CN110752307B - 发光器件和显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种发光器件和显示面板。发光器件包括阳极、阴极和位于所述阳极与所述阴极之间的第一发光层及第二发光层，所述第一发光层与所述第二发光层层叠设置，且所述第一发光层位于所述第二发光层靠近所述阳极一侧的表面；其中，所述第一发光层包括第一主体材料和第一客体材料，所述第二发光层包括第二主体材料和第二客体材料；所述第一主体材料的LUMO能级大于所述第一客体材料的LUMO能级，和/或所述第二主体材料的HOMO能级小于所述第二客体材料的HOMO能级。本发明通过设置两层发光层以及各发光层中主体材料与客体材料的能级配置关系，提高了发光器件的发光效率。

Description

发光器件和显示面板
技术领域
本发明实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种发光器件和显示面板。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示技术因具有自发光、广视角、高对比度、较低耗电和极高反应速度等优点而广泛应用在显示领域。
然而，现有的OLED器件存在发光效率低的问题。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的是提出一种发光器件和显示面板，以解决发光器件发光效率低的问题。
为实现上述目的，本发明采用如下技术方案：
一方面，本发明实施例提供了一种发光器件，包括阳极、阴极和位于所述阳极与所述阴极之间的第一发光层及第二发光层，所述第一发光层与所述第二发光层层叠设置，且所述第一发光层位于所述第二发光层靠近所述阳极一侧的表面；
其中，所述第一发光层包括第一主体材料和第一客体材料，所述第二发光层包括第二主体材料和第二客体材料；所述第一主体材料的最低未占分子轨道(LowestUnoccupied Molecular Orbital，LUMO)能级大于所述第一客体材料的LUMO能级，和/或所述第二主体材料的最高占据分子轨道(Highest Occupied Molecular Orbital，HOMO)能级小于所述第二客体材料的HOMO能级。
可选地，所述第一主体材料的LUMO能级与所述第一客体材料的LUMO能级之差大于0.2eV，和/或所述第二主体材料的HOMO能级与所述第二客体材料的HOMO能级之差大于0.2eV。
可选地，所述第一客体材料和/或所述第二客体材料的掺杂浓度为0.1wt％～30wt％。
可选地，所述第一客体材料的LUMO能级小于所述第二客体材料的LUMO能级。
可选地，所述第一主体材料的LUMO能级的范围为-3.2eV～-2.4eV，所述第一客体材料的LUMO能级的范围为-3.2eV～-2.4eV；和/或所述第二主体材料的HOMO能级的范围为-6.2eV～-5.4eV，所述第二客体材料的HOMO能级的范围为-6.2eV～-5.4eV。
可选地，所述第一客体材料和/或所述第二客体材料为荧光材料；
优选地，所述第一主体材料和/或所述第二主体材料为双极传输型材料。
可选地，所述第一主体材料和/或所述第二主体材料为芳香稠环化合物，所述第一客体材料和/或所述第二客体材料为二氨基芘衍生物。
可选地，所述第一发光层与所述第二发光层的厚度之和为1nm～50nm。
可选地，所述发光器件还包括位于所述第二发光层靠近所述阴极一侧的空穴阻挡层，和/或位于所述第一发光层靠近所述阳极一侧的电子阻挡层。
另一方面，本发明实施例提供了一种显示面板，包括本发明任一实施例提供的发光器件。
本发明的有益效果是：本发明实施例在阳极与阴极之间设置双发光层，即层叠设置的第一发光层和第二发光层，第一发光层包括第一主体材料和第一客体材料，第二发光层包括第二主体材料和第二客体材料，通过设置第一主体材料的LUMO能级大于第一客体材料的LUMO能级，使得穿过第二发光层后达到第一发光层的电子被第一客体材料捕获，从而阻碍电子继续向前传输，进而将电子限制在第一发光层中靠近第二发光层的区域内，使该部分电子与来自阳极的空穴在第一发光层中复合形成激发态的激子，激发态的激子衰减从而发光；另外，通过设置第二主体材料的HOMO能级小于第二客体材料的HOMO能级，使得穿过第一发光层后达到第二发光层的空穴被第二客体材料捕获，从而阻碍空穴继续向前传输，进而将空穴限制在第二发光层中靠近第一发光层的区域内，使该部分空穴与来自阴极的电子在第二发光层中复合形成激发态的激子，激发态的激子衰减从而发光。因此，本发明实施例通过设置第一主体材料的LUMO能级大于第一客体材料的LUMO能级，和/或第二主体材料的HOMO能级小于第二客体材料的HOMO能级，可将电子和/或空穴限制在由第一发光层和第二发光层构成的发光层中，从而有效防止电子和/或空穴泄漏出发光层，使得到达发光层的电子和/或空穴可充分复合发光，提高了发光器件的发光效率。
附图说明
下面将通过参照附图详细描述本发明的示例性实施例，使本领域的普通技术人员更清楚本发明的上述及其他特征和优点，附图中：
图1是本发明实施例提供的一种发光器件的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的双发光层中主体材料与客体材料的能级关系示意图；
图3是本发明实施例提供的一种发光器件的工作原理图；
图4是本发明实施例提供的另一种发光器件的工作原理图；
图5是本发明实施例提供的又一种发光器件的工作原理图；
图6是本发明实施例提供的另一种发光器件的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
正如背景技术中提到的OLED器件存在发光效率低的问题，发明人经过研究发现，OLED器件(发光器件)发光效率低的根本原因是部分空穴与电子泄漏出发光层，导致该部分空穴与电子无法在发光层中复合进而发光。具体地，OLED器件至少包括层叠设置的阳极、发光层和阴极。当OLED器件工作时，电子由阴极注入发光层，空穴由阳极注入发光层，电子和空穴在发光层复合形成激发态的激子，激发态的激子衰减，并以光的形式释放能量，发光层发光。然而，现有的发光层一般包括主体材料和客体材料，而主体材料选用空穴传输型材料、电子传输型材料或者双极传输型材料，使得部分空穴和电子到达发光层后继续向前传输，从而泄漏出发光层，因此导致OLED器件发光效率较低。
基于上述技术问题，本实施例提供了以下解决方案：
图1是本发明实施例提供的一种发光器件的结构示意图；图2是本发明实施例提供的双发光层中主体材料与客体材料的能级关系示意图。本实施例提供的发光器件可以为电致发光器件，具体可以为有机发光二极管(OLED)发光器件或量子点发光器件等，该发光器件可以发射白光、红光、绿光或蓝光。具体地，结合图1和图2，本实施例提供的发光器件包括阳极10、阴极20和位于阳极10与阴极20之间的第一发光层31及第二发光层32，第一发光层31与第二发光层32层叠设置，且第一发光层31位于第二发光层32靠近阳极10一侧的表面。
其中，第一发光层31包括第一主体材料和第一客体材料，第二发光层32包括第二主体材料和第二客体材料；第一主体材料的LUMO能级LH1大于第一客体材料的LUMO能级LD1，和/或第二主体材料的HOMO能级HH2小于第二客体材料的HOMO能级HD2。
本发明实施例中，第一发光层31和第二发光层32均可以为磷光发光层或荧光发光层，或者第一发光层31和第二发光层32中的其中一个为磷光发光层，另一个为荧光发光层，对此不作限制。其中的第一主体材料和第二主体材料主要用于传递能量和防止三线态-三线态湮灭，第一主体材料和第二主体材料可选择电子传输型材料、空穴传输型材料和双极传输型材料中的任一种；第一客体材料和第二客体材料主要用于发光，第一客体材料和第二客体材料可选择磷光发光材料或荧光发光材料。
另外，LUMO是指最低未占分子轨道，HOMO是指最高占据分子轨道；LUMO对电子的亲和力较强，具有电子接受体的性质，HOMO对电子的束缚较为松弛，具有电子给予体的性质；LUMO能级越小越容易捕获电子，而HOMO能级越大越容易捕获空穴。基于此，本实施例在阳极10与阴极20之间设置层叠的第一发光层31和第二发光层32，第一发光层31包括第一主体材料和第一客体材料，第二发光层32包括第二主体材料和第二客体材料，当设置第一主体材料的LUMO能级LH1大于第一客体材料的LUMO能级LD1时，穿过第二发光层后达到第一发光层的电子被第一客体材料捕获，从而阻碍电子继续向前传输，进而将电子限制在第一发光层31中靠近第二发光层32的区域内，使该部分电子与来自阳极10的空穴在第一发光层31中复合形成激发态的激子，激发态的激子衰减从而发光。当设置第二主体材料的HOMO能级HH2小于第二客体材料的HOMO能级HD2时，使得穿过第一发光层31后达到第二发光层32的空穴被第二客体材料捕获，从而阻碍空穴继续向前传输，进而将空穴限制在第二发光层32中靠近第一发光层31的区域内，使该部分空穴与来自阴极20的电子在第二发光层32中复合形成激发态的激子，激发态的激子衰减从而发光。因此，本实施例通过设置第一主体材料的LUMO能级LH1大于第一客体材料的LUMO能级LD1，和/或第二主体材料的HOMO能级HH2小于第二客体材料的HOMO能级HD2，可将电子和/或空穴限制在由第一发光层和第二发光层构成的发光层中，从而有效防止电子和/或空穴泄漏出发光层，使得到达发光层的电子和/或空穴可充分复合发光，提高了发光器件的发光效率。
同时，当设置第一主体材料的LUMO能级LH1大于第一客体材料的LUMO能级LD1时，只需配置第一发光层31中的第一主体材料和第一客体材料的LUMO能级关系，而无需考虑第一主体材料和第一客体材料的HOMO能级关系。同样的，当设置第二主体材料的HOMO能级HH2小于第二客体材料的HOMO能级HD2时，只需配置第二发光层32中的第二主体材料和第二客体材料的HOMO能级关系，而无需考虑第二主体材料和第二客体材料的LUMO能级关系。因此，本实施例的技术方案在提高发光器件的发光效率的同时，增大了主体材料与客体材料的选择空间，从而降低了发光器件的制造成本。
需要说明的是，图2仅示意性地示出了第一发光层中的第一主体材料和第一客体材料，与第二发光层中的第二主体材料和第二客体材料的HOMO能级及LUMO能级的关系，图2虽然示出了第一主体材料的LUMO能级小于第二主体材料的LUMO能级，第一主体材料的HOMO能级小于第二主体材料的HOMO能级，但本发明实施例对第一主体材料与第二主体材料的LUMO能级以及HOMO能级的能级关系不作限制，只要满足第一主体材料的LUMO能级LH1大于第一客体材料的LUMO能级LD1，和/或第二主体材料的HOMO能级HH2小于第二客体材料的HOMO能级HD2即可。
通常，大部分发光器件(约90％的发光器件)的空穴的注入传输能力大于电子的注入传输能力，另外一小部分发光器件的电子的注入传输能力大于空穴的注入传输能力，可根据实际情况具体设置第一主体材料的LUMO能级LH1大于第一客体材料的LUMO能级LD1，和/或第二主体材料的HOMO能级HH2小于第二客体材料的HOMO能级HD2。当发光器件中空穴的注入传输能力大于电子的注入传输能力时，可设置第二主体材料的HOMO能级HH2小于第二客体材料的HOMO能级HD2，由此将第一发光层中的未与电子复合的空穴限制在第二发光层中，使该部分空穴与电子在第二发光层中复合发光，提高了发光器件的发光效率；当发光器件中电子的注入传输能力大于空穴的注入传输能力时，可设置第一主体材料的LUMO能级LH1大于第一客体材料的LUMO能级LD1，由此将第二发光层中的未与空穴复合的电子限制在第一发光层中，使该部分电子与空穴在第一发光层中复合发光，提高了发光器件的发光效率；另外，本实施例可以不考虑空穴和电子的注入传输能力大小，同时设置第一主体材料的LUMO能级LH1大于第一客体材料的LUMO能级LD1，且第二主体材料的HOMO能级HH2小于第二客体材料的HOMO能级HD2，可同时将空穴和电子限制在由第一发光层和第二发光层构成的发光层中，有效提高了到达该发光层中的空穴和电子的复合率，从而进一步提高了发光器件的发光效率。
基于上述技术方案，在本发明一具体实施例中，参考图1和图2，发光器件包括阳极10、阴极20和位于阳极10与阴极20之间的第一发光层31及第二发光层32，第一发光层31与第二发光层32层叠设置，且第一发光层31位于第二发光层32靠近阳极10一侧的表面。其中，第一发光层31包括第一主体材料和第一客体材料，第二发光层32包括第二主体材料和第二客体材料；第一主体材料的LUMO能级LH1大于第一客体材料的LUMO能级LD1。
在本实施例中，仅第一主体材料的LUMO能级LH1大于第一客体材料的LUMO能级LD1。同时参考图3，当发光器件工作时，阳极10向第一发光层31注入空穴，阴极20向第二发光层31注入电子，一部分空穴经第一发光层31中的第一主体材料传输至第二发光层32中，一部分电子与该部分空穴在第二发光层32中复合发光，另一部分电子经第二发光层32中的第二主体材料传输至第一发光层31中，由于第一主体材料的LUMO能级LH1大于第一客体材料的LUMO能级LD1，另一部分电子在传输至第一发光层31时被第一客体材料捕获，从而阻碍了另一部分电子继续向阳极侧传输，使另一部分电子集中在第一发光层31中靠近第二发光层32的区域，即将另一部分电子限制在第一发光层31中，此时由阳极10注入的另一部分空穴传输至该区域与上述另一部分电子复合发光，从而有效防止电子泄漏出发光层，使得电子与空穴充分复合。最后，第一发光层31产生的光与第二发光层32产生的光共同出射，提高了发光器件的发光效率。
可选地，第一主体材料的LUMO能级与第一客体材料的LUMO能级之差大于0.2eV，从而有效地将电子限制在第一发光层中，保证第一发光层的发光量。
可选地，第一客体材料的掺杂浓度为0.1wt％～30wt％。通常，第一主体材料与第一客体材料可共掺形成，第一客体材料的掺杂浓度较低，电子主要由第一主体材料传输。因此，在第一主体材料的LUMO能级大于第一客体材料的LUMO能级时，设置第一客体材料的掺杂浓度为0.1wt％～30wt％，可以使第一客体材料有效捕获电子，避免电子泄漏出第一发光层。
可选地，继续参考图2，当第一主体材料的LUMO能级LH1大于第一客体材料的LUMO能级LD1时，第一客体材料的LUMO能级LD1小于第二客体材料的LUMO能级LD2。此时，第二客体材料无法捕获电子，第一客体材料可捕获电子，从而保证电子由第二发光层传输至第一发光层，实现第一发光层发光。
可选地，第一主体材料的LUMO能级的范围为-3.2eV～-2.4eV，第一客体材料的LUMO能级的范围为-3.2eV～-2.4eV。由此，在上述第一主体材料的LUMO能级范围以及第一客体材料的LUMO能级范围内选择第一主体材料以及第一客体材料，既可增加第一主体材料和第一客体材料的选择空间，又可提高发光器件的发光效率。
可选地，第一客体材料为荧光材料。有机电致发光器件根据发光原理可分为荧光发光器件和磷光发光器件。空穴和电子在发光层中复合从而形成激子，根据电子自旋统计原理，单线态激子和三线态激子以25％：75％的比率产生。目前，磷光发光器件所产生的单线态激子和三线态激子均可以被利用，磷光发光器件的发光效率较高；而荧光发光器件中只有单线态激子能被利用，导致荧光发光器件的发光效率非常低(<25％)。通过将本发明的技术方案应用到荧光发光器件中，可以显著提高荧光发光器件的发光效率。本实施例中，第一客体材料为荧光材料，空穴和电子在第一发光层中复合产生三线态激子和单线态激子，由上述实施例可知，到达第一发光层的电子被限制在第一发光层中，从而增大了复合产生的三线态激子的数量，使得三线态激子的密度增加，通过三线态激子的碰撞和融合可产生单线态激子(该现象为三线态-三线态融合(TTF)现象)，由此增加了单线态激子的占比，进而提高了荧光发光器件的发光效率。
特别地，荧光材料为蓝色荧光材料，在保证蓝色荧光发光器件的同时，提高了蓝色荧光发光器件的寿命。
优选地，第一主体材料为双极传输型材料，可起到调节第一发光层中的空穴和电子的数量，保证到达第一发光层及第二发光层中的空穴与电子复合发光。
可选地，第一主体材料为芳香稠环化合物，第一客体材料为二氨基芘衍生物。其中，第一主体材料可包含蒽、萘或苝等稠环基团。
优选地，第一主体材料的结构式为：
Figure BDA0002255345380000101
第一客体材料的结构式为：
Figure BDA0002255345380000102
此时，第一主体材料的LUMO能级为-2.5eV，第一客体材料的LUMO能级为-2.8eV，第一主体材料的LUMO能级与第一客体材料的LUMO能级之差为0.3eV，可有效地将电子限制在第一发光层中。
在本发明另一具体实施例中，继续参考图1和图2，发光器件包括阳极10、阴极20和位于阳极10与阴极20之间的第一发光层31及第二发光层32，第一发光层31与第二发光层32层叠设置，且第一发光层31位于第二发光层32靠近阳极10一侧的表面。其中，第一发光层31包括第一主体材料和第一客体材料，第二发光层32包括第二主体材料和第二客体材料；第二主体材料的HOMO能级HH2小于第二客体材料的HOMO能级HD2。
在本实施例中，仅第二主体材料的HOMO能级HH2小于第二客体材料的HOMO能级HD2。同时参考图4，当发光器件工作时，阳极10向第一发光层31注入空穴，阴极20向第二发光层31注入电子，一部分电子经第二发光层32中的第二主体材料传输至第一发光层31中，一部分空穴与该部分电子在第一发光层31中复合发光，另一部分空穴经第一发光层31中的第一主体材料传输至第二发光层32中，由于第二主体材料的HOMO能级HH2小于第二客体材料的HOMO能级HD2，另一部分空穴在传输至第二发光层32时被第二客体材料捕获，从而阻碍了另一部分空穴继续向阴极侧传输，使另一部分空穴集中在第二发光层32中靠近第一发光层31的区域，即将另一部分空穴限制在第二发光层32中，此时由阴极10注入的另一部分电子传输至该区域与上述另一部分空穴复合发光，从而有效防止空穴泄漏出发光层，使得空穴与电子充分复合。最后，第一发光层31产生的光与第二发光层32产生的光共同出射，提高了发光器件的发光效率。
可选地，第二主体材料的HOMO能级与第二客体材料的HOMO能级之差大于0.2eV，从而有效地将空穴限制在第二发光层中，保证第二发光层的发光量。
可选地，第二客体材料的掺杂浓度为0.1wt％～30wt％，从而使第二客体材料有效地捕获空穴，避免空穴泄漏出第二发光层。
可选地，当第二主体材料的HOMO能级小于第二客体材料的HOMO能级时，第二客体材料的HOMO能级大于第一客体材料的HOMO能级。此时，第一客体材料无法捕获空穴，第二客体材料可捕获空穴，从而保证空穴由第一发光层传输至第二发光层，实现第二发光层发光。
可选地，第二主体材料的HOMO能级的范围为-6.2eV～-5.4eV，第二客体材料的HOMO能级的范围为-6.2eV～-5.4eV。由此，既可增加第二主体材料和第二客体材料的选择空间，又可提高发光器件的发光效率。
可选地，第二客体材料为荧光材料；可增加第二发光层中单线态激子的占比，从而提高荧光发光器件的发光效率。
特别地，荧光材料为蓝色荧光材料，在保证蓝色荧光发光器件的同时，提高了蓝色荧光发光器件的寿命。
优选地，第二主体材料为双极传输型材料，可起到调节第二发光层中的空穴和电子的数量，保证到达第一发光层及第二发光层中的空穴与电子复合发光。
可选地，第二主体材料为芳香稠环化合物，第二客体材料为二氨基芘衍生物。其中，第二主体材料可包含蒽、萘或苝等稠环基团。
优选地，第二主体材料的结构式为：
Figure BDA0002255345380000121
第二客体材料的结构式为：
Figure BDA0002255345380000131
此时，第二主体材料的HOMO能级为-5.8eV，第二客体材料的HOMO能级为-5.5eV，第二主体材料的HOMO能级与第二客体材料的HOMO能级之差为0.3eV，可有效地将空穴限制在第二发光层中。
另外，在本发明又一具体实施例中，继续参考图1和图2，发光器件包括阳极10、阴极20和位于阳极10与阴极20之间的第一发光层31及第二发光层32，第一发光层31与第二发光层32层叠设置，且第一发光层31位于第二发光层32靠近阳极10一侧的表面。其中，第一发光层31包括第一主体材料和第一客体材料，第二发光层32包括第二主体材料和第二客体材料；第一主体材料的LUMO能级LH1大于第一客体材料的LUMO能级LD1，第二主体材料的HOMO能级HH2小于第二客体材料的HOMO能级HD2。
在本实施例中，第一主体材料的LUMO能级LH1大于第一客体材料的LUMO能级LD1，同时，第二主体材料的HOMO能级HH2小于第二客体材料的HOMO能级HD2。同时参考图5，当发光器件工作时，阳极10向第一发光层31注入空穴，阴极20向第二发光层31注入电子，一部分空穴经第一发光层31中的第一主体材料传输至第二发光层32中，由于第二主体材料的HOMO能级HH2小于第二客体材料的HOMO能级HD2，上述一部分空穴在传输至第二发光层32时被第二客体材料捕获，从而阻碍了上述一部分空穴继续向阴极侧传输，使上述一部分空穴集中在第二发光层32中靠近第一发光层31的区域，即将上述一部分空穴限制在第二发光层32中，此时由阴极10注入的一部分电子传输至该区域与上述一部分空穴复合发光，从而有效防止空穴泄漏出发光层；同时，另一部分电子经第二发光层32中的第二主体材料传输至第一发光层31中，由于第一主体材料的LUMO能级LH1大于第一客体材料的LUMO能级LD1，上述另一部分电子在传输至第一发光层31时被第一客体材料捕获，从而阻碍了上述另一部分电子继续向阳极侧传输，使上述另一部分电子集中在第一发光层31中靠近第二发光层32的区域，即将上述另一部分电子限制在第一发光层31中，此时由阳极10注入的另一部分空穴传输至该区域与上述另一部分电子复合发光，从而有效防止电子泄漏出发光层。因此，既设置第一主体材料的LUMO能级LH1大于第一客体材料的LUMO能级LD1，又设置第二主体材料的HOMO能级HH2小于第二客体材料的HOMO能级HD2，可同时将空穴与电子限制在发光层中，最后，第一发光层31产生的光与第二发光层32产生的光共同出射，进一步提高了发光器件的发光效率。
可选地，第一主体材料的LUMO能级与第一客体材料的LUMO能级之差大于0.2eV，第二主体材料的HOMO能级与第二客体材料的HOMO能级之差大于0.2eV。
可选地，第一客体材料和第二客体材料的掺杂浓度为0.1wt％～30wt％。
可选地，第一客体材料的LUMO能级小于第二客体材料的LUMO能级；第二客体材料的HOMO能级大于第一客体材料的HOMO能级。
可选地，第一主体材料的LUMO能级的范围为-3.2eV～-2.4eV，第一客体材料的LUMO能级的范围为-3.2eV～-2.4eV；第二主体材料的HOMO能级的范围为-6.2eV～-5.4eV，第二客体材料的HOMO能级的范围为-6.2eV～-5.4eV。
可选地，第一客体材料和第二客体材料为荧光材料；
优选地，第一主体材料和第二主体材料为双极传输型材料。
可选地，第一主体材料和第二主体材料为芳香稠环化合物，第一客体材料和第二客体材料为二氨基芘衍生物；
优选地，第一主体材料的结构式为：
Figure BDA0002255345380000151
第二主体材料的结构式为：
Figure BDA0002255345380000152
第一客体材料的结构式为：
Figure BDA0002255345380000153
第二客体材料的结构式为：
Figure BDA0002255345380000161
可选地，第一发光层与第二发光层的厚度之和为1nm～50nm。此时，可在提高发光器件发光效率的同时，保证发光器件的厚度不明显增加。另外，本发明实施例对第一发光层与第二发光层的厚度之比不作限定，可选地，第一发光层与第二发光层的厚度之比为1:99～99:1，具体可视实际情况而定。
可选地，发光器件还包括位于第二发光层靠近阴极一侧的空穴阻挡层，和/或位于第一发光层靠近阳极一侧的电子阻挡层。其中，空穴阻挡层用于阻挡空穴继续向阴极传输，电子阻挡层用于阻挡电子继续向阳极传输。示例性地，如图6所示，发光器件还包括位于第二发光层32靠近阴极20一侧的空穴阻挡层33，和位于第一发光层31靠近阳极10一侧的电子阻挡层34。此时，可进一步保证将空穴和电子限制在发光层中。
目前，通常采用电子迁移率低，单线态能级以及三线态能级高的材料(载流子阻挡材料)来制备空穴阻挡层和电子阻挡层，利用空穴阻挡层和电子阻挡层来限制空穴和电子的注入传输能力，进而平衡空穴和电子的传输。但是，每种载流子阻挡材料的载流子传输性能都是固定的，对于不同结构的发光器件，其中的载流子注入传输能力很可能不同，因此需要选择不同的载流子阻挡材料甚至寻求新的载流子阻挡材料来优化载流子的注入传输能力，极大地限制了载流子阻挡材料的选择，很难兼顾载流子阻挡材料对载流子的注入效果。例如，在选用空穴阻挡材料时，空穴阻挡材料可以有效地阻挡空穴，但影响了电子向发光层的注入。而本实施例中，通过设置第一主体材料的LUMO能级LH1大于第一客体材料的LUMO能级LD1，第二主体材料的HOMO能级HH2小于第二客体材料的HOMO能级HD2，可以有效地将空穴和电子限制在发光层中，从而在选择空穴阻挡层和电子阻挡层时，可优先考虑空穴阻挡层对电子的注入效果以及电子阻挡层对空穴的注入效果，从而降低发光器件的功耗。
上述各实施例中，阳极和阴极中的一个包括反射电极和/或透明电极，另一个包括透明电极，例如，阳极包括反射电极，此时反射电极的材料包括银或铜等，或者阳极包括透明电极-反射电极-透明电极的叠层结构，此时，透明电极的材料包括金属氧化物，如铟锡氧化物、锡氧化物、铟氧化物、镓氧化物或铟锌氧化物等，反射电极的材料包括银或铜等；阴极包括透明电极，此时透明电极的材料包括镁银合金或金属氧化物等。
另外，本发明实施例还提供了一种显示面板，该显示面板包括本发明任一实施例提供的发光器件。
本发明实施例提供的显示面板可以应用于手机、电脑以及智能可穿戴设备等具有显示功能的显示设备中，本发明实施例对此不作限定。
本发明实施例提供的显示面板包括了本发明实施例提供的发光器件，具有相同的功能和效果，此处不再赘述。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (4)

1.一种发光器件，其特征在于，包括阳极、阴极和位于所述阳极与所述阴极之间的第一发光层及第二发光层，所述第一发光层与所述第二发光层层叠设置，且所述第一发光层相比所述第二发光层更靠近所述阳极；
其中，所述第一发光层包括第一主体材料和第一客体材料，所述第二发光层包括第二主体材料和第二客体材料；所述第一主体材料的LUMO能级大于所述第一客体材料的LUMO能级，和/或所述第二主体材料的HOMO能级小于所述第二客体材料的HOMO能级；
当所述第一主体材料的LUMO能级大于所述第一客体材料的LUMO能级时，所述第一客体材料的LUMO能级小于第二客体材料的LUMO能级；
当所述第二主体材料的HOMO能级小于所述第二客体材料的HOMO能级时，所述第二客体材料的HOMO能级大于所述第一客体材料的HOMO能级；
当所述第一主体材料的LUMO能级大于所述第一客体材料的LUMO能级，同时，所述第二主体材料的HOMO能级小于所述第二客体材料的HOMO能级时，所述第一客体材料的LUMO能级小于所述第二客体材料的LUMO能级，所述第二客体材料的HOMO能级大于所述第一客体材料的HOMO能级；
所述第一主体材料的LUMO能级与所述第一客体材料的LUMO能级之差大于0.2eV，和/或所述第二主体材料的HOMO能级与所述第二客体材料的HOMO能级之差大于0.2eV；
所述发光器件还包括位于所述第二发光层靠近所述阴极一侧的空穴阻挡层，和/或位于所述第一发光层靠近所述阳极一侧的电子阻挡层；
所述第一客体材料和/或所述第二客体材料的掺杂浓度为0.1wt％～30wt％；
所述第一客体材料和/或所述第二客体材料为荧光材料；
所述第一主体材料和/或所述第二主体材料为双极传输型材料；
所述第一主体材料和/或所述第二主体材料为芳香稠环化合物，所述第一客体材料和/或所述第二客体材料为二氨基芘衍生物。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第一主体材料的LUMO能级的范围为-3.2eV～-2.4eV，所述第一客体材料的LUMO能级的范围为-3.2eV～-2.4eV；和/或所述第二主体材料的HOMO能级的范围为-6.2eV～-5.4eV，所述第二客体材料的HOMO能级的范围为-6.2eV～-5.4eV。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第一发光层与所述第二发光层的厚度之和为1nm～50nm。
4.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-3任一所述的发光器件。
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