CN109830611A - 一种有机发光二极管及制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例涉及OLED器件领域，公开了一种有机发光二极管，包括：阳极层以及依次设置于阳极层上的空穴注入层、空穴传输层、有机发光单元、电子传输层、电子注入层和阴极层，有机发光单元包括一个空穴型主体层、与空穴型主体层相邻设置的一个电子型主体层以及至少一个非掺杂磷光发射层，非掺杂磷光发射层嵌设于空穴型主体层或电子型主体层内，有机发光单元含有一个激子形成区及一个激子发光区，激子形成区位于空穴型主体层与电子型主体层的交界处，激子发光区位于至少一个非掺杂磷光发射层处、且与激子形成区相间隔。本发明实施例还提供一种有机发光二极管的制造方法。本发明实施例能够有效降低有机发光二极管的滚降现象、稳定性高且制备工艺简单。
Description
技术领域
本发明实施例涉及OLED器件领域，特别涉及一种有机发光二极管及制作方法。
背景技术
目前，OLED显示技术日趋成熟化，已经有商业化的产品走入人们的视野，国内的面板厂商也在加速量产布局。OLED显示技术由非常薄的有机材料膜层和基板构成，当有电荷通过时这些有机材料就会发光，OLED发光的颜色取决于有机发光层的材料，可以通过改变发光层的染料材料来得到所需之颜色。OLED显示具有自发光、构造简单、对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快、低功耗、使用温度范围广等优点，如用柔性材料做衬底，可以制成可折叠的显示器。由于OLED是全固态、非真空器件，具有抗震荡、耐低温(-40℃)等特性，在军事方面也有十分重要的应用，如用作坦克、飞机等现代化武器的显示终端。磷光OLED由于能够同时利用三重态和单重态的激子，内量子效率理论上可达到100％，从而克服了传统荧光OLED只利用单重态激子时效率25％的限制。但要实现三重态磷光，通常需要将重金属原子与主体材料进行掺杂，而重金属配合物磷光寿命相对较长，容易引起浓度淬灭和三重态-三重态湮灭，从而造成严重的效率滚降。因此，现有技术中为了实现高效的低滚降的磷光OLED，常采用增加激子阻挡层来将激子限制在发光层中，将电荷和激子限制在发光层中。
发明人发现现有技术中至少存在如下问题：发光层中的电荷和激子会在发光层的界面处聚集，导致三重态激子通过三重态-三重态湮灭(TTA)和三重态-极化子淬灭(TPA)被淬灭，从而导致器件在高亮度下的效率滚降，稳定性不高；此外，虽然可以通过做多层掺杂发光层来一定程度地降低效率滚降，但其制备工艺复杂，可重复性差。
发明内容
本发明实施方式的目的在于提供一种有机发光二极管及制造方法，其能够有效降低有机发光二极管的滚降现象、稳定性高且制备工艺简单。
为解决上述技术问题，本发明的实施方式提供了一种有机发光二极管，包括：阳极层以及依次设置于所述阳极层上的空穴注入层、空穴传输层、有机发光单元、电子传输层、电子注入层和阴极层，所述有机发光单元包括一个空穴型主体层、与所述空穴型主体层相邻设置的一个电子型主体层以及至少一个非掺杂磷光发射层，所述非掺杂磷光发射层嵌设于所述空穴型主体层或所述电子型主体层内，所述有机发光单元含有一个激子形成区及一个激子发光区，所述激子形成区位于所述空穴型主体层与所述电子型主体层的交界处，所述激子发光区位于所述至少一个非掺杂磷光发射层处、且与所述激子形成区相间隔。
本发明的实施方式还提供了一种有机发光二极管的制造方法，包括：在含有第一电极的基板上沉积空穴传输单元；在所述空穴传输单元上沉积有机发光单元，所述有机发光单元包括一个空穴型主体层、与所述空穴型主体层相邻设置的一个电子型主体层以及至少一个非掺杂磷光发射层，所述有机发光单元含有一个激子形成区及至少一个激子发光区，所述激子形成区位于所述空穴型主体层及所述电子型主体层的交界处，所述至少一个激子发光区覆盖所述至少一个非掺杂磷光发射层且与所述激子形成区相距预设距离；在所述有机发光单元上沉积电子传输单元；在所述电子传输单元上沉积第二电极。
本发明的实施方式相对于现有技术而言，有机发光单元包括一个空穴型主体层、与空穴型主体层相邻设置的一个电子型主体层以及至少一个非掺杂磷光发射层；此外，有机发光单元含有一个激子形成区及一个激子发光区，激子形成区位于空穴型主体层与电子型主体层的交界处，激子发光区位于至少一个非掺杂磷光发射层处、且与激子形成区相间隔，通过此种结构使得三重态激子会被限定在非掺杂磷光发射层内，从而使电荷和激子不会在空穴型主体层与电子型主体层的交界处(即激子形成区)聚集，减小了激子形成区的激子浓度，从而减小了三重态激子的三重态-三重态湮灭，有效的降低了有机发光二极管的滚降现象、稳定性高，避免了“三重态激子通过三重态-三重态湮灭(TTA)和三重态-极化子淬灭(TPA)被淬灭，从而导致器件在高亮度下的效率滚降，稳定性不高”的情况的发生；同时只需在有机发光单元中插入非掺杂磷光发射层即可，制备工艺简单，避免了“通过做多层掺杂发光层来一定程度地降低效率滚降，但其制备工艺复杂，可重复性差”的情况的发生。
另外，所述空穴型主体层的三重态能级小于所述电子型主体层的三重态能级，所述一个非掺杂磷光发射层置于所述空穴型主体层内。
另外，所述空穴型主体层的三重态能级大于所述电子型主体层的三重态能级，所述一个非掺杂磷光发射层置于所述电子型主体层内。
另外，所述空穴型主体层的三重态能级与所述电子型主体层的三重态能级接近，所述非掺杂磷光发射层的数量为两个，所述有机发光单元含有两个激子发光区，所述两个非掺杂磷光发射层分别置于所述空穴型主体层和所述电子型主体层内，所述两个激子发光区分别覆盖所述两个非掺杂磷光发射层。
另外，所述空穴型主体层及所述电子型主体层的三重态能级均大于所述非掺杂磷光发射层的三重态能级。由于在有机发光二极管的使用过程中，发光效率会因激子浓度过高发生淬灭而急剧降低，将空穴型主体层及电子型主体层的三重态能级均设计成大于非掺杂磷光发射层的三重态能级，能够实现高效率的发光，避免能量的逆向回传，同时将三重态激子限定在非掺杂磷光发光层内。
另外，所述非掺杂磷光发射层的厚度范围为0.1纳米至0.5纳米。非掺杂磷光发射层的厚度在此范围内能够减小增设非掺杂磷光发光层对器件的驱动电压的影响。
另外，所述非掺杂磷光发射层与所述激子形成区之间的间隔距离为3纳米至8纳米。此种距离能够使激子辐射发光区远离激子形成区，降低激子浓度，从而避免有机发光单元中三线态激子-三线态激子湮灭，因此能有效降低有机发光二极管的效率滚降、显著提高有机发光二极管的操作寿命和操作稳定性。
另外，所述有机发光单元的厚度为10纳米至25纳米。
附图说明
一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件表示为类似的元件，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。
图1是根据本发明第一实施方式提供的有机发光二极管的结构示意图；
图2是根据本发明第二实施方式提供的有机发光二极管的结构示意图；
图3是根据本发明第三实施方式提供的有机发光二极管的结构示意图；
图4是根据本发明第四实施方式提供的有机发光二极管的制作方法的流程图；
图5是本发明实施例一中有机发光二极管器件制作材料的能级图；
图6是本发明实施例一中有机发光二极管器件的发光机理图；
图7是本发明实施例二中有机发光二极管器件制作材料的能级图；
图8是本发明实施例二中有机发光二极管器件的发光机理图；
图9是本发明实施例三中有机发光二极管器件制作材料的能级图；
图10是本发明实施例三中有机发光二极管器件的发光机理图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明的各实施方式进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本发明各实施方式中，为了使读者更好地理解本发明而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施方式的种种变化和修改，也可以实现本发明所要求保护的技术方案。
本发明的第一实施方式涉及一种有机发光二极管100，具体结构如图1所示，包括：阳极层1以及依次设置于阳极层1上的空穴注入层2、空穴传输层3、有机发光单元4、电子传输层5、电子注入层6和阴极层7，有机发光单元4包括一个空穴型主体层41、与空穴型主体层41相邻设置的一个电子型主体层42以及一个非掺杂磷光发射层43，非掺杂磷光发射层43置于空穴型主体层41内，有机发光单元4含有一个激子形成区401及一个激子发光区402，激子形成区401位于空穴型主体层41与电子型主体层42的交界处，激子发光区502覆盖非掺杂磷光发射层43且与激子形成区401相间隔。
本发明的实施方式相对于现有技术而言，有机发光单元包括一个空穴型主体层41、与空穴型主体层41相邻设置的一个电子型主体层42以及一个非掺杂磷光发射层43，非掺杂磷光发射层43置于空穴型主体层41内；此外，有机发光单元4含有一个激子形成区401及一个激子发光区402，激子形成区401位于空穴型主体层41与电子型主体层42的交界处，激子发光区402覆盖非掺杂磷光发射层43且与激子形成区401相间隔，通过此种结构使得三重态激子会被限定在非掺杂磷光发射层43内，从而使电荷和激子不会在空穴型主体层41与电子型主体层42的交界处(即激子形成区)聚集，减小了激子形成区401的激子浓度，从而减小了三重态激子的三重态-三重态湮灭，有效的降低了有机发光二极管100的滚降现象、稳定性高，避免了“三重态激子通过三重态-三重态湮灭(TTA)和三重态-极化子淬灭(TPA)被淬灭，从而导致器件在高亮度下的效率滚降，稳定性不高”的情况的发生；同时只需在有机发光单元4中插入非掺杂磷光发射层43即可，制备工艺简单，避免了“通过做多层掺杂发光层来一定程度地降低效率滚降，但其制备工艺复杂，可重复性差”的情况的发生。
可以理解的是，非掺杂磷光发射层43的材质为磷光材料，磷光材料皆由重金属的自旋轨道耦合，可以让原本在单重态的电子转换到三重态，从而利用所有的激发态电子，而这有利于降低器件能耗和延长器件寿命。
下面对本实施方式的实现细节进行具体的说明，以下内容仅为方便理解提供的实现细节，并非实施本方案的必须。
本实施方式中，空穴型主体层41三重态能级小于电子型主体层42的三重态能级。如此设置能够使三重态激子从电子型主体层42向空穴型主体层41转移。
值得一提的是，空穴型主体层41及电子型主体层42的三重态能级均大于非掺杂磷光发射层43的三重态能级。由于在有机发光二极管的使用过程中，有机发光二极管100的发光效率会因猝灭现象而急剧降低，将空穴型主体层41及电子型主体层42的三重态能级均设计成大于非掺杂磷光发射层43的三重态能级，能够实现高效率的发光，避免能量的逆向回传，同时将三重态激子限定在非掺杂磷光发光层43内。
需要说明的是，非掺杂磷光发射层43的厚度范围为0.1纳米至0.5纳米。非掺杂磷光发射层43的厚度在此范围内能够减小增设非掺杂磷光发光层43对器件的驱动电压的影响。
优选的，预设距离为3纳米至8纳米。即激子发光区402与激子形成区401相距3纳米至8纳米，此种距离能够有效增加激子形成区401的宽度，降低激子形成区401的激子浓度，避免有机发光单元4中三线态激子-三线态激子湮灭，因此能降低有机发光二极管100的效率滚降、显著提高有机发光二极管100的操作寿命和操作稳定性。
可以理解的是，将非掺杂磷光发射层43的厚度范围设置为0.1纳米至0.5纳米，激子发光区402与激子形成区401相距距离设置为3纳米至8纳米，能够使本实施方式中的有机发光二极管100满足以下几点要求：1、不改变器件载流子的传输性质2、不改变激子的复合性质，激子通过两主体的能量传递来复合而不是通过陷阱捕获机制来复合3、保证激子发光区402远离激子形成区401。
具体的说，有机发光单元4的厚度为10纳米至25纳米。
本发明的第二实施方式涉及一种有机发光二极管200，第二实施方式与第一实施方式大致相同，主要区别之处在于：在第一实施方式中，非掺杂磷光发射层43置于空穴型主体层41内，空穴型主体层41三重态能级小于电子型主体层42的三重态能级；而在本实施方式中，如图2所示，非掺杂磷光发射层43置于电子型主体层42内，空穴型主体层41三重态能级大于电子型主体层42的三重态能级。通过将空穴型主体层41的三重态能级设计成大于电子型主体层42的三重态能级，能够使三重态激子从空穴型主体层41向电子型主体层42转移。本领域技术人员可以理解，本实施方式能够达到与第一实施方式相同的技术效果。
本发明的第三实施方式涉及一种有机发光二极管200，第三实施方式与第一实施方式大致相同，主要区别之处在于：在第一实施方式中，非掺杂磷光发射层43置于空穴型主体层41内，空穴型主体层41三重态能级小于电子型主体层42的三重态能级；而在本实施方式中，如图3所示，包括非掺杂磷光发射层431和非掺杂磷光发射层432，非掺杂磷光发射层431置于空穴型主体层41内，非掺杂磷光发射层432置于电子型主体层42内，激子发光区4021位于非掺杂磷光发射层431处且与激子形成区401相间隔，激子发光区4022位于非掺杂磷光发射层432处且与激子形成区401相间隔，空穴型主体层41的三重态能级接近于电子型主体层42的三重态能级。本领域技术人员可以理解，本实施方式能够达到与第一实施方式相同的技术效果。
本发明的第四实施方式涉及一种有机发光二极管的制作方法，具体流程如图4所示，包括：
S401：在含有第一电极的基板上沉积空穴传输单元。
S402：在空穴传输单元上沉积有机发光单元。
关于步骤S402，具体的说，所述有机发光单元包括一个空穴型主体层、与所述空穴型主体层相邻设置的一个电子型主体层以及至少一个非掺杂磷光发射层，所述有机发光单元含有一个激子形成区及至少一个激子发光区，所述激子形成区位于所述空穴型主体层及所述电子型主体层的交界处，所述至少一个激子发光区覆盖所述至少一个非掺杂磷光发射层且与所述激子形成区相距预设距离。可以理解的是，本实施方式中的预设距离为3纳米至8纳米。
S403：在有机发光单元上沉积电子传输单元。
S404：在电子传输单元上沉积第二电极。
本发明的实施方式相对于现有技术而言，有机发光单元包括一个空穴型主体层、与空穴型主体层相邻设置的一个电子型主体层以及至少一个非掺杂磷光发射层；此外，有机发光单元含有一个激子形成区及一个激子发光区，激子形成区位于空穴型主体层与电子型主体层的交界处，激子发光区覆盖至少一个非掺杂磷光发射层且与激子形成区相距预设距离，通过此种结构使得三重态激子会被限定在非掺杂磷光发射层内，从而使电荷和激子不会在空穴型主体层与电子型主体层的交界处(即激子形成区)聚集，减小了激子形成区的激子浓度，从而减小了三重态激子的三重态-三重态湮灭，有效的降低了有机发光二极管的滚降现象、稳定性高，避免了“三重态激子通过三重态-三重态湮灭(TTA)和三重态-极化子淬灭(TPA)被淬灭，从而导致器件在高亮度下的效率滚降，稳定性不高”的情况的发生；同时只需在有机发光单元中插入非掺杂磷光发射层即可，制备工艺简单，避免了“通过做多层掺杂发光层来一定程度地降低效率滚降，但其制备工艺复杂，可重复性差”的情况的发生。
为了便于理解，下面对本实施方式中的有机发光二极管器件的具体结构以及具体制备方法列举三个实施例进行详细说明：
实施例一：本实施例的器件结构如下：
ITO/MoO3(10nm)/NPB(35nm)/TAPC(5nm)/TCTA(16nm)/Ir(ppy)2(acac)(0.2nm)/TCTA(4nm)/DPEPO(45nm)/LiF(1nm)/Al，器件中所用材料的能级如图5所示。
在本实施例中，掺杂浓度单位均为wt％。
所述有机发光二极管器件的具体制备方法如下：
首先，利用洗涤剂、去离子水、丙酮、乙醇对基板进行清洗，并放置在烘箱内110℃烘烤1h，然后冷却至室温。
然后，把上述基板转移到plasma腔体内进行前处理，降低阳极层的功函数。处理完后再将基板转移到真空腔内，抽真空至5×10-7Pa。
然后，在阳极层上依次蒸镀各层有机层。其中，MoO3及TAPC的膜层蒸镀速率为0.5A/s，NPB及DPEPO的膜层蒸镀速率为1A/s，Ir(ppy)2(acac)的膜层蒸镀速率为0.1A/s。
最后，再依次蒸镀LiF层和Al层作为器件的阴极层，其中LiF层的蒸镀速率为0.1A/s,厚度为1nm，Al层的蒸镀速率为1.5A/s，厚度为120nm。
对比例1：
以与上述实施例1相同的方法制备有机发光二极管器件，该器件结构如下：
ITO/MoO3(10nm)/NPB(35nm)/TAPC(5nm)/TCTA(20nm)/Ir(ppy)2(acac)(0.2nm)/DPEPO(45nm)/LiF(1nm)/Al。
将上面实施例1和对比例1的有机发光二极管器件的性能表示在下表1中：
表1
| 器件 | 起亮电压 | EQEmax | EQE@5000nits | 效率滚降 |
| 实施例1 | 3.0V | 22.8 | 22.3 | 2.2％ |
| 对比例1 | 3.0V | 20.4 | 17.5 | 14.2％ |
由表1可以看出，对比例1的效率滚降大，因为激子大量集中在TCTA/DPEPO的界面处，造成激子淬灭严重，在界面处插入薄层磷光发射体Ir(ppy)2(acac)不能充分利用激子发光。由于TCTA的三重态能级比DPEPO低很多，形成的激子会向TCTA一侧扩散，所以实施例1中在TCTA一侧插入了一层薄层磷光发射体Ir(ppy)2(acac)来捕获扩散的激子发光，从而使激子的辐射发光区远离了激子复合区，降低了TTA及TPA，所以效率滚降最小。如图6所示，为本实施例有机发光二极管器件的发光机理图
实施例二：
本实施例的器件结构如下：
ITO/MoO3(10nm)/NPB(50nm)/TAPC(5nm)/TCTA(5nm)/Bepp2(4nm)/Ir(ppy)2(acac)(0.2nm)/Bepp2(41nm)/LiF(1nm)/Al。
对比例2：
ITO/MoO3(10nm)/NPB(35nm)/TAPC(5nm)/TCTA(20nm)/Ir(ppy)2(acac)(0.2nm)/Bepp2(45nm)/LiF(1nm)/Al.器件中所用材料的能级如图7所示。
将上面实施例2和对比例2的有机发光二极管器件的性能表示在下表2中：
表2
| 器件 | 起亮电压 | EQEmax | EQE@5000nits | 效率滚降 |
| 实施例2 | 2.9V | 24.5 | 24.1 | 1.6％ |
| 对比例2 | 2.9V | 22.3 | 19.5 | 12.6％ |
由表2可以看出，对比例2的效率滚降大，因为激子大量集中在TCTA/Bepp2的界面处，造成激子淬灭严重，在界面处插入薄层磷光发射体Ir(ppy)2(acac)不能充分利用激子发光。由于TCTA的三重态能级比Bepp2高很多，形成的激子会向Bepp2一侧扩散，所以实施例2中在Bepp2一侧插入了一层薄层磷光发射体Ir(ppy)2(acac)来捕获扩散的激子发光，从而使激子的辐射发光区远离了激子复合区，降低了TTA及TPA，所以效率滚降最小。如图8所示，为本实施例有机发光二极管器件的发光机理图。
实施例三：
本实施例的器件结构如下：
ITO/MoO3(10nm)/NPB(35nm)/TAPC(5nm)/TCTA(16nm)/Ir(ppy)2(acac)(0.2nm)/TCTA(4nm)/TPBi(4nm)/Ir(ppy)2(acac)(0.2nm)/TPBi(41nm)/LiF(1nm)/Al。
对比例3：
ITO/MoO3(10nm)/NPB(35nm)/TAPC(5nm)/TCTA(20nm)/Ir(ppy)2(acac)(0.2nm)/TPBi(45nm)/LiF(1nm)/Al。器件中所用材料的能级如图9所示。
将上面实施例3和对比例3的有机发光二极管器件的性能表示在下表3中：
表3
| 器件 | 起亮电压 | EQEmax | EQE@5000nits | 效率滚降 |
| 实施例3 | 3.0V | 21.9 | 21.4 | 2.3％ |
| 对比例3 | 2.9V | 19.6 | 16.8 | 14.3％ |
由表3可以看出，对比例3的效率滚降大，因为激子大量集中在TCTA/TPBi的界面处，造成激子淬灭严重，在界面处插入薄层磷光发射体Ir(ppy)2(acac)不能充分利用激子发光。由于TCTA与TPBi的三重态能级相同，形成的激子会向两侧扩散，所以实施例3中在TCTA一侧和TPBi一侧各插入了一层薄层磷光发射体Ir(ppy)2(acac)来捕获扩散的激子发光，从而充分利用扩散出来的激子发光，而且也保证了辐射发光区远离了激子复合区，降低了TTA及TPA，所以效率滚降最小。如图10所示，为本实施例有机发光二极管器件的发光机理图。
本领域的普通技术人员可以理解，上述各实施方式是实现本发明的具体实施例，而在实际应用中，可以在形式上和细节上对其作各种改变，而不偏离本发明的精神和范围。
Claims (9)
1.一种有机发光二极管，其特征在于，包括：阳极层以及依次设置于所述阳极层上的空穴注入层、空穴传输层、有机发光单元、电子传输层、电子注入层和阴极层，所述有机发光单元包括一个空穴型主体层、与所述空穴型主体层相邻设置的一个电子型主体层以及至少一个非掺杂磷光发射层，所述非掺杂磷光发射层嵌设于所述空穴型主体层或所述电子型主体层内，所述有机发光单元含有一个激子形成区及一个激子发光区，所述激子形成区位于所述空穴型主体层与所述电子型主体层的交界处，所述激子发光区位于所述至少一个非掺杂磷光发射层处、且与所述激子形成区相间隔。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述空穴型主体层的三重态能级小于所述电子型主体层的三重态能级，所述非掺杂磷光发射层置于所述空穴型主体层内。
3.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述空穴型主体层的三重态能级大于所述电子型主体层的三重态能级，所述非掺杂磷光发射层置于所述电子型主体层内。
4.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述空穴型主体层的三重态能级与所述电子型主体层的三重态能级接近，所述非掺杂磷光发射层的数量为两个，所述有机发光单元含有两个激子发光区，所述两个非掺杂磷光发射层分别嵌设于所述空穴型主体层和所述电子型主体层内，所述两个激子发光区分别位于所述两个非掺杂磷光发射层处。
5.根据权利要求1至4任一项所述的有机发光二极管，其特征在于，所述空穴型主体层及所述电子型主体层的三重态能级均大于所述非掺杂磷光发射层的三重态能级。
6.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述非掺杂磷光发射层的厚度范围为0.1纳米至0.5纳米。
7.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述非掺杂磷光发射层与所述激子形成区之间的间隔距离为3纳米至8纳米。
8.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述有机发光单元的厚度为10纳米至25纳米。
9.一种有机发光二极管的制造方法，其特征在于，包括：
在含有第一电极的基板上沉积空穴传输单元；
在所述空穴传输单元上沉积有机发光单元，所述有机发光单元包括一个空穴型主体层、与所述空穴型主体层相邻设置的一个电子型主体层以及至少一个非掺杂磷光发射层，所述有机发光单元含有一个激子形成区及至少一个激子发光区，所述激子形成区位于所述空穴型主体层及所述电子型主体层的交界处，所述至少一个激子发光区覆盖所述至少一个非掺杂磷光发射层且与所述激子形成区相距预设距离；
在所述有机发光单元上沉积电子传输单元；
在所述电子传输单元上沉积第二电极。
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| CN201910094875.5A Withdrawn CN109830611A (zh) | 2019-01-31 | 2019-01-31 | 一种有机发光二极管及制作方法 |
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-
2019
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