CN111293228A - 发光器件和显示面板 - Google Patents

发光器件和显示面板 Download PDF

Info

Publication number
CN111293228A
CN111293228A CN202010116189.6A CN202010116189A CN111293228A CN 111293228 A CN111293228 A CN 111293228A CN 202010116189 A CN202010116189 A CN 202010116189A CN 111293228 A CN111293228 A CN 111293228A
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
layer
light emitting
blocking layer
carrier
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202010116189.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111293228B (zh
Inventor
高宇
刘孟宇
夏景成
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kunshan Govisionox Optoelectronics Co Ltd
Original Assignee
Kunshan Govisionox Optoelectronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kunshan Govisionox Optoelectronics Co Ltd filed Critical Kunshan Govisionox Optoelectronics Co Ltd
Priority to CN202010116189.6A priority Critical patent/CN111293228B/zh
Publication of CN111293228A publication Critical patent/CN111293228A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111293228B publication Critical patent/CN111293228B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/18—Carrier blocking layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/40—Interrelation of parameters between multiple constituent active layers or sublayers, e.g. HOMO values in adjacent layers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明公开了一种发光器件和显示面板。发光器件包括第一电极、发光层、载流子传输层、载流子阻挡层和第二电极；发光层设置于第一电极和第二电极之间，载流子阻挡层设置于发光层的至少一侧表面，载流子传输层设置于载流子阻挡层远离发光层的一侧；发光层包括发光主体材料和客体材料；发光主体材料与载流子阻挡层的材料在发光层和载流子阻挡层的界面处能够形成激基复合物；激基复合物的三线态能级小于载流子传输层材料和客体材料的三线态能级，激基复合物的单线态能级小于载流子传输层材料的单线态能级，且大于客体材料的单线态能级，可以提高发光器件的发光效率，同时可以增加发光器件的使用寿命。

Description

发光器件和显示面板
技术领域
本发明实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种发光器件和显示面板。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示技术因具有自发光、广视角、高对比度、较低耗电和极高反应速度等优点而广泛应用在显示领域。
然而，现有的OLED器件存在发光效率低、使用寿命短的问题。
发明内容
本发明提供一种发光器件和显示面板，以提高发光器件的发光效率和使用寿命。
第一方面，本发明实施例提供了一种发光器件，包括第一电极、发光层、载流子传输层、载流子阻挡层和第二电极；所述发光层设置于所述第一电极和所述第二电极之间，所述载流子阻挡层设置于所述发光层的至少一侧表面，所述载流子传输层设置于所述载流子阻挡层远离所述发光层的一侧；所述发光层包括发光主体材料和客体材料；
所述发光主体材料与所述载流子阻挡层的材料在所述发光层和所述载流子阻挡层的界面处能够形成激基复合物；所述激基复合物的三线态能级小于所述载流子传输层材料和所述客体材料的三线态能级，所述激基复合物的单线态能级小于所述载流子传输层材料的单线态能级，且大于所述客体材料的单线态能级。
可选的，所述载流子阻挡层包括至少一种平面型分子材料，所述平面型分子材料的分子结构包括至少三个平面环相连的基团；
优选地，所述平面型分子材料的分子结构中基团的平面环包括咔唑、芘、蒽和菲中的至少一种。
可选的，所述发光主体材料为电子型传输材料；所述载流子阻挡层包括电子阻挡层；所述电子阻挡层设置于所述第一电极和所述发光层之间。
可选的，所述电子阻挡层包括一种所述平面型分子材料；所述电子阻挡层的最高占据分子轨道能级与所述发光主体材料的最高占据分子轨道能级的能级差小于0.2eV。
可选的，所述载流子传输层包括空穴传输层；所述空穴传输层设置于所述电子阻挡层和所述第一电极之间；
所述激基复合物的三线态能级小于所述空穴传输层材料和所述客体材料的三线态能级，所述激基复合物的单线态能级小于所述空穴传输层材料的单线态能级，且大于所述客体材料的单线态能级。
可选的，所述发光主体材料为空穴型传输材料；所述载流子阻挡层包括空穴阻挡层；所述空穴阻挡层设置于所述第二电极和所述发光层之间。
可选的，所述空穴阻挡层包括一种所述平面型分子材料；所述空穴阻挡层的最低未占分子轨道能级与所述发光主体材料的最低未占分子轨道能级的能级差小于0.2eV。
可选的，所述载流子传输层包括电子传输层；所述电子传输层设置于所述空穴阻挡层和所述第二电极之间；
所述激基复合物的三线态能级小于所述电子传输层材料和所述客体材料的三线态能级，所述激基复合物的单线态能级小于所述电子传输层材料的单线态能级，且大于所述客体材料的单线态能级。
可选的，所述载流子阻挡层包括两种所述平面型分子材料，两种所述平面型分子材料的最高占据分子轨道的能级差小于0.2eV，且最低未占分子轨道能级差小于0.2eV。
第二方面，本发明实施例还提供了一种显示面板，包括本发明任意实施例提供的发光器件。
本发明实施例的技术方案，通过设置发光器件的载流子阻挡层与发光层的发光主体材料能够形成激基复合物，且激基复合物的三线态能级小于载流子传输层材料和客体材料的三线态能级，激基复合物的单线态能级小于载流子传输层材料的单线态能级，且大于客体材料的单线态能级，从而可以增加发光器件中主体材料的单线态激子和三线态激子的浓度，且激基复合物的三线态激子比较稳定，因此可以降低三线态激子的三线态-三线态激子湮灭的比例，同时，激基复合物的三线态激子的热失活现象比较弱，从而可以多方面的提高发光层中三线态激子的数量，从而增加了量子效率，进而提高了发光器件的发光效率。同时可以降低因三线态激子的三线态-三线态激子湮灭和热失活现象导致的发光器件的温度上升，从而可以增加发光器件的使用寿命。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种发光器件的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的另一种发光器件的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的另一种发光器件的结构示意图；
图4为本发明实施例提供的另一种发光器件的结构示意图；
图5为本发明实施例提供的另一种发光器件的结构示意图；
图6为本发明实施例提供的另一种发光器件的结构示意图；
图7为本发明实施例提供的另一种发光器件的结构示意图；
图8为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
目前蓝光OLED发光器件通常使用荧光发光材料，避免了使用磷光发光材料时需要用到的资源稀缺重金属元素以及高昂的价格等问题。而使用荧光发光材料时，OLED发光器件中的发光层中单线态激子的能量转移至发光染料进行发光。而单线态激子所占量子比例比较低，三线态激子所占量子比例比较高，因此可以通过三线态-三线态激子湮灭的方式提高OLED发光器件的量子效率，即将三线态激子转换为单线态激子提高OLED发光器件的量子效率。一般情况下，有机材料的三线态激子不稳定，会产生三线态-三线态激子湮灭，即三线态激子与OLED发光器件中的载流子复合，三线态激子无法转换为单线态激子，从而造成三线态激子的损失，降低了量子效率，进而降低了OLED发光器件的发光效率。另外，三线态激子存在热失活现象，即三线态激子会逐渐失去能量，进而转换为基态，进一步的造成了三线态激子的损失，降低了量子效率，进而降低了OLED发光器件的发光效率。而且，三线态激子的三线态-三线态激子湮灭以及热失活现象均会使OLED发光器件的温度上升，从而影响OLED发光器件的使用寿命。
针对上述技术问题，本发明实施例提供了一种发光器件。图1为本发明实施例提供的一种发光器件的结构示意图。如图1所示，该发光器件包括第一电极110、发光层120、载流子传输层130、载流子阻挡层140和第二电极150；发光层120设置于第一电极110和第二电极150之间，载流子阻挡层140设置于发光层120的至少一侧表面，载流子传输层130设置于载流子阻挡层140远离发光层120的一侧；发光层120包括发光主体材料和客体材料；发光主体材料与载流子阻挡层140的材料在发光层120和载流子阻挡层140的界面处能够形成激基复合物；激基复合物的三线态能级小于载流子传输层130材料和客体材料的三线态能级，激基复合物的单线态能级小于载流子传输层130材料的单线态能级，且大于客体材料的单线态能级。
具体的，第一电极110可以为阳极，第二电极150可以为阴极。如图1所示，载流子传输层130和载流子阻挡层140可以设置于第一电极110和发光层120之间。此时载流子传输层130设置于第一电极110和载流子阻挡层140之间，载流子阻挡层140设置于载流子传输层130和发光层120之间。发光层120包括发光主体材料，当给发光器件提供驱动电流时，发光主体材料与载流子阻挡层140在发光层120和载流子阻挡层140的界面处形成激基复合物。在发光层120发光的过程中，激基复合物的单线态激子和三线态激子可以增加发光层120中的单线态激子和三线态激子的浓度，且激基复合物的三线态激子比较稳定，因此可以降低三线态激子的三线态-三线态激子湮灭的比例，同时，激基复合物的三线态激子的热失活现象比较弱，从而可以多方面的提高发光层120中三线态激子的数量，从而增加了量子效率，进而提高了发光器件的发光效率。同时可以降低因三线态激子的三线态-三线态激子湮灭和热失活现象导致的发光器件的温度上升，从而可以增加发光器件的使用寿命。
另外，不同激子之间能级由高能级激子向低能级激子传递。而且，发光器件发光时，主要由发光层120中单线态激子的能量转移至发光染料进行发光。当激基复合物的三线态能级小于载流子传输层130材料和客体材料的三线态能级时，激基复合物的三线态激子无法将能量转移至载流子传输层130的材料和客体材料中，使得激基复合物的三线态激子传输至发光层120的主体材料中，提高发光层120中主体材料的三线态激子，主体材料的三线态激子转换为单线态激子，单线态激子将能量转移至发光染料进行发光，从而避免了激基复合物的三线态激子的能量损失的同时无法提高发光层中的量子效率，保证了激基复合物的三线态激子的量子效率。同理，当激基复合物的单线态能级小于载流子传输层130材料的单线态能级，且大于客体材料的单线态能级时，同样可以避免激基复合物的单线态激子将能量转移至载流子传输层130材料中，避免了激基复合物的单线态激子的能量损失。而且，激基复合物的单线态激子可以将能量转移至客体材料中，从而增加发光层120中单线态激子的能量，进而提高发光层120中量子效率，提高了发光器件的发光效率。
图2为本发明实施例提供的另一种发光器件的结构示意图。如图2所示，载流子传输层130和载流子阻挡层140还可以设置于第二电极150和发光层120之间。此时载流子传输层130设置于第二电极150和载流子阻挡层140之间，载流子阻挡层140设置于载流子传输层130和发光层120之间。根据图2所示的发光器件，当给发光器件提供驱动电流时，载流子阻挡层140和发光层120的界面处同样可以形成激基复合物，从而可以降低发光层120中三线态激子的三线态-三线态激子湮灭以及热失活现象，提高了发光层120的量子效率，进而提高了发光器件的发光效率，同时降低了发光器件的温度上升，增加了发光器件的使用寿命。
在上述技术方案的基础上，载流子阻挡层140包括至少一种平面型分子材料，平面型分子材料的分子结构包括至少三个平面环相连的基团。
具体的，发光层120的发光主体材料的分子结构具有比较好的平面性。而载流子阻挡层140包括平面型分子材料，平面型分子材料的分子结构包括至少三个平面环相连的基团，使得平面型分子材料的分子结构同样具有比较好的平面性。当给发光器件驱动电流时，发光层120的发光主体材料与载流子阻挡层140的平面型分子材料容易在激发态产生激基复合物。而激基复合物的三线态激子比较稳定，从而可以增加发光器件的量子效率，降低三线态激子的三线态-三线态激子湮灭和热失活导致的发光器件的温度上升，从而提高了发光器件的发光效率和使用寿命。
优选地，所述平面型分子材料的分子结构中基团的平面环包括咔唑、芘、蒽和菲中的至少一种。
具体的，苯环具有较好的平面性，通过选择平面型分子材料中分子结构中的基团包括多个苯环，可以保证平面型分子材料的分子结构具有较好的平面性。
例如，咔唑的化学式为：
Figure BDA0002391570450000081
芘的化学式为：
Figure BDA0002391570450000082
蒽的化学式为：
Figure BDA0002391570450000083
菲的化学式为：
Figure BDA0002391570450000084
需要说明的是，上述的基团仅是举例说明。在其他实施例中，还可以包括多个苯环相连的基团，或者是碳原子被杂原子(例如氮原子、氧原子等)取代的多环状基团。另外，平面型分子材料中平面环相连的个数越多，平面型分子材料的平面性越好，使得在给发光器件驱动电流时，发光层120的发光主体材料与载流子阻挡层140的平面型分子材料越加容易形成激基复合物，进而更容易提高发光器件的发光效率和使用寿命。
图3为本发明实施例提供的另一种发光器件的结构示意图。如图3所示，发光主体材料为电子型传输材料；载流子阻挡层140包括电子阻挡层141；电子阻挡层141设置于第一电极110和发光层120之间。
具体的，当发光主体材料为电子型传输材料时，发光器件的载流子复合区位于发光层120靠近第一电极110的一侧，即发光层120中的载流子大多在发光层120靠近第一电极110的一侧形成激子。此时在第一电极110和发光层120之间设置电子阻挡层141，电子阻挡层141包括平面型分子材料，从而可以在给发光器件驱动电流时，电子阻挡层141的平面型分子材料与发光主体材料形成的激基复合物靠近发光器件的载流子复合区，从而使得激基复合物更好的提高发光层120中的激子浓度。且激基复合物的三线态激子比较稳定，因此可以更好的降低三线态激子的三线态-三线态激子湮灭的比例，同时，激基复合物的三线态激子的热失活现象比较弱，从而可以多方面的提高发光层120中三线态激子的数量，从而增加了量子效率，进而提高了发光器件的发光效率。同时可以降低因三线态激子的三线态-三线态激子湮灭和热失活现象导致的发光器件的温度上升，从而可以增加发光器件的使用寿命。
可选的，电子阻挡层141包括一种平面型分子材料；电子阻挡层141的最高占据分子轨道(Highest Occupied Molecular Orbital，HOMO)能级与发光主体材料的最高占据分子轨道能级的能级差小于0.2eV。
具体的，电子阻挡层141的HOMO能级可以大于发光主体材料的HOMO能级，使得空穴能够从电子阻挡层141跃迁至发光主体材料，从而实现发光层120中载流子的复合。另外，电子阻挡层141的HOMO能级与发光主体材料的HOMO能级的能级差小于0.2eV，可以使得电子阻挡层141的平面型分子材料与发光主体材料形成的激基复合物的激发态能量比较低，更容易实现激基复合物的三线态能级小于载流子传输层的材料和客体材料的三线态能级，且激基复合物的单线态能级小于载流子传输层材料的单线态能级，大于客体材料的单线态能级。
示例性的，图4为本发明实施例提供的另一种发光器件的结构示意图。如图4所示，载流子传输层130包括空穴传输层131；空穴传输层131设置于电子阻挡层141和第一电极110之间；激基复合物的三线态能级小于空穴传输层131材料和客体材料的三线态能级，激基复合物的单线态能级小于空穴传输层材料131的单线态能级，且大于客体材料的单线态能级。其中，空穴传输层131可以提高第一电极110提供的空穴的传输能力。
图5为本发明实施例提供的另一种发光器件的结构示意图。如图5所示，发光主体材料为空穴型传输材料；载流子阻挡层140包括空穴阻挡层142；空穴阻挡层142设置于第二电极150和发光层120之间。
具体的，当发光主体材料为空穴型传输材料时，发光器件的载流子复合区位于发光层120靠近第二电极150的一侧，即发光层120中的载流子大多在发光层120靠近第二电极150的一侧形成激子。此时在第二电极150和发光层120之间设置空穴阻挡层142，空穴阻挡层142包括平面型分子材料，从而可以在给发光器件驱动电流时，空穴阻挡层142的平面型分子材料与发光主体材料形成的激基复合物靠近发光器件的载流子复合区，从而使得激基复合物更好的提高发光层120中的激子浓度。且激基复合物的三线态激子比较稳定，因此可以更好的降低三线态激子的三线态-三线态激子湮灭的比例，同时，激基复合物的三线态激子的热失活现象比较弱，从而可以多方面的提高发光层120中三线态激子的数量，从而增加了量子效率，进而提高了发光器件的发光效率。同时可以降低因三线态激子的三线态-三线态激子湮灭和热失活现象导致的发光器件的温度上升，从而可以增加发光器件的使用寿命。
可选的，空穴阻挡层142包括一种平面型分子材料；空穴阻挡层142的最低未占分子轨道(Lowest Unoccupied Molecular Orbital，LUMO)能级与发光主体材料的最低未占分子轨道能级的能级差小于0.2eV。
具体的，空穴阻挡层142的LUMO能级可以小于发光主体材料的LUMO能级，使得电子能够从空穴阻挡层142跃迁至发光主体材料，从而实现发光层120中载流子的复合。另外，空穴阻挡层142的LUMO能级与发光主体材料的LUMO能级的能级差小于0.2eV，可以使得空穴阻挡层142的平面型分子材料与发光主体材料形成的激基复合物的激发态能量比较低，更容易实现激基复合物的三线态能级小于载流子传输层的材料和客体材料的三线态能级，且激基复合物的单线态能级小于载流子传输层材料的单线态能级，大于客体材料的单线态能级。
示例性的，继续参考图5，载流子传输层130包括电子传输层132；电子传输层132设置于空穴阻挡层142和第二电极150之间；激基复合物的三线态能级小于电子传输层132材料和客体材料的三线态能级，激基复合物的单线态能级小于电子传输层132材料的单线态能级，且大于客体材料的单线态能级。其中，电子传输层132可以提高第二电极150提高的电子的传输能力。
需要说明的是，载流子传输层可以包括空穴传输层和/或电子传输层。当发光层的发光主体材料为电子型传输材料时，可以使载流子传输层至少包括空穴传输层，且空穴传输层包括平面型分子材料。当发光层的发光主体材料为空穴型传输材料时，可以使载流子传输层至少包括电子传输层，且电子传输层包括平面型分子材料。在其他实施例中，发光层的发光主体材料还可以为双向传输材料，此时载流子传输层可以包括空穴传输层和电子传输层，且空穴传输层和电子传输层中的至少一层包括平面型分子材料。
图6为本发明实施例提供的另一种发光器件的结构示意图。如图6所示，当发光主体材料为双向型传输材料时，发光器件的载流子阻挡层140可以同时包括电子阻挡层141和空穴阻挡层142。电子阻挡层141设置于第一电极110和发光层120之间，空穴阻挡层142设置于第二电极150和发光层120之间。电子阻挡层141和空穴阻挡层142中的至少一层包括平面型分子材料，从而可以在给发光器件驱动电流时，电子阻挡层141和/或空穴阻挡层142的平面型分子材料与发光主体材料形成激基复合物，从而提高发光层120中的激子浓度。且激基复合物的三线态激子比较稳定，从而增加了量子效率，进而提高了发光器件的发光效率。同时可以降低因三线态激子的三线态-三线态激子湮灭和热失活现象导致的发光器件的温度上升，从而可以增加发光器件的使用寿命。
图7为本发明实施例提供的另一种发光器件的结构示意图。如图7所示，当发光器件包括电子阻挡层141和空穴阻挡层142时，发光器件的载流子传输层130可以包括空穴传输层131和/或电子传输层132。图7中示例性的示出了载流子传输层130同时包括空穴传输层131和电子传输层132。空穴传输层131设置于电子阻挡层141和第一电极110之间，电子传输层132设置于空穴阻挡层142与第二电极150之间。当电子阻挡层141和/或空穴阻挡层142包括平面型分子材料时，电子阻挡层141和/或空穴阻挡层142中的平面型分子材料与发光层120发光主体材料形成的激基复合物三线态能级小于空穴传输层131和/或电子传输层132材料，以及客体材料的三线态能级，激基复合物的单线态能级小于空穴传输层131和/或电子传输层132材料的单线态能级，且大于客体材料的单线态能级。
在上述各技术方案的基础上，载流子阻挡层包括两种平面型分子材料，两种平面型分子材料的最高占据分子轨道的能级差小于0.2eV，且最低未占分子轨道能级差小于0.2eV。
具体的，载流子阻挡层还可以包括多种平面型分子材料，多种平面型分子材料的平面性比较好。同时多种平面型分子材料的接触面积比较大，当给发光器件驱动电流时，载流子阻挡层中的多种平面型分子材料可以激发形成更多的激基复合物，从而更多的增加了激子浓度，有利于提高发光器件的发光效率和使用寿命。示例性的，载流子阻挡层可以包括两种平面型分子材料。另外，当载流子阻挡层包括两种平面型分子材料时，两种平面型分子材料的最高占据分子轨道的能级差小于0.2eV，且最低未占分子轨道能级差小于0.2eV，可以使得两种平面型分子材料形成的激基复合物的激发态能量比较低，更容易实现激基复合物的三线态能级小于载流子传输层的材料和客体材料的三线态能级，且激基复合物的单线态能级小于载流子传输层材料的单线态能级，大于客体材料的单线态能级。示例性的，载流子阻挡层中的一种平面型分子材料与发光主体材料相同，此时相当于载流子阻挡层的另一种平面型分子材料与发光主体材料激发形成激基复合物，由于另一种平面型分子材料与发光主体材料的接触面积比较大，因此有利于形成更多的激基复合物，进而有利于提高发光器件的发光效率和使用寿命。
本发明实施例还提供一种显示面板。图8为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图。如图8所示，该显示面板100包括本发明任意实施例提供的发光器件101。
本实施例提供的显示面板与本发明任意实施例提供的发光器件属于相同的发明构思，具有相应的有益效果，未在本实施例详尽的技术细节，详见本发明任意实施例提供的发光器件。
本实施例还提供了一种显示装置，包括本发明任意实施例提供的显示面板，显示装置可以为手机、平板、可穿戴设备等电子显示产品。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (10)

1.一种发光器件，其特征在于，包括第一电极、发光层、载流子传输层、载流子阻挡层和第二电极；所述发光层设置于所述第一电极和所述第二电极之间，所述载流子阻挡层设置于所述发光层的至少一侧表面，所述载流子传输层设置于所述载流子阻挡层远离所述发光层的一侧；所述发光层包括发光主体材料和客体材料；
所述发光主体材料与所述载流子阻挡层的材料在所述发光层和所述载流子阻挡层的界面处能够形成激基复合物；所述激基复合物的三线态能级小于所述载流子传输层材料和所述客体材料的三线态能级，所述激基复合物的单线态能级小于所述载流子传输层材料的单线态能级，且大于所述客体材料的单线态能级。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述载流子阻挡层包括至少一种平面型分子材料，所述平面型分子材料的分子结构包括至少三个平面环相连的基团；
优选地，所述平面型分子材料的分子结构中基团的平面环包括咔唑、芘、蒽和菲中的至少一种。
3.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述发光主体材料为电子型传输材料；所述载流子阻挡层包括电子阻挡层；所述电子阻挡层设置于所述第一电极和所述发光层之间。
4.根据权利要求3所述的发光器件，其特征在于，所述电子阻挡层包括一种所述平面型分子材料；所述电子阻挡层的最高占据分子轨道能级与所述发光主体材料的最高占据分子轨道能级的能级差小于0.2eV。
5.根据权利要求3所述的发光器件，其特征在于，所述载流子传输层包括空穴传输层；所述空穴传输层设置于所述电子阻挡层和所述第一电极之间；
所述激基复合物的三线态能级小于所述空穴传输层材料和所述客体材料的三线态能级，所述激基复合物的单线态能级小于所述空穴传输层材料的单线态能级，且大于所述客体材料的单线态能级。
6.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述发光主体材料为空穴型传输材料；所述载流子阻挡层包括空穴阻挡层；所述空穴阻挡层设置于所述第二电极和所述发光层之间。
7.根据权利要求6所述的发光器件，其特征在于，所述空穴阻挡层包括一种所述平面型分子材料；所述空穴阻挡层的最低未占分子轨道能级与所述发光主体材料的最低未占分子轨道能级的能级差小于0.2eV。
8.根据权利要求6所述的发光器件，其特征在于，所述载流子传输层包括电子传输层；所述电子传输层设置于所述空穴阻挡层和所述第二电极之间；
所述激基复合物的三线态能级小于所述电子传输层材料和所述客体材料的三线态能级，所述激基复合物的单线态能级小于所述电子传输层材料的单线态能级，且大于所述客体材料的单线态能级。
9.根据权利要求3或6所述的发光器件，其特征在于，所述载流子阻挡层包括两种所述平面型分子材料，两种所述平面型分子材料的最高占据分子轨道的能级差小于0.2eV，且最低未占分子轨道能级差小于0.2eV。
10.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-9任一所述的发光器件。
CN202010116189.6A 2020-02-25 2020-02-25 发光器件和显示面板 Active CN111293228B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010116189.6A CN111293228B (zh) 2020-02-25 2020-02-25 发光器件和显示面板

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010116189.6A CN111293228B (zh) 2020-02-25 2020-02-25 发光器件和显示面板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111293228A true CN111293228A (zh) 2020-06-16
CN111293228B CN111293228B (zh) 2022-10-25

Family

ID=71023148

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010116189.6A Active CN111293228B (zh) 2020-02-25 2020-02-25 发光器件和显示面板

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111293228B (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111864095A (zh) * 2020-07-23 2020-10-30 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管结构、显示装置
CN111916574A (zh) * 2020-08-21 2020-11-10 京东方科技集团股份有限公司 蓝光电致发光器件、显示面板及显示装置
CN111952477A (zh) * 2020-08-24 2020-11-17 云谷（固安）科技有限公司 显示面板及显示装置
CN113611808A (zh) * 2021-07-30 2021-11-05 京东方科技集团股份有限公司 发光单元及其制备方法、显示面板、显示设备
CN115088089A (zh) * 2020-12-28 2022-09-20 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光器件和显示装置
CN116056483A (zh) * 2022-11-28 2023-05-02 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 有机发光器件和显示面板

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014220450A (ja) * 2013-05-10 2014-11-20 国立大学法人山形大学 有機エレクトロルミネッセンス素子
CN106898700A (zh) * 2015-12-18 2017-06-27 昆山国显光电有限公司 一种磷光有机电致发光器件
CN109830611A (zh) * 2019-01-31 2019-05-31 瑞声科技（南京）有限公司 一种有机发光二极管及制作方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014220450A (ja) * 2013-05-10 2014-11-20 国立大学法人山形大学 有機エレクトロルミネッセンス素子
CN106898700A (zh) * 2015-12-18 2017-06-27 昆山国显光电有限公司 一种磷光有机电致发光器件
CN109830611A (zh) * 2019-01-31 2019-05-31 瑞声科技（南京）有限公司 一种有机发光二极管及制作方法

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111864095A (zh) * 2020-07-23 2020-10-30 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管结构、显示装置
WO2022017028A1 (zh) * 2020-07-23 2022-01-27 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管结构、显示装置
CN111864095B (zh) * 2020-07-23 2023-04-28 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管结构、显示装置
CN111916574A (zh) * 2020-08-21 2020-11-10 京东方科技集团股份有限公司 蓝光电致发光器件、显示面板及显示装置
CN111916574B (zh) * 2020-08-21 2023-12-01 京东方科技集团股份有限公司 蓝光电致发光器件、显示面板及显示装置
CN111952477A (zh) * 2020-08-24 2020-11-17 云谷（固安）科技有限公司 显示面板及显示装置
CN111952477B (zh) * 2020-08-24 2023-09-19 云谷（固安）科技有限公司 显示面板及显示装置
CN115088089A (zh) * 2020-12-28 2022-09-20 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光器件和显示装置
CN115088089B (zh) * 2020-12-28 2023-09-29 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光器件和显示装置
CN113611808A (zh) * 2021-07-30 2021-11-05 京东方科技集团股份有限公司 发光单元及其制备方法、显示面板、显示设备
CN113611808B (zh) * 2021-07-30 2023-11-07 京东方科技集团股份有限公司 发光单元及其制备方法、显示面板、显示设备
CN116056483A (zh) * 2022-11-28 2023-05-02 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 有机发光器件和显示面板

Also Published As

Publication number Publication date
CN111293228B (zh) 2022-10-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111293228B (zh) 发光器件和显示面板
CN109994628B (zh) 有机电致发光器件及有机电致发光器件的制备方法
Karzazi Organic light emitting diodes: Devices and applications
CN102439746B (zh) 用于有机电子器件的内部连接器
CN103367646B (zh) 串联白色有机发光器件
KR100626975B1 (ko) 유기 일렉트로루미네선스 소자
CN108807481B (zh) 一种有机发光显示面板及显示装置
US11930651B2 (en) Organic luminescent material, organic electroluminescent element and display device
JP2004515895A5 (zh)
JP2020513158A (ja) 有機エレクトロルミネセンスデバイスおよびディスプレイ装置
CN101171698A (zh) 有机电致发光元件
JP2007179933A (ja) 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置
CN111048675A (zh) 一种显示面板及显示装置
JP2006066380A (ja) 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置
CN110752307B (zh) 发光器件和显示面板
CN110783473A (zh) 一种发光器件和显示面板
CN100397678C (zh) 包含具有p-型半导体特性的有机化合物的电子器件
JP2006049394A (ja) 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置
CN109713151A (zh) 显示面板、发光元件的制备方法以及显示装置
JP2007318130A (ja) 有機発光デバイス、発光層、およびその製造方法
KR20120075271A (ko) 백색 유기 발광 소자
CN111799386B (zh) 一种发光器件、显示装置
KR101101940B1 (ko) 이중 도핑을 이용한 고효율 진적색 인광 유기발광소자 및 그 제조 방법
CN112447923A (zh) 有机发光二极管及其制备方法、显示面板、显示器件
CN114805373B (zh) 一种空穴传输材料、发光器件、显示面板及显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant