率进行及时有效的检测，在有效的回馈蒸镀源的镀率均匀性的同时，还能及时发现蒸镀源的异常，进而提高产品的良率和品质。
本发明的目的是通过下述技术方案实现的：
一种侦测蒸发源的装置，应用于蒸镀工艺中的蒸镀装置上，所述蒸镀装置包括线性蒸发源，其中，包括：
一导轨装置，所述导轨装置设置在所述蒸镀装置上；
一侦测器，所述侦测器通过所述导轨装置可移动的设置在与所述线性蒸发源具有一预设距离位置，以侦测整个所述线性蒸发源的蒸镀速率；
其中，所述侦测器通过所述导轨装置在所述线性蒸发源长度方向上进行移动。
上述的侦测蒸发源的装置，其中，还包括一连接结构，所述侦测器与所述连接结构一端连接，所述连接结构的另一端与所述导轨装置可移动连接。
上述的侦测蒸发源的装置，其中，还包括一动力装置，所述动力装置驱动所述连接结构带动所述侦测器沿所述导轨装置的轨迹移动。
上述的侦测蒸发源的装置，其中，所述导轨装置包括待命导轨、侦测导轨和转向装置；
所述侦测器通过所述侦测导轨在所述线性蒸发源长度方向上进行往复运动，以对整个所述线性蒸发源进行侦测；
所述侦测器通过所述待命导轨停留在所述线性蒸发源的一侧；
所述侦测器通过所述转向装置在所述待命导轨与所述侦测导轨之间进行切换，且当所述侦测器在所述待命导轨与所述侦测导轨之间切换时，所述侦测器移动的方向与所述线性蒸发源长度方向垂直。
上述的侦测蒸发源的装置，其中，所述侦测器通过所述导轨装置在所述线性蒸发源长度方向上的移动为往复运动。
一种侦测蒸发源的方法，其中，应用于上述权利要求1-3中任意一项所述的侦测蒸发源的装置上，所述方法包括：
于所述蒸镀工艺前，将所述侦测器停止在所述线性蒸发源的一侧；
进行所述蒸镀工艺时，所述侦测器通过所述导轨装置移动至所述线性蒸发源的上方后，沿与所述线性蒸发源形状相同的轨迹对所述线性蒸发源进行移动侦测。
上述的侦测蒸发源的方法，其中，于一真空腔内进行所述蒸镀工艺。
上述的侦测蒸发源的方法，其中，所述侦测器进行所述移动侦测时进行匀速运动。
上述的侦测蒸发源的方法，其中，所述侦测器为CTRS晶振器。
上述的侦测蒸发源的方法，其中，进行所述蒸镀工艺时，
当所述侦测器进入待命状态时，所述侦测器移动至所述线性蒸发源的一侧位置；
当所述侦测器进入侦测状态时，所述侦测器移动至所述线性蒸发源的正上方，并沿与所述线性蒸发源形状相同的轨迹对所述线性蒸发源进行移动侦测。
上述的侦测蒸发源的方法，其中，所述侦测器进行所述移动侦测时进行匀速运动。
综上所述，本发明一种侦测蒸发源的装置及方法，主要通过在侦测蒸镀源上设置可移动的侦测器，以对整个蒸镀源的蒸镀速率进行及时有效的检测，在有效的回馈蒸镀源的镀率均匀性的同时，还能及时发现蒸镀源的异常；同时在侦测器不进行侦测工作时，将其固定设置在位于蒸镀源的一侧，以避免因机械动作造成有机材料或是灰尘等缺陷掉落而造成蒸发源污染，以进一步的提高产品的良率和品质。
附图说明
图1是传统的采用固定位置的CRTS侦测器监测线性蒸发源的结构示意图；
图2是本发明中侦测器移动侦测轨迹示意图；
图3是本发明中侦测器从待命位置移动至侦测位置的示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步的说明：
图2是本发明中侦测器移动侦测轨迹示意图，图3是本发明中侦测器从待命位置移动至侦测位置的示意图。
如图2-3所示，于真空腔室进行蒸镀工艺时，将蒸镀基板24放置于蒸镀装置的线性蒸发源21的正上方，以在蒸镀基板24的下表面蒸镀镀层23。
由于线性蒸发源21的蒸镀速率对镀层23的形成至关重要，所以设置侦测器22如CRTS晶振器对整个线性蒸发源21（也可以适用于其他类型的蒸发源）的蒸镀速率进行监控；其中，侦测器22通过与其固定连接的连接结构（图中未标示）可移动的设置在导轨装置上，且该侦测器22与线性蒸发源21具有一预设距离，该导轨装置固定设置在蒸镀装置上（如固定设置在蒸镀装置的支撑结构上等），该导轨装置包括有待命导轨、侦测导轨和转向装置，利用该转向装置进行待命导轨和侦测导轨之间的切换，且通过一动力装置如马达等驱动连接结构带动侦测器22沿轨道装置轨迹进行移动。
优选的，侦测器22在线性蒸发源21的长度方向上进行往复移动，以对整个线性蒸发源进行侦测工艺。
如图3所示，当侦测器22不进行侦测工艺时，动力装置驱动连接结构通过转向装置切换至待命导轨上，使得侦测器22位于线性蒸发源21的一侧（待命位置），使得侦测器22的进行机械操作时不会造成掉落的缺陷如灰尘、有机颗粒等落入线性蒸发源21中，进而造成蒸发源的污染；而当侦测器22开始进行侦测工艺时，动力装置驱动连接结构通过导向装置切换至侦测导轨，使得侦测器22位于线性蒸发源21的上方（侦测位置），且使得侦测器22沿与线性蒸发源21的形状（如线性蒸发源21的蒸发面形状等）相同的轨迹对线性蒸发源22进行往复移动侦测，同时在侦测器22进行往复移动侦测时，可以采用匀速运动方式，也可以采用在设定的多个位置进行侦测，优选的该设定的多个位置均匀的设置于线性蒸发源21的上方；这样就能保证侦测器22在进行侦测时，能对整个线性蒸发源21的蒸镀速率进行完整的检测，进而有效回馈蒸镀工艺的均匀性，及时发现线性蒸发源21的异常（如蒸发源塞孔等），提高产品的良率和品质。
综上所述，由于采用了上述技术方案，本发明实施例侦测蒸发源的装置及方法，主要通过在侦测蒸镀源上设置可移动的侦测器，以对整个蒸镀源的蒸镀速率进行及时有效的检测，在有效的回馈蒸镀源的镀率均匀性的同时，还能及时发现蒸镀源的异常；同时在侦测器不进行侦测工作时，将其固定设置在位于蒸镀源的一侧，以避免因机械动作造成有机材料或是灰尘等缺陷掉落而造成蒸发源污染，以进一步的提高产品的良率和品质。
通过说明和附图，给出了具体实施方式的特定结构的典型实施例，基于本发明精神，还可作其他的转换。尽管上述发明提出了现有的较佳实施例，然而，这些内容并不作为局限。
对于本领域的技术人员而言，阅读上述说明后，各种变化和修正无疑将显而易见。因此，所附的权利要求书应看作是涵盖本发明的真实意图和范围的全部变化和修正。在权利要求书范围内任何和所有等价的范围与内容，都应认为仍属本发明的意图和范围内。

Claims (11)

1.一种侦测蒸发源的装置，应用于蒸镀工艺中的蒸镀装置上，所述蒸镀装置包括线性蒸发源，其特征在于，包括：
一导轨装置，所述导轨装置设置在所述蒸镀装置上；
一侦测器，所述侦测器通过所述导轨装置可移动的设置在与所述线性蒸发源具有一预设距离位置，以侦测整个所述线性蒸发源的蒸镀速率；
其中，所述侦测器通过所述导轨装置在所述线性蒸发源长度方向上进行移动。
2.根据权利要求1所述的侦测蒸发源的装置，其特征在于，还包括一连接结构，所述侦测器与所述连接结构一端连接，所述连接结构的另一端与所述导轨装置可移动连接。
3.根据权利要求2所述的侦测蒸发源的装置，其特征在于，还包括一动力装置，所述动力装置驱动所述连接结构带动所述侦测器沿所述导轨装置的轨迹移动。
4.根据权利要求1所述的侦测蒸发源的装置，其特征在于，所述导轨装置包括待命导轨、侦测导轨和转向装置；
所述侦测器通过所述侦测导轨在所述线性蒸发源长度方向上进行往复运动，以对整个所述线性蒸发源进行侦测；
所述侦测器通过所述待命导轨停留在所述线性蒸发源的一侧；
所述侦测器通过所述转向装置在所述待命导轨与所述侦测导轨之间进行切换，且当所述侦测器在所述待命导轨与所述侦测导轨之间切换时，所述侦测器移动的方向与所述线性蒸发源长度方向垂直。
5.根据权利要求1所述的侦测蒸发源的装置，其特征在于，所述侦测器通过所述导轨装置在所述线性蒸发源长度方向上的移动为往复运动。
6.一种侦测蒸发源的方法，其特征在于，应用于上述权利要求1-3中任意一项所述的侦测蒸发源的装置上，所述方法包括：
于所述蒸镀工艺前，将所述侦测器停止在所述线性蒸发源的一侧；
进行所述蒸镀工艺时，所述侦测器通过所述导轨装置移动至所述线性蒸发源的上方后，沿与所述线性蒸发源形状相同的轨迹对所述线性蒸发源进行移动侦测。
7.根据权利要求6所述的侦测蒸发源的方法，其特征在于，于一真空腔内进行所述蒸镀工艺。
8.根据权利要求6所述的侦测蒸发源的方法，其特征在于，所述侦测器进行所述移动侦测时进行匀速运动。
9.根据权利要求6所述的侦测蒸发源的方法，其特征在于，所述侦测器为CTRS晶振器。
10.根据权利要求6所述的侦测蒸发源的方法，其特征在于，进行所述蒸镀工艺时，
当所述侦测器进入待命状态时，所述侦测器移动至所述线性蒸发源的一侧位置；
当所述侦测器进入侦测状态时，所述侦测器移动至所述线性蒸发源的正上方，并沿与所述线性蒸发源形状相同的轨迹对所述线性蒸发源进行移动侦测。
11.根据权利要求10所述的侦测蒸发源的方法，其特征在于，所述侦测器进行所述移动侦测时进行匀速运动。
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