CN106521423A - 一种真空蒸镀装置、方法及有机发光显示面板 - Google Patents

一种真空蒸镀装置、方法及有机发光显示面板 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种真空蒸镀装置、方法及有机发光显示面板,真空蒸镀装置包括:至少第一蒸镀腔室;第一蒸镀腔室内具有至少一个第一有机材料蒸发源和至少一个第一金属蒸发源;至少一个第一有机材料蒸发源用以蒸镀第一有机材料;至少一个第一金属蒸发源用以蒸镀第一金属材料;至少一个第一有机材料蒸发源和至少一个第一金属蒸发源可以被控制为同时进行蒸镀,以实现第一有机材料和第一金属材料的共混掺杂。通过本发明的技术方案,可以分别精确控制第一有机材料蒸发源和第一金属蒸发源,实现第一有机材料和第一金属材料的均匀共混掺杂。

Description

一种真空蒸镀装置、方法及有机发光显示面板
技术领域
本发明实施例涉及领域,尤其涉及一种真空蒸镀装置、方法及有机发光显示面板。
背景技术
OLED,即有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode),又称为有机电致发光器件,其基本结构包括对应每个像素区域的阳极、阴极和发光层,当电压被施加到阳极与阴极时,空穴与电子移动至发光层,两种载流子在发光层中复合,发光层材料中的激子由激发态迁移到基态发光。
为提高电子传输能力,OLED在阴极与发光层之间还设置有电子传输层,电子传输层可通过在在有机材料中掺杂金属提升电子传输层的电子迁移率。现有技术中一般是通过共蒸发电子传输层的主体有机材料和包含金属离子的络合物,但是含金属离子的络合物中的络合物配体对电子传输能力没有贡献,因此限制了电子传输层的电子迁移率的提升。因此急需一种能够对有机材料蒸发源和金属蒸发源实现共蒸的真空蒸发设备,实现有机材料蒸发源和金属蒸发源的共蒸,并精确控制有机材料蒸发源和金属蒸发源的蒸发速率。
发明内容
本发明提供一种真空蒸镀装置、方法及有机发光显示面板,以实现有机材料蒸发源和金属蒸发源的共蒸。
第一方面,本发明实施例提供了一种真空蒸镀装置,包括:
至少第一蒸镀腔室;
所述第一蒸镀腔室内具有至少一个第一有机材料蒸发源和至少一个第一金属蒸发源;
所述至少一个第一有机材料蒸发源用以蒸镀第一有机材料;
所述至少一个第一金属蒸发源用以蒸镀第一金属材料;
所述至少一个第一有机材料蒸发源和所述至少一个第一金属蒸发源可以被控制为同时进行蒸镀,以实现第一有机材料和第一金属材料的共混掺杂。
第二方面,本发明实施例还提供了一种真空蒸镀方法,包括:
控制第一蒸镀腔室中的至少一个第一有机材料蒸发源和至少一个第一金属蒸发源同时进行蒸镀,以实现第一有机材料和第一金属材料的共混掺杂。
第三方面,本发明实施例还提供了一种有机发光显示面板,采用第二方面所述的真空蒸镀方法形成。
本发明实施例提供了一种真空蒸镀装置、方法及有机发光显示面板,通过在第一蒸镀腔室内设置至少一个第一有机材料蒸发源和至少一个第一金属蒸发源,且第一有机材料蒸发源用以蒸镀第一有机材料,第一金属蒸发源用以蒸镀第一金属材料,且至少一个第一有机材料蒸发源和至少一个第一金属蒸发源可以被控制同时进行蒸镀,实现了第一有机材料和第一金属材料的共混掺杂。例如在制备有机发光显示面板的电子传输层时,可以实现通过有机材料和金属材料的共蒸发提高电子传输层的电子迁移率。本发明实施例可以分别精确控制第一有机材料蒸发源和第一金属蒸发源,实现第一有机材料和第一金属材料的均匀共混掺杂。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种真空蒸镀装置的真空腔室内的局部结构示意图;
图2为图1所示真空蒸镀装置中蒸发源的配置与移动路径示意图;
图3为本发明实施例提供的另一种真空蒸镀装置的真空腔室内的局部结构示意图;
图4为图3所示真空蒸镀装置中蒸发源的配置与移动路径示意图;
图5为本发明实施例提供的另一种真空蒸镀装置的真空腔室内的局部结构示意图;
图6为本发明实施例提供的一种第一有机材料蒸发源和第一金属蒸发源的位置设置示意图;
图7为本发明实施例提供的另一种第一有机材料蒸发源和第一金属蒸发源的位置设置示意图;
图8为本发明实施例提供的一种真空蒸镀方法的流程示意图;
图9a-图9c为图8中各步骤对应的剖面结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明,而非对本发明的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
本发明实施例提供了一种真空蒸镀装置,包括至少第一蒸镀腔室;第一蒸镀腔室内具有至少一个第一有机材料蒸发源和至少一个第一金属蒸发源;至少一个第一有机材料蒸发源用以蒸镀第一有机材料;至少一个第一金属蒸发源用以蒸镀第一金属材料;至少一个第一有机材料蒸发源和至少一个第一金属蒸发源可以被控制为同时进行蒸镀,以实现第一有机材料和第一金属材料的共混掺杂。
真空蒸镀使用的蒸发源一般具有封入蒸镀材料的坩埚、喷出蒸镀材料的喷嘴、加热坩埚的加热器、容纳坩埚、喷嘴和加热器等的壳体。进行真空蒸镀时,使蒸镀材料从由加热器加热的坩埚蒸发或升华,从喷嘴向设置于真空腔室内的待蒸镀基板或膜层上喷射气化的蒸镀材料形成所需膜层。
当需要在同一腔室内对两种以上不同材料共混掺杂的膜层进行蒸镀时,采用共蒸镀技术,即在相同的真空腔室中设置多个蒸发源,在不同的蒸发源容纳坩埚内配置不同的材料。
本发明实施例提供了一种真空蒸镀装置,通过在第一蒸镀腔室内设置至少一个第一有机材料蒸发源和至少一个第一金属蒸发源,且第一有机材料蒸发源用以蒸镀第一有机材料,第一金属蒸发源用以蒸镀第一金属材料,且至少一个第一有机材料蒸发源和至少一个第一金属蒸发源可以被控制同时进行蒸镀,实现了第一有机材料和第一金属材料的共混蒸镀。
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下,所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
图1为本发明实施例提供的一种真空蒸镀装置的真空腔室内的局部结构示意图,图2为图1所示真空蒸镀装置中蒸发源的配置与移动路径示意图。如图1所示,在维持真空的第一蒸镀腔室100内配置有基板10、第一有机材料蒸发源11和第一金属蒸发源12,示例性的,第一有机蒸发源11与第一金属蒸发源12均采用线状蒸发源。
其中,使第一方向1为第一有机材料蒸发源11和第一金属蒸发源12的移动方向,第二方向2为第一有机材料蒸发源11和第一金属蒸发源12的延伸方向。需要说明的是,本发明实施例的第一方向1和第二方向2仅是为了便于介绍本发明技术方案而定义的指向,不代表本申请所保护产品在实际应用中的放置方向。本发明实施例对第一有机材料蒸发源11与第一金属蒸发源12的长度不作限定,图1只是示例性的设置线状蒸发源的长度为约为基板10沿第二方向2长度的一半,两蒸发源的长度也可以设置与基板10沿第二方向2的长度相同或者其他情况。可选的,第一有机材料蒸发源11与第一金属蒸发源12沿移动方向(第一方向1)平行排列设置,且能够同时同方向移动。两蒸发源沿同一方向同时运动,能够保证在蒸镀起始位置的膜层成膜均匀,保证基板10上各个位置都能够形成第一有机材料与第一金属的共混掺杂膜层。
需要说明的是,本发明是实施例对真空蒸镀装置中第一蒸镀腔室100、第一有机材料蒸发源11以及第一金属蒸发源12的个数不作限定,图1只是示例性显示了一个第一蒸镀腔室100,且第一蒸镀腔室100包括一个第一有机材料蒸发源11和一个第一金属蒸发源12,真空蒸镀装置中也可以有多个第一蒸镀腔室100,每个第一蒸镀腔室100中,可根据具体制作工艺需求设置多个第一有机材料蒸发源11和第一金属蒸发源12。
图2是从蒸发源一侧进行观察的图。如图2所示,当真空蒸镀装置同时蒸镀第一有机材料和第一金属材料时,第一有机材料蒸发源11和第一金属蒸发源12沿第一方向1上下移动,第一有机材料蒸发源11可以通过其喷嘴110喷涂第一有机材料,第一金属蒸发源12通过其喷嘴120喷涂第一金属材料,二者沿同一方向同时进行两种材料的蒸镀,以形成第一有机材料与第一金属共混掺杂的膜层。需要说明的是,本申请的喷嘴110只是一个示例性的设置方式。线状蒸发源的喷嘴还可以有其他的设置方式,本申请对此不做限定。
示例性的,第一有机材料蒸发源11与第一金属蒸发源12在基板10第二方向2上边缘右半侧的待机位置,同时沿AA’方向移动,首先在基板10右侧区域蒸镀形成第一有机材料与第一金属材料共混掺杂的膜层,然后两蒸发源沿A’B方向移动至基板10左侧区域,二者同时沿BB’方向移动,在基板10左侧区域蒸镀形成第一有机材料与第一金属材料共混掺杂的膜层。这样,通过使用线状第一有机材料蒸发源11和线状第一金属蒸发源12,在整个基板10上形成第一有机材料与第一金属材料共混掺杂的膜层,且成膜较均匀。需要说明的是,本发明实施例只是示例性的以基板10第二方向2上边缘右半侧作为待机位置,也可以选择其它合适的待机位置,针对不同的待机位置,两线状蒸发源的移动路径也会随之改变,只要满足两线状蒸发源能够在整个基板上形成均匀的第一有机材料与第一金属材料共混掺杂的膜层即可。
图3为本发明实施例提供的另一种真空蒸镀装置的真空腔室内的局部结构示意图。如图3所示,在维持真空的第一蒸镀腔室100内配置有基板10、第一有机材料蒸发源11和第一金属蒸发源12,与上述实施例不同的是,第一有机蒸发源11采用线状蒸发源,第一金属蒸发源12采用点蒸发源,且示例性的设置第一有机材料蒸发源11的长度与基板10沿第二方向2的长度相同。示例性的,图3中设置第一金属蒸发源12为6个,且6个第一金属蒸发源12沿第一有机材料蒸发源11的延伸方向平行设置。
需要说明的是,点状第一金属蒸发源12是一个由极小的点喷射出蒸镀材料以成膜,该蒸发源蒸发时能够沿各个方向发射第一金属蒸气分子,成膜均匀,其直径相对于第一金属蒸发源12距离基板的距离是很小的,几乎可以忽略不计,这里为了清楚地显示点状第一金属蒸发源12的蒸镀过程,将点状蒸发源绘制为图3中12所示形状,本发明实施例对点状第一金属蒸发源12的形状不作限定。
图4为图3所示真空蒸镀装置中蒸发源的配置与移动路径示意图。图4是从蒸发源一侧进行观察的图。当真空蒸镀装置同时蒸镀第一有机材料和第一金属材料时,第一有机材料蒸发源11和多个平行于第一有机材料蒸发源11延长方向的第一金属蒸发源12沿AA’移动,第一有机材料蒸发源11可以通过其喷嘴110喷涂第一有机材料,第一金属蒸发源12通过其喷嘴120喷涂第一金属材料,二者沿同一方向同时进行两种材料的蒸镀,以形成第一有机材料与第一金属材料共混掺杂的膜层。
示例性的,第一有机材料蒸发源11与多个第一金属蒸发源12在基板10第二方向2上边缘的待机位置,使两线状蒸发源的两边侧与基板10沿第一方向1的边侧对齐,控制第一有机材料蒸发源11与多个第一金属蒸发源同时沿AA’移动,在整个基板上形成第一有机材料与第一金属材料共混掺杂的膜层,且成膜较均匀。图5为本发明实施例提供的另一种真空蒸镀装置的真空腔室内的局部结构示意图。如图5所示,在维持真空的第一蒸镀腔室100内配置有基板10、多个第一有机材料蒸发源11和多个第一金属蒸发源12,与上述实施例不同的是,第一有机蒸发源11与第一金属蒸发源12沿第一方向1间隔设置。
示例性的,第一有机材料蒸发源11与第一金属蒸发源12均为线状蒸发源。其中,使第一方向1为第一有机材料蒸发源11和第一金属蒸发源12的移动方向,第二方向2为第一有机材料蒸发源11和第一金属蒸发源12的延伸方向。示例性地设置线状蒸发源的长度为基板10沿第二方向2长度的一半。将第一有机材料蒸发源11与第一金属蒸发源12间隔设置,保证在第一有机材料与第一金属材料共蒸镀时,两种材料能够充分混合,使得形成的膜层中,第一有机材料与第一金属材料成分更均匀。
图6为本发明实施例提供的一种第一有机材料蒸发源和第一金属蒸发源的位置设置示意图。如图6所示,示例性的设置一第一有机材料蒸发源11和一第一金属蒸发源12,每个蒸发源沿移动方向的两侧设置有角度板13,在两侧角度板13的作用下,第一有机材料蒸发源11喷射的第一有机材料形成切面扇形夹角为α1的蒸发角,第一金属蒸发源12喷射的第一金属材料形成切面扇形夹角为α2的蒸发角,蒸发角α1与蒸发角α2对应基板上的蒸发面重合,蒸发面面积为S。角度板13能够遮挡蒸发源喷射出的第一有机材料和第一金属材料,通过调整角度板13之间的间距L、角度板13的高度H以及蒸发源的位置,进而控制两蒸发源在基板10上的蒸镀面积S。需要说明的是,本发明实施例未限定第一有机材料蒸发源11和第一金属蒸发源12对应的蒸发角α1与α2是否相同,蒸发角可以相同,也可以不同,只要能够通过调节角度板13的参数,保证蒸发角α1与α2对应的蒸发面重合即可。如图6所示,第一有机材料蒸发源11和第一金属蒸发源12喷射的两种材料的蒸发面重合,,防止出现只含有第一有机材料或第一金属材料的单层材料膜层,增加了第一有机材料与第一金属材料共混掺杂膜层的均匀性。
同样的,当蒸发源为多个时,仍可以通过调整角度板13使多个每个蒸发源的蒸发角对应的蒸发面重合。图7为本发明实施例提供的另一种第一有机材料蒸发源和第一金属蒸发源的位置设置示意图。,如图7所示,示例性的设置两个第一有机材料蒸发源111和112和一第一金属蒸发源12,且第一金属蒸发源12位于第一有机材料蒸发源111和112之间,每个蒸发源沿移动方向的两侧设置有角度板13,第一有机材料蒸发源111形成的蒸发角为β1,第一金属蒸发源12形成的蒸发角为β2,第一有机材料蒸发源112形成的蒸发角为β3。通过调各个整蒸发源两侧角度板的间距L、高度H以及蒸发源的位置,使得蒸发角β1、β2和β3对应的的蒸发面重合,蒸发面面积为S,在基板10上形成均匀的第一有机材料与第一金属材料共混掺杂膜层。
可选的,第一有机材料蒸发源11用来蒸发的材料包括电子型辅助发光材料。示例性的,电子型辅助发光材料通过第一有机材料蒸发源蒸镀可以形成电子注入层、电子传输层以及空穴阻挡层等膜层至少一层,可以具有加快电子的注入速率、传输速率以及阻挡空穴注入与传输的作用。电子型辅助发光材料也可以通过第一有机材料蒸发源蒸镀形成电子注入层、电子传输层以及空穴阻挡层的叠层结构。需要说明的是,可以在第一蒸镀腔室中设置多个第一有机材料蒸发源和多个第一金属蒸发源,以实现在一个腔室中形成电子注入层、电子传输层以及空穴阻挡层等膜层。还可以在真空蒸镀装置中设置多个第一蒸镀腔室,电子注入层、电子传输层以及空穴阻挡层分别通过不同的第一蒸镀腔室进行制作。
可选的,电子型辅助发光材料至少包含第一基团,第一基团为至少含有三个连续苯环的共轭结构,至少有一个三个连续苯环上的碳原子被氮原子取代,且第一基团为轴对称结构。例如,第一基团的结构通式可以包括:
可选的,第一金属蒸发源用来蒸发的材料包括第Ⅱ主族元素、第Ⅲ主族元素和稀土元素中的至少一种。示例性的,第一金属蒸发源12可以用来蒸发的材料可以是Yb、Mg和LiF中的至少一种。例如,第一金属蒸发源12可以蒸镀Yb形成电子迁移率较高的膜层。
可选的,在上述实施例的基础上,真空蒸镀装置还可以包括第二蒸镀腔室,第二蒸镀腔室中具有第二有机发光材料蒸发源,用于蒸镀第二有机发光材料。示例性的,第二有机发光材料例如可以通过第二有机发光材料蒸发源蒸镀形成有机发光电致器件中的发光材料层。需要说明的是,本发明实施例对真空蒸镀装置中的第二蒸镀腔室以及第二有机发光材料蒸发源的个数不作限定。例如,若工艺要求通过蒸镀形成红色、绿色和蓝色三种发光颜色像素区域对应的发光材料层,由于每种发光颜色像素区域对应的发光材料层都需要对应颜色的掩膜版,可以在真空蒸镀装置中设置三个第二蒸镀腔室,每个第二蒸镀腔室中设置一第二有机发光材料蒸发源,每个第二有机发光材料蒸发源用于蒸镀相应发光颜色像素区域对应的发光材料层,可以通过控制每个第二有机发光材料蒸发源在成膜方向上的移动速度,以提高形成的各发光材料层的膜厚均匀性。
可选的,在上述实施例的基础上,真空蒸镀装置还可以包括第三蒸镀腔室,第三蒸镀腔室中具有第二金属蒸发源,用于蒸镀第二金属材料。示例性的,第二金属材料例如可以通过第二金属蒸发源蒸镀形成有机发光电致器件中的阴极。需要说明的是,本发明实施例对真空蒸镀装置中的第三蒸镀腔室以及第二金属蒸发源的个数不作限定。例如,可以通过第二金属蒸发源蒸镀Mg或Ag金属材料形成阴极膜层,也可以在第三蒸镀腔室内设置两个第二金属蒸发源,一第二金属蒸发源用于蒸镀Mg金属材料,一第二金属蒸发源用于蒸镀Ag金属材料,两个第二金属蒸发源可以均采用线状蒸发源,也可以均采用点状蒸发源,也可以采用线状蒸发源结合点状蒸发源,使二者可以沿成膜方形同时同方向移动,形成两种金属材料均匀的阴极膜层。
可选的,在上述实施例的基础上,真空蒸镀装置还可以包括第四蒸镀腔室,第四蒸镀腔室中具有第三有机材料蒸发源,用于蒸镀第三有机材料,第三有机材料包括空穴型辅助发光材料。需要说明的是,本发明实施例对真空蒸镀装置中的第四蒸镀腔室以及第三有机材料蒸发源的个数不作限定。示例性的,第三有机发光材料例如可以通过第三有机材料蒸发源蒸镀形成空穴型辅助发光层,空穴辅助发光层例如可以包括空穴注入层、空穴传输层以及电子阻挡层等膜层,起到增加空穴迁移和阻挡电子传输的作用。例如可以通过在第四蒸镀腔室内设置三个第三有机材料蒸发源,分别用于蒸镀形成空穴注入层、空穴传输层以及电子阻挡层等膜层,可以通过控制每个第三有机材料蒸发源在成膜方向上的移动速度,以提高形成的各空穴辅助发光层的膜厚均匀性。还可以是在真空蒸镀装置中设置多个第四蒸镀腔室,空穴注入层、空穴传输层以及电子阻挡层分别通过不同的第四蒸镀腔室进行制作。本领域内技术人员应该理解,本申请上述实施例的空穴注入层、空穴传输层以及电子阻挡层的组成材料可以相同,也可以不相同,本申请对此不作限定,具体视情况而定。
同样可选的,在上述实施例的基础上,真空蒸镀装置还可以包括第五蒸镀腔室,第五蒸镀腔室中具有第四有机材料蒸发源,用于蒸镀第四有机材料,第四有机材料包括电子型辅助发光材料。需要说明的是,本发明实施例对真空蒸镀装置中的第五蒸镀腔室以及第四有机材料蒸发源的个数不作限定。示例性的,第四有机发光材料例如可以通过第四有机材料蒸发源蒸镀形成电子型辅助发光层,电子辅助发光层例如可以包括电子注入层、电子传输层以及空穴阻挡层等膜层,起到增加电子迁移和阻挡空穴传输的作用。例如可以通过在第五蒸镀腔室内设置三个第四有机材料蒸发源,分别用于蒸镀形成电子注入层、电子传输层以及空穴阻挡层等膜层,可以通过控制每个第四有机材料蒸发源在成膜方向上的移动速度,以提高形成的各电子型辅助发光层的膜厚均匀性。还可以是在真空蒸镀装置中设置多个第五蒸镀腔室,电子注入层、电子传输层以及空穴阻挡层分别通过不同的第五蒸镀腔室进行制作。本领域内技术人员应该理解,本申请上述实施例的电子注入层、电子传输层以及空穴阻挡层的组成材料可以相同,也可以不相同,本申请对此不作限定,具体视情况而定。
基于同一构思,本发明实施例还提供了一种真空蒸镀方法,所述方法包括:
控制第一蒸镀腔室中的至少一个第一有机材料蒸发源和至少一个第一金属蒸发源同时进行蒸镀,以实现第一有机材料和第一金属材料的共混掺杂。
本发明实施例通过控制第一蒸镀腔室中的至少一个第一有机材料蒸发源和至少一个第一金属蒸发源同时进行蒸镀,在真空中蒸镀设备的同一腔室内实现了第一有机材料和第一金属材料的共混蒸镀。
可选的,第一有机材料蒸发源和第一金属蒸发源的蒸镀温度差值小于或等于300℃。如果第一有机材料蒸发源和第一金属蒸发源的蒸镀温度差值过大,过高的第一金属材料的蒸镀温度会严重影响第一有机材料的蒸镀速率。示例性的,第一有机材料的蒸发温度范围设定为为100℃到400℃,第一金属材料的蒸发温度范围设定为为200℃到400℃,这样第一有机材料蒸发源和第一金属蒸发源的蒸镀温度差值最大控制在300℃以内。示例性的,有机发光电致器件的电子型辅助发光层一般包括电子传输层,为了增加电子型辅助层中的电子迁移率,一般通过在电子传输层中掺杂金属Yb实现,可以使用本发明实施例提供的真空蒸镀装置,在第一蒸镀腔室内,使用第一有机材料蒸发源蒸镀电子传输层材料,第一金属蒸发源蒸镀金属Yb材料,控制两蒸发源沿成膜方向同时移动,形成均匀的电子传输层材料与金属Yb材料掺杂膜层。电子传输层材料的蒸发温度一般在100℃到400℃范围内,金属Yb材料在真空装置中真空度较高的情况下,温度达到200℃到400℃范围就会蒸发,因此使用第一有机材料蒸发源蒸镀电子传输层材料,使用第一金属蒸发源蒸镀金属Yb材料以形成电子型辅助发光层时,两蒸发源的蒸镀温度差值小于或等于300℃。
可选的,第一有机材料蒸发源和所述第一金属蒸发源的蒸镀温度差值小于或等于200℃。同样的,如果第一有机材料蒸发源和第一金属蒸发源的蒸镀温度差值过大,过高的第一金属材料的蒸镀温度会严重影响第一有机材料的蒸镀速率,二者的蒸镀温度差值越小,相互之间蒸镀温度的影响越小,越有利于在进行真空蒸镀时对温度工艺条件的控制。示例性的,可以使用第一有机材料蒸发源蒸镀电子传输层材料,第一金属蒸发源蒸镀金属Yb材料,金属Yb材料的蒸发温度与其掺杂浓度有关,掺杂浓度越高,所需的蒸发温度越高。为了优化有机发光电致器件的发光性能,可以选取金属Yb材料的掺杂浓度为1%,此时,真空状态下Yb的蒸发温度为280℃,而有机电子传输层材料根据种类的不同蒸发温度也有所差异,大部分电子传输层材料的蒸发温度都在150℃到350℃范围内,这样两个蒸发源的蒸镀温差可以控制在200℃以内。可选的,第一蒸镀腔室中固定有基板;至少一个第一有机材料蒸发源和一个第一金属蒸发源与所述基板相对设置,控制至少一个第一有机材料蒸发源和至少一个第一金属蒸发源从基板的边缘移动至基板的另一侧的边缘。示例性的,可以将一第一有机材料蒸发源和一第一金属蒸发源相对设置,两蒸发源例如可以是线状蒸发源,也可以是第一有机材料蒸发源采用线状蒸发源,第一金属蒸发源采用点状蒸发源,二者同样相对设置,也可多个第一有机材料蒸发源和多个第一金属蒸发源间隔相对设置,上述情况设置的蒸发源均从基板的边缘移动到基板另一侧的边缘,这样能够保证基板边缘也能够形成第一有机材料与第一金属材料均匀混合的蒸镀膜层。
可选的,至少一个第一有机材料蒸发源和至少一个第一金属蒸发源沿移动方向平行排列设置,控制至少一个第一有机材料蒸发源和至少一个第一金属蒸发源同时同方向移动。这样,既有便于对第一真空腔室内第一有机材料蒸发源和第一金属蒸发源的操控,也能使得形成的第一有机材料与第一金属材料成膜更均匀。
图8为本发明实施例提供的一种真空蒸镀方法的流程示意图。示例性的,图9a-图9c为图8中各步骤对应的剖面结构示意图。需要说明的是,在本申请实施例中,真空蒸镀设备还包括至少第二蒸镀腔室,所述第二蒸镀腔室内具有至少一个第二有机发光材料蒸发源;所述至少一个第二有机发光材料蒸发源用以蒸镀第二有机发光材料;以及至少第三蒸镀腔室,所述第三蒸镀腔室内具有至少一个第二金属蒸发源;所述至少一个第二金属蒸发源用以蒸镀第二金属材料。如图8所示,所述方法包括:
步骤S101、提供一OLED阵列基板,控制第二蒸镀腔室中的至少一个第二有机发光材料蒸发源蒸镀第二有机发光材料,形成发光材料层21。
示例性的,第二有机发光材料蒸发源可以为线状蒸发源,在对第二有机发光材料进行蒸镀时,沿基板的边缘移动至基板另一层的边缘,形成均匀的第二有机发光材料层。示例性的,可以使用第二蒸镀腔室中的第二有机发光材料蒸发源蒸镀有机发光电致器件中的发光材料层。参见图9a,可以在OLED阵列基板20上,通过第二有机发光材料蒸发源蒸镀形成发光材料层21。需要说明的是,本说明实施例中对第二蒸镀腔室的个数不作限定,例如可以采用三个第二蒸镀腔室,各蒸镀腔室内的第二有机发光材料蒸发源分别用于蒸镀蓝色发光颜色像素区域(A1)、绿色发光颜色像素区域(A2)和红色发光颜色像素区域(A3)中的发光材料层。其中,各像素区域对应的发光材料层21的厚度可以相同,也可以不同,图9a示例性的设置红色发光颜色像素区域(A3)中的发光材料层21的厚度不同于其它两像素区域。此外,各第二蒸镀腔室中的第二有机发光材料蒸发源的个数也不作限定,同一腔室中的各第二有机发光材料蒸发源可以单独进行蒸镀,也可以同时进行蒸镀,实现共混掺杂。
步骤S102、控制第一蒸镀腔室中的至少一个第一有机材料蒸发源和至少一个第一金属蒸发源同时进行蒸镀,以实现第一有机材料和第一金属材料的共混掺杂形成电子传输层22。
示例性的,可以使用第一蒸镀腔室蒸镀有机发光电致器件中的电子型辅助发光层。参见图9b,在第一有机材料蒸发源中放置电子传输层材料,在第一金属蒸发源中放置第一金属材料,例如可以是金属Yb材料,控制二者同时进行蒸镀,形成掺杂有金属Yb材料的电子传输层22,增加了电子传输层中的电子迁移率。示例性的,为了优化有机发光电致器件的性能,各像素区域的电子传输层的厚度可以相同,也可以不同。同时,可以通过在两蒸发源两侧设置角度板,调整蒸发角对应的蒸发面重合,使成膜均匀。
步骤S103、控制第三蒸镀腔室中的至少一个第二金属蒸发源蒸镀第二金属材料,形成阴极膜层23。
示例性的,可以使用第三蒸镀腔室蒸镀有机发光电致器件中的阴极膜层。参见图9c,可以通过第二金属蒸发源蒸镀Mg或Ag金属材料形成阴极膜层23,也可以在第三蒸镀腔室内设置两个第二金属蒸发源,一第二金属蒸发源用于蒸镀Mg金属材料,一第二金属蒸发源用于蒸镀Ag金属材料。
在本申请的一种实现方式中,真空蒸镀装置还包括:至少第四蒸镀腔室,所述第四蒸镀腔室内具有至少一个第三有机材料蒸发源;所述至少一个第三有机材料蒸发源用以蒸镀第三有机材料;所述第三有机材料包括空穴型辅助发光材料。
可选的,所述真空蒸镀方法在步骤S101之前还可以包括控制第四蒸镀腔室中的至少一个第三有机材料蒸发源蒸镀第三有机材料,第三有机材料包括空穴型辅助发光材料。示例性的,空穴型辅助发光材料可以包括空穴注入层材料、空穴传输层材料或电子阻挡层材料中的一种或几种。
在本申请的另一种实现方式中,真空蒸镀装置还包括:至少第五蒸镀腔室,所述第五蒸镀腔室内具有至少一个第四有机材料蒸发源;所述至少一个第四有机材料蒸发源用以蒸镀第四有机材料;所述第四有机材料包括电子型辅助发光材料;
同样可选的,所述真空蒸镀方法在步骤S103之前还可以包括控制第五蒸镀腔室中的至少一个第四有机材料蒸发源蒸镀第四有机材料,第四有机材料包括电子型辅助发光材料。示例性的,上述电子型辅助发光材料可以包括电子注入层材料、电子传输层材料或空穴阻挡层材料中的一种或几种。此外,本申请对于第五蒸镀腔室和第一蒸镀腔室的使用顺序不作限定,具体可以依据OLED器件的结构进行选择。
本发明实施例通过控制第一蒸镀腔室中的至少一个第一有机材料蒸发源和至少一个第一金属蒸发源同时进行蒸镀,实现了第一有机材料和第一金属材料的均匀共混掺杂。
本发明实施例还提供了一种有机发光显示面板,所述有机发光显示面板采用上述实施例所提供的真空蒸镀方法形成,因此本发明实施例提供的显示面板也具备上述实施例中所描述的有益效果,此处不再赘述。示例性的,有机发光显示面板可以是笔记本电脑、平板电脑或显示器等任何具有显示功能的产品或部件。
综上所述,本发明实施例提供的真空蒸镀装置、方法及有机发光显示面板,通过在第一蒸镀腔室内设置至少一个第一有机材料蒸发源和至少一个第一金属蒸发源,且第一有机材料蒸发源用以蒸镀第一有机材料,第一金属蒸发源用以蒸镀第一金属材料,且至少一个第一有机材料蒸发源和至少一个第一金属蒸发源可以被控制同时进行蒸镀,实现了第一有机材料和第一金属材料的共混掺杂。例如在制备有机发光显示面板的电子传输层时,可以实现通过有机材料和金属材料的共蒸发提高电子传输层的电子迁移率。本发明实施例可以分别精确控制第一有机材料蒸发源和第一金属蒸发源,实现第一有机材料和第一金属材料的均匀共混掺杂。
注意,上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解,本发明不限于这里所述的特定实施例,对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此,虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明,但是本发明不仅仅限于以上实施例,在不脱离本发明构思的情况下,还可以包括更多其他等效实施例,而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (22)

1.一种真空蒸镀装置,其特征在于,包括:
至少第一蒸镀腔室;
所述第一蒸镀腔室内具有至少一个第一有机材料蒸发源和至少一个第一金属蒸发源;
所述至少一个第一有机材料蒸发源用以蒸镀第一有机材料;
所述至少一个第一金属蒸发源用以蒸镀第一金属材料;
所述至少一个第一有机材料蒸发源和所述至少一个第一金属蒸发源可以被控制为同时进行蒸镀,以实现第一有机材料和第一金属材料的共混掺杂。
2.根据权利要求1所述的真空蒸镀装置,其特征在于,所述第一有机材料蒸发源和所述第一金属蒸发源为线状蒸发源。
3.根据权利要求1所述的真空蒸镀装置,其特征在于,所述第一有机材料蒸发源为线状蒸发源;所述第一金属蒸发源为点状蒸发源。
4.根据权利要求3所述的真空蒸镀装置,其特征在于,所述第一蒸镀腔室内具有多个所述第一金属蒸发源,且所述多个所述第一金属蒸发源沿所述第一有机材料蒸发源的延伸方向平行设置。
5.根据权利要求1所述的真空蒸镀装置,其特征在于,所述至少一个第一有机材料蒸发源和至少一个第一金属蒸发源沿移动方向平行排列设置,且能够同时同方向移动。
6.根据权利要求5所述的真空蒸镀装置,其特征在于,所述至少一个第一有机材料蒸发源和至少一个第一金属蒸发源沿移动方向间隔设置。
7.根据权利要求1所述的真空蒸镀装置,其特征在于,所述至少一个第一有机材料蒸发源和至少一个第一金属蒸发源沿移动方向的两侧设置有角度板;所述至少一个第一有机材料蒸发源和至少一个第一金属蒸发源的蒸发角对应的蒸发面重合。
8.根据权利要求1所述的真空蒸镀装置,其特征在于,所述第一有机材料蒸发源用来蒸发的材料包括电子型辅助发光材料。
9.根据权利要求8所述的真空蒸镀装置,其特征在于,所述电子型辅助发光材料至少包含第一基团;
所述第一基团为至少含有三个连续苯环的共轭结构,至少有一个所述三个连续苯环上的碳原子被氮原子取代,且所述第一基团为轴对称结构。
10.根据权利要求9所述的真空蒸镀装置,其特征在于,所述第一基团的结构通式包括:
11.根据权利要求1所述的真空蒸镀装置,其特征在于,所述第一金属蒸发源用来蒸发的材料包括第Ⅱ主族元素、第Ⅲ主族元素和稀土元素中的至少一种。
12.根据权利要求11所述的真空蒸镀装置,其特征在于,所述第一金属蒸发源用来蒸发的材料包括Yb、Mg和LiF中的至少一种。
13.根据权利要求1所述的真空蒸镀装置,其特征在于,还包括:
至少第二蒸镀腔室,所述第二蒸镀腔室内具有至少一个第二有机发光材料蒸发源;所述至少一个第二有机发光材料蒸发源用以蒸镀第二有机发光材料;
至少第三蒸镀腔室,所述第三蒸镀腔室内具有至少一个第二金属蒸发源;所述至少一个第二金属蒸发源用以蒸镀第二金属材料。
14.根据权利要求13所述的真空蒸镀装置,其特征在于,还包括:
至少第四蒸镀腔室,所述第四蒸镀腔室内具有至少一个第三有机材料蒸发源;所述至少一个第三有机材料蒸发源用以蒸镀第三有机材料;所述第三有机材料包括空穴型辅助发光材料。
15.一种真空蒸镀方法,其特征在于,包括:
控制第一蒸镀腔室中的至少一个第一有机材料蒸发源和至少一个第一金属蒸发源同时进行蒸镀,以实现第一有机材料和第一金属材料的共混掺杂。
16.根据权利要求15所述的真空蒸镀方法,其特征在于,所述第一有机材料蒸发源和所述第一金属蒸发源的蒸镀温度差值小于或等于300℃。
17.根据权利要求15所述的真空蒸镀方法,其特征在于,所述第一有机材料蒸发源和所述第一金属蒸发源的蒸镀温度差值小于或等于200℃。
18.根据权利要求15所述的真空蒸镀方法,其特征在于,所述第一蒸镀腔室中固定有基板;所述至少一个第一有机材料蒸发源和至少一个第一金属蒸发源与所述基板相对设置,控制所述至少一个第一有机材料蒸发源和至少一个第一金属蒸发源从所述基板的边缘移动至所述基板的另一侧的边缘。
19.根据权利要求15所述的真空蒸镀方法,其特征在于,所述至少一个第一有机材料蒸发源和至少一个第一金属蒸发源沿移动方向平行排列设置,控制所述至少一个第一有机材料蒸发源和至少一个第一金属蒸发源同时同方向移动。
20.根据权利要求15所述的真空蒸镀方法,其特征在于,
在控制第一蒸镀腔室中的至少一个第一有机材料蒸发源和至少一个第一金属蒸发源同时进行蒸镀,以实现第一有机材料和第一金属材料的共混掺杂之前,还包括:
控制第二蒸镀腔室中的至少一个第二有机发光材料蒸发源蒸镀第二有机发光材料;
在控制第一蒸镀腔室中的至少一个第一有机材料蒸发源和至少一个第一金属蒸发源同时进行蒸镀,以实现第一有机材料和第一金属材料的共混掺杂之后,还包括:
控制第三蒸镀腔室中的至少一个第二金属蒸发源蒸镀第二金属材料。
21.根据权利要求20所述的真空蒸镀方法,其特征在于,
在控制第一蒸镀腔室中的至少一个第一有机材料蒸发源和至少一个第一金属蒸发源同时进行蒸镀,以实现第一有机材料和第一金属材料的共混掺杂之前,还包括:
控制第四蒸镀腔室中的至少一个第三有机材料蒸发源蒸镀第三有机材料,所述第三有机材料包括空穴型辅助发光材料。
22.一种有机发光显示面板,其特征在于,采用权利要求15-21中任一项所述的真空蒸镀方法形成。
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